TWI652736B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI652736B
TWI652736B TW105108988A TW105108988A TWI652736B TW I652736 B TWI652736 B TW I652736B TW 105108988 A TW105108988 A TW 105108988A TW 105108988 A TW105108988 A TW 105108988A TW I652736 B TWI652736 B TW I652736B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal
removal filter
processing apparatus
metal removal
treatment liquid
Prior art date
Application number
TW105108988A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201705288A (zh
Inventor
岩崎晃久
樋口鮎美
Original Assignee
日商思可林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商思可林集團股份有限公司 filed Critical 日商思可林集團股份有限公司
Publication of TW201705288A publication Critical patent/TW201705288A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI652736B publication Critical patent/TWI652736B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

基板處理裝置(1)係具備有處理部(11)、供給槽(12)以及回收槽(13)。在供給槽(12)中，處理液(91)係於第一循環路徑(211)循環，並被調整溫度。在處理部中，藉由來自第一循環路徑的處理液對基板(9)進行蝕刻處理。使用完畢的處理液係被導引至回收槽，並於第二循環路徑(223)循環。於第二循環路徑設置有加熱器(224)、金屬去除過濾器(231)以及金屬濃度計(233)。藉由金屬去除過濾器去除處理液所含有的金屬離子。藉由金屬濃度計測量處理液中的金屬離子的濃度，並從回收槽朝供給槽補充適當的處理液(91)。藉此，提升蝕刻處理中的處理液的使用效率。

Description

基板處理裝置
本發明係有關於一種對基板進行蝕刻處理的技術。
以往，在半導體基板或玻璃基板等各種用途的基板處理中，能使用將處理液供給至基板之處理。為了於基板上形成細緻的電路圖案，於用以將處理液供給至基板之流動路徑設置有用以去除微粒(particle)之過濾器。微粒去除過濾器係被定期性地交換或再生。
例如在利用於半導體元件製造製程的日本特開平6-77207號公報的藥液循環過濾系統中，藉由壓力計及流量計偵測設置於循環路徑的過濾器的阻塞。對過濾器充填溶劑，藉此去除阻塞的原因物質，使過濾器再生。在日本特開平6-310487號公報中，揭示有一種利用磷酸之批量(batch)式的濕蝕刻(wet etching)裝置。在濕蝕刻裝置中，從藥液槽對處理液循環管線的過濾器供給屬於藥液的氟酸與純水，溶解並去除附著於過濾器的微粒。
然而，近年來隨著電路圖案的細微化，使用高價物作為蝕刻液。例如利用對於鈦、鎢、該等的氮化物等具有選擇性的蝕刻液。使用後的蝕刻液係被回收並直接再次使用於蝕刻，但是為了確保電路圖案的品質，蝕刻液係於每次基板處理時廢棄。
然而，使用於最尖端處理的蝕刻液非常地昂貴，為了降低基板的製造成本，謀求蝕刻液的使用效率的提升。亦即，謀求以直至蝕刻液被廢棄為止能處理複數個基板之方式予以再利用。
本發明的目的係在蝕刻處理中提升處理液的使用效率。
本發明較佳的實施形態之一的基板處理裝置係具備有：處理部，係對基板供給處理液並進行蝕刻處理；供給槽，係儲留處理液；第一流動路徑系統，係在前述供給槽與前述處理部之間流動使用前的處理液；第二流動路徑系統，係在前述處理部與前述供給槽之間流動使用後的處理液；金屬濃度計，係設置於前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統，用以取得處理液中的金屬離子濃度；以及金屬去除過濾器，係設置於前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統，用以去除處理液中的金屬離子。
依據本發明，能在蝕刻處理中一邊延長一邊管理處理液的使用期限(lifetime)。結果，能提升處理液的使用效率。
在本發明的實施形態之一中，前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統係包含有：循環路徑；以及加熱器，係在前述循環路徑調整處理液的溫度。前述金屬去除過濾器係設置於前述循環路徑上，前述金屬濃度計係取得前述循環路徑中的處理液中的金屬離子濃度。
較佳為，前述第二流動路徑系統係包含有：回收槽；回收路徑，係從前述處理部將處理液導引至前述回收槽；補充路徑，係從前述回收槽將處理液導引至前述供給槽；以及前述循環路徑。處理液係從前述回收槽經由前述循環路徑返回至前述回收槽，藉此予以循環。
較佳為，基板處理裝置係進一步具備有：補充控制部，係依據前述金屬濃度計所取得的金屬離子濃度，控制從前述回收槽朝前述供給槽之處理液的補充。
較佳為，前述第一流動路徑系統係包含有：其他的循環路徑；以及其他的加熱器，係在前述其他的循環路徑調整處理液的溫度。處理液係從前述供給槽經由前述其他的循環路徑返回至前述供給槽，藉此予以循環。前述循環路 徑中的每單位時間的處理液的流量係比前述其他的循環路徑中的前述每單位時間的處理液的流量還少。
較佳為，前述加熱器相關之處理液的設定溫度係比前述其他的加熱器相關之處理液的設定溫度還低。
較佳為，前述循環路徑係包含有：主循環路徑；以及旁路(bypass)流動路徑，係每單位時間的流量比前述主循環路徑還少。前述金屬濃度計係設置於前述旁路流動路徑上。
較佳為，基板處理裝置係於前述旁路流動路徑上進一步具備有：冷卻部，係使流入至前述金屬濃度計的處理液的溫度降低。
較佳為，前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統係進一步包含有：並排流動路徑，係與前述金屬去除過濾器並排地連接。前述基板處理裝置係進一步具備有：切換部，係切換朝向前述金屬去除過濾器之處理液的導入以及朝向前述並排流動路徑之處理液的導入。
較佳為，基板處理裝置係進一步具備有：氣泡去除部，係去除流入至前述金屬濃度計之前的處理液所含有的氣泡。
較佳為，基板處理裝置係進一步具備有：酸系藥液供給路徑，係對前述金屬去除過濾器供給酸系藥液，並從前述金屬去除過濾器去除金屬離子。
較佳為，基板處理裝置係進一步具備有：其他的金屬去除過濾器，係並排連接至前述金屬去除過濾器；以及切換部，係切換朝向前述金屬去除過濾器之處理液的導入以及朝向前述其他的金屬去除過濾器之處理液的導入。
較佳為，基板處理裝置係進一步具備有：切換控制部，係依據前述金屬濃度計所取得的金屬離子濃度，控制前述切換部。
較佳為，基板處理裝置係進一步具備有：酸系藥液供給路徑，係對前述金屬去除過濾器及前述其他的金屬去除過濾器個別地供給酸系藥液，從前述金屬去除過濾器及前述其他的金屬去除過濾器去除金屬離子。
較佳為，前述金屬濃度計係包含有分光計、折射率計以及導電度計中的至少一者。
較佳為，前述金屬去除過濾器係包含有含有螯合取代基(chelate substituent)或者離子交換基或者螯合取代基與離子交換基兩者的材料。
較佳為，基板處理裝置係進一步具備有：微粒去除過濾器，係配置於前述金屬去除過濾器的下游側。
本發明亦可適用於基板處理方法。
上述目的及其他目的、特徵、態樣以及優點係可參照隨附的圖式且藉由以下所進行的本發明的詳細說明而更明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
11‧‧‧處理部
12‧‧‧供給槽
13‧‧‧回收槽
21‧‧‧第一流動路徑系統
22‧‧‧第二流動路徑系統
24‧‧‧酸系藥液供給部
91‧‧‧處理液
92‧‧‧酸系藥液
111‧‧‧旋轉部
112‧‧‧供給部
113‧‧‧液體承接部
211‧‧‧第一循環路徑
212‧‧‧供給路徑
213、224‧‧‧加熱器
214、225、244‧‧‧泵
215、232‧‧‧微粒去除過濾器
216、245‧‧‧閥
221‧‧‧回收路徑
222‧‧‧補充路徑
223‧‧‧第二循環路徑
231‧‧‧金屬去除過濾器(第一金屬過濾器、第二金屬過濾器)
233‧‧‧金屬濃度計
234、237‧‧‧切換閥(切換部)
235‧‧‧補充控制部
236‧‧‧切換控制部
238‧‧‧並排流動路徑
241‧‧‧藥液槽
242‧‧‧酸系藥液供給路徑
243‧‧‧酸系藥液排出路徑
251‧‧‧旁路流動路徑
252‧‧‧主循環路徑
253‧‧‧氣泡去除部
254‧‧‧冷卻部
S11至S15、S21至S26‧‧‧步驟
圖1係顯示基板處理裝置的概略構成圖。
圖2係顯示基板處理裝置的基本動作的流程圖。
圖3係顯示處理液的循環及溫度調整的流程圖。
圖4係顯示金屬濃度的變化的概略圖。
圖5係顯示包含有金屬去除過濾器的部位的其他的例子之圖。
圖6係顯示金屬濃度的變化的概略圖。
圖7係顯示包含有金屬去除過濾器的部位的又一例子之圖。
圖8係顯示包含有金屬去除過濾器的部位的又一例子之圖。
圖9係顯示金屬濃度的變化的概略圖。
圖10係顯示包含有金屬去除過濾器的部位的又一例 子之圖。
圖1係顯示本發明實施形態之一的基板處理裝置1的構略構成圖。基板處理裝置1係對基板9供給屬於處理液的蝕刻液，並進行基板9的表面的蝕刻處理。基板處理裝置1係具備有：處理部11；供給槽12，係儲留處理液91；以及回收槽13，係儲留使用後的處理液91。使用後的處理液91係從回收槽13返回至供給槽12。
在以下的說明中，將在供給槽12與處理部11之間流動使用前的處理液91之流動路徑系統稱為「第一流動路徑系統21」。將在處理部11與供給槽12之間流動使用後的處理液91之流動路徑系統稱為「第二流動路徑系統22」。回收槽13係包含於第二流動路徑系統22。
處理部11係包含有：旋轉部111，係以水平姿勢旋轉基板9；供給部112，係對基板9的上表面供給處理液91；以及液體承接部113，係承接從基板9飛散的處理液91。包含有被液體承接部113承接的高濃度的金屬離子之處理液91係被導引至回收槽13。於使用後的處理液91包含有例如ppm等級的金屬離子。亦可採用其他的構造作為處理部11的構造。雖然在本實施形態中處理部11為葉片式，但亦可為批量式。亦可使用各種蝕刻液作為處理液91。本 實施形態係適用於使用昂貴的蝕刻液的情形，例如適用於使用相對於鈦、鋁、鎢、其他金屬、該等的氧化物或氮化物等具有優異的蝕刻選擇性的蝕刻液的情形，尤其是適用於使用BEOL(Back End Of Line；後段製程)用的蝕刻液等的情形。
第一流動路徑系統21係包含有第一循環路徑211以及供給路徑212。於第一循環路徑211上設置有加熱器213、泵(pump)214以及微粒去除過濾器215。藉由泵214，處理液91係一邊經由供給槽12一邊於第一循環路徑211循環。亦即，處理液91係從供給槽12經由第一循環路徑211返回至供給槽12，藉此予以循環。微粒去除過濾器215係去除處理液91所含有的微粒。
藉由加熱器213，存在於第一循環路徑211及供給槽12內的處理液91的溫度係保持一定。正確來說，加熱器213、未圖示的溫度計以及溫度控制部係作為溫度調整部而發揮作用，溫度控制部係依據溫度計所取得的處理液91的溫度控制加熱器213，藉此第一循環路徑211的處理液91的溫度係調整成一定。
於供給路徑212設置有閥216。第一循環路徑211係延伸達至處理部11的附近，當閥216開啟時，從處理部11的供給部112對基板9上供給經過溫度調整的處理液91。
第二流動路徑系統22係包含有：回收路徑221，係從處理部11將處理液91導引至回收槽13；補充路徑222，係從回收槽13將處理液91導引至供給槽12；以及第二循環路徑223。在本實施形態中，從第二循環路徑223分歧有補充路徑222。補充路徑222亦可從回收槽13直接地將處理液91導引至供給槽12。此外，第二循環路徑223的一部分亦可用來兼作補充路徑222。
於第二循環路徑223上設置有加熱器224、泵225、金屬去除過濾器231、微粒去除過濾器232、金屬濃度計233以及切換閥234。藉由泵225，處理液91係一邊經由回收槽13一邊於第二循環路徑223循環。亦即，處理液91係從回收槽13經由第二循環路徑223返回至回收槽13，藉此予以循環。
藉由加熱器224，存在於第二循環路徑223及回收槽13內的處理液91的溫度係保持一定。正確來說，加熱器224、未圖示的溫度計以及溫度控制部係作為溫度調整部而發揮作用，溫度控制部係依據溫度計所取得的處理液91的溫度控制加熱器224，藉此第二循環路徑223內的處理液91的溫度係調整成一定。
金屬去除過濾器231係去除處理液91中的金屬離子， 亦即去除處理液91中的所謂的溶存金屬。被去除的金屬離子主要為在蝕刻處理中從基板9的表面溶解至處理液91中的金屬的離子。此外，亦可於金屬含有大致具有金屬的性質的砷。金屬去除過濾器231係包含有含有螯合取代基或者離子交換基或者螯合取代基與離子交換基兩者的材料。具體而言，螯合樹脂、離子交換樹脂、或者組合有複數種類樹脂的樹脂係利用於金屬去除過濾器231。
金屬濃度計233係取得第二循環路徑223中的處理液91中的金屬離子的濃度。以下，將金屬離子的濃度稱為「金屬濃度」。具體而言，金屬濃度計233係包含有分光計、折射率計以及導電度計中的至少一者。較佳為，金屬濃度計233係包含有分光計。此外，金屬濃度計233亦可設置於第二循環路徑223外，並間接地取得第二循環路徑223中的處理液91中的金屬離子的濃度。例如，金屬濃度計233亦可設置於回收槽13內。
接著，參照圖2說明基板處理裝置1的基本動作。首先，基板9係藉由搬運機器人搬入至處理部11內，並載置於旋轉部111上(步驟S11)。基板9係被旋轉部111保持並旋轉。經由供給路徑212從供給槽12對處理部11供給處理液91，並從位於基板9的上方的噴嘴朝基板9的上表面供給處理液91(步驟S12)。藉此，對基板9的上表面進行蝕刻處理(步驟S13)。處理液91係從基板9飛散並被液體 承接部113承接，經由回收路徑221回收至回收槽13(步驟S14)。步驟S12至步驟S14亦可大致並行進行。
因應需要，對基板9進行洗淨等其他的處理，並停止基板9的旋轉。此外，亦可在蝕刻處理前進行其他的處理。處理完畢的基板9係藉由搬運機器人從處理部11搬出(步驟S15)。
實際上，於第一循環路徑211連接有複數個處理部11，藉由開啟對應的閥216，進行朝向各個處理部11的處理液91的供給。複數個處理部11係連接至一個回收槽13，來自複數個處理部11之使用完畢的處理液91係回收至回收槽13。
圖3係顯示第二循環路徑223中的處理液91的循環及溫度調整的流程圖。圖3的處理係與處理液91的循環並行進行。雖然圖3中未顯示，但如上述般，於使處理液91循環的步驟中，並行進行在第二循環路徑223中調整處理液91的溫度之步驟以及去除於第二循環路徑223流動的處理液91中的金屬離子之步驟。
金屬濃度計233係反復測量第二循環路徑223內的處理液91的金屬濃度(步驟S21)，未圖示的溫度計亦反復測量第二循環路徑223內的處理液91的溫度(步驟S22)。所 取得的金屬濃度及溫度係輸入至圖1所示的補充控制部235。從處理部11回收處理液91後，會有回收槽13內的處理液91的溫度較低且金屬濃度較高的情形。然而，在金屬去除過濾器231的去除能力未降低的期間，金屬濃度不會超過預先設定的過濾器臨限值(步驟S25)。
藉由補充控制部235，在切換閥234中，第二循環路徑223側的閥開啟，補充路徑222側的閥關閉，處理液91係於第二循環路徑223循環。最後，處理液91的溫度藉由加熱器224到達預定的目標溫度，且處理液91的金屬濃度係藉由金屬去除過濾器231而降低。
在處理液91的金屬濃度比預先設定的補充臨限值還低且溫度適當的情形中，藉由補充控制部235確認是否需要從回收槽13朝供給槽12補充處理液91(步驟S23)。具體而言，於供給槽12及回收槽13設置有測量液面的位置之位準感測器(level sensor)。在供給槽12內的處理液91的量低於補充開始量且回收槽13內的處理液91的量高於可補充量的情形中，進行補充(步驟S24)。當補充控制部235判斷需要補充且可補充時，關閉切換閥234的第二循環路徑223側的閥，並開啟補充路徑222側的閥。藉此，藉由泵225，處理液91係從回收槽13被導引至供給槽12。補充至供給槽12之處理液91的量係例如為預先設定。
如上所述，藉由補充控制部235，至少依據金屬濃度計233所取得的金屬離子濃度，控制從回收槽13朝向供給槽12之處理液的補充。藉此，適當的金屬濃度的處理液91係自動地從回收槽13補充至供給槽12。再者，由於亦依據處理液91的溫度控制從回收槽13朝向供給槽12之處理液的補充，因此亦防止供給槽12內的處理液91的溫度急遽地降低。
此外，在第二循環路徑223中，微粒去除過濾器232係配置於金屬去除過濾器231的下游側。藉此，由於即使在金屬去除過濾器231中產生微粒亦會被後面的微粒去除過濾器232去除，因此防止微粒從第二流動路徑系統22擴散至第一流動路徑系統21。
在金屬去除過濾器231中，為了效率佳地捕捉金屬離子，較佳為處理液91係低速流動。另一方面，由於第一循環路徑211係連接至供給路徑212，因此在第一循環路徑211中要求某種程度的每單位時間的流量。因此，假設在將金屬去除過濾器設置於第一循環路徑211的情形中，會有難以效率佳地去除金屬離子之虞。相對於此，在基板處理裝置1中，由於金屬去除過濾器231設置於第二循環路徑223，因此能將第二循環路徑223中的每單位時間的處理液的流量設定成比第一循環路徑211中的每單位時間的處理液的流量還少，因此能效率佳地去除金屬離子。亦即， 與將金屬去除過濾器設置於第一循環路徑211的情形相比，藉由將金屬去除過濾器231設置於第二循環路徑223，能容易地降低金屬去除過濾器231中的處理液91的流速。
此外，由於第一循環路徑211位於供給路徑212的前方，因此需要正確地調整第一循環路徑211中的處理液91的溫度，但是在第二循環路徑223中無須像在第一循環路徑211般正確地調整處理液91的溫度。在處理液91的溫度為高溫的情形中，會有處理液91的溫度對金屬濃度計233的測量造成影響之虞。因此，在基板處理裝置1中，第二循環路徑223的加熱器224相關的處理液91的設定溫度係比第一循環路徑211的加熱器213相關的處理液91的設定溫度還低。所謂處理液的設定溫度為在包含有加熱器、溫度計、溫度控制部等之溫度調整部中所設定的目標溫度。
金屬去除過濾器231係在長時間使用後會降低去除金屬離子的能力。結果，在步驟S21中所測量的金屬濃度會緩緩地上升。當金屬濃度超過過濾器臨限值時(步驟S25)，對操作者通知用以交換金屬去除過濾器231之指示(步驟S26)。操作者係停止基板處理裝置1的動作，並從回收槽13排出裝置內的處理液91。操作者係以新的純水洗淨流動路徑，並將金屬去除過濾器231更換成新品。之後，將新的處理液91填充至供給槽12，開始處理液91的循環及溫 度調整。
圖4係顯示屬於金屬離子的濃度之金屬濃度的上述變化的概略圖。在金屬去除過濾器231具有去除能力的期間，金屬濃度計233所測量的金屬濃度較低。實際上，使用完畢的處理液91每次從處理部11流入至回收槽13時，金屬濃度係某程度變動。當在時刻T11中金屬去除過濾器231飽和且金屬離子的去除能力降低時，金屬濃度係緩緩地增加。在時刻T12中，當金屬濃度超過過濾器臨限值時，通知操作者更換過濾器。
在基板處理裝置1中，設置金屬去除過濾器231並設置金屬濃度計233，藉此能一邊延長一邊管理處理液91的使用期限。結果，能防止蝕刻選擇比等藥液特性的惡化的影響，並提升處理液91的使用效率。換言之，能毫無浪費地再生並使用昂貴的處理液91，而能降低基板9的製造成本。
圖5係顯示基板處理裝置1中包含有金屬去除過濾器231的部位的其他例子的圖。在圖5中，設置有兩個金屬去除過濾器231。於金屬去除過濾器231與泵225之間設置有切換閥237。切換閥237係被切換控制部236控制，並於切換控制部236輸入有來自金屬濃度計233的金屬濃度。針對基板處理裝置1的其他構造，與圖1同樣的部分係附 上同樣的元件符號。以下，在區別圖5所示的兩個金屬去除過濾器231的情形中，將一者的金屬去除過濾器231稱為「第一金屬去除過濾器231」，將另一者的金屬去除過濾器231稱為「第二金屬去除過濾器231」。第一金屬去除過濾器231與第二金屬去除過濾器231係並排地連接。切換閥237係作為切換部而發揮作用，用以切換朝向第一金屬去除過濾器231之處理液91的導入以及朝向第二金屬去除過濾器231之處理液91的導入。
圖6係顯示採用圖5的構成時來自金屬濃度計233的輸出的概略圖。首先，藉由切換閥237，處理液91係通過第一金屬去除過濾器231，且處理液91未被導引至第二金屬去除過濾器231。藉此，與圖4的情形同樣地，在第一金屬去除過濾器231發揮去除能力的期間，金屬濃度維持很低。當第一金屬去除過濾器231的金屬離子的去除能力以時刻T21為基點降低時，金屬濃度係緩緩地增加。
當在時刻T22中金屬濃度超過過濾器臨限值時，切換控制部236係控制切換閥237，成為處理液91通過第二金屬去除過濾器231且處理液91未被導引至第一金屬去除過濾器231的狀態。藉此，金屬濃度係緩緩地降低。當第二金屬去除過濾器231在時刻T23中飽和並降低金屬離子的去除能力時，金屬濃度係緩緩地增加。當金屬濃度在時刻T24中超過過濾器臨限值時，通知操作者交換過濾器。
藉由依序使用兩個金屬去除過濾器231，能延長基板處理裝置1的連續作動時間。此外，藉由用以依據金屬濃度計233所取得的金屬濃度控制切換閥237之切換控制部236，能自動地進行所使用的過濾器的切換。
圖7係顯示基板處理裝置1中包含有金屬去除過濾器231的部位的其他例子之圖。在圖7中，於第二循環路徑223設置有並排地連接至圖5的兩個金屬去除過濾器231之並排流動路徑238。切換閥237係被切換控制部236控制。針對基板處理裝置1的其他構造，與圖5同樣的構成係附上同樣的元件符號。切換閥237係作為切換部而發揮作用，用以切換朝向第一金屬去除過濾器231之處理液91的導入、朝向第二金屬去除過濾器231之處理液91的導入以及朝向並排流動路徑238之處理液91的導入。
藉由切換控制部236的控制，在回收槽13內的處理液91的金屬濃度較低的情形或者進行處理液91的金屬濃度不太上升的處理的情形中，處理液91流動至並排流動路徑238，且處理液91未流動至任一個金屬去除過濾器231。藉此，防止處理液91過度地通過金屬去除過濾器231。結果，可延長金屬去除過濾器231的壽命。
除了設置有並排流動路徑238之外，切換控制部236 所進行的使用過濾器的切換動作係與圖5同樣。並排流動路徑238亦可設置於圖1所示般設置有一個金屬過濾器231的情形。
圖8係顯示於圖7中進一步追加酸系藥液供給部24的例子的圖。酸系藥液供給部24係具備有藥液槽241、酸系藥液供給路徑242、酸系藥液排出路徑243、泵244以及兩個閥245。藥液槽241係儲留酸系藥液92。泵244係設置於酸系藥液供給部24上。酸系藥液供給路徑242係在途中分歧成兩條，並連通藥液槽241與兩個金屬去除過濾器231。兩個閥245係在酸系藥液供給路徑242上分別設置於兩個金屬去除過濾器231與泵244之間。藉此，酸系藥液供給部24係可經由酸系藥液供給路徑242個別地將酸系藥液92供給至兩個金屬去除過濾器231各者。酸系藥液排出路徑243將酸系藥液92從各個金屬去除過濾器231排出至外部。
以酸系藥液92而言，例如利用鹽酸、硫酸、氟酸、磷酸、硝酸中的任一者。藉由對金屬去除過濾器231供給酸系藥液92，從金屬去除過濾器231去除金屬離子。藉此，金屬去除過濾器231係再生，從而實現進一步延長金屬去除過濾器231的壽命。
酸系藥液供給部24亦可設置於圖1所示般設置有一個 金屬去除過濾器231的情形，但亦可應用於圖8所示般設置有兩個以上的金屬去除過濾器231的情形。
圖9係顯示採用圖8的構成的情形中金屬濃度計233的輸出的概略圖。首先，藉由切換閥237，處理液91係通過第一金屬去除過濾器231，且處理液91未被導引至第二金屬去除過濾器231。藉此，在第一金屬去除過濾器231發揮去除能力的期間，金屬濃度維持很低。當第一金屬去除過濾器231在時刻T31中飽和且金屬離子的去除能力降低時，金屬濃度係緩緩地增加。
當金屬濃度在時刻T32中超過過濾器臨限值時，切換控制部236係控制切換閥237，成為處理液91通過第二金屬去除過濾器231且處理液91未被導引至第一金屬去除過濾器231的狀態。藉此，金屬濃度係緩緩地降低。酸系藥液供給部24係並行地將酸系藥液92供給至第一金屬去除過濾器231，將第一金屬去除過濾器231予以再生。
當第二金屬去除過濾器231係在時刻T33中飽和且金屬離子的去除能力降低時，金屬濃度係緩緩地增加。當金屬濃度在時刻T34中超過過濾器臨限值時，切換控制部236係控制切換閥237，成為處理液91通過第一金屬去除過濾器231且處理液91未被導引至第二金屬去除過濾器231的狀態。藉此，金屬濃度係緩緩地降低。酸系藥液供給部24 係並行地將酸系藥液92供給至第二金屬去除過濾器231，將第二金屬去除過濾器231予以再生。
之後，在未使用的期間再生金屬去除過濾器231，並交互地使用兩個金屬去除過濾器231，藉此能延長基板處理裝置1的連續作動時間。雖然省略圖示，但切換控制部236不僅依據金屬濃度計233所取得的金屬濃度控制切換閥237，亦控制酸系藥液供給部24。
圖10係顯示於圖7中設置旁路流動路徑251的例子的圖。旁路流動路徑251係將處理液91從微粒去除過濾器232的下游側導引至回收槽13。將第二循環路徑223中除了旁路流動路徑251以外的部位的主要流動路徑稱為「主循環路徑252」，在旁路流動路徑251中，每單位時間的流量係比主循環路徑252還少。
金屬濃度計233係設置於旁路流動路徑251上。藉此，能將少量的處理液91導引至金屬濃度計233，並提升金屬濃度計233的配置自由度。
於旁路流動路徑251朝金屬濃度計233的上游側依序設置有冷卻部254以及氣泡去除部253。氣泡去除部253係去除流入至金屬濃度計233前的處理液91所含有的氣泡。藉此，防止氣泡進入至金屬濃度計233而降低測量精 確度。此外，冷卻部254係使流入至金屬濃度計233的處理液91的溫度降低。藉此，防止高溫的處理液91對金屬濃度計233造成影響。如上所述，由於在旁路流動路徑251流動的處理液91的流量係比在主循環路徑252流動的處理液91的流量還少，因此冷卻部254對於回收槽13內的處理液91的溫度之影響較小。
基板處理裝置1係可進行各種變化。
在圖5及圖7等中，亦可並排連接有三個以上的金屬去除過濾器231。所使用的金屬去除過濾器231亦可藉由操作者的操作而被切換。
在能利用重力從回收槽13將處理液91補充至供給槽12的情形中，亦可於回收槽13與供給槽12之間設置有未設置有泵的補充路徑222。
在第二循環路徑223中，亦可省略溫度調整功能。在此情形中，對供給槽12補充處理液91後，在未對處理部11供給處理液91的期間，在供給槽12及第一循環路徑211進行溫度調整，直至處理液91的溫度變成適當為止。從回收槽13朝供給槽12之處理液91的補充亦可藉由操作者的操作來進行。朝向金屬去除過濾器231之酸系藥液的供給所進行的金屬去除過濾器231的再生亦可藉由操作者的操 作來進行。
金屬去除過濾器231或金屬濃度計233亦可設置於第一流動路徑系統21。在此情形中，較佳為於第一循環路徑211設置有金屬去除過濾器231及金屬濃度計233。上述各種配置態樣的金屬去除過濾器231、並排流動路徑238以及酸系藥液供給部24等亦可設置於第一流動路徑系統21。在此情形中，亦可省略回收槽13。
亦可於第二流動路徑系統22中之第二循環路徑223以外的位置設置有金屬去除過濾器231或金屬濃度計233等。換言之，金屬去除過濾器231或金屬濃度計233亦可設置於第一流動路徑系統21以及第二流動路徑系統22的各個位置。於任意的位置設置有金屬去除過濾器231的情形中，較佳為於金屬去除過濾器231的下游側設置有微粒去除過濾器232。
在未設置有旁路流動路徑251的例子中，氣泡去除部253或冷卻部254亦可設置於金屬濃度計233的上游側。亦可於第一流動路徑系統21的第一循環路徑211設置有旁路流動路徑251，並於該處設置有金屬去除過濾器231或金屬濃度計233。
只要相互不會矛盾，上述實施形態及各種變化例中的 構成亦可適當地組合。
雖然已詳細地描述並說明本發明，但上述說明僅為例示性而非限定性。因此，只要不超出本發明的精神範圍，能有各種變化及形態。

Claims (28)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：處理部，係對基板供給處理液並進行蝕刻處理；供給槽，係儲留處理液；第一流動路徑系統，係在前述供給槽與前述處理部之間流動使用前的處理液；第二流動路徑系統，係在前述處理部與前述供給槽之間流動使用後的處理液；金屬濃度計，係設置於前述第二流動路徑系統，用以取得處理液中的金屬離子濃度；以及金屬去除過濾器，係設置於前述第二流動路徑系統，用以去除處理液中的金屬離子；前述第二流動路徑系統係包含有：回收槽；回收路徑，係從前述處理部將處理液導引至前述回收槽；補充路徑，係從前述回收槽將處理液導引至前述供給槽；以及循環路徑；處理液係從前述回收槽經由前述循環路徑返回至前述回收槽，藉此予以循環；前述金屬去除過濾器係設置於前述循環路徑上； 前述金屬濃度計係取得前述循環路徑中的處理液中的金屬離子濃度；前述基板處理裝置係進一步具備有：補充控制部，係依據前述金屬濃度計所取得的金屬離子濃度，控制從前述回收槽朝前述供給槽之處理液的補充；酸系藥液供給路徑，係對前述金屬去除過濾器供給酸系藥液，並從前述金屬去除過濾器去除金屬離子，藉此將前述金屬去除過濾器予以再生；以及酸系藥液排出路徑，係自前述金屬去除過濾器將前述酸系藥液排出至外部。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第二流動路徑系統係進一步具備有：加熱器，係在前述循環路徑調整處理液的溫度；前述第一流動路徑系統係包含有：其他的循環路徑；以及其他的加熱器，係在前述其他的循環路徑調整處理液的溫度；處理液係從前述供給槽經由前述其他的循環路徑返回至前述供給槽，藉此予以循環；前述循環路徑中的每單位時間的處理液的流量係比前述其他的循環路徑中的前述每單位時間的處理液的流量還少。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述加熱器相關之處理液的設定溫度係比前述其他的加熱器相關之處理液的設定溫度還低。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述循環路徑係包含有：主循環路徑；以及旁路流動路徑，係每單位時間的流量比前述主循環路徑還少；前述金屬濃度計係設置於前述旁路流動路徑上。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中於前述旁路流動路徑上進一步具備有：冷卻部，係使流入至前述金屬濃度計的處理液的溫度降低。
  6. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第二流動路徑系統係進一步包含有：並排流動路徑，係與前述金屬去除過濾器並排地連接；前述基板處理裝置係進一步具備有：切換部，係切換朝向前述金屬去除過濾器之處理液的導入以及朝向前述並排流動路徑之處理液的導入。
  7. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：氣泡去除部，係去除流入至前述金屬濃度計之前的處理液所含有的氣泡。
  8. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有： 其他的金屬去除過濾器，係並排連接至前述金屬去除過濾器；以及切換部，係切換朝向前述金屬去除過濾器之處理液的導入以及朝向前述其他的金屬去除過濾器之處理液的導入。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：切換控制部，係依據前述金屬濃度計所取得的金屬離子濃度，控制前述切換部。
  10. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述酸系藥液供給路徑係能夠對前述金屬去除過濾器及前述其他的金屬去除過濾器個別地供給酸系藥液；前述酸系藥液供給路徑係對前述金屬去除過濾器及前述其他的金屬去除過濾器中非使用中的金屬去除過濾器供給前述酸系藥液。
  11. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述金屬濃度計係包含有分光計、折射率計以及導電度計中的至少一者。
  12. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述金屬去除過濾器係包含有含有螯合取代基或者離子交換基或者螯合取代基與離子交換基兩者的材料。
  13. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：微粒去除過濾器，係配置於前述金屬去除過濾器的下游側。
  14. 一種基板處理裝置，係具備有： 處理部，係對基板供給處理液並進行蝕刻處理；供給槽，係儲留處理液；第一流動路徑系統，係在前述供給槽與前述處理部之間流動使用前的處理液；第二流動路徑系統，係在前述處理部與前述供給槽之間流動使用後的處理液；金屬濃度計，係設置於前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統，用以取得處理液中的金屬離子濃度；以及金屬去除過濾器，係設置於前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統，用以去除處理液中的金屬離子；前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統係進一步包含有：並排流動路徑，係與前述金屬去除過濾器並排地連接；前述基板處理裝置係進一步具備有：切換部，係切換朝向前述金屬去除過濾器之處理液的導入以及朝向前述並排流動路徑之處理液的導入；酸系藥液供給路徑，係對前述金屬去除過濾器供給酸系藥液，並從前述金屬去除過濾器去除金屬離子，藉此將前述金屬去除過濾器予以再生；以及 酸系藥液排出路徑，係自前述金屬去除過濾器將前述酸系藥液排出至外部。
  15. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述第一流動路徑系統或前述第二流動路徑系統係包含有：循環路徑；以及加熱器，係在前述循環路徑調整處理液的溫度；前述金屬去除過濾器係設置於前述循環路徑上；前述金屬濃度計係取得前述循環路徑中的處理液中的金屬離子濃度。
  16. 如請求項15所記載之基板處理裝置，其中前述第二流動路徑系統係包含有：回收槽；回收路徑，係從前述處理部將處理液導引至前述回收槽；補充路徑，係從前述回收槽將處理液導引至前述供給槽；以及前述循環路徑；處理液係從前述回收槽經由前述循環路徑返回至前述回收槽，藉此予以循環。
  17. 如請求項16所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：補充控制部，係依據前述金屬濃度計所取得的金屬離子濃度，控制從前述回收槽朝前述供給槽之處理液的補充。
  18. 如請求項16所記載之基板處理裝置，其中前述第一流動路徑系統係包含有：其他的循環路徑；以及其他的加熱器，係在前述其他的循環路徑調整處理液的溫度；處理液係從前述供給槽經由前述其他的循環路徑返回至前述供給槽，藉此予以循環；前述循環路徑中的每單位時間的處理液的流量係比前述其他的循環路徑中的前述每單位時間的處理液的流量還少。
  19. 如請求項18所記載之基板處理裝置，其中前述加熱器相關之處理液的設定溫度係比前述其他的加熱器相關之處理液的設定溫度還低。
  20. 如請求項15至19中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述循環路徑係包含有：主循環路徑；以及旁路流動路徑，係每單位時間的流量比前述主循環路徑還少；前述金屬濃度計係設置於前述旁路流動路徑上。
  21. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中於前述旁路流動路徑上進一步具備有：冷卻部，係使流入至前述金屬濃度計的處理液的溫度降低。
  22. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：氣泡去除部，係去除流入至前述金屬濃度計之前的處理液所含有的氣泡。
  23. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：其他的金屬去除過濾器，係並排連接至前述金屬去除過濾器；以及切換部，係切換朝向前述金屬去除過濾器之處理液的導入以及朝向前述其他的金屬去除過濾器之處理液的導入。
  24. 如請求項23所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：切換控制部，係依據前述金屬濃度計所取得的金屬離子濃度，控制前述切換部。
  25. 如請求項23所記載之基板處理裝置，其中前述酸系藥液供給路徑係能夠對前述金屬去除過濾器及前述其他的金屬去除過濾器個別地供給酸系藥液；前述酸系藥液供給路徑係對前述金屬去除過濾器及前述其他的金屬去除過濾器中非使用中的金屬去除過濾器供給前述酸系藥液。
  26. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述金屬濃度計係包含有分光計、折射率計以及導電度計中的至少一者。
  27. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述金屬去除過濾器係包含有含有螯合取代基或者離子交換基或者螯合取代基與離子交換基兩者的材料。
  28. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：微粒去除過濾器，係配置於前述金屬去除過濾器的下游側。
TW105108988A 2015-03-31 2016-03-23 基板處理裝置 TWI652736B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-071147 2015-03-31
JP2015071147A JP6468916B2 (ja) 2015-03-31 2015-03-31 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201705288A TW201705288A (zh) 2017-02-01
TWI652736B true TWI652736B (zh) 2019-03-01

Family

ID=57015391

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105108988A TWI652736B (zh) 2015-03-31 2016-03-23 基板處理裝置
TW107123695A TWI651778B (zh) 2015-03-31 2016-03-23 基板處理方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107123695A TWI651778B (zh) 2015-03-31 2016-03-23 基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160293447A1 (zh)
JP (1) JP6468916B2 (zh)
KR (1) KR101873631B1 (zh)
TW (2) TWI652736B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105742213B (zh) * 2016-03-07 2019-03-12 京东方科技集团股份有限公司 湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法
JP2018056469A (ja) 2016-09-30 2018-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6916633B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP6900274B2 (ja) * 2017-08-16 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法
JP7034645B2 (ja) 2017-09-22 2022-03-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6979852B2 (ja) 2017-10-26 2021-12-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
CN109326505B (zh) * 2018-08-27 2021-12-03 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置
JP7202230B2 (ja) 2019-03-20 2023-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7467051B2 (ja) * 2019-09-13 2024-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法
WO2021131292A1 (ja) * 2019-12-24 2021-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 金属除去フィルター、基板処理装置、および、基板処理方法
KR20210129758A (ko) * 2020-04-20 2021-10-29 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 표시패널 제조방법
CN114195245A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 中国科学院微电子研究所 腐蚀液回收再利用装置及方法
JP7364641B2 (ja) 2021-10-27 2023-10-18 三益半導体工業株式会社 スピンエッチング装置用ポンプフィルターの再生システム及び再生方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1787969A (zh) 2003-05-07 2006-06-14 株式会社荏原制作所 用于处理电子器件衬底表面的流体用滤筒
TW200926275A (en) 2007-09-27 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treating apparatus and substrate treating method
US20090229641A1 (en) 2008-03-11 2009-09-17 Hiroshi Yoshida Treatment liquid supply apparatus and substrate treatment apparatus including the same
TW201017798A (en) 2008-10-21 2010-05-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201250902A (en) 2011-03-25 2012-12-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treatment apparatus and substrate treatment method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09167752A (ja) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp 薬液処理装置および薬液処理方法
JP3254520B2 (ja) * 1997-11-27 2002-02-12 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法及び洗浄処理システム
JP2002270568A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法および金属モニタリング装置
JP2003257932A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Sony Corp 基板処理装置および方法、半導体装置の製造装置および方法、記録媒体、並びにプログラム
JP4393260B2 (ja) * 2004-04-20 2010-01-06 株式会社東芝 エッチング液管理方法
JP2008252049A (ja) * 2006-05-18 2008-10-16 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 処理液処理装置及びこれを備えた基板処理装置
JP2008291312A (ja) 2007-05-24 2008-12-04 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 基板処理装置
WO2012017524A1 (ja) * 2010-08-04 2012-02-09 トヨタ自動車株式会社 燃料性状検出装置
JP2013074252A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1787969A (zh) 2003-05-07 2006-06-14 株式会社荏原制作所 用于处理电子器件衬底表面的流体用滤筒
TW200926275A (en) 2007-09-27 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treating apparatus and substrate treating method
US20090229641A1 (en) 2008-03-11 2009-09-17 Hiroshi Yoshida Treatment liquid supply apparatus and substrate treatment apparatus including the same
TW201017798A (en) 2008-10-21 2010-05-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201250902A (en) 2011-03-25 2012-12-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treatment apparatus and substrate treatment method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201705288A (zh) 2017-02-01
US20160293447A1 (en) 2016-10-06
JP2016192473A (ja) 2016-11-10
KR101873631B1 (ko) 2018-07-02
TWI651778B (zh) 2019-02-21
JP6468916B2 (ja) 2019-02-13
TW201839854A (zh) 2018-11-01
KR20160117292A (ko) 2016-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI652736B (zh) 基板處理裝置
KR102222226B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6446003B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液
TWI602254B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20070175387A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009214193A (ja) 加工廃液処理装置
TW201528404A (zh) 基板液處理裝置及基板液處理方法
US20140120264A1 (en) Plating apparatus, plating method and storage medium
KR20230035056A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP4692997B2 (ja) 処理装置及び処理方法
US10458010B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP7068050B2 (ja) 純水リサイクルシステム
US9934987B2 (en) Chemical circulation system and methods of cleaning chemicals
JP2010034593A (ja) 基板処理装置
US20140305471A1 (en) Reduced consumptions stand alone rinse tool having self-contained closed-loop fluid circuit, and method of rinsing substrates using the same
JP2007150352A (ja) 処理装置および半導体装置の製造方法
JP4062419B2 (ja) 処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007165929A (ja) 処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007142458A (ja) 処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003297798A (ja) 処理装置および半導体装置の製造方法
JP7126927B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018160584A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016157895A (ja) 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、及び記憶媒体
WO2022168641A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP4062418B2 (ja) 処理装置および半導体装置の製造方法