TW201435020A - 陶瓷胚片及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題係即便形成於基材上之陶瓷胚片相對薄，亦可容易地將陶瓷胚片自基材剝離。本發明之解決手段係使用一種陶瓷漿料，其包含陶瓷粒子、具有羥基及羧基中之至少一者之溶劑可溶性聚合物、及溶劑，並且進而包含具有親水性部位及疏水性部位兩者之聚醚改性聚烷基矽氧烷之類之脫模劑。將陶瓷漿料塗佈於基材上並進行乾燥，藉此於基材上形成陶瓷胚片，然後藉由自基材剝離而得到陶瓷胚片。陶瓷胚片中之脫模劑係以疏水性部位朝向聚合物之官能基、且親水性部位朝向基材側之狀態存在於陶瓷漿料與基材之界面，使陶瓷胚片自基材之剝離變得容易。
Description
本發明係關於一種陶瓷胚片以及使用陶瓷漿料來實施之陶瓷胚片之製造方法。
陶瓷胚片例如用於製造積層陶瓷電容器、積層片式線圈、多層陶瓷基板等積層陶瓷電子元件。
製造陶瓷胚片時，通常藉由如下方式進行：準備陶瓷漿料，將陶瓷漿料塗佈於基材上並進行乾燥，藉此於基材上得到陶瓷胚片。作為基材，使用各種形態之基材，例如日本專利特開2001-93771號公報(專利文獻1)及日本專利特開2005-313601號公報(專利文獻2)中記載有使用由樹脂膜(載承膜)構成之基材，例如日本專利特開2004-296641號公報(專利文獻3)及日本專利特開2011-258928號公報(專利文獻4)中記載有使用鼓狀或輥狀之基材。
如上所述，於基材上得到陶瓷胚片之情形，為了供於上述積層陶瓷電子元件之製造，所得之陶瓷胚片必須於積層陶瓷電子元件之製造過程之任意階段被自基材剝離。因此，通常於基材上形成用於使陶瓷胚片之剝離變得容易之由聚矽氧系樹脂等構成之脫模層。
然而，上述積層陶瓷電子元件之小型化不斷發展，因此需要陶瓷胚片之薄層化。然而，所欲剝離之陶瓷胚片越薄，陶瓷胚片之強度越低，越容易斷裂，因此難以將其穩定地、更高速地自基材剝離。
[專利文獻1]日本專利特開2001-93771號公報
[專利文獻2]日本專利特開2005-313601號公報
[專利文獻3]日本專利特開2004-296641號公報
[專利文獻4]日本專利特開2011-258928號公報
因此，本發明之目的在於：即便形成於基材上之陶瓷胚片相對薄，亦可容易地將陶瓷胚片自基材剝離。
更具體而言，本發明之目的在於提供可滿足上述要求之陶瓷胚片及其製造方法。
本發明為了解決即便為相對薄之陶瓷胚片亦可更容易地將其自基材剝離之技術問題，而謀求陶瓷胚片方面之改進。因此，本發明中，首先改進作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料之組成。
本發明中使用之陶瓷漿料之特徵在於：其包含陶瓷粒子、具有羥基及羧基中之至少一種官能基之溶劑可溶性聚合物、及溶劑，並且為了解決上述技術問題，進而包含具有親水性部位及疏水性部位兩者之脫模劑。
本發明之陶瓷胚片之製造方法係使用上述陶瓷漿料來實施。本發明之陶瓷胚片之製造方法之特徵在於其包括：準備上述陶瓷漿料之步驟，藉由將陶瓷漿料塗佈於基材上並進行乾燥而於基材上形成陶瓷胚片之步驟，及然後將陶瓷胚片自基材剝離之步驟。
本發明進而亦在於藉由上述製造方法製造之陶瓷胚片。本發明之陶瓷胚片係使用上述陶瓷漿料經過將其乾燥之步驟而製成者，因此實質上不含溶劑，其特徵在於：其包含陶瓷粒子、具有羥基及羧基中
之至少一種官能基之溶劑可溶性聚合物、及具有親水性部位及疏水性部位兩者之脫模劑，且其被載置於基材上。
作為脫模劑，較佳為使用親水性部位為聚醚、疏水性部位為聚烷基矽氧烷之聚醚改性聚烷基矽氧烷。提供疏水性部位之聚烷基矽氧烷例如為聚二甲基矽氧烷。
又，作為脫模劑，亦可使用丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物。於該情形時，可使脫模劑幾乎不對所得之積層陶瓷電子元件之電特性造成不良影響。其原因在於，丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物不含Si，而且於焙燒時所有成分均被分解。
藉由本發明，可獲得包含脫模劑之陶瓷胚片。陶瓷胚片中之脫模劑於基材上之陶瓷胚片之製造過程中，以其疏水性部位朝向基材側、另一方面其親水性部位朝向聚合物之羥基及羧基中之至少一種官能基的狀態存在於陶瓷漿料與基材之界面，對陶瓷胚片提供所謂之自脫模性。因此，陶瓷胚片自基材之剝離變得容易。
圖1係表示作為本發明中有利地使用之聚醚改性聚烷基矽氧烷之一例的聚醚改性二甲基矽氧烷之分子結構、並且以圖解方式來說明將陶瓷漿料塗佈於基材上時之聚醚改性二甲基矽氧烷及基材及聚合物之相對位置關係之圖。
圖2係表示實驗例中用作比較例之二甲基矽氧烷之分子結構的圖。
本發明中使用之陶瓷漿料之特徵在於：其基本上包含陶瓷粒子、具有羥基及羧基中之至少一種官能基之溶劑可溶性聚合物、及溶劑，為了以該陶瓷漿料於基材上形成陶瓷胚片後可將陶瓷胚片容易地
自基材剝離，進而包含具有親水性部位及疏水性部位兩者之脫模劑。
上述陶瓷漿料之製造中，例如採用使用了直徑為0.05~5mm之介質之球磨機或循環式磨機或者高壓分散機等。
根據本發明，為了製造陶瓷胚片，首先準備上述陶瓷漿料。繼而，將該陶瓷漿料塗佈於基材上並進行乾燥，藉此於基材上形成陶瓷胚片。
於塗佈陶瓷漿料時，採用模塗法、噴霧法、提拉法、噴墨法、凹版印刷法等。又，作為基材，使用長條之樹脂膜、短條狀之樹脂膜、金屬輥或鼓、金屬帶、金屬板等。陶瓷漿料之乾燥中適當採用熱風、近紅外線、減壓等。
又，基材上之陶瓷胚片之厚度例如為0.5~100μm。再者，如厚度為0.5~1.0μm般，欲獲得之陶瓷胚片之厚度越薄，則應用本發明之意義越大。
繼而，將陶瓷胚片自基材剝離。剝離時，既可採用將幾乎整個陶瓷胚片一口氣剝離之面剝離方式，亦可採用將陶瓷胚片自特定之部分開始依次剝離之線剝離方式。該剝離步驟中，作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料中所包含之脫模劑起到脫模作用，因此即便不於基材上形成脫模層，陶瓷胚片自基材之剝離亦順暢。
作為脫模劑，例如有利地使用親水性部位為聚醚、疏水性部位為聚烷基矽氧烷之聚醚改性聚烷基矽氧烷。聚醚改性聚烷基矽氧烷為界面活性劑之一種。圖1係表示聚醚改性聚烷基矽氧烷之一個具體例即聚醚改性二甲基矽氧烷之分子結構。
參照圖1，針對聚醚改性聚烷基矽氧烷(聚醚改性二甲基矽氧烷)對上述脫模作用進行更具體之說明。根據其分子結構來推測，聚醚改性聚烷基矽氧烷係親水性部位即醚部位朝向聚合物之羥基及羧基中之至少一種官能基(官能基之圖示省略)、疏水性部位即聚烷基矽氧烷部
位朝向基材側而存在於聚合物與基材之界面。可推測，藉由採用該結構，而使聚合物與基材之間之鍵(氫鍵等)弱化。
為了證實上述推測，對表面自由能進行考察。藉由向陶瓷漿料中添加聚醚改性聚烷基矽氧烷，而陶瓷胚片之與基材接觸之面之陶瓷胚片之表面自由能減小。其原因在於，如上所述，聚醚改性聚烷基矽氧烷存在於聚合物與基材之界面。陶瓷胚片之表面自由能之減小會導致附著功之減小，該附著功為對陶瓷胚片與基材之接著力造成影響之因素之一。
作為脫模劑，只要具有親水性部位及疏水性部位兩者即可，因此，除了上述聚醚改性聚烷基矽氧烷以外，亦可使用例如丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物。丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物不含Si，而且於焙燒時所有成分均被分解。因此，使用包含其作為脫模劑之陶瓷胚片來製造積層陶瓷電子元件時，脫模劑幾乎不會對所得之積層陶瓷電子元件之電特性造成不良影響。
如上所述，作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料中包含脫模劑，因此即便不於基材上形成脫模層，亦可使陶瓷胚片自基材之剝離順暢。該情況意味著亦可解決使用形成有脫模層之基材時會遭遇之以下問題。
使用專利文獻1及2中記載之樹脂膜(載承膜)作為基材之情形，首先於製造載承膜時，需要用於準備形成脫模層之脫模劑並使用其形成脫模層之步驟，因此載承膜之成本升高。又，於形成脫模層之步驟中，若脫模層中混入異物或者存在脫模劑之凝集等，則所得之陶瓷胚片產生針孔等品質不良，而有招致使用該陶瓷胚片構成之積層陶瓷電子元件中發生短路故障或可靠性不良的情況。
再者，若可反覆使用將陶瓷胚片剝離後之載承膜，則或許可削減載承膜之消耗量，而可有助於降低載承膜之成本。但，藉由反覆塗
佈、剝離陶瓷漿料，載承膜上之脫模層逐漸磨損或溶解，均會使陶瓷胚片無法穩定地剝離。因此，必須澈底查清無法實現陶瓷胚片之穩定剝離之脫模層之表面狀態，但很難測定該脫模層之狀態變化。因此，現狀為載承膜使用一次即被廢棄。
另一方面，使用專利文獻3及4中記載之鼓狀或輥狀之基材作為基材之情形，脫模層亦逐漸磨損或溶解。因此，此時需要定期地重新形成脫模層。然而，形成該脫模層之步驟中，亦與於上述載承膜上形成脫模層之情形同樣，會發生脫模層中混入異物或者存在脫模劑之凝集等問題。因此，所得之陶瓷胚片出現針孔等品質不良，而有招致使用該陶瓷胚片構成之積層陶瓷電子元件中之短路故障及可靠性不良的情況。
如上所述之問題若不於基材上形成脫模層即可解決。本發明中，作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料中含有脫模劑，因此可省略於基材上形成脫模層。
再者，實施本發明之陶瓷胚片之製造方法時，可毫無問題地使用未形成脫模層之基材，但並不排除使用形成有脫模層之基材。特別是欲獲得之陶瓷胚片為例如厚度0.5~1.0μm之極薄之情形，於剝離步驟中，陶瓷胚片容易斷裂，因此有時最好預先於基材上形成脫模層。
藉由本發明而得之陶瓷胚片被供於積層陶瓷電子元件之製造。因此，於陶瓷胚片上形成必要之電極等，該電極形成可採用絲網印刷法、凹版印刷法、印模印刷法、噴墨印刷法、以及使用藉由該等形成之圖案之平板印刷法等各種印刷法、鍍敷法、各種薄膜形成法。又，實施將複數個陶瓷胚片積層、壓接之步驟，陶瓷胚片之積層、壓接既可於自上述基材剝離後實施，亦可於自基材剝離前實施。又，上述電極等之印刷可於陶瓷胚片之積層、壓接之前或可於此後進行。
以下，對為了確認本發明之效果而實施之實驗例進行說明。
[實驗例1]
(1)陶瓷漿料之製造
<試樣1>
試樣1中，作為用於降低自基材之剝離強度之脫模劑，使用圖1所示之結構之聚醚改性二甲基矽氧烷。
為了得到作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料，將陶瓷粒子：100重量份、含有羥基作為官能基之聚乙烯丁醛樹脂(聚合度：2000、羥基濃度：31莫耳%)：12重量份、作為塑化劑之鄰苯二甲酸酯：2重量份、聚醚改性二甲基矽氧烷：0.3重量份及甲苯/乙醇之混合溶劑(50重量%/50重量%)：60重量份用球磨機攪拌混合，製備試樣1之陶瓷漿料。
<試樣2>
試樣2中，使用分子結構與聚醚改性二甲基矽氧烷相似、但不具有聚醚改性之親水基之圖2所示之二甲基矽氧烷來代替試樣1之聚醚改性二甲基矽氧烷。
為了得到作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料，將陶瓷粒子：100重量份、聚乙烯丁醛樹脂(聚合度：2000、羥基濃度：31莫耳%)：12重量份、鄰苯二甲酸酯：2重量份、二甲基矽氧烷：0.3重量份及甲苯/乙醇之混合溶劑(50重量%/50重量%)：60重量份用球磨機攪拌混合，製備試樣2之陶瓷漿料。
<試樣3>
試樣3中，不使用可作為脫模劑之任何界面活性劑。
為了得到作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料，將陶瓷粒子：100重量份、聚乙烯丁醛樹脂(聚合度：2000、羥基濃度：31莫耳%)：12重量份、鄰苯二甲酸酯：2重量份及甲苯/乙醇之混合溶劑(50重量%/50重量%)：60重量份用球磨機攪拌混合，製備試樣3之陶瓷漿料。
(2)陶瓷胚片之製造
然後，藉由使用刮刀之薄帶成形法於作為基材之PET膜上塗佈上述試樣1、2及3之各陶瓷漿料，於60℃、1分鐘之條件下乾燥，從而得到試樣1、2及3之各陶瓷胚片。此時，成形速度為2.4m/分鐘，刮刀之間隙為50μm。以該條件進行製造之情形下，陶瓷胚片之厚度為7.0μm。又，作為基材之PET膜未形成脫模層，其表面自由能為43mJ．m-2。
(3)剝離強度之評價
繼而，評價將所形成之試樣1、2及3之各陶瓷胚片自各基材剝離時之剝離難易程度。為了評價剝離之難易程度，以JIS Z0237為參考來測定剝離強度。該實驗例中，剝離速度不同於JIS Z0237之情形。即，於陶瓷胚片上劃出10cm之切口，以剝離角度為90度、剝離速度為10cm/分鐘之條件實施剝離試驗，以試驗時之最大應力除以試驗試樣之寬度(1cm)，將該值定義為剝離強度。
其結果示於表1。
參照表1，不含有聚醚改性二甲基矽氧烷之作為比較例之試樣2及3，剝離強度大，即難以剝離。
與之相對，含有聚醚改性二甲基矽氧烷之作為本發明之實施例之試樣1與上述試樣2及3相比，剝離強度大幅降低。即，容易剝離。
特別是若將試樣1及試樣2進行比較，則如上所述，試樣1之剝離強度小於試樣2之剝離強度，可認為其原因在於：試樣2中使用之二甲基矽氧烷中沒有親水性之聚醚改性之官能基，故而二甲基矽氧烷均勻
地溶解於聚乙烯丁醛樹脂內，不對聚乙烯丁醛樹脂之羥基造成影響。
繼而，為了對聚醚改性二甲基矽氧烷之使陶瓷胚片自基材之剝離強度降低之作用進行考察，而對陶瓷胚片之表面自由能進行評價。
將陶瓷胚片自基材剝離，與該基材之接觸面之表面自由能係測定已知之液體、本次為水及二碘甲烷之接觸角。此後，根據接觸角使用下式算出表面自由能。
γL(1+cosθ)=2(γS d×γL d)1/2+2(γS p×γL p)1/2
γS=γS d+γS p
(參考文獻)W. A. Zisman：J. Paint Technol, 44(1972)
此處，γL、γL d、γL p分別表示水及二碘甲烷之表面自由能、表面自由能之分散力分量、表面自由能之極性力分量，γS、γS d、γS p表示陶瓷胚片之表面自由能、表面自由能之分散力分量、表面自由能之極性力分量，θ表示陶瓷胚片上之水及二碘甲烷之接觸角。
再者，水及二碘甲烷之表面自由能等之相關資料採用以下參考文獻中記載之值，將其等示於表2。
(參考文獻)D. H. Kaeble, K. C. Uy, J. Adhesion, 2, 50(1970)
表3表示試樣1、2及3之各陶瓷胚片之表面自由能。
試樣1之陶瓷胚片中，藉由添加聚醚改性二甲基矽氧烷，而與其
他試樣、即試樣2及3之陶瓷胚片相比，表面自由能γS減小。特別是表面自由能之極性力分量γS p減小。表面自由能之極性力分量此處主要表示羥基之影響。表3之結果顯示，聚醚改性二甲基矽氧烷作用於羥基，減小羥基之影響。
[實驗例2]
實驗例2中，改變陶瓷漿料中所含之作為脫模劑之聚醚改性二甲基矽氧烷之調配量來製造陶瓷胚片，評價陶瓷胚片自基材之剝離強度。
(1)陶瓷漿料之製造
為了得到作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料，於陶瓷粒子：100重量份、含有羥基作為官能基之聚乙烯丁醛樹脂(聚合度：2000、羥基濃度：31莫耳%)：12重量份、作為塑化劑之鄰苯二甲酸酯：2重量份及甲苯/乙醇之混合溶劑(50重量%/50重量%)：60重量份中以表4之「聚醚改性二甲基矽氧烷之調配量」欄中所示之調配量添加聚醚改性二甲基矽氧烷，將該等用球磨機攪拌混合，製備試樣11~16之各陶瓷漿料。
(2)陶瓷胚片之製造
然後，藉由使用刮刀之薄帶成形法於作為基材之PET膜及不鏽鋼(SUS)板上分別塗佈上述試樣11~16之各陶瓷漿料，於60℃、1分鐘之條件下乾燥，從而得到試樣11~16之各陶瓷胚片。此處，成形速度為2.4m/分鐘，刮刀之間隙為20μm。以該條件進行製造之情形下，陶瓷胚片之厚度為2.5μm。又，作為基材之PET膜及SUS板未形成脫模層，關於各自之表面自由能，PET膜為43mJ．m-2，SUS板為700mJ．m-2。
(3)剝離強度之評價
繼而，為了評價將所形成之試樣11~16之各陶瓷胚片自各基材剝
離時之剝離難易程度，藉由與實驗例1之情形同樣之方法測定剝離強度。
其結果示於表4。
參照表4，不含有聚醚改性二甲基矽氧烷之作為比較例之試樣16，剝離強度大，使用未形成脫模層之PET膜作為基材之情形下以及使用SUS板作為基材之情形下，均於剝離時發生陶瓷胚片斷裂等剝離不良。
另一方面，聚醚改性二甲基矽氧烷之調配量相對於聚乙烯丁醛樹脂100重量份為10重量份的試樣11中，陶瓷胚片之剝離中伸長率大，使用PET膜作為基材之情形下，剝離強度相對大，難以剝離，使用SUS板作為基材之情形下，無法測定剝離強度。可認為其原因在於：聚醚改性二甲基矽氧烷作為聚合物之塑化劑而起作用，降低陶瓷胚片之機械強度。
與之相對，聚醚改性二甲基矽氧烷之調配量相對於聚乙烯丁醛樹脂100重量份為0.5重量份以上且未達10重量份、更特定為0.5重量份以上且5重量份以下之試樣12~15中，使用PET膜作為基材之情形下以及使用SUS板作為基材之情形下，剝離強度均降低而容易剝離。
[實驗例3]
實驗例3中，製造使用丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物作為陶
瓷漿料中所含之脫模劑的陶瓷胚片，評價陶瓷胚片自基材之剝離強度。再者，該實驗例中使用之丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物亦具有親水性部位及疏水性部位兩者。
(1)陶瓷漿料之製造
<試樣21>
試樣21中，作為用於降低自基材之剝離強度之脫模劑，使用丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物、即具有烷基醚型之聚環氧乙烷結構之聚丙烯酸酯。
為了得到作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料，將陶瓷粒子：100重量份、含有羥基作為官能基之聚乙烯丁醛樹脂(聚合度：2000、羥基濃度：31莫耳%)：12重量份、作為塑化劑之鄰苯二甲酸酯：2重量份、具有烷基醚型之聚環氧乙烷結構之聚丙烯酸酯：1重量份及甲苯/乙醇之混合溶劑(50重量%/50重量%)：60重量份用球磨機攪拌混合，製備試樣21之陶瓷漿料。
<試樣22>
試樣22中，使用丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物、即具有高級烷基胺乙氧化物結構之聚丙烯酸酯來代替試樣21中之具有烷基醚型之聚環氧乙烷結構之聚丙烯酸酯。除此之外，採用與試樣21之情形同樣之調配比，並經過同樣之操作製備試樣22之陶瓷漿料。
<試樣23>
試樣23中，不使用可作為脫模劑之任何界面活性劑。
即，為了得到作為陶瓷胚片之材料之陶瓷漿料，將陶瓷粒子：100重量份、聚乙烯丁醛樹脂(聚合度：2000、羥基濃度：31莫耳%)：12重量份、鄰苯二甲酸酯：2重量份及甲苯/乙醇之混合溶劑(50重量%/50重量%)：60重量份用球磨機攪拌混合，製備試樣23之陶瓷漿料。
(2)陶瓷胚片之製造
然後，與實驗例1之情形同樣地利用使用刮刀之薄帶成形法於作為基材之PET膜上塗佈上述試樣21~23之各陶瓷漿料，於60℃、1分鐘之條件下乾燥，藉此得到試樣21~23之各陶瓷胚片。此處，成形速度為2.4m/分鐘，刮刀之間隙為20μm。以該條件進行製造之情形下，陶瓷胚片之厚度為2.5μm。又，作為基材之PET膜未形成脫模層，其表面自由能為43mJ．m-2。
(3)剝離強度之評價
繼而，為了評價將所形成之試樣21~23之各陶瓷胚片自各基材剝離時之剝離難易程度，藉由與實驗例1之情形同樣之方法測定剝離強度。
其結果示於表5。
參照表5，不含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物之作為比較例之試樣23，剝離強度大，即難以剝離。
與之相對，含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物之作為本發明之實施例之試樣21及22與上述試樣23相比，剝離強度大幅降低。即，容易剝離。
如上所述，即便使用具有親水性部位及疏水性部位兩者之丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物作為脫模劑，亦與實驗例1中所示之試樣1之情形同樣，剝離強度降低。又，如下所示，若使用該聚合物，則亦具有與試樣1之情形不同之其他效果。
試樣21及22中使用之丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物與試樣1
中使用之聚醚改性二甲基矽氧烷係具有親水性部位及疏水性部位之單體之分子結構不同。具體而言，丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物於不含Si方面與聚醚改性二甲基矽氧烷不同。
積層陶瓷電子元件係藉由將複數個陶瓷胚片積層後進行焙燒而製造，若陶瓷胚片內含有Si，則該Si不會被除去而殘留於積層陶瓷電子元件中。藉此，有時對積層陶瓷電子元件之靜電電容及電阻等電特性造成不良影響。與之相對，丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物不含Si，而且於焙燒時所有成分都被分解。因此，包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物作為脫模劑之陶瓷胚片幾乎不會對所得之積層陶瓷電子元件之電特性造成不良影響。
再者，實驗例3中製成之試樣21及22中，將丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物相對於陶瓷漿料中之陶瓷粒子：100重量份的重量比率設為1重量份，但此僅為一例。丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物相對於陶瓷漿料中之陶瓷粒子：100重量份的重量比率即便例如為0.1重量份以上且4重量份以下，亦確認到剝離強度充分降低。
Claims (8)
- 一種陶瓷胚片之製造方法，其具備：準備陶瓷漿料之步驟，該陶瓷漿料包含陶瓷粒子、具有羥基及羧基中之至少一種官能基之溶劑可溶性聚合物、溶劑、及具有親水性部位及疏水性部位兩者之脫模劑，將上述陶瓷漿料塗佈於基材上並進行乾燥，藉此於上述基材上形成陶瓷胚片之步驟，及然後將上述陶瓷胚片自上述基材剝離之步驟。
- 如請求項1之陶瓷胚片之製造方法，其中上述脫模劑中之上述親水性部位為聚醚，上述疏水性部位為聚烷基矽氧烷。
- 如請求項2之陶瓷胚片之製造方法，其中上述脫模劑中之上述疏水性部位為聚二甲基矽氧烷。
- 如請求項1之陶瓷胚片之製造方法，其中上述脫模劑為丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物。
- 一種陶瓷胚片，其包含：陶瓷粒子，具有羥基及羧基中之至少一種官能基之溶劑可溶性聚合物，具有親水性部位及疏水性部位兩者之脫模劑，且上述陶瓷胚片係被載置於基材上。
- 如請求項5之陶瓷胚片，其中上述脫模劑中之上述親水性部位為聚醚，上述疏水性部位為聚烷基矽氧烷。
- 如請求項6之陶瓷胚片，其中上述脫模劑中之上述疏水性部位為聚二甲基矽氧烷。
- 如請求項5之陶瓷胚片，其中上述脫模劑為丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之聚合物。
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