CN110571352A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示面板，所述显示面板包括：基板、薄膜晶体管层和发光结构。所述发光结构包括：阳极，所述阳极位于所述薄膜晶体管层上，并与所述薄膜晶体管层电连接；发光材料层，所述发光材料层位于所述阳极上；阴极，所述阴极覆盖所述发光材料层。所述发光结构还包括阳极反射层，所述阳极反射层位于所述阳极下方，通过反射隔离层与所述阳极电绝缘；量子点薄膜，所述量子点薄膜位于所述阳极和所述阳极反射层之间。本申请提供的一种显示面板能够解决现有技术中的由于阳极氧化导致的显示异常。
Description
技术领域
本申请涉及电子显示领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示面板具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，被广泛应用在手机屏幕、显示器、全彩电视中。
顶发射OLED结构的阳极一般采用由氧化铟锡(IndiumtinoxideITO)和银(Ag)构成的层叠结构。为了使阳极与有机发光材料的能级匹配，阳极与有机材料直接接触的材料为ITO。同时由于阳极需要作为反射电极，阳极还需要设置具有高反射率的金属进行反光，例如Ag。
但是，Ag在空气中极易氧化，形成氧化银凸点，导致OLED器件的阳极和阴极短路，使像素点无法发光，影响显示画质。
申请内容
本申请提供了一种显示面板，以解决现有技术中的由于阳极氧化导致的显示异常。
为解决上述问题，本申请提供了一种显示面板，所述显示面板包括：基板、薄膜晶体管层和发光结构；所述发光结构包括：
阳极，所述阳极位于所述薄膜晶体管层上，并与所述薄膜晶体管层电连接；
发光材料层，所述发光材料层位于所述阳极上；
阴极，所述阴极覆盖所述发光材料层；其中，
所述发光结构还包括阳极反射层，所述阳极反射层位于所述阳极下方，通过反射隔离层与所述阳极电绝缘；
量子点薄膜，所述量子点薄膜位于所述阳极和所述阳极反射层之间。
根据本申请的其中一个方面，形成所述阳极的材料为氧化铟锡、掺铝氧化锌或掺氟氧化锡中的一种或多种的组合。
根据本申请的其中一个方面，形成所述阳极反射层的材料为银、铜、铝、金、铁中的一种或多种的组合。
根据本申请的其中一个方面，所述阳极反射层的表面为光滑的镜面结构。
根据本申请的其中一个方面，所述发光结构还包括像素定义层，所述像素定义层覆盖所述薄膜晶体管层，并具有暴露出所述阳极的第一开口，所述发光材料层位于所述第一开口中。
根据本申请的其中一个方面，所述阳极反射层与所述发光材料层对应设置，且所述阳极反射层在所述显示面板的出光面上的投影大于所述发光材料层在所述显示面板的出光面上的投影。
根据本申请的其中一个方面，所述发光材料还包括位于所述像素定义层和所述反射隔离层中的量子点定义层；其中，所述量子点定义层具有定位通孔，所述量子点薄膜位于所述定位通孔中。
根据本申请的其中一个方面，所述量子点薄膜包括：
量子点材料层；
阻隔层，所述阻隔层附着在所述量子点材料层与所述显示面板的出光面平行的两个表面上；
保护层，所述保护层分别贴附在所述阻隔层远离所述量子点材料层的表面。
根据本申请的其中一个方面，所述保护层远离所述量子点材料层的表面具有光学微纳结构。
根据本申请的其中一个方面，所述量子点薄膜中的量子点的尺寸与所述发光材料层发出的光线颜色相对应；其中，
当所述发光材料层发出的光线为红色，所述量子点的直径大于或等于4nm；
当所述发光材料层发出的光线为蓝色，所述量子点的直径小于或等于2nm；
当所述发光材料层发出的光线为绿色，所述量子点的直径大于或等于2.5nm且小于等于3.5nm。
根据本申请的其中一个方面，所述量子点材料层包括高分子聚合物和均匀分布在所述高分子聚合物中的量子点；其中，
所述量子点包括硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点中的一种或多种的组合。
本申请的显示面板的阳极为氧化铟锡，用于匹配发光材料层中的发光材料的功函数以提高显示面板的发光效率。同时，为了提高光线的利用率，本申请在发光结构的阳极下方设置了阳极反射层和量子点薄膜。相比于现有技术中将氧化铟锡和反光材料合并设置的阳极结构，本申请有效的避免了由于反光材料被氧化而导致的像素点失效现象。同时，本申请将量子点薄膜设置在阳极和阳极反射层之间，利用量子点薄膜对反射光线进行优化，相比于将量子点薄膜设置在显示面板的出光面上的现有技术，本申请的工艺复杂度低，便于量产。
附图说明
图1为现有技术中的显示面板的结构示意图；
图2为本申请的一个具体实施例中的显示面板的结构示意图；
图3为图2中的显示面板中的量子点薄膜的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
参见图1，图1为现有技术中的显示面板的结构示意图，其中，所述显示面板为顶发光式显示面板，即所述显示面板的出光面为发光结构的阴极的远离阳极的表面。
参见图1，现有技术中的显示面板包括基板10、薄膜晶体管20、平坦化层30和发光结构40。所述发光结构40位于所述平坦化层上方，包括阳极41、像素定义层42、发光材料层43以及阴极44。其中，所述阳极41位于所述平坦化层30上，并通过通孔与所述薄膜晶体管20电连接。所述像素定义层42覆盖所述平坦化层30，并具有暴露出所述阳极41的开口。所述发光材料层43位于所述开口中，所述阴极44覆盖所述发光材料层43。
由于所述阴极远离所述阳极的表面为出光面，因此所述阴极为透明电极。同时为了提高光线利用率，所述阳极为反射电极。现有技术中，为了使阳极与有机发光材料层的能级匹配，阳极与有机材料直接接触的材料为ITO。同时，由于阳极需要作为反射电极，阳极还需要设置具有高反射率的金属进行反光，通常作为反射材料的金属为Ag。但是Ag在空气中极易氧化，形成氧化银凸点。银凸点会导致OLED器件的阳极和阴极短路，使像素点无法发光，影响显示画质。
为解决上述问题，本申请提供了一种显示面板，参见图2，所述显示面板包括基板10、薄膜晶体管层20和发光结构40。所述发光结构40包括阳极45、像素定义层42、发光材料层43、阴极44、阳极反射层50和量子点薄膜60。
所述阳极45通过通孔与所述薄膜晶体管20电连接。所述像素定义层42覆盖所述平坦化层30，并具有暴露出所述阳极41的开口。所述发光材料层43位于所述开口中，所述阴极44覆盖所述发光材料层43。
本申请中，所述阳极45和阴极44均为透光电极。形成所述阳极45和阴极44的材料均为透明导电材料，例如氧化铟锡、掺铝氧化锌或掺氟氧化锡中的一种或多种的组合。本申请采用透明材料形成阳极45，从而将反射金属从阳极45中剥离出去。透明导电材料不仅与发光材料的功函数更加匹配，同时避免了金属被氧化产生凸点导致阳极45和阴极44短路，改善了显示面板的质量。
由于将反射金属从阳极45中剥离了出来，为了不降低发光结构40的光线利用率，本申请在发光结构40中设置了阳极反射层50。本申请中，形成所述阳极反射层50的材料为具有高反射率的金属，例如银、铜、铝、金、铁中的一种或多种的组合。本实施例中，形成所述阳极反射层50的材料为银。优选的，为了增强所述阳极反射层对光线的反射能力所述阳极反射层的表面为光滑的镜面结构。镜面结构能够最大限度的减小漫反射带来的光线损失，进一步提高发光结构的光线利用率。在实践中，由于电镀形成的金属层的表面为镜面结构，优选的采用电镀的方式形成所述阳极反射层50。
所述阳极反射层50位于所述阳极45下方，通过反射隔离层32与所述阳极45电绝缘。所述反射隔离层32设置在身上平坦化层31和像素定义层42之间，形成所述反射隔离层32的材料为绝缘材料，例如氮化硅、氧化硅等。所述反射隔离层32覆盖所述阳极反射层50，实现阳极45和阳极反射层50之间的电绝缘。
本申请中，为了进一步提高反射光线的利用率，所述显示面板还包括设置所述阳极45和阳极反射层50之间的量子点薄膜60。参见图2，所述量子点薄膜60位于所述像素定义层42和所述反射隔离层32之间。本实施例中，为了节约成本，所述量子点薄膜60与所述发光材料层43对应设置。具体的，所述显示面板包括位于所述像素定义层42和所述反射隔离层32之间的量子点定义层33，所述量子点定义层33具有定位通孔，所述定位通孔位于所述发光材料层43正下方，所述量子点薄膜60填充所述定位通孔。
本申请中，所述阳极反射层50、量子点薄膜60与所述发光材料层43对应设置，具体的，所述阳极反射层50和量子点薄膜60位于所述发光材料层43的正下方。同时，为了保证所述阳极反射层能够将发光结构40发出的光线全部反射回出光面，所述阳极反射层50和所述量子点薄膜60的面积大于所述发光材料层43的面积。在本实施例中，所述阳极反射层50和量子点薄膜60在所述显示面板的出光面上的投影完全覆盖所述发光材料层43在所述显示面板的出光面上的投影。
通过上述实施例可以看出，本申请将现有技术中的反射阳极中的反射金属和透明导电材料剥离开来，分别设置，从而在保证阳极的反光效果的同时避免了由于反射金属被氧化而导致的阳极和阴极短路。
参见图3，本实施例中，所述量子点薄膜60包括量子点材料层61、阻隔层62和保护层63。
所述量子点材料层61一方面能够对由发光材料层43射向阳极反射层50的光线进行加强，另一方面能够对由所述阳极反射层50反射向出光面的光线进行加强。因此，发光材料层射向显示面板内部的光线再经过两次将强后由显示面板的出光面射出。相比于现有技术，本申请进一步提高了发光结构40的发光效率，优化了显示面板的显示效果。
本实施例中，所述量子点材料层61包括高分子聚合物和均匀分布在所述高分子聚合物中的量子点。所述量子点包括硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点中的一种或多种的组合。
所述阻隔层62附着在所述量子点材料层61与所述显示面板的出光面平行的两个表面上。本实施例中，所述阻隔层62为阻挡水和氧气入侵的无机保护膜，例如二氧化硅薄膜。
所述保护层63分别贴附在所述阻隔层62远离所述量子点材料层61的表面上。所述保护层63优选的为具有高透光率的亚克力材料或聚对苯二甲酸类塑料(Polyethyleneterephthalate，PET)。
参见图3，在本实施例中，所述保护层63远离所述量子点材料层61的表面具有光学微纳结构。所述光学微纳结构为多个不规则的凸起和凹陷，所述多个凸起和凹陷的高度不超过10微米。所述光学微纳结构能够减少牛顿环，均衡光线的强度和亮度，同时能够增加光线的折返路径，有利于光线被增强。
本申请中，所述量子点薄膜60中的量子点的尺寸与所述发光材料层43发出的光线颜色相对应。当所述发光材料层43发出的光线为红色，所述量子点的直径大于或等于4nm。当所述发光材料层43发出的光线为蓝色，所述量子点的直径小于或等于2nm。当所述发光材料层43发出的光线为绿色，所述量子点的直径大于或等于2.5nm且小于等于3.5nm。
相比于现有技术中将氧化铟锡和反光材料合并设置的阳极45结构，本申请有效的避免了由于反光材料被氧化而导致的像素点失效现象。同时，本申请将量子点薄膜设置在阳极和阳极反射层之间，利用量子点薄膜对反射光线进行优化，相比于将量子点薄膜设置在显示面板的出光面上的现有技术，本申请的工艺复杂度低，便于量产。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：基板、薄膜晶体管层和发光结构；所述发光结构包括：
阳极，所述阳极位于所述薄膜晶体管层上，并与所述薄膜晶体管层电连接；
发光材料层，所述发光材料层位于所述阳极上；
阴极，所述阴极覆盖所述发光材料层；其中，
所述发光结构还包括阳极反射层，所述阳极反射层位于所述阳极下方，通过反射隔离层与所述阳极电绝缘；
量子点薄膜，所述量子点薄膜位于所述阳极和所述阳极反射层之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，形成所述阳极的材料为氧化铟锡、掺铝氧化锌或掺氟氧化锡中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，形成所述阳极反射层的材料为银、铜、铝、金、铁中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阳极反射层的表面为光滑的镜面结构。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构还包括像素定义层，所述像素定义层覆盖所述薄膜晶体管层，并具有暴露出所述阳极的第一开口，所述发光材料层位于所述第一开口中。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述阳极反射层与所述发光材料层对应设置，且所述阳极反射层在所述显示面板的出光面上的投影大于所述发光材料层在所述显示面板的出光面上的投影。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光材料还包括位于所述像素定义层和所述反射隔离层中的量子点定义层；其中，所述量子点定义层具有定位通孔，所述量子点薄膜位于所述定位通孔中。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述量子点薄膜包括：
量子点材料层；
阻隔层，所述阻隔层附着在所述量子点材料层与所述显示面板的出光面平行的两个表面上；
保护层，所述保护层分别贴附在所述阻隔层远离所述量子点材料层的表面。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述保护层远离所述量子点材料层的表面具有光学微纳结构。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述量子点薄膜中的量子点的尺寸与所述发光材料层发出的光线颜色相对应；其中，
当所述发光材料层发出的光线为红色，所述量子点的直径大于或等于4nm；
当所述发光材料层发出的光线为蓝色，所述量子点的直径小于或等于2nm；
当所述发光材料层发出的光线为绿色，所述量子点的直径大于或等于2.5nm且小于等于3.5nm。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述量子点材料层包括高分子聚合物和均匀分布在所述高分子聚合物中的量子点；其中，
所述量子点包括硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点中的一种或多种的组合。
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