JP2000348383A

JP2000348383A - 光学的情報記録用媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000348383A
Application number: JP11159115A
Authority: JP
Inventors: Michikazu Horie; 通和堀江; Masae Kubo; 正枝久保
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-06-07
Filing date: 1999-06-07
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】高熱伝導率、高耐食性を有しながら、非常に
安価で大量生産に適したＡｌ合金反射層を提供し、コス
トパフォーマンスに優れた光学的情報記録用媒体を実現
する。【解決手段】基板上に少なくとも記録層と反射層とを
設けた光学的情報記録用媒体であって、該反射層が、Ｍ
ｇを０．５〜２重量％含有し、Ｍｎを２重量％以下、Ｓ
ｉを２重量％以下、Ｔｉを０．２重量％以下それぞれ含
有し、かつＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒがそれぞれ０．３重
量％以下に規制され、残部がＡｌ及び不可避的不純物よ
りなるアルミニウム合金ターゲットをスパッタリングし
て形成されてなる光学的情報記録用媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、安価で信頼性に優
れた書き換え可能な光学的情報記録用媒体及びその製造
方法に関する。特に、凹凸ピットにおける位相差によっ
て生じる反射率変化により再生信号やプッシュルプル信
号を検出する、コンパクトディスク及び高密度化された
コンパクトディスクあるいはディジタル・ビデオ・ディ
スクドライブによって再生可能な互換性を有する相変化
型光学的情報記録用媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報量の増大に伴い高密度でかつ
高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒体が求
められているが、光磁気型及び相変化型光ディスクはま
さにこうした用途に応えるものとして期待されている。
いずれの場合も集束された光ビームを記録層に照射し、
キュリー点近傍、もしくは融点・結晶化温度近傍に加熱
することで、光学的に識別可能な可逆的物理変化を生じ
せしめる。どちらも、記録層のみならず、それに接して
あるいは誘電体保護層を介して、金属反射層を設けて放
熱層として利用し、記録層における熱履歴や記録マーク
周辺の熱分布を制御する。金属反射層は、また、その名
の通り記録層、保護層、反射層からなる多層構成全体と
して光学的干渉効果をもたらし、所望の光学的に識別可
能な状態を作り出すことにも貢献している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のように光学的情
報記録用媒体において重要な役割をはたす反射層である
が、一方で、その機能を十分に発揮させるためには５０
〜３００ｎｍもの厚みを必要とする。従って、光学的情
報記録用媒体の材料コストのうち、反射層材料が大きな
部分を占める。

【０００４】従来、反射層としては、ＡｌにＴａ、Ｔ
ｉ、Ｃｒを１〜５原子％程度添加したＡｌＴａ合金、Ａ
ｌＴｉ合金、ＡｌＣｒ合金などが用いられてきた。Ａｌ
Ｔｉ、ＡｌＴａ、及びＡｌＣｒは高耐食性という利点を
有するものの、Ｔａ、Ｔｉ、ＣｒはＡｌに固溶しにくい
ため均一に混合することが困難であったため一度に大量
生産できず、スパッタリングターゲットの大きさ程度
（せいぜい１０ｋｇ程度）の単位でしか鋳造できない。
このために、ターゲットが非常に高価なものとなり反射
層のコスト増の原因となっていた。しかし一方、従来通
常用いられている大量生産された安価なＡｌ系合金には
光学的情報記録用媒体の反射層としては有害な元素が多
量に含まれ又は有用な元素の含有量が十分でなかったた
め、これを反射層用ターゲットとして用いることは考え
られていなかった。本発明の目的は、高耐食性、高反射
率、高熱伝導率を維持しつつ、量産性、鋳造性にすぐれ
たＡｌ合金ターゲットを母材とした、コストパフォーマ
ンスに優れたＡｌ合金反射層とそれを用いた光学的情報
記録用媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に少なくとも記録層と反射層とを設けた光学的情報記録
用媒体であって、該反射層が、Ｍｇを０．５〜２重量％
含有し、Ｍｎを２重量％以下、Ｓｉを２重量％以下、Ｔ
ｉを０．２重量％以下それぞれ含有し、かつＦｅ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｒがそれぞれ０．３重量％以下に規制さ
れ、残部がＡｌ及び不可避的不純物よりなるアルミニウ
ム合金ターゲットをスパッタリングして形成されてなる
ことを特徴とする光学的情報記録用媒体に存する。

【０００６】また、本発明の別の要旨は、基板上に少な
くとも記録層と反射層とを有する光学的情報記録用媒体
を製造する方法であって、該反射層を、Ｍｇを０．５〜
２重量％含有し、Ｍｎを２重量％以下、Ｓｉを２重量％
以下、Ｔｉを０．２重量％以下それぞれ含有し、かつＦ
ｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒがそれぞれ０．３重量％以下に規
制され、残部がＡｌ及び不可避的不純物よりなるアルミ
ニウム合金ターゲットを到達圧力１×１０^-3Ｐａ未満、
Ａｒガス圧０．１〜１０Ｐａなる条件下で、１ｎｍ／秒
以上の成膜レートでスパッタリングすることにより形成
することを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法
に存する。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明につき詳細に説明す
る。本発明者らは、高耐食性、高反射率、高熱伝導率を
維持しつつ、量産性、鋳造性にすぐれたＡｌ合金ターゲ
ットを母材とした、コストパフォーマンスに優れたＡｌ
合金反射層について種々の検討を行った。ところで、一
般に、工業的に用いられるＡｌ合金などの各種合金につ
いてはＪＩＳ規格、ＥＡＡ（ＥｕｒｏｐｅａｎＡｌｍ
ｉｎｕｍＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格などで添加
物、不純物元素量が規定されている。

【０００８】しかし、これら規格で定められるＡｌＴ
ｉ、ＡｌＴａ、ＡｌＣｒなどのＡｌ合金は、他に含まれ
る元素の種類と量のバランスが悪いため必ずしも耐食性
が十分とはいえず、光学的情報記録用媒体の反射層とし
て使用できるものではなかった。また、我々の検討の結
果、これら合金をターゲットとしてスパッタリング成膜
した膜は、スパッタ直後には原子レベルで均一に膜中に
分散しているが、これは非平衡状態であって、経時的に
平衡状態に移行してＡｌ₃Ｔｉ、Ａｌ₃Ｔａ、Ａｌ₇Ｃ
ｒ等を析出して熱伝導率が変化してしまうことが分かっ
た。

【０００９】また、バルクの展伸材用Ａｌ合金に関して
は、従来、９９．９％以上の高純度Ａｌが高耐食性を有
するとされていたが、薄膜化した場合にはかえって耐食
性が悪化する傾向が認められた。本発明者らの検討によ
れば、成膜後、室温放置して数週間以内に、結晶粒界の
応力集中によると思われる微細な剥離欠陥が発生した。
成膜条件にもよるが、耐ヒロック性が不十分であると考
えられる。検討の結果、Ａｌ合金の耐ヒロック性は添加
元素濃度に比例して改善されることが分かった。

【００１０】しかし一方、添加元素濃度を上げると一般
に体積抵抗率は増加し、熱伝導率が低下するため光学的
情報記録用媒体の反射層としては好ましくないことも分
かった。このため、耐久性、体積抵抗率、成膜速度など
の全てのバランスを考慮して添加元素の選択と添加量の
最適化を行う必要がある。従って、上記ＪＩＳ規格、Ｅ
ＡＡ規格等で一般的に決められる添加物、不純物元素量
の規定だけでは光学的情報記録用媒体の反射層としてす
ぐれたＡｌ合金は得られない。そこで本発明者らは上述
の、反射層に必須な様々な特性のバランスを考慮し、さ
らに、安価で大型かつ大量鋳造が可能となるように、添
加元素とその量の選択を行い、本発明に至った。

【００１１】すなわち、Ａｌとの固溶性に優れたＭｇを
添加したＡｌ−Ｍｇを主成分とし更に光学的情報記録用
媒体の反射層に適した組成、つまりＭｇを０．５〜２重
量％含有し、Ｍｎを２重量％以下、Ｓｉを２重量％以
下、Ｔｉを０．２重量％以下それぞれ含有し、かつＦ
ｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒがそれぞれ０．３重量％以下に規
制され、残部がＡｌ及び不可避的不純物よりなるアルミ
ニウム合金ターゲットを用い、これをスパッタリングし
て反射層を形成する。

【００１２】以下、合金ターゲットの組成について説明
する。まず、Ｍｇは０．５以上２重量％以下となる様添
加する。Ｍｇは、Ａｌへの固溶度が大きいので経時的な
析出の心配もなく均一に鋳造できるという利点を有す
る。またＡｌ合金反射層の耐食性を向上させる。Ｓｉは
２重量％以下となる様添加する。Ｓｉは、Ａｌスパッタ
膜の結晶粒系を微細化して結晶粒界での応力集中による
微細剥離欠陥を抑止するのに効果がある。また、Ｓｉは
本発明組成範囲においては、Ａｌに固溶するため反射層
にとって重要である熱伝導率への影響は少ない。

【００１３】このように、Ｍｇ自体はＡｌへの固溶度が
大きいし、Ｓｉはたとえ析出しても熱伝導率への影響は
少ないので、ＴａやＴｉに比べて、析出による経時変化
の問題がないし、均一に鋳造できるという利点を有す
る。しかし、Ｍｇ、Ｓｉ量が多すぎると、Ａｌに対する
固溶度の低い、Ｍｇ₂Ｓｉが析出して経時的に熱伝導率
が変化することがある。従って、耐腐食性、耐剥離性を
維持し、経時的な析出を防止するためには、好ましく
は、Ｍｇ添加量を０．５以上１．２重量％以下、Ｓｉ添
加量を０．３以上１．３重量％以下とする。

【００１４】なお、ＪＩＳ規格やＥＡＡ規格で規定され
たＡｌ合金には、経時安定性や加工性を増すためにＭ
ｇ、Ｓｉが添加されているので、これら元素が本発明の
ターゲットに混入することが考えられるが、本発明にお
いてはこれら元素及びさらに積極的に添加した元素を含
めて全体としてＭｇ、Ｓｉの添加量を最適なものとす
る。

【００１５】Ｍｎは２重量％以下となる様添加する。Ｍ
ｎは、２重量％の添加範囲ではＳｉやＭｇより熱伝導率
を低下させる効果が大きく、特に光磁気記録媒体で比較
的低熱伝導率の反射層を必要とする場合に有用である。
また、有害元素であるが完全除去が非常に困難な不純物
Ｆｅに対して、Ａｌ₆ＭｎがＦｅを固溶して、ＦｅＡｌ
₃の析出を防止し、もって、Ｆｅに由来する耐食性の低
下を防止するのに効果がある。しかし、Ｍｎ自体が多す
ぎると反射層中に経時的にＡｌ₆Ｍｎが析出して熱伝導
率の経時的変化をもたらすので好ましくない。これらの
観点からＭｎ量を上記のように２重量％以下とする。

【００１６】Ｔｉは０．２重量％以下となる様添加す
る。Ｔｉは微量でも析出しやすく電気伝導度を著しく低
下させるので、特に高熱伝導率を必要とする相変化媒体
の反射層には好ましくないが、ＴａやＣｒと異なり、
０．２％重量以下の少量添加では、薄膜のみならずバル
クのスパッタリングターゲットにおける結晶粒系を小さ
くし、結晶方位によりスパッタ効率が異なることから来
るスパッタリングレートの変動を防ぐという有用な効果
がある。一方、０．２重量％を越えた添加は、熱伝導率
を低下させるとともに、従来のＡｌＴｉ合金で問題であ
ったＡｌ₃Ｔｉの析出によりＴｉがミクロレベルで均一
に固溶したバルクの鋳造が困難となり、ターゲットコス
トを上昇させるので好ましくない。

【００１７】さて、ＪＩＳ規格、ＥＡＡ規格で規定され
るＡｌ合金には、１００ｋｇ〜1 トン単位で鋳造する際
に用いる容器成分、あるいは、リサイクルＡｌから混じ
る不純物として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎがほぼ不可避的に混
入する。これら不純物は反射層の耐食性を著しく低下さ
せるため、合金ターゲット中に各々０．３重量％以下と
する必要がある。すなわち、これら不純物はＡｌ展伸材
の機械的強度や加工性改善に用いられるので、Ａｌ合金
ターゲットに混入する率が高いが、光学的情報記録用媒
体の反射層としては適さないのである。

【００１８】Ｃｒもまた展伸材用Ａｌ合金をリサイクル
した場合に混入しうる不純物であり、０．３重量％以下
とする必要がある。Ｃｒ自体はＴａ、Ｔｉと同様Ａｌへ
の固溶度が低く、析出によりＡｌ合金の物性が変化して
しまうからである。また、均一に混合するのも難しいた
めターゲットの量産を難しくする。従って、これら耐食
性及び析出性の観点から有害な不純物元素は各々０．３
重量％以下に抑制する必要がある。

【００１９】さらにまた、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｒ以
外の不純物、特にターゲット製造段階で混入しうる不純
物は、反射層の耐食性を劣化させたり、熱伝導率を変動
させて記録感度等に影響を及ぼす傾向があるので、Ｍ
ｇ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒを除く
残部Ａｌの不純物量は０．２重量％以下に抑えるのが好
ましい。このため、Ａｌのリサイクル原料として高純度
のものを用いるのが好ましく、９９．８重量％以上の高
純度のＡｌを利用することが望ましい。

【００２０】これらの不純物元素は一般的に、得られた
スパッタ膜の結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を増
加させて熱伝導率を低下させてしまうと考えられる。特
に相変化媒体では、非晶質マーク形成の際に十分な冷却
速度を得るために、高熱伝導度の反射層材料が好ましい
ため、特に上記組成を用いるのが好ましい。なお、本発
明の反射層はスパッタリング法で形成されるが、ターゲ
ットそのものの不純物量もさることながら、スパッタリ
ング中に反射層に取り込まれる水分や酸素など、ターゲ
ットに含まれる元素以外の不純物元素量も重要である。
従って、ターゲットに含まれる元素以外の不純物元素量
を、反射層としてのＡｌ合金薄膜において２原子％未満
とすることが望ましい。ただし、スパッタリングガスと
して用いられるＡｒ、Ｘｅ、Ｎｅなど成膜中に不可避的
に取り込まれる希ガスはこの限りではない。

【００２１】このためには、スパッタリング時のプロセ
スチャンバの到達真空度は１×１０ ^-3Ｐａ未満とするこ
とが望ましい。また、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、よ
り好ましくは５ｎｍ／秒以上とすれば付加的な不純物混
入を極力防ぐことができ望ましい。膜中の不純物組成あ
るいは結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲットの製
法やスパッタガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等）にも依存す
る。スパッタガスとしてＡｒを用いる場合はＡｒガス圧
０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

【００２２】本発明においては、スパッタリングレート
を安定化させ異常放電を防止する目的で、鋳造された上
記組成のＡｌ合金をさらに鍛造して緻密にしたのち、所
定形状に加工して合金ターゲットとして用いるのが望ま
しい。鍛造とは、上記組成に調整され鋳造されたＡｌ合
金を、最終的なターゲット形状に近い容器中に入れ、４
００〜５００℃に加熱して加工性を増した状態で加圧圧
縮することにより、鋳造合金中のミクロな空孔等を除去
する工程である。

【００２３】なお、光ディスクの反射層としてはいくつ
かの特定組成が開示されているが（例えば、特開平３−
１３３８、特開平１−１６９５７１、特開平１−２０８
７４４、特開平２−１２８３３２、特開平４−２３８１
２５、特開平８−２４１５３６等）、いずれも本願発明
のごとく高耐食性、高熱伝導率と大量生産のしやすさを
兼ね備えた反射層材料という本願の目的も、また本願発
明の特定の添加元素と組成範囲の組み合わせも示唆する
ものではない。

【００２４】また、本願発明においては合金ターゲット
製造時に実際に混入しやすい特定元素が光学的情報記録
用媒体の反射層として有害であることを明らかにし、そ
の量を特定値以下に抑えることで光学的情報記録用媒体
の経時安定性を改善しているが、この点についても本願
で初めて明らかにされたものである。次に、本発明に好
ましく用いられる相変化型光記録媒体の構造及び記録方
法について説明する。

【００２５】本発明においては、基板上に少なくとも記
録層と反射層を設けるが、記録層の上下は保護層で被覆
されていることが望ましい。さらに望ましい層構成の一
例として、図１に示すように、基板１／第１保護層２／
記録層３／第２保護層４／反射層５の構成を有し、その
上に保護コート層６を設ける。これは透明である基板１
を介して記録再生用の集束光ビームを記録層に照射する
場合に適している。

【００２６】第１保護層２、第２保護層４の材料として
はいずれも誘電体が好ましく、保護コート層６は通常紫
外線もしくは熱硬化性の樹脂である。記録層３、保護層
２、４、反射層５はスパッタリング法などによって形成
される。記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必
要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャン
バー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが
各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。図１に示す構
成の光学的情報記録用媒体の基板には、ポリカーボネー
ト、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるい
は透明ガラスを用いることができる。なかでも、ポリカ
ーボネート樹脂はＣＤにおいて最も広く用いられている
実績もあり、安価でもあるので最も好ましい。

【００２７】本発明の媒体の記録層３は光磁気型もしく
は相変化型の記録層が用いられるが、本発明は特に相変
化型光学的情報記録用媒体に適用すると著しい効果が得
られる。なぜなら、相変化型媒体は、記録層を加熱し冷
却する熱履歴の違いによって、相異なる２以上の結晶状
態の間で可逆的変化を生じさせることで情報の記録消去
を行うため、反射層の放熱効果を正確にコントロールす
ることがとりわけ重要となるからである。なお、上記結
晶状態には非晶質状態、及び非晶質と結晶の混合状態を
含む。

【００２８】また、光磁気型記録層に比べて相変化型記
録層は透過率が大きいため、記録層を透過した記録光／
再生光が反射層で反射されて生じる多重干渉効果が促進
されるので、相変化媒体の反射層は高い反射率を安定的
に有する必要がある。本発明で用いる相変化型記録層
は、特に限定されないが、結晶・非晶質いずれの状態も
安定でかつ両状態間の高速の相転移が可能であるものが
望ましい。例えば、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶点近傍のＳｂＴｅ
合金を主成分とする、ＭＳｂＴｅ合金（ここでＭはＩ
ｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｖのうちの少なくとも１種）からなる薄膜で
ある。より好ましくは、Ｍ_w（Ｓｂ_zＴｅ_1-z）_1-w合
金（ただし、０＜ｗ≦０．２、０．６≦ｚ≦０．９、Ｍ
＝Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、
Ｔａ、Ｎｂ、Ｖのうちの少なくとも１種）からなる薄膜
である。なお、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶点近傍のＳｂＴｅ合金
を主成分とする場合、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶点組成を基本と
してＳｂ／Ｔｅ比により線速依存性が左右される。

【００２９】上記ＳｂＴｅ合金にＩｎ、Ｇａ及びＧｅ、
Ｓｎ、Ｓｉ、Ｐｂを添加することは、結晶化温度を上昇
させて経時安定性を高める効果がある。また、Ｉｎ、Ｇ
ａはスムースな非晶質マークと結晶領域との境界を形成
しマーク端検出におけるノイズを小さくできるので、マ
ーク長記録に適している。また、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＰｔＣｒ、Ｃｏはそれ自身もしくはそ
れらとＳｂもしくはＴｅとの化合物が高融点であるた
め、微細な分散したクラスターとして析出して結晶核と
なり、高速結晶化に寄与する。しかし、多すぎるとかえ
って非晶質マークの安定性を損なう。

【００３０】Ｏ、Ｓ、ＳｅはＴｅと同族であり、Ｔｅの
鎖状ネットワークに入り込んで、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶合金
の結晶化温度、屈折率、粘度を微調整するのに利用でき
る。しかし、いずれの添加元素も２０原子％を超えると
偏析・相分離を生じやすくなる。特に、繰り返しオーバ
ーライトにより偏析を生じ易く安定な記録ができなくな
るため、添加元素の総量は２０原子％以下とする。さら
に、繰り返しオーバーライト耐久性の観点からはいずれ
の原子も単独では１０原子％以下とすることが望まし
い。特にＯ、Ｓ、Ｎ、Ｓｅは５原子％を超えて混合する
と結晶化速度が遅くなりすぎる傾向があるので、５原子
％以下とすることがより好ましい。

【００３１】記録層３の両側には第１保護層２及び第２
保護層４を設ける。記録層が相変化型記録層である場
合、一般に、保護層は記録時の高温による基板や記録層
の変形を防止する目的があるが、そのほかにも様々な機
能を有する。図１の第２保護層４は、記録層と反射層の
間の相互拡散防止、放熱などの熱伝導コントロールの機
能を有する。また、特に相変化媒体では記録層の溶融に
よる流出、変形防止機能もある。

【００３２】また、図１の構造の光記録媒体２枚を、記
録層面を内側として接着剤で貼り合せて両面記録媒体と
してもよい。保護層２及び４の材料は、屈折率、熱伝導
率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決
定する。一般的には透明性が高く高融点である金属や半
導体の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等の
フッ化物を用いることができる。これらの酸化物、硫化
物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる
必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御した
り、混合して用いることも有効である。

【００３３】特に、書換型の相変化型記録媒体であれ
ば、繰返し記録特性を考慮すると誘電体混合物を用いる
のが好ましい。より具体的には、ＺｎＳや希土類硫化物
と酸化物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物の混合物が挙
げられる。第２保護層は上述のように、記録層からの放
熱をさせると同時に、熱伝導を遅くして記録層の結晶化
を促すという熱伝導をコントロールする機能を有する。
従って第２保護層４の材料としては熱伝導がある程度低
い方が望ましい。具体的にはＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴａＳ₂
もしくは希土類硫化物を単独もしくは混合物として２０
ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含み、さらに、融点もし
くは分解温度が１０００℃以上の耐熱性化合物を含む複
合誘電体が望ましい。

【００３４】より具体的にはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙ等の
希土類の硫化物を５０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含
む複合誘電体が望ましい。あるいは、ＺｎＳ、ＺｎＯも
しくは希土類硫化物の組成の範囲を７０〜９０ｍｏｌ％
とすることが望ましい。これらと混合されるべき融点も
しくは分解点が１０００℃以上の耐熱化合物材料として
は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、窒化物、炭化物やＣ
ａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。特
にＺｎＯと混合されるべき材料としては、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｎｄ等希土類の硫化物あるいは硫化物と酸化物の混
合物が望ましい。

【００３５】ただし、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ
₃、ＡｌＮ、ＳｉＮ等を主成分とする薄膜は、それ自身
の熱伝導率が高すぎるため好ましくない。保護層２、４
の膜密度はバルク状態の８０％以上であることが機械的
強度の面から望ましい。混合物誘電体薄膜を用いる場合
にはバルク密度として下式の理論密度を用いる。

【００３６】ρ＝Σｍ_iρ_i （１）ｍ_i：各成分ｉのモル濃度 ρ_i：単独のバルク密度繰り返しオーバーライト時の熱ダメージによる基板変形
を抑制するためには、第１保護層はある程度の膜厚が必
要である。膜厚が７０ｎｍ未満になると、繰り返しオー
バーライト耐久性が急激に悪化する。特に、繰返し回数
が数百回未満の初期に急激にジッタが増加する。本発明
者等の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による観察によれば、
この初期劣化は基板表面が２〜３ｎｍ程度へこむ変形に
よるものである。

【００３７】基板変形を抑制するためには、記録層の発
熱を伝えないために熱絶縁効果があり、かつ機械的に変
形を押さえ込むような保護層膜厚が必要である。この種
の媒体に必要とされる最低１０００回の耐久性を達成す
るためには、第１保護層の膜厚が６０ｎｍ以上が好まし
く、より好ましくは８０ｎｍ以上である。さて、媒体の
反射率の第１保護層膜厚依存性に着目すると、通常、反
射率は膜厚に対して極大と極小とのあいだで周期的な変
化を示す。第１保護層の屈折率を２．０〜２．３程度と
すると、波長７８０ｎｍに対しては６０〜８０ｎｍで反
射率極小となり、０ｎｍ及び１５０ｎｍ程度で極大とな
る。従って、１５０ｎｍより厚くすることは光学的には
あまり意味がない。むしろ、膜厚が厚くなると溝底部及
びランド部に比べて溝壁の保護層膜厚が薄くなることで
繰返し記録特性が悪くなるという、いわゆる溝カバレッ
ジの問題などが発生しやすくなる。また、波長が短くな
るほどこの反射率変化の周期は短くなるので、７８０ｎ
ｍより短波長においても１５０ｎｍより厚くしても意味
がないのは同様である。

【００３８】また、第２保護層４が１５ｎｍより薄いと
記録層溶融時の変形等によって破壊されやすく、また反
射層への放熱効果が大きすぎて記録に要するパワーが不
必要に大きくなってしまう。従って膜厚は１５ｎｍ以上
が好ましい。反射層への放熱効果を妨げないためには６
０ｎｍ以下とするのが好ましい。特に相変化媒体では、
膜厚が厚くなると、第２保護層内部での記録層側の温度
が高く反射層側の温度が低いという温度勾配がさらに急
になり、保護層自体に熱膨張による変形が生じやすくな
る。

【００３９】本発明の媒体の記録層３は光磁気型もしく
は相変化型の記録層であり、その厚みは１０ｎｍから３
０ｎｍの範囲が好ましい。記録層３の厚みが１０ｎｍよ
り薄いと十分な信号強度、コントラストが得られにく
い。特に相変化型記録層では厚みが薄すぎると短時間で
の記録消去が困難となりやすいため１０ｎｍ以上とす
る。結晶加速度を速くするためには、好ましくは１５ｎ
ｍ以上とする。

【００４０】一方、膜厚が３０ｎｍを超すとやはり光学
的なコントラストが得にくくなり、また熱容量が大きく
なるために記録感度が悪くなる。特に相変化型記録層で
は、相変化に伴う記録層の体積変化は記録層が厚くなる
ほど大きくなり繰返しオーバーライト時に保護層及び基
板表面等に微視的な変形が蓄積されノイズの上昇につな
がりやすい。第２保護層膜厚が３０ｎｍ以上と厚い場合
には、記録層厚みは３０ｎｍが限度であり、それより厚
いと繰り返しオーバーライトによる劣化が著しくなる。
より好ましくは２５ｎｍ以下とする。

【００４１】記録層３及び保護層２、４の厚みは、上記
機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、反射層への
適度な熱拡散、多層構成に伴う干渉効果、すなわちレー
ザー光の吸収効率が良く、記録信号の振幅、すなわち記
録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように
選ぶ。相変化型記録媒体に用いる場合、反射層５は記録
層からの放熱を促すために高熱伝導率であることが望ま
しい。この場合、熱伝導率として重要なのはバルク状態
の値ではなく、あくまで実際に第２保護層上に形成され
た薄膜状態での熱伝導率である。薄膜の熱伝導率はバル
ク状態の熱伝導率と大きく異なり、一般には小さい。特
に膜厚が４０ｎｍ未満の薄膜では成長初期の島状構造の
影響で熱伝導率が１桁以上小さくなる場合がある。さら
に、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なり、これ
が同じ組成でも熱伝導率が異なる要因になる。

【００４２】反射層の熱伝導率は直接測定することも可
能であるが、本発明においては、良好な特性を示す高熱
伝導率の反射層５を規定するために熱伝導の良否を電気
抵抗を利用して見積もる。金属膜のように電子が熱もし
くは電気伝導を主として司る材料においては熱伝導率と
電気伝導率は良好な比例関係があるためである。薄膜の
電気抵抗はその膜厚や測定領域の面積で規格化された抵
抗率値で表すことができる。体積抵抗率と面積抵抗率は
通常の４探針法で測定でき、ＪＩＳＫ７１９４によっ
て規定されている。この方法によれば、薄膜の熱伝導率
そのものを実測するよりもはるかに簡便かつ再現性の良
いデータが得られる。

【００４３】本発明において好ましい反射層は体積抵抗
率でいうと２０ｎΩ・ｍ以上１５０ｎΩ・ｍ以下、より
好ましくは２０ｎΩ・ｍ以上１００ｎΩ・ｍ以下であ
る。体積抵抗率１５０ｎΩ・ｍより体積抵抗率が大きい
場合でも、たとえば３００ｎｍより厚膜とすれば面積抵
抗率を下げることはできるが、本発明者らの検討によれ
ば、このような高体積抵抗率材料で面積抵抗率のみ下げ
ても、十分な放熱効果は得られなかった。すなわち、膜
厚２００ｎｍ以下で面積抵抗率０．２以上０．９Ω/ □
未満となるような、低体積抵抗率の材料が好ましい。

【００４４】これは、厚膜では単位面積当たりの熱容量
が増大してしまうため、反射層自体の放熱がかえって遅
くなってしまうからと考えられる。また、このような厚
膜では成膜に時間がかかり、材料費も増えるため製造コ
ストの観点から好ましくない。なお、体積抵抗率２０ｎ
Ω・ｍ未満の材料は薄膜状態では実質的に得にくい。反
射層５を成膜する際には、上記反射層の面積抵抗値がほ
ぼ一定、例えば変動幅±１０％以内となるように反射層
の膜厚を調整するのが好ましい。面積抵抗値の変化は記
録感度の変化につながりやすい。

【００４５】合金ターゲットには個々に微妙な組成変動
があったり、ターゲット使用の進行に伴い組成変動が生
じたりすることがあり、Ａｌ合金反射層の熱物性（特に
熱伝導率）が変化することがあるが、上述のように電気
抵抗値を測定し面積抵抗率を一定に保つように膜厚の微
調整を行えば、反射層の放熱効果を一定に保って、熱履
歴を利用した光磁気記録媒体や、相変化記録媒体の記録
マーク形成過程を一定することができ、量産時における
再現性を良くすることができる。

【００４６】反射層５の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以
上３００ｎｍ以下とする。４０ｎｍ未満では島状構造が
残って熱伝導率が大きくなったり反射率が低下しやす
い。３００ｎｍより厚いとそれ自体の熱容量が大きくな
って記録感度低下や放熱効果の低下がある。本発明者ら
の検討によれば、図１の層構成において３０〜６０ｎｍ
と厚く設けた第２保護層４に極めて高熱伝導率の反射層
５を組み合わせることにより、従来の急冷構造よりも記
録感度および線速依存性を改善できるという効果をも得
られる。

【００４７】本発明においてはこのような反射層５とし
て、低コストのＡｌＭｎＳｉＭｇＴｉ合金ターゲットを
スパッタリングして設けた反射層を用いることによっ
て、高熱伝導率と耐食性を損ねることなくコスト削減を
実現できる。また、望ましい層構成の他の一例として、
図２に示すように、基板１’／反射層５’／第２保護層
４’／記録層３’／第１保護層２’の順に積層する。こ
れは第１保護層２’側から集束光ビームを入射する場合
であり、ＮＡが０．７以上で記録層と対物レンズの距離
を縮める必要が高い場合に特に有用である。この構成で
は、基板は透明である必要はなく、むしろ平坦性や剛性
を高めるためにガラスやアルミニウム合金を用いること
が好ましい場合がある。

【００４８】本層構成において、記録層３’、第１保護
層２’、第２保護層４’、反射層５’の各層の機能、材
料、組成、膜厚等は基本的には図１に示す構成の場合と
同じである。ただし、図２の第２保護層４’は図１の第
２保護層４と同様に記録層と反射層の間の相互拡散防
止、反射層への放熱、及び記録層の流動・変形防止の機
能を有し、第１保護層２’は記録層の変形防止に加え
て、記録層と空気との直接接触防止（酸化汚染等の防
止）、光ピックアップとの接触からの保護といった機能
がある。

【００４９】図２の第１保護層２’の外側にはより硬質
の誘電体や非晶質カーボン保護層を設けたり、紫外線あ
るいは熱硬化性樹脂層を設けることが望ましい。あるい
は、厚さ０．０５〜０．６ｍｍ程度の透明な薄板を貼
り、この薄板を介して集束光ビームを入射することも可
能である。また、図２の構造の光記録媒体２枚を、記録
層面を外側として接着剤で貼り合せて両面記録媒体とし
てもよい。あるいは、基板１’の両面に射出成形によっ
てトラッキング用の溝を形成し、両面にスパッタ法によ
って多層膜２’、３’、４’、５’を形成して両面媒体
としても良い。

【００５０】

【実施例】以下、実施例を示すが、本発明はその要旨を
超えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
以下の実施例では、基板は射出成形で作成した。各層組
成は蛍光Ｘ線分析、原子吸光分析、Ｘ線励起光電子分光
法等を組み合わせて確認した。保護層の膜密度は基板上
に数百ｎｍ程度に厚くつけた時の重量変化から求めた。
膜厚は蛍光Ｘ線強度を触針計で測定した膜厚で校正して
用いた。

【００５１】反射層の面積抵抗率は４探針法抵抗計（Lo
resta FP 、（商品名）三菱油化（現ダイアインスツル
メント）社製）で測定した。抵抗測定は、絶縁物である
ガラスもしくはポリカーボネート樹脂基板上に成膜した
反射層、あるいは、図１の４層構成（紫外線硬化樹脂保
護コート前）成膜後、最上層となる反射層で測定した。
第２保護層が誘電体薄膜で絶縁物であるため、面積抵抗
率測定に影響はない。また、実質的に無限大の面積とみ
なせる、直径１２０ｍｍのディスク基板形状のまま測定
している。

【００５２】得られた抵抗値Ｒを元に以下の式で、面積
抵抗率ρ_S及び体積抵抗率ρ_Vを計算した ρ_S＝Ｆ・Ｒ（２） ρ_V＝ρ_S・ｔ（３）ここで、ｔは膜厚、Ｆは測定する薄膜領域の形状で決ま
る補正係数であり、４．３〜４．５の値をとる。ここで
は４．４とした。

【００５３】本実施例においては、書き換え型ＣＤ（Ｃ
Ｄ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ, ＣＤ−ＲＷ）媒体に本発明
を適用した。射出成形された直径１２０ｍｍのポリカー
ボネート樹脂基板には、オレンジブック・パート３・バ
ージョン２．０（ＣＤ−ＲＷの規格書）に準拠するよ
う、ＡＴＩＰ信号を付加された幅約０．４５μｍ、深さ
約３５ｎｍ、トラックピッチ１．６μｍの螺旋状の溝が
形成されている。作成したディスクの反射率、変調度等
は上記規格書に準拠している。

【００５４】記録にはＰｈｉｌｉｐｓ社製のＣＤ−ＲＷ
評価機ＥＭＴ３を用い、上記ＣＤ−ＲＷ規格書に記載さ
れたパルス分割方法を用いた。図３にそのパルス分割方
法（パルスストラテジー）を示す。図３において、Ｐｗ
は記録層を溶融させ急冷によって非晶質マークを形成す
るための記録パワー、Ｐｅは非晶質マークを再結晶化に
よって消去するための消去パワーであり、バイアスパワ
ーＰｂは再生光Ｐｒとほぼ同じとした。特に断りの無い
限り、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５で一定であり、Ｐｗは１２〜
１３ｍＷである。

【００５５】記録時の線速はＣＤの２倍速（２．４ｍ／
ｓ）で、クロック周期は１１５ナノ秒である。再生評価
にはパルステック製ＤＤＵ１０００テスターを用い、デ
ィスク全面にＥＦＭ変調信号を記録した。光ヘッドの波
長は約７８０ｎｍ、ＮＡは約０．５であり、再生光パワ
ーは０．８ｍＷである。再生時には線速度をＣＤの２倍
速（１．２ｍ／ｓ）まで低下させた。エラーレートはＣ
Ｄ規格で定義された平均ブロックエラーレート（ＢＬＥ
Ｒ）を測定した。ＢＬＥＲ測定にはケンウッド社製デコ
ーダー（ＤＲ３５５３）を使用した。ＤＤＵ１０００か
らの出力信号を直接本デコーダーに導入した。

【００５６】なお、記録信号の品質は、ＣＤ−ＲＷの規
格であるオレンジブック・パート３に照らして十分規格
範囲内の特性であった。例えば、再生速度が１倍速
（１．２ｍ／ｓ）のときにジッタの許容値は３５ナノ秒
であるが、測定値は１５〜２０ナノ秒以下であった。

【００５７】（実施例１）層構成を第１保護層（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀を１０５ｎｍ、Ａｇ₅Ｉｎ₅Ｓｂ
_63.5Ｔｅ_26.5記録層を１６ｎｍ、第２保護層（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀を４２ｎｍ、反射層を膜厚１６０ｎｍ
とした。反射層は、Ｓｉ：０．９１重量％、Ｍｇ：０．
９０重量％、Ｍｎ：０．７０重量％、Ｔｉ：０．１５重
量、Ｆｅを０．２４重量％、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒを各々
０．００重量％（検出限界以下）含み、残部Ａｌの純度
は９９．８重量％以上であるアルミニウム合金ターゲッ
トをスパッタリングして形成した。

【００５８】このターゲットは鋳造後、約４５０℃に加
熱して鍛造されている。本合金ターゲットの組成は鋳造
後にＪＩＳＨ１３０５−７６による発光分析法で測定
した。ただし、この測定法自体を特に限定するものでは
ない。反射層の成膜は到達真空度２×１０^-4Ｐａ以下、
Ａｒ圧約０．６Ｐａ、成膜レート約８ｎｍ／秒で行っ
た。反射層中の酸素、窒素等の不純物はＸ線励起光電子
分光での検出感度以下で、全部併せてもほぼ１原子％未
満であると見なせた。

【００５９】また、反射層の体積抵抗率は約９０ｎΩ・
ｍ、面積抵抗率は約０．５３Ω/ □であった。（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀保護層の膜密度は３．５０ｇ／ｃ
ｍ³で理論的バルク密度３．７２ｇ／ｃｍ³の９４％で
あった。成膜直後の記録層は非晶質であり、長軸約７０
μｍ、短軸約１．３μｍに集光した波長８３０ｎｍのレ
ーザー光ビームにより線速３〜４ｍ／ｓで初期化パワー
５００〜８００ｍＷを照射して全面結晶化させ初期（未
記録）状態とした。

【００６０】２倍速記録において、記録信号の品質はＣ
Ｄ−ＲＷ規格を十分満足するものであった。本試作デ
ィスクを８０℃／８５％相対湿度の環境下に１０００時
間保存した場合のブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）の
変化を図４に示す。図４においてＡｒｃｈｉｖａｌのグ
ラフは、加速試験前に記録された信号を加速試験後に読
み出した場合の信号品質を示すものであり、Ｓｈｅｌｆ
のグラフは、加速試験後に未記録領域に新たに記録した
場合の信号品質を示す。

【００６１】加速試験１０００時間後のＡｒｃｈｉｖａ
ｌ特性、Ｓｈｅｌｆ特性いずれにおいてもＢＬＥＲの増
加はほとんど見られず、良好な保存安定性が得られてい
ることがわかる。

【００６２】（比較例１、２）反射層を厚さ８０ｎｍあ
るいは１４０ｎｍの純Ａｌ（純度９９．９９％）とした
以外は実施例１と同様にディスクを作成した。反射層の
成膜は到達真空度２×１０^-4Ｐａ、Ａｒ圧０．５４Ｐ
ａ、成膜レートは１．４ｎｍ／秒でスパッタして行い、
その体積抵抗率は４６ｎΩ・ｍであった。実施例１と同
様に初期結晶化を行った。

【００６３】ディスク製造直後は良好な特性を示した
が、室温で２、３日放置すると反射層膜厚８０ｎｍ及び
１４０ｎｍのいずれにおいても、反射層に、結晶粒界に
応力に由来すると思われる１００μｍオーダーの欠陥が
多数見られ、製造直後に記録された情報を正しく再生す
ることが困難となった。

【００６４】（実施例２〜６、比較例３、４）実施例１
の層構成及び成膜条件において、反射層合金ターゲット
組成と反射層膜厚を表−１のように変化させてディスク
を作成した。いずれの場合にも、成膜レートは５ｎｍ／
秒〜１０ｎｍ／秒、体積抵抗率は約５０〜１００ｎΩ・
ｍ、面積抵抗率は約０．５〜０．９Ω／□の範囲内であ
った。これらディスクを８０℃、８５％相対湿度の環境
に５００時間保持したのち、再度実施例１と同様にブロ
ックエラーレート（ＢＬＥＲ）を測定した。結果を表−
１に示す。

【００６５】参考として表−２に、伸展材用Ａｌ合金の
ＪＩＳ規格６０６１、同６０６３、あるいは、ヨーロッ
パ規格ＥＡＡ６０８２合金の規格値を示す。なお、ＪＩ
Ｓ６０６１，ＪＩＳ６０６３においては、Ｍｎはその他
の不純物として扱われており規定がない。実施例２〜６
は、加速試験５００時間後のＡｒｃｈｉｖａｌ特性、Ｓ
ｈｅｌｆ特性いずれにおいてもＢＬＥＲの増加はほとん
ど見られず、良好な保存安定性が得られた。比較例３の
場合は、Ｆｅ含有量が０．４２重量％と本発明規定の上
限値を超えており、ＪＩＳ６０６１規格内ではあるもの
の耐食性に劣ることが分かる。

【００６６】一方、比較例４は有害不純物であるＦｅ含
有量が０．４４重量％と高い。また、Ｓｉ量及びＭｇ量
がともに低すぎる。このため、比較例１の高純度Ａｌに
近い特性を示し、結晶粒界のストレスに由来すると思わ
れる微細な剥離欠陥が生じたものと考えられる。これら
の結果は、既存のＡｌ合金規格内の合金を単に流用する
だけでは本発明の効果が得られないことを示している。

【００６７】

【表１】

【００６８】

【表２】

【００６９】

【発明の効果】本発明によれば、高熱伝導率、高耐食性
を有しながら、非常に安価で大量生産に適したＡｌ合金
反射層を提供することができ、コストパフォーマンスに
優れた光学的情報記録用媒体を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光学的情報記録用媒体の層構成の一例
の説明図

【図２】本発明の光学的情報記録用媒体の層構成の他の
一例の説明図

【図３】実施例で使用した記録パルスストラテジーの説
明図

【図４】実施例１の光学的情報記録用媒体のＢＬＥＲの
経時変化を示すグラフ

【符号の説明】

１、１’ 基板２、２’ 第１保護層３、３’ 記録層４、４’ 第２保護層５、５’ 反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｃ５３５Ｆ５３５ＧＢ４１Ｍ 5/26 7/26 ５３１Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１Ｃ２２Ｃ 21/00 Ａ // Ｃ２２Ｃ 21/00 Ｂ４１Ｍ 5/26 ＸＦターム(参考） 2H111 FB12 FB19 FB21 FB23 FB29 GA03 5D029 JA01 LB01 LB02 LB07 LC06 MA13 MA14 5D121 AA05 EE03 EE09 EE17 HH14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも記録層と反射層とを
設けた光学的情報記録用媒体であって、該反射層が、Ｍ
ｇを０．５〜２重量％含有し、Ｍｎを２重量％以下、Ｓ
ｉを２重量％以下、Ｔｉを０．２重量％以下それぞれ含
有し、かつＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒがそれぞれ０．３重
量％以下に規制され、残部がＡｌ及び不可避的不純物よ
りなるアルミニウム合金ターゲットをスパッタリングし
て形成されてなることを特徴とする光学的情報記録用媒
体。
【請求項２】基板上に第１保護層、膜厚が１０ｎｍ以
上３０ｎｍ以下のＭ _w（Ｓｂ_zＴｅ_1-z）_1-w合金から
なる相変化型記録層（ただし、０＜ｗ≦０．２、０．６
≦ｚ≦０．９。なおいずれも原子比。ＭはＩｎ、Ｇａ、
Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｖのうちの少なくとも１種）、膜厚が１５ｎｍ以上
６０ｎｍ以下の第２保護層、膜厚が４０ｎｍ以上３００
ｎｍ以下で体積抵抗率が２０以上１５０ｎΩ・ｍ以下の
反射層からなる、マーク長変調された非晶質マークの記
録・再生・消去に用いられる光学的情報記録用媒体であ
って、該反射層が、Ｍｇを０．５〜２重量％含有し、Ｍ
ｎを２重量％以下、Ｓｉを２重量％以下、Ｔｉを０．２
重量％以下それぞれ含有し、かつＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃ
ｒがそれぞれ０．３重量％以下に規制され、残部がＡｌ
及び不可避的不純物よりなるアルミニウム合金ターゲッ
トをスパッタリングして形成されてなることを特徴とす
る光学的情報記録用媒体。
【請求項３】波長４００以上８００ｎｍ未満の集束さ
れた光ビームを照射して記録・再生・消去を行うための
光学的情報記録用媒体であって、上記第１保護層の膜厚
が６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満で屈折率が２．０以上
２．３未満であり、記録層の膜厚が１５ｎｍ以上２５ｎ
ｍ以下であり、第２保護層の膜厚が３０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ未満で屈折率が２．０以上２．３未満である請求項２
に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項４】該反射層中の、該アルミニウム合金ター
ゲットに含まれる元素以外の不純物元素の含有量が２原
子％以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の光学
的情報記録用媒体。
【請求項５】基板上に少なくとも記録層と反射層とを
有する光学的情報記録用媒体を製造する方法であって、
該反射層を、Ｍｇを０．５〜２重量％含有し、Ｍｎを２
重量％以下、Ｓｉを２重量％以下、Ｔｉを０．２重量％
以下それぞれ含有し、かつＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒがそ
れぞれ０．３重量％以下に規制され、残部がＡｌ及び不
可避的不純物よりなるアルミニウム合金ターゲットを到
達圧力１×１０^-3Ｐａ未満、Ａｒガス圧０．１〜１０Ｐ
ａなる条件下で、１ｎｍ／秒以上の成膜レートでスパッ
タリングして形成されてなることを特徴とする光学的情
報記録用媒体。
【請求項６】上記合金ターゲットをスパッタリングし
て得られる上記反射層の面積抵抗値がほぼ一定となるよ
うに反射層の膜厚を調整する請求項５記載の光学的情報
記録用媒体の製造方法。