JP3922436B2 - 積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法、及び、積層セラミック電子部品の製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置に関する。更に詳しくは、静水圧による等方向加圧技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
積層コンデンサ、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタ、積層圧電(電歪)素子などの電子部品は、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシート(未焼成セラミックシート)を所定枚数積層して積層体を構成し、積層体をラミネート(加熱圧縮一体化)し、その後、切断し、脱脂し、焼成する工程を経て製造される。
【0003】
ラミネート前の積層体は、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートが積層された状態であるから、内部電極が備えられている部分と、内部電極が備えられていない部分との間に、密度差がある。この密度差は、焼成後の積層体の形状歪みや構造欠陥の原因となり、素体のポア、デラミネーション等の内部欠陥、外観不良、ショート不良等を引き起こし、歩留りの低下、及び、信頼性の低下を招く。
【0004】
そこで、この問題を解決する手段として、ラミネート工程において、積層体に静水圧を等方向加圧することにより、積層体の内部の密度を均一にする技術が知られている。この種の技術としては、常温で静水圧を加圧するCIP(Cold Isostatic Pressing)や,高温で静水圧を加圧するWIP(Warm Isostatic Pressing)等がある。
【0005】
例えば、特開平8−255728号公報は、積層体をポリエチレンなどのプラスチックフイルムのパックに入れて、真空で熱シールすることにより密閉し、その後に60〜85℃の温度で(100〜300)×9.8×104Paの静水圧を等方向加圧する技術を開示している。
【0006】
しかし、特開平8−255728号公報に記載の技術では、積層体の形状が大きく歪むので、十分な静水圧(例えば、300×(9.8×104Pa)以上)を加えることができず、構造欠陥の発生を十分に抑えることができなかった。
【0007】
別の先行技術として、特開平11−40457号公報は、支持基板上に配置した積層体を密閉し、1000×(9.8×104Pa)以上の静水圧を加える技術を開示している。
【0008】
しかし、特開平11−40457号公報に記載の技術は、積層体の下に支持基板を配置した状態で加圧しているので、積層体の上側のみに大きな静水圧が印加され、積層体の歪みが上側に集中する。
【0009】
このため、積層体の上側のみが大きく歪むので、上側において構造欠陥が生じ易くなるという問題があった。また、積層体の上側のみが大きく歪むので、上下面の対称性が著しく悪くなり、外観不良が発生するという問題もあった。
【0010】
特に、チップ積層コンデンサのような積層型電子部品を多層、薄層化して大容量化を図る際には、誘電体層の厚みが従来の5μmから1〜2μmに薄層化され、内部電極の厚みが、従来の2μmから、0.3〜1μmに薄層化され、積層数が500〜1000層に増加される。このため、内部電極が形成されている部分と形成されていない部分との間での密度差が大きくなり、その密度差が元で、形状の歪みや、内部に発生する構造欠陥が多数発生するようになった。
【0011】
このため、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大(例えば、300〜500層以上)すると同時に、セラミックグリーンシートを内部電極と同程度に薄く(例えば、2μm以下)することにより、小型化と大容量化とを図った場合には、内部電極が形成されている部分と、形成されていない部分との間の密度差が非常に大きくなり、積層体の上側の歪みや構造欠陥が著しく大きくなっていた。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、構造欠陥の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することである。
【0013】
本発明のもう一つの課題は、外観不良の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することである。
【0014】
本発明の更にもう一つの課題は、作業性に優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【0015】
本発明の更にもう一つの課題は、本発明の積層セラミック電子部品の製造に適した、積層セラミック電子部品の製造装置を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は、積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法、及び、積層セラミック電子部品の製造装置を開示する。
【0017】
1.積層セラミック電子部品
本発明の積層セラミック電子部品は、セラミック基体と、内部電極とを含む。
【0018】
内部電極は、複数であり、それぞれは、セラミック基体の厚み方向に間隔を隔てて、その内部に層状に埋設されている。
【0019】
セラミック基体の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極と、下側に備えられた内部電極とは、互いに反対方向に湾曲している。
【0020】
上述した本発明の積層セラミック電子部品によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【0021】
まず、内部電極は、複数であり、セラミック基体の内部に、層状に備えられている。このため、セラミック基体の有する特性に応じた各種のセラミック電子部品を得ることができる。たとえば、誘電体セラミック基体を用いた場合には積層コンデンサ、フェライトでなるセラミック基体を用いた場合には、積層インダクタ、電圧非直線性セラミック基体を用いた場合には積層バリスタ、圧電セラミック基体を用いた場合は積層圧電(電歪)素子など、各種のセラミック電子部品を得ることができる。
【0022】
セラミック基体の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極は、下側に備えられた内部電極と反対方向に湾曲しているので、湾曲が上側と下側とに分散される。このため、上側又は下側の一方のみが湾曲する場合よりも、歪み量が略1/2になるので、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【0023】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大(例えば、500層以上)すると同時に、セラミックグリーンシートを内部電極と同程度に薄く(例えば、2μm以下)することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、歪み量が略1/2になるので、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【0024】
2.積層セラミック電子部品の製造方法
本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、内部電極を介してセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する。そして、積層体を密閉化した後、これを、少なくとも2つの支持基板の間に配置する。支持基板は、導水路を含み、導水路は、外部から積層体を支持する面まで導かれている。そして、導水路及び支持基板を介して、積層体に静水圧を加える。
【0025】
上述した本発明の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【0026】
まず、積層体を密閉化しているので、静水圧を加えるための水等の媒体が積層体の内部に侵入することがない。
【0027】
次に、密閉化された積層体を少なくとも2つの支持基板間に配置し、積層体に静水圧を加えるから、静水圧が積層体の両面にほぼ対称的に印加される。したがって、積層体に歪みや、反り等の不具合が生じにくなる。このため、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【0028】
しかも、支持基板は、導水路を含み、導水路は、外部から積層体を支持する面まで導かれている。このため、支持基板のみならず、導水路を介しても、積層体に静水圧が加えられる。すなわち、積層体の上下面のうち、支持基板に接している部分は、支持基板から受ける静水圧によって加圧され、また、導水路に接している部分は、導水路を通って印加される静水圧によって加圧される。このため、積層体に対する静水圧の対称性が一層向上し、積層体における歪みや、反り等の不具合の発生が、更に効果的に抑制される。
【0029】
また、上述した静水圧印加作用により、例えば、超高圧(500〜5000)×9.8×104Paを加えることも可能になる。内部電極、及び、セラミックグリーンシートが薄くなり(例えば、2μm以下)、変形しやすくなった場合でも、超高圧(500〜5000)×9.8×104Paを加えることができる。
【0030】
更に、上述したように、静水圧が積層体の両面にほぼ対称的に印加されるから、一枚の支持基板上に積層体を配置した従来技術との対比において、積層体の歪み量が略1/2になる。このため、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【0031】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大(例えば、500層以上)すると同時に、セラミックグリーンシートを内部電極と同程度に薄く(例えば、2μm以下)することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【0032】
積層体に静水圧を等方向加圧する方法としてWIPを用いた場合には、積層体のセラミックグリーンシートを形成する有機バインダーが柔らかくなるので、セラミックグリーンシートと内部電極との境界面まで十分に加圧することが可能となる。このため、構造欠陥の発生を更に抑えることができる。
【0033】
WIPを施す場合の加熱温度は、有機バインダの主成分のガラス転移点(転移点が定かで無い場合は軟化点)よりも60℃低い温度からガラス転移点よりも30℃高い温度の範囲が好ましい。
【0034】
このような加熱温度を用いた場合は、加熱温度が低すぎないので、有機バインダが十分に柔らかくなり、等方向加圧の効果が十分に出る。また、加熱温度が高すぎないので、積層体に含まれている溶剤がガス化し、デラミネーション等の構造欠陥を発生させることがない。更に、加熱温度が高すぎないので、有機バインダが柔らかくなりすぎず、積層体の変形量を所定範囲内に抑えることができ、次の切断工程で、歩留まりの低下を抑えることができる。
【0035】
3.積層セラミック電子部品の製造装置
本発明の積層セラミック電子部品を製造する装置は、第1の支持基板と、第2の支持基板と、結合部材とを含む。
【0036】
第1の支持基板及び第2の支持基板は、導水路を有し、互いに対向している。導水路は、第1の支持基板、及び、第2の支持基板の互いに対向する面まで導かれている。結合部材は、第1の支持基板及び第2の支持基板を結合している。
【0037】
この製造装置は、本発明に係る製造方法の実施に直接用いることができる。
【0038】
【発明の実施の形態】
1.積層セラミック電子部品
図1は本発明に係る積層セラミック電子部品の正面断面図、図2は図1の2−2断面図である。図1、図2に示した積層セラミック電子部品は、積層コンデンサである。本発明に係る積層セラミック電子部品は、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタ、積層圧電(電歪)素子などであってもよい。
【0039】
図1において、本実施例に係る積層セラミック電子部品は、セラミック基体11と、内部電極201、202と、外部電極221、222とを含む。外部電極221、222は、セラミック基体11の側面に備えられている。セラミック基体11は、上面213の形状と下面214の形状とが、ほぼ等しく、太鼓形状である。
【0040】
内部電極201、202は、例えば500本(図1においては、10本)であり、セラミック基体11の内部に埋設され、端部が細くなっている。内部電極201は外部電極221に接続され、内部電極202は外部電極222に接続されている。内部電極201、202は、交互に配置され、セラミック基体11の厚み方向に間隔を隔てて層状に備えられている。例えば、内部電極201、202は、500層(図1においては、10層)である。
【0041】
セラミック基体11の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極201、202は、下側に備えられた内部電極201、202とは互いに反対方向に湾曲している。好ましくは、上側に備えられた内部電極201、202は、下側に備えられた内部電極201、202と、ほぼ対称形状であり、弧状に湾曲し、凹曲面が向きあっている。
【0042】
セラミック基体11において、内部電極201、202が形成された部分は、内部電極201、202の分だけ、内部電極201、202が形成されていない部分よりも厚くなる。例えば、内部電極201、202の厚みをb、内部電極201、202間の厚みをaとすると、セラミック基体11の厚み方向の中心からn層目の厚みは、内部電極201、202が形成されていない部分がna、内部電極201、202が形成された部分がn(a+b)となる。したがって、セラミック基体11の厚み方向の中心からn層目の内部電極201、202の湾曲の大きさは、nbとなる。この湾曲の大きさは、セラミック基体11の厚み方向の中心から離れるほど大きくなる。
【0043】
図示実施例に示すように、内部電極201、202は、複数であり、セラミック基体11の内部に、層状に備えられている。このため、セラミック基体11の有する特性に応じた各種のセラミック電子部品を得ることができる。たとえば、誘電体セラミック基体を用いた場合には積層コンデンサ、フェライトでなるセラミック基体を用いた場合には、積層インダクタ、電圧非直線性セラミック基体を用いた場合には積層バリスタ、圧電セラミック基体を用いた場合は積層圧電(電歪)素子など、各種のセラミック電子部品を得ることができる。
【0044】
セラミック基体11の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極201、202は、下側に備えられた内部電極201、202と反対方向に湾曲しているので、湾曲が上側と下側とに分散される。このため、上側又は下側の一方のみが湾曲する場合よりも、歪み量が略1/2になるので、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【0045】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体3の積層数を増大(例えば、500層以上)すると同時に、セラミックグリーンシート1を内部電極201、202と同程度に薄く(例えば、2μm以下)することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、歪み量が略1/2になるので、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【0046】
2.積層セラミック電子部品の製造装置
図3は本発明に係る積層セラミック電子部品の製造装置の正面図である。図3において、積層セラミック電子部品の製造装置8は、第1の支持基板41と、第2の支持基板42と、結合部材61とを含む。第1の支持基板41と第2の支持基板42とは、互いに対向している。結合部材は、第1の支持基板及び第2の支持基板を結合している。図示実施例では、更に、弾性部材62を含んでいる。
【0047】
図4は図3に示した製造装置に含まれる第1及び第2の支持基板の平面図、図5は図4に示した第1及び第2の支持基板の正面断面図である。第1の支持基板41は、図4及び図5に示すように、導水路415と、取り付け用孔411〜414とを有する。第2の支持基板42は、導水路425と、取り付け用孔421〜424とを有する。
【0048】
導水路415(425)は、第1の支持基板41又は第2の支持基板42の厚み方向に貫通する円形の孔であり、第1の支持基板41及び第2の支持基板42の互いに対向する面まで導かれている。
【0049】
再び図3において、結合部材61は、棒状であり、取り付け用孔411〜414、421〜424に挿入され、ストッパー611で固定されている。弾性部材62は、第1の支持基板41、及び、第2の支持基板42の少なくとも一方をバネ押圧する。これにより、第1の支持基板41と第2の支持基板42との間に備えられる積層体には、一軸加圧P1が施される。
【0050】
支持基板41、42は、例えば、5000×(9.8×104Pa)の静水圧に対しても形状変化が5%以内に納められるような剛性を有することが望ましい。また、支持基板41、42は、多孔質の焼結金属、金属網、セラミックまたは硬質プラスチックで構成することが好ましい。
【0051】
図6は図3に示した製造装置に含まれる第1及び第2の支持基板の平面図、図7は図6に示した第1及び第2の支持基板の正面断面図である。図6、図7において、図3乃至図5に現われた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0052】
図6、図7において、導水路415(425)は、第1(第2)の支持基板41(42)の厚み方向に貫通する菱形の孔である。
【0053】
図8は図3に示した製造装置に含まれる第1及び第2の支持基板の平面図、図9は図8に示した第1及び第2の支持基板の正面断面図である。図8、図9において、図3乃至図5に現われた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0054】
図8、図9において、導水路415(425)は、第1(第2)の支持基板41(42)に設けられた凹溝である。
【0055】
上述した本実施例の積層セラミック電子部品の製造装置は、棒状の結合部材61が、取り付け用孔411〜414、421〜424に挿入されている。このため、第1の支持基板41及び第2の支持基板42をスライドさせることにより、第1の支持基板41と第2の支持基板42との間に積層体を確実に保持できる。また、弾性部材62を用いて、積層体に一軸加圧P1を施すこともできる。
【0056】
3.積層セラミック電子部品の製造方法
次に上述した製造装置を用いた積層セラミック電子部品の製造方法について図10〜図17を参照して、詳しく説明する。
【0057】
本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、まず、図10に示すように、下部保護層110の上に、内部電極201、202を有するセラミックグリーンシート1を複数枚積層し、最後に、上部保護層120を積層する。セラミックグリーンシート1は、例えば、平面積200mm×200mm、厚さ4μmである。例えば、セラミックグリーンシート1は、500枚積層される。
【0058】
図10に示した積層工程を経ることにより、図11に示すように、下部保護層110、セラミックグリーンシート1、及び、上部保護層120が積層され、積層体3が形成される。この積層体3は、例えば、一軸油圧プレスを用いて、100×(9.8×104Pa)で加圧し、予備プレスすることが望ましい。予備プレスを行なうと、1000×(9.8×104Pa)以上の超高圧でCIP処理を行なった場合でも、積層体自身の歪みや変形等の発生がなく、後の切断工程におけるパターンズレによる特性不良や、焼成時におけるデラミネーション等の発生を防止し、高品質の積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【0059】
また、積層体3は、積層工程において、上側の層と、下側の層とを別々に積層し、上側の層の上下面を反転させて下側の層に重ね合せることが更に好ましい。このように積層することにより、積層体3は、予備プレス後の上下方向の密度分布が対称となる。このため、CIP処理による積層体3の反りや変形を更に防ぐことができる。
【0060】
次に、図12に示すように、積層体3を、包装用フイルム6で覆う。包装用フイルム6としては、例えば、ポリエチレン、サランラップ(登録商標)等の有機材料を用いることができる。
【0061】
次に、図13に示すように、包装用フィルム6を真空密閉することにより、積層体3に包装用フィルム6密着させ、真空包装体7を得る。
【0062】
次に、図14に示すように、積層セラミック電子部品の製造装置8(図3参照)を用意し、密閉化した積層体3を支持基板41−42の間に配置する。積層体3の上下面には、支持基板41、42から一軸加圧P1が加えられる。この一軸加圧P1は、上述した予備プレス(100×(9.8×104Pa))よりも小さい圧力であることが好ましい。
【0063】
次に、CIPを施す。図14において、金型92は、加圧媒体となる水93を収納する受け金型であり、金型91は、加圧用金型である。真空包装体7、及び、積層セラミック電子部品の製造装置8は、金型92内に収納され、金型91から等方向加圧(静水圧)P2が加えられる。これにより、積層体3の上下面は、導水路415、425及び支持基板41、42を介して、加圧される。すなわち、積層体の上下面のうち、支持基板41、42に接している部分は、支持基板41、42からP1+P2で加圧され、導水路415、425に接している部分は、導水路415、425からP2で加圧される。本発明において、静水圧は、(500〜5000)×9.8×104Paであることが好ましい。本実施例において、静水圧は1000×(9.8×104Pa)である。
【0064】
次に、図15に示すように、真空包装体7から積層体3を取り出す。この積層体3に対しては、更に、切断、焼成工程等が施され、図1に示した積層セラミック電子部品が製造される。CIPを施した後の工程は周知であるので、説明は省略する。
【0065】
図16、図17は、積層体が加圧される様子を示すイメージ図である。図16は、本実施例の積層セラミック電子部品の製造方法を用いたものであり、図17は、特開平11−40457号公報に記載の技術を用いたものである。図16、図17において、一点鎖線は、セラミックグリーンシート1の変形を示している。
【0066】
図16に示すように、本実施例の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、湾曲が上側と下側とに分散されので、上側のみが湾曲する図17に示した製造方法と比べて、歪み量が略1/2になる。
【0067】
上述した本実施例の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【0068】
まず、積層体3を密閉化しているので、静水圧P2を加えるための水93等の媒体が積層体の内部に侵入することがない。
【0069】
次に、密閉化された積層体3を少なくとも2つの支持基板41−42の間に配置し、積層体3に静水圧P2を加えるから、静水圧P2が積層体3の両面にほぼ対称的に印加される。したがって、積層体3に歪みや、反り等の不具合が生じにくなる。このため、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【0070】
しかも、支持基板41、42は、導水路415、425を含み、導水路415、425は、外部から積層体3を支持する面まで導かれている。このため、支持基板41、42のみならず、導水路415、425を介しても、積層体3に静水圧P2が加えられる。すなわち、積層体3の上下面のうち、支持基板41、42に接している部分は、支持基板41、42から受ける静水圧P2によって加圧され、また、導水路415、425に接している部分は、導水路415、425を通って印加される静水圧P2によって加圧される。このため、積層体3に対する静水圧P2の対称性が一層向上し、積層体3における歪みや、反り等の不具合の発生が、更に効果的に抑制される。
【0071】
また、上述した静水圧印加作用により、例えば、超高圧(500〜5000)×9.8×104Paを加えることも可能になる。内部電極201、202、及び、セラミックグリーンシート1が薄くなり(例えば、2μm以下)、変形しやすくなった場合でも、超高圧(500〜5000)×9.8×104Paを加えることができる。
【0072】
更に、上述したように、静水圧P2が積層体3の両面にほぼ対称的に印加されるから、一枚の支持基板41、42上に積層体3を配置した従来技術との対比において、積層体3の歪み量が略1/2になる。このため、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【0073】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大(例えば、500層以上)すると同時に、セラミックグリーンシート1を内部電極201、202と同程度に薄く(例えば、2μm以下)することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【0074】
積層体3に静水圧P2を等方向加圧する方法としてWIPを用いた場合には、積層体のセラミックグリーンシート1を形成する有機バインダーが柔らかくなるので、セラミックグリーンシート1と内部電極201、202との境界面まで十分に加圧することが可能となる。このため、構造欠陥の発生を更に抑えることができる。
【0075】
WIPを施す場合の加熱温度は、有機バインダの主成分のガラス転移点(転移点が定かで無い場合は軟化点)よりも60℃低い温度からガラス転移点よりも30℃高い温度の範囲が好ましい。
【0076】
このような加熱温度を用いた場合は、加熱温度が低すぎないので、有機バインダが十分に柔らかくなり、等方向加圧の効果が十分に出る。また、加熱温度が高すぎないので、積層体に含まれている溶剤がガス化し、デラミネーション等の構造欠陥を発生させることがない。更に、加熱温度が高すぎないので、有機バインダが柔らかくなりすぎず、積層体の変形量を所定範囲内に抑えることができ、次の切断工程で、歩留まりの低下を抑えることができる。
【0077】
更に、積層体3の上下面が歪むことにより、積層体3の上下面に凹凸が生じた場合には、支持基板41、42が積層体3の上下面に生じた凸部と接し、凸部に一軸加圧P1を与えることになる。このため、単に静水圧P2を加えた場合よりも、積層体3の上下面に生じる凸凹が低減し、外観不良が更に低減する。また、次の切断工程で、歩留まりの低下を抑えることができる。
【0078】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
(A)構造欠陥の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することができる。
(B)外観不良の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することができる。
(C)作業性に優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
(D)本発明の積層セラミック電子部品の製造に適した、積層セラミック電子部品の製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る積層セラミック電子部品の正面断面図である。
【図2】図1の2−2断面図である。
【図3】本発明に係る積層セラミック電子部品の製造装置の正面図である。
【図4】図3に示した第1(第2)の支持基板の平面図である。
【図5】図3に示した第1(第2)の支持基板の正面断面図である。
【図6】図3に示した第1(第2)の支持基板の別の平面図である。
【図7】図3に示した第1(第2)の支持基板の別の正面断面図である。
【図8】図3に示した第1(第2)の支持基板の更に別の平面図である。
【図9】図3に示した第1(第2)の支持基板の更に別の正面断面図である。
【図10】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法の工程を説明する図である。
【図11】図10に示した工程を経て得られた積層体を示す図である。
【図12】図10に示した工程の後の工程を示す図である。
【図13】図12に示した工程の後の工程を示す図である。
【図14】図13に示した工程の後の工程を示す図である。
【図15】図14に示した工程の後の工程を示す図である。
【図16】積層体が加圧される様子を示すイメージ図である。
【図17】積層体が加圧される様子を示す別のイメージ図である。
【符号の説明】
11 セラミック基体
201、202 内部電極
221、222 外部電極
213 上面
214 下面
Claims (10)
- 第1の支持基板と、第2の支持基板と、結合部材とを含み、積層セラミック電子部品を製造するために用いられる装置であって、
前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板は、その面内に、厚み方向に貫通する多数の孔からなる導水路を有し、互いに対向しており、
前記結合部材は、前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板を結合する、
積層セラミック電子部品の製造装置。 - 請求項1に記載された製造装置であって、前記支持基板は、網状である製造装置。
- 請求項1又は2に記載された製造装置であって、前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板は、取り付け用孔を含み、前記結合部材は、棒状であり、前記取り付け用孔に挿入されている製造装置。
- 第1の支持基板と、第2の支持基板と、結合部材と、弾性部材とを含み、積層セラミック電子部品を製造するために用いられる装置であって、
前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板は、導水路を有し、互いに対向しており、
前記導水路は、前記第1の支持基板、及び、前記第2の支持基板の互いに対向する面まで導かれており、
前記結合部材は、棒状であり、前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板に設けられた取り付け用孔に挿入され、一端がストッパーにより前記第1の支持基板に固定され、
前記弾性部材は、前記第2の支持基板をバネ押圧するように、前記結合部材に取り付けられ、前記第1の支持基板と前記第2の支持基板との間に備えられる積層体に、一軸加圧が加えられる、
積層セラミック電子部品の製造装置。 - 請求項4に記載された製造装置であって、前記支持基板は、網状である製造装置。
- 積層セラミック電子部品の製造方法であって、
内部電極を介してセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、
前記積層体を密閉化した後、製造装置を用いて、前記積層体に静水圧を加える工程を含み、
前記製造装置は、第1の支持基板と、第2の支持基板と、結合部材とを含み、
前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板は、厚み方向に貫通する多数の孔からなる導水路を有し、互いに対向しており、
前記結合部材は、前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板を結合しており、
前記積層体を、前記第1の支持基板と前記第2の支持基板との間に挟み込み、前記導水路及び前記支持基板を介して、前記積層体に静水圧を加え、前記積層体に対して、一軸加圧を加える、
工程を含む積層セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項6に記載された製造方法であって、前記支持基板は、網状である製造方法。
- 請求項6又は7に記載された製造方法であって、前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板は、取り付け用孔を含み、前記結合部材は、棒状であり、前記取り付け用孔に挿入されている製造方法。
- 積層セラミック電子部品の製造方法であって、
内部電極を介してセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、
前記積層体を密閉化した後、製造装置を用いて、前記積層体に静水圧を加える工程を含み、
前記製造装置は、第1の支持基板と、第2の支持基板と、結合部材と、弾性部材とを含み、
前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板は、導水路を有し、互いに対向しており、
前記導水路は、前記第1の支持基板、及び、前記第2の支持基板の互いに対向する面まで導かれており、
前記結合部材は、棒状であり、前記第1の支持基板及び前記第2の支持基板に設けられた取り付け用孔に挿入され、一端がストッパーにより前記第1の支持基板に固定され、
前記弾性部材は、前記第2の支持基板をバネ押圧するように、前記結合部材に取り付けられ、
前記積層体を、前記第1の支持基板と前記第2の支持基板との間に挟み込み、前記導水路及び前記支持基板を介して、前記積層体に静水圧を加える、
工程を含む積層セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項9に記載された製造方法であって、前記支持基板は、網状である製造方法。
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