CN201927638U - 一种光栅结构有机发光二极管 - Google Patents

一种光栅结构有机发光二极管 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供了一种带光栅结构有机发光二极管(OLED),属于发光二极管领域,其特征为:由透明阳极(1),空穴注入层(2),空穴传输层(3),发光层(4),电子传输层(5)和阴极(6)构成;其中电子传输层为光栅结构。

Description

一种光栅结构有机发光二极管
技术领域
本实用新型提供了一种光栅结构有机发光二极管,属于发光二极管领域,尤其是涉及有机发光二极管领域。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)以其制备工艺简单、成本低、发光颜色纯正以及易于大面积制作和柔韧弯曲等优点,被认为是未来重要的照明显示技术之一,尤其在未来照明光源领域显示了诱人的应用前景;然而,目前OLED的发光效率不高,不能很好地符合照明等需要;采用带光栅结构的Alq3膜层,可以针对某些特定的光波长的进行反射,实现有源层发出的光全部反射到ITO透明电极,从而实现有机发光二极管的出光效率的提高。
发明内容
本实用新型提供了一种光栅结构有机发光二极管,主要目的是提供一种新型的高光效的可见光波段的有机发光二极管,并为纳米材料白光有机发光二极管的研究提供基础,所要解决的问题是解决当前有机发光二极管中存在的出光效率不高的问题,采用带光栅结构的Alq3膜层,可以针对某些特定的光波长的进行反射,提高该波长光的出光效率。
本实用新型提供的一种光栅结构有机发光二极管,其特征为:由ITO透明阳极(1),聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入层(2),N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)空穴传输层(3),红荧稀(Rubrene)发光层(4),8-羟基喹啉铝(Alq3)电子传输层(5)和Cu/Ag合金阴极(6)构成。
所述的一种光栅结构有机发光二极管,其特征在于:Alq3电子传输层的厚度范围为50-100纳米,Alq3电子传输层为平面反射型光栅结构,光栅的缝间距 为30-50纳米,光栅的光栅常数为50-100纳米。
所述的一种光栅结构有机发光二极管,其特征在于:阳极为ITO透明电极,其厚度为500-1000纳米,阴极为Cu/Ag合金,其厚度为1-2微米。
本实用新型通过以下技术方案实现:
以ITO为阳极,然后在其一面自下而上依次沉积Pedot:PSS空穴注入层,TPD空穴传输层,Rubrene发光层,Alq3电子传输层和Cu/Ag合金阴极;Alq3电子传输层的厚度范围为50-100纳米,Alq3电子传输层的结构为平面光栅结构,通过调节该结构的光栅常数,实现其特定光波长的高反射效果,可以使得向Cu/Ag阴极发射的光产生全反射,从ITO透明电极出射,提高光子出射效率,光栅结构可以是多缝衍射型光栅,光栅的缝间距为30-50纳米,光栅的光栅常数为50-100纳米。
光栅结构有机发光二极管的优点是:以光栅结构的Alq3作为电子传输层和反射层,可提高出光效率。
附图说明
图1光栅结构有机发光二极管结构示意图;
图2Alq3层光栅结构示意图;
图3光栅结构和非光栅结构有机发光二极管的电致发光光谱图。
具体实施方式
下面结合附图及实施实例对本实用新型作进一步描述:
参见附图1,一种光子晶体结构量子点有机发光二极管发光装置,其构造为:由ITO透明阳极(1),聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入层(2),N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)空穴传输层(3),红荧稀(Rubrene)发光层(4),8-羟基喹啉铝(Alq3)电子 传输层(5)和Cu/Ag合金阴极(6)构成。
具体实施步骤如下:
在ITO的一面自下而上依次沉积Pedot:PSS层,TPD层,Rubrene层,Alq3层和Cu/Ag电极。以旋涂法在ITO一面沉积厚度为30纳米的Pedot:PSS膜,采用真空热蒸发镀膜法,在Pedot:PSS膜上蒸镀一层TPD膜,真空室的真空度为5.0×10-4Pa,有机物的平均沉积速率为0.2nm/s,形成的TPD膜厚度为50纳米;在TPD膜上以0.2nm/s沉积厚度为35纳米的Rubrene膜层;然后蒸镀一层Alq3膜,真空室的真空度为5.0×10-4Pa,有机物的平均沉积速率为0.3nm/s,形成的Alq3膜厚度为55纳米;然后采用紫外光蚀刻法制备出均匀排列缝宽为30纳米,光栅常数为80纳米的光栅结构Alq3膜;采用真空溅射法在Alq3膜上沉积厚度为1微米的Cu/Ag合金电极,Cu/Ag比例为10∶1。
图2描述的是本发明的Alq3层光栅结构示意图,为平面多缝反射型光栅结构;图3是光栅结构有机发光二极管的电致发光光谱图,从图中可以看出,在偏置电压为12伏时,对比同样参数的非光栅结构有机发光二极管的电致发光光谱图,光栅结构有机发光二极管出光效率明显提高,发光中心波长对应为520nm。

Claims (3)

1.一种光栅结构有机发光二极管,其特征为:由透明阳极(1),其中由一面自下而上依次沉积,空穴注入层(2),空穴传输层(3),发光层(4),电子传输层(5)和合金阴极(6)构成。
2.根据权利要求1所述的一种光栅结构有机发光二极管,其特征在于:电子传输层的厚度范围为50-100纳米,电子传输层为平面反射型光栅结构,光栅的缝间距为30-50纳米,光栅的光栅常数为50-100纳米。
3.根据权利要求1所述的一种光栅结构有机发光二极管,其特征在于:阳极为ITO透明电极,其厚度为500-1000纳米,阴极为Cu/Ag合金,其厚度为1-2微米。 
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WO2024040464A1 (zh) * 2022-08-24 2024-02-29 北京京东方技术开发有限公司 一种显示基板、其制作方法及显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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