KR20150134725A - 돌기형 금속입자를 포함하는 투광성 전극 및 이를 이용한 유기발광소자, 유기발광장치 - Google Patents

돌기형 금속입자를 포함하는 투광성 전극 및 이를 이용한 유기발광소자, 유기발광장치 Download PDF

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김다은
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덕산하이메탈(주)
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Abstract

본 발명은 유기발광소자(OLED)의 제1전극으로 사용되는 투광성 전극에 대한 것으로서, 상기 투광성 전극은 금속 나노와이어와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자를 포함하며, 상기 투광성 기재 상에 구비되는 도전체층과; 상기 도전체층상에 형성되는 투광전극층을 포함하여 광 산란을 통해 광추출 효율이 향상된 유기발광소자 및 유기발광장치에 관한 것이다.

Description

돌기형 금속입자를 포함하는 투광성 전극 및 이를 이용한 유기발광소자, 유기발광장치{Translucency electrode comprising protruding metal particles and organic light emitting diode, organic light emitting device therewith}
본 발명은 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes, OLED)의 제1전극으로 사용되는 투광성 전극에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 소자는 투명 전극인 양극, 홀 수송층(hole transport layer), 유기 발광층(organic emission layer), 전자 주입층(electron injection layer), 및 반사 전극인 음극이 이 순서로 투명 기판의 한쪽에 적층되어 있다. 양극과 음극 사이에 전압이 인가되면, 전자 주입층을 통해 발광층으로 주입된 전자와, 홀수송층을 통해 발광층으로 주입된 홀이 발광층에서 재결합되어, 여기 상태(excited state)가 생성되어 발광이 일어난다. 발광층에서 발광된 광은 투명 전극 및 투명 기판을 통해 밖으로 나오게 된다.
유기 발광 소자의 특징은 광 파장 수준의 막 두께를 가지는 점, 굴절률 단차(段差) 또는 소자 내부의 금속면으로 형성된 반사면을 가지는 점 및 굴절률이 높은 매체인 발광층으로부터 발광하는 점이다. 이러한 구조에서, 전반사에 의해 유기 발광층, 기판 및 전극과 같은 고굴절률 매체 내의 광학적 간섭 효과 또는 광 차폐 등의 현상이 일어날 수 있고, 그 결과 발광 휘도와 발광 스펙트럼의 각도 의존성, 막 두께 의존성 및 광 이용 효율의 열화가 관찰된다.
한편, 유기 발광층에서 발생되는 광의 약 40%가 내부층 시스템에서 이미 유실되고, 즉 발생되는 광의 최소 60% 만이 내부층 시스템에서 발광될 수 있으며, 발생된 광의 약 40% 가 전반사로 인하여 기판/공기 계면에서 유실되고, 최종적으로는 발생된 광 전체의 약 20% 내외만이 유기 발광 소자 외부로 방출되므로 광추출 효율이 높지 않다. 이와 같이 유기발광소자의 광추출 효율이 낮은 이유는 각 유기층(굴절률 n=1.7~1.8), 투명전극(ITO : Indim Yin Oxide, 굴절률 n=1.8~2.2), 유리 기판(굴절률 n=1.5)의 굴절률 차이에 의한 전반사 효과로 각 층에서 광도파로가 형성되며 최종 공기층으로 빠져나오는 빛의 양은 최초 생성된 빛의 약 20% 정도에 머물게 된다.
유기발광소자의 주요 응용분야는 디스플레이와 조명인데, 그 중 조명용 유기발광소자는 디스플레이용 유기발광소자와는 달리 구조가 단순하여 미세하고 정밀한 패턴이 필요 없으며 대형 투자를 필요로 하는 TFT(Thin Film Transistor)와 같은 구동 소자 또한 필요 없기 때문에 공정이 간단하고 대형 투자를 필요로 하지 않는다.
유기발광소자를 이용한 디스플레이와 조명은 공통적으로 변환효율(전류가 빛으로 변환되는 비율) 및 전력효율(입력전력에 대한 출광량), 안정성, 수명, 제조가격 등의 기술 항목이 요구되고, 조명용 유기발광소자가 특징적으로 요구되는 기술 항목은 연색지수(CRI, Color Rendering Index), 대면적 발광, 전면뿐만 아니라 측면을 포함한 전체전력효율 등이 있다. 특히 색상의 구현 능력을 나타내는 연색지수가 낮으면 색이 분명하지 않고 눈에 피로를 많이 주기 때문에 연색지수는 효율 및 수명과 더불어 조명용 유기발광소자에 있어서 가장 중요한 요소로 간주된다.
또한 유기발광소자를 이용한 차세대 평판 조명용 광원으로서 유기발광소자를 적용하기 위해서 최근 광추출 효율 향상에 대한 관심이 증대되고 있을 뿐 아니라 전반사 억제를 위한 광추출 효율 개선을 위한 많은 연구 개발이 진행되고 있다.
그로 인해, 광추출 효율을 높이는 것이 요구되고 있는데, 광추출 효율을 높이기 위하여 등록특허 제10-1114352호에서 개시된 것과 같이 전극에 산란 입자를 포함하거나, 요철구조를 형성하여 광을 산란시키는 방법 등 양극과 음극 중 적어도 하나를 광 투과성 전극으로 형성하고, 이 광 투과성 전극의 발광층에 대해 반대측에 광 산란성이고 광 반사성인 요소를 설치하는 방법이 사용되어 왔다.
본 발명은 제1전극으로 사용되는 투광성 전극으로서, 투광성 전극은 금속 나노와이어와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자를 포함하며, 투광성 기재 상에 구비되는 도전체층과 도전체층상에 형성되는 투광전극층을 포함하여 광 산란을 통해 광추출 효율이 향상된 유기발광소자 및 유기발광장치를 제공한다.
투광성 기재의 일면에 구비되는 제1전극으로서, 금속 나노와이어와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자를 포함하며, 투광성 기재 상에 구비되는 도전체층과; 상기 도전체층상에 형성되는 투광전극층을 포함하는 투광성 전극을 제공한다.
금속 나노와이어의 평균직경은 20 내지 80nm이고, 길이는 5 내지 40μm이며 금속 입자의 크기는 100~1000nm이고, 금속 입자의 외면에 구비된 돌기의 크기는 10~300nm이다.
금속 나노와이어 및 금속 입자는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이다.
또한 본 발명은 금속 나노와이어를 포함하는 잉크 조성물과 돌기가 외면에 구비된 금속 입자가 포함된 잉크 조성물을 포함하는 코팅액을 제공한다.
또한 본 발명은 코팅액을 제조하는 단계, 코팅액을 투광성 기재 상에 도포하고, 도포된 코팅액을 건조한 후 건조된 코팅액을 경화시켜 도전체층을 형성하는 단계, 도전체층 상에 투광전극층을 증착하는 단계를 포함하는 투광성 전극 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 제1전극과 제2전극 사이에 유기발광층이 구비되는 유기발광소자로서, 제1전극은 상기의 특징을 가지는 투광성 전극인 유기발광소자를 제공한다.
또한 본 발명은, 투광성 기재, 상기 투광성 기재(20)상에 구비되는 제1전극, 상기 제1전극에 대향하는 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 구비되는 유기발광층 및 상기 제2전극 상에 구비되는 봉지 기판을 포함하는 유기발광장치로서, 상기의 특징을 가지는 투광성 전극인 유기발광장치를 제공한다.
본 발명에 따른 투광성 전극은 외면에 돌기를 구비한 금속 입자를 포함하여 소자의 성능을 유지하면서도 투광전극층과의 접합성을 높일 수 있고, 전기전도도를 높임과 동시에 굴절률 차이에 의하여 유기발광소자 내에서 발생하는 광의 전반사에 의한 손실을 줄이고 산란을 일으켜, 광추출 효율을 개선한 유기발광소자 및 유기발광장치를 제공하게 한다.
도 1은 제1전극으로 사용되는 투광성 전극의 단면도이다.
도 2는 투광성 전극을 포함하는 유기발광소자의 단면도이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 발명의 일측면은 투광성 기재(20)의 일면에 구비되는 제1전극(30)으로서 도전체층(31)과 투광전극층(32)을 포함하는 투광성 전극이다. 도전체층(31)은 금속 나노와이어(11)와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자(12)를 포함한다. 투광성 전극은 금속 나노와이어(11)와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자(12)를 포함하는 도전체층(31)이 투광성 기재(20) 상에 구비되고, 도전체층(31)상에 형성되는 투광전극층(32)을 포함한다.
금속 나노와이어(11)는 전기적으로 도전성을 갖는 나노 사이즈의 구조체를 의미한다. 금속 나노와이어(11) 평균직경은 20 내지 80nm 이며, 길이는 5 내지 40 ㎛ 이다. 상기 크기 범위에 미만 하는 경우 전기전도도가 저하되는 문제점이 있고, 초과하는 경우 수율이 저하되는 문제점이 있다.
금속입자의 크기는 100 내지 1000nm이다. 100nm 미만인 경우 산란특성이 저하 문제점이 있고, 1000nm 초과하는 경우 투과율 손실의 문제점이 있다. 금속입자는 구형, 타원형, 무정형 등 그 형태에 제한이 없으며, 외면에 돌기를 구비한다. 복수의 입자가 서로 중첩되어 다층으로 형성되어도 무방하다. 금속입자의 외면에 구비된 돌기의 크기는 10 내지 300nm이다. 10nm 미만인 경우 광 산란 저하 문제점이 있고, 300nm 초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다.
금속 나노와이어(11)와 금속 입자(12)의 금속은 임의의 도전성 물질일 수 있다. 보다 통상적으로, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이나 이에 제한되지 않는다. 바람직하게는 은(Ag)을 사용한다. 은(Ag)의 경우 금속으로서 빛을 반사시키고, 투과율이 낮지만 유기발광소자에서 제2전극(예를 들면, 알루미늄(Al) 금속 전극)과 상응하여 서로 빛을 반사하므로 실제로 소자 내부에서의 광손실을 적게 하기 때문이다.
금속 나노와이어와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자를 포함하는 도전체층의 두께는 100nm 내지 10㎛ 이다. 100nm 미만인 경우 전기전도도 저하 문제점이 있고, 10㎛ 초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다. 금속 나노와이어(11) 및 금속 입자(12)의 표면에 빛이 도달하면 금속 나노와이어(11) 및 금속입자를 통해 빛을 산란시켜 광효율을 높일 수 있다. 특히 금속 입자는 외면에 돌기를 구비하여 더 넓은 영역대를 가지는 파장의 빛을 산란시킬 수 있다. 또한 도전체층 상에 형성되는 투광전극층과의 접합성을 높일 수 있다.
투광전극층(32)은 투명하고 전도성을 부여할 수 있는 물질이라면 제한이 없으나, 바람직하게는 투명성, 전도성 및 내열성 등이 우수한 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(ZnO-Al2O3: 알루미늄이 도핑된 아연 산화물), GZO(ZnO-Ga2O3: 갈륨이 도핑된 아연 산화물) 등의 금속 산화물, 그래핀(graphene) 등을 사용할 수 있다.
투광전극층(32)의 두께는 0.3 내지 300nm이다. 0.3nm 미만인 경우 전기전도도 저하 문제점이 있고, 300nm초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다. 투광전극층은 도전체층 상에 굴곡지게 형성된다. 굴곡의 주기를 Rλa라 하고, 굴곡의 높이를 Ra라 할 때, 굴곡의 주기에 대한 굴곡의 높이의 비, 즉 Ra/Rλa는 10-3이하가 바람직하다. 투광전극층(32)은 광산란 효과를 증대시키며, 금속 나노 입자를 보호하는 역할을 할 수 있다.
광추출 효율의 향상을 실현하기 위해서는, 도전체층(31)의 굴절률은 투광전극층(32) 재료의 굴절률과 동등 혹은 높은 쪽이 바람직하다. 굴절률이 낮은 경우, 도전체층(31)과 투광전극층(32)의 계면에 있어서, 전반사에 의한 손실이 발생하기 때문이다.
투광성 기재(20)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리아릴레이트와 같은 폴리에스테르계 수지, 폴리술폰, 폴리에테르술폰(PES)과 같은 폴리술폰계 수지, 폴리에테르케톤(PEK), 폴리에테르에테르케톤(PEEK)과 같은 폴리에테르케톤계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리올레핀 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC) 등과 같은 셀룰로오스 유도체, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. 또한 실리콘 기판, SOI(Silicon On Insulator) 기판, 갈륨 비소 기판, 실리콘 저마늄(SiGe) 기판, 세라믹 기판, 석영 기판, 또는 조명용 유리 기판 등이 될 수 있으며, 조명용으로 사용되는 기판이라면 제한 없이 이용될 수 있다.
또한 본 발명은 앞서 언급된 투광성 전극을 제조하는 방법을 제공한다.
일실시예인 제조방법은 금속 나노와이어 및 돌기가 외면에 구비된 금속 입자를 포함하는 잉크 조성물을 제조하는 단계, 잉크 조성물을 투광성 기재 상에 도포하고, 도포된 잉크 조성물을 건조한 후 건조된 잉크 조성물을 경화시켜 도전체층을 형성하는 단계, 도전체층 상에 투광전극층을 증착하는 단계를 포함한다.
금속 나노와이어(11)와 금속 입자(12)는 각각 잉크 조성물 내에 용매와 함께 존재하며, 금속 나노와이어(11)가 포함된 잉크 조성물과 금속 입자(12)가 포함된 잉크 조성물을 혼합하여 도전체층(31)을 형성하고, 후에 용매가 제거된다.
용매는 물, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 프로판-2-디올 및 글리세롤과 같은 1가 및 다가 알코올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 프로판-1,3-디올, 부탄-1,4-디올, 2-부텐-1,4-디올 등, 또는 이러한 2 종 이상의 글리콜의 혼합물을 포함한다.
금속 나노와이어(11)는 잉크 조성물 내에 잉크 조성물 100중량부에 대하여 1 내지 10 중량부로 존재한다. 바람직하게는, 금속 나노와이어(11)는 잉크 조성물 내에 잉크 조성물 100중량부에 대하여 1 내지 5 중량부로 존재한다. 1 미만인 경우 밀도저하 문제점이 있고, 10 초과하는 경우 코팅 시 분산성 저하 문제점이 있다.
돌기가 외면에 구비된 금속 입자(12)는 잉크 조성물 내에 잉크 조성물 100중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부로 존재한다. 바람직하게는, 금속 입자(12)는 잉크 조성물 내에 잉크 조성물 100중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부로 존재한다.
잉크 조성물 내에서 금속 나노와이어(11) 및 돌기가 외면에 구비된 금속 입자(12)는 0.1 대 5의 질량비로 존재한다. 금속입자의 비율이 상기 비율보다 낮아지게 되면 광 산란 저하 문제점이 있고, 금속 입자의 비율이 상기 비율보다 높아지게 되면 투과율 손실 문제점이 있다.
잉크 조성물은 투광성 기재 상에 투광성 기재의 단위면적당(cm2) 0.0001 내지 0.0100g이 도포된다. 도포된 코팅액은 150℃내 외의 온도에서, 10분 동안 건조되고, 건조된 코팅액은 UV 경화기를 이용하여 경화시킨다.
투광전극층이 형성되는 방법은 건식공정 및 습식공정을 이용한다. 구체적인예로는 물리증착법(PVD), 화학기상증착법(CVD), 플라즈마 코팅법, 롤 코터(Roll coater)도포, 스핀 코터(Spin coater)도포, 스프레이(Spray)도포, 디핑 코터(Diping coater)도포, 와이어 바 코터(Wire bar coater)도포, 그라비아 코터(Gravure coater)도포 및 에어 나이프 코터(Air knife coater)도포 등이 있다.
또한 본 발명의 일실시예인 도 2에서 나타나는 것과 같이 제1전극(30)과 제2전극(50)사이에 유기발광층(40)이 구비되는 유기발광소자로서, 제1전극(30)은 금속 나노와이어(11)와 돌기가 외면에 구비된 금속입자를 포함하며, 투광성 기재(20) 상에 구비되는 도전체층(31)과 도전체층(31)상에 형성되는 투광전극층(32)을 포함하는 투광성 전극인 유기발광소자를 제공한다.
제1전극(30)은 앞서 설명한 본 발명의 투광성 전극을 사용한다.
유기발광층(40)은 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이에 구비되며, 제1전극(30)과 제2전극(50)의 전기적 구동에 의해 발광한다. 유기발광층(40)은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 적층 구조일 수 있다. 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다.
제2전극(50)은 일함수가 작은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 주기율표 제3속의 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li 또는 Ca 또는 그 합금 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 본 발명의 일실시예인 도 3에서 나타나는 것과 같이 유기발광장치로서 투광성 기재(20), 투광성 기재(20) 상에 구비되는 금속 나노와이어(11)와 돌기가 외면에 구비된 금속입자를 포함하는 도전체층(31)과 도전체층(31)상에 형성되는 투광전극층을 포함하는 제1전극(30), 제1전극(30)에 대향하는 제2전극(50), 및 제1전극(30)과 제2전극(50) 사이에 구비되는 유기발광층(40), 봉지기판(80)을 포함하는 유기발광장치를 제공한다.
투광성 기재, 제1전극(30) 및 제1전극(30), 제2전극(50)과 유기발광층(40)을 포함하는 유기발광소자는 앞서 설명한 본 발명의 투광성 전극 및 유기발광소자를 사용한다.
봉지 기판(80)은 유기발광소자를 피복하도록 제2전극 상에 구비되고, 봉지 기판으로 인해 유기발광소자 내부로 산소 및 수분이 침투하는 것을 방지 하는 등의 보호 역할을 한다.
조명용으로 사용되는 유기발광장치는 광추출 효율의 중요성이 더욱 부각되고, 본 발명에 따른 투광성 전극은 금속 입자를 포함하여 소자의 성능을 유지하면서도 투광전극층과의 접합성을 높일 수 있고, 전기전도도를 높임과 동시에 굴절률 차이에 의하여 유기발광소자 내에서 발생하는 광의 전반사에 의한 손실을 줄이고 산란을 일으켜, 광추출 효율을 개선한 유기발광소자 및 유기발광장치를 제공하게 한다.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
11 : 금속 나노와이어 12 : 금속 입자
20 : 투광성 기재
30 : 제1전극(투광성 전극) 31 : 도전체층 32 : 투광전극층
40 : 유기발광층
50 : 제2전극
60 : 유기발광소자 70 : 유기발광장치 80 : 봉지 기판

Claims (13)

  1. 투광성 기재의 일면에 구비되는 제1전극으로서,
    상기 제1전극은,
    금속 나노와이어와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자를 포함하며, 상기 투광성 기재 상에 구비되는 도전체층과;
    상기 도전체층상에 형성되는 투광전극층을 포함하는 투광성 전극.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어의 평균직경은 20 내지 80nm이고, 길이는 5 내지 40μm 인 투광성 전극.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 금속 입자의 크기는 100~1000nm이고,
    상기 금속 입자의 외면에 구비된 돌기의 크기는 10~300nm인 투광성 전극.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어 및 금속 입자의 소재는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 투광성 전극.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전체층의 두께는 100nm~10㎛이고, 투광전극층의 두께는 0.3~300nm인 투광성 전극.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투광전극층의 소재는 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(ZnO-Al2O3), GZO(ZnO-Ga2O3)의 금속 산화물, 그래핀(graphene) 중에서 선택되어지는 어느 하나인 투광성 전극.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리아릴레이트와 같은 폴리에스테르계 수지, 폴리술폰, 폴리에테르술폰(PES)과 같은 폴리술폰계 수지, 폴리에테르케톤(PEK), 폴리에테르에테르케톤(PEEK)과 같은 폴리에테르케톤계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리올레핀 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스 유도체, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 투광성 전극.
  8. 금속 나노와이어와, 돌기가 외면에 구비된 금속 입자가 포함된 잉크 조성물로서,
    상기 금속 나노와이어는 평균직경은 20 내지 80nm이고, 길이는 5 내지 40μm 이며,
    상기 금속 입자의 크기는 100~1000nm이고, 상기 금속 입자의 외면에 구비된 돌기의 크기는 10~300nm이며,
    상기 금속 나노와이어와 금속 입자는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 잉크조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어를 포함하는 잉크 조성물은 잉크 조성물 100중량부에 대하여 금속 나노와이어가 1~10중량부로 포함되며,
    상기 외면에 돌기가 구비된 금속 입자를 포함하는 잉크 조성물은 잉크 조성물 100중량부에 대하여 외면에 돌기가 구비된 금속 입자가 0.1~5중량부로 포함되는 잉크 조성물.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어와 돌기가 외면에 구비된 금속 입자 중량비는 0.1 대 5인 잉크 조성물.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항의 잉크 조성물을 제조하는 단계;
    상기 잉크 조성물을 투광성 기재 상에 도포하고, 도포된 잉크 조성물을 건조한 후 건조된 잉크 조성물을 경화시켜 도전체층을 형성하는 단계;
    상기 도전체층 상에 투광전극층을 증착하는 단계;를 포함하는 투광성 전극 제조방법.
  12. 제1전극과 제2전극사이에 유기발광층이 구비되는 유기발광소자로서,
    상기 제1전극은 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 투광성 전극인 유기발광소자.
  13. 투광성 기재;
    상기 투광성 기재상에 구비되는 제1전극;
    상기 제1전극에 대향하는 제2전극;
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 구비되는 유기발광층; 및
    상기 제2전극 상에 구비되는 봉지 기판을 포함하는 유기발광장치로서,
    상기 제1전극은 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 투광성 전극인 유기발광장치.

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