CN102447071B - 一种光栅结构有机发光二极管 - Google Patents

一种光栅结构有机发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN102447071B
CN102447071B CN201010502824.0A CN201010502824A CN102447071B CN 102447071 B CN102447071 B CN 102447071B CN 201010502824 A CN201010502824 A CN 201010502824A CN 102447071 B CN102447071 B CN 102447071B
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting diode
grating
organic light
layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201010502824.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102447071A (zh
Inventor
沈常宇
钟川
李可
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Huajian Lighting Technology Co Ltd
Original Assignee
China Jiliang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Jiliang University filed Critical China Jiliang University
Priority to CN201010502824.0A priority Critical patent/CN102447071B/zh
Publication of CN102447071A publication Critical patent/CN102447071A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102447071B publication Critical patent/CN102447071B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种带光栅结构有机发光二极管(OLED)，属于发光二极管领域，尤其是涉及有机发光二极管领域。一种光栅结构有机发光二极管，其特征为：由氧化铟锡(ITO)透明阳极(1)，聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入层(2)，N，N′-二苯基-N，N′二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)空穴传输层(3)，红荧稀(Rubrene)发光层(4)，8-羟基喹啉铝(Alq3)电子传输层(5)和Cu/Ag合金阴极(6)构成，本发明通过将Alq3电子传输层制备成光栅结构，可以使得向Cu/Ag阴极发射的光产生全反射，从ITO透明电极出射。

Description

一种光栅结构有机发光二极管
技术领域
本发明提供了一种光栅结构有机发光二极管，属于发光二极管领域，尤其是涉及有机发光二极管领域。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)以其制备工艺简单、成本低、发光颜色纯正以及易于大面积制作和柔韧弯曲等优点，被认为是未来重要的照明显示技术之一，尤其在未来照明光源领域显示了诱人的应用前景；然而，目前OLED的发光效率不高，不能很好地符合照明等需要；采用带光栅结构的Alq3膜层，可以针对某些特定的光波长的进行反射，实现有源层发出的光全部反射到ITO透明电极，从而实现有机发光二极管的出光效率的提高。
发明内容
本发明提供了一种光栅结构有机发光二极管，主要目的是提供一种新型的高光效的可见光波段的有机发光二极管，并为纳米材料白光有机发光二极管的研究提供基础。
本发明的光栅结构有机发光二极管是以ITO为阳极，然后在其一面自下而上依次沉积Pedot:PSS空穴注入层，TPD空穴传输层，Rubrene发光层，Alq3电子传输层和Cu/Ag合金阴极；Alq3电子传输层的厚度范围为50-100纳米，Alq3电子传输层的结构为平面光栅结构，通过调节该结构的光栅常数，实现其特定光波长的高反射效果，可以使得向Cu/Ag阴极发射的光产生全反射，从ITO透明电极出射，提高光子出射效率，光栅结构可以是多缝衍射型光栅，光栅的缝间距为30-50纳米，光栅的光栅常数为50-100纳米。
本发明所述的ITO透明电极的厚度为500-1000纳米，阴极为Cu/Ag合金，具厚度为1-2微米。
光栅结构有机发光二极管的优点是：以光栅结构的Alq3作为电子传输层和反射层，可提高出光效率。
附图说明
图1光栅结构有机发光二极管结构示意图
图2Alq3层光栅结构示意图
图3光栅结构和非光栅结构有机发光二极管的电致发光光谱图
具体实施方式
下面结合附图及实施实例对本发明作进一步描述：
参见附图1，一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置，其构造为：由氧化铟锡(ITO)透明阳极(1)，聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入层(2)，N，N′二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)空穴传输层(3)，红荧稀(Rubrene)发光层(4)，8-羟基喹啉铝(Alq3)电子传输层(5)和Cu/Ag合金阴极(6)构成。图2描述的是本发明的Alq3层光栅结构示意图，为平面多缝反射型光栅结构；图3是光栅结构有机发光二极管的电致发光光谱图，从图中可以看出，在偏置电压为12伏时，对比同样参数的非光栅结构有机发光二极管的电致发光光谱图，光栅结构有机发光二极管出光效率明显提高，发光中心波长对应为520nm。
实施实例：
在ITO的一面自下而上依次沉积Pedot:PSS层，TPD层，Rubrene层，Alq3层和Cu/Ag 电极。以旋涂法在ITO一面沉积厚度为30纳米的Pedot:PSS膜，采用真空热蒸发镀膜法，在Pedot:PSS膜上蒸镀一层TPD膜，真空室的真空度为5.0×10-4Pa，有机物的平均沉积速率为0.2nm/s，形成的TPD膜厚度为50纳米；在TPD膜上以0.2nm/s沉积厚度为35纳米的Rubrene膜层；然后蒸镀一层Alq3膜，真空室的真空度为5.0×10-4Pa，有机物的平均沉积速率为0.3nm/s，形成的Alq3膜厚度为55纳米；然后采用紫外光蚀刻法制备出均匀排列缝宽为30纳米，光栅常数为80纳米的光栅结构Alq3膜；采用真空溅射法在Alq3膜上沉积厚度为1微米的Cu/Ag合金电极，Cu/Ag比例为10∶1。

Claims (3)

1.一种光栅结构有机发光二极管，其特征为：由氧化铟锡(ITO)透明阳极(1)，聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot：PSS)空穴注入层(2)，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)空穴传输层(3)，红荧稀(Rubrene)发光层(4)，8-羟基喹啉铝(Alq3)电子传输层(5)和Cu/Ag合金阴极(6)构成，所述有机发光二极管通过将8-羟基喹啉铝电子传输层制备成光栅结构，使得向Cu/Ag阴极发射的光产生全反射，从氧化铟锡透明电极出射。
2.如权利要求1所述的光栅结构有机发光二极管，其特征在于：8-羟基喹啉铝电子传输层的厚度范围为50-100纳米，8-羟基喹啉铝电子传输层为平面反射型光栅结构，光栅的缝间距为30-50纳米，光栅的光栅常数为50-100纳米。
3.如权利要求1所述的光栅结构有机发光二极管，其特征在于：阳极为氧化铟锡透明电极，其厚度为500-1000纳米，阴极为Cu/Ag合金，其厚度为1-2微米。
CN201010502824.0A 2010-10-09 2010-10-09 一种光栅结构有机发光二极管 Expired - Fee Related CN102447071B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010502824.0A CN102447071B (zh) 2010-10-09 2010-10-09 一种光栅结构有机发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010502824.0A CN102447071B (zh) 2010-10-09 2010-10-09 一种光栅结构有机发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102447071A CN102447071A (zh) 2012-05-09
CN102447071B true CN102447071B (zh) 2014-06-18

Family

ID=46009355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010502824.0A Expired - Fee Related CN102447071B (zh) 2010-10-09 2010-10-09 一种光栅结构有机发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102447071B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106654030A (zh) 2016-12-14 2017-05-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置
CN110767768B (zh) * 2019-10-28 2021-03-02 太原理工大学 有机/金属肖特基结堆栈热电子光电探测器及制作方法
CN111708175A (zh) * 2020-06-29 2020-09-25 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 一种结构光投影装置
CN112349868B (zh) * 2020-11-05 2021-12-24 安徽大学 一种光场可调的钙钛矿发光二极管

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1256989A2 (en) * 2001-05-10 2002-11-13 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with high contrast ratio
US7285904B2 (en) * 2001-08-01 2007-10-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL display with an organic compound derivative layer
CN101087013A (zh) * 2006-06-07 2007-12-12 三星Sdi株式会社 有机发光器件
CN101165051A (zh) * 2007-08-07 2008-04-23 中国科学院长春应用化学研究所 树枝状主体材料及该化合物制备的有机电致发光器件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1256989A2 (en) * 2001-05-10 2002-11-13 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with high contrast ratio
US7285904B2 (en) * 2001-08-01 2007-10-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL display with an organic compound derivative layer
CN101087013A (zh) * 2006-06-07 2007-12-12 三星Sdi株式会社 有机发光器件
CN101165051A (zh) * 2007-08-07 2008-04-23 中国科学院长春应用化学研究所 树枝状主体材料及该化合物制备的有机电致发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN102447071A (zh) 2012-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102447070B (zh) 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置
CN102610725B (zh) 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法
WO2017140047A1 (zh) 发光器件及其制备方法、显示装置
US11211574B2 (en) Light emitting device and fabrication method thereof, and electronic apparatus
CN105261707A (zh) 一种新型量子点发光器件
KR101365671B1 (ko) 유기전계발광소자
CN201985178U (zh) 一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置
US20190006627A1 (en) Top-emitting woled display device
CN107958961A (zh) 串联量子点发光器件、面板即显示器
US10868214B2 (en) Light emitting diode, manufacturing method thereof and display device
CN103824877A (zh) Qd-led像素显示器件、制作方法及显示面板
CN102723440A (zh) 基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED及其制作方法
CN102447071B (zh) 一种光栅结构有机发光二极管
CN101977458B (zh) 一种透视型单向照明光源
CN201927638U (zh) 一种光栅结构有机发光二极管
WO2024022057A1 (zh) 发光模组和发光装置
CN210429885U (zh) 量子点发光单元
CN109390489A (zh) 发光二极管及其制备方法与应用
KR101936035B1 (ko) 유기전계발광소자
CN1527648A (zh) 有机电激发光装置
CN111162108A (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN102201545A (zh) 一种有机发光器件
CN111146346A (zh) 顶发光型量子点电致发光二极管及其制备方法
CN109545993A (zh) 有机发光器件及其制造方法、照明装置
CN202076330U (zh) 一种有机电致发光器件的阴极结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ZHEJIANG HUAJIAN LIGHTING TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: CHINA JILIANG UNIVERSITY

Effective date: 20150804

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150804

Address after: 322000, Gu Tang Town, Zhejiang City, Yiwu province Tong Industrial Zone

Patentee after: ZHEJIANG HUAJIAN LIGHTING TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: Hangzhou City, Zhejiang province 310018 Xiasha Higher Education Park source Street No. 258

Patentee before: China Jiliang University

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140618

Termination date: 20201009