CN112349868A - 一种光场可调的钙钛矿发光二极管 - Google Patents
一种光场可调的钙钛矿发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112349868A CN112349868A CN202011223232.5A CN202011223232A CN112349868A CN 112349868 A CN112349868 A CN 112349868A CN 202011223232 A CN202011223232 A CN 202011223232A CN 112349868 A CN112349868 A CN 112349868A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grating structure
- emitting diode
- light emitting
- periodic
- periodic nano
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Substances [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical group C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/135—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising mobile ions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/80—Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层、阳极、空穴传输层、发射层、电子传输层和阴极，电子传输层中设置有周期性纳米光栅结构，本发明通过在器件中引入纳米结构，可以有效地破坏光在器件中传输的波导模式，将波导模式耦合成基底模式，提高光提取效率；另一方面可以通过调控光栅参数(如宽度)实现出射光发射角度的连续可调，显著的提升了器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及光电器件领域，具体涉及一种光场可调的钙钛矿发光二极管。
背景技术
金属卤化物钙钛矿发光二极管由于其优异的光电性能在照明和显示中具有广阔的应用前景：如高量子产率、窄发射带宽、高颜色纯度和整个可见光谱的亮度可调谐等特点，近年来引起了人们的广泛兴趣。目前人们对于钙钛矿发光二极管进行了全面的研究和控制，包括发光效率、色度和颜色稳定性，但出射光发射方向性却很少受到重视。
在实际应用中，实现光场可调的钙钛矿发光二极管具有重要意义。一方面，平面钙钛矿发光二极管出射光有着朗伯辐射模式的特点，即发出的光是均匀的没有特定的方向性，造成大多数光子损耗在波导模式中，限制了光提取效率；另一方面，控制发射方向性在生物传感器、可见光通信等方面有着潜在的应用前景。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层、阳极、空穴传输层、发射层、电子传输层和阴极，电子传输层中设置有周期性纳米光栅结构。
通过上述技术方案，在电子传输层中引入纳米光栅结构实现控制钙钛矿发光二极管出射光的方向性。
进一步地：周期性纳米光栅结构为介质周期性纳米光栅结构。
进一步地：介质周期性纳米光栅结构为ZnO周期性纳米光栅结构。
进一步地：周期性纳米光栅结构为金属周期性纳米光栅结构。
进一步地：金属周期性纳米光栅结构为Ag周期性纳米光栅结构。
进一步地：周期性纳米光栅结构为混合材料周期性纳米光栅结构。
进一步地：混合材料周期性纳米光栅结构为Ag-ZnO周期性纳米光栅结构。
进一步地：ZnO周期性纳米光栅结构的参数为：占空比0.4-0.6，高度30-50nm。
进一步地：发射层中设置有水平极化的光源。
进一步地：发射层中设置有垂直极化的光源。
进一步地：ZnO周期性纳米光栅结构的调制角度为0-70°。
本发明的技术效果和优点：本发明通过在器件中引入纳米结构，可以有效地破坏光在器件中传输的波导模式，将波导模式耦合成基底模式，提高光提取效率；另一方面可以通过调控光栅参数(如宽度)实现出射光发射角度的连续可调，显著的提升了器件的性能。
附图说明
图1为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管层状结构示意图。
图2为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管中光源垂直极化的结构示意图。
图3为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管中光源水平极化的结构示意图。
图4为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管中光源处于发射层中不同位置结构示意图。
图5为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管的全反射示意图。
图6为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管的光源不同垂直位置的光辐射强度示意图。
图7为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管中加入周期性介质(ZnO)纳米结构对光辐射强度示意图。
图8为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管的光源位于不同水平位置对只有银纳米光栅结构钙钛矿发光二极管远场强度影响示意图。
图9为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管的光源位于不同水平位置对有混合材料光栅(银和氧化锌)钙钛矿发光二极管的远场强度影响示意图。
图10为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管的不同光栅宽度对应的出射光的角度的示意图。
图11为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管的光源水平极化方式对光辐射强度的影响示意图。
图12为本发明一种实施方式的一种光场可调的钙钛矿发光二极管的光源垂直极化方式对光辐射强度的影响示意图。
附图标记说明：100-玻璃层、200-阳极、300-空穴传输层、400-发射层、410-光源、500-电子传输层、510-周期性光栅结构、600-阴极。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。本发明的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
实施例1
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
玻璃层200为层厚3720nm的SiO2，阳极为层厚100nm的ITO，空穴传输层为层厚65nm的PEDOT:PSS，发射层为层厚100nm的Perovskite(钙钛矿)，电子传输层为层厚85nm的PCBM，阴极为层厚600nm的Al。
实施例2
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
周期性纳米光栅结构510为介质周期性纳米光栅结构，介质周期性纳米光栅结构为ZnO周期性纳米光栅结构。
实施例3
与实施例2不同之处在于，周期性纳米光栅结构510为金属周期性纳米光栅结构，金属周期性纳米光栅结构为Ag周期性纳米光栅结构。
实施例4
与实施例2和实施例3不同之处在于，周期性纳米光栅结构510为混合材料周期性纳米光栅结构，混合材料周期性纳米光栅结构为Ag-ZnO周期性纳米光栅结构。
实施例5
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
周期性纳米光栅结构510为介质周期性纳米光栅结构，介质周期性纳米光栅结构为ZnO周期性纳米光栅结构，ZnO周期性纳米光栅结构的参数为：占空比0.4，高度30nm。
实施例6
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
周期性纳米光栅结构510为介质周期性纳米光栅结构，介质周期性纳米光栅结构为ZnO周期性纳米光栅结构，ZnO周期性纳米光栅结构的参数为：占空比0.6，高度50nm。
实施例7
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
周期性纳米光栅结构510为介质周期性纳米光栅结构，介质周期性纳米光栅结构为ZnO周期性纳米光栅结构，ZnO周期性纳米光栅结构的参数为：占空比0.5，高度40nm。
实施例8
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
发射层400中设置有水平极化的光源410。
实施例9
与实施例7不同之处在于，发射层400中设置有垂直极化的光源410。
实施例10
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，所述电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
发射层设置有位于a,b,c不同位置的光源410，参考图4；
钙钛矿发光二极管的性能用远场辐射强度来描述，远场辐射强度的计算公式为：
|Ex|2、|Ey|2、|Ez|2依次为沿着x轴、y轴、z轴三个方向上的电场强度，分别计算三个方向电场强度再取平均值的方法为描述器件内部发射光子的非相干和随机过程。
参考图6，光源410位于a，b，c不同位置时光辐射强度的对比；
平面钙钛矿发光二极管具有典型的朗伯辐射模式特点，即出射光在各个方向上是均匀的，但由于不同材料层之间折射率不匹配会发生全反射，将逃逸角锥(临界角)限制在很小的范围内，参考图5，光子以小于临界角的角度入射可以逃离到空气中，大于临界角入射的光子则以波导模式损耗在器件中，造成辐射远场强度较低。
光源垂直位置会影响光子入射角的角度，进而影响出射光辐射强度，结果如图6所示。光源位于发光层较低位置处，多数光子能够以小于临界角的形式逃离出器件，因此光提取强度较高；光源位于发光层较高位置处时，多数光子以大于临界角的形式入射，发生全反射，造成辐射强度较低。因此，选择最优的光源位置可以有效地提高辐射强度。从图6中可以看出，光源位于a位置时为最优垂直发光位置。
尽管如此，平面结构的远场辐射强度仍然较低，考虑到这点，我们在器件中引入周期性介质(ZnO)纳米结构，将耦合到波导模式中的光转换为可传播的光，以此提升器件的效率。结果如图7所示，可以看到，在电子传输层中加入周期性纳米结构可以显著提升光提取强度。
实施例11
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
图8为光源位于不同水平位置对只有银纳米光栅结构钙钛矿发光二极管远场强度影响示意图，图9为光源位于不同水平位置对有混合材料光栅(银和氧化锌)钙钛矿发光二极管的远场强度影响示意图；
上述可以得出光源位于b位置时为最优水平发光位置。
进一步研究光源水平位置对只加入金属(Ag)以及金属-介质(Ag-ZnO)混合光栅结构的钙钛矿发光二极管的影响。其结果可以总结如下：光源位于两个光栅中间的强度要低于位于光栅正上方的强度；同时，对加入混合材料的钙钛矿发光二极管有四个明显的方向角辐射出来。
实施例12
一种光场可调的钙钛矿发光二极管，包括自上而下的玻璃层100、阳极200、空穴传输层300、发射层400、电子传输层500和阴极600，电子传输层500中设置有周期性纳米光栅结构510。
在平面钙钛矿发光二极管的电子传输层加入介质(ZnO)纳米光栅结构，ZnO光栅参数如下：占空比0.5，高度：40nm，在150-200nm范围内调节ZnO光栅宽度。银光栅相同。图10为不同光栅宽度对应的出射光的角度，可以观察到：介质(ZnO)光栅最大调制角度可达到70°，可以实现较大范围内的角度调制。
实施例13
在本实施例中，说明光源极化方式对光辐射强度的影响，参考附图11,附图12；
分别对比光源水平和垂直极化模式对不同结构的钙钛矿发光二极管的影响。可以看出，相比较垂直极化模式，光源在水平极化模式下有更多的光辐射出来。因为在水平极化模式下，有更多的光子可以落入临界角度内；而垂直极化模式下，光子以斜入射的形式被困在钙钛矿层和衬底中最终损耗在器件中，造成远场辐射强度较低，所以光源水平极化方式为最优的发光方式。
综上所述，本发明提出了三种结构的钙钛矿发光二极管：加入介质(ZnO)、金属(Ag)以及混合材料(Ag-ZnO)的纳米光栅结构的钙钛矿发光二极管，以实现出射光定向发射功能。为调制钙钛矿发光二极管出射光角度提供了一种有效的方法，为控制自发辐射开辟了新的技术可能性。这种改进方法在实现具有独特功能的光电器件应用中具有重要意义。
本发明通过在器件中引入纳米结构，可以有效地破坏光在器件中传输的波导模式，将波导模式耦合成基底模式，提高光提取效率；另一方面可以通过调控光栅参数(如宽度)实现出射光发射角度的连续可调，显著的提升了器件的性能。
显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。本发明中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。
Claims (10)
1.一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：包括自上而下的玻璃层(100)、阳极(200)、空穴传输层(300)、发射层(400)、电子传输层(500)和阴极(600)，所述电子传输层(500)中设置有周期性纳米光栅结构(510)。
2.根据权利要求1所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米光栅结构(510)为介质周期性纳米光栅结构。
3.根据权利要求2所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述介质周期性纳米光栅结构为ZnO周期性纳米光栅结构。
4.根据权利要求1所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米光栅结构(510)为金属周期性纳米光栅结构。
5.根据权利要求4所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述金属周期性纳米光栅结构为Ag周期性纳米光栅结构。
6.根据权利要求1所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米光栅结构(510)为混合材料周期性纳米光栅结构。
7.根据权利要求6所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述混合材料周期性纳米光栅结构为Ag-ZnO周期性纳米光栅结构。
8.根据权利要求3所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述ZnO周期性纳米光栅结构的参数为：占空比0.4-0.6，高度30-50nm。
9.根据权利要求1所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述发射层(400)中设置有水平极化的光源(410)。
10.根据权利要求1所述的一种光场可调的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述发射层(400)中设置有垂直极化的光源(410)。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011223232.5A CN112349868B (zh) | 2020-11-05 | 2020-11-05 | 一种光场可调的钙钛矿发光二极管 |
| US17/469,833 US11758748B2 (en) | 2020-11-05 | 2021-09-08 | Perovskite light-emitting diode with adjustable light field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011223232.5A CN112349868B (zh) | 2020-11-05 | 2020-11-05 | 一种光场可调的钙钛矿发光二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112349868A true CN112349868A (zh) | 2021-02-09 |
| CN112349868B CN112349868B (zh) | 2021-12-24 |
Family
ID=74428822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011223232.5A Active CN112349868B (zh) | 2020-11-05 | 2020-11-05 | 一种光场可调的钙钛矿发光二极管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11758748B2 (zh) |
| CN (1) | CN112349868B (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201927638U (zh) * | 2010-10-09 | 2011-08-10 | 中国计量学院 | 一种光栅结构有机发光二极管 |
| CN102447071A (zh) * | 2010-10-09 | 2012-05-09 | 中国计量学院 | 一种光栅结构有机发光二极管 |
| US20120208316A1 (en) * | 2007-08-10 | 2012-08-16 | National Taiwan University | Method For Forming A Photo-Active Layer Of The Solar Cell |
| CN106935727A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-07 | 淮阴工学院 | 一种线偏振出光有机发光二极管 |
| CN107293647A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-10-24 | 苏州大学 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN107316940A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-11-03 | 苏州大学 | 具有光调控结构的钙钛矿薄膜及光学器件的制备方法 |
| CN107482038A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置 |
| CN109301093A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 华南理工大学 | 一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜的制备方法 |
| CN110828684A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-02-21 | 淮阴工学院 | 一种倒置qled器件及其制备方法 |
| CN111224000A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-06-02 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111384255A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2991183B2 (ja) * | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2020
- 2020-11-05 CN CN202011223232.5A patent/CN112349868B/zh active Active
-
2021
- 2021-09-08 US US17/469,833 patent/US11758748B2/en active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120208316A1 (en) * | 2007-08-10 | 2012-08-16 | National Taiwan University | Method For Forming A Photo-Active Layer Of The Solar Cell |
| CN201927638U (zh) * | 2010-10-09 | 2011-08-10 | 中国计量学院 | 一种光栅结构有机发光二极管 |
| CN102447071A (zh) * | 2010-10-09 | 2012-05-09 | 中国计量学院 | 一种光栅结构有机发光二极管 |
| CN106935727A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-07 | 淮阴工学院 | 一种线偏振出光有机发光二极管 |
| CN107316940A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-11-03 | 苏州大学 | 具有光调控结构的钙钛矿薄膜及光学器件的制备方法 |
| CN107293647A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-10-24 | 苏州大学 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN107482038A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置 |
| CN109301093A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 华南理工大学 | 一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜的制备方法 |
| CN111224000A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-06-02 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111384255A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN110828684A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-02-21 | 淮阴工学院 | 一种倒置qled器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210408424A1 (en) | 2021-12-30 |
| CN112349868B (zh) | 2021-12-24 |
| US11758748B2 (en) | 2023-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102038170B1 (ko) | 평탄한 이방성의 콜로이드성 반도체 나노결정들을 포함하는 발광 디바이스 및 이러한 디바이스의 제조 방법 | |
| KR102473574B1 (ko) | 향상층(들)을 갖는 oled 디바이스 | |
| Ji et al. | Highly efficient flexible quantum-dot light emitting diodes with an ITO/Ag/ITO cathode | |
| Pan et al. | Flexible quantum dot light emitting diodes based on ZnO nanoparticles | |
| KR102607857B1 (ko) | 코어쉘 구조의 나노 입자를 포함하는 발광 소자 | |
| KR20100089606A (ko) | 컬러 변환층으로 반도체 나노 양자점을 포함하는 디스플레이소자 | |
| CN110323344B (zh) | 包括具有低角度色偏移的光学腔的发光装置 | |
| US10211419B2 (en) | Organic light emitting diode structure | |
| US20230247856A1 (en) | Organic electroluminescent devices | |
| CN108878665A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 | |
| Jiao et al. | 61‐2: Weakening Micro‐Cavity Effects in White Top‐Emitting WOLEDs with Semitransparent Metal Top Electrode | |
| CN112349868B (zh) | 一种光场可调的钙钛矿发光二极管 | |
| KR101268534B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자 제조 방법 | |
| EP2860152B1 (en) | Method for fabricating microstructure to generate surface plasmon waves | |
| CN114050220B (zh) | 透明显示面板、显示装置、发光显示器件及制备方法 | |
| CN109449309A (zh) | 一种oled器件、oled显示面板及oled显示装置 | |
| US10276821B2 (en) | Electroluminescent device | |
| KR101604495B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이를 제조하는 방법 | |
| Lee et al. | 46.1: Invited Paper: Recent Progress of Light‐Emitting Diodes Based on Colloidal Quantum Dots | |
| US11401469B2 (en) | Alloy nanomaterial, preparation method therefor, and semiconductor device | |
| WO2021017312A1 (zh) | 一种显示面板及其显示装置 | |
| KR101776917B1 (ko) | 샌드위치형 미세패턴 복합 발광소자 | |
| WO2018120518A1 (zh) | 一种纳米晶体、制备方法及半导体器件 | |
| KR20150134725A (ko) | 돌기형 금속입자를 포함하는 투광성 전극 및 이를 이용한 유기발광소자, 유기발광장치 | |
| WO2023051317A1 (zh) | 氧化钨纳米材料及其制备方法、光电器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220802 Address after: 247000 No.2 Shuanglong Road, Chizhou economic and Technological Development Zone, Anhui Province Patentee after: ANHUI JUXIN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 230601 No. 111 Kowloon Road, Hefei economic and Technological Development Zone, Anhui Patentee before: ANHUI University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 247000 No.2 Shuanglong Road, Chizhou economic and Technological Development Zone, Anhui Province Patentee after: Anhui Juxin Semiconductor Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 247000 No.2 Shuanglong Road, Chizhou economic and Technological Development Zone, Anhui Province Patentee before: ANHUI JUXIN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |