KR20220043553A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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KR20220043553A
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Abstract

본 명세서의 실시예들은, 각각 발광부와 발광부를 둘러싼 비발광부를 갖는 제1 내지 제3 부화소를 복수개 구비한 기판과 제1 내지 제3 부화소의 발광부에 각각 구비된 제1 전극, 비발광부에 제1 내지 제3 부화소 사이에서 구비된 역테이퍼를 갖는 뱅크, 제1전극 상에서 뱅크의 일 측면에 접하도록 위치하는 구조물, 제1 전극과 뱅크 및 구조물의 상부에 위치하고, 뱅크의 측부에서 이격부를 갖는 발광층 및 발광층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic Light Emitting Display Apparatus}
본 명세서는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 뱅크 및 구조물을 구비하여 이후에 형성되는 유기물을 뱅크의 주변에서 끊어주어 측부 누설 전류를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 경량 박형으로 제조 가능한 표시 장치가 각광받고 있다. 이 표시 장치는 자발광 소자로서, 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 수 있다. 그리고, 표시 장치는 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 시야각 및 명암 대비비(contrast ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다. 이 표시 장치는 매트릭스 형태로 배열된 복수의 부화소들을 통해 영상을 구현한다. 복수의 부화소들 각각은 발광 소자와, 그 발광 소자를 독립적으로 구동하는 복수의 트랜지스터를 포함한다.
이 같은 표시 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display appratus: LCD), 퀀텀 닷 표시 장치(Quantum Dot Display Appratus: QD), 전계방출 표시 장치(Field Emission Display apparatus: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode: OLED) 등을 들 수 있다.
이중, 별도의 광원을 요구하지 않으며 장치의 컴팩트화 및 선명한 컬러 표시를 위한 수단으로 각광받고 있는 유기 발광 표시 장치는 스스로 발광 하는 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답 속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 각 부화소 별로 독립적으로 구동하는 유기 발광 소자를 구비하는데, 각 유기 발광 소자는 제 1 구동전극과 제 2 구동전극 및 제 1 구동전극과 제 2 구동전극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등의 복수 개의 유기층을 구비하며, 외부의 수분 및 산소가 유기 발광 소자에 침투하여, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지하기 위해 유기 발광 소자를 덮는 유기막 또는 무기막의 여러층의 절연막으로 이루어진 봉지부를 구비한다.
그리고, 상기 복수개의 유기층에는 양극에서부터 차례로, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 포함한다. 이 중 실질적으로 유기 발광층이 정공과 전자가 결합하며 엑시톤을 이루며 그 에너지가 그라운드 상태로 떨어지며 발광하는 기능을 하며, 다른 층들은 유기 발광층으로의 정공 또는 전자 수송을 돕는 기능을 한다.
또한, 유기 발광 표시 장치는 컬러 표시를 위해, 서브 화소를 적색, 녹색 및 청색 서브 화소들로 나누어 형성하고, 각 서브 화소에 나누어 각 해당 서브 화소의 색상의 유기 발광층을 형성한다. 일반적으로 유기 발광층은 새도우 마스크(shadow mask)를 이용한 증착 방법이 이용되었다.
그런데, 새도우 마스크는 대면적의 경우, 그 하중 때문에 쳐짐 현상이 발생하고, 이로 인해 여러번 이용시 수율이 떨어지는 문제를 가지기 때문에, 발광층 외의 유기층들은 새도우 마스크 없이 각 서브 화소에 끊김없이 공통으로 형성하고 있다.
하지만, 최근 공통층을 적용하는 구조들에서, 서브 화소들에 공통으로 구비되는 공통층으로 인해 평면적으로 연속된 공통층을 통해 측부로 전류가 흘러 이로 인해 측부 누설 전류가 문제가 관찰되고 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치의 측부 누설 전류 현상을 나타낸 평면도와 단면도이다.
종래의 유기 발광 표시 장치의 일 형태로 도 1과 같이, 각 서브 화소에는, 제1 전극(141)과, 상기 제1 전극(141)의 가장 자리와 중첩하며 발광부를 정의하는 뱅크(130)와, 상기 제1 전극(141) 및 뱅크(130)를 덮는 발광층(142)와 제2 전극(143)이 차례로 형성된다.
발광층(142)는 정공 주입층 및 정공 수송층이 연속되어 형성되며, 그 상부에 발광 층과, 전자 수송층 등을 포함하도록 형성될 수 있다.
그런데, 도 1과 같이, 저계조 점등 시 인접한 서브 화소까지 점등되는 현상이 나타난다. 이는 하나의 부화소에 대해 순색으로 발광시키고자 특정 부화소만의 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 전압을 인가하였지만, 점등된 특정 부화소의 양극과 음극 사이의 수직 전계뿐만이 아니라 공통층을 통해 측부로 누설되는 전류로 인해 인접한 부화소까지 점등되는 현상을 나타낸 것이다.
이러한 측부 누설 전류는 특히 저계조 표현에서 명확하게 시인되어 발생하는 것으로, 부화소에서 수평으로 흐르는 측부 누설 전류로 부화소들에 공통되는 공통 유기층들에 전류가 흐를 때, 오프 상태의 인접 부서브 화소가 턴온되는 것과 유사한 작용을 하기 때문이다. 이 경우, 색 순도의 저하 문제가 있으며, 순수한 계조 표현이 어렵다.
이는 부화소들 간에 상대적으로 낮은 구동 전압으로 구동되는 서브 화소에서, 약한 누설 전류에 의해도 유사한 점등 효과를 갖기 때문이다.
특히, 이러한 측부 누설 전류에 의한 타색 점등 현상으로 인해 저계조 표현에서 혼색이 발생하여 원하는 색표시가 정상적으로 이뤄지지 못하는 문제점이 있다.
또한, 이러한 측부 누설 전류는 공통층으로 이용하는 공통 유기층의 전도도가 클수록 더욱 인접 서브 화소에 대한 영향력이 클 수 있다.
본 명세서의 실시예들의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 뱅크와 뱅크 주변에 구조물을 구비하여 이후에 형성되는 유기물을 구조물의 주변에서 끊어주어 측부 누설 전류를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 명세서의 실시예들은, 각각 발광부와 발광부를 둘러싼 비발광부를 갖는 제1 내지 제3 부화소를 복수개 구비한 기판과 제1 내지 제3 부화소의 발광부에 각각 구비된 제1 전극, 비발광부에 제1 내지 제3 부화소 사이에서 구비된 역테이퍼를 갖는 뱅크, 제1전극 상에서 뱅크의 일 측면에 접하도록 위치하는 구조물, 제1 전극과 뱅크 및 구조물의 상부에 위치하고, 뱅크의 측부에서 이격부를 갖는 발광층 및 발광층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
다른 일측면에서 본 명세서의 실시예들은, 비표시 영역으로 둘러쌓인 표시 영역에 제1 내지 제3 부화소를 복수개 구비한 기판과 제1 내지 제3 부화소 사이에서 구비된 역테이퍼를 갖는 뱅크, 뱅크의 일 측면에 접하도록 위치하는 제1 구조물, 비표시 영역에 위치하는 댐, 댐과 적어도 일부에서 서로 교차하는 터치 배선을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
위에서 언급된 본 명세서의 기술적 과제 외에도, 본 명세서의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 실시예들에 의하면, 인접 부화소 간에 누설 전류가 흐를 수 있는 경로가 증가하여 누설 전류로 인한 혼색 불량이 개선된 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 명세서의 실시예들에 의하면, 또한, 역테이퍼 뱅크(130) 구조는 고해상도 모델에서 더욱 유리하고, 박형으로 구현하는데 이점이 있으며, 발광 소자의 부착력을 증가하여 박리 불량이 개선된 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 명세서에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치의 측부 누설 전류 현상을 나타낸 평면도와 단면도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 부화소가 위치한 표시 영역의 도면이다.
도 3은 도 2의 I- I'에 대한 단면도이다.
도 4는 도 2의 II- II'에 대한 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5에서 교차 영역의 제1 실시예에 대한 단면도이다.
도 7은 도 5에서 교차 영역의 제2 실시예에 대한 단면도이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 명세서의 일 예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 “포함한다,” “갖는다,” “이루어진다” 등이 사용되는 경우 “만”이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, “상에,” “상부에,” “하부에,” “옆에” 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, “바로” 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, “후에,” “에 이어서,” “다음에,” “전에” 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
“적어도 하나”의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, “제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나”의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 명세서의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 그리고, 첨부된 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 부화소가 위치한 표시 영역의 도면이다.
도 2를 참조하면, 표시 영역은 복수의 부화소가 위치한다. 복수의 부화소는 적색, 녹색, 및 청색 중 하나의 색을 표현하는 제1 부화소 내지 제3 부화소일 수 있다. 또는 설계에 따라 백색을 표현하는 부화소를 더 포함할 수도 있다.
제1 내지 제3 부화소 각각은 적색, 녹색 및 청색 중 하나의 색을 표현하는 발광 소자(140)이며, 발광 소자(140)에서 발광층(142)이 위치한 영역은 발광부이고, 발광부를 둘러싼 영역은 비발광부일 수 있다.
인접한 제1 내지 제3 부화소 사이에 뱅크(130)가 위치할 수 있으며, 뱅크(130)는 제1 내지 제3 부화소 각각의 비발광부에 위치한다.
뱅크(130)의 일 측면에는 구조물(150)이 배치되며, 구조물(150)은 인접한 제1 내지 제3 부화소 간에 거리가 가장 이격되도록 위치할 수 있다.
뱅크(130) 및 구조물(150)에 대해서는 도 3과 도 4를 통해 보다 자세하게 설명하기로 한다.
도 3은 도 2의 I-I'에 대한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 버퍼층(111), BSM(126), 액티브 버퍼(112), 제1 절연층(113), 제2 절연층(114), 제3 절연층(115), 제4 절연층(116), 뱅크(130), 유기 발광 소자(140) 및 기판(110) 상에 위치하는 박막 트랜지스터(120)를 포함한다.
박막 트랜지스터(120)는 산화물 반도체 물질을 액티브층으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터가 사용될 수 있다. 산화물 반도체 물질은 실리콘 물질과 비교하여 밴드갭이 더 큰 물질이므로 오프(Off) 상태에서 전자가 밴드갭을 넘어가지 못하며, 이에 따라 오프-전류(Off-Current)가 낮다. 따라서, 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 온(On) 시간이 짧고 오프(Off) 시간을 길게 유지하는 스위칭 박막 트랜지스터에 적합하다. 또한, 오프-전류가 작으므로 보조 용량의 크기가 감소될 수 있으므로, 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 고해상도 표시 소자에 적합하다.
도 3을 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(111)이 위치한다. 버퍼층(111) 상에는 기판(110) 상에서 표시 영역(AA)에 발광 소자(140)를 구동하기 위한 박막 트랜지스터(120)가 위치한다. 박막 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123), 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 박막 트랜지스터(120)는 구동 박막 트랜지스터이고, 게이트 전극(122)이 액티브층(121) 상에 위치하는 탑 게이트 구조의 박막 트랜지스터이다.
기판(110)은 유기 발광 표시 장치의 다양한 구성요소들을 지지하기 위한 베이스 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리, 또는 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다.
도 3를 참조하면, 기판(110)의 전면에 버퍼층(111)이 위치한다. 버퍼층(111)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 이루어질 수 있다. 버퍼층(111)은 버퍼층(111) 상에 형성되는 층들과 기판(110) 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110)으로부터 유출되는 알칼리성분 등을 차단하는 역할 등을 수행한다. 다만, 버퍼층(111)은 필수적인 구성 요소는 아니며, 기판(110)의 종류 및 물질, 박막 트랜지스터의 구조 및 타입 등에 기초하여 생략될 수 도 있다.
도 3를 참조하면, 버퍼층(111) 상에 BSM(126)이 위치한다. BSM(126)은 버퍼층(111) 상에서 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)과 중첩하도록 위치할 수 있고, 단면 상에서 BSM(126)의 폭은 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)의 폭 이상일 수 있다. BSM(126)은 다양한 금속 물질로 이루어 질 수 있고, 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치의 경우 BSM(126)은 플로팅(floating)될 수 있다. 즉, BSM(126)에는 전압이 인가되지 않을 수 있다.
도 3를 참조하면, BSM(126)이 위치하고, BSM(126) 상에 액티브 버퍼(112)가 위치한다. 나아가 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(121)이 컨택홀을 통해 BSM(126)과 연결된다. 이에 따라, BSM(126)에는 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 동일한 전압이 인가된다. 도 3에서는 BSM(126)이 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 연결되는 것으로 도시되었으나, BSM(126)은 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122) 또는 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 연결되어, BSM(126)에는 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)과 동일한 전압이 인가되거나 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 동일한 전압이 인가될 수 있다. 또는, 별도의 정전압을 인가할 수 있는 배선을 통해, BSM(126)에는 원하는 정전압이 인가될 수도 있다.
도 3를 참조하면, 표시 영역(AA)에서 액티브 버퍼(112) 상에 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)이 위치한다. 액티브층(121)은 박막 트랜지스터(120) 구동 시 채널이 형성되는 영역이다. 액티브층(121)은 산화물(oxide)반도체로 형성된다.
도 3를 참조하면, 제1 절연층(113)이 액티브층(121) 상에 위치한다. 제1 절연층(113)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 절연층(113)에는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 각각이 액티브층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각에 컨택하기 위한 컨택홀이 형성된다. 제1 절연층(113)은 도 3에 도시된 바와 같이 기판(110) 전면에 걸쳐 형성될 수도 있고, 게이트 전극(122)과 동일한 폭을 갖도록 패터닝될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3를 참조하면, 제2 절연층(114)이 게이트 전극(122) 상에 위치한다. 제2 절연층(114)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있다. 제2 절연층(114)에는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 각각이 액티브층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각에 컨택하기 위한 컨택홀이 형성된다. 제2 절연층(114)은 도 3에 도시된 바와 같이 기판(110) 전면에 형성될 수도 있고, 표시 영역(AA)에만 형성될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3를 참조하면, 금속층(125)이 제2 절연층(114) 상에 위치한다. 금속층(125)은 게이트 전극(122)에 중첩되도록 위치하여 금속층(125)과 게이트 전극(122) 사이에 커패시턴스를 형성한다.
도 3를 참조하면, 제3 절연층(115)이 금속층(125) 상에 위치한다. 제3 절연층(115)은 박막 트랜지스터(120) 상부로부터 확산되는 수소를 억제시킬 수 있다. 제3 절연층(115)은 유기물질(organic material) 또는 무기물질(inorganic material)로 형성될 수 있다.
도 3를 참조하면, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 제3 절연층(115) 상에 위치한다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 제1 절연층(113) 내지 제3 절연층(115)의 컨택홀을 통해 액티브 층(121)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 이루어지거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있다.
도 3에서는 설명의 편의를 위해, 유기 발광 표시 장치에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으나, 구동 트랜지스터 및 스위칭 박막 트랜지스터 등과 같은 다른 박막 트랜지스터도 유기 발광 표시 장치에 포함될 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 박막 트랜지스터(120)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 설명하였으나, 스태거드(staggered) 구조 등과 같은 다른 구조로 박막 트랜지스터가 구현될 수도 있다.
도 3를 참조하면, 제4 절연층(116)이 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)의 일부에서 제3 절연층(115) 상에 위치한다. 제4 절연층(116)에는 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성된다. 제4 절연층(116)상에 위치한 제1 전극(141)이 제4 절연층(116)의 컨택홀을 통해 연결된다.
도 3를 참조하면, 발광 소자(140)가 제4 절연층(116) 상에 위치한다. 발광 소자(140)는 제4 절연층(116)에 형성되어 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 전기적으로 연결된 제1 전극(141), 제1 전극(141) 상에 위치한 발광층(142) 및 발광층(142) 상에 형성된 제2 전극(143)를 포함한다.
발광 소자(140)에서 발광층(142)이 위치한 영역은 발광부이고, 발광부를 둘러싼 영역은 비발광부일 수 있다. 비발광부에는 뱅크(130)가 위치할 수 있다.
제1 전극(141)은 발광층(142)에 정공을 공급하기 위하여 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 제1 전극(141)은, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO; Indium Tin Oxide), 인듐 아연 산화물(IZO; Indium Zinc Oxide), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO; Indium Tin Zinc Oxide) 등과 같은 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치가 탑 에미션 방식의 전계 발광 표시 장치이므로, 제1 전극(141)은 발광층(142)에서 발광된 광을 제2 전극(143)측으로 반사시키기 위한 반사층 및 발광층에 정공을 공급하기 위한 투명 도전층을 포함할 수 있다. 다만, 제1 전극(141)은 투명 도전층만을 포함하고 반사층은 제1 전극(141)와 별개의 구성요소인 것으로 정의될 수 있다.
도 3에서는 제1 전극(141)이 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 전기적으로 연결되는 것으로 도시되었으나, 박막 트랜지스터의 종류, 구동 회로의 설계 방식 등에 의해 제1 전극(141)이 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있다.
발광층(142)은 특정 색의 광을 발광하기 위한 층으로서, 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 또는 백색 발광층을 포함할 수도 있다. 또한, 발광층(142)은 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 주입층, 전자 수송층 등과 같은 다양한 층을 더 포함할 수도 있다. 발광층(142)은 복수의 부화소에 공통으로 형성된 공통층일 수도 있다.
제2 전극(143)은 발광층(142) 상에 위치한다. 제2 전극(143)은 발광층(142)으로 전자를 공급한다. 제2 전극(143)는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO)계열의 투명 도전성 산화물 또는 이테르븀(Yb) 합금으로 이루어질 수도 있다. 또는, 제2 전극(143)은 금속 물질로 이루어질 수도 있다.
이어서, 도 3를 참조하면, 제1 전극(141) 및 제4 절연층(116) 상에 뱅크(130)가 위치한다. 뱅크(130)는 발광 소자(140)의 제1 전극(141)의 일부를 커버하는 것으로 도시되었으나, 비표시 영역(NA)의 일부를 커버할 수 있다. 뱅크(130)는 표시 영역(AA)에서 인접하는 제1 부화소 내지 제3 부화소를 구분하도록 위치한다. 뱅크(130)는 유기물로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 뱅크(130)는 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
표시 영역(AA)에서 복수의 부화소 각각은 발광부와 비발광부를 가질 수 있다. 비발광부에 위치한 뱅크(130)는 인접하는 제1 부화소 내지 제3 부화소 사이에서 역테이퍼를 가지도록 형성될 수 있다.
다시 말해, 복수의 부화소에서 뱅크(130)의 역테이퍼로 인해 공통층으로 형성되는 발광층(142)이 발광부와 비발광부에서 서로 이격되어 형성 될 수 있다. 따라서, 발광층(142)가 이격되므로, 공통층을 통해 측부로 누설되는 전류를 저감하고, 제1 부화소 내지 제3 부화소 중에 특정 부화소 만을 점등 시에 누설 전류로 인해 인접한 부화소까지 점등되는 점등 불량을 현상을 개선할 수 있다. 뱅크(130)에 대해서는 도 4에서 더 자세히 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 제2 전극(143)의 봉지부(160)가 위치할 수 있다.
봉지부(160)는, 발광 재료와 전극 재료의 산화를 방지하기 위하여, 외부로부터의 산소 및 수분 침투를 막는다. 유기발광소자가 수분이나 산소에 노출되면, 발광 영역이 축소되는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상이 나타나거나, 발광 영역 내 흑점(dark spot)이 생길 수 있다. 상기 봉지부(160)는 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 유기막과 무기막이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 무기막은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기막은 무기막의 표면을 균일한 높이로 만드는 역할을 한다. 봉지 층을 여러 겹의 박막 층으로 형성하면, 단일 층일 경우에 비해 수분이나 산소의 이동 경로가 길고 복잡하게 되어 유기발광소자까지 수분/산소가 침투하는 것이 어려워진다. 본 명세서에서는 제1 봉지층(161), 제2 봉지층(162) 및 제3 봉지층(163)이 순차적으로 적층된 봉지부(160)의 구조를 예로 들어 설명하기로 한다.
제1 봉지층(161)은 제2 전극(143)이 형성된 기판(110) 상에 형성된다. 제3 봉지층(163)은 제2 봉지층(162)이 형성된 기판(110) 상에 형성되며, 제1 봉지층(161)과 함께 제2 봉지층(162)의 상부면, 하부면 및 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이러한 제1 봉지층(161) 및 제3 봉지층(163)은 외부의 수분이나 산소가 발광 소자(140)로 침투하는 것을 최소화하거나 방지할 수 있다. 제1 봉지층(161) 및 제3 봉지층(163)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제1 봉지층(161) 및 제3 봉지층(163)은 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 봉지층(161) 및 제3 봉지층(163)의 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 발광 소자(140)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
제2 봉지층(162)은 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 각 층들 간의 단차를 평탄화 할 수 있다. 이 제2 봉지층(162)은 제1 봉지층(161)이 형성된 기판(110) 상에 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 및 폴리에틸렌 또는 실리콘 옥시카본(SiOC)과 같은 비감광성 유기 절연 재질 또는 포토아크릴과 같은 감광성 유기 절연 재질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 봉지층(162)이 잉크젯 방식을 통해 형성되는 경우, 액상 형태의 제2 봉지층(162)이 기판(110)의 가장자리로 확산되는 것을 방지하도록 댐(도 5, Dam)이 배치될 수 있다. 댐(Dam)은 제2 봉지층(162)보다 기판(110)의 가장자리에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이러한 댐(Dam)에 의해, 기판(110)의 최외곽에 배치되는 도전 패드가 배치되는 패드 영역으로 제2 봉지층(162)이 확산되는 것을 방지할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 명세서의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에서, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE), 터치 배선(도 5, TL) 등을 포함하는 터치 센싱층(170)은 봉지부(160) 상에 형성될 수 있다.
이와 같이, 터치 센싱층(170)이 봉지부(160) 상에 위치하는 구조를 TOE (Touch On Encapsulation Layer) 구조라고 한다.
도 3을 참조하면, 봉지부(160)를 구성하는 제3 봉지층(163) 상에 버퍼층(171)은 봉지부(160)를 덮도록 형성될 수 있다. 버퍼층(171)은 무기막 또는 유기막으로 형성될 수 있다. 버퍼층(171)이 무기막으로 형성되는 경우, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼층(171)이 유기막으로 형성되는 경우, 버퍼층(171) 상에 플라즈마 처리하여 버퍼층(171)의 표면 거칠기(roughness)를 거칠게할 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)과 접촉하는 버퍼층(171)의 면적을 늘릴 수 있으므로, 버퍼층(171)과 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)의 계면 접착력을 높일 수 있다.
봉지부(160)와 제1 및 제2 터치전극(TE, RE) 사이에 버퍼층(171)을 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않고, 봉지부(160)를 구성하는 제3 봉지층(163) 상에 제1 및 제2 터치전극(TE, RE)이 직접 접촉 할 수 있다.
제1 터치 및 제2 터치 전극(TE, RE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
제1 터치 및 제2 터치 전극(TE, RE) 상에는 터치 절연층(172)이 위치하여 제1 터치 및 제2 터치 전극(TE, RE)을 보호할 수 있고, 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)은 부화소의 개구 영역이 줄어드는 것을 방지하기 위해 뱅크(130)와 중첩되게 배치될 수 있다.
도 4는 도 2의 II- II'에 대한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(110)의 박막 트랜지스터(120)가 위치한 영역은 도 3과 동일하므로 설명을 생략하고, 뱅크(130) 및 발광 소자(140)의 차이에 대해서만 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 표시 영역에서 복수의 부화소 각각에서 발광부에는 제1 전극(141)이 위치하고, 비발광부에는 뱅크(130)가 위치 할 수 있다. 뱅크(130)는 인접하는 제1 부화소 내지 제3 부화소 사이에서 역테이퍼를 가지도록 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 전극(141) 상에서 구조물(150)이 위치할 수 있다. 구조물(150)은 뱅크(130)의 일 측면에 접하도록 형성된다. 구체적으로, 복수의 부화소에서 제1 부화소 내지 제3 부화소 사이에서 역테이퍼를 가지도록 형성된 뱅크(130)의 일 측면에서 구조물(150)이 뱅크(130) 접하도록 형성되며, 이때, 구조물(150)은 정테이퍼로 형성된다. 따라서, 발광층(142)은 구조물(150) 상에서 끊김 없이 형성되어 제1 전극(141)과 전기적으로 연결 될 수 있다.
다시 말해, 공통층으로 형성되는 발광층(142)은 구조물(150)이 위치한 영역에서만 발광부와 비발광부가 연결되어 저준위 구동전압(EVSS)의 경로가 형성될 수 있다. 또한, 구조물(150)이 형성되지 않는 뱅크(130)의 측면에서는 발광층(142)이 발광부와 비발광부에서 이격되어 형성되므로, 공통층을 통해 측부로 누설되는 전류를 저감하고, 제1 부화소 내지 제3 부화소 중에 특정 부화소 만을 점등 시에 누설 전류로 인해 인접한 부화소까지 점등되는 점등 불량을 현상을 개선할 수 있다.
또한, 구조물(150)은 뱅크(130)에 중첩하도록 형성되어 일부가 뱅크(130) 상에 위치할 수 있다.
구조물(150)은 유기물로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 구조물(150)은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구조물(150)은 도전성 무기물로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 저저항 성분의 금속성 물질로 형성되어, 제1 전극(141)에 전기적으로 연결되어, 저항을 줄일 수 있다.
구조물(150)은 뱅크(130)가 형성된 이후에 뱅크(130)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 또는 구조물(150)은 도전성 물질로 형성되어 뱅크(130)보다 먼저 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 구조물(150)의 높이는 뱅크(130)보다 크거나 같을 수 있다.
구체적으로, 종래의 유기 발광 표시 장치에서 뱅크(130)가 정테이퍼를 가지도록 형성될 경우, 누설 전류를 개선하기 위해 뱅크(130) 상에 역테이퍼를 갖는 스페이서를 형성하여야 한다. 이 경우, 역테이퍼 스페이서의 형성 공간 확보를 위해 역테이퍼 스페이서보다 큰 높이를 갖는 별도의 스페이서가 필요하므로 두께가 두꺼워진다.
이에 반해, 본 명세서의 실시예와 같이, 뱅크(130)를 역테이퍼로 형성하고, 뱅크(130)의 일 측면에 접하도록 구조물(150)을 형성할 경우, 구조물(150)의 높이는 수 um 단위로 구현할 수 있으므로, 뱅크(130)와 동일한 높이를 가지도록 형성할 수 있다. 따라서, 박형으로 구현하는데 이점이 있다.
또한, 역테이퍼로 형성된 뱅크(130)로 복수의 부화소 각각이 둘러쌓이므로, 뱅크(130)의 일 측면에 구조물(150)이 접한 위치를 통해서만 발광층(142) 및 제2 전극(143)이 끊김없이 접속되므로, 뱅크(130)를 정테이퍼로 형성할 때보다 인접 부화소 간에 누설 전류가 흐를 수 있는 경로가 증가하여 누설 전류로 인한 혼색 불량이 개선 될 수 있다.
또한, 고해상도 모델일수록 인접한 부화소 간의 거리가 가까워지므로, 공통층인 발광층(142)를 통해 전달 되는 누설 전류가 커지지만, 역테이퍼 뱅크(130) 구조는 공통층의 접속 영역을 최소화 하므로, 고해상도 모델에서 더욱 유리하고, 발광 소자(140)의 부착력을 증가하여 발광 소자(140)의 박리 불량이 개선될 수 있다.
도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)을 포함한다.
표시 영역(AA)은 복수의 부화소가 위치할 수 있으며 복수의 부화소는 적색, 녹색, 및 청색 중 하나의 색을 표현하는 제1 부화소 내지 제3 부화소일 수 있다. 또는 설계에 따라 백색을 표현하는 부화소를 더 포함할 수도 있다.
비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 위치한 복수의 부화소로 외부로부터 구동 신호를 공급받는 도전 패드가 위치한 패드 영역과 터치 배선(TL), 댐(Dam) 등이 위치할 수 있다.
댐(Dam)은 봉지부(160)의 제1 봉지층(161) 내지 제3 봉지층(163) 중 적어도 하나가 잉크젯 방식을 통해 형성되는 경우, 액상 형태의 봉지부(160)가 기판(110)의 가장자리로 확산되는 것을 방지하도록 비표시 영역(NA)에서 표시 영역(AA)을 둘러 싸도록 배치될 수 있다. 댐(Dam)은 봉지부(160)보다 기판(110)의 가장자리에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이러한 댐(Dam)에 의해, 기판(110)의 최외곽에 배치되는 도전 패드가 위치하는 패드 영역으로 봉지부(160)가 확산되는 것을 방지할 수 있다.
댐(Dam)은 봉지부(160)의 확산이 방지되도록 설계되나, 공정 중에 댐(Dam)의 높이를 넘도록 봉지부(160)가 형성되는 경우, 봉지부(160)의 일부 유기층이 외부로 노출될 수 있으므로, 수분 등이 발광소자 내부로 침투가 용이하게 될 수 있다. 따라서, 이를 방지하도록 댐(Dam)은 적어도 2개 이상으로 중복하여 형성될 수 있다.
또한, 댐(Dam)은 표시 영역(AA)의 제 1 내지 제4 절연층(113, 114, 115, 116) 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함하도록 구성될 수 있고, 또는 뱅크(130)와 동일한 물질로 구성될 수 있다. 표시 영역(AA)과 마찬가지로 비표시 영역(NA)에서도 뱅크(130)는 역테이퍼를 갖도록 형성 될 수 있다.
터치 배선(TL)은 도전 패드의 일부에 접속되어 터치 센싱층(170)의 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)에 터치 신호를 전달한다. 터치 배선(TL)은 도전 패드와 터치 센싱층(170)의 제1 및 제2 터치 전극(TE, RE)에 연결되므로, 댐(Dam)과 적어도 일부에서 교차하도록 형성 될 수 있다.
도 5를 참조하면, 사각 점선은 댐(Dam)과 터치 배선(TL)과 교차하는 영역이다. 댐(Dam)이 역테이퍼를 갖는 뱅크(130)와 동일한 물질을 포함할 때, 교차 영역에서 터치 배선(TL)이 단선될 수 있다. 따라서, 댐(Dam)과 터치 배선(TL)의 교차 영역에서 터치 배선(TL)의 단선을 방지하도록 구조물(150)을 형성할 수 있다.
도 6은 도 5에서 교차 영역의 제1 실시예에 대한 단면도이고, 도 7은 도 5에서 교차 영역의 제2 실시예에 대한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 교차 영역에서 댐(Dam)의 폭이 좁게 형성되는 경우 구조물(150)이 댐(Dam)의 상면 및 양 측면을 모두 덮도록 형성 될 수 있다. 이에 따라 터치 배선(TL)은 구조물(150)의 상부에 형성될 수 있다. 구조물(150)은 역테이퍼 형상의 댐(Dam)과 달리 정테이퍼를 갖도록 형성되므로, 터치 배선(TL)은 단선되지 않고 구조물(150) 상부를 통해 댐(Dam)과 교차될 수 있다.
도 7을 참조하면, 교차 영역에서 댐(Dam)의 폭이 넓게 형성되는 경우에는 구조물(150)이 댐(Dam)의 양 측면에 접하도록 형성될 수 있다. 이에 따라 터치 배선(TL)은 구조물(150)을 통해 댐(Dam)의 상면에 접하도록 형성될 수 있다. 구조물(150)은 정테이퍼를 갖도록 형성되어 역테이퍼 형상의 댐(Dam) 양 측면에 접하므로, 터치 배선(TL)은 단선되지 않고 구조물(150) 상부를 통해 댐(Dam)과 교차될 수 있다.
댐(Dam)과 터치 배선(TL)의 교차 영역 이외에도, 터치 배선(TL)이 지나는 영역에 역테이퍼 형상의 뱅크(130)가 형성된다면, 뱅크(130)의 상면과 양 측면을 모두 덮거나 양 측면에 접하도록 형성된 정테이퍼 형상의 구조물(150)을 통해 터치 배선(TL)의 단선을 방지할 수 있다.
댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)의 양 측면에 접한 구조물(150)은 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)와 중첩되어 일부가 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130) 상에 위치할 수 있다.
구조물(150)의 높이는 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)보다 크거나 같을 수 있다. 구조물(150)이 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)을 모두 덮도록 형성할 경우, 구조물(150)의 높이는 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)보다 클 수 있다. 또한, 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)을 역테이퍼로 형성하고, 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)의 양 측면에 접하도록 구조물(150)을 형성할 경우, 구조물(150)의 높이는 수 um 단위로 구현할 수 있으므로, 댐(Dam) 또는 역테이퍼 형상의 뱅크(130)와 동일한 높이를 가지도록 형성할 수 있다. 따라서, 박형으로 구현하는데 이점이 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는, 각각 발광부와 발광부를 둘러싼 비발광부를 갖는 제1 내지 제3 부화소를 복수개 구비한 기판과 제1 내지 제3 부화소의 발광부에 각각 구비된 제1 전극, 비발광부에 제1 내지 제3 부화소 사이에서 구비된 역테이퍼를 갖는 뱅크, 제1전극 상에서 뱅크의 일 측면에 접하도록 위치하는 구조물, 제1 전극과 뱅크 및 구조물의 상부에 위치하고, 뱅크의 측부에서 이격부를 갖는 발광층 및 발광층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 발광층은 구조물의 상부 및 측부에 접하고 상기 제1 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 구조물은 뱅크와 동일한 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 구조물은 도전성 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 구조물은 일부가 뱅크와 중첩하도록 형성될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 전극의 전면을 덮는 봉지부 및 봉지부 상에 위치한 터치 센서를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 봉지부는 뱅크와 구조물의 굴곡을 평탄화 시킬 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 터치 센싱층은 터치 배선을 통해 터치 구동 신호가 인가될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는, 비표시 영역으로 둘러쌓인 표시 영역에 제1 내지 제3 부화소를 복수개 구비한 기판과 제1 내지 제3 부화소 사이에서 구비된 역테이퍼를 갖는 뱅크, 뱅크의 일 측면에 접하도록 위치하는 제1 구조물, 비표시 영역에 위치하는 댐, 댐과 적어도 일부에서 서로 교차하는 터치 배선을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 댐은 뱅크와 동일한 물질을 포함하고, 역테이퍼를 갖을 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 댐의 적어도 일 측면에 접하는 제2 구조물을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 구조물은 댐과 터치 배선 사이에 위치할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 구조물은 댐과 일부 중첩할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제2 구조물은 댐의 상면과 측면 모두에 접촉할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에서 제1 구조물과 제2 구조물 및 뱅크는 모두 동일한 물질일 수 있다.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 명세서의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 명세서의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 기판
120: 박막 트랜지스터
130: 뱅크
140: 발광 소자
150: 구조물
160: 봉지부
170: 터치 센싱층

Claims (15)

  1. 각각 발광부와 발광부를 둘러싼 비발광부를 갖는 제1 내지 제3 부화소를 복수개 구비한 기판;
    상기 제1 내지 제3 부화소의 발광부에 각각 구비된 제 1 전극;
    상기 비발광부에, 상기 제1 내지 제3 부화소 사이에서 구비된 역테이퍼를 갖는 뱅크;
    상기 제 1 전극 상에서 상기 뱅크의 일 측면에 접하도록 위치하는 구조물;
    상기 제 1 전극과 상기 뱅크 및 상기 구조물의 상부에 위치하고, 상기 뱅크의 측부에서 이격부를 갖는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 위치한 제 2 전극을 포함한 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 구조물의 상부 및 측부에 접하고 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는,
    유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구조물은 상기 뱅크와 동일한 물질로 형성되는,
    유기 발광 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구조물은 도전성 물질로 형성되는,
    유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구조물은 일부가 상기 뱅크와 중첩하도록 형성되는,
    유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 전면을 덮는 봉지부; 및
    상기 봉지부 상에 위치한 터치 센싱층;를 더 포함하는,
    유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 봉지부는 상기 뱅크와 상기 구조물의 굴곡을 평탄화 시키는,
    유기 발광 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 터치 센싱층은 터치 배선을 통해 터치 구동 신호가 인가되는,
    유기 발광 표시 장치.
  9. 비표시 영역으로 둘러쌓인 표시 영역에 제1 내지 제3 부화소를 복수개 구비한 기판;
    상기 제1 내지 제3 부화소 사이에서 구비된 역테이퍼를 갖는 뱅크;
    상기 뱅크의 일 측면에 접하도록 위치하는 제1 구조물;
    상기 비표시 영역에 위치하는 댐;
    상기 댐과 적어도 일부에서 서로 교차하는 터치 배선;을 포함하는
    유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 댐은 상기 뱅크와 동일한 물질을 포함하고, 역테이퍼를 갖는,
    유기 발광 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 댐의 적어도 일 측면에 접하는 제2 구조물;을 더 포함하는,
    유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 구조물은 상기 댐과 상기 터치 배선 사이에 위치하는
    유기 발광 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 구조물은 상기 댐과 일부 중첩하는
    유기 발광 표시 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 구조물은 상기 댐의 상면과 측면 모두에 접촉하는
    유기 발광 표시 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 및 상기 뱅크는 동일한 물질인,
    유기 발광 표시 장치.
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