TW201841402A - 電子元件、其備製方法及含該元件之顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是關於一種電子裝置，其包括含有硼酸鹽的至少一層，其中該硼酸鹽包含於含有該硼酸鹽的該層中的量，以重量計及/或以體積計，超過該層中另外包含的其他成分的總量、含該電子裝置的顯示裝置、和製備該電子裝置的方法。

Description

電子元件、其備製方法及含該元件之顯示裝置
本發明是關於一種電子裝置、含有該電子裝置的顯示器裝置、以及用於製備該電子裝置的方法。
有機發光二極體（OLED）（其為自發光元件）具有廣視角、絕佳對比度、快速回應、高亮度、絕佳的驅動電壓特性以及色彩再現性。典型的OLED包括陽極、電洞傳輸層（HTL）、發光層（EML）、電子傳輸層（ETL）以及陰極，它們依序地堆疊在基板上。在這個方面，HTL、EML和ETL都是由有機及/或有機金屬性化合物所形成的薄膜。
當一電壓被施加於陽極和陰極時，從陽極電極注出的電洞通過HTL移動到EML，從陰極電極注出的電子通過ETL移動至EML。電洞和電子在EML中再度結合而產生激子（excitons）。當激子從激發態降至基態時，即發出光。電洞和電子的注入與流動應達平衡，致使具有上述結構的OLED具有絕佳效率。
WO 2013/079676中揭露了有機電子元件和使用金屬硼酸錯合物作為其電子傳輸材料中的n-摻雜物。
需要提升電子元件及/或光電元件，特別是包括有機電荷傳輸材料的光電元件（例如有機發光二極體（OLED）或有機太陽能光電（OPV）元件）、以及包括該光電元件的複雜裝置（例如OLED顯示器）的性能。
因此，本發明的目的在於提供一種電子裝置及其製備方法以克服先前技術的缺失，特別是在於提供包括創新的電荷傳輸材料、有機電荷注入材料或電荷產生材料的電子裝置，以提升裝置的性能，特別是提升OLED中的電流密度及/或操作電壓及/或外部量子效率。
上述目的可藉由一種電子裝置來實現，其包括含有硼酸鹽的至少一層，其中該硼酸鹽包含於含有該硼酸鹽的該層中的量，以重量計及/或以體積計，超過該層中另外包含的其他成分的總量。
本發明之電子裝置是一種電子元件，其包括至少一層，正常而言是多數不同層。這些層可例如藉由蒸發化學化合物並使其沉積於基板（或前一層）上來製備。根據本發明，該電子元件中所含層的至少一層包括硼酸鹽，硼酸鹽的量係使硼酸鹽為該層的主要化合物，亦即，其量超過該層中所含所有其他化合物的量。也就是說，若包括硼酸鹽的該層包括數種不同化合物，則硼酸鹽的量（以重量計及/或以體積計）超過每一個其他化合物的量。可以規定，在硼酸鹽被含於包括硼酸鹽的該層中，硼酸鹽的量(以重量計及/或以體積計)為至少50%。此外，可規定「包括」是指「由…組成」，換句話說，該層僅由硼酸鹽組成（除了傳統技術方式所無法避免的雜質以外）。
發明人驚奇地發現，包括含硼酸鹽為主成分的至少一層，特別是在電荷注入層、電荷傳輸層或電荷產生層中的電子元件，顯示了超越先前技術裝置的優越特性，特別是在電流密度、驅動電壓和量子效率方面。這些優點在本文所提出的特定實例中是明顯的。
在電子元件中，該硼酸鹽包含於含有該硼酸鹽的該層中的量，以重量計及/或以體積計，超過該層中另外包含的其他成分的總量。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該電子元件可進一步包括一第一電極和一第二電極，且包括硼酸鹽的該層是配置在該第一電極與該第二電極之間。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，包括硼酸鹽的該層可以是一電荷注入層、一電荷產生層或一電荷傳輸層。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該電荷注入層可以是一電洞注入層，及/或該電荷產生層是一電洞產生層。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該硼酸鹽可以是一金屬硼酸鹽。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該金屬硼酸鹽是由至少一個金屬陽離子與至少一個陰離子配位基所組成，其中該陰離子配位基含有至少六個共價鍵結原子，而且這些共價鍵結原子中至少一個是硼原子。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該陰離子配位基含有至少7個、或者是至少8個、或者是至少9個、或者是至少10個、或者是至11個、或者是至少12個共價鍵結原子。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該金屬選自由Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Bi、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Th、U和其混合物所組成的群組。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該硼酸鹽包括具有下式（I）的陰離子：， 其中，A1 至A4 是獨立地選自： (i) 氫（H）， (ii) 氟（F）， (iii) 氰（CN）， (iv) C6 -C60 芳香基， (v) C7 -C60 芳烷基， (vi) C1 -C60 烷基， (vii) C2 -C60 烯基， (viii) C2 -C60 炔基， (ix) C3 -C60 環烷基，以及 (x) C2 -C60 雜芳基； 其中，只要含碳基團中的碳原子總數不超過60，從（iv）、（v）、（vi）、（vii）、（viii）、（ix）與（x）中選出的任何含碳基團中的任何氫原子係可被獨立地選自氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）、碘（I）、氰（CN）、未經取代的或鹵代烷基、未經取代的或鹵代（雜）芳基、未經取代的或鹵代（雜）芳烷基、未經取代的或鹵代烷基磺醯基、未經取代的或鹵代（雜）芳基磺醯基、未經取代的或鹵代（雜）芳烷基磺醯基、未經取代的或鹵代含硼烴基、未經取代的或鹵化的含矽烴基之取代基所取代。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，A1 至A4 中的至少一個是選自F、CN、烴基、含硼烴基、含矽烴基和雜芳基，其中在個別烴基、含硼烴基、含矽烴基和雜芳基中有50％或更多的氫原子被由F、Cl、Br、I和CN所組成的群組中的一個所取代。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，包括硼酸鹽的該層中所包含的硼酸鹽的量為相對於包含硼酸鹽的該層的總重量的至少60wt%，或者是至少75wt%、或者是至少90wt%、或者是至少95wt%、或者是至少98wt%、或者是至少99wt%、或者是至少99.5wt%、或者是至少99.9wt%。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
在本發明的電子裝置中，該電子元件是一電致發光元件，較佳地是一有機發光二極體。在這種方式中，可進一步提升電子元件的特性，特別是在操作電壓及/或其效率方面。
該目的可進一步藉由包括本發明的電子裝置的顯示器裝置來實現。
最後，該目的可藉由一種用於製備本發明的電子裝置的方法來實現，該方法包括下列步驟： (i) 在一升高溫度下、且可選擇的在一降低壓力下，蒸發一硼酸鹽；以及 (ii) 使被蒸發的硼酸鹽沉積在一基板上。
在本發明的方法中，所述蒸發和所述沉積各自包括共同蒸發和共同沉積硼酸鹽與預定包括於硼酸鹽的該層中的其他化合物。
此外，本發明的方法可包括其他處理步驟，特別是適合被包含於例如OLED或OPV等電子元件中的其他層的沉積。
可假設就硼酸鹽的選項而言，係排除了金屬為Ag的金屬硼酸鹽。在這種方式中，可避免硼酸鹽與包含硼酸鹽的該層中的其他化合物的反應。
在本發明的方法中，包含硼酸鹽的該層可為發光層，且硼酸鹽可為發光體主體。
此外，在電子元件中，包含硼酸鹽的該層可為光學入耦層或光學出耦層，特別是當該電子元件是OLED或太陽能電池時。 其他層
根據本發明，除了上文述及的層以外，電子元件還可以包括其他層。下文說明各層的例示實施方式。基板
基板可為電子元件（例如有機發光二極體）製造中通常使用的任何基板。若光要被發射通過基板，則基板應為透明或半透明材料，例如玻璃基板或透明塑膠基板。若光是要被發射通過上表面，則基板可為透明的、以及不透明的材料，例如玻璃基板、塑膠基板、金屬基板或矽基板。陽極電極
第一電極或第二電極中任一可為陽極電極。陽極電極可藉由沉積或濺鍍用以形成陽極電極的材料而形成。用以形成陽極電極的材料可以是高工作函數材料，以促進電洞注入。陽極材料也可選自低工作函數材料（例如：鋁）。陽極電極可以是透明或反射電極。可使用透明傳導性氧化物來形成陽極電極，例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、二氧化錫（SnO2 ）、氧化鋅鋁（AlZO）與氧化鋅（ZnO）。陽極材料也可利用金屬來形成，一般而言有銀（Ag）、金（Au）或金屬合金。電洞注入 層
根據本發明，電洞注入層包括或含有前文詳述之硼酸鹽作為主要成分。電洞注入層（HIL）可藉由真空沉積、旋轉塗佈、印刷、澆鑄、狹縫塗佈、LB（Langmuir-Blodgett）沉積或之類的方式形成於陽極電極上。當利用真空沉積來形成HIL時，沉積條件會根據要用來形成HIL的化合物、以及所需的結構和HIL的熱性質而改變。然而一般而言，真空沉積的條件包括沉積溫度為100°C至500°C，壓力為10-8 至10-3 托耳（1托耳等於133.322帕斯卡），且沉積速率為0.1至10 nm/sec。
當使用旋轉塗佈或印刷方式來形成HIL時，塗佈條件會根據要用來形成HIL的化合物、以及所需的結構和HIL的熱學性質而改變。舉例而言，塗佈條件包括塗佈速度約2000 rpm至約5000 rpm，且熱處理溫度約為80°C至約200°C。熱處理是在進行塗佈之後移除溶劑。
HIL可由一般用以形成HIL的任何化合物來形成，特別是當電子元件包括含有硼酸鹽作為主要成分的包括另一層時。可用以形成HIL的化合物實例包括酞青化合物，例如銅酞青（CuPc）、4,4’,4”-三（3-甲基苯基苯基胺基）三苯胺（m-MTDATA）、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸（Pani/DBSA）、聚（3,4-亞乙基二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS）、聚苯胺/樟腦磺酸（Pani/CSA）和聚苯胺）/聚(4-苯乙烯磺酸（PANI/PSS）。
在這樣的情況下，HIL可為純p-摻雜物層，或是可選自摻雜有p-摻雜物的電洞傳輸基質化合物。已知的氧化還原摻雜電洞傳輸材料的典型實例為：摻雜有四氟-四氰對醌二甲烷（F4TCNQ）（其LUMO能級為約-5.2eV）的銅酞青（CuPc）（其HOMO能級約為-5.2eV的）；摻雜F4TCNQ的酞青鋅（ZnPc）（HOMO=-5.2eV）；摻雜F4TCNQ的α-NPD（N,N’-雙（萘-1-基）-N,N’-雙（苯基）-聯苯胺）；摻雜2,2’-（全氟萘-2,6-二亞基）二丙二腈（PD1）的α-NPD；摻雜2,2’,2”-（環丙烷-1,2,3-三亞基）三（2-（對氰基四氟苯基）乙腈）（PD2）的α-NPD。摻雜物濃度可選自1至20重量％（wt.%），更佳地是3重量％（wt.%）至10重量％（wt.%）。
HIL的厚度可介於大約1nm至大約100nm的範圍，且舉例而言，是介於約1nm至約25nm。當HIL的厚度在這個範圍內時，HIL會具有絕佳的電洞注入特性，而且在驅動電壓方面不會造成實質損失。電洞傳輸 層
根據本發明，電洞傳輸層可包括或含有前文詳述的硼酸鹽作為主要成分。
電洞傳輸層（HTL）可藉由真空沉積、旋轉塗佈、印刷、澆鑄、狹縫塗佈、LB（Langmuir-Blodgett）沉積等方式形成於陽極電極上。當利用真空沉積或旋轉塗佈方式來形成HTL時，沉積和塗佈條件類似於用於形成HIL的化合物者。然而，真空或溶液沉積的條件會根據用以形成HTL的化合物而改變。
當HTL不包括根據本發明的硼酸鹽作為主要成分、而硼酸鹽是包含於另一層中作為主要成分時，HTL可由一般用以形成HTL的任何化合物形成。適合使用的化合物係揭露於例如Yasuhiko Shirota和Hiroshi Kageyama發表的文獻Chem. Rev. 2007, 107, 953-1010中（通過引用形式而併入）。用以形成HTL的化合物實例包括有：咔唑衍生物，例如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑；聯苯胺衍生物，例如N,N’-雙（3-甲基苯基）-N,N’-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4’-二胺（TPD）或N,N’-二（萘-1-基）-N,N’-二苯基聯苯胺（α-NPD）；以及三苯胺基化合物，例如4,4’,4”-三（N-咔唑）三苯胺（TCTA）。在這些化合物中，TCTA可以傳輸電洞並抑制激子擴散到EML中。
HTL的厚度是在大約5奈米至約250奈米的範圍，較佳地，在大約10奈米至約200奈米的範圍，進一步是在約20奈米至約190奈米的範圍，進一步是在約40奈米至約180奈米的範圍，進一步是在60奈米至約170奈米的範圍，進一步是在約80奈米至約160奈米的範圍，進一步是在約100奈米至約160奈米的範圍，進一步是在約120奈米至約140奈米的範圍。HTL的較佳厚度可以是170奈米至200奈米。
當HTL的厚度是在這個範圍內時，HTL會具有絕佳的電洞傳輸特性，而且在驅動電壓方面不會造成實質損失。電子阻擋層
電子阻擋層（EBL）的功能在於防止電子從發光層被轉移到電洞傳輸層，從而將電子侷限於發光層。藉此可增進效率、操作電壓及/或壽命。一般而言，電子阻擋層包括三芳基胺化合物。三芳基胺化合物可以具有比電洞傳輸層的LUMO能級更接近真空能級的LUMO能級。與電洞傳輸層的HOMO能級相比，電子阻擋層可以具有更遠離真空能級的HOMO能級。電子阻擋層的厚度可以在2和20奈米之間選擇。
電子阻擋層可包括下式（Z）的化合物：。
在式Z中，CY1 和CY2 彼此相同或不同，並且各自獨立地代表苯環或萘環，Ar1至Ar3彼此相同或不同，並且各自獨立地選自由以下組成的群組：氫；具有6至30個碳原子的取代或未取代的芳基；以及取代或未取代的具有5至30個碳原子的雜芳基，Ar4選自取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯苯基、取代或未取代的三苯基、取代或未取代的三亞苯基、取代或未取代的碳原子數為5至30的雜芳基，L為取代或未取代的碳原子數為6至30的亞芳基。
如果電子阻擋層具有高三重態能級，則它也可以被描述為三重態控制層。
若使用磷光綠色或藍色發光層，則三重態控制層的功能在於減少三重態的消光。由此，可以實現來自磷光發光層的更高的發光效率。三重態控制層選自三芳基胺化合物，其三重態能級高於相鄰發光層中磷光發光體的三重態能級。在EP 2 722 908 A1中描述了用於三重態控制層的合適的化合物，特別是三芳基胺化合物。發光層（ EML ）
EML可藉由真空沉積、旋轉塗佈、狹縫塗佈、印刷、澆鑄、LB沉積或之類的方式形成在HTL上。當EML是利用真空沉積或旋轉塗佈方式形成時，沉積和塗佈的條件會類似於用以形成HIL的條件。然而，沉積和塗佈的條件可根據要用以形成EML的化合物而改變。
發光層（EML）可以由主體和發光體摻雜物的組合形成。主體的實例為Alq3、4,4’-N,N’-二咔唑聯苯（CBP）、聚（n-乙烯咔唑）（PVK）、9,10-二（萘-2-基）蒽（ADN）、4,4’,4”-三（咔唑-9-基）-三苯胺（TCTA）、1,3,5-三（N-苯基苯並咪唑-2-基）苯（TPBI）、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽（TBADN）、二苯乙烯亞芳基（DSA）、雙（2-（2-羥基苯基）苯並噻唑）鋅（Zn（BTZ）2 ）、下述G3、AND、下述化合物1和下述化合物2。G3AND化合物1化合物2
發光體摻雜物可以是磷光或螢光發光體，以磷光發光體以及通過熱活化延遲螢光（TADF）機制發光的發光體為較佳，因為它們有較高的效率。發光體可以是小分子或聚合物。
紅光發光體摻雜物的實例是PtOEP、Ir(piq)3 以及Btp2 Ir(acac)，但不限於此。這些化合物是磷光發光體，然而也可以使用螢光紅光發光體摻雜物。
綠光發光體摻雜物的實例為如下所示之Ir(ppy)3 （ppy＝苯吡啶）、Ir(ppy)2 (acac)、Ir(mpyp)3 ；化合物3則是螢光綠光發光體的實例，且結構如下所示： 化合物3
磷光藍光發光體摻雜物的實例為F2 Irpic、(F2ppy)2 Ir(tmd)和Ir(dfppz)3 、三芴，其結構如下所示。4,4’-雙（4-二苯胺基苯乙烯）聯苯（DPAVBi）、2,5,8,11-四叔丁基苝（TBPe），下面的化合物4是螢光藍光發光體摻雜物的實例。 化合物4
發光體摻雜物的含量是在約0.01重量份至約50重量份的範圍內（基於100重量份的主體）。或者，發光層可以由發光聚合物組成。EML可具有約10奈米至約100奈米的厚度，例如約20奈米至約60奈米。當EML的厚度在此範圍內時，EML可以具有優異的光發射，而不會在驅動電壓方面產生實質的損失。電洞阻擋 層（ HBL ）
電洞阻擋層（HBL）可以通過使用真空沉積、旋轉塗佈、狹縫塗佈、印刷、澆鑄、LB沉積或之類的方式形成在EML上，以防止電洞擴散到ETL中。當EML包含磷光摻雜物時，HBL也可具有三重態激子阻擋功能。
當使用真空沉積或旋轉塗佈方式形成HBL時，用於沉積和塗佈的條件可以與用於形成HIL的條件類似。然而，沉積和塗佈的條件可根據用於形成HBL的化合物而有所不同。任何通常用於形成HBL的化合物都可以使用。用於形成HBL的化合物的實例包括噁二唑衍生物、三唑衍生物和啡啉衍生物。
HBL可具有約5奈米至約100奈米範圍內的厚度，例如約10奈米至約30奈米。當HBL的厚度在此範圍內時，HBL可具有優異的電洞阻擋性質，而不會在驅動電壓方面造成實質的損失。電子傳輸層（ ETL ）
根據本發明的OLED可含有電子傳輸層（ETL）。
根據各種實施方式，OLED可以包括電子傳輸層或包括至少第一電子傳輸層和至少第二電子傳輸層的電子傳輸層堆疊體。
通過適當調整ETL的特定層的能級，可以控制電子的注入和傳輸，並且可以有效地阻擋電洞。因此，OLED可具有長的壽命。
電子元件的電子傳輸層可以包括有機電子傳輸基質（ETM）材料。此外，電子傳輸層可以包含一種或多種n-摻雜物。用於ETM的合適化合物沒有特別限制。在一個實施方式中，電子傳輸基質化合物由共價鍵結的原子組成。較佳地，電子傳輸基質化合物包含至少6個，更佳至少10個離域電子的共軛系統。在一個實施方式中，離域電子的共軛系統可以包含在芳族或雜芳族結構部分中，例如在文獻EP 1 970 371 A1或WO 2013/079217 A1中所揭露者。電子注入層（ EIL ）
可以促進從陰極注入電子的可選EIL係形成在ETL上，較佳地直接形成在電子傳輸層上。用於形成EIL的材料的實例包括本領域已知的8-羥基喹啉鋰（LiQ）、LiF、NaCl、CsF、Li2 O、BaO、Ca、Ba、Yb、Mg。雖然沉積和塗佈條件會根據用於形成EIL的材料而變化，但用於形成EIL的沉積和塗佈條件會類似於形成HIL的沉積和塗佈條件。
EIL的厚度可以在約0.1nm至約10nm的範圍內，例如在約0.5nm至約9nm的範圍內。當EIL的厚度在此範圍內時，EIL可具有令人滿意的電子注入性質，而不會在驅動電壓方面產生實質的損失。陰極電極
如果存在，陰極會被形成在EIL上。陰極可以由金屬、合金、導電化合物或其混合物形成。陰極可能具有低工作函數。舉例而言，陰極電極可以由鋰（Li）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鋁（Al）-鋰（Li）、鈣（Ca）、鋇（Ba）、鐿（Yb）、鎂（Mg）-銦（In）、鎂（Mg）-銀（Ag）或之類所形成。或者，陰極可以由諸如ITO或IZO的透明導電氧化物形成。
陰極的厚度可以在約5nm至約1000nm的範圍內，例如在約10nm至約100nm的範圍內。當陰極電極的厚度在約5nm至約50nm的範圍內時，陰極電極即使由金屬或金屬合金形成也可以是透明或半透明的。
應該理解，陰極不是電子注入層或電子傳輸層的一部分。電荷產生層 / 電洞產生 層
電荷產生層（CGL）可以由雙層構成。電荷產生層，特別是p型電荷產生層（電洞產生層），可以包含硼酸鹽作為主要組分或由硼酸鹽組成。
典型地，電荷產生層是連接n型電荷產生層（電子產生層）和電洞產生層的pn接面。該pn接面的n側產生電子並將其注入到與陽極相鄰的層中。類似地，pn接面的p側產生電洞並將它們注入到與陰極方向相鄰的層中。
電荷產生層用於串聯元件中，例如，在兩個電極之間包括兩個或更多個發光層的串聯OLED中。在包括兩個發光層的串聯OLED中，n型電荷產生層為配置在陽極附近的第一發光層提供電子，而電洞產生層向配置在第一發光層和陰極之間的第二發光層提供電洞。
根據本發明，可以規定電子元件包括電洞注入層以及電洞產生層。如果除了電洞產生層之外的另一層包含硼酸鹽作為主要成分，則電洞產生層也包含硼酸鹽便不是強制性的。在這種情況下，電洞產生層可以由摻雜p型摻雜物的有機基質材料構成。用於電洞產生層的合適基質材料可以是通常用作電洞注入和/或電洞傳輸基質材料的材料。而且，用於電洞產生層的p型摻雜物可以採用傳統材料。例如，p型摻雜物可以是選自由四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、四氰基醌二甲烷的衍生物、放射性衍生物、碘、FeCl3 、FeF3 和SbCl5 組成的群組中的一種。而且，主體可以是選自N,N’-二（萘-1-基）-N,N-二苯基-聯苯胺（NPB）、N,N’-二苯基-N,N’-雙（3-甲基苯基）-1,1-聯苯基-4,4’-二胺（TPD）和N,N’,N’-四萘基聯苯胺（TNB）。
在一個實施方式中，電洞產生層包含上文詳述的硼酸鹽作為主要組分或由硼酸鹽所組成。
n型電荷產生層可以是純n型摻雜物層，例如正電性金屬層，或者可以由摻雜有n型摻雜物的有機基質材料構成。在一個實施例中，n型摻雜物可以是鹼金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬或鹼土金屬化合物。在另一個實施例中，金屬可以是從由Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy和Yb所組成的群組中選擇的一種。更具體地，n型摻雜物可以是從由Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb所組成的群組中選擇的一種。用於電子產生層的合適的基質材料可以是傳統用於作為電子注入層或電子傳輸層的基質材料的材料。基質材料可以是例如選自由三嗪化合物、羥基喹啉衍生物如三（8-羥基喹啉）鋁、吲哚衍生物和噻咯衍生物組成的群組中的一種。
在一個實施例中，n型電荷產生層可以包括以下化學式X的化合物。， 其中A1 至A6 中的每一個可以是氫、鹵素原子、腈基（-CN）、硝基（-NO2 ）、磺醯基（-SO2 R）、亞碸（-SOR）、磺醯胺（-SO2 NR）、磺酸酯（-SO3 R）、三氟甲基（-CF3 ）、酯（-COOR）、醯胺（-CONHR或-CONRR’），取代或未取代的直鏈或支鏈C1 -C12 烷氧基、取代或未取代的直鏈或支鏈C1 -C12 烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈C2 -C12 烯基、取代或未取代的芳香族或非芳香族雜環、取代或未取代的芳基、取代或未取代的單芳基胺或二芳基胺、取代或未取代的芳烷基胺等。在本文中，上述R和R’中的每一個可以是取代或未取代的C1 -C60 烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的5至7元雜環等。
這種n型電荷產生層的實例是包括CNHAT的層。。
電洞產生層是配置在n型電荷產生層的上方。有機發光二極體（ OLED ）
根據本發明的一個構想，提供了一種有機發光二極體（OLED），其包括基板；形成在基板上的陽極電極；電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及陰極電極。
根據本發明的另一個構想，提供了一種OLED，包括：基板；形成在基板上的陽極電極；電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋­層、發光層、電洞阻擋層和陰極電極。
根據本發明的另一個構想，提供了一種OLED，其包括：基板；形成在基板上的陽極電極；電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子傳輸層和陰極電極。
根據本發明的另一構想，提供了一種OLED，其包括基板；形成在基板上的陽極電極；電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極電極。
根據本發明的各種實施方式，所提供的OLED包括配置在上述層之間、在基板上或在上電極上的層體。
根據一個構想，OLED可以包括與陽極電極鄰近配置的基板的層結構，該陽極電極係配置與第一電洞注入層相鄰，該第一電洞注入層係配置與第一電洞傳輸層相鄰，該第一電洞傳輸層係配置與第一電子阻擋層相鄰，該第一電子阻擋層係配置與第一發光層相鄰，該第一發光層配置為與第一電子傳輸層相鄰，該第一電子傳輸層配置為與n型電荷產生層相鄰，該n型電荷產生層與電洞產生層相鄰設置，該電洞產生層與第二電洞傳輸層相鄰設置，該第二電洞傳輸層與第二電子阻擋層相鄰設置，該第二電子阻擋層與第二發光層相鄰設置，在該第二發光層與該陰極電極之間可設置可選的電子傳輸層及/或可選的注入層。
舉例而言，根據第2圖的OLED可藉由一種製程而形成，其中 在基板（110）上依序形成有陽極（120）、電洞注入層（130）、電洞傳輸層（140）、電子阻擋層（145）、發光層（150）、電洞阻擋層（155）、電子傳輸層（160）、電子注入層（180）和陰極電極（190）。 發明細節與定義
本發明與電子元件有關。電子元件可以例如是有機電子元件，諸如有機發光二極體或有機太陽能光電元件（例如太陽能電池）。電子元件的至少一層包含硼酸鹽作為主要化合物是必不可少的。也就是說，硼酸鹽在各層中的含量（以重量計和/或體積計）超過該層中可能另外包含的其它成分的總量。例如，如果包含硼酸鹽的層僅包含兩種化合物，硼酸鹽和另一種化合物，則硼酸鹽的量按重量計和/或體積計係超過另一種化合物的量。因此，本領域技術人員將會理解，本發明並不著重在其層中僅包含少量硼酸鹽的電子元件，例如作為用於摻雜基質材料的摻雜物（包含的基質材料為主要含量）。
根據本發明的硼酸鹽是包含帶正電荷的陽離子和含有至少一個硼原子的帶負電荷的陰離子的化合物。具體而言，硼酸根陰離子可以具有通式BR4 - ，其中每個基團R共價鍵結至硼原子。在硼酸鹽為金屬硼酸鹽的情況下，金屬作為陽離子包含在金屬硼酸鹽中。因此，金屬硼酸鹽可具有通式M+ BR4 - 。
本文所用的術語「烴基」應理解為包括任何包含碳原子的有機基團，特別是例如烷基、芳基、雜芳基、雜烷基等有機基團，特別是在有機電子學中常用的取代基。
本文所用的術語「烷基」應包括直鏈以及支鏈和環狀的烷基。例如，C3 -烷基可以選自正丙基和異丙基。同樣，C4 -烷基包括正丁基、仲丁基和叔丁基。同樣，C6 -烷基包括正己基和環己基。
Cn 中的數字n涉及相應的烷基、亞芳基、亞雜芳基或芳基中的碳原子總數。
本文所用的術語「芳基」應包括苯基（C6 -芳基）、稠合芳香族化合物，如萘、蒽、菲、稠四苯等。進一步包括聯苯和低聚或多苯基，如三聯苯等。進一步包括任何進一步的芳香族烴取代基，如芴基等。亞芳基，分別為亞雜芳基是指兩個其他部分連接的基團。
如本文所用的術語「雜芳基」是指其中至少一個碳原子較佳地選自N、O、S、B或Si的雜原子取代的芳基。
術語「鹵代」是指其中一個氫原子被鹵素原子取代的有機化合物。術語「全鹵代」是指其中的所有氫原子被鹵素原子取代的有機化合物。術語「氟化」和「全氟化」的含義應該被類似地理解。
Cn -雜芳基中的下標數字n僅僅是指不包括雜原子數目的碳原子的數目。在這種情況下，清楚的是C3 雜亞芳基是包含三個碳原子的芳香族化合物，例如吡唑、咪唑、噁唑、噻唑等。
就本發明而言，相對於兩個其他層之間的一個層的表述「之間」不排除可以配置在一層與另外兩層中的一層之間的其他層的存在。就本發明而言，關於兩層彼此直接接觸的表述「直接接觸」意味著在這兩層之間不再配置層。沉積在另一層頂部的一層被認為與該層直接接觸。
就本發明的電子元件而言，實驗部分中提及的化合物是最佳的。
本發明的電子元件可以是有機電致發光元件（OLED）、有機太陽能光電元件（OPV）、或有機場效電晶體（OFET）。
根據另一方面，根據本發明的有機電致發光元件可以包括多於一個的發光層，較佳地為兩個或三個發光層。包含多於一個發光層的OLED也被描述為串聯式OLED或堆疊式OLED。
有機電致發光裝置（OLED）可以是底部或頂部發光裝置。
另一個構想涉及包含至少一個有機電致發光元件（OLED）的裝置。包括有機發光二極體的裝置可為例如是顯示器或照明面板。
在本發明中，下列定義的術語應該應用這些定義，除非在申請專利範圍中或本說明書的其他地方給出了不同的定義。
在本說明書的上下文中，與基質材料有關的術語「不同」或「不同」是指基質材料在其結構式上不同。
最高佔據分子軌道（也稱為HOMO）和最低未佔據分子軌道（也稱為LUMO）的能級是以電子伏特（eV）測量。
術語「OLED」和「有機發光二極體」同時使用並且具有相同的含義。這裡使用的術語「有機電致發光元件」可以包括有機發光二極體以及有機發光電晶體（OLET）。
如本文所用，「重量百分比」、「重量-％（wt.-%）」，「重量百分比」、「重量％」及其變化形式是指在各自電子傳輸層的組合物、組分、物質或試劑的重量除以各自電子傳輸層的總重量並乘以100時的組合物、組分、物質或試劑。應當理解，相應電子傳輸層和電子注入層的所有成分、物質和試劑的總重量百分率係選擇為使得其不超過100重量％。
如本文所用，「體積百分比」、「體積百分比（vol.-%）」、「體積百分數」、「體積百分比」及其變化形式是指在各自電子傳輸層的組合物、成分、物質或試劑的體積除以各自電子傳輸層的總體積並乘以100時的組合物、組分、物質或試劑。應理解的是，陰極層的所有組分、物質和試劑的總體積百分比量係經選擇而使得它確實不超過100體積％。
這裡假設所有的數值都由術語「約」修飾，無論是否明確指出。如本文所用，術語「約」是指可能發生的數量變化。無論是否通過術語「約」來修飾，申請專利範圍都包括該數量的相當量值。
應該注意，如在本說明書和所附申請專利範圍中所使用的，除非內容另有明確規定，否則單數形式「一（a或an）」與「該」都包括複數指示物。
術語「不含」、「不包含」、「不包括」不排除雜質。雜質在本發明所達到的目的方面是沒有技術效果的。
現在將詳細參考本發明的例示實施方式，其示例在附圖中示出，其中相同的元件符號始終表示相同的元件。下面通過參照附圖描述例示實施方式，以解釋本發明的各個方面。
這裡，當第一元件被稱為形成或設置在第二元件「上」時，第一元件可以直接設置在第二元件上，或者可以在其間設置一個或多個其他元件。當第一元件被稱為「直接」形成或設置在第二元件「上」時，其間不設置其他元件。
第1圖是根據本發明一例示實施方式的有機發光二極體（OLED）100的示意性截面圖。OLED 100包括基板110、陽極120、電洞注入層（HIL）130、電洞傳輸層（HTL）140、發光層（EML）150、電子傳輸層（ETL）160。電子傳輸層（ETL）160直接形成在EML 150上。在電子傳輸層（ETL）160上設置電子注入層（EIL）180。陰極190直接設置在電子注入層（EIL）180上。
可選地可使用電子傳輸層堆疊體（ETL）來取代單層的電子傳輸層160。
第2圖是根據本發明另一例示實施方式的OLED 100的示意性截面圖。第2圖與第1圖的不同之處在於第2圖的OLED 100包括電子阻擋層（EBL）145和電洞阻擋層（HBL）155。
參閱第2圖，OLED 100包括基板110、陽極120、電洞注入層（HIL）130、電洞傳輸層（HTL）140、電子阻擋層（EBL）145、發光層（EML）150、電洞阻擋層（HBL）155、電子傳輸層（ETL）160、電子注入層（EIL）180和陰極電極190。
第3圖是根據本發明另一例示實施方式的串聯式OLED 200的示意性截面圖。第3圖與第2圖的不同之處在於，第3圖的OLED 100還包括電荷產生層和第二發光層。
參照第3圖，OLED 200包括基板110、陽極120、第一電洞注入層（HIL）130、第一電洞傳輸層（HTL）140、第一電子阻擋層（EBL）145、第一發光層（EML）150、第一電洞阻擋層（HBL）155、第一電子傳輸層（ETL）160、n型電荷產生層（n型CGL）185、電洞產生層（p型電荷產生層；p型GCL）135、第二電洞傳輸層（HTL）141，第二電子阻擋層（EBL）146、第二發光層（EML）151、第二電洞阻擋層（EBL）156、第二電子傳輸層（ETL）161、第二電子注入層（EIL）181和陰極190。
雖然在第1圖、第2圖和第3圖中未示出，但是為了密封OLED 100和200，還可以在陰極190上形成密封層。另外，可以對其應用各種其他修改。
在下文中，將參考以下實施例來詳細描述本發明的一個或多個例示實施方式。然而，這些示例並不意圖限制本發明的一個或多個例示實施方式的目的和範圍。 實驗部分
三 (4,5,6,7- 四氟 -3-( 三氟甲基 )-1H- 吲唑 -1- 基 ) 氫硼化鋰（ PB-1 ） 步驟1：4,5,6,7-四氟-3-(三氟甲基)-1H-吲唑將11.09g（45.1mmol）的全氟苯乙酮溶於100mL甲苯中。用冰浴冷卻該溶液並滴加2.3mL（2.37g，47.3mmol，1.05當量）水合聯胺。將混合物加熱回流3天。在冷卻至室溫後，以100mL飽和碳酸氫鈉水溶液洗滌混合物兩次，並以100mL水洗滌兩次，以硫酸鎂乾燥並在減壓下除去溶劑。將黃色油狀殘餘物在約140°C的溫度和約12Pa的壓力下從球狀物蒸餾至球狀物。將粗產物溶解於熱己烷中，並將溶液儲存於-18°C。濾出沉澱的固體，並於10mL己烷中洗滌漿體兩次。得到5.0g（43%）產物，為淺黃色固體。 GCMS：確認了預期的M/z（質量/電荷）比為258。 步驟2：三(4,5,6,7-四氟-3-(三氟甲基)-1H-吲唑-1-基)氫硼化鋰（PB-1） 在Ar逆流下將5.1g（19.8mmol）4,5,6,7-四氟-3-(三氟甲基)-1H-吲唑加入到焙烤的Schlenk燒瓶中並用3mL甲苯處理。 將新鮮研磨的氫硼化鋰加入原料中。將混合物加熱至100°C，直至形成氫氣（約4小時）。輕微冷卻後，加入15mL己烷，將混合物加熱回流10分鐘並冷卻至室溫。濾出沉澱的固體，用10mL熱己烷洗滌並在高真空下乾燥。得到2.55g（49%）產物，為灰白色固體。
三 (3,5- 雙 ( 三氟甲基 )-1H- 吡唑 -1- 基 ) 氫硼化鋰（ PB-2 ） 在烘乾的Schlenk燒瓶中將2.0g（9.8mmol，5當量）的3,5-雙(三氟甲基)吡唑溶於5mL無水甲苯中。在逆流Ar中加入43mg（1.96mmol，1當量）之新鮮研磨過的氫硼化鋰，並將混合物加熱回流3天。通過減壓蒸餾除去溶劑和過量的原料，並將殘餘物從正氯己烷中結晶出來。獲得0.25g（20%）產物，為白色固體。
三 (4,5,6,7- 四氟 -3-( 全氟苯基 )-1H- 吲唑 -1- 基 ) 氫硼化鋰（ PB-3 ） 步驟1：4,5,6,7-四氟-3-(全氟苯基)-1H-吲唑將20.0g（54.8mmol）全氟二苯甲酮溶於200mL甲苯中。向冰冷卻的溶液中滴加4.0mL（4.11g，82.1mmol，約1.5當量）水合聯胺。加入40g硫酸鈉並將混合物加熱回流2天。冷卻後，將10mL丙酮加入到反應混合物中，並將所得漿體在室溫下攪拌1小時。濾出固體，用4×50mL甲苯充分洗滌，合併有機部分並用飽和碳酸氫鈉水溶液洗滌兩次。在減壓下除去溶劑，殘餘物經管柱層析法純化。得到7.92g（41%）產物，為淺黃色固體。 GCMS：確認了預期的M/z（質量/電荷）比為356。 步驟2：三(4,5,6,7-四氟-3-(全氟苯基)-1H-吲唑-1-基)氫硼化鋰在烘乾的Schlenk燒瓶中，將1.02g（2.86mmol，3.0當量）4,5,6,7-四氟-3-(全氟苯基)-1H-吲唑溶於5mL氯苯中。在逆流Ar下加入新鮮研磨過的硼氫化鋰（21mg，0.95mmol，1.0當量）。將該混合物加熱至150°C 2天並冷卻至室溫。減壓除去溶劑，殘餘物在高真空下乾燥。通過在約150°C的溫度和約12Pa的壓力下在球至球蒸餾裝置中乾燥來進一步純化粗產物，得到0.57g（70%）產物，為灰白色固體。
三 (3- 氰基 -5,6- 二氟 -1H- 吲唑 -1- 基 ) 硼氫化鋰（ PB-4 ） 將新鮮研磨的硼氫化鋰（15mg，0.7mmol，1.0當量）置於烘乾的壓力管中，在Ar逆流下加入0.5g（2.79mmol，4.0當量）的5,6-二氟-1H-吲唑-3-甲腈並用1mL甲苯沖洗。關閉壓力管並將其加熱至約160°C約21小時。冷卻至室溫後，將混合物用5mL己烷在超音波浴中處理約30分鐘。濾出沉澱的固體並用己烷洗滌（總共20mL）。乾燥後，獲得0.48g淡黃色固體。
三 (3,5- 雙 ( 三氟甲基 )-1H- 吡唑 -1- 基 ) 硼酸鋅 (II) （ PB-5 ） 將0.57g（0.91mmol）的三(3,5-雙(三氟甲基)-1H-吡唑-1-基)硼酸鋰溶於6mL的N,N-二甲基甲醯胺中。滴加62毫克的二氯化鋅於1毫升水之水溶液中。進一步加入20mL水並將混合物在超音波浴中處理2小時。濾出沉澱並在高真空下乾燥。得到0.485g（82%）產物，為白色固體。 裝置實例 實例1（串聯式OLED，底部發光白色OLED畫素的模型）
在設有厚度90nm的ITO陽極的玻璃基板上，依序沉積有10nm之電洞注入層（以摻雜8wt%之PD-2的F1製成）；140nm厚之未摻雜電洞傳輸層（以純F1製成）；20nm厚之第一發光層（由摻雜3wt%之BD200的ABH113製成，兩材料皆由韓國SFC供應）；25nm厚之第一電洞傳輸層（以純F2製成）；10nm厚之電荷產生層的電子產生部分（n-CGL）（以摻雜5wt%之Yb的F3製成）；2nm厚之中間層（以F4製成）；30nm厚之電荷產生層的電洞產生部分（p-CGL）（以PB-1製成）；10nm厚之第二電洞傳輸層（以純F1製成）；20nm之第二發光層，其厚度與組成係與第一發光層相同；25nm厚之第一電子傳輸層（以純F2製成）；10nm厚之電子注入層（EIL）（以摻雜5wt%的Yb之F3製成）；100nm之Al陰極。
所有的層體都是由真空熱蒸鍍（VTE）沉積而成。
在10mA/cm2 的電流密度下，元件操作電壓8V以及觀察到的亮度皆能夠與包括商業上現有非PB-1的p-摻雜物之相同元件相比擬。在此初步實驗中省略了效率評估所需的準確校準。 實例2（底部發光藍色OLED畫素）
在與實例1中相同之設有ITO陽極的玻璃基板上，藉由VTE依序沉積出下列層體：10nm之電洞注入層（以化合物PB-1製成）；120nm厚之HTL（以純F1製成）；20nm之EML（以摻雜3wt%NUBD370之ABH113製成，兩材料皆由韓國SFC供應）；36nm之EIL/ETL（以摻雜50wt%之 LiQ的F2製成）；100nm之Al陰極。
比較例元件含有HIL(以CN-HAT(CAS 105598-27-4)製成)，而非PB-1。
本發明元件在5.2V的電壓下達到15mA/cm2 的電流密度及5.4%的外部量子效率（EQE），而比較例元件在明顯較高的電壓5.4V下具有相同的電流密度且具有明顯較低的EQE 4.9%。 表1輔助材料
前述內容與申請專利範圍附屬請求項中所揭露的特徵可分別地、及以其任意組合，以其各種形式而為用於實現獨立請求項中所載構想之材料。
本申請案中所使用的關鍵符號與縮寫： CV 循環伏安法 DSC 差分掃瞄熱分析儀 EBL 電子阻擋層 EIL 電子注入層 EML 發光層 eq. 當量 ETL 電子傳輸層 ETM 電子傳輸基質 Fc 二茂鐵 Fc+ 二茂鐵離子 HBL 電洞阻擋層 HIL 電洞注入層 HOMO 最高佔據分子軌域 HPLC 高性能液相層析儀 HTL 摻雜電洞傳輸層 p-HTL p-摻雜電洞傳輸層 HTM 電洞傳輸基質 ITO 銦錫氧化物 LUMO 最低未佔據分子軌域 mol% 莫耳百分率 NMR 核磁共振 OLED 有機發光二極體 OPV 有機太陽能光電 QE 量子效率 Rf TLC阻滯因子 RGB 紅-綠-藍 TCO 透明導電性氧化物 TFT 薄膜電晶體 Tg 玻璃轉換溫度 TLC 薄層色層分析 wt% 重量百分率
100‧‧‧有機發光二極體（OLED）
110‧‧‧基板
120‧‧‧陽極
130‧‧‧電洞注入層（HIL）
135‧‧‧電洞產生層（p型電荷產生層；p型GCL）
140‧‧‧電洞傳輸層（HTL）
141‧‧‧第二電洞傳輸層（HTL）
145‧‧‧第一電子阻擋層（EBL）
146‧‧‧第二電子阻擋層（EBL）
150‧‧‧發光層（EML）
151‧‧‧第二發光層（EML）
155‧‧‧第一電洞阻擋層（HBL）
156‧‧‧第二電洞阻擋層（EBL）
160‧‧‧電子傳輸層（ETL）
161‧‧‧第二電子傳輸層（ETL）
180‧‧‧電子注入層（EIL）
181‧‧‧第二電子注入層（EIL）
185‧‧‧n型電荷產生層（n型CGL）
190‧‧‧陰極
200‧‧‧有機發光二極體（OLED）
從以下結合附圖對示例性實施例的描述中，本發明的這些和/或其它方面和優點將變得清楚和更容易理解，其中： 第1圖是根據本發明一例示實施方式的有機發光二極體（OLED）的示意截面圖； 第2圖是根據本發明一例示實施方式的OLED的示意截面圖。 第3圖是根據本發明一例示實施方式的包括電荷產生層的串聯式OLED的示意截面圖。

Claims (15)

  1. 一種電子裝置，包括含有硼酸鹽的至少一層，其中該硼酸鹽包含於含有該硼酸鹽的該層中的量，以重量計及/或以體積計，超過該層中另外包含的其他成分的總量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電子裝置，其中該硼酸鹽包含於含有該硼酸鹽的該層中的量，以重量計及/或以體積計，超過該層中另外包含的其他成分的總量。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子裝置，其中該電子裝置進一步包括一第一電極和一第二電極，且包括硼酸鹽的該層是配置在該第一電極與該第二電極之間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電子裝置，其中包括硼酸鹽的該層是一電荷注入層、一電荷產生層或一電荷傳輸層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電子裝置，其中該電荷注入層是一電洞注入層，及/或該電荷產生層是一電洞產生層。
  6. 如前述申請專利範圍中任一項所述的電子裝置，其中該硼酸鹽是一金屬硼酸鹽。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電子裝置，其中該金屬硼酸鹽是由至少一個金屬陽離子與至少一個陰離子配位基所組成，其中該陰離子配位基含有至少六個共價鍵結原子，而且這些共價鍵結原子中至少一個是硼原子。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的電子裝置，其中該陰離子配位基含有至少7個、或者是至少8個、或者是至少9個、或者是至少10個、或者是至11個、或者是至少12個共價鍵結原子。
  9. 如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述的電子裝置，其中該金屬選自由Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Bi、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Th、U和其混合物所組成的群組。
  10. 如前述申請專利範圍中任一項所述的電子裝置，其中該硼酸鹽包括具有下式（I）的陰離子：， 其中，A1 至A4 是獨立地選自： (i) 氫（H）， (ii) 氟（F）， (iii) 氰（CN）， (iv) C6 -C60 芳香基， (v) C7 -C60 芳烷基， (vi) C1 -C60 烷基， (vii) C2 -C60 烯基， (viii) C2 -C60 炔基， (ix) C3 -C60 環烷基，以及 (x) C2 -C60 雜芳基， 其中，只要含碳基團中的碳原子總數不超過60，從（iv）、（v）、（vi）、（vii）、（viii）、（ix）與（x）中選出的任何含碳基團中的任何氫原子係可被獨立地選自氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）、碘（I）、氰（CN）、未經取代的或鹵代烷基、未經取代的或鹵代（雜）芳基、未經取代的或鹵代（雜）芳烷基、未經取代的或鹵代烷基磺醯基、未經取代的或鹵代（雜）芳基磺醯基、未經取代的或鹵代（雜）芳烷基磺醯基、未經取代的或鹵代含硼烴基、未經取代的或鹵化的含矽烴基之取代基所取代。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的電子裝置，其中A1 至A4 中的至少一個是選自F、CN、烴基、含硼烴基、含矽烴基和雜芳基，其中在各別烴基、含硼烴基、含矽烴基和雜芳基中有50％或更多的氫原子被由F、Cl、Br、I和CN所組成的群組中的一個取代。
  12. 如前述申請專利範圍中任一項所述的電子裝置，其中包括硼酸鹽的該層中所包含的硼酸鹽的量為相對於包含硼酸鹽的該層的總重量的至少60wt%，或者是至少75wt%、或者是至少90wt%、或者是至少95wt%、或者是至少98wt%、或者是至少99wt%、或者是至少99.5wt%、或者是至少99.9wt%。
  13. 如前述申請專利範圍中任一項所述的電子裝置，其中該電子裝置是一電致發光元件，較佳地是一有機發光二極體。
  14. 一種包括如申請專利範圍第13項所述的電子裝置的顯示器裝置。
  15. 一種用於製備如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述的電子裝置的方法，包括下列步驟： (i)在一升高溫度下、且可選擇的在一降低壓力下，蒸發一硼酸鹽；以及 (ii)使被蒸發的硼酸鹽沉積在一基板上。
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