TW201324656A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的基板處理裝置係使基板浸漬於處理液中並對基板進行處理的基板處理裝置，上述裝置包括有以下的要件：內槽、外槽、升降機、循環配管、及循環控制手段；該內槽係用以儲存處理液；該外槽係用以回收從上述內槽所溢出的處理液；該升降機係在相當於上述內槽上方的待機位置、與相當於上述內槽內部的處理位置之間，與基板一起移動；該循環配管係連通地連接上述內槽與上述外槽，用以使處理液循環；該循環控制手段係在上述內槽、上述外槽、及上述循環配管儲存有當升降機與基板一起位於處理位置的處理狀態時，處理液會從上述內槽溢出至上述外槽，且當升降機與基板一起位於待機位置的非處理狀態時，處理液不會從上述內槽溢出至上述外槽之量的處理液，而當升降機與基板一起移動至處理位置的非處理循環狀態時，使處理液從上述內槽流通至上述外槽並經由上述循環配管進行處理液的循環。

Description

基板處理裝置
本發明係關於利用處理液處理半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(有機電致發光；organic electroluminescence)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光顯示器(optical display)用基板、磁碟用基板、光碟用基板、光罩用基板、太陽能電池用基板(以下簡稱「基板」)的基板處理裝置，尤其係關於將處理液儲存於內槽後，再浸漬基板而進行處理的技術。
習知，作為此種裝置係具備有：處理槽、循環配管、泵、及加熱器；該處理槽具備有內槽與外槽，該內槽係用以儲存處理液並收容基板，該外槽係用以回收從此內槽溢出的處理液；該循環配管係用以連通地連接內槽與外槽；該泵係用以將此循環配管內的處理液，從外槽壓送至內槽；該加熱器係用以對流通於循環配管內的處理液進行加熱。例如，可參照日本專利第3948912號公報的圖1。
在此一構成的裝置中，對內槽供給處理液，並一邊利用泵使溢出至外槽的處理液進行循環一邊利用加熱器對處理溫度進行調節。然後，在處理液的溫度到達處理溫度後，使以垂直姿勢支撐複數片(例如25片)基板的升降機從相當於內槽上方的待機位置，下降至相當於內槽的處理液中的處理位 置。藉由僅在處理時間內維持此一狀態，而對基板進行利用處理液的既定處理。
然而，在具有此一構造的習知例之情況時，存在有如下述之問題。
亦即，習知裝置在進行處理液的溫度調節時，為了在內槽中沒有浸漬基板與升降機的狀態下能利用泵將處理液進行循環，而必須事先供給剛好可使處理液從內槽溢出至外槽之量的處理液。若將升降機與基板一起浸漬於內槽的處理液中，則相當於升降機與基板的容積之處理液就會溢出至外槽，而以能儲存此處理液的方式構成外槽。亦即，在基板處理前對處理液進行溫度調節時，會使在處理時實質上不需要之量的處理液也一邊循環一邊進行溫度調節。所以，存在有處理液的使用量變多的問題。
本發明係有鑑於此一實情而完成者，其目的在於提供藉由採用使處理上所必要最小限度用量的處理液進行循環之構造，而可降低處理液使用量的基板處理裝置。
本發明為了達成此一目的，便採用如下之構造。
本發明係使基板浸漬於處理液中並對基板進行處理的基板處理裝置，上述裝置包括有以下的要件：內槽、外槽、升降機、循環配管、及循環控制手段；該內槽係用以儲存處理液；該外槽係用以回收從上述內槽所溢出的處理液；該升降 機係在相當於上述內槽上方的待機位置、與相當於上述內槽內部的處理位置之間，與基板一起進行移動；該循環配管係連通地連接上述內槽與上述外槽，用以使處理液循環；該循環控制手段係在上述內槽、上述外槽、及上述循環配管儲存有當升降機與基板一起位於處理位置的處理狀態時，處理液會從上述內槽溢出至上述外槽，且當升降機與基板一起位於待機位置的非處理狀態時，處理液不會從上述內槽溢出至上述外槽之量的處理液，而當升降機與基板一起移動至處理位置的非處理循環狀態時，使處理液從上述內槽流通至上述外槽並經由上述循環配管進行處理液的循環。
根據本發明，在內槽、外槽、及循環配管中儲存有於處理狀態時處理液會從內槽溢出至外槽，當非處理狀態時處理液不會從內槽溢出於外槽的處理液的量。另一方面，在非處理循環狀態時，循環控制手段使處理液從內槽流通至外槽，並經由循環配管進行處理液的循環。所以，即便升降機與基板均未在位於處理位置的狀態時，仍可使處理液循環，而可降低處理時所使用處理液的量。其結果，當進行溫度調節或藥液濃度調整時，可在短時間內進行該處理。
另外，本發明中，較佳為具備有配設於上述內槽的側壁，且在上述內槽的側壁配設於較上緣更靠下方之高度位置處的開關閥，上述循環控制手段在非處理循環狀態時開放上述開關閥，在處理狀態時便關閉上述開關閥。
若在非處理循環狀態下循環控制手段開放開關閥，則處理液就會從較內槽側壁的上緣更靠下方之高度位置處流出至外槽。所以，即便升降機與基板均未在位於處理位置的狀態，仍可利用開放開關閥的簡單動作使處理液循環。
另外，本發明中，較佳為上述開關閥係設置於從處理狀態轉成非處理狀態時的上述內槽之液面高度處。
藉由在成為非處理狀態時的內槽之液面高度處設置開關閥，可使處理所必要的最低限度的處理液量進行循環。
另外，本發明中，較佳為上述開關閥具備有在開放時會退出、在關閉時會突出的活塞，在關閉時，上述活塞的前端部係突出至與上述內槽的內壁面一致之位置處。
可藉由活塞的進退切換處理狀態與非處理循環狀態。而且，因為在關閉時活塞前端部與內槽內壁面一致，因此在處理狀態時，不會使內槽的處理液的流動混亂。
另外，本發明中，較佳為上述內槽具備有含有上緣的上部內槽、及含有底面的下部內槽，並具備有使上述上部內槽或上述下部內槽進行升降的升降手段，上述循環控制手段，在非處理循環狀態時，操作上述升降手段而在上述上部內槽與上述下部內槽之間形成間隙，在處理狀態時，使上述上部內槽與上述下部內槽相密接。
藉由內槽構成為上部內槽與下部內槽的分割式，並利用升降手段在上部內槽與下部內槽之間形成間隙，可使處理液從 下部內槽的上緣流出。所以，因為可使處理液從下部內槽上緣的全周流出，因此可使內槽的處理液均等地流出。其結果，可減少在進行處理液的溫度調節與濃度調整時的不均勻現象，從而可實現溫度調節與濃度調整的短時間化。
另外，本發明中，較佳為具備有自動蓋與伸縮構件；該自動蓋係配設於上述內槽與上述外槽的上部，在非處理循環狀態時關閉，從非處理狀態移為處理狀態時開啟；該伸縮構件係配設於上述自動蓋的下面，並在上述內槽的處理液中、與上述內槽的處理液面上之間伸縮自如；上述循環控制手段，在非處理循環狀態時使上述伸縮構件伸長，在處理狀態時使上述伸縮構件收縮。
由於藉由在非處理循環狀態時使自動蓋的伸縮構件伸長，可將內槽的處理液面上推，而使處理液從內槽流通至外槽。所以，僅使伸縮構件伸長便能使處理液循環。
另外，本發明中，較佳為具備有配設於上述內槽的底部，且在底部側與處理液面側之間伸縮自如的伸縮構件，上述循環控制手段，在非處理循環狀態時使上述伸縮構件伸長，在處理狀態時使上述伸縮構件收縮。
若在非處理循環狀態時使內槽底部的伸縮構件伸長，由於會將內槽的處理液面上推，而使處理液從內槽流通至外槽。所以，僅使伸縮構件伸長便能使處理液循環。
另外，本發明中，較佳為具備有可在上述內槽的外部、與 上述內槽的內部之間移動的虛設塊體(dummy block)，上述循環控制手段，在非處理循環狀態時使上述虛設塊體移動至上述內槽的內部，在處理狀態時使上述虛設塊體移動至上述內槽的外部。
若在非處理循環狀態時使虛設塊體朝內槽的內部移動，便可使內槽的處理液面上升。所以，僅使虛設塊體移動，便可使處理液進行循環。
另外，本發明中，較佳為具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段，在非處理循環狀態時，利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
若利用氣泡供給手段供給氣泡，便可依照氣泡的量將內槽的處理液面上推。所以，僅藉由產生氣泡，便可使處理液進行循環。再者，因為氣泡所造成液面的變動較小，因此可併用能將液面大幅上推等的方式，便可有效地利用於液面高度的微調整。
※雖然為了說明本發明而圖示有目前較佳的幾個形態，惟不能認定為本發明僅侷限於圖式所示構造及方法。
以下，針對本發明之基板處理裝置的各種實施形態進行說明。
<實施例1>
以下，參照圖式針對本發明的實施例1進行說明。
圖1係表示實施例1的基板處理裝置之概略構造的概視圖。
此基板處理裝置1係對複數片基板W利用處理液統括性地進行處理。所謂統括性地進行處理係例如50片。基板處理裝置1具備有內槽3與外槽5。內槽3係用以儲存處理液，並且用以收容基板W。外槽5係包圍著內槽3的周圍，回收從內槽3溢出的處理液。內槽3係在上部具備有開口，並在底部的兩側具備有注入管7。又，在底部的中央形成有排出口9。在此排出口9安裝有供用以急速地將內槽3之處理液排出的急速排液閥11。
在外槽5的底部形成有排液口13。在此排液口13連通地連接有循環配管15的一端側，在注入管7連通地連接有循環配管15的另一端側。循環配管15係從排液口13側起依序具備有循環泵17、線內(in-line)加熱器19、及過濾器21。循環泵17係用以壓送流通於循環配管15中的處理液。線內加熱器19係對流通於循環配管15中的處理液進行溫度調節。溫度調節係以每次處理所設定的處理溫度為目標而進行。過濾器21係用以去除處理液中所含的微塵。
在循環配管15中循環泵17的上游側，設有廢液管23。在廢液管23中設有開關閥25。廢液管23係用以排出儲存於外槽5與循環配管15中的處理液。
在內槽3的上方配置有升降機27。在升降機27的下部設有抵接支撐基板W下緣的支撐部29。升降機27係構成為可在圖1中實線所示相當於內槽3上方的「待機位置」、與二點鏈線所示相當於內槽3內部的「處理位置」之間進行升降。此升降機27的升降動作係利用升降驅動部30進行控制。
內槽3係在其側壁的其中一部位形成循環口31。在循環口31連通地連接有循環流通管33的一端側。循環流通管33的另一端側朝向外槽5的底部。在循環流通管33中設有開關閥35。再者，關於形成有循環口31的高度位置，於後詳述。
上述之急速排液閥11、泵17、線內加熱器19、升降驅動部30、開關閥25、及開關閥35係利用控制部37統括性地控制。控制部37係內建有CPU及記憶體，根據預先所記憶動作控制用的程式、及規定處理的製程(recipe)操作上述各構件。
再者，上述之控制部37係相當於本發明中的「循環控制手段」。
此處，參照圖2與圖3，針對在內槽3中上述之循環口31、循環流通管33、及開關閥35的配設位置進行說明。再者，圖2係表示基板位於處理位置之狀態的圖，圖3係表示基板位於待機位置之狀態的圖。
圖2係表示升降機27與複數片基板W一起移動至處理位 置的處理狀態。在此處理狀態時，內槽3的處理液面剛好只上升相當於升降機27位於內槽3內的容積、支撐部29的容積、及複數片基板W的容積的合計量，使處理液從內槽3的上緣全周溢出至外槽5。圖3係表示升降機27與複數片基板W一起移動至待機位置的非處理狀態。在此非處理狀態時，內槽3的處理液面下降，處理液不會從內槽3的上緣溢出至外槽5。上述之循環口31、循環流通管33、及開關閥35係設置於從上述之處理狀態成為非處理狀態時在內槽3中處理液面之高度位置處。
其次，參照圖4，針對上述之開關閥35較佳的構造進行說明。再者，圖4係表示開關閥之詳細的縱剖視圖。
開關閥35係設置於內槽3側壁的上述之高度位置處。殼體39係從內槽3之側邊覆蓋活塞41。殼體39係以使活塞41的前端部43突出至與內槽3之側壁面一致之位置的方式安裝於內槽3。又，殼體39係經由O形環45而安裝於內槽3之側壁。在殼體39的下部形成有連通於循環口31、及殼體39內部的開口47。在開口47連通地連接有循環流通管33。
圖4中以實線所示之活塞41係表示處理狀態時的位置，以二點鏈線所示之活塞41係表示非處理循環狀態時的位置。如此，在處理狀態時因為活塞41的前端部43與內槽3的內壁面一致，因此在處理狀態時不會使內槽3之處理液的 流動混亂。
其次，參照圖5與圖6，針對由上之述構造的基板處理裝置1所進行的基板W處理進行說明。再者，圖5係非處理循環狀態的說明圖，圖6係處理狀態的說明圖。
(非處理循環狀態)
如圖5所示，在複數片基板W由支撐部29以立起姿勢所支撐的狀態時，升降機27係位於相當於內槽3上方的待機位置。此時，在內槽3、外槽5、及循環配管15中，儲存有當複數片基板W與升降機27移動至處理位置時，使處理液從內槽3之上緣溢出之量的處理液。然後，控制部37係開放開關閥35，並且使循環泵17動作，並利用線內加熱器19將處理液調節至處理溫度。內槽3的處理液面雖然位於較內槽3上緣更靠下方，但因為開放開關閥35，因此內槽3的處理液會通過循環流通管33而流入至外槽5中。所以，處理液會通過內槽3、外槽5、及循環配管15進行循環，且進行成為處理溫度的溫度調節。
再者，處理液的容量係當升降機27移動至處理位置時處理液從內槽3所溢出的量，只要考慮升降機27與支撐部29的容積、基板W的片數、基板W的厚度等之容量後再決定即可。升降機27與支撐部29的體積雖然不變，但基板W的處理片數會變動。所以，較佳為將處理液從內槽3溢出的容量，設定為在此基板處理裝置1中所進行處理的基板W中 最薄的基板W的容積、升降機27、及支撐部29的合計容積。
(處理狀態)
若處理液的溫度到達處理溫度，如圖6所示，控制部37就會操作升降驅動部30，使升降機27每複數片基板W從待機位置下降至處理位置。在當時，關閉開關閥35。如此一來，內槽3的處理液面就會僅上升剛好相當於位於內槽3內部的升降機27及支撐部29、與複數片基板W的容積之量，而使處理液從內槽3之上緣溢出至外槽5。所以，即便處理狀態，處理液仍會通過循環配管15進行循環。藉由將此狀態只維持對應於製程的時間，而對複數片基板W進行依照製程的處理。
如上述若依照本實施例，則在內槽3、外槽5、及循環配管15中，儲存有當處理狀態時處理液會從內槽3溢出至外槽5，而當非處理狀態時處理液不會從內槽3溢出至外槽5的處理液之量。另一方面，在非處理循環狀態時，開放開關閥35使處理液從內槽3流通至外槽5，並經由循環配管15進行處理液之循環。所以，即便升降機27與基板W均未在位於處理位置的狀態，仍可使處理液循環，而可降低處理時所使用處理液的量。其結果，在進行溫度調節或藥液濃度調整時，可在短時間內進行該處理。
另外，因為處理液量變少，因此由過濾器21所進行微塵 的捕捉效率提高，亦可增加每單位時間的微塵捕捉量。
而且，藉由對開關閥35進行開關的簡單動作，即便在非處理循環狀態時仍可使處理液循環。
<實施例2>
其次，參照圖式針對本發明之實施例2進行說明。
圖7係表示實施例2的基板處理裝置之概略構造的概視圖。再者，關於與上述實施例1相同的構造，利用標示相同元件符號並省略詳細的說明。
此基板處理裝置1A就內槽3A的構造而言與上述實施例1有很大的差異。具體而言，內槽3A係由含有上緣的上部內槽3u、與含有底面的下部內槽3d所構成。上部內槽3u的側壁的下面係形成從內槽3A的中心側朝向側邊側且面朝下傾斜的向下傾斜面。又，下部內槽3d的側壁的上面係以密接於上部內槽3u的向下傾斜面的方式，形成從內槽3A的中心側朝向側邊側且面朝下傾斜的向上傾斜面。構成為在上部內槽3u與下部內槽3d利用分割面49呈一體化之狀態時，使分割面49成為液密狀態。
另外，分割面49的內槽3A的高度位置，係與設有上述實施例1的循環口31及開關閥35的高度位置相同。又，於本實施例中係構成為上部內槽3u相對於下部內槽3d進行升降。該升降係利用槽升降驅動部51來進行。槽升降驅動部51係利用控制部37進行操作，如後述使上部內槽3u相對 於下部內槽3d上升，而在分割面49上形成間隙，或使上部內槽3u相對於下部內槽3d下降，而使分割面49成為液密。槽升降驅動部51亦可取代上部內槽3u，使下部內槽3d相對於上部內槽3u升降。
再者，槽升降驅動部51係相當於本發明的「升降手段」。
其次，參照圖8及圖9，針對實施例2的動作進行說明。再者，圖8係非處理循環狀態的說明圖，圖9係處理狀態的說明圖。
(非處理循環狀態)
如圖8所示，在複數片基板W由支撐部29以立起姿勢所支撐的狀態時，升降機27係位於待機位置。此時，在內槽3A、外槽5、及循環配管15儲存有使複數片基板W與升降機27移動至處理位置時，處理液從內槽3A上緣所溢出之量的處理液。控制部37係操作槽升降驅動部51而使上部內槽3u從下部內槽3d上升，使間隙g形成在分割面49上。而且，控制部37係使循環泵17動作，利用線內加熱器19將處理液調節至處理溫度。因為在上部內槽3u與下部內槽3d之間形成有間隙g，因此內槽3A內的處理液會越過下部內槽3d上緣的全周而流入至外槽5。所以，處理液通過內槽3A、外槽5、及循環配管15進行循環，並進行成為處理溫度的溫度調節。
再者，處理液的容量係當升降機27移動至處理位置時， 處理液從上部內槽3u上緣溢出的量，與上述實施例1同樣地，只要考慮升降機27與支撐部29的容積等再決定即可。
(處理狀態)
若處理液的溫度到達處理溫度，如圖9所示，控制部37就會操作升降驅動部30，使升降機27每複數片基板W從待機位置下降至處理位置。在當時，操作槽升降驅動部51，使上部內槽3u相對於下部內槽3d下降，而使分割面49事先成為液密狀態。如此一來，內槽3A處理液面就會剛好上升相當於位於內槽3A內部的升降機27、支撐部29、及複數片基板W的容積量，使處理液從內槽3A上緣溢出至外槽5。所以，即便在處理狀態時處理液仍會通過循環配管15進行循環。只要將此維持剛好對應於製程的既定時間，對複數片基板W進行處理。
如上述，若依照本實施例，內槽3A係由上部內槽3u與下部內槽3d的分割式所構成，藉由利用槽升降驅動部51在上部內槽3u與下部內槽3d之間形成間隙g，可使處理液從下部內槽3d的上緣流出。所以，因為可使處理液從下部內槽3d上緣的全周流出，因此可使內槽3A的處理液均等地流出。其結果，可減少進行處理液的溫度調節與濃度調整時不均的情形，可實現溫度調節與濃度調整的短時間化。
<實施例3>
其次，參照圖式，針對本發明實施例3進行說明。
圖10係表示實施例3的基板處理裝置之概略構造的概視圖。再者，關於與上述實施例1相同的構造，標示相同元件符號並省略詳細之說明。
此基板處理裝置1B具備有覆蓋內槽3與外槽5上方的自動蓋53。自動蓋53係由一對所構成，構成為朝向上方的雙開式。各自動蓋53分別在外槽5的兩側壁側具備有擺動軸P。此自動蓋53的開關係由控制部37所控制。
自動蓋53係在碰抵內槽3上方的下面具備有伸縮自如的蛇腹管55。蛇腹管55對處理液具有抗性，利用氣體的供給/排出進行伸縮。蛇腹管驅動部57係對應於來自控制部37的指示，對蛇腹管55供給氣體、或從蛇腹管55排出氣體。蛇腹管55當收縮時下端部係位於較內槽3處理液面更靠上方處，當伸長時下端部係位於較內槽3處理液面更靠下方處。又，蛇腹管55伸長時的容積係設定為使內槽3中所儲存處理液的液面超越內槽3之上緣。
再者，蛇腹管55係相當於本發明的「伸縮構件」。於本實施例中，伸縮構件雖以蛇腹管55所構成，但亦可取代蛇腹管55而採用氣球狀之構件。
其次，參照圖11及圖12，針對實施例3的動作進行說明。再者，圖11係非處理循環狀態的說明圖，圖12係處理狀態的說明圖。
(非處理循環狀態)
雖然在圖11中省略圖示，但在複數片基板W由支撐部29以立起姿勢支撐的狀態時，升降機27係位於待機位置。此時，在內槽3、外槽5、及循環配管15儲存有當複數片基板W與升降機27移動至處理位置時，處理液從內槽3上緣溢出的量之處理液。又，自動蓋53係處於關閉狀態。控制部37係操作蛇腹管驅動部57使蛇腹管55伸長。而且，控制部37係使循環泵17動作，利用線內加熱器19將處理液調節至處理溫度。所以，處理液會通過內槽3、外槽5、及循環配管15進行循環，並進行溫度調節成為處理溫度。
再者，處理液的容量係當升降機27移動至處理位置時，處理液從內槽3上緣溢出的量，與上述實施例1同樣地，只要考慮升降機27與支撐部29的容積等再決定即可。
(處理狀態)
若處理液溫度到達處理溫度，則控制部37就會操作蛇腹管驅動部57，使蛇腹管55進行收縮。然後，如圖12所示，控制部37暫時開放自動蓋53，並操作升降驅動部30，使升降機27每複數片基板W從待機位置下降至處理位置。然後，控制部37關閉自動蓋53。內槽3的處理液面只剛好上升相當於位於內槽3的處理位置之升降機27與支撐部29、及複數片基板W的容積量，使處理液從內槽3上緣溢出至外槽5。所以，在處理狀態時，處理液通過循環配管15進行循環。只維持此狀態既定時間，對複數片基板W進行利 用處理液的處理。
如上述，根據本實施例，由於藉由在非處理循環狀態時使自動蓋53的蛇腹管55伸長，而將內槽3的處理液面上推，因此處理液會從內槽3流通至外槽5。所以，僅使蛇腹管55伸長，便能使處理液循環。
<實施例4>
其次，參照圖式，針對本發明實施例4進行說明。
圖13係表示實施例4的基板處理裝置之概略的概視體圖。再者，關於與上述實施例1相同的構造，標示相同元件符號並省略詳細之說明。
此基板處理裝置1C係在內槽3底部具備有伸縮自如的蛇腹管55A。蛇腹管55A對處理液具有抗性，利用氣體的供給/排出進行伸縮。蛇腹管驅動部57係對應於來自控制部37的指示，對蛇腹管55A供給氣體、或從蛇腹管55A排出氣體。蛇腹管55A當收縮時就會緊貼於內槽3的底面側，當伸長時就會進出於內槽3的處理液面側。又，蛇腹管55伸長時的容積係設定為儲存於內槽3的處理液的液面超越內槽3上緣的容量。
其次，參照圖14及圖15，針對實施例4的動作進行說明。再者，圖14係非處理循環狀態的說明圖，圖15係處理狀態的說明圖。
(非處理循環狀態)
在圖14中雖然省略圖示，但在複數片基板W受升降機27指示的狀態時位於待機位置。此時，在內槽3、外槽5、及循環配管15儲存有當複數片基板W與升降機27移動至處理位置時，處理液從內槽3的上緣溢出的量之處理液。控制部37係操作蛇腹管驅動部57使蛇腹管55A伸長。又，控制部37係使循環泵17動作，利用線內加熱器19將處理液的溫度調節至處理溫度。所以，處理液會通過內槽3、外槽5、及循環配管15進行循環，並進行溫度調節成為處理溫度。
再者，處理液的容量與上述實施例1同樣地，只要考慮升降機27與支撐部29的容積等，再決定即可。
(處理狀態)
若處理液溫度到達處理溫度，控制部37就會操作蛇腹管驅動部57，使蛇腹管55A進行收縮。然後，如圖15所示，控制部37使升降機27每複數片基板W移動至處理位置。如此一來，內槽3的處理液面剛好只上升相當於位於內槽3的處理位置之升降機27與支撐部29、及複數片基板W的容積量，使處理液從內槽3的上緣溢出至外槽5。所以，在處理狀態時，處理液通過循環配管15進行循環。只要將此狀態維持既定時間，對複數片基板W進行利用處理液的處理。
如上述，根據本實施例，由於若藉由在非處理循環狀態時 使內槽3底部的蛇腹管55A伸長，處理液就會從內槽3流通至外槽5。所以，僅使蛇腹管55A伸長便能使處理液循環。
<實施例5>
其次，參照圖式，針對本發明實施例5進行說明。
圖16係表示實施例5的基板處理裝置之概略構造的概視圖。再者，關於與上述實施例1相同的構造，標示相同元件符號並省略詳細之說明。
此基板處理裝置1D具備有虛設塊體61。此虛設塊體61係設定為當移動至內槽3內時，儲存於內槽3的處理液的液面會超過內槽3上緣的容積。虛設塊體驅動部63係藉由控制部37的指示，使虛設塊體61在內槽3的內部與內槽3的外部之間移動。
此基板處理裝置1D係在內槽3、外槽5、及循環配管15中儲存有當複數片基板W與升降機27移動至處理位置時，使處理液從內槽3上緣溢出的量之處理液。
在非處理循環狀態時，控制部37操作虛設塊體驅動部63，使虛設塊體61移動至內槽3內。如此一來，內槽3的處理液面就會上升而使處理液從內槽3的上緣溢出。而且，控制部37係使循環泵17動作，利用線內加熱器19將處理液的溫度調節至處理溫度。所以，處理液通過內槽3、外槽5、及循環配管15進行循環，並進行溫度調節成為處理溫度。
若處理液溫度到達處理溫度，則控制部37就會操作虛設 塊體驅動部63，使虛設塊體61從內槽3移動至外部。然後，在處理狀態時，操作升降驅動部30，使升降機27每複數片基板W從待機位置下降至處理位置。如此一來，內槽3的處理液面剛好只上升相當於位於內槽3的處理位置之升降機27與支撐部29、及複數片基板W的容積量，使處理液從內槽3的上緣溢出至外槽5。所以，在處理狀態時，處理液通過循環配管15進行循環。只要將此狀態維持既定時間，對複數片基板W進行利用處理液的處理。
如上述，根據本實施例，在非處理循環狀態時若使虛設塊體61移動至內槽3內部，就可使內槽3的處理液面上升。所以，藉由僅使虛設塊體61移動，便可使處理液進行循環。
<實施例6>
其次，參照圖式，針對本發明實施例6進行說明。
圖17係表示實施例6的基板處理裝置之概略構造的概視圖。再者，關於與上述實施例1相同的構造，標示相同元件符號並省略詳細之說明。
此基板處理裝置1E係在內槽3的底部中央具備有二條氣泡供給管65。此等氣泡供給管65係將所供給氣體形成氣泡供給至內槽3。在二條氣泡供給管65連接有配管67的一端側，另一端側連通地連接於N2氣體供給源。在配管67配設有流量調整閥69。流量調整閥69的開關與流量調整係利用控制部37所進行。又，當複數片基板W與升降機27位於 待機位置時，雖然內槽3的處理液不會超過上緣，但當複數片基板W與升降機27移動至處理位置時，在內槽3、外槽5、及循環配管15就會儲存有處理液從內槽3上緣溢出的量之處理液。
控制部37當開放流量調整閥69時，即便複數片基板W與升降機27位於待機位置，仍會從氣泡供給管65產生從內槽3上緣溢出處理液的量的氣泡之方式，調整流量調整閥69的流量。
再者，氣泡供給管65係相當於本發明的「氣泡供給手段」。
在非處理循環狀態時，控制部37開放流量調整閥69，並從氣泡供給管65產生大量的氣泡。如此一來，內槽3的處理液面就會因氣泡而上升，使處理液從內槽3的上緣溢出。而且，控制部37係使循環泵17動作，利用線內加熱器19將處理液的溫度調節到處理溫度。所以，處理液通過內槽3、外槽5、及循環配管15進行循環，並進行溫度調節成為處理溫度。
若處理液溫度到達處理溫度，則控制部37就會關閉流量調整閥69，停止來自氣泡供給管65的氣泡之供給。然後，在處理狀態時，操作升降驅動部30，使升降機27以每複數片基板W從待機位置下降至處理位置。如此一來，內槽3的處理液面剛好只上升相當於位於內槽3的處理位置之升降機27、支撐部29、及複數片基板W的容積量，使處理液 從內槽3的上緣溢出至外槽5。所以，在處理狀態時，處理液通過循環配管15進行循環。只將此狀態維持既定時間，對複數片基板W進行利用處理液的處理。
如上述，根據本實施例，藉由利用氣泡供給管65供給氣泡，可對應於氣泡量將內槽3的處理液面上推。所以，僅藉由產生氣泡便可使處理液進行循環。
再者，由於氣泡所造成液面的變動小於上述實施例1~5，因此與實施例1~5併用，可有效地利用於液面高度的微調整。
此處，為作為參考，例示內槽3、外槽5、及循環配管15等的容積、以及利用本發明可減少處理液的容量。
可處理直徑300mm的基板50片的基板處理裝置之情況：槽循環量(內槽+外槽+循環配管)......50公升基板+升降機6公升所以，若根據本發明，可減少基板與升降機容積之合計即6公升的處理液。
可處理直徑450mm的基板50片的基板處理裝置之情況：槽循環量(內槽+外槽+循環配管)......150公升基板+升降機20公升所以，若根據本發明，可減少基板與升降機容積之合計即20公升的處理液。
本發明並不僅侷限於上述實施形態，可如下述變形而實 施。
(1)上述各實施例，在循環配管15具備有在線內加熱器19及過濾器21。然而，本發明未必一定要具備有線內加熱器19及過濾器21。亦即，亦可適用於僅使常溫的處理液進行循環的基板處理裝置。
(2)上述各實施例雖然由升降機27保持複數片基板W，但亦可由升降機27保持1片基板W。
(3)除上述各實施例之外，亦可採用具備有非處理循環配管、開關閥及泵，而在非處理循環狀態時，開放開關閥並使泵動作，使液面降低的內槽3處理液通過非處理循環配管流出於外槽5的構造；該非處理循環配管，其一端側在內槽3的底部附近開口，其另一端側朝外槽5開口；該開關閥係用以控制非處理循環配管的流通；該泵係配置於非處理循環配管。
(4)上述實施例3、4係對蛇腹管55、55A供給氣體而使其伸長。然而，為使其伸長亦可使用液體。藉此，在實施例3中，可使蛇腹管55不易浮出處理液面，便能防止自動蓋53因浮力而打開。
※本發明在不致脫逸其構思或本質的前提下，可依其他具體形態實施，所以，代表發明範圍的部分並非以上之說明，而是應參照所附加的申請專利範圍。
1‧‧‧基板處理裝置
1A~1E‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧內槽
3A‧‧‧內槽
3d‧‧‧下部內槽
3u‧‧‧上部內槽
5‧‧‧外槽
7‧‧‧注入管
9‧‧‧排出口
11‧‧‧急速排液閥
13‧‧‧排液口
15‧‧‧循環配管
17‧‧‧循環泵
19‧‧‧線內加熱器
21‧‧‧過濾器
23‧‧‧廢液管
25‧‧‧開關閥
27‧‧‧升降機
29‧‧‧支撐部
30‧‧‧升降驅動部
31‧‧‧循環口
33‧‧‧循環流通管
35‧‧‧開關閥
37‧‧‧控制部
39‧‧‧殼體
41‧‧‧活塞
43‧‧‧前端部
45‧‧‧O形環
47‧‧‧開口
49‧‧‧分割面
51‧‧‧槽升降驅動部
53‧‧‧自動蓋
55‧‧‧蛇腹管
55A‧‧‧蛇腹管
57‧‧‧蛇腹管驅動部
61‧‧‧虛設塊體
63‧‧‧虛設塊體驅動部
65‧‧‧氣泡供給管
67‧‧‧配管
69‧‧‧流量調整閥
g‧‧‧間隙
P‧‧‧擺動軸
W‧‧‧基板
圖1係表示實施例1的基板處理裝置之概略構造的概視圖。
圖2係表示基板位於處理位置之狀態的圖。
圖3係表示基板位於待機位置之狀態的圖。
圖4係表示開關閥之詳細的縱剖視圖。
圖5係非處理循環狀態的說明圖。
圖6係處理狀態的說明圖。
圖7係表示實施例2的基板處理裝置之概略構造的概視圖。
圖8係非處理循環狀態的說明圖。
圖9係處理狀態的說明圖。
圖10係表示實施例3的基板處理裝置之概略構造的概視圖。
圖11係非處理循環狀態的說明圖。
圖12係處理狀態的說明圖。
圖13係表示實施例4的基板處理裝置之概略構造的概視圖。
圖14係非處理循環狀態的說明圖。
圖15係處理狀態的說明圖。
圖16係表示實施例5的基板處理裝置之概略構造的概視圖。
圖17係表示實施例6的基板處理裝置之概略構造的概視 圖。
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧內槽
5‧‧‧外槽
7‧‧‧注入管
15‧‧‧循環配管
17‧‧‧循環泵
19‧‧‧線內加熱器
21‧‧‧過濾器
27‧‧‧升降機
29‧‧‧支撐部
31‧‧‧循環口
33‧‧‧循環流通管
35‧‧‧開關閥
W‧‧‧基板

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其使基板浸漬於處理液中並對基板進行處理；上述裝置包括有以下的要件：內槽，其用以儲存處理液；外槽，其用以回收從上述內槽所溢出的處理液；升降機，其在相當於上述內槽上方的待機位置、與相當於上述內槽內部的處理位置之間與基板一起移動；循環配管，其連通地連接上述內槽與上述外槽，用以使處理液循環；以及循環控制手段，其在上述內槽、上述外槽、及上述循環配管儲存有當升降機與基板一起位於處理位置的處理狀態時，處理液會從上述內槽溢出至上述外槽，且當升降機與基板一起位於待機位置的非處理狀態時，處理液不會從上述內槽溢出至上述外槽之量的處理液，而當升降機與基板一起移動至處理位置的非處理循環狀態時，使處理液從上述內槽流通至上述外槽，並經由上述循環配管，進行處理液的循環。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具備有配設於上述內槽的側壁，且配設於較上述內槽的側壁上緣更靠下方之高度位置處的開關閥，上述循環控制手段在非處理循環狀態時開放上述開關閥，在處理狀態時關閉上述開關閥。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中， 上述開關閥係設置於從處理狀態轉成非處理狀態時的上述內槽之液面高度處。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述開關閥具備有在開放時會退出、在關閉時會突出的活塞，在關閉時，上述活塞的前端部係突出至與上述內槽的內壁面一致之位置處。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述開關閥具備有在開放時會退出、在關閉時會突出的活塞，在關閉時，上述活塞的前端部係突出至與上述內槽的內壁面一致之位置處。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述內槽具備有含有上緣的上部內槽、及含有底面的下部內槽，並具備有使上述上部內槽或上述下部內槽進行升降的升降手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時操作上述升降手段而在上述上部內槽與上述下部內槽之間形成間隙，在處理狀態時使上述上部內槽與上述下部內槽相密接。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具備有：自動蓋，其配設於上述內槽與上述外槽的上部，在非處理循環狀態時關閉，從非處理狀態移為處理狀態時開閉；及 伸縮構件，其配設於上述自動蓋的下面，並在上述內槽的處理液中、與上述內槽的處理液面上之間伸縮自如；上述循環控制手段在非處理循環狀態時使上述伸縮構件伸長，在處理狀態時使上述伸縮構件收縮。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具備有配設於上述內槽的底部，且在底部側與處理液面側之間伸縮自如的伸縮構件，上述循環控制手段在非處理循環狀態時使上述伸縮構件伸長，在處理狀態時使上述伸縮構件收縮。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具備有可在上述內槽的外部、與上述內槽的內部之間移動的虛設塊體(dummy block)；上述循環控制手段在非處理循環狀態時使上述虛設塊體移動至上述內槽的內部，在處理狀態時使上述虛設塊體移動至上述內槽的外部。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  11. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段， 上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  12. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  13. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  14. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  15. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段 的氣泡供給。
  16. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  17. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  18. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述內槽的內部供給氣泡的氣泡供給手段，上述循環控制手段在非處理循環狀態時利用上述氣泡供給手段供給氣泡，在處理狀態時停止來自上述氣泡供給手段的氣泡供給。
  19. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，密接上述上部內槽與上述下部內槽的分割面，在上述上部內槽與上述下部內槽為一體化的狀態時構成液密狀態。
  20. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述虛設塊體係在移動至上述內槽內時，使上述內槽中所儲存處理液的液面越過上述內槽上緣的容量。
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