TW201038124A - Reflective anode and wiring film for organic el display device - Google Patents

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TW201038124A
TW201038124A TW98138071A TW98138071A TW201038124A TW 201038124 A TW201038124 A TW 201038124A TW 98138071 A TW98138071 A TW 98138071A TW 98138071 A TW98138071 A TW 98138071A TW 201038124 A TW201038124 A TW 201038124A
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Taiwan
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based alloy
organic
alloy film
anode electrode
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TW98138071A
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Yuuki Tauchi
Mototaka Ochi
Toshiki Sato
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Kobe Steel Ltd
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Description

201038124 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在有機EL顯示器（特別是頂部發射型 )中所使用之反射陽極電極及配線膜、薄膜電晶體基板、 以及濺鍍靶。 【先前技術】 ^ 自發光型的平面面板顯示器之1的有機電致發光（以 下可簡述爲「有機EL」）顯示器係於玻璃板等之基板上 使有機EL元件排列成矩陣狀而形成之全固體型的平面面 板顯示器。有機EL顯示器係由陽極（anode )與陰極（ cathode )呈條紋（stripe )狀所形成，該等交錯的部分相 當於畫素（有機EL元件）。在此有機EL元件上，因從 外部外加數V的電壓而使電流流動，而推使有機分子至 激發狀態，而當其恢復至原本基礎狀態（安定狀態）時， Q 會以光的型態放出多餘的能量。此發光色即爲有機材料中 所固有的。 有機EL元件係爲自己發光型及電流驅動型之元件， 該驅動型中則有被動矩陣型與主動矩陣型。被動矩陣^虽隹 然構造簡單，但全彩化會有困難。另一方面，主動矩陣型 雖可大型化、亦適合全彩化，但必須要有TFT基板。此 TFT基板方面，多使用低溫多結晶Si ( p-Si )或非晶質y (a-Si )等之 TFT。 主動矩陣型之有機EL顯示器的情況，複數的τρτ或 201038124 配線會成爲障礙，而使可用於有機EL畫素的面積變小。 若驅動回路複雜而導致TFT增加的話，其影響會變大。 近來，不由玻璃基板發出光，而是以由上面側發出光的構 造（頂部發射方式）來改善開口率之方法，備受矚目。 頂部發射方式即是將在電洞注入上優越的氧化銦錫（ ITO: Indium Tin Oxide)用於下面的陽極中。又，上面的 陰極中雖有必要使用透明導電膜，但因IT0功函數大，不 適於電子注入。再者，ITO係因以濺鍍法或電子束蒸鍍法 成膜之故，成膜時會有因電漿離子或二次電子導致電子輸 送層（構成有機EL元件之有機材料）的損傷之疑慮。因 此，使薄的M g層或銅酞青層形成於電子輸送層上，係可 改善電子注入且迴避損傷。 在如此的主動矩陣型之頂部發射有機EL顯示器中所 用的陽極電極，除了兼具反射來自有機EL元件所發射的 光之目的外’更會形成由上述之ITO或氧化銦鋅（IZ〇: Indium Zinc Oxide )所代表之透明氧化物導電膜與反射膜 所成的層合構造。在此所用的反射膜，多使用鉬、鉻、錦 系（專利文獻1 )或銀系（專利文獻2 )等反射性高的金 屬膜。 此外，本出願人至今亦提案有作爲液晶顯示器用之 Ag合金（專利文獻3)、液晶顯示器用方面之Ag合金（ 專利文獻4)。 [先行技術文獻] -6- 201038124 [專利文獻] [專利文獻1]日本國特開2005-259695號公報 [專利文獻2]日本國特開2006-310317號公報 [專利文獻3]日本國特開2005-187937號公報 [專利文獻4]曰本國特開2002-323611號公報 【發明內容】 0 [發明所欲解決之課題] 但是’具有高反射率之純Ag或Ag合金，即使是低 溫的加熱，原子容易移動，特別是在濕潤氛圍中更容易凝 集。此等因即使藉由加熱仍容易凝集之故，有必要於A g 薄膜的上下設置保護膜。而即使設置了保護膜，仍多見起 因於膜缺陷等而容易發生變質（白點化、白濁化）的情況 。有機電致發光元件中，若發生此等現象的話，則發光亮 度會變不均一而成影像斑。再者，有機電致發光元件中， Q 因發光層之有機層非常薄之故，若下部膜的表面平滑性差 ，則有機層上會產生針孔。若發生Ag薄膜的凝集，則有 更多針孔產生。此針孔會導致稱爲暗點之裝置特性不良。 因此，特別是在有機電致發光顯示器使用純粹的Ag或Ag 合金時，在裝置的製造步驟上或裝置的特性上，係存在許 多的課題。 例如上述專利文獻2中，有機EL顯示器用途的反射 膜方面’雖揭示有Ag-Sm合金、Ag-Tb合金等，但此等 之合金在防止Ag薄膜的凝集上並不充分。 -7- 201038124 另一方面’上述專利文獻3〜4中，液晶表示裝置的反 射膜方面，係揭不有Ag-Nd合金、Ag-Bi合金等。但是， 在有機EL顯示器用之特殊狀況中，並未實施有不發生關 於上述A g薄膜的白點化、白濁化、及有機e L裝置的針 孔或暗點等的問題之驗證。 又’如上述，純Ag (或Ag基合金）即使是低溫加熱 (例如200〜400 °C ) ，Ag原子仍容易移動、且具有容易 凝集之性質。因此’不限於反射膜的用途，用爲配線膜時 ，因A g的凝集所致之膜的表面變化大，配線膜的電阻率 上昇，最壞的情況下，會引起配線的短路或斷線等問題。 有鑑於該課題，本發明係以提供藉由特定在不易因加 熱而導致Ag原子凝集之組成的Ag基合金、可抑制因加 熱導致反射率降低之反射膜，以及可抑制電阻率增大之配 線膜爲其目的。 [解決課題之方法] 可解決上述課題之本發明之反射陽極電極，係爲形成 於基板上之有機EL顯示器用反射陽極電極，其係含有含 〇.〇1 (較佳爲0.1 )〜1 .5原子％之Nd的Ag基合金膜、與 直接接觸於前述Ag基合金膜之氧化物導電膜。 上述反射陽極電極中，前述Ag基合金膜係以進一步 含有合計爲0.01〜1.5原子％之由Cu、Au、Pd、Bi、Ge選 出的1種以上之元素爲佳。 可解決上述課題之本發明之其他反射陽極電極，係爲 -8- 201038124 形成於基板上之有機el顯示器用反射陽極電極’其係含 有含〇.01〜4原子％之Bi的Ag基合金膜、與直接接觸於 前述Ag基合金膜之氧化物導電膜。 在上述反射陽極電極中，前述Ag基合金膜係以進一 步含有合計爲0.01〜1.5原子％之由Cu、Au、Pd、Ge選出 的1種以上之元素爲佳。 在上述反射陽極電極中，前述Ag基合金膜的表面之 0 組成係可推薦Bi203之樣態。 在上述反射陽極電極中，前述Ag基合金膜係以進一 步含有合計爲〇.〇1~2原子％之由稀土類元素選出的1種以 上之兀素爲佳。 在上述反射陽極電極中，前述Ag基合金膜係以進一 步含有合計爲0.01〜2原子％之Nd及/或Y爲佳。 在上述反射陽極電極中，前述Ag基合金膜係以含有 合計爲3原子％以下（不含0原子％ )之由Au、Cu、Pt、 Q Pd及Rh所成之群選出的1種以上之元素爲佳。 在上述反射陽極電極中，係以前述Ag基合金膜表面 之十點平均粗度Rz爲20nm以下爲佳。 在上述反射陽極電極中，前述Ag基合金膜係以濺鍍 法或真空蒸鍍法所形成爲佳。 可解決上述課題之本發明之薄膜電晶體基板係使上述 反射陽極電極中的前述A g基合金膜電性地接續於形成於 前述基板上之薄膜電晶體的源極/汲極電極。 可解決上述課題之本發明之有機EL顯示器係具備前 201038124 述薄膜電晶體基板。 可解決上述課題之本發明之濺鑛靶係: 極電極用之濺鍍靶。 可解決上述課題之本發明之配線膜係: 之有機EL顯示器用之配線膜，其係含有， %之Nd的Ag基合金膜。 在上述配線膜中，係以使Nd之含量赁 爲佳。 在上述配線膜中，前述Ag基合金膜 合計爲〇.〇1~1.5原子％之由Cu、Au、Pd、 1種以上之兀素爲佳。 可解決上述課題之本發明之其他配線 板上之有機EL顯示器用之配線膜，係含韦 %之B i的A g基合金膜。 在上述配線膜中，前述Ag基合金膜 合計爲0.01~1_5原子％之由Cu、Au、Pd、 以上之元素爲佳。 可解決上述課題之本發明之濺鍍靶係 用之濺鍍靶。 [發明之效果] 根據本發明，反射陽極電極中之Ag 性、耐濕性優異且平滑性高之故，儘管其 觸之ITO等的氧化物導電膜，仍具有高平 形成上述反射陽 爲形成於基板上 t 0.01-1.5 原子 ! 0.1〜1.5原子％ 係以進一步含有 Bi、Ge選出的 膜係爲形成於基 『含0.0 1〜4原子 係以進一步含有 Ge選出的1種 形成上述配線膜 基合金係因耐熱 上層合有直接接 滑性。藉此，而 -10- 201038124 於構築有機el層之有機材料上不形成針孔，亦可迴避暗 點等之有機EL顯示器特有的劣化現象。又，此Ag基合 金在電阻率之點亦優異’係可用爲有機E L顯示器之配線 膜。 【實施方式】 [爲實施發明之形態] 以下’就本發明之實施形態中的反射陽極電極進行說 明。首先’爲了說明位於反射陽極電極之薄膜電晶體基板 的配置關係，係就用於有機EL裝置之薄膜電晶體基板的 剖面來說明。圖1爲薄膜電晶體基板的剖面圖。 圖1中’基板1上係形成有薄膜電晶體（TFT) 2及 鈍化膜3，在於其上形成平坦化層4。在TFT2上形成有 接觸孔5，介由接觸孔5而使TFT2之源極汲極電極（未 圖示）與Ag基合金膜6電性地接續。 於Ag基合金膜6上形成有氧化物導電膜7。此Ag基 合金膜6及氧化物導電膜7係構成本發明之反射陽極電極 。稱此爲反射陽極電極，係因Ag基合金膜6及氧化物導 電膜7可作用爲有機EL元件之反射電極，而且，因電性 地接續於TFT2之源極汲極電極而作用爲陽極電極。 在氧化物導電膜7之上形成有有機發光層8，進而於 其上形成有陰極電極9(氧化物導電膜等）。如此之有機 EL顯示器，自有機發光層8所發射之光係可藉由本發明 之反射陽極電極有效率地反射，而能實現優異的發光亮度 -11 - 201038124 。反射率愈高愈佳’以85%以上爲佳’更佳爲87%以上。 本實施形態中的反射陽極電極中，Ag基合金膜6係 以含有〇.〇1〜1.5原子％之Nd、或含有〇.01〜4原子％之Bi ，且剩餘部分爲Ag及不可迴避之雜質所構成。Nd係有防 止Ag的凝集之作用。爲了能發揮充分迴避有機EL裝置 中之暗點現象的效果’有必要添加0 ·0 1原子％以上（較佳 爲0.05原子％以上，更佳爲〇·1原子％以上’再更佳爲 〇 . 1 5原子％以上，又更佳爲0.2原子％以上）之N d。另一 方面，Nd的添加量即使過多’因其效果會飽和’故Nd的 添加量之上限爲1 . 5原子％以下（更佳爲1 _ 3原子％以下’ 再更佳爲1.0原子％以下）。 含有Nd之Ag基合金膜6，係以進一步含有合計爲 0.01~1.5原子％之由Cu、Au、Pd、Bi、Ge選出的1種以 上之元素爲佳。此係因Cu、Au、Pd、Bi、Ge具有使形成 初期的Ag基合金膜6之結晶組織更微細化之效果的緣故 〇 在Bi之添加上，亦有防止Ag凝集之作用。爲了使其 發揮充分迴避有機EL裝置中之暗點現象的效果，有必要 添加0.01原子％以上（更佳爲0.02原子％以上，再更佳爲 〇.〇3原子％以上）之Bi。另一方面，即使Bi的添加量過 多，因其效果會飽和，故Bi的添加量之上限爲4原子％ 以下（更佳爲2原子％以下，再更佳爲1原子％以下）。 含有Bi之Ag基合金膜6係以進一步含有合計爲 0.01〜1.5原子％之由Cu、Au、Pd、Ge選出的1種以上之 -12- 201038124 元素爲佳。此係因Cu、Au、Pd、Ge具有使形成初期的 Ag基合金膜6之結晶組織更微細化之效果的緣故。 含有Bi之Ag基合金膜6係以進一步含有1種以上合 計爲0.01〜2原子％之稀土類元素爲佳。稀土類元素的含量 係以合計爲0.1〜1 . 5原子％爲佳。此係因稀土類元素具有 可抑制因加熱所致之結晶粒的成長、擴散，與防止凝集之 效果的緣故。 0 稀土類元素之中，因Nd、Y的效果特別顯著之故， 含有Bi之Ag基合金膜6係以含有合計爲0.01〜2原子％ 之Nd及/或Y爲佳。含量更佳爲0.03~1原子％。 含有Bi之Ag基合金膜6係以進一步含有合計爲3原 子％以下（更佳爲2原子％以下、不含0原子％ )之由Au 、Cu、Pt、Pd及Rh所成之群選出的1種以上之元素爲佳 。藉此，爲使耐熱性、耐濕性優異、平坦度高而具有高反 射率，再者，即使直接層合氧化物導電膜7的情況下，亦 Q 可維持其反射率。此係藉由 Ag的凝集防止而可維持Ag 基合金膜6表面的平滑性，並包含氧化物導電膜7之表面 凹凸受抑制及含有In或Sn等之晶鬚（whisker)受抑制 之意味，而可抑制氧化物導電膜7之劣化的緣故。
Ag基合金膜6在含有Nd之情況或含有Bi之情況， 當其Ag基合金膜6的表面之十點平均粗度Rz爲20nm以 下（更佳爲1 〇nm以下）時，係可有效地抑制位於上層之 有機發光層8的針孔之發生，且可迴避暗點等的特性劣化 -13- 201038124 使用如此之氧化物導電膜7 ( ITO )與Ag基合金 之層合膜的有機EL顯示器之反射陽極電極，係具有 純粹的Ag匹敵之反射率，且即使是氧化物導電膜7 ( )所層合之情況，也不會引起反射率降低。 再者，使用如此之反射陽極電極時，因可使與氧 導電膜7及Ag基合金膜6之接觸電阻維持在低値， 獲得具有高發光亮度之有機EL顯示器。 上述之Ag基合金膜6，係可藉由調整成分組成 定之値的濺鍍靶而進行製造。 以上，雖就本發明之實施形態中的Ag基合金膜 構成所做的說明，但本發明之機制大致上如下述所考 純粹的A g膜因耐熱性低，故會因加熱而發生原 移動，且會產生自連續的均一膜變化爲島狀之凝集。 ，純粹的A g膜即使藉由低溫的加熱亦會發生原子的 ，特別是在濕潤氛圍下，會有顯著的凝集產生。 本發明中，考量Ag的凝集係因Ag的移動度所 而將組織變化作爲指標來檢討因添加元素所致之A g 金膜的耐熱性提昇的結果，可知Nd甚至是Cu或Bi 加係在耐熱性的提昇上非常具有效果。 又，在Ag基合金膜6的濺鍍成膜中，就合金元 Ag基合金膜6的表面擴散後，於表面（上層）形成 金元素濃化層之現象（稱爲「自己二層膜」）進行檢 其結果可知，藉由因Bi之添加而在接近氧化物導電 側的上層形成有B i 2 〇 3層，而使其維持耐熱性、耐濕 膜6 可與 ITO 化物 係可 爲所 6之 量。 子的 再者 移動 致， 基合 的添 素朝 有合 討。 膜7 性優 -14- 201038124 異，且下層的Ag-Bi合金層具有高反象 得以完成本發明。 因此可知’藉由實施本發明，係司 有優異的表面平滑性，又，於氧化物導 ’即使在通常必行的20CTC以上之熱處 表面平滑性與高耐熱性，再者，於低溫 會發生凝集而具有優異的表面平滑性之 0 此’ Ag基合金膜6因具有優異的耐察 平滑性之故’即使層合氧化物導電膜7 滑性’且於有機發光層8上不形成針孔 顯不器特性的劣化。 以上’係就本發明相關之使用Ag 機E L裝置中之反射電極的情況所做的 6係因於2 0 0 °C以上的熱處理後不會發 性優異、甚至電阻率低之故，乃是作爲 Q 配線膜非常有效的材料。 此外’ Ag基合金膜含有〇.〇i〜15J 含量以0.1〜1.5原子％爲佳、再者，以 原子％之由匸11、八11、？£1、81、〇6選出 爲佳、及此等合金元素之較佳含量的 A g基合金膜6作爲反射電極的情況相[| 又，Ag基合金膜係可含有〇.〇1〜4 ，以含有合計0.01-1.5原子％之由Cu 的1種以上之元素爲佳、及此等合金元 f率機能之效果，遂 「獲得在熱處理前具 :電膜7的形成之後 ;理後仍具有優異的 t的濕潤氛圍下仍不 Ag基合金膜。因 丨性、耐濕性、與高 時，仍可維持高平 ，、可迴避暗點等之 基合金膜6作爲有 說明。Ag基合金膜 生凝集且表面平滑 有機EL裝置中之 累子％之Nd、Nd之 含有合計 的1種以上之元素 範圍等，係與使用 3，故略去記載。 原子％之B i、再者 、Au、Pd、Ge 選出 素之較佳含量的範 -15- 201038124 圍等’係與使用A g基合金膜6作爲反射電極的情況相同 ，所以略去記載。 [實施例] 以下，列舉出實施例以更具體說明本發明。本發明非 爲因下述實施例而受限者，而若爲適於前/後述之主旨的 範圍下適當地予以變更而可實施者，皆包含在本發明之技 術性範圍中。 (實施例1 )
使用圓盤狀的玻璃（CORNING公司的無鹼玻璃#1737 、直徑：50mm、厚度·· 〇.7mm)作爲基板1之材料，將鈍 化膜3之SiN膜’以基板溫度：280°C、厚度：3 00nm予 以成膜。再者，使用DC磁控管濺鍍裝置’於鈍化膜3的 表面上，使厚度1000A之Ag-(X)Nd-(Y)Cu的Ag基合金 膜 6 ( X : 0·2~0·7 原子 ％、Y : 0·3~0·9 原子 ％ )及 Ag- ( X )Bi的Ag基合金膜6 (X: 0.1〜1.0原子％ )薄膜予以成 膜。此時的成膜條件係爲基板溫度··室溫、Ar氣壓： 1〜3mTorr、極間距離·· 55mm、成膜速度·_ 7.0〜8.0nm/sec 。又，Ag基合金膜6之成膜前的到達真空度爲1.0 x l(T5Torr 以下。 其次，將完成Ag基合金膜6的成膜之樣品分成3個 群組（A〜C )，就A群組之樣品實施熱處理。熱處理係以 200°C之溫度、於氧氣氛圍下進行。表1及表2中表示就 -16- 201038124 熱處理前之樣品與熱處理後之樣品各自進行反射率測定之 結果。 [表1] 組成 k射率[%](λ=550ητη) 表面粗 ί度[nml 剛成膜後 20(TC熱處理 Ra Rz Rjre Ab 95.5 94.0 4.2 43 Ar-0.1B 95.0 97.4 0.9 9 Αίΐ-0.5Β 952 96.5 0.Θ 8 _ 95.3 96.0 0.7 7 組成 反射率 f%ia=550nm) 表面粗度丨nml 剛成膜後 20(TC熱處理 9a Rr Pure Αβ 95.5 94.0 4.2 43 Aff-0.2Nd-0.3Cu 96.4 97.6 0.6 7 As~〇 4NcH).6Cu 962 96.6 0.5 6 Aff-〇.7Nd-〇.9Cu 95.0 95.2 0.5 5.5
由表1及表2可知，使用純粹的Ag膜時，光的反射 率會因200 °C之熱處理而降低。但是，在Ag中添加Bi之 例或添加Nd之例，反射率反而會因熱處理而提昇，其結 果顯示Ag基合金膜6的反射率更較純粹的Ag膜爲高。 其次，就B群組之樣品，進行原子力顯微鏡（ AFM:Atomic Force Microscope)之測定，算出 Ag 基合金 膜6 (或純Ag膜）的表面之十點平均粗度（Rz )及算術 平均粗度（Ra )。表1及表2顯示其結果。其中一部分之 原子力顯微鏡像，表示於参考用之圖2。 由表1、表2及圖2可知，純Ag膜的表面非常粗， 但添加了 Bi或Nd之Ag基合金膜6的表面具有非常高的 平坦度。 而關於C群組之樣品’係於Ag基合金膜6(Ag- -17- 201038124 0.4Nd-0.6Cu、膜厚lOOnm)上濺鍍成膜ITO膜（膜厚 1 Onm )，並測定於ΙΤΟ膜形成之前後狀態的反射率。圖3 表示其結果。 由圖3可知，於ITO膜的成膜前爲96.2 %之反射率， 在成膜後係維持9 6.0 %。 表3及表4係顯示出，就C群組之各組成的樣品，進 行Ag基合金膜6剛成膜後的反射率、形成Ag基合金膜6 而施予200 °C熱處理之後的反射率、於Ag基合金膜6上 形成ITO膜，並施予200°c熱處理之後的反射率之測定的 結果。 [表3] 組成 反射率[%](λ=550ηιη) Ag基合金膜單層 ITO膜積層 剛成 膜後 OTC熱處理 ITO膜成膜後 200〇C熱處理 Pure Ag 9B.0 94.0 93.8 Ag-O.IBi 95.0 97.4 972 Ar〇5BI 952 965 96.4 Α«-1.0ΘΙ 953 96.0 96 -18- 201038124 m4] 組成 反射率[%]U=550nm) Ag基合金膜單層 IT0膜積層 剛成 膜後 200°C熱處理 IT0膜成膜後 200°C熱處理 Pure Ag 98.0 94.0 93JB A^2IMcK).3Cu 96.4 97.6 975 Ar-0.4Nd-0.6Cu 902 96.6 96.4 Ar-0.7NJd-0.90u 95.0 95.2 95.1 由表3及表4可知，當Ag基合金膜於形成ITO膜且 施予200°C熱處理之後，要較純Ag膜更能保持高反射率 〇 由以上結果可明確得知，本發明中，Ag-(X)Nd-(Y)Cu 合金、Ag-(X)Bi合金要較純粹的 Ag，在熱處理前、熱處 理後皆具有高反射率。因此，在實際裝置製造步驟中’在 O Ag基合金膜6的形成後，即使施予2〇〇°C以上之熱經歷 ’ Ag基合金膜6仍較純粹的Ag膜在表面的平滑性上更加 優異。 因此，因使用本發明之反射陽極電極’而可抑制起因 於有機發光層表面之凹凸的針孔所致暗點的產生。再者’ 本發明之Ag基合金膜6係較純粹的具有同等以上的 反射率，即使在層合了透明導電膜之IT0時，因與純粹的 A g同樣地未見反射率的劣化且爲良好’故未導致起因於 反射率之特性的發光亮度之降低° -19- 201038124 (實施例2) 使用圓盤狀的玻璃（CORNING公司的無鹼玻璃#1 737 、直徑：50mm、厚度：〇.7mm )作爲基板1之材料，將鈍 化膜3之SiN膜，以基板溫度·· 280°C、厚度：300nm成 膜於基板1的表面。再者，使用DC磁控管濺鍍裝置，使 Ag-0.lBi-0.2Nd 的 Ag 基合金膜 6、及 Ag-0.lBi-0.lGe 的 Ag基合金膜6，以厚度·· 1〇〇 0A成膜於鈍化膜3的表面 上。此時的成膜條件爲基板溫度：室溫、Ar氣壓·· l~3mTorr、極間距離：55mm、成膜速度：7.0~8.0nm/sec 。又，Ag基合金膜6之成膜前的到達真空度爲1. 1 0 ·5 T 〇 r r 以下。 其次，在已完成Ag基合金膜6的成膜之樣品上，以 熱處理溫度：2 5 0 °C、熱處理時間：1小時、氧氣氛圍下 實施熱處理。表5即顯示出，就熱處理前的樣品與熱處理 後的樣品各自進行反射率及表面粗度（Ra )之測定的結果 。此外，選擇1小時的熱處理時間，乃因其爲反射率及表 面粗度在該時間以上不會再變化之充分的時間。 [表5] 組成 反射率[%] (λ =550nm) 表面粗雇 f(Ra) [nm] 剛成膜後 250°C熱處理 剛成膜後 250°C熱處理 Pure Ag 97.0 92.7 4.2 6.2 Ag-0.1Bi-0.2Nd 96.4 97.6 0.53 0.65 Ag-0.1BH).1Qe 96.9 97.8 0.62 0.74 由表5可知，使用純粹的Ag膜時’光的反射率雖會 因250°C之熱處理而降低，但在Ag中添加Bi-Nd之例或 添加B i - G e之例中，藉由熱處理反而反射率會提升，其結 -20- 201038124 果顯示’相較於純粹的Ag膜，Ag基合金膜6的反射率會 變高。 表面粗度（Ra )的測定係使用原子力顯微鏡（AFM : Atomic Force MiCr〇scope)，並計算出 Ag 基合金膜 6( 或純A g膜）的表面之算術平均粗度（R a )。 由表5可知，雖然純a g膜的表面非常粗，但添加了 Bi-Nd或Bi-Ge之Ag基合金膜6的表面則具有非常高的 0 平坦度。 (實施例3 ) 由實施例1的A群組之樣品中，就Ag基合金膜6的 材料爲 Ag-(X)Nd-(Y)Cu 合金（X : 0.7 原子。/〇、Y : 0.9 原 子％ )者’進行環境試驗（Aging Test )。環境試驗係將 樣品暴露於溫度8 0 °C、濕度9 0 %之環境下4 8小時來實施 ’且由AFM測定來觀察表面粗度的變化。圖4顯示其結 〇 果。 由圖4可知，本發明中之A g基合金膜，相較於純粹 的 Ag ’其剛成膜後（as-depo )的表面平滑性高，且環境 轼驗後也幾乎沒有變化，可知藉由Nd及Cu的添加係可 改善耐凝集性。本實施例雖顯示Ag-Nd-Cu合金之例，但 在Ag-Bi合金亦得到同樣的結果。 (實施例4) 其次，本發明之反射陽極電極中，係對Ag基合金膜 -21 - 201038124 6進行與實施例3同樣的環境試驗’調查環境試驗前後之 Ag基合金膜6的反射率降低程度。此試驗中，係用將 Ag-(X)Nd合金（X : 0· 1〜1 ·〇原子％之種種變化）濺鍍成 膜者。圖5表示其結果。 由圖5可知，本發明中的Ag基合金膜，相較於純粹 的Ag，係因Ag中添加Nd而得以抑制環境試驗之後的反 射率降低，並可抑制Ag基合金膜的凝集。隨著Nd添加 量的增加而效果變大。本實施例中雖顯示Ag-Nd合金之 例，但在Ag-Nd-Cu合金、Ag-Bi合金仍可獲得同様的結 果。 (實施例5 ) 使用圓盤狀的玻璃（CORNING公司的無鹼玻璃#1737 、直徑：50mm、厚度：0.7mm)作爲基板1之材料，藉由 DC磁控管濺鍍裝置，使厚度：1000A (100nm)的Ag基 合金膜6成膜於基板1的表面。本實施例中使用的組成爲 (1)純 Ag(Pure-Ag) 、（2)純 Al、( 3 ) Ag-0.9Pd-l.OCu、 （ 4) Ag-0.1Bi-0.2Nd、 （ 5) Ag-0.1Bi-0.1Ge (組 成的單位爲原子％) 。Ag基合金膜6的成膜條件爲基板 溫度：室溫、Ar氣壓：1〜3mTorr、極間距離：55mm、成 膜速度：7.0〜8.0nm/SeC。又，Ag基合金膜6之成膜前的 到達真空度爲l.〇xl〇-5Tori·以下。 其次，將已完成Ag基合金膜6的成膜之樣品分爲2 個群組（A ’ B )，僅B群組之樣品以熱處理溫度·· 2 5 01 -22- 201038124 、熱處理時間：1小時於氧氣氛圍下實施熱處理。圖6及 圖7係以6000倍觀察熱處理後的樣品表面之掃瞄型電子 顯微鏡像（SEM像）。圖6 ( a )爲純Ag之觀察像、圖6 (b)爲Ag-0.9Pd-l.0Cu之觀察像，相當於比較例。圖7 (a)爲 Ag-0.lBi-0.2Nd 之觀察像 '圖 7(b)爲 Ag-O.lBi-O.lGe之觀察像，相當於實施例。又，表6表示Ag 基合金膜6剛成膜後（熱處理前）的樣品與熱處理後的樣 0 品之各自的電阻率。有關表6的「表面粗糙」係由圖6及 圖7之相片相對判斷所得。 [表6] 組成 電氣抵抗率[μ Ω · cm] 表面粗糙 (熱處理後） 剛成膜後 熱處理後 純Ag 3.65 2.80 X 純A1 4.9 3.5 — Ag-0.9at%Pd*1.0at%Cu 4.62 3.21 △ Ag-0.1at%Bi-0.2at%Nd 4.12 3.11 〇 Ag-0.1at%Bi0.1at%Qe 3.55 2.45 〇 首先可知，純Ag (圖6(a))的表面形狀在熱處理 後有大幅的變化。又’不含Nd及Bi之Ag-Pd-Cu合金（ 圖6 ( b ))的表面形狀’雖不至於與純Ag的狀況相同， 但認爲有一部分變化。另—方面可知，Ag-Bi-Nd合金（ 圖7(〇 )及Ag-Bi-Ge合金（圖7(b))的表面形狀即 使經熱處理後仍爲平滑。換言之，可知藉由使A g合金中 含有Nd及/或Bi’係可抑制Ag的凝集。 又’如表6所示可知’相對於不含n d及B i的A g- -23- 201038124
Pd-Cu合金其電阻率爲3.2ΐμΩ.(：ιη，Ag-Bi-Nd合金及Ag
Bi-Ge合金其電阻率値更低，與一般所用之A1材料同様 ’可適合用爲配線膜。此外，純Ag雖也顯示出低電阻率 ，但由圖6 ( a )的表面相片可知，純Ag之Ag的凝集程 度大’此凝集若持續發展’恐致短路或斷線，故無法用爲 配線膜。 如上所述，本發明雖詳細地且參考特定的實施樣態來 說明’但熟悉本發明之技術領域者應明白，在不脫離本發 明之精神與範圍下可進行各式變更或修正。本申請案係基 於2 00 8年1 1月10日申請之日本專利申請（特願2〇〇8_ 288084) 、2009年2月26日申請之日本專利申請（特願 2009-043409)及2009年8月1〇日申請之日本專利申請 (特願2009- 1 86075 )者，其内容收錄於此以作爲參考。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]具備本發明之實施形態中的反射陽極電極之薄 膜電晶體基板的剖面圖。 [圖2]本發明之實施例中的Ag基合金膜之原子力顯 微鏡像。 [圖3]表示本發明之實施例中的Ag基合金膜之反射 率的圖、（a )爲ITO膜成膜前、（b )爲ITO膜成膜後 〇 [圖4]本發明之實施例中的Ag基合金膜之原子力顯 微鏡像。 -24- 201038124 [圖5]表示本發明之實施例中的Ag基合金膜之反射 率變化（環境試驗的前後）的圖。
[圖6]本發明之比較例中的Ag基合金膜之表面SEM 像。
[圖7]本發明之實施例中的Ag基合金膜之表面SEM 像。 0 【主要元件符號說明】 1 :基板 2 :薄膜電晶體（TFT) 3 :鈍化膜 4 :平坦化層 5 :接觸孔 6 : Ag基合金膜 7 :氧化物導電膜 Q 8 :有機發光層 9 :陰極電極 -25-

Claims (1)

  1. 201038124 七、申請專利範園： 】.一種有機EL顯示器用之反射陽極電極，其係形成 於基板上之有機EL顯示器用反射陽極電極’其特徵爲含 有 含0.01〜1.5原子％之Nd的Ag基合金膜、與 直接接觸於前述Ag基合金膜之氧化物導電膜。 2.如請求項1所記載之有機EL顯示器用反射陽極電 極，其中，Nd之含量爲〇·1〜丨.5原子％。 3 .如請求項1或2所記載之有機EL顯示器用反射陽 極電極，其中，前述Ag基合金膜係進一步含有合計爲 0.01〜1.5原子％之由Cu、Au、Pd、Bi、Ge選出的1種以 上之元素。 4. 一種有機EL顯示器用之反射陽極電極，其係形成 於基板上之有機EL顯示器用反射陽極電極，其特徵爲含 有 含0.01〜4原子％之Bi的Ag基合金膜、與 直接接觸於前述Ag基合金膜之氧化物導電膜。 5. 如請求項4所記載之有機EL顯示器用反射陽極電 極，其中，前述 Ag基合金膜係進一步含有合計爲 〇_〇1〜1.5原子％之由Cu、Au、Pd、Ge選出的1種以上之 元素。 6 ·如請求項4或5所記載之有機EL顯示器用反射陽 極電極，其中，前述Ag基合金目吴的表面之組成爲Bi2〇3 -26- 201038124 7.如請求項4或5所記載之反射陽極電極，其中’前 述Ag基合金膜係進一步含有合計爲〇.〇1〜2原子％之由稀 土類元素選出的1種以上之元素。 8 ·如請求項4或5所記載之反射陽極電極，其中’前 述Ag基合金膜係進一步含有合計爲0.01~2原子％之Nd 及/或Y。 9.如請求項4或5所記載之反射陽極電極，其中，前 0 述Ag基合金膜係含有合計爲3原子％以下（不含〇原子％ )之由Au、Cu、Pt、Pd及Rh所成之群選出的1種以上 之元素 1 〇.如請求項1或4所記載之反射陽極電極，其中， 前述Ag基合金膜表面之十點平均粗度Rz爲20nm以下。 1 1 .如請求項1或4所記載之反射陽極電極，其中， 前述Ag基合金膜係以濺鍍法或真空蒸鍍法所形成。 12. —種薄膜電晶體基板，其係具備請求項1或4所 Q 記載之反射陽極電極，其中，前述Ag基合金膜電性地接 續於形成於前述基板上之薄膜電晶體的源極/汲極電極。 13. —種具備請求項12所記載之薄膜電晶體基板的有 機EL顯示器。 1 4.一種形成請求項1或4所記載之反射陽極電極用 之濺鍍靶。 1 5 _ —種有機E L顯示器用之配線膜，其係形成於基板 上之有機EL顯示器用之配線膜，其特徵係至少含有 含0.01〜1.5原子％之Nd的Ag基合金膜。 -27- 201038124 1 6.如請求項1 5所記載之配線膜，其中，N d之含量 爲0.1~1.5原子％。 1 7 ·如請求項1 5或1 6所記載之配線膜，其中，前述 Ag基合金膜係進一步含有合計爲〇.〇1〜1.5原子％之由Cu 、Au、Pd、Bi、Ge選出的1種以上之元素。 1 8 . —種有機E L顯示器用之配線膜，其係形成於基板 上之有機EL顯示器用之配線膜’其特徵係至少含有 含〇.〇1〜4原子％之Bi的Ag基合金膜。 1 9 .如請求項1 8所記載之配線膜’其中’前述A g基 合金膜係進一·步含有合S十爲〇.〇1〜1·5原子％之由Cu、Au 、Pd、Ge選出的1種以上之元素。 20.—種形成請求項15或18所記載之配線膜用之濺 鍍靶。 -28-
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI582851B (zh) * 2014-12-11 2017-05-11 神戶製鋼所股份有限公司 Electrode structure and semiconductor device
TWI689121B (zh) * 2018-02-05 2020-03-21 日商神戶製鋼所股份有限公司 有機el顯示器用的反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機電致發光顯示器及濺鍍靶
TWI738363B (zh) * 2019-05-30 2021-09-01 日商神戶製鋼所股份有限公司 反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機ｅｌ顯示器及濺鍍靶材

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2573208A4 (en) * 2010-05-20 2014-05-21 Jx Metals Trading Co Ltd ELECTROLYTIC SILVER PLATED AND / OR ELECTROLYTIC SILVER ALLOY PLATED ARTICLES WITH AN OXID SURFACE LAYER
JP5806653B2 (ja) * 2011-12-27 2015-11-10 株式会社神戸製鋼所 反射電極用Ａｇ合金膜、反射電極、およびＡｇ合金スパッタリングターゲット
EP2629347A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-21 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electric device and method for manufacturing the same
JP2014047400A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Kobe Steel Ltd フラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｇ合金膜、およびフラットパネルディスプレイ用半透過電極
JP5985414B2 (ja) * 2013-02-19 2016-09-06 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法
CN105073407B (zh) * 2013-03-29 2017-01-11 凸版资讯股份有限公司 层叠体及电路基板
KR101764053B1 (ko) 2013-06-26 2017-08-01 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 반사 전극용 또는 배선 전극용 Ag 합금막, 반사 전극 또는 배선 전극, 및 Ag 합금 스퍼터링 타겟
CN105810842B (zh) * 2014-12-29 2019-01-11 昆山国显光电有限公司 有机发光二极管的阳极结构
US10822692B2 (en) * 2016-08-12 2020-11-03 University Of North Texas Binary Ag—Cu amorphous thin-films for electronic applications
JP2018032601A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
CN111886699A (zh) * 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及其制造方法

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0428032A (ja) 1990-05-24 1992-01-30 Daicel Chem Ind Ltd 光情報記録媒体
JPH04252440A (ja) 1991-01-28 1992-09-08 Hitachi Maxell Ltd 光情報記録媒体
JPH05258363A (ja) 1992-03-10 1993-10-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光磁気記録媒体
US5948497A (en) 1992-10-19 1999-09-07 Eastman Kodak Company High stability silver based alloy reflectors for use in a writable compact disk
JPH06302027A (ja) 1993-04-15 1994-10-28 Mitsubishi Materials Corp 光磁気記録媒体用反射膜
JPH09274990A (ja) * 1996-04-08 1997-10-21 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
WO1998009823A1 (fr) 1996-09-09 1998-03-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Support d'enregistrement d'informations optiques, procede de fabrication correspondant, et procede et dispositif d'enregistrement et de lecture d'informations optiques
US6905750B2 (en) * 1998-06-22 2005-06-14 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6852384B2 (en) * 1998-06-22 2005-02-08 Han H. Nee Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6451402B1 (en) * 1998-06-22 2002-09-17 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6007889A (en) * 1998-06-22 1999-12-28 Target Technology, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6790503B2 (en) * 1998-06-22 2004-09-14 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6764735B2 (en) * 1998-06-22 2004-07-20 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7045187B2 (en) * 1998-06-22 2006-05-16 Nee Han H Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6544616B2 (en) * 2000-07-21 2003-04-08 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP2000057627A (ja) 1998-08-04 2000-02-25 Mitsui Chemicals Inc 光反射膜及びそれを用いた光記録媒体
JP2001184725A (ja) 1999-12-21 2001-07-06 Victor Co Of Japan Ltd 光学的情報記録媒体
SG116432A1 (en) * 2000-12-26 2005-11-28 Kobe Steel Ltd Reflective layer or semi-transparent reflective layer for use in optical information recording media, optical information recording media and sputtering target for use in the optical information recording media.
JP4047591B2 (ja) * 2001-02-21 2008-02-13 株式会社神戸製鋼所 光反射膜、反射型液晶表示素子および光反射膜用スパッタリングターゲット
JP2003098538A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法
JP3772972B2 (ja) 2001-11-26 2006-05-10 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット
US7022384B2 (en) * 2002-01-25 2006-04-04 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Reflective film, reflection type liquid crystal display, and sputtering target for forming the reflective film
KR100568392B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 가부시키가이샤 코베루코 카겐 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법
JP4062599B2 (ja) * 2002-07-29 2008-03-19 日立金属株式会社 表示装置用Ａｇ合金膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材
JP4105956B2 (ja) 2002-08-08 2008-06-25 株式会社神戸製鋼所 光反射膜およびこれを用いた液晶表示素子、ならびに光反射膜用スパッタリングターゲット
US7514037B2 (en) * 2002-08-08 2009-04-07 Kobe Steel, Ltd. AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film
JP2004158145A (ja) 2002-11-08 2004-06-03 Tdk Corp 光記録媒体
JP2004333882A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射型電極基板及びその製造方法
WO2004070812A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. 半透過半反射型電極基板の製造方法、及び反射型電極基板並びにその製造方法、及びその反射型電極基板の製造方法に用いるエッチング組成物
JP2004253511A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP4181490B2 (ja) * 2003-03-25 2008-11-12 松下電器産業株式会社 情報記録媒体とその製造方法
JP4362696B2 (ja) * 2003-03-26 2009-11-11 ソニー株式会社 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置
EP1560704B1 (en) * 2003-04-18 2012-06-13 Target Technology Company, LLC. Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP3993530B2 (ja) * 2003-05-16 2007-10-17 株式会社神戸製鋼所 Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4009564B2 (ja) * 2003-06-27 2007-11-14 株式会社神戸製鋼所 リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜のＡｇ合金薄膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
JP2005029849A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Kobe Steel Ltd リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
KR100677805B1 (ko) * 2003-07-23 2007-02-02 샤프 가부시키가이샤 은 합금 재료, 회로 기판, 전자 장치 및 회로 기판의 제조방법
JP4421394B2 (ja) 2003-07-23 2010-02-24 シャープ株式会社 銀合金材料、回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法
JP2005048231A (ja) 2003-07-28 2005-02-24 Ishifuku Metal Ind Co Ltd スパッタリングターゲット材
US20050112019A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) Aluminum-alloy reflection film for optical information-recording, optical information-recording medium, and aluminum-alloy sputtering target for formation of the aluminum-alloy reflection film for optical information-recording
US20050153162A1 (en) * 2003-12-04 2005-07-14 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Ag-base interconnecting film for flat panel display, Ag-base sputtering target and flat panel display
JP4188299B2 (ja) * 2003-12-04 2008-11-26 株式会社神戸製鋼所 フラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜及びＡｇ基合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
JP4264397B2 (ja) 2004-09-03 2009-05-13 株式会社神戸製鋼所 フラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜およびＡｇ基合金スパッタリングターゲット、並びにフラットパネルディスプレイ
JP4252440B2 (ja) 2003-12-22 2009-04-08 エヌ・ティ・ティ・コムウェア株式会社 展示物解説システム、展示物解説情報管理サーバ、及び展示物解説方法
KR100579192B1 (ko) 2004-03-11 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의제조방법
JP2005275102A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Nec Lcd Technologies Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
TWI325134B (en) * 2004-04-21 2010-05-21 Kobe Steel Ltd Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
JP4918231B2 (ja) 2004-06-16 2012-04-18 株式会社アルバック Ａｇ合金膜の製造方法
DE602005003508T2 (de) * 2004-06-29 2008-10-23 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho, Kobe Halbreflektierender Film und refkektierender Film für ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium, optisches Informationsaufzeichnungsmedium und Sputtering-Target
JP3907666B2 (ja) * 2004-07-15 2007-04-18 株式会社神戸製鋼所 レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体
JP4455204B2 (ja) * 2004-07-27 2010-04-21 株式会社フルヤ金属 銀合金、そのスパッタリングターゲット材及びその薄膜
JP2006240289A (ja) * 2005-02-07 2006-09-14 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲット
TW200703313A (en) * 2005-04-07 2007-01-16 Mitsubishi Chem Corp Optical recording medium
JP2006294195A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Kobe Steel Ltd 光情報記録用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
KR100731739B1 (ko) * 2005-04-28 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
US7687986B2 (en) * 2005-05-27 2010-03-30 Fujifilm Corporation Organic EL device having hole-injection layer doped with metallic oxide
JP4527624B2 (ja) * 2005-07-22 2010-08-18 株式会社神戸製鋼所 Ａｇ合金反射膜を有する光情報媒体
JP2007035104A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
JP4377861B2 (ja) * 2005-07-22 2009-12-02 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
JP4377877B2 (ja) * 2005-12-21 2009-12-02 ソニー株式会社 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット
JP5241128B2 (ja) * 2006-04-26 2013-07-17 キヤノン株式会社 多色表示装置
JP2007335061A (ja) * 2006-05-16 2007-12-27 Sony Corp 光情報記録媒体とそのＢＣＡ（ＢｕｒｓｔＣｕｔｔｉｎｇＡｒｅａ）マーキング方法
JP2008016074A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Toshiba Corp 追記型情報記録媒体及びディスク装置
JP2008077792A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Kobe Steel Ltd 耐久性に優れた光情報記録媒体
JP2008108533A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
JP2008117470A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Sony Corp 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法、ＢＣＡ（ＢｕｒｓｔＣｕｔｔｉｎｇＡｒｅａ）マーキング方法
JP2008156753A (ja) * 2006-12-01 2008-07-10 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲット
US8367200B2 (en) * 2007-01-11 2013-02-05 Kobe Steel, Ltd. Reflecting film excellent in cohesion resistance and sulfur resistance
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
JP2008276212A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
JP4694543B2 (ja) * 2007-08-29 2011-06-08 株式会社コベルコ科研 Ａｇ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP4833942B2 (ja) * 2007-08-29 2011-12-07 株式会社コベルコ科研 Ａｇ基合金スパッタリングターゲット
JP2009076129A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Kobe Steel Ltd 読み出し専用の光情報記録媒体
JP5046890B2 (ja) * 2007-11-29 2012-10-10 株式会社コベルコ科研 Ａｇ系スパッタリングターゲット
JP2009187642A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体の反射膜および半透過反射膜、これらを製造するためのスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI582851B (zh) * 2014-12-11 2017-05-11 神戶製鋼所股份有限公司 Electrode structure and semiconductor device
TWI689121B (zh) * 2018-02-05 2020-03-21 日商神戶製鋼所股份有限公司 有機el顯示器用的反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機電致發光顯示器及濺鍍靶
TWI738363B (zh) * 2019-05-30 2021-09-01 日商神戶製鋼所股份有限公司 反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機ｅｌ顯示器及濺鍍靶材

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