KR101484088B1 - 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents
유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101484088B1 KR101484088B1 KR20130083657A KR20130083657A KR101484088B1 KR 101484088 B1 KR101484088 B1 KR 101484088B1 KR 20130083657 A KR20130083657 A KR 20130083657A KR 20130083657 A KR20130083657 A KR 20130083657A KR 101484088 B1 KR101484088 B1 KR 101484088B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- frit
- organic light
- glass fiber
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 20
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 alcohol ester Chemical class 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/182—OLED comprising a fiber structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되고, 프릿으로 이루어진 매트릭스 층; 및 상기 매트릭스 층 내부에 배치되어 있는 유리섬유 구조물를 포함하되, 상기 매트릭스 층과 상기 유리섬유 구조물은 상기 유기발광소자의 내부 광추출층을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
이를 위해, 본 발명은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되고, 프릿으로 이루어진 매트릭스 층; 및 상기 매트릭스 층 내부에 배치되어 있는 유리섬유 구조물를 포함하되, 상기 매트릭스 층과 상기 유리섬유 구조물은 상기 유기발광소자의 내부 광추출층을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 유기발광소자(organic light emitting diode; OLED)는 애노드(anode), 발광층 및 캐소드(cathode)를 포함하여 형성된다. 여기서, 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 전공 주입층 내로 주입되고 전공 수송층을 거쳐 발광층으로 이동되며, 전자는 캐소드로부터 전자 주입층 내로 주입되고 전자 수송층을 거쳐 발광층으로 이동된다. 이때, 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
한편, 이러한 유기발광소자로 이루어진 유기발광 표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 N×M개의 화소들을 구동하는 방식에 따라, 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다.
여기서, 능동 매트릭스 방식의 경우 단위화소 영역에는 발광영역을 정의하는 화소전극과 이 화소전극에 전류 또는 전압을 인가하기 위한 단위화소 구동회로가 위치하게 된다. 이때, 단위화소 구동회로는 적어도 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor; TFT)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 구비하며, 이를 통해, 화소수와 상관없이 일정한 전류의 공급이 가능해져 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 이러한 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시장치는 전력 소모가 적어, 고해상도 및 대형 디스플레이의 적용에 유리하다는 장점을 갖고 있다.
여기서, 100%의 내부 발광효율을 가지는 유기 발광소자에 의해 발광된 빛이 예컨대, ITO로 이루어진 투명 도전막과 기판으로 사용된 유리를 투과하여 밖으로 나올 때, 그 효율은 스넬(snell)의 법칙에 의해서 약 17.5%이다. 이러한 효율 감소는 유리를 기판으로 사용하는 유기 발광소자에서 내, 외부 발광효율 감소에 큰 영향을 미치고 있다. 이를 극복하기 위해, 광학적인 광추출을 증가시켜 투과 효율을 증가시키고 있는데, 이에 광학적 광추출을 증가시키기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다.
종래의 광추출 방법에는 텍스처(texture) 구조를 가지는 면을 유리판에 처리하는 방법, 마이크로스피어(microspheres)를 ITO가 증착되어 있는 유리면에 사용하는 방법, ITO가 증착되어 있는 유리면에 마이크로 렌즈(micro lens)를 사용하는 방법, 메사(Mesa) 구조를 사용하는 방법 그리고 ITO와 유리면에 실리카 에어로겔(silica aerogel)을 사용하는 방법 등이 있다. 이중에서, 실리카 에어로겔을 사용하는 방법은 100% 광량이 증가하는 효과를 나타내었으나 실리카 에어로겔이 수분에 매우 민감하고 불안정하여 소자의 수명이 짧아지는 결과를 나타냄에 따라 상업적으로 사용하기에는 불가능하였다.
또한, 마이크로 렌즈나 메사 구조를 이용하는 방법은 외부 발광효율 증가는 나타났으나 이를 제작하기 위해서는 비용이 많이 증가하여, 그 실효성이 낮은 문제가 있었다. 그리고 마이크로스피어를 이용하는 방법은 외부 발광효율의 증가는 나타나지 않고, 빛의 분산에 의한 파장 변화만이 관찰되었다. 그러므로, 유기 발광소자에서 30%의 효율 증가를 가져온 텍스처 구조를 이용한 방법이 소자의 수명이나 비용적이 측면에서 가장 유리하다. 그러나 유리가 비정질 형태를 이루고 있기 때문에 유리 위에 텍스처 구조를 일정한 모양으로 형성하기는 매우 어렵다. 또한, 유리 위에 텍스처를 형성시킨다 해도, 텍스처로 인해 평탄도가 낮아지고, 이로 인해, 이와 접하게 되는 애노드의 표면에도 텍스처 구조가 형성되어 누설전류가 발생하는 등 적용이 곤란한 문제를 가지고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되고, 프릿으로 이루어진 매트릭스 층; 및 상기 매트릭스 층 내부에 배치되어 있는 유리섬유 구조물를 포함하되, 상기 매트릭스 층과 상기 유리섬유 구조물은 상기 유기발광소자의 내부 광추출층을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판을 제공한다.
여기서, 상기 매트릭스 층과 상기 유리섬유 구조물은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 상기 유리섬유 구조물은 망상(net type)의 글라스 클로스(glass cloth) 형태로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 글라스 클로스는 1~100㎛ 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 글라스 클로스의 개구율은 20% 이상일 수 있다.
아울러, 상기 매트릭스 층은 50% 이상의 투과율을 가질 수 있다.
또한, 상기 베이스 기판은 프릿으로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 매트릭스 층과 상기 유기발광소자 사이에 형성되는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 평탄화층은 프릿으로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명은, 베이스 기판 상에 프릿 페이스트를 도포하는 프릿 페이스트 도포단계; 도포한 상기 프릿 페이스트에 유리섬유 구조물을 함침하는 유리섬유 구조물 함침단계; 및 상기 프릿 페이스트를 소성하는 프릿 페이스트 소성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 유리섬유 구조물 함침단계에서는 상기 유리섬유 구조물로, 망상의 글라스 클로스를 사용할 수 있다.
이때, 상기 유리섬유 구조물 함침단계에서는 상기 유리섬유 구조물로, 두께가 1~100㎛인 망상의 글라스 클로스를 사용할 수 있다.
또한, 상기 유리섬유 구조물 함침단계에서는 상기 유리섬유 구조물로, 개구율이 20% 이상인 망상의 글라스 클로스를 사용할 수 있다.
아울러, 상기 프릿 페이스트 도포단계에서는 프릿으로 이루어진 베이스 기판을 사용할 수 있다.
또한, 상기 프릿 페이스트 소성단계 후, 내부에 상기 유리섬유 구조물이 함침되어 있는 프릿으로 이루어진 매트릭스 층 상에 평탄화층을 형성하는 평탄화층 형성단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 평탄화층 형성단계에서는 프릿으로 이루어진 상기 평탄화층을 형성할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기의 유기발광소자용 광추출 기판을, 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 전방에 고굴절 프릿으로 이루어진 매트릭스 층 및 이의 내부에 함침되어 있는 망상의 유리 섬유로 이루어진 내부 광추출층을 배치함으로써, 유기발광소자와 베이스 기판 및 베이스 기판과 공기 간의 계면에서 발생하는 전반사를 줄일 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 구비한 유기발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판의 글라스 클로스를 보여주는 사진.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 구비한 유기발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판의 글라스 클로스를 보여주는 사진.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 구비한 유기발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 유기발광소자(10)로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되어 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시키는 기판이다.
여기서, 구체적으로 도시하진 않았지만, 유기발광소자(10)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광추출 기판(100)과 이와 인캡슐레이션을 위해 대향되게 위치되는 기판 사이에 배치되는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층 구조로 이루어진다. 이때, 애노드는 정공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속, 예컨대, Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 금속산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 캐소드는 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 이때, 유기발광소자(10)가 전면 발광형인 경우, 캐소드는 유기 발광층에서 발광된 빛이 잘 투과될 수 있도록 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막의 반투명 전극(semitransparent electrode)과 인듐 주석산화물(indium tin oxide; ITO)과 같은 산화물 투명 전극(transparent electrode) 박막의 다층구조로 이루어질 수 있다. 그리고 유기 발광층은 애노드 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성될 수 있다.
이러한 구조에 따라, 애노드와 캐소드 사이에 순방향 전압이 인가되면, 캐소드로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 애노드로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드와 캐소드 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
이때, 유기발광소자(10)가 조명용 백색 유기발광소자로 이루어지는 경우, 예컨대, 발광층은 청색 영역의 광을 방출하는 고분자 발광층과 오렌지-적색 영역의 광을 방출하는 저분자 발광층의 적층 구조로 형성될 수 있고, 이 외에도 다양한 구조로 형성되어 백색 발광을 구현할 수 있다. 또한, 유기 발광층은 텐덤(tandem) 구조를 이룰 수 있다. 즉, 유기 발광층은 복수 개로 구비될 수 있고, 각각의 유기 발광층이 연결층(interconnecting layer)을 매개로 교번 배치될 수 있다.
베이스 기판(110)은 이의 일면에 형성되는 매트릭스 층(120)을 지지하는 기판이다. 또한, 베이스 기판(110)은 유기발광소자(10)의 전방, 즉, 유기발광소자(10)로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 전방에 배치되어, 발광된 빛을 외부로 투과시킴과 아울러, 유기발광소자(10)를 외부 환경으로부터 보호하는 봉지(encapsulation) 기판으로서의 역할을 한다.
이러한 베이스 기판(110)은 투명 기판으로, 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예를 들어, 베이스 기판(110)으로는 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 고분자 계열의 물질이 사용될 수 있다. 또한, 베이스 기판(110)으로는 화학강화유리인 소다라임 유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트계 유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있다. 여기서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광추출 기판(100)을 채용한 유기발광소자(10)가 조명용인 경우, 베이스 기판(110)으로는 소다라임 유리가 사용될 수 있다. 이외에도 베이스 기판(110)으로는 금속산화물이나 금속질화물로 이루어진 기판이 사용될 수도 있다. 그리고 본 발명의 일 실시 예에서는 베이스 기판(110)으로 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리가 사용될 수 있는데, 이러한 박판 유리는 퓨전(fusion) 공법 또는 플로팅(floating) 공법을 통해 제조될 수 있다.
매트릭스 층(120)은 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 본 발명의 일 실시 예에서 이러한 매트릭스 층(120)은 프릿(frit)으로 이루어지는데, 특히, 굴절률(n)이 1.6 이상이고, 투과율이 50% 이상인 프릿으로 이루어질 수 있다. 이러한 매트릭스 층(120)은 내부에 배치되는 유리섬율 구조물(130)과 함께 유기발광소자(10)의 내부 광추출층으로 작용하게 된다. 이와 같이, 유기발광소자(10)와 베이스 기판(110) 사이에 내부 광추출층이 형성되면, 종래 기판유리와 유기발광소자의 계면에서 발생되던 전반사를 줄이는 구조가 되어, 유기발광소자(10)의 광추출 효율은 향상될 수 있다.
유리섬유 구조물(130)은 매트릭스 층(120) 내부에 배치된다. 이러한 유리섬유 구조물(130)은 매트릭스 층(120)과 유기발광소자(10)의 내부 광추출층을 이룬다. 이러한 유리섬유 구조물(130)은 매트릭스 층(120)과 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 유리섬유 구조물(130)은 1.45~1.7의 굴절률을 가질 수 있다. 이와 같이, 매트릭스 층(120) 내부에 이와는 굴절률이 다른 유리섬유 구조물(130)이 배치되면, 매트릭스 층(120)을 통과하는 광이 산란되어, 즉, 광의 경로가 다변화되어, 베이스 기판(110)과 공기의 계면에서 발생하는 전반사를 줄일 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자(10)의 광추출 효율은 더욱 향상될 수 있다.
도 2의 사진에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유리섬유 구조물(130)은 망상(net type)의 글라스 클로스(glass cloth) 형태로 이루어질 수 있다. 이러한 글라스 클로스는 1~100㎛ 두께로 형성될 수 있다. 이때, 글라스 클로스는 20% 이상의 개구율을 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 높은 투과율을 확보할 수 있다.
한편, 매트릭스 층(120) 내부에 유리섬유 구조물(130)이 배치되면, 매트릭스 층(120)의 표면에 유리섬유 구조물(130)의 형상이 유도되어, 매트릭스 층(120)의 표면 거칠기가 높게 나타날 수 있다. 이때, 표면 거칠기가 높은 매트릭스 층(120) 상에 유기발광소자(10)를 형성하게 되면, 매트릭스 층(120)의 굴곡진 표면이 애노드에 그대로 전사될 수 있는데, 이는, 큰 누설 전류의 원인이 되어, 결국, 유기발광소자(10)의 전기적 특성 저하를 초래하게 된다.
이를 방지하기 위해, 매트릭스 층(120)과 유기발광소자(10) 사이에는 평탄화층(140)이 형성될 수 있다. 이때, 평탄화층(140)은 매트릭스 층(120)과 마찬가지로, 프릿으로 이루어질 수 있고, 매트릭스 층(120)을 이루는 프릿과 조성적으로 동일하거나 다를 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 고굴절 프릿으로 이루어진 매트릭스 층(120) 및 이의 내부에 배치되어 있는 망상의 유리섬유 구조물(130)을 구비함으로써, 이를 유기발광소자(10)의 내부 광추출층으로 적용 시 유기발광소자(10)와 베이스 기판(110) 및 베이스 기판(110)과 공기 간의 계면에서 발생하는 전반사를 줄일 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(200)으로, 베이스 기판(210)이 매트릭스 층(120) 및 평탄화층(140)과 마찬가지로, 프릿으로 이루어질 수 있다. 이때, 베이스 기판(210)을 이루는 프릿은 평탄화층(140)을 이루는 프릿과 조성적으로 동일할 수 있다. 이 경우, 베이스 기판(210), 매트릭스 층(120) 및 평탄화층(140)은 하나의 시트(sheet) 형태를 이룰 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 대하여 설명하기로 한다. 여기서, 각 구성요소들에 대한 도면 부호는 도 1 및 도 3을 참조한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 유기발광소자(10)로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되는 광추출 기판(100)을 제조하는 방법으로, 프릿 페이스트 도포단계, 유리섬유 구조물 함침단계 및 프릿 페이스트 소성단계를 포함한다.
먼저, 프릿 페이스트 도포단계에서는 베이스 기판(110) 상에 소성 후 매트릭스 층(120)을 이루는 프릿 페이스트를 도포한다. 이때, 프릿 페이스트 도포단계에서는 유기 바인더가 첨가되어 있는 유기용매에 프릿 파우더를 혼합하여 제조한 프릿 페이스트를 베이스 기판(110) 상에 스크린 인쇄 등의 방법을 통해 도포할 수 있다. 여기서, 유기용매로는 부틸카비톨아세테이트(butyl carbitol acetate; BCA), α-테르피네올(α-terpineol; α-TPN), 디부틸프탈레이트(dibutyl phthalate; DBP), 에틸 아세테이트(ethyl acetate), β-테르피네올(β-terpineol), 사이클로 헥사논(cyclohexanone), 사이클로 펜타논(cyclopentanone), 헥실렌 글리콜(hexylene glycol), 고비점 알코올, 알코올 에스테르의 혼합물 등을 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 유기 바인더로는 에틸셀룰로우스(ethyl cellulose), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 프로필렌글리콜(propylene glycol), 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스(ethylhydroxyethlcellulose), 페놀성 수지, 에틸셀룰로오스와 페놀성 수지의 혼합물, 에스터 중합체, 메타크릴레이트 중합체, 저급 아코올의 메타크릴레이트 중합체, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸에테르 등을 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다. 한편, 프릿 페이스트 도포단계에서는 유리 외에도 프릿으로 이루어진 베이스 기판(210)을 사용할 수 있다.
다음으로, 유리섬유 구조물 함침단계에서는 도포한 프릿 페이스트에 유리섬유 구조물(130)을 함침한다. 여기서, 유리섬유 구조물(130)로는 두께가 1~100㎛이고, 개구율이 20% 이상인 망상의 글라스 클로스를 사용할 수 있다.
다음으로, 프릿 페이스트 소성단계에서는 200℃ 이상의 온도로 프릿 페이스트를 소성한다. 이와 같이, 프릿 페이스트를 소성하면, 내부에 유리섬유 구조물(130)이 함침되어 있고, 투과율이 50% 이상인 프릿으로 이루어진 매트릭스 층(120)이 베이스 기판(110) 상에 형성된다.
여기서, 매트릭스 층(120)이 표면은 내부에 함침되어 있는 유리섬유 구조물(130)로 인해 높은 표면 거칠기를 갖게 되므로, 프릿 페이스트 소성단계 후, 매트릭스 층(120) 상에 프릿으로 이루어진 평탄화층(140)을 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 평탄화층 형성단계가 완료되면, 베이스 기판(110, 210), 베이스 기판(110, 210) 상에 형성되어 있는 매트릭스 층(120), 매트릭스 층(120) 내부에 형성되어 있는 유리섬유 구조물(130) 및 평탄화층(140)으로 이루어진 유기발광소자용 광추출 기판(100, 200)이 제조된다. 이때, 프릿으로 이루어진 베이스 기판(210)을 사용하게 되면, 베이스 기판(210), 매트릭스 층(120) 및 평탄화층(140) 모두 프릿으로 이루어지게 되어, 제조되는 광추출 기판(200)은 하나의 시트 형태를 이루게 된다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100, 200: 유기발광소자용 광추출 기판 110, 210: 베이스 기판
120: 매트릭스 층 130: 유리섬유 구조물
140: 평탄화층 10: 유기발광소자
120: 매트릭스 층 130: 유리섬유 구조물
140: 평탄화층 10: 유기발광소자
Claims (17)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 형성되고, 프릿으로 이루어진 매트릭스 층; 및
상기 매트릭스 층 내부에 배치되어 있는 유리섬유 구조물;
를 포함하되,
상기 매트릭스 층과 상기 유리섬유 구조물은 유기발광소자의 내부 광추출층을 이루고,
상기 유리섬유 구조물은 망상(net type)의 글라스 클로스(glass cloth) 형태로 이루어지며,
상기 글라스 클로스의 개구율은 20% 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 매트릭스 층과 상기 유리섬유 구조물은 서로 다른 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 글라스 클로스는 1~100㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 매트릭스 층은 50% 이상의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판은 프릿으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 매트릭스 층과 상기 유기발광소자 사이에 형성되는 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제8항에 있어서,
상기 평탄화층은 프릿으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 베이스 기판 상에 프릿 페이스트를 도포하는 프릿 페이스트 도포단계;
도포한 상기 프릿 페이스트에 유리섬유 구조물을 함침하는 유리섬유 구조물 함침단계; 및
상기 프릿 페이스트를 소성하는 프릿 페이스트 소성단계;
를 포함하고,
상기 유리섬유 구조물 함침단계에서는 상기 유리섬유 구조물로, 개구율이 20% 이상인 망상의 글라스 클로스를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 삭제
- 제10항에 있어서,
상기 유리섬유 구조물 함침단계에서는 두께가 1~100㎛인 상기 망상의 글라스 클로스를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 삭제
- 제10항에 있어서,
상기 프릿 페이스트 도포단계에서는 프릿으로 이루어진 베이스 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제10항에 있어서,
상기 프릿 페이스트 소성단계 후, 내부에 상기 유리섬유 구조물이 함침되어 있는 프릿으로 이루어진 매트릭스 층 상에 평탄화층을 형성하는 평탄화층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제15항에 있어서,
상기 평탄화층 형성단계에서는 프릿으로 이루어진 상기 평탄화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 따른 유기발광소자용 광추출 기판을, 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130083657A KR101484088B1 (ko) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| US14/905,636 US9666835B2 (en) | 2013-07-16 | 2014-07-16 | Light extraction substrate for organic light-emitting device comprising a fiberglass structure |
| PCT/KR2014/006444 WO2015009057A1 (ko) | 2013-07-16 | 2014-07-16 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130083657A KR101484088B1 (ko) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101484088B1 true KR101484088B1 (ko) | 2015-01-21 |
Family
ID=52346438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20130083657A KR101484088B1 (ko) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9666835B2 (ko) |
| KR (1) | KR101484088B1 (ko) |
| WO (1) | WO2015009057A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018067414A (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | ＯＬＥＤ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ株式会社 | 電子デバイス用基板のマザー基板 |
| CN110112319B (zh) * | 2019-05-27 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光单元及其制造方法、显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008221592A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明樹脂シート |
| KR20100051631A (ko) * | 2007-07-27 | 2010-05-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 투광성 기판, 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20130009704A (ko) * | 2011-07-14 | 2013-01-23 | 엘티씨 (주) | 높은 광추출 성능을 갖는 무기미립자 산란막 |
| JP2013114802A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 発光素子基板とその製造方法、面発光素子、照明器具およびバックライト |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4086713B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2008-05-14 | 日東電工株式会社 | 液晶セル基板 |
| WO2003099912A1 (fr) | 2002-05-27 | 2003-12-04 | Nitto Denko Corporation | Feuille de resine et substrat de cellule a cristaux liquides comprenant ladite feuille de resine |
| EP2219416B1 (en) | 2007-11-09 | 2018-02-14 | Asahi Glass Company, Limited | Light transmitting substrate, method for manufacturing light transmitting substrate, organic led element and method for manufacturing organic led element |
| US9224983B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same |
| US8907362B2 (en) * | 2012-01-24 | 2014-12-09 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
-
2013
- 2013-07-16 KR KR20130083657A patent/KR101484088B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-07-16 WO PCT/KR2014/006444 patent/WO2015009057A1/ko active Application Filing
- 2014-07-16 US US14/905,636 patent/US9666835B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008221592A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明樹脂シート |
| KR20100051631A (ko) * | 2007-07-27 | 2010-05-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 투광성 기판, 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20130009704A (ko) * | 2011-07-14 | 2013-01-23 | 엘티씨 (주) | 높은 광추출 성능을 갖는 무기미립자 산란막 |
| JP2013114802A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 発光素子基板とその製造方法、面発光素子、照明器具およびバックライト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160164041A1 (en) | 2016-06-09 |
| US9666835B2 (en) | 2017-05-30 |
| WO2015009057A1 (ko) | 2015-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8431943B2 (en) | Light transmitting substrate, method for manufacturing light transmitting substrate, organic LED element and method for manufacturing organic LED element | |
| KR101654360B1 (ko) | 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법 | |
| US9793516B2 (en) | Light extraction substrate for organic light-emitting element, method for manufacturing same and organic light-emitting element including same | |
| KR20140046728A (ko) | 금속산화물 박막 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR102274462B1 (ko) | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 | |
| KR101579457B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| US9425430B2 (en) | Method of fabricating light extraction substrate for OLED | |
| KR20160029408A (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101615525B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR20140052842A (ko) | 발광 소자 및 그것을 구비하는 표시 장치 | |
| KR101470295B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101650541B1 (ko) | 플렉서블 기판 및 그 제조방법 | |
| JP6198561B2 (ja) | 有機発光素子用の金属酸化物薄膜基板及びその製造方法 | |
| KR101484088B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101484089B1 (ko) | 초박형 유기발광소자 제조방법 | |
| US9515295B2 (en) | Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same | |
| US9711762B2 (en) | Substrate for organic light-emitting diode, method for manufacturing same, and organic light-emitting diode comprising same | |
| US20170256745A1 (en) | Method for manufacturing light extraction substrate for organic light-emitting diode, light extraction substrate for organic light-emitting diode, and organic light-emitting diode including same | |
| KR101659331B1 (ko) | 광추출 효율이 향상된 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101470293B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 | |
| JP2006139932A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| KR20140115507A (ko) | 광추출층, 그를 구비한 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR101608335B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| KR20150134725A (ko) | 돌기형 금속입자를 포함하는 투광성 전극 및 이를 이용한 유기발광소자, 유기발광장치 | |
| KR20140131680A (ko) | 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171222 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |