TW201501171A - 具有電容耦合電漿反應器用嵌入式射頻電極之陶瓷噴淋頭 - Google Patents

具有電容耦合電漿反應器用嵌入式射頻電極之陶瓷噴淋頭 Download PDF

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Abstract

一種用於基板處理系統的噴淋頭組件，包含連接至氣體通道的一背板。一面板係相鄰連接至該背板的第一面，且包含一氣體擴散面。一電極係設置於該背板及該面板之一者中，且連接至一個以上的導體。一氣體充氣部係界定在該背板及該面板之間，且與該氣體通道流體連通，該背板及該面板係由非金屬材料製成。

Description

具有電容耦合電漿反應器用嵌入式射頻電極之陶瓷噴淋頭
本申請案主張在西元2013年2月28日申請之美國專利暫時申請案 第61/770,894號之優先權。以上所參照的申請案之整體揭露內容係併入於此以供參考。
本揭露內容係與基板處理系統相關，且更具體而言，係與用於基板處理系統之噴淋頭相關。
本文中所提供的背景說明係用於概略地呈現所揭露之內容之背景。在此背景章節所述範圍之發明人的作品、以及不另外適格作為申請時先前技術的說明實施態樣，係不明示性或暗示性被承認為針對本揭露內容的先前技術。
基板處理系統一般包含帶有一個以上反應容積之處理腔室。底座一般係設置在反應容積中。將基板（如：半導體晶圓）設置在該底座上。使用噴淋頭將一個以上的製程氣體輸送到反應容積，且電漿可在反應容積中觸發。於該基板上形成一膜（如： 介電層）。
可在電容耦合電漿（CCP）反應器中使用噴淋頭。噴淋頭會在基板上散佈製程氣體，且噴淋頭係用作射頻（RF）電極以驅動電漿。噴淋頭一般係由金屬材料製成。金屬電極實質上會降低或消除噴淋頭之氣體充氣部內的電場，以避免噴淋頭內的電漿形成及氣體的過早活化。
用於CCP反應器的噴淋頭一般係由鋁所製成，且包含焊接於主體的一面板。噴淋頭的面板一般具有複數個間隔的氣孔，以在基板的曝露面上提供均勻的氣體分佈。可對噴淋頭、另一個電極（如：底座）、或以上二者施加RF電壓。
鋁的噴淋頭會和許多製程化學品（或氣體成分）一同良好地運作。然而，鋁並不相容於會從金屬表面溶出元素的製程氣體。具體來說，氯基化學品往往會在超過300℃的操作溫度下溶出鋁。由於含氯氣體在噴淋頭金屬表面上的化學侵蝕，金屬材料最終可能會在基板上所沉積之膜之中。如此情形對基板上的元件製造往往係有害的。例如，在一些例子中，金屬材料為可危及整合裝置運作的摻雜劑。
在處理腔室清洗期間，也可能發生非期望的金屬汙染。因原子氟一般係用於清洗，故面板（噴淋頭的最熱區域）會與氟反應，而形成氟化鋁。當氟化鋁的厚度隨時間增加時，噴淋頭表面特性（如：粗糙度、導電率、和散熱度）會改變。因此，沉積製程可能會偏移，並也會處於微粒汙染的高度風險下。
噴淋頭的設計也不容許當噴淋頭係安裝在處理腔室中時清洗噴淋頭的內部（因噴淋頭係焊接式）。在極端的情況下，面板中之氣孔內的鋁表面氟化可能會改變孔的直徑，及改變氣流的均勻度。
一些金屬材料（如：鋁）在較高溫度（超過400℃）下變得較軟，而噴淋頭的面板可能會開始下垂。如此可造成氣體流動及電漿密度分佈的改變。
用於基板處理系統之噴淋頭組件，包含連接至氣體通道的背板。面板係相鄰連接於背板之第一面，且包含一氣體擴散面。電極係設置在該背板及該面板之一者中，並會連接至一個以上的導體。氣體充氣部係界定在該背板及該面板之間，且係與氣體通道流體連通。該背板及該面板係由非金屬材料所製成。
在其他特徵部中，桿體係連接至該背板，並界定氣體通道。該一個以上的導體穿過該桿體。
在其他特徵部中，面板之氣體擴散面包含有間隔的孔，面板之氣體擴散面包含穿孔，或者，面板之氣體擴散面係多孔的。
在其他特徵部中，將電漿抑制結構設置成鄰近於背板的第二面。背板的第一面係與背板的第二面為相反側。
在其他特徵部中，電漿抑制結構包含N個板，該N個板係以間隔的關係彼此平行設置。N為大於1的整數，及該N個板係由介電材料製成。
在其他特徵部中，電漿抑制結構包含一套環，該套環係從該N個板之一者朝著基板處理系統之處理腔室的上表面延伸。該套環係由介電材料製成。
在其他特徵部中，N係大於2，且該N個板係以均勻方式分間隔。N係大於2，且至少部分的該N個板係以非均勻方式間隔。該N個板之至少一者包含複數個穿孔。該N個板之至少一者包含鋸齒面。桿體、背板、及面板係由陶瓷材料製成。桿體、背板、及面板係由氮化鋁及氧化鋁之至少一者製成。
在其他特徵部中，面板係連接至背板，以允許相對於背板之面板的側向移動並同時維持其間的密封。
在其他特徵部中，將擋板設置在氣體通道及氣體充氣部之間。套環將桿體連接至基板處理腔室的上表面。背板使用固定器連接至面板。氣體充氣部的高度尺寸係小於預期電漿鞘厚度的二倍。電極及背板第一面之間的第一尺寸係小於電極及背板第二面之間的第二尺寸。背板之第一面係與背板之第二面為相反側。電極係盤形的。
在其他特徵部中，基板處理系統包含一處理腔室，該處理腔室包含一反應容積。噴淋頭組件係設置於該反應容積中。底座係設置在反應容積中鄰近面板。
在其他特徵部中，射頻（RF）電路係用於對一個以上的導體供應RF訊號，其具有大於1MHz頻率。控制器係用於控制流至氣體通道的製程氣體，以及控制RF電路的運作。
在其他特徵部中，一個以上的導體包含圍繞氣體通道的圓柱形導體。
本揭露內容之應用的進一步領域將從實施方式、請求項及圖式中變得顯而易見。詳細的實施方式及具體的例示僅以說明為目的，且並無意限制本揭露內容的範疇。
圖1A、1B、2A、及2B顯示根據本揭露內容之噴淋頭10的範例。在圖1A中，噴淋頭10包含：一背板20、一桿體24、及一面板30。在一些範例中，噴淋頭10的背板20、桿體24、及面板30係由非金屬材料（如：陶瓷材料）製成。雖顯示出桿體24，但桿體24係可以省略的，且背板可設置在處理腔室之表面上、鄰近於處理腔室表面、及/或嵌入在處理腔室的表面中（圖1B）。在一些範例中，陶瓷材料包含氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al2 O3 ）、或其他合適的陶瓷材料。
在一些例子中，背板20包含一實質的平盤。桿體24係連接至背板20。在一些例子中，桿體24係圓柱狀的，及桿體24之軸係垂直連接於包含背板20的一平面。僅作為例子，可使用擴散接合或硬焊接和方式將桿體24與背板20固定式連接在一起。或者，可使用固定器、公連接器及母連接器或其他方法將桿體24及背板20可拆卸式地連接。
桿體24界定一氣體通道34，該氣體通道軸向延伸貫穿桿體24。氣體流過氣體通道34而到達選用性的擋板38，並進入一氣體充氣部32中，該氣體充氣部係界定在背板20及面板30之間。背板20及面板30之一者或二者可包含一凹陷部36，以界定氣體充氣部32的高度。
面板30界定一氣體擴散面41，該氣體擴散面作為氣體充氣部32及反應容積44之間的氣體擴散器。氣體擴散面41可為穿孔的、多孔的、具有孔洞等。僅作為例子於圖1A中，氣體充氣部32中的製程氣體可流過面板30之間隔開的孔42，而進入反應容積44中。間隔開的孔42以相對均勻的方式散佈製程氣體到底座48上所擺放的基板46的整個曝露面。
射頻（RF）電極50嵌入在背板20（圖1和2A）或面板30（圖2B）內。一個以上的導體或桿54會通過桿體24以及通過部分的背板20。導體54與RF電極50電性接觸。在一些範例中，使用四個導體54，雖可使用更多或更少的導體54。沿著氣體通道34的電場會隨著桿的數量增加而降低。在一些範例中，導體54係圓柱狀的，並圍繞氣體通道34。可將一個以上的導體54連接至RF電壓，或者倘若噴淋頭10係用作接地電極，則可將一個以上的導體54連接至參考電位（如：接地）。
噴淋頭10包含一電漿抑制結構60，將該電漿抑制結構設置在背板20之頂面與處理腔室之頂面之間，以降低或消除經由背板20所驅動之寄生放電。在一些範例中，電漿抑制結構60之製造可根據在西元2011年11月23日申請之共同轉讓美國專利申請案第13/303,386號，其專利名稱為「MECHANICAL SUPPRESSION OF PARASITIC PLASMA IN SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER」，且其內容於此藉由參照全部納入作為本案揭示內容的一部分。
桿體24可附接於一套環80。套環80又可附接在處理腔室之頂面。套環80可包含一桿部85及一法蘭部（flange）86，該法蘭部由接近套環80頂部的桿部85徑向向外延伸。套環80可由介電（絕緣）材料製成，並可具有會最小化對地面的電容耦合之尺寸（即：套環可具有一厚度或一高度）。閥90及泵92可用於在反應容積44中製造真空。
面板30係以一種方式附接至背板20，該方式提供氣封且容許由於熱膨脹差異所致之其間相對側向移動。當使用於此處，側向移動指的是平行於包含該面板之一平面的移動。換句話說，將面板30安裝至背板20，使得面板30可以在不會對背板20傳遞應力的情況下熱膨脹，並同時將氣體/蒸氣密封在氣體充氣部32之內。
如同可於圖2中清楚地看到，在一些範例中，使用固定器64將背板20及面板30之邊緣連接起來。在一些範例中，固定器64包含螺絲66，該等螺絲係以墊圈67預載。可轉動螺絲66，一直到施加預定扭力以維持面板30及背板20間的接觸為止。在一些範例中，固定器64可為肩螺絲，及墊圈67可為彈性墊圈。肩螺絲會對彈性墊圈施加預定的壓力，以製造出預定的負載。在一些範例中，可藉由取下固定器64、安裝新的面板、及重新安裝固定器64來更換噴淋頭10的面板30。
在一些範例中，面板30中之間隔開的孔42具有在0.02”到0.06”範圍間的直徑，以避免在間隔開的孔42內點燃電漿。可以不同的型式設置面板30之間隔開的孔42，以最佳化晶圓上之膜的特性間隔開的孔42的數量可在50到6000的範圍中，但可使用更多或更少的孔。對特定的面板而言，間隔開的孔42之直徑可係相同，或者，對特定的面板而言，可使用二種以上的不同尺寸。
在一些範例中，背板20中所嵌入的RF電極50係盤形，且係由具有第一熱膨脹係數（CTE）之金屬所製成，該第一熱膨脹係數係與用於噴淋頭10之材料的第二熱膨脹係數相若。如同可於圖2B中看到，電極50可設置於面板30中。可以理解的，電極50係以容納間隔開的孔42之圖案的方式加以配置。在背板20或面板30中的RF電極50使高頻RF能夠在不會點火（lightup）的情況下通過噴淋頭10的氣體充氣部32。
如同可於圖2A中看到，在一些範例中，將RF電極50盡可能地設置靠近於面向基板之背板20的下表面（圖2A中的尺寸d2 ），以提升電源耦合。在一些範例中，尺寸d1 大於尺寸d2 。導體54係嵌入在桿體24的壁中，以將RF電極50連接至RF電路70。在一些範例中，配置導體54，以最小化沿著氣體會導入通過之通道的電場。面板30可具有任一合適的厚度（尺寸d4 ）。
當RF電極50嵌入在背板20中時，驅動放電之電場則必須通過氣體充氣部32以及面板30。在一些範例中，氣體充氣部的高度尺寸（圖2A中的d3 ）係小於預期電漿鞘之厚度的二倍。使用此方式確保寄生電漿放電無法持續。在一些範例中，為了避免在氣體充氣部32內持續寄生電漿之條件，且為了最小化橫跨氣體充氣部32的電壓降，尺寸d3 係1/8”以下。
如同可於圖1A中看到，當RF電極50嵌入在背板20內時，可使用電漿抑制結構60進行噴淋頭10之背面或頂面上之寄生放電的抑制。在一些範例中，電漿抑制結構60包含二個以上的間隔開的板100-1、100-2、..、100-N（統稱為板100），其中N係大於1的整數。在一些範例中，N為5，雖可使用更多或更少的板100。在一些範例中，板100係由陶瓷材料或任一其他合適的介電材料製成。將板100間的間距最佳化，以避免板100間的自持放電，且在電漿抑制結構60內降低顯著的電壓，使得寄生放電無法維持在電漿抑制結構60後。可設置一個以上的間隔器102，以界定電漿抑制結構60之板100間的間距。也可將套環110設置在板100之最頂部的一者上方（圖1A範例中之100-5），並圍繞著套環80的桿部85。套環110可由介電材料製成。
控制器120可連接至一個以上的感應器124，感應器124可設置在處理腔室之內及之外。感應器124會感應系統操作狀況，並可包含壓力感應器、溫度感應器、及/或其他感應器。控制器120使用一個以上的質流控制器（MFCs）128及閥130將製程氣體從氣體源126中選擇性地供應至氣體通道34。
在一些範例中，RF電極50係連接至提供高頻激發（high frequency excitation）的RF電路70。在一些範例中，高頻激發係大於等於1MHz。陶瓷材料及氣體充氣部32的堆疊層製造出會增加放電阻抗的電容結構。當激發頻率增加時，阻抗降低。為提供噴淋頭10的有效率的操作，大部分輸出功率應消耗於基板上方的放電。在噴淋頭10後邊的電漿被視為寄生。為了在基板上最大化功率消耗（power dissipation），通過面板30的阻抗係小於通過背板20的阻抗（不然背面的電漿可能會消耗顯著比例的輸出功率）。當噴淋頭10包含嵌入在背板20中的RF電極50時，更多的功率則傾向於經由背板20耦合。如此的現象可使用電漿抑制結構60降低。
功率耦合可以阻抗模型分析。對發生在面板前面（即在晶圓的上方）的電漿放電而言，阻抗估算為：， 其中Ci 係層i的電容；A係面積；f係頻率；di 係層i的厚度；e0 係電容率；e2 = e4 = 9，其為AlN 或 Al2 O3 的介電常數；及e3 = 1，其為真空的介電常數。
因為AlN 及 Al2 O3 的介電常數係約9，故板較相似厚度的真空空隙造成更少的阻抗。對發生在噴淋頭背面上方的電漿放電（寄生電漿）而言，在不具有電漿抑制結構60情況下的阻抗估算為。對不帶有電漿抑制結構60的噴淋頭而言，由於氣體充氣部之高阻抗（=1）造成Zface ＞ Zback 。為了抵銷，將帶有大阻抗Zsupp 的電漿抑制結構60安裝在背板20上，以確保Zface ＜＜ Zback + Zsupp 。
電漿抑制結構60的阻抗主要係取決於板100之間的真空空隙。然而，倘若空隙過寬，電容寄生放電則可能會發生在板100之間。
以上所應用之阻抗模型係假設平行板電容器（parallel plate capacitors）及均勻的電場。實際上，會發生邊緣電場（fringe field），如此情形會改變上述的結果，但預期此效果係小的。緊鄰在RF電極50的邊緣電場係最高的。因此，第一空隙（其在背板20及電漿抑制結構60之第一板100-1之間）係最容易點燃寄生放電。
在一些範例中，板間的空隙係均勻的。在其他範例中，板間的空隙係非均勻的。僅作為範例，於圖3中，部分或全部的板間空隙200-1、200-2、200-3、200-4及200-5（統稱為板間空隙200）可隨著從背板20過來之距離增加。僅作為範例，板間空隙200可如以下40-60-100-150-200（以mil為單位）來增加，雖也可使用其他值。可以理解的，可使用例如一個以上的栓塞（圖未顯示）將板100之終端封閉起來。
憑藉空隙寬度及電漿鞘厚度間的關係來避免於電漿抑制結構60之板100間的板間寄生放電。譬如於圖4中，針對非期望點燃所改良的保護作用可藉由板220-1、220-2、220-3、及220-4（統稱為板220）達成，板220包含一個以上的鋸齒面或齒狀面230。雖然對於每個板220僅顯示一個齒狀面230，但每個板220的二個表面皆可為齒狀面。高表面積提供更多的離子及電子的重組位，如此增加它們的損失率並使自持寄生放電較不容易發生。可以理解的，可使用例如一個以上的栓塞（圖未顯示）將板220之終端封閉起來。
例如於圖5中，針對非期望點燃所改良的保護作用可藉由板250-1、250-2、250-3（統稱為板250）達成，板250之每一者包含一個以上的穿孔260。高表面積提供更多的離子及電子的重組位，如此會增加它們的損失率並使自持寄生放電較不容易發生。可以理解的，可使用例如一個以上的栓塞（圖未顯示）將板250之終端封閉起來。
可以理解的，用於特定基板處理腔室的電漿抑制結構60可包含以上所述特徵部的變化，如：均勻及不均勻的間隔、一個以上的齒狀表面、及/或穿孔。
前述說明本質上僅為說明性且無意限制本揭露內容、其應用、或使用。本揭露內容的廣泛的教示可以各種形式實施。因此，儘管本揭露內容包含特定例示，本揭露內容的真實範疇不應如此限制，這是由於其他修改在研讀圖式、說明書、及下列請求項時將變得顯而易見。當使用於此處，用語︰「A、B、及C之至少一者」應被理解成意為使用非互斥邏輯「或（OR）」之邏輯(A或B或C)。應理解在一方法內的一或更多步驟可在不改變本揭露內容的原理的情況下以不同的順序(或同時地)執行。
在本應用中，包含以下的定義，可以用語「電路」取代用語「控制器」。用語「控制器」可意指以下元件、該元件的部分、或包含該元件：特殊應用積體電路（ASIC）；數位、類比、或混和的數位/類比之離散電路；數位、類比、或混和的數位/類比之積體電路；組合邏輯電路；場式可程式閘極陣列（FPGA）；執行程式碼的（共享、專用、或群組的）處理器；儲存以處理器執行的程式碼的（共享、專用、或群組的）記憶體；提供所述功能的其他合適的硬體構件；或如在系統晶片中之以上一些或所有者的組合。
用語「程式碼」如上所述可包含軟體、韌體、及/或微程式碼，且可表示程式、常式、函數、類別、及/或物件。用語「共享處理器」包含一單一處理器，該單一處理器執行來自多個控制器之一些或所有的程式碼。用語「群組處理器」包含與額外處理器組合的一處理器，該處理器執行來自一個以上的控制器之一些或所有的程式碼。用語「共享記憶體」包含一單一記憶體，該單一記憶體儲存來自多個控制器的一些或所有程式碼。用語「群組記憶體」包含與額外記憶體組合的一記憶體，該記憶體儲存來自一個以上的控制器之一些或所有的程式碼。用語「記憶體」可為用語「電腦可讀媒體」的子集合。用語電腦可讀媒體並不包含傳播通過一媒體的過渡性電子及電磁訊號，且因此視為實體且非過渡性的。非過渡性實體電腦可讀媒體的非限制性例子包含非揮發性記憶體、揮發性記憶體、磁性儲存器、及光學儲存器。
此處所述的裝置及方法可由藉著一或更多處理器執行的一或更多電腦程式加以部份地或完全地實施。電腦程式包含儲存在至少一個非暫時性實體電腦可讀媒體上之處理器可執行的命令。該電腦程式亦可包含及/或依賴所儲存的資料。
10‧‧‧噴淋頭
20‧‧‧背板
24‧‧‧桿體
30‧‧‧面板
32‧‧‧充氣部
34‧‧‧氣體通道
36‧‧‧凹陷部
38‧‧‧擋板
41‧‧‧氣體擴散面
42‧‧‧孔
44‧‧‧反應容積
46‧‧‧基板
48‧‧‧底座
50‧‧‧電極
54‧‧‧桿/導體
60‧‧‧電漿抑制結構
64‧‧‧固定器
66‧‧‧螺絲
67‧‧‧墊圈
70‧‧‧電路
80‧‧‧套環
85‧‧‧桿部
86‧‧‧法蘭部
90‧‧‧閥
92‧‧‧泵
100‧‧‧板
100-1‧‧‧板
100-2‧‧‧板
100-3‧‧‧板
100-4‧‧‧板
100-5‧‧‧板
100-N‧‧‧板
102‧‧‧間隔器
110‧‧‧套環
120‧‧‧控制器
124‧‧‧感應器
126‧‧‧氣體源
128‧‧‧質流控制器
130‧‧‧閥
200‧‧‧板間空隙
200-1‧‧‧板間空隙
200-2‧‧‧板間空隙
200-3‧‧‧板間空隙
200-4‧‧‧板間空隙
200-5‧‧‧板間空隙
220‧‧‧板
220-1‧‧‧板
220-2‧‧‧板
220-3‧‧‧板
220-4‧‧‧板
230‧‧‧鋸齒/齒狀面
250‧‧‧板
250-1‧‧‧板
250-2‧‧‧板
250-3‧‧‧板
260‧‧‧穿孔
本揭露內容將從詳細的描述以及附圖而變得更好理解，其中；
圖1A和1B係根據本揭露內容之基板處理系統範例的功能方塊圖及簡化的橫剖面圖；
圖2A和2B係根據本揭露內容之一部分的範例噴淋頭的局部橫剖面圖；
圖3顯示板和電漿抑制結構之板間的不均勻間隔之範例；
圖4顯示電漿抑制結構之板上的齒狀表面之範例；及
圖5顯示電漿抑制結構之多孔板的範例。
在這些圖式中，參考符號可重複使用，以識別相似及/或相同的元件。
10‧‧‧噴淋頭
20‧‧‧背板
24‧‧‧桿體
30‧‧‧面板
32‧‧‧充氣部
34‧‧‧氣體通道
36‧‧‧凹陷部
38‧‧‧擋板
41‧‧‧氣體擴散面
42‧‧‧孔
44‧‧‧反應容積
46‧‧‧基板
48‧‧‧底座
50‧‧‧電極
54‧‧‧桿/導體
60‧‧‧電漿抑制結構
64‧‧‧固定器
70‧‧‧電路
80‧‧‧套環
85‧‧‧桿部
86‧‧‧法蘭部
90‧‧‧閥
92‧‧‧泵
100‧‧‧板
100-1/100-2...100-N‧‧‧板
102‧‧‧間隔器
110‧‧‧套環
120‧‧‧控制器
124‧‧‧感應器
126‧‧‧氣體源
128‧‧‧質流控制器
130‧‧‧閥

Claims (22)

  1. 一種噴淋頭組件，用於基板處理系統，該噴淋頭組件包含： 一背板，連接至一氣體通道； 一面板，相鄰連接至該背板的一第一面，及包含一氣體擴散面； 一個以上的導體；及 一電極，設置於該背板及該面板其中一者中，及連接至該一個以上的導體； 其中一氣體充氣部係界定在該背板及該面板之間，且係與該氣體通道流體連通；及 其中該背板及該面板係由非金屬材料製成。
  2. 如申請專利範圍第1項之噴淋頭組件，更包含： 一桿體，連接至該背板，及界定該氣體通道； 其中該桿體係由非金屬材料製成；及 其中該一個以上的導體穿過該桿體。
  3. 如申請專利範圍第1項之噴淋頭組件，其中： 該面板之該氣體擴散面包含複數個間隔開的孔； 該面板之該氣體擴散面包含複數個穿孔；或 該面板之該氣體擴散面係多孔的。
  4. 如申請專利範圍第2項之噴淋頭組件，更包含一電漿抑制結構，該電漿抑制結構係設置成鄰近於該背板之一第二面，其中該背板之該第一面係與該背板之該第二面為相反側。
  5. 如申請專利範圍第4項之噴淋頭組件，其中該電漿抑制結構包含N個板，該N個板係以間隔的關係彼此平行設置，其中N係大於1的整數，其中該N個板係由介電材料製成。
  6. 如申請專利範圍第5項之噴淋頭組件，其中該電漿抑制結構包含一套環，該套環係從該N個板之一者朝著該基板處理系統之一處理腔室的一上表面延伸，及其中該套環係由介電材料製成。
  7. 如申請專利範圍第5項之噴淋頭組件，其中N大於2，及該N個板係以均勻的方式間隔。
  8. 如申請專利範圍第5項之噴淋頭組件，其中N大於2，及至少部分的該N個板係以非均勻的方式間隔。
  9. 如申請專利範圍第5項之噴淋頭組件，其中該N個板的至少一者包含複數個穿孔。
  10. 如申請專利範圍第5項之噴淋頭組件，其中該N個板的至少一者包含一鋸齒面。
  11. 如申請專利範圍第2項之噴淋頭組件，其中該桿體，該背板，及該面板係由陶瓷材料製成。
  12. 如申請專利範圍第2項之噴淋頭組件，其中該桿體，該背板，及該面板係由氮化鋁及氧化鋁之至少一者製成。
  13. 如申請專利範圍第1項之噴淋頭組件，更包含一擋板，該擋板係設置於該氣體通道及該氣體充氣部之間。
  14. 如申請專利範圍第2項之噴淋頭組件，更包含一套環，該套環將該桿體連接至一基板處理腔室的一上表面。
  15. 如申請專利範圍第1項之噴淋頭組件，其中該面板係連接至該背板，以允許相對於該背板之該面板的側向移動且同時維持其間的密封。
  16. 如申請專利範圍第1項之噴淋頭組件，其中該氣體充氣部的高度尺寸係小於預期電漿鞘厚度的2倍。
  17. 如申請專利範圍第1項之噴淋頭組件，其中該電極及該背板的該第一面之間的一第一尺寸係小於該電極及該背板的一第二面之間的一第二尺寸，其中該背板之該第一面係與該背板之該第二面為相反側。
  18. 如申請專利範圍第1項之噴淋頭組件，其中該電極係盤形。
  19. 如申請專利範圍第2項之噴淋頭組件，其中該一個以上的導體包含圍繞該氣體通道的圓柱形導體。
  20. 一種基板處理系統，包含： 一處理腔室，包含一反應容積； 申請專利範圍第1項的噴淋頭組件，設置於該反應容積中；及 一底座，設置該反應容積中鄰近該面板。
  21. 如申請專利範圍第19項之基板處理系統，更包含： 一射頻（RF）電路，用於對該一個以上的導體供應RF訊號，其具有大於1MHz的頻率；及 一控制器，用於控制流至該氣體通道的製程氣體，及用於控制該RF電路的運作。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板處理系統，其中該背板係直接地連接至該處理腔室之壁。
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