JPH05258363A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05258363A JPH05258363A JP8641192A JP8641192A JPH05258363A JP H05258363 A JPH05258363 A JP H05258363A JP 8641192 A JP8641192 A JP 8641192A JP 8641192 A JP8641192 A JP 8641192A JP H05258363 A JPH05258363 A JP H05258363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- recording medium
- optical recording
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体において、耐久性を改良す
る。 【構成】 透明基板と、該透明基板にＰｄとＣｏが交互
に積層されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏ
が交互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜と、該人工
格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録媒体に
おいて、該誘電体の熱伝導率を０．２Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下
に設定し、該誘電体の上に熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・
Ｋ以上の膜を成膜する。
る。 【構成】 透明基板と、該透明基板にＰｄとＣｏが交互
に積層されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏ
が交互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜と、該人工
格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録媒体に
おいて、該誘電体の熱伝導率を０．２Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下
に設定し、該誘電体の上に熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・
Ｋ以上の膜を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関
し、特に、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ−Ｃｏ系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体に関する。
し、特に、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ−Ｃｏ系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明基板上にＰｄとＣｏとが交互に積層
されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏとが交
互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする
光磁気記録媒体は、耐食性に優れたものとして知られて
いる（特開平２−２９９５６）。この光磁気記録媒体に
は、記録層の上に例えばＳｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ、
ＡｌＮなどの透明誘電体干渉膜またはＡｌなどの金属膜
が成膜されたものがある。即ち、前記特開平２−２９９
５６号の公報は酸化防止膜として誘電体膜または金属膜
を成膜した光磁気記録媒体を開示している。
されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏとが交
互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする
光磁気記録媒体は、耐食性に優れたものとして知られて
いる（特開平２−２９９５６）。この光磁気記録媒体に
は、記録層の上に例えばＳｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ、
ＡｌＮなどの透明誘電体干渉膜またはＡｌなどの金属膜
が成膜されたものがある。即ち、前記特開平２−２９９
５６号の公報は酸化防止膜として誘電体膜または金属膜
を成膜した光磁気記録媒体を開示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、このような光磁気記録媒体に対してレーザビーム
を照射し、記録と消去を繰り返して行くと、記録媒体の
性能が劣化し、信号強度が次第に低下しノイズが大きく
なることを見出した。
者は、このような光磁気記録媒体に対してレーザビーム
を照射し、記録と消去を繰り返して行くと、記録媒体の
性能が劣化し、信号強度が次第に低下しノイズが大きく
なることを見出した。
【０００４】そこで、本発明の目的は、さらに耐食性を
向上させたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ−Ｃｏ系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
向上させたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ−Ｃｏ系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は、透明基板と、該透明基板にＰｄとＣｏ
が交互に積層されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ
とＣｏが交互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜と、
該人工格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録
媒体において、該誘電体の熱伝導率が０．２Ｗ／ｃｍ・
Ｋ以下であり、該誘電体の上に熱伝導率が１．０Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋ以上の膜が成膜されていることを特徴とする光磁
気記録媒体を採用するものである。
めに、本発明は、透明基板と、該透明基板にＰｄとＣｏ
が交互に積層されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ
とＣｏが交互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜と、
該人工格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録
媒体において、該誘電体の熱伝導率が０．２Ｗ／ｃｍ・
Ｋ以下であり、該誘電体の上に熱伝導率が１．０Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋ以上の膜が成膜されていることを特徴とする光磁
気記録媒体を採用するものである。
【０００６】
【作用】本発明において、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜また
はＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜である記録層の透明基板とは
反対側に成膜される熱伝導率が０．２Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下
の誘電体膜としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法等に
よるＳｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4、ＳｉＯ、Ｔａ2 Ｏ5 等が使用
できる。
はＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜である記録層の透明基板とは
反対側に成膜される熱伝導率が０．２Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下
の誘電体膜としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法等に
よるＳｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4、ＳｉＯ、Ｔａ2 Ｏ5 等が使用
できる。
【０００７】この誘電体膜は、光学的エンハンス作用を
するものであり、１５０〜６００オングストローム程度
の膜厚とするのが好ましい。膜厚が１５０オングストロ
ームより薄い場合には、信号の記録に必要なレーザビー
ムのパワーが増大するので好ましくない。また６００オ
ングストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるの
で好ましくない。
するものであり、１５０〜６００オングストローム程度
の膜厚とするのが好ましい。膜厚が１５０オングストロ
ームより薄い場合には、信号の記録に必要なレーザビー
ムのパワーが増大するので好ましくない。また６００オ
ングストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるの
で好ましくない。
【０００８】また、上記誘電体膜の上に成膜される熱伝
導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の膜としては、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法等によるＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｃｕ等の金属、ＡｌＣｒ、ＡｌＴｉ等のＡｌ合
金、ＡｕＡｇ、ＡｕＰｔ、ＡｕＣｕ等の貴金属から成る
合金膜が使用できる。
導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の膜としては、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法等によるＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｃｕ等の金属、ＡｌＣｒ、ＡｌＴｉ等のＡｌ合
金、ＡｕＡｇ、ＡｕＰｔ、ＡｕＣｕ等の貴金属から成る
合金膜が使用できる。
【０００９】この膜は、熱放散の作用をするものであ
り、３００〜１０００オングストローム程度の膜厚とす
るのが好ましい。膜厚が３００オングストロームより薄
い場合は、熱伝導率が減少し、記録に必要なレーザパワ
ーが増加するので好ましくない。また、１０００オング
ストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるので好
ましくない。
り、３００〜１０００オングストローム程度の膜厚とす
るのが好ましい。膜厚が３００オングストロームより薄
い場合は、熱伝導率が減少し、記録に必要なレーザパワ
ーが増加するので好ましくない。また、１０００オング
ストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるので好
ましくない。
【００１０】記録層の透明基板上側では、この記録層が
透明基板上に直接成膜されてもよく、また誘電体干渉膜
を介して成膜されていてもよい。
透明基板上に直接成膜されてもよく、また誘電体干渉膜
を介して成膜されていてもよい。
【００１１】上記のような膜構造を持つ光磁気記録媒体
に、通常使用する６ｍＷ程度のパワーを持つレーザビー
ムを照射すると、熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の
膜が付いていることにより、熱が逃げやすくなり、記録
層のＰｄ−Ｃｏ系またはＰｔ−Ｃｏ系の人工格子膜が合
金化する温度までは膜の温度が上昇せずにすむ。この層
の熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ未満であると、記録層
の温度は合金化する温度まで達してしまい、何回かの記
録と消去の繰り返しにより信号特性は劣化してしまう。
に、通常使用する６ｍＷ程度のパワーを持つレーザビー
ムを照射すると、熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の
膜が付いていることにより、熱が逃げやすくなり、記録
層のＰｄ−Ｃｏ系またはＰｔ−Ｃｏ系の人工格子膜が合
金化する温度までは膜の温度が上昇せずにすむ。この層
の熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ未満であると、記録層
の温度は合金化する温度まで達してしまい、何回かの記
録と消去の繰り返しにより信号特性は劣化してしまう。
【００１２】さらに、上記の膜構造の光磁気記録媒体
は、記録層と前述の膜との間に熱伝導率が０．２Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋ以下の誘電体膜を設けて、熱を少しだけ逃げにく
くしているので、記録層が到達する温度を記録と消去に
必要な温度より高くすることができる。もちろん、記録
層の温度は誘電体膜の上に熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・
Ｋ以上の膜が付いているため、記録層が合金化する温度
までは到達しない。もしこの誘電体膜の熱伝導率が０．
２Ｗ／ｃｍ・Ｋを越えると、熱が逃げやすいので膜の温
度は上昇しにくく、膜が記録と消去に必要な温度に達す
るためには、レーザパワーを増加させねばならない。
は、記録層と前述の膜との間に熱伝導率が０．２Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋ以下の誘電体膜を設けて、熱を少しだけ逃げにく
くしているので、記録層が到達する温度を記録と消去に
必要な温度より高くすることができる。もちろん、記録
層の温度は誘電体膜の上に熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・
Ｋ以上の膜が付いているため、記録層が合金化する温度
までは到達しない。もしこの誘電体膜の熱伝導率が０．
２Ｗ／ｃｍ・Ｋを越えると、熱が逃げやすいので膜の温
度は上昇しにくく、膜が記録と消去に必要な温度に達す
るためには、レーザパワーを増加させねばならない。
【００１３】このように、０．２Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下の誘
電体膜と１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の膜の両方を成膜する
ことにより、レーザビームの照射時に、記録層の温度を
高めることにより少量のパワーで記録と消去を行うこと
ができるようにすると共に、記録層から熱を効率よく逃
がすことができ、何回もの信号の書き込みと消去が可能
となる。
電体膜と１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の膜の両方を成膜する
ことにより、レーザビームの照射時に、記録層の温度を
高めることにより少量のパワーで記録と消去を行うこと
ができるようにすると共に、記録層から熱を効率よく逃
がすことができ、何回もの信号の書き込みと消去が可能
となる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の好ましい実施例と、実施例
と比較するための比較例及び従来例を説明する。 （実施例１、２）スパッタリング法により、ガラス基板
上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オングスト
ローム）、ＰｄとＣｏが交互に積層したＰｄ−Ｃｏ系人
工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、Ｐｄ：１
２オングストローム、Ｃｏ：８オングストローム）、Ｓ
ｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストローム）
を順次成膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００
オングストローム）上に成膜する熱放散膜としてＡｌ膜
（実施例１）、ＡｌＴｉ膜Ａ（Ｔｉ：０．７９ａｔｍ
％）（実施例２）の２種類を用いた（いずれも膜厚５０
０オングストローム）。なお、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜
（膜厚５００オングストローム）の熱伝導率は０．１５
Ｗ／ｃｍ・Ｋである。また、Ａｌ膜とＡｌＴｉ膜Ａの熱
伝導率は、それぞれ、１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ、１．１Ｗ
／ｃｍ・Ｋである。
と比較するための比較例及び従来例を説明する。 （実施例１、２）スパッタリング法により、ガラス基板
上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オングスト
ローム）、ＰｄとＣｏが交互に積層したＰｄ−Ｃｏ系人
工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、Ｐｄ：１
２オングストローム、Ｃｏ：８オングストローム）、Ｓ
ｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストローム）
を順次成膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００
オングストローム）上に成膜する熱放散膜としてＡｌ膜
（実施例１）、ＡｌＴｉ膜Ａ（Ｔｉ：０．７９ａｔｍ
％）（実施例２）の２種類を用いた（いずれも膜厚５０
０オングストローム）。なお、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜
（膜厚５００オングストローム）の熱伝導率は０．１５
Ｗ／ｃｍ・Ｋである。また、Ａｌ膜とＡｌＴｉ膜Ａの熱
伝導率は、それぞれ、１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ、１．１Ｗ
／ｃｍ・Ｋである。
【００１５】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて６
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを１回当てた後も１０
5 回繰り返して当てた後も３８ｄＢのままでほとんど変
化がなかった。
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを１回当てた後も１０
5 回繰り返して当てた後も３８ｄＢのままでほとんど変
化がなかった。
【００１６】（比較例１〜３）熱放散膜を除いて、実施
例１、２と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、ＡｌＴｉ膜Ｂ（Ｔｉ：１．１ａｔｍ
％）（比較例１）、ＡｌＴｉ膜Ｃ（Ｔｉ：１．５ａｔｍ
％）（比較例２）、ＡｌＣｒ膜（Ｃｒ：１．９ａｔｍ
％）（比較例３）の３種類を用いた（いずれも膜厚５０
０オングストローム）。なお、これらの膜の熱伝導率
は、それぞれ、０．９Ｗ／ｃｍ・Ｋ、０．８１Ｗ／ｃｍ
・Ｋ、０．３６Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
例１、２と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、ＡｌＴｉ膜Ｂ（Ｔｉ：１．１ａｔｍ
％）（比較例１）、ＡｌＴｉ膜Ｃ（Ｔｉ：１．５ａｔｍ
％）（比較例２）、ＡｌＣｒ膜（Ｃｒ：１．９ａｔｍ
％）（比較例３）の３種類を用いた（いずれも膜厚５０
０オングストローム）。なお、これらの膜の熱伝導率
は、それぞれ、０．９Ｗ／ｃｍ・Ｋ、０．８１Ｗ／ｃｍ
・Ｋ、０．３６Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
【００１７】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて６
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを１回当てた後は、い
ずれの膜も３８ｄＢであったのに対して、１０5 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、３５ｄＢ、３３ｄＢ、２
０ｄＢに下がった。
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを１回当てた後は、い
ずれの膜も３８ｄＢであったのに対して、１０5 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、３５ｄＢ、３３ｄＢ、２
０ｄＢに下がった。
【００１８】（実施例３、４）スパッタリング法によ
り、ガラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９
００オングストローム）、ＰｔとＣｏが交互に積層した
Ｐｔ−Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストロ
ーム、Ｐｔ：１２オングストローム、Ｃｏ：８オングス
トローム）、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オン
グストローム）を順次成膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉
膜（膜厚５００オングストローム）上に成膜する熱放散
膜としてＡｌ膜（実施例３）、ＡｌＴｉ膜Ａ（Ｔｉ：
０．７９ａｔｍ％）（実施例４）の２種類を用いた（い
ずれも膜厚５００オングストローム）。なお、ＳｉＮ透
明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストローム）の熱伝
導率は０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋである。また、Ａｌ膜とＡ
ｌＴｉ膜Ａの熱伝導率は、それぞれ、１．６８Ｗ／ｃｍ
・Ｋ、１．１Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
り、ガラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９
００オングストローム）、ＰｔとＣｏが交互に積層した
Ｐｔ−Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストロ
ーム、Ｐｔ：１２オングストローム、Ｃｏ：８オングス
トローム）、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オン
グストローム）を順次成膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉
膜（膜厚５００オングストローム）上に成膜する熱放散
膜としてＡｌ膜（実施例３）、ＡｌＴｉ膜Ａ（Ｔｉ：
０．７９ａｔｍ％）（実施例４）の２種類を用いた（い
ずれも膜厚５００オングストローム）。なお、ＳｉＮ透
明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストローム）の熱伝
導率は０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋである。また、Ａｌ膜とＡ
ｌＴｉ膜Ａの熱伝導率は、それぞれ、１．６８Ｗ／ｃｍ
・Ｋ、１．１Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
【００１９】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて６
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを１回当てた後も１０
5 回繰り返して当てた後も４０ｄＢのままでほとんど変
化がなかった。
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを１回当てた後も１０
5 回繰り返して当てた後も４０ｄＢのままでほとんど変
化がなかった。
【００２０】（比較例４〜６）熱放散膜を除いて、実施
例３、４と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、ＡｌＴｉ膜Ｂ（Ｔｉ：１．１ａｔｍ
％）（比較例４）、ＡｌＴｉ膜Ｃ（Ｔｉ：１．５ａｔｍ
％）（比較例５）、ＡｌＣｒ膜（Ｃｒ：１．９ａｔｍ
％）（比較例６）の３種類を用いた。なお、これらの膜
の熱伝導率は、それぞれ、０．９Ｗ／ｃｍ・Ｋ、０．８
１Ｗ／ｃｍ・Ｋ、０．３６Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
例３、４と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、ＡｌＴｉ膜Ｂ（Ｔｉ：１．１ａｔｍ
％）（比較例４）、ＡｌＴｉ膜Ｃ（Ｔｉ：１．５ａｔｍ
％）（比較例５）、ＡｌＣｒ膜（Ｃｒ：１．９ａｔｍ
％）（比較例６）の３種類を用いた。なお、これらの膜
の熱伝導率は、それぞれ、０．９Ｗ／ｃｍ・Ｋ、０．８
１Ｗ／ｃｍ・Ｋ、０．３６Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
【００２１】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて６
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを１回当てた後は、い
ずれの膜も４０ｄＢであったのに対して、１０5 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、３６ｄＢ、３２ｄＢ、１
７ｄＢに下がった。
ｍＷのレーザパワーでＣＮＲ値が飽和したので、記録時
には６ｍＷのレーザビームを用い、消去時には１０ｍｗ
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のＣＮＲ値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを１回当てた後は、い
ずれの膜も４０ｄＢであったのに対して、１０5 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、３６ｄＢ、３２ｄＢ、１
７ｄＢに下がった。
【００２２】（比較例７）スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム、熱伝導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、Ｐ
ｄとＣｏが交互に積層したＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜（全
膜厚：３００オングストローム、Ｐｄ：１２オングスト
ローム、Ｃｏ：８オングストローム）、結晶性の良いＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストロー
ム）、Ａｌ熱放散膜（膜厚５００オングストローム、熱
伝導率１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。このＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜の熱伝導率は０．２５Ｗ／ｃｍ・
Ｋである。
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム、熱伝導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、Ｐ
ｄとＣｏが交互に積層したＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜（全
膜厚：３００オングストローム、Ｐｄ：１２オングスト
ローム、Ｃｏ：８オングストローム）、結晶性の良いＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストロー
ム）、Ａｌ熱放散膜（膜厚５００オングストローム、熱
伝導率１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。このＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜の熱伝導率は０．２５Ｗ／ｃｍ・
Ｋである。
【００２３】得られた光磁気記録媒体膜に実施例１と同
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは７．０
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、９．０ｍ
ＷでＣＮＲ値は３６ｄＢに飽和した。
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは７．０
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、９．０ｍ
ＷでＣＮＲ値は３６ｄＢに飽和した。
【００２４】（比較例８）スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム、熱伝導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、Ｐ
ｔとＣｏが交互に積層したＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜（全
膜厚：３００オングストローム、Ｐｔ：１２オングスト
ローム、Ｃｏ：８オングストローム）、結晶性の良いＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストロー
ム）、Ａｌ熱放散膜（膜厚５００オングストローム、熱
伝導率１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。このＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜の熱伝導率は０．２５Ｗ／ｃｍ・
Ｋである。
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム、熱伝導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、Ｐ
ｔとＣｏが交互に積層したＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜（全
膜厚：３００オングストローム、Ｐｔ：１２オングスト
ローム、Ｃｏ：８オングストローム）、結晶性の良いＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストロー
ム）、Ａｌ熱放散膜（膜厚５００オングストローム、熱
伝導率１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。このＡ
ｌＮ透明誘電体干渉膜の熱伝導率は０．２５Ｗ／ｃｍ・
Ｋである。
【００２５】得られた光磁気記録媒体膜に実施例３と同
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは７．５
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、９．５ｍ
ＷでＣＮＲ値は３７ｄＢに飽和した。
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは７．５
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、９．５ｍ
ＷでＣＮＲ値は３７ｄＢに飽和した。
【００２６】（従来例１）Ａｌなどの熱放散膜を成膜し
なかった以外は、実施例１と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例１と同様にＣＮＲ値を測定
した。その結果、レーザビームを１回当てた後は３８ｄ
Ｂであったのに対して、１０回繰り返した後は３２ｄＢ
に下がった。
なかった以外は、実施例１と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例１と同様にＣＮＲ値を測定
した。その結果、レーザビームを１回当てた後は３８ｄ
Ｂであったのに対して、１０回繰り返した後は３２ｄＢ
に下がった。
【００２７】また、従来例１の光磁気記録媒体膜を真空
中５０〜６００°Ｃの下におき、記録層の構造変化をＸ
線回折装置で調査した。得られた回折チャートを図１に
示す。図１から、３５０°Ｃ以上でサテライトピークが
消失しており、周期構造が崩れ合金化していることがわ
かる。
中５０〜６００°Ｃの下におき、記録層の構造変化をＸ
線回折装置で調査した。得られた回折チャートを図１に
示す。図１から、３５０°Ｃ以上でサテライトピークが
消失しており、周期構造が崩れ合金化していることがわ
かる。
【００２８】（従来例２）Ａｌなどの熱放散膜を成膜し
なかった以外は、実施例３と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例３と同様にＣＮＲ値を測定
した。その結果、レーザビームを１回当てた後は４０ｄ
Ｂであったのに対して、１０回繰り返した後は３５ｄＢ
に下がった。
なかった以外は、実施例３と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例３と同様にＣＮＲ値を測定
した。その結果、レーザビームを１回当てた後は４０ｄ
Ｂであったのに対して、１０回繰り返した後は３５ｄＢ
に下がった。
【００２９】（従来例３）スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム）、ＰｄとＣｏが交互に積層したＰｄ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｄ：１２オングストローム、Ｃｏ：８オングストロー
ム）、Ａｌ膜（膜厚５００オングストローム、熱伝導率
１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム）、ＰｄとＣｏが交互に積層したＰｄ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｄ：１２オングストローム、Ｃｏ：８オングストロー
ム）、Ａｌ膜（膜厚５００オングストローム、熱伝導率
１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。
【００３０】得られた光磁気記録媒体膜に実施例１と同
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは７．５
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、９．５ｍ
ＷでＣＮＲの値は３２ｄＢに飽和した。
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは７．５
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、９．５ｍ
ＷでＣＮＲの値は３２ｄＢに飽和した。
【００３１】（従来例４）スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム）、ＰｔとＣｏが交互に積層したＰｔ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｔ：１２オングストローム、Ｃｏ：８オングストロー
ム）、Ａｌ膜（膜厚５００オングストローム、熱伝導率
１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。
ラス基板上に、ＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚９００オ
ングストローム）、ＰｔとＣｏが交互に積層したＰｔ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｔ：１２オングストローム、Ｃｏ：８オングストロー
ム）、Ａｌ膜（膜厚５００オングストローム、熱伝導率
１．６８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を順次成膜した。
【００３２】得られた光磁気記録媒体膜に実施例３と同
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは８．０
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、１０．０
ｍＷでＣＮＲの値は３５ｄＢに飽和した。
様に６ｍＷのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてＣＮＲ値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは８．０
ｍＷであった。さらにパワーを増加させると、１０．０
ｍＷでＣＮＲの値は３５ｄＢに飽和した。
【００３３】前述の実施例、比較例、従来例の実験結果
から以下のように推論される。
から以下のように推論される。
【００３４】比較例１〜６、従来例１、２の光磁気記録
媒体で、１０回または１０5 の記録、消去の繰り返しに
よってＣＮＲ値が下がった理由は、レーザビーム照射に
より、記録層の温度が周期構造が崩れて合金化するまで
上昇し、その垂直磁気異方性が悪化したことによると考
えられる。
媒体で、１０回または１０5 の記録、消去の繰り返しに
よってＣＮＲ値が下がった理由は、レーザビーム照射に
より、記録層の温度が周期構造が崩れて合金化するまで
上昇し、その垂直磁気異方性が悪化したことによると考
えられる。
【００３５】一方、実施例１〜４の光磁気記録媒体膜
で、ＣＮＲ値が１０5 回の記録、消去の後でも下がらな
かった理由は、熱伝導率のよいＡｌ膜またはＡｌＴｉ膜
が付いているために、記録層から熱が逃げやすく、記録
層の温度が積層構造が崩れて合金化するまでは上昇しな
かったためと考えられる。
で、ＣＮＲ値が１０5 回の記録、消去の後でも下がらな
かった理由は、熱伝導率のよいＡｌ膜またはＡｌＴｉ膜
が付いているために、記録層から熱が逃げやすく、記録
層の温度が積層構造が崩れて合金化するまでは上昇しな
かったためと考えられる。
【００３６】従来例３、４の光磁気記録媒体で、通常の
６ｍＷのレーザパワーで記録ができなかった理由は、Ａ
ｌ膜だけを記録層の上に付けたため、非常に熱が逃げや
すく、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけ
ればならない２００°Ｃ以上まで温度が上昇しなかった
ためと考えられる。
６ｍＷのレーザパワーで記録ができなかった理由は、Ａ
ｌ膜だけを記録層の上に付けたため、非常に熱が逃げや
すく、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけ
ればならない２００°Ｃ以上まで温度が上昇しなかった
ためと考えられる。
【００３７】比較例７、８の光磁気記録媒体膜で、通常
の６ｍＷのレーザパワーで記録ができなかった理由は、
記録層とＡｌ膜の間に付けたＡｌＮ誘電体膜の熱伝導率
が０．２５Ｗ／ｃｍ・Ｋと比較的高く、熱が逃げやす
く、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけれ
ばならない２００°Ｃ以上まで温度が上昇しなかったた
めと考えられる。
の６ｍＷのレーザパワーで記録ができなかった理由は、
記録層とＡｌ膜の間に付けたＡｌＮ誘電体膜の熱伝導率
が０．２５Ｗ／ｃｍ・Ｋと比較的高く、熱が逃げやす
く、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけれ
ばならない２００°Ｃ以上まで温度が上昇しなかったた
めと考えられる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
耐久性が極めて優れた、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜または
Ｐｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
が得られる。
耐久性が極めて優れた、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜または
Ｐｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
が得られる。
【図１】図１は従来例の光磁気記録媒体の種々の温度に
おけるＸ線回折チャートである。
おけるＸ線回折チャートである。
Claims (7)
- 【請求項１】 透明基板と、該透明基板にＰｄとＣｏが
交互に積層されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔと
Ｃｏが交互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜と、該
人工格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録媒
体において、該誘電体の熱伝導率が０．２Ｗ／ｃｍ・Ｋ
以下であり、該誘電体の上に熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ
・Ｋ以上の膜が成膜されていることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、前記誘電体膜がＳｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯまたは
Ｔａ2 Ｏ5 膜から成ることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、前記誘電体膜の膜厚が１５０〜６００オングストロ
ームであることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、前記熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の膜がＡ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、ＰｄまたはＣｕの金属、ＡｌＣ
ｒまたはＡｌＴｉのＡｌ合金、またはＡｕＡｇ、ＡｕＰ
ｔまたはＡｕＣｕの貴金属から成る合金であることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項４記載の光磁気記録媒体におい
て、前記熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の膜の膜厚
が３００〜１０００オングストロームであることを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
光磁気記録媒体において、前記Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜
またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜、前記誘電体、前記熱伝
導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の膜がスパッタリング法
またはＣＶＤ法で成膜されることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
光磁気記録媒体において、前記Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜
またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜が前記透明基板に対して
直接または誘電体膜を介して成膜されることを特徴とす
る光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8641192A JPH05258363A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8641192A JPH05258363A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258363A true JPH05258363A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13886131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8641192A Pending JPH05258363A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258363A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
| US7476431B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-01-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7507458B2 (en) | 2004-06-29 | 2009-03-24 | Kobe Steel, Ltd. | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
| US7517575B2 (en) | 2005-07-22 | 2009-04-14 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
| US7695792B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7713608B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-05-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7790263B2 (en) | 2005-12-21 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Ag alloy reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium and Ag alloy sputtering target for forming Ag alloy reflective film for optical information recording medium |
| US7843796B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Optical information recording medium and method of marking BCA (burst cutting area) into the same |
| US7871686B2 (en) | 2002-08-08 | 2011-01-18 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US8092889B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective film for optical information storage media, optical information storage medium, and sputtering target for the deposition of silver alloy reflective film for optical information storage media |
| US8152976B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-04-10 | Kobelco Research Institute, Inc. | AG-based alloy sputtering target |
| US8309195B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-11-13 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium |
| US8431931B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-04-30 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective anode and wiring film for organic EL display device |
| US8470426B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-06-25 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium and sputtering target for depositing reflective film for the optical information recording medium |
| US8530023B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-09-10 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording medium and sputtering target for forming reflective film for optical information recording medium |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP8641192A patent/JPH05258363A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
| US7871686B2 (en) | 2002-08-08 | 2011-01-18 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US8936856B2 (en) | 2002-08-08 | 2015-01-20 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
| US8178174B2 (en) | 2002-08-08 | 2012-05-15 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US7507458B2 (en) | 2004-06-29 | 2009-03-24 | Kobe Steel, Ltd. | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
| US7476431B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-01-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7754307B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-07-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7695792B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7713608B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-05-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7517575B2 (en) | 2005-07-22 | 2009-04-14 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
| US7790263B2 (en) | 2005-12-21 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Ag alloy reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium and Ag alloy sputtering target for forming Ag alloy reflective film for optical information recording medium |
| US7843796B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Optical information recording medium and method of marking BCA (burst cutting area) into the same |
| US8092889B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective film for optical information storage media, optical information storage medium, and sputtering target for the deposition of silver alloy reflective film for optical information storage media |
| US8152976B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-04-10 | Kobelco Research Institute, Inc. | AG-based alloy sputtering target |
| US8309195B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-11-13 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium |
| US8470426B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-06-25 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium and sputtering target for depositing reflective film for the optical information recording medium |
| US8431931B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-04-30 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective anode and wiring film for organic EL display device |
| US8530023B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-09-10 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording medium and sputtering target for forming reflective film for optical information recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05258363A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US4717628A (en) | Magnetooptical storage element | |
| JP3292890B2 (ja) | 光反射放熱用材料を用いた相変化形光記録媒体 | |
| JP2968632B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2742089B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63262287A (ja) | 光学的記録部材 | |
| Chen et al. | The effect of overcoats on the ablative writing characteristics of tellurium films | |
| EP0531808B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH08249725A (ja) | 光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料 | |
| JPH01173455A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2008217957A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH01173454A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05258364A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02103756A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3566779B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2923036B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP3427425B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| KR100200583B1 (ko) | 광자기디스크 | |
| JPH05282704A (ja) | 光反射放熱用材料及びそれを用いた光記録媒体 | |
| JP3345703B2 (ja) | 光記録媒体および相変化光記録媒体ならびに相変化光記録媒体の初期化方法 | |
| JPH04243037A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2583255B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3302185B2 (ja) | 光磁気記録媒体およびエンハンス膜の製造方法 | |
| JPH01162257A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2000348383A (ja) | 光学的情報記録用媒体及びその製造方法 |