TW201423799A - 晶片型電子零件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種晶片型電子零件，其中陶瓷主體的至少一個面為凸狀的彎曲面。具體地，可以是所述陶瓷主體厚度方向的至少一個面彎曲成凸狀，同時陶瓷主體的側面彎曲成凹狀，或者也可以只有一個面為凸狀的彎曲面。由此，即使是小型也變為視覺辨識性高、且機械強度高。另外，在具備絕緣層與導體層交替層疊而成的陶瓷主體、和一對外部電極的晶片型電子零件中，形成為：陶瓷主體的所述外部電極間的中央部的層疊方向厚度大於端面側的厚度。由此，可以防止外部電極的破壞，且可以使陶瓷主體增大。

Description

晶片型電子零件

本發明涉及晶片型電子零件，特別涉及層疊陶瓷電容器、電感器、電阻器、半導體元件等、形狀近似長方體的小型的晶片型電子零件。

近幾年，電子設備謀求小型化、安裝的高密度化，例如，如特開2003-318312號公報所記載的，電容器、電感器、電阻器、半導體元件等具有各種特性的晶片型電子零件混在一起安裝在構成上述電子設備的基板上。作為專利文獻1所記載的晶片型電子零件(相當於特開2003-318312號公報的電路元件)，例如有：特開2000-114097號公報所記載的小型的層疊陶瓷電容器(大小：長度2mm、寬度1.25mm、厚度1.25mm)等。

然而，如上所述，由於在基板上，各種各樣的晶片混合在一起，所以安裝時和修理時的操作繁雜。因此，考慮：在所使用的晶片型電子零件的表面上記載其特性或製造廠家名等資訊的方法。可是，由於基板的高密度化和晶片型電子零件的小型化，辨識零件表面的資訊變得困難。

並且，已經小型化的晶片型電子零件，其自身的機械強度小。因此，存在：用自動機械來輸送或向基板上安裝時，由於被抓住的強度或安裝在基板上時的速度或強度，晶片型電子零件被破壞的問題。另外，由於燒成後的陶瓷主體的棱線部等有棱角，故在安裝時存在容易產生尖端(tipping)等問題。

另一方面，第十四圖是記載在日本規格協會編JIS手冊200123電子零件C5101-10中的、表示現有的典型層疊陶瓷電容器的概略剖面圖。如第十四圖所示，該層疊陶瓷電容器構成為在陶瓷主體71的對向端面上形成一對外部電極73。在這種層疊型的晶片型電子零件中，包括外部電極73的最外周尺寸成為規格尺寸。即，陶瓷主體71的層疊方向的厚度t3 小於外部電極73的相同方向的厚度t4，但是，層疊型電子零件的規格尺寸是用上述外部電極73的厚度t4來規定的。

因此，在層疊陶瓷電容器的情況下，為了達到小型高電容化，把作為電容產生部的陶瓷主體71的大小盡可能地變大，另一方面，使外部電極73儘量薄，以使全體尺寸盡可能變小的形態來設計製造。

然而，如果薄薄地形成外部電極73，則作為電容產生部的陶瓷主體71雖然可以變大，但存在：安裝時，在外部電極73上容易產生被焊錫壓倒；或在安裝、輸送等工序中，容易產生外部電極73的剝落等問題。

另一方面，為了防止外部電極73剝落的產生，如果形成厚的外部電極73，則必須使陶瓷主體71變小，因此，靜電容被抑制而變小，並存在：由於容易變為外部電極73從陶瓷主體71外形表面凸出的結構，所以在落下等衝撞時，外部電極73容易變為衝擊面，因此，外部電極73容易被破壞的問題。

本發明的主要課題為：提供一種在安裝時，即使是小型、記載在零件表面的資訊的視覺辨識性也高的晶片型電子零件。

本發明的其他課題在於，提供一種即使是小型，機械強度也高的晶片型電子零件。

本發明的另一課題在於，提供一種即使是小型、也可以防止尖端等缺陷的晶片型電子零件。

本發明的又一課題在於，提供一種即使是小型，也可以使外部電極變厚、可以防止外部電極破壞且可以使陶瓷主體變大的晶片型電子零件。

用於解決上述課題的本發明的晶片型電子零件，由內部具有導體部的陶瓷主體構成，該陶瓷主體的至少一個面為凸狀的彎曲面。由此，構成晶片型電子零件的陶瓷主體的一個面的面積變大，可以用大的文字記載晶片資訊，且視野廣角化，所以，利用放大鏡等的安裝操作時的晶片確認變得容易。另外，通過增加記載在晶片上的信息量，從而即使在修理時的晶片零件更換時，也可以從晶片獲得更多的資訊，所以可以迅速且準確 進行修理。

並且，由於陶瓷主體的一個面具有凸狀的彎曲面，所以例如在強度試驗的加壓時，即使在用規定的工具對凸狀的彎曲面進行加壓的情況下，壓力被分散，也可以避免破壞等機械損傷。

根據本發明，優選所述陶瓷主體為近似長方體，且所述陶瓷主體的厚度方向的至少一方的面彎曲為凸狀，並且陶瓷主體的側面彎曲為凹狀。即，通過使凸狀的一個面鄰接凹狀的彎曲面，從而陶瓷主體側面由拱狀的部位構成，故晶片型電子零件的機械強度進一步提高，提高了對強度試驗的耐性。

因此，例如，本發明的晶片型電子零件適用於：可以在混合積體電路等中安裝很多個，且由自動機械高速輸送和安裝，並且需要經得住安裝等工序的機械強度的層疊陶瓷電容器等小型的層疊電子零件。

優選所述凸狀的彎曲面沿著陶瓷主體寬度方向改變厚度而形成。由此，即使是燒成後也可以使陶瓷主體的棱線部或角落部圓滑。因此，在安裝或輸送工序等的處理中，可以防止這些棱線部或角落部產生尖端等缺損。另外，由於棱線部或角落部存在圓角，故可以省去通稱為滾筒拋光(barrel)的研磨工序。上述凸狀的彎曲面最好放置為面向晶片型電子零件的上表面側。

在本發明中，可以只是一個面為凸狀的彎曲面。由此，例如，可以使上表面以外的面為平面，即使是小型的零件，也可以放置穩定性優越。

並且，本發明的晶片型電子零件具備：相互交替層疊陶瓷製的多個絕緣層和導體層而成的陶瓷主體；和形成在該陶瓷主體兩端面、每隔一層交替連接所述導體層的一對外部電極。所述陶瓷主體的外部電極之間的中央部的層疊方向厚度大於端面側的厚度。

由此，即使不是外部電極從陶瓷主體外形表面凸出的結構，也可以使外部電極形成得足夠厚。並且，外部電極的表面和陶瓷主體側面可以幾乎形成在同一個面。因此，在落下等衝撞時，只用外部電極就可以減少所受的衝擊，可以防止：落下時的衝擊所引起的缺損或破壞。並且， 外部電極的厚度沒有必要變薄，所以可以防止：安裝時的外部電極的被焊錫壓倒或安裝或輸送等工序中所產生的外部電極的剝落。

1、21、45、71‧‧‧陶瓷主體

3、23、49、73‧‧‧外部電極

5、25‧‧‧導體部

7、24、41‧‧‧絕緣層

9a、9b、29‧‧‧彎曲面

11、31、61‧‧‧生片

13、33、63‧‧‧導體圖案

15a、15b、15c、35、65‧‧‧陶瓷圖案

27‧‧‧長棱邊

43‧‧‧導體層

47‧‧‧兩端面

51‧‧‧中央部

50‧‧‧彎曲面

A~H‧‧‧模型

r1、r11‧‧‧曲率半徑

第一圖是表示本發明的第1實施方式的晶片型電子零件的概略立體圖。

第二圖是用於說明本發明的第1實施方式的凸狀彎曲面的曲率半徑r1的概略剖面圖。

第三圖是用於說明本發明的第1實施方式的凹狀彎曲面的曲率半徑r11的概略剖面圖。

第四圖是表示：對本發明的第1實施方式涉及的晶片型電子零件的層疊方向(厚度方向)和寬度方向的膨脹率進行評價的方法的概略剖面圖。

第五圖(a)、(b)是表示本發明的第1實施方式的晶片型電子零件的製造方法的概略圖。

第六圖是表示本發明第2實施方式涉及的晶片型電子零件的概略立體圖。

第七圖是表示本發明第2實施方式涉及的晶片型電子零件的概略剖面圖。

第八圖是用於說明本發明的第2實施方式涉及的彎曲面的曲率半徑r2的概略剖面圖。

第九圖是表示針對本發明的第2實施方式涉及的晶片型電子零件，對層疊方向的膨脹率進行評價的方法的概略剖面圖。

第十圖(a)、(b)、(c)是表示本發明的第2實施方式涉及的晶片型電子零件的製造方法的概略圖。

第十一圖是表示本發明的第3實施方式涉及的晶片型電子零件的概略立體圖。

第十二圖是用於說明本發明的第3實施方式涉及的彎曲面的曲率半徑r3的概略剖面圖。

第十三圖是表示本發明的第3實施方式涉及的晶片型電子零件的製造方法的概略圖。

第十四圖是表示現有的層疊陶瓷電容器的概略剖面圖。

第一實施方式

下面，參照附圖，對本發明的晶片型電子零件，特別是以層疊陶瓷電容器為例，進行詳細說明。第一圖是該實施方式涉及的晶片型電子零件的概略立體圖。第二圖是用於說明凸狀彎曲面的曲率半徑r1的概略剖面圖。第三圖是用於說明凹狀彎曲面的曲率半徑r11的概略剖面圖。

本發明的晶片型電子零件是在陶瓷主體1的端部具有一對外部電極3的晶片型電子零件，在內部具備導體部5，其外觀形狀是所謂的俯視時可以視為長方體狀的零件。在本發明中，所述陶瓷主體1的厚度方向(層疊方向)的面(一面或兩面)彎曲成凸狀，且相對於所述凸狀面，兩個側面彎曲為凹狀。特別是所述陶瓷主體1的上、下表面和兩個側面分別彎曲成為凸狀(彎曲面9a)和凹狀(彎曲面9b)為好。而且，所述面(及側面)成為構成陶瓷主體1的主面。

更詳細地，如第二和三圖所示，優選陶瓷主體1使陶瓷製的多個絕緣層7和導體部5交替層疊。希望：陶瓷主體1的體積為8mm3以下、最好為5.5mm3以下，且彎曲面9a、9b表面的曲率半徑r1、r11是50mm。另外，彎曲面9a、9b的曲率半徑r1、r11可以是相同的值也可以是不同的值。

在構成晶片型電子零件的陶瓷主體1沒有彎曲面9a、9b的情況下，由於陶瓷主體1的主面的面積小，故不能用大的文字來記載晶片資訊，視野也變窄，即使在利用放大鏡等的安裝操作中，也很難確認晶片零件。另外，在修理時的晶片零件的更換之際，因為從電子零件獲得的資訊少，所以不能迅速準確地進行修理。並且，在強度試驗的加壓時，用規定工具加壓主面時，壓力不易分散而容易產生破壞等機械損傷，在安裝或輸送組裝時，電子零件容易破壞。

第四圖是表示：晶片型電子零件的層疊方向(厚度方向)和寬度方向的膨脹率的評價方法的概略剖面圖。

如第四圖所示，在用a表示陶瓷主體1的導體部5的層疊方向的最長長度、用b表示導體部5沒有露出的陶瓷主體1側面中的層疊方向的長度時，層疊方向的膨脹率x1可以用公式來表示：x1={(a1-b1)/b1}×100。因為提高晶片型電子零件的破壞強度的理由，所以膨脹率x大於0%， 大於1%為好，更好為大於5%。另外，最好是a1>b1。

另外，在將寬度方向的最短長度設為d、將同方向的陶瓷主體1的端部間的長度設為c時，寬度方向的膨脹率y可以用公式來表示：y={(d-c)/c}×100。由於提高晶片型電子零件的破壞強度的理由，故該膨脹率(y)的絕對值要大於0%，絕對值大於1%為好，更好為絕對值大於5%。在晶片型電子零件為小型的情況下，如果上述膨脹率y過大，則會降低放置穩定性，所以在滿足放置穩定性、破壞強度、視覺辨識性等特性方面，最好滿足y<10的關係。另外，優選d<c。

另外，優選陶瓷主體1的彎曲過的彎曲面9a、9b表面的曲率半徑r1及r11分別為50mm以下。這樣，根據本發明，通過使規定為x1和y的膨脹率及曲率半徑滿足上述關係，從而可以提高晶片型電子零件的破壞強度。

此外，最好是彎曲面色調不同於其他面的色調，即彎曲面9a、9b為不同的色調或在對比點其顏色不同。為了使彎曲面9a、9b互相和其他面色調不同，可以通過將從內部的導體部5的端部到陶瓷主體1表面為止的距離w1、w2調整為不同尺寸來形成。例如，通過使從第四圖的導體部5的最上層到彎曲的陶瓷主體1表面為止的距離w1小於導體部5的端部與導體部5的側面之間的距離w2，從而可以以透過陶瓷主體1看見導體部5的程度來形成色調差。由此，進一步提高資訊的視覺辨識性，彎曲面9a、9b的區別變得容易。

第五圖是表示該實施方式涉及的晶片型電子零件的製造方法的概略圖。首先，如第五圖(a)所示，在包含陶瓷粉末的生片(green sheet)11上形成矩形的導體圖案13。在第五圖(a)中，模型A是在生片11上只形成導體圖案13的模型，模型B、C、D是在形成於生片11上的導體圖案13的周圍，以和生片相同的材質，形成尺寸不同的陶瓷圖案15a、15b、15c，消除導體圖案13的階差的模型。

然後，例如，利用第五圖(b)的組合，將模型A~D的生片11層疊成陶瓷主體成型體的主面彎曲為規定形狀，切斷成規定形狀而形成內部具有導體圖案13的陶瓷主體成型體。接著，利用橡膠模壓力機等進行 加壓加熱。接著，燒成陶瓷主體成型體，製作內部具有導體部的陶瓷主體。

即，生片11最好是從層疊體中央部分向上部和下部，按照模型B、C、D和A的順序進行層疊。由此，形成凸狀的彎曲面9a和凹狀的彎曲面9b。生片11的層疊枚數，通常為15~400枚左右，在這個範圍內，只要決定生片11的每一個模型的枚數和組合就可以。另外，膨脹率和曲率半徑也可以根據層疊枚數、成型體加壓時的壓力來進行調整。

最後，在上述陶瓷主體的兩端部，例如形成外部電極，以完成層疊陶瓷電容器。

第二實施方式

下面，參照附圖，對本發明的第二實施方式的晶片型電子零件，特別以層疊陶瓷電容器為例，進行詳細說明。

第六圖是表示該實施方式涉及的晶片型電子零件的立體圖，第七圖是其概略剖面圖。這個晶片型電子零件在陶瓷主體21內部隔著絕緣層24而具備導體部25，在其端部具有一對外部電極23、23。其外觀形狀在所謂的俯視時可以視為長方體，特別重要的是，包含陶瓷主體21的長棱邊27的至少一個面具有凸狀的彎曲面29。在該實施方式中，只是在陶瓷主體21上表面形成凸狀的彎曲面29。而且，上述的一個面成為構成陶瓷主體21的主面。

另外，陶瓷主體21是體積為1mm3以下的小型。優選該陶瓷主體21由多個絕緣層24構成，在該絕緣層24之間層疊有導體部25。

與此相反，如果陶瓷主體21沒有彎曲面29，則由於陶瓷主體的主面面積小，所以不能用大的文字記載晶片資訊，視野也變窄，即使在利用放大鏡等的安裝操作中，晶片零件的確認也變得困難。另外，由於所記載的信息量少，所以即使在修理時的晶片零件更換之際，從晶片零件獲得的資訊少，因此不能迅速且準確地進行修理。並且，由於棱線部有棱角，故容易產生尖端。

第八圖是用於說明彎曲面的曲率半徑r2的概略剖面圖。第九圖是表示針對晶片型電子零件、對層疊方向的膨脹率進行評價的方法的概略剖面圖。

如第九圖所示，在將垂直於對向的外部電極23方向的面的 中央部附近層疊方向的最長長度設為a2、陶瓷主體21端部側面的層疊方向長度設為b2時，層疊方向的膨脹率x2可以用公式x2={(a2-b2)/b2}×100來表示。由於提高晶片型電子零件的破壞強度的理由，該膨脹率要大於0%，優選大於1%，更好為大於5%。

另外，從視覺辨識性和防止尖端方面，更優選第八圖所示的陶瓷主體21表面的曲率半徑r2為5mm以下。並且，例如，在容易辨識層疊方向彎曲面和平坦側面方面，優選彎曲面29為和其他面不同的色調、或在對比點上其顏色不同。

為了使彎曲面29和其他面色調不同，可以通過將從內部層疊的導體部25的端部到陶瓷主體21表面為止的距離w3、w4調整為不同尺寸來形成。即，例如通過使第九圖中的從導體部25的最上層到彎曲的陶瓷主體21表面為止的距離w3小於導體部25的端部與陶瓷主體21的側面之間的距離w4，從而可以以透過陶瓷主體21看見導體部25的程度來形成色調差。

第十圖是表示該實施方式涉及的晶片型電子零件的製造方法的概略圖。首先，如第十圖(a)所示，在包含陶瓷粉末的生片31上形成矩形的導體圖案33。這種情況下，模型E是在生片31上只形成導體圖案13的模型；模型F是在生片31上形成的導體圖案33的周圍，以和生片31相同的材質形成陶瓷圖案35，以消除導體圖案33的階差的模型。

然後，例如利用第十圖(b)、(c)所示的組合，以使陶瓷主體成型體的主面彎曲為規定形狀的方式多層層疊，切斷成規定形狀，從而形成內部具有導體圖案33的陶瓷主體成型體。接著，利用橡膠模壓力機等進行加壓加熱。接著，燒成陶瓷主體成型體，以製作第七圖、第八圖所示的內部具有導體部25的陶瓷主體21。

最後，例如在上述陶瓷主體21端部形成一對外部電極23，完成本發明涉及的層疊陶瓷電容器。

在第十圖(b)的組合中，層疊多枚模型F的生片31之後，在所獲得的模型F的層疊體上下表面上層疊模型E的生片31，並且，在上 表面上配置沒有導體圖案33的生片31。由此，在上、下表面可以形成彎曲面29。

另一方面，在第十圖(c)的組合中，多枚層疊模型F的生片31之後，只在所獲得的模型F的層疊體上表面上佈置模型E的生片31和沒有導體圖案33的生片31。由此，只在上表面可以形成彎曲面29。其他和上述的實施方式同樣。

第三實施方式

下面，參照附圖，對本發明的其他實施方式，特別是以層疊陶瓷電容器為例，進行詳細說明。第十一圖是表示該實施方式涉及的晶片型電子零件的立體圖。

如第十一圖所示，該晶片型電子零件具有：交替層疊陶瓷製的多個絕緣層41(陶瓷層)和導體層43而成的陶瓷主體45；並在該陶瓷主體45的兩端面47上分別具備：所述導體層43每隔一層交替連接的一對外部電極49、49。

在該實施方式中，所述陶瓷主體45的所述外部電極49之間的中央部51的層疊方向厚度t大於端面47側的厚度t1。即，在將陶瓷主體45的層疊方向的最大厚度設為t、將和陶瓷主體45層疊方向相同方向的外部電極49的最大寬度設為t0時，滿足t≧t0的關係為好。在此，如第十一圖所明示的，所謂外部電極49的寬度t0是指：和陶瓷主體45層疊方向相同方向的最大寬度。

外觀形狀在所謂的俯視時可以視為長方體狀，特別是包含陶瓷主體45的長度方向的棱邊的至少一個面呈現凸狀的彎曲面。如上所述，該形狀是：陶瓷主體45的外部電極49之間的中央部51在層疊方向的剖面視圖上具有凸狀的彎曲面50的、所謂鼓狀的形狀。即，如第十一圖所示，最好是陶瓷主體45的外部電極49之間的層疊方向厚度從端面47向中央部51逐漸擴大寬度的形狀。而且，上述的一個面成為構成陶瓷主體45的主面。

陶瓷主體45也可以不是如上所述的彎曲面，而是只有外部電極形成部的端部區域厚度t1小的形狀。

與此相反，如果陶瓷主體45的中央部51的最大厚度t不大 於端面47側的厚度t1而如以往的長方體形狀，則容易變為外部電極49從陶瓷主體45外形表面凸出的結構。因此，在落下等的衝撞時，外部電極49容易變為衝擊面，外部電極49容易被破壞。另外，為了抑制外部電極49的破壞，如果使外部電極49變厚，則為了符合規格尺寸，必須使陶瓷主體45變小，由此靜電容變小。

第十二圖是表示垂直於陶瓷主體45層疊方向的彎曲面的曲率半徑的剖面圖。作為本發明的更有效的實施方式，陶瓷主體45的體積為8mm3以下，特別是5.5mm3以下的小型形狀為好，並且希望彎曲面50的曲率半徑r3為50mm以下。作為這樣的零件，不限於上述的層疊陶瓷電容器，還有：層疊型電感器、層疊型激勵器、電阻器等。

另外，如第十一圖所示，在將垂直於導體層43的延長方向的面的中央部附近的層疊方向最大長度設為t、將陶瓷主體45端部的層疊方向長度設為t1時，陶瓷主體45層疊方向的膨脹率可以用公式x3={(t-t1)/t1}×100來表示。膨脹率x3要大於0%，大於1%為好，大於5%為更好。

第十三圖是表示該實施方式涉及的晶片型電子零件的製造方法的概略圖。即，第十三圖(a)是表示從端面觀察生片61及其層疊成型體的製造方法，第十三圖(b)是表示從側面觀察的製造方法。

首先，在包含陶瓷粉末的生片61上形成矩形的導體圖案63。這種情況下，模型G是在生片61上只形成導體圖案63的模型；模型H是在生片61上形成的導體圖案63周圍，形成和生片61材質相同的陶瓷圖案65，以消除導體圖案63的階差的模型。

接著，把模型G、模型H的每一個生片61，用第十三圖(a)、(b)所示的組合進行層疊後，切斷成規定形狀而形成內部具有導體圖案63的陶瓷主體成型體。即，在第十三圖(a)、(b)中，把模型H的生片61佈置在中央部而將模型G的生片61佈置在其兩端。由此，陶瓷主體成型體的主面彎曲成規定形狀。此時，如第十三圖(b)所示，以每隔一層導體層43從端面交替露出的方式，使每一個生片61上的導體圖案63的位置交替成為相反方向。

成型後，利用橡膠模壓力機等進行加壓加熱，接著，燒成陶 瓷主體成型體，以製作內部具有導體部的陶瓷主體。最後，例如在上述陶瓷主體的端部形成外部電極而完成本發明的層疊陶瓷電容器。其他和上述的實施方式同樣。

在以上的實施方式中，作為本發明的電子零件，以層疊陶瓷電容器為例進行了說明，但是，本發明的電子零件並不是只限於層疊陶瓷電容器，例如可以適用於層疊型電感器、層疊型激勵器、電阻器等。

實施例I

晶片型電子零件的製作

基本上製作第一圖所示結構的晶片型電子零件並進行評價。首先，製作了包含以鈦酸鋇粉末為主要成分的電介質粉末的厚度3m的電介質生片。在這個電介質生片的上表面上，將以Ni為主要成分的導體糊，以1~1.5m的厚度進行印刷，而分別製作第五圖所示的模型A、B、C、D的生片。接著，將模型A、B、C、D的生片層疊為各種形態，之後，在其上、下表面層疊規定枚數的沒有印刷導體圖案的厚度10m的電介質生片。接著，進行橡膠模衝壓，其後切斷成所要的尺寸，以形成陶瓷主體成型體。接著，把已經製作的陶瓷主體成型體，在還原氣氛中用1250~1280℃溫度進行燒成，進行滾筒研磨而在端面形成銅的外部電極，以製作第一、二圖所示的晶片型電子零件。表1中示出所獲得的每一個電子零件的陶瓷主體的形狀。

而且，使內部的導體圖案的印刷面積改變，以調製浮出到陶瓷主體側面的色調。另外，作為比較例的試樣No.1‧8是只層疊模型D的生片而形成的。

對已經製作的晶片型電子零件，用以下所示的方法評價色調差、膨脹率、曲率半徑和破壞強度。在表1中示出評價結果。另外，試樣數在所有評價中為10個。

色調差

利用色差計評價了陶瓷主體層疊方向的表面(第一圖所示的面9a)及其側面(第一圖所示的面9b)之間的色調差。這種情況下，色調差為20%以上就認為有色調差。

膨脹率

如第四圖所示，在將陶瓷主體的導體層的層疊方向最長長度設為a1、將沒有露出導體層的陶瓷主體側面的層疊方向長度設為b1時，層疊方向的膨脹率x1用公式x1={(a1-b1)/b1}×100來表示。另外，在將導體部延長方向且沒有露出陶瓷主體的導體部方向的寬度方向最短長度設為d、將相同方向的陶瓷主體1的端部之間的長度設為c時，層疊方向的垂直方向的膨脹率y用y={(d-c)/c}×100來表示。在這一次的評價中，在分別測量了兩面的膨脹率的情況下，將這些的平均值作為膨脹率。

曲率半徑

曲率半徑r1是用電子顯微鏡攝影已經製作完的陶瓷主體的研磨之後的剖面，利用該照片，使用圓規(compass)來測量。

破壞強度

利用自動繪圖儀(autograph)來測量破壞強度。

由表1可知：在把陶瓷主體的至少一個面作為彎曲面的試樣No.I-1~7中，破壞強度為430Mpa以上，特別是將陶瓷主體的相對向的表面彎曲為凹凸狀的試樣No.I-1~3、5~7中，破壞強度為470Mpa以上。另外，在陶瓷主體的尺寸為2×1×1.8mm3、層疊方向的膨脹率為5%以上、寬度方向的膨脹率為-5%以上(負的情況下，絕對值大)、曲率半徑在上、下表面中為52mm以下、在側面為55mm的如下的No.I-1~3、6中，其破壞強度為500Mpa以上。對此，在層疊方向和寬度方向的膨脹率都為0(曲率半徑不能測量)的試樣No.I-8中，其破壞強度降低至390Mpa。

另外，在具有彎曲表面的No.I-1~3、5~7中，和表面全部平坦的試樣No.I-8相比，增加了陶瓷主體表面的面積。由此，至少1.1倍以上的大的印字成為可能，提高了晶片零件的視覺辨識性。

實施例Ⅱ

晶片型電子零件的製作

基本上製作第六圖所示結構的晶片型電子零件並進行評價。首先，和實施例I同樣，製作了第十圖所示的模型E、F的電介質生片。

接著，層疊模型E、F的生片，以成為各種形態，在其上、下以少於實施例I的枚數層疊沒有印刷導體圖案的電介質生片之後，進行橡膠模衝壓。然後，切斷成所要的尺寸，而形成陶瓷主體成型體。接著，和實施例I同樣，進行燒成，進行滾筒研磨，接著，形成外部電極，以製作第六、七圖所示的晶片型電子零件。在表2中示出所獲得的每一個電子零件的陶瓷主體的形狀。

另外，作為比較例的試樣No.Ⅱ-8是只層疊模型F的生片而形成的。

對於已經製作完的晶片型電子零件，和實施例I同樣，評價了色調差、層疊方向的膨脹率、曲率半徑(r2)和破壞強度。在表2中示出這些評價結果。另外，在所有評價中試樣數為10個。

由表2可知：在使陶瓷主體表面彎曲的本發明的試樣No.Ⅱ-1~7中，破壞強度為460Mpa以上。另外，在層疊方向的膨脹率為5.1%以上、曲率半徑為4.2~4.9mm的試樣No.Ⅱ-1~6中，破壞強度變為522Mpa以上；並且，雖然是相同層數但覆蓋層的厚度薄而具備色調差的試樣的破壞強度低於沒有色調差的試樣的破壞強度。

對此，在層疊方向的膨脹率為0(曲率半徑不可測定)的本 發明之外的試樣No.Ⅱ-8中，破壞強度降低至400Mpa。

另外，在具有彎曲表面的No.Ⅱ-1~7中，和表面全部平坦的試樣No.Ⅱ-8相比，陶瓷主體表面的面積增加，由此，至少1.1倍以上的大的印字變為可能，提高了晶片零件的視覺辨識性。

實施例Ⅲ

晶片型電子零件的製作

基本上製作了第十一圖所示結構的晶片型電子零件並進行評價。首先，和實施例I同樣，製作了第十三圖所示的模型G、H的電介質生片。

接著，層疊模型G、H的生片，以便成為各種形態，在其上、下層疊沒有印刷導體圖案的電介質生片之後，進行橡膠模衝壓。然後，切斷成為所要的尺寸，而形成陶瓷主體成型體。接著，和實施例I同樣，燒成成型體，進行滾筒研磨。接著，在兩個端面上，以表3所示的厚度形成銅的外部電極，以製作第十一、十二圖所示的晶片型電子零件。在此，外部電極的厚度由銅糊的黏度來調整。表3中的外部電極的厚度是用第十一圖的(t0-t1)/2來表示的值。

另外，作為比較例的試樣No.Ⅲ-8是只層疊模型H的生片而形成的。

對已經製作的晶片型電子零件，和實施例I同樣，評價色調差、曲率半徑(r3)和破壞強度，並且，用以下所示的方法實施層疊方向的膨脹率(x3)和落下試驗的評價。在表3中示出這些評價結果。另外，在所有評價中試樣數為10個。

層疊方向的膨脹率

如第十一圖所示，在垂直於內部電極延長方向的面的中央部附近的層疊方向最大長度為t、陶瓷主體端部的層疊方向長度為t1時，陶瓷主體層疊方向的膨脹率x3用公式x3={(t-t1)/t1}×100來表示。

在這次的評價中，在測量了相對向的面的情況下，取兩 個面的平均值。

落下試驗

落下試驗是從高度1m向混凝土塊落下試樣之後，觀察落下後的外部電極的狀態，來評價有無缺陷或裂紋。

由下面的表3的結果可知：在試樣No.Ⅲ-1~7中，破壞強度為155Mpa以上，落下試驗中的廢品率為0.3%以下。

另外，在層疊方向的膨脹率為5%以上、曲率半徑為89mm的試樣No.Ⅲ-1~6中，破壞強度為187Mpa以上，落下試驗中的廢品率為0.1%以下；另外，在外部電極的厚度為4mm、陶瓷主體層疊方向厚度t大於相同方向外部電極的寬度t0的試樣No.Ⅲ-1~4中，破壞強度進一步提高，落下試驗中的廢品率降低。對此，在層疊方向的層疊方向膨脹率為0(曲率半徑不能測定)的試樣No.Ⅲ-8中，破壞強度降低至132Mpa，落下試驗中的廢品率上升到0.8%。

在試樣No.Ⅲ-1~7中，和表面全部平坦的試樣No.Ⅲ-8相比，陶瓷主體表面的面積增加，由此，至少1.1倍以上的大的印字變為可能，提高了晶片零件的視覺辨識性。

1‧‧‧陶瓷主體

3‧‧‧外部電極

9a、9b‧‧‧彎曲面

Claims (8)

1. 一種晶片型電子零件，其中由陶瓷製成的絕緣層與導體層交替層疊而成的陶瓷主體構成，其特徵在於，與所述陶瓷主體的層疊方向交叉的上表面及下表面中的至少一個面構成彎曲成凸狀的彎曲面，並且從多個所述導體層之中最靠近彎曲面側的所述導體層到所述彎曲面的最厚部分為止的距離要比從多個所述導體層的端部到所述陶瓷主體的側面位置的最窄部分的距離還小。
2. 依據申請專利範圍第1項所述的晶片型電子零件，其特徵在於，所述側面彎曲為凹狀。
3. 依據申請專利範圍第1或2項所述的晶片型電子零件，其特徵在於，所述彎曲面和所述側面為不同的色調。
4. 依據申請專利範圍第1項所述的晶片型電子零件，其特徵在於，所述彎曲面形成為沿著與所述陶瓷主體的長度方向改變厚度。
5. 依據申請專利範圍第1~4項中任一項所述的晶片型電子零件，其特徵在於，所述陶瓷主體的體積為8mm³以下。
6. 依據申請專利範圍第1項所述的晶片型電子零件，其特徵在於，所述彎曲面的曲率半徑為50mm以下。
7. 依據申請專利範圍第1項所述的晶片型電子零件，其特徵在於，所述側面的曲率半徑為50mm以下。
8. 依據申請專利範圍第1項所述的晶片型電子零件，其特徵在於，所述彎曲面形成為沿著與所述陶瓷主體的層疊方向垂直的方向、即寬度方向改變厚度。