CN115036439A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 121
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 121
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 364
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括依次设置的基板、金属氧化物薄膜晶体管、有机平坦化层、阳极、发光层以及阴极；有机平坦化层中开设有过孔；阳极覆盖过孔，并与金属氧化物薄膜晶体管连接；阳极包括依次设置在有机平坦层上的阻氢层、反射层以及电极层；反射层中的金属的还原性大于氢气的还原性，阻氢层的材料为金属或合金，阻氢层中的金属的还原性小于氢气的还原性。本申请提高了薄膜晶体管的电性稳定性。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及制备方法、显示装置。
背景技术
对于顶发光的有源矩阵有机发光二极管(Active MatrixOrganic LightEmitting Diode,AMOLED)显示产品而言，薄膜晶体管和阳极之间通常会设置平坦化层，以提高膜层整体的平坦度。然而，由于平坦化层的材料为有机材料，平坦化层会吸收外界环境或产品制程中产生的水汽，使得平坦化层内部存在少量的水汽。
在现有技术的顶发光AMOLED显示面板中，阳极通常为反射膜和电极层的叠层结构。其中，反射膜位于电极层靠近平坦化层的一侧，且反射膜的材料一般为反射率较高的金属。由于反射膜材料中所用的金属如铝具有较强的活泼性，在电极层成膜工艺中的高温制程下，平坦化层和反射膜会因直接接触而使平坦化层中的水电离产生氢离子。当氢离子沿靠近薄膜晶体管的方向扩散至氧化物半导体层的沟道时，使得沟道导体化为导体，导致薄膜晶体管的电性发生严重的负飘，进而降低了薄膜晶体管的电性稳定性。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及制备方法、显示装置，以提高薄膜晶体管的电性稳定性。
本申请实施例提供一种显示面板，其包括：
基板；
金属氧化物薄膜晶体管，设置在所述基板上；
有机平坦化层，设置在所述金属氧化物薄膜晶体管远离所述基板的一侧，所述有机平坦化层中开设有过孔；
阳极，设置在所述有机平坦化层远离所述金属氧化物薄膜晶体管的一侧，所述阳极覆盖所述过孔，并与所述金属氧化物薄膜晶体管连接；
发光层，设置在所述阳极远离所述有机平坦化层的一侧；以及
阴极，设置在所述发光层远离所述阳极的一侧；
其中，所述阳极包括依次设置在所述有机平坦层上的阻氢层、反射层以及电极层，所述反射层中的金属的还原性大于氢气的还原性，所述阻氢层的材料为金属或合金，所述阻氢层中的金属的还原性小于氢气的还原性。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻氢层中的金属包括Mo、Ti以及Ni中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻氢层的材料包括Mo/Ti合金、Mo/Ni合金或Mo/Ti/Ni合金。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层中的金属包括Al。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层中的金属还包括Ni、Cu以及La中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层的材料包括Al/Ni/Cu/La合金，所述阻氢层的材料包括Mo/Ni/Ti合金。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括钝化层和第一保护电极，所述钝化层设置在所述金属氧化物薄膜晶体管和所述有机平坦化层之间，所述钝化层中开设有第一连接孔，所述第一保护电极设置在所述钝化层和所述有机平坦化层之间，所述第一保护电极覆盖所述第一连接孔，并分别与所述阳极和所述金属氧化物薄膜晶体管连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物薄膜晶体管包括依次设置在所述基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极以及源漏极；所述显示面板还包括介电绝缘层，所述介电绝缘层设置在所述栅极和所述源漏极之间，并分别与所述栅极的表面和所述源漏极的表面接触。
本申请实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括壳体和设置在所述壳体中的显示面板，所述显示面板为如前述任一实施例所述的显示面板。
本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板的一侧形成金属氧化物薄膜晶体管；
在所述金属氧化物薄膜晶体管上形成有机平坦化层，所述有机平坦化层中开设有过孔；
在所述有机平坦化层上依次形成阻氢基层、反射基层以及电极基层；其中，所述反射基层中的金属的还原性大于氢气的还原性，所述阻氢基层的材料为金属或合金，所述阻氢基层中的金属的还原性小于氢气的还原性；
对所述阻氢基层、所述反射基层以及所述电极基层进行退火处理；
对所述阻氢基层、所述反射基层以及所述电极基层进行图案化处理，所述阻氢基层形成为阻氢层，所述反射基层形成为反射层，所述电极基层形成为电极层，所述阻氢层、所述反射层以及所述电极层构成阳极，所述阳极覆盖所述过孔，并与所述金属氧化物薄膜晶体管连接；
在所述阳极上依次形成发光层和阴极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射基层的材料包括Al/Ni/Cu/La合金，所述阻氢基层的材料包括Mo/Ni/Ti合金，所述对所述阻氢基层、所述反射基层以及所述电极基层进行图案化处理的步骤，包括：
采用干法蚀刻工艺对所述电极基层进行蚀刻，以形成电极层；
在同一道湿法蚀刻工艺下对所述反射基层和所述阻氢基层进行蚀刻，以分别形成反射层和阻氢层。
相较于现有技术中的显示面板，本申请提供的显示面板通过在有机平坦化层和反射层之间设置阻氢层，且阻氢层中的金属的还原性小于氢气的还原性，相较于还原性大于氢气的具有较强活泼性的金属，由于阻氢层中的金属的活泼性较弱，因此，在电极层成膜工艺中的高温制程下，有机平坦化层中的水无法电离产生氢离子，进而能够避免氢离子扩散至沟道，避免了沟道的导体化，从而降低了薄膜晶体管的电性负飘的几率，提高了薄膜晶体管的电性稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的显示面板的结构示意图。
图2是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
图3是本申请提供的显示面板的制备方法的流程示意图。
图4A至图4I是图3所示的显示面板的制备方法中各步骤依次得到的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
如图1所示，在现有技术的有机发光二极管显示面板100’中，阳极10’为反射膜11’和电极层12’的叠层结构。其中，反射膜11’的材料为具有较高反射率的活泼金属如铝或包含活泼金属的合金；电极层12’的材料为金属氧化物。具体的，阳极10’的制备工艺包括：首先，形成整面的反射膜和金属层；其次，在氧气气氛中进行高温退火处理，以使金属层中的金属被氧化而形成金属氧化物，所述金属氧化物作为阳极10’的电极材料；最后，通过图案化处理形成图案化的反射膜11’和图案化的电极层12’。然而，在上述高温条件下，由于平坦化层20’和反射膜11’会因直接接触而使平坦化层20’中的水电离产生氢离子，在介电绝缘层30’的上下表面分别设置一层致密的氧化铝层40’，以阻挡平坦化层20’中的氢离子向氧化物半导体层50’中的扩散，从而有效地保护沟道51’，避免沟道51’被导体化。
然而，针对上述设计，本申请的发明人在实验探究中发现，氧化铝层40’的设置存在以下技术问题：第一、氧化铝层40’的设置增加了新的制程，由此提高了制程成本，比如，由于氧化铝层40’成膜工艺中需要用到物理气相沉积工艺，物理气相沉积设备的使用会显著增加设备成本。第二、由于氧化铝成膜过程中所用的原材料为氧化铝靶材，因氧化铝靶材中存在铝颗粒，使得成膜过程中体系内存在异物，进而会使得显示面板出现暗点，降低了产品的制造良率。第三、由于介电绝缘层30’的开孔是通过蚀刻工艺形成的，氧化铝层40’的设置使得上述蚀刻工艺中的工艺参数需重新调整，由此会增加产能的负担。
针对现有技术中存在的上述技术问题，本申请提供一种显示面板及制备方法、显示装置。以下分别进行详细说明。
本申请提供一种显示面板，其包括基板、金属氧化物薄膜晶体管、有机平坦化层、阳极、发光层以及阴极。金属氧化物薄膜晶体管设置在基板上。有机平坦化层设置在金属氧化物薄膜晶体管远离基板的一侧。有机平坦化层中开设有过孔。阳极设置在有机平坦化层远离金属氧化物薄膜晶体管的一侧。阳极覆盖过孔，并与金属氧化物薄膜晶体管连接。发光层设置在阳极远离有机平坦化层的一侧。阴极设置在发光层远离阳极的一侧。阳极包括依次设置在有机平坦层上的阻氢层、反射层以及电极层。反射层中的金属的还原性大于氢气的还原性。阻氢层的材料为金属或合金，阻氢层中的金属的还原性小于氢气的还原性。
由此，本申请提供的显示面板通过在有机平坦化层和反射层之间设置阻氢层，且阻氢层中的金属的还原性小于氢气的还原性，相较于还原性大于氢气的具有较强活泼性的金属，由于阻氢层中的金属的活泼性较弱，因此，在电极层成膜工艺中的高温制程下，有机平坦化层中的水无法电离产生氢离子，进而能够避免氢离子扩散至沟道，避免了沟道的导体化，从而降低了薄膜晶体管的电性负飘的几率，提高了薄膜晶体管的电性稳定性。
下面通过具体实施例对本申请提供的显示面板进行详细的阐述。
请参照图2，本申请实施例提供一种显示面板100。显示面板100包括基板10、遮光电极11、缓冲层12、金属氧化物薄膜晶体管13、介电绝缘层14、钝化层15、第一保护电极16、有机平坦化层17、阳极18、像素定义层19、发光层20以及阴极21。
其中，基板10可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，基板10还可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本申请对基板10的材质不作具体限定。
遮光电极11设置在基板10的一侧。其中，遮光电极11的材料可以为Mo、Ti、Cu或Mn，或者，遮光电极11的材料也可以为由上述至少两种金属组成的合金。
缓冲层12设置在遮光电极11远离基板10的一侧。其中，缓冲层12可以为单层结构、双层结构或多层结构。缓冲层12的材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。示例性地，当缓冲层12为双层结构时，所述双层结构可以包括以氧化硅为绝缘材料的底层和以氮化硅为绝缘材料的顶层。
金属氧化物薄膜晶体管13设置在缓冲层12远离遮光电极11的一侧。其中，金属氧化物薄膜晶体管13包括氧化物半导体层131、栅极绝缘层132、栅极133以及源漏极134。
需要说明的是，本申请中的金属氧化物薄膜晶体管13可以为顶栅型结构，也可以为底栅型结构，本实施例仅以顶栅型结构的金属氧化物薄膜晶体管13为例进行说明，但并不能理解为对本申请的限制。
氧化物半导体层131设置在缓冲层12上。氧化物半导体层131包括沟道1311和设置在沟道1311相对两侧的导通部1312。其中，氧化物半导体层131的材料包括金属氧化物，如IGZO、IGTO、IZTO、IGZTO、ITO和IZO中的一种或多种。在本实施例中，氧化物半导体层131的材料为IGZO。
栅极绝缘层132设置在氧化物半导体层131远离缓冲层12的一侧。其中，栅极绝缘层132的材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。示例性地，当栅极绝缘层132为双层结构时，所述双层结构可以包括以氧化硅为绝缘材料的底层和以氮化硅为绝缘材料的顶层。
栅极133设置在栅极绝缘层132远离氧化物半导体层131的一侧。其中，栅极133可以为单层结构、双层结构或多层结构。栅极133的材料可以包括Cu、Al、Mo和Ti中的一种或多种。示例性地，当栅极133为双层结构时，所述双层结构可以包括以Mo为导电材料的底层和以Cu为导电材料的顶层。
源漏极134设置在栅极133远离栅极绝缘层132的一侧。其中，源漏极134包括源极1341和漏极1342。源极1341连接于沟道1311一侧的导通部1312。漏极1342连接于沟道1311另一侧的导通部1312。具体的，源漏极134可以为单层结构、双层结构或多层结构。源漏极134的材料可以包括Cu、Al、Mo和Ti的一种或多种。示例性地，当源漏极134为双层结构时，所述双层结构可以包括以Mo为导电材料的底层和以Cu为导电材料的顶层。
需要说明的是，在本实施例中，显示面板100还包括与源漏极134同层且间隔设置的绑定焊盘134a。其中，绑定焊盘134a设置在绑定区(图中未标识)，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。
进一步的，在本实施例中，显示面板100还包括第一导电部11a和第二导电部131a，第一导电部11a与遮光电极11同层且间隔设置，第二导电部131a与氧化物半导体层131同层且间隔设置。其中，第一导电部11a于基板10所在平面的正投影和第二导电部131a于基板10所在平面的正投影至少部分重叠，以使第一导电部11a和第二导电部131a之间形成电容。其中，第一导电部11a和遮光电极11采用同一道工艺制备得到，第二导电部131a和氧化物半导体层131采用同一道工艺制备得到，以节省工艺制造成本。
介电绝缘层14设置在栅极133和源漏极134之间。其中，介电绝缘层14的材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。示例性地，当介电绝缘层14为双层结构时，所述双层结构可以包括以氧化硅为绝缘材料的底层和以氮化硅为绝缘材料的顶层。
钝化层15设置在源漏极134远离介电绝缘层14的一侧。钝化层15中开设有第一连接孔151和第二连接孔152。第一连接孔151裸露出漏极1342。第二连接孔152裸露出绑定焊盘134a。其中，钝化层15可以为单层结构、双层结构或多层结构。钝化层15的材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。示例性地，当钝化层15为双层结构时，所述双层结构可以包括以氧化硅为绝缘材料的底层和以氮化硅为绝缘材料的顶层。
第一保护电极16设置在钝化层15远离源漏极134的一侧。第一保护电极16覆盖第一连接孔151，并与漏极1342连接。在本实施例中，第一保护电极16的材料可以为Ti等抗腐蚀性能较佳的金属。进一步的，显示面板100还包括第二保护电极16a，第二保护电极16a与第一保护电极16同层且间隔设置，并在同一道工艺中形成。第二保护电极16a延伸至第二连接孔152内，并与绑定焊盘134a连接。
有机平坦化层17设置在金属保护层远离钝化层15的一侧。有机平坦化层17中开设有过孔171。过孔171连通于第一连接孔151。其中，有机平坦化层17的材料可以为丙烯酸树脂或环氧树脂等有机材料。
阳极18设置在有机平坦化层17远离金属保护层的一侧。阳极18延伸至过孔171内，并与第一保护电极16连接。其中，阳极18包括依次设置在有机平坦化层17上的阻氢层181、反射层182以及电极层183。
在本实施例中，阻氢层181的材料为金属或合金。其中，阻氢层181中的金属的还原性小于氢气的还原性。具体的，当阻氢层181的材料为金属时，所述金属的还原性小于氢气的还原性；阻氢层181的材料为合金时，所述合金中的至少一种金属的还原性小于氢气的还原性。
通过上述设置，相较于还原性大于氢气的具有较强活泼性的金属，阻氢层181中的金属具有较弱的活泼性，即使在高温条件下，阻氢层181与有机平坦化层17之间的接触并不会使有机平坦化层17中的水被电离形成氢离子，进而能够有效避免氢离子扩散至沟道1311，从而能够避免沟道1311被导体化，以降低金属氧化物薄膜晶体管13的电性发生负飘的几率，进而提高金属氧化物薄膜晶体管13的电性稳定性。
需要说明的是，在本申请中，金属的活泼性的强弱是相对而言的，也即，以金属的还原性和氢气的还原性的相对大小为基准，若金属的还原性大于氢气的还原性，则该金属具有较强的活泼性；若金属的还原性小于氢气的还原性，则该金属具有较弱的还原性。
阻氢层181中的金属可以包括Mo、Ti以及Ni中的至少一种。在一些具体实施方式中，阻氢层181的材料可以为金属，如可以为Mo、Ti或Ni。另外，在一些具体实施方式中，阻氢层181的材料也可以为合金，如可以为Mo/Ti合金、Mo/Ni合金或Mo/Ti/Ni合金。在本实施例中，阻氢层181的材料为Mo/Ti/Ni合金。
进一步的，阻氢层181的厚度可以为300埃-2000埃。在上述厚度范围内，阻氢层181具有较佳的阻氢效果，并能够保持与反射层182之间的良好导通性。在一些具体实施方式中，阻氢层181的厚度可以为300埃、500埃、800埃、1000埃、1200埃、1500埃、1800埃或2000埃。
其中，反射层182的材料可以为金属或者合金。当反射层182的材料为金属时，所述金属的还原性大于氢气的还原性；当反射层182的材料为合金时，所述合金中的金属的还原性大于氢气的还原性。具体的，反射层182中的金属包括Al。进一步的，反射层182中的金属还可以包括Ni、Cu以及La中的至少一种。在本实施例中，反射层182的材料为Al/Ni/Cu/La合金。
其中，电极层183的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化钨等透明金属氧化物。在本实施例中，电极层183的材料为氧化钨，以提高电极层183激发电子的能力。
本申请的发明人通过实验测试发现，在未设置阻氢层181的面板结构，如图1中的有机发光二极管显示面板100’中，薄膜晶体管的电性稳定性较差，即薄膜晶体管的阈值电压负偏比较严重，阈值电压负偏值可达5V-9V。而在本实施例中，通过设置阻氢层181，金属氧化物薄膜晶体管13的阈值电压的负偏值可减小至1V。由此可见，在本实施例中，阻氢层181的设置可以显著减小膜晶体管的阈值电压的负偏值，以降低薄膜晶体管的电性负飘的几率，提高薄膜晶体管的电性稳定性。
在本实施例中，介电绝缘层14设置在栅极133和源漏极134之间，并分别与栅极133的表面和源漏极134的表面接触。由于阻氢层181的设置可以避免有机平坦化层17中产生氢离子，也即，有效避免了氢离子向沟道1311的扩散，因此，本实施例无需在介电绝缘层14的表面额外设置氧化铝层40’来保护沟道1311。故而，相较于现有技术中在介电绝缘层14上下表面均设置氧化铝层40’的结构，本实施例提供的显示面板100具有以下优点：第一、本实施例能够省去制备氧化铝层40’所需的设备成本；第二、避免因氧化铝层40’成膜过程中异物的存在而对产品良率造成损失，以此能够提高产品良率；第三、在介电绝缘层14的蚀刻工艺中，无需再重新调整蚀刻工艺中的工艺参数，进而能够降低产能的负担。
像素定义层19设置在阳极18远离有机平坦化层17的一侧。像素定义层19中开设有裸露出阳极18的开口191。发光层20设置在开口191内。阴极21设置在发光层20远离阳极18的一侧。需要说明的是，像素定义层19、发光层20以及阴极21的具体结构和材料均可以参照现有技术，在此不再赘述。
本申请还提供一种显示装置，所述显示装置可以为手机、平板、笔记本电脑、电视等显示产品。其中，所述显示装置包括壳体和设置在所述壳体中的显示面板，所述显示面板可以为前述实施例所述的显示面板100，显示面板100的具体结构可以参照前述实施例的描述，在此不再赘述。
请参照图3，本申请还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
101、提供基板；
102、在基板的一侧形成金属氧化物薄膜晶体管；
103、在金属氧化物薄膜晶体管上形成有机平坦化层，有机平坦化层中开设有过孔；
104、在有机平坦化层上依次形成阻氢基层、反射基层以及电极基层；其中，反射基层中的金属的还原性大于氢气的还原性，阻氢基层的材料为金属或合金，阻氢基层中的金属的还原性小于氢气的还原性；
105、对阻氢基层、反射基层以及电极基层进行退火处理；
106、对阻氢基层、反射基层以及电极基层进行图案化处理，阻氢基层形成为阻氢层，反射基层形成为反射层，电极基层形成为电极层，阻氢层、反射层以及电极层构成阳极，阳极覆盖过孔，并与金属氧化物薄膜晶体管连接；
107、在阳极上依次形成发光层和阴极。
由此，本申请提供的显示面板的制备方法通过在有机平坦化层和反射层之间设置阻氢层，且阻氢层中的金属的还原性小于氢气的还原性，相较于还原性大于氢气的具有较强活泼性的金属，由于阻氢层中的金属的活泼性较弱，因此，在退火处理时的高温条件下，有机平坦化层中的水无法电离产生氢离子，进而能够避免氢离子扩散至沟道，避免了沟道的导体化，从而降低了薄膜晶体管的电性负飘的几率，提高了薄膜晶体管的电性稳定性。
请一并参照图3、图4A至图4I，下面通过具体实施例对本申请提供的显示面板100的制备方法进行详细的阐述。本申请提供的显示面板100的制备方法包括以下步骤：
101、提供基板10，如图4A所示。
其中，基板10可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，基板10还可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本申请对基板10的材质不作具体限定。
102、在基板10的一侧形成金属氧化物薄膜晶体管13，如图4B所示。
具体的，金属氧化物薄膜晶体管13形成于基板10上。其中，金属氧化物薄膜晶体管13包括依次形成的氧化物半导体层131、栅极绝缘层132、栅极133以及源漏极134。氧化物半导体层131包括沟道1311和设置在沟道1311相对两侧的导通部1312。源漏极134包括源极1341和漏极1342。源极1341连接于沟道1311一侧的导通部1312。漏极1342连接于沟道1311另一侧的导通部1312。
在本实施例中，栅极133和源漏极134之间还形成有介电绝缘层14，且介电绝缘层14分别与栅极133的表面和源漏极134的表面接触。另外，在形成源漏极134的同时，还形成有位于绑定区的绑定焊盘134a。
需要说明的是，在步骤101和步骤102之间，显示面板100的制备方法还包括在基板10上依次形成遮光电极11和第一导电部11a、以及缓冲层12的步骤，在此不再赘述。
103、在金属氧化物薄膜晶体管13上形成有机平坦化层17，有机平坦化层17中开设有过孔171。
请参照图4C至图4E，步骤103具体包括依次在金属氧化物薄膜晶体管13上形成钝化层15、第一保护电极16和第二保护电极16a、以及有机平坦化层17。其中，钝化层15中形成有裸露出漏极1342的第一连接孔151和裸露出绑定焊盘134a的第二连接孔152，如图4C所示。第一保护电极16覆盖第一连接孔151，并与漏极1342连接；第二保护电极16a延伸至第二连接孔152内，并与绑定焊盘134a连接，如图4D所示。有机平坦化层17中开设有连通于第一连接孔151的过孔171，如图4E所示。
104、在有机平坦化层17上依次形成阻氢基层181a、反射基层182a以及电极基层183a，如图4F所示；其中，反射基层182a中的金属的还原性大于氢气的还原性，阻氢基层181a的材料为金属或合金，阻氢基层181a中的金属的还原性小于氢气的还原性。
在本实施例中，阻氢基层181a的材料为金属或合金，具体可以采用物理气相沉积工艺形成阻氢基层181a。其中，阻氢基层181a中的金属的还原性小于氢气的还原性。具体的，当阻氢基层181a的材料为金属时，所述金属的还原性小于氢气的还原性；当阻氢基层181a的材料为合金时，所述合金中的至少一种金属的还原性小于氢气的还原性。
阻氢基层181a中的金属可以包括Mo、Ti以及Ni中的至少一种。在一些具体实施方式中，阻氢基层181a的材料可以为金属，如可以为Mo、Ti或Ni。另外，在一些具体实施方式中，阻氢基层181a的材料也可以为合金，如可以为Mo/Ti合金、Mo/Ni合金或Mo/Ti/Ni合金。在本实施例中，阻氢基层181a的材料为Mo/Ti/Ni合金。
进一步的，阻氢基层181a的厚度可以为300埃-2000埃。在一些具体实施方式中，阻氢基层181a的厚度可以为300埃、500埃、800埃、1000埃、1200埃、1500埃、1800埃或2000埃。
其中，反射基层182a的材料可以为金属或者合金，具体可以采用物理气相沉积工艺形成反射基层182a。当反射基层182a的材料为金属时，所述金属的还原性大于氢气的还原性；当反射基层182a的材料为合金时，所述合金中的金属的还原性大于氢气的还原性。具体的，反射基层182a中的金属包括Al。进一步的，反射基层182a中的金属还可以包括Ni、Cu以及La中的至少一种。在本实施例中，反射基层182a的材料为Al/Ni/Cu/La合金。
其中，电极基层183a的材料可以为氧化铟锡或钨，具体可以采用物理气相沉积工艺形成电极基层183a。在本实施例中，电极基层183a的材料为钨。
105、请继续参照图4F，对阻氢基层181a、反射基层182a以及电极基层183a进行退火处理。
具体的，在氧气气氛下，对阻氢基层181a、反射基层182a以及电极基层183a所处的腔室进行退火处理，以使电极基层183a中的钨氧化形成氧化钨。其中，阻氢基层181a的材料和反射基层182a的材料均不会受到氧气的影响。
106、对阻氢基层181a、反射基层182a以及电极基层183a进行图案化处理，阻氢基层181a形成为阻氢层181，反射基层182a形成为反射层182，电极基层183a形成为电极层183，阻氢层181、反射层182以及电极层183构成阳极18，阳极18覆盖过孔171，并与金属氧化物薄膜晶体管13连接，如图4G所示。
步骤106具体包括以下步骤：首先，采用干法蚀刻工艺单独对电极基层183a进行蚀刻，以形成电极层183；其次，在同一道湿法蚀刻工艺下对反射基层182a和阻氢基层181a进行蚀刻，以分别形成反射层182和阻氢层181。其中，在湿法蚀刻工艺中，反射基层182a和阻氢基层181a处于同一蚀刻液环境下，比如，均处于铝酸蚀刻液所在体系中，进而能够避免降低阳极18制备工艺的复杂度。
综上，在本实施例中，相较于还原性大于氢气的具有较强活泼性的金属，阻氢层181中的金属具有较弱的活泼性，在高温条件下，阻氢层181与有机平坦化层17之间的接触并不会使有机平坦化层17中的水被电离形成氢离子，进而能够有效避免氢离子扩散至沟道1311，从而能够避免沟道1311的导体化，以降低金属氧化物薄膜晶体管13的电性负飘的几率，提高金属氧化物薄膜晶体管13的电性稳定性。
本申请的发明人通过实验测试发现，在未设置阻氢层181的面板结构，如图1中的有机发光二极管显示面板100’中，薄膜晶体管的电性稳定性较差，即薄膜晶体管的阈值电压负偏比较严重，阈值电压负偏值可达5V-9V。而在本实施例中，通过设置阻氢层181，金属氧化物薄膜晶体管13的阈值电压的负偏值可减小至1V。由此可见，在本实施例中，阻氢层181的设置可以显著减小膜晶体管的阈值电压的负偏值，以降低薄膜晶体管的电性负飘的几率，提高薄膜晶体管的电性稳定性。
进一步的，本实施例正是因为在有机平坦化层17和反射层182之间设置了阻氢层181，进而无需在介电绝缘层14的表面额外设置氧化铝层40’来保护沟道1311，如前述步骤102所述。故而，相较于现有技术中在介电绝缘层14上下表面均形成氧化铝层40’的结构，本实施例提供的显示面板100具有以下优点：第一、本实施例能够省去制备氧化铝层40’所需的设备成本；第二、避免因氧化铝层40’成膜过程中异物的存在而对产品良率造成损失，以此能够提高产品良率；第三、在介电绝缘层14的蚀刻工艺中，无需再重新调整蚀刻工艺中的工艺参数，进而能够降低产能的负担。
在步骤106之后，显示面板100的制备方法还包括在阳极18上形成像素定义层19的步骤，其中，像素定义层19中形成有裸露出阳极18的开口191，如图4H所示。
107、在阳极18上依次形成发光层20和阴极21，如图4I所示。
其中，发光层20的材料及制备方法、阴极21的材料及制备方法均可以参照现有技术，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
金属氧化物薄膜晶体管，设置在所述基板上；
有机平坦化层，设置在所述金属氧化物薄膜晶体管远离所述基板的一侧，所述有机平坦化层中开设有过孔；
阳极，设置在所述有机平坦化层远离所述金属氧化物薄膜晶体管的一侧，所述阳极覆盖所述过孔，并与所述金属氧化物薄膜晶体管连接；
发光层，设置在所述阳极远离所述有机平坦化层的一侧；以及
阴极，设置在所述发光层远离所述阳极的一侧；
其中，所述阳极包括依次设置在所述有机平坦层上的阻氢层、反射层以及电极层，所述反射层中的金属的还原性大于氢气的还原性，所述阻氢层的材料为金属或合金，所述阻氢层中的金属的还原性小于氢气的还原性。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻氢层中的金属包括Mo、Ti以及Ni中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阻氢层的材料包括Mo/Ti合金、Mo/Ni合金或Mo/Ti/Ni合金。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述反射层中的金属包括Al。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述反射层中的金属还包括Ni、Cu以及La中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述反射层的材料包括Al/Ni/Cu/La合金，所述阻氢层的材料包括Mo/Ni/Ti合金。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括钝化层和第一保护电极，所述钝化层设置在所述金属氧化物薄膜晶体管和所述有机平坦化层之间，所述钝化层中开设有第一连接孔，所述第一保护电极设置在所述钝化层和所述有机平坦化层之间，所述第一保护电极覆盖所述第一连接孔，并分别与所述阳极和所述金属氧化物薄膜晶体管连接。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管包括依次设置在所述基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极以及源漏极；所述显示面板还包括介电绝缘层，所述介电绝缘层设置在所述栅极和所述源漏极之间，并分别与所述栅极的表面和所述源漏极的表面接触。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括壳体和设置在所述壳体中的显示面板，所述显示面板为如权利要求1至8任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板的一侧形成金属氧化物薄膜晶体管；
在所述金属氧化物薄膜晶体管上形成有机平坦化层，所述有机平坦化层中开设有过孔；
在所述有机平坦化层上依次形成阻氢基层、反射基层以及电极基层；其中，所述反射基层中的金属的还原性大于氢气的还原性，所述阻氢基层的材料为金属或合金，所述阻氢基层中的金属的还原性小于氢气的还原性；
对所述阻氢基层、所述反射基层以及所述电极基层进行退火处理；
对所述阻氢基层、所述反射基层以及所述电极基层进行图案化处理，所述阻氢基层形成为阻氢层，所述反射基层形成为反射层，所述电极基层形成为电极层，所述阻氢层、所述反射层以及所述电极层构成阳极，所述阳极覆盖所述过孔，并与所述金属氧化物薄膜晶体管连接；
在所述阳极上依次形成发光层和阴极。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述反射基层的材料包括Al/Ni/Cu/La合金，所述阻氢基层的材料包括Mo/Ni/Ti合金，所述对所述阻氢基层、所述反射基层以及所述电极基层进行图案化处理的步骤，包括：
采用干法蚀刻工艺对所述电极基层进行蚀刻，以形成电极层；
在同一道湿法蚀刻工艺下对所述反射基层和所述阻氢基层进行蚀刻，以分别形成反射层和阻氢层。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210721317.9A CN115036439A (zh) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| US17/758,981 US20240196694A1 (en) | 2022-06-16 | 2022-07-07 | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| PCT/CN2022/104428 WO2023240718A1 (zh) | 2022-06-16 | 2022-07-07 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| JP2022546046A JP2024526457A (ja) | 2022-06-16 | 2022-07-07 | 表示パネル及びその製造方法、表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210721317.9A CN115036439A (zh) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115036439A true CN115036439A (zh) | 2022-09-09 |
Family
ID=83126679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210721317.9A Pending CN115036439A (zh) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240196694A1 (zh) |
| JP (1) | JP2024526457A (zh) |
| CN (1) | CN115036439A (zh) |
| WO (1) | WO2023240718A1 (zh) |
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| CN110571352A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-12-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN111653603B (zh) * | 2020-06-18 | 2023-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
| CN112259610B (zh) * | 2020-10-09 | 2024-03-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
-
2022
- 2022-06-16 CN CN202210721317.9A patent/CN115036439A/zh active Pending
- 2022-07-07 US US17/758,981 patent/US20240196694A1/en active Pending
- 2022-07-07 WO PCT/CN2022/104428 patent/WO2023240718A1/zh active Application Filing
- 2022-07-07 JP JP2022546046A patent/JP2024526457A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115020620A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-09-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023240718A1 (zh) | 2023-12-21 |
| US20240196694A1 (en) | 2024-06-13 |
| JP2024526457A (ja) | 2024-07-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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