TW201838199A - 半導體發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題係實現壽命特性優於先前的半導體發光元件。 　　本發明的解決手段是一種半導體發光元件，係於基板上，形成n型或p型的第一半導體層、形成於第一半導體層之上層的活性層、及形成於活性層的上層且導電型與第一半導體層不同之第二半導體層。該發光元件，係具有從與基板面正交的第一方向觀察，突出形成於比第一半導體層的基板側之面即第一面更靠外側的第一絕緣層、從第一方向觀察，位於比第一絕緣層更靠內側，以直接或隔著薄膜接觸第一面之方式形成，且由高反射材料所成的第一電極、及以接觸第二半導體層的與基板相反側之面之方式形成的第二電極。第一面及第一絕緣層對向的第一區域，與第一面及第一電極對向的第二區域，係在與基板面平行的第二方向中間隔開。

Description

半導體發光元件
本發明係關於半導體發光元件。
近年來，被稱為「縱型構造」的半導體發光元件的開發有所進展。縱型構造係指接觸n型半導體層的電極(n側電極)，與接觸p型半導體層的電極(p側電極)，對向配置於與基板面正交之方向的構造。具有縱型構造的半導體發光元件之一例，揭示於後述專利文獻1。
圖13係模式揭示專利文獻1所揭示之半導體發光元件的剖面圖。如圖13所示，先前的半導體發光元件100係具有基板101，與形成於基板101上的半導體層110。半導體層110係層積p型半導體層111、活性層112及n型半導體層113所構成。
於n型半導體層113的上層，形成有n側電極121。於p型半導體層111的下層，形成有p側電極122。p側電極122係在與基板101之面正交的方向中，配置於包含與n側電極121對向的位置的區域。半導體發光元件100係n型半導體層113構成光取出面，故p側電極122使用反射性高的材料。作為一例，p側電極122係以Ag或Al構成。
於基板101的上層，形成有用以貼合的金屬層103。金屬層103的一部分係與p側電極122接觸。在專利文獻1中，半導體發光元件100所具備的基板101設為導電性基板，於基板101的背面形成有供電用電極125。又，以抑制n側電極121的正下方的位置之電流的集中為目的，設置有電流阻止層109。
進而，於基板101的上層中，以一部分位於比半導體層110更外側之方式設置有絕緣層105。該絕緣層105係於元件分離工程中，對半導體層110沿著與基板101之面正交的方向進行蝕刻時，以具有作為蝕刻阻擋為目的而設置。如圖13所示，該絕緣層105係形成於包含構成半導體層110之外緣部的區域之下層的位置，及比半導體層110更靠外側之位置的區域。
依據專利文獻1，絕緣層105適合使用SiO2 或SiN。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-27643號公報
[發明所欲解決之課題]
依據本案發明者的銳意研究，確認了圖13所示之半導體發光元件100係在持續所定時間以上的點燈時，亮度開始降低，最後達到不點燈狀態。本發明的目的係實現壽命特性優於先前的半導體發光元件。 [用以解決課題之手段]
本發明是一種半導體發光元件，係於基板上，形成n型或p型的第一半導體層、形成於前述第一半導體層之上層的活性層、及形成於前述活性層的上層且導電型與前述第一半導體層不同之第二半導體層所成的半導體發光元件，其特徵為具有： 　　第一絕緣層，係在與前述基板面正交的第一方向中，形成於比前述第一半導體層更接近前述基板的位置，並且從前述第一方向觀察，突出形成於比前述第一半導體層的前述基板側之面即第一面更靠外側； 　　第一電極，係從前述第一方向觀察，位於比前述第一絕緣層更靠內側，以直接或隔著薄膜接觸前述第一面之方式形成，且由高反射材料所成；及 　　第二電極，係以接觸前述第二半導體層的與前述基板相反側之面之方式形成； 　　前述第一面及前述第一絕緣層對向的第一區域，與前述第一面及前述第一電極對向的第二區域，係在與前述基板面平行的第二方向中間隔開。
針對將先前的半導體發光元件，涵蓋所定時間持續點燈的話，亮度開始降低，最後達到不點燈狀態之現象發生的理由，本案發明者如下進行考察。
圖13所示之半導體發光元件100所具備的絕緣層105，不是緻密的構造。又，在絕緣層105與半導體層110(p型半導體層111)之間，不可避免地形成細微的間隙。如圖13所示般，絕緣層105位於比半導體層110更靠外側，故於絕緣層105存在有接觸大氣的區域。所以，大氣可能通過絕緣層105內，到達接觸設置於該絕緣層105的p側電極122。
在該狀態下持續半導體發光元件100的點燈狀態的話，因為被p側電極122的表面吸附的大氣中所包含之水分的存在，構成p側電極122的材料會引起離子遷移。例如，p側電極122以Ag構成時，因為離子遷移所產生之Ag離子(例如Ag+ )被n側電極121側的負電荷吸引，因此，沿著半導體層110與p側電極122的界面附近而朝向外緣部移動(參照圖14A)。
進而，該Ag離子係通過半導體層110與絕緣層105的界面，或絕緣層105內移動，最後到達比半導體層110更外側的位置。之後，該Ag離子係通過半導體層110的面上，或層內，移動至n側電極121側。
構成p側電極122的材料(在此為Ag離子)的遷移更加推展時，該Ag離子最後會到達活性層112，於半導體層110內形成漏電流路徑。因此，流通於活性層112內的電流量降低，導致半導體發光元件100的亮度降低。再者，更進而遷移推展的話，Ag離子到達n側電極121(參照圖14B)，形成完全的洩漏。成為此種狀況之後，半導體發光元件100會幾乎不點燈，或不點燈。
依據本發明的半導體發光元件，第一半導體層的基板側之面(第一面)與第一絕緣層對向的區域，和第一面與第一電極對向的區域，在與基板面平行的方向中間隔開。亦即，於第一半導體層的基板側之面上，或面附近，第一絕緣層與第一電極未接觸。結果，假設即使大氣通過第一絕緣層侵入半導體發光元件的內部，相較於先前的構造，也可讓到達第一電極之面的大氣的量降低。亦即，依據本發明的構造，與先前的構造對比，抑制了構成第一電極之材料的遷移的推展，故提升壽命。
更詳細來說，可設為前述第一絕緣層之面中，包含比前述第一半導體層的前述第一面更突出於外側之區域的前述第一半導體層側之面、前述第一半導體層的與前述第一面對向的區域(對應前述「第一區域」)、前述第一電極之面中，前述第一半導體層側之面、前述第一半導體層的與前述第一面對向的區域(對應前述「第二區域」)，於與前述基板面平行的方向中間隔開。
前述第一電極，可設為由包含Ag、Al的至少一方的金屬材料所成。該等材料係對於從活性層放射之光線的反射率高，相反地容易引起遷移的材料。但是，依據前述的構造，抑制了構成第一電極的材料之遷移的推展，故可長時間維持高反射率。藉此，實現可長時間維持高光取出效率的半導體發光元件。
前述第一絕緣層，可設為為了實現蝕刻阻擋的功能而設置之層。前述第一絕緣層，係以接觸前述第一半導體層的基板側之面(第一面)的外緣部之方式構成亦可。
可將前述第一半導體層設為p型半導體層，將前述第二半導體層設為n型半導體層。
前述半導體發光元件，係具有在前述第二方向中被前述第一區域與前述第二區域挾持的第三區域中與前述第一面接觸，由相較於前述第一電極，對於前述第一面的接觸電阻較高的材料所成的第一導電層亦可。
依據前述的構造，在與基板面平行的方向(第二方向)中，第一電極與第一絕緣層之間的位置形成有第一導電層。第一導電層，係以與第一半導體層之間的接觸電阻比第一電極高的材料所構成。此時，第一導電層，係具有比第一電極更強之同極性(在此設為「+」)的電荷。結果，假設即使構成第一電極的材料離子化，起因於第一電極與第二電極之間的電場而該離子移動，也會因為形成於第一電極與第一絕緣層之間的第一導電層的存在，限制往第一絕緣層側的移動。亦即，依據前述的構造，更可提升抑制遷移的效果。
作為第一導電層之一例，可舉出由Ti、TiW、Pt、Ni、W、Au等所成的單層構造，或該等的多層構造。
前述第一導電層，係以連繫前述第一電極的前述基板側之面、前述第一電極的側面、及前述第三區域之方式形成亦可。
此時，前述半導體發光元件，亦可具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料；及 　　第二導電層，係以接觸前述接合層的與前述基板相反側之面、前述第一導電層的前述基板側之面、及前述第一絕緣層的前述基板側之面之方式形成，由與前述第一導電層不同的材料所成。
該第二導電層，可設為接合層所包含的材料(焊錫材料)是以抑制擴散至第一電極側為目的所設置之層。例如，第二導電層能以Ti/Pt構成。另一方面，第一導電層係以與第二導電層不同的材料所構成，例如，能以TiW/Pt構成。
前述第一絕緣層，係以在前述第一方向中與前述第二電極對向的位置中，接觸前述第一導電層的前述基板側之面之方式形成亦可。
依據該構造，第一絕緣層不僅具有作為蝕刻阻擋的功能，也兼具將流通於第一電極與第二電極之間的電流擴散至與基板面平行的方向(第二方向)的功能。亦即，活性層之發光區域會往第二方向擴散。結果，實現可長時間維持高光取出效率的半導體發光元件。
再者，設為不同於第一絕緣層另外設置用以將流通於第一電極與第二電極之間的電流，往與基板面平行的方向(第二方向)擴散的絕緣層(第二絕緣層)亦可。亦即，前述半導體發光元件，係具備以在前述第一方向中與前述第二電極對向的位置中，接觸前述第一導電層的前述基板側之面，並且在前述第二方向中與前述第一絕緣層間隔開之方式形成的第二絕緣層亦可。
又，前述半導體發光元件，亦可具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料； 　　第二導電層，係以接觸前述接合層的與前述基板相反側之面之方式形成，且由與前述第一導電層不同的材料所成；及 　　第三導電層，係形成於前述第一方向中被前述第一導電層與前述第二導電層挾持的位置，由與前述第一導電層及前述第二導電層不同的材料所成； 　　前述第一導電層，係以接觸前述第一絕緣層的前述基板側之面之方式延伸並形成於前述第二方向； 　　前述第三導電層，係在前述第一方向中，形成於包含與前述第一絕緣層對向之位置的區域。
前述半導體發光元件，亦可具備： 　　第二絕緣層，係以在前述第一方向中與前述第二電極對向的位置中，被前述第三導電層與前述第二導電層挾持，並且在前述第二方向中與前述第一絕緣層間隔開之方式形成。
前述半導體發光元件，亦可具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料； 　　前述第一導電層，係以接觸前述接合層的與前述基板相反側之面之方式形成。
依據該構造，可一邊減少成膜之層的數量，一邊抑制遷移的推展。
前述半導體發光元件，亦可具有： 　　第四導電層，係以被前述第一導電層與前述第一絕緣層挾持，並且於前述第三區域的一部分中接觸前述第一面之方式形成； 　　前述第四導電層，係由與前述第一導電層不同的材料，且相較於前述第一電極，對於前述第一面的接觸電阻較高的材料所成。
前述半導體發光元件，亦可具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料； 　　前述第一導電層，係以於前述第一方向中與前述第一絕緣層對向的至少一部分的區域中與前述第一半導體層接觸，並且連繫前述第一電極的側面、前述第三區域、前述第一區域之方式形成。
前述第三區域，係在前述第一方向中與前述第二電極對向亦可。即使於此種構造中，也可實現使流通於活性層內的電流，往與基板面平行之方向(第二方向)擴散的效果。再者，此時，前述第一導電層，係於前述第三區域中在與前述第一面之間形成肖特基接觸亦可。
前述第三區域，係從前述第一方向觀察，位於比前述第二電極更外側亦可。
藉此，半導體發光元件的外緣與第一電極之間可確保某種程度的距離。結果，可降低侵入至第一電極之面的水分量。進而，可更延長構成第一電極之材料的離子，藉由遷移而到達半導體發光元件的外緣所需時間，有助於長壽命化。 [發明的效果]
依據本發明，可實現壽命特性優於先前的半導體發光元件。
針對本發明的半導體發光元件，參照圖面來進行說明。再者，於各圖中，圖面的尺寸比與實際的尺寸比不一定一致。
於本說明書中，「於A層的上層形成B層」的表現方式，係當然包含於A層的面上直接形成B層之狀況，也有包含於A層的面上隔著薄膜形成B層之狀況的意圖。再者，在此所謂「薄膜」係指膜厚10nm以下之層，理想為指5nm以下之層亦可。
以下，「AlGaN」的記述係與Alm Ga1-m N(0＜m＜1)的記述同義，單只是省略Al與Ga的組成比的記述所記載者，並不是限定於Al與Ga的組成比為1：1之狀況的趣旨。關於「InGaN」的記述也相同。
[第一實施形態] 〈構造〉 　　圖1A及圖1B係模式揭示第一實施形態之半導體發光元件1的圖面。圖1A對應從光取出面觀察半導體發光元件1時的俯視圖。圖1B對應以圖1A內之X1-X1線切斷半導體發光元件1時的剖面圖。圖1C係圖1B的部分放大圖。
以下，如圖1A所示，將光取出面規定為X-Y平面，將與該X-Y平面正交的方向規定為Z方向。於本實施形態中，Z方向對應「第一方向」，與X-Y平面平行的方向對應「第二方向」。又，有將半導體發光元件1適當略記為「發光元件1」之狀況。
(基板3) 　　發光元件1係具備基板3。基板3係以例如CuW、W、Mo等的導電性基板，或Si等的半導體基板所構成。
(半導體層5) 　　發光元件1係具備形成於基板3的上層的半導體層5。半導體層5係由接近基板3側依序層積第一半導體層11、活性層9、及第二半導體層7所構成。在本實施形態中，第一半導體層11作為p型半導體層，第二半導體層7作為n型半導體層來進行說明。
第一半導體層11係例如以摻雜Mg、Be、Zn、或C等之p型不純物的氮化物半導體層所構成。作為氮化物半導體層，可利用例如GaN、AlGaN、AlInGaN等。
活性層9係以例如週期性重複以InGaN所構成之發光層，與以n型AlGaN所構成之障壁層的半導體層所構成。在此實施例中，將障壁層設為n型，但設為無摻雜亦可，設為摻雜成p型亦可。活性層9只要層積至少能帶間隙不同之兩種類的材料所成之層來構成即可。活性層9的構成材料係因應預產生之光線的波長而適當選擇。
第二半導體層7係例如以摻雜Si、Ge、S、Se、Sn、或Te等之n型不純物的氮化物半導體層所構成。作為該氮化物半導體層，可利用例如GaN、AlGaN、AlInGaN等。再者，第二半導體層7係作為以與p型半導體層11不同之組成的材料所構成者亦可。
(第一電極13) 　　發光元件1係具備第一電極13。於本實施形態中，第一電極13係以與第一半導體層11接觸之方式形成。更詳細來說，如圖1C所示，以第一半導體層11之面中，接觸基板3側之面即第一面11a之方式形成。在本實施形態中，第一電極13構成p側電極。
於本實施形態中，第一電極13係以對於從活性層9放射的光線顯示高反射率(例如80%以上，更理想為90%以上)之導電性的材料所構成。更具體來說，以例如Ag、Al、或至少包含Ag或Al的金屬材料所構成。
(第二電極15) 　　發光元件1係具備第二電極15。於本實施形態中，第二電極15係形成於第二半導體層7的上面，例如以Cr-Au所構成。在本實施形態中，第二電極15構成n側電極。
如圖1A所示，從與基板3相反側，亦即光取出方向觀看本實施形態的發光元件1時，第二電極15係以包圍藉由第二半導體層7所構成之光取出面之方式形成。更詳細來說，第二電極15係於間隔開的3處中，以延伸於所定方向之方式構成。但是，關於該第二電極15延伸的條數，並不限定於3條，作為4條以上亦可。圖1A所示之第二電極15的形狀僅為一例，因應設計而適當變更亦可。
再者，在圖1A所示範例中，第二電極15於一部分的地方中從光取出方向觀看，具有寬廣的區域15a。該區域15a作為利用連結於例如以Au、Cu等所構成之引線16，構成焊墊電極亦可。此時，引線16的另一端作為連接於封裝基板的供電圖案等者亦可。再者，第二電極15並不是一定要具備該寬廣的區域15a。
利用對第一電極13與第二電極15之間施加電壓，電流流通於活性層9內，讓活性層9發光。
第一電極13係如上所述，以對於利用活性層9產生的光線顯示高反射率的材料構成。發光元件1係設想為將從活性層9射出之光線取出至第二半導體層7側。第一電極13係利用使從活性層9朝向基板3側放射之光線，朝向第二半導體層7側反射，發揮提升光取出效率的功能。
(第一絕緣層17) 　　發光元件1係具備第一絕緣層17。第一絕緣層17係例如以SiO2 、SiN、Zr2 O3 、AlN、Al2 O3 等所構成。
如圖1A及圖1C所示，第一絕緣層17係接觸第一半導體層11之第一面11a的外緣部，從Z方向(第一方向)觀看，形成為比第一面11a更往外側突出。如製造方法的項目中後述般，第一絕緣層17係具有作為元件分離時之蝕刻阻擋的功能。
如圖1C所示，第一絕緣層17與第一半導體層11的第一面11a接觸的區域(第一區域61)，係與第一電極13與第一半導體層11的第一面11a接觸的區域(第二區域62)，在X方向中間隔開。在圖1C的範例中，該X方向對應「第二方向」。
再者，如圖1A所圖示般，從Z方向觀看發光元件1時，第一絕緣層17以覆蓋半導體層5的外周之方式形成。亦即，本實施形態的發光元件1，係第一絕緣層17與第一半導體層11的第一面11a接觸的區域(第一區域61)，與第一電極13與第一半導體層11的第一面11a接觸的區域(第二區域62)，也在Y方向中間隔開亦可。此時，Y方向對應「第二方向」。
亦即，歸納該等記載的話，發光元件1係第一區域61與第二區域62於與X-Y方面平行的方向(第二方向)間隔開。於以下實施形態中也相同。
(第一保護層31，第二保護層32) 　　發光元件1係包含由TiW所成的第一保護層31，與由Pt所成的第二保護層32。第一保護層31係形成於第一電極13的下層。第二保護層32係形成於第一保護層31的下層。於圖1B及圖1C所示的發光元件1中，第一保護層31與第二保護層32對應「第一導電層41」。
如圖1C所示，於被第一區域61與第二區域62挾持的第三區域63內，第一導電層41係與第一半導體層11的第一面11a接觸。更詳細來說，第一導電層41係以連繫第一電極13的基板3側之面、第一電極13的側面、及第三區域63之方式形成。
在本實施形態中，第一絕緣層17的一部分位於第一導電層41的下層。更詳細來說，以第一絕緣層17的一部分在Z方向與第二電極15對向的位置中，接觸第一導電層41之方式形成。利用發光元件1如此構成，即使於接近發光元件1的外緣部的區域中流通於活性層9內的電流也會往與X-Y平面平行的方向擴散，故提升發光效率。
第一保護層31係以提升密接性為目的，作為於最上層包含Ni的構造亦可。
(第二絕緣層19) 　　如圖1B所示，於本實施形態中，發光元件1係具備第二絕緣層19。第二絕緣層19係以在Z方向與第二電極15對向的位置中，接觸第一導電層41之方式形成。利用設置第二絕緣層19，於發光元件1之比外緣部更靠近中央的區域中流通於活性層9內的電流也會往與X-Y平面平行的方向擴散，提升發光效率。
第二絕緣層19係例如以SiO2 、SiN、Zr2 O3 、AlN、Al2 O3 等所構成。
(接合層20) 　　如圖1B及圖1C所示，於本實施形態中，發光元件1係具備接合層20。接合層20係包含例如由Au-Sn、Au-In、Au-Cu-Sn、Cu-Sn、Pd-Sn、Sn等所成的焊錫材料所構成。再者，接合層20係包含前述焊錫材料，與以挾持該等之方向設置的Ti層所構成者亦可。如後述般，接合層20係形成於基板3之上層的接合層21，與形成於其他基板(後述的成長基板25)上層的接合層22對向之後，貼合兩者所形成。在圖1B中，圖示該等接合層(21，22)構成一體化的接合層20，但是，作為在各個接合層(21，22)被層積之狀態下可被辨識亦可。
(第三保護層33) 　　於本實施形態中，發光元件1係具備第三保護層33。第三保護層33係例如以包含Ti/Pt被層積一週期或多週期的層積體，與TiW/Pt被層積一週期或多週期的層積體的多層構造所構成。但是，第三保護層33係作為僅以Ti/Pt被層積一週期或多週期的層積體所構成亦可，作為僅以TiW/Pt被層積一週期或多週期的層積體所構成亦可。如圖1B及圖1C所示，第三保護層33係形成於絕緣層(17，19)及第一導電層41的下層。更詳細來說，第三保護層33係以接觸與接合層20的基板3相反側之面、第一導電層41的基板3側之面、及第一絕緣層17的基板3側之面之方式形成。在本實施形態中，第三保護層33構成「第二導電層42」。
第三保護層33係具有防止接合層20所包含之材料(焊錫材料)擴散至第一電極13側的功能。假設，焊錫材料擴散至第一電極13內的話，第一電極13的反射率會降低，導致光取出效率也降低。利用第三保護層33形成於接合層20與第一電極13之間，抑制了第一電極13的反射率降低之狀況。
第三保護層33係以提升密接性為目的，作為於最上層包含Ni的構造亦可。
(第四保護層34) 　　在圖1B所示的範例中，發光元件1係具備第四保護層34。第四保護層34係與第三保護層33相同，以抑制接合層20所包含的焊錫材料擴散為目的而設置。但是，發光元件1是否具備第四保護層34為任意。
〈作用〉 　　參照圖1C如上所述，依據發光元件1，第一半導體層11的第一面11a與第一絕緣層17接觸的區域(第一區域61)，與第一半導體層11的第一面11a與第一電極13接觸的區域(第二區域62)，在與X-Y平面平行的方向中間隔開。如圖1C所示，於被第一區域61與第二區域62挾持的區域(第三區域63)內，第一導電層41係與第一半導體層11的第一面11a接觸。
亦即，於第一半導體層11的第一面11a上，第一絕緣層17與第一電極13並未接觸。然後，位於第三區域63內的第一導電層41，係為金屬材料，相較於第一絕緣層17，具有緻密的構造。因此，假設即使大氣通過第一絕緣層17侵入發光元件1的內部，也可藉由第一導電層41阻止大氣的侵入，故相對於先前的構造，到達第一電極13之面的大氣的量會降低。亦即，與先前的構造對比，抑制了構成第一電極13之材料(例如Ag、Al)的遷移的推展，故提升元件壽命。
進而，構成第一導電層41的TiW或Pt係相較於構成第一電極13的Ag或Al，與第一半導體層11的接觸電阻較高的材料。因此，假設即使構成第一電極13的材料離子化，也會被構成該第一導電層41的材料阻撓，該金屬離子難以到達發光元件1的外緣部為止。藉此，與先前的構造對比，可更抑制遷移的推展。
〈製造方法〉 　　針對本實施形態之發光元件1的製造方法之一例，參照圖2A～圖2G所模式揭示之工程剖面圖來進行說明。在以下所說明的製造條件及膜厚等的尺寸僅為一例。
(步驟S1) 　　首先，準備成長基板25。接著，如圖2A所示，於成長基板25的上層，讓無摻雜層26、第二半導體層7、活性層9、及第一半導體層11依序成長。
作為準備工程，進行成長基板25的清洗。該清洗係作為一例，在MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)裝置的處理爐內配置成長基板25之狀態下，藉由一邊流通所定流量的氫氣，一邊對爐內溫度進行升溫來進行。
接著，於成長基板25的上面，形成由GaN所成的低溫緩衝層，於其上層形成由GaN所成的基底層。該等低溫緩衝層及基底層對應無摻雜層26。
作為一例，在將MOCVD裝置的爐內壓力設為100kPa，將爐內溫度設為480℃程度之狀態下，作為載體氣體的氮氣及氫氣、以及作為原料氣體的三甲基鎵(TMG)及氨，分別以所定流量，供給所定時間至處理爐內。藉此，於成長基板25的表面，形成例如厚度為20nm的由GaN所成的低溫緩衝層。
接著，將MOCVD裝置的爐內溫度升溫至例如1150℃。然後，作為載體氣體的氮氣及氫氣、以及作為原料氣體的TMG及氨，分別以所定流量，供給所定時間至處理爐內。藉此，於低溫緩衝層的表面，形成例如厚度為1.7μm的由GaN所成的基底層。
接著，例如，在將MOCVD裝置的爐內壓力設為30kPa，將爐內溫度設為1150℃程度之狀態下，作為載體氣體的氮氣及氫氣、以及作為原料氣體的TMG、三甲基鋁(TMA)、氨及四乙基矽烷，分別以所定流量，供給所定時間至處理爐內。藉此，例如具有n-Al0.06 Ga0.94 N的組成，厚度為2μm的第二半導體層7，形成於無摻雜層26的上層。四乙基矽烷係用以摻雜作為n型不純物之Si的原料氣體之一例。
再者，之後，藉由停止TMA的供給，並且供給所定時間其以外的原料氣體，於n-AlGaN層的上層，形成n-GaN層亦可。此時，第二半導體層7係包含n-AlGaN層與n-GaN層的構造。
在前述的說明中，已針對第二半導體層7所包含的n型不純物為Si之狀況進行說明，但是，作為n型不純物，除了Si以外，也可使用Ge、S、Se、Sn或Te等。原料氣體係因應摻雜物而適當選擇。
接著，例如，在將MOCVD裝置的爐內壓力設為100kPa，將爐內溫度設為830℃程度之狀態下，於處理爐內作為載體氣體的氮氣及氫氣、以及作為原料氣體的TMG、三甲基銦(TMI)及氨，分別以所定流量，供給所定時間至處理爐內。之後，適當調整流量，TMG、TMA、四乙基矽烷及氨，被供給所定時間至處理爐內。以下，利用重複該等處理，例如，層積15週期之厚度為2nm的由InGaN所成之發光層、及厚度為7nm的由n-AlGaN所成之障壁層所成的活性層9，被形成於第二半導體層7的上層。
接著，在例如MOCVD裝置的爐內壓力維持為100kPa之狀態下，一邊流通作為載體氣體的氮氣及氫氣，一邊將爐內溫度升溫至1025℃。然後，作為原料氣體的TMG、TMA、氨及雙(環戊二烯)鎂(Cp2 Mg)，分別以所定流量，供給所定時間至處理爐內。藉此，例如於活性層9的表面，形成厚度為20nm的p-Al0.3 Ga0.7 N。之後，利用適當變更TMA的流量，形成例如厚度為120nm的p-Al0.13 Ga0.87 N。藉由該等p-AlGaN，形成第一半導體層11。
再者，在該工程之後，利用停止TMA的供給，並且適當變更Cp2 Mg的流量，形成厚度為5nm程度的p-GaN層亦可。此時，第一半導體層11係包含p-AlGaN層與p-GaN層的構造。
(步驟S3) 　　對於在步驟S2中所得之晶圓，進行活性化處理。作為具體的一例，使用RTA(Rapid Thermal Anneal：快速加熱)裝置，在氮氣氛下以650℃進行15分鐘的活性化處理。
(步驟S4) 　　如圖2B所示，於第一半導體層11的上層，形成第一電極13、第一保護層31、第二保護層32、第一絕緣層17、第二絕緣層19。具體方法的一例如下所述。
於第一半導體層11之上面的所定區域，更詳細來說，於除了外緣部之外的區域內，成膜有第一電極13的構成材料。作為一例，藉由濺鍍法，成膜膜厚150nm程度的Ag。如上所述，Ag係對於從活性層9放射之光線顯示高反射率(90%以上)的材料之一例。又，為了確保密接性，作為於Ag的上層，成膜有由Ni等之其他材料所成之膜者亦可。
接著，例如藉由濺鍍法，形成由TiW所成的第一保護層31之後，形成由Pt所成的第二保護層32。此時，在本實施形態中，第一保護層31及第二保護層32以分別與第一半導體層11之上面的一部分接觸之方式形成。第一保護層31的膜厚之一例係為60nm，第二保護層32的膜厚之一例係為60nm。
之後，使用RTA裝置等，在乾空氣或惰性氣體氣氛中，例如以400℃～550℃，進行60秒～300秒之間的接觸退火處理。藉此，形成在與第一半導體層11之間形成歐姆接觸的第一電極13。
接著，以連繫外緣部中露出之第一半導體層11的上面與第二保護層32的上面之一部分之方式形成第一絕緣層17，於第二保護層32之一部分的上面形成第二絕緣層19。在第一絕緣層17與第二絕緣層19以相同材料構成時，作為兩絕緣層(17，19)同時成膜者亦可。作為一例，藉由電漿CVD法，SiO2 以50nm程度的膜厚成膜之後，利用藉由蝕刻進行圖案化，形成絕緣層(17，19)。再者，成膜的材料只要是絕緣性材料即可，除了SiO2 之外，作為SiN或Al2 O3 構成亦可。
(步驟S5) 　　如圖2C所示，以覆蓋絕緣層(17，19)的上面之方式形成第三保護層33，之後，於第三保護層33的上面形成接合層21。
作為一例，藉由濺鍍法，利用成膜3週期之膜厚200nm的Ti與膜厚50nm的Pt，形成第三保護層33。作為另外一例，成膜膜厚50nm的Ti與膜厚200nm的Pt之後，利用成膜2週期之膜厚200nm的TiW與膜厚50nm的Pt，形成第三保護層33。再者，作為於第三保護層33的最上面成膜膜厚100nm程度的Ni者亦可。接著，例如在蒸鍍膜厚300nm的Ti之後，利用蒸鍍膜厚3μm之以Au80%Sn20%構成之Au-Sn焊錫，以形成接合層21。
(步驟S6) 　　如圖2D所示，於成長基板25不同之另外準備的基板3的上面，利用與步驟S5相同的方法，形成第四保護層34及接合層22。作為基板3，如上所述，可利用CuW、W、Mo等的導電性基板，或Si等的半導體基板。再者，作為不形成第四保護層34者亦可。
(步驟S7) 　　如圖2E所示，利用貼合形成於成長基板25之上層的接合層21，與形成於基板3之上層的接合層22，進行成長基板25與基板3的貼合。作為具體的一例，在280℃的溫度，0.2MPa的壓力下，進行貼合處理。
藉由此工程，利用接合層21及接合層22熔融接合，形成基板3與成長基板25的表背面被貼合的構造。亦即，接合層21與接合層22係作為構成本步驟之後被一體化的接合層20亦可。然後，利用在本步驟S7之執行前的階段中形成保護層(33，34)，抑制接合層(21，22)的構成材料(更詳細來說為焊錫材料)的擴散。
(步驟S8) 　　接著，如圖2F所示，剝離成長基板25。更具體來說，在使成長基板25朝上，基板3朝下之狀態下，從成長基板25側照射雷射光。在此，讓所照射的雷射光，設為透射成長基板25的構成材料(在本實施形態中為藍寶石)，被無摻雜層26的構成材料(在本實施形態中為GaN)吸收的波長之光線。藉此，利用無摻雜層26吸收雷射光，故成長基板25與無摻雜層26的界面高溫化而分解GaN，剝離成長基板25。
之後，藉由使用鹽酸等的濕式蝕刻、或使用ICP裝置的乾式蝕刻，來去除殘存於晶圓上的GaN(無摻雜層26)，使第二半導體層7露出。於本步驟S8中，去除無摻雜層26，殘存由基板3側依序層積第一半導體層11、活性層9、及第二半導體層7所成的半導體層5。
(步驟S9) 　　接著，如圖2G所示，分離鄰接的元件彼此。具體來說，對於與鄰接元件的邊際區域，使用ICP裝置，到第一絕緣層17的上面露出為止，對半導體層5進行蝕刻。此時，如上所述，第一絕緣層17具有作為蝕刻阻擋的功能。
再者，在圖2G中，圖示為半導體層5的側面對於垂直方向具有傾斜，但是，此為一例，並不是限定於此種形狀的趣旨。
(步驟S10) 　　接著，如圖1B所示，於第二半導體層7之上面的所定區域，更詳細來說，於第二半導體層7的上面中，Z方向中與絕緣層(17，19)對向之區域的一部分，形成第二電極15。作為具體方法的一例，在對第二半導體層7的上面中，形成第二電極15之預定區域以外，以光阻劑等進行遮罩之狀態下，於第二半導體層7的上面蒸鍍膜厚100nm的Cr與膜厚3μm的Au。之後，剝離遮罩後，在氮氣氛中以250℃進行1分鐘程度的退火處理。
(步驟S11) 　　接著，各元件彼此例如藉由雷射切割裝置分離。之後，基板3的背面例如利用Ag膠與封裝接合。之後，對於第二電極15的一部分區域，進行引線接合。經由以上的工程，製造發光元件1。
再者，作為步驟S9之後，或步驟S10之後，執行於第二半導體層7的上面，藉由濕式蝕刻形成細微的凹凸的步驟亦可。該凹凸係以提升光取出效率為目的所設置。又，之後，設為以由SiO2 等的絕緣性材料所成的鈍化膜，來覆蓋露出之第二半導體層7的上面及半導體層5的側面者亦可。
〈其他構造例〉 　　如圖3A所示，以於第三區域63內，第一保護層31與第一半導體層11接觸，第二保護層32不接觸第一半導體層11之方式構成亦可。於該構造中，第一保護層31對應「第一導電層41」。
進而，如圖3B所示，設為發光元件1不具備第二保護層32的構造亦可。即使於該構造中，第一保護層31也對應「第一導電層41」。
[第二實施形態] 　　針對本發明的第二實施形態，說明與第一實施形態不同之處。圖4A係模式揭示第二實施形態之半導體發光元件1a的圖面。圖4B係圖4A的部分放大圖。再者，於以下的各實施形態中，關於俯視圖，任一皆與第一實施形態的半導體發光元件1共通，故省略圖示。
本實施形態的發光元件1a，係相較於第一實施形態的發光元件1，第一絕緣層17的形成區域不同。亦即，與第一實施形態不同，第一絕緣層17並未接觸第一導電層41的底面。第二絕緣層19係以在Z方向與第二電極15對向的位置中，接觸第一導電層41之底面的第二絕緣層19與第一絕緣層17相互獨立形成。於第三區域63中，第一導電層41與第三保護層33接觸第一半導體層11。
即使於此種構造中，於第一半導體層11的第一面11a上，第一絕緣層17與第一電極13也未接觸，對比先前的構造，抑制了構成第一電極13之材料(例如Ag、Al)的遷移的推展，故提升壽命。在製造發光元件1a時，於步驟S4中，因應發光元件1a的構造，變更第一絕緣層17及第二絕緣層19的形成處即可。
再者，作為發光元件1a的變形例，如圖5所示般，以利用讓第一絕緣層17的側面與第一導電層41的側面接觸，於第三區域63內，第三保護層33不接觸第一面11a之方式構成亦可。又，與圖3A所示的構造相同，設為於第三區域63內，第二保護層32不接觸第一半導體層11的構造亦可。又，與圖3B所示的構造相同，設為不具備第二保護層32亦可。
[第三實施形態] 　　針對本發明的第三實施形態，說明與第二實施形態不同之處。圖6A係模式揭示第三實施形態之半導體發光元件1b的圖面。圖6B係圖6A的部分放大圖。
本實施形態的發光元件1b，係相較於第二實施形態的發光元件1a，第一絕緣層31及第二保護層32的形成區域不同。第一保護層31係以接觸第一電極13的基板3側之面、第一半導體層11的第一面11a、及第一絕緣層17的基板3側之面之方式形成。第二保護層32，係以接觸第一保護層31的基板3側之面、與第三保護層33的基板3相反側之面之方式形成。第二保護層32係以在Z方向與第一絕緣層17對向的位置中，也接觸第一保護層31之方式形成。
在本實施形態中，第一保護層31對應「第一導電層41」，第三保護層33對應「第二導電層42」，第二保護層32對應「第三導電層43」。
即使於此種構造中，於第一半導體層11的第一面11a上，第一絕緣層17與第一電極13也未接觸，對比先前的構造，抑制了構成第一電極13之材料(例如Ag、Al)的遷移的推展，故提升壽命。在製造發光元件1b時，於步驟S4中，因應發光元件1b的構造，變更第一絕緣層17、第二絕緣層19、第一保護層31、及第二保護層32的形成處即可。
[第四實施形態] 　　針對本發明的第四實施形態，說明與第三實施形態不同之處。圖7A係模式揭示第四實施形態之半導體發光元件1c的圖面。圖7B係圖7A的部分放大圖。
本實施形態的發光元件1c，係相較於第三實施形態的發光元件1b，第一保護層31的形成區域不同。第一保護層31係以不接觸第一電極13的基板3側之面，接觸第一半導體層11的第一面11a及第一絕緣層17的基板3側之面之方式形成。又，該發光元件1c未具備第二保護層32。
發光元件1c係於第三區域63內，第一保護層31及第三保護層33接觸第一半導體層11。在本實施形態中，第三保護層33對應「第一導電層41」，第一保護層31對應「第四導電層44」。
即使於此種構造中，於第一半導體層11的第一面11a上，第一絕緣層17與第一電極13也未接觸，對比先前的構造，抑制了構成第一電極13之材料(例如Ag、Al)的遷移的推展，故提升壽命。在製造發光元件1c時，於步驟S4中，因應發光元件1c的構造，變更第一絕緣層17、第二絕緣層19、及第一保護層31的形成處即可。
[第五實施形態] 　　針對本發明的第五實施形態，說明與第四實施形態不同之處。圖8A係模式揭示第五實施形態之半導體發光元件1d的圖面。圖8B係圖8A的部分放大圖。
本實施形態的發光元件1d，係相較於第四實施形態的發光元件1c，未具備第一保護層31之處不同。亦即，如圖8B所示，第三保護層33於第三區域63內與第一半導體層11接觸。第三保護層33也接觸第一電極13的側面及第一絕緣層17的側面。在本實施形態中，第三保護層33對應「第一導電層41」。
即使於此種構造中，於第一半導體層11的第一面11a上，第一絕緣層17與第一電極13也未接觸，對比先前的構造，抑制了構成第一電極13之材料(例如Ag、Al)的遷移的推展，故提升壽命。在製造發光元件1d時，相較於第三實施形態之發光元件1c的製造方法，於步驟S4中省略第一保護層31的成膜工程即可。
〈其他構造例〉 　　如圖8C所示，設為於Z方向中不與第二電極15對向的區域，不形成第一電極13的構造亦可。圖8D係圖8C的部分放大圖。再者，圖8C及圖8D所示的發光元件1d，係於第一電極13的下層設置第一保護層31及第二保護層32，但是，設為不具備該等層亦可。
進而，如圖8E所示，設為於第三區域63內，於第三保護層33的下層設置第二絕緣層19亦可。該發光元件1d可利用將第三保護層(33，33a)分成兩次成膜來製造。
又，如圖8F所示，設為使第一絕緣層17延伸到與接近外緣部的第二電極15對向的位置為止，並且於與設置在發光元件1d之中央附近的第二電極15對向的區域，設置第二絕緣層19者亦可。
[第六實施形態] 　　針對本發明的第六實施形態，說明與第五實施形態不同之處。圖9A係模式揭示第六實施形態之半導體發光元件1e的圖面。又，圖9B係圖9A之一部分的放大圖。
發光元件1e係相較於圖8F所示的發光元件1d，以第二絕緣層19隔著第五保護層35而與第一半導體層11接觸之方式構成之處不同。第五保護層35係例如以Ti所構成。該第五保護層35係以與第一半導體層11的基板3側之面接觸，並且覆蓋第一電極13、第一保護層31、及第二保護層32的側面之方式形成。
在圖9A所示範例中，於半導體層5的外緣部中，第一半導體層11與第五保護層35接觸，第一絕緣層17位於該第五保護層35的下層。再者，第一絕緣層17具有作為蝕刻阻擋的功能，故與上述之各實施形態相同，形成為比半導體層5更往外側突出。
依據圖9B，第一半導體層11的第一面11a與第一絕緣層17對向於Z方向的區域(第一區域61)，與第一半導體層11的第一面11a與第一電極13對向於Z方向的區域(第二區域62)，在與X-Y平面平行的方向中間隔開。然後，於被該等第一區域61與第二區域62挾持的區域(第三區域63)中，第五保護層35係與第一半導體層11的第一面11a接觸。因此，與上述之其他實施形態相同，假設即使大氣通過第一絕緣層17侵入發光元件1e的內部，也可藉由第五保護層35阻止大氣的侵入，故相對於先前的構造，到達第一電極13之面的大氣的量會降低。亦即，在本實施形態的發光元件1e中，第五保護層35對應「第一導電層41」。
再者，如圖9C所示，設為第五保護層35以也覆蓋第二保護層32的底面之方式形成亦可。又，於圖9A及圖9C的構造中，第二絕緣層19的一部分接觸第五保護層35的底面亦可。
[其他實施形態] 　　以下，針對其他實施形態的構造進行說明。
〈1〉於上述之第二、第三、及第四實施形態的各發光元件(1a，1b，1c)中，設為不具備第二絕緣層19者亦可。此時，設為以將流通於活性層9的電流擴散至與X-Y平面平行的方向為目的，在Z方向與第二電極15對向的區域中，使第一電極13與第一半導體層11肖特基接觸者亦可。
即使於圖8C及圖8D所示之第五實施形態的發光元件1d中，設為以將流通於活性層9的電流擴散至與X-Y平面平行的方向為目的，在Z方向與第二電極15對向的區域中，使第一電極13與第三保護層33肖特基接觸者亦可。
〈2〉在上述之各實施形態中，已針對第一電極13係與第一半導體層11直接接觸之狀況進行說明，但是，第一電極13隔著導電性的薄膜，與第一半導體層11接觸亦可。圖10係圖示圖1C所示之第一實施形態的發光元件1中，第一電極13隔著薄膜51而與第一半導體層11接觸的構造。該薄膜51係例如以Ni所構成。該薄膜51係以提升第一電極13與第一半導體層11的歐姆接觸為目的所設置。關於第二、第三、第四、及第五實施形態的各發光元件(1a，1b，1c，1d)也相同。
〈3〉於各發光元件(1，1a，1b，1c，1d)中，第二電極15的形狀為任意。例如，如圖11所示，第二電極15作為焊墊電極15a延伸於對向之方向(圖面上為X方向)的構造亦可。又，第二電極15的延伸方向，並不限定於X方向或Y方向，作為傾斜的方向亦可，作為沿著曲線的方向亦可。
但是，如圖1及圖11所示，第二電極15形成為沿著基板3之形狀的框狀為佳。利用採用此種構造，可防止電場易於集中於第二電極15的特定處，故可提升抑制遷移的效果。
〈4〉於前述各實施形態中，已說明將第一半導體層11設為p型半導體層，將第二半導體層7設為n型半導體層，但是，使導電型逆轉亦可。
〈5〉在前述各實施形態中，已針對第二絕緣層19係以接觸第一導電層41之方式形成之狀況進行說明。但是，第二絕緣層19與第一導電層41之間存在其他層(第六保護層36)亦可(參照圖12)。
圖12所示的發光元件1f所具備之第六保護層36，係以覆蓋第一導電層41的基板3側之面、及側面之方式形成。第六保護層36係例如以Ti/Pt所構成。於對第二電極15對向於Z方向的位置，形成有第二絕緣層19，於第二絕緣層19的下層，形成有第三保護層33。再者，該發光元件1f係與圖6A所示之發光元件1b、圖7A所示之發光元件1c相同，即使對於形成在最接近外緣部之位置的第二電極15對向於Z方向的位置中，也形成有第二絕緣層19。
在圖12中，以該第二絕緣層19延伸至與第一絕緣層17對向於Z方向的位置為止之方式圖示，但是，該構造為一例。第二絕緣層19設為從Z方向觀察時，形成在比第一絕緣層17更靠內側亦可。
〈6〉本發明不排除任意組合各實施形態中所說明之構造所實現的構造。例如，於第一、第二、第三、或第四實施形態中，如上述之圖8C般，在Z方向與第二電極15對向的區域，不形成第一電極13亦可。
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f‧‧‧半導體發光元件
3‧‧‧基板
5‧‧‧半導體層
7‧‧‧第二半導體層
9‧‧‧活性層
11‧‧‧第一半導體層
11a‧‧‧第一半導體層的基板側之面(第一面)
13‧‧‧第一電極
15‧‧‧第二電極
15a‧‧‧焊墊電極
16‧‧‧引線
17‧‧‧第一絕緣層
19‧‧‧第二絕緣層
20、21、22‧‧‧接合層
25‧‧‧成長基板
26‧‧‧無摻雜層
31‧‧‧第一保護層
32‧‧‧第二保護層
33、33a‧‧‧第三保護層
34‧‧‧第四保護層
35‧‧‧第五保護層
36‧‧‧第六保護層
41‧‧‧第一導電層
42‧‧‧第二導電層
43‧‧‧第三導電層
44‧‧‧第四導電層
51‧‧‧薄膜
61‧‧‧第一區域
62‧‧‧第二區域
63‧‧‧第三區域
100‧‧‧先前的半導體發光元件
101‧‧‧基板
103‧‧‧金屬層
105‧‧‧絕緣層
109‧‧‧電流阻止層
110‧‧‧半導體層
111‧‧‧p型半導體層
112‧‧‧活性層
113‧‧‧n型半導體層
121‧‧‧n側電極
122‧‧‧p側電極
125‧‧‧供電用電極
[圖1A]模式揭示第一實施型態之半導體發光元件的俯視圖。 　　[圖1B]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖1C]圖1B的部分放大圖。 　　[圖2A]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的製造方法的工程剖面圖之一部分。 　　[圖2B]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的製造方法的工程剖面圖之一部分。 　　[圖2C]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的製造方法的工程剖面圖之一部分。 　　[圖2D]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的製造方法的工程剖面圖之一部分。 　　[圖2E]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的製造方法的工程剖面圖之一部分。 　　[圖2F]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的製造方法的工程剖面圖之一部分。 　　[圖2G]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的製造方法的工程剖面圖之一部分。 　　[圖3A]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的其他構造例的部分放大剖面圖。 　　[圖3B]模式揭示第一實施形態之半導體發光元件的其他構造例的部分放大剖面圖。 　　[圖4A]模式揭示第二實施形態之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖4B]圖4A的部分放大圖。 　　[圖5]模式揭示第二實施形態之半導體發光元件的其他構造例的部分放大剖面圖。 　　[圖6A]模式揭示第三實施形態之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖6B]圖6A的部分放大圖。 　　[圖7A]模式揭示第四實施形態之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖7B]圖7A的部分放大圖。 　　[圖8A]模式揭示第五實施形態之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖8B]圖8A的部分放大圖。 　　[圖8C]模式揭示第五實施形態之半導體發光元件的其他構造例的剖面圖。 　　[圖8D]圖8C的部分放大圖。 　　[圖8E]模式揭示第五實施形態之半導體發光元件的其他構造例的部分放大剖面圖。 　　[圖8F]模式揭示第五實施形態之半導體發光元件的其他構造例的剖面圖。 　　[圖9A]模式揭示第六實施形態之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖9B]圖9A的部分放大圖。 　　[圖9C]模式揭示第六實施形態之半導體發光元件的其他構造例的剖面圖。 　　[圖10]模式揭示其他實施形態之半導體發光元件的部分放大剖面圖。 　　[圖11]模式揭示其他實施形態之半導體發光元件的俯視圖。 　　[圖12]模式揭示其他實施形態之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖13]模式揭示先前之半導體發光元件的剖面圖。 　　[圖14A]模式揭示先前之半導體發光元件發生遷移之樣子的圖面。 　　[圖14B]模式揭示遷移從圖14A的狀態更加推展之樣子的圖面。

Claims (15)

  1. 一種半導體發光元件，係於基板上，形成n型或p型的第一半導體層、形成於前述第一半導體層之上層的活性層、及形成於前述活性層的上層且導電型與前述第一半導體層不同之第二半導體層所成的半導體發光元件，其特徵為具有： 　　第一絕緣層，係在與前述基板面正交的第一方向中，形成於比前述第一半導體層更接近前述基板的位置，並且從前述第一方向觀察，突出形成於比前述第一半導體層的前述基板側之面即第一面更靠外側； 　　第一電極，係從前述第一方向觀察，位於比前述第一絕緣層更靠內側，以直接或隔著薄膜接觸前述第一面之方式形成，且由高反射材料所成；及 　　第二電極，係以接觸前述第二半導體層的與前述基板相反側之面之方式形成； 　　前述第一面及前述第一絕緣層對向的第一區域，與前述第一面及前述第一電極對向的第二區域，係在與前述基板面平行的第二方向中間隔開。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光元件，其中，具有： 　　第一導電層，係在前述第二方向中被前述第一區域與前述第二區域挾持的第三區域中與前述第一面接觸，由相較於前述第一電極，對於前述第一面的接觸電阻較高的材料所成。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之半導體發光元件，其中， 　　前述第一導電層，係以連繫前述第一電極的前述基板側之面、前述第一電極的側面、及前述第三區域之方式形成。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之半導體發光元件，其中，具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料；及 　　第二導電層，係以接觸前述接合層的與前述基板相反側之面、前述第一導電層的前述基板側之面、及前述第一絕緣層的前述基板側之面之方式形成，由與前述第一導電層不同的材料所成。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之半導體發光元件，其中， 　　前述第一絕緣層，係以在前述第一方向中與前述第二電極對向的位置中，接觸前述第一導電層的前述基板側之面之方式形成。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之半導體發光元件，其中，具備： 　　第二絕緣層，係以在前述第一方向中與前述第二電極對向的位置中，接觸前述第一導電層的前述基板側之面，並且在前述第二方向中與前述第一絕緣層間隔開之方式形成。
  7. 如申請專利範圍第3項所記載之半導體發光元件，其中，具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料； 　　第二導電層，係以接觸前述接合層的與前述基板相反側之面之方式形成，且由與前述第一導電層不同的材料所成；及 　　第三導電層，係形成於前述第一方向中被前述第一導電層與前述第二導電層挾持的位置，由與前述第一導電層及前述第二導電層不同的材料所成； 　　前述第一導電層，係以接觸前述第一絕緣層的前述基板側之面之方式延伸並形成於前述第二方向； 　　前述第三導電層，係在前述第一方向中，形成於包含與前述第一絕緣層對向之位置的區域。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之半導體發光元件，其中，具備： 　　第二絕緣層，係以在前述第一方向中與前述第二電極對向的位置中，被前述第三導電層與前述第二導電層挾持，並且在前述第二方向中與前述第一絕緣層間隔開之方式形成。
  9. 如申請專利範圍第3項所記載之半導體發光元件，其中，具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料； 　　前述第一導電層，係以接觸前述接合層的與前述基板相反側之面之方式形成。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體發光元件，其中，具有： 　　第四導電層，係以被前述第一導電層與前述第一絕緣層挾持，並且於前述第三區域的一部分中接觸前述第一面之方式形成； 　　前述第四導電層，係由與前述第一導電層不同的材料，且相較於前述第一電極，對於前述第一面的接觸電阻較高的材料所成。
  11. 如申請專利範圍第2項所記載之半導體發光元件，其中，具有： 　　接合層，係形成於前述基板的上層，且包含焊錫材料； 　　前述第一導電層，係以於前述第一方向中與前述第一絕緣層對向的至少一部分的區域中與前述第一半導體層接觸，並且連繫前述第一電極的側面、前述第三區域、前述第一區域之方式形成。
  12. 如申請專利範圍第2項至第11項中任一項所記載之半導體發光元件，其中， 　　前述第三區域，係在前述第一方向中與前述第二電極對向。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之半導體發光元件，其中， 　　前述第一導電層，係於前述第三區域中在與前述第一面之間形成肖特基接觸。
  14. 如申請專利範圍第2項至第11項中任一項所記載之半導體發光元件，其中， 　　前述第三區域，係從前述第一方向觀察，位於比前述第二電極更外側。
  15. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所記載之半導體發光元件，其中， 　　前述第一電極，係由包含Ag、Al的至少一方的金屬材料所成。
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