WO2004070812A1

WO2004070812A1 - 半透過半反射型電極基板の製造方法、及び反射型電極基板並びにその製造方法、及びその反射型電極基板の製造方法に用いるエッチング組成物

Info

Publication number: WO2004070812A1
Application number: PCT/JP2003/014810
Authority: WO
Inventors: Kazuyoshi Inoue
Original assignee: Idemitsu Kosan Co.,Ltd.
Priority date: 2003-02-05
Filing date: 2003-11-20
Publication date: 2004-08-19
Also published as: US20070037402A1; EP1592050A4; KR20050097538A; TW200422741A; EP1592050A1

Abstract

　選択的にエッチングできるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することである。少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層１２と、少なくともＡｌまたはＡｇからなる無機化合物層１４と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板を製造する方法であって、前記無機化合物層１４を燐酸、硝酸、酢酸からなるエッチング液λでエッチングする工程と、前記金属酸化物層１２を蓚酸を含むエッチング液σでエッチングする工程によって半透過半反射型電極基板を製造する。

Description

明細書半透過半反射型電極基板の製造方法、及び反射型電極基板並びにその製造方法、及びその反射型電極基板の製造方法に用いるエツチング組成物技術分野

本発明は、半透過反射型液晶電極基板を製造する方法に関するものである。また、半透過半反射型電極基板の製造に用いるエッチング液に関するものである。また、本発明は、反射型液晶や発光素子における反射型電極基板及びその製造方法、並びにその製造方法に用いるエッチング液に関する。背景技術

従来技術その 1 (半透過半反射型液晶）

従来から、半透過半反射型液晶が、以下に示す理由等から鋭意研究開発されている。

( 1 ) 半透過半反射であるため、屋外、屋内を問わず明るい表示が得られる。

( 2 ) 明るい場所で使用する場合、反射型として使用できるので消費電力をセーブできる。

( 3 ) 低消費電力に優れているため、携帯用ディスプレイに好適である。

( 4 ) フルカラー化も容易である。

しかし、半透過半反射型液晶では、液晶駆動用の電極部に反射電極と透過電極を同一画素内に設置する必要があり、製造工程が複雑で歩留まりの低下や高価格化や、透過モードと反射モードでの見え方が異なるために見えにくい等の問題があった。そこで、下記特許文献 1および特許文献 2等には、銀反射膜 1 2 0を形成後、保護膜 1 3 0でこの銀反射膜 1 2 0を覆い、その上に液晶駆動用の透過電極を設けた構造になっており、銀反射層と液晶駆動用の透過電極が互い違いに配置されている半透過半反射液晶表示装置が開示されている。なお、この特許文献 1および特許文献 2の半透過半反射液晶表示装置の全体構成を示す断面図が図 5 に示されている。この液晶表示装置は、第 1の基板 1 0 0と第 2の基板 1 1 0とが対抗して配置され、第 1の基板 1 0 0と第 2の基板 1 1 0との間隙に液晶が封入されている。さらに、第 1の基板 1 0 0上に銀反射膜 1 2 0と、銀反射膜 1 2 0上に形成された保護膜 1 3 0と、保護膜 1 3 0上に形成された透明電極 1 40 と、透明電極 1 4 0上に形成された配向膜から構成されている。このような構成によれば、反射膜の形成後において、配向膜の高温処理がなされても、銀反射膜 1 20を構成する結晶粒子の成長が抑えられるので、反射率の低下を防止することが可能となる。

また、下記特許文献 3には、単一の半透過反射膜を用いた構成に関してこの銀反射膜 1 2 0の下に補助的な反射機能を持つ S i薄膜等を設置した構成が開示されている。このような構成によれば、透過時反射時ともに、最適な明るさ · コントラストを維持しつつ、好みの色調で表示することが可能となる。

『特許文献 1』 '

特開 20 0 2— 4 9 0 34号公報

『特許文献 2』

特開 2 0 0 2— 4 9 0 3 3号公報

『特許文献 3』

特開 2 0 0 1— 3 0 5 5 2 9号公報従来技術その 2 (反射型液晶）

従来から反射型液晶は、 ①反射型であるため軽量で明るい表示が得られること、 ②バックライトが不要で消費電力を節約できること、 ③少ない消費電力で作動できるため、携帯用ディスプレイに好適であること等の理由から盛んに開発が進められている。

なかでもトップエミッション型有機ェレクトロルミネッセンス（electrolumine scence：以下 έ Lと記す）は、 ①固体素子であるためハンドリング性に優れること、 ②自己発光するため他の発光部材を必要としないこと、 ③視認性に優れるためディスプレイに好適であること、 ④フルカラー化が容易であること等の理由から注目されている。

上記反射型液晶、特にトップエミッション型有機 E L等の表示機器における駆動用の電極層には、通常反射型電極が用いられている。この反射型電極としては

、有機 E L等の発光効率の観点から、反射率が高いものが好ましい。

有機 E Lの反射型電極としては、例えば下記特許文献 4に、 O LEDと接する層が Mo， R u, V及ぴこれらの酸化物からなる反射型電極が開示されている。下記特許文献 5には、 C r と C r酸化物との積層膜、及び上記 C r及び C r酸化物の代わりに、 Mo , W, T a , N b , N i及び P t等の金属及びそれらの酸化物からなる積層膜を含む発光素子用の電極が開示されている。一方、液晶駆動用の反射型電極としては、反射率の高い A 1等を使用できることが知られている。

『特許文献 4』

国際公開第 WO 0 0/0 6 5 8 7 9号パンフレット

『特許文献 5』

特開 2 0 0 2— 2 1 6 9 7 6号公報従来技術その 3 (反射型液晶）

上記従来の技術その 2で述べたように、上記反射型液晶、特にトップエミッション型有機 E L等の表示機器における駆動用の電極層には、通常反射型電極が用いられている。

たとえば、下記特許文献 6には、 C r、 T a、 W、 T iおよび Mo等からなる金属酸化物層であって、金属酸化物層の厚み/ A g合金層の厚みの比を、金属酸化物層のエッチング速度/ A g合金層のエッチング速度の比より小さくすることにより、金属酸化物層と A g合金層間に生ずる段差を緩和することが提案されている。

一方、液晶駆動用の反射型電極としては、反射率の高い A g等を使用できることが知られている。

『特許文献 5』

特開 2 0 0 3— 3 6 0 3 7号公報発明の開示

第 1の目的（従来技術その 1に関して）

さて、上記の特許文献 1および 2によれば、透過電極部分と反射電極部分を別々の層に設置することになり、それぞれの層に対して「成膜一フォトリソグラフィ一によるエッチング一成膜ーフォトリソグラフィ一によるエッチング」を繰り返さなければならず、煩雑な作業が必要となり、工程間を移動させるための時間的なロスが発生していた。

上記問題について、本願発明者らが鋭意検討したところ、金属を腐食しない酸にはエッチングされるが、金属用のエッチング液には耐性がありエッチングされにくい透明導電膜を採用することにより「成膜一エッチング」の工程をより簡略化できることが判明した。

すなわち、本発明は、選択的にエッチングできる液を用いて、工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することを目的とする。第 2の目的（従来技術その 2に関して）

. また、上記 M o、 W、 T a、 N b、 N i、 P tや R u、 V、 C r等からなる反射型電極は反射率が低いため、有機 E Lの発光効率が低下してしまう。

特に有機 E Lの場合、反射型電極は陽極として用いられるため、発光効率の観点から、反射型電極の仕事関数は大きい方が好ましい。上記 M o等の金属群の仕事関数は比較的大きいが、有機化合物のイオン化ポテンシャルは 5 . 6〜5 . 8 e Vであるため、十分な値とはいえない。

反射率の大きな A 1を反射型電極として使用する場合、 A 1の仕事関数は 4 . 2であり、有機化合物のィオン化ポテンシャルに対し、大きくはない。

本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、 ①表面抵抗が小さく、 ②反射特性や耐久性に優れ、 ③仕事関数が大きい等の性質を有する反射型電極基板及び当該反射型電極基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の反射型電極基板はトップエミッション型有機 E L素子用の電極基板として特に有用である。第 3の目的（従来技術その 3に関して）

上記第 2の目的で述べたように、上記 M o等の金属群の仕事関数は比較的大きいが、有機化合物のイオン化ポテンシャルは 5 . 6〜 5 . 8 e Vであるため、十分な値とはいえない。反射率の大きな A gを反射型電極として使用する場合、 A gの仕事関数は 4 - 2であり、有機化合物のイオン化ポテンシャルに対し、大きくはない。

本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、上記第 2の目的と同様に、 ① 表面抵抗が小さく、 ②反射特性や耐久性に優れ、 ③仕事関数が大きい等の性質を有する反射型電極基板及び当該反射型電極基板の製造方法を提供することを目的とする。そして、上記第 2の目的と同様に、本発明の反射型電極基板はトップエミッション型有機 E L素子用の電極基板として特に有用である。本発明は、上記目的を達成するために、以下のような手段を採用する。第 1グループの発明 '

まず、主に上記第 1の目的を達成するための第 1グループの発明を説明する。この第 1グループの発明は、後に述べる第 1の実施の形態において詳細に説明されている。

1 . 本発明は、少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層と、少なくとも A 1または A gからなる無機化合物層と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板を製造する方法であって、前記無機化合物層を燐酸、硝酸、酢酸からなるエツチング液 λでェッチングする工程と、前記金属酸化物層を蓚酸を含むェッチング液びでエッチングする工程と、からなることを特徴とする。

従来は、「成膜ーフォトリソグラフィ一によるエッチング一成膜ーフォトリソグラフィ一によるエッチング」の工程を繰り返さなければならなかった。しかし、本発明によれば、「成膜一成膜一フォトリソグラフィ一によるエッチングーフォトリソグラフィ一によるエッチング」による工程で各層を成膜することができる。この結果、従来よりも工程をより簡略化することが可能となり、半透過半反射型液晶電極基板の製造時間を短縮することができる。

蓚酸を含むエッチング液 σは、 A gまたは A 1からなる無機化合物層にダメージを与えない範囲で、その他の酸、例えば、塩酸、硝酸、スルホン酸、ジスルホン酸等を少量添加しても良い。

2 . 本発明は、前記エッチング液えによる前記金属酸化畅層のエッチング速度 A と、前記エッチング液えによる前記無機化合物層のエッチング速度 Bと、の比である B Z Aの値を 1 0以上に設定することを特徴とする。

ここで、エッチング速度比の値とは、「A gまたは A 1からなる無機化合物層のエッチング速度ノ金属酸化物層のエッチング速度」と定義する。

A gまたは A 1からなる無機化合物層のェツチング速度と金属酸化物層のエツチング速度とのエッチング速度比の値が 1 0未満では、 A gまたは A 1からなる無機化合物層のエッチングをする場合に、下地の金属酸化物層までエッチングしてしまい、金属酸化物層にダメージを与えてしまうからである。

また、丁度エッチングが終了する時間より長くエッチングした場合をオーバーエッチング時間と定義すると、通常のエッチング工程の場合、丁度エッチングが終了する時間の 1 . 2倍から 2 . 0倍程度の時間でエッチングすることが多い。よって、このオーバーエツチング時間を考慮すると丁度ェツチングが終了する時間の 0 . 2〜 1 . 0倍の時間、下地である金属酸化物層がエッチングされることになるので、 A gまたは A 1からなる無機化合物層のエッチング速度と金属酸化物層のエッチング速度のエッチング速度比の値を大きくしておく必要がある。

3 . 本発明は、前記エッチング液；が 3 0〜 6 0 w t %の燐酸イオン、 1〜5 w t %の硝酸イオン、 3 0〜 5 0 w t %の酢酸イオンからなることを特徴とする

エッチング液； L中の陰イオンの組成が上記範囲以外の混合酸では、エッチング速度比の値が 1 0以上とするのが困難であり、下地である金属酸化物層にダメージを与えてしまう場合があるからである。さらに、上記範囲以外のエッチング液では、エッチングの速度が遅くなり、その結果、エッチング工程に多大な時間を要する場合もあるからである。また、上記範囲以外のエッチング液では、エッチング速度が速くなり、その結果、エッチング速度を制御することができず、下地である金属酸化物層にダメージを与えてしまう場合もあるからである。

4 . 本発明は、前記金属酸化物層がランタノイド系金属酸化物を含有したものであることを特徴とする。少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層にランタノィド系金属酸化物を含有しない場合には、エッチング速度比の値が 1 0以下になる場合があるからである。さらに、ランタノイド系金属酸化物を含有しない場合には、蓚酸を主成分とする酸でのエッチングが困難となるからである。

一方、金属酸化物層にランタノイド系金属酸化物を添加した場合には、エッチングの速度の比が 1 0以上とすることができる場合が多い。さらに、ランタノィド系金属酸化物を添加した場合には、蓚酸を主成分とするエッチングが可能となるからである。

5 . 本発明は、前記ランタノィド系金属酸化物が、酸化セリウム、酸化ブラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリ -ゥム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、および酸化ルテチウムからなる群から選択される 1種以上を含むことを特徴とする。ランタノイド系金属酸化物としては、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化テルビウム等を好適に選択することができる。これらの金属酸化物は、無毒性であり、入手がし易いからである。また、金属酸化物の価格、焼結時の焼結密度の上がりやすさ、焼結の時間、温度との関係から、好適にこれらの酸化物を選択することができるからである。

6 . 本発明は、前記ランタノイド系金属酸化物の含有量の割合が、金属酸化物の全金属原子に対して 0 . 1〜 1 0原子。 /₀未満であることを特徴とする。ランタノイド系金属酸化物の添加量は、 0 . 1〜 2 0原子％、好ましくは、 1 〜8原子％、より好ましくは、 2〜7原子％でぁる。ランタノイド系金属酸化物の添加量が 0. 1原子。 /₀未満では、添加の効果、すなわち、エッチングの速度の比を 1 0以上にすることができない場合があるからである。また、ランタノイド系金属酸化物の添加量が 1 0原子％以上では、金属酸化物層の導電性が劣化する場合があり、また、金属酸化物の透過性が低下する場合があるからである。

7. 本発明'は、前記無機化合物層が、 Au， P t , N dから選択される 1種以上を 0. 1から 3 w t %の範囲で含むことを特徴とする。

A g単体でも実施可能であるが、 Au, P t , N dを添加した方が、抵抗も低く、下地との密着性に優れ、熱湿度に対してもより安定した膜が得られるからである。' Au, P t , N dの添加量としては、 0. 1から 3 w t %の範囲で含んでいることが望ましい。なお、本特許では、、金属酸化物層上に成膜される金属層が A g単体または A1単体からなる場合にも便宜上無機化合物層と呼んでいる。また、本特許では、 Agまたは A1に Au、 Ptまたは Ndを添加したものも便宜上無機化合物と呼んでいる。 A u , P t , N dの添加量が、 0. 1 w t %未満では添加の効果、すなわち、

-抵抗を低く抑えることができ、下地である金属酸化物層との密着性に優れ、熱湿度に対してもより安定した膜を得ることができるという効果が得にくいからである。また、 Au， P t， N dの添加量が、 3 w t %以上では、抵抗が低くなり、下地との密着性が得られず、また、熱湿度に対して不安定となり、高価になる場合があるからである。好ましい Au, P t， N dの添加量としては、 0. 2〜2 w t %、より好ましくは、 0. 3〜1. 5 w t %である。

下記に記載されている課題を解決するための手段 8〜 1 4は、第二の金属酸化物層を A 1または A gからなる無機化合物層上に成膜する工程を有すること以外は、上記に記載されている課題を解決するための手段 1〜7と同様の作用効果を奏する。

8. 本発明は、少なくとも酸化インジウムからなる第一の金属酸化物層と、少なくとも A 1または A gからなる無機化合物層と、少なくとも酸化ィンジゥムまたは酸化亜鉛からなる第二の金属酸化物層と、をこの順で積層した半透過半反射電極基板を製造する方法であって、前記第二の金属酸化物層および前記無機化合物層を燐酸、硝酸、酢酸からなるエッチング液； Iでエッチングする工程と、前記第一の金属酸化物薄膜を蓚酸を含むェッチング液 σでエッチングする工程とからなることを特徴とする。

9. 本発明は、前記エッチング液 λによる前記第一の金属酸化物層のエッチング速度 Αと、前記エッチング液 λによる前記無機化合物層のエッチング速度 Bと、の比である Β/Αの値を 1 0以上に設定し、前記エッチング液 λによる前記無機化合物層のエッチング速度 Cと、前記エッチング液による前記第二の金属酸化物層のエッチング速度 Dと、の比 CZDを 0. 5〜2. 0の範囲に設定することを特徴とする。

1 0. 本発明は、前記エッチング液 Lが 3 0〜 6 0 w t %の燐酸イオン、 1〜5 w t %の硝酸ィオン、 3 0〜 5 0 w t %の酢酸ィオンからなることを特徴とする

1 1. 本発明は、前記第一の金属酸化物層がランンタノィド系金属酸化物を含有したものであることを特徴とする。 .

1 2. 本発明は、前記ランタノィド系金属酸化物が、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリニゥム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、および酸化ルテチウムからなる群から選択される 1種以上を含むことを特徴とする。

1 3. 本発明は、前記ランタノィド系金属酸化物の含有量の割合が、金属酸化物の全金属原子に対して 0. 1〜 1 0原子。 /₀未満であることを特徴とする。

1 4. 本発明は、前記無機化合物層が、 Au, P t， N dから選択される 1種以上を 0. 1から 3 w t % の範囲で含むことを特徴とする。第 2グループの発明

次に、主に上記第 2の目的を達成するための第 2グループの発明を説明する。この第 2グループの発明は、後に述べる第 2の実施の形態において詳細に説明されている。上記課題に鑑み、鋭意研究の結果、本発明者等は反射型電極基板の電極層として、反射効率の大きい A 1等からなる無機化合物層、及び電荷注入層として特定の元素を含む金属酸化物層を用いると、低い比抵抗を維持しつつ、仕事関数の大きな反射型電極基板が得られることを発見した。

そして、第 2グループの本発明は、以下の 3個の小グループ（2— 1、 2 - 2 、 2— 3 ) に分けられる。

1 . 本発明の第 2— 1グループは、基板上に少なくとも A 1からなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム、酸化亜鉛又は酸化錫から選ばれる 1種又は 2 種以上の酸化物からなる金属酸化物層とを、この順で積層した反射型電極基板である。

また本発明の第 2 _ 2グループは、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層及び前記無機化合物層を一括エッチングする工程を含む前記反射型電極基板を製造する方法に関するものである。

さらに本発明の第 2— 3グループは、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液のエッチング組成物に関するものである。

2 . 本発明の第 2 — 1グループの反射型電極基板において、金属酸化物層が結晶構造を有すると、その表面が粗くなるばかりでなく、表面に突起を有することにより、漏れ電流が発生することがある。このような反射型電極基板を有機 E L素子に使用した場合、発光効率が悪くなる場合もあるため、金属酸化物層は非晶質であることが必須である。

金属酸化物層における酸化ィンジゥムの含有量は、金属酸化物層における金属酸化物の全金属原子に対して 6 0〜 1 0 0原子％未満であるのが好ましい。酸化インジウムの含有量が 6 0原子。 /。未満となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなるため好ましくない。酸化インジウムの含有量が 1 0 0原子％であると、金属酸化物層が結晶化して漏れ電流が発生することがあるので好まくない。また金属酸化物層の結晶化を抑えるために、金属酸化物層に水や水素を添加してもよい。さらに酸化インジウムの含有量は、 9 6原子％以下であるのが好ましく、より好ましくは、 9 5原子％以下である。酸化インジウムの含有量を 9 6原子％以下にすることにより、金属酸化物層に水や水素を添加しなくても、金属酸化物層を非晶質とすることができる。また酸化亜鉛を添加することにより、金属酸化物層を非晶質にできる。その場合、 [ I _n] Z ( [ I n] + [Z n] ) (原子比）は 0 . 7〜0. 9 5であり、好ましくは 0. 8 5〜0. 9 5であり、より好ましくは 0. 8〜0. 9である。ここで、 [ I n] 、 [Z n] は金属酸化物層中の I nの原.子数、 Z nの原子数を示す。尚、原子数とは、金属酸化物層の組成物中における単位体積あたりの I n又は Z nの原子の個数である。

金属酸化物層の厚さは 2〜 3 0 0 nmであり、好ましくは 3 0〜 2 0 0 nmであり、より好ましくは 1 0〜 1 2 0 n mである。金属酸化物層の厚さが 2 n m未満となると、無機化合物層を十分に保護することができない。金属酸化物層の厚さが 3 0 0 nm超となると、反射型電極基板の反射効率が低くなり好ましくない無機化合物層の厚さは 1 0〜3 0 0 nmであり、好ましくは 3 0〜 2 5 0 n m であり、より好ましくは 5 0〜 2 0 0 nmである。無機化合物層の厚さが 1 0 n m未満となると、発光部層からの光を十分に反射することができないばかりでなく、反射型電極の抵抗が大きくなりすぎる場合がある。無機化合物層の厚さが 3 0 0 nm超となると、エッチング液を用いて金属酸化物層及び無機化合物層を一括エッチングする際、無機化合物層に段差が生じてまうことがあるので好ましくない。無機化合物層の表面は拡散反射面であってもよい。

無機化合物層等を形成するための基板の材質は特に制限はない。例えばガラスを用いても良いし、プラスチック及ぴシリコン等を用いても良い。

前記無機化合物層は主成分である A 1の他に A u， P t及び N dから選ばれる 1種以上の金属を 0. 1〜 3 w t %の範囲で含む。

無機化合物層における Au， P t及びN dの添加量は、 0. l〜3 w t %であり、好ましくは 0. ：!〜 2 w t %であり、より好ましくは 0. 5〜2 w t %である。添加量が 0. l w t %未満となると、添加効果が十分に現れない。添加量が 3 w t %超となると、無機化合物層の導電性が低くなるので好ましくない。

上記 Au等の金属の他に、第三成分として、無機化合物層の安定性や抵抗に影響しない範囲で別の金属を添加してもよい。第三成分とは、主要な Au等の金属以外の他の成分という意味である。

前記金属酸化物層の仕事関数は 5 . 6 e V以上である。

反射型電極基板の金属酸化物層の仕事関数を 5 . 6 e V以上にすると、有機 E L素子の電極基板に使用した場合、上記有機 E L素子の発光効率を高めることができる。このため、金属酸化物層の仕事関数を 5 . 6 e V以上にするのが好ましレヽ。より好ましくは、 5 . 8 e V以上である。

また金属酸化物層がランタノィド系金属酸化物を含有すると、金属酸化物層の仕事関数が 5 . 6 Θ V以上になり易い。

前記ランタノイド系金属酸化物は、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルピウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム

、酸化イッテルビウム、及び酸化ルテチウムからなる群から選ばれる 1種以上を含む。

前記ランタノィド系金属酸化物の含有割合が、金属酸化物層における金属酸化物の全金属原子に対して 0 . 1〜 1 0原子％でぁる。

金属酸化物層におけるランタノィド系金属酸化物の添加量は、金属原子の合計に対して 0 . 1〜 1 ◦原子％未満であり、好ましくは 1〜 1 0原子％未満であり、より好ましくは 2〜 5原子％未満である。添加量が 0 . 1原子。 /₀未満となると、金属酸化物層の仕事関数が 5 . 6 e V以上にならない場合がある。添加量が 1 0原子。 /₀以上となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎて導電性が低下してしまうことがあるので好ましくない。

3 . 上記本発明の第 2— 1グループの反射型電極基板は、以下に記載する本発明の第 2グループである反射型電極基板の製造方法により製造できる。

金属酸化物層は、酸素分圧が 0〜 5 %の雰囲気中で形成するのが好ましい。酸素分圧が 5 %以上となると、形成された金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎる場合がある。酸素分圧は、 0〜2 %とするのがより好ましく、 0〜 1 %とするのが特に好ましい。

燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層及び前記無機化合物層を一括エッチングする工程を含む。前記ェッチング液による前記無機化合物層のエツチング速度 Aと、前記金属酸化物層のエッチング速度 Bとの比である B /Aの値を 0 . 5〜2 . 0の範囲に設定する。

前記無機化合物層のエツチング速度 Aと、前記金属酸化物層のエツチング速度 Bとの比である B /Aの値の範囲は 0 . 5〜2 . 0であり、好ましくは 0 . 6〜 1 . 5であり、より好ましくは 0 . 6〜1 . 2である。エッチング速度の比である B ZAの値が 0 . 5未満となると、金属酸化物層のエッチング速度 Aよりも無機化合物層のエッチング速度 Bが速くなりすぎるため、無機化合物層の方が金属酸化物層よりも広範囲にエッチングされて金属酸化物層と無機化合物層との境目に段差が生じてしまう場合がある。エッチング速度の比である B ZAの値が 2 . 0超であると、金属酸化物層のエッチング速度 Aよりも無機化合物層のエツチング速度 Bが遅くなりすぎるため、金属酸化物層の方が無機化合物層よりも広範囲にエッチングされて、金属酸化物層と無機化合物層との境目に段差が生じてしまう場合がある。

前記エッチング液が 3 0〜 6 0 w t %の燐酸、 1〜 5 w t %の硝酸、及び 3 0

〜 5 0 w t %の酢酸からなる。

エッチング液において、燐酸の濃度が 3 0 w t %未満の場合、硝酸の濃度が 1 w t %未満の場合、又は酢酸の濃度が 3 0 w t %未満の場合は、エッチング液の寿命が短くなるだけでなく、無機化合物層が十分にエッチングされずに残渣が出たり、金属酸化物層及び無機化合物層を一括エッチングができなくなる場合がある。

またエッチング液において、燐酸の濃度が 6 5 w t %超の場合、硝酸の濃度が 5 w t %超の場合、又は酢酸の濃度が 5 0 w t %超の場合は、金属酸化物層及び無機化合物層のエッチング速度が速くなりすぎて制御できなくなり、エッチング速度の比である B y⁷ Aが上記範囲（0 . 5〜2 . 0 ) からはずれてしまう場合があるばかりでなく、金属酸化物層が劣化してしまうことがある。

上記エッチング液は、燐酸の濃度が 3 0〜 5 0 w t %であり、硝酸の濃度が 1 〜 5 w t %であり、酢酸の濃度が 3 0〜 5 0 w t %であるのがより好ましい。金属酸化物層にランタノィド系金属酸化物を添加することにより、金属酸化物層のエッチング速度を制御し易くなり、エッチング速度比である B / Aの値を 0 . 5 〜 2 . 0の範囲内に設定することが容易となる。

金属酸化物層は非晶質であるのが好ましい。金属酸化物層が非晶質であると、エッチングによる端面（エッチング面）の残渣がほとんど無くなるばかりでなく、反射型電極がテーパー状になるため、対抗電極とのショート等が起こりにくくなる。

4 . 本発明の第 2— 3グループの発明は、上記第 2— 2グループの反射型電極基板の製造方法におけるエッチング工程に用いるエッチング液であって、 3 0〜 6 0 w t %の燐酸、：！〜 5 w t %の硝酸、及ぴ 3 0〜 5 0 w t %の酢酸からなることを特徴とするエッチング組成物である。ここでエッチング組成物とは、エッチング液に含まれる組成物である。第 3グループの発明

次に、主に上記第 3の目的を達成するための第 3グループの発明を説明する。この第 3グループの発明は、後に述べる第 3の実施の形態において詳細に説明されている。

この第 3グループの発明は、さらに 2個の小グループ（3— 1 、 3 - 2 ) に分けられる。上記課題に鑑み、鋭意研究の,結果、本発明者等は反射型電極基板の電極層として、反射効率の大きい A g等からなる無機化合物層と、特定の元素を含む金属酸化物層と、を積層して用いると、低い比抵抗を維持しつつ、仕事関数の大きな反射型電極基板が得られることを発見した。

1 . 第 3— 1グループ（反射型電極基板）

本発明の第 3— 1グループは、基板上に少なくとも A gからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノィド系金属酸化物からなる金属酸化物層とを、この順で積層した反射型電極基板である。また本発明の第 2グループは、シュゥ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により'前記無機化合物層をエツチングする工程とを含む前記反射型電極基板を製造する方法に関するものである。

本発明の第 3— 1グループの反射型電極基板において、金属酸化物層が結晶構造を有すると、その表面が粗くなるばかりでなく、表面に突起を有することにより、漏れ電流が発生することがある。このような反射型電極基板を有機 E L素子に使用した場合、発光効率が悪くなる場合もあるため、金属酸化物層は非晶質であることが必須である。

金属酸化物層におけるインジウム原子の含有量は、金属酸化物層における全金属原子に対して 6 0原子％以上であるのが好ましい。ィンジゥム原子の含有量が 6 0原子％未満となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなるため好ましくない。また金属酸化物層が結晶化し、漏れ電流が発生することを抑えるために、金属酸化物層の製膜時に水や水素を添加してもよい。さらにインジウム原子の含有量は、 9 6原子％以下であるのが好ましく、より好ましくは、 9 5原子。 /₀以下である。ィンジゥム原子の含有量を 9 6原子。 /₀以下にすることにより、金属酸化物層の製膜時に水や水素を添加しなくても、金属酸化物層が非晶質となり、漏れ電流を防止することができる。また酸化亜鉛を添加することにより、金属酸化物層を非晶質にできる。その場合、 [ I n] Z ( [ I n] + [Z n] ) (原子比）は 0..7〜0. 9 5であり、好ましくは 0 · 8 5〜0. 9 5 であり、より好ましくは 0. 8〜0. 9である。ここで、 [ I n] 、 [Z n] は金属酸化物層中の I nの原子数、 Z IIの原子数を示す。また酸化亜鉛の代わりに、又は酸化亜鉛とともに酸化スズを金属酸化物層に添加してもよい。この場合、 [ I n] / ( [ I n] + [S n] ) (原子比）は 0. 7〜0. 9 7であり、好ましくは 0. 8 5〜0. 9 5であり、より好ましくは 0. 8 5〜0. 9 5である。ここで、 [S n] は金属酸化物層中の S nの原子数を示す。尚、原子数とは、金属酸化物層の組成物中における単位体積あたりの I n、 Z n又は S nの原子の個数である。

また、金属酸化物層の仕事関数は 5. 2 5 e V以上が好ましい。より好ましい金属酸化物層の仕事関数は 5. 6 0 e V以上である。さらに好ましくは、 5 . 8 0 e V以上である。

前記ランタノイド系金属酸化物は、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ッリウム、酸化イッテルビウム、及ぴ酸化ルテチウムからなる群から選ばれる 1 種以上を含む。

そして、このランタノィド系金属酸化物のランタノィド系金属原子の含有割合が、金属酸化物層における金属酸化物の全金属原子に対して 0 . 1〜 2 0原子％である。

金属酸化物層におけるランタノイド系金属原子の含有割合は、好ましくは 1 〜 1 0原子％未満であり、より好ましくは 2〜 5原子％未満である。添加量が 0 . 1原子。 /₀未満となると、金属酸化物層の仕事関数が 5 . 2 5 e V以上にならない場合がある。添加量が 2 0原子％以上となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎて導電性が低下してしまうことがあるので好ましくない。金属酸化物層の厚さは 2〜 3 0 0 n mであり、好ましくは 3 0〜 2 0 0 n m であり、より好ましくは 1 0〜 1 2 0 n mである。金属酸化物層の厚さが 2 n m未満となると、無機化合物層を十分に保護することができない。金属酸化物層の厚さが 3 0 0 n m超となると、反射型電極基板の反射効率が低くなり好ましくない。

無機化合物層の厚さは 1 0〜 3 0 0 n mであり、好ましくは 3 0〜 2 5 0 η mであり、より好ましくは 5 0〜 2 0 0 n mである。無機化合物層の厚さが 1 0 n m未満となると、発光部層からの光を十分に反射することができないばかりでなく、反射型電極の抵抗が大きくなりすぎる場合がある。無機化合物層の厚さが 3 0 0 n m超となると、エッチング液を用いて無機化合物層をエツチングする際、無機化合物層に段差が生じてまうことがあるので好ましくない。無機化合物層の表面は拡散反射面であってもよい。

無機化合物層等を形成するための基板の材質は特に制限はない。例えばガラスを用いても良いし、プラスチック及ぴシリコン等を用いても良い。 PC蘭 00麵 810 前記無機化合物層は主成分である A gの他に A u， C u, P d, Z r , N i ， C o及び N dから選ばれる 1種以上の金属を 0. 1〜 3 w t %の範囲で含むことが好ましレ、。

無機化合物層における Au， C u， P d， Z r , N i , C o又はN dの添加量は、 0. ：!〜 3 w t %であり、好ましくは 0. l〜2 w t %であり、より好ましくは 0. 5〜 2 w t %である。添加量が 0. 1 w t %未満となると、添加効果が十分に現れない。添加量が 3 w t %超となると、無機化合物層の導電性が低くなるので好ましくない。

上記 Au等の金属の他に、第三成分として、無機化合物層の安定性や抵抗に影響しない範囲で別の金属を添加してもよい。

2. 第 3— 2グループ（製造方法）

上記本発明の第 3— 1グループの反射型電極基板は、以下に記载する本発明の第 3— 2グループである反射型電極基板の製造方法により製造できる。

金属酸化物層は、酸素分圧が 0〜 5%の雰囲気中でスパッタリング製膜するのが好ましい。酸素分圧が 5 %以上となると、形成された金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎる場合がある。酸素分圧は、 0〜2%とするのがより好ましく、 0〜 1 %とするのが特に好ましい。

本発明の第 2グループの製造方法は、シユウ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエツチング液により前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む。

前記金属酸化物層をエッチングするエッチング液は、シユウ酸を 1〜 1 O w t %含むことが好ましい。 l w t %未満では、金属酸化物層のエッチング速度が遅い場合があり、 1 0 w t %超では、シユウ酸の結晶が析出する場合がある。特に好ましくは、 2〜5 w t %である。

前記無機化合物層をエツチング液するエッチング液は、 3 0〜 6 0 w t %の燐酸、 l〜5 w t %の硝酸、及び 30〜 5 0 w t %の酢酸からなる。

前記無機化合物層をエッチングするエッチング液において、燐酸の濃度が 3 0 w t %未満の場合、硝酸の濃度が 1 w t %未満の場合、又は酢酸の濃度が 3 0 w t %未満の場合は、エッチング液の寿命が短くなるだけでなく、無機化合物層が十分にエッチングされずに残渣が出たり、無機化合物層をエッチングができなくなる場合がある。

上記エッチング液は、燐酸.の濃度が 3 0〜 5 0 w t %であり、硝酸の濃度が 1 ~ 5 t %であり、酢酸の濃度が 3 0〜 5 0 w t %であるのがより好ましい本発明の反射型電極基板では、金属酸化物層が非晶質であるため、エツチングによる端面（エッチング面）の残渣がほとんど無い。また反射型電極がテーパー状になるため、対抗電極とのショート等が起こりにくレ、。図面の簡単な説明

図 1は、本実施の形態第 1グループの半透過半反射型電極基板を製造する工程を表す図である。

図 2は、本実施の形態第 1 グループの半透過半反射型電極基板を製造する工程を表す図である。

図 3は、本実施の形態第 1グループの半透過半反射型電極基板の断面図である図 4は、本実施の形態第 1グループの半透過半反射型電極基板の断面図である図 5は、本実施の形態第 1グループの半透過半反射型電極基板の平面図である図 6は、本実施の形態第 1グループの半透過半反射型電極基板の平面図である図 7は、従来の半透過半反射型電極基板の断面図である。

図 8は、本実施の形態第 2グループ中の実施例による反射型電極基板及びその製造方法を示す断面工程図である。

図 9は、本実施の形態第 2グループ中の実施例による反射型電極基板の縦断面図である。

図 1 0は、本実施の形態第 3グループ中の実施例による反射型電極基板及びその製造方法を示す断面工程図である。

図 1 1は、本実施の形態第 3グループ中の実施例による反射型電極基板の縦断面図である。発明を実施するための最良の形態

以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態について具体的に説明する。実施の形態第 1グループ

以下、本発明の好適な実施の形態第 1グループを図面に基づき説明する。実施の形態第 1グループは、上記第 1グループの発明に関する実施の形態であり、以下、具体的な実施例を 1 1個（実施例 1一 1〜実施例 1一 1 1 ) と、比較例を 2 個（比較例 1一 1〜比較例 1一 2 ) 説明する。

[実施例 1一 1 ]

まず、酸化インジウム一酸化セリウム（C e Z ( I n + C e ) = 4. 5原子⁰ /₀ ) からなる第一ターゲットを用いて、 S i〇₂をコートした青板ガラス基板 1 0 ( 図 1 ( 1 ) 参照）上に、金属酸化物層 1 2を成膜した。なお、この様子が図 1 ( 2) に示されている。また、金属酸化物層 1 2の成膜には、 D Cマグネトロンスパッタ装置（神港精機社製）を用いた。

なお、成膜時の青板ガラス基板 1 0の温度は 2 0 0°Cであった。また、成膜した金属酸化物層 1 2の膜厚は 7 5 nmであり、比抵抗は 3 8 0 Ω c mであった次に、金属酸化物層 1 2上に A g— P d— C u ( 9 8. 5 : 0. 5 : 1. 0 w t %) からなるターゲット A gを用いて、無機化合物層 1 4を成膜した。なお、無機化合物層 1 4の膜厚は 1 0 0 nmであった。この様子が図 1 ( 3) に示されている。また、この金属酸化物層 1 2および A gを主成分とする無機化合物層 1 4を併せて電極層と呼ぶ。また、図 1〜4では、金属酸化物層 1 2、金属酸化物層 1 2 a上に成膜する層を Agまたは A1からなる無機化合物層 1 4と便宜上呼んでいるが、この無機化合物層 1 4は Ag単体または A1単体から組成されていても良いし、 Agまたは Alを主成分とする化合物から組成されていても良い。なお、本特許では、 Agまたは A1に Au、 Pt、 Ndを添加したものを便宜上無機化合物と呼んでいる。

次に、無機化合物層 1 4を用いて複数のラインを形成するために無機化合物層 1 4をエッチングする。従って、上記エッチングにより残存した部分が無機化合物層 1 4のラインである。このエッチングにより残存した部分、すなわち、無機化合物層 1 4のラインが図 1 ( 4 ) に示されている。また、この無機化合物層 1 4を用いた複数のラインは、無機化合物層 1 4のラィンの幅が 4 0 /2 mであり、各無機化合物層 1 4のライン間のスペースがマ 0 μ mである。このような寸法となるようにマスクパターンを設計している。次に、上記のように設計されたマスクパターンを用いて無機化合物層 1 4をェツチングするために無機化合物層 1 4上に感光剤（レジスト）を塗布する。次に、上記レジスト上に上記マスクパターンからなるガラス板を載せる。次に、レジストを露光後、現像、ポストベータした。次に、 4 0 w t。/。の燐酸イオン、 2. 5 ^r t %の硝酸イオン、 4 0 w t %の酢酸イオンを含む水溶液を用いて、無機化合物層 1 4をオーバーエッチング 1 . 0 にてエッチングした。. このエッチングの結果が図 1 ( 4 ) に示されている。なお、この水溶液は、特許請求の範囲のエッチング液えの一例に相当する。次に、上記エッチングした青板ガラス基板 1 0を水洗 '乾燥した。次に、金属酸化物層 1 2を用いて複数のラインを形成するために金属酸化物層 1 2をエッチングする。従って、上記エッチングにより残存した部分が金属酸化物層 1 2のラインである。このエッチングにより残存した部分、すなわち、金属酸化物層 1 2のラインが図 1 ( 5 ) に示されている。また、この金属酸化物層 1 2を用いた複数のラインは、金属酸化物層 1 2のラィンの幅が 9 0 μ mであり、金属酸化物層 1 2のライン間のスペースが 2 0 μ m である。このような寸法となるようにマスクパターンを設計している。次に、上記のように設計されたマスクパターンを用いて金属酸化物層 1 2をェツチングするために電極層上に感光剤（レジスト）を塗布する。次に、このレジスト上に上記マスクパターンからなるガラス板を載せる。次に、レジストを露光後、現像、ポストベータした。この様子が図（5) に示されている。なお、レジストの露光は、図 3に示すように無機化合物層 1 4と金属酸化物層 1 2のエッジの一部（片側）が合うようにする。次に、蓚酸 4 w t %の水溶液を用いて、上記得られた金属酸化物層 1 2をエツチングした。なお、この水溶液は、特許請求の範囲のエッチング液 σの一例に相当する。また、レジストを剥離後、 1本の電極の抵抗を 5 c mの長さで測定したところ 0. 6 5 k Qであった。このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、上記の 40 w t %の燐酸イオン、 2. 5 w t %の硝酸イオン、 40 w t %の酢酸ィオンを含む 3 0 °Cの水溶液を用いた場合の無機化合物のエッチング速度と金属酸化物層 1 2のエッチング速度とのエッチングの速度の比は 40であつた。

[実施例 1一 2]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化インジウム一酸化スズー酸化セリウム（ I n/ ( I n + S n) = 9 0原子％、 C e / ( I n + S n + C e ) =4. 9原子％) からなる第二ターゲットを用いた。また、実施例 1一 1で用いた A g— P d— C u (9 8. 5 : 0. 5 : 1. 0 w t %) に替えて A g - Au 一 N i (9 8. 5 : 0. 5 : 1. 0 w t %) を用いた。それ以外については、実施例 1一 1 と同様の手法で行った。すなわち、第一の金属酸化物層 1 2 aおよび無機化合物層 1 4の成膜を行った。この様子が図 2の（ 1 ) 〜（3) に示されている。なお、本実施例 1一 2において成膜した第一の金属酸化物層 1 2 aすなわち、図 2の（2) に示されている第一の金属酸化物層 1 2 aは、図 1の（2) に示されている金属酸化物層 1 2と同様の金属酸化物層である。

次に、保護膜として酸化インジウム +酸化亜鉛（ I n/ ( I n + Z n ) = 7 5 原子⁰ /₀) からなる第三ターゲットを用いて第二の金属酸化物層 1 6を成膜した。なお、成膜時の温度は室温であった。また、第二の金属酸化物の膜厚は 2 0 n m mであった。この様子が図 2の（4 ) に示されている。

次に、実施例 1一 1 と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。なお、第一の金属酸化物層 1 2 aの比抵抗は 3 2 0 μ Ω c mであり、電極抵抗は 0. 6 1 k Qあった。この様子が図 2の（5 ) 、（6 ) に示されている。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2 aの表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエッチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、 3 0 w t %の燐酸イオン、 1 . 5 w t ⁰ /。の硝酸イオン、 4 0 w t ⁰/。の酢酸イオンを含む 3 0 °Cの水溶液を用いた場合の無機化合物のエッチング速度と、第一の金属酸化物層 1 2 aのエッチング速度とのエッチング速度比の値は 4 5であった。

また、 3 0 w t %の燐酸イオン、 1 . 5 w t %の硝酸イオン、 4 0 w t ⁰/。の酢酸イオンを含む 3 0 °Cの水溶液を用いた場合の無機化合物層 1 4のエッチング速度と、第二の金属酸化物層 1 6のエッチング速度のエッチング速度比の値は 1 . 5であった。

[実施例 1一 3 ]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズー酸化プラセオジム（ I n/ ( I n + S n) = 9 0原子⁰ /₀、 P r / ( I n + S n + P r ) = 4. 6原子％) の第四ターゲットを用いた。それ以外については、実施例 1一 1と同様の手法によって、金属酸化物層 1 2および無機化合物層 1 4の成膜を行った。

次に、実施例 1一 1 と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。なお、金属酸化物層 1 2の比抵抗は 4 5 0 μ Ω c mであつた。この様子が図 1の（1 ) 〜（5) に示されている。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、 3 0 w t。/。の硝酸イオン、 1 . 5 w t。/。の硝酸イオン、 4 0 w t %の酢酸イオンを含む 3 0 °Cの水溶液を用いた場合の無機化合物層 1 4のエッチング速度と、金属酸化物層 1 2のエッチング速度とのエッチングの速度の比は 3 8であつた。

[実施例 1一 4 ]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズー酸化ネオジゥム（ I nノ（ I n + S n) = 9 0原子。/。、 N d / ( I n + S n + N d ) = 3. 8原子⁰ /₀) の第五ターゲットを用いた。また、 A g — P d— C u ( 9 8. 5 : 0. 5 : 1 . 0 w t %) に替えて A g— P t — C o ( 9 8. 5 : 0. 5 : 1 . 0 w t %) を用いた。それ以外については、実施例 1 — 1と同様の手法により金属酸化物層 1 2および無機化合物層 1 4の成膜を行った。

次に、実施例 1 — 1 と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。この様子が図 1の（1 ) 〜（5 ) に示されている。なお、金属酸化物層 1 2の比抵抗は 4 2 0 μ Q c mであり、電極抵抗は 0. 6 7 k Ωであつ 7こ。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、 3 0 w t。/。の硝酸イオン、 1 . 5 w t %の硝酸イオン、 4 0 w t %の酢酸イオンを含む 3 0 °Cの水溶液を用いた場合の無機化合物層 1 4のエッチング速度と、金属酸化物層 1 2のエッチング速度とのエッチングの速度の比は 48であつた。

[実施例 1一 5]

実施例 1— 1で用いた第一タ^"ゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズー酸化サマリウム（ I nZ ( I n + S n) = 90原子⁰ /₀、 S m/ ( I n + S n + S m) = 3. 2原子⁰ /o) の第六ターゲットを用いた。また、 A g— P d— C u (9 8. 5 : 0. 5 : 1. 0 w t %) に替えて A g— C o— N i (98. 0 : 1. 0 : 1. 0 w t %) を用いた。それ以外については実施例 1一 1 と同様の手法により金属酸化物層 1 2および無機化合物層 14の成膜を行った。

次に、実施例 1一 1と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。この様子が図 1の（ 1) 〜（5) に示されている。なお、金属酸化物層 1 2の比抵抗は 720 μ Ω c mであり、電極抵抗は 0. 7 2 k Ωであった

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 14はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、 30w t %の硝酸イオン、 1. 5 w t %の硝酸イオン、 40 w t %の酢酸イオンを含む 30°Cの水溶液を用いた場合の無機化合物層 14のエッチング速度と、金属酸化物層 1 2のエッチング速度とのエッチングの速度の比は 40であつた。

[実施例 1一 6]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズ一酸化テルビゥム（ I n/ ( I n + S n) = 90原子⁰ 、 T bZ ( I n + S n+T b) = 4. 7原子。/。）の第七ターゲットを用いた。それ以外については実施例 1 一 1と同様の手法により金属酸化物層 1 2および無機化合物層 14の成膜を行つた。

次に、実施例 1一 1と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。この様子が図 1の（1 ) 〜（5) に示されている。なお、金属酸化物層 1 2の比抵抗は 1 4 5 0 μ Ω c mであった。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電^抵抗を達成できた。また、走查型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、 3 0 w t ⁰/。の硝酸イオン、 1. 5 w t %の硝酸イオン、 40 w t %の酢酸イオンを含む 3 0°Cの水溶液を用いた場合の無機化合物層 1 4のエッチング速度と、金属酸化物層 1 2のエッチング速度とのエッチングの速度の比は^{4 6}であつた。

[実施例 1一 7]

まず、酸化ィンジゥム一酸化セリウム（C eZ ( I n + C e) = 4. 5原子⁰ /₀ ) からなる第一ターゲットを用いて、 S i 0₂をコートした青板ガラス基板 1 0 ( 図 1 ( 1 ) 参照）上に、金属酸化物層 1 2を成膜した。この様子が図 1 (2) に示されている。なお、成膜時の基板温度は 2 0 0°Cであった。また、成膜した金属酸化物層 1 2の膜厚は 7 5 nmであった。また、金属酸化物層ェ 2の比抵抗は 3 8 0 μ Ω c mであった。次に、金属酸化物層 1 2の上に A 1 —N d ( 9 9 : 1 w t %) からなるターゲット A 1 ターゲットを用いて、無機化合物層 1 4を成膜した。なお、無機化合物層 1 4の膜厚は 1 0 0 nmであった。この様子が図 1 の（3) に示されている。ま'た、この金属酸化物層 1 2および A1を主成分とする無機化合物層 1 4を併せて電極層と呼ぶ。

本実施例 1一 7および以下に示す実施例 1一 8〜 1一 1 1は、実施例 1— 1とほぼ同様の手法により半透過半反射型電極基板の製造を行った。ただし、実施例 1一 1では金属酸化物層 1 2の主成分に A gを用いているが、本実施例 1一 7および以下に示す実施例 1一 8〜 1一 1 1では、金属酸化物層 1 2の主成分に A 1 を用いている点で異なる。

次に、無機化合物層 1 4を用いた複数のラインを形成するために無機化合物層 !_ 4をエッチングする。従って、上記エッチングにより残存した部分が無機化合物層 1 4のラインである。このエッチングにより残存した部分、すなわち、無機化合物層 1 4のラインが図 1 ( 4 ) に示されている。

また、この無機化合物層 1 4を用いた複数のラインは、無機化合物層 1 4のラィンの幅が 4 0 μ mであり、各無機化合物層 1 4のライン間のスペースが 7 0 μ mである。このような寸法となるようにマスクパターンを設計している。

次に、上記のように設計されたマスクパターンに無機化合物層 1 4をエツチングするために無機化合物層 1 4上に感光剤（レジスト）を塗布し、このレジスト上に上記マスクパターンからなるガラス板を載せる。次に、レジストを露光後、現像、ボストベータした。

次に、 5 0 w t %の燐酸イオン、 2 . O w t。/。の酢酸イオン、 4 0 w t。/。の硝酸イオンを含む水溶液を用いて、無機化合物層 1 4をオーバーエッチング 1 . 0 にてエッチングした。このエッチングの結果が図 1 ( 4 ) に示されている。なお、この水溶液は、特許請求の範囲のエッチング液えの一例に相当する。

次に、上記エッチングした青板ガラス基板 1 0を水洗 · 乾燥した。

次に、金属酸化物層 1 2を用いて複数のラインを形成するために金属酸化物層 1 2をエッチングする。従って、上記エッチングにより残存した部分が金属酸化物層 1 2のラインである。このエッチングにより残存した部分、すなわち、金属酸化物層 1 2のラインが図 1 ( 5 ) に示されている。

また、この金属酸化物層 1 2を用いた複数のラインは、金属酸化物層 1 2のラィンの幅が 9 0 μ mであり、金属酸化物層 1 2のライン間のスペースが 2 0 μ m である。このような寸法となるようにマスクパターンを設計している。

次に、上記のように設計されたマスクパターンを用いて金属酸化物層 1 2をェツチングするために金属層上に感光剤（レジスト）を塗布する。次に、このレジスト上に上記マスクパターンからなるガラス板を載せる。次に、レジストを露光後、現像、ポストベータした。この様子が図 1の（5 ) に示されている。なお、レジストの露光は、無機化合物層 1 4と金属酸化物層 1 2のエッジの一部（片側 ) が合うようにする。

次に、蓚酸 4 w t %の水溶液を用いて、上記得られた金属酸化物層 1 2をエツチングした。なお、この水溶液は、特許請求の範囲のエッチング液； Lの一例に相当する。また、レジストを剥離後、 1本の電極の抵抗を 5 c mの長さで測定したところ、 0. 6 5 k Qであった。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、上記の 5 0 w t。/。の燐酸イオン、 2. Ow t %の硝酸イオン、 40 w t %の酢酸イオンを含む 3 0°Cの水溶液を用いた場合の無機化合物層 1 4のエッチング速度と、金属酸化物層 1 2のエッチング速度のエッチングの速度の比は i 6 であった。

[実施例 1一 8]

実施例 1一 2で用いた第二ターゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズ— 酸化セリウム（ I nZ ( I n+ S n) = 9 0原子％、 C e / ( I n + S n + C e ) =4. 9原子％) のターゲット 2を用いた。また、実施例 1一 7で用いた A 1 -N d (9 9 ： 1 w t %) に替えて A 1 — P t (9 9 ： 1 w t %) を用いた。それ以外については、実施例 2と同様の手法により第一の金属酸化物層 1 2 aおよぴ無機化合物層 1 4の成膜を行った。この様子が図 2の（ 1) 〜（3) に示されている。なお、本実施例 1 _ 8において成膜した第一の金属酸化物層 1 2 a、すなわち、図 2の（2) に示されている第一の金属酸化物層 1 2 aは、図 1の（2 ) に示されている金属酸化物層 1 2と同様の金属酸化物層である。

次に、保護膜として酸化ィンジゥム +酸化亜鉛（ I nZ ( I n + Z n) = 8 5 原子％) からなるターゲット 3を用いて第二の金属酸化物層 1 6を成膜した。なお、成膜時の温度は室温であった。また、第二の金属酸化物層 1 6の膜厚は 2 0 nmmであった。この様子が図 2の（4) に示されている。

次に、実施例 1一 1 と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。この様子が図 2の（5) 、 (6) に示されている。なお、酸化ィンジゥム一酸化スズ一酸化セリゥム層の比抵抗は 3 2 0 μ Ω c mであり、電極抵抗は 1. 5 7 k Qあった。このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた

。また、走查型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、無機化合物層 1 4のエッチング速度と第一金属酸化物層 1 2のエツチング速度とのエッチング速度比の値は 1 8であった。

また、無機化合物層 1 4のエッチング速度と第二金属酸化物層のエッチング速度とのエッチング速度比の値は 1. 1であった。

[実施例 1一 9]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズー酸化プラセオジム（ I nZ ( I n + S n) = 9 0原子⁰ /₀、 P r / ( I n + S n + P r ) =4. 6原子％) の第四ターゲットを用いた。それ以外については実施例 1 - 1 と同様の手法により金属酸化物層 1 2および無機化合物層 1 4の成膜を行つた。

次に、実施例 1一 1 と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。この様子が図 1の（ 1 ) 〜（5) に示されている。なお、金属酸化物層 1 2の比抵抗は 4 50 Ω c mであり、電極抵抗は 1. 6 6 k Ωであつに。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前'後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、無機化合物層 1 4のエッチング速度と金属酸化物層 1 2のエッチング速度のエッチング速度比の値は 1 5であった。

[実施例 1一 1 0]

実施例 1一 7で用いた第一ターゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズー酸化ネオジヴム（ I n/ ( I n + S n) = 9 0原子⁰/。、 N d/ ( I n + S n +N 003/014810 d) = 3. 8原子％) の第五ターゲットを用いた。また、実施例 1一 7で用いた A 1 -N d (9 9 ： 1 w t %) に替えて A 1— Au (9 9 ： 1 w t %) を用いた。それ以外については実施例 1 と同様の手法により金属酸化物層 1 2 aおよび無機化合物層 1 4の成膜を行った。

次に、実施例 1一 1と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。この様子が図 1の（1 ) 〜（5) に示されている。なお、酸化ィンジゥム一酸化スズ一酸化ネオジゥム層の比抵抗は 4 2 0 μ Ω c mであり、また、電極抵抗は 1. 3 9 であった。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、無機化合物層 1 '4のエッチング速度と金属酸化物層 1 2のエッチング速度のエッチング速度比の値は 1 8であった。

[実施例 1— 1 1]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化ィンジゥム一酸化スズー酸化サマリウム（ I n/ ( I n + S n) = 9 0原子。/。、 S m/ ( I n + S n + S m) = 3. 2原子％) の第六ターゲットを用いた。また、実施例 1一 7で用いた A 1 -N d (9 9 ： 1 w t %) に替えて A 1 ( 1 00 w t %) を用いた。それ以外については実施例 1― 1 と同様の手法により金属酸化物層 1 2および無機化合物層 1 4の成膜を行った。

次に、実施例 1一 1 と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。なお、酸化インジウム一酸化スズ一酸化プラセオジム層の比抵抗は 7 2 0 μ Ω c mであり、また、電極抵抗は 1. 4 7 であった。この様子が図 1の（1) 〜（5) に示されている。

このようにして得られた半透過半反射型電極基板は低い電気抵抗を達成できた。また、走査型電子顕微鏡で基板表面を観察したところ、金属酸化物層 1 2の表面の荒れは観察されなかった。また、蓚酸でのエッチング前後における無機化合 PC漏 00藤 810 物層 1 4のエッジ部の変化はほとんど見られなかった。これは、蓚酸のエツチング液 σでは無機化合物層 1 4はほとんどエッチングされないことを意味する。なお、無機化合物層 1 4のエッチング速度と金属酸化物層 1 2のエッチング速度のエッチング速度比の値は 2 0であった。

[比較例 1一 1 ]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化インジウム一酸化スズ（ I n / ( I n + S n ) = 9 0原子％) の第七ターゲットを用いた。それ以外については実施例 1と同様の手法により金属酸化物層 1 2 aおよび無機化合物層 1 4 の成膜を行った。

次に、実施例 1一 1と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。なお、酸化インジウム一酸化スズの比抵抗は 2 5 0 ^ Ω c mであった。このようにして得られた半透過半反射型電極基板は、エッチング液による表面の荒れはほとんど見られなかった。しかし、蓚酸で金属酸化物層 1 2をエッチングすることはできなかった。

[比較例 1一 2 ]

実施例 1一 1で用いた第一ターゲットに替えて、酸化インジウム一酸化スズ（ I VL / ( I n + Z n ) = 8 5原子％) の第八ターゲットを用いた。それ以外については実施例 1一 1 と同様の手法により金属酸化物層 1 2 aおよび無機化合物層 1 4の成膜を行った。

次に、実施例 1一 1と同様の手法によりエッチングを行ない、半透過半反射型電極基板を製造した。なお、酸化インジウム一酸化亜鉛の比抵抗は 3 9 0 Ω c mであった。

このようにして半透過半反射型電極基板は、 A gのエッチング時に、酸化インジゥム一酸化亜鉛層もエッチングされた。

実施の形態第 1グループのまとめ

以上説明したように、本発明によれば、選択によってエッチング速度が異なるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって半透過半反射型電極基板の製造時間の短縮を図り、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することができる。実施の形態第 2グループ

以下、本発明の好適な実施の形態第 2グループの説明を行う。尚、本発明において、一括エッチングとは、 1種類のエッチング液を用いて無機化合物層及び金属酸化物層を一度にエッチングすることを言う。

[実施例 2— 1]

(a ) 無機化合物層及び金属酸化物層

① 無機化合物層の形成及ぴエッチング速度の測定

D Cマグネトロンスパッタ装置（ァネルバ製）内に S i 〇₂をコーティングした青板ガラス基板を載置し、この青板ガラス基板を 20 0°Cに加熱した後、 A 1 タ一ゲット（A 1 : 1 0 0原子⁰ /₀) を用いてスパッタリングを行った。これにより、青板ガラス基板上に厚さ 1 00 nmの無機化合物層を形成した。

燐酸（ 4 0 w t %) 、硝酸（ 2. 5 w t %) 、および酢酸（ 4 0 w t %) を含むエッチング液（以下、エッチング液（ I ) と記す）を調製した後、このエッチング液（ I ) を用いて、青板ガラス基板上の無機化合物層を 3 0°Cでエッチングした。この時無機化合物層のエッチング速度 A ( I ) を測定したところ、 4 2 η m Z m i nであった。

一方、燐酸（ 5 5 w t %) 、硝酸（ 2. 5 w t %) , 酢酸（ 4 0 w t %) を含むエッチング液（以下、エッチング液（ I I ) と記す）を調製した後、このエツチング液（ I I ) を用いて、別の青板ガラス基板上の無機化合物層を 3 0°Cでェツチングした。この時無機化合物層のエッチング速度 A ( I I ) を測定したところ、 7 3 n m m i nでめつ 7こ。

②金属酸化物層の形成及びエッチング速度の測定

上記（a) ①と同様に、 DCマグネトロンスパッタ装置内に S i O ₂をコーティングした別の青板ガラス基板を载置し、この青板ガラス基板を 2 0 0°Cに加熱した後、酸化インジウム一酸化亜鉛ターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [Z n] = 8 3. 0 : 1 7. 0原子⁰ /₀である）を用いてスパッタリングを行った。これにより、青板ガラス基板上に厚さ 7 5 nmの金属酸化物層を形成した。

上記エッチング液（ I ) 及び（ I I ) をそれぞれ用いて、青板ガラス基板上の金属酸化物層を 3 0°Cでエッチングした。この時、エッチング液（ I ) 及ぴ（ I I ) による金属酸化物層のエッチング速度 B ( I ) 及ぴ B ( I I ) をそれぞれ測定したところ、 B ( I ) が 4 1 n m/m i nであり、 B ( I I ) が 4 2 n /m i nであった。

③ エッチング速度比の算出

測定された無機化合物層及ぴ金属酸化物層のエッチング速度 A ( I ) 、 A ( I I ) 、 B ( I ) 及び B ( I I ) を用いて、無機化合物層及ぴ金属酸化物層のエツチング速度比である B ( I ) /A ( I ) 及ぴ B ( I I ) /A ( I I ) の値を算出した。この結果、 B ( I ) /A ( I ) が 0. 9 8であり、 B ( I I ) /A ( I I ) 力 0. 5 8であった（表 2— 1 ) 。 .

④ 金属酸化物層の仕事闋数及び比抵抗の測定

青板ガラス基板上に形成された上記金属酸化物層を紫外線照射することにより洗浄した後、この金属酸化物層の仕事関数を光電子分光装置（理研計器（株）製、 AC— 1 ) で測定したところ、 5. 24 e Vであった（表 2— 2 ) 。また、金属酸化物層の比抵抗を抵抗率測定装置（三菱油化（株）製、ロレスタ）を用いて測定したところ、 3 40μ · Ω · 。 mであった（表 2— 2 ) 。

(b ) 反射型電極基板

① 反射型電極基板の製造

図 8 ( 1 ) に示すように、（a) ①と同様に、 D Cマグネトロンスパッタ装置内に S i〇₂をコーティングした上記青板ガラス基板 2 1 0を載置し、この青板ガラス基板 2 1 0を 2 00°Cに加熱した。図 8 (2) に示すように、 A 1 ターゲット（A 1 ： 1 00原子⁰ /₀) を用いてスパッタリングを行い、青板ガラス基板 2 1 0上に厚さ 1 0 0 nmの無機化合物層 2 1 1を形成した。次に、図 8 (3) に示すように、青板ガラス基板 2 1 0の無機化合物層 2 1 1上に、酸化インジウム一酸化亜鉛ターゲット（その組成原子⁰ /₀は [ I n] ： [Z n] = 8 3. 0 : 1 7. 0である）を用いてスパッタリングを行い、厚さ 20 nmの金属酸化物層 2 1 2 を形成した。これにより、青板ガラス基板 2 1 0上に、無機化合物層 2 1 1及ぴ金属酸化物層 2 1 2からなる電極層 2 1 3を有する反射型電極基板 2 0 1を製造した。この反射型電極基板 1の表面抵抗を上記（a) ④と同型の表面抵抗測定器を用いて測定したところ、 1. 2 Ω/口であった（表 2— 2) 。

② 反射型電極基板のエッチング特性の検討

この反射型電極基板 1の金属酸化物層 2 1 2上にレジスト（日本ポリテック（株）製、商品名 NP R 204 8 U S P) を塗布し、フォトマスクを用いて紫外線を露光し、現像した後、 1 3 0°Cに加熱して 1 5； ^間ポストベータをすることにより、金属酸化物層 2 1 2上にレジストマスク 2 1 4を形成した（図 8 (4) ) 上記エッチング液（ I ) 及ぴ（ I I ) を用いて、反射型電極基板 20 1上の無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2を一括エッチングして、図 9に示すような反射型電極基板 20 1を製造した。

無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2のエッチング面を走查電子顕微鏡 (日立製作所（株）製、商品名 S 800) により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 2 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた (表 2— 2 ) 。

[実施例 2— 2〜 2— 1 4]

(a ) 無機化合物層及び金属酸化物層

① 無機化合物層の形成及びエッチング速度の測定

上記実施例 2— 1 (a) ①と同様に、青板ガラス基板上に無機化合物層を形成し、同様の方法でエッチング速度 A ( I ) 及び A ( I I ) を測定し、同様の測定結果を得た。

② 金属酸化物層の形成及びエッチング速度の測定

酸化インジウム一酸化亜鉛ターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [Z n] = 8 3. 0 : 1 7. 0である）の代わりに、表 2— 1に示す組成のターゲットを用いた点を除き、実施例 2— 1 (a) ②と同様の方法で青板ガラス基板上に金属酸化物層を形成した。

表 2— 1に示すように実施例 2— 2〜 2— 1 4では、ターゲットの組成を少しずつ変えている。実施例 2— 2〜 2— 1 4においては、インジウム及び亜鉛の他に、第三成分の元素としてランタノイド系金属元素を加えている。加えたことによるターゲットの組成原子％は、表 2— 1に示す通りである。このように実施例 2— 2〜 2— 1 4は、金属酸化物層のスパッタリングに用いたターゲットの組成を変化させたのものであり、これによつて得られた金属酸化物層の物性を測定した結果を示すものである。

上記エッチング液（ I ) 及ぴ（ I I ) をそれぞれ用いて、青板ガラス基板上の上記金属酸化物層を 3 0°Cでエッチングした。この時、エッチング液（ I ) 及び ( I Γ) よる各金属酸化物層のエッチング速度 B ( I ) 及び B ( I I ) をそれぞれ測定した。

③ エッチング速度比の算出

このようにして、測定された無機化合物層及び金属酸化物層の各エッチング速度 A ( I ) 、 A ( I I ) 、 B ( I ) 及び B ( I I ) を用いて、無機化合物層及び金属酸化物層のエッチング速度比である B ( I ) /A ( I ) 及び B ( I I ) /A ( I I ) の値を算出した。その結果を表 2— 1に示す。

④ 金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗の測定

実施例 2— 1 (a) ④と同様に、上記青板ガラス基板上の金属酸化物層を紫外線洗浄し、この金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗を測定した。結果を表 2— 2 に示す。

(b) 反射型電極基板

① 反射型電極基板の製造

実施例 2— 1 (b ) ①の酸化インジウム—酸化亜鉛ターゲット（その組成原子 %は [ I n ] ： [Z n] = 8 3. 0 : 1 7. 0である）の代わりに、表 2— 1に示す各組成のターゲットを用いてスパッタリングを行った。この点を除き、いずれの実施例（2— 2〜2— 1 4) も実施例 2— 1 (b ) ①と同様な方法で、図 8 (3) に示すような青板ガラス基板 2 1 0上に、無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2を形成した。このようにして、無機化合物層 1 1及び金属酸化物層 2 1 2からなる電極層 2 1 3を有する反射型電極基板 2 0 1を製造した。この反射型電極基板 2 0 1の表面抵抗を実施例 2— 1 と同型の表面抵抗測定器を用いて各実施例（2— 2〜2— 1 4) について測定した（表 2— 2) 。

また各実施例（2 _ 2〜2— 1 4) において、図 8 (4) に示すように、実施例 2— 1 (b) ②と同様な方法で、反射型電極基板 2 0 1の金属酸化物層 2 1 2 上にレジストマスク 2 1 4を形成した。次いで、エッチング液（ I ) 及び（ I I ) を用いて、反射型電極基板 2 0 1の無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2を一括ェツチングして、図 9に示す反射型電極基板 2 0 1を製造した。

② 反射型電極基板のエッチング特性の検討

無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2のエッチング面を実施例 2— 1 と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、いずれの実施例（2— 2〜 2— 1 4) においても、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 2 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた（表 2— 2) 。

[表 2

表 2— 1

*) Α(Ι): 燐酸イオン（40wt%〉、硝酸イオン（2.5%〉、およぴ舴酸イオン (40wt%)も含むエッチング液 (I)による 30°Gでの無機化合物層のエッチング速度

B(I): 燐酸イオン（40wt%；)、硝酸イオン（2.5%〉、および酢酸イオン (40wt%〉を含むエッチング液 (1〉による 30 での金属化合物層のエツチン速度

**) A(II): 燐酸イオン（55_Wt%〉、硝酸イオン（2.5%〉、および酢酸イオン (40wt%)も含むエッチング液（II)による 30Όでの無機化合物層のエッチング速度

B(II): 燐酸イオン（55wt%)、硝酸イオン（2.5%〉、および酢酸イオン (40wt%)を含むエッチング液（11〉による 30Όでの金属化合物層のエッチング速度

2003/014810

[表 2— 2] 表 2— 2

[実施例 2 _ 1 5 ]

(a) 無機化合物層及び金属酸化物層

① 無機化合物層の形成及びエッチング速度の測定

実施例 2— 1 (a) ①の A 1ターゲット（A 1 ： 1 00原子⁰ /₀) の代わりに、 A 1— Auターゲット（その組成原子％は [A 1 ] ： [Au] = 9 9 : 1である ) を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 2— 1 (a) ①と同様に、青板ガラス基板上に無機化合物層を形成した。

上記エッチング液（ I ) 及び（ I I ) を用いて、青板ガラス基板上の無機化合物層を 30°Cでエッチングした。この時、エッチング液（ I ) 及ぴ（ I I ) による無機化合物層のエッチング速度 A ( I ) 及び A ( I I ) をそれぞれ測定したところ、 A ( I ) 力 S 38 n m/m i nであり、 A ( I I ) 力 S 7 1 n m/m i であつた。

② 金属酸化物層の形成及びエッチング速度、仕事関数及び比抵抗の測定上記実施例 2— 1 (a) ②と同様に、青板ガラス基板上に金属酸化物層を形成し、同様の方法でエッチング速度 B ( I ) 及び B (I I ) を測定し、同様の測定結果を得た。また上記実施例 2— 1 (a) ④と同様の方法で、この金属酸化物層の仕事関数及ぴ比抵抗を測定し、同様の測定結果を得た。

③ エッチング速度比の算出

測定された無機化合物層及び金属酸化物層のエッチング速度 A (I ) 、 A (I I ) 、 B ( I ) 及び B ( I I ) を用いて、無機化合物層及ぴ金属酸化物層のエツチング速度比である B (I ) /A (I ) 及び B (I I ) /A ( I I ) の値を算出した。この結果、 B ( I ) /A ( I ) が 1. 08であり、 B ( I I ) /A ( I I ) が 0. 5 9であった（表 2— 3) 。

(b) 反射型電極基板

① 反射型電極基板の製造

実施例 2— 1 (b) ①の A 1ターゲット（A 1 : 1 00原子⁰ /₀) の代わりに、 A 1— Auターゲット（その組成原子⁰ /₀は [A 1 ] ： [Au] = 9 9 : 1である ) を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 2— 1 (b ) ①と同様に、青板ガラス基板 2 10上に、無機化合物層 21 1及び金属酸化物層 2 1 2 からなる電極層 21 3を有する反射型電極基板 201を製造した（図 8 (3) ) 。この反射型電極基板 201の表面抵抗を実施例 2— 1 (b ) ①と同型の表面抵抗測定器を用いて測定したところ、 1. 2 Ω /口であった（表 2— 3) 。

図 8 (4) に示すように、実施例 2— 1 (b) ②と同様の方法で、反射型電極基板 20 1の金属酸化物層' 21 2上にレジストマスク 214を形成した。次いで、エッチング液（ I ) 及び（ I I ) を用いて、反射型電極基板 20 1の無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 21 2を一括エッチングして、図 9に示すような反射型電極基板 20 1を製造した。

② 反射型電極基板のエッチング特性の検討

無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 21 2のエッチング面を実施例 2— 1 ( b) ②と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 214のパターン通りに良好にエツチングされていた（表 2— 3) 。

[実施例 2— 1 6] (a) 無機化合物層及び金属酸化物層

① 無機化合物層の形成及びエッチング速度の測定

実施例 2— 1 (a) ①の A 1タ一ゲット（A 1 ： 1 00原子⁰ /₀) の代わりに、 A 1— P tターゲット（その組成原子％は [A 1 ] ： [P t] = 9 9 : 1である ) を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 2— 1 (a) ①と同様に、青板ガラス基板上に無機化合物層を形成した。

上記エッチング液（ I ) 及び（ I I ) を用いて、青板ガラス基板上の無機化合物層を 30。Cでエッチングした。この時、エッチング液（ I ) 及び（ I I ) による無機化合物層のエッチング速度 A ( I ) 及ぴ A ( I I ) をそれぞれ測定したところ、 A ( I ) が 3 9 nm/m i nであり、 A ( I I ) 力 S 6 9 nm/m i nであつた。

② 金属酸化物層の形成及びエッチング速度、仕事関数及び比抵抗の測定上記実施例 2— 1 (a) ②と同様に、青板ガラス基板上に金属酸化物層を形成し、同様の方法でエッチング速度 B ( I ) 及び B ( I I ) を測定し、同様の測定結果を得た。また上記実施例 2— 1 (a) ④と同様の方法で、この金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗を測定し、同様の測定結果を得た。

③ エッチング速度比の算出

測定された無機化合物層及ぴ金属酸化物層のエッチング速度 A ( I ) 、 A ( I I) 、 B ( I ) 及ぴ B ( I I ) を用いて、無機化合物層及び金属酸化物層のエツチング速度比である B ( I ) /A ( I ) 及び B ( I I ) /A ( I I ) の値を算出した。この結果、 B ( I ) /A ( I ) が 1. 05であり、 B ( I I ) /A ( I I ) が 0. 6 1であった（表 2— 3 ) 。

(b) 反射型電極基板

① 反射型電極基板の製造

A 1ターゲット（A 1 ： 1 00原子⁰/。）の代わりに、 A 1— P tターゲット（その組成原子⁰ /₀は [A 1 ] ： [ P t ] = 99 ： 1である）を用いてスパッタリングを行った点を除き、実施例 2— 1 (b) ①と同様に、スパッタリングを行った。これにより、青板ガラス基板 210上に、無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2からなる電極層 2 1 3を有する反射型電極基板 20 1を製造した（図 8 (3) ) 。この反射型電極基板 20 1の表面抵抗を実施例 2— 1 (b) ①と同型の表面抵抗測定器を用いて測定したところ、 1. 2 Ω/口であった（表 2— 3) 図 8 (4) に示すように、実施例 2— 1 (b) ②と同様の方法で、反射型電極基板 20 1の金属酸化物層 2 1 2上にレジストマスク 2 1 4を形成した。次いで、エッチング液（I ) 及び（I I ) を用いて、反射型電極基板 2 0 1の無機化合物層 2 1 1及ぴ金属酸化物層 2 1 2を一括エッチングして、図 9に示すような反射型電極基板 2 0 1を製造した。

② 反射型電極基板のエッチング特性の検討

無機化合物層 2 1 1及ぴ金属酸化物層 2 1 2のエッチング面を実施例 2— 1 ( b) ②と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 2 1 4のパターン通りに良好にエツチングされていた（表 2— 3) 。

[実施例 2— 1 7]

(a) 無機化合物層及び金属酸化物層

① 無機化合物層の形成及びエッチング速度の測定

実施例 2— 1 ( a ) ①の A 1ターゲット（A 1 : 1 0 0原子⁰ /₀) の代わりに、 A l — Ndターゲット（その組成原子⁰ /₀は [A 1 ] ： [N d ] = 9 9 ： 1である ) を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 2— 1 (a) ①と同様に、青板ガラス基板上に無機化合物層を形成した。

上記エッチング液（ I ) 及び（ I I ) を用いて、青板ガラス基板上の無機化合物層を 3 0°Cでエッチングした。この時、エッチング液（ I ) 及ぴ（ I I ) による無機化合物層のエッチング速度 A ( I ) 及び A ( I I ) をそれぞれ測定したところ、 A ( I ) が 4 1 nm/m i nであり、 A ( I I ) 力 S 7 1 n m/m i nであつた。

② 金属酸化物層の形成及ぴエッチング速度、仕事関数及び比抵抗の測定上記実施例 2— 1 (a) ②と同様に、青板ガラス基板上に金属酸化物層を形成し、同様の方法でエッチング速度 B ( I ) 及び B ( I I ) を測定し、同様の測定結果を得た。また上記実施例 2— 1 (a) ④と同様の方法で、この金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗を測定し、同様の測定結果を得た。

③ エッチング速度比の算出

測定された無機化合物層及び金属酸化物層のエッチング速度 A ( I ) 、 A ( I I ) 、 B ( I ) 及び B ( I I ) を用いて、無機化合物層及ぴ金属酸化物層のエツチング速度比である B ( I ) /A ( I ) 及び B ( I I ) /A ( I I ) の値を算出した。この結果、 B ( I ) / ( I ) が 1. 0 0であり、 B ( I I ) /A ( I I ) が 0. 5 9であった（表 2— 3 ) 。

(b) 反射型電極基板

① 反射型電極基板の製造

実施例 2— 1 (b) ①の A 1ターゲット（A 1 ： 1 0 0原子％) の代わりに、 A l— N dターゲット（その組成原子⁰ /₀は [A 1 ] ： [N d] = 9 9 ： 1である ) を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 2— 1 (b ) ①と同様に、青板ガラス基板 2 1 0上に、無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2 からなる電極層 2 1 3を有する反射型電極基板 2 0 1を製造した（図 8 (3) ) 。この反射型電極基板 20 1の表面抵抗を実施例 2— 1 (b) ①と同型の表面抵抗測定器を用いて測定したところ、 1. 2 Ω/口であった（表 2— 3) 。

図 8 (4) に示すように、実施例 2— 1 (b) ②と同様の方法で、反射型電極基板 20 1の金属酸化物層 2 1 2上にレジストマスク 2 1 4を形成した。次いで、エッチング液（I ) 及び（ I I ) を用いて、反射型電極基板 2 0 1の無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2を一括エッチングして、図 9に示すような反射型電極基板 20 1を製造した。

②反射型電極基板のエッチング特性の検討

無機化合物層 2 1 1及び金属酸化物層 2 1 2のエッチング面を実施例 2— 1 ( b) ②と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 2 1 4のパターン通りに良好にエツチングされていた（表 2— 3) 。 JP2003/014810

[表 2— 3] 表 2— 3

*〉Α( I：):燐酸 (40wt%)、硝酸 (2.5wt%),および酢酸 (40 ％)を含むエッチング液 ( I )による 30°Cでの無機化合物層のエッチング速度

B( I；):燐酸 (40wt%)、硝酸 (2.5wt%)、および酢酸 (4Qwt%)を含むエッチング液 ( I )による 30Όでの金属酸化物層のエッチング速度

**)Α(Π):燐酸 (55wt。/。）、硝酸 (2.5wt%).および酢酸 (40_Wt。/。）を含むエッチング液 ( II )による 30Όでの無機化合物層のエッチング速度

B(II〉：燐酸 (55wt%〉、硝酸 (2.5wt%),および酢酸 (40wt%〉を含むエッチング液

( Π )による 30°Gでの金属酸化物層のエッチング速度

[比較例 2— 1]

(a) 無機化合物層及び金属酸化物層 '

① 無機化合物層の形成及びエッチング速度の測定

② 金属酸化物層の形成及びエッチング特性の検討

実施例 2— 1 ( a ) ②の酸化インジウム一酸化亜鉛ターゲット（その組成原子 %は [ I n] ： [Z n] = 83. 0 : 1 7. 0である）の代わりに、酸化インジゥム一酸化スズターゲット（その組成原子⁰ X»は [ I n] ： [S n] = 8 5. 0 : 1 5. 0である）を用いてスパッタリングを行った（表 2— 4) 。この点を除き、実施例 2— 1 (a) ②と同様の方法で、青板ガラス基板上に金属酸化物層を形成した。

次いで実施例 2— 1 (a) ④と同様の方法で、この金属酸化物層を紫外線洗浄し、金属酸化物層の仕事関数を測定したところ、 5. 1 2 e Vであった（表 2— 5) 。また実施例 2— 1 (a) ④と同様に、この金属酸化物層の比抵抗を測定したところ、 2 1 0μ · Ω · 。 mであった（表 5 ) 。

次に、上記エッチング液（I) 及び（ I I ) をそれぞれ用いて、青板ガラス基板に形成された上記金属酸化物層一括エッチングしたが、いずれのエッチング液を用いても、金属酸化物層は溶解しなかった（表 2— 4及び 2— 5) 。

[比較例 2— 2]

(a) 無機化合物層及び金属酸化物層

① 無機化合物層の形成及びエッチング速度の測定

上記実施例 2— 1 (a) ①と同様に、青板ガラス基板上に無機化合物層を形成し、同様の方法でエッチング速度 A ( I ) 及ぴ A ( I I ) を測定し、同様の測定結果を得た。

② 金属酸化物層の形成及びエッチング速度の測定

実施例 2— 1 (a ) ②の酸化インジウム一酸化亜鉛ターゲット（その組成原子 %は [ I n] ： [Z n] = 83. 0 : 1 7. 0である）の代わりに、酸化インジゥム一酸化スズ一酸化セリウムターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [S n ] ： [C e ] = 8 5. 0 : 1 0. 0 : 5. 0である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 2— 1 (a) ②と同様の方法で青板ガラス基板上に金属酸化物層を形成した。 ·

上記エッチング液（ I ) 及び（ I I ) を用いて、青板ガラス基板上の金属酸化物層を 30°Cでエッチングした。この時、エッチング液（ I ) 及ぴ（ I I ) による金属酸化物層のエッチング速度 B ( I ) 及び B ( I I ) をそれぞれ測定したところ、 B ( I ) 力 S 7. 6 nm/m i nであり、 B ( I I ) 力 S 5. 1 nm/m i n であった。

③ エッチング速度比の算出

測定された無機化合物層及び金属酸化物層のエッチング速度 A ( I ) 、 A (I I ) 、 B ( I ) 及ぴ B ( I I) を用いて、無機化合物層及び金属酸化物層のエツチング速度比である B (I) /A ( I ) 及び B ( I I ) /A ( I I ) の値を算出した。この結果、 B ( I ) /A ( I ) が 0. 1 8であり、 B ( I I ) /A ( I I 3014810

) が 0. 07であった（表 2— 4) 。

④ 金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗の測定

実施例 2— 1 (a) ④と同様に、上記青板ガラス基板上の金属酸化物層を紫外線洗浄し、この金属酸化物層の仕事関数を測定したところ、 5. 88 e Vであつた（表 2— 5) 。また実施例 2— 1 (a) ④と同様に、この金属酸化物層の比抵抗を測定したところ、 78 Ομ · Ω · c mであった（表 2— 5 ) 。

(b) 反射型電極基板

① 反射型電極基板の製造

実施例 2— 1 (b ) ①の酸化インジウム一酸化亜鉛ターゲット（その組成原子 %は [ I n] ： [Z n] = 87. 0 : 1 3. 0である）の代わりに、酸化インジゥム一酸化スズ一酸化セリウムターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [S n ] ： [C e ] = 85. 0 : 1 0. 0 : 5. 0である）を用いてスパッタリングを行った（表 2— 4) 。この点を除き、実施例 2— 1 (b) ①と同様に、青板ガラス基板 2 10上に、無機化合物層 21 1及び金属酸化物層 2 1 2からなる電極層 21 3を有する反射型電極基板 20 1を製造した（図 8 (3) ) 。

図 8 (4) に示すように、実施例 2— 1 (b) ②と同様の方法で、反射型電極基板 20 1の金属酸化物層 2 1 2上にレジストマスク 2 14を形成した。次いで、上記エッチング液（ I ) 及び（ I I ) を用いて、反射型電極基板 20 1の無機化合物層 21 1及ぴ金属酸化物層 21 2を一括エッチングした。

② 反射型電極基板のエッチング特性の検討

無機化合物層 2 1 1及ぴ金属酸化物層 2 1 2のエッチング面を実施例 20 1 と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、無機化合物層 2 1 1と金属酸化物層 21 2との境目に大きな段差が生じていた（表 2— 5) 。 2003/014810

[表 2— 4]

表 2— 4

*)Α(Ι ):燐酸 (40wt%)、硝酸 (2.5wt%)、および酢酸 (40wrt)を含むエッチング液 ( I〉による 30°Cでの無機化合物層のエッチング速度

B( I ):燐酸 (40wt%)、硝酸 (2.5wt%),および酢酸 (40wt%)を含むエッチング液 ( I )による 30°Cでの金属酸化物層のエッチング速度

**)Α(Π):燐酸 (55wt%)、硝酸 (2.5wt%)、および酢酸 (40 ％)を含むヱツチング液 (Π )による 30Cでの無機化合物層のエッチング速度

Β(Π〉:燐酸 (55wt%)、硝酸 (2.5wt%),および酢酸 (40wt%)を含むエッチング液 (Π)による 30 での金属酸化物層のエッチング速度

03 014810

[表 2 - 5 ] 表 2— 5

上記の通り、各実施例の反射型電極基板の製造方法と比較して、比較例の反射型電極基板の製造方法では、エッチング工程において金属酸化物層及ぴ無機化合物層の境目に段差が生じないようにするのが困難であるため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する反射型電極基板を製造することが困難であると考えられる。尚、上記実施例 2—：！〜 2— 1 7で得られたいずれの電極層も、高い反射率を有していた。

実施の形態第 2グループのまとめ

上記の通り、本発明の反射型電極基板の製造方法によれば、少なくとも A 1からなる無機化合物層と、少なくと ·も酸化ィンジゥムからなる金属酸化物層とを用いるため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する反射型電極基板を得ることができる。また、憐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング組成物を含むェツチング液を用いることにより、反射型電極基板の金属酸化物層及び無機化合物層を一括エッチングできるとともに、金属酸化物層と無機化合物層との境目にほとんど段差が無く、かつエッチング面に残渣が少ない反射型電極基板を製造することができる。実施の形態第 3グループ以下、実施の形態第 3グループについて、本グループに含まれる各実施例を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

[実施例 3— 1 ]

( a ) 金属酸化物層の形成及び仕事関数 ·比抵抗の測定

①金属酸化物層の形成

S i〇₂をコーティングした青板ガラス基板を 200°Cに加熱した後、酸化インジゥム一酸化亜鉛—酸化セリウムターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [Z n] ： [C e ] =80. 7 : 14. 4 : 4. 9である）を用いてスパッタリングを行った。これにより、青板ガラス基板上に厚さ 1 00 nmの金属酸化物層を形成した。

②金属酸化物層の仕事関数 ·比抵抗の測定

青板ガラス基板上に形成された上記金属酸化物層を紫外線照射することにより洗浄した後、この金属酸化物層の仕事関数を光電子分光装置（理研計器（株）製

、 AC- 1 ) で測定したところ、 5. 9 2 e Vであった（表 3— 1) 。また、金属酸化物層の比抵抗を抵抗率測定装置（三菱油化（株）製、ロレスタ）を用いて測定したところ、 960μ· Ω · 。 πιであった（表 3— 1 ) 。

(b) 反射型電極基板の製造、表面抵抗の測定及びエッチング性の検討

① 反射型電極基板の製造

図 1 0 (1) に示すように、（a) ①と同様に、 S i〇₂をコ一ティングした上記青板ガラス基板 3 10を 200°Cに加熱した。 Agターゲット（ [A g] : 1 00原子％) を用いてスパッタリングを行い、前記青板ガラス基板 3 1 0上に厚さ 100 nmの無機化合物層 3 1 1を形成した（図 10 (2) ) 。次に、青板ガラス基板 3 1 0上の無機化合物層 3 1 1に、酸化インジウム一酸化亜鉛一酸化セリウムターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [Z n] ： [C e ] = 8 0. 7 : 1 4. 4 : 4. 9である）を用いてスパッタリングを行い、厚さ 20 nmの金属酸化物層 3 1 2を形成した（図 1 0 (3) ) 。これにより、青板ガラス基板 3 1 0上に、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を積層した電極層 3 1 3 を有する反射型電極基板 30 1が得られた。

②表面抵抗の測定得られた反射型電極基板 30 1の表面抵抗を上記（a) ②と同型の表面抵抗測定器を用いて測定したところ、 1. 2 ΩΖ口であった。

③エッチング性の検討

この反射型電準基板 30 1の金属酸化物層 3 1 2上にレジスト（日本ポリテツク（株）製、商品名 NPR 2048 US P) を塗布し、フォトマスクを用いて紫外線を露光し、現像した後、 1 3 0°Cに加熱して 1 5分間ポストべークをすることにより、金属酸化物層 3 1 2上にレジストマスク 3 1 4を形成した（図 1 0 ( 4) ) 。

シユウ酸水溶液（3. 5 w t %) により、青板ガラス基板 3 1 0上の金属酸化物層 3 1 2を 3 0°Cでエッチングした。次に、燐酸（3 0 w t %) 、硝酸（ 1. 5 w t %) 及ぴ酢酸（4 0w t %) を含むエッチング液により無機化合物層 3 1 1 を 3 0°Cでエッチングした。これにより、図 1 1に示す反射型電極基板 3 0 1を製造した。

この金属酸化物層 3 1 2及び無機化合物層 3 1 1のエッチング面を走査電子顕微鏡（日立製作所（株）製、商品名 S 8 0◦) により観察したところ、エツチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 3 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた（表 3— 1) 。

[実施例 3— 2〜実施例 3— 14 ]

(a) 金属酸化物層の形成及び仕事関数 ·比抵抗の測定

①金属酸化物層の形成

実施例 3— 1 (a) ①において、金属酸化物層 3 1 2を形成する酸化インジゥム—酸化亜鉛一酸化セリウムターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [Z n] ： [C e ] = 8 0. 7 : 1 4. 4 : 4. 9である）の代わりに、表 3— 1に記載のターゲットを用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 3— 1 ( a) ①と同様の方法で青板ガラス基板 3 1 0上に金属酸化物層 3 1 2を形成した表 3— 1に示すように実施例 3— 2〜実施例 3— 1 4では、金属酸化物層 3 1 2を形成するターゲットの組成を少しずつ変えている。用いたターゲットの組成原子％は、表 3— 1に示す通りである。このように実施例 3— 2〜 3— 1 4は、金属酸化物層 3 1 2のスパッタリングに用いたターゲットの組成を変化させたのものであり、これによつて得られた金属酸化物層 3 1 2の物性を測定した結果を示すものである。

②金属酸化物層の仕事関数 ·比抵抗の測定

実施例 3— 1 (a) ②と同様に、上記青板ガラス基板 3 1 0上の金属酸化物層 3 1 2を紫外線洗浄し、この金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗を測定した。結果を表 3— 1に示す。

①反射型電極基板の製造

実施例 3— 1 (b) ①において、金属酸化物層 3 1 2を形成する酸化インジゥム—酸化亜鉛一酸化セリウムターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [Z n] ： [C e ] = 80. 7 : 14. 4 : 4. 9である）の代わりに、表 3— 1に示す各組成のターゲットを用いてスパッタリングを行った。この点を除き、いずれの実施例（3— 2〜 3— 14) も実施例 3— 1 ( b ) ①と同様な方法で、図 1 0 ( 3) に示すような青板ガラス基板 3 1 0上に、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を形成した。このようにして、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を積層した電極層 3 1 3を有する反射型電極基板 301が得られた。

②表面抵抗の測定

各実施例（3— 2〜3— 14) において、得られた反射型電極基板 30 1の表面抵抗を実施例 3— 1と同型の表面抵抗測定器を用いて測定した。この結果、いずれの実施例（3— 2〜3— 14) においても、反射型電極基板 30 1の表面抵抗の値は、 1. 2 Ω/口であった。

③ エッチング性の検討

また各実施例（3— 2〜3— 14) において、図 1 0 (4) に示すように、実施例 3— 1 (b).③と同様な方法で、反射型電極基板 3 ◦ 1の金属酸化物層 3 1 2上にレジストマスク 3 14を形成した。次いで、実施例 3— 1 (b ) ③と同様な方法で、金属酸化物層 3 1 2及ぴ無機化合物層 3 1 1をエッチングし、図 1 1 に示す反射型電極基板 30 1を製造した。

この無機化合物層 3 1 1及ぴ金属酸化物層 3 1 2のエッチング面を実施例 3— 1と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、いずれの実施例（3— 2 3 一 1 4) においても、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 3 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた（表 3— 1 )

[表 3— 1] 表 3—1

[実施例 3— 1 5]

(a ) 反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討

①反射型電極基板の製造

実施例 3— 1 (b) ①において、無機化合物層 3 1 1を形成する A gターゲット（A g ·· 1 0 0原子。 /₀) の代わりに、 A g— Au— P dターゲット（その組成原子⁰ /₀は [A g] ： [Au] ： [P d] = 9 8. 5 : 1. 0 : 0. 5である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 3— 1 (b ) ①と同様に、青板ガラス基板 3 1 0上に、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を積層した電極層 3 1 3を有する反射型電極基板 30 1を製造した（図 1 0 (3) ) ② エッチング性の検討

図 1 0 (4) に示すように、実施例 1 (b) ③と同様の方法で、反射型電極基板 3 0 1の金属酸化物層 3 1 2上にレジストマスク 3 1 4を形成した。次いで、実施例 3— 1 (b) ③と同様な方法で、金属酸化物層 3 1 2及ぴ無機化合物層 3 1 1をエッチングし、図 1 1に示す反射型電極基板 3 ◦ 1を製造した。

この無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2のエッチング面を実施例 3— 1 と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 3 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた。

[実施例 3— 1 6 ]

(a) 反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討

①反射型電極基板の製造

実施例 3— 1 (b ) ①において、無機化合物層 3 1 1を形成する A gターゲット（ [A g] : 1 00原子％) の代わりに、 A g—Au— C uターゲット（その組成原子⁰ /₀は [A g] ： [Au] ： [C u] = 9 8. 5 : 1. 0 : 0. 5である ) を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 1 (b) ①と同様に、青板ガラス基板 3 1 0上に、無機化合物層 3 1 1及ぴ金属酸化物層 3 1 2を積層した電極層 3 1 3を有する反射型電極基板 3 0 1を製造した（図 1 0 (3) ) ②エツチング性の検討

図 1 0 (4) に示すように、実施例 3— 1 (b) ③と同様の方法で、反射型電極基板 3 0 1の金属酸化物層 3 1 2上にレジストマスク 3 1 4を形成した。次いで、実施例 3— 1 (b) ③と同様な方法で、金属酸化物層 3 1 2及び無機化合物層 3 1 1をエッチングし、図 1 1に示す反射型電極基板 3 0 1を製造した。

この無機化合物層 3 1 1及ぴ金属酸化物層 3 1 2のエッチング面を実施例 3— 1と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 3 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた。

[実施例 3— 1 7〕 (a) 反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討

①反射型電極基板の製造

実施例 3— 1 (b ) ①において、無機化合物層 3 1 1を形成する A gターゲット（A g ： 1 0 0原子⁰ /₀) の代わりに、 A g— N dターゲット（その組成原子％は [A g] ： [N d] = 9 9. 0 ： 1. 0である）を用いてスパッタリングを行つた。この点を除き、実施例 3— 1 (b) ①と同様に、青板ガラス基板 3 1 0上に、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を積層した電極層 3 1 3を有する反射型電極基板 3 0 1を製造した（図 1 0 (3) ) 。 '

②エッチング性の検討

図 1 0 (4) に示すように、実施例 1 (b) ③と同様の方法で、反射型電極基板 3 0 1の金属酸化物層 3 1 2上にレジストマスク 3 1 4を形成した。次いで、実施例 3— 1 (b) ③と同様な方法で、金属酸化物層 3 1 2及び無機化合物層 3 1 1をエッチングし、図 1 1に示す反射型電極基板 3 0 1を製造した。

この無機化合物層 3 1 1及ぴ金属酸化物層 3 1 2のエッチング面を実施例 3— 1 と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 3 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた。

[実施例 3— 1 8]

(a ) 反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討

①反射型電極基板の製造

実施例 3— 1 (b ) ①において、無機化合物層 3 1 1を形成する A gターゲット（A g ： 1 00原子％) の代わりに、 A g— Z r— N i— C oターゲット（その組成原子⁰ /。は [A g] ： [Z r ] ： [N i ] ： [C o] = 9 6. 0 : 1. 0 ： 1. 5 : 1. 5である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例 3 _ 1 (b) ①と同様に、青板ガラス基板 3 1 0上に、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を積層した電極層 3 1 3を有する反射型電極基板 3 0 1を製造した（図 1 0 ( 3) ) 。

②エッチング性の検討

図 1 0 (4) に示すように、実施例 3— 1 (b) ③と同様の方法で、反射型電極基板 3 0 1の金属酸化物層 3 1 2上にレジストマスク 3 1 4を形成した。次いで、実施例 3— 1 (b ) ③と同様な方法で、金属酸化物層 3 1 2及び無機化合物層 3 1 1をエッチングし、図 1 1に示す反射型電極基板 3 0 1を製造した。

この無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2のエッチング面を実施例 3— 1と同型の走查電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣ゃ段差は認められず、上記レジストマスク 3 1 4のパターン通りに良好にエッチングされていた。

[比較例 3 _ 1 ]

( a ) 金属酸化物層の形成及び仕事関数 ·比抵抗の測定

①金属酸化物層の形成

実施例 3— 1 (a ) ①において、金属酸化物層 3 1 2を形成する酸化インジゥム一酸化亜鉛一酸化セリウムターゲット（その組成原子％は [ I n] ： [Z n] ： [C e ] = 8 0. 7 : 1 4. 4 : 4. 9である）の代わりに、酸化ィンジゥム —酸化スズ（その組成原子⁰ は [ I n] ： [S n] = 9 0. 0 : 1 0. 0である ) を用いてスパッタリングを行った (表 3— 2) 。この点を除き、実施例 3— 1

( a ) ①と同様の方法で青板ガラス基板 3 1 0上に金属酸化物層 3 1 2を形成した。

②金属酸化物層の仕事関数 ·比抵抗の測定

実施例 3 _ 1 ( a ) ②と同様に、上記青板ガラス基板 3 1 0上の金属酸化物層 3 1 2を紫外線洗浄し、 .この金属酸化物層 3 1 2の仕事関数及び比抵抗を測定した。この結果、仕事関数の値は 5. 1 2 e Vであり、比抵抗の値は 2 1 0 · Ω • c mであった（表 3— 2 ) 。

(b ) 反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討

①反射型電極基板の製造

実施例 3— 1 (b ) ①において、金属酸化物層 3 1 2を形成する酸化インジゥム一酸化亜鉛一酸化セリウムターゲット（その組成原子。は [ I n] ： [Z n] ： [C e ] = 8 0. 7 : 1 4. 4 : 4. 9である）の代わりに、酸化ィンジゥム一酸化スズ（その組成原子⁰ は [ I n] ： [S n] = 9 0. 0 : 1 0. 0である ) を用いてスパッタリングを行った（表 3— 2) 。この点を除き、実施例 3— 1 (b) ①と同様の方法で、図 1 0 (3) に示すような青板ガラス基板 3 1 0上に、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を形成した。このようにして、無機化合物層 3 1 1及び金属酸化物層 3 1 2を積層した電極層 3 1 3を有する反射型電極基板 3 0 1が得られた。

②エッチング性の検討

図 1 0 (4) に示すように、実施例 3— 1 (b) ③と同様な方法で、反射型電極基板 3 0 1の金属酸化物層 3 1 2上にレジストマスク 3 1 4を形成した。次いで、実施例 3— 1 (b) ③と同様な方法で、金属酸化物層 3 1 2及び無機化合物層 3 1 1をエッチングし、図 1 1に示す反射型電極基板 3 0 1を製造した。次に、実施例 3— 1 (b) ③と同様に、シユウ酸水溶液（3. 5 w t %) を用いて上記金属酸化物層 3 1 2のエッチングを試みたが、金属酸化物層は溶解しなかった（表 3— 2) 。

[表 3— 2]

表 3— 2

上記の通り、各実施例（3— 1〜3— 1 8) の反射型電極基板の製造方法と比較して、比較例（3— 1 ) の反射型電極基板の製造方法では、エッチング工程において金属酸化物層及ぴ無機化合物層の境目に段差が生じないようにするのが困難であるため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する反射型電極基板を製造することが困難であると考えられる。尚、上記実施例 3 — 1〜 3— 1 8で得られたいずれの電極層も、高い反射率を有していた。実施の形態 3グループのまとめ

上記の通り、本実施の形態 3グループにおける反射型電極基板は、少なくとも A gからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノィド系酸化物からなる金属酸化物層とを含むため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する。また、本発明の上記反射型電極基板の製造方法によれば、シユウ酸からなるエッチング液を用いて金属酸化物層をエッチングし、さらに燐酸、硝酸及ぴ酢酸からなるエッチング液を用いて無機化合物層をエッチングする。このようにエッチングすることによって、金属酸化物層と無機化合物層との境目にほとんど段差が無く、かつエッチング面に残渣が少ない反射型電極基板を製造することができる。

Claims

請求の範囲 . 少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層と、少なくとも A 1または A gからなる無機化合物層と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板を製造する方法であって、 - 前記無機化合物層を燐酸、硝酸、酢酸からなるエッチング液 λでエッチングする工程と、

前記金属酸化物層を蓚酸を含むェッチング液 σでェッチングする工程と、からなることを特徴とする半透過半反射型電極基板の製造方法。

. 前記エッチング液; Iによる前記金属酸化物層のエッチング速度 Αと、前記ェツチング液 Lによる前記無機化合物層のエッチング速度 Bと、の比である B ZAの値を 1 0以上に設定することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

. 前記エッチング液；が 3 0〜6 0 w t。/。の燐酸イオン、 l〜5 w t %の硝酸イオン、 3 0〜5 0 w t %の酢酸イオンからなることを特徴とする請求の範囲第 1項または第 2項に記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。. 前記金属酸化物層がランタノィド系金属酸化物を含有したものであることを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれかに記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

. 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、および酸化ルテチウムからなる群から選択される 1種以上を含むことを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の半透過半射型電極基板の製造方法。

. 前記ランタノイド系金属酸化物の含有量の割合が、金属酸化物の全金属原子に対して 0 . 1〜1 0原子％未満であることを特徴とする請求の範囲第 4項または第 5項に記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

. 前記無機化合物層が、 A u , P t， N dから選択される 1種以上を 0 . 1から 3 w t % の範囲で含むことを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 6項のいずれかに記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

. 少なくとも酸化インジウムからなる第一の金属酸化物層と、少なくとも A 1 または A gからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウムまたは酸化亜鉛からなる第二の金属酸化物層と、をこの順で積層した半透過半反射電極基板を製造する方法であって、

前記第二の金属酸化物層おょぴ前記無機化合物層を燐酸、硝酸、酢酸からなるエツチング液 λでエツチングする工程と、

前記第一の金属酸化物薄膜を蓚酸を含むエッチング液 σでエッチングする工程とからなることを特徴とする半透過半反射電極基板の製造方法。

. 前記エッチング液えによる前記第一の金属酸化物層のエッチング速度 Αと、前記エッチング液 Iによる前記無機化合物層のエッチング速度 Bと、の比である B ZAの値を 1 0以上に設定し、

前記エッチング液 λによる前記無機化合物層のエッチング速度 Cと、前記エッチング液えによる前記第二の金属酸化物層のエッチング速度 Dと、の比 C /Dを 0 . 5〜2 . 0の範囲に設定す.ることを特徴とする請求の範囲第

' 8項に記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

0 . 前記エッチング液； Lが 3 0〜 6 0 w t。/。の燐酸イオン、 l〜5 w t %の硝酸イオン、 3 0〜5 0 w t %の酢酸イオンからなることを特徴とする請求の範囲第 8項または請求の範囲第 9項に記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

1 . 前記第一の金属酸化物層がランンタノィド系金属酸化物を含有したものであることを特徴とする請求の範囲第 8項〜第 1 0項のいずれかに記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

2 . 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、および酸化ルテチウムからなる群から選択される 1種以上を含むことを特徴とする請求の範囲第 1 1項に記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

1 3. 前記ランタノィド系金属酸化物の含有量の割合が、金属酸化物の全金属原子に対して 0. 1〜1 0原子％未満であることを特徴とする請求の範囲第 1 1項または第 12項に記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

14. 前記無機化合物層が、 Au， P t , N dから選択される 1種以上を 0. 1 から 3 w t % の範囲で含むことを特徴とする請求の範囲第 8項〜第 1 3項のいずれかに記載の半透過半反射型電極基板の製造方法。

1 5. 基板上に少なくとも A 1からなる無機化合物層と、

少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層とを

この順で積層した反射型電極基板。

1 6. 前記金属酸化物層が酸化亜鉛を含み、

[ I n] Z ([ I n] + [Z n]) が 0. 7〜0. 9 5 (ここで、 [I n]、 [Z n] は金属酸化物層中の [ I n] の原子数、 [Z n] の原子数を示す。）であることを特徴とする請求の範囲第 1 5項に記載の反射型電極基板。

1 7. 前記無機化合物層が、 Au， P t又は Ndから選ばれる 1種又は 2種以上の金属を 0. 1〜3 ％含むことを特徴とする請求の範囲第1 5項又は第 1 6項に記載の反射型電極基板。

1 8. 前記金属酸化物層がランタノィド系金属酸化物を含むことを特徴とする請求の範囲第 1 5項〜第 1 7項のいずれか 1項に記載の反射型電極基板。

1 9. 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリュウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、及び酸化ルテチウムから選ばれる 1種又は 2種以上を含むことを特徴とする請求の範囲第 1 8項に記載の反射型電極板。

20. 俞記ランタノイド系金属酸化物の含有割合が、金属酸化物の全金属原子に対して 0. 1〜10原子％であることを特徴とする請求の範囲第 1 8項又は第 1 9項に記載の反射型電極基板。

2 1. 前記金属酸化物の仕事関数が 5. 6 eV以上であることを特徴とする請求の範囲第 1 5項〜第 2 0項のいずれか 1項に記載の反射型電極基板。

2 . 請求の範囲第 1 5項〜第 2 1項のいずれか 1項に記載の反射型電極基板を製造する方法であって、，

燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層及び前記無機化合物層を一括エッチングする工程を含む反射型電極基板の製造方法。 3 . 前記エッチング液による前記無機化合物層のエッチング速度 Aと、前記金属酸化物層のエッチング速度 Bとの比 B ZAの値を 0 . 5〜2 . 0の範囲に設定することを特徴とする請求の範囲第 2 2項に記載の反射型電極基板の製造方法。

4 . 前記ェッチング液が 3 0〜 6 0 w t。/。の燐酸、 1〜 5 w t %の硝酸、及ぴ 3 0〜 5 0 w t %の酢酸からなることを特徴とする請求の範囲第 2 2項又は第 2 3項に記載の反射型電極基板の製造方法。

5 . 請求の範囲第 2 2項に記載の一括エッチングする工程に用いるエッチング液であって、

3 0〜 6 0 w t %の燐酸、：！〜 5 w t %の硝酸、及び 3 0〜 5 0 w t %の酢酸からなることを特徴とするエツチング組成物。

6 . 基板上に少なくとも A gからなる無機化合物層と、

少なくとも酸化インジウム及びランタノィド系金属酸化物からなる金属酸化物層と、

をこの順で積層することを特徴とする反射型電極基板。

7 . 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化セリウム、酸化プラセォジゥム、酸化ネオジゥム、酸化サマリウム、酸化ユウ口ピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、及び酸化ルテチウムから選ばれる 1種又は 2種以上を含むことを特徴とする請求の範囲 2 6に記載の反射型電極基板。

8 . ランタノイド系金属原子の含有割合が、金属酸化物中の全金属原子に対して 0 . 1〜2 0原子。 /。であることを特徴とする請求の範囲 2 6又は 2 7に記載の反射型電極基板。

9. 前記金属酸化物層が酸化亜鉛を含み、 '

[ I n] / ([ I n] + [Z n]) が 0. 7〜0. 9 5 (ここで、 [ I n]、 [Z n] は金属酸化物層中の I nの原子数、 Z nの原子数を示す。）であることを特徴とする請求の範囲 2 6〜 2 8のいずれか 1項に記載の反射型電極基板。

3 0. [ I n / ([ I n] + [S n]) が 0. 7〜0. 9 7 (ここで、 [S n] は金属酸化物層中の S nの原子数を示す。）であることを特徴とする請求の範囲 2 6〜 2.9のいずれか 1項に記載の反射型電極基板。

3 1. 前記無機化合物層が、 Au， C u, P d， Z r， N i , C o又はN dから選ばれる 1種又は 2種以上の金属を 0. 1〜3 w t %含むことを特徴とする請求の範囲 26〜 30のいずれか 1項に記載の反射型電極基板。

3 2. 前記金属酸化物の仕事関数が 5. 2 5 e V以上であることを特徴とする請求の範囲 26〜 3 1のいずれか 1項に記載の反射型電極基板。

3 3. 請求の範囲 26〜 3 2のいずれか 1項に記載の反射型電極基板を製造する方法であって、シュゥ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をェツチングする工程と、

燐酸、硝酸及ぴ酢酸からなるエツチング液により前記無機化合物層をエツチングする工程と、

を含む反射型電極基板の製造方法。

34. 前記無機化合物層をエッチングする前記エッチング液が、 30〜6 0w t

%の燐酸、 1〜 5 w t %の硝酸、及ぴ 30〜 50 w t %の酢酸からなることを特徴とする請求の範囲 3 3に記載の反射型電極基板の製造方法。