CN201985178U - 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置 - Google Patents

一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN201985178U
CN201985178U CN2010205561758U CN201020556175U CN201985178U CN 201985178 U CN201985178 U CN 201985178U CN 2010205561758 U CN2010205561758 U CN 2010205561758U CN 201020556175 U CN201020556175 U CN 201020556175U CN 201985178 U CN201985178 U CN 201985178U
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
crystal structure
light emitting
layer
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010205561758U
Other languages
English (en)
Inventor
沈常宇
钟川
李可
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Jiliang University
Original Assignee
China Jiliang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Jiliang University filed Critical China Jiliang University
Priority to CN2010205561758U priority Critical patent/CN201985178U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201985178U publication Critical patent/CN201985178U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征为：由透明阳极(1)，空穴注入层(2)，空穴传输层(3)，量子点发光层(4)，电子传输层(5)和阴极(6)构成；在透明阳极(1)的一面自下而上依次沉积空穴注入层(2)，空穴传输层(3)，量子点发光层(4)，电子传输层(5)和阴极(6)；电子传输层(5)为光子晶体结构，射向阴极(6)光将产生全反射，从透明阳极(1)出射，提高出光效率。

Description

一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置
技术领域
本实用新型提供了一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，属于发光二极管领域，尤其是涉及量子点有机发光二极管领域。
背景技术
在固体发光照明应用和量子光学领域，由于具有较高的发光效率，核壳结构量子点被认为是一种理想的发光材料，由于量子局限效应，纳米材料具有比体材料更好的发光性能。因此，以量子点作为有机发光二极管的有源层，可以大大提高发光效率。并且根据量子约束效应，通过对量子点的大小等进行调节，可得到不同波段的发射光；另外，采用光子晶体结构构成针对某些光波长的光子带隙，可以实现某些波长的全反射效果，用来提高发光二极管的出光效率。
发明内容
本实用新型提供了一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，主要目的是提供一种新型的高光效的可见光波段的量子点有机发光二极管，并为纳米材料白光有机发光二极管的研究提供基础。
本实用新型的技术方案为：
本实用新型由由透明阳极(1)，空穴注入层(2)，空穴传输层(3)，量子点发光层(4)，电子传输层(5)和阴极(6)构成；在透明阳极(1)的一面自下而上依次沉积空穴注入层(2)，空穴传输层(3)，量子点发光层(4)，电子传输层(5)和阴极(6)；电子传输层(5)为光子晶体结构，射向阴极(6)光将产生全反射，从透明阳极(1)出射，提高出光效率。
所述的一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征在于：Alq3电子传输层的厚度范围为40-100纳米，Alq3电子传输层为二维光子晶体结 构，光子晶体结构可以是圆孔或者方形孔，圆孔或者方孔的直径或者边长范围为20-40纳米，周期为50-100纳米。
所述的一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征在于：以量子点作为有源层，量子点可以是CdSe/CdS或者CdSe/ZnS，量子点的尺寸范围为4.0nm-7.5nm。
所述的一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征在于：阳极为ITO透明电极，其厚度为1-5微米，阴极为Cu/Ag合金，其厚度为1-5微米。
本实用新型的原理是通过对量子点的尺寸调节，可得到不同波段的出射光，电子传输层的结构为二维光子晶体结构，通过调节该结构的晶格周期，实现其光子带隙的调节，可以使得向阴极发射的光产生全反射，从透明电极出射，提高光子出射效率。
光子晶体结构量子点有机发光二极管的优点是：
1)以光子晶体结构的Alq3作为电子传输层和反射层，出光效率高。
2)通过对量子点直径的调节，可得到不同波段的出射光，可制备出多种颜色的发光器件。
附图说明
图1光子晶体结构量子点有机发光二极管结构示意图；
图2Alq3层光子晶体结构示意图；
图3光子晶体结构和非光子晶体结构量子点有机发光二极管的电致发光光谱图。
具体实施方式
下面结合附图及实施实例对本实用新型作进一步描述：
参见附图1，一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其构造为：由氧化铟锡(ITO)透明阳极(1)，聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入层(2)，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)空穴传输层(3)，量子点(QDs)发光层(4)，8-羟基喹啉铝(Alq3)电子传输层(5)和Cu/Ag合金阴极(6)构成。本实例通过以下步骤获得：
在ITO的一面自下而上依次沉积Pedot:PSS层，TPD层，QDs层，Alq3层和Cu/Ag电极。以旋涂法在ITO一面沉积厚度为30纳米的Pedot:PSS膜，采用真空热蒸发镀膜法，在Pedot:PSS膜上蒸镀一层TPD膜，真空室的真空度为5.0×10-4pa，有机物的平均沉积速率为0.2nm/s，形成的TPD膜厚度为50纳米；采用胶体化学法制备出粒径为5.5纳米的CdSe/ZnS核壳结构QDs膜，并通过旋涂法沉积在TPD膜上；通过真空热蒸发镀膜法在QDs膜层上蒸镀一层Alq3膜，真空室的真空度为5.0×10-4pa，有机物的平均沉积速率为0.2nm/s，形成的Alq3膜厚度为60纳米；然后采用微影蚀刻法制备出圆孔形状均匀排列的光子晶体结构Alq3膜，圆孔的直径为40纳米，周期为60纳米；采用溅射法在Alq3膜上沉积厚度为1微米的Cu/Ag合金电极，Cu/Ag比例为7∶3；完成上述工艺后，可获得本实用新型的光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置。
图2描述的是本实用新型的Alq3层光子晶体结构示意图，为二维光子晶体结构，中间圆孔为空气孔，圆孔直径为圆孔以一定周期排列。图3是该光子晶体结构量子点有机发光二极管的电致发光光谱图，从图中可以看出，在偏置电压为8伏时，对比同样参数的非光子晶体结构量子点有机发光二极管的电致发光光谱图，光子晶体结构量子点有机发光二极管发光效率较高，发光中心波长对应为560nm。

Claims (4)

1.一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征为：由透明阳极(1)，空穴注入层(2)，空穴传输层(3)，量子点发光层(4)，电子传输层(5)和阴极(6)构成；在透明阳极(1)的一面自下而上依次沉积空穴注入层(2)，空穴传输层(3)，量子点发光层(4)，电子传输层(5)和阴极(6)；电子传输层(5)为光子晶体结构，射向阴极(6)光将产生全反射，从透明阳极(1)出射，提高出光效率。
2.根据权利要求1所述的一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征在于：电子传输层的厚度范围为40-100内米，电子传输层为二维光子晶体结构，光子晶体结构可以是圆孔或者方形孔，圆孔或者方孔的直径或者边长范围为20-40纳米，周期为50-100内米。
3.根据权利要求1所述的一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征在于：以量子点作为有源层，量子点可以是CdSe/CdS或者CdSe/ZnS，量子点的尺寸范围为4.0nm-7.5nm。
4.根据权利要求1所述的一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其特征在于：阳极为ITO透明电极，其厚度为1-5微米，阴极为Cu/Ag合金，其厚度为1-5微米。 
CN2010205561758U 2010-10-09 2010-10-09 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置 Expired - Fee Related CN201985178U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010205561758U CN201985178U (zh) 2010-10-09 2010-10-09 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010205561758U CN201985178U (zh) 2010-10-09 2010-10-09 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201985178U true CN201985178U (zh) 2011-09-21

Family

ID=44612634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010205561758U Expired - Fee Related CN201985178U (zh) 2010-10-09 2010-10-09 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201985178U (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102612188A (zh) * 2012-03-21 2012-07-25 天津理工大学 嵌入自组装空气孔光子晶体薄膜的发光器件及其制备方法
CN105244451A (zh) * 2015-10-16 2016-01-13 Tcl集团股份有限公司 一种具有混合htl的量子点发光二极管及其制备方法
CN105355799A (zh) * 2015-10-12 2016-02-24 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法
CN105470387A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置
US9478713B2 (en) 2014-05-27 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Nanostructure material methods and devices
CN106206976A (zh) * 2016-09-30 2016-12-07 Tcl集团股份有限公司 一种基于光子晶体结构的qled及制备方法
CN106299053A (zh) * 2016-09-29 2017-01-04 Tcl集团股份有限公司 一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法
WO2021027141A1 (zh) * 2019-08-15 2021-02-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102612188A (zh) * 2012-03-21 2012-07-25 天津理工大学 嵌入自组装空气孔光子晶体薄膜的发光器件及其制备方法
CN102612188B (zh) * 2012-03-21 2014-07-30 天津理工大学 嵌入自组装空气孔光子晶体薄膜的发光器件及其制备方法
US9478713B2 (en) 2014-05-27 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Nanostructure material methods and devices
CN105355799A (zh) * 2015-10-12 2016-02-24 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法
CN105244451A (zh) * 2015-10-16 2016-01-13 Tcl集团股份有限公司 一种具有混合htl的量子点发光二极管及其制备方法
CN105470387A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置
US10050220B2 (en) 2016-01-25 2018-08-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Quantum dot light emitting element including water/alcohol soluble conjugated polymer based electron injection/electron transporting layer, manufacturing method thereof and liquid crystal display device
CN106299053A (zh) * 2016-09-29 2017-01-04 Tcl集团股份有限公司 一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法
CN106299053B (zh) * 2016-09-29 2020-01-14 Tcl集团股份有限公司 一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法
CN106206976A (zh) * 2016-09-30 2016-12-07 Tcl集团股份有限公司 一种基于光子晶体结构的qled及制备方法
WO2021027141A1 (zh) * 2019-08-15 2021-02-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102447070B (zh) 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置
CN201985178U (zh) 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置
CN106229423B (zh) 量子点电致发光器件、其制备方法及显示器件
Saxena et al. A review on the light extraction techniques in organic electroluminescent devices
CN103840053B (zh) 表面等离子体增强的量子点发光二极管器件及其制备方法
CN107293647A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
US20120138894A1 (en) Stable and all solution processable quantum dot light-emitting diodes
CN105576139A (zh) 一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器
CN102610725A (zh) 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法
CN101950785A (zh) 一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构
Yu et al. Molding hemispherical microlens arrays on flexible substrates for highly efficient inverted quantum dot light emitting diodes
CN110379938B (zh) 一种非对称紫外微腔有机发光二极管及其制备方法
WO2019091357A1 (zh) 一种混合钙钛矿薄膜的制备方法及其于led的应用
Fan et al. Recent developments of quantum dot based micro-LED based on non-radiative energy transfer mechanism
US10516132B2 (en) Inverted quantum dot light-emitting diode and manufacturing method thereof
CN104701430A (zh) 一种改善量子点发光二极管寿命的方法
CN106803546A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN103441220A (zh) 一种白光量子点发光二极管及其制备方法
CN105304829A (zh) 一种双面发光量子点发光二极管及其制备方法
CN109671826A (zh) 发光二极管及其制作方法以及显示装置
WO2020134148A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN102969423A (zh) 银耦合增强GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
CN102447071B (zh) 一种光栅结构有机发光二极管
WO2019037307A1 (zh) 倒置型量子点发光二极管及其制作方法
Zheng et al. Luminescence enhancement of lead halide perovskite light-emitting diodes with plasmonic metal nanostructures

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110921

Termination date: 20121009