TW201510010A - 離型用雙軸配向積層聚酯薄膜 - Google Patents

離型用雙軸配向積層聚酯薄膜 Download PDF

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Abstract

本發明之課題在於平衡性良好地改善薄膜生胚片成形時之陶瓷漿料之塗佈性及生胚片剝離特性。 本發明係滿足下述(1)~(3)之離型用雙軸配向聚酯薄膜。 (1)一面(將該面設為A面)之表面粗糙度SRa(A)為7.0nm以上且未滿15.0nm。 (2)A面對向面(將該面設為B面)之表面粗糙度SRa(B)超過30nm且未滿50nm。 (3)存在於A面之大突起之個數為10個/5.0mm2以上且20個/5.0mm2以下，且存在於A面之大突起之高度全部在800nm以下之範圍。

Description

離型用雙軸配向積層聚酯薄膜
本發明係關於一種以雙軸延伸聚酯薄膜為基底，平滑性與均勻之剝離性之平衡性優異的離型用基底薄膜。
隨著最近之智慧型手機之普及，積層陶瓷電容器之小型高電容化正不斷發展。關於積層陶瓷電容器之製造所使用之離型薄膜，對平滑性高、薄膜表面及內部無缺陷之聚酯薄膜之需要正急速增加。
關於高平滑之離型用途聚酯薄膜，揭示有一種基底薄膜，其以在形成陶瓷漿料之表面實質上不含有粒子，三維中心面粗糙度(SRa)為2~7nm為特徵，藉此生胚片上之針孔之產生較少(專利文獻1)。又，揭示有一種藉由減少薄膜表面之凹陷缺點而抑制陶瓷漿料塗佈後形成之生胚片表面之缺點，藉此提高陶瓷漿料之塗佈性的技術(專利文獻2)。又，揭示有一種於薄膜之捲取步驟中改善因伴隨生胚片薄膜化之平滑化而產生之帶電，藉此減少夾帶因靜電而附著於薄膜之異物而產生隆起狀缺點的方法(專利文獻3)。又，亦揭示有一種為了實現高平滑性、異物減少或生產成本降低而不於不同種3層構成之中間層調配微粒子的方法(專利文獻4)。另一方面，關於規定並控制表面之突起之方法，一般係藉由於作為基材之聚酯薄膜中添加粒子而實現，其評價眾所周知為利用由三維微細表面形狀測定器所獲得之表面輪廓而 求出的方法(專利文獻5、專利文獻6)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2007-62179號公報
專利文獻2：日本專利特開2007-210226號公報
專利文獻3：日本專利特開2004-196873號公報
專利文獻4：日本專利特開2004-196856號公報
專利文獻5：日本專利特開2009-215350號公報
專利文獻6：日本專利特開2008-239844號公報
近年來，由於對陶瓷電容器要求較高之精度，因此對陶瓷電容器用之離型薄膜亦要求於陶瓷生胚片形成薄膜且積層多層時有較高之積層精度。然而，已知利用上述習知公知之技術獲得之離型薄膜具有如下問題：雖然可一定程度提高積層精度，但無法抑制剝離特性之不均。利用習知公知之技術獲得之離型薄膜係使存在於離型層之表面之一般被稱為粗大突起之突起減少而製成高平滑之薄膜。然而，認為利用上述習知公知之技術獲得之離型薄膜由於離型層之表面過於平滑，因此成為剝離之開端之點(剝離開始點)消失，其結果，剝離特性產生不均。因此，本發明者等人進行了努力研究，結果明確：藉由於離型薄膜之表面形成具有一定形狀之突起(大突起)，可抑制上述剝離特性之不均。
本發明之目的在於提供一種於使高平滑之生胚片形成 薄膜且積層多層後之薄膜之剝離特性、尤其是剝離之不均極小且高平滑的離型用雙軸配向聚酯薄膜。
本發明者等人鑒於上述實情進行努力研究，結果發現一種離型聚酯薄膜，其藉由將表面性狀、尤其是大突起個數控制在適當範圍，從而剝離特性良好，尤其是剝離之不均極小，適於高平滑之薄膜生胚片成形，從而完成本發明。即，為滿足下述(1)~(3)之離型用雙軸配向聚酯薄膜。
(1)一面(將該面設為A面)之表面粗糙度SRa(A)為7.0nm以上且未滿15.0nm。
(2)A面對向面(將該面設為B面)之表面粗糙度SRa(B)超過30nm且未滿50nm。
(3)存在於A面之大突起之個數為10個/5.0mm2以上且20個/5.0mm2以下，且存在於A面之大突起之高度全部在800nm以下之範圍。
根據本發明，可改善高平滑之薄膜生胚片成形時之陶瓷漿料之塗佈性及生胚片之剝離特性之不均。
以下，更詳細地說明本發明。
本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜中之離型用係指使用聚酯薄膜基材成型構件，自成型後之構件剝離之用途。此處所謂之構件係多層陶瓷電容器中之生胚片或多層電路基板中之層間絕緣樹脂 (電氣絕緣樹脂)、光學相關構件中之聚碳酸酯(此時用於溶液製膜)等。
本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜之剝離特性良好，尤其是剝離之不均極小。因此，於製造積層陶瓷電容器之步驟中可較佳地用於生胚片成形之支持所使用之離型用薄膜。本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜即便將高平滑之生胚片形成薄膜且積層多層，成形時之陶瓷漿料之塗佈性亦優異，且生胚片沖裁性及生胚片積層精度亦良好。
本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜中之雙軸配向，係利用廣角X射線繞射表示雙軸配向之圖案者。係藉由利用常法使未延伸(未配向)薄膜於二維方向延伸而獲得。延伸可採用逐次雙軸延伸。關於逐次雙軸延伸，可將於長度方向(縱)及寬度方向(橫)延伸之步驟於縱-橫各實施1次，亦可以縱-橫-縱-橫等於各方向實施1次以上。
本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜中之聚酯係以二元酸及二醇為構成成分之聚酯，作為芳香族二元酸，可使用對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、萘二甲酸、二苯基碸二羧酸、二苯醚二羧酸、二苯基酮二羧酸、苯基茚滿二羧酸、間苯二甲酸磺酸鈉、二溴對苯二甲酸等。作為脂環族二元酸，可使用草酸、丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、二聚酸等。作為二醇，作為脂肪族二醇，可使用乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、己二醇、新戊二醇、二乙二醇等；作為芳香族二醇，可使用萘二醇、2,2雙(4-羥基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基乙氧基苯基)丙烷、雙(4-羥基苯基)碸、對苯二酚等；作為脂環族二醇，可使用環己烷二甲醇、環己二醇等。
上述聚酯可利用公知之方法製造，關於固有黏度，較佳為下限為0.5dl/g以上，上限為0.8dl/g以下。進而較佳為下限為0.55dl/g以上，上限為0.70dl/g以下。
本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜係一面(將該面設為A面)之表面粗糙度SRa(A)為7.0nm以上且未滿15.0nm，A面對向面(將該面設為B面)之表面粗糙度SRa(B)超過30nm且未滿50nm的聚酯薄膜。本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜較佳為包含：構成A面之A層及構成B面之B層之至少兩層以上的具有A層及B層之積層薄膜(離型用雙軸配向聚酯薄膜)。
A層係設置離型層之後陶瓷漿料之塗佈性優異，適於構成塗佈陶瓷漿料之面的層。
陶瓷漿料之塗佈性顯示如下特性：是否可不產生針孔或塗佈不均而獲得將陶瓷電容器之介電質原料，塗佈於包含本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜之離型薄膜上後，進行乾燥後所獲得之成形體即陶瓷片材(所謂之生胚片)。
生胚片剝離特性顯示如下特性：於藉由熱壓使上述步驟中切斷之生胚片壓接於基板上後使離型薄膜剝離之步驟中，是否可不對生胚片造成破損等損傷而剝離。有關該等評價方法之說明於下文進行敍述。
B層為形成離型層之A層之對向面之表層，係積層離型層或生胚片並捲取時與離型層或生胚片接觸之面。
本發明之聚酯薄膜除上述A層、B層以外亦有不具有A面、B面之中間層。若具有中間層，則變得容易控制大突起之高度，故而更佳。
關於本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜之厚度，下限較佳為20μm以上，更佳為25μm以上，進而較佳為31μm以上。上限較佳為40μm以下，更佳為38μm。若厚度薄於20μm，則有用以保持 陶瓷漿料之韌性消失，於陶瓷漿料之塗佈時無法支持陶瓷漿料而於後續步驟中無法進行均勻之乾燥的情況。若厚度超過40μm，則有於薄膜製造時之搬送步驟中容易形成損傷而欠佳之情況。
本發明中之A層之積層厚度較佳為0.5μm以上。若積層厚度低於0.5μm，則於A層含有粒子之情形時，有粒子脫落之情況。
又，關於本發明中之中間層，作為原料，可僅使用原生胚片，亦可使用回收原料。作為回收原料，較佳為僅使用聚酯薄膜製造步驟中所產生之雙軸延伸後產生之碎屑。進而，若僅使用半成品之捲取後之步驟中所產生之碎屑，則可使回收原料所受之熱歷程均質化，可使獲得之薄膜之特性均質化，故而較佳。例如，若將未配向薄膜與雙軸延伸後之薄膜混合而用作回收原料，則有由於結晶性不同，因此熔融黏度不穩定，於再熔融時產生熔點之差異而產生未熔融異物或熱劣化異物的情況。於該異物大於A層或B層之層厚度之情形下，有於A面或B面形成大突起或粗大突起之情況。此時，尤其是於A面側形成表面突起之情形時，有生胚片產生針孔之情況。
較佳為本發明之聚酯薄膜為包含3層之積層聚酯薄膜，且不具有A面、B面之中間層之厚度相對於薄膜整體為25%以上且未滿95%。藉由將中間層之厚度設在上述範圍，即便中間層含有回收原料，亦可將薄膜之A面之表面形狀設為特定之形狀。於中間層之厚度相對於薄膜整體過厚(95%以上)之情形，於將回收原料用於中間層時，由於回收原料中含有之粒子種或異物而於表層(A、B面)產生變形(鼓出)，無法達成適當之突起形成的情況。於中間層之厚度相對於薄膜整體過薄(未滿25%)之情形時，有難以使中間層大量含有回收原料之情況。
本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜亦可以提高搬送或捲取時之操作性為目的而含有粒子。若使A層及B層含有粒子，則可於A面及B面形成微細之凸形態。若形成該凸形態，則於搬送時容易去除搬送輥與薄膜之間之空氣，又，於捲取時，容易去除A面與B面之間之空氣，因此操作性提高，故而較佳。
關於本發明所使用之粒子之形狀、粒徑分佈，較佳為均勻者，尤佳為粒子形狀接近球形者。關於體積形狀係數，較佳為f=0.3~π/6，更佳為f=0.4~π/6。體積形狀係數f係用下式表示。
f=V/Dm3
此處V為粒子體積(μm3)，Dm為粒子之投影面之最大徑(μm)。
再者，體積形狀係數f於粒子為球時取最大之π/6(=0.52)。又，較佳為根據需要進行過濾等，藉此去除凝集粒子或粗大粒子等。作為本發明所使用之粒子，可較佳地使用利用乳化聚合法等合成之交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯聚矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸系樹脂粒子，就體積形狀係數接近真球，粒徑分佈極均勻，均勻地形成薄膜表面突起之觀點而言，尤佳為交聯聚苯乙烯粒子、交聯聚矽氧、進而球狀氧化矽等。
又，有B面之突起於使被捲取之生胚片捲出時會卡在生胚片表面而刮削生胚片之情況。該卡住亦可藉由使形成於B面之平坦之面之突起之高度均勻來防止。
進而，藉由對該等粒子實施利用界面活性劑等之表面處理，可謀求與聚酯之親和性之改善，可形成脫落較少之突起，故而較佳。
於本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜中，A面之表面粗 糙度(中心線平均粗糙度)SRa(A)必須為7nm以上且15nm以下，B面之表面粗糙度(中心線平均粗糙度)SRa(B)必須超過30nm且為50nm以下。藉由達成該範圍之表面粗糙度，可於使厚度為2μm以下之薄膜之生胚片成形後獲得適當之平滑性。於A面之表面粗糙度(中心線平均粗糙度)SRa(A)低於7nm之情形，會於離型層塗佈後之薄膜輥之保管中引起結塊，若超過15nm，則陶瓷漿料之塗佈會變得不均勻而使生胚片產生針孔等缺陷。
又，塗佈漿料並進行乾燥後所獲得之生胚片係保持於將離型層塗佈於本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜而成之離型薄膜上並捲取。因此，如上所述，B面之形狀會對捲取後之生胚片之表面形態造成影響。若B面之表面粗糙度(中心線平均粗糙度)SRa(B)成為30nm以下，則於離型層塗佈步驟或漿料塗佈步驟中操作性變差，塗佈變得不穩定而產生塗佈不均，或塗佈後之捲取時不易去除夾帶之空氣，由此產生捲偏。又，於B面之表面粗糙度(中心線平均粗糙度)SRa(B)超過50nm之情形時，形成於表面之凹凸被轉印於生胚片表面之影響變大，陶瓷電容器之靜電電容產生不均。為了將A面、B面之表面粗糙度設為上述範圍，可藉由使A層及B層含有特定量之特定有機粒子或無機粒子、或利用下述之製造方法進行製造來達成。
於本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜中，A面之大突起之個數必須為10個/5.0mm2以上且20個/5.0mm2以下，並且存在於A面之該大突起之高度必須全部超過300nm且為800nm以下。
本發明所謂之大突起係利用下述之方法求出。即，使用三維構造解析測定器(Zygo公司製造之New View 7300)，於(I)之測定條件下測定薄膜之測定面而獲得微分干涉影像。於獲得之影像中，將滿 足(II)之基準之突起判定為大突起。對大突起之數目進行計數，將以5.0mm2為單位換算而得到之值設為大突起之個數。又，將滿足(II)之基準之突起之高度設為大突起之高度。實施5次上述之測定，將其平均值設為大突起之個數。
(I)測定條件
倍率：50倍
測定區域：寬度0.98mm，長度5.25mm
(對寬度方向7個視野、長度方向50個視野之350個視野實施1個視野140μm×105μm之測定)
相機模式(Camera Mode)：640×480 210Hz
掃描長度(Scan Length)：10μm
最小模數(Min Mod)：15.00%
最小面積尺寸(Min Area Size)：7
薄膜最小模數(Film Min Mod)：4%
(II)篩選基準
基準頻帶(Reference Band)：600nm
面積(Area)：0.25μm2以上。
再者，此處所謂之基準頻帶：600nm係指作為用以判定是否為突起之高度超過300nm之突起的臨界值使用。基準頻帶值表示以平均平面為中心時決定峰(Peaks)之高度及谷(Vallays)之深度的寬度。若基準頻帶為600nm，則關於峰/谷之臨界值成為300nm，可篩選高度超過300nm之突起。繼而利用所謂峰面積(Peak Area)之臨界值將利用基準頻帶判定之突起判定為大突起。
所謂峰面積，係針對超過由基準頻帶決定之臨界值之 峰，指具有超過臨界值之高度之峰之臨界值面之面積。即，於本發明中，所謂大突起，係表示高度超過300nm之突起，且300nm之臨界值面中該突起之截面積為0.25μm2以上之突起。
所謂大突起，與作為先前常使用之突起之指標的粗大突起不同，為具有較寬之山形狀之突起。大突起具有較寬之山形狀，因此無法利用習知之粗大突起測定檢測。具有粗大突起之薄膜於使薄膜面密接時，於粗大突起之情形下，薄膜自突起周圍剝離而產生干涉條紋。因此，為了抑制干涉條紋之產生，於習知技術中一直使用儘可能減少粗大突起之方法。然而，關於減少了粗大突起之薄膜，薄膜面過於平滑，因此成為剝離之開端之點(剝離開始點)消失，其結果，剝離特性產生不均。另一方面，具有特定數目大突起之本發明之薄膜與具有粗大突起之薄膜不同，薄膜面完全地密接而不產生干涉條紋。又，由於大突起可成為剝離開始點，因此可極為縮小剝離特性之不均。即，若A面之大突起個數低於10個/5.0mm2，則表面變得過於平滑而難以決定剝離之開端，容易產生剝離力之不均，因此無法製作穩定品質之電容器。若超過20個/5.0mm2，則產生大量生胚片之缺陷。又，關於該大突起，高度亦須控制，即便大突起分佈於上述之個數範圍，若存在大突起之高度為300nm以下之突起，則剝離不穩定，若超過800nm，則會導致生胚片之缺陷。為了將A面大突起之個數、高度設在上述之範圍，可列舉於下述之延伸條件下進行延伸等。
關於本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜，長度方向及寬度方向之斷裂強度之和較佳為500MPa以上且600MPa以下，進而較佳為520MPa以上且590MPa以下。又，較佳為寬度方向之斷裂強度為與長度方向之斷裂強度同等以上，其差為0MPa以上且90MPa以 下，進而，其差為40MPa以上且80MPa以下之情形進而較佳。若長度方向及寬度方向之斷裂強度之和低於500MPa，則變得難以表現出延伸步驟中粒子周圍之聚合物自粒子剝離而成之空隙(void)構造，不表現出所需之表面粗糙度或緩衝性，故而欠佳。為了達成超過600MPa之狀態，必須過度地實施朝長度方向或寬度方向之延伸而有於延伸中斷裂之情況，故而欠佳。
又，關於斷裂伸長率，宜為長度方向及寬度方向均為80%以上且220%以下，較佳為90%以上且210%以下。進而，較佳為長度方向之斷裂伸長率為寬度方向之斷裂伸長率之同等以上，其差為0%以上且100%以下之情形進而較佳，進而，長度方向之斷裂伸長率為170%以上且190%以下，寬度方向之斷裂伸長率為90%以上且110%以下，長度方向之斷裂伸長率比寬度方向之斷裂伸長率大70%以上且90%以下之情形進而較佳。若長度方向、寬度方向中之至少一者之斷裂伸長率低於80%，則亦存在於陶瓷漿料塗佈時受到步驟內之張力時，無法吸收張力變動而成為塗佈不均之情況而欠佳。若長度方向、寬度方向中之至少一者之斷裂伸長率超過220%，則亦存在於離型層塗佈後之保管時平面性變差，又，於陶瓷漿料塗佈後之保管時損害生胚片之平面性的情況而欠佳。藉由將斷裂伸長率控制在上述之範圍，可控制薄膜由於加工步驟中受到之張力而伸縮之現象、或於捲取後亦可控制殘留應力恢復之行為，最終可良好地保持薄膜之生胚片之平面性。為了抑制該等長度、寬度方向之尺寸變化，較佳為將長度方向及寬度方向之斷裂伸長率差設於上述之範圍。
又，關於本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜，霧度較佳為7%以下，進而較佳為6%以下。於用作積層陶瓷電容器之離型用途 時，可對本發明之聚酯薄膜之3層複合層之中間層加入回收原料，但若大量添加回收原料，則存在霧度上升之傾向。若霧度超過7%，則存在變得難以確認生胚片之成型狀態、尤其是端部之狀態的情形。
進而，關於本發明之聚酯薄膜，於薄膜之長度方向測定15m薄膜之厚度，根據記錄之薄膜厚度圖表求出之最大厚度與最小厚度之差即厚度不均(長度方向之厚度不均)較佳為2μm以下。進而較佳為1.4μm以下。先前以來，減少薄膜之厚度不均為製造薄膜上之課題。關於本發明之離型用薄膜、尤其是應用於薄膜陶瓷電容器製造之離型薄膜，由於將長度方向之厚度不均設為上述範圍在減小生胚片之厚度時不會使電容器之靜電電容產生不均，故而尤佳。
本發明之聚酯薄膜較佳為存在於薄膜表面之粗大突起為5個/100cm2以下。此處所謂之粗大突起表示基準頻帶：600nm、面積：未滿0.25μm2(突起之高度超過300nm，該突起之高度300nm之剖面之面積未滿0.25μm2)之突起。進而較佳為高度0.54μm以上之粗大突起為1個/100cm2以下。若粗大突起數超過上述之值，則存在於塗佈離型劑時產生塗佈不均、針孔狀之漏塗缺點的情形，又，存在於減小生胚片之厚度時，由於上述之離型劑漏塗而產生生胚片之剝離不均、或因粗大突起而使生胚片產生凹陷或針孔的情況，故而欠佳。
關於薄膜表面之粗大突起，為了達成上述之較佳之形態，較理想為將粒子種及體積平均粒徑設為上述之範圍，或將用於原料供給之設備、尤其是原料儲存設備(儲倉)、及用於原料搬送之配管，僅用於含有本發明所使用之粒子的主顆粒。又，為了搬送原料，使用鼓風機藉由空氣進行搬送或藉由自由落下進行搬送，但於藉由空氣進行搬送時，較佳為使用於引入空氣時可阻隔95%之0.3μm以上之塵埃 的過濾器對空氣進行過濾。又，可藉由將本發明之製造時所使用之過濾器設為下述之高精度之過濾器而達成。
關於本發明之聚酯薄膜，就良好地保持後續加工、尤其是塗佈離型層之後之平面性之方面而言，較佳為適當地控制尺寸變化率。尺寸變化率可藉由利用製膜條件下之鬆弛處理等公知之方法適當調整而達成。150℃下之尺寸變化率較佳為於長度方向為2%以下，於寬度方向為2.5%以下，進而較佳為於長度方向為0.5%以上且1.7%以下，於寬度方向為1%以上且2%以下。又，100℃下之尺寸變化率較佳為於長度方向、寬度方向均為1%以下，進而較佳為0.2%以上且0.8%以下之範圍。關於該尺寸變化率，若低於上述範圍之下限，則於塗佈離型層時產生因鬆弛而引起之平面性不良，若超過上限，則於塗佈離型層時由於收縮而呈鍍鋅鐵皮狀地產生收縮不均，導致平面性不良，任一情形均存在使薄膜生胚片之塗佈厚度產生不均的情況，故而欠佳。
繼而對本發明之雙軸配向聚酯薄膜之製造方法進行說明。作為使聚酯含有鈍性粒子之方法，例如使鈍性粒子以特定比例、以漿料之形式分散於作為二醇成分之乙二醇，於聚酯聚合結束前之任意階段添加該乙二醇漿料。此處，於添加粒子時，例如若不使合成時獲得之水溶膠或醇溶膠暫時乾燥而添加粒子，則粒子之分散性良好，可抑制粗大突起之產生而較佳。又，使粒子之水漿料直接與特定之聚酯顆粒混合，對排氣式之雙軸混練擠出機供給而混練至聚酯中之方法在本發明之製造是有效的。
以如此之方式，以特定之比例混合為了各層準備之含粒子之主顆粒與實質上不含有粒子等之顆粒並進行乾燥，之後供給至公知之熔融積層用擠出機。本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜之製造中 之擠出機可使用單軸、雙軸之擠出機。又，為了省去顆粒之乾燥步驟，亦可使用於擠出機設有抽真空管線之排氣式擠出機。又，於設置中間層之情形時，擠出量變得最多，因此可使用由各擠出機分擔使顆粒熔融之功能、及將熔融之顆粒保持在一定溫度之功能的所謂串聯擠出機。本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜中之A層及B層使用雙軸式排氣式擠出機由於可良好地保持粒子之分散性，故而較佳。
利用擠出機熔融而擠出之聚合物係藉由過濾器過濾。由於極小之異物進入至薄膜中亦會成為粗大突起缺陷，因此較有效為過濾器使用例如捕獲95%以上3μm以上之異物之高精度者。繼而自狹縫狀之狹縫模具擠出為片材狀，於流延輥上冷卻固化而製作未延伸薄膜。即，使用3台擠出機、3層歧管或合流塊(例如具有矩形合流部之合流塊)積層為3層，自金屬口擠出片材，利用流延輥冷卻而製作未延伸薄膜。於此情形時，就背壓之穩定化及厚度變動之抑制之觀點而言，於聚合物流路設置靜態混合器、齒輪泵之方法較為有效。
延伸方法必須為逐次雙軸延伸。
同時雙軸延伸可於拉幅機內實施長度方向之延伸(以下，有時稱為縱延伸)及寬度方向之延伸(以下，有時稱為橫延伸)，因此可省略縱延伸機中之輥間預熱、延伸行程，另一方面，難以與逐次雙軸延伸同樣地確定延伸點，認為其原因為延伸時之帕松(Poisson)變形或拉幅機內之伴隨流之影響。
於長度方向之延伸為複數次之情形下，最初之長度方向之延伸在抑制損傷之產生、或形成、控制大突起方面較為重要，延伸溫度較佳為100℃以上且120℃以下。若延伸溫度低於100℃，則薄膜易斷裂，且會較高地形成大突起。若延伸溫度高於120℃，則薄膜表面 容易受到熱損傷而難以形成大突起，故而欠佳。又，就防止延伸不均及損傷之觀點而言，較佳為延伸分成兩階段以上進行，較佳為總倍率於長度方向為3.5倍以上且3.8倍以下。
又，本發明之雙軸配向聚酯薄膜為了控制大突起之高度，可藉由將用於在延伸時補充熱量之紅外線加熱器之輸出控制在最合適之範圍，而容易地將大突起高度設為較佳之範圍。即，藉由將距離25mm之紅外線加熱器之輸出調節為10kw以上且未滿13kw，且將處理時間調節為0.05秒以上且未滿0.3秒，可控制本案之大突起之高度。本發明之雙軸配向聚酯薄膜較佳為於使聚酯薄膜延伸之步驟中包含：於上述之條件下利用紅外線加熱器加熱之步驟。尤其是若於長度方向之延伸步驟中包含利用紅外線加熱器加熱之步驟，則變得容易控制形成之大突起之高度，故而較佳。
關於長度方向之延伸過程，較佳為對於薄膜與輥接觸而容易產生因輥之周速與薄膜之速度差而導致之損傷的步驟，可個別地設定每個輥之輥周速的驅動方式。於長度方向之延伸過程中，根據於延伸前將未延伸薄膜加熱至玻璃轉移點以上、或於保持在未滿玻璃轉移點之溫度之狀態下搬送至延伸區域而於延伸時一舉加熱來選擇搬送輥之材質，於延伸前將未延伸薄膜加熱至玻璃轉移點以上時，就防止因加熱而引起之黏著方面而言，可自非黏著性聚矽氧輥、陶瓷、鐵氟龍(註冊商標)中進行選擇。又，對於延伸輥對薄膜施加最大負荷而容易於該步驟中產生損傷或延伸不均之步驟，延伸輥之表面粗糙度Ra為0.005μm以上且1.0μm以下，較佳為0.1μm以上且0.6μm以下。若Ra大於1.0μm，則延伸時輥表面之凹凸會轉印於薄膜表面，因此欠佳，另一方面，若小於0.005μm，則輥與薄膜表面黏著，薄膜變得容易受 到熱損傷，因此欠佳。為了控制表面粗糙度，有效的是對研磨劑之粒度、研磨次數等進行適當調整。於將未延伸薄膜保持在未滿玻璃轉移點之溫度之狀態下搬送至延伸區域而於延伸時一舉加熱時，較佳為預熱區域之搬送輥係使用以硬鉻或碳化鎢經進行表面處理之表面粗糙度Ra為0.2μm以上且0.6μm以下之金屬輥。
縱向延伸之薄膜最好是於寬度方向進行4.0倍以上且4.3倍以下之延伸。進而，於雙軸延伸之後進行薄膜之熱處理，該熱處理可利用置於烘箱中、置於經加熱之輥上等習知公知之任意之方法進行。於205℃以上且240℃以下、較佳為210℃以上且230℃以下進行熱固定0.5秒以上且20秒以下、較佳為1秒以上且15秒以下。尤其是若熱固定溫度低於205℃，則不會進行薄膜之結晶化，因此構造不穩定而無法獲得目標之尺寸變化率等特性而欠佳。熱處理亦可於使薄膜於其長度方向及/或寬度方向鬆弛之同時進行。又，於熱處理後係於低於熱處理溫度0℃以上且150℃以下之溫度下，於寬度方向以0%以上且10%以下進行鬆弛。
熱處理後之薄膜例如可設置中間冷卻區域或緩冷區域，而對尺寸變化率或平面性進行調整。又，尤其是為了賦予特定之熱收縮性，亦可於熱處理時或於其後之中間冷卻區域或緩冷區域在縱向及/或橫向鬆弛。
雙軸延伸後之薄膜於搬送步驟中進行冷卻，之後切斷邊緣後進行捲取，獲得半成品。於該搬送步驟中，測定薄膜之厚度，將該資料反饋並使用，藉由模具厚度等之調整而進行薄膜厚度之調整，又，進行藉由缺點檢測器之異物檢測。
本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜必須於邊緣之切斷 時抑制切粉之產生。邊緣之切斷係使用圓刀、剪切刀、直刀來進行，於使用直刀之情形下，使刀與薄膜抵接之部位始終不在相同之部位，由於可抑制刀之磨耗，故而為較佳之形態。因此較佳為具有使刀進行上限振盪之機構。又，較佳為於薄膜切斷部位設置抽吸裝置而對產生之切粉或切斷後之薄膜端部彼此刮削而產生之削粉進行抽吸。
半成品藉由長條化步驟被切成適當之寬度、長度而進行捲取，獲得本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜之輥。長條化步驟中之薄膜切斷時亦可自與上述之邊緣切斷相同之切斷方式中選定。
將半成品切成所需之寬度之長條而獲得本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜。
[實施例]
以下，利用實施例詳細地說明本發明。
與本發明相關之測定方法、評價方法如下所述。
(1)粒子之體積平均粒徑
利用電漿低溫灰化處理法自薄膜去除聚合物而使粒子露出。關於處理條件，選擇雖然使聚合物灰化但儘可能不使粒子受到損傷之條件。利用掃描型電子顯微鏡(SEM，日立製作所股份有限公司製造之S-4000型)觀察處理後之試樣，將粒子影像提取至影像分析儀(Nireco股份有限公司製造之LUZEX_AP)中，測定等效圓當量徑，求出粒子之體積平均粒徑。SEM之倍率係根據粒徑自5000~20000倍中適當選擇。任意地改變觀察部位，測定至少5000個粒子之等效圓當量徑，由其平均值求出平均粒徑。
於粒子在電漿低溫灰化處理法中大幅度地受到損傷之 情形下，使用穿透式電子顯微鏡(TEM，日立製作所股份有限公司製造之H-600型)，根據粒徑以3000~20000倍觀察薄膜剖面。將TEM之切片厚度設為約100nm，改變位置，測定至少100個以上之粒子之等效圓當量徑，由其平均值求出體積平均粒徑。
再者，於測定粒子之體積平均粒徑時，在利用SEM及TEM觀察時即便以5000倍確認10個視野亦未觀察到粒子之情形時，判斷為實質上不含有粒子。
(2)粒子之體積形狀係數
利用掃描型電子顯微鏡，以例如5000倍拍攝10個視野之粒子之照片後，使用影像解析處理裝置算出投影面最大徑及粒子之平均體積，根據下述式獲得體積形狀係數。
f=V/Dm3
此處，V為粒子之平均體積(μm3)，Dm為投影面之最大徑(μm)。
(3)固有黏度
由鄰氯酚中25℃測定之溶液黏度，利用下式計算之值。即，ηsp/C=[η]+K[η]2‧C
此處，ηsp=(溶液黏度/溶劑黏度)-1，C為每100ml溶劑之溶解聚合物重量(g/100ml，通常為1.2)，K為赫金斯常數(設為0.343)。又，溶液黏度、溶劑黏度係使用奧士華黏度計測定。單位以[dl/g]表示。
再者，於溶解有測定試樣之溶液中存在不溶物之情形下，對溶液進行過濾，進行濾物之重量測定，將自測定試樣重量減去濾物之重量而得到之值作為測定試樣重量而進行測定。
(4)薄膜積層厚度
使用穿透式電子顯微鏡(TEM，日立(股)製造之H-600型)，於100kV之加速電壓下，以超薄切片(RuO4染色)觀察薄膜之剖面。根據其剖面整體求出總厚度。關於積層厚度，根據於其界面所觀察到粒子最深之地點求出距表面之深度，即積層之厚度。關於倍率，只要根據所測定之薄膜之總厚度、層厚度適當地設定倍率即可，但一般而言於總厚度測定中為1000倍、於積層厚度測定中為1萬~10萬倍較為合適。於粒子較少之情形等，為了預先設想應以何種倍率獲得粒子影像以判別積層界面，有效率的是藉由剖面之掃描式電子顯微鏡-X射線微分析(SEM-XMA，Scanning Electron Microscope-X ray Microanalysis)根據剖面中之元素之分佈(面分佈)進行設想之積層厚度之估算，決定TEM之設定倍率。
(5)表面粗糙度(中心線平均粗糙度：SRa)
根據使用三維微細表面形狀測定器(小坂製作所製造之ET-350K)進行測定而獲得之表面之輪廓曲線，依據JIS‧B0601-1994，求出算術平均粗糙度SRa值。測定條件如下所述。
X方向測定長度：0.5mm，X方向進給速度：0.1mm/秒
Y方向進給間距：5μm，Y方向線數：40條
扭斷：0.25mm
觸針壓力：0.02mN
高度(Z方向)放大倍率：5萬倍
(6)大突起之個數、高度
使用三維構造解析測定器(Zygo公司製造之New View 7300)，於(I)之測定條件下進行測定，獲得微分干涉影像。所獲得之影像中，將滿足(II)之基準之突起設為大突起而對個數進行計數，將以5.0mm2為單位換算而得到之值設為大突起之個數。又，將滿足(II)之基準之突起之高度設為大突起之高度。實施5次上述之測定，將其平均值設為大突起之個數。
(I)測定條件
倍率：50倍
測定區域：寬度0.98mm，長度5.25mm
(對寬度方向7個視野、長度方向50個視野之350個視野實施1個視野140μm×105μm之測定)
相機模式：640×480 210Hz
掃描長度：10μm
最小模數：15.00%
最小面積尺寸：7
薄膜最小模數：4%
(II)篩選基準
基準頻帶：600nm
面積：0.25μm2以上。
(7)粗大突起數
以與(6)相同之方式進行測定，將基準頻帶：600nm、面積：未滿0.25μm2之突起設為粗大突起而進行測定。
(8)離型層之塗佈特性
將交聯底塗層(Dow Corning Toray Silicone(股)製造，商品名BY24-846)調整為固形份1%而成之塗佈液塗佈於薄膜之輥並加以乾燥，利用凹版塗佈機以乾燥後之塗佈厚度成為0.1μm之方式進行塗佈，並以100℃進行20秒乾燥硬化。其後1小時以內利用凹版塗佈機，以乾燥後之塗佈厚度成為0.1μm之方式，塗佈將加成反應型聚矽氧樹脂(Dow Corning Toray Silicone(股)製造，商品名LTC750A)100重量份、鉑觸媒(Dow Corning Toray Silicone(股)製造，商品名SRX212)2重量份，調整為固形份5質量%而成之塗佈液，於120℃進行30秒乾燥硬化後進行捲取而獲得離型薄膜。此時，關於離型層之塗佈狀態於1000勒克司之螢光燈下利用目視觀察1m2面積之塗佈不均而評價塗佈性。
S：無塗佈端部之不均，均勻地塗佈，亦無漏塗。
A：於塗佈時薄膜作響等而於塗佈端部存在不均，但無漏塗。
B：於塗佈端部存在較嚴重之不均。且/或存在漏塗。
(9)陶瓷漿料之塗佈性
向鈦酸鋇(Fuji Titanium Industry(股)製造，商品名HPBT-1)100重量份、聚乙烯醇縮丁醛(積水化學(股)製造，商品名BL-1)10重量份、鄰苯二甲酸二丁酯5重量份及甲苯-乙醇(重量比30：30)60重量份，添加數平均粒徑為2mm之玻璃珠，利用噴射磨機混合、分散20小時，之後進行過濾而調製糊狀之陶瓷漿料。利用模具塗佈機將獲得之陶瓷漿料以乾燥後之厚度成為2μm之方式，塗佈於實施例中獲得之離型薄 膜上並進行乾燥、捲取，獲得生胚片。
使上述中捲取之生胚片捲出，於不自離型薄膜剝離之狀態下利用目視觀察，而確認針孔之有無、或片材表面及端部之塗佈狀態。再者，所觀察之面積為寬度300mm、長度500mm。
a.針孔之有無
對在離型薄膜上成型之生胚片，一面利用1000勒克司之背光單元自背面照射，一面觀察因漏塗而引起之針孔之狀態。
S：針孔及凹陷均無。
A：無針孔，觀察到3個以內凹陷
B：存在針孔，又，觀察到4個以上凹陷。
b.片材表面、端部之塗佈狀態
對在離型薄膜上成型之生胚片，一面利用1000勒克司之照明以自正面傾斜45度對片材之表面進行照射，一面利用目視觀察。
S：於片材表面未觀察到圓狀之痕跡(轉印痕跡)。
A：於片材表面有輕微之圓狀之痕跡(轉印痕跡)。
B：於片材表面有明顯之圓狀之痕跡(轉印痕跡)。
(10)生胚片剝離特性
於下述步驟中形成內部電極圖案，將生胚片進行沖裁及積層，之後實施進行剝離時之特性評價。
a.內部電極之圖案之形成
將Ni粒子44.6重量份、松脂醇52重量份、乙基纖維素3重量份及苯并三唑0.4重量份混練、漿料化而獲得內部電極層用塗料。利用網版印刷法以特定圖案將內部電極層用塗料塗佈於生胚片上，而獲得具有內部電極圖案之陶瓷生胚片。乾燥溫度為90℃，乾燥時間為5分鐘。
b.生胚片之沖裁
使上述於離型薄膜上成形且賦予有內部電極圖案之陶瓷生胚片捲出，於離型薄膜上將生胚片切斷沖裁成100片。切斷係使用旋轉式之圓刀切割器。此時，用於切斷生胚片之旋轉式圓刀切割器之切入深度係設定為生胚片厚度加2μm~3μm。
c.生胚片積層特性及剝離特性評價
使上述於離型薄膜上被沖裁後之生胚片積層。積層係於將生胚片保持於離型薄膜上之狀態下搬送後，將生胚片熱壓接為積層體，之後剝離離型薄膜。以100片反覆進行該作業，獲得陶瓷積層體。利用目視確認此時之積層狀態，利用以下之基準對生胚片積層特性進行評價。
S：於片材積層後之剝離時不產生生胚片剝離不良，又，無空氣夾帶或異物夾帶而良好地積層。
A：於片材積層時熱壓接稍有不均，無空氣夾帶，為容許範圍內之剝離狀態，但極偶爾會存在剝離狀態不穩定之情況。
B：於片材積層時產生剝離不良，片材破損。
[實施例1] ‧聚酯顆粒之製作 (聚酯樹脂組成物A之製作)
使對苯二甲酸86.5重量份及乙二醇37.1重量份於255℃一面餾出水一面進行酯化反應。於酯化反應結束後，添加磷酸三甲酯0.02重量份、乙酸鎂0.06重量份、乙酸鋰0.01重量份及三氧化銻0.0085重量份，繼而於真空下加熱升溫至290℃而進行聚縮合反應，獲得固有黏度為0.63dl/g之聚酯顆粒。
(聚酯樹脂組成物B及聚酯樹脂組成物C之製作)
當與上述同樣地製造聚酯時，使用排氣式雙軸混練機，使利用使單體吸附之方法獲得之體積平均粒徑0.3μm、體積形狀係數f=0.51之二乙烯苯-苯乙烯共聚合交聯粒子之水漿料，含有於上述之實質上不含粒子之均聚酯顆粒，而獲得含有相對於聚酯為2重量%之體積平均粒徑0.3μm之二乙烯苯-苯乙烯共聚合交聯粒子的主顆粒(聚酯樹脂組成物B)。
又，當與上述同樣地製造聚酯時，使用排氣式雙軸混練機，使利用使單體吸附之方法獲得之體積平均粒徑0.8μm、體積形狀係數f=0.51之二乙烯苯-苯乙烯共聚合交聯粒子之水漿料，含有於上述之實質上不含有粒子之均聚酯顆粒，而獲得含有相對於聚酯為1重量%之體積平均粒徑0.8μm之二乙烯苯-苯乙烯共聚合交聯粒子的主顆粒(聚酯樹脂組成物C)。
(聚酯樹脂組成物D之製作)
當與上述同樣地製造聚酯時，於酯交換後，分別添加體積平均粒徑0.2μm、體積形狀係數f=0.51及體積平均粒徑0.06μm、體積形狀 係數f=0.51之莫氏硬度7之球狀氧化矽而進行聚縮合反應，獲得含有相對於聚酯為1重量%之粒子之含氧化矽之主顆粒(聚酯樹脂組成物D)。再者，關於聚酯樹脂組成物D所使用之球狀氧化矽，一面攪拌乙醇與矽酸乙酯之混合溶液，一面向該混合溶液添加含有乙醇、純水、及作為鹼性觸媒之氨水之混合溶液，攪拌獲得之反應液，並進行矽酸乙酯之水解反應及該水解產物之聚縮合反應，之後進行反應後之攪拌而獲得單分散氧化矽粒子。
(聚酯樹脂組成物E之製作)
又，當製造聚酯樹脂組成物A時，於酯交換後，添加相對於聚酯為1重量%之利用二氧化碳法製作之體積平均粒徑1.1μm、莫氏硬度3之碳酸鈣，獲得含碳酸鈣之主顆粒。
另一方面，回收製造下述實施例1之薄膜後之薄膜，將經顆粒化者作為回收原料A。再者，以下記載之比率係以相對於各層之重量之重量比(重量%)表示。
A層之厚度及組成
A層之厚度(μm)：28.0
聚酯樹脂組成物A：95.0
聚酯樹脂組成物B：5.0
B層之厚度及組成
B層之厚度(μm)：3.0
聚酯樹脂組成物A：40.0
聚酯樹脂組成物C：10.0
聚酯樹脂組成物E：50.0
(2)聚酯顆粒之調配
供給至A層、B層各層之擠出機之聚酯顆粒係以下述之比率進行調配。再者，以下記載之比率係相對於構成各層之聚酯顆粒之重量比(單位：重量%)。
A層
聚酯樹脂組成物A：95
聚酯樹脂組成物B：5
B層
聚酯樹脂組成物A：40
聚酯樹脂組成物C：10
聚酯樹脂組成物E：50。
(3)雙軸配向聚酯薄膜之製造
將上述針對各層調配之原料於摻合器內進行攪拌後，A層之原料係將攪拌後之原料供給至A層之附排氣口之雙軸擠出機，B層之原料係於160℃下進行8小時之減壓乾燥並供給至B層用之單軸擠出機。於275℃下進行熔融擠出，利用捕獲95%以上之3μm以上之異物之高精度之過濾器進行過濾，之後利用矩形之2層用合流塊進行合流積層而製成包含層A、層B之2層積層。其後，經由保持在285℃之狹縫模具，於冷卻輥上使用靜電施加流延法而捲繞於表面溫度25℃之流延鼓並冷卻固化，而獲得未延伸積層薄膜。
對該未延伸積層薄膜實施逐次延伸(長度方向、寬度方 向)。首先，實施長度方向之延伸，於105℃利用鐵氟龍(註冊商標)輥搬送後，一面於長度方向利用輸出11.0kw之紅外線加熱器加熱0.08秒，一面以110℃延伸3.8倍，而獲得單軸延伸薄膜。
於拉幅機內使該單軸延伸薄膜於橫向以100℃進行4.2倍延伸，繼而以230℃進行熱固定，此時於寬度方向鬆弛3.2%並於搬送步驟中進行冷卻後，切斷邊緣，之後進行捲取而獲得厚度31μm之雙軸延伸薄膜之半成品。利用切條機將該半成品切成長條而獲得厚度31μm之雙軸延伸薄膜之輥。將對該雙軸延伸薄膜之積層厚度、表面粗糙度、大突起、粗大突起進行測定所得到之結果示於表中。積層厚度為A層：28.0μm、B層：3.0μm。
(4)離型層之塗佈
繼而，將交聯底塗層(Dow Corning Toray Silicone(股)製造，商品名BY24-846)調整為固形份1質量%而成之塗佈液，塗佈於該雙軸延伸薄膜之輥並加以乾燥，利用凹版塗佈機以乾燥後之塗佈厚度成為0.1μm之方式進行塗佈，並於100℃進行20秒乾燥硬化。其後1小時以內，利用凹版塗佈機以乾燥後之塗佈厚度成為0.1μm之方式，塗佈將加成反應型聚矽氧樹脂(Dow Corning Toray Silicone(股)製造，商品名LTC750A)100重量份、鉑觸媒(Dow Corning Toray Silicone(股)製造，商品名SRX212)2重量份調整為固形份5質量%而成之塗佈液，於120℃進行30秒之乾燥硬化後進行捲取而獲得離型薄膜。
對獲得之離型薄膜，實施關於陶瓷漿料之塗佈特性、生胚片剝離特性之評價，結果良好。
[實施例2]
於與實施例1相同之層構成、配方下，將縱延伸紅外線加熱器輸出設為12.0kw，將縱延伸倍率設為3.6倍，將紅外線加熱器處理時間設為0.09秒，將橫延伸倍率設為4.6倍，將鬆弛率設為2.6%，除此以外，於與實施例1相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。離型層塗佈性、漿料塗佈性、生胚片剝離特性均為良好。
[實施例3]
於與實施例1相同之層構成、配方下，將縱延伸倍率設為3.8倍，除此以外，於與實施例2相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。離型層塗佈性、漿料塗佈性、生胚片剝離特性均為良好。
[實施例4]
於與實施例1相同之層構成、配方下，將縱延伸紅外線加熱器輸出設為10.0kw，除此以外，於與實施例2相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。離型層塗佈性、漿料塗佈性、生胚片剝離特性均為良好。
[實施例5]
以不同種3層構成(A層/中間層/B層)於與實施例2相同條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。
供給至A層、中間層、B層各層之擠出機之聚酯顆粒係以下述之比率調配。再者，以下記載之比率係相對於構成各層之聚酯顆粒之重量比(單位：重量%)。
A層
聚酯樹脂組成物A：97
聚酯樹脂組成物D：3
中間層
聚酯樹脂組成物A：60
回收原料A：40
B層
聚酯樹脂組成物A：45
聚酯樹脂組成物B：5
聚酯樹脂組成物E：50。
離型層塗佈性、漿料塗佈性、生胚片剝離特性均為良好。
[比較例1]
於與實施例1相同之層構成、配方下，將縱延伸紅外線加熱器輸出設為9.5kw，除此以外，於與實施例1相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。雖然於離型層塗佈無問題，但於漿料塗佈發現針孔。生胚片剝離特性未產生問題。
[比較例2]
向A層之擠出機供給之聚酯顆粒係以下述之比率變更，將縱延伸紅外線加熱器輸出設為9.5kw，除此以外，於與實施例1相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。再者，以下記載之比率係相對於構成各層之聚酯顆粒之重量比(單位：重量%)。
A層
聚酯樹脂組成物A：97
聚酯樹脂組成物B：3
雖然於離型層塗佈無問題，但於漿料塗佈發現針孔。關於生胚片剝離特性，有片材之剝離狀態不穩定之情況，因此評價為A。
[比較例3]
於與實施例1相同之層構成、配方下，將供給至A層之擠出機之聚酯顆粒設為僅聚酯A，將A層設為實質上不含有粒子之層。雖然大突起數為0，但粗糙度超過本案之範圍，剝離時片材破損，因此評價為B。
[比較例4]
於與實施例1相同之層構成、配方下，將縱延伸倍率設為3.3倍，除此以外，於與實施例1相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。雖然於離型層塗佈無問題，但於漿料塗佈發現針孔。生胚片剝離特性未產生問題。
[比較例5]
於與實施例1相同之層構成、配方下，將縱延伸倍率設為3.6倍，將延伸紅外線加熱器輸出設為14kw，除此以外，於與實施例1相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。雖然於離型層塗佈無問題，但於漿料塗佈發現針孔。生胚片剝離特性不穩定，因此評價為A。
[比較例6]
於與實施例1相同之層構成、配方下，供給至A層之擠出機之聚酯顆粒係以下述之比率變更而調配。再者，以下記載之比率係相對於構成各層之聚酯顆粒之重量比(單位：重量%)。
A層
聚酯樹脂組成物A：80
聚酯樹脂組成物B：20
於與實施例1相同之製膜條件下獲得雙軸配向聚酯薄膜。粗糙度Ra(A)成為20nm，於漿料塗佈後存在針孔，並且，剝離不穩定而片材破損，因此評價為B。
[比較例7]
於與比較例1相同之條件下，將B層之添加粒子更換為粒徑更小者。於漿料塗佈後存在針孔，因此評價為B。
[比較例8]
若A層、B層均為了獲得平滑之薄膜而調整添加粒子，且將製膜條件設為與實施例1相同之條件，則於離型層之塗佈時，薄膜有時彎曲而產生塗佈不均，評價為A，於轉印檢查時存在輕微之凹陷，於剝離時片材破損，因此評價為B。
[比較例9]
於與實施例1相同之條件下，將長度方向之延伸溫度變更為90℃。於漿料塗佈後存在針孔，因此評價為B。
(產業上之可利用性)
本發明之雙軸延伸聚酯薄膜之剝離特性良好，尤其是剝離不均極小。因此，於製造積層陶瓷電容器之步驟中，可較佳地用於生胚片成形之支持所使用之離型用薄膜。本發明之離型用雙軸配向聚酯薄膜即便使高平滑之構成陶瓷電容器之生胚片形成薄膜且積層多層，薄膜生胚片成形時之陶瓷漿料之塗佈性亦優異，生胚片之剝離特性亦均一。

Claims (6)

  1. 一種離型用雙軸配向聚酯薄膜，其滿足下述(1)~(3)：(1)一面(將該面設為A面)之表面粗糙度SRa(A)為7.0nm以上且未滿15.0nm，(2)A面對向面(將該面設為B面)之表面粗糙度SRa(B)超過30nm且未滿50nm，(3)存在於A面之大突起之個數為10個/5.0mm2以上且20個/5.0mm2以下，且存在於A面之大突起之高度全部在800nm以下之範圍(再者，大突起之個數、高度係利用下述之測定方法求出)，大突起之個數、高度之測定方法：使用三維構造解析測定器(Zygo公司製造之New View 7300)，於(I)之測定條件下測定而獲得微分干涉影像，於所獲得之影像中，將滿足(II)之基準之突起設為大突起而對個數進行計數，將以5.0mm2為單位換算而得之值設為大突起之個數，又，將滿足(II)之基準之突起之高度設為大突起之高度，實施5次上述之測定，將其平均值設為大突起之個數，(I)測定條件倍率：50倍測定區域：寬度0.98mm、長度5.25mm(對寬度方向7個視野、長度方向50個視野之350個視野實施1個視野140μm×105μm之測定)相機模式：640×480 210Hz掃描長度：10μm最小模數：15.00% 最小面積尺寸：7薄膜最小模數：4%(II)篩選基準基準頻帶：600nm面積：0.25μm2以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之離型用雙軸配向聚酯薄膜，其中，係含有至少2層之積層聚酯薄膜。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之離型用雙軸配向聚酯薄膜，其中，為含有3層之積層聚酯薄膜，不具有A面、B面之中間層之厚度相對於薄膜整體為25%以上且未滿95%。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之離型用雙軸配向聚酯薄膜，其中，於製造積層陶瓷電容器之步驟中用於生胚片成形之支持。
  5. 一種離型用雙軸配向聚酯薄膜之製造方法，其係申請專利範圍第1至4項中任一項之離型用雙軸配向聚酯薄膜之製造方法，且其包含下述(4)所示之步驟：(4)於使聚酯薄膜延伸之步驟中，包含利用紅外線加熱器加熱薄膜之步驟，該紅外線加熱器之輸出為10kw以上且未滿13kw，其加熱時間為0.05秒以上且未滿0.3秒。
  6. 如申請專利範圍第5項之離型用雙軸配向聚酯薄膜之製造方法，其包含下述(5)~(8)所示之步驟：(5)包含使未延伸聚酯薄膜於長度方向以3.5~3.8倍之延伸倍率延伸，而獲得單軸配向聚酯薄膜之步驟，(6)於上述使未延伸聚酯薄膜朝長度方向延伸之步驟中，包含上述(4)之步驟， (7)包含使(5)之步驟中所獲得之單軸配向聚酯薄膜於寬度方向延伸，而獲得雙軸配向聚酯薄膜之步驟，(8)包含對(7)之步驟中所獲得之雙軸配向聚酯薄膜一面於205~240℃進行熱處理，一面於寬度方向進行鬆弛0~10%之步驟。
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