TWI503446B - 電鍍處理裝置，電鍍處理方法及記錄媒體 - Google Patents

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Description

電鍍處理裝置，電鍍處理方法及記錄媒體
本發明是有關用以對基板的表面供給電鍍液來進行電鍍處理的電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體。
近年來，半導體晶圓或液晶基板等的基板為了在表面形成電路而被施以配線。此配線是取代鋁素材，而利用電阻低可靠度高的銅素材。但，銅與鋁作比較容易被氧化，因此為了防止銅配線表面的氧化，最好是藉由具有高電遷移耐性的金屬來電鍍處理。
電鍍處理是例如藉由對形成有銅配線的基板的表面供給無電解電鍍液來實施。例如，在基板旋轉保持機構固定基板，一邊使基板旋轉保持機構旋轉，一邊供給無電解電鍍液，藉此在基板的表面上形成電鍍液的均一的流動。藉此，在基板的表面全域均一地實施電鍍處理(例如專利文獻1)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2001-73157號公報
利用無電解電鍍的電鍍處理受電鍍液的組成、溫度等 的反應條件的影響為人所知。並且，被加熱至電鍍溫度的電鍍液會藉反應而產生粒子。因此，當被供給至基板之前的電鍍液在比電鍍溫度更高的溫度下長時間保持時，會有電鍍液的品質降低，且電鍍液的壽命變短的問題。
本發明的目的是在於提供一種可有效地解決如此的課題之電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體。
本發明係對基板供給電鍍液來進行電鍍處理的電鍍處理裝置，其特徵為具備：基板收容部，其係收容前述基板；電鍍液供給機構，其係對前述基板收容部所收容的前述基板供給預定溫度的電鍍液；及電鍍液排出機構，其係從前述基板收容部排出自前述基板飛散的電鍍液，前述電鍍液供給機構係具有：供給槽，其係儲存被供給至前述基板的電鍍液；吐出噴嘴，其係對前述基板吐出電鍍液；及電鍍液供給管，其係將前述供給槽的電鍍液供給至前述吐出噴嘴，在前述電鍍液供給機構的前述供給槽或前述電鍍液供給管的至少其中任一方安裝有將電鍍液加熱至比前述預定溫度更低溫的第1溫度之第1加熱機構，在比前述第1加熱機構更靠前述吐出噴嘴側，在前述 電鍍液供給管安裝有將電鍍液加熱至與前述預定溫度相等或比前述預定溫度更高溫的第2溫度之第2加熱機構。
在本發明的電鍍處理裝置中，被供給至前述基板的電鍍液的前述預定溫度亦可為與在電鍍液內的自我反應所發展的電鍍溫度相等的溫度，或比前述電鍍溫度更高溫的溫度。
在本發明的電鍍處理裝置中，前述第1加熱機構亦可具有將前述供給槽內的電鍍液加熱至第1溫度的供給槽用循環加熱手段。此情況，前述供給槽用循環加熱手段亦可包括：使前述供給槽內的電鍍液循環的供給槽用循環管、及被安裝於前述供給槽用循環管，將電鍍液加熱至第1溫度的供給槽用加熱器。
在本發明的電鍍處理裝置中，前述供給槽用循環加熱手段的前述供給槽用循環管亦可在前述第2加熱機構的附近被連接至前述電鍍液供給管。
在本發明的電鍍處理裝置中，前述第1加熱機構亦可具有供給管用加熱手段，其係以沿著前述電鍍液供給管來到前述第2加熱機構的附近之方式安裝於前述電鍍液供給管，將電鍍液加熱至第1溫度。
在本發明的電鍍處理裝置中，前述第2加熱機構亦可具有：第2溫度媒體供給手段，其係將預定的傳熱媒體加熱至第2溫度；及溫度調節器，其係於比前述第1加熱機構更靠前述吐 出噴嘴側，被安裝於前述電鍍液供給管，利用來自前述第2溫度媒體供給手段的前述傳熱媒體的熱來將電鍍液加熱至第2溫度。
在本發明的電鍍處理裝置中，前述第2加熱機構亦可更具有將前述傳熱媒體加熱至第1溫度的第1溫度媒體供給手段。此情況，前述第2加熱機構係來自前述吐出噴嘴的電鍍液的吐出被停止後，將來自前述第1溫度媒體供給手段的前述傳熱媒體送至前述溫度調節器。
在本發明的電鍍處理裝置中，前述第1加熱機構亦可具有供給管用加熱手段，其係以沿著前述電鍍液供給管來到前述第2加熱機構的附近之方式安裝於前述電鍍液供給管，將電鍍液加熱至第1溫度。此情況，前述供給管用加熱手段係由被安裝於前述電鍍液供給管的周圍之加熱用配管所構成，前述第2加熱機構係於來自前述吐出噴嘴的電鍍液的吐出被停止後，將來自前述第1溫度媒體供給手段的前述傳熱媒體送至前述第1加熱機構的前述供給管用加熱手段的前述加熱用配管。
本發明的電鍍處理裝置亦可更具備藉由對前述基板施加物理力來洗淨前述基板的物理洗淨機構。此情況，前述物理洗淨機構係於電鍍液被供給至前述基板之後，且比前述基板被乾燥更之前，對前述基板施加物理力來洗淨前述基板。
本發明係對基板供給電鍍液來進行電鍍處理的電鍍處理方法，其特徵為具備： 將前述基板配置於基板收容部的步驟；及經由吐出噴嘴來以預定溫度將供給槽內的電鍍液供給至前述基板的步驟，當供給槽內的電鍍液經由前述吐出噴嘴來以前述預定溫度供給至前述基板時，電鍍液係首先被加熱至比前述預定溫度更低溫的第1溫度，其次被加熱至與前述預定溫度相等或比前述預定溫度更高溫的第2溫度，然後，經由前述吐出噴嘴來供給至前述基板。
在本發明的電鍍處理方法中，被供給至前述基板的電鍍液的前述預定溫度亦可為與在電鍍液內的自我反應所發展的電鍍溫度相等的溫度，或比前述電鍍溫度更高溫的溫度。
在本發明的電鍍處理方法中，被供給至前述基板的電鍍液可於使前述供給槽內的電鍍液循環的供給槽用循環管中被加熱至第1溫度。
在本發明的電鍍處理方法中，當供給槽內的電鍍液經由前述吐出噴嘴來供給至前述基板時，電鍍液可首先藉由第1加熱機構來加熱至前述第1溫度，其次藉由比前述第1加熱機構更配置於前述吐出噴嘴側的第2加熱機構來加熱至前述第2溫度，然後，經由前述吐出噴嘴來供給至前述基板。
在本發明的電鍍處理方法中，來自前述吐出噴嘴的電鍍液的吐出被停止後，藉由前述第2加熱機構來被加熱至前述第2溫度的電鍍液可被冷卻至前述第1溫度。
本發明的電鍍處理方法可更具備對前述基板施加物理力來洗淨前述基板的步驟。
本發明的電鍍處理方法可更具備乾燥前述基板的步驟。此情況，對前述基板施加物理力來洗淨前述基板的步驟可在對前述基板供給電鍍液之後，且比乾燥前述基板更之前被實行。
本發明係儲存使電鍍處理方法實行於電鍍處理裝置的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電鍍處理方法係對基板供給電鍍液來進行電鍍處理的方法，其係具備：將前述基板配置於基板收容部的步驟；及經由吐出噴嘴來以預定溫度將供給槽內的電鍍液供給至前述基板的步驟，當供給槽內的電鍍液經由前述吐出噴嘴來以前述預定溫度供給至前述基板時，電鍍液係首先被加熱至比前述預定溫度更低溫的第1溫度，其次被加熱至與前述預定溫度相等或比前述預定溫度更高溫的第2溫度，然後，經由前述吐出噴嘴來供給至前述基板。
若根據本發明，則可將電鍍液以二階段來加熱至第2溫度。因此，可充分地拉長電鍍液的壽命。
 第1實施形態
以下，參照圖1~圖10來說明有關本發明的第1實施形態。首先藉由圖1來說明有關本實施形態的電鍍處理系統1全體。
電鍍處理系統
如圖1所示，電鍍處理系統1是包含：基板搬出入室5，其係載置收容複數片(例如25片)基板2(在此是半導體晶圓)的載體3，用以按預定片數來搬入及搬出基板2；及基板處理室6，其係用以進行基板2的電鍍處理或洗淨處理等的各種的處理。
基板搬出入室5與基板處理室6是鄰接設置。
(基板搬出入室)
基板搬出入室5是具有：載體載置部4、收容搬送裝置8的搬送室9、收容基板交接台10的基板交接室11。在基板搬出入室5中，搬送室9與基板交接室11會經由交接口12來連通連結。載體載置部4是載置複數個以水平狀態來收容複數個基板2的載體3。在搬送室9是進行基板2的搬送，在基板交接室11是在與基板處理室6之間進行基板2的交接。
在如此的基板搬出入室5中，是在被載置於載體載置部4的任一個的載體3與基板交接台10之間，藉由搬送 裝置8來各預定片數搬送基板2。
(基板處理室)
基板處理室6是具有：基板搬送單元13，其係於中央部延伸於前後；及複數的電鍍處理裝置20，其係於基板搬送單元13的一方側及另一方側前後排列配置，對基板2供給電鍍液進行電鍍處理。
其中基板搬送單元13是包含構成可移動於前後方向的基板搬送裝置14。並且，基板搬送單元13是經由基板搬出入口15來連通至基板交接室11的基板交接台10。
在如此的基板處理室6中，是對各電鍍處理裝置20，藉由基板搬送單元13的基板搬送裝置14來各一片保持於水平的狀態下搬送基板2。然後，在各電鍍處理裝置20中，基板2會各一片被洗淨處理及電鍍處理。
各電鍍處理裝置20是僅所使用的電鍍液等不同，其他的點則是大致同一構成。因此，在以下的說明是針對複數的電鍍處理裝置20的其中之一的電鍍處理裝置20的構成進行說明。
電鍍處理裝置
以下，參照圖2及圖3來說明有關電鍍處理裝置20。圖2是表示電鍍處理裝置20的側面圖，圖3是表示電鍍處理裝置20的平面圖。
如圖2及圖3所示，電鍍處理裝置20是具備：基板旋轉保持機構(基板收容部)110，其係用以在外箱101的內部旋轉保持基板2；液供給機構30，30A，90，90A，其係對基板2的表面供給電鍍液或洗淨液等；液排出機構120，125，130，其係將從基板2飛散的電鍍液或洗淨液等排出；物理洗淨機構70，其係藉由對基板2的表面施加物理力來洗淨基板2的表面；及控制機構160，其係控制基板旋轉保持機構110、液供給機構30，30A，90，90A、液排出機構120，125，130及物理洗淨機構70。
(基板旋轉保持機構)
其中基板旋轉保持機構110是如圖2及圖3所示般具有：在外箱101內延伸於上下的中空圓筒狀的旋轉軸111、及被安裝於旋轉軸111的上端部的轉盤112、及設於轉盤112的上面外周部，支撐基板2的晶圓夾頭113、及旋轉驅動旋轉軸111的旋轉機構162。其中旋轉機構162是藉由控制機構160來控制，藉由旋轉機構162來旋轉驅動旋轉軸111，藉此，藉由晶圓夾頭113所支撐的基板2會旋轉。
(液供給機構)
其次，參照圖2~圖5來說明有關對基板2的表面供給電鍍液或洗淨液等的液供給機構30，30A，90，90A。液供給機構30，30A，90，90A是包含：對基板2的表面供給含Ni的電鍍液之電鍍液供給機構30、及對基板2的表面供給後洗淨用的洗淨處理液之洗淨處理液供給機構90、及對基板2的表面供給含Pd的電鍍液之電鍍液供給機構30A、及對基板2的表面供給前洗淨用的洗淨處理液之洗淨處理液供給機構90A。
[電鍍液供給機構30]
如圖4所示，電鍍液供給機構30是具有：供給槽31，其係儲存以預定溫度供給至基板2的電鍍液35；吐出噴嘴32，其係對基板2吐出電鍍液35；電鍍液供給管33，其係將供給槽31的電鍍液35供給至吐出噴嘴32；及供給槽用脫氣手段34，其係被連接至供給槽31，除去被儲存於供給槽31的電鍍液35中的溶氧及溶氫。
並且，如圖4所示，在電鍍液供給管33介插有開閉自如的閥37b。
另外，在本實施形態中，被供給至基板2的電鍍液35的「預定溫度」是與在電鍍液35內的自我反應所發展的電鍍溫度相等的溫度、或形成比前述電鍍溫度更高溫的溫度。有關電鍍溫度會在往後敘述。
在供給槽31是從儲藏有Ni等的電鍍液35的各種成分的複數個藥液供給源(未圖示)供給各種藥液。例如，供給含Ni離子的NiP金屬鹽、還原劑及添加劑等的藥液。此時，調整各種藥液的流量，而使被儲存於供給槽31內的電鍍液35的成分能夠適當地被調整。
吐出噴嘴32是被安裝於噴嘴頭104。並且，噴嘴頭104是被安裝於臂103的前端部，此臂103是可延伸於上下方向，且被固定於藉由旋轉機構165來旋轉驅動的支撐軸102。藉由如此的構成，可使電鍍液經由吐出噴嘴32來從所望的高度吐出至基板2的表面的任意處。
另外，在圖2中是顯示成電鍍液供給機構30會被配置於臂103的外側。然而，電鍍液供給機構30的配置並無特別加以限制，電鍍液供給機構30亦可被配置於臂103的內側。在後述的例子中是針對電鍍液供給機構30的電鍍液供給管被配置於臂103的內側的情況進行說明。同樣，有關圖2所示的電鍍液供給機構30A、洗淨處理液供給機構90、洗淨處理液供給機構90A或物理洗淨機構70也是該等的配置並無特別加以限制。
而且，如圖4所示，在電鍍液供給機構30的供給槽31或電鍍液供給管33的至少任一方安裝有將電鍍液35加熱至第1溫度的第1加熱機構50。並且，在比第1加熱機構50更靠吐出噴嘴32側，在電鍍液供給管33安裝有將電鍍液35加熱至比第1溫度更高溫的第2溫度之第2加熱機構60。有關上述供給槽用脫氣手段34、第1加熱機 構50及第2加熱機構60會在之後詳細說明。
[電鍍液供給機構30A]
如圖5所示，在電鍍液供給機構30A中，用以對吐出噴嘴32供給電鍍液的構成要素是僅所使用的電鍍液35A不同，其他的構成要素是與電鍍液供給機構30的各構成要素大致相同。如圖2所示，將含Pd的電鍍液吐出至基板2的表面的吐出噴嘴32是被安裝於噴嘴頭109。並且，噴嘴頭109是被安裝於臂108的前端部，此臂108是可延伸於上下方向，且被固定於藉由旋轉機構163來旋轉驅動的支撐軸107。藉由如此的構成，可使電鍍液經由吐出噴嘴32來從所望的高度吐出至基板2的表面的任意處。
在圖5所示的電鍍液供給機構30A中，對於和電鍍液供給機構30相同的部分附上同樣的符號，而省略詳細的說明。
[洗淨處理液供給機構90]
洗淨處理液供給機構90是如後述般被使用在基板2的後洗淨工程中，如圖2所示，包含被安裝於噴嘴頭104的噴嘴92。並且，如圖4所示，洗淨處理液供給機構90更具有：儲存被供給至基板2的洗淨處理液93的槽91、及將槽91的洗淨處理液93供給至噴嘴92的供給管94、及被介插於供給管94的泵96及閥97a。另外，如圖4所示，在洗淨處理液供給機構90中，在與對基板2的表面 供給純水等的洗滌處理液的洗滌處理液供給機構95之間，亦可共用供給管94及噴嘴92。此情況，藉由適當地控制閥97a，97b的開閉，可從噴嘴92選擇性地吐出洗淨處理液93或洗滌處理液的其中任一至基板2的表面。
[洗淨處理液供給機構90A]
洗淨處理液供給機構90A是如後述般被使用在基板2的前洗淨工程中，如圖2所示，包含被安裝於噴嘴頭109的噴嘴92。洗淨處理液供給機構90A的構成要素是如圖5所示般僅所使用的洗淨處理液93A不同，其他的構成要素則是與洗淨處理液供給機構90的各構成要素大致相同。在圖5所示的洗淨處理液供給機構90A中，對於和洗淨處理液供給機構90相同的部分是附上同樣的符號而省略詳細的說明。
(液排出機構)
其次，參照圖2來說明有關將從基板2飛散的電鍍液或洗淨液等排出的液排出機構120，125，130。如圖2所示，在外箱101內是配置有杯105，其係藉由昇降機構164來驅動於上下方向，具有排出口124，129，134。液排出機構120，125，130是分別將匯集於排出口124，129，134的液予以排出者。
從基板2飛散的處理液是可按種類經由排出口124，129，134利用液排出機構120，125，130來排出。例如， 液排出機構120是形成排出電鍍液35的電鍍液排出機構120，液排出機構125是形成排出電鍍液35A的電鍍液排出機構125，液排出機構130是形成排出洗淨處理液93，93A及洗滌處理液的處理液排出機構130。
如圖2所示，電鍍液排出機構120，125是分別具有藉由流路切換器121，126來切換的回收流路122，127及廢棄流路123，128。其中回收流路122，127是用以回收電鍍液再利用的流路，另一方面，廢棄流路123，128是用以將電鍍液廢棄的流路。有關再利用藉由回收流路122，127所回收的電鍍液的電鍍液回收機構是之後在第2實施形態中說明。另外，如圖2所示，在處理液排出機構130是僅設有廢棄流路133。
(物理洗淨機構)
其次，參照圖2及圖4來說明有關物理洗淨機構70。物理洗淨機構70是藉由對基板2的表面施加物理力來洗淨基板2的表面者，例如由吐出洗淨液的液滴的液滴吐出手段71所構成。此液滴吐出手段71是如後述般，在基板2的表面施以電鍍處理等之後，比基板2的表面被乾燥更之前，藉由控制機構160來控制，而使能夠藉由液滴來對基板2的表面施加物理力。
如圖4所示，構成物理洗淨機構70的液滴吐出手段71是具有：將洗淨液74的液滴吐出至基板2的表面的二流體噴嘴72、及儲存洗淨液74的槽76、及將槽76的洗 淨液74供給至二流體噴嘴72的供給管74a、及在供給管74a介插的泵77及閥78a、及對二流體噴嘴72供給氮等的液滴生成用氣體75的供給管75a。此二流體噴嘴72是被安裝於噴嘴頭104。此噴嘴頭104是如上述般可經由臂103及旋轉機構165來移動，因此，可使洗淨液74的液滴經由二流體噴嘴72來吐出至基板2的表面的任意處。另外，如圖4所示，經由供給管74a來供給至二流體噴嘴72的液體亦可不是洗淨液74，而是純水等的洗滌處理液。此情況，藉由適當地控制閥78a，78b的開閉，可選擇性地供給洗淨液74或洗滌處理液的其中任一至二流體噴嘴72。
[二流體噴嘴]
其次，參照圖6來具體說明有關二流體噴嘴72的構成。所謂二流體噴嘴，一般是意指藉由使氣體與液體混合來產生微小的液滴，吐出此微小的液滴之方式的噴嘴。在圖6中，以二點虛線所示的區域是表示從二流體噴嘴72噴霧的噴霧用洗淨液74的液滴72f的噴霧範圍。
二流體噴嘴72是具有大致圓柱狀的噴嘴本體72a，在此噴嘴本體72a的內部是分別設有：連通至供給洗淨液74的供給管74a的洗淨液流路72b、及連通至供給液滴生成用氣體75的供給管75a的氣體流路72c，洗淨液74與液滴生成用氣體75會在混合部72d衝突混合。藉此，在混合部72d中形成洗淨液74的液滴，然後，對於基板2吐 出洗淨液74的液滴72f。
其次，說明有關設於電鍍液供給機構30及電鍍液供給機構30A的供給槽用脫氣手段34、第1加熱機構50及第2加熱機構60。
(供給槽用脫氣手段)
首先說明有關供給槽用脫氣手段34。如圖7所示，供給槽用脫氣手段34是包含將氮等的不活性氣體供給至供給槽31內的氣體供給管34a。
經由氣體供給管34a來導入至電鍍液35中的氮等的不活性氣體是其一部分會被溶解於電鍍液35中。一般，可溶存於電鍍液35中的氣體的最大量是按照溫度等而定，因此若在電鍍液35中溶解新的氮等的不活性氣體，則已經溶存於電鍍液35中的氧或氫等其他的氣體會被排出至電鍍液35的外部。如此，包括氣體供給管34a的供給槽用脫氣手段34是形成用以藉由所謂的起泡(bubbling)來除去電鍍液35中的溶氧及溶氫者。從電鍍液35排出的氧或氫是藉由排氣手段38來從供給槽31排出。
最好氣體供給管34a不是在供給槽31內所儲存的電鍍液35的液面附近，而是插入至供給槽31的底面附近。藉此，可在供給槽31內的電鍍液35的全域除去溶氧及溶氫。因此，可更降低被供給至基板2的電鍍液35的溶氧及溶氫的濃度。
雖未圖示，但實際供給槽31的上端可藉由某些的密 封手段來從外部環境密封，且在密封手段與電鍍液35的液面之間充填氮等的不活性氣體。亦即，供給槽31內的電鍍液35可置於氮等的不活性氣體環境下。藉此，可防止溶氧及溶氫被除去後的電鍍液35暴露於氧及氫。
(第1加熱機構)
其次，說明有關第1加熱機構50。在圖7中，顯示具有將電鍍液35加熱至第1溫度的供給槽用循環加熱手段51之第1加熱機構50。另外，第1溫度是形成比在電鍍液35內的自我反應所產生之金屬離子的析出發展的溫度(電鍍溫度)更低，且比常溫更高的預定的溫度。例如，在含Ni的電鍍液35中，其電鍍溫度是形成約60度，此情況，第1溫度會被設定於40~60度的範圍內。
供給槽用循環加熱手段51是如圖7所示般具有：在供給槽31的附近使電鍍液35循環的供給槽用循環管52、及被安裝於供給槽用循環管52，將電鍍液35加熱至第1溫度的供給槽用加熱器53。又，如圖7所示，在供給槽用循環管52介插有用以使電鍍液35循環的泵56、及過濾器55。藉由設置如此的供給槽用循環加熱手段51，可一邊使供給槽31內的電鍍液35在供給槽31附近循環，一邊加熱至第1溫度。又，如圖7所示，在供給槽用循環管52連接有電鍍液供給管33。此情況，當圖7所示的閥37a被開放，閥37b被閉鎖時，通過供給槽用加熱器53的電鍍液35會回到供給槽31。另一方面，當閥37a被閉鎖，閥 37b被開放時，通過供給槽用加熱器53的電鍍液35會通過電鍍液供給管33來到達第2加熱機構60。
另外，如在圖7中以一點虛線所示般，亦可在供給槽用循環管52設有監視電鍍液35的特性的監視器手段57。監視器手段57是例如監視電鍍液35的溫度的溫度監視器、或監視電鍍液35的pH的pH監視器等。
(第2加熱機構)
其次，參照圖8來說明有關第2加熱機構60。第2加熱機構60是用以將藉由第1加熱機構50來加熱至第1溫度的電鍍液35予以更加熱至第2溫度者。另外，所謂第2溫度是形成與上述的電鍍溫度相等，或比電鍍溫度更高的預定的溫度。例如，在含Ni的電鍍液35中，其電鍍溫度是如上述般形成約60度，此情況，第2溫度會被設定於60~90度的範圍內。
如圖8所示，第2加熱機構60是具有：將預定的傳熱媒體加熱至第2溫度或比第2溫度更高溫度的第2溫度媒體供給手段61、及在比第1加熱機構50更靠吐出噴嘴32側，安裝於電鍍液供給管33，使來自第2溫度媒體供給手段61的傳熱媒體的熱傳導至電鍍液供給管33內的電鍍液35的溫度調節器62。又，如圖8所示，亦可更設有：被設於臂103，用以將通過位於臂103內的電鍍液供給管33的電鍍液35保持於第2溫度的溫度保持器65。另外，在圖8中，電鍍液供給管33之中，位於溫度調節器62 內的電鍍液供給管是以符號33a來表示，位於溫度保持器65內(臂103內)的電鍍液供給管是以符號33b來表示。
[溫度調節器62]
溫度調節器62是具有：將從第2溫度媒體供給手段61供給的溫度調節用的傳熱媒體(例如溫水)導入的供給口62a、及將傳熱媒體排出的排出口62b。從供給口62a供給的傳熱媒體是在流動於溫度調節器62的內部的空間62c的期間與電鍍液供給管33a接觸。藉此，流動於電鍍液供給管33a的電鍍液35會被加熱至第2溫度。被使用於電鍍液35的加熱之後的傳熱媒體是從排出口62b排出。
最好溫度調節器62內的電鍍液供給管33a是如圖8所示般形成螺旋狀。藉此，可擴大傳熱媒體與電鍍液供給管33a之間的接觸面積，藉此可將傳熱媒體的熱予以效率佳地傳達至電鍍液35。
[溫度保持器65]
被配設於溫度調節器62與吐出噴嘴32之間的溫度保持器65是用以至電鍍液35從吐出噴嘴32吐出的期間，藉由溫度調節器62來保持被加熱至第2溫度的電鍍液35的溫度者。此溫度保持器65是如圖8所示般具有：在溫度保持器65內以接觸於電鍍液供給管33b的方式延伸的保溫管65c、及將從第2溫度媒體供給手段61供給的傳熱媒體導入至保溫管65c的供給口65a、及將傳熱媒體排出 的排出口65b。保溫管65c是沿著電鍍液供給管33b來延伸至接近吐出噴嘴32，藉此，可使即將從吐出噴嘴32吐出之前的電鍍液35的溫度保持於第2溫度。
保溫管65c是如圖8所示般，亦可在收納吐出噴嘴32的噴嘴頭104的內部被開放，與溫度保持器65內的空間65d連通。此情況，溫度保持器65是具有由位於其剖面中心的電鍍液供給管33b、使熱性地接觸於電鍍液供給管33b的外周來配設的保溫管65c、及位於保溫管65c的外周的空間65d所構成的三重構造(三重配管的構造)。從供給口65a供給的傳熱媒體是至噴嘴頭104為止通過保溫管65c來保溫電鍍液35，然後，通過溫度保持器65內的空間65d來從排出口65b排出。流動於空間65d的傳熱媒體是發揮熱性地遮斷流動於保溫管65c的傳熱媒體(及流動於其內側的電鍍液供給管33b的電鍍液35)與溫度保持器65的外側的環境之作用。因此，可抑止流動於保溫管65c的傳熱媒體的熱損失，且可有效率地進行從流動於保溫管65c的傳熱媒體往流動於電鍍液供給管33b的電鍍液35的熱傳達。
另外，在圖8中是表示被供給至溫度調節器62的傳熱媒體、及被供給至溫度保持器65的傳熱媒體皆為從第2溫度媒體供給手段61供給的傳熱媒體的例子。但，並非限於此限，被供給至溫度調節器62的傳熱媒體、及被供給至溫度保持器65的傳熱媒體亦可為分別從個別的傳熱媒體的供給源所供給。
[第1溫度媒體供給手段]
又，如圖8所示，第2加熱機構60是除了將傳熱媒體加熱至第2溫度供給的第2溫度媒體供給手段61以外，亦可更具有將傳熱媒體加熱至第1溫度供給的第1溫度媒體供給手段63。此情況，第2加熱機構60是在從吐出噴嘴32吐出電鍍液35的期間，藉由控制機構160控制，而使來自第2溫度媒體供給手段61的傳熱媒體能夠被送至溫度調節器62及溫度保持器65。另一方面，來自吐出噴嘴32的電鍍液35的吐出停止後，第2加熱機構60是藉由控制機構160控制，而使來自第1溫度媒體供給手段63的第1溫度的傳熱媒體能夠被送至溫度調節器62及溫度保持器65。藉此，來自吐出噴嘴32的電鍍液35的吐出停止後，可將留在溫度調節器62及溫度保持器65的電鍍液35冷卻至第1溫度保持。藉由如此將留下的電鍍液35保持於比電鍍溫度更低溫的第1溫度，可防止電鍍液35因為熱而劣化，藉此可拉長電鍍液35的壽命。
設有第1溫度媒體供給手段63時，如圖8所示，在將傳熱媒體送至溫度調節器62及溫度保持器65的傳熱媒體供給管66是設有使來自第2溫度媒體供給手段61的第2溫度的傳熱媒體或來自第1溫度媒體供給手段63的第1溫度的傳熱媒體的任一者選擇性地連通至傳熱媒體供給管66的流路切替機構66a，66b。藉此，可將溫度調節器62內及溫度保持器65內的電鍍液35的溫度選擇性地控制成 第1溫度或第2溫度。
(其他的構成要素)
如圖2所示，電鍍處理裝置20是更具有：對基板2的背面供給處理液的背面處理液供給機構145、及對基板2的背面供給氣體的背面氣體供給機構150。
包含複數個以上那樣構成的電鍍處理裝置20之電鍍處理系統1是按照設在控制機構160的記憶媒體161所記錄的各種程式來以控制機構160驅動控制，藉此對基板2進行各種的處理。在此，記憶媒體161是儲存各種的設定資料或後述的電鍍處理程式等的各種程式。記憶媒體161是可使用電腦可讀取的ROM或RAM等記憶體、或硬碟、CD-ROM、DVD-ROM或軟碟等的碟狀記憶媒體等的周知者。
在本實施形態中，電鍍處理系統1及電鍍處理裝置20是按照被記錄於記憶媒體161的電鍍處理程式來驅動控制成對基板2實施電鍍處理。在以下的說明是首先說明有關將被使用於化學還原電鍍的Ni電鍍液予以脫氣及加熱而進行化學還原電鍍的準備的方法。其次說明有關在一個電鍍處理裝置20藉由置換電鍍來對基板2實施鍍Pd後，藉由化學還原電鍍來實施鍍Ni，然後，在其他的電鍍處理裝置20藉由置換電鍍來對基板2實施鍍金的方法。
化學還原電鍍的準備 [脫氣工程]
首先，說明有關用以除去供給槽31內所儲存的電鍍液35中的溶氧及溶氫的脫氣工程(S313)。此情況，如圖7所示，經由氣體供給管34a來導入氮至供給槽31內。藉此，供給槽31內所儲存的電鍍液35中的溶氧及溶氫會被置換成溶氮，此結果，電鍍液35中的溶氧及溶氫會被除去。
[第1溫度調整工程]
其次，說明有關調整被吐出至基板2表面的電鍍液35的溫度之工程。首先，參照圖7來說明有關將被吐出至基板2表面的電鍍液35的溫度加熱至比被供給至基板2而進行電鍍處理時的預定溫度更低溫的第1溫度之第1溫度調整工程(S314)。首先，使第1加熱機構50的供給槽用加熱器53的溫度上昇至第1溫度或比第1溫度更高溫度。其次，藉由使用泵56來一邊使電鍍液35循環於供給槽用循環管52內，一邊加熱至第1溫度。此時，閥37a是被開放，閥37b是被閉鎖。藉此，供給槽31內所儲存的電鍍液35的溫度會被控制成第1溫度。
[第2溫度調整工程]
其次，參照圖8來說明有關將電鍍液35的溫度加熱至與被供給至基板2而進行電鍍處理時的預定溫度相等、或比預定溫度更高的第2溫度之第2溫度調整工程(S315) 。首先，閥37a會被閉鎖，閥37b會被開放。藉此，被控制成第1溫度的電鍍液35會通過電鍍液供給管33來送至第2加熱機構60的溫度調節器62。在溫度調節器62是從第2溫度媒體供給手段61供給被加熱至第2溫度或比第2溫度更高溫度的傳熱媒體。因此，電鍍液35是在通過溫度調節器62的內部的電鍍液供給管33a的期間被加熱至第2溫度。
然後，被加熱至第2溫度的電鍍液35是如圖8所示般經由臂103來送至吐出噴嘴32。此時，在臂103是設有溫度保持器65，在此溫度保持器65是從第2溫度媒體供給手段61供給被加熱至第2溫度的傳熱媒體。因此，電鍍液35是通過溫度保持器65的內部的電鍍液供給管33b來到達吐出噴嘴32為止被保持於第2溫度。
另外，雖顯示在通過溫度調節器62的內部的電鍍液供給管33a的期間電鍍液35會被加熱至第2溫度的例子，但並非限於此。例如，亦可為電鍍液35在通過溫度調節器62的內部的電鍍液供給管33a的期間被加熱至比第1溫度更高且比第2溫度更低的溫度，然後，電鍍液35在通過溫度保持器65的內部的電鍍液供給管33b的期間被加熱至第2溫度。此情況，最好即將到達吐出噴嘴32之前，電鍍液35被加熱至第2溫度。藉此，可更縮短從吐出噴嘴32吐出之前電鍍液35被保持於第2溫度的期間。
[第1溫度保持工程]
最好基板2的表面的鍍Ni處理終了後，留在溫度調節器62及溫度保持器65的電鍍液35是被冷卻至第1溫度而保持(第1溫度保持工程S317)。此情況，第2加熱機構60是藉由控制機構160控制成來自第1溫度媒體供給手段63的第1溫度的傳熱媒體會被送至溫度調節器62及溫度保持器65。
電鍍處理方法
其次，參照圖9說明有關首先在一個電鍍處理裝置20藉由置換電鍍來對基板2實施鍍Pd，其次藉由化學還原電鍍來實施如上述般準備的鍍Ni。
(基板搬入工程及基板接收工程)
最初，實行基板搬入工程及基板接收工程。首先，利用基板搬送單元13的基板搬送裝置14來將1片的基板2從基板交接室11搬入至一個電鍍處理裝置20。在電鍍處理裝置20中，首先，杯105會下降至預定位置，其次，被搬入的基板2會藉由晶圓夾頭113來支撐，然後，杯105會藉由昇降機構164來使上昇至排出口134與基板2的外周端緣對向的位置。
(洗淨工程)
其次，實行由洗滌處理、前洗淨處理及之後的洗滌處理所構成的洗淨工程(S302)。首先，洗滌處理液供給機構 95A的閥97b會被開啟，藉此，洗滌處理液會經由噴嘴92來供給至基板2的表面。其次，實行前洗淨工程。首先，洗淨處理液供給機構90A的閥97a會被開啟，藉此，洗淨處理液93會經由噴嘴92來供給至基板2的表面。然後，與上述的情況同樣，洗滌處理液會經由噴嘴92來供給至基板2的表面。處理後的洗滌處理液或洗淨處理液93是經由杯105的排出口134及處理液排出機構130的廢棄流路133來廢棄。一旦基板2的表面的前洗淨終了，則閥97a會被關閉。
(鍍Pd工程)
其次，實行鍍Pd工程(S303)。此鍍Pd工程是在前洗淨工程後的基板2未被乾燥的狀態的期間，作為置換電鍍處理工程來實行。藉由如此在基板2未乾燥的狀態下實行置換電鍍處理工程，可防止基板2的被電鍍面的銅等氧化無法良好地置換電鍍處理。
在鍍Pd工程中，首先，藉由昇降機構164使杯105上昇至排出口129與基板2的外周端緣對向的位置。其次，電鍍液供給機構30A的閥37b會被開啟，藉此，含Pd的電鍍液35A會經由吐出噴嘴32來以所望的流量吐出至基板2的表面。藉此，在基板2的表面藉由置換電鍍來實施鍍Pd。處理後的電鍍液35A是從杯105的排出口129排出。然後，處理後的電鍍液35A是經由回收流路127來回收，或經由廢棄流路128來廢棄。一旦基板2的表面的 鍍Pd處理終了，則閥37b會被關閉。
(洗滌處理工程)
其次，實行洗滌處理工程(S304)。由於此洗滌處理工程S304是與上述的洗淨工程S302的洗滌處理大致相同，因此省略詳細的說明。
(鍍Ni工程)
然後，在與實行上述的工程S302~304相同的電鍍處理裝置20中，實行鍍Ni工程(S305)。此鍍Ni工程是作為化學還原電鍍處理工程被實行。
在鍍Ni工程S305中，如圖10所示，藉由供給槽用脫氣手段34來除去溶氧及溶氫，且藉由第2加熱機構60來加熱至第2溫度的電鍍液35會從吐出噴嘴32以所望的流量吐出(吐出工程S316)。藉此，在基板2的表面藉由化學還原電鍍來實施鍍Ni。此時，杯105會藉由昇降機構164來上昇至排出口124與基板2的外周端緣對向的位置，因此，處理後的電鍍液35從杯105的排出口124排出。所被排出的處理後的電鍍液35是經由回收流路122來回收至回收槽，或經由廢棄流路123來廢棄。
其次，實行由洗滌處理工程S306、後洗淨工程S307及洗滌處理工程S308所構成的洗淨工程(S310)。
(洗滌處理工程)
首先，對於被施以鍍Ni處理的基板2的表面實行洗滌處理工程(S306)。此情況，洗滌處理液供給機構95的閥97b會被開啟，藉此，洗滌處理液會經由噴嘴92來供給至基板2的表面。
(後洗淨工程)
然後，實行後洗淨工程(S307)。首先，洗淨處理液供給機構90的閥97a會被開啟，藉此，洗淨處理液93會經由噴嘴92來供給至基板2的表面。處理後的洗滌處理液或洗淨處理液93是經由杯105的排出口134及處理液排出機構130的廢棄流路133來廢棄。一旦基板2的表面的後洗淨終了，則閥97a會被關閉。
(洗滌處理工程)
其次，實行洗滌處理工程(S308)。由於此洗滌處理工程S308是與上述的洗滌處理工程S306大致相同，因此省略詳細的說明。
(乾燥工程)
然後，實行使基板2乾燥的乾燥工程(S309)。例如，藉由使轉盤112旋轉，附著於基板2的液體會利用離心力來往外方飛散，藉此基板2會被乾燥。亦即，轉盤112亦可具備作為使基板2的表面乾燥的乾燥機構之機能。
如此一來，在一個電鍍處理裝置20中，對於基板2 的表面，首先鍍Pd會藉由置換電鍍來實施，其次鍍Ni會藉由化學還原電鍍來實施。
然後，搬送至鍍金處理用的其他電鍍處理裝置20。而且，在其他的電鍍處理裝置20中，藉由置換電鍍來對基板2的表面實施鍍Au處理。鍍金處理的方法是除了電鍍液及洗淨液不同的點以外，其餘與鍍Pd處理用的上述方法大致相同，因此省略詳細的說明。
本實施形態的作用效果
在此，若根據本實施形態，則如上述般，在儲存被供給至吐出噴嘴32的電鍍液35的供給槽31設有除去各種藥液的成分被調整後的電鍍液35中的溶氧及溶氫之供給槽用脫氣手段34。因此，可降低電鍍液35中的溶氧的濃度，藉此，可拉長電鍍液35的壽命。並且，可降低電鍍液35中的溶氫的濃度，藉此，可防止電鍍液中的金屬離子藉由氫的還原作用而被還原，可防止被還原的金屬離子析出於銅配線的附近。藉此，可使製程的安定性提升。
又，若根據本實施形態，則如上述般設有：將電鍍液35加熱至第1溫度的第1加熱機構50、及將電鍍液35加熱至第2溫度的第2加熱機構60。亦即，電鍍液35會以二階段來加熱至第2溫度。根據與比較例的對比來說明此效果。
首先，第1比較例為想像電鍍液在供給槽內被加熱至第2溫度的比較例。此情況，被加熱至第2溫度的電鍍液 會在供給槽內被長時間保持。一般可想像若以比電鍍溫度更高溫的第2溫度來保持電鍍液35的時間變長，則電鍍液35中的金屬離子的氧化會發展，藉此電鍍液35的壽命會變短。並且，可想像電鍍液在被保持於第2溫度的期間，金屬離子的析出會發展而成為粒子的原因。
相對的，若根據本實施形態，則藉由將電鍍液35以二階段來加熱至第2溫度，可縮短電鍍液35被保持於第2溫度的時間，藉此可拉長電鍍液35的壽命。並且，可抑制粒子的發生。
其次，第2比較例為想像電鍍液在供給槽內被保持於常溫，然後，在從吐出噴嘴吐出之前，在臂內等電鍍液會被加熱至第2溫度的比較例。此情況，在臂內電鍍液會從常溫來加熱至第2溫度，因此加熱所要的時間會變長。
相對的，若根據本實施形態，則供給槽31的電鍍液35會預先被加熱至第1溫度。因此，可以小的能量迅速地將電鍍液35加熱至第2溫度。藉此，可一面抑制金屬離子的析出，一面使製程的處理能力提升。
另外，若根據本實施形態，則如上述般，電鍍液35中的溶氧的濃度會被低減，且可將供給槽31的電鍍液35保持於第1溫度。因此，若根據本實施形態，則可藉由該等的組合的相乘效果來顯著地改善電鍍液35的壽命。
(物理洗淨工程)
可是，即使像上述那樣設有供給槽用脫氣手段34，也 有難以完全除去電鍍液35中的溶氫時。此情況，藉由氫的還原作用來還原電鍍液35中的金屬離子，此時，可想像被還原的金屬離子會以球狀析出於銅配線的附近。對於如此的情況，本發明者發現像上述的本實施形態那樣，利用對基板2的表面施加物理力的物理洗淨機構70來洗淨基板2有效。以下，說明有關藉由使用物理洗淨機構70來除去析出於銅配線的附近的球狀的金屬(以下稱為缺陷(defect))的方法。
缺陷是具有集中於所被形成的電鍍膜的附近的傾向。可想像在電鍍處理工程的途中或之後不久，電鍍液或洗淨處理液等的液體介於電鍍膜與缺陷之間。
例如在圖9中以一點虛線所示般，物理洗淨機構70會藉由控制機構160控制，而使能夠在洗滌處理工程(S308)被實行後，乾燥工程(S309)被實行前，實行物理洗淨工程(S320)。此情況，首先閥78a會被開啟，藉此洗淨液74會經由供給管74a來供給至二流體噴嘴72。同時，液滴生成用氣體75會經由供給管75a來供給至二流體噴嘴72。藉此生成洗淨液74的液滴，朝基板2吐出此液滴。此時，洗滌處理液會介於電鍍膜與缺陷之間。
若如此根據本實施形態，則設有對基板2的表面施加物理力的物理洗淨機構70。並且，物理洗淨機構70是藉由控制機構160控制，而使能夠對液體介於比基板2的表面被乾燥更之前的電鍍膜與缺陷之間的狀態的基板2的表面施加物理力。因此，可在液體介於電鍍膜與缺陷之間的 期間，對缺陷施加物理力。藉此，可容易從電鍍膜去除缺陷。
假設基板2在保持形成有如此的缺陷的狀態下被乾燥，電鍍膜與缺陷之間的液體會被除去，此時，可想像缺陷會被吸附於金屬膜。一旦如此缺陷被吸附於電鍍膜，則電鍍膜與缺陷之間的距離會變短，因此可想像難以從電鍍膜除去缺陷。所以，最好是在洗滌處理液、洗淨處理液或電鍍液等的液體介於電鍍膜與缺陷之間的期間使用物理洗淨機構70。
(物理洗淨工程的變形例)
另外，在本實施形態中是顯示在洗滌處理工程(S308)被實行後，乾燥工程(S309)被實行前，實行物理洗淨工程(S320)的例子。但，並非限於此，亦可在比基板2的表面被乾燥更之前的各種時機實行物理洗淨工程(S320)。
例如，亦可在鍍Ni工程(S305)被實行後，洗滌處理工程(S306)被實行前，實行物理洗淨工程(S320)。又，亦可在洗滌處理工程(S306)被實行後，後洗淨工程(S307)被實行前，實行物理洗淨工程(S320)。又，亦可在後洗淨工程(S307)被實行後，洗滌處理工程(S308)被實行前，實行物理洗淨工程(S320)。無論是哪個情況，電鍍液、洗滌處理液或洗淨處理液等的液體會介於電鍍膜與缺陷之間，因此可容易從電鍍膜除去缺陷。
最好不是洗淨處理液而是洗滌處理液介於電鍍膜與缺 陷之間時實行物理洗淨工程(S320)。藉此，可防止洗淨處理液藉由物理力而飛散。
或，亦可後洗淨工程(S307)作為物理洗淨工程(S320)被實行。亦即，亦可使用在後洗淨工程(S307)所使用的洗淨處理液93，作為在物理洗淨工程(S320)所使用的洗淨液74。此情況，洗淨處理液93的液滴會從二流體噴嘴72來對基板2吐出。藉此，基板2會被後洗淨處理，且從電鍍膜除去缺陷。
又，亦可洗滌處理工程(S308)作為物理洗淨工程(S320)被實行。亦即，亦可使用在洗滌處理工程(S308)所使用的純水等的洗滌處理液，作為在物理洗淨工程(S320)所使用的洗淨液74。此情況，洗滌處理液的液滴會從二流體噴嘴72來對基板2吐出。藉此，基板2會被洗滌處理，且從電鍍膜除去缺陷。
(供給槽用脫氣手段的變形例)
並且，在本實施形態中顯示供給槽用脫氣手段34是藉由起泡來除去電鍍液35中的溶氧及溶氫的例子。但，並非限於此，用以除去液中的溶存氣體的各種手段可作為供給槽用脫氣手段34採用。例如，亦可使用一旦將電鍍液35形成低溫，藉此使電鍍液35中可溶存的氣體的量減少，藉此除去電鍍液35中的溶存氣體的手段。
(加熱機構的變形例)
並且，在本實施形態中顯示藉由第1加熱機構50的供給槽用循環加熱手段51在供給槽31附近將電鍍液35加熱至第1溫度的例子。但，在供給槽31附近將電鍍液35加熱至第1溫度的手段並非限於供給槽用循環加熱手段51，亦可使用各種的手段。例如，在供給槽31內設置將電鍍液35加熱至第1溫度的加熱器。
並且，在本實施形態中顯示在供給槽31附近電鍍液35被加熱至第1溫度的例子。但，並非限於此，亦可至第2加熱機構60附近為止電鍍液35被加熱至第1溫度。具體而言，如圖11所示般，供給槽用循環加熱手段51的供給槽用循環管52亦可在第2加熱機構60的附近連接至電鍍液供給管33。藉由如此把用以將電鍍液35加熱至第1溫度的循環流路配置於更靠第2加熱機構60附近，可防止至第2加熱機構60為止電鍍液35的溫度降低。藉此，可更確實地以小的能量迅速地將電鍍液35加熱至第2溫度。
另外，所謂「第2加熱機構60的附近」是意思例如從供給槽用循環管52到第2加熱機構60的距離w(參照圖11)為1m以下。
或，為了防止至第2加熱機構60為止電鍍液35的溫度降低，而如圖7中以一點虛線所示般，亦可設置用以將通過電鍍液供給管33的電鍍液35保持於第1溫度的供給管用加熱手段54。此供給管用加熱手段54亦可為被安裝於電鍍液供給管33，加熱至第1溫度的橡膠加熱器( Rubber Heater)。或，供給管用加熱手段54亦可為設成接於電鍍液供給管33，通過被加熱至第1溫度的溫水等的傳熱媒體之加熱用配管。
另外，使用通過被加熱至第1溫度的傳熱媒體的加熱用配管作為供給管用加熱手段54時，亦可利用第2加熱機構60的第1溫度媒體供給手段63作為供給第1溫度的傳熱媒體至供給管用加熱手段54的媒體供給手段。亦即，如在圖8中以一點虛線所示般，對於被配置於第2加熱機構60的附近的供給管用加熱手段54，亦可藉由第1溫度媒體供給手段63經供給管59來供給第1溫度的傳熱媒體。亦即，來自吐出噴嘴32的電鍍液35的吐出被停止後為了將溫度調節器62及溫度保持器65的溫度控制於第1溫度而設的第1溫度媒體供給手段63亦可被利用於為了在電鍍液35的吐出中對供給管用加熱手段54供給第1溫度的傳熱媒體。藉此，可防止至第2加熱機構60為止電鍍液35的溫度降低，且可更減少電鍍處理裝置20的構成要素。
另外，來自吐出噴嘴32的電鍍液35的吐出被停止後，第1溫度的傳熱媒體亦可藉由第1溫度媒體供給手段63來經供給管59供給至供給管用加熱手段54。藉此，來自吐出噴嘴32的電鍍液35的吐出被停止後，可將留在位於比第2加熱機構60更靠供給槽31側的電鍍液供給管33內的電鍍液35保持於第1溫度。此情況，即使為電鍍液35的吐出剛被再開始之後，到達第2加熱機構60的電鍍 液35也會被加熱至第1溫度。因此，即使為電鍍液35的吐出剛被再開始之後，亦可將電鍍液35藉由第2加熱機構60來容易地迅速加熱至第2溫度。藉此，可減少在到達第2溫度之前從吐出噴嘴32吐出之無謂浪費的電鍍液35的量。藉此，至可開始電鍍處理的時間可縮短，藉此可使製程的處理能力提升。
(物理洗淨機構的變形例)
並且，在本實施形態中顯示使用吐出洗淨液74的液滴之液滴吐出手段71作為物理洗淨機構70的例子。但，並非限於此，亦可使用藉由其他的方法來對基板2的表面施加物理力的手段。例如圖12所示般，亦可使用具有抵接於基板2的表面的刷毛部79a的洗淨刷子79或高壓噴嘴或超音波噴嘴，取代具有二流體噴嘴72的液滴吐出手段71，作為物理洗淨機構70。無論是哪個情況，皆與使用液滴吐出手段71的情況同樣，在電鍍液35等的液體介於電鍍膜與缺陷之間的期間，物理洗淨機構70對缺陷施加物理力。藉此，可容易從電鍍膜除去缺陷。
(其他的變形例)
並且，在本實施形態中顯示藉由電鍍處理裝置20，將含Ni的電鍍液35利用化學還原電鍍來實施於基板2的表面的例子。但，並非限於此，可藉由電鍍處理裝置20，將各種的電鍍液利用化學還原電鍍來實施於基板2的表面。 例如，可將含Co的電鍍液(CoWB、CoWP、CoB、CoP等的電鍍液)利用化學還原電鍍來實施於基板2的表面。在使用該等的電鍍液時亦可實施利用供給槽用脫氣手段34之溶氧及溶氫的除去、或利用第1加熱機構50及第2加熱機構60之電鍍液35的二階段加熱。此情況，第1溫度及第2溫度的具體的值是按照電鍍液的電鍍溫度來適當地設定。例如使用CoP的電鍍液作為電鍍液35時，該電鍍溫度是形成50~70度，然後第1溫度會被設定於40度~上述電鍍溫度的範圍內，第2溫度會被設定於上述電鍍溫度~90度的範圍內。
並且，在本實施形態中，在電鍍液供給機構30A也與電鍍液供給機構30的情況同樣設有第1加熱機構50及第2加熱機構60，而且，亦可對含Pd的電鍍液35A也實施利用第1加熱機構50及第2加熱機構60的二階段加熱。
並且，在本實施形態中顯示一個電鍍處理裝置20的電鍍處理為在基板2鍍Pd係藉由置換電鍍來實施，其次鍍Ni係藉由化學還原電鍍來實施的例子(參照圖9的S302~S309)。但，並非限於此，一個電鍍處理裝置20的電鍍處理亦可為只被實施化學還原電鍍。此情況，在圖9所示的各工程之中，除了S303及S304的工程會被實施。此時，化學還原電鍍用的電鍍液並無特別加以限制，可使用CoWB、CoWP、CoB、CoP及NiP等化學還原電鍍用的各種電鍍液。
第2實施形態
其次，參照圖13及圖14來說明有關本發明的第2實施形態。圖13及圖14所示的第2實施形態是僅更設有調整從電鍍液排出機構排出的電鍍液的成分，將被調整成分的電鍍液供給至電鍍液供給機構的供給槽之電鍍液回收機構的點不同，其他的構成則是與圖1~圖12所示的第1實施形態大致相同。在圖13及圖14所示的第2實施形態中，對於和圖1~圖12所示的第1實施形態相同的部分附上同樣的符號而省略詳細的說明。
在本實施形態中是藉由電鍍液排出機構120的回收流路122所回收之含Ni的處理後的電鍍液會被再利用。以下，參照圖13來說明有關用以再利用處理後的電鍍液的電鍍液回收機構80。
電鍍液回收機構
如圖13所示，電鍍液回收機構80是具有：回收槽88，其係儲存從電鍍液排出機構120排出之處理後的電鍍液85；及回收槽用脫氣手段84，其係被連接至回收槽88，除去回收槽88所儲存的電鍍液85中的溶氧及溶氫。
其中回收槽用脫氣手段84是與上述的供給槽用脫氣手段34同樣，包括將氮等的不活性氣體供給至回收槽88內的氣體供給管84a。亦即回收槽用脫氣手段84是用以藉由所謂的起泡來除去電鍍液85中的溶氧及溶氫者。回收 槽用脫氣手段84及氣體供給管84a的構成及作用效果是與供給槽用脫氣手段34及氣體供給管34a的構成及作用效果大致相同，因此省略詳細的說明。
又，電鍍液回收機構80亦可更具有：補充手段88a，其係追加從電鍍液排出機構120排出之處理後的電鍍液85所不足的成分；及攪拌手段81，其係攪拌回收槽88所儲存的電鍍液85。
其中補充手段88a是用以將含Ni離子的NiP金屬鹽、還原劑及添加劑等的藥液補充於電鍍液85，而適當地調整電鍍液85的成分者。另外，為了更正確地進行如此的成分調整，如在圖13中以一點虛線所示般，亦可在回收槽88設置監視電鍍液85的特性之監視器手段87b。監視器手段87b是例如由監視電鍍液85的pH的pH監視器等所構成。
攪拌手段81是例如圖13所示般在回收槽88附近使電鍍液85循環，藉此來攪拌電鍍液85者。如此的攪拌手段81是如圖13所示般具有：其一端82a及另一端82b會被連接至回收槽88的回收槽用循環管82、及被介插於回收槽用循環管82的泵86及過濾器89。藉由設置如此的攪拌手段81，可一邊攪拌電鍍液85，一邊除去電鍍液內所含的各種雜質。例如，可除去成為從電鍍液析出金屬離子時的核心的雜質(粒子)。另外，在攪拌手段81安裝有用以將電鍍液85供給至供給槽31的連接管83。
其次，說明有關由如此的構成所形成的本實施形態的作用。在此，參照圖14來說明有關將處理後的Ni電鍍液予以回收、再生的方法。另外，在圖14的流程圖所示的各工程中，對於和圖9及圖10所示的第1實施形態的流程圖的各工程相同的工程附上同樣的符號，而省略詳細的說明。
[回收工程]
為了對基板2實施鍍Ni處理而被使用後之處理後的電鍍液85會從基板2飛散而到達排出口124。到達排出口124之處理後的電鍍液85是經由液排出機構120的回收流路122來送至回收槽88(S321)。
[成分調整工程]
其次，利用上述的補充手段來追加處理後的電鍍液85所不足的成分(S322)。此時，利用攪拌手段81來攪拌電鍍液85，而使被追加的成分與處理後的電鍍液85能夠充分地被混合。
[脫氣工程]
然後，或者與成分調整工程(S322)同時，除去回收槽88內所儲存的電鍍液85中的溶氧及溶氫(S323)。具體而言，如圖13所示，經由氣體供給管84a來導入氮至回收槽88內。藉此，回收槽88內所儲存的電鍍液85中的溶 氧及溶氫會被置換成溶氮，此結果，電鍍液85中的溶氧及溶氫會被除去。
被除去溶氧及溶氫的電鍍液85是如圖13所示般經由連接管83來送至供給槽31。
使用包含回收再生的電鍍液之電鍍液來實施的鍍Ni處理方法的工程S313~S317是與圖10所示的第1實施形態的工程S313~S317大致相同，因此省略詳細的說明。
本實施形態的作用效果
若如此根據本實施形態，則處理後的電鍍液85會藉由電鍍液回收機構80再利用。因此，可更有效地活用電鍍液，此結果，可降低電鍍液所要的成本。並且，電鍍液回收機構80具有除去電鍍液85中的溶氧及溶氫的回收槽用脫氣手段84。因此，可降低電鍍液85中的溶氧的濃度，藉此可拉長電鍍液85的壽命。而且，可降低電鍍液85中的溶氫的濃度，藉此可防止電鍍液中的金屬離子藉由氫的還原作用而被還原。藉此，可防止被還原的金屬離子析出於銅配線的附近。
又，若根據本實施形態，則如圖13所示般，在供給槽31也設有供給槽用脫氣手段34。因此，可更降低電鍍液35中的溶氧及溶氫的濃度。藉此，可更拉長電鍍液35的壽命，且可更確實地防止電鍍液中的金屬離子藉由氫的還原作用而被還原。並且，拉長電鍍液35的壽命的效果是可藉由利用第1加熱機構50及第2加熱機構60來以二 階段加熱電鍍液35而更被促進(參照圖13)。
另外，在本實施形態中也是與上述的第1形態的情況同樣，亦可藉由使用物理洗淨機構70來除去析出於銅配線的附近的球狀的金屬(缺陷)。藉此，即使假設難以完全除去電鍍液35中的溶氫，在銅配線的附近發生缺陷時，還是可除去如此的缺陷。
另外，在本實施形態中顯示回收槽88內所儲存的電鍍液85的溶氧及溶氫會藉由回收槽用脫氣手段84來除去，且供給槽31內所儲存的電鍍液35的溶氧及溶氫會藉由供給槽用脫氣手段34來除去的例子。但，並非限於此，例如可藉由回收槽用脫氣手段84來充分地除去電鍍液的溶氧及溶氫時，亦可不設供給槽用脫氣手段34。
並且，在上述第1實施形態中說明的變形例亦可在本實施形態中被採用。例如，供給槽用循環加熱手段51的供給槽用循環管52亦可在第2加熱機構60的附近被連接至電鍍液供給管33。或，如在圖13中以一點虛線所示那樣，亦可設置用以將通過電鍍液供給管33的電鍍液35保持於第1溫度的供給管用加熱手段54。又，使用通過被加熱至第1溫度的傳熱媒體的加熱用配管作為供給管用加熱手段54時，亦可利用第2加熱機構60的第1溫度媒體供給手段63作為供給第1溫度的傳熱媒體至供給管用加熱手段54的媒體供給手段。
1‧‧‧電鍍處理系統
2‧‧‧基板
20‧‧‧電鍍處理裝置
30‧‧‧電鍍液供給機構
31‧‧‧供給槽
32‧‧‧吐出噴嘴
33‧‧‧電鍍液供給管
34‧‧‧供給槽用脫氣手段
34a‧‧‧氣體供給管
35‧‧‧電鍍液
40‧‧‧電鍍液回收機構
41‧‧‧回收槽
42‧‧‧回收槽用脫氣手段
43‧‧‧補充手段
44‧‧‧攪拌手段
50‧‧‧第1加熱機構
51‧‧‧供給槽用循環加熱手段
52‧‧‧供給槽用循環管
53‧‧‧供給槽用加熱器
54‧‧‧供給管用加熱手段
60‧‧‧第2加熱機構
61‧‧‧第2溫度媒體供給手段
62‧‧‧溫度調節器
63‧‧‧第1溫度媒體供給手段
64‧‧‧保溫器
65‧‧‧溫度保持器
70‧‧‧物理洗淨機構
71‧‧‧液滴吐出手段
72‧‧‧二流體噴嘴
74‧‧‧洗淨液
74a‧‧‧供給管
75‧‧‧液滴生成用氣體
75a‧‧‧供給管
79a‧‧‧刷毛部
80‧‧‧電鍍液回收機構
81‧‧‧攪拌手段
82‧‧‧回收槽用循環管
84‧‧‧回收槽用脫氣手段
85‧‧‧處理後的電鍍液
88‧‧‧回收槽
88a‧‧‧補充手段
90‧‧‧洗淨處理液供給機構
95‧‧‧洗滌處理液供給機構
110‧‧‧基板旋轉保持機構
161‧‧‧記憶媒體
圖1是表示本發明的第1實施形態的電鍍處理系統的概略構成的平面圖。
圖2是表示本發明的第1實施形態的電鍍處理裝置的側面圖。
圖3是圖2所示的電鍍處理裝置的平面圖。
圖4是表示本發明的第1實施形態的電鍍液供給機構的圖。
圖5是表示本發明的第1實施形態的電鍍液供給機構的圖。
圖6是表示本發明的第1實施形態的液滴吐出手段的二流體噴嘴的圖。
圖7是表示本發明的第1實施形態的第1加熱機構的圖。
圖8是表示本發明的第1實施形態的第2加熱機構的圖。
圖9是表示電鍍處理方法的流程圖。
圖10是詳細表示圖9的鍍Ni工程的流程圖。
圖11是表示第1加熱機構的變形例圖。
圖12是表示物理洗淨機構的變形例圖。
圖13是表示本發明的第2實施形態的電鍍液回收機構的圖。
圖14是詳細表示本發明的第2實施形態的鍍Ni工程的流程圖。
30A‧‧‧電鍍液供給機構
31‧‧‧供給槽
32‧‧‧吐出噴嘴
33‧‧‧電鍍液供給管
34‧‧‧供給槽用脫氣手段
35A‧‧‧電鍍液
37b‧‧‧閥
50‧‧‧第1加熱機構
56‧‧‧泵
60‧‧‧第2加熱機構
90A‧‧‧洗淨處理液供給機構
91‧‧‧槽
92‧‧‧噴嘴
93A‧‧‧洗淨處理液
94‧‧‧供給管
95A‧‧‧洗滌處理液供給機構
96‧‧‧泵
97a，97b‧‧‧閥
109‧‧‧噴嘴頭

Claims (13)

  1. 一種電鍍處理裝置，係對基板供給電鍍液來進行電鍍處理的電鍍處理裝置，其特徵為具備：基板收容部，其係收容前述基板；電鍍液供給機構，其係對前述基板收容部所收容的前述基板供給預定溫度的電鍍液；及電鍍液排出機構，其係從前述基板收容部排出自前述基板飛散的電鍍液，前述電鍍液供給機構係具有：供給槽，其係儲存被供給至前述基板的電鍍液；吐出噴嘴，其係對前述基板吐出電鍍液；及電鍍液供給管，其係將前述供給槽的電鍍液供給至前述吐出噴嘴，在前述電鍍液供給機構的前述供給槽或前述電鍍液供給管的至少其中任一方安裝有將電鍍液加熱至比前述預定溫度更低溫的第1溫度之第1加熱機構，在比前述第1加熱機構更靠前述吐出噴嘴側，在前述電鍍液供給管安裝有將電鍍液加熱至與前述預定溫度相等或比前述預定溫度更高溫的第2溫度之第2加熱機構，前述第2加熱機構係具有：第2溫度媒體供給手段，其係將預定的傳熱媒體加熱至第2溫度；溫度調節器，其係於比前述第1加熱機構更靠前述吐出噴嘴側，被安裝於前述電鍍液供給管，利用來自前述第 2溫度媒體供給手段的前述傳熱媒體的熱來將電鍍液加熱至第2溫度；及將前述傳熱媒體加熱至第1溫度的第1溫度媒體供給手段，前述第2加熱機構係於來自前述吐出噴嘴的電鍍液的吐出被停止後，將來自前述第1溫度媒體供給手段的前述傳熱媒體送至前述溫度調節器。
  2. 如申請專利範圍第1項之電鍍處理裝置，其中，被供給至前述基板的電鍍液的前述預定溫度為與在電鍍液內的自我反應所發展的電鍍溫度相等的溫度，或比前述電鍍溫度更高溫的溫度。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電鍍處理裝置，其中，前述第1加熱機構係具有將前述供給槽內的電鍍液加熱至第1溫度的供給槽用循環加熱手段，前述供給槽用循環加熱手段係包括：使前述供給槽內的電鍍液循環的供給槽用循環管、及被安裝於前述供給槽用循環管，將電鍍液加熱至第1溫度的供給槽用加熱器。
  4. 如申請專利範圍第3項之電鍍處理裝置，其中，前述供給槽用循環加熱手段的前述供給槽用循環管係於前述第2加熱機構的附近被連接至前述電鍍液供給管。
  5. 如申請專利範圍第1項之電鍍處理裝置，其中，前述第1加熱機構係具有供給管用加熱手段，其係以沿著前述電鍍液供給管來到前述第2加熱機構的附近之方式安裝於前述電鍍液供給管，將電鍍液加熱至第1溫度。
  6. 如申請專利範圍第1項之電鍍處理裝置，其中，前述第1加熱機構係具有供給管用加熱手段，其係以沿著前述電鍍液供給管來到前述第2加熱機構的附近之方式安裝於前述電鍍液供給管，將電鍍液加熱至第1溫度，前述供給管用加熱手段係由被安裝於前述電鍍液供給管的周圍之加熱用配管所構成，前述第2加熱機構係於來自前述吐出噴嘴的電鍍液的吐出被停止後，將來自前述第1溫度媒體供給手段的前述傳熱媒體送至前述第1加熱機構的前述供給管用加熱手段的前述加熱用配管。
  7. 如申請專利範圍第1項之電鍍處理裝置，其中，更具備藉由對前述基板施加物理力來洗淨前述基板的物理洗淨機構，前述物理洗淨機構係於電鍍液被供給至前述基板之後，且比前述基板被乾燥更之前，對前述基板施加物理力來洗淨前述基板。
  8. 一種電鍍處理方法，係對基板供給電鍍液來進行無電解電鍍處理的電鍍處理方法，其特徵為具備：將前述基板配置於基板收容部的步驟；及經由吐出噴嘴來以預定溫度將供給槽內的電鍍液供給至前述基板的步驟，當供給槽內的電鍍液經由前述吐出噴嘴來以前述預定溫度供給至前述基板時，電鍍液係首先藉由第1加熱機構來加熱至比前述預定溫度更低溫的第1溫度，其次藉由比 前述第1加熱機構更配置於前述吐出噴嘴側的第2加熱機構來加熱至與前述預定溫度相等或比前述預定溫度更高溫的第2溫度，然後經由前述吐出噴嘴來供給至前述基板，來自前述吐出噴嘴的電鍍液的吐出被停止後，藉由前述第2加熱機構來被加熱至前述第2溫度的電鍍液係被冷卻至前述第1溫度。
  9. 如申請專利範圍第8項之電鍍處理方法，其中，被供給至前述基板的電鍍液的前述預定溫度為與在電鍍液內的自我反應所發展的電鍍溫度相等的溫度，或比前述電鍍溫度更高溫的溫度。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之電鍍處理方法，其中，被供給至前述基板的電鍍液係於使前述供給槽內的電鍍液循環的供給槽用循環管中被加熱至第1溫度。
  11. 如申請專利範圍第8項之電鍍處理方法，其中，更具備對前述基板施加物理力來洗淨前述基板的步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之電鍍處理方法，其中，更具備乾燥前述基板的步驟，對前述基板施加物理力來洗淨前述基板的步驟係於對前述基板供給電鍍液之後，且比乾燥前述基板更之前被實行。
  13. 一種記錄媒體，係儲存使電鍍處理方法實行於電鍍處理裝置的電腦程式之記錄媒體，其特徵為：前述電鍍處理方法係對基板供給電鍍液來進行無電解電鍍處理的方法，具備： 將前述基板配置於基板收容部的步驟；及經由吐出噴嘴來以預定溫度將供給槽內的電鍍液供給至前述基板的步驟，當供給槽內的電鍍液經由前述吐出噴嘴來以前述預定溫度供給至前述基板時，電鍍液係首先藉由第1加熱機構來加熱至比前述預定溫度更低溫的第1溫度，其次藉由比前述第1加熱機構更配置於前述吐出噴嘴側的第2加熱機構來加熱至與前述預定溫度相等或比前述預定溫度更高溫的第2溫度，然後經由前述吐出噴嘴來供給至前述基板，來自前述吐出噴嘴的電鍍液的吐出被停止後，藉由前述第2加熱機構來被加熱至前述第2溫度的電鍍液係被冷卻至前述第1溫度。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013004614A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Toshiba Corp 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
US11131931B2 (en) * 2018-06-29 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fluidic leakage handling for semiconductor apparatus
KR102489739B1 (ko) * 2019-09-26 2023-01-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법
JP7321052B2 (ja) * 2019-10-17 2023-08-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および装置洗浄方法
CN112708910B (zh) * 2019-10-25 2021-11-23 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 电化学电镀方法
CN117822083B (zh) * 2024-03-06 2024-05-07 苏州尊恒半导体科技有限公司 一种晶圆电镀液循环温控系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000144438A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Ebara Corp 無電解銅めっき装置
JP2001073157A (ja) * 1999-09-08 2001-03-21 Sony Corp 無電解めっき方法及びその装置
TW497143B (en) * 1999-07-08 2002-08-01 Ebara Corp Plating device, plating method and equipment for plating process
JP2007270224A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Ebara Corp 無電解めっき方法及び装置
JP2011001633A (ja) * 2010-08-09 2011-01-06 Tokyo Electron Ltd 半導体製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1245778B (it) * 1991-04-05 1994-10-18 Sgs Thomson Microelectronics Apparecchio di riscaldamento per vaschette chimiche
JPH08277486A (ja) * 1995-04-04 1996-10-22 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームのめっき装置
US5938845A (en) * 1995-10-20 1999-08-17 Aiwa Co., Ltd. Uniform heat distribution apparatus and method for electroless nickel plating in fabrication of thin film head gaps
EP0811083B1 (en) * 1995-12-19 2000-05-31 FSI International Electroless deposition of metal films with spray processor
JP2007051346A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Ebara Corp 無電解めっき装置及びめっき液
JP4977912B2 (ja) * 2007-02-16 2012-07-18 株式会社Ｋｅｌｋ 流体温調装置
JP4547016B2 (ja) * 2008-04-04 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法
KR101229694B1 (ko) * 2008-06-02 2013-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유체 가열기 및 그 제조 방법과, 유체 가열기를 구비한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4571208B2 (ja) * 2008-07-18 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000144438A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Ebara Corp 無電解銅めっき装置
TW497143B (en) * 1999-07-08 2002-08-01 Ebara Corp Plating device, plating method and equipment for plating process
JP2001073157A (ja) * 1999-09-08 2001-03-21 Sony Corp 無電解めっき方法及びその装置
JP2007270224A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Ebara Corp 無電解めっき方法及び装置
JP2011001633A (ja) * 2010-08-09 2011-01-06 Tokyo Electron Ltd 半導体製造方法

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