JP2008198690A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】位置調整作業を簡素化することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 カセット位置規制部２２がカセットＣの外壁面に当接して、処理槽２に対するカセットＣの位置を所定位置に規制する。また、処理槽位置規制部２３が密閉チャンバ１の内壁面に形成された嵌合部１３に嵌めあわされることによって密閉チャンバ１に対する処理槽２の位置を所定位置に規制する。したがって、処理槽２とカセットＣとの位置関係を調整する必要がなく、密閉チャンバ１と処理槽２との位置関係を調整する必要もない。すなわち、密閉チャンバ１と本体部１０１との位置関係のみを調整機構７２によって調整すればよく、位置調整作業を簡素化することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池、化合物半導体、液晶表示装置、レクチル等に利用されているシリコン基板、化合物半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板（以下、単に「基板」という）の表面処理を行う基板処理装置に関する。

基板の製造工程においては、各種の薬液による基板表面の薬液処理や純水等の洗浄液による基板表面の洗浄処理が所定の順序で行われる。薬液処理や洗浄処理は、例えば、複数の基板を格納したカセットを処理液が貯留された処理槽内に所定時間浸漬することにより行われる（特許文献１参照）。

このような態様の基板処理装置は、例えば図６に例示するような構成を備えている。図６は、従来の基板処理装置９００を基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。基板処理装置９００においては、装置の立ち上げ時に、装置内の各部の位置調整作業を行う必要がある。

より具体的には、処理槽９２とカセットＣとが所定の位置関係（より具体的には、処理槽９２内に設けられた処理液の吐出孔９２１が、カセット内に格納された複数枚の基板の間隙に位置するような位置関係）となるように厳密に位置調整する必要がある。この位置調整が不十分で、吐出孔９２１から吐出された処理液がカセット内に格納された基板の間にうまく注入されないと、基板に対する処理液の供給が不十分となり、処理にムラが生じてしまう。

また、処理槽９２はチャンバ９１内に格納されることになるが、ここでも処理槽９２がチャンバ９１内において所定の位置（より具体的には、処理槽９２のオーバーフロー面が水平となる位置）となるように位置調整する必要がある。この位置調整が不十分で、オーバーフロー面が傾斜していると、処理槽９２の各辺から均一に処理液がオーバーフローされず、処理槽９２内に形成される処理液の流れが基板に対して均一ではなくなり、やはり処理にムラが生じてしまう。

また、ロボットアームＲＡがカセットＣを処理槽９２内の所定位置に載置できるように、ロボットアームＲＡとチャンバ９１との位置関係およびロボットアームＲＡと処理槽９２との位置関係をいずれも調整する必要がある。この位置調整が不十分であれば、ロボットアームＲＡがカセットＣを処理槽９２内の所定位置に載置することができないばかりか、ロボットアームＲＡがチャンバ９１の外壁等と接触する可能性もある。

従来の基板処理装置９００においては、所定位置に複数の調整ねじ（例えば、ロボットアームに対して位置調整された本体部９０１とチャンバ９１との位置関係を調整する第１の調整ねじＡ１と、チャンバ９１と処理槽９２との位置関係を調整する第２の調整ねじＡ２と、処理槽９２とカセットＣの載置位置との位置関係およびロボットアームＲＡとカセットＣの載置位置を規定するカセットガイド９２１との位置関係を調整する第３の調整ねじＡ３）を設け、各調整ねじをそれぞれ調整することによって、各構成部の位置を適正位置に規制していた。

特開平５−１０９６８４号公報

上述の通り、位置調整の精度は基板に対する処理品質にも大きく影響する。しかも、位置調整においては複数の構成部の相対的な位置関係を同時に調整しなければならないため、高精度の位置調整には熟練の技術が必要であった。特に、処理槽９２が塩化ビニル、テフロン（登録商標）、石英などから形成されており、一品一様であることも位置調整作業を困難なものとする要因の１つであった。また、位置調整作業は基板処理装置の備える処理モジュールのそれぞれに対して行わなければならず、さらに、装置の製造工場内と装置の設置場所とで計２回の位置調整作業を行わなければならないので、位置調整に要する時間は相当なものとなり、人件費等のコストも嵩み、また、立ち上げに要する期間も長期化してしまっていた。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、位置調整作業を簡素化することが可能な基板処理装置を提供することを目的としている。

請求項１の発明は、カセットに格納された複数の基板に対する表面処理を行う基板処理装置において、内部を密閉空間にすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留可能な処理槽と、前記処理槽内に載置された前記カセットに格納された前記複数の基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、を備え、前記処理槽が、前記処理槽の内壁面に形成され、前記カセットの外壁面に当接して前記処理槽に対する前記カセットの位置を規制するカセット位置規制部と、前記処理槽の外壁面に形成され、前記チャンバの内壁面に当接して前記チャンバに対する前記処理槽の位置を規制する処理槽位置規制部とを備える。

請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記カセット位置規制部と前記処理槽位置規制部とが表裏一体に形成されている。

請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記カセット位置規制部が、前記カセットの底面に当接して前記カセットの垂直位置を規制する水平面と、前記処理槽の開口部に向けて傾斜する面であり、前記水平面からの立ち上がり辺において前記カセットの底面の側縁に当接して前記カセットの水平位置を規制する傾斜面とを備える。

請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記チャンバが、前記チャンバの内壁面に形成され、前記処理槽位置規制部に嵌合する嵌合部、を備え、前記処理槽位置規制部が前記嵌合部に嵌合することによって、前記チャンバに対する前記処理槽の位置が規制される。

請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記処理槽位置規制部が、前記処理槽の外壁面に形成された凹部、を備え、前記嵌合部が、前記チャンバの内壁面に形成された凸部、を備え、前記凹部が前記凸部に嵌合することによって、前記チャンバに対する前記処理槽の位置が規制される。

請求項６の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板処理装置の本体に対する前記チャンバの位置を調整するチャンバ位置調整部を備える。

請求項１〜６に記載の発明によれば、カセット位置規制部がカセットの外壁面に当接して、処理槽に対するカセットの位置を規制するので、処理槽とカセットとの位置関係を調整する必要がない。また、処理槽位置規制部がチャンバの内壁面に当接してチャンバに対する処理槽の位置を規制するので、チャンバと処理槽との位置関係を調整する必要がない。したがって、位置調整作業を簡素化することができる。

特に、請求項２に記載の発明によれば、カセット位置規制部と処理槽位置規制部とが表裏一体に形成されているので、処理槽の形状を単純化することが可能となる。

特に、請求項３に記載の発明によれば、処理槽の開口部に向けて傾斜する傾斜面が水平面からの立ち上がり辺においてカセットの水平位置を規制するので、チャンバ内に搬入されたカセットの水平位置が所定位置からずれていた場合であっても、傾斜面に沿わせてカセットを所定の載置位置に導くことが可能となる。

特に、請求項４，５に記載の発明によれば、処理槽の外壁に形成された処理槽位置規制部とチャンバの内壁に形成された嵌合部とが嵌めあわされるので、処理槽をチャンバに対して所定位置に規制しつつ確実に固定することができる。

〈１．構成〉
この発明の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を、図１，図２を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置１００を基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。なお、図中においてはＸＹＺ直交座標系を付している。この座標系においては、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、Ｘ、Ｙ軸が水平面を規定するものとする。図１中に示されるカセットＣには、複数の基板ＷがＹ方向について所定間隔をおいて起立姿勢で格納されている。図２は、基板処理装置１００の備える配管や制御系の構成を示す図である。

基板処理装置１００は、密閉チャンバ１と、処理槽２と、処理液供給管３と、処理液供給系４と、廃液系５と、排気系６と、制御部７とを備える。

密閉チャンバ１は、その内部に処理槽２を収納する筐体であり、基板処理装置１００の本体部１０１に固定される。密閉チャンバ１は、本体部１１と、密閉蓋１２とを備える。密閉蓋１２は、スライド式開閉機構（図示省略）によって開閉可能である。密閉蓋１２を開放した状態では、開放部分から本体部１１内に複数の基板Ｗが格納されたカセットＣを搬出入することができる。また、密閉蓋１２の裏面には、本体部１１と密閉蓋１２との間を密閉する密閉シール１２１が取り付けられており、密閉蓋１２を閉鎖した状態では、密閉チャンバ１の内部を密閉空間とすることができる。なお、密閉チャンバ１は、後述する処理槽２が密閉チャンバ１内に配置された状態において、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面との距離が、５〜２０ｍｍ程度となるようにサイズ設定される。また、処理槽２のオーバーフロー面と密閉蓋１２の裏面との距離が２０〜５０ｍｍとなるようにサイズ設定される。

密閉チャンバ１の内壁面には嵌合部１３が形成されている。嵌合部１３の具体的な形状については後に説明する。この実施の形態においては、密閉チャンバ１は型による加工方法（具体的には、回転成型や射出成型）によって成型される。

処理槽２は、各種の処理液を貯留する容器であり、密閉チャンバ１内に配置される。なお、本明細書において「処理液」とは、基板に対して行われる薬液・洗浄・乾燥等の各種処理に用いられる液体の総称であり、ここには各種薬液、洗浄液、乾燥用媒体等が含まれる。処理槽２の底部には注入管２１が設けられている。注入管２１には、Ｙ方向について所定間隔（より具体的には、カセットＣにおける基板Ｗの格納間隔と同程度の間隔）で複数の注入孔２１１が形成されている。注入管２１に供給された処理液は、注入孔２１１から所定方向ＡＲ２１１に吐出される。所定方向ＡＲ２１１とは、処理槽２内に載置されたカセットＣに格納された基板Ｗ（すなわち、カセットＣによって処理槽２内に支持された基板Ｗ）に向かう方向である。処理槽２の上部は開放されており、注入孔２１１から吐出された処理液は処理槽２の内部を上方に向かって流れ、上部の開口から外側へオーバーフローする。処理槽２の各壁面の上端部にはノッチが形成されている。ノッチの形状は、三角形であってもよいし半円形であってもよい。また、ノッチは連続的に形成されていてもよいし、所定の間隔をおいて形成されてもよい。なお、処理槽２は、処理槽２内に支持された基板Ｗの上端とオーバーフロー面との距離が、５〜１０ｍｍ程度となるようにサイズ設定される。

処理槽２の内壁面にはカセット位置規制部２２が形成されている。また、外壁面には処理槽位置規制部２３が形成されている。カセット位置規制部２２および処理槽位置規制部２３の具体的な形状については後に説明する。この実施の形態においては、処理槽２は型による加工方法で成型される。

処理液供給管３は、密閉チャンバ１内であって処理槽２の両側面の上方に張り渡された配管である。処理液供給管３には、Ｙ方向について所定間隔（より具体的には、カセットＣにおける基板Ｗの格納間隔と同程度の間隔）で複数の吐出ノズル３１が取り付けられている。吐出ノズル３１は、処理槽２内に載置されたカセットＣに格納された基板Ｗに向かう方向ＡＲ３１に処理液を吐出する。吐出ノズル３１から吐出された処理液は処理槽２内に載置されたカセットＣに格納された基板Ｗの表面に供給される。

処理液供給系４は、注入管２１および処理液供給管３のそれぞれに、第１〜第４の処理液を選択的に供給する配管系である。ただし、第１の処理液はアルカリ性の薬液（例えば、アンモニア水および過酸化水素水の混合液）であり、第２の処理液は酸性の薬液（例えば、硫酸、ふっ化水素酸、硝酸や塩酸および過酸化水素水の混合液）であり、第３の処理液は、乾燥媒体（例えば、ＩＰＡ）であるとする。また、第４の処理液は、洗浄液（例えば、純水）であるとする。

処理液供給系４は、一端が注入管２１に、他端が選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれに接続された配管４１を備えている。配管４１には、注入バルブ４１１が介挿されている。また、処理液供給系４は、一端が処理液供給管３に、他端が選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれに接続された配管４２を備えている。配管４２には、吐出バルブ４２１が介挿されている。また、処理液供給系４は、一端が選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれに接続された配管４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを備えている。配管４３ａの他端は第１処理液を貯留する第１処理液貯留槽４３５ａに接続されている。また、配管４３ａには、配管４３ａ内を流れる処理液中のゴミ等を取り除くフィルタ４３２ａと、配管４３ａを流れる処理液を温調するヒータ４３３ａと、第１処理液貯留槽４３５ａに貯留された処理液を配管４３ａに送るポンプ４３４ａとが介挿されている。同様に、配管４３ｂ，４３ｃ，４３ｄの他端はそれぞれ第２処理液を貯留する第２処理液貯留槽４３５ｂ、第３処理液を貯留する第３処理液貯留槽４３５ｃ、第４処理液を貯留する第４処理液貯留槽４３５ｄに接続されている。また、配管４３ｂ，４３ｃ，４３ｄのそれぞれには、フィルタ４３２ｂ，４３２ｃ，４３２ｄと、ヒータ４３３ｂ，４３３ｃ，４３３ｄと、ポンプ４３４ｂ，４３４ｃ，４３４ｄとが介挿されている。注入バルブ４１１、吐出バルブ４２１、選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれは、制御部７に接続されている。制御部７は、各バルブを所定のタイミングで開閉制御することによって、注入管２１および処理液供給管３のそれぞれに所定のタイミングで所定の処理液（第１〜第４処理液のうちのいずれかの処理液）を供給する。

廃液系５は、密閉チャンバ１内や処理槽２内の処理液を廃液して、所定の処理液貯留槽に還流させる、もしくは排液ラインに導く配管系である。廃液系５は、一端が密閉チャンバ１の底部に設けられたドレイン弁５１２および処理槽２の底部に設けられたドレイン弁５１３に、他端が処理液貯留槽４３５ａ，４３５ｂ，４３５ｃのそれぞれに接続された配管５１ａ，５１ｂ，５１ｃを備えている。配管５１ａ，５１ｂ，５１ｃのそれぞれには、廃液バルブ５１１ａ，５１１ｂ，５１１ｃが介挿されている。また、一端がドレイン弁５１２，５１３に、他端が排液ラインに接続された配管５１ｄを備えている。配管５１ｄには、廃液バルブ５１１ｄが介挿されている。廃液バルブ５１１ａ，５１１ｂ，５１１ｃ，５１１ｄのそれぞれは、制御部７に接続されている。制御部７は、各バルブを所定のタイミングで開閉制御することによって、密閉チャンバ１内および処理槽２内の処理液を所定のタイミングで排液して所定の処理液貯留槽４３５ａ，４３５ｂ，４３５ｃに還流する、もしくは排液ラインに導く。

排気系６は、密閉チャンバ１内の雰囲気を排気する配管系である。排気系６は、一端が密閉チャンバ１内と接続され、他端が排気ラインに接続された配管６１を備えている。配管６１には、排気バルブ６１１および排気ポンプ６１２が介挿されている。排気バルブ６１１は、制御部７に接続されている。制御部７は、排気バルブ６１１を所定のタイミングで開閉制御するとともに排気ポンプ６１２を駆動することによって、密閉チャンバ１内の雰囲気を排気する。また、密閉チャンバ１内を減圧することもできる。

〈２．位置調整に関する構成〉
〈カセット位置規制部２２〉
図１を参照する。処理槽２の内壁面（より具体的には、処理槽内壁の底面部の両側）には、カセット位置規制部２２が形成されている。

カセット位置規制部２２は、カセットＣの外壁面に当接して、処理槽２に対するカセットＣの位置を所定位置に規制する。所定位置とは、例えば、Ｘ方向について、カセットＣが処理槽２の中央に置かれる位置である。また、Ｙ方向について、カセットＣ内に起立姿勢で格納された複数の基板Ｗのそれぞれが、複数の吐出ノズル３１の間隙に置かれると同時に複数の注入孔２１１の間隙に置かれる位置である。カセットＣがＹ方向についてこのような所定位置に規制されることによって、複数の吐出ノズル３１のそれぞれが吐出する処理液の流れが、カセットＣ内に起立姿勢で格納された複数の基板Ｗの間隙に入ることになる。また、Ｚ方向について、カセットＣ内に格納された複数の基板Ｗと注入孔２１１とが所定距離だけ離間する位置である。

カセット位置規制部２２は、水平面２２１と、傾斜面２２２とを備えている。水平面２１１はカセットＣの底面に当接してカセットＣの垂直位置を規制する。傾斜面２２２は、処理槽２の開口部に向けて傾斜する面（すなわち、処理槽２の中心と反対の方向に傾斜する面）であり、水平面２１１からの立ち上がり辺においてカセットＣの底面の側縁に当接してカセットＣの水平位置を規制する。なお、傾斜面２２２は垂直面であってもよい。この場合、傾斜面２２２はカセットＣの側面に当接してカセットＣの水平位置を規制する。

〈処理槽位置規制部２３〉
処理槽２の外壁面（より具体的には、処理槽外壁の底面部の両側）には、処理槽位置規制部２３が形成されている。処理槽位置規制部２３は、カセット位置規制部２２と表裏一体に形成されている。すなわち、カセット位置規制部２２の水平面２２１の裏面に、後述する処理槽位置規制部２３の水平面２３１が形成されている。

処理槽位置規制部２３は、密閉チャンバ１の内壁面（より具体的には、密閉チャンバ１の内壁面に形成された嵌合部１３）に当接して、密閉チャンバ１に対する処理槽２の位置を所定位置に規制する。所定位置とは、例えば、Ｘ方向について、処理槽２が密閉チャンバ１の中央に置かれる位置であり、Ｚ方向について、処理槽２のオーバーフロー面が水平となる位置である。

処理槽位置規制部２３は、水平面２３１と、互いに対向する２つの側面２３２とを備えており、全体として凹部２３３を形成する。この凹部２３３が後述する凸部１３３と嵌合することによって、密閉チャンバ１に対する処理槽２の位置が規制される。すなわち、水平面２３１は密閉チャンバ１の内壁面（より具体的には、密閉チャンバ１の内壁面に形成された嵌合部１３の水平面１３１）に当接して処理槽２の垂直位置を規制する。側面２３２は、密閉チャンバ１の内壁面（より具体的には、密閉チャンバ１の内壁面に形成された嵌合部１３の側面１３２）に当接して処理槽２の水平位置を規制する。

〈嵌合部１３〉
密閉チャンバ１の内壁面（より具体的には、密閉チャンバ内壁の底面部の両側）には、処理槽位置規制部２３と嵌合する嵌合部１３が形成されている。

嵌合部１３は、処理槽位置規制部２３と嵌合可能な形状に形成されている。すなわち、水平面１３１と、互いに対向する２つの側面１３２とを備えており、全体として凸部１３３を形成する。上述した通り、処理槽位置規制部２３の凹部２３３がこの凸部１３３と嵌合することによって、密閉チャンバ１に対する処理槽２の位置が規制される。

〈調整機構７２〉
密閉チャンバ１の外壁面（より具体的には、密閉チャンバ外壁の底面部の両側）には、凹部が形成されており、当該凹部に位置決めブロック７１が嵌めあわされている。この実施の形態においては、当該凹部は、嵌合部１３と表裏一体に形成されている。位置決めブロック７１と本体部１０１との間には調整機構７２が介挿されている。すなわち、密閉チャンバ１は、位置決めブロック７１と調整機構７２とを介して、本体部１０１に対して所定位置に支持されており、本体部１０１に対する密閉チャンバ１の位置は、調整機構７２によって調整される。

調整機構７２について図３を参照しながら説明する。図３は、調整機構７２の斜視図である。調整機構７２は、本体部１０１に対する密閉チャンバ１の位置を調整する機構であり、第１調整ねじ７２１と、第２調整ねじ７２２と、第３調整ねじ７２３とを備えている。

第１調整ねじ７２１は、位置決めブロック７１を下方から突き上げ支持する。第１調整ねじ７２１のＺ方向の位置をねじ留めによって調整することによって、本体部１０１に対する密閉チャンバ１のＺ方向位置を調整することができる。第１調整ねじＡ１は、Ｘ方向およびＹ方向について調整機構７２の天板７２４に対して固定されている。

第２調整ねじ７２２は、天板７２４を脚部７２５に対して固定する。天板７２４のＸ方向の位置を調整ねじ７２２で調整することによって、本体部１０１に対する密閉チャンバ１のＸ方向位置を調整することができる。

第３調整ねじ７２３は、脚部７２５を本体部１０１に対して固定する。脚部７２５のＹ方向の位置を調整ねじ７２３で調整することによって、本体部１０１に対する密閉チャンバ１のＹ方向位置を調整することができる。

〈位置調整作業〉
上述の通り、処理槽２に対するカセットＣの位置は、カセット位置規制部２２によって規制されるので調整の必要はない。また、密閉チャンバ１に対する処理槽２の位置も、処理槽位置規制部２３および嵌合部１３によって規定されるので調整の必要はない。搬送ロボット（図示省略）に対するカセットＣの位置は、搬送ロボットに対して（より具体的には、予め搬送ロボットに対して位置決めされた本体部１０１に対して）、密閉チャンバ１の位置を調整することによって行う。この位置調整は、調整機構７２の調整ねじ７２１，７２２，７２３を調整することによって行う。

〈３．処理動作〉
この実施の形態に係る基板処理装置１００において実行される基板処理動作を図４を参照しながら説明する。図４は、基板処理動作の流れを示す図である。

はじめに、図外の搬送ロボットが、複数の未処理基板Ｗが格納されたカセットＣを密閉チャンバ１内に搬入して、処理槽２内の所定位置に載置する（ステップＳ１）。カセット位置規制部２２は、搬入されたカセットＣの外壁面に当接して、処理槽２に対するカセットＣの位置を所定位置に規制する。これによって、複数の注入孔２１１のそれぞれが、また、複数の吐出ノズル３１のそれぞれが、カセットＣに格納された複数の未処理基板Ｗの間に処理液を吐出可能となる。なお、カセットＣに格納された複数の未処理基板Ｗの表面には微細な電子回路形成用パターンが形成されていてもよい。また、これらパターンの表面は金属であってもよい。カセットＣが処理槽２内に搬入されると、制御部７は密閉蓋１２を閉鎖して密閉チャンバ１内部を密閉空間とする。

続いて、基板Ｗに対する表面処理を開始する。はじめに、第１処理液による基板Ｗの表面薬液処理を行う（ステップＳ２）。表面薬液処理は、処理液を基板表面に供給することによって行われる。ステップＳ２の処理は、具体的には、次のように行われる。

まず、制御部７が、選択バルブ４３１ａおよび吐出バルブ４２１を開放して処理液供給管３に第１処理液を供給する。すると、吐出ノズル３１から基板Ｗに向けて第１処理液が吐出され、吐出された第１処理液の流れ（処理液のシャワー）によって基板Ｗに対する表面処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面薬液処理が完了すると、選択バルブ４３１ａおよび吐出バルブ４２１を閉じて処理液供給管３に対する第１処理液の供給を停止する。なお、制御部７は、吐出バルブ４２１を開放する際には廃液バルブ５１１ａを開放しておく。したがって、吐出ノズル３１から吐出された第１処理液は処理槽２内や密閉チャンバ１内に貯留せず、配管５１を通って第１処理液貯留槽４３５ａに還流する。これによって、基板Ｗに対する表面処理を処理液のシャワーによって実行し続けることができる。なお、密閉チャンバ１内は密閉空間とされているので、シャワー供給された薬液のミストが搬送エリアに流出することもない。

被処理基板の表面状態や、供給する処理液の種類によっては、上記のように処理液をシャワーで供給するのではなく、オーバーフローで供給してもよい。この場合、ステップＳ２の処理は、次のように行われる。

まず、制御部７が、選択バルブ４３１ａおよび注入バルブ４１１を開放して注入管２１に第１処理液を供給する。すると、注入孔２１１から処理槽２内に第１処理液が吐出され、これによって処理槽２内には第１処理液が貯留される。また、貯留された処理液を処理槽２の開口部からオーバーフローさせ続けることによって処理槽２内に第１処理液の流れが形成され、形成された第１処理液の流れによって基板Ｗに対する表面処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面処理が完了すると、選択バルブ４３１ａおよび注入バルブ４１１を閉じて注入管２１に対する第１処理液の供給を停止する。続いて、廃液バルブ５１１ａを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の第１処理液を第１処理液貯留槽４３５ａに還流する。

なお、被処理基板の表面状態や、供給する処理液の種類によっては、処理液をシャワーとオーバーフローとの両方で供給してもよい。

ステップＳ２の処理が終了すると、続いて、基板Ｗの洗浄処理を行う（ステップＳ３）。洗浄処理は、洗浄液を基板表面に供給することによって行われる。ステップＳ３の処理は、具体的には、次のように行われる。

まず、制御部７が、選択バルブ４３１ｄおよび吐出バルブ４２１を開放して処理液供給管３に第４処理液（洗浄液）を供給する。すると、吐出ノズル３１から基板Ｗに向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れ（洗浄液のシャワー）によって基板Ｗに対する表面洗浄処理が実行される。これによって、基板表面に残存した第１処理液が洗い流される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面洗浄処理が完了すると、選択バルブ４３１ｄおよび吐出バルブ４２１を閉じて処理液供給管３に対する洗浄液の供給を停止する。なお、制御部７は、吐出バルブ４２１を開放する際には廃液バルブ５１１ａを開放しておく。したがって、吐出ノズル３１から吐出された洗浄液は処理槽２内や密閉チャンバ１内に貯留せず、配管５１を通って排液される。

被処理基板の表面状態等によっては、上記のように洗浄液をシャワーで供給するのではなく、オーバーフローで供給してもよい。この場合、ステップＳ３の処理は、次のように行われる。

まず、制御部７が、選択バルブ４３１ｄおよび注入バルブ４１１を開放して注入管２１に洗浄液を供給する。すると、注入孔２１１から吐出されて処理槽２の開口部からオーバーフローする洗浄液の流れによって基板Ｗに対する洗浄処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面洗浄処理が完了すると、選択バルブ４３１ｄおよび注入バルブ４１１を閉じて注入管２１に対する洗浄液の供給を停止する。続いて、廃液バルブ５１１ａを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の洗浄液を排液する。

なお、被処理基板の表面状態等によっては、洗浄液をシャワーとオーバーフローとの両方で供給してもよい。

ステップＳ３の処理が終了すると、続いて、第２処理液による基板Ｗの表面薬液処理を行う（ステップＳ４）。ステップＳ４の処理は、ステップＳ２の処理と同様、被処理基板の表面状態や供給する処理液の種類に応じて決定された供給パターンで、処理液（ここでは第２処理液）を基板表面に供給することによって行われる。具体的な処理動作はステップＳ２において説明した通りであるが、ここでは、選択バルブ４３１ａではなく選択バルブ４３１ｂを開閉制御する点が相違する。

ステップＳ４の処理が終了すると、続いて、再度、基板Ｗの洗浄処理を行う（ステップＳ５）。具体的な処理動作はステップＳ３において説明した通りである。ステップＳ５の処理が実行されることによって、基板表面に残存した第２処理液が洗い流される。

ステップＳ５の処理が終了すると、続いて、第３処理液による基板Ｗの表面乾燥処理を行う（ステップＳ６）。ステップＳ６の処理は、ステップＳ３の処理と同様、被処理基板の表面状態や供給する乾燥媒体の種類に応じて決定された供給パターンで、乾燥媒体（第３処理液）を基板表面に供給することによって行われる。具体的な処理動作はステップＳ２において説明した通りであるが、ここでは、選択バルブ４３１ａではなく選択バルブ４３１ｃを開閉制御する点が相違する。なお、乾燥処理が終了すると、制御部７が排気バルブ６１１を開放するとともに排気ポンプ６１２を駆動制御することによって、密閉チャンバ１内の雰囲気を排気する。

以上で基板Ｗに対する表面処理が完了する。表面処理が完了すると、制御部７は密閉蓋１２を開放する。続いて、図外の搬送ロボットが処理槽２内に載置されたカセットＣを密閉チャンバ１から搬出する（ステップＳ７）。

〈４．効果〉
この実施の形態によれば、処理槽２の内壁に形成されたカセット位置規制部２２がカセットＣの外壁面に当接して、処理槽２に対するカセットＣの位置を所定位置に規制する（すなわち、処理槽２の加工精度によってカセットＣの位置を規制する）ので、処理槽２とカセットＣとの位置関係を調整する必要がない。

また、処理槽２の外壁に形成された処理槽位置規制部２３が密閉チャンバ１の内壁面に当接して（より具体的には、密閉チャンバ１の内壁面に形成された嵌合部１３に嵌合して）、密閉チャンバ１に対する処理槽２の位置を所定位置に規制する（すなわち、処理槽２および密閉チャンバ１の加工精度によって処理槽２の位置を規制する）ので、密閉チャンバ１と処理槽２との位置関係を調整する必要がない。

すなわち、位置調整作業として必要とされるのは、密閉チャンバ１とロボットアーム（すなわち、ロボットアームに対して位置調整された本体部１０１）との間の位置調整作業のみとなり、位置調整作業を大幅に簡素化することができる。なお、一般に、密閉チャンバ１および本体部１０１はいずれも強度が高く、輸送によってもずれにくい。したがって、工場で一度位置調整作業を行えば、搬入先で再度位置調整作業を行う必要がない場合もある。

また、この実施の形態においては、処理槽２および密閉チャンバ１を型による成型方法で加工するので、製造単価を抑えることが可能となる。また、一品一様ではなくなるので、検査工程を削減することも可能となる。

また、この実施の形態によれば、嵌合部１３が凸部１３３を備え、処理槽位置規制部２３が凹部２３３を備え、これら凸部１３３と凹部２３３とが互いに嵌めあわされることによって、密閉チャンバ１に対する処理槽２の位置が規制されるので、処理槽２を密閉チャンバ１に対して所定位置に規制しつつ確実に固定することができる。

また、この実施の形態によれば、処理槽位置規制部２３とカセット位置規制部２２とが表裏一体に形成されているので、処理槽２の形状を単純化することが可能となる。

また、この実施の形態によれば、処理槽２の開口部に向けて傾斜する傾斜面２２２が水平面２２１からの立ち上がり辺においてカセットＣの水平位置を規制するので、密閉チャンバ１に搬入されたカセットＣの水平位置が所定位置からずれていた場合であっても、傾斜面２２２に沿わせてカセットＣを所定の載置位置に導くことが可能となる。

また、この実施の形態によれば、１つの処理槽２において基板に対する一連の表面処理が実行される。すなわち、基板処理装置１００内に設けるべき処理槽２の数が１つでよいことになる。したがって、位置調整作業も１つの処理槽に対して１回行えばよく、調整作業に要する時間を大幅に短縮することができる。

〈５．変形例〉
〈５−１．ブロックを用いた変形例〉
上記の実施の形態においては処理槽２や密閉チャンバ１は型による加工方法によって一体成型されていたが、別途成型されたブロックを埋め込む形で成形してもよい。この変形例に係る基板処理装置１００ａの構成について図５を参照しながら説明する。図５は、基板処理装置１００ａを基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。なお、図５においては、上記の実施の形態と同様の構成要素については同様の参照符号を付している。

基板処理装置１００ａの備える処理槽２ａの壁面（より具体的には、処理槽の底面部の両側）には、処理槽ブロック２０ａが埋め込まれている。処理槽ブロック２０ａの上側面にはカセット位置規制部２２ａが形成されている。また、処理槽ブロック２０ａの下側面には処理槽位置規制部２３ａが形成されている。

〈カセット位置規制部２２ａ〉
カセット位置規制部２２ａは、カセットＣの外壁面に当接して、処理槽２ａに対するカセットＣの位置を所定位置に規制する。カセット位置規制部２２ａは処理槽ブロック２０ａの上側面に形成された切り欠き部であり、水平面２２１ａと、壁面２２２ａとを備えている。この切り欠き部がカセットＣと嵌めあわされることによって、処理槽２ａに対するカセットＣの位置が規制される。すなわち、水平面２２１ａはカセットＣの底面に当接してカセットＣの垂直位置を規制する。壁面２２２ａは、カセットＣの側面に当接してカセットＣの水平位置を規制する。なお、壁面２２２ａは、処理槽２の両端部に向かって傾斜する面であってもよい。この場合、壁面２２２ａは水平面２２１ａからの立ち上がり辺においてカセットＣの底面の側縁に当接してカセットＣの水平位置を規制する。

〈処理槽位置規制部２３ａ〉
処理槽位置規制部２３ａは、密閉チャンバ１ａの内壁面（より具体的には、密閉チャンバ１ａの内壁面に形成された嵌合部１３ａ）に当接して、密閉チャンバ１ａに対する処理槽２ａの位置を所定位置に規制する。処理槽位置規制部２３ａは処理槽ブロック２０ａの底面２３１ａと側面２３２ａとから形成されている。これら各面が後述するチャンバブロック１０ａの上側面に形成された切り欠き部と嵌合することによって、密閉チャンバ１ａに対する処理槽２ａの位置が規制される。すなわち、底面２３１ａは密閉チャンバ１ａの内壁面（より具体的には、チャンバブロック１０ａに形成された嵌合部１３ａの水平面１３１ａ）に当接して処理槽２ａの垂直位置を規制する。側面２３２ａは、密閉チャンバ１ａの内壁面（より具体的には、チャンバブロック１０ａに形成された嵌合部１３ａの側面１３２ａ）に当接して処理槽２ａの水平位置を規制する。

〈嵌合部１３ａ〉
基板処理装置１００ａの備える密閉チャンバ１ａの壁面（より具体的には、密閉チャンバの底面部の両側）には、チャンバブロック１０ａが埋め込まれている。チャンバブロック１０ａの上側面には、処理槽位置規制部２３ａと嵌合する嵌合部１３ａが形成されている。

嵌合部１３ａは、処理槽位置規制部２３ａと嵌合可能な形状に形成されている。より具体的には、嵌合部１３ａはチャンバブロック１０ａの上側面に形成された切り欠き部であり、水平面１３１ａと、壁面１３２ａとを備えている。上述の通り、処理槽ブロック２０ａがこの切り欠き部と嵌合することによって、密閉チャンバ１ａに対する処理槽２ａの位置が規制される。

〈調整機構７２ａ〉
チャンバブロック１０ａと本体部１０１ａとの間には調整機構７２ａが介挿されている。調整機構７２ａの構成は、上記の実施の形態に係る調整機構７２と同様である。すなわち、密閉チャンバ１ａは、調整機構７２ａを介して、本体部１０１ａに対して所定位置に支持されており、本体部１０１ａに対する密閉チャンバ１ａの位置は、調整機構７２ａによって調整される。

〈５−２．その他の変形例〉
上記の実施の形態においては、処理槽位置規制部２３の備える水平面２３１と側面２３２とが凹部２３３を形成する構成としたが、水平面２３１と側面２３２とが凸部を形成してもよい。ただしこの場合、嵌合部１３の備える水平面１３１と側面１３２とが凸部を形成する構成とする。

また、処理槽位置規制部２３の備える側面２３２はＸ方向Ｙ方向のそれぞれについて少なくとも１つあればよい。嵌合部１３の備える側面１３２も同様である。

また、上記の各実施の形態においては、処理液供給系４は、注入管２１や処理液供給管３に４種類の処理液のいずれかを選択的に供給する配管系であるとしたが、処理液供給系４は、少なくとも１種類の処理液を供給する配管系であればよい。例えば、注入管２１や処理液供給管３に、アルカリ性の薬液を供給する処理液供給系を備える第１の基板処理装置と、酸性の薬液を供給する処理液供給系を備える第２の基板処理装置と、洗浄液を供給する処理液供給系を備える第３の基板処理装置と、乾燥媒体を供給する処理液供給系を備える第４の基板処理装置とを用いて、基板に対する一連の処理を実行してもよい。すなわちこの場合、第１〜第４の基板処理装置を並置しておき、第１の基板処理装置において、アルカリ性の薬液による表面処理を行い、当該処理が完了した基板を今度は第３の基板処理装置に搬入して洗浄処理を行い、当該処理が完了した基板を今度は第２の基板処理装置に搬入して酸性の薬液による表面処理を行い、当該処理が完了した基板を今度は第３の基板処理装置に搬入して最終リンス処理を行い、当該処理が完了した基板を今度は第４の基板処理装置に搬入して乾燥処理を行うことができる。この変形例によると、配管系を単純化できるという利点がある。

また、上記の実施の形態においては、処理液供給管３、注入管２１および処理液供給系４によって基板処理液供給部を構成していたが、注入管２１と処理液供給系４とによって基板処理液供給部を構成してもよい。この場合、基板に対する処理液の供給は、注入管２１に対して処理液を供給し、注入孔２１１から処理液を吐出させることによって（すなわち、オーバーフロー供給）により行うことになる。また、処理液供給管３と処理液供給系４とによって基板処理液供給部を構成してもよい。この場合、基板に対する処理液の供給は、処理液供給管３に対して処理液を供給し、吐出ノズル３１から処理液を吐出させることによって（すなわち、シャワー供給）により行うことになる。

この発明の実施の形態に係る基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の備える配管や制御系の構成を示す図である。 調整機構斜視図である。 基板処理装置において実行される基板処理動作の流れを示す図である。 変形例に係る基板処理装置の縦断面図である。 従来の基板処理装置の縦断面図である。

符号の説明

１，１ａ 密閉チャンバ
２，２ａ 処理槽
３ 処理液供給管
４ 処理液供給系
５ 廃液系
６ 排気系
７ 制御部
１０ａ チャンバブロック
１３ 嵌合部
２０ａ 処理槽ブロック
２２ カセット位置規制部
２３ 処理槽位置規制部
７１ 位置決めブロック
７２ 調整機構
１００，１００ａ 基板処理装置
１０１ 本体部
Ｃ カセット
Ｗ 基板Ｗ

Claims (6)

1. カセットに格納された複数の基板に対する表面処理を行う基板処理装置において、
   内部を密閉空間にすることが可能なチャンバと、
   前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留可能な処理槽と、
   前記処理槽内に載置された前記カセットに格納された前記複数の基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、
   を備え、
   前記処理槽が、
   前記処理槽の内壁面に形成され、前記カセットの外壁面に当接して前記処理槽に対する前記カセットの位置を規制するカセット位置規制部と、
   前記処理槽の外壁面に形成され、前記チャンバの内壁面に当接して前記チャンバに対する前記処理槽の位置を規制する処理槽位置規制部と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記カセット位置規制部と前記処理槽位置規制部とが表裏一体に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記カセット位置規制部が、
   前記カセットの底面に当接して前記カセットの垂直位置を規制する水平面と、
   前記処理槽の開口部に向けて傾斜する面であり、前記水平面からの立ち上がり辺において前記カセットの底面の側縁に当接して前記カセットの水平位置を規制する傾斜面と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記チャンバが、
   前記チャンバの内壁面に形成され、前記処理槽位置規制部に嵌合する嵌合部、
   を備え、
   前記処理槽位置規制部が前記嵌合部に嵌合することによって、前記チャンバに対する前記処理槽の位置が規制されることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記処理槽位置規制部が、
   前記処理槽の外壁面に形成された凹部、
   を備え、
   前記嵌合部が、
   前記チャンバの内壁面に形成された凸部、
   を備え、
   前記凹部が前記凸部に嵌合することによって、前記チャンバに対する前記処理槽の位置が規制されることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板処理装置の本体に対する前記チャンバの位置を調整するチャンバ位置調整部、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。

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