TW201320235A - 靜電夾盤 - Google Patents

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TW201320235A
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Valentin Todorow
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Abstract

在此提供靜電夾盤的實施例。在一些實施例中，一種用於支撐與保持具有給定寬度的基材的靜電夾盤可包括：介電構件，具有支撐表面，該支撐表面設置以支撐具有一給定寬度的基材；一電極，配置在該介電構件內位於該支撐表面下方，並且從該介電構件的中心向外延伸至超過該基材的外周邊的區域，該外周邊由該基材之該給定寬度所界定；RF電源，耦接該電極；以及DC電源，耦接該電極。

Description

靜電夾盤
本發明的實施例大體上關於半導體的處理。
發明人已觀察到，用於在電漿處理腔室(例如蝕刻腔室)中固定基材的習知靜電夾盤可能會於基材邊緣附近產生製程的不均勻。這樣的製程不均勻一般是因用於製造靜電夾盤的部件(例如處理套組)的材料與基材的電性質與熱性質有所差異而引發。再者，發明人已觀察到，習知的靜電夾盤一般在基材上方產生不均勻的電磁場，該不均勻的電磁場引發待形成的電漿具有一種電漿鞘(plasma sheath)，該電漿鞘於基材邊緣附近朝向基材偏折(bend)。發明人已進一步發現，此般電漿鞘的偏折導致轟擊基材的離子軌道(trajectory)在基材邊緣附近相較於基材中央有所差異，因而引發基材的不均勻蝕刻，故影響整體臨界尺寸的均勻性。
因此，發明人已提供一種改良的靜電夾盤。
在此提供靜電夾盤的實施例。在一些實施例中，一種用於支撐與保持具有給定寬度的基材的靜電夾盤可包括：介電構件，具有支撐表面，該支撐表面設置以支撐 具有給定寬度的基材；電極，配置在該介電構件內位於該支撐表面下方，並且從該介電構件的中心向外延伸至超過該基材的外周邊的區域，該外周邊由該基材之該給定寬度所界定；RF電源，耦接該電極；以及DC電源，耦接該電極。
一些實施例中，一種用於支撐與保持具有給定寬度的基材的靜電夾盤可包括：第一電極，配置在靜電夾盤的介電構件內且通過中央軸線，該中央軸線垂直該靜電夾盤的支撐表面；第二電極，配置在該介電構件內並且配置成至少部分位在該第一電極的徑向上外側處，其中該第二電極徑向向外延伸至超過該基材的外周邊的區域，該外周邊由該基材之該給定寬度所界定；各耦接該第一電極的RF電源與DC電源；以及耦接該第二電極的RF電源。
下文中描述本發明的其他與進一步之實施例。
本發明的實施例提供用於處理基材的靜電夾盤。本發明之靜電夾盤可有利地助於在電漿處理製程(例如蝕刻製程)期間於配置在靜電夾盤頂上的基材上方產生均勻的電磁場，從而減少或消除基材上方形成的電漿之電漿鞘的偏折，故防止基材的不均勻蝕刻。本發明的靜電夾盤可進一步有利地在基材邊緣附近提供均勻的溫度梯 度，因此減少與溫度相關的製程不均勻，並且相較於習知上所用的靜電夾盤提供改良的臨界尺寸均勻性。發明人已觀察到本發明的設備在許多應用中特別實用，這些應用諸如32 nm節點技術(及以下)的元件之製造上所用的蝕刻製程的腔室，該蝕刻製程例如矽或導體蝕刻製程或類似製程，該些應用或諸如為圖案化製程，例如雙重圖案化或多重應用，但範疇非以此為限。
第1圖描繪根據本發明一些實施例的具有靜電夾盤的說明性處理腔室100。該處理腔室100可包含腔室主體102，該腔室主體102具有基材支座108，該基材支座108包含靜電夾盤109以保持基材110且在一些實施例中施授溫度分佈曲線給予基材110。示範性處理腔室可包括DPS®、ENABLER®、SIGMATM、ADVANTEDGETM、或類似處理腔室，這些腔室可購自美國加州的Santa Clara的應用材料公司。應考慮其他適合的腔室可合適地根據在此提供的教示進行修飾，所述其他適合的腔室包括購自其他販售商的腔室。雖然將處理腔室100描述成具有特殊配置方式，然而此述的靜電夾盤也可用在具有其他配置方式的處理腔室中。
腔室主體102具有內部空間107，該內部空間可包括處理空間104與排放空間106。該處理空間104可被界定在例如基材支座108與一或更多個氣體入口之間，該基材支座108配置在該處理腔室102內，用於在處理期間於該基材支座108上支撐基材110，該一或更多個氣 體入口諸如為噴頭114及/或噴嘴，設置在期望的位置處。
基材110可經由腔室主體102的壁中的開口112進入處理腔室100。該開口112可經由狹縫閥118或其他機構選擇性密封，以選擇性提供穿過開口112進出處理腔室100之內部。基材支座108可耦接舉升機構134，該舉升機構134可將基材支座108的位置控制在下方位置(如圖所示)及可選擇的上方位置之間，該下方位置適合用於將基材經由開口112傳送進出腔室，而該上方位置適合用於處理。該處理位置可經選擇以使用於特定處理步驟的製程均勻性最大化。當在升高的處理位置的至少一者時，基材支座108可配置在開口112上方以提供對稱的處理區域。
該一或更多個氣體入口(例如噴頭114)可耦接氣體供應器116，以提供一或更多個處理氣體進入處理腔室102的處理空間104。儘管第1圖中顯示噴頭114，然而可設置額外或替代的氣體入口，諸如配置在頂壁142中或在處理腔室102側壁上的噴嘴或入口，或者該噴嘴或入口位在適合提供期望中的氣體至處理腔室102的其他位置，所述其他位置諸如處理腔室的基座、基材支座的周邊、或類似位置。
一或更多個電漿電源(圖中顯示一個RF電源148)可耦接處理腔室102以經由一或更多個各別的匹配網絡(圖中顯示一個匹配網絡146)供應RF功率給上電極(例如噴頭114)。在一些實施例中，該處理腔室100可利用 感應耦合的RF功率以供處理。例如，處理腔室102可具有由介電材料製成的頂壁142以及介電噴頭114。該頂壁142可實質上平坦，雖然也可利用其他類型的頂壁，諸如圓頂形狀的頂壁或類似物。一些實施例中，包含至少一個感應線圈元件的天線(圖中未示)可配置在頂壁142上方。該感應線圈元件透過一或更多個各別的匹配網絡(例如匹配網絡146)耦接一或更多個RF電源(例如RF電源148)。該一或更多個電漿源能夠產生多達5000 W，頻率為約2 MHz及/或約13.56 MHz(或更高頻率，諸如27 MHz及/或60 MHz)下。一些實施例中，兩個RF電源可透過各別的匹配網絡耦接感應線圈元件，以提供頻率為例如約2 MHz與約13.56 MHz的RF功率。
排放空間106可被界定在例如基材支座108與處理腔室102的底部之間。該排放空間106可流體連通式耦接排放系統120，或可視為排放系統120的一部分。該排放系統120大體上包括泵送氣室124與一或更多個導管，該導管將泵送氣室124耦接處理腔室102的內部空間(且大體上耦接該排放空間104)。
每一導管具有耦接內部空間107(或在一些實施例中，為排放空間106)的入口122以及流體連通式耦接泵送氣室124的出口(圖中未示)。例如，每一導管可具有一入口122，該入口配置在處理腔室102的底壁或側壁的下方區域。一些實施例中，該等入口實質上彼此之間等距相隔。
真空泵128可經由泵送通口126耦接泵送氣室124，以將排放氣體從處理腔室102泵送而出。該真空泵128可流體連通式耦接排放出口132，以如所需般發送排放物至適當的排放物處理設備。閥130(例如閘閥或類似物)可配置在泵送氣室124中，以結合真空泵128的操作助於控制排放氣體的流速。雖然圖中顯示z方向運動的閘閥，然而可利用任何適合的、與製程相容的閥控制排放物的流動。
一些實施例中，基材支座108可包括處理套組113，該處理套組113包含例如配置在基材支座108頂上的邊緣環111。存在邊緣環111時，該邊緣環111可將基材110固定在適合的位置以供處理及/或可保護底下的基材支座108以免在處理期間受損。該邊緣環111可包含適合固定基材110及/或保護基材支座108同時抵抗劣化的任何材料，該劣化是由於處理期間處理腔室100內產生的環境所致。例如，一些實施例中，該邊緣環111可包含石英(SiO2)。
一些實施例中，基材支座108可包括多個機構，該等機構用於控制基材溫度(諸如加熱及/或冷卻裝置)及/或用於控制基材表面附近的物種通量及/或離子能量。例如，一些實施例中，基材支座108可包括加熱器117(例如電阻式加熱器)，該加熱器117由電源119供給電力，以助於控制基材支座108的溫度。在此實施例中，加熱器117可包含多個區塊，該等區塊可獨立操作以提供橫 越基材支座108上選擇性的溫度控制。
一些實施例中，基材支座108可包含一種機構，該機構保持或支撐基材110於基材支座108表面上，該機構諸如為靜電夾盤109。例如，在一些實施例中，該基材支座108可包括電極140。在一些實施例中，該電極140(例如導電篩(conductive mesh))可耦接一或更多個電源。例如，電極140可耦接夾持電源137，該夾持電源137諸如為DC或AC的電源供應器。一些實施例中，電極140(或基材支座中不同的電極)可透過匹配網絡136耦接偏壓電源138。一些實施例中，電極140可嵌在靜電夾盤109的一部分中。例如，靜電夾盤109可包含介電構件，該介電構件具有支撐表面，用於支撐具有給定寬度的基材，該給定寬度例如為200 mm、300 mm、或其他經設計尺寸的矽晶圓或其他基材。在基材為圓形的實施例中，該介電構件可以是碟的形式或圓盤(puck)(介電構件)202，諸如第2圖中所示。圓盤202可被板216支撐，該板216配置在基材支撐底座210頂上。一些實施例中，基材支撐底座210可包含導管212，該導管設置以使製程資源(例如RF或DC功率)發送到靜電夾盤109。圓盤202可包含任何適合用於半導體處理的絕緣材料，例如陶瓷，該陶瓷諸如鋁土(Al2O3)、氮化矽(SiN)、或類似物。
發明人已經觀察到，具有處理套組(例如前述的邊緣環)的習知上所使用的基材支座中，製程的不均勻可能 會於處理期間發生在接近基材邊緣處，這是由於用於製造處理套組與基材的材料在電性質與熱性質上有所差異所致。再者，發明人已觀察到，用在電漿處理腔室(例如蝕刻腔室)中的習知靜電夾盤一般不會延伸超過配置在靜電夾盤上的基材的邊緣。然而，發明人已發現，由於靜電夾盤不延伸超過基材邊緣，故該靜電夾盤在基材上方產生的電磁場會引發待形成於基材上方的電漿具有在基材邊緣附近朝基材偏折的電漿鞘。此般電漿鞘的偏折導致轟擊基材的離子軌道在基材邊緣附近之處相較於在基材中央處有所差異，因而引發基材的不均勻蝕刻，故影響整體臨界尺寸的均勻性。
因此，在一些實施例中，靜電夾盤109的電極140可從圓盤202的中心或中心軸線211延伸至超過基材110的邊緣204的一區域213。發明人已經觀察到，透過延伸電極(導電篩)140超過基材110的邊緣204，可在基材110上方產生更均勻的電磁場，因此減少或消除電漿鞘的偏折(如前文所述)，故限制或防止基材110的不均勻蝕刻。電極140可延伸超過基材110的邊緣任何適當距離，該距離適於提供如前文所述之更均勻的電磁場，該距離例如為從低於約一毫米至數十毫米。一些實施例中，電極140可延伸於處理套組113下方。
一些實施例中，可將兩個或更多個電源(例如DC電源206與RF電源208)耦接電極140。在這樣的實施例中，DC電源206可提供夾持功率，以助於將基材110固 定在靜電夾盤109頂上，而RF電源可提供處理功率(例如偏壓功率)給基材110，以助於在蝕刻製程中引導離子朝向基材110。此為說明性質，在一些實施例中，RF電源可提供多達約12000 W的功率，而頻率為多達約60 MHz，或者在一些實施例中，頻率為約400 kHz，或在一些實施例中，頻率為約2 MHz，或在一些實施例中，頻率為約13.56 MHz。
以替代之方式(或以結合之方式)，在一些實施例中，層215可配置在邊緣環111頂上。當存在該層215時，該層215的導熱率可類似基材110的導熱率，因而提供基材110之邊緣附近的更均勻的溫度梯度，故進一步減少製程的不均勻(例如，上文所討論的不均勻)。該層215可包含任何具有與特定處理環境(例如蝕刻環境)相容的前述導熱率之材料。例如，一些實施例中，層215可包含碳化矽(SiC)、受摻雜的鑽石(例如摻雜有硼的鑽石)、或類似物。在層215包含受摻雜的材料(例如，受摻雜的鑽石)的實施例中，發明人已觀察到，可變化摻質的量，以控制層215的導電率。透過控制層215的導電率，可在基材110上方產生更均勻的電磁場，因此減少或消除電漿鞘的偏折，因而限制或防止基材110的不均勻蝕刻(如前文所述)。
一些實施例中，靜電夾盤109可包含配置在圓盤202內的兩個分別的電極(例如，圖中顯示電極140與第二電極(導電篩)304)，如第3圖所示。該第二電極304 可由與電極140相同的材料所製造，或在一些實施例中，可由與電極140相異的材料所製造。此外，第二電極304可具有與電極140相同的密度，或在一些實施例中，具有與電極140相異的密度。一些實施例中，第二電極304可被配置成使得基材110至第二電極304的距離306與基材110至電極140的距離308相同或相異。
一些實施例中，第二電源302可耦接第二電極304，以提供功率給第二電極304。第二電源302可以是RF電源或DC電源。在第二電源302是RF電源的實施例中，第二電源304可提供適合執行期望製程的任何頻率的任何RF功率量，例如前文所討論的功率與頻率。透過設置第二電源302，發明人已發現，可在基材110上方產生更均勻的電磁場(如前文所述)，因此減少或消除電漿鞘的偏折(如前文所述)，因而限制或防止基材110的不均勻蝕刻。
或者，在一些實施例中，第二電極304可由用於供給電力給電極140的相同的電源(例如電源206、208)供給電力，如第4圖中所示。在此實施例中，可變電容器或分路(divider circuit)(顯示於402)可配置在電源206、208與第二電極304之間，以助於選擇性提供功率給額外電極。
因此，在此已提供一種靜電夾盤。本發明的靜電夾盤的實施例可有利地提供一種靜電夾盤，該靜電夾盤能夠在電漿處理製程(例如蝕刻製程)期間於配置在靜電夾 盤頂上的基材上方產生更均勻的電磁場，從而減少或消除基材上方形成的電漿之電漿鞘的偏折，故減少或防止基材的不均勻蝕刻。本發明的靜電夾盤可進一步有利地在基材邊緣附近提供更均勻的溫度梯度，因此減少製程的不均勻，並且相較於習知上所用的靜電夾盤提供改良的臨界尺寸的均勻性。
雖然前述內容涉及本發明之實施例，然而可不背離本發明基本範疇設計其他與進一步的本發明之實施例。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
104‧‧‧處理空間
107‧‧‧內部空間
106‧‧‧排放空間
108‧‧‧基材支座
109‧‧‧靜電夾盤
110‧‧‧基材
111‧‧‧邊緣環
112‧‧‧開口
113‧‧‧處理套組
114‧‧‧噴頭
116‧‧‧氣體供應器
117‧‧‧加熱器
118‧‧‧狹縫閥
119‧‧‧電源
120‧‧‧排放系統
122‧‧‧入口
124‧‧‧泵送氣室
126‧‧‧泵送通口
128‧‧‧真空泵
130‧‧‧閥
132‧‧‧排放出口
134‧‧‧舉升機構
136‧‧‧匹配網絡
137‧‧‧夾持電源
138‧‧‧偏壓電源
140‧‧‧電極
142‧‧‧頂壁
146‧‧‧匹配網絡
148‧‧‧RF電源
202‧‧‧圓盤
204‧‧‧邊緣
206‧‧‧DC電源
208‧‧‧RF電源
210‧‧‧基材支撐基座
211‧‧‧中心軸線
212‧‧‧導管
213‧‧‧區域
215‧‧‧層
216‧‧‧板
302‧‧‧第二電源
304‧‧‧第二電極
306‧‧‧距離
308‧‧‧距離
402‧‧‧可變電容器或分路
藉由參考描繪於附圖中的本發明之說明性實施例，能瞭解於【發明內容】中簡要總結及於【實施方式】中更詳細討論的本發明之實施例。然而應注意附圖僅說明此發明的典型實施例，因而不應將該等附圖視為限制本發明之範疇，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖是根據本發明一些實施例適合與本發明的靜電夾盤一併使用的處理腔室。
第2圖至第4圖個別描繪根據本發明一些實施例的靜電夾盤。
為了助於瞭解，如可能則使用相同的元件符號標注共通於該等圖式的相同元件。該等圖式並未按照比例尺繪製，且可為了清楚起見而經過簡化。應考量一個實施例的元件與特徵可有利地結合於其他實施例，而無需進一 步記載。
109‧‧‧靜電夾盤
110‧‧‧基材
113‧‧‧處理套組
140‧‧‧電極
202‧‧‧圓盤
204‧‧‧邊緣
206‧‧‧DC電源
208‧‧‧RF電源
210‧‧‧基材支撐基座
211‧‧‧中心軸線
212‧‧‧導管
213‧‧‧區域
215‧‧‧層
216‧‧‧板

Claims (20)

  1. 一種用於支撐與保持具有一給定寬度的一基材的靜電夾盤，包含：一介電構件，具有一支撐表面，該支撐表面設置以支撐具有一給定寬度的一基材；一電極，配置在該介電構件內位於該支撐表面下方，並且從該介電構件的一中心向外延伸至超過該基材的一外周邊的一區域，該外周邊如由該基材之該給定寬度所界定；一RF電源，耦接該電極；以及一DC電源，耦接該電極。
  2. 如請求項1所述之靜電夾盤，其中該介電構件由鋁土(Al2O3)或氮化矽(SiN)所製造。
  3. 如請求項1所述之靜電夾盤，進一步包含：一處理套組，配置在該靜電夾盤頂上，以覆蓋該介電構件的多個部分，並且該處理套組具有一中央開口，該中央開口對應該支撐表面；以及一導熱層，配置在該處理套組頂上，其中該導熱層具有一導熱率，該導熱率實質上類似於待處理之一基材的一導熱率。
  4. 如請求項3所述之靜電夾盤，其中該處理套組由氧化矽(SiO2)所製造。
  5. 如請求項3所述之靜電夾盤，其中該導熱層包含碳化矽(SiC)或受摻雜的鑽石。
  6. 如請求項3所述之靜電夾盤，其中該電極延伸至該處理套組下方的一區域。
  7. 如請求項1至請求項6之任一項所述之靜電夾盤，其中該電極是一導電篩。
  8. 如請求項1至請求項6之任一項所述之靜電夾盤，進一步包含：一板，配置在該介電構件下方，以支撐該介電構件；以及一支撐底座，配置在該板下方，以支撐該板，該底座具有一導管，該導管配置在該底座內，其中該導管設置以使該RF電源與該DC電源得以耦接該電極。
  9. 一種用於支撐與保持具有一給定寬度的一基材的靜電夾盤，包含：一第一電極，配置在一靜電夾盤的一介電構件內且通過一中央軸線，該中央軸線垂直該靜電夾盤的一 支撐表面；一第二電極，配置在該介電構件內並且配置成至少部分位在該第一電極的徑向上外側處，其中該第二電極徑向向外延伸至超過該基材的一外周邊的一區域，該外周邊如由該基材之該給定寬度所界定；各耦接該第一電極的一RF電源與一DC電源；以及耦接該第二電極的一RF電源。
  10. 如請求項9所述之靜電夾盤，其中該第一電極延伸至該基材之一邊緣附近的一區域。
  11. 如請求項9所述之靜電夾盤，其中該介電構件由鋁土(Al2O3)或氮化矽(SiN)所製造。
  12. 如請求項9至請求項11之任一項所述之靜電夾盤，其中耦接該第二電極的該RF電源與耦接該第一電極的該RF電源是相同的RF電源。
  13. 如請求項9至請求項11之任一項所述之靜電夾盤，進一步包含一可變電容器或分路，以選擇性將自該RF電源所遞送的該RF功率分配(divide)至該第一電極與該第二電極。
  14. 如請求項9至請求項11之任一項所述之靜電夾盤，其中耦接該第二電極的該RF電源與耦接該第一電極的該RF電源是不同的RF電源。
  15. 如請求項9至請求項11之任一項所述之靜電夾盤，進一步包含：一處理套組，配置在該靜電夾盤頂上，以覆蓋該介電構件的多個部分，並且該處理套組具有一中央開口，該中央開口對應該支撐表面；以及一導熱層，配置在該處理套組頂上，其中該導熱層具有一導熱率，該導熱率實質上類似於待處理之一基材的一導熱率。
  16. 如請求項15所述之靜電夾盤，其中該處理套組由氧化矽(SiO2)所製造。
  17. 如請求項15所述之靜電夾盤，其中該導熱層包含碳化矽(SiC)或受摻雜的鑽石。
  18. 如請求項15所述之靜電夾盤，其中該電極延伸至該處理套組下方的一區域。
  19. 如請求項9至請求項11之任一項所述之靜電夾盤，其中該第一電極或該第二電極之至少一者是一導電 篩。
  20. 如請求項9至請求項11之任一項所述之靜電夾盤，進一步包含：一板，配置在該介電構件下方，以支撐該介電構件；以及一支撐底座，配置在該板下方，以支撐該板，該底座具有一導管，該導管配置在該底座內，其中該導管設置以使該RF電源與該DC電源得以耦接該電極。
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US (1) US20130107415A1 (zh)
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WO (1) WO2013062833A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI843231B (zh) * 2021-10-26 2024-05-21 美商應用材料股份有限公司 用於對工件進行夾持及加熱的卡盤及離子植入系統
US12057339B2 (en) 2020-10-23 2024-08-06 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck to limit DC discharge

Families Citing this family (341)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10825708B2 (en) 2011-12-15 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
US9412579B2 (en) 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
JP6202720B2 (ja) * 2013-03-29 2017-09-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR102038647B1 (ko) * 2013-06-21 2019-10-30 주식회사 원익아이피에스 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US9460950B2 (en) 2013-12-06 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9355776B2 (en) * 2014-04-09 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Capacitor assemblies for coupling radio frequency (RF) and direct current (DC) energy to one or more common electrodes
US20170117174A1 (en) 2014-06-17 2017-04-27 Evatec Ag Electro-static chuck with radiofrequency shunt
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
KR20160015510A (ko) * 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 정전척 어셈블리, 이를 구비하는 반도체 제조장치, 및 이를 이용한 플라즈마 처리방법
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101651242B1 (ko) 2015-04-27 2016-08-26 (주)보부하이테크 플라즈마 균일도 향상을 위한 웨이퍼 지지체
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
US10153139B2 (en) * 2015-06-17 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Multiple electrode substrate support assembly and phase control system
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
CN106346353B (zh) * 2015-07-16 2020-07-28 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 一种基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘
JP2017028074A (ja) 2015-07-22 2017-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10950477B2 (en) * 2015-08-07 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Ceramic heater and esc with enhanced wafer edge performance
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP7240174B2 (ja) * 2015-11-02 2023-03-15 ワトロー エレクトリック マニュファクチャリング カンパニー 高温半導体処理におけるクランピングのための静電チャック及びそれを製造する方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10109464B2 (en) 2016-01-11 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Minimization of ring erosion during plasma processes
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10685862B2 (en) 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US11532497B2 (en) * 2016-06-07 2022-12-20 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
CN106328475A (zh) * 2016-10-24 2017-01-11 上海华力微电子有限公司 一种等离子刻蚀设备
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10636628B2 (en) * 2017-09-11 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR101814554B1 (ko) * 2017-09-13 2018-01-03 주식회사 티에스시 에지전극이 내장된 정전척 및 그 제조방법
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10529543B2 (en) * 2017-11-15 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Etch process with rotatable shower head
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
CN112041481A (zh) * 2018-05-03 2020-12-04 应用材料公司 用于进行图案化的高品质c膜的脉冲等离子体(dc/rf)沉积
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
KR102648118B1 (ko) * 2018-07-04 2024-03-19 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 지지대
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) * 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US10784089B2 (en) 2019-02-01 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
WO2021050308A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Applied Materials, Inc. Repulsion mesh and deposition methods
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US20210159107A1 (en) * 2019-11-21 2021-05-27 Applied Materials, Inc. Edge uniformity tunability on bipolar electrostatic chuck
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11270903B2 (en) * 2019-12-17 2022-03-08 Applied Materials, Inc. Multi zone electrostatic chuck
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR102259949B1 (ko) * 2020-09-09 2021-06-02 주식회사 미코세라믹스 서셉터 및 그 제조 방법
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
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TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
KR102635591B1 (ko) 2021-03-10 2024-02-13 (주)아이씨디 머트리얼즈 부쉬형 dc 포트를 갖는 정전척 및 이의 제조방법
KR102635592B1 (ko) 2021-03-10 2024-02-13 (주)아이씨디 머트리얼즈 모듈형 dc 포트를 갖는 정전척 및 이의 제조방법
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04279044A (ja) * 1991-01-09 1992-10-05 Sumitomo Metal Ind Ltd 試料保持装置
JP3949186B2 (ja) * 1995-12-25 2007-07-25 富士通株式会社 基板載置台、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
US5812362A (en) * 1996-06-14 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks
US6431112B1 (en) * 1999-06-15 2002-08-13 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck
US6478924B1 (en) * 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
US6554954B2 (en) * 2001-04-03 2003-04-29 Applied Materials Inc. Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6875927B2 (en) * 2002-03-08 2005-04-05 Applied Materials, Inc. High temperature DC chucking and RF biasing cable with high voltage isolation for biasable electrostatic chuck applications
US7175737B2 (en) * 2002-04-16 2007-02-13 Canon Anelva Corporation Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus
JP2006319043A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US20070283891A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
JP2008235735A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 静電チャック及びこれを備えたプラズマ処理装置
US20090274590A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed
US8607731B2 (en) * 2008-06-23 2013-12-17 Applied Materials, Inc. Cathode with inner and outer electrodes at different heights
JP5163349B2 (ja) * 2008-08-01 2013-03-13 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP5357639B2 (ja) * 2009-06-24 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12057339B2 (en) 2020-10-23 2024-08-06 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck to limit DC discharge
TWI843231B (zh) * 2021-10-26 2024-05-21 美商應用材料股份有限公司 用於對工件進行夾持及加熱的卡盤及離子植入系統
US12046503B2 (en) 2021-10-26 2024-07-23 Applied Materials, Inc. Chuck for processing semiconductor workpieces at high temperatures

Also Published As

Publication number Publication date
TWI574345B (zh) 2017-03-11
JP6154390B2 (ja) 2017-06-28
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