TWI738363B - 反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機ｅｌ顯示器及濺鍍靶材 - Google Patents

反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機ｅｌ顯示器及濺鍍靶材 Download PDF

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Abstract

本發明涉及一種即便使作為反射膜的Al合金膜與氧化物 導電膜直接接觸，也可確保低接觸電阻與高反射率，且耐熱性也優異的反射陽極電極，其用於有機EL顯示器，且所述反射陽極電極具有積層結構，所述積層結構包含Al合金膜及氧化物導電膜，在所述Al合金膜及所述氧化物導電膜的接觸界面介隔存在以氧化鋁為主成分的層，所述Al合金膜包含Si及稀土類元素，當將所述Si的含量設為a(原子%)，將所述稀土類元素的合計含量設為b(原子%)時，滿足0.62<{a/(a+b)}、0.2<a<3及0.1<b的關係，且所述以氧化鋁為主成分的層包含Si。另外，還涉及一種薄膜電晶體基板、有機EL顯示器、以及濺鍍靶材。

Description

反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機EL顯示 器及濺鍍靶材
本發明是有關於一種在有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示器(尤其是頂部發光(top emission)型)中使用的反射陽極電極。另外，更有關於一種使用所述反射陽極電極的薄膜電晶體基板及有機EL顯示器、以及用以形成所述反射陽極電極中所含的Al合金膜的濺鍍靶材。
有機電致發光(以下記載為“有機EL”)顯示器是在玻璃板等基板上呈矩陣狀排列有機EL元件而形成的平板顯示器。
Al作為反射膜也良好。例如，在專利文獻1中公開了Al膜或Al-Nd膜作為反射膜，並記載了Al-Nd膜的反射效率優異且理想的主旨。
但是，在將Al膜或Al-Nd膜作為反射膜而與氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)等的氧化物導電膜直接接觸的情況下，接觸電阻(contact resistance)變高，因此無法供給對於有機EL元件中的空穴注入而言充分的電流。
因此，在專利文獻2中，作為與構成透明電極的氧化物導電膜直接連接的反射電極(反射膜)，提出了一種含有0.1原子%～2原子%的Ni的Al-Ni合金膜。據此，可實現高反射率與低接觸電阻。
另外，在專利文獻3中，提出了一種Al基合金反射膜，通過製成含有0.1原子%～6原子%的Ag的Al基合金膜，即便與專利文獻2同樣地和氧化物導電膜直接接觸，也可實現低接觸電阻與高反射率。
進而，在專利文獻4中，提出了一種顯示裝置用Al合金膜，含有0.05原子%～0.5原子%的Ge，並以合計計含有0.05原子%～0.45原子%的Gd和/或La。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2005-259695號公報 [專利文獻2]日本專利特開2008-122941號公報 [專利文獻3]日本專利特開2011-108459號公報 [專利文獻4]日本專利特開2008-160058號公報
[發明所要解決的問題] 與所述相對，在頂部發光型的有機EL顯示器中，當使用Al合金作為陽極電極時，在氧存在環境下不可避免地在Al合金表面生成絕緣性氧化膜。因所述氧化膜的絕緣性而導致電流難以流動，因此若欲使規定值以上的電流流動，則所需的電壓值變高。因此，在維持相同的發光強度的情況下，消耗電力變高。
本發明是鑒於所述情況而成的，其目的在於提供一種即便使作為反射膜的Al合金膜與氧化物導電膜直接接觸，也可確保低接觸電阻與高反射率，且耐熱性也優異的有機EL顯示器用的反射陽極電極。 [解決問題的技術手段]
針對所述問題，本發明人發現，通過作為反射膜的Al合金膜包含規定量的Si及至少一種稀土類元素，並且在介隔存在於反射膜與氧化物導電膜的接觸界面的包含氧化物的層中也包含Si，可解決所述問題，從而完成了本發明。
即，本發明的有機EL顯示器用的反射陽極電極的特徵在於：具有積層結構，所述積層結構包含Al合金膜及氧化物導電膜，在所述Al合金膜及所述氧化物導電膜的接觸界面介隔存在以氧化鋁為主成分的層，所述Al合金膜包含Si及至少一種稀土類元素，當將所述Si的含量設為a（原子%），將所述稀土類元素的合計含量設為b（原子%）時，滿足0.62＜{a/（a+b）}、0.2＜a＜3及0.1＜b的關係，且所述以氧化鋁為主成分的層包含Si。
在本發明的較佳實施方式中，所述稀土類元素包含Nd及La的至少任一者。 在本發明的較佳實施方式中，所述氧化物導電膜的膜厚為5 nm～30 nm。 在本發明的較佳實施方式中，所述Al合金膜是利用濺鍍法來形成。 在本發明的較佳實施方式中，所述Al合金膜與薄膜電晶體的源極/汲極電極電性連接。
另外，在本發明中也包含一種薄膜電晶體基板或有機EL顯示器，所述薄膜電晶體基板包含所述任一反射陽極電極，所述有機EL顯示器包含所述薄膜電晶體基板。
進而，在本發明中也包含一種濺鍍靶材，其用以形成所述任一反射陽極電極中所含的Al合金膜，且所述濺鍍靶材中，當將Si的含量設為a（原子%），將稀土類元素的合計含量設為b（原子%）時，滿足0.62＜{a/（a+b）}、0.2＜a＜3及0.1＜b的關係。 [發明的效果]
根據本發明的有機EL顯示器用的反射陽極電極，使作為反射膜的Al合金膜與氧化物導電膜直接接觸，即便在其間存在以氧化鋁為主成分的層，也可確保低接觸電阻與高反射率。另外，由於耐熱性也優異，因此可製成無表面粗糙（突起（hillock））者。
通過將所述反射陽極電極用於薄膜電晶體基板、乃至有機EL顯示器，可使電流在有機發光層中高效地流動，進而，可通過反射膜而高效地反射自所述有機發光層放射的光，因此可實現發光亮度也優異的有機EL顯示器。
以下，對用以實施本發明的方式（本實施方式）進行詳細說明。再者，本發明並不限定於以下所說明的實施方式，可在不脫離本發明的主旨的範圍內任意變更來實施。
（有機EL顯示器） 首先，利用圖1對使用本實施方式的反射陽極電極的有機EL顯示器的概略進行說明。再者，本實施方式中所使用的Al合金膜為Al-Si-REM合金膜（REM是指一種以上的稀土類元素），但以下將所述Al-Si-REM合金膜簡稱為“Al合金膜”。
在基板1上形成薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）2及鈍化膜3，進而，在鈍化膜3上形成平坦化層4。在TFT 2上形成接觸孔5，TFT 2的源極/汲極電極（未圖示）與Al合金膜6經由接觸孔5電性連接。
以與Al合金膜6接觸的方式在Al合金膜6的正上方形成氧化物導電膜7。但是，實際上，在Al合金膜6與氧化物導電膜7的接觸界面形成、介隔存在以氧化鋁（Al2 O3 ）為主成分的層（未圖示）。再者，所謂“以氧化鋁為主成分的層”中的主成分，是指層中含得最多的成分，具體而言，是指相對於層的總質量，包含70質量%以上的成分。
由於Al非常容易被氧化，因此容易與環境中的氧結合而在Al合金膜表面容易形成包含氧化鋁的層。另外，在使Al合金膜與氧化物導電膜接觸的情況下，Al自氧化物導電膜奪取氧，在其接觸界面容易形成以氧化鋁為主成分的層。由於所述以氧化鋁為主成分的層是絕緣性，因此原本會導致Al合金膜與氧化物導電膜的接觸電阻（contact resistance）上升。
然而，在本實施方式中，通過在Al合金膜中含有特定量的Si，從而在所形成的以氧化鋁為主成分的層中也包含Si。此時，推測Si在以氧化鋁為主成分的層中以金屬結合的結合形態存在，並認為通過所述Si的存在，可確保Al合金膜與氧化物導電膜的低接觸電阻。
關於以氧化鋁為主成分的層中的Si的存在，例如可通過X射線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy，XPS）或使用組合有能量分散型X射線分光（EDX）分析的穿透式電子顯微鏡（TEM）（TEM-EDX）的反射陽極電極的剖面觀察來確認。 雖然難以實際測定所述層中所含的Si的含量，但在使用TEM-EDX的反射陽極電極的剖面觀察中，Si較佳為0.8原子%以上。
Al合金膜6及氧化物導電膜7作為有機EL元件的反射電極發揮作用，且與TFT 2的源極/汲極電極電性連接，因此包含以氧化鋁為主成分的層的Al合金膜6及氧化物導電膜7作為反射陽極電極發揮功能。 在所述氧化物導電膜7上形成有機發光層8，進而在有機發光層8上形成有陰極電極9。 在此種有機EL顯示器中，自有機發光層8放射的光被本實施方式的反射陽極電極高效地反射，因此可實現優異的發光亮度。再者，反射陽極電極的反射率越高越佳，相對於波長450 nm的光的反射率較佳為79%以上，更佳為80%以上，進而佳為85%以上。
（Al合金膜） 其次，將本發明的反射陽極電極中所使用的Al合金膜進行說明。 Al合金膜含有Si與至少一種稀土類元素（REM），當將Si相對於Al合金膜的含量設為a（原子%），將REM的合計含量設為b（原子%）時，它們的比率滿足0.62＜{a/（a+b）}、0.2＜a＜3且0.1＜b的關係。
通過將a設為超過0.2原子%，可設定確保低接觸電阻所需的Si的量，可防止驅動電壓變高。a較佳為超過0.5原子%，更佳為超過0.8原子%。 另外，通過將a設為未滿3原子%，可維持高反射率。a較佳為未滿2.5原子%，更佳為未滿1.5原子%。
通過將b設為超過0.1原子%，可抑制因在工藝中受到的熱歷程而產生的表面粗糙（突起）的產生。表面粗糙成為像素短路的原因。b較佳為0.2原子%以上。 另外，b的上限根據0.62＜{a/（a+b）}而受a的值限制，但較佳為未滿1原子%，更佳為未滿0.5原子%。
通過將{a/（a+b）}所表示的比設為超過0.62，可維持低接觸電阻。認為其原因在於：Al合金膜中所含的Si與稀土類元素形成化合物，可防止在以氧化鋁為主成分的層中Si難以濃化。{a/（a+b）}所表示的比較佳為超過0.7，更佳為超過0.8。 另外，就確保反射率的方面而言，{a/（a+b）}所表示的比較佳為未滿0.9。
作為Al合金膜中所含的稀土類元素，可列舉：La、Ce、Nd、Sm、Gd、Tb等。另外，關於這些元素，可同時添加多種元素。其中，較佳為Nd、La，更佳為包含Nd及La的至少任一者。
在Al合金膜中，除Al、Si及REM以外，也可在不損及本發明的效果的範圍內包含其他元素。 作為其他元素，例如可列舉Ge、Cu、Ni、Ta、Ti、Zr等。相對於Al合金膜，這些其他元素與雜質的合計含量較佳為1.0原子%以下，更佳為0.7原子%以下。
就確保反射率的方面而言，Al合金膜的膜厚較佳為50 nm以上，更佳為100 nm以上。另外，就配線加工性或生產性的方面而言，Al合金膜的膜厚較佳為300 nm以下，更佳為200 nm以下。
Al合金膜較佳為利用濺鍍法或真空蒸鍍法來形成，就可容易形成成分或膜厚的膜面內均勻性優異的薄膜的方面而言，更佳為利用濺鍍法並使用濺鍍靶材(以下有時稱為“靶材”)來形成。
在通過濺鍍法來形成Al合金膜中，作為所述靶材，使用包含所述元素（Si及REM）且與所期望的Al合金膜相同組成的Al合金濺鍍靶材即可。
因此，用以形成所述反射陽極電極中所含的Al合金膜且與所述Al合金膜相同組成的濺鍍靶材也包含於本發明的範圍內。 詳細而言，一種濺鍍靶材，其用以形成所述反射陽極電極中所含的Al合金膜，且所述濺鍍靶材中，當將Si的含量設為a（原子%），將稀土類元素的合計含量設為b（原子%）時，滿足0.62＜{a/（a+b）}、0.2＜a＜3及0.1＜b的關係。 再者，靶材的組成或a及b所表示的含量的較佳形態分別與所述Al合金膜中的組成或a及b所表示的含量的較佳形態相同。
作為靶材的製造方法，可列舉：通過熔解鑄造法、粉末燒結法、噴射成形法等來製造包含Al基合金的錠而獲得的方法；或在製造包含Al基合金的預成形體（獲得最終緻密體前的中間體）後，通過緻密化手段而使所述預成形體緻密化而獲得的方法。
就抑制基板上的水分或氣體的吸附的方面而言，濺鍍法中的基板溫度較佳為25℃以上，另外，就確保Al合金的表面平滑性的方面而言，較佳為200℃以下，更佳為150℃以下。
（氧化物導電膜） 本實施方式中所使用的氧化物導電膜並無特別限定，可列舉氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）等的通常使用的氧化物導電膜，就低電阻或電阻的穩定性的方面而言，較佳為氧化銦錫。
就防止在氧化物導電膜中產生針孔、成為黑點的原因的觀點而言，氧化物導電膜的膜厚較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上。另一方面，就防止製成反射陽極電極時的反射率降低的觀點而言，氧化物導電膜的膜厚較佳為30 nm以下，更佳為20 nm以下。
關於氧化物導電膜，就可容易形成成分或膜厚的膜面內均勻性優異的薄膜的方面而言，較佳為通過濺鍍法來成膜。
（反射陽極電極） 所述所獲得的反射陽極電極除優異的反射率及低接觸電阻以外，位於上層的氧化物導電膜的功函數被控制為與使用通用的Ag基合金時相同程度，耐熱性也優異，因此可用於有機EL顯示器。
反射陽極電極的反射率越高越佳，相對於波長450 nm的光的反射率較佳為79%以上，更佳為80%以上，進而佳為85%以上。 另外，關於低接觸電阻，通過後述的實施例中記載的方法，即，使用接觸孔尺寸為80 μm×80 μm的卡爾文圖案的4端子法來進行測定，且接觸電阻較佳為10 kΩ∙mm2 以下，更佳為2 kΩ∙mm2 以下。
所述Al合金膜與薄膜電晶體的源極/汲極電極電性連接的反射陽極電極也可作為本實施方式的較佳形態而列舉，進而，包含反射陽極電極的薄膜電晶體基板或包含所述薄膜電晶體基板的有機EL顯示器也可作為本實施方式的較佳形態而列舉。 [實施例]
以下，列舉實施例來進一步具體說明本發明，但本發明並不受以下實施例限制，也能夠在可適合於其主旨的範圍內加以變更來實施，這些均包含於本發明的技術範圍內。
（反射陽極電極的製作） 以無鹼玻璃板（板厚：0.7 mm）為基板，在其表面通過濺鍍法而形成作為反射膜的Al合金膜（膜厚200 nm）。關於濺鍍條件，設為基板溫度25℃、壓力0.26 Pa，使用直流電源，在5 W/cm2 ～20 W/cm2 下使用Al合金靶材。再者，濺鍍靶材及所形成的Al合金膜的組成中，Si、Nd及La的含量（原子%）如表1所示，剩餘部分為Al及雜質。所述組成是通過電感耦合電漿（Inductively Coupled Plasma，ICP）發光分光分析來進行鑑定。
在所述所獲得的Al合金膜上，通過濺鍍法以10 nm的膜厚積層In-Sn-O（Sn：10質量%）薄膜（ITO薄膜）作為氧化物導電膜。關於濺鍍條件，將基板溫度設為室溫（約25℃），將壓力設為0.26 Pa，使用直流電源在2 W/cm2 ～4 W/cm2 下進行。 然後，通過在氮氣環境中且在250℃下保持一小時而進行熱處理（後退火），從而製作反射陽極電極。
（以氧化鋁為主成分的層的鑑定） 針對所獲得的反射陽極電極，通過X射線光電子分光法（XPS）而確認到：在Al合金膜與氧化物導電膜之間存在以氧化鋁為主成分的層，且Si以金屬結合的結合狀態包含於所述層中。 另外，使用組合有能量分散型X射線分光分析的穿透式電子顯微鏡（TEM-EDX）（TEM觀察裝置：日本電子製造的場致發射形穿透式電子顯微鏡JEM-2010F、獲取照相機：咖壇（Gatan）製造的電荷耦合裝置（Charge Coupled Device，CCD）超級掃描（UltraScan）、EDX分析裝置：日本電子製造的JED-2300T SDD（附帶JEM-2010F），利用加速電壓200 kV、光束直徑（EDX分析）約1 nm的條件來進行反射陽極電極的剖面觀察。例如，針對實施例2的反射陽極電極，對距電極表面（上層側）為5 nm、12 nm、15 nm及40 nm的深度的四個部位進行剖面觀察，根據所獲得的TEM圖像及EDX光譜而確認到分別與氧化物導電膜、以氧化鋁為主成分的層、Al合金膜及Al合金膜相對應。 將實施例2中的以氧化鋁為主成分的層的EDX光譜示於圖3中。通過圖3並根據Al及O的峰值與它們的含量（原子%、at%）而可知是以氧化鋁為主成分的層的光譜。在所述層中也確認到Si的峰值，其含量為2.5原子%。
（反射率） 針對反射陽極電極（熱處理後），使用日本分光股份有限公司製造的可見/紫外分光光度計“V-570”對測定波長：1000 nm～250 nm的範圍內的分光反射率進行測定。具體而言，將相對於基準反射鏡的反射光強度，測定試樣的反射光強度而得的值作為“反射率”。將測定波長450 nm下的反射率示於表1中，若所述反射率為79%以上，則良好且設為合格。
（耐熱性） 反射陽極電極(熱處理後)的耐熱性的評價是通過如下方式來進行：利用光學顯微鏡來觀察表面，以倍率1000倍確認有無凹凸(表面粗糙、突起)。具體而言，將任意的140 μm×100 μm的範圍內的直徑1 μm以上的突起的數量未滿5個者判定為“無突起”而設為良好（○），將5個以上者判定為“有突起”而設為不良（×）。 再者，作為反射陽極電極的耐熱性，也利用微分干涉顯微鏡對熱處理後的電極表面進行觀察，並確認有無表面粗糙（突起）。結果確認到，通過所述光學顯微鏡的表面觀察而判定為良好（○）的反射陽極電極均是平滑的表面。
（接觸電阻） Al合金膜與氧化物導電膜的接觸電阻（contact resistance）使用圖2所示的卡爾文圖案。關於卡爾文圖案，在形成所述Al合金膜後，繼而以10 nm積層作為氧化物導電膜的In-Sn-O（Sn：10質量%）薄膜，形成配線圖案後，在其表面通過電漿化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）裝置而形成作為鈍化膜的SiN膜（膜厚：200 nm）。 成膜條件設為基板溫度：280℃、氣體比：SiH4 /NH3 /N2 =125/6/185、壓力：137 Pa、RF功率：100 W。 在對所形成的SiN膜進行圖案化後，在其表面通過濺鍍法而形成Mo膜（膜厚：300 nm），進而，對所形成的Mo膜進行圖案化，由此獲得圖2的卡爾文圖案。
關於接觸電阻的測定法，制作圖2所示的卡爾文圖案（接觸孔尺寸：80 μm見方），進行4端子測定（使電流在Al合金\ITO積層膜中流動，利用其他端子測定Al合金\ITO積層膜間的電壓降低的方法）。具體而言，使電流I在圖2的I1 -I2 間流動，並監視V1 -V2 間的電壓V，由此以[R=（V1 -V2 ）/I2 ]的形式求出接觸部的電阻R。將電阻R乘以接觸部的面積而換算成面積電阻（Ω∙mm2 ）所得的值作為接觸電阻，將10 kΩ∙mm2 以下（10000 Ω∙mm2 以下）者設為良好且合格。
將所獲得的反射陽極電極的Al合金膜的組成及評價結果匯總示於表1中。再者，關於綜合評價，將所述反射率、耐熱性、接觸電阻均良好的情況設為○，即便是一個為不良，也將所述情況設為×。另外，在表中將Al合金膜中的{a/（a+b）}表示為{Si/（Si+REM）}。
[表1]
  Si REM Si/（Si+REM） 接觸電阻[Ω∙mm2 ] 反射率（熱處理後） @450 nm[%] 耐熱性 綜合評價
實施例1 2.43 Nd 0.20 0.924 1937.55 79.62 ○ ○
實施例2 1.49 Nd 0.20 0.882 789.63 81.47 ○ ○
實施例3 0.83 Nd 0.20 0.806 2118.04 83.29 ○ ○
實施例4 0.45 Nd 0.20 0.692 867.54 83.18 ○ ○
實施例5 1.00 La 0.25 0.800 823.56 81.58 ○ ○
實施例6 2.29 Nd 1.36 0.627 3352.01 81.32 ○ ○
實施例7 2.48 Nd 0.25 0.908 1584.86 80.78 ○ ○
實施例8 2.74 Nd 0.41 0.870 2853.44 80.18 ○ ○
實施例9 2.20 Nd 1.09 0.669 7306.99 80.49 ○ ○
比較例1 1.00 - 0 1.000 279.93 80.86 × ×
比較例2 5.18 Nd 0.55 0.904 2138.90 78.51 ○ ×
比較例3 3.60 Nd 0.26 0.933 5035.94 75.53 ○ ×
比較例4 1.25 Nd 1.61 0.437 192266.61 83.87 ○ ×
比較例5 2.01 Nd 1.32 0.604 36674.48 80.77 ○ ×
比較例6 2.07 Nd 1.31 0.612 131538.56 81.54 ○ ×
根據以上所述而確認到，通過在Al合金膜中包含Si，介隔存在於Al合金膜與氧化物導電膜之間的以氧化鋁為主成分的層中也包含Si。確認到：通過將Al合金膜中所含的Si及稀土類元素的含量設為0.62＜{Si/（Si+REM）}、0.2＜Si＜3及0.1＜REM，所獲得的反射陽極電極實現低接觸電阻、高反射率及良好的耐熱性。
雖然詳細且參照特定的實施形態對本發明進行了說明，但對於本領域技術人員而言明確的是，可在不脫離本發明的精神與範圍的情況下加以各種變更或修正。 本申請基於2019年5月30日提出申請的日本專利申請2019-101560，且其內容以參照的形式被併入至本申請中。
1:基板 2:TFT 3:鈍化膜 4:平坦化層 5:接觸孔 6:Al合金膜 7:氧化物導電膜 8:有機發光層 9:陰極電極
圖1是表示包括本發明的實施方式的反射陽極電極的有機EL顯示器的一例的概略剖面圖。 圖2是表示Al合金膜與氧化物導電膜的接觸電阻測定中所使用的卡爾文（Kelvin）圖案的圖。 圖3是實施例2的反射陽極電極的利用穿透式電子顯微鏡-能量色散X射線（Transmission Electron Microscope-Energy Dispersive X-Ray，TEM-EDX）進行剖面觀察時的以氧化鋁為主成分的層的EDX光譜。
1:基板
2:TFT
3:鈍化膜
4:平坦化層
5:接觸孔
6:Al合金膜
7:氧化物導電膜
8:有機發光層
9:陰極電極

Claims (9)

  1. 一種反射陽極電極，其用於有機EL顯示器，且所述反射陽極電極具有積層結構，所述積層結構包含Al合金膜及氧化物導電膜，在所述Al合金膜及所述氧化物導電膜的接觸界面介隔存在以氧化鋁為主成分的層，所述Al合金膜包含Si及至少一種稀土類元素，當將所述Si的含量設為a原子%，將所述稀土類元素的合計含量設為b原子%時，滿足0.62<{a/(a+b)}、0.2<a<3及0.1<b的關係，且所述以氧化鋁為主成分的層包含Si。
  2. 如請求項1所述的反射陽極電極，其中所述稀土類元素包含Nd及La的至少任一者。
  3. 如請求項1所述的反射陽極電極，其中所述氧化物導電膜的膜厚為5nm~30nm。
  4. 如請求項2所述的反射陽極電極，其中所述氧化物導電膜的膜厚為5nm~30nm。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的反射陽極電極，其中所述Al合金膜是利用濺鍍法來形成。
  6. 如請求項1至4中任一項所述的反射陽極電極，其中所述Al合金膜與薄膜電晶體的源極/汲極電極電性連接。
  7. 一種薄膜電晶體基板，包括如請求項1至6中任一項所述的反射陽極電極。
  8. 一種有機EL顯示器，包括如請求項7所述的薄膜電晶體基板。
  9. 一種濺鍍靶材，其用以形成如請求項1至6中任一項所述的反射陽極電極中所含的Al合金膜，且所述濺鍍靶材中，當將Si的含量設為a原子%，將稀土類元素的合計含量設為b原子%時，滿足0.62<{a/(a+b)}、0.2<a<3及0.1<b的關係。
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