CN110112319B - 发光单元及其制造方法、显示装置 - Google Patents

发光单元及其制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110112319B
CN110112319B CN201910448099.4A CN201910448099A CN110112319B CN 110112319 B CN110112319 B CN 110112319B CN 201910448099 A CN201910448099 A CN 201910448099A CN 110112319 B CN110112319 B CN 110112319B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
electrode layer
emitting
flat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910448099.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110112319A (zh
Inventor
孙海雁
张晓晋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910448099.4A priority Critical patent/CN110112319B/zh
Publication of CN110112319A publication Critical patent/CN110112319A/zh
Priority to PCT/CN2020/085710 priority patent/WO2020238480A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110112319B publication Critical patent/CN110112319B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种发光单元及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述发光单元包括：层叠的第一电极层、发光层和第二电极层；发光单元还包括：平坦层和光调节结构，平坦层位于目标电极层与发光层之间，目标电极层包括：第一电极层和第二电极层中的至少一个，平坦层用于增加目标电极层与发光层之间的距离；光调节结构用于改变发射至光调节结构表面的光的传输方向，光调节结构满足以下任一个：光调节结构位于平坦层内，光调节结构位于平坦层靠近目标电极层的一侧。本申请提高了发光单元的出光效率。本申请用于发光。

Description

发光单元及其制造方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种发光单元及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光(organic light-emitting diode，OLED)显示装置通常包括衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的阳极、发光层和金属电极，该发光层可以包括：层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
相关技术中，发光层的材料通常为有机材料，阳极层的材料通常为氧化铟锡。由于有机材料与氧化铟锡的折射率不同，使得发光层发出的光较容易在发光层向阳极传输时发生反射或全反射，进而被限制在发光层和阳极之间。并且，由于金属电极具有较多的表面电子，使得发光层发出的光较容易与该表面电子产生共振，进而被限制在金属电极中。
因此，发光层发出的光的大部分被限制在阳极、发光层和金属电极中，只有一小部分的光能够从OLED显示装置辐射到空气中，导致OLED显示装置的出光效率较低。
发明内容
本申请提供了一种发光单元及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中OLED显示装置的出光效率较低的问题，所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种发光单元，所述发光单元包括：层叠的第一电极层、发光层和第二电极层；
所述发光单元还包括：平坦层和光调节结构，所述平坦层位于目标电极层与所述发光层之间，所述目标电极层包括：所述第一电极层和第二电极层中的至少一个，所述平坦层用于增加所述目标电极层与所述发光层之间的距离；
所述光调节结构用于改变发射至所述光调节结构表面的光的传输方向，所述光调节结构满足以下任一个：所述光调节结构位于所述平坦层内，所述光调节结构位于所述平坦层靠近所述目标电极层的一侧。
可选地，所述光调节结构的介电常数大于或等于所述平坦层的介电常数。
可选地，所述光调节结构为散射粒子，所述散射粒子混合在所述平坦层内。
可选地，所述光调节结构为光调节层，所述光调节层具有多个凸起结构。
可选地，所述凸起结构靠近所述平坦层的表面在所述平坦层上的正投影位于所述凸起结构远离所述平坦层的表面在所述平坦层上的正投影的内部。
可选地，所述目标电极层包括：所述第一电极层，所述第一电极层与所述发光层之间具有第一平坦层。
可选地，所述目标电极层包括：所述第二电极层，所述第二电极层与所述发光层之间具有第二平坦层。
可选地，所述目标电极层包括：所述第一电极层和所述第二电极层，所述第一电极层与所述发光层之间具有第一平坦层，所述第二电极层与所述发光层之间具有第二平坦层。
可选地，所述发光单元还包括：注入层，所述注入层位于所述平坦层与所述发光层之间，所述注入层用于向所述发光层注入带电粒子。
可选地，所述第一电极层用于与交流电源的第一极连接，所述第二电极层用于与所述交流电源的第二极连接。
可选地，所述平坦层的材料为绝缘材料。
可选地，所述第一电极层的材料和/或所述第二电极层的材料为有机材料。
第二方面，提供了一种发光单元的制造方法，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成第一电极层；
在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成发光层；
在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层；
所述方法还包括：
采用掺杂有光调节材料的平坦层材料，在目标电极层和所述发光层之间形成包括有光调节结构的平坦层；
或者，在所述目标电极层和所述发光层之间，形成依次层叠在所述目标电极层上的光调节结构和平坦层；
其中，所述目标电极层包括：所述第一电极层和第二电极层中的至少一个，所述平坦层用于增加所述目标电极层与所述发光层之间的距离，所述光调节结构用于改变发射至所述光调节结构表面的光的传输方向。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一方面任一所述的发光单元。
可选地，所述显示装置还包括：透明盖板，所述透明盖板用于保护所述发光单元，且所述透明盖板远离所述发光单元一侧表面的粗糙度大于所述透明盖板靠近所述发光单元一侧表面的粗糙度。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本发明实施例提供的发光单元及其制造方法、显示装置，发光单元包括平坦层和光调节结构，且平坦层位于目标电极层与发光层之间，光调节结构位于平坦层内，或光调节结构位于平坦层靠近目标电极层的一侧，相较于相关技术，增大了发光层与目标电极层之间的距离，由于发光层与目标电极层之间的距离越大时，光子与电子产生共振的量越少，因此，减少了与目标电极层表面电子产生共振的光量，增加了从发光单元发射至空气中的光量，进而提高了发光单元的出光效率。
并且，由于光调节结构能够改变发射至光调节结构表面的光的传输方向，以改变光从光调节结构照射至其他膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该其他膜层射出，使得更多的光从该其他膜层射出，增加了射入到空气中的光量，进一步提高了发光单元的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的相关技术中的显示装置的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种发光单元的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种发光单元的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种发光单元的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的再一种发光单元的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种发光单元的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的再一种发光单元的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种发光单元的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的再一种发光单元的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种发光单元的制造方法流程图；
图11是本发明实施例提供的另一种发光单元的制造方法流程图；
图12是本发明实施例提供的一种在形成有第一电极层的衬底基板上形成第一光调节层后的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种在形成有第二注入层的衬底基板上形成第二平坦层后的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的又一种发光单元的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
如图1所示，OLED显示装置通常包括：在玻璃基板01上依次叠加的阳极层02、第一有机层03、发光层04、第二有机层05和金属电极层06。第一有机层03可以包括空穴注入层和空穴传输层，第二有机层05可以包括电子传输层和电子注入层。阳极层02与外接电源的正极连接，金属电极层06与外接电源的负极连接。
其中，OLED显示装置电致发光的过程可以为：外接电源中的电子从金属电极层06注入，并通过第一有机层03传输至发光层04，外接电源中的空穴从阳极层02注入，并通过第二有机层05传输至发光层04，使得电子与空穴在发光层04中复合形成激子，发光层04在激子的激发下产生光子，使得发光层04能够发光。并且，在发光层04中形成的激子数量越多，产生的光子的数量也越多，发光层04发出的光量就越多。
并且，OELD显示装置通常具有四种光传输模态，分别是：表面等离子模态、波导模态、衬底模态和辐射模态。其中，表面等离子模态是因光子与金属电极层06表面电子共振形成的不发光模态，波导模态是因全反射使得光被限制在有机层(如空穴注入层和空穴传输层等)和阳极层02之间形成的不发光模态，衬底模态因全反射使得光被消耗在玻璃基板01形成的不发光模态，辐射模态是光被辐射至空气中的发光模态。其中，通过辐射模态辐射至空气中的光在发光层发出的光中的占比约为20％，即发光层04发出的光中只有20％由OLED显示装置辐射到空气中，其余的光均消耗在显示装置中的膜层中，导致OLED显示装置的出光效率较低。其中，出光效率为从OLED显示器件辐射至空气中的光在发光层发出光中的占比。
本发明实施例提供的一种发光单元，可以提高发光单元的出光效率。如图2所示，发光单元1可以包括：层叠的第一电极层11、发光层12和第二电极层13。
请继续参考图2，发光单元1还可以包括：平坦层14和光调节结构15。其中，平坦层14位于目标电极层与发光层12之间，该目标电极层可以包括：第一电极层11和第二电极层12中的至少一个，平坦层14用于增加目标电极层与发光层12之间的距离。其中，图2是发光层12与第一电极层11之间存在平坦层14的示意图，该发光层12与第一电极层11之间的平坦层14可称为第一平坦层141。
光调节结构15用于改变发射至光调节结构15表面的光的传输方向，该光调节结构15位于平坦层14内，或者，光调节结构15位于平坦层14靠近目标电极层的一侧。其中，图2是光调节结构15位于平坦层14靠近第一电极层11一侧的示意图。
综上所述，本发明实施例提供的发光单元，发光单元包括平坦层和光调节结构，且平坦层位于目标电极层与发光层之间，光调节结构位于平坦层内，或光调节结构位于平坦层靠近目标电极层的一侧，相较于相关技术，增大了发光层与目标电极层之间的距离，由于发光层与目标电极层之间的距离越大时，光子与电子产生共振的量越少，因此，减少了与目标电极层表面电子产生共振的光量，增加了从发光单元发射至空气中的光量，进而提高了发光单元的出光效率。
并且，由于光调节结构能够改变发射至光调节结构表面的光的传输方向，以改变光从光调节结构照射至其他膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该其他膜层射出，使得更多的光从该其他膜层射出，增加了射入到空气中的光量，进一步提高了发光单元的出光效率。
可选地，当目标电极的设置方式不同时，平坦层的位置不同，本发明实施例以以下几种可实现方式为例进行说明。
在第一种可实现方式中，目标电极层为第一电极层，即平坦层位于第一电极层与发光层之间。此时，为便于区分，该平坦层可称为第一平坦层。如图2所示，第一平坦层141位于第一电极层11与发光层12之间。
通常的，在发光层发出的光中，与金属电极的表面电子产生共振的光量与目标距离负相关，该目标距离为发光层与金属电极之间的距离。当第一电极层11与发光层12之间具有第一平坦层141时，由于增加了第一电极层11与发光层12之间的距离，可以减少与第一电极层11的表面电子产生共振的光量，即减少了发光层发出的光在发光层与第一电极层之间传输时消耗的光量，增加了从发光单元发射至空气中的光量，进而提高了发光单元的出光效率。
在第二种可实现方式中，目标电极层为第二电极层，即平坦层位于第二电极层与发光层之间。此时，为便于区分，该平坦层可称为第二平坦层。如图3所示，第二平坦层142位于第二电极层13与发光层12之间。其中，图3是光调节结构位于第二平坦层142内的示意图。
由于第二电极层13与发光层12之间具有第二平坦层142，增加了第二电极层13与发光层12之间的距离，减少了与第二电极层13表面电子产生共振的光量，即减少了发光层发出的光在发光层与第二电极层之间传输时消耗的光量，增加了从发光单元1发射至空气中的光量，进而提高了发光单元1的出光效率。
在第三种可实现方式中，目标电极层包括：第一电极层和第二电极层，第一电极层与发光层之间具有第一平坦层，第二电极层与发光层之间具有第二平坦层。如图4所示，第一平坦层141位于第一电极层11与发光层12之间，第二平坦层142位于第二电极层13与发光层12之间。其中，图4是光调节结构15位于平坦层靠近目标电极层的一侧的示意图。
在该第三种可实现方式中，由于增加了第一电极层11与发光层12之间的距离，减少了与第一电极层11的表面电子产生共振的光量，且增加了第二电极层13与发光层12之间的距离，减少了与第二电极层13的表面电子产生共振的光量，增加了从发光单元1发射至空气中的光量，进而提高了发光单元1的出光效率。
可选地，在平坦层的上述三种可实现方式的基础上，光调节结构可以具有多种设置情况，本发明实施例以以下两种情况为例进行说明。
在光调节结构的第一种设置情况中：光调节结构为散射粒子，且散射粒子混合在平坦层内。
示例地，如图5所示，当发光层12与第一电极层11之间存在第一平坦层141，发光层12与第二电极层13之间存在第二电极层142时，第一平坦层141和第二平坦层142内均混合有散射粒子151。
由于散射粒子151能够使发射至散射粒子151表面的光发生散射，且通过光的散射，能够改变光从光调节结构照射至其他膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够从其他膜层射出，这样一来，减少了光从平坦层进入其他膜层时发生全反射的光量，进而增加了射入到空气中的光量，提高了发光单元的出光效率。示例地，该其他膜层可以为与该散射粒子所在平坦层相邻的膜层。例如，当第一平坦层141内混合有散射粒子151时，该其他膜层可以为第一电极层11。
进一步地，散射粒子151可以均匀地混合在平坦层内。这样一来，位于平坦层内不同位置处的散射粒子均能够使发射至散射粒子表面的光发生散射，以改变从平坦层的不同位置发射至其他膜层的光的入射角度，使得射入该其他膜层不同位置处的光量均增加，并且，还能够使从发光单元不同位置射入到空气中的光量近似相同，提高了发光单元发出光的均匀度。
散射粒子151的形状可以根据实际需要设置。例如，散射粒子151的形状可以为球状结构、棱台结构、棱柱结构、圆台结构、圆柱结构或圆锥结构等。图5是散射粒子的形状为圆锥结构的示意图。
可选地，散射粒子151的材料可以为树脂等有机材料。或者，散射粒子151的材料可以为：二氧化硅SiO2、二氧化钛TiO2或二氧化锆ZrO2等无机材料。并且，散射粒子的尺寸可以根据实际需要进行设置，示例地，散射粒子的尺寸的数量级可以为纳米数量级。
在光调节结构的第二种设置情况中：光调节结构为光调节层，该光调节层具有多个凸起结构，且光调节层位于平坦层靠近目标电极层的一侧。
如图6所示，第一平坦层141与第一电极层11之间具有第一光调节层152，即第一光调节层152位于第一平坦层靠近第一电极层的一侧，第二平坦层142与第二电极层13之间具有第二光调节层153，即第一光调节层152位于第二平坦层靠近第二电极层的一侧。
当光调节层具有凸起结构时，发射至凸起结构表面的一部分光能够在凸起结构表面发生折射，使得光照射至与该光调节层相邻的膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该相邻的膜层射出，进而能够使更多的光从该相邻的膜层射出。发射至凸起结构表面的另一部分光能够在凸起结构表面发生反射，并在经过多次折射和/或反射后，当光照射至其他膜层表面的入射角度小于光的全反射角时，该另一部分光能够通过光的折射从该其他膜层射出。因此，减少了发生全反射的光量，进而降低了通过波导模态消耗的光量，增加了发光单元射入到空气中的光量，提高了发光单元的出光效率。
进一步地，凸起结构靠近平坦层的表面在平坦层上的正投影可以位于凸起结构远离平坦层的表面在平坦层上的正投影的内部。或者，凸起结构靠近平坦层的表面在平坦层上的正投影与凸起结构远离平坦层的表面在平坦层上的正投影的内部重合，本发明实施例对此不做限定。
请继续参考图6，第一光调节层152上的凸起结构靠近第一平坦层141的表面在第一平坦层141的正投影M，位于该凸起结构远离第一平坦层141的表面在第一平坦层141上的正投影N的内部。这样一来，第一光调节层152上的凸起结构的侧表面与平坦层之间的夹角小于90度，增加了凸起结构中用于接收光的表面积，使得较多光能够射入至凸起结构中，以使凸起结构能够能够将更多的光折射到第一电极层，进一步增加发射至第一电极层的光。类似的，第二光调节层153上的凸起结构靠近第二平坦层142的表面在第二平坦层142的正投影E，位于该凸起结构远离第二平坦层142的表面在第二平坦层142上的正投影F的内部，也能够将更多的光折射到第一电极层。
并且，通过设置凸起结构，使得光经过凸起结构传输时，光能够在凸起结构的表面发生反射和折射，以改变光在其他膜层上的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该其他膜层射出，即凸起结构的设置能破坏光的全反射条件，能够使更多的光从该其他膜层射出，增加了进入到空气中的光的量，能够增大发光单元的出光效率。
可选地，凸起结构可以为半球结构、棱台结构、棱柱结构、圆台结构、圆柱结构、棱锥结构或圆锥结构等，本发明实施例对此不做限定。其中，图6是凸起结构为圆台结构的示意图，图7是凸起结构为半球结构的示意图，图8是凸起结构为圆锥结构的示意图。
并且，当光调节层具有多个凸起结构时，该多个凸起结构可以均匀分布。当该均匀分布的多个凸起结构能够较均衡地对光进行反射和折射，能够进一步增加进入到空气中的光的量，进一步增大发光单元的出光效率。
可选地，光调节结构的介电常数可以大于或等于平坦层的介电常数。当光调节结构位于平坦层内，且光调节结构的介电常数大于平坦层的介电常数时，混合有光调节结构的平坦层的介电常数较大。当第一电极层与第二电极层与外接电源连接时，第一电极层与第二电极层之间会产生电场，若平坦层的介电常数较大，能够降低平坦层对第一电极层和第二电极层产生的电场的场强的影响，使得第一电极层与第二电极层产生的电场的场强较大，以加快注入到发光单元中的电子和空穴的运动速率，使得在单位时间内能够在发光层中产生较多的激子，使发光层能够发出更多的光。
需要说明的是，上述平坦层的三种实现方式可以与光调节结构的两种设置情况可以进行任意组合，以形成具有不同结构的发光单元。
可选的，第一电极层的材料和/或第二电极层的材料可以为有机材料，也即是，第一电极层和第二电极层的材料可以均为有机材料，或者，第一电极层和第二电极层中的任一个的材料可以为有机材料。当任一电极层的材料为有机材料时，由于有机材料的表面不存在自由电子，因此传输至该任一电极层表面的光子不会与电子发生共振，有效地减小了通过表面等离子模态消耗的光量，进一步增加了发光单元发射至空气中的光量。
或者，第一电极层的材料和/或第二电极层的材料可以为氧化铟锡等，本发明实施例对此不做限定。
可选地，发光单元还可以包括：注入层。注入层位于平坦层与发光层之间，且注入层用于向发光层注入带电粒子。其中，带电粒子可以为电子或空穴。示例地，如图9所示，第一平坦层141与发光层12之间具有第一注入层161，第二平坦层142与发光层12之间具有第二注入层162。该第一注入层161可以用于向发光层12注入电子，第二注入层162可以用于向发光层12注入空穴。或者，第一注入层161可以用于向发光层12注入空穴，第二注入层162可以用于向发光层12注入电子。再或者，第一注入层161可以用于向发光层12注入电子和空穴，第二注入层162可以用于向发光层12注入电子和空穴。本发明实施例对此不做限定。
这样一来，可以利用注入层向发光层注入带电粒子，而无需利用外接电源为发光层注入带电粒子，一方面能够减小因使用外接电源产生的能耗，另一方面，降低了带电粒子在向发光层传输的过程中停留在其经过的电极层和平坦层中的概率，提高了带电粒子的利用率。
进一步地，外接电源可以为直流电源或交流电源。且当发光单元包括注入层时，外接电源可以为交流电源，即采用交流驱动的方式对发光单元进行驱动。可选地，如图9所示，第一电极层11可以与交流电源2的第一极连接，第二电极层13可以与交流电源的第二极连接。
由于带电粒子在发光单元的膜层(例如平坦层)中积累的数量较多时，会导致该膜层的材料分子处于一种不稳定的带电荷状态，并容易发生不可逆的化学变化，导致该膜层的材料变质，进而导致该膜层的使用寿命受到影响。而本发明实施例中的发光单元采用交流驱动的方式，使得第一电极层和第二电极层之间的电场的方向周期性变化，进而使得空穴和电子的运动方向呈现周期性变化，降低了因带电粒子在发光单元的膜层中积累而造成膜层劣化的概率，提高了发光单元中膜层的使用寿命，进而提高了发光单元的使用寿命。
示例地，第一注入层用于向发光层注入电子，第二注入层用于向发光层注入空穴，在交流驱动的第一阶段中，在第一电极层与第二电极层之间形成的电场方向由第二电极层指向第一电极层，并在该电场的作用下，第一注入层中的电子由第一注入层向发光层运动，第二注入层中的空穴由第二注入层向发光层运动，使得电子和空穴能够在发光层中复合形成激子，以使发光层发光。在交流驱动的第二阶段中，交流电源的电流的方向发生变化，在第一电极层与第二电极层之间形成的电场方向由第一电极层指向第二电极层，并在该电场的作用下，发光层中未与空穴复合的电子可以由发光层向第一注入层运动，进而回到第一注入层中，发光层中未与电子复合的空穴由发光层向第二注入层运动，进而回到第二注入层中。交流驱动的第一阶段和第二阶段不断交替循环，以驱动发光单元发光。由于在该过程中，电子和空穴的运动方向呈现周期性变化，降低了因带电粒子在发光单元的膜层中积累而造成膜层劣化的概率。
进一步地，当发光单元包括注入层，且发光单元采用交流驱动的情况下，平坦层的材料可以为绝缘材料，此时，平坦层能够阻挡带电粒子进入目标电极层，使尽量多地带电粒子进入发光层，保证了注入层向发光层提供的带电粒子的量，进而保证了发光效果。
可选地，绝缘材料可以为聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone；PVP)或聚偏氟乙烯(polyvinylidene fluoride；PVDF)等有机材料。或者，绝缘材料可以为二氧化硅SiO2或二氧化铪HfO2等无机材料。另外，平坦层的厚度可以根据实际需要选取。示例地，平坦层的厚度可以大于100纳米。
综上所述，本发明实施例提供的发光单元，发光单元包括平坦层和光调节结构，且平坦层位于目标电极层与发光层之间，光调节结构位于平坦层内，或光调节结构位于平坦层靠近目标电极层的一侧，相较于相关技术，增大了发光层与目标电极层之间的距离，由于发光层与目标电极层之间的距离越大时，光子与电子产生共振的量越少，因此，减少了与目标电极层表面电子产生共振的光量，增加了从发光单元发射至空气中的光量，进而提高了发光单元的出光效率。
并且，由于光调节结构能够改变发射至光调节结构表面的光的传输方向，以改变光从光调节结构照射至其他膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该其他膜层射出，使得更多的光从该其他膜层射出，增加了射入到空气中的光量，进一步提高了发光单元的出光效率。
本发明实施例提供了一种发光单元的制造方法，用于制造上述实施例中的发光单元，如图10所示，该发光单元的制造方法包括：
图10为本发明实施例提供的一种发光单元的制造方法流程图。如图10所示，该发光单元的制造方法包括：
步骤1001、提供一衬底基板。
步骤1002、在衬底基板上形成第一电极层。
步骤1003、采用掺杂有光调节材料的平坦层材料，在形成有第一电极层的衬底基板上形成包括有光调节结构的第一平坦层。
其中，该第一平坦层用于增加第一电极层与发光层之间的距离，光调节结构用于改变发射至光调节结构表面的光的传输方向。
步骤1004、在形成有第一平坦层的衬底基板上形成发光层。
步骤1005、采用掺杂有光调节材料的平坦层材料，在形成有发光层的衬底基板上形成包括有光调节结构的第二平坦层。
其中，该第二平坦层用于增加第二电极层与发光层之间的距离。
步骤1006、在形成有第二平坦层的衬底基板上形成第二电极层。
需要说的是，可以根据实际需要选择在第一电极层和发光层之间设置或者不设置第一平坦层，当无需在第一电极层和发光层之间设置第一平坦层时，可以选择不执行上述步骤1003，即可以直接在在形成有第一电极层的衬底基板上形成发光层。类似的，可以根据实际需要选择在第二电极层和发光层之间设置或者不设置第二平坦层，当无需在第二电极层和发光层之间设置第二平坦层时，可以选择不执行上述步骤1005，即可以直接在形成有发光层的衬底基板上形成第二电极层。
综上所述，本发明实施例提供的发光单元的制造方法，该方法制造的发光单元包括平坦层和光调节结构，且平坦层位于目标电极层与发光层之间，光调节结构位于平坦层内，或光调节结构位于平坦层靠近目标电极层的一侧，相较于相关技术，增大了发光层与目标电极层之间的距离，由于发光层与目标电极层之间的距离越大时，光子与电子产生共振的量越少，因此，减少了与目标电极层表面电子产生共振的光量，增加了从发光单元发射至空气中的光量，进而提高了发光单元的出光效率。
并且，由于光调节结构能够改变发射至光调节结构表面的光的传输方向，以改变光从光调节结构照射至其他膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该其他膜层射出，使得更多的光从该其他膜层射出，增加了射入到空气中的光量，进一步提高了发光单元的出光效率。
可选地，衬底基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的透光且非金属材料制成的基板。
在步骤1002中，可以采用磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)等方法在衬底基板上沉积一层具有一定厚度的第一电极材料，得到第一电极薄膜层，然后通过一次构图工艺对第一电极薄膜层进行图形化处理得到第一电极层。其中，一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。可选地，该第一电极材料和该第一电极层的厚度可以根据实际需要进行设置。示例的，该第一电极材料可以为氧化铟锡或银等材料。
在步骤1003中，可以先将光调节材料掺杂在平坦层材料中，然后可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一电极层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度，且掺杂有光调节材料的平坦层材料，得到平坦薄膜层，然后通过一次构图工艺对平坦薄膜层进行图形化处理，得到包括有光调节结构的第一平坦层。可选地，第一平坦层的材料可以为聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone；PVP)或聚偏氟乙烯(polyvinylidenefluoride；PVDF)等有机材料。或者，第一平坦层的材料可以为二氧化硅SiO2或二氧化铪HfO2等无机材料。并且，光调节材料可以为树脂等有机材料；或者，光调节材料可以为二氧化硅SiO2、二氧化钛TiO2或二氧化锆ZrO2等无机材料。
在步骤1004中，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一平坦层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的发光材料，得到发光薄膜层，然后通过一次构图工艺对发光薄膜层进行图形化处理得到发光层。可选地，该发光材料和该发光层的厚度可以根据实际需要进行设置。示例的，该发光材料可以为量子肼材料。例如，该量子肼材料可以为铟氮化镓(InGaN)和氮化镓(GaN)的混合材料。
在步骤1005中，可以先将光调节材料掺杂在平坦层材料中，然后可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有发光层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度，且掺杂有光调节材料的平坦层材料，得到平坦薄膜层，然后通过一次构图工艺对平坦薄膜层进行图形化处理，得到包括有光调节结构的第二平坦层。
在步骤1006中，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第二平坦层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的第二电极材料，得到第二电极薄膜层，然后通过一次构图工艺对第二电极薄膜层进行图形化处理得到第二电极层。可选地，该第二电极材料和该第二电极层的厚度可以根据实际需要进行设置。示例的，该第二电极材料可以为氧化铟锡或银等材料。
图11为本发明实施例提供的另一种发光单元的制造方法流程图。如图11所示，该发光单元的制造方法包括：
步骤1101、提供一衬底基板。
步骤1101的实现方式可以参考步骤1001的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1102、在衬底基板上形成第一电极层。
步骤1102的实现方式可以参考步骤1002的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1103、在形成有第一电极层的衬底基板上形成第一光调节层，该第一光调节层具有多个凸起结构。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一电极层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的光调节材料，得到第一光调节薄膜层，然后通过一次构图工艺对该第一光调节薄膜层进行图形化处理，得到第一光调节层，使得第一光调节层远离衬底基板的表面具有凸起结构。可选地，该光调节材料和该第一光调节层的厚度可以根据实际需要进行设置。示例的，光调节材料可以为树脂等有机材料；或者，光调节材料可以为二氧化硅SiO2、二氧化钛TiO2或二氧化锆ZrO2等无机材料。示例地，如图12所示，第一光调节层151中的凸起结构为圆锥结构。其中，第一光调节层中的凸起结构用于改变发射至该凸起结构表面的光的传输方向。
步骤1104、在形成有第一光调节层的衬底基板上形成第一平坦层。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一光调节层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的平坦层材料，得到第一平坦薄膜层，然后通过一次构图工艺对第一平坦薄膜层进行图形化处理得到第一平坦层。
步骤1105、在形成有第一平坦层的衬底基板上形成发光层。
步骤1105的实现方式可以参考步骤1004的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1106、在形成有发光层的衬底基板上形成第二平坦层。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法，在形成有发光层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的平坦层材料，得到第二平坦薄膜层，然后通过一次构图工艺对第二平坦薄膜层进行图形化处理得到第二平坦层。示例地，经过图案化处理后得到的第二平坦层142可以如图13所示，该第二平坦层142远离衬底基板的表面具有凸起结构。
步骤1107、在形成有第二平坦层的衬底基板上形成第二光调节层，该第二光调节层具有多个凸起结构。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第二平坦层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的光调节材料，得到第二光调节薄膜层，然后通过一次构图工艺对该第二光调节薄膜层进行图形化处理得到第二光调节层，使得第二光调节层靠近衬底基板的表面具有凸起结构。其中，第二光调节层中的凸起结构用于改变发射至该凸起结构表面的光的传输方向。
步骤1108、在形成有第二光调节结构的衬底基板上形成第二电极层。
步骤1108的实现方式可以参考步骤1006的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
需要说的是，可以根据实际需要选择在第一电极层和发光层之间设置或者不设置第一平坦层，当无需在第一电极层和发光层之间设置第一平坦层时，可以选择不执行上述步骤1104，即可以直接在在形成有第一光调节层的衬底基板上形成发光层。类似的，可以根据实际需要选在在第二电极层和发光层之间设置或者不设置第二平坦层，当无需在第二电极层和发光层之间设置第二平坦层时，可以选择不执行上述步骤1106，即可以直接在形成有发光层的衬底基板上形成第二光调节层。
综上所述，本发明实施例提供的发光单元的制造方法，该方法制造的发光单元包括平坦层和光调节结构，且平坦层位于目标电极层与发光层之间，光调节结构位于平坦层内，或光调节结构位于平坦层靠近目标电极层的一侧，相较于相关技术，增大了发光层与目标电极层之间的距离，由于发光层与目标电极层之间的距离越大时，光子与电子产生共振的量越少，因此，减少了与目标电极层表面电子产生共振的光量，增加了从发光单元发射至空气中的光量，进而提高了发光单元的出光效率；
并且，由于光调节结构能够改变发射至光调节结构表面的光的传输方向，以改变光从光调节结构照射至其他膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该其他膜层射出，使得更多的光从该其他膜层射出，增加了射入到空气中的光量，进一步提高了发光单元的出光效率。
可选地，平坦层和发光层之间还可以设置有注入层，例如注入层可以包括第一注入层和第二注入层，下面以在图11所示的发光单元的制造方法的基础上，在第一平坦层和发光层之间形成第一注入层，在第二平坦层和发光层之间形成第二注入层为例，对发光单元的制造方法进行说明。
如图14所示，该发光单元的制造方法包括：
步骤1401、提供一衬底基板。
步骤1401的实现方式可以参考步骤1001的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1402、在衬底基板上形成第一电极层。
步骤1402的实现方式可以参考步骤1002的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1403、在形成有第一电极层的衬底基板上形成第一光调节层。
步骤1403的实现方式可以参考步骤1103的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1404、在形成有第一光调节层的衬底基板上形成第一平坦层。
步骤1404的实现方式可以参考步骤1104的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1405、在形成有第一平坦层的衬底基板上形成第一注入层。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一平坦层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的注入层材料，得到第一注入薄膜层，然后通过一次构图工艺对第一注入薄膜层进行图形化处理得到第一注入层。可选地，该注入层材料和该第一注入层的厚度可以根据实际需要进行设置。示例的，该注入层材料可以为P掺杂型材料或N掺杂型材料。
步骤1406、在形成有第一注入层的衬底基板上形成发光层。
步骤1406的实现方式可以参考步骤1004的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1407、在形成有发光层的衬底基板上形成第二注入层。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有发光层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的注入层材料，得到第二注入薄膜层，然后通过一次构图工艺对第二注入薄膜层进行图形化处理得到第二注入层。
步骤1408、在形成有第二注入层的衬底基板上形成第二平坦层。
步骤1408的实现方式可以参考步骤1106的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1409、在形成有第二平坦层的衬底基板上形成第二光调节层。
步骤1409的实现方式可以参考步骤1107的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
步骤1410、在形成有第二光调节层的衬底基板上形成第二电极层。
步骤1410的实现方式可以参考步骤1006的实现方式，本发明实施例在此不做赘述。
需要说明的是，当平坦层掺杂有光调节结构时，可以选择不执行步骤1403和步骤1409，并在步骤1404中和步骤1408的执行过程中，采用掺杂有光调节材料的平坦层材料制造平坦层。
需要说明的是，可以根据实际需要选择在第一平坦层和发光层之间设置或者不设置第一注入层，当无需在第一平坦层和发光层之间设置第一注入层时，可以选择不执行上述步骤1405，即可以直接在在形成有第一平坦层的衬底基板上形成发光层。类似的，可以根据实际需要选在在第二平坦层和发光层之间设置或者不设置第二注入层，当无需在第二平坦层和发光层之间设置第二注入层时，可以选择不执行上述步骤1407，即可以直接在形成有发光层的衬底基板上形成第二平坦层。
综上所述，本发明实施例提供的发光单元的制造方法，该方法制造的发光单元包括平坦层和光调节结构，且平坦层位于目标电极层与发光层之间，光调节结构位于平坦层内，或光调节结构位于平坦层靠近目标电极层的一侧，相较于相关技术，增大了发光层与目标电极层之间的距离，由于发光层与目标电极层之间的距离越大时，光子与电子产生共振的量越少，因此，减少了与目标电极层表面电子产生共振的光量，增加了从发光单元发射至空气中的光量，进而提高了发光单元的出光效率。
并且，由于光调节结构能够改变发射至光调节结构表面的光的传输方向，以改变光从光调节结构照射至其他膜层时的入射角度，且当光的入射角度小于光的全反射角时，光能够通过光的折射从该其他膜层射出，使得更多的光从该其他膜层射出，增加了射入到空气中的光量，进一步提高了发光单元的出光效率。
需要说明的是，本发明实施例提供的发光单元的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
本发明实施例提供了一种显示装置，显示装置包括：上述实施例中任一的发光单元。
进一步地，显示装置还可以包括：透明盖板，透明盖板用于保护发光单元，且透明盖板远离发光单元一侧表面的粗糙度大于透明盖板靠近发光单元一侧表面的粗糙度。例如，透明盖板远离发光单元一侧表面可以具有较多的凸起结构或凹陷结构。
当透明盖板远离发光单元的一侧的表面(也即是透明盖板远离发光单元一侧表面)粗糙度较大时，在光由透明盖板发射至空气中的过程中，发射至透明盖板远离发光单元的一侧的表面的光，能够在透明盖板远离发光单元的界面发生反射和折射，使得光由透明盖板射入到空气中的入射角发生改变，且当该入射角小于光由透明盖板射入空气时的全反射角时，光能够从透明盖板中射出，进而能够使更多的光从透明盖板中射出，降低了通过衬底模态消耗的光量，增加了从显示装置中射出的光量。
可选地，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管(英文：OrganicLight-Emitting Diode，简称：OLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的装置或部件。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：层叠的第一电极层、发光层和第二电极层；
所述发光单元还包括：平坦层和光调节结构，所述平坦层位于目标电极层与所述发光层之间，所述目标电极层包括：所述第一电极层和第二电极层中的至少一个，所述平坦层用于增加所述目标电极层与所述发光层之间的距离；
所述光调节结构用于改变发射至所述光调节结构表面的光的传输方向，所述光调节结构为光调节层，所述光调节层位于平坦层靠近目标电极层的一侧，所述光调节层具有多个凸起结构，所述多个凸起结构均匀分布，所述凸起结构靠近所述平坦层的表面在所述平坦层上的正投影位于所述凸起结构远离所述平坦层的表面在所述平坦层上的正投影的内部；
所述目标电极层包括：所述第一电极层和所述第二电极层，所述第一电极层与所述发光层之间具有第一平坦层，所述第二电极层与所述发光层之间具有第二平坦层，所述第一平坦层与所述第一电极层之间具有第一光调节层，所述第二平坦层与所述第二电极层之间具有第二光调节层。
2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述光调节结构的介电常数大于或等于所述平坦层的介电常数。
3.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，所述目标电极层包括：所述第一电极层，所述第一电极层与所述发光层之间具有第一平坦层。
4.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，所述目标电极层包括：所述第二电极层，所述第二电极层与所述发光层之间具有第二平坦层。
5.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，所述发光单元还包括：注入层，所述注入层位于所述平坦层与所述发光层之间，所述注入层用于向所述发光层注入带电粒子。
6.根据权利要求5所述的发光单元，其特征在于，所述第一电极层用于与交流电源的第一极连接，所述第二电极层用于与所述交流电源的第二极连接。
7.根据权利要求5所述的发光单元，其特征在于，所述平坦层的材料为绝缘材料。
8.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，所述第一电极层的材料和/或所述第二电极层的材料为有机材料。
9.一种发光单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成第一电极层；
在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成发光层；
在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层；
所述方法还包括：
在目标电极层和所述发光层之间，形成依次层叠在所述目标电极层上的光调节结构和平坦层；
其中，所述目标电极层包括：所述第一电极层和第二电极层中的至少一个，所述平坦层用于增加所述目标电极层与所述发光层之间的距离，所述光调节结构用于改变发射至所述光调节结构表面的光的传输方向，所述光调节结构为光调节层，所述光调节层位于平坦层靠近目标电极层的一侧，所述光调节层具有多个凸起结构，所述多个凸起结构均匀分布，所述凸起结构靠近所述平坦层的表面在所述平坦层上的正投影位于所述凸起结构远离所述平坦层的表面在所述平坦层上的正投影的内部；所述目标电极层包括：所述第一电极层和所述第二电极层，所述第一电极层与所述发光层之间具有第一平坦层，所述第二电极层与所述发光层之间具有第二平坦层，所述第一平坦层与所述第一电极层之间具有第一光调节层，所述第二平坦层与所述第二电极层之间具有第二光调节层。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求1至8任一所述的发光单元。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：透明盖板，所述透明盖板用于保护所述发光单元，且所述透明盖板远离所述发光单元一侧表面的粗糙度大于所述透明盖板靠近所述发光单元一侧表面的粗糙度。
CN201910448099.4A 2019-05-27 2019-05-27 发光单元及其制造方法、显示装置 Active CN110112319B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910448099.4A CN110112319B (zh) 2019-05-27 2019-05-27 发光单元及其制造方法、显示装置
PCT/CN2020/085710 WO2020238480A1 (zh) 2019-05-27 2020-04-20 发光单元及其制造方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910448099.4A CN110112319B (zh) 2019-05-27 2019-05-27 发光单元及其制造方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110112319A CN110112319A (zh) 2019-08-09
CN110112319B true CN110112319B (zh) 2022-04-19

Family

ID=67492486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910448099.4A Active CN110112319B (zh) 2019-05-27 2019-05-27 发光单元及其制造方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110112319B (zh)
WO (1) WO2020238480A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110112319B (zh) * 2019-05-27 2022-04-19 京东方科技集团股份有限公司 发光单元及其制造方法、显示装置
CN113193014A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113554938B (zh) * 2021-07-21 2023-08-22 南通惟怡新材料科技有限公司 出光改善型功能膜以及显示面板
CN115172432A (zh) * 2022-08-09 2022-10-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943785A (zh) * 2013-06-18 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 光学调节膜及其制造方法
CN106538052A (zh) * 2014-07-31 2017-03-22 日本瑞翁株式会社 有机el发光装置
CN106537625A (zh) * 2014-07-17 2017-03-22 法国圣戈班玻璃厂 用于oled的导电载体，包括所述载体的oled及其制造

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070024487A (ko) * 2004-05-26 2007-03-02 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 면발광체
JP2007311046A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
US7957621B2 (en) * 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
CN102299266A (zh) * 2011-09-15 2011-12-28 四川虹视显示技术有限公司 有机电致发光器件的基板及制造方法
KR101944769B1 (ko) * 2012-02-06 2019-02-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2014109042A1 (ja) * 2013-01-11 2014-07-17 株式会社 日立製作所 有機発光素子
KR101484088B1 (ko) * 2013-07-16 2015-01-21 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102117395B1 (ko) * 2013-12-16 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105895826B (zh) * 2016-06-17 2019-01-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种自发光器件、制备方法及显示装置
CN110112319B (zh) * 2019-05-27 2022-04-19 京东方科技集团股份有限公司 发光单元及其制造方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943785A (zh) * 2013-06-18 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 光学调节膜及其制造方法
CN106537625A (zh) * 2014-07-17 2017-03-22 法国圣戈班玻璃厂 用于oled的导电载体，包括所述载体的oled及其制造
CN106538052A (zh) * 2014-07-31 2017-03-22 日本瑞翁株式会社 有机el发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110112319A (zh) 2019-08-09
WO2020238480A1 (zh) 2020-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110112319B (zh) 发光单元及其制造方法、显示装置
US11522164B2 (en) Light-emitting device and display apparatus including the light-emitting device
US9147856B2 (en) Organic light emitting device
US7989239B2 (en) Light emitting diode and method of manufacturing the same
US9178179B2 (en) Electroluminescent device and method for producing the same
KR20080010458A (ko) 전장 발광 광원
CN106449719B (zh) 一种有机发光显示面板、装置及制作方法
US10923683B2 (en) Substrate, method for manufacturing the same, and display device
US20170207414A1 (en) Dielectric layer, display substrate comprising the dielectric layer, and method for manufacturing the display substrate
CN112310314A (zh) 光取出模组、有机发光二极管和显示器件
TW200832774A (en) Organic light emitting diode devices with optical microstructures
Zhang et al. Enhancing extraction efficiency of quantum dot light-emitting diodes by surface engineering
US11402685B2 (en) Display substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus
JP2009239217A (ja) 発光ダイオード素子
JP2008210717A (ja) 有機エレクトロルミネセンスデバイス
KR20120044675A (ko) 광 추출층을 구비하는 유기발광 소자들 및 그 제조방법들
WO2012045222A1 (zh) 发光装置及其制造方法
JP2010146953A (ja) 有機ｅｌ発光装置
JP2010146955A (ja) 有機ｅｌ発光装置
CN111430574A (zh) 一种有机发光器件及其制备方法、显示面板
KR101861630B1 (ko) 발광장치 및 그 제조방법
CN102820398B (zh) 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极
KR101535236B1 (ko) 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20120050466A (ko) 유기 레이저
KR101470294B1 (ko) 금속산화물 박막 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant