JPH05258364A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05258364A JPH05258364A JP8641292A JP8641292A JPH05258364A JP H05258364 A JPH05258364 A JP H05258364A JP 8641292 A JP8641292 A JP 8641292A JP 8641292 A JP8641292 A JP 8641292A JP H05258364 A JPH05258364 A JP H05258364A
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- Japan
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- film
- magneto
- aln
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- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐食性を向上させたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜
またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気記
録媒体を得る。 【構成】 透明基板上にＰｄとＣｏが交互に積層された
Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏが交互に積層
されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気記
録媒体において、該記録層と該透明基板との間に熱伝導
率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の透明な膜を製膜する。
またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気記
録媒体を得る。 【構成】 透明基板上にＰｄとＣｏが交互に積層された
Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏが交互に積層
されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気記
録媒体において、該記録層と該透明基板との間に熱伝導
率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の透明な膜を製膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子
膜またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気
記録媒体に関する。
膜またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁気
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明基板上にＰｄとＣｏとが交互に積層
されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏとが交
互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする
光磁気記録媒体は、耐食性に優れたものとして知られて
いる（特開平２−２９９５６）。この光磁気記録媒体に
は、記録層のみから成る１層構造のもの、記録層の上に
ＳｉＮやＡｌＮなどの透明誘電体干渉膜やＡｌなどの金
属膜が製膜された２層構造のもの、および記録層の上下
にＳｉＮ、ＡｌＮなどの誘電体干渉膜や金属膜が製膜さ
れた３層構造のものがある。
されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏとが交
互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする
光磁気記録媒体は、耐食性に優れたものとして知られて
いる（特開平２−２９９５６）。この光磁気記録媒体に
は、記録層のみから成る１層構造のもの、記録層の上に
ＳｉＮやＡｌＮなどの透明誘電体干渉膜やＡｌなどの金
属膜が製膜された２層構造のもの、および記録層の上下
にＳｉＮ、ＡｌＮなどの誘電体干渉膜や金属膜が製膜さ
れた３層構造のものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、このような光磁気記録媒体に対してレーザビーム
を照射し、記録と消去を繰り返して行くと、記録媒体の
性能が劣化し、信号強度が次第に低下しノイズが大きく
なることを見出した。
者は、このような光磁気記録媒体に対してレーザビーム
を照射し、記録と消去を繰り返して行くと、記録媒体の
性能が劣化し、信号強度が次第に低下しノイズが大きく
なることを見出した。
【０００４】そこで、本発明の目的は、さらに耐食性を
向上させたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ−Ｃｏ系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
向上させたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔ−Ｃｏ系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は、透明基板上にＰｄとＣｏが交互に積層
されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏが交互
に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光
磁気記録媒体において、該記録層と該透明基板との間に
熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の透明な膜が製膜さ
れていることを特徴とする光磁気記録媒体を採用するも
のである。
めに、本発明は、透明基板上にＰｄとＣｏが交互に積層
されたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏが交互
に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光
磁気記録媒体において、該記録層と該透明基板との間に
熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の透明な膜が製膜さ
れていることを特徴とする光磁気記録媒体を採用するも
のである。
【０００６】
【作用】本発明において、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜また
はＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜で構成される記録膜と透明基
板との間に成膜される熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以
上の膜としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法によるＡ
ｌＮ、ＢｅＯ等の透明誘電体膜が使用できる。しかし、
ＢｅＯが毒物であることから、ＡｌＮを用いることが好
ましい。
はＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜で構成される記録膜と透明基
板との間に成膜される熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以
上の膜としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法によるＡ
ｌＮ、ＢｅＯ等の透明誘電体膜が使用できる。しかし、
ＢｅＯが毒物であることから、ＡｌＮを用いることが好
ましい。
【０００７】一般に、ＡｌＮは熱伝導率が２．０Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋ以上の非常に高い値を持つと言われているが、こ
の値はＡｌＮの単結晶の熱伝導率であって従来のスパッ
タリング法等で作成したＡｌＮの熱伝導率は０．５Ｗ／
ｃｍ・Ｋ以下の単結晶よりも低い熱伝導率となってい
る。
ｍ・Ｋ以上の非常に高い値を持つと言われているが、こ
の値はＡｌＮの単結晶の熱伝導率であって従来のスパッ
タリング法等で作成したＡｌＮの熱伝導率は０．５Ｗ／
ｃｍ・Ｋ以下の単結晶よりも低い熱伝導率となってい
る。
【０００８】ＡｌＮの熱はフォノンによって伝えられる
ので、熱伝導率を良くするにはＡｌＮ薄膜の結晶中でフ
ォノンの散乱を少なくすること、即ち、ＡｌＮ薄膜の結
晶性を良くすることが必要となる。この観点からスパッ
タリング法等で製膜したＡｌＮの問題点を考えると、
（１）該ＡｌＮ溥膜が粒径２００オングストローム以下
程度の微結晶となっていること、（２）該ＡｌＮ薄膜中
にＳｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の不純物または酸素が混入してい
ること、（３）該ＡｌＮ薄膜が微結晶の集まりのため密
度が低くなっていること、及び（４）該ＡｌＮ薄膜の組
成がＡｌリッチになっていることの４つの問題点が考え
られる。
ので、熱伝導率を良くするにはＡｌＮ薄膜の結晶中でフ
ォノンの散乱を少なくすること、即ち、ＡｌＮ薄膜の結
晶性を良くすることが必要となる。この観点からスパッ
タリング法等で製膜したＡｌＮの問題点を考えると、
（１）該ＡｌＮ溥膜が粒径２００オングストローム以下
程度の微結晶となっていること、（２）該ＡｌＮ薄膜中
にＳｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の不純物または酸素が混入してい
ること、（３）該ＡｌＮ薄膜が微結晶の集まりのため密
度が低くなっていること、及び（４）該ＡｌＮ薄膜の組
成がＡｌリッチになっていることの４つの問題点が考え
られる。
【０００９】これらの問題点は、（１）結晶粒径を大き
く、密度を高くするためにはスパッタリング中の製膜温
度を高くすること、（２）不純物を減らすにはターゲッ
ト中の不純物濃度の低減と真空度を良くすること、
（３）ＡｌＮの組成を一致させるには化合物ターゲット
と窒素ガス流量を最適に調節することで解決できる。
く、密度を高くするためにはスパッタリング中の製膜温
度を高くすること、（２）不純物を減らすにはターゲッ
ト中の不純物濃度の低減と真空度を良くすること、
（３）ＡｌＮの組成を一致させるには化合物ターゲット
と窒素ガス流量を最適に調節することで解決できる。
【００１０】また、該ＡｌＮの膜は、３００−２０００
オングストローム程度の膜厚にすることが好ましい。膜
厚が３００オングストロームよりも薄い場合は、結晶性
が悪くなり熱伝導率が悪くなり、また、２０００オング
ストロームよりも厚く製膜するのは製膜に時間にかかる
ので好ましくない。
オングストローム程度の膜厚にすることが好ましい。膜
厚が３００オングストロームよりも薄い場合は、結晶性
が悪くなり熱伝導率が悪くなり、また、２０００オング
ストロームよりも厚く製膜するのは製膜に時間にかかる
ので好ましくない。
【００１１】記録層と透明誘電体結晶膜の間には、透明
誘電体干渉膜が成膜されてもよい。
誘電体干渉膜が成膜されてもよい。
【００１２】このような熱伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ
以上の膜の成膜により、レーザビーム照射時に記録層か
ら熱を効率よく逃がすことができ、何回もの信号の書込
みと消去が可能となる。
以上の膜の成膜により、レーザビーム照射時に記録層か
ら熱を効率よく逃がすことができ、何回もの信号の書込
みと消去が可能となる。
【００１３】次に、本発明の好ましい実施例と、該実施
例と比較するための比較例と従来例を説明する。
例と比較するための比較例と従来例を説明する。
【００１４】（実施例１）ＡｌＮの製膜には高純度Ａｌ
Ｎ粉末を焼結して作成した高熱伝導率ＡｌＮ化合物ター
ゲットを用いた。このターゲットに用いた高純度ＡｌＮ
粉末は、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の不純物濃度を１００重量
ｐｐｍ、酸素の含有量を０．１重量％以下にした。得ら
れたＡｌＮ焼結体の熱伝導率は１．４Ｗ／ｃｍ・Ｋであ
った。
Ｎ粉末を焼結して作成した高熱伝導率ＡｌＮ化合物ター
ゲットを用いた。このターゲットに用いた高純度ＡｌＮ
粉末は、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の不純物濃度を１００重量
ｐｐｍ、酸素の含有量を０．１重量％以下にした。得ら
れたＡｌＮ焼結体の熱伝導率は１．４Ｗ／ｃｍ・Ｋであ
った。
【００１５】次に、ＡｌＮのスパッタリング法を説明す
ると、最初に真空槽内を１×１０-6Ｐａ以下まで排気し
た後に基盤ホルダ内の抵抗加熱式のヒータと真空槽の底
に置いた赤外線加熱装置を用いて５００°Ｃに加熱して
３時間排気を行った。次に、４００°Ｃに温度を下げて
真空度が２×１０-6Ｐａを示すまで排気した。スパッタ
リングに用いたガスはアルゴンが９０容量％、窒素１０
容量％の混合ガスを用いた。このガスを真空槽に導入
し、、真空度が０．１Ｐａを示すガス流量で高周波スパ
ッタリングを行った。この方法でガラス上に製膜した厚
み１μｍのＡｌＮの熱伝導率はＡＣカロリメトリ法で測
定すると、１．２Ｗ／ｃｍ・Ｋであった。この膜の密度
は３．１ｇ／ｃｃと単結晶の９５％の密度を持ってい
た。したがって、スパッタリングで作成した膜としては
結晶性のよい緻密な膜になっていると思われる。
ると、最初に真空槽内を１×１０-6Ｐａ以下まで排気し
た後に基盤ホルダ内の抵抗加熱式のヒータと真空槽の底
に置いた赤外線加熱装置を用いて５００°Ｃに加熱して
３時間排気を行った。次に、４００°Ｃに温度を下げて
真空度が２×１０-6Ｐａを示すまで排気した。スパッタ
リングに用いたガスはアルゴンが９０容量％、窒素１０
容量％の混合ガスを用いた。このガスを真空槽に導入
し、、真空度が０．１Ｐａを示すガス流量で高周波スパ
ッタリングを行った。この方法でガラス上に製膜した厚
み１μｍのＡｌＮの熱伝導率はＡＣカロリメトリ法で測
定すると、１．２Ｗ／ｃｍ・Ｋであった。この膜の密度
は３．１ｇ／ｃｃと単結晶の９５％の密度を持ってい
た。したがって、スパッタリングで作成した膜としては
結晶性のよい緻密な膜になっていると思われる。
【００１６】光磁気ディスクの作成は、ゾルゲル法で製
造したグルーブ付きガラス基板上に上述の方法でＡｌＮ
を５００オングストローム製膜し、基板温度が５０°Ｃ
以下になるまで冷却した後、ＡｌＮ層上にＰｄとＣｏが
交互に積層されたＰｄ−Ｃｏ人工格子膜（Ｐｄ層１２オ
ングストローム、Ｃｏ層８オングストローム）を３００
オングストローム積層し、さらにＳｉＮｘ（熱伝導率
０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を５００オングストローム積層
した。
造したグルーブ付きガラス基板上に上述の方法でＡｌＮ
を５００オングストローム製膜し、基板温度が５０°Ｃ
以下になるまで冷却した後、ＡｌＮ層上にＰｄとＣｏが
交互に積層されたＰｄ−Ｃｏ人工格子膜（Ｐｄ層１２オ
ングストローム、Ｃｏ層８オングストローム）を３００
オングストローム積層し、さらにＳｉＮｘ（熱伝導率
０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を５００オングストローム積層
した。
【００１７】得られた光磁気記録媒体膜にレーザビーム
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
も１０5 回繰り返して当てた後も３８ｄＢのままでほと
んど変化がなかった。
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
も１０5 回繰り返して当てた後も３８ｄＢのままでほと
んど変化がなかった。
【００１８】（比較例１）スパッタリング時の温度を３
５０°Ｃにした以外は、前述のＡｌＮ製膜と全く同じ方
法で製膜した。このときのＡｌＮの熱伝導率は０．８Ｗ
／ｃｍ・Ｋであり、その密度は２．９ｇ／ｃｃであっ
た。このＡｌＮを用いて前述と同様にして光磁気ディス
クを作成した。
５０°Ｃにした以外は、前述のＡｌＮ製膜と全く同じ方
法で製膜した。このときのＡｌＮの熱伝導率は０．８Ｗ
／ｃｍ・Ｋであり、その密度は２．９ｇ／ｃｃであっ
た。このＡｌＮを用いて前述と同様にして光磁気ディス
クを作成した。
【００１９】得られた光磁気記録媒体膜にレーザビーム
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
は３８ｄＢであったのに対して１０5 回繰り返して当て
た後は３４ｄＢへ下がった。
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
は３８ｄＢであったのに対して１０5 回繰り返して当て
た後は３４ｄＢへ下がった。
【００２０】（実施例２）スパッタリング法により、ガ
ラス基板上にＡｌＮ透明誘電体結晶膜（膜厚５００オン
グストローム）、ＰｔとＣｏが交互に積層されたＰｔ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｔ層：１２オングストローム、Ｃｏ層：８オングスト
ローム）、次いでＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００
オングストローム、熱伝導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を
成膜した。ＡｌＮ透明誘電体結晶膜としては、熱伝導率
が１．２Ｗ／ｃｍ・Ｋの膜を作製した。成膜時には、Ａ
ｌの酸化防止のため真空度を２×１０-6Ｐａまで上げ
た。また、ＡｌＮ膜の熱伝導率は、成膜時にガラス基板
の温度を調整し、結晶性を変えることによりコントロー
ルした。
ラス基板上にＡｌＮ透明誘電体結晶膜（膜厚５００オン
グストローム）、ＰｔとＣｏが交互に積層されたＰｔ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｔ層：１２オングストローム、Ｃｏ層：８オングスト
ローム）、次いでＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００
オングストローム、熱伝導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を
成膜した。ＡｌＮ透明誘電体結晶膜としては、熱伝導率
が１．２Ｗ／ｃｍ・Ｋの膜を作製した。成膜時には、Ａ
ｌの酸化防止のため真空度を２×１０-6Ｐａまで上げ
た。また、ＡｌＮ膜の熱伝導率は、成膜時にガラス基板
の温度を調整し、結晶性を変えることによりコントロー
ルした。
【００２１】得られた光磁気記録媒体膜にレーザビーム
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
も１０5 回繰り返して当てた後も４０ｄＢのままでほと
んど変化がなかった。
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
も１０5 回繰り返して当てた後も４０ｄＢのままでほと
んど変化がなかった。
【００２２】（比較例２）ＡｌＮの熱伝導率を０．８Ｗ
／ｃｍ・Ｋにした以外は、実施例２と同様にして光磁気
ディスクを作製した。得られた光磁気記録媒体膜にレー
ザビームを当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後
のＣＮＲ値を測定した。その結果、レーザビームを１回
当てた後は４０ｄＢであったのに対して１０5 回繰り返
して当てた後は３６ｄＢへ下がった。
／ｃｍ・Ｋにした以外は、実施例２と同様にして光磁気
ディスクを作製した。得られた光磁気記録媒体膜にレー
ザビームを当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後
のＣＮＲ値を測定した。その結果、レーザビームを１回
当てた後は４０ｄＢであったのに対して１０5 回繰り返
して当てた後は３６ｄＢへ下がった。
【００２３】（従来例１）スパッタリング法により、ガ
ラス基板上にＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オン
グストローム）、ＰｄとＣｏが交互に積層されたＰｄ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｄ層：１２オングストローム、Ｃｏ層：８オングスト
ローム）、次いでＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００
オングストローム）を成膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉
膜の熱伝導率は０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
ラス基板上にＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００オン
グストローム）、ＰｄとＣｏが交互に積層されたＰｄ−
Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：３００オングストローム、
Ｐｄ層：１２オングストローム、Ｃｏ層：８オングスト
ローム）、次いでＳｉＮ透明誘電体干渉膜（膜厚５００
オングストローム）を成膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉
膜の熱伝導率は０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
【００２４】得られた光磁気記録媒体膜にレーザビーム
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
は３８ｄＢであったのに対して１０回繰り返して当てた
後は３２ｄＢへ下がった。
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
は３８ｄＢであったのに対して１０回繰り返して当てた
後は３２ｄＢへ下がった。
【００２５】（従来例２）スパッタリング法により、ガ
ラス基板上にＳｉＮ透明誘電体結晶膜（膜厚５００オン
グストローム）、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜をＰｔとＣｏ
が交互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：
３００オングストローム、Ｐｔ層：１２オングストロー
ム、Ｃｏ層：８オングストローム）とした以外は、従来
例１と同様に光磁気ディスクを作製した。次いでＳｉＮ
透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストローム）を成
膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉膜の熱伝導率は０，１５
Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
ラス基板上にＳｉＮ透明誘電体結晶膜（膜厚５００オン
グストローム）、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格子膜をＰｔとＣｏ
が交互に積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜（全膜厚：
３００オングストローム、Ｐｔ層：１２オングストロー
ム、Ｃｏ層：８オングストローム）とした以外は、従来
例１と同様に光磁気ディスクを作製した。次いでＳｉＮ
透明誘電体干渉膜（膜厚５００オングストローム）を成
膜した。ＳｉＮ透明誘電体干渉膜の熱伝導率は０，１５
Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
【００２６】得られた光磁気記録媒体膜にレーザビーム
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
は４０ｄＢであったのに対して１０回繰り返して当てた
後は３２ｄＢへ下がった。
を当てて記録と消去を繰り返し行い、その前後のＣＮＲ
値を測定した。その結果、レーザビームを１回当てた後
は４０ｄＢであったのに対して１０回繰り返して当てた
後は３２ｄＢへ下がった。
【００２７】また、従来例１の光磁気記録媒体膜を真空
中５０〜６００°Ｃの下に置き、記録層の構造変化をＸ
線回折装置で調査した。得られた回折チャートを図１に
示す。図１によると、３５０°Ｃ以上でサテライトピー
クが消失しており、周期構造が崩れ合金化していること
がわかる。
中５０〜６００°Ｃの下に置き、記録層の構造変化をＸ
線回折装置で調査した。得られた回折チャートを図１に
示す。図１によると、３５０°Ｃ以上でサテライトピー
クが消失しており、周期構造が崩れ合金化していること
がわかる。
【００２８】従来例１のＳｉＮ透明誘電体干渉膜（熱伝
導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）および比較例１のＡｌＮ透
明誘電体結晶膜（熱伝導率０．８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）が成膜
された光磁気記録媒体膜で、１０回及び１０5 回の記
録、消去の繰り返しによってＣＮＲ値が下がったのは、
レーザビーム照射により膜の温度が人工格子膜の周期構
造が崩れて合金化するまで上昇し、記録層の垂直磁気異
方性が悪化したことによるものと考えられる。
導率０．１５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）および比較例１のＡｌＮ透
明誘電体結晶膜（熱伝導率０．８Ｗ／ｃｍ・Ｋ）が成膜
された光磁気記録媒体膜で、１０回及び１０5 回の記
録、消去の繰り返しによってＣＮＲ値が下がったのは、
レーザビーム照射により膜の温度が人工格子膜の周期構
造が崩れて合金化するまで上昇し、記録層の垂直磁気異
方性が悪化したことによるものと考えられる。
【００２９】一方、実施例１の熱伝導率が１．２Ｗ／ｃ
ｍ・ＫのＡｌＮ透明誘電体結晶膜を製膜した光磁気記録
媒体膜で、ＣＮＲ値が１０5 回の記録、消去の後でも下
がらなかったのは、熱伝導率のよいＡｌＮ膜が付いてい
るために、記録層から熱が逃げやすく、記録層の温度が
人工格子膜の周期構造が崩れて合金化するまで上昇しな
かったためと考えられる。
ｍ・ＫのＡｌＮ透明誘電体結晶膜を製膜した光磁気記録
媒体膜で、ＣＮＲ値が１０5 回の記録、消去の後でも下
がらなかったのは、熱伝導率のよいＡｌＮ膜が付いてい
るために、記録層から熱が逃げやすく、記録層の温度が
人工格子膜の周期構造が崩れて合金化するまで上昇しな
かったためと考えられる。
【００３０】実施例２、比較例２、従来例２のＰｔ−Ｃ
ｏ系多層膜でも同様のことが起こったものと考えられ
る。
ｏ系多層膜でも同様のことが起こったものと考えられ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、耐久性が極めて優れた、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格
子膜またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁
気記録媒体が得られる。
によれば、耐久性が極めて優れた、Ｐｄ−Ｃｏ系人工格
子膜またはＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁
気記録媒体が得られる。
【図１】図１は、従来例の光磁気記録媒体膜の種々の温
度におけるＸ線回折チャートである。
度におけるＸ線回折チャートである。
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板上にＰｄとＣｏが交互に積層さ
れたＰｄ−Ｃｏ系人工格子膜またはＰｔとＣｏが交互に
積層されたＰｔ−Ｃｏ系人工格子膜を記録層とする光磁
気記録媒体において、該記録層と該透明基板との間に熱
伝導率が１．０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上の透明な膜が製膜され
ていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、前記透明な膜がＡｌＮ膜であることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、前記ＡｌＮ膜の膜厚が３００〜２０００オングスト
ロームの範囲内にあることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、前記ＡｌＮ膜が高熱伝導率ＡｌＮ化合物をターゲッ
トとして用いるスパッタリング法により製膜されること
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項４記載の光磁気記録媒体におい
て、前記高熱伝導率ＡｌＮ化合物が、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｍｇ
等の不純物濃度が１０００重量ｐｐｍ以下であり、酸素
の含有量が０．１重量％以下である高純度ＡｌＮである
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8641292A JPH05258364A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8641292A JPH05258364A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258364A true JPH05258364A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13886159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8641292A Pending JPH05258364A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6881497B2 (en) | 2001-06-04 | 2005-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | ‘Thermal spring’ magnetic recording media for writing using magnetic and thermal gradients |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP8641292A patent/JPH05258364A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6881497B2 (en) | 2001-06-04 | 2005-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | ‘Thermal spring’ magnetic recording media for writing using magnetic and thermal gradients |
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