CN102956470B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置将基板浸渍在处理液中来对基板进行处理,具有:内槽,其积存处理液;外槽,其回收从内槽溢出的处理液;升降机,其在与内槽的上方相当的待机位置和与内槽的内部相当的处理位置之间与基板一起移动;循环配管,其使内槽与外槽连通,用于使处理液循环;循环控制部,其使内槽、外槽、循环配管积存特定量的处理液,该特定量为,在升降机与基板一起位于处理位置的处理状态下使处理液从内槽向外槽溢出,而在升降机与基板一起位于待机位置的非处理状态下使处理液不从内槽向外槽溢出的量,并且循环控制部在升降机与基板一起移动至处理位置之前的非处理循环状态下,使处理液从内槽向外槽流通,从而经由循环配管使处理液循环。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种利用处理液处理半导体晶片、液晶显示器用基板、等离子显示器用基板、有机EL用基板、FED(Field Emission Display:场发射显示器)用基板、光学显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板(下面,简称为基板)的基板处理装置,尤其涉及一种在内槽内积存处理液之后使基板浸渍其中并进行处理的技术。
背景技术
以往,这种装置具有:处理槽,其积存处理液,并具有用于容置基板的内槽及用于回收从该内槽溢出的处理液的外槽;循环配管,其连通内槽和外槽;泵,其将该循环配管内的处理液从外槽向内槽压送;加热器,其用于给在循环配管中流通的处理液加热。例如,参照表示日本专利3948912号公报的图1。
在如上述方式构成的装置中,向内槽供给处理液,并且一边利用泵使溢出至外槽的处理液循环一边利用加热器调节处理温度。并且,在处理液的温度到达了处理温度之后,支撑多个(例如,25块)基板并使其保持垂直姿势的升降机(lifter)从相当于内槽的上方的待机位置下降至相当于内槽内的处理液中的处理位置。通过在处理时间内维持这种状态,来利用处理液对基板进行规定的处理。
然而,在具有这种结构的现有例子的情况下,存在如下的问题。
即,现有的装置,在调节处理液的温度时,需要供给从内槽向外槽溢出的量的处理液,以便于能够在基板及升降机没有浸渍在内槽内的状态下利用泵来使处理液循环。如果将升降机与基板一并浸渍在内槽的处理液中,则与升降机和基板相当的体积量的处理液向外槽溢出,但是构成外槽来积存这些溢出的处理液。即,在处理基板前对处理液进行温度调节时,一边使包含有实质上在处理中用不到的量的处理液循环一边进行温度调节。因此,存在处理液的使用量变多的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,本发明的目的在于提供一种基板处理装置,该基板处理装置通过采用使处理所需要的最小量的处理液循环的结构从而能够减少处理液的使用量。
本发明为了达成上述目的,采用了如下的结构。
本发明提供一种基板处理装置,将基板浸渍在处理液中来对基板进行处理,具有:内槽,其积存处理液,外槽,其回收从所述内槽溢出的处理液,升降机,其在与所述内槽的上方相当的待机位置和与所述内槽的内部相当的处理位置之间与基板一起移动,循环配管,其使所述内槽与所述外槽连通,用于使处理液循环,循环控制装置,其使在所述内槽、所述外槽、所述循环配管中积存特定量的处理液,该特定量为,为在升降机与基板一起位于处理位置的处理状态下使处理液从所述内槽向所述外槽溢出,而在升降机与基板一起位于待机位置的非处理状态下,使处理液不从所述内槽向所述外槽溢出的量;并且,在升降机与基板一起移动至处理位置之前的非处理循环状态下,所述循环控制装置使处理液从所述内槽向所述外槽流通,从而经由所述循环配管使处理液循环。
根据本发明,在内槽、外槽及循环配管中积存的处理液的量为:在处理状态下使处理液从内槽向外槽溢出,在非处理状态下使处理液不从内槽向外槽溢出。另一方面,在非处理循环状态下,循环控制装置使处理液从内槽向外槽流通,并且经由循环配管使处理液循环。因此,即使在升降机与基板不处于处理位置上的状态下,也能够使处理液循环,从而能够减少用于处理的处理液的量。其结果,能够以短时间进行温度调节或药液浓度的调整。
另外,在本发明中,优选具有开闭阀,该开闭阀配设在所述内槽的侧壁上,并配设在比所述内槽的侧壁的上缘低的高度位置上,所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述开闭阀打开,而在处理状态下使所述开闭阀关闭。
如果在非处理循环状态下循环控制装置打开开闭阀,则处理液从比内槽的侧壁的上缘低的高度位置上向外槽流出。因此,即使在升降机与基板不处于处理位置上的状态下,通过打开开闭阀这种简单的动作也能够使处理液循环
另外,在本发明中,优选所述开闭阀设置在从处理状态变化为非处理状态时的所述内槽中的液面高度上。
通过将开闭阀设置在变化为非处理状态时的内槽的液面高度上,能够使处理所需要的最小量的处理液循环。
另外,在本发明中,优选所述开闭阀具有在打开时退出而在关闭时突出的活塞,在关闭时,所述活塞的前端部突出到与所述内槽的内壁面一致的位置。
通过活塞的进退能够切换处理状态和非处理循环状态。进而,由于在关闭时活塞的前端部与内槽的内壁面一致,所以不会在处理状态下扰乱内槽中的处理液的液流。
另外,在本发明中,优选所述内槽具有包括上缘的上部内槽和包括底面的下部内槽,所述基板处理装置具有用于使所述上部内槽或者所述下部内槽升降的升降装置,所述循环控制装置,在非处理循环状态下操作所述升降装置来在所述上部内槽与所述下部内槽之间形成间隙,而在处理状态下,使所述上部内槽与所述下部内槽贴紧。
内槽由上部内槽和下部内槽构成为分割式,通过升降装置使上部内槽与下部内槽之间形成间隙,从而能够使处理液从下部内槽的上缘流出。因此,由于能够使处理液从下部内槽的上缘整周流出,所以能够使内槽的处理液均匀地流出。其结果,在进行处理液的温度调节或浓度调整时,能够降低不稳定性,从而能够使的温度调节或浓度调整的时间缩短。
另外,在本发明中,优选具有:自动盖,其配设在所述内槽及所述外槽的上部,在非处理循环状态下闭合,在从非处理状态向处理状态转变时打开然后闭合,伸缩构件,其配设在所述自动盖的下表面,能够在所述内槽的处理液中与所述内槽的处理液面的上方之间自由伸缩;所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述伸缩构件伸长,在处理状态下使所述伸缩构件收缩。
由于在非处理循环状态下通过使自动盖的伸缩构件伸长来将内槽的处理液面往上推,所以处理液从内槽向外槽流通。因此,只需使伸缩构件伸长,就能够使处理液循环。
另外,在本发明中,优选具有伸缩构件,其配设在所述内槽的底部,能够在底部侧与处理液面侧之间自由伸缩,所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述伸缩构件伸长,在处理状态下使所述伸缩构件收缩。
由于在非处理循环状态下通过使内槽底部的伸缩构件伸长来将内槽的处理液面往上推,所以处理液从内槽向外槽流通。因此,只需使伸缩构件伸长,就能够使处理液循环。
另外,在本发明中,优选具有模型块,其能够在所述内槽的外部与所述内槽的内部之间移动,所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述模型块向所述内槽的内部移动,在处理状态下使所述模型块向所述内槽的外部移动。
如果在非处理循环状态下使模型块向内槽的内部移动,则能够使内槽的处理液面上升。因此,只需使模型块移动,就能够使处理液循环。
另外,在本发明中,优选具有向所述内槽的内部供给气泡的气泡供给装置,所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述气泡供给装置供给气泡,在处理状态下使所述气泡供给装置停止供给气泡。
如果通过气泡供给装置供给气泡,则能够按照气泡的量来将内槽的处理液面往上推。因此,只需产生气泡,就能够使处理液循环。此外,由于气泡引起的液面的变动小,所以将利用气泡的方式与将液面大幅度地往上推的方式并用,能够有效地对液面的高度进行微调整。
在以下的图中所示的仅为用于说明发明的目前优选的几种方式,但是应该理解为发明并非局限于图中所示的结构及方案。
附图说明
图1是表示第一实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。
图2是表示基板位于处理位置时的状态的图。
图3是表示基板位于待机位置时的状态的图。
图4是表示开闭阀的具体结构的纵向剖视图。
图5是非处理循环状态的说明图。
图6是处理状态的说明图。
图7是表示第二实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。
图8是非处理循环状态的说明图。
图9是处理状态的说明图。
图10是表示第三实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。
图11是非处理循环状态的说明图。
图12是处理状态的说明图。
图13是表示第四实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。
图14是非处理循环状态的说明图。
图15是处理状态的说明图。
图16是表示第五实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。
图17是表示第六实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。
具体实施方式
下面,对本发明的基板处理装置的各种实施方式进行说明。
<第一实施例>
下面,参照附图对本发明的第一实施例进行说明。
图1是表示第一实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。
该基板处理装置1利用处理液一并处理多个(例如,50个)基板W。基板处理装置1具有内槽3和外槽5。内槽3积存处理液并且容置基板W。外槽5包围在内槽3的周围,用于回收从内槽3溢出的处理液。内槽3在上部具有开口,在底部的两侧上具有注入管7。另外,在底部的中央形成有排出口9。在该排出口9上安装有用于快速排出内槽3内的处理液的快速排液阀11。
在外槽5的底部上形成有排液13。循环配管15的一端侧与该排液口13连通,循环配管15的另一端侧与注入管7连通。循环配管15从排液口13侧按顺序具有:循环泵17、在线加热器(in line heat)19、过滤器21。循环泵17用于压送在循环配管15中流通的处理液。在线加热器19用于调节在循环配管15中流通的处理液的温度。温度调节是以针对各处理分别设定的处理温度为目标来进行的。过滤器21用于去除包含在处理液内的颗粒(Particle)。
在循环配管15上的循环泵17的上游侧设置有废液管23。在废液管23上设置有开闭阀25。废液管23排出积存在外槽5和循环配管15中的处理液。
在内槽3的上方配置有升降机27。在升降机27的下部上设置有支撑部29,该支撑部29与基板W的下缘抵接并支撑基板W。升降机27构成为能够在“待机位置”与“处理位置”之间升降,其中,所述“待机位置”是图1中用实线表示的相当于内槽3的上方的位置,所述“处理位置”是用双点划线表示的相当于内槽3的内部的位置。该升降机27的升降动作由升降驱动部30控制。
在内槽3的侧壁的一部分上形成有循环口31。循环流通管33的一端侧与循环口31连通。循环流通管33的另一端侧朝向外槽5的底部。在循环流通管33上设置有开闭阀35。此外,在后面对形成循环口31的高度位置进行详细说明。
上述的快速排液阀11、泵17、在线加热器19、升降驱动部30、开闭阀25以及开闭阀35由控制部37统一控制。在控制部37中内置有CPU和存储器,并基于事先存储的动作控制用程序和规定了处理的处理工艺(recipe)来操作上述各部分。
此外,上述的控制部37相当于本发明的“循环控制装置”。
在此,参照图2及图3说明上述的循环口31、循环流通管33、开闭阀35在内槽3上的配设位置。此外,图2是表示基板位于处理位置时的状态的图,图3是表示基板位于待机位置时的状态的图。
图2表示升降机27与多个基板W一并移动至处理位置时的处理状态。在该处理状态下,内槽3的处理液面上升升降机27位于内槽3内的体积、支撑部29的体积及多个基板W的体积的合计量,并且处理液从内槽3的上缘整周向外槽5溢出。图3表示升降机27与多个基板W一并移动至待机位置时的非处理状态。在该非处理状态下,内槽3的处理液面下降,处理液不从内槽3的上缘向外槽5溢出。上述的循环口31、循环流通管33及开闭阀35设置在从上述的处理状态变化为非处理状态时的内槽3中的处理液面的高度位置上。
接着,参照图4说明上述开闭阀35的优选结构。此外,图4是表示开闭阀的具体结构的纵向剖视图。
开闭阀35设置在内槽3的侧壁上的上述高度位置上。外壳39从内槽3的侧面覆盖活塞41。外壳39安装在内槽3上,并使活塞41的前端部43突出到与内槽3的侧壁面一致的位置。另外,外壳39通过O环45安装在内槽3的外侧壁上。在外壳39的下部上形成有与循环口31和外壳39的内部相连通的开口47。循环流通管33与开口47连通。
在图4中,用实线表示的活塞41是表示在处理状态下的位置,用双点划线表示的活塞41是表示在非处理循环状态下的位置。这样,由于在处理状态下活塞41的前端部43与内槽3的内壁面一致,所以不会扰乱处理状态下的内槽3中的处理液的液流。
接着,参照图5及图6说明通过具有上述结构的基板处理装置1对基板W进行的处理。此外,图5是非处理循环状态的说明图,图6是处理状态的说明图。
(非处理循环状态)
如图5所示,在多个基板W以立起的姿势被支撑部29支撑的状态下,升降机27位于相当于内槽3的上方的待机位置。此时,在内槽3、外槽5及循环配管15中积存的处理液的量为,在多个基板W和升降机27移动至处理位置时处理液从内槽3的上缘溢出的量。另外,控制部37打开开闭阀35,并且使循环泵17动作,通过在线加热器19将处理液的温度调节至处理温度。虽然内槽3的处理液面位于内槽3的上缘的下方,但由于打开开闭阀35,所以内槽3的处理液通过循环流通管33流入到外槽5。因此,处理液在内槽3、外槽5及循环配管15内流通循环,并将处理液的温度向处理温度调节。
此外,处理液的量为在升降机27移动至处理位置时使处理液从内槽3溢出的量,该处理液的量可以通过考虑升降机27及支撑部29的体积和因基板W的数量或基板W的厚度等而形成的体积来决定。升降机27和支撑部29的体积不变,但基板W的处理数量会有变动。因此,优选处理液的容量成为,相加在该基板处理装置1所处理的基板W中最薄的基板W的体积和升降机27及支撑部29的体积得到的合计体积能够使处理液从内槽3溢出。
(处理状态)
当处理液的温度到达处理温度时,如图6所示,控制部37操作升降驱动部30,使升降机27与多个基板W一并从待机位置向处理位置下降。此时,关闭开闭阀35。于是,内槽3的处理液面上升位于内槽3的内部的升降机27及支撑部29和多个基板W的体积的量,并且处理液从内槽3的上缘向外槽5内溢出。因此,即使在处理状态下处理液也在循环配管15内流通循环。将该状态维持与处理工艺相应的时间,来对多个基板W进行与处理工艺相应的处理。
根据如上所述的本实施例,在内槽3、外槽5及循环配管15中积存的处理液的量为:在处理状态下处理液从内槽3向外槽5溢出,而在非处理状态下使处理液不从内槽3向外槽5溢出的量。另一方面,在非处理循环状态下,打开开闭阀35使处理液从内槽3向外槽5流通,从而经由循环配管15来使处理液循环。因此,即使在升降机27与基板W不处于处理位置的状态下,也能够使处理液循环,并能够减少用于处理的处理液的量。其结果,能够在短时间内进行温度调节或药液浓度的调整。
另外,由于处理液量变少,所以通过过滤器21对颗粒的捕捉效率变高,从而能够增加单位时间内的颗粒捕捉量。
进而,通过开闭开闭阀35这种简单的动作,即使在非处理循环状态下也能够使处理液循环。
<第二实施例>
接着,参照附图说明本发明的第二实施例。
图7是表示第二实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。此外,对与上述的第一实施例相同的结构标注相同的附图标记,从而省略详细的说明。
在该基板处理装置1A中,内槽3A的结构与上述第一实施例大不相同。具体来说,内槽3A由包括上缘的上部内槽3u和包括底面的下部内槽3d构成。上部内槽3u的侧壁的下表面形成为从内槽3A的中心侧向侧面侧下降的向下倾斜面。另外,下部内槽3d的侧壁的上表面形成为从内槽3A的中心侧向侧面侧下降的向上倾斜面,以使其与上部内槽3u的向下倾斜面贴紧。在上部内槽3u与下部内槽3d通过分割面49变为一体的状态下,在分割面49成为液密状态。
另外,分割面49在内槽3A上的高度位置,与上述第一实施例中设置循环口31及开闭阀35的高度位置相同。另外,在本实施例中,上部内槽3u构成为能够相对于下部内槽3d升降。该升降由槽升降驱动部51进行。槽升降驱动部51由控制部37操作,如下所述,使上部内槽3u相对于下部内槽3d上升,在分割面49处形成间隙,使上部内槽3u相对于下部内槽3d下降,在分割面49形成液密状态。代替上部内槽3u,槽升降驱动部51还可以使下部内槽3d相对于上部内槽3u进行升降。
此外,槽升降驱动部51相当于本发明的“升降装置”。
接着,参照图8及图9说明第二实施例的动作。此外,图8是非处理循环状态的说明图,图9是处理状态的说明图。
(非处理循环状态)
如图8所示,在多个基板W以立起的姿势被支撑部29支撑的状态下,升降机27位于待机位置。此时,在内槽3A、外槽5及循环配管15中积存的处理液的量为,在多个基板W和升降机27移动至处理位置时处理液从内槽3A的上缘溢出的量。控制部37操作槽升降驱动部51使上部内槽3u从下部内槽3d上升,在分割面49处形成间隙g。进而,控制部37使循环泵17动作,通过在线加热器19将处理液的温度调节至处理温度。由于在上部内槽3u与下部内槽3d之间形成有间隙g,所以内槽3A内的处理液超过下部内槽3d的上缘整周而流入外槽5。因此,处理液在内槽3A、外槽5及循环配管15中流通循环,并将处理液的温度向处理温度调节。
此外,处理液的量为在升降机27移动至处理位置时使处理液从上部内槽3u的上缘溢出的量,与上述第一实施例相同,该处理液的量可以通过考虑升降机27及支撑部29的体积等来决定。
(处理状态)
当处理液的温度到达处理温度时,如图9所示,控制部37操作槽升降驱动部51,使升降机27与多个基板W一并从待机位置向处理位置下降。此时,操作槽升降驱动部51使上部内槽3u相对于下部内槽3d下降,从而使分割面49呈液密状态。于是,内槽3A的处理液面上升位于内槽3A的内部稍微升降机27及支撑部29和多个基板W的体积的量,并且处理液从内槽3A的上缘向外槽5内溢出。因此,即使在处理状态下处理液也在循环配管15内流通循环。将该状态维持与方法相应的时间,来对多个基板W进行处理。
如上所述,根据本实施例,内槽3A由上部内槽3u和下部内槽3d构成为分割式,通过槽升降驱动部51在上部内槽3u与下部内槽3d之间形成间隙g,由此能够使处理液从下部内槽3d的上缘流出。因此,由于能够使处理液从下部内槽3d的上缘整周流出,所以能够使内槽3A的处理液均匀地流出。其结果,在进行处理液的温度调节或浓度调整时,能够降低偏差,从而能够使温度调节或浓度调整的时间缩短。
<第三实施例>
接着,参照附图说明本发明的第三实施例。
图10是表示第三实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。此外,对与上述的第一实施例相同的结构标注相同的附图标记,从而省略详细的说明。
该基板处理装置1B具有覆盖内槽3和外槽5的上方的自动盖(autocover)53。自动盖53构成为一对,并构成为朝向上方的两开式结构。各自动盖53在外槽5的两侧壁侧分别具有摆动轴P。该自动盖53的开闭由控制部37控制。
自动盖53在位于内槽3的上方的下表面上具有能够自由伸缩的波纹管55。波纹管55对处理液具有抗腐蚀性,并借助供给/排出的气体而能够伸缩。波纹管驱动部57按照来自控制部37的指示,向波纹管55供给气体,或者从波纹管55排出气体。波纹管55,在收缩的情况下,其下端部位于内槽3的处理液面的上方,在伸长的情况下,其下端部位于内槽3的处理液面的下方。另外,波纹管55在伸长时的体积被设定为使积存在内槽3内的处理液的液面超过内槽3的上缘。
此外,波纹管55相当于本发明“第一伸缩构件”。在本实施例中,第一伸缩构件是由波纹管55构成的,但是还可以采用气球状的构件来取代波纹管55。
接着,参照图11及图12说明第三实施例的动作。此外,图11是非处理循环状态的说明图,图12是处理状态的说明图。
(非处理循环状态)
虽然图11中省略了图示,但在多个基板W以立起的姿势被支撑部29支撑的状态下,升降机27位于待机位置。此时,在内槽3、外槽5及循环配管15中积存的处理液的量为,在多个基板W和升降机27移动至处理位置时处理液从内槽3的上缘溢出的量。另外,自动盖53处于闭合的状态。控制部37操作波纹管驱动部57使波纹管55伸长。进而,控制部37使循环泵17动作,通过在线加热器19将处理液的温度调节至处理温度。因此,处理液在内槽3、外槽5及循环配管15内流通循环,并将处理液的温度向处理温度调节。
此外,处理液的量为在升降机27移动至处理位置时使处理液从内槽3的上缘溢出的量,与上述第一实施例相同,该处理液的量可以通过考虑升降机27及支撑部29的体积等来决定。
(处理状态)
当处理液的温度到达处理温度时,控制部37操作波纹管驱动部57使波纹管55收缩。然后,如图12所示,控制部37暂时打开自动盖53,操作升降驱动部30,使升降机27与多个基板W一并从待机位置下降至处理位置。此后,控制部37闭合自动盖53。内槽3的处理液面上升位于内槽3的处理位置的升降机27及支撑部29和多个基板W的体积的量,并且处理液从内槽3的上缘向外槽5溢出。因此,在处理状态下处理液在循环配管15内流通循环。将该状态维持规定时间,来对多个基板W进行处理。
如上所述,根据本实施例,通过在非处理循环状态下使自动盖53的波纹管55伸长,来将内槽3的处理液面往上推,从而处理液从内槽3向外槽5流通。因此,只需使波纹管55伸长,就能够使处理液循环。
<第四实施例>
接着,参照附图说明本发明的第四实施例。
图13是表示第四实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。此外,对与上述的第一实施例相同的结构标注相同的附图标记,从而省略详细的说明。
该基板处理装置1C在内槽3的底部上具有能够自由伸缩的波纹管55A。波纹管55A对处理液具有腐蚀,并且通过供给/排出气体而能够伸缩。波纹管驱动部57按照来自控制部37的指示,向波纹管55A供给气体,或者从波纹管55A排出气体。波纹管55A在收缩的情况下,贴在内槽3的底面侧,在伸长的情况下,波纹管55A向内槽3的处理液面侧伸出。另外,波纹管55在伸长时的体积被设定为使积存在内槽3内的处理液的液面超过内槽3的上缘。
接着,参照图14及图15说明第四实施例的动作。此外,图14是非处理循环状态的说明图,图15是处理状态的说明图。
(非处理循环状态)
虽然图14中省略了图示,但多个基板W在被升降机27支撑的状态下位于待机位置上。此时,在内槽3、外槽5及循环配管15中积存的处理液的量为,在多个基板W和升降机27移动至处理位置时处理液从内槽3的上缘溢出的量。控制部37操作波纹管驱动部57使波纹管55A伸长。进而,控制部37使循环泵17动作,通过在线加热器19将处理液的温度调节至处理温度。因此,处理液在内槽3、外槽5及循环配管15内流通循环,并将处理液的温度向处理温度调节。
此外,与上述第一实施例相同,处理液的量可以通过考虑升降机27及支撑部29的体积等来决定。
(处理状态)
当处理液的温度到达处理温度时,控制部37操作波纹管驱动部57使波纹管55A收缩。然后,如图15所示,控制部37使升降机27与多个基板W一并移动至处理位置上。于是,内槽3的处理液面上升位于内槽3的处理位置的升降机27及支撑部29和多个基板W的体积的量,并且处理液从内槽3的上缘向外槽5溢出。因此,在处理状态下处理液在循环配管15内流通循环。将该状态维持规定时间,来对多个基板W进行处理。
如上所述,根据本实施例,由于在非处理循环状态下使自动盖53的波纹管55A伸长,来将内槽3的处理液面往上推,所以处理液从内槽3向外槽5流通。因此,只需使波纹管55A伸长,就能够使处理液循环。
<第五实施例>
接着,参照附图说明本发明的第五实施例。
图16是表示第五实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。此外,对与上述的第一实施例相同的结构标注相同的附图标记,从而省略详细的说明。
该基板处理装置1D具有模型块(dummy block)61。该模型块61的体积被设定为,在该模型块61移动至内槽3内时使积存在内槽3内的处理液的液面超过内槽3的上缘。模型块驱动部63根据控制部37的指示,在内槽3的内部和内槽3的外部之间移动模型块61。
在该基板处理装置1D中,在内槽3A、外槽5及循环配管15中积存的处理液的量为,在多个基板W和升降机27移动至处理位置时处理液从内槽3A的上缘溢出的。
在非处理循环状态下,控制部37操作模型块驱动部63,将模型块61移动至内槽3内。于是,内槽3的处理液面上升,处理液从内槽3的上缘溢出。进而,控制部37使循环泵17动作,通过在线加热器19将处理液的温度调节至处理温度。因此,处理液在内槽3、外槽5及循环配管15内流通循环,并将处理液的温度向处理温度调节。
当处理液的温度到达处理温度时,控制部37操作模型块驱动部63,将模型块61从内槽3移动至外部。此后,在处理状态下,操作升降驱动部30,使升降机27与多个基板W一并从待机位置向处理位置下降。于是,内槽3的处理液面上升位于内槽3的处理位置的升降机27及支撑部29和多个基板W的体积的量,并且处理液从内槽3的上缘向外槽5溢出。因此,在处理状态下处理液在循环配管15内流通循环。将该状态维持规定时间,来对多个基板W进行处理。
如上所述,根据本实施例,在非处理循环状态下使模型块61移动至内槽3的内部,能够使内槽3的处理液面上升。因此,只需使模型块61移动,就能够使处理液循环。
<第六实施例>
接着,参照附图说明本发明的第六实施例。
图17是表示第六实施例的基板处理装置的概略结构的整体图。此外,对与上述的第一实施例相同的结构标注相同的附图标记,从而省略详细的说明。
该基板处理装置1E在内槽3的底部中央处具有两根气泡供给管65。这些气泡供给管65将供给的气体作为气泡供给至内槽3。配管67的一端侧与两根气泡供给管65连通,另一端侧与氮气供给源连通。在配管67上配设有流量调整阀69。流量调整阀69的开闭及流量调整由控制部37进行。另外,在内槽3、外槽5及循环配管15中积存的处理液的量为,在多个基板W和升降机27位于待机位置上时,内槽3的处理液不超过上缘,而在多个基板W和升降机27移动至处理位置时,处理液从内槽3的上缘溢出的量。
控制部37在打开流量调整阀69时调整流量调整阀69的流量,使得从气泡供给管65产生的气泡的量为,即使多个基板W和升降机27都位于待机位置,也能够使处理液从内槽3的上缘溢出。
此外,气泡供给管65相当于本发明“气泡供给装置”。
在非处理循环状态下,控制部37打开流量调整阀69,以从气泡供给管65产生大量的气泡。于是,内槽3的处理液面由于气泡而上升,处理液从内槽3的上缘溢出。进而,控制部37使循环泵17动作,通过在线加热器19将处理液的温度调节至处理温度。因此,处理液在内槽3、外槽5及循环配管15内流通循环,并将处理液的温度向处理温度调节。
当处理液的温度到达处理温度时,控制部37关闭流量调整阀69来停止从气泡供给管65供给气泡。此后,在处理状态下,操作升降驱动部30,以使升降机27与多个基板W一并从待机位置向处理位置下降。于是,内槽3的处理液面上升为位于内槽3的处理位置的升降机27及支撑部29和多个基板W的体积的量,并且处理液从内槽3的上缘向外槽5溢出。因此,在处理状态下处理液在循环配管15内流通循环。将该状态维持规定时间,来对多个基板W进行处理。
如上所述,根据本实施例,通过由气泡供给管65供给气泡,能够按照气泡的量来将内槽3的处理液面往上推。因此,只需产生气泡,就能够使处理液循环。
此外,由于与上述的第一实施例~第五实施例相比,气泡引起的液面的变动比较小,所以将本实施例与第一实施例~第五实施例并用,能够有效地用于进行液面的高度的微调整。
在此,用于参考,示出了内槽3、外槽5、循环配管15等的容积和根据本发明能够减少的处理液的体积。
在能够处理50个直径为300mm的基板的基板处理装置的情况下
槽循环量(内槽+外槽+循环配管)为50升
基板+升降机的合计量为6升
因此,根据本发明,能够节省相加基板和升降机的体积得到的合计量的处理液,即6升。
在能够处理50个直径为450mm的基板的基板处理装置的情况下
槽循环量(内槽+外槽+循环配管)为150升
基板+升降机的合计量为20升
因此,根据本发明,能够减少基板和升降机的体积的合计量的处理液,即20升。
本发明不限于上述实施方式,还能够实施如下所述的变形。
(1)在上述的各实施例中,在循环配管15上具有在线加热器19及过滤器21。然而,本发明不是必须具有在线加热器19和过滤器21。即,还能够适用于使常温的处理液循环的基板处理装置。
(2)在上述的各实施例中,升降机27保持多个基板W,升降机27还可以只保持一个基板W。
(3)除了上述的各实施例以外,还可以采用如下的结构,该结构具有:非处理循环配管,其一端侧在内槽3的底部附近开口,另一端侧在外槽5开口,开闭阀,其用于控制非处理循环配管中的的流体的流通,泵,其设置在非处理循环配管上;在非处理循环状态下打开开闭阀并且使泵动作,从而使液面下降的内槽3的处理液通过非处理循环配管向外槽5流出。
(4)在上述的第三实施例、第四实施例中,向波纹管55、55A供给气体来使其伸长。然而,还可以使用液体来使其伸长。由此,在第三实施例中,能够使波纹管55难以浮出处理液面,从而能够防止自动盖53因浮力而打开。
本发明能够在不脱离其思想或本质的情况下以其他的具体方式实施,因而并不是由以上的说明来确定发明的保护范围,而应该参照附加的权利要求书来确定发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种基板处理装置,将基板浸渍在处理液中来对基板进行处理,其特征在于,
具有:
内槽,其积存处理液,
外槽,其回收从所述内槽溢出的处理液,
升降机,其在与所述内槽的上方相当的待机位置和与所述内槽的内部相当的处理位置之间与基板一起移动,
循环配管,其使所述内槽与所述外槽相连通,用于使处理液循环,
循环控制装置,其使所述内槽、所述外槽、所述循环配管中积存特定量的处理液,该特定量为,在升降机与基板一起位于处理位置的处理状态下,使处理液从所述内槽向所述外槽溢出,而在升降机与基板一起位于待机位置的非处理状态下,使处理液不从所述内槽向所述外槽溢出的量,并且,在升降机与基板一起移动至处理位置之前的非处理循环状态下,所述循环控制装置使处理液从所述内槽向所述外槽流通,从而经由所述循环配管来使处理液循环,
开闭阀,该开闭阀配设在所述内槽的侧壁上,且配设在比所述内槽的侧壁的上缘低的高度位置上;
所述循环控制装置,在非处理循环状态下,使所述开闭阀打开,而在处理状态下使所述开闭阀关闭。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述开闭阀设置在从处理状态变化为非处理状态时的所述内槽中的液面高度上。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述开闭阀具有在打开时退出而在关闭时突出的活塞,在关闭时,所述活塞的前端部突出到与所述内槽的内壁面一致的位置。
4.一种基板处理装置,将基板浸渍在处理液中来对基板进行处理,其特征在于,
具有:
内槽,其积存处理液,
外槽,其回收从所述内槽溢出的处理液,
升降机,其在与所述内槽的上方相当的待机位置和与所述内槽的内部相当的处理位置之间与基板一起移动,
循环配管,其使所述内槽与所述外槽相连通,用于使处理液循环,
循环控制装置,其使所述内槽、所述外槽、所述循环配管中积存特定量的处理液,该特定量为,在升降机与基板一起位于处理位置的处理状态下,使处理液从所述内槽向所述外槽溢出,而在升降机与基板一起位于待机位置的非处理状态下,使处理液不从所述内槽向所述外槽溢出的量,并且,在升降机与基板一起移动至处理位置之前的非处理循环状态下,所述循环控制装置使处理液从所述内槽向所述外槽流通,从而经由所述循环配管来使处理液循环;
所述内槽具有包括上缘的上部内槽和包括底面的下部内槽,
所述基板处理装置具有用于使所述上部内槽或者所述下部内槽升降的升降装置,
所述循环控制装置,在非处理循环状态下,操作所述升降装置来在所述上部内槽与所述下部内槽之间形成间隙,而在处理状态下,使所述上部内槽与所述下部内槽相贴紧。
5.一种基板处理装置,将基板浸渍在处理液中来对基板进行处理,其特征在于,
具有:
内槽,其积存处理液,
外槽,其回收从所述内槽溢出的处理液,
升降机,其在与所述内槽的上方相当的待机位置和与所述内槽的内部相当的处理位置之间与基板一起移动,
循环配管,其使所述内槽与所述外槽相连通,用于使处理液循环,
循环控制装置,其使所述内槽、所述外槽、所述循环配管中积存特定量的处理液,该特定量为,在升降机与基板一起位于处理位置的处理状态下,使处理液从所述内槽向所述外槽溢出,而在升降机与基板一起位于待机位置的非处理状态下,使处理液不从所述内槽向所述外槽溢出的量,并且,在升降机与基板一起移动至处理位置之前的非处理循环状态下,所述循环控制装置使处理液从所述内槽向所述外槽流通,从而经由所述循环配管来使处理液循环,
自动盖,其配设在所述内槽及所述外槽的上部,在非处理循环状态下闭合,在从非处理状态向处理状态转变时打开然后闭合,
伸缩构件,其配设在所述自动盖的下表面,能够在所述内槽的处理液中与所述内槽的处理液面的上方之间自由伸缩;
所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述伸缩构件伸长,在处理状态下使所述伸缩构件收缩。
6.一种基板处理装置,将基板浸渍在处理液中来对基板进行处理,其特征在于,
具有:
内槽,其积存处理液,
外槽,其回收从所述内槽溢出的处理液,
升降机,其在与所述内槽的上方相当的待机位置和与所述内槽的内部相当的处理位置之间与基板一起移动,
循环配管,其使所述内槽与所述外槽相连通,用于使处理液循环,
循环控制装置,其使所述内槽、所述外槽、所述循环配管中积存特定量的处理液,该特定量为,在升降机与基板一起位于处理位置的处理状态下,使处理液从所述内槽向所述外槽溢出,而在升降机与基板一起位于待机位置的非处理状态下,使处理液不从所述内槽向所述外槽溢出的量,并且,在升降机与基板一起移动至处理位置之前的非处理循环状态下,所述循环控制装置使处理液从所述内槽向所述外槽流通,从而经由所述循环配管来使处理液循环,
伸缩构件,该伸缩构件配设在所述内槽的底部,能够在底部侧与处理液面侧之间自由伸缩;
所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述伸缩构件伸长,在处理状态下使所述伸缩构件收缩。
7.一种基板处理装置,将基板浸渍在处理液中来对基板进行处理,其特征在于,
具有:
内槽,其积存处理液,
外槽,其回收从所述内槽溢出的处理液,
升降机,其在与所述内槽的上方相当的待机位置和与所述内槽的内部相当的处理位置之间与基板一起移动,
循环配管,其使所述内槽与所述外槽相连通,用于使处理液循环,
循环控制装置,其使所述内槽、所述外槽、所述循环配管中积存特定量的处理液,该特定量为,在升降机与基板一起位于处理位置的处理状态下,使处理液从所述内槽向所述外槽溢出,而在升降机与基板一起位于待机位置的非处理状态下,使处理液不从所述内槽向所述外槽溢出的量,并且,在升降机与基板一起移动至处理位置之前的非处理循环状态下,所述循环控制装置使处理液从所述内槽向所述外槽流通,从而经由所述循环配管来使处理液循环,
模型块,该模型块能够在所述内槽的外部与所述内槽的内部之间移动;
所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述模型块向所述内槽的内部移动,在处理状态下使所述模型块向所述内槽的外部移动。
8.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
具有向所述内槽的内部供给气泡的气泡供给装置,
所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述气泡供给装置供给气泡,在处理状态下使所述气泡供给装置停止供给气泡。
9.如权利要求4至7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
具有向所述内槽的内部供给气泡的气泡供给装置,
所述循环控制装置,在非处理循环状态下使所述气泡供给装置供给气泡,在处理状态下使所述气泡供给装置停止供给气泡。
10.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述上部内槽与所述下部内槽变为一体的状态下,所述上部内槽与所述下部内槽相贴紧在一起的分割面处于液密状态。
11.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述模型块体积为,在将该模型块移动至所述内槽内时,使所述内槽中积存的处理液的液面超过所述内槽的上缘的体积。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104914772A (zh) * 2015-06-30 2015-09-16 广州市食品检验所 一种基于可编程序控制器的薄层板浸渍装置
JP6617036B2 (ja) * 2016-01-18 2019-12-04 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US11220758B2 (en) * 2016-06-15 2022-01-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Systems and methods for thermal hydro-synthesis of semiconductor materials by holding a substrate wafer within a chamber in a vertical direction
CN107919299B (zh) * 2016-10-11 2021-01-26 盟立自动化股份有限公司 液位控制系统及方法
JP6858036B2 (ja) * 2017-02-28 2021-04-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US11626298B2 (en) * 2017-04-06 2023-04-11 Tokyo Electron Limited Liquid supply device and liquid supply method
JP7055467B2 (ja) * 2017-09-08 2022-04-18 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
CN108037646A (zh) * 2017-12-28 2018-05-15 信利(惠州)智能显示有限公司 显影单元及刻蚀设备
US11482430B2 (en) * 2018-11-28 2022-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Space filling device for wet bench
TWI804053B (zh) * 2019-02-20 2023-06-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2021025092A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
CN110739247A (zh) * 2019-09-19 2020-01-31 上海提牛机电设备有限公司 一种晶圆蚀刻槽
JP7349876B2 (ja) * 2019-10-17 2023-09-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および装置洗浄方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2198810A (en) * 1986-12-19 1988-06-22 Philips Electronic Associated Apparatus suitable for processing semiconductor slices
JP4215869B2 (ja) * 1998-09-17 2009-01-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP3035735B2 (ja) * 1998-09-07 2000-04-24 国際電気株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2000183024A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Sony Corp 基板処理装置
KR100380844B1 (ko) * 2001-04-12 2003-04-18 니시야마 스테인레스 케미컬 가부시키가이샤 액정유리기판의 화학연마 방법 및 화학연마장치
JP3948960B2 (ja) * 2002-01-16 2007-07-25 東京エレクトロン株式会社 超音波洗浄装置
WO2004004881A1 (ja) * 2002-07-09 2004-01-15 Toshiba Plant Systems & Services Corporation 液体混合装置および液体混合方法
JP4413562B2 (ja) * 2003-09-05 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US7981286B2 (en) * 2004-09-15 2011-07-19 Dainippon Screen Mfg Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method of removing particles
JP4515269B2 (ja) * 2005-01-18 2010-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4541255B2 (ja) * 2005-08-24 2010-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008103678A (ja) * 2006-09-20 2008-05-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5179282B2 (ja) * 2007-09-27 2013-04-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009231579A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP5015847B2 (ja) * 2008-04-07 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体

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