201250902 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種以處理液處理基板之基板處理裝置及 基板處理方法。更詳細而言，本發明係關於一種用以降低經 處理液處理後之基板上殘存之微粒之技術。作為處理對象之 基板，可例示半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器 用基板、有機EL(Electro-Luminescence，電致發光）元件用 基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器）用基板、 光碟基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽 電池用基板等。作為使用處理液之處理，可例示蝕刻、剝離 等。 【先前技術】 US2007/0034231A1中揭示一種包含處理槽之基板處理裝 置’該處理槽用以蓄積作為處理液之SPM溶液（Sulfuric
Acid/Hydrogen Peroxide/Water Mixture，硫酸/雙氧水混合 物）’同時用以收容並處理基板。藉由該基板處理裝置，可 使複數塊數之基板同時浸潰於蓄積於處理槽内之SpM溶液 中而進行處理。 又，曰本專利特開2000-183011號公報中揭示一種對化學 藥品處理後之基板進行淋浴水洗之基板水洗方法。該方法係 將化學藥品處理後之基板投入至水洗槽中，且使投入至該水 洗槽中之基板於水洗槽内上下移動。於水洗槽之上部開口端 101110088 4 201250902 之上方位置處，設置有相互對向地配設之噴嘴。於基板上下 移動之同時，自喷嘴朝向其下方之基板之表面以射叢狀吐出 水。 【發明内容】 關於如US2007/0034231A1中之浸潰處理，在蓄積於處理 槽中之處理液中浸潰有基板，故而自基板上分離之微粒殘留 於處理槽内，該微粒會再附著於基板上。因此，附著於基板 上之微粒與該基板一併被運送至生產線之下游之裝置中。藉 匕存在著於複數之批次間產生污染（contamination)之問 題。所謂批次，係指於基板處理裝置中，進行〗次處理之複 數塊數之基板之一群。 万囟，關於如日本專利特開2000-183011號公報中^ 淋浴處理，用於基板洗淨後线水會排放掉，故而可防止名 用後之純水巾含有之微粒再附著於基板上。 然而，配置有接受淋浴處理之基板之處理空間並未被處泡 液充滿’故而存在著環境中之微粒會附著於基板上之問題 又，於日本專利特開2〇〇〇18則號公報中雖未記載，隹 ^ sm處理般使用高溫之處理液欲對基板進行淋浴處理之 在課題。即，淋浴吐出後之處理液由於環境或基 W而使其溫度易下降。因此，難y正確地控制到達基 板守之處理液之溫度，藉 基板之課題。 地處理複數塊 !〇1110088 201250902 本發明提供一種以處理液處理基板之基板處理裝置。該基 板處理裝置包含：處理槽，其蓄積處理_時收容基板；^ 理液供給單元，其對上述處理槽供給處理液；腔室，其包圍 上述處理槽周圍；基板保持單元，其包含基板保持部，該基 板保持部係在用以相對於上述處理槽之外部而收送基板之 基板收送位置、與上述處理槽之内部進行基板處理之基板處 理位置之間搬送基板，同時㈣基板；第丨循環單元，其包 含.過it II，其用財化蓄積於上述處理射之處理液；溫 度調節器’其用以對蓄積於上述處理槽中之處理液進行溫度 調節；及第1吐出部，其朝向設置於上述處理槽之内部之基 板而吐出處理液；該第丨循環單元使自上述處理槽排出之處 理液通過貫穿上述職器及上述溫度調節器之第1循環路 徑而再次时至上述處理射；及㈣單元，其將蓄積於上 述處理槽中之處理液之液位控制為以與設置於上述基板處 理位置上之基板不接觸之方式設定於較該基板更靠下之第 。液位使蓄積於上述處理槽中之處理液藉由上述第1循環 單元而循環，由此，使處理液自配置於較上述第i液位更靠 上述第1吐出部朝向設置於上述基板處理位置上之基 板進行空中吐出。 ，根據本發明，II域雜供給單元輯處理槽内供給處理 液’使該處理液藉由第1循環單元而循環，且自第1吐出部 向土板進行工中吐出。此時，將處理槽内之處理液之液位 10Π10088 201250902 控制為較基板更靠下之第1液位，故而基板不會與蓄積於處 理槽内之處理液接觸。因此，可防止基板處理後之處理液中 含有之微粒再附著於基板上。 蓄積於處理槽中之處理液之量與將基板浸潰而進行處理 之情形相比為少量，故而蓄積於處理液中之熱易散熱。又， 處理槽内之液位較低，故而處理槽與處理槽周圍之環境以較 • 大之面積而接觸。因此，蓄積於處理槽中之處理液經由處理 -4曰而易散熱，與其對應地，溫度易降低。進而，自第1吐出 部吐出之處理液係在自帛i吐出部吐出之同時暴露於處理 槽内之環境中，故而處理液之溫度由於處理槽内之環境吸收 熱而易降低。 因此，本發明中，包含使處理液經由貫穿溫度調節器之第 1循環路徑而循環之第1循環單元。藉此，可使蓄積於處理 槽中之處理液循％、且將溫度固定地控制n由於處理槽 •包含於腔室内，故而可抑制處理槽之表面之溫度降低。因 •此’可抑制處理槽内之環境溫度降低，故而即便於處理槽内 使處理液自第1吐出部進行空中吐出，亦可抑制處理液之執 被處理槽内之環境吸熱。因此，可均勾地處理基板。， 本㈣之一實施形態中，上述第1吐出部包含A喷嘴， 其自藉由上述基板保持單元而於上述基板處理位置上所保 持之基板之上方位置朝向基板吐出處理液；第2噴嘴，其自 藉由上述基板保持單元而於上述基板處理位置上所保持之 101110088 201250902 基板之斜上方位置朝向基板吐出處理液；第3嘴嘴，其自藉 由上述基板保持單元*於上絲板處理位置上所保持之基 板之側方位置朝向基板吐出處理液；及第4噴嘴，其自藉由 上述基板保持單元而於上述基板處理位置上所保持之基板 之斜下方之位置朝向基板吐出處理液。 根據該構成，第1喷嘴自基板之上方往處理槽之下方以既 定之角度朝向基板吐出處理液，第2喷嘴自基板之斜上方往 處理槽之下方以既定之角度朝向基板吐出處理液。又，第3 喷嘴自基板之侧方位置往對向之處理槽之側壁以既定之角 度朝向基板吐出處理液，第4喷嘴自基板之下方位置往處理 槽之上方以既定之角度朝向基板吐出處理液。如此，藉由自 基板周圍之複數個位置朝向基板吐出處理液而可使搬入至 處理槽中之基板之溫度效率良好地升溫，故而可均勻地處理 基板。 又，藉由第1喷嘴與傾斜第2噴嘴而可促進於基板之表面 上朝向下方之處理液之流動。藉此，基板處理技用過後之 處理液迅速地流下至蓄積於處理槽之下部之處理液中。因 ，，可抑制基板處理中使用職之處職中含有之微粒再附 著於基板上。 上述基板處理裝置較佳為進而包含蓋體，該蓋體開閉自如 地覆蓋上述腔室之上部或上述處理槽之上部。 根據該構成，藉由包含開閉自如地覆蓋腔室之上部之蓋體 101110088 8 201250902 而可使基板相對於腔室及處理槽内而自由地進出。而且 =理槽内包含之零件之溫度降低或蓄積於處 内=處理液之溫度降低。進而，可抑制腔室内及處理槽 衣兄之溫度降低。再者，可將處理槽内之環境轉室外 =以隔絕’故而可保持處理槽内之環境之潔淨: =一方面維持基板處理之均句性，—方面提高基板之潔淨 又，藉由包含開閉自如地覆蓋處理槽之上部之蓋 理槽内而自由地進出。而且，可抑制處理槽内 。令牛之酿度降低'蓄積於處理槽 低、及處理槽内之環境之溫度降低。再者，可將降 環境與處理槽外之環境加以隔絕 内之 ，可-方__處理= 提南基板之潔淨度。 方面 如===㈣之雙方分別包含_ 環境之間’形成有密閉於二内之 抑=r零件4環境、及處理液之二 逃弟1喷嘴亦可包含於上述蓋體中。 =該構成，於《腔室之上部或處 包含第1喷嘴，故顿噴嘴之設置空職少即可。又= 基板相對於上述處理心搬人、搬㈣，與錄之開閉相應 101110088 201250902 地’上部喷嘴亦移動’故而帛！喷嘴於基板搬送時不會成為 障礙》因此，藉由自基板之上部吐出處理液而可均勻地處理 基板，不僅如此，亦可有助於基板處理裝置之小型化。处 本發明之-實施形態之基板處理裝置中，進而包含第1 循環單元’該第2循環單元包含：第2吐出部其配置 上述第1以部更靠下方(更佳為較上述帛i液位更靠下 方），將處理液口土出至上述處理槽内；過滤器，其用以淨化 蓄積於上述處理射之處理液；及溫度調節器，其用以對蓄 積於上述處理槽中之處理液進行溫度調節；該第2循環單元 使自上述處_排出之處理液通過貫穿上述過濾器及上^ 溫度調節器之第2循環路徑而再次回收至上述處理槽中。 根據該構成’使處理液經由貫穿溫度調節器之第i循環路 控及第2循環路徑而猶環，故而可使#積於處理槽中之處理 液效率良好地循環而將溫度固定地控制。藉此，可進一步提 高基板處理之均勻性。又，第2循環單元使處理液自配置於 較第1吐出部更靠下方(較佳為較第！液位更靠下方)之第2 吐出。P吐出至處理槽内’故而可—面抑制處理液薄霧之飛揚 一面使處理液循環。 上，控制單元亦可為如下構成：於藉由上述第2循環單元 而使畜積於上述處理槽中之處理液循環之後1於將基板搬 入至上述處理槽之前，將循環路徑自上述第2循環單元切換 為上述第1循環單元，使處理液自上述第1吐出部吐出至上 101110088 201250902 述處理槽中。 根據該構成，藉由將循環路徑自第a循環單元切 循環單元而可繼續對處理槽内之處理液進行溫㈣整。又， 由於在將基板搬人至處理槽之前切換循環_，故而可 留於第1循環單元之崎内且溫度已降低之處理液於即將 進行基板搬人之前預先職為既定之溫度之處理^因此， 可均勾地處理基板。進而，於即將進行基板搬人之前，自第 1吐出部吐出處理液，且自第1吐出部吐出之處理液之薄霧 充滿處理槽内。由此，將處理槽内包含之零件上附著之微粒 或處理槽内之環境巾料之錄沖洗掉，使其流下至蓄積於 處理槽内之下部之處理液中。因此，處理槽内被淨化，故而 可實現潔淨度較高之基板處理。 。又’上述控制單元亦可為如下構成：於藉由上述第2循環 單π而使蓄積於上述處理槽中之處理液循環之後，且於將基 板搬=至上述處理槽之前，藉由上述第2循環單元及上述第 :循％單兀而使蓄積於上述處理槽中之處理液循環，使處理 液自上述第1 σ土出部及上述第2吐出部吐出至上述處理槽 成’蓄積於處理槽内之處理液藉由2個循環單元 使處理液之循環流量增加。因此，可迅速地排除處 之令件上附著之微粒及環境中之微粒，故而可使處理 槽内成為適於基板處理之料之處理空間。 101110088 201250902 進而，上述控制單元亦可為如下構成：於上述蓋體打開之 ^〗杇止上述第1循環單元之處理液之循環，同時藉由上 述第2循核單元而使處理液猶環，使處理液自上述第2吐出 部吐出至上述處理槽中。 根據该構成，於蓋體打開之期間，停止第1循環單元之處 理液之循環，故而來自第1吐出部之處理液之空中吐出停止。 因此’可抑制含有處理液之薄霧之環境擴散至腔室外。另一 方面第2循環單元使處理液自配置於較第】吐出部更靠下 方(較佳為較第1液位更靠下方)之第2吐出部吐出至處理槽 内’故而可—面抑制處理液薄霧之飛揚-面使處理液循環。 以此方式’可—面抑制處理液薄霧擴散至腔室外，一面使處 理液循環而將保持其溫度，藉此可實現均勻之基板處理。 本如月之一貫施形態中，將上述第丨循環路徑及上述第2 循環路徑設計為通過共有路徑，於上述共有路徑上配置有上 述過滤器及上述溫度調節器，上述職器及上述溫度調節器 藉由上述第1循環單元及上述第2猶環單元而共有。 根據s亥構成’在藉由第1及第2猶環路徑而共有之共有路 徑上配置有過滤器及溫度調節器，故而可使構成簡單而謀求 成本之削減。 本發明之另一實施形態中，上述第丨循環路徑及上述第2 循環路徑為相互獨立之路徑。 根據《•亥構成，第1及第2循環路獲為相互獨立之路徑，故 101110088 12 201250902 而可使第1循環路徑及第2循環路徑相互獨立地作動。藉 此，例如，於第1循環路徑及第2循環路徑中，可使循環特 性不同。更具體而言，於第1循環路徑與第2循環路徑中， 可使循環之處理液之流量不同。又，藉由使第1循環單元及 第2循環單元之雙方作動而可增多循環之處理液之總流 量。由此，可更有效且高精度地進行處理液之溫度調節。又， 將新的處理液供給至處理槽之後使第1及第2循環單元之雙 方作動，藉此可迅速地攪拌處理液而使濃度均勻化。 上述第1循環單元之過濾器與上述第2循環單元之過濾器 之過濾特性亦可不同。 根據該構成，藉由切換第1循環單元與第2循環單元而可 使處理液通過不同過濾特性之過濾器而循環。例如，亦可使 第1循環單元與第2循環單元中處理液流量不同，且與其對 應地於第1循環路徑及第2循環路徑上配置不同過濾特性之 過濾器。藉此，可一方面防止過濾器之孔眼堵塞，一方面效 率良好地捕捉處理液中之微粒。 本發明之-實施形態中，上述控制單元在將基板自上述處 理才曰之内。P搬出至上述處理槽之外部之後隨即藉由上述第 1、循環單元而使上述處理槽内之處理液循環，使處理液自上 述第1吐出部吐出至上述處理槽中。 根據該構成，於將基板自處理槽搬出至處理槽外之後，隨 即藉由第1循環單⑽使處理槽内之處理液循環，使處理液 101110088 13 201250902 處理液之成至處理槽中。藉此，由於處理液變冷而使 附著於處理:之中含有之微粒析出’從而可防止其等 因此，可卿處理:處理槽内所包含之零件上於未然。 粒之轉印叫内之潔淨度，故而可防止批次間之微 可抑制批次間之基板處理之不均。 自上述^處理敦置亦可進而包含處理區域變更單元，其使 上述美以吐出部進行空中吐出之處理液之吐出區域、與由 Μ二 元所保持之基板進行相對地移動，以變更上 述處理液對上述基板之處理區域。 改丹其Γ構成#由處理液之吐出區域與基板之相對移動而 基板表面之處縣域。藉此，可均勻域理基板表面。 處理區域變更單元亦可包含可變更自第1吐出部吐出之 處理液之方向之擺鱗元。又，處㈣域變更單元亦可包含 在基板與蓄積於處理射之處賴之液面（第i液位)不接觸 之範圍内使基板保持單元於處理槽内上τ移動之擺動單元。 又，上述基板處理裝置亦可進而包含緩衝槽，其用以將處 理液蓄積於上述處理槽外。該情形時，上述控制單元亦可為 如下構成：藉由控制上述處理液供給單元而將蓄積於上述處 理槽中之處理液之液位控制為使設置於上述基板處理位置 上之基板整體浸潰於處理液中之第2液位，對上述基板執行 浸潰處理之後，排出上述處理槽内之處理液並將其蓄積於上 述緩衝槽中，以此將上述處理槽内之液位控制為上述第j 10U10088 14 201250902 液位，其後，使蓄積於上述處理槽中之處理液藉由上述第工 循環單元而循環’以此使處理液自配置於較上述第丨液位更 靠上之上述第1吐出部朝向設置於上述基板處理位置上之 基板進行空中吐出。 根據該構成，可進行於處理槽内將處理液蓄積至第2液位 為止且使基板浸潰於處理液中而處理的浸潰處理。該浸潰處 理之後，可將處理槽内之處理液位控制為第i液位，使處理 液自第1吐出部進行空中吐出而處理基由此，可實現一 面併用浸潰處理-Φ抑職粒轉移之基板處理。進而，於浸 潰處理執狀後，將處理㈣讀理液移送至緩衝槽中並蓄 積，故而可抑制處理液之消耗量。 上述處理裝置亦可進而包含送液單元，其將蓄積於上述緩 謝之處理液供給至上述第！循環路徑。該情形時，上述 控制單元亦可為如下構成：控制上述送液單元，使蓄積於上 述緩衝槽中之處理液自上述第！循環單元之上述第ι吐出部 供給至上述處理槽内。 根據該構成’可將蓄積於緩衝槽中之處理液供給至第1 循環路徑’且將該處理液自第1吐出部供給至處理槽内。藉 此’可再利用蓄積於緩衝射之處理液，故而可抑制處 之消耗量。 上述基板處理裝置較佳為進而包含第3循環單元，該第3 循環單元包含·’過遽器，其用以淨化蓄積於上述鍰衝槽令之 101110088 15 201250902 處理液；及溫度調節器，其用以對蓄積於上述緩衝槽中之處 理液進行溫度調節；該第3循環單元使自上述緩衝槽排出之 處理液通過貫穿上述過濾器及上述溫度調節器之第3循環 路捏而再次回收至上述緩衝槽中。 根據該構成’使蓄積於緩衝槽中之處理液藉由第3循環單 元而循環，故而可進行處理液之溫度調節及處理液中之微粒 之去除。因此，可使蓄積於緩衝槽中之處理液於可使用之狀 態下待機。 本發明之一實施形態中，將上述第丨循環路徑及上述第3 循環路徑設計為通過共有路徑，於上述共有路徑上配置有上 述過濾器及上述溫度調節器，使上述過渡器及上述溫度調節 器藉由上述第1循環單元及上述第3循環單元而共有。 根據該構成’可藉由第1及第3循環單元而共有過濾器及 溫度§周節器，故而可使構成簡單，且可削減成本。 本發明之另一實施形態中，上述第1循環路徑及上述第3 肩^路徑為相互獨立之路徑。 根據該構成，可使第1循環單元及第3循環單元相互獨立 地作動。因此，在使第〗循環單元作動而使處理液於處理槽 内進行空中吐出之期間，可使第3循環單元作動而進行緩衝 槽内之處理液之溫度調節及淨化處理。由此，只要將緩衝槽 内之處理液供給至處理槽，則可迅速地開始使用有該處理液 之基板處理。 101110088 16 201250902 上述基板處理裝置亦可進而包含：外槽，其用以蓄積自上 述處理槽溢出之處理液；及第4循環單元，其排出上逃外槽 之處理液’且使該處理液進行經由介裝有過濾器之第4循環 路徑而流至上述處理槽之循環。 根據該構成，可一面使處理液自處理槽溢出一面進行浸潰 處理。藉此，可效率良好地排出處理液中之微粒。由此，可 實現潔淨度較高之浸潰處理，且藉由與來自第1吐出部之處 理液空中吐出之組合而可實現均勻性及潔淨度較高之基板 處理。 本發明之一實施形態中，將上述第1循環路徑及上述第4 循環路徑設計為通過共有路徑，於上述共有路徑上配置有上 述過濾器，使上述過濾器藉由上述第1循環單元及上述第4 循環單元而共有。 根據該構成，可使第1及第4循環單元之過濾器共通化， 故而可使構成簡單，且與其對應地可削減成本。 本發明進而提供一種以處理液處理基板之基板處理方 法。該基板處理方法包括：初鮮備轉，其係將蓄積有用 以處理基板之處理液之處理槽内之處理液的液位控制為第 1。液位之後，使蓄積於上述處理射之處理液藉由第！循環 單7L而循環’上述第丨液位係以使處賴與上述處理槽之内 部5又置於進<了基域理之騎處理位置上之基板不接觸的 方式而設定於較該基板之下部更#下；基板處理步驟，其係 101110088 17 201250902 使藉由上述第1循環置 第！液位更靠上之第處理液自配置於較上述 出部朝向上述處理槽之内部之嗖置 於上述基板處理位置上的美 ° 姆m w ” -基板 中吐出；及藉由配置於 以^早7^料之處理液所通過之第1循環路徑 =慮器而淨化上述處理液，且藉由配置於上述第】循環 溫度調節器而調節上述處理液之溫度之步驟。 板處理方法較佳為，進而包含:藉由使蓄積於上述 處理槽中之處雌㈣第2循觀㈣再次回收至上述處 理槽中之第2循壤單元而使上述處理液循環之步驟，上述第 2循環路徑包含第2吐出部’其使處理液吐出至配置於較上 述第1吐出部更靠下方（更佳為較上述第i液位更靠下方)之 上述處理槽内；及藉由配置於經上述第2循環單元而猶環之 處理液所通過之第2循環路徑上之過㈣而淨化上述處理 液’且藉由配置於上述第2循環路徑上之溫度調節器而調節 上述處理液之溫度之步驟。 本發明之一實施形態中，上述初期準備步驟包括藉由上述 第1循環單元或上述第2循環單元而使處理液循環之步驟， 上述基板處理方法進而包括：待機處理步驟，其係於執行上 述初期準備步驟之後，藉由上述第2循環單元而使蓄積於上 述處理槽中之處理液循環；及基板搬入步驟，其係於執行上 述待機處理步驟之後，且於執行上述基板處理步驟之前，將 基板自上述處理槽之外部搬入至内部；上述待機處理步驟包 101110088 201250902 括搬入前處理步驟，其係於執行上述基板搬人步驟之前 循％路㈣上述第2循卿* ♦饰V ώ , J換馮上述第1循環單元，使 處理液自上述第1吐出部吐出至上述處理槽中。 本發明之另一實施形態中，μ 上迷初期準備步驟包括藉由上 循環單Μ上述第2循環單元而使處㈣循環之步 驟，上述基板處理方法進而包括：待機處理步驟，其係於執 行上述初解備步狀後，如上述第2循鮮元而使蓄積 於上述處理槽中之處理液循環；及基板搬人步驟，其係於執 行上述待财理步狀後，且於執行上述基板處理步驟之 前，將基板自上述處理槽之外部搬人至⑽；上述待機處理 ^驟包括搬人前處理步驟’其係於執行上述基板搬入步驟之 前’藉由上述第2循環單元及上述第丨循環單元而使蓄積於 上述處理槽中之處理液循環，使處理液自上述第i吐出部及 上述第2吐出部吐出至上述處理槽中。 本么月之X施形怨之基板處理方法進而包括：基板搬出 步驟，其係於執行上述基板處理步驟之後，將基板自上述處 理槽之内部搬出至外部；及搬出後處理步驟，其係於執行上 述基板搬出步驟之後，隨即使蓄積於上述處理槽中之處理液 藉由上述弟1循環单元而循環，使處理液自上述第1吐出部 吐出至上述處理槽中。 上述基板處理步驟較佳為包括處理區域變更步驟，其係使 自上述第1吐出部進行空中吐出之處理液之吐出區域、與由 101110088 19 201250902 用以保持基板同時使基板於上述處理槽之内部移動之基板 保持單元所保持之基板進行相對地移動，藉此變更上述處理 液對上述基板之處理區域。 本發明之上述或此外其他之目的、特徵及效果可藉由參照 隨附圖式於以下所述之實施形態之說明而明確瞭解。 【實施方式】 (第1實施形態） 圖1係模式性表示本發明之一實施形態（第1實施形態）之 基板處理裝置之構成的圖。該基板處理裝置係例如藉由 SPM溶液等之處理液而對複數塊基板同時進行洗淨處理 者。 該基板處理裝置包含：腔室丨、包含於腔室丨之内部之處 理槽2、升降器2〇(基板保持單元）、緩衝槽1〇〇、及控制單 兀U〇(參照圖2)。處理槽2可蓄積少量之處理液，且於内 區劃有用以處理複數個基板w之處理空間。升降器之 構成為，於腔室1内，於處理槽2之内外間總括搬送複數個 基板W。控制單元11〇控制基板處理裝置整體之動作。基 板W係例如於表面形成有抗蝕劑之基板，該抗蝕劑於表面 3有因離子’主人而改質並硬化之硬化層。該基板處理褒置之 構成為，執行藉由SPM溶液而自基板w表面剝離抗蝕劑之 處理。 腔室1包含蓋體5,其可開閉地覆蓋腔室丨之上部之開口 101110088 201250902 部。蓋體5於處理槽2之上方以使上述開口部開閉之方式而 構成。於腔室1上，連接有排氣管81(排氣單元” 處理槽2以其周圍被包圍之方式包含於腔室！内。因此， 處理槽2及處理槽2内之環境難以受到腔室丄之外之環境之 影響。藉此，可將處理槽2及處理槽2内之環境保持為怪溫， 且抑制來自腔室1外之異物之侵人。因此，可均勻地處理複 數塊基板，且可實現潔淨度較高之基板處理。 蓋體5係在腔室i之内與外之間藉由升降器2〇而搬送複 數個基板W時開閉。於關閉蓋體5時，腔室工之内外之琿 境被隔斷。藉此，腔室i内成為使内部之環境密閉之密閉= 間°因此’處理槽2内之環境密閉於腔室1内。 於該基板處雜置巾，包含心對複數個基板 理液之吐出管H土出m播通至蓋體/中 於土出S 70 ' 71之中途部，分別介裝有噴嘴開閉閥40、 4卜藉由開閉喷嘴開閉閥4〇、41而可使自吐㈣ 對處理t 2内之複數個基板％供給之處理液之流路開 出=管70之下游側之端部上包含有第1喷们〇,於:土 之下游側之端部上包含有另外的第1喷嘴u。第】 喷:S* 10、11之構成為，配置於蓋體5之内側(腔室丨 且朝向處理槽2内吐出處理I 扑 排氣& 81(排氣單元)之上游側之端部與腔室】連接 侧之端部與工㈣備之排魏連接。於減管以上，自腔 101110088 201250902 室向職麵方向下_依序錄錢 38、及排氣調整機構294理槽排賴38之^氮間 開閉排氣管81内之排氣泠％ ， 馮，籍由 排氣調整機構29之構成A ^ 丨同畊排乳。 得战為，調整流動於排氣流路中 之流量。藉由轉氣轉機構29輕排㈣ 室 1内及處理槽2内之壓力^ a Μ登腔至 力或軋流等之環境狀態。因此， 止處理槽2或腔室丨内之^ 口此，可防 鬥之飧境流出至腔室1外。而且， :==!Γ度或環境中所含之處理液之濃度。藉 •"疋'孤X及濃度而處理基板w。 基板處理裝置進而包含：處_液供給管60、6卜62， 其等用㈣處理賴給錢理槽2 ;纽職 管72〜77 ;處理槽旁路管W面感測器PS卜液2 測器psi之構成為，认 狀 為松測蓄積於處理槽2内之液位。 處理槽液供給管恥、。 ^ 採禅9夕卢田、六 、62構成用以將處理液供給至處 理槽2之處理液供仏留— 、·早疋。處理槽液供給管6〇、61、62系 以插通於腔fl並到達 ’、 管㈣、62於腔室 式而配置柄液供給 理槽2内具有下^之内部到達處理槽2内，且於該處 、'則端部。於處理槽液供給管60、61、62 之中途部，分別介裝麵理槽雜給閥3Q、31、32。 處理槽液供給管6〇、 工薇設備側之化學藥。心^上游側之端部與未圖示之 藥品供給系統分別將=Γ 。本實麵態中，化學 爪-久(H2S〇4)供給至處理液供給配管 101110088 22 201250902 之上游側之端部，將雙氧水(出〇2)供給至處理液供給配管61 冬側之^部’將純水(DIW ’ Deionized Water，去離子 水)供給至處理液供給配管62之上游側之端部。 該等各液體對處理槽2之供給係藉由使分別介裝於處理 七液供給管、61、62上之處理槽液供給閥3()、Μ、 P幵1閉而進行。又，各液體之供給量係由介裝於處理槽液供給 s 60 61、62上之未圖示之流量計與液面感㈣PS1而檢 測。藉此，可將對每—種液體蚊之既定之液量之各液體供 給至處理槽2。再者，亦可將以既定之混合比使液體混合而 5周製成之處理液(混合液)預先供給至處理槽2。 處理槽循環管79之上游側之端部與處理槽2連接。於處 理槽循％ g 79上，自其上游侧之端部(處理槽2之液排出部) 朝下游方向而依序介裝有處理槽排_49、以、溫度調節 器7、及過濾器8。 刀支為吐出管 〜^得側之處理槽循環管 77及處理槽旁路管78並連接。 由連接於該處理槽2之處理槽循環管79及吐出管7〇〜 所構成之路徑為第1循環單元之第！循環路#。又，由連 於處理槽2之處理職環㈣及處理射路管 路徑為第2循環單元之第2循環路徑。第〗循環路徑及第 循環路徑於處理槽循環管79之一部分上 於該共有路徑95上介裝有栗6 承，皿度凋即器7及過濾器8 101110088 23 201250902 該等係藉由第1及第2循環單元而共有。 處理槽排液閥49在使處理液自處理槽2排出至槽外時打 開，在使處理液蓄積於處理槽2中時關閉。 泵6係作為用以使蓄積於處理槽2中之處理液經由第1 循環單元及第2循環單元而循環並再次回收至處理槽2中< 送液單元而使用。 溫度調節器7之構成為 ▼ $王子冒2 内之處理液之溫度調節為既定之溫度。作為溫度調節器7， 根據處理液之處理條件，可選擇：具備用以加減理液之、、田 度之加熱功能之加熱器細er);具備用以冷卻處 = 卻功能之冷卻器；或且偌如舳Λ” ν 調節ρ 〃備加熱功歧冷卻倾之雙方之溫度 過濾器8係用以去除藉由 有之微粒等之雜質，心此错理^循環之處理液中含 質。 、里乜2内之處理液中之雜 於吐出管72〜77<中途部上、 〜47，藉由開閉該等開閉閥上。分別介裝有喷嘴開閉閥42 處理液之流路開閉。 1而可使自吐出管72〜77吐出之 於吐出管72、< 12、13。於吐出管74、=側之端部上，分別包含第2噴嘴 3喷嘴14、15。於味出管=下游側之端部上，分別包含第 包含第4喷嘴16、17。嘴嘴^77之下游側之端部上，分別 101110088 〜17包含於處理槽2内。該 24 201250902 等之中’第2喷嘴12、13位於最上方，第4噴嘴i6、η 位於最下方’其等之間配置有第3喷嘴14、15。 喷嘴10〜17構成朝向由升降器2〇保持之基板w而吐出 處理液之第1吐出部。 自喷驚10〜17(第1吐出部)吐出之處理液分別以射叢狀 擴散而吐出（以下，稱為「淋浴吐出」）。淋浴之形狀取決於 喷紫10〜17之設計。gj此，根據基板之處理條件而適當選 擇具有圓錐或線形等之吐出分佈之喷嘴。 、 喷背10〜17相對於處理槽2内藉由升降器20(基板保持 單元）而保持之基板W、更詳細而言設置於藉由處理液而處 理之位置(基板處理位置PP1)上之複數個基板w而以如下 方式配置。 第1噴嘴1G、11位於基板w之上方，且朝向下方。第2 喷觜12、13位於基板…之斜上方，且朝向斜下方。第3噴 嘴14、15位於基之側方，且朝向側方(大致水平方向）。 第4喷嘴16、17位於基之斜下方，且朝向斜上方。喷 嘴10〜17之任一者均朝向設置於基板處理位置丨上之基 板w。而且’喷嘴1G〜17所朝的各方向相對於複數塊基板 |之整齊排列方向（與圖1之紙面正交之方向）而垂直 。各個 喷觜10〜17之構成為，包含沿著設置於基板處理位置ρρι 上之複數塊基板W之整齊排列方向而以既定之間隔排列的 複數個喷嘴’且自魏個喷仙向基板W以處理液。 101110088 25 201250902 « 1噴嘴10與第丨噴嘴n係與設置於處理槽2内之基板 處理位置PP1上之複數塊基板W之表面正交，且以通過複 數個基板W之中心之錯垂面為對稱面而相互對稱地配置。 第2喷嘴12與第2喷嘴13相對於上述對稱面而相互對稱地 配置。第3喷嘴14與第3喷嘴15相對於上述對稱面而相互 對稱地配置。第4噴嘴16與第4嘴嘴17相對於上述對稱面 而相互對稱地配置。 又噴嘴1〇〜17(第1吐出部）配置為使自各嘴嘴吐出之處 理液之吐出範圍於各基板表面之中央附近重疊。進而，喷嘴 10〜17配置為於易殘留有殘渣之基板w之周邊部上相互補 充各個噴嘴之吐出範圍以可確實洗淨該周緣部。 士此/σ著複數塊基板W之整齊排列方向而以既定之間 隔排列之複數個喷嘴，藉此可自相對於基板w之整齊排列 方向而垂直之方向朝向基板w吐出處理液。由於該處理液 之吐出，可使因離子注入而改質並硬化之難以剝離之基板表 面之抗蝕劑硬化層上產生龜裂，進而使處理液自龜裂之部分 進入至抗蝕劑内而可效率良好地自基板表面一下子剝掉抗 名虫劑。 較理想的是’第1噴嘴10、U、第2喷嘴12、13、第3 喷嘴14、15、及第4噴嘴16、17分別包含喷嘴擺動機構27。 喷'^擺動機構27亦可包含使喷嘴於處理槽2内沿上下方 向、左右方向等而移動之喷嘴移動機構。又，喷嘴擺動機構 101110088 26 201250902 27亦可包含變更噴 ^ ^ . ^ 、賈土出角度之吐出角度變更機構。藉 已δ、§設計之喷嘴 η戍攝27而可更加均勻地處理基 板表面。噴嘴擺動機 處理區域變更單元錢自^ 更單元之—例’該 噴^ 10〜17(第1吐出部)吐出之 二L 11域與基板w進行相對地移動，以變更處理 液對基板之處理區域。 於處理槽旁路管78卜人 知 ”裝有處理槽旁路閥48。處理桦 48之構成為使處理槽旁路管78内之處理液之流路^ 閉：於處理槽旁路管78之下游側之端部上 ，於處理槽2内 包含第2吐出部18。 第2▲吐出部18包含於較處理槽2内包含之第4噴嘴“、 Π更罪下側之位置上。該第2也出部w之配置及吐出方向 以如下方式選擇為佳：使自第2吐出部18吐出之處理液不 會直接糾處_ 2内之基板W上，或者使蓄積於處理槽 2中之處理液不會反彈而洗到基板wj^。更具體而言，第2 吐出部18亦可朝㈣理槽2之底部或處理槽2之槽内之壁 面下部而包含於處理槽2内。 於過濾器8之下游侧之處理槽循環管乃中，包含有溫度 計ΤΗΡί及》農度計cm。蓄積於處理槽2中之處理液之溫 度係藉由溫度計THP1而檢測，且藉由溫度㈣器7而調 節。又，蓄積於處理槽2中之處理液之漠度係藉由濃度計 CM1而檢測，且藉由自處理槽液供給管6〇、&、幻補充處 101110088 27 201250902 理液而調節。 升降器20包含：用以保持基板w之基板保持部2ι ;及 用以變更處理中之基之保持位置之基板保持位置更換 部 22。 、 基板保持位置更換部22沿處理槽2之上下方向相對於升 降器20而可相對移動地構成，且藉由未圖示之上下機構而 上下移動。使基板储位置更換部22藉由上下機構而朝處 理槽2之上方移動，以此可使複數個基板w離開固定於升 降器20上之基板保持部21，從而僅由基板保持位置更換部 22 .而保持複數個基板w。 基板保持位置更換部22與基板霤之周緣部接觸而保持基 板W。基板保持位置更換部22係在以通過設置於基板處理 位置P P1上之基板W之中^之錯垂軸為中心而對稱地設定 之複數個位置上與基板w之周緣部接觸。其等接觸位置係 相對於通過基板W之中心之錯垂軸而更遠離基板保持部21 與基板W之周緣部之接觸位置的位置。 缓衝槽100包含於腔室i之外部，且係在將處理槽2中用 於處理之處理液回收時使用。回收至緩衝槽1〇〇中之處理液 被調整為既定之溫度或濃度之後，再次被輸送至處理槽2 中，並作為處理液而使用。 第1實施形態中’緩衝槽100包含於基板處理裝置内。然 而，亦可根據基板之處理條件或裝置内之設置空間而將緩衝 101110088 28 201250902 槽設置於基板處理裝置之外。 於緩衝槽100上，結合有緩衝槽液供給管63、64、、 緩衝槽排液管84、及緩衝槽液移送管83。緩衝槽100上進 而包含：液面感測器PM，其用以檢測蓄積於缓衝槽ι〇〇中 之處理液之液位；溫度計THP2，其檢㈣積於緩衝槽⑽ 中之處理液之溫度；及濃度計CM2，其檢測蓄積於緩衝槽 1〇〇中之處理液之濃度。 於緩衝槽液供給管63、64、65上，分別介裝有緩衝槽液 供給閥33 ' 34、35 1緩衝魏供給閥33、34、35之上游 側之緩衝槽液供給管幻、64、65分別與處理槽液供給間％、 31 :32之上游側之處理槽液供給管6〇、61、62連接。因此， 可藉由開閉緩衝槽液供給閥33 緩衝槽議中。 34、％而將處理液供給至 於緩衝槽排液管84上，介狀古⑼， 排液管84之上_之端部連接於二== 端部連接於處㈣排㈣4 θ 〃下J側之 的處理槽循環管79。 下游側與录6之上游側之間 於緩衝槽液移送管83上，八 槽液移送管83之下游側之^裝有緩衝槽旁路閥.緩衝 侧之端部連接於過遽|| 8之下、$連接*緩衝槽_，其上游 CM1之間的處理槽循環f 79 4側與溫度計ΤΗΡ1及濃度計 因此，若打開處理槽排 36而驅動 101110088 _ 9及緩衝槽旁路閥 29 201250902 及緩衝：2中之處理液通過處理槽循環管79 蓄積於^rf 83之配f路徑而被料至緩衝槽100。 槽1〇°中之處理液排出至緩衝槽排液管84之 ^過處理槽㈣管79並藉由栗6而壓送，藉由溫 郎器7而溫度調節，且藉由過遽器 又 缒偷搞陈雜質，然後通過 衝槽液移送管83而再次时錢_ 100卜藉此 緩衝槽100中’蓄積有被調整為既定之溫度之處理^。即;， 構成通過貫穿緩衝槽排液管84、共通路徑95(處理糟猶Μ 79之-部分)及緩衝槽液料管83之第3循環路 理液循環的第3循環單元。配置於共有路 & 處 ^ r 溫度調節器7及過濾器8係藉由第丨、第2及莖 "、 而共有。 循環單元 又，根據由濃度計CM2檢測之濃度而使緩衝槽液址仏 33〜35開閉。藉此，蓄積於緩衝槽1〇〇中之處理/、給閥 被調整。 夜之濃度 ’47或處 2 積於緩 打開緩衝槽排液閥37 ’進而打開喷嘴開閉閥 理槽旁路閥48而驅動果6，藉此可使蓄積於緩衝样 之處理液通過缓衡槽排液管84、進而通過處理二 79(共有路徑95)或處理槽旁路管78而被送液至處 中。即，構成藉由系6及緩衝槽排液管84等而將 衝槽100中之處理液送液至處理槽2之送液單元。 於洗淨處理槽2時，可使處理槽2退避至緩衝槽 101110088 30 201250902 =’無需廢棄蓄積於處理槽2中之處理液，從而可降低化 予藥品消耗量。 、」处理&排液閥49之下游側，連接有處理液排液管82。 於及，理液排液管82上，介裝有處理液排液闊％。處理液 2液s 82之上游側之端部連接於處理槽排㈣之下游側 。栗6之场狀間的處理難環管79。處雌排液管82 -之下游侧之端部連接於I廠設侧之排⑽。處理液排液閥 • 39通*為_ ’在將蓄積於處理槽2及緩衝槽⑽中之處 理液排出至工廠設備側時打開。 其次，參照圖2而說明控制單元1〇〇。 控制單元110控制：升降器2〇及包含於升降器2〇中之基 板保持位置更換部22 ;用於蓋體5之開閉機構114 ;驅動各 閱之開閉之閥驅動機構115 ;栗6;使喷嘴1〇〜17分別擺動 之喷0^擺動機構27 ;及溫度調節器7。 又，控制單元11〇監控藉由溫度計THP1、THp2而獲得 之處理液之溫度、藉由濃度計CM卜CM2而獲得之處理液 之濃度、及藉由液面感測器PS1、PS2而獲得之處理液之液 位。 其次’參照圖3、圖4、圖5、圖6、圖7及圖8,對上述 第1貫施形態之基板處理裝置之基板處理方法之一例進行 說明。 圖3係表示第1實施形態之全部處理步驟之流程圖，圖4 ]〇111〇088 31 201250902 係表示第1實施形態之初期準備步驟之流程圖，圖5係表示 第1實施形態之待機處理步驟之流程圖’圖6係表示第1 實施形態之基板搬入步驟之流程圖’圖7係表示第1實施形 態之基板處理步驟之流程圖，圖8係表示第1實施形態之基 板搬出步驟之流程圖。 其次，參照圖3，對第1實施形態之基板處理方法之全部 流程進行說明。 首先執行初期準備步驟(步驟S1)。初期準備步驟中，將處 理液供給至處理槽2，執行用以處理基板W之處理液之生 成處理。 其次，執行待機處理步驟(步驟S2)。待機處理步驟中，在 將基板W搬入至基板處理裝置為止之期間，執行用以將處 理槽2内之環境之狀態或蓄積於處理槽2中之處理液之狀態 固定地保持之處理。 其次，執行基板搬入步驟（步驟S3)。基板搬入步驟中，在 設定於處理槽2之上方之基板收送位置上，將藉由未圖示之 基板搬送機器人而保持之基板轉移至升降器2G上。進而， 升降器2G將該轉移後之基板W搬送至基板處理位置PP1 上 :土 纟驟之後，執行基板處理步驟（步驟S4)。基板 處理步驟中’根據贱決定之參數，於處理槽2中僅以既定 之時間處理基板W。 101110088 32 201250902 於基板處理步驟之後，執行基板搬出步驟（步驟S5)。 基板搬出步驟中，升降器2〇將設置於處理槽2之基板處 理位置PP1上之基板W搬送至設定於處理槽2之上方之基 板收送位置上。進而，執行將基板自升降器2〇轉移至搬送 機器人之處理。 然後，控制單元100判斷是否已處理完既定之批次數(步 驟S6)，於既定之批次數之處理結束之情形時，結束處理。 於既定之批次數之處理未結束之情形時，控制單元1〇〇執行 待機處理步驟(步驟S2)。 其次’參照圖4、圖5、圖6、圖7及圖8,對自上述初期 準備步驟(步驟si)至基板搬出步驟(步驟S5)為止之詳細之 流私進行說明。 首先參照圖4,軸期準備步驟(圖3之步驟S1)之詳細之 流程進行說明。 打開處理槽液供給閥30、31、32,自工廠設備側將各液 供給至處理槽2，於處理槽2中混合而調製處理液（步驟 S10)。各液之供給流量係藉由介裝於處理槽液供給管⑹、 6卜62上之未圖示之流量計而測量，同時藉由接收該等之 輸出4叙控制單元U〇而監控。控制單元將其等各液 以既定之混合比於處理槽2内混合，且以使處理槽2内之液 面成為既定之定$水準之方式而控制各液之供給量。 如上所述，對於處理槽2，亦可預先供給以既定之成分之 101110088 33 201250902 混合比預先調製而成之處理液，直至達到既定之定量水準為 止。 蓄積於處理槽2中之處理液之液位係藉由液面感測器PS1 而檢測’且藉由接收其輸出信號之控制單A 110❿監控。於 處理槽2内之處理液之液位到達可使栗6及溫度調節器^ 作動之商度(該高度低於上述既定之定量水準)之前，控制單 元削待機。若液位到達上述高度，則其後控制單元ιι〇使 泵6及溫度調節器7作動，打開處理槽排液闕49及喷嘴開 =閥40〜47。藉此，將處理液自處理槽2排出至處理槽循 環管79，該處理液藉由栗6而被壓送至吐出管川〜” 壓送之處理液自第1喷嘴1〇、1卜第2噴嘴12、13、第3 喷背14、15、及第4喷嘴16、17而朝處理槽2吐出並循環， 且與處理槽2内之處理液混合(步驟S11)。與該循環及混合 之同時’以使由溫度計ΤΗρι檢測之溫度成為既定之溫度之 方式，控制設置於處理槽循環f 79上之溫度調節器7。藉 此，進行處理液之溫度調節（例如升溫），同時亦進行各 10〜17及到達此處之吐出f7Q〜77等之配管系統之溫度調 節（步驟SU)。此時’繼續進行於步驟S10中開始的各液之 供給。 於步驟S11之後’控制單元11〇判斷蓄積於處理槽2中之 處理液之液面疋否到達既定之定量水準，進而根據濃度計 CM1之輸出信號而判斷是否已調整為較之濃度（步驟 101110088 34 201250902 )疋量水準係設定於較配置於基板處理位置ρρι上之基 板W之下端更靠下、且較第4噴嘴16、17之吐出口更低之 置的第1液位。進而，定量水準係以使配置於基板處理 位置PP1上之基板w不受處理液之環境之影響的方式，設 定於自该基板^之下端朝下方離開之位置上。 才工制單元11〇若使蓄積於處理槽2中之處理液之液面達到 既疋之疋里水準，且使處理液之濃度成為既定之濃度（步驟 S12 : YES)，則停止於步驟sl〇中開始的對處理槽2之處理 液供給(步驟S13)。 進而控制單元11〇根據溫度計ΤΗρι之輸出信號而判斷 處理才曰2 0之處理液是否已被調節至既定之溫度（步驟 S14)。該步，驟S14中，控制手段m亦繼續監控濃度計⑽ 之輸出信號，且亦進行處理液為既定之濃度之確認。若藉由 經由處理槽循環管79之處理液之循環而碟認處理槽2内之 處理液已達到既定之溫度，則控制單元11 〇關閉喷嘴開閉閥 4〇〜47，打開處理槽旁關48。#此，將循環路徑切換為 處理槽旁路管78(步驟S15)。其㈣在於，若藉由第i喷嘴 ι〇、η、第2喷嘴12、13、第3喷嘴14、15、第4喷嘴16、 17(第1吐出部）而進行液體之循環直至即將搬入基板w之 前為止’則腔室1内會充滿處理液之薄霧。若腔室i内充滿 有處理液之;|霧，則在為了搬人基板w而打開蓋體5時， 有該處理液薄霧飛散至裝置外部之虞。藉由將循環路徑切換 101110088 35 201250902 為處理液槽旁路管78而可防止或抑制處理液薄霧飛散至裝 置外部。處理槽旁路管78之第2吐出部18之構成為，以不 產生薄霧之形態、例如以所謂連續流而吐出處理液。以此方 式，初期準備步驟（步驟S1)結束。於步驟S1之後，繼續執 行待機處理步驟(步驟S2)。 其次，參照圖5，對待機處理步驟（圖3之步驟S2)之詳細 之流程進行說明。 首先，控制單元110判斷欲處理之基板(批次)是否被投入 至基板處理裝置中（步驟S20)。 於經過長時間而未將批次投入至基板處理裝置中之情形 時(步驟S20: NO)，處理槽2之處理液濃度發生變化。因此， 控制單元110取得由包含於處理槽2内之濃度計CM1所檢 測之處理槽2之處理液之濃度，並判斷處理槽2内之處理液 之濃度是否為正常範圍（步驟S21)。 於處理槽2内之處理液之濃度為正常範圍之情形時，控制 單元110執行之處理返回至步驟S20。 於處理槽2之濃度為不正常之情形時(步驟a〗：no)，控 制單元110補充含有處理液之成分之液體，
，則控制單 101110088 之液體，直至處理槽2 S22, S23)。具體 30〜32中與不足 36 201250902 元110停止對處理槽2進行含有處理液之成分之液體之補充 (步驟S24)，執行來自步驟S20之處理。 批次投入之指示係由基板處理裝置之上游之裝置給予。所 明上游之裝置’係於用以執行包含該基板處理裝置之步驟之 一連串的基板處理步驟之生產線上，執行較該基板處理裝置 而更靠前之步驟之裝置。若對基板處理裝置給予批次投入之 指示（步驟S20 : YES)，則控‘單元ι10確認位於腔室1之 外部之未圖示之基板搬送機器人是否已到達用以將基板说 收送至升降器20之基板收送位置（步驟S25)。於確認基板搬 送機器人已到達基板收送位置之情形時(步驟S25 : YES)， 扰制單元11〇結束待機步驟(步驟S2)，繼續執行基板搬入步 驟（步驟S3)。 其··人，參照圖6，對基板搬入步驟（圖3之步驟S3)進行說 月參照圖7，對基板處理步驟（圖3之步驟S4)進行說明， 參照圖8，對基板搬出步驟（圖3之步驟S5)進行說明。 基板搬入步驟(步驟S3)中，首先，控制單元n〇打開包含 於處，槽旁路管78中之處理槽旁路閥48，接著關包含於 土出s 70〜77中之噴嘴開閉閥4〇〜47。藉此，使來自第！ 喷=10 1卜第2喷嘴12、13、第3喷嘴14、15、及第4 喷Ϊ 6 17之處理液之淋浴吐出停止（步驟S30)，將處理液 L L切換為處理槽旁路管78。於已將循環路徑切換為 &旁路官78時’控制單元11G保持該狀態。 101110088 37 201250902 由於未自喷嘴ίο〜17吐 防止化學藥品環㈣漏至腔^外液又“於基板搬入時可 旁路管78中之第2吐出外。又，經由包含於處理槽 。卩8而可使處理液循環，故而可防 畜積於ί 里槽2中之處理液或過滤器8 降低，同時於基板搬入中亦可敗耻良 處理液巾之齡嘯料帛2 8㈣料好地捕捉 準Α 部18於較蓄積至定量水 準為止之處理液之液面更靠下之處具有吐出位置。藉此，使
舰之處理液於處理槽2内之處㈣中吐出，故而可 地防止化學藥品環境洩漏至腔室丨外。 I 於步驟S30之後，控制單元】 + 10拴制盍體開閉機構114(參 照圖2)’打開包含於腔室丨中之蓋體5(步驟叫。 其後’控制單元U0控制升降器2〇，將由基板搬送機器 ^1移^^_2〇±^基板_人至處理槽2之基板處理 位置PP1(步驟S32)。即，升降器2〇於處理槽2之上方之既 定之基板收送位置上自位於腔室i之外部之基板搬送機器 人接收基板W之後，將該基板W搬送至處理槽2内之基板 處理位置PP1。 控制單元110在確認基板W已到達既定之其 PP1後(步驟S33 : YES)，控制蓋體開閉機構114而關閉蓋 體5(步驟S34)。藉此’基板搬入步驟(步驟S3)結束。 基板處理位置PP1係使自第3噴嘴14、15吐出之處理液 之吐出中心方向（例如水平方向）通過處理槽2内由升降器 101110088 38 201250902 20所保持之基板W之基板表面之中心的位置。又，基板處 理位置PP1設定為使處理對象之基板w之下部位於較蓄積 於處理槽2中之處理液之液面更靠上。所謂處理液之吐出中 心方向’係指沿著由自喷嘴吐出之處理液擴展而形成之輪廊 之中心軸的處理液行進方向。 於基板搬入步驟(步驟S3)結束後，執行基板處理步驟(步 驟S4) 於基板處理步驟(步驟S 4)中，控制單元丨丨〇打開噴嘴開閉 閥40〜47，關閉處理槽旁路閥48。藉此，自第i噴嘴1〇、 11、第2喷嘴12、13、第3噴嘴14、15、及第4噴嘴16、 17朝向處理槽2内之基板W而執行處理液之淋浴吐出處理 (步驟S40)。處理液之液位位於較基板w更靠下，故而自噴 嘴10〜17吐出之處理液向空中吐出並到達基板w之表面。 用於基板處理後之處理液、及基板周邊之環境中之微粒藉 由淋浴吐出而流下至蓄積於處理槽2之下部之處理液中。因 此，可防止使用後之變髒的處理液殘留於基板W之周邊， 或已被去除之微粒再附著於基板W上》 又，於淋浴吐出時，將處理液自第1噴嘴1〇、U、第2 喷嘴12、13、第3喷嘴14、15、及第4喷嘴16、17之所有 喷嘴朝向基板W進行空中吐出，藉此可使處理槽2内之處 理液效率良好地循環。而且，可防止處理槽2内之環境溫产 降低。 101110088 39 201250902 又，於淋浴吐出並經過固定時間之後，基板表面溫度穩 疋。因此，較理想的疋自淋浴吐出開始起經過固定時間之 後’僅自包含於蓋1中之第1喷嘴1〇、U、或者僅自第2 喷嘴12、13吐出處理液。藉此，自上方朝下方對設置於基 板處理位置ΡΡ1上之基板W吐出處理液，故而基板W表面 之處理液之流動穩定。而且，使用後之處理液朝向處理槽2 之内部之下方，故而可提高微粒之去除效果及洗淨之均勻 性。 又，於淋浴吐出處理（步驟S40)中，較佳為進行喷嘴擺動 處理，該喷嘴擺動處理係藉由喷嘴擺動機構27而使第2喷 嘴10、11、第2喷嘴12、13、第3喷嘴14、15、及第4喷 嘴16、17於處理槽2之内部沿上下方向、左右方向而移動， 或者變更其等之吐出角度。藉由進行喷嘴擺動處理而可變更 基板之處理區域，故而可更加均勻地處理基板表面。 亦可代替包含喷嘴擺動機構27，在基板處理位置ρρι與 較基板處理位置PP1更靠上之位置之間一面使升降器2〇上 下地擺動-©進行淋浴❹H面使升降^ 2G上下地 擺動-面進行淋浴吐出❿可發揮與喷嘴擺動處理相同之效 果。即，來自喷嘴10〜17之處理液吐出區域與基板之相對 位置產生變動，故而基板表面之處理區域產生變化，藉此， 可均勻地處理基板表面。 於淋冷吐出處理(步驟S40)中，較理想的是使基板保持位 101110088 201250902 置更換部22作動，更換保持有基板w之部分而處理基板w。 一面由基板保持部21㈣基板w，—面使基板保持位置 更換部22上升’藉此可使基板保持部21自基板w離開， 僅由基板保持位置更換部22而保持基板w。藉此，可變更 基板W之保持位置(接觸位置），且可對藉由基板保持部？！ 遮播而難以處理之部分亦全料行處理H可確實防止 批次間之微粒之轉移。 執行淋浴吐出之處理直至經過基於既定之處理參數之既 定之處理時間為止（步驟S41 : YES)之後，控制單元ιι〇打 開旁路閥48,接著關閉包含於吐出管7〇〜77中之喷嘴開閉 閥40〜47。藉此’使來自第1喷嘴10、U、第2喷嘴12、 13、第3噴嘴14、15、及第4喷嘴16、 17之處理液之淋浴 吐出停止，基板處理步驟(步驟S4)結束。 該狀態下，自第1喷嘴1〇、u、第2嘴嘴12、13、第3 喷嘴14、15、及第4噴嘴16、17吐出處理液，故而可防止 基板搬出時之化學藥品環境之茂漏。 於步驟S41之後’執行基板搬出步驟（步驟S5)。控制單元 11 〇控制蓋體開閉機構114而打開蓋體5 (步驟s 5 〇 )，進而控 制升降器20而使基板W自處理槽2搬出（步驟S51)。控制 單元110在確認已完成基板w之搬出之後（步驟: YES)，控制蓋體開閉機構114而關閉蓋體5(步驟s53) ^藉 此’基板搬出步驟(步驟S5)結束。 101110088 41 201250902 於執行基板搬出步驟之期間，可經由包含於處理槽旁路管 78中之第2吐出部18而使處理液循環。因此，可防止蓄積 於處理槽2巾之處理液或喊n 8内之處理液之溫度降低。 而且’於基板搬出中亦可由過濾器8而效率良好地捕捉使用 後之處理液中含有之微粒，故而可將處理槽2之處理液之潔 淨度始終保持於固定範圍。 然後，控制單元110判斷是否已處理既定數量之批次（圖 3之步驟S6)。於已完成既定數量之批次之處理之情形時（步 驟S6 . YES)，控制單元11〇結束處理。於未處理既定數量 之批人之情形時(步驟S6 : N0)，控制單S 110執行待機處 理步驟(步驟S2)’等待新的批次投入至基板處理裝置中。 (第2實施形態） 其次，對第2實施形態進行說明。本實施形態之基板處理 裝置之構成與第1實施形態為相同，基板處理方法之一部分 不同。即，如圖9及圖10所示，與作為第1實施形態之基 板處理方法之全部流程之圖 3加以比較，以下方面不同。首 先’於待機處理步驟(步驟S2)中，於批次投入之指示（步驟 S2〇)之後，直至執行基板搬入步驟(步驟S3)為止之期間，執 行搬入別處理步驟(步驟sl〇〇)。進而，於基板搬出步驟（步 驟S5)之後，直至執行步驟S6為止之期間，執行搬出後處 理步驟(步驟S200)。 其次，參照圖1及圖10’說明搬入前處理步驟(步驟S100)。 101110088 42 201250902 於搬入前處理步驟（步驟S100)中，若有批次投入之指示 (步驟S20 : YES)，則控制單元110確認位於腔室1之外部 之未圖示之基板搬送機器人是否已到達用以將基板W收送 至升降器20之基板收送位置上（步驟S25)。若基板搬送機器 人已到達基板收送位置(步驟S25 : YES)，則控制單元11〇 對升降器20指示接收基板w之動作，結束待機步驟(步驟 S2) ’繼續執行基板搬入步驟(步驟s3)。 另一方面，於基板搬送機器人到達與升降器2〇之基板收 送位置之前，或者完成相對於升降器2G之基板接收指示之 輸出之則&制單元1 1 〇執行溫度調節前處理（步驟S 1)。 具體而言，控制單元110打開介裝於處理槽循環管79上之 處理槽排㈣49，站開介裝於吐出管7G〜77上之喷嘴開 閉閥〜47，驅動栗6。藉此，使經溫度調節後之處理液自 噴嘴10〜17(第1吐出部）進行淋浴吐出。 在即將使基板W搬人至處_ 2之·處理槽2内使處 理=行淋浴吐出，以此可防止處理槽2及配管内之處理液 之〜降低。藉此，可提高基板處理時 性 一内之環境中〜二 此 '液洛下至蓄積於處理槽2之下部之處理液卜藉 理槽2内之環境’故而可於潔淨的環境中處理 土反，因此可實現潔淨度更高之基板處理。 於溫度調節前處理(步驟_)中’較理想的是控制單天 101110088 43 201250902 no打開介裝於處理槽旁路管78上之處理槽旁路閱牦，且 自第2吐出部18亦吐出處理液。藉此，處理液不會滞留於 處理槽旁路f 78之内部，從而可抑制處理槽旁路管78内之 處理液之溫度降低。因此，可進一步抑㈣處理槽2之溫度降 低。 又，於溫度調節前處理（步驟S1〇l)中，控制單元U0亦可 使處=液自喷嘴10〜17(第i吐出部）吐出，同時打開介裝: 排氣管81上之排氣閥38，且僅以既定時間將腔室丨及處理 槽2内之環境經由排氣管81而排氣。藉此，於即將使基板 搬入至處理槽2之前可進行處_ 2内之環境淨化，故而可 實現潔淨度更高之基板處理。 又，於溫度調節前處理（步驟S101)中，較佳為進行使喷嘴 10〜17(第i吐出部)藉由喷嘴擺動機構27而擺動之喷嘴擺 動處理。藉由使喷嘴H)〜17(第i吐出部)擺動而使處理液較 大範圍地遍及處理槽2之内側，故而可更加淨化處理槽2 内，且可更確實地防止處理槽2内之溫度降低。 " 另一方面，於基板搬送機器人已到達與升降器2〇之基板 收送位置，^已完成㈣於升降器2G之基板接收指示:輸 出之情形時，溫度調節前處理（步驟sl〇1)結束。藉此搬入 前處理步驟(步驟S100)結束，繼續執行基板搬入步驟(步驟 S3)。 其次，參照圖11，說明搬出後處理步驟(步驟S2〇〇)。 101110088 44 201250902 於搬出後處理步驟中，執行溫度調節後處理（步驟幻w)。 於溫度調節後處理（步驟8201)中，控制單元11〇打開介裝於 處理槽循環管79上之處理槽排液閥49,且打開介袭於^出 ^ 70〜77上之喷嘴開閉閥4〇〜47，驅動泵6。藉^，、自喷 嘴10〜17(第1吐出部）而使處理液於處理槽2内進行淋浴吐 出（步驟S201)。 * 於來自處理槽2之基板搬出後，立即於處理槽2之内部使 處理液進行淋浴吐出，藉此可抑制蓄積於處理# 2及配管内 之處理液之溫度降低。除此之外，可立即淨化因基板處理而 文到污染之處理槽2。因此，可抑制對於後續批次之基板處 理之溫度降低之影響及絲之轉移^藉此，可提高後續批次 間之處理之均勻性，且可提高基板之潔淨度。 又，若於使用有硫酸(HJO4)與雙氧水(H2〇9之混合液之 基板處理之後處理槽2之内部變冷，則處理液中之成分於處 理槽2内易析出。藉由在將處理完的基板w搬出之後隨即 於處理槽2之内部進行淋浴吐出*可抑制或防止基板處理 後之處理槽2内之析出。 於溫度調節後處理（步驟S2〇1)中，較理想的是控制單元 110打開介裝於處理槽旁路管78上之處理槽旁路閥48，且 自第2吐出部18亦吐出處理液。藉此，可抑制處理液滯留 於處理槽旁路管78之内部而引起溫度降低，故而可進一步 抑制處理槽2之溫度降低。 101110088 45 201250902 又，於溫度調節後處理（步驟S201)中，較佳為控制單元 110進行使喷嘴10〜17(第1吐出部)藉由喷嘴擺動機構.27 而擺動之喷嘴擺動處理。藉由使噴嘴10〜17(第1吐出部) 擺動而使處理液較大範圍地遍及處理槽2内’故而可更加淨 化處理槽2之内部，且可更確實地防止處理槽2之内部之溫 度降低。 控制單元110於溫度調節後處理（步驟S201)經過既定時 間之後（步驟S203: YES)，結束搬出後處理步驟（步驟S200)。 (第3實施形態） 其次，對第3實施形態進行說明。本實施形態之基板處理 裝置之構成與上述各實施形態為相同，若將第1實施形態及 第2實施形態之基板處理步驟（參照圖3及圖9等）加以比 較，則初期準備步驟(步驟S1)及基板處理步驟(步驟S4)不 同。又，本實施形態之基板處理步驟在基板搬出步驟（步驟 S5)與步驟S6之間包括供給液移送步驟（步驟S3〇〇。參照圖 14及圖15)。對第2實施形態之基板處理步驟（參照圖9等） 而應用本實施形態之態樣（參照圖丨5)係在搬出後處理步驟 (步驟S200)與步驟S6之間，其包括供給液移送步驟(步驟 S300)。 本貫施形態中，如圖12所示，於初期準備步驟(步驟S1) 中，控制單元110將處理液供給至處理槽2(步驟sl〇)，執 行溫度調整(步驟S11)。 101110088 46 201250902 於步驟11之後，在處理液達到處理液中浸潰有設置於處 理槽2之基板處理位置PP1上之基板w之整個面之既定的 第2液位之則，控制單元11〇確認處理液蓄積於處理槽2 中（步驟S121)。若處理液到達既定之第2液位(步驟S121 : YES)，則控制單幻1()停止對處理槽2之處理液供給(步驟 S13)。 於步驟S13之後’控制單元U〇確認處理液已成為既定之 .濃度及溫度(步驟叫)之後，結束初期準備步驟(步驟叫。 即，本實施形態中，代替圖4所示之步驟S12而執行步驟 sm。 又，如圖13所不，於基板處理步驟（步驟S4)中，於處理 槽2中執行基板W之浸潰處理（步驟S41〇)。即，於處理槽 2内執行使基板W整體浸潰於處理液中之處理。控制單元 11〇在確認已執行既定時間之浸潰處理（步驟S42〇)之後，執 •行排液移送處理（步驟S430)。 - 於排液移送處理（步驟S430)中，控制單元丨1〇打開處理槽 排液閥49及緩衝槽旁路閥36，驅動泵6。藉此，將蓄積於 處理槽2中之處理液急速地排液移送至緩衝槽中。在蓄 積於處理槽2中之處理液之液位成為較基板w更靠下之液 位之刖’以使設置於基板處理位置pp 1上之基板W與蓄積 於處理槽2中之處理液不接觸之方式持續地進行該排液移 送。控制單元110在處理槽2之液面下降而到達既定之第i 101110088 47 201250902 液位之時間點’關閉處理槽排液闊49及緩衝槽旁路閥36， 停止泵6，結束排液移送處理（步驟S430)。 然後，使用殘留於處理槽2中之處理液，進行來自嘴嘴 10〜17(第1吐出部）之淋浴吐出之基板處理（步驟S4〇)。控 制单元11 〇確5忍經過既定時間而執行淋?谷吐出處理（步驟 S41)之後’結束基板處理步驟(步驟S4)。 於淋浴吐出步驟(步驟S40)之後，執行基板搬出步驟(步驟 S5)，將基板W搬出至處理槽2外，並交給基板搬送機器人。 如圖14所示，於基板搬出步驟（步驟S5)之後，執行供給 液移送步驟（步驟S300)。又，如圖15所示，於基板搬出步 驟(步驟S5)之後執行搬’出後處理步驟（步驟S200)之情形（第 2貫施形態之基板處理步驟）時，在執行搬出後處理步驟(步 驟S200)之後’執行供給液移送步驟（步驟S300)。 其次，參照圖16，說明供給液移送步驟（步驟S3〇〇)。 蓄積於緩衝槽100中之處理液在自處理槽2被送液至緩衝 槽100中時，溫度易降低。因此，被送液至緩衝槽1〇〇中之 處理液之溫度於緩衝槽1〇〇中得以調整（步驟S3〇1)。又，被 送液至緩衝槽100中之處理液之濃度隨著時間之經過而變 化，故而於步驟S301中，濃度亦得以調整。 於步驟S301中，以下述方式調整處理液之溫度與濃度。 即，控制單元110打開緩衝槽排液閥37及緩衝槽旁路閥 36,驅動泵6 ^藉此’處理液經由緩衝槽排液管84、處理槽 101110088 48 201250902 循環管79及緩衝槽液移送管83而循環。於該循環 中，藉由溫度計THP2而測定處理液之溫度，且#由 節器7而將處理液之溫度調整為既定之溫度。 又，處理液之濃度藉由濃度計CM2而控制單元 根據已敎之濃度及目標濃度而控制緩衝槽液供給間 二35，觀自緩觸液供料Μ%供給既定之處 之成分，調整處理液之濃度。 於朝伽之執行後，控制單幻 二驅動栗6。藉此，於緩衝槽1〇〇中調整為既定之溫度 /辰度之處理液經由緩衝槽排液管84、處理槽循環管7 〜⑽丨吐㈣’藉由⑽自緩衝槽獅被送液 至處理槽2(步驟S302)。 若蓄積於緩衝槽100中之處理液減少，緩衝槽ι〇〇内之處 理液W下降而賴纽域6送液之液位，則控制單元 110停止泵6。藉此，完成自緩衝槽1〇〇向處理槽2之 驟S303卜 於力驟S303之執行後’控制單幻1〇判斷蓄積於處理槽 2中之處理液之液位是否已達到㈣對基板w進行浸潰處 理之既^之第2液位(步驟請4)。於處理槽2狀處理液達 到既定之第2液位之情形時，㈣單元⑽結束供給液移送 步驟(步驟S300)。 於未達到既疋之第2液位之情形時（步驟S3〇4 : N〇)，控 101110088 49 201250902 制單元110藉由控制處理槽供給閥30、3卜32而將處理液 之成分自處理槽液供給管60〜62供給至處理槽2，直至達 到既定之第2液位為止（步驟S3G5)e藉此，供給液移送步驟 (步驟S300)結束。於供給液移送步驟(步驟S3〇〇)結束後，執 行步驟S6。 如此於第3實施形態中’於浸潰之基板處理後執行淋浴吐 出之基板處理，故而可有效地利用浸潰處理之基板洗淨能 力，同時可抑制批次間之微粒之轉移，且可提高處理之均勻 性。又，浸潰處理中使用過後之處理液並未廢棄，為了再利 用而被排液移送至缓衝槽no中（步驟S430)，因此可抑制化 學藥品消耗量。 (第4實施形態） 其次，對第4實施形態進行說明。本實施形態之基板處理 裝置如圖17所示於處理槽2上包含蓋體5Αβ蓋體5A之構 成為，藉由控制單元110而受到開閉控制，使處理槽2之上 方之開口開閉。又，上述各實施形態中包含於腔室1之蓋體 5上之第1喷嘴10、11包含於處理槽2中。 圖17中，圖示於腔室1及處理槽2之雙方上包含蓋體5、 5A之構成，但亦可省略腔室1之蓋體5。 於腔室1及處理槽2之雙方上包含蓋體5、5A之圖17之 構造中，可構成將腔室1之内部與處理槽2之内部分別密閉 之雙層密閉構造。藉此，處理槽2内更難以變冷，且處理槽 101110088 50 201250902 2之内部之環境更難以受到腔室丨之外部之環境的影響。 (第5實施形態） 其次，對第5實施形態進行說明。於上述各實施形態中， 第1循環單兀(6、7、8、70〜77、79)與第2循環單元(6、7、 8、78、79)之一部分重複’共同擁有共有路徑 95。相對於 此，第5實施形態中，如圖18所示，第1#環單元(6小 .8、70〜77、⑼與第2循環單元(6A、7A、8A、78A)獨立。 .即’第2循環單元包含：處理槽旁路管78A，其兩端連接於 處理槽2 ;聚6A ’其自處理槽2之上游侧依序介裝於處理 槽旁路管78A上：溫度調節器7A及過據器8A。本實施形 態中’處理槽旁路管撤之一端連接於處理槽排液間49與 處理槽2之間之排液通路。 一由於第丨循環單元(6、7、8、7()〜77、79)與第2循環單 兀(6A 7A、8A、78A)獨立，故而可使該等個別地動作。因 此，於打開蓋體5而將基板W相對於處理槽2進行搬入或 搬出時，停止第i循環單元(6、7、8、7〇〜77、79)介裝之 泵6’另-方面，藉由與第i循環單元獨立之第2循環軍元 (6八、从、认、狗而可使蓄積於處理槽2中之處理液循環 而進仃溫度調整。因此’於打開蓋體5時必需停止第 單元之情形時，亦可藉由第2循環單元而對處理液進行溫: 調整。 又 進而，在自處理液供給管6G〜62對處理槽2補充處理液 101110088 51 201250902 之成分時，可使蓄積於處理槽2中之處理液藉由第丨循環單 元與第2循環單元之雙方而循環，從而迅速地攪拌並混合處 理液之成分。 又，於停止第1循環單元或第2循環單元之任一者之录 6、6A之情形時，藉由包含任一個可運轉之泵6、6A之第1 循環單元或第2循環單元而可使蓄積於處理槽2中之處理液 循環。 因此，可使蓄積於處理槽2中之處理液之成分更快地混合 而使處理液之濃度均勻。 (第6實施形態） 其次，對第6實施形態進行說明。本實施形態之基板處理 裝置之構成中，使介裝於第1循環單元上之過濾器8、及介 裝於第2循環單元上之過濾器8A為與上述第5實施形態中 之過濾特性不同之過濾器。 又，此時較佳為，將流動於第1循環單元中之處理液之流 量、與流動於第2循環單元中之處理液之流量設定為不同之 既定之流量。藉此，可一方面防止過濾器8、8A之孔眼堵 塞，一方面效率良好地捕捉處理槽2内之微粒。 (第7實施形態） 其次，對第7實施形態進行說明。於上述各實施形態中’ 以1個泵6按時間分割地使用蓄積於處理槽2及緩衝槽100 中之處理液1且使其循環。相對於此，本實施形態之基板處 101110088 52 201250902 理裝置中，如圖18及圖l9 _ 100中之處理液循環之緩包3僅使蓄積於緩衝槽 環管85上’為了對處理液進 6B及溫度調節器7B。即，妝m 衣有獨立的泵 f用以使蓄積於緩衝桦 處理液循環之第3循環單元ό 《 100中之 早兀自第1及第2循環單元 而設置。 ^獨立開來 根據該構成，不依賴於第1循環單元及第2#ί“ 僅使蓄積於緩衝槽H)G中之處理液循環。藉此而可 移至淋浴吐㈣理後之浸潰處^又，即便在處理槽2、2 進行基板處理之使用中，亦可對緩衝槽1〇〇内之處理液獨立 地進行溫度調節及調整，故而可將調整為既定之濃产及瓜产 之處理液自緩衝槽100補充至處理槽2中。 (其他實施形態） 本發明並不限於上述實施形態’亦可以下述方式變形而實 施0 於上述實施形態中，如圖18及圖19所示，於處理槽2 之底部亦可包含第3吐出部19。 對設置於處理槽2中之基板W進行淋浴吐出處理之情形 時，經由處理槽循環管79及吐出管〜77而自喷嘴〜 17(第1吐出部）吐出處理液，藉此不會有微粒之再附著，從 而可有效地處理基板W，另一方面’對設置於處理槽2中 之基板W進行浸潰處理之情形時，經由處理槽循環管7 9及 101110088 53 201250902 第3吐出部吐出管90而自第3吐出部19吐出處理液藉此 可適當地控制蓄積於處理槽2中之處理液之流動。由n 提高基板處理之均勻性。 又，如圖19所示，處理槽2亦可包含：用以蓄積自處理 槽2溢出之處理液之外槽3、及排出外槽3之處理纩之外㈢ 排液管80。而且’於外槽排液管8〇上 ^ 亦可介裝有用以使 外槽排液f 80之流路開閉之外槽排液閱5〇。自處_ 2溢 出而蓄積於外槽3中之處理液可經由外槽排㈣ 槽循環管79及第3 口土出部吐出管90而回收至處理槽2中。 即，構成使溢出之處理液向處理槽2循環之第4循變單元 該第4循環單元之處理液循環路徑即第4循環路徑通過共有 路徑95。由此，配置於共有路徑95上之泵6、溫度調^器 7及過濾器8藉由第1、第2及第4循環單元而共有。當然， 亦可將第4循環單元自第1及第2循環單元獨立開來而構 成0 根據本實施形態之構成，於浸潰處理時蓄積於處理槽2 中之處理液會溢出，故而可效率良好地排出處理槽2之處理 液中之微粒。因此，藉由進行淋浴吐出處理與浸潰處理而可 取得淋浴吐出處理及浸潰處理之更加優異之相乘效應，從而 可進一步提高基板處理之均勻性及潔淨度。 已對本發明之實施形態進行了詳細地說明，但該等僅為用 以明確本發明之技術内容之具體例，本發明不應限定於該等 101110088 54 201250902 具體例而解釋，本發明之範圍僅藉由隨附之申請專利範圍而 限定。 本申請案與2011年3月25日日本專利廳提出之特願 2011- 068078號、及2012年2月21日提出之特願 2012- 035298號對應，該等申請案之全部揭示於此處以引用 之方式而併入。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之全體 概略構成的圖。 圖2係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之控制 單元之構成的圖。 圖3係表示本發明之第1實施形態之全部處理步驟之流程 圖。 圖4係表示本發明之第1實施形態之初期準備步驟之流程 圖。 圖5係表示本發明之第1實施形態之待機處理步驟之流程 圖。 圖6係表示本發明之第1實施形態之基板搬入步驟之流程 圖。 圖7係表示本發明之第1實施形態之基板處理步驟之流程 圖。 圖8係表示本發明之第1實施形態之基板搬出步驟之流程 101110088 55 201250902 圖。 圖9係表示本發明之第2實施形態之全部處理步驟之流程 圖。 圖10係表示本發明之第2實施形態之搬入前處理步驟之 流程圖。 圖11係表示本發明之第2實施形態之搬出後處理步驟之 流程圖。 圖12係表示本發明之第3實施形態之初期準備步驟之流 程圖^ 圖13係表示本發明之第3實施形態之基板處理步驟之流 程圖。 圖14係表示本發明之第3實施形態之全部處理步驟之一 例的流程圖。 圖15係表示本發明之第3實施形態之全部處理步驟之一 例的流程圖。 圖16係表示本發明之第3實施形態之供給液移送步驟之 流程圖。 圖17係表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之腔 室及處理槽之蓋之概略構成的圖。 圖18係表示本發明之第5及其他實施形態之基板處理裝 置之全體概略構成的圖。 圖19係表示本發明之其他實施形態之基板處理裝置之全 101110088 56 201250902 體概略構成的圖。 【主要元件符號說明】 W 基板 1 腔室 2 處理槽 3 外槽 5、5A 蓋體 6、6A、6B 泵 7、7A、7B 溫度調節器 8、8A、8B 過濾器 10、11 第1喷嘴（第1吐出部) 12、13 第2喷嘴（第1 士出部) 14、15 第3喷嘴（第1 士出部) 16、17 第4喷嘴（第1吐出部) 18 第2吐出部 19 第3吐出部 20 升降器 21 基板保持部 22 基板保持位置更換部 27 喷嘴擺動機構 29 排氣調整機構 30 〜32 處理槽液供給閥 101110088 57 201250902 33 〜35 緩衝槽液供給閥 36 緩衝槽旁路閥 37 緩衝槽排液閥 38 排氣閥 39 處理液排液閥 40 〜47 喷嘴開閉閥 48 處理槽旁路閥 49 處理槽排液閥 50 外槽排液閥 60 〜62 處理槽液供給管 63 〜65 緩衝槽液供給管 70 〜77 吐出管 78 處理槽旁路管 79 處理槽循環管 80 外槽排液管 81 排氣管 82 處理液排液管 83 緩衝槽液移送管 84 緩衝槽排液管 85 緩衝槽循環管 90 第3吐出部吐出管 95 共有路徑 101110088 58 201250902 100 緩衝槽 110 控制單元 114 蓋體開閉機構 115 閥驅動機構 CM1 > CM2 濃度計 THP1 ' THP2 溫度計 PS1 ' PS2 液面感測器 PP1 基板處理位置 101110088 59