CN109671826A - 发光二极管及其制作方法以及显示装置 - Google Patents

发光二极管及其制作方法以及显示装置 Download PDF

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Abstract

一种发光二极管及其制作方法以及显示装置。该发光二极管包括第一电极、有源层和第二电极。有源层设置在第一电极上，第二电极设置在有源层远离第一电极的一侧；第二电极包括沿远离有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层；第一导电层包括多个微孔，第二导电层包括多个导电纳米颗粒。由此，该发光二极管可通过第二导电层产生的局域表面等离激元提高该发光二极管的发光效率和光提取效率。

Description

发光二极管及其制作方法以及显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种发光二极管及其制作方法以及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示装置的种类也越来越多。发光二极管(LightEmitting Diode，LED)显示装置由于其具有自发光、亮度高、工作电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点受到业界广泛的关注。并且，由于发光二极管显示装置不需要额外设置背光模组，具有较轻的重量，从而利于显示装置的轻薄化，因此具有较好的市场前景。
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)通常可分为有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)和无机发光二极管(Light Emitting Diode，LED)。LED通常可采用镓(Ga)与砷(As)、磷(P)、氮(N)、铟(In)的化合物制作，通过电子与空穴复合来辐射出可见光。例如，磷砷化镓二极管可发红光，磷化镓二极管可发绿光，碳化硅二极管可发黄光，铟镓氮二极管可发蓝光。
发明内容
本发明实施例提供一种发光二极管及其制作方法和显示装置。该发光二极管包括第一电极、有源层和第二电极。有源层设置在第一电极上，第二电极设置在有源层远离第一电极的一侧；第二电极包括沿远离有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层；第一导电层包括多个微孔，第二导电层包括多个导电纳米颗粒。由此，该发光二极管可通过第二导电层产生的局域表面等离激元提高该发光二极管的发光效率和光提取效率。
本发明至少一个实施例提供一种发光二极管，其包括：第一电极；有源层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述有源层远离所述第一电极的一侧，其中，所述第二电极包括沿远离所述有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括多个微孔，所述第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分所述导电纳米颗粒通过所述多个微孔与所述有源层相接触。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述第一导电层的厚度小于10纳米。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述第一电极包括反射电极，所述第二电极包括半透明电极。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述有源层包括沿远离所述第一电极的方向上依次设置的空穴传输层，发光层以及电子传输层。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述发光层包括量子点发光层。
例如，本发明一实施例提供的发光二极管还包括：覆盖层，设置在所述第二电极远离所述有源层的一侧，所述覆盖层包括介电材料，所述介电材料在直流或低频电流下可导电，在频率范围在3.0e+14Hz至3.0e+15Hz的振荡电场下呈现介电性能。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述介电材料包括氧化铟锌、氧化铟锡、或有机半导体材料。
例如，本发明一实施例提供的发光二极管还包括：衬底基板，设置在所述第一电极远离所述有源层的一侧。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述第二导电层的厚度范围在10-15纳米。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述第一导电层的材料包括铝。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管中，所述第二导电层的材料包括银。
本发明至少一个实施例还提供一种发光二极管的制作方法，其包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成有源层；以及在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第二电极，所述第二电极包括沿远离所述有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括多个微孔，所述第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分所述导电纳米颗粒通过所述多个微孔与所述有源层相接触。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管的制作方法中，所述在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第二电极包括：在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第一金属层以形成所述第一导电层，所述第一导电层的厚度小于10纳米从而在所述第一导电层中形成多个微孔；在所述第一导电层远离所述有源层的一侧形成第二金属层；以及对所述第二金属层进行热退火处理以将所述第二金属层转变为包括多个所述导电纳米颗粒的所述第二导电层。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管的制作方法中，所述热退火处理的温度范围在120-180摄氏度，所述热退火处理的时间范围在20-80分钟。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管的制作方法中，所述热退火处理在真空环境下或氮气环境下进行。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管的制作方法中，所述第一导电层的材料包括铝。
例如，在本发明一实施例提供的发光二极管的制作方法中，所述第二导电层的材料包括银。
本发明至少一个实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的发光二极管。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种量子点发光二极管的结构示意图；
图2A为本发明一实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图2B为图2A所示的发光二极管中第二电极的平面示意图；
图2C为本发明一实施例提供的一种量子点发光二极管的发光效率示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种发光二极管的工作示意图；
图4为本发明一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图5为本发明一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；以及
图6为本发明一实施例提供的一种发光二极管的制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
图1为一种量子点发光二极管的结构示意图。如图1所示，该量子点发光二极管包括衬底基板110；阳极120，设置在衬底基板110上；有源层130，设置在阳极120远离衬底基板110的一侧；阴极140，设置在有源层130远离阳极层120的一侧；以及覆盖层150，设置在阴极层140远离有源层130的一侧。有源层130可包括多个有机层和无机层以及量子点发光层。阳极120和阴极140可向量子点发光层提供空穴和电子以形成激子，当空穴和电子在量子点发光层复合时可产生特定波长的光，例如：红光、绿光和蓝光。例如，该量子点发光二极管可为顶发射结构的发光二极管，也就是说，阳极可为反射电极，阴极可为半透明电极，有源层产生的光通过阳极反射向阴极所在的一侧出射。另外，由于量子点发光二极管发出的光的光谱较窄，颜色较纯，并且量子点发光二极管还具有较低的功耗等优点，因此采用量子点发光二极管的显示装置的画面品质较好并具有较低的功耗，具有广阔的市场空间。
然而，在通常的量子点发光二极管中，由于电子和空穴在量子点发光层可通过两种方式复合，一种是辐射复合，另一种是非辐射复合。辐射复合可产生光子，非辐射复合不能产生光子，而是产生通常表现为晶格振动或热的声子。另外，辐射复合大多数光子被限制在量子点发光二极管的结构层中，只有很小的一部分(大约20％)会被发射出去，其余部分的光因为折射率不匹配、全反射等原因而损失在量子点发光二极管中的不同界面上。因此，通常的量子点发光二极管的发光效率和光提取效率有待提高。
因此，本发明实施例提供一种发光二极管及其制作方法以及显示装置。该发光二极管包括第一电极、有源层和第二电极。有源层设置在第一电极上，第二电极设置在有源层远离第一电极的一侧；第二电极包括沿远离有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层；第一导电层包括多个微孔，第二导电层包括多个导电纳米颗粒。由此，该发光二极管通过第二导电层产生的局域表面等离激元来提高该发光二极管的发光效率和光提取效率。
下面，结合附图对本发明实施例提供的发光二极管及其制作方法和显示装置进行详细的说明。
本发明一实施例提供一种发光二极管。图2A为根据该实施例的一种发光二极管的结构示意图。图2B为图2A中的第二电极的平面示意图。如图2A和2B所示，该发光二极管包括第一电极120；有源层130，设置在第一电极120上；以及第二电极140，设置在有源层130远离第一电极120的一侧。第二电极140包括沿远离有源层130的方向上依次设置的第一导电层141和第二导电层142。第一导电层141包括多个微孔1410，第二导电层142包括多个导电纳米颗粒1420，至少部分导电纳米颗粒1420通过多个微孔1410与有源层130相接触。
在本实施例提供的发光二极管中，第一导电层包括多个微孔，第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分导电纳米颗粒通过多个微孔与有源层相接触，从而使得导电纳米颗粒与有源层之间存在电磁相互作用。由此，在导电纳米颗粒处形成的局部表面等离激元(Localized Surface Plasmon)可通过表面等离激元的消逝场和有源层中电偶极子之间的耦合以将电偶极子的能量转移给表面等离激元并发光，为发光二极管提供了另一种可选的发光的方式，可提高该发光二极管的内部量子效率，从而可提高该发光二极管的发光效率。另外，在导电纳米颗粒处形成的局部表面等离激元还可利用局部表面等离激元共振效应通过吸收并再释放有源层发出的光，从而提高该发光二极管的光提取效率。再者，由于第二导电层包括多个导电纳米颗粒，其远离有源层的表面为粗糙面，可减少甚至避免有源层产生的光在第二导电层远离有源层的表面发生全反射，也可进一步提高该发光二极管的光提取效率。
例如，在一些示例中，本实施例提供的发光二极管可为量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)。图2C为根据本实施例的一种量子点发光二极管的发光效率示意图。如图2C所示，以量子点发光二极管为例，在导电纳米颗粒处形成的局部表面等离激元(Localized Surface Plasmon)的作用下，在同样的电流强度下，本实施例提供的量子点发光二极管的发光强度远远大于通常的量子点发光二极管。
例如，第一导电层的材料可为铝；第二导电层的材料可为银。由此，可保证由第一导电层和第二导电层形成的第二电极具有较好的导电性能。当然，本公开包括但不限于此，第一导电层和第二导电层的材料也可选取其他导电材料。
例如，第一导电层的厚度小于10纳米，由此，在有源层远离第一电极的一侧形成第一导电层时，由于厚度较小，第一导电层不会形成连续的膜层，而是自然形成多孔结构，即包括多个微孔的结构。因此，也无需额外的步骤来形成第一导电层上的多个微孔，从而可减少制作成本。需要说明的是，当第一导电层的材料为铝时，当其厚度小于10纳米时，第一导电层容易形成多孔结构。
例如，有源层靠近第一导电层的表面可为粗糙面，从而利于第一导电层形成多个微孔。
例如，有源层可包括多个功能层，例如，空穴传输层、发光层和电子传输层等。有源层中靠近第一导电层的功能层可采用氧化锌(ZnO)或氧化镁锌(ZnMgO)制作。
例如，第二导电层的厚度范围在10-15纳米。
例如，导电纳米颗粒在有源层上的正投影的尺寸范围在30-40纳米。例如，当导电纳米颗粒在有源层上的正投影为圆形时，上述的尺寸为圆形的直径的长度；当导电纳米颗粒在有源层上的正投影为多边形时，上述的尺寸为多边形的对角线的长度。
图3为根据本实施例的一种发光二极管的工作原理示意图。如图3所示，诸如电流或激光的激发202通过该发光二极管的底部结构层206注入有源层130以在有源层130中产生由电子210和空穴212。电子210和空穴212可通过两种方式复合，一种是辐射复合214，另一种是非辐射复合218。辐射复合214可产生光子216。非辐射复合218可产生通常表现为晶格振动或热的声子220。在本实施例提供的发光二极管中，第二导电层中通过多个微孔与有源层130相接触的导电纳米颗粒(未示出)可形成的局部表面等离激元224，从而可通过表面等离激元224的消逝场和有源层130中电偶极子208之间的耦合222以将电偶极子208的能量转移给表面等离激元224并产生光子226，从而提高了该发光二极管的发光效率。需要说明的是，上述的底部结构层可包括第一电极以及其他设置在有源层靠近第一电极的一侧的层结构。
例如，在一些示例中，该发光二极管可为顶发射结构。如图2A所示，第一电极120可为反射电极，第二电极140可为半透明电极。由此，有源层发出的光可通过第一电极反射，并从第二电极所在的一侧出射。
例如，如图2A所示，第一电极120可包括反射层121和设置在反射层121靠近有源层130的透明电极122。
例如，反射层可采用具有高反射率的金属材料制作，例如，银、铝、或银、铅和铜的合金。当然，本发明实施例包括但不限于此，反射层也可采用其他具有高反射率的材料制作。
图4为根据本实施例的另一种发光二极管的结构示意图。为了简洁起见，如图4所示，第一导电层141未示出微孔，第二导电层142未示出导电纳米颗粒。
例如，在一些示例中，如图4所示，有源层130包括沿远离第一电极120的方向上依次设置的空穴传输层132、发光层134和电子传输层136。由此，第一电极和第二电极可通过空穴传输层和电子传输层向发光层提供空穴和电子。
当然，有源层还可包括其他功能层。图5为根据本实施例的另一种发光二极管的结构示意图。如图5所示，有源层130还包括设置在第一电极120与空穴传输层132之间的空穴注入层131、设置在空穴传输层132与发光层134之间的电子阻挡层133、设置在发光层134和电子传输层136之间的空穴阻挡层135以及设置在电子传输层136和第二电极140之间的电子注入层137。
例如，在一些示例中，发光层为量子点发光层。由于量子点发光层发出的光的光谱较窄，颜色较纯，因此该发光二极管发出的光的颜色纯度较高。另外，当第二导电层的材料为银，发光层为量子点发光层时，电子传输层可采用无机氧化物材料制作，其LUMO能级为4.0-4.4eV，与银的功函数(4.3-4.7 eV)比较匹配，使得该发光二极管具有较高的发光效率。
例如，在一些示例中，如图2A、4和5所示，该发光二极管还包括设置在第二电极140远离有源层130的一侧的覆盖层150。由此，覆盖层可起到保护第二导电层的作用，防止第二导电层被腐蚀和氧化。
例如，覆盖层可采用介电材料制作，该介电材料直流或低频电流下可导电，在频率范围在3.0e+14Hz至3.0e+15Hz的范围的振荡电场下呈现介电性能的材料，从而利于第二导电层产生局部表面等离激元。
例如，上述的介电材料包括氧化铟锌(Indium Zinc Oxide)、氧化铟锡(IndiumTin Oxide)、或有机半导体材料。
例如，在一些示例中，如图2A、4和5所示，该发光二极管还包括设置在第一电极120远离有源层130的一侧的衬底基板110。
例如，衬底基板可为玻璃基板、蓝宝石基板、塑料基板等。
本发明一实施例还提供一种发光二极管的制作方法。图6为根据该实施例的一种发光二极管的制作方法的流程图。如图6所示，该制作方法包括步骤S201-S203。
步骤S201：形成第一电极。
例如，可采用沉积、溅射、蒸镀等方法形成第一电极。
步骤S202：在第一电极上形成有源层。
步骤S203：在有源层远离第一电极的一侧形成第二电极，第二电极包括沿远离有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层，第一导电层包括多个微孔，第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分导电纳米颗粒通过多个微孔与有源层相接触。
在采用本实施例提供的发光二极的制作方法制作的发光二极管中，第一导电层包括多个微孔，第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分导电纳米颗粒通过多个微孔与有源层相接触，从而使得导电纳米颗粒与有源层之间存在电磁相互作用。由此，在导电纳米颗粒处形成的局部表面等离激元(Localized Surface Plasmon)可通过表面等离激元的消逝场和有源层中电偶极子之间的耦合以将电偶极子的能量转移给表面等离激元并发光，提供了另一种发光的方式，从而提高了该发光二极管的发光效率。另外，在导电纳米颗粒处形成的局部表面等离激元还可利用局部表面等离激元共振效应通过吸收并再释放有源层发出的光，从而提高该发光二极管的光提取效率。
例如，第一导电层的材料可为铝；第二导电层的材料可为银。
例如，在一些示例中，该发光二极管可为顶发射结构，也就是说，第一电极可为反射电极，第二电极可为半透明电极。由此，有源层发出的光可通过第一电极反射，并从第二电极所在的一侧出射。
例如，第一电极可包括反射层和设置在反射层靠近有源层的透明电极。
例如，反射层可采用具有高反射率的金属材料制作，例如，银、铝、或银、铅和铜的合金。当然，本发明实施例包括但不限于此，反射层也可采用其他具有高反射率的材料制作。
例如，在一些示例中，步骤S203，即在有源层远离第一电极的一侧形成第二电极的步骤包括：在有源层远离第一电极的一侧形成第一金属层以形成第一导电层；在第一导电层远离有源层的一侧形成第二金属层；以及对第二金属层进行热退火处理以将第二金属层转变为包括多个导电纳米颗粒的第二导电层。由此，可通过热退火处理将第二金属层转变为多个导电纳米颗粒。
例如，在一些示例中，第一金属层的厚度小于10纳米。由此，在有源层远离第一电极的一侧形成第一金属层时，由于厚度较小，第一金属层不会形成连续的金属膜层，而是自然形成多孔结构，即包括多个微孔的结构。因此，也无需额外的步骤来形成第一导电层上的多个微孔，从而可减少制作成本。
例如，有源层靠近第一导电层的表面可形成为粗糙面，从而利于第一导电层形成多个微孔。
例如，有源层可包括多个功能层，例如，空穴传输层、发光层和电子传输层等。有源层中靠近第一导电层的功能层可采用氧化锌(ZnO)或氧化镁锌(ZnMgO)制作。
例如，在一些示例中，热退火处理的温度范围在120-180摄氏度，热退火处理的时间范围在20-80分钟。需要说明的是，在上述的范围内，热退火的温度越高，热退火处理的时间越短；热退火的温度越低，热退火处理的时间越高。
例如，在一些示例中，热退火处理在真空环境下或氮气环境下进行，从而防止第二金属层被氧化。
本发明一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的发光二极管。由于该显示装置包括上述任一项所描述的发光二极管，因此该显示装置具有与上述发光二极管的有益效果对应的技术效果。例如，在该显示装置中，第一导电层包括多个微孔，第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分导电纳米颗粒通过多个微孔与有源层相接触，从而使得导电纳米颗粒与有源层之间存在电磁相互作用。由此，在导电纳米颗粒处形成的局部表面等离激元(Localized Surface Plasmon)可通过表面等离激元的消逝场和有源层中电偶极子之间的耦合以将电偶极子的能量转移给表面等离激元并发光，提供了另一种发光的方式，从而提高了该发光二极管的发光效率。另外，在导电纳米颗粒处形成的局部表面等离激元还可利用局部表面等离激元共振效应通过吸收并再释放有源层发出的光，从而提高该发光二极管的光提取效率。因此，该显示装置的发光效率较高、能耗较小。
例如，在一些示例中，该显示装置包括多个发光二极管。多个发光二极管可发出不同的颜色的光。
例如，多个发光二极管包括可以发出红光的发光二极管、可以发出绿光的发光二极管和可以发出蓝光的发光二极管。由此，该显示装置可通过上述的发光二极管实现全彩显示。
例如，该显示装置可为笔记本电脑、导航仪、电视、手机等具有显示功能的电子设备。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图中，只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本发明同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种发光二极管，包括：
第一电极；
有源层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述有源层远离所述第一电极的一侧，
其中，所述第二电极包括沿远离所述有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括多个微孔，所述第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分所述导电纳米颗粒通过所述多个微孔与所述有源层相接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一导电层的厚度小于10纳米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极包括反射电极，所述第二电极包括半透明电极。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述有源层包括沿远离所述第一电极的方向上依次设置的空穴传输层，发光层以及电子传输层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述发光层包括量子点发光层。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，还包括：
覆盖层，设置在所述第二电极远离所述有源层的一侧，所述覆盖层包括介电材料，所述介电材料在直流或低频电流下可导电，在频率范围在3.0e+14Hz至3.0e+15Hz的振荡电场下呈现介电性能。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，所述介电材料包括氧化铟锌、氧化铟锡、或有机半导体材料。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，还包括：
衬底基板，设置在所述第一电极远离所述有源层的一侧。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述第二导电层的厚度范围在10-15纳米。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述第一导电层的材料包括铝。
11.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述第二导电层的材料包括银。
12.一种发光二极管的制作方法，包括：
形成第一电极；
在所述第一电极上形成有源层；以及
在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第二电极，
其中，所述第二电极包括沿远离所述有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括多个微孔，所述第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分所述导电纳米颗粒通过所述多个微孔与所述有源层相接触。
13.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其中，所述在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第二电极包括：
在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第一金属层以形成所述第一导电层，所述第一导电层的厚度小于10纳米从而在所述第一导电层中形成多个微孔；
在所述第一导电层远离所述有源层的一侧形成第二金属层；以及
对所述第二金属层进行热退火处理以将所述第二金属层转变为包括多个所述导电纳米颗粒的所述第二导电层。
14.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其中，所述热退火处理的温度范围在120-180摄氏度，所述热退火处理的时间范围在20-80分钟。
15.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其中，所述热退火处理在真空环境下或氮气环境下进行。
16.根据权利要求12-15中任一项所述的发光二极管的制作方法，其中，所述第一导电层的材料包括铝。
17.根据权利要求12-15中任一项所述的发光二极管的制作方法，其中，所述第二导电层的材料包括银。
18.一种显示装置，包括根据权利要求1-11中任一项所述的发光二极管。
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