CN111697009A - 一种oled显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种OLED显示面板及其制造方法，OLED显示面板包括TFT基板和TFT基板上的OLED器件，TFT基板包括：衬底基板；有源层，设置于衬底基板上方；栅极绝缘层和栅极，依次设置于有源层上方；光吸收层，设置于有源层上方并覆盖栅极绝缘层和栅极；源极和漏极，设置于光吸收层上方，光吸收层设有接触孔，源极和漏极通过接触孔与有源层接触。本申请的光吸收层设置在TFT基板内，能从有源层，特别是对光敏感的沟道区的顶面和侧面吸收进入TFT基板的光，更加严格避免所述光对TFT电性的影响，提高OLED显示面板的显示品质。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)因其高亮度、自发光、响应快以及低驱动电压等技术优点，逐渐成为显示领域的研究重点。依据光出射的方向不同，OLED器件包括两种结构，底发射和顶发射。随着显示技术的发展，顶发射型发光器件因其良好的器件稳定性和整流比而引起关注。与底发射型发光器件的发光模式相比，顶发射型发光器件的光辐射从顶部射出，不受像素开口率的影响。但是在顶发射型发光器件的结构中光从顶部射出，由于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)中的有源层的光敏感特性，TFT的性能很容易受到外界环境光以及有源驱动有机发光器件(AM-OLED)自发光等的影响，导致显示面板的显示性能降低。
发明内容
为了解决上述问题，本申请的目的在于提供一种OLED显示面板及其制造方法，以减少光照对TFT电性的影响。
本申请提供一种OLED显示面板，包括TFT基板和所述TFT基板上的OLED器件，所述TFT基板包括：
衬底基板；
有源层，设置于所述衬底基板上方；
栅极绝缘层和栅极，依次设置于所述有源层上方；
光吸收层，设置于所述有源层上方并覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极；
源极和漏极，设置于所述光吸收层上方，所述光吸收层设有接触孔，所述源极和漏极通过所述接触孔与所述有源层接触。
在一些实施方式中，所述光吸收层的材料为吸光柔性绝缘材料。
在一些实施方式中，所述吸光柔性绝缘材料为黑色有机光阻材料。
在一些实施方式中，所述光吸收层作为栅极与源极和漏极之间的层间介质层。
在一些实施方式中，所述TFT基板还包括层间介质层，所述层间介质层设置于所述衬底基板上，并覆盖所述有源层、栅极绝缘层和栅极。
在一些实施方式中，所述层间介质层上还开设有缓冲孔，所述缓冲孔贯穿所述层间介质层，所述光吸收层填充在所述缓冲孔内。
在一些实施方式中，所述接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述源极通过所述第一接触孔与所述有源层接触，所述漏极通过所述第二接触孔与所述有源层接触，所述缓冲孔包括第一缓冲孔和第二缓冲孔，所述第一缓冲孔和所述第二缓冲孔分别位于所述第一接触孔与所述第二接触孔的远离所述有源层的一侧。
在一些实施方式中，所述TFT基板还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底基板，所述缓冲孔贯穿所述层间介质层并延伸至所述缓冲层，所述光吸收层通过所述缓冲孔与所述缓冲层接触。
本申请还提供一种OLED显示面板的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上方形成有源层；
在所述有源层上依次形成栅极绝缘层和栅极；
在所述衬底基板上方形成一层光吸收层，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极；
在所述光吸收层上设置接触孔，在所述光吸收层上方沉积源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述接触孔与所述有源层接触；
在所述源极和所述漏极上制备OLED器件。
在一些实施方式中，在形成所述有源层之前还包括步骤：在所述衬底基板上形成一层缓冲层；
在形成所述光吸收层之前还包括步骤：在所述衬底基板上形成层间介质层，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极；
在所述层间介质层开设缓冲孔，所述缓冲孔贯穿所述层间介质层并延伸至所述缓冲层，所述光吸收层填充至所述缓冲孔内，并与所述缓冲层接触。
和现有技术相比，本申请具有以下优点和技术效果：
本申请提供一种OLED显示面板，包括TFT基板和所述TFT基板上的OLED器件，在有源层上覆盖一层光吸收层，吸收OLED器件发出并进入TFT基板的光。和将吸光层设置在TFT基板外部的显示面板相比，本申请的光吸收层设置在TFT基板内，能从有源层，特别是对光敏感的沟道区的顶面和侧面吸收进入TFT基板的光，更加严格避免所述光对TFT电性的影响，提高OLED显示面板的显示品质。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例1提供的OLED显示面板的结构示意图。
图2为本申请实施例2提供的OLED显示面板的结构示意图。
图3为本申请实施例3提供的OLED显示面板的结构示意图。
图4为本申请提供的OLED显示面板的制造方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请提供一种OLED显示面板及其制造方法。以下将分别进行详细说明。
请参考图1，图1为本申请实施例1提供的OLED显示面板1000的结构示意图。OLED显示面板1000包括：
TFT基板100和TFT基板100上的OLED器件0100。
TFT基板100包括衬底基板101，衬底基板101可以为柔性基板，例如聚酰亚胺基板。
有源层102，设置于衬底基板101上方，有源层102的材料可以为金属氧化物，包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟锡锌氧化物(ITZO)或铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等，在这里不做特别限制，厚度为100至
栅极绝缘层103和栅极104，依次设置于有源层102上方。栅极绝缘层103可以为SiO2薄膜，厚度为1000至
栅极104的材料可以为单层的钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等金属层，也可以为Mo/Cu、Ti/Cu、Mo/Al/Mo、Al/Mo或者是Mo/Ti/Cu等合金，在此不做限制。厚度为500至
光吸收层105，设置于有源层102上方并覆盖有源层102、栅极绝缘层103和栅极104。光吸收层105为吸光柔性绝缘材料，所述吸光柔性绝缘材料可以为任何能够吸收光的柔性绝缘材料，比如黑色有机光阻材料或红色光阻材料，能够吸收顶部OLED器件0100发出并进入TFT基板中的光，避免光对TFT基板的电学特性造成影响，提高TFT基板的可靠性。
源极106和漏极107，设置于光吸收层105上方，源极106和漏极107的材料可以为单层的钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等金属层，也可以为Mo/Cu、Ti/Cu、Mo/Al/Mo、Al/Mo或者是Mo/Ti/Cu等合金。光吸收层105上设置有接触孔108，接触孔108包括第一接触孔1081和第二接触孔1082，源极106和漏极107分别通过第一接触孔1081和第二接触孔1082和有源层102接触。具体地，有源层102包括沟道区1021和位于沟道区1021两侧的源极区1022和漏极区1023，源极106通过第一接触孔1081和源极区1022电性连接，漏极107通过第二接触孔1082和漏极区1023电性连接。
TFT基板100还包括：
缓冲层109，设置于衬底基板101上。具体地，缓冲层109可以为Si3N4层、SiO2层或SiON层，也可以为Si3N4层、SiO2层和SiON层中任意两层以上的材料层交叠设置形成的多层复合层。缓冲层109的厚度为1000至
层间介质层110，设置于缓冲层109与光吸收层105之间，并覆盖有源层102、栅极绝缘层103和栅极104。层间介质层110可以为SiO2薄膜，厚度在
之间。第一接触孔1081和第二接触孔1082贯穿光吸收层105和层间介质层110。
钝化层111，设置于层间介质层110上并覆盖光吸收层105、源极106和漏极107，钝化层111可以采用氮化硅或氧化硅，钝化层111的厚度为
平坦层112，设置于钝化层111上。平坦层112的材料可以是光阻材料，厚度为
OLED器件0100设置于平坦层112上并和漏极107电性连接。具体的，OLED器件0100包括一阳极0110，所述阳极在平坦层112上，平坦层112上设置有过孔，阳极0110通过所述过孔与漏极107相接触。当然，OLED器件0100还包括阳极上的发光层0120和阴极0130，具体包括的功能部件可参考现有技术，在这里不再赘述。
请参考图2，图2为本申请实施例2提供的OLED显示面板2000的结构示意图。在本申请的实施例2中，OLED显示面板2000和实施例1提供的OLED显示面板1000的结构的不同之处在于光吸收层205的结构。光吸收层205作为栅极204与源极206和漏极207之间的层间介质层、源极206和漏极207在开设于光吸收层205中的接触孔与有源层202直接连接方式。
在本实施例中，OLED显示面板2000包括：
TFT基板200和TFT基板上的OLED器件0200。
TFT基板200包括衬底基板201。
有源层202，设置于衬底基板201上。
栅极绝缘层203和栅极204，依次设置于有源层202上方。
光吸收层205，设置于衬底基板201上，除覆盖有源层202、栅极绝缘层203和栅极204外，还覆盖衬底基板201，光吸收层205为吸光柔性绝缘材料。本实施例的光吸收层205覆盖衬底基板201的整面。由于其绝缘的性质，光吸收层205可以充当TFT基板200中的层间介质层。既避免了顶部OLED器件发出的光对TFT基板的电性影响，又可防止漏电的发生，不必再额外设置一层层间介质层，节省一道工序，使OLED显示面板更加轻薄化。
源极206和漏极207，设置于光吸收层205上方。光吸收层205上设置有接触孔208，接触孔208包括第一接触孔2081和第二接触孔2082，源极206和漏极207分别通过第一接触孔2081及第二接触孔2082和有源层202接触。具体地，有源层202包括沟道区2021和位于沟道区2021两侧的源极区2022和漏极区2023，源极206通过第一接触孔2081和源极区2022电性连接，漏极207通过第二接触孔2082和漏极区2023电性连接。
TFT基板200还包括：
缓冲层209，设置于衬底基板201与光吸收层205之间。
钝化层211，设置于光吸收层205上并覆盖源极206和漏极207。
平坦层212，设置于钝化层211上。OLED器件0200设置于平坦层212上并和漏极207电性连接。具体地，OLED器件0200包括一阳极0210、发光层0220和阴极0230。
请参考图3，图3是本申请实施例3提供的OLED显示面板3000的结构示意图。在本申请的实施例3中，OLED显示面板3000的结构和实施例1提供的OLED显示面板1000的结构的不同之处为光吸收层305的结构、层间介质层310上还设置有缓冲孔、光吸收层305通过所述缓冲孔与缓冲层309接触，其他结构都相同。
在本实施例中，OLED显示面板3000包括：
TFT基板300和TFT基板300上的OLED器件0300。
TFT基板300包括衬底基板301。
有源层302，设置于衬底基板301上。
栅极绝缘层303和栅极304，依次设置于有源层302上方。
光吸收层305，设置于衬底基板301上，除覆盖有源层302、栅极绝缘层303和栅极304外，还覆盖衬底基板301，光吸收层305为吸光柔性绝缘材料。
源极306和漏极307，设置于光吸收层305上方。光吸收层305上设置有接触孔308，接触孔308包括第一接触孔3081和第二接触孔3082，源极306和漏极307分别通过第一接触孔3081及第二接触孔3082和有源层302接触。具体地，有源层302包括沟道区3021和位于沟道区3021两侧的源极区3022和漏极区3023，源极306通过第一接触孔3081和源极区3022电性连接，漏极307通过第二接触孔3082和漏极区3023电性连接。
TFT基板300还包括：
缓冲层309，设置于衬底基板301上。
层间介质层310，设置缓冲309与光吸收层305之间，并覆盖有源层302、栅极绝缘层303和栅极304。层间介质层310上还设置有缓冲孔313，缓冲孔313包括第一缓冲孔3131和第二缓冲孔3132，第一缓冲孔3131和第二缓冲孔3132分别位于第一接触孔1081和第二接触孔1082远离有源层302的一侧。具体地，第一缓冲孔3131位于第一接触孔3081远离有源层302的一侧，第二缓冲孔3132位于第二接触孔3082远离有源层302的一侧。缓冲孔313贯穿层间介质层310并延伸至缓冲层309，光吸收层305覆盖层间介质层310并填充在缓冲313内，且和缓冲层309接触。填充在缓冲孔313内的光吸收层305可以吸收OLED器件0300发出的从侧面进入TFT基板的光，进一步提高TFT的电学稳定性。且光吸收层305柔性的特点，也可以增强TFT基板的柔性。
钝化层311，设置在光吸收层305上并覆盖源极306和漏极307。
平坦层312，设置于钝化层311上。OLED器件0300设置于平坦层312上并和漏极307电性连接。具体地，OLED器件0300包括一阳极0310、发光层0320和阴极0330。
本申请提供一种OLED显示面板，包括TFT基板和所述TFT基板上的OLED器件，在有源层上覆盖一层光吸收层，吸收顶部OLED器件发出并进入TFT基板的光。和将吸光层设置在TFT基板外部的显示面板相比，本申请的光吸收层设置在TFT基板内，能从有源层，特别是对光敏感的沟道区的顶面和侧面吸收进入TFT基板的光，更加严格避免所述光对TFT电性的影响，提高OLED显示面板的显示品质。
请参考图4，图4为前述OLED显示面板的制造方法流程示意图。请一并参考图1至图3，所述制造方法包括以下步骤：
步骤101：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成缓冲层。
具体地，在所述衬底基板上通过沉积氮化硅或氧化硅层来制备缓冲层，可以是沉积氮化硅或氧化硅单层薄膜，也可以是氮化硅或氧化硅交替层叠而成的复合层，所述缓冲层的整体厚度在1000至
之间。
步骤102：在所述缓冲层上形成有源层，在有源层上依次形成栅极绝缘层和栅极。
具体地，在所述缓冲层上沉积金属氧化物层，所述金属氧化物可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟锡锌氧化物(ITZO)或铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中一种或一种以上的化合物。定义出沟道区。所述金属氧化物层的厚度为
在所述金属氧化物层上方沉积SiO2薄膜，作为栅极绝缘层，SiO2薄膜的厚度为
在所述栅极绝缘层上沉积栅极金属层，所述栅极金属层可以为单层的钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等金属层，也可以为Mo/Cu、Ti/Cu、Mo/Al/Mo、Al/Mo或者是Mo/Ti/Cu等合金。厚度为500至
利用一道光罩，和所述沟道区相对应，先湿法刻蚀出所述栅极的图形，再以所述栅极为自对准，干法刻蚀出栅极绝缘层，只在栅极的下方存在栅极绝缘层，其余部分的栅极绝缘层材料被刻蚀掉。采用Plasma等离子处理工艺对上方没有栅极绝缘层覆盖的金属氧化物层进行导体化处理，形成N+导体区域，即源极区和漏极区。
步骤103：在所述衬底基板上方形成光吸收层。
具体地，在所述缓冲层上涂覆一层吸光柔性绝缘材料并覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极，作为光吸收层，所述吸光柔性绝缘材料可以为黑色或红色有机光阻材料。
在一些实施例中，在涂覆吸光柔性绝缘材料之前，在缓冲层上沉积一层SiO2薄膜并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极，作为层间介质层，厚度为
再在所述层间介质层上涂覆吸光柔性绝缘材料，所述吸光柔性绝缘材料可以只覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极。
在另一些实施例中，除了覆盖有源层、栅极绝缘层和栅极之外，还可以覆盖所述层间介质层。
在一些实施例中，在所述层间介质层上蚀刻出缓冲孔，所述缓冲孔贯穿所述层间介质层并延伸至所述缓冲层，所述吸光柔性绝缘材料填充至所述缓冲孔内，并和所述缓冲层接触。
在一些实施例中，可以不设置层间介质层，所述吸光柔性绝缘材料除覆盖有源层、栅极绝缘层和栅极之外，还覆盖所述衬底基板，既作为光吸收层又作为层间介质层。
步骤104：在所述光吸收层上设置接触孔，在所述光吸收层上方沉积源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述接触孔与所述有源层接触。
具体地，在所述光吸收层上刻蚀出接触孔，沉积源极金属层和漏极金属层，源极金属层和漏极金属层可以为单层的钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等金属层，也可以为Mo/Cu、Ti/Cu、Mo/Al/Mo、Al/Mo或者是Mo/Ti/Cu等合金。厚度为
图案化处理所述源极金属层和所述漏极金属层，形成源极和漏极。所述源极和所述漏极通过接触孔与所述有源层接触。
在一些实施例中，所述TFT基板包括SiO2等薄膜材料制备的层间介质层，所述接触孔还贯穿所述层间介质层。
步骤105：在所述光吸收层上依次沉积钝化层和平坦层，并覆盖所述源极和所述漏极，制备OLED器件。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请所提供的一种进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的技术方案进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括TFT基板和所述TFT基板上的OLED器件，所述TFT基板包括：
衬底基板；
有源层，设置于所述衬底基板上方；
栅极绝缘层和栅极，依次设置于所述有源层上方；
光吸收层，设置于所述有源层上方并覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极；
源极和漏极，设置于所述光吸收层上方，所述光吸收层设有接触孔，所述源极和所述漏极通过所述接触孔与所述有源层接触。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述光吸收层的材料为吸光柔性绝缘材料。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述吸光柔性绝缘材料为黑色有机光阻材料。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述光吸收层作为栅极与源极和漏极之间的层间介质层。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述TFT基板还包括层间介质层，所述层间介质层设置于所述衬底基板上，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述层间介质层上还开设有缓冲孔，所述缓冲孔贯穿所述层间介质层，所述光吸收层填充在所述缓冲孔内。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述源极通过所述第一接触孔与所述有源层接触，所述漏极通过所述第二接触孔与所述有源层接触，所述缓冲孔包括第一缓冲孔和第二缓冲孔，所述第一缓冲孔和所述第二缓冲孔分别位于所述第一接触孔与所述第二接触孔的远离所述有源层的一侧。
8.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述TFT基板还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底基板，所述缓冲孔贯穿所述层间介质层并延伸至所述缓冲层，所述光吸收层通过所述缓冲孔与所述缓冲层接触。
9.一种OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上方形成有源层；
在所述有源层上依次形成栅极绝缘层和栅极；
在所述衬底基板上方形成一层光吸收层，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极；
在所述光吸收层上设置接触孔，在所述光吸收层上方沉积源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述接触孔与所述有源层接触；
在所述源极和所述漏极上制备OLED器件。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，
在形成所述有源层之前还包括步骤：在所述衬底基板上形成一层缓冲层；
在形成所述光吸收层之前还包括步骤：在所述衬底基板上形成层间介质层，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极；
在所述层间介质层开设缓冲孔，所述缓冲孔贯穿所述层间介质层并延伸至所述缓冲层，所述光吸收层填充至所述缓冲孔内，并与所述缓冲层接触。
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