CN109644536B - 反射电极和Al合金溅射靶 - Google Patents

反射电极和Al合金溅射靶 Download PDF

Info

Publication number
CN109644536B
CN109644536B CN201780052201.8A CN201780052201A CN109644536B CN 109644536 B CN109644536 B CN 109644536B CN 201780052201 A CN201780052201 A CN 201780052201A CN 109644536 B CN109644536 B CN 109644536B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
reflective
organic
reflective film
alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780052201.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109644536A (zh
Inventor
田内裕基
日野绫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Publication of CN109644536A publication Critical patent/CN109644536A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109644536B publication Critical patent/CN109644536B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/023—Alloys based on aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明的目的在于，提供一种在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，充分降低其驱动电压，并具有高反射率的反射电极。本发明涉及由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜构成的反射电极，其特征在于，所述反射膜的主面与所述透明导电膜的主面接触，并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.5原子％的稀土元素。

Description

反射电极和Al合金溅射靶
技术领域
本发明涉及用于有机EL显示器和有机EL照明等元件的反射电极和用于形成该反射电极的反射膜的Al合金溅射靶。
背景技术
有机EL显示器和有机EL照明是利用有机材料的电致发光现象的器件，对这些器件的要求是，提高元件的光提取效率而使耗电功率降低。
从与基板相反方向提取光的顶部发光型有机EL显示器等的元件中，反射电极上层叠有有机材料。为了使有机材料所发生的光在基板侧反射，提升提取效率，反射电极适合光反射率高的材料，作为构成该反射电极的反射膜，使用的是在可见光波长区域反射率高的Ag和Al。另外，由于反射膜还有兼任作为电极的作用和部分配线的情况，所以也同时要求有低电阻率。
Ag在金属之中虽然具有最高的反射率，但是为贵金属，材料价格高。因此，Al是仅次于Ag的反射率高的金属，适合作为反射膜材料。但是，将Al作为反射膜利用时，该反射膜因该透明导电膜中的氧而被氧化，在反射膜的表面会不可避免地形成Al氧化膜。由于该Al氧化膜的存在，导致在上述顶部发光型有机EL显示器等的元件中，与将Ag用于反射膜的元件相比，驱动电压变高。
因此，在专利文献1中提出，使钨和钼所构成的金属膜介于Al反射膜与透明导电膜之间，借助该金属膜防止因透明导电膜中的氧造成的Al反射膜的氧化。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本国特开2012－110904号公报
但是，在专利文献1所述的方法中，由于使电阻率高的钨膜和钼膜介于Al反射膜与透明导电膜之间，所以不能充分降低元件整体的驱动电压。
发明内容
本发明其目的在于，提供一种在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，能够充分降低其驱动电压，具有高反射率的反射电极。
本发明者们为了解决上述课题进行了锐意研究。其结果发现，能够使反射膜为Al中添加有Zn和稀土元素的Al合金，能够一边维持作为反射电极·配线所要求的高反射率和低电阻率，一边降低有机EL发光元件的驱动电压。
即，本发明是涉及一种反射电极，由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜构成，其中，所述反射膜的主面和所述透明导电膜的主面接触，并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.5原子％的稀土元素。
根据本发明，构成反射电极的反射膜的Al合金以规定的比例含有Zn。该Zn在反射膜的表面不均衡分布，使形成于反射膜的表面的Al氧化膜的致密性降低。使其绝缘性劣化。因此，将该反射电极用于有机EL显示器和有机EL照明等的元件时，能够降低该元件的驱动电压。
另外，现有的Al反射膜，由于其表面平滑性低，所以该反射膜的反射率低。另外，如上述，若含有Zn，则可以降低驱动电压，另一方面，因为表面平滑性降低，所以反射率降低。此外，如果使用含Al反射膜的反射电极形成元件等，则有机层的膜厚变得不均匀，具有含Al反射膜的反射电极的元件有可能会发生短路。
然而，在本发明中，因为构成反射膜的Al合金按规定的比例含有稀土元素，所以即使含有Zn，也能够使该反射膜的表面平滑性提高。因此，能够抑制上述这样的反射膜的反射率的降低。另外，能够实现有机层的平滑化，此外还能够基于此而抑制元件的短路。
还有在本发明的一个方式中，Al合金中包含的稀土元素，是能够从Nd、La、Ce和Y所构成的群中选择的至少一种。
在本发明的一个方式中，Al合金能够含有合计0.05～5.0原子％的Ni和Cu中的至少一种。Ni和Cu能够在提高反射电极的反射率之时的热处理中，抑制晶粒增大，或生成作为副产物的化合物。因此，Al合金，即由该Al合金构成的反射膜，还有反射电极在热处理后的电阻率，也能够抑制得很低，能够抑制具有该反射电极的有机EL显示器和有机EL照明等的元件的驱动电压的上升。
构成本发明的反射电极的反射膜，能够由任意的方法形成，例如能够使用同组成的Al合金溅射靶，通过溅射法形成。
还有，表示数值范围的所谓“～”，按包括其前后所述的数值作为下限值和上限值的意思使用，除非特别规定，否则在本说明书中“～”均以同样的意思使用。
以上，根据本发明，能够提供在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，充分降低其驱动电压，并具有高反射率的反射电极。
具体实施方式
以下，在发明的实施方式中，详细地说明本发明。还有，以下“原子％”和“at原子％”为同义。
＜反射膜＞
(Zn量)
构成反射电极的反射膜的Al合金，在3原子％以上且12原子％以下的范围含有Zn。低于3原子％时，与ITO等的透明导电膜的电连接的改善效果不充分，具有该反射电极的有机EL显示器和有机EL照明等的元件没有驱动电压改善的效果。高于12原子％时，反射率降低，此外Al合金的电阻率增大，其结果是，反射膜，即反射电极的电阻率增大，具有该反射电极的有机EL显示器和有机EL照明等的元件的驱动电压会上升。
还有，Zn量在高于12原子％的范围时元件的驱动电压上升的原因不确定，但考虑是由于Zn的稠化过大，氧化膜的膜厚增加等而阻挡层增加。Zn量优选为4原子％以上，优选为11原子％以下。
另外，如上述，构成反射电极的反射膜的Al合金以上述的比例含有Zn，从而降低元件的驱动电压，是由于Zn在反射膜的表面不均衡分布，使形成于反射膜的表面的Al氧化膜的致密性降低而使其绝缘性劣化，改善了与透明导电膜的电连接。
(稀土元素)
构成反射电极的反射膜的Al合金，在合计0.01原子％以上、0.5原子％以下的范围含有稀土元素。由于Zn的添加，例如在100nm以上的高膜厚成膜时，有表面的粗糙加大的倾向，但通过稀土元素的添加，抑制成膜中的晶粒增加，使薄膜的组织微细化，从而改善了膜表面的平滑性。另外具有的效果是，抑制热处理带来的结晶生长，即使在热处理后，仍维持高平滑性。因此，通过在上述范围含有稀土元素，能够将反射膜，即反射电极的反射率保持得充分高，并且使用反射膜形成元件等时，能够避免元件的短路。
稀土元素的含量的合计优选为0.05原子％以上，优选为0.3原子％以下。另外，作为添加元素，稀土元素之中，特别优选的是从Nd、La、Ce和Y所构成的群中选择的至少一种。
还有，稀土元素的含量的合计低于0.01原子％时，微细化的效果少，高于0.5原子％时，反射率降低的程度变大。
(Ni和Cu)
构成反射电极的反射膜的Al合金中，优选含有合计为0.05原子％以上且5.0原子％以下的Ni和Cu中的至少一种，。反射电极，为了使其反射率提高，例如在250℃左右进行热处理。但是，反射膜以上述的含有比例含有Ni和Cu中的至少一种，能够抑制反射膜的表面上形成氧化层而保证导电性，并抑制晶粒的增大而使之微细化，此外还能够使作为副产物的化合物分散。因此，Al合金，即由该Al合金构成的反射膜，还有反射电极在热处理后的电阻率也能够抑制得很低，能够抑制具有该反射电极的有机EL显示器和有机EL照明等的元件的驱动电压的上升。
Ni和Cu的添加量的合计为0.05原子％以上，能够充分发挥上述作用效果，因此优选。另外，通过为5.0原子％以下，能够维持反射率的高度，因此优选。更优选为0.1原子％以上，更优选为3.0原子％以下。
(反射电极的特性)
优选反射电极的电阻率为10μΩ·cm以下，更优选为9μΩ·cm以下，进一步优选为8μΩ·cm以下。由此，能够抑制有机EL显示器和有机EL照明等的元件的驱动电压的上升。
另外，作为反射电极使用时，优选在膜厚100nm以上的薄膜中，由测量波长550nm代表的反射率为85％以上，更优选为88％以上。由此，能够使有机EL显示器和有机EL照明等的元件的有机材料所发生的光的提取效率提高。
另外，作为有机EL元件时的驱动电压，在50mA/cm2的面积电流密度下，优选为9V以下。
＜透明导电膜＞
关于透明导电膜，其主面和反射膜的主面接触，一般来说，在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，在反射膜上层叠有透明导电膜。
透明导电膜能够使用通用的材料，例如ITO(Sn掺杂In2O3)、Ga掺杂ZnO、Sb掺杂SnO等的材料。
＜反射电极的制造＞
构成反射电极的反射膜和透明导电膜，能够使用溅射法和离子镀敷法等的物理蒸镀法，CVD法等的化学蒸镀法等的通用的方法成膜，由此能够形成反射电极。其中，优选可以容易控制，膜厚和组成也易于控制的溅射法。
使用溅射法形成反射电极时，例如形成由上述成分组成的Al合金构成的反射膜时，准备与构成该反射膜的Al合金有相同的成分组成的溅射靶，在规定的条件下使该溅射靶发生溅射而能够得到作为目标的反射膜。
具体来说，准备Al合金溅射靶，其在3原子％以上且12原子％以下的范围含有Zn，并且在0.01原子％以上且0.5原子％以下的范围含有稀土元素，此外根据需要，作为合计的含量而在0.05原子％以上且5.0原子％以下的范围含有Ni和Cu中的至少任意一者，使该溅射靶在规定的条件下发生溅射，而得到作为目标的反射膜。另外，根据需要，准备除了上述以外，还含有从Nd、La、Ce和Y所构成的群中选择的至少一种作为稀土元素的Al合金溅射靶，使该溅射靶在规定的条件下发生溅射而得到作为目标的反射膜。
使用溅射法形成透明导电膜时，也准备与该透明导电膜具有相同成分组成的溅射靶，使该溅射靶在规定的条件下发生溅射，由此能够得到作为目标的透明导电膜。
还有，通过溅射成膜透明导电膜等的氧化物膜时，有发生膜中缺氧等的情况，因此成膜中适宜供给氧气等的反应性气体。
上述Al合金溅射靶等中，除了上述成分组成以外，还含有在制造过程等之中不可避免地混入的元素，例如Fe、Si等。还有，这样的不可避免的杂质的比例，一般为0.03重量％以下，优选为0.01重量％以下。
上述靶的形状，包括根据溅射装置的形状和构造而加工成任意形状的(例如，矩形平板状、圆形平板状和环形平板状等)
作为上述靶的制造方法，例如，可列举以熔铸法、粉末烧结法、喷射成形法制造由Al基合金构成的铸锭而得到的方法，和制造Al基合金所构成的预成型坯(得到最终的致密体之前的中间体)后，通过致密化手段使该预成型坯致密化而得到的方法。
【实施例】
(1)有机EL元件的制造
在玻璃基板(コーニングEagleXG)上，形成厚度200nm的由表1和表2所示的成分组成的Al合金构成的反射膜(阳极电极)后，接着形成10nm的ITO作为透明导电膜。其后，进行图案化，形成2mm宽的配线。接着，使用红外灯热处理炉，在氮气氛中，以250℃进行1小时的热处理。之后，通过UV灯照射进行了表面清洁。
接下来，通过真空蒸镀法，在透明导电膜上，以60nm的膜厚形成α－NPD(α－naphtyl phenil diamine：α－萘基苯基二胺)作为空穴传输层后，以50nm的厚度形成Alq3(8－hydroxy quinorine alminum：8-羟基喹啉铝)作为发光层，以0.6nm的厚度形成LiF作为电子注入层，最后使Al形成为100nm的厚度作为阴极电极。这些蒸镀层使用2mm宽的掩模形成，制作拥有2mm×2mm的发光区域的有机EL元件。
还有，反射膜使用直径4英寸的Al合金靶，以3～6W/cm2的输入功率进行溅射成膜。同样，透明导电膜使用直径4英寸的ITO靶，以3～6W/cm2的输入功率进行溅射成膜。
(2)测量和评价
以如下方式，测量上述这样得到的有机EL元件的驱动电压和反射膜(反射电极)的反射率、电阻率。
反射率：由日本分光制V－570分光光度计测量绝对反射率，表的值为波长450nm时的值(代表值)
电阻率：四探针法
驱动电压：使用HP社制半导体参数分析仪(HP4156A)，使电压摆动范围为0V－14V，测量元件的电流电压，得到各元件的电压-电流特性。
基于以上这样的测量，反射率为85％以上，电阻率在9μΩ·cm以下的合格。另外，驱动电压在50mA/cm2的面积电流密度下，为9V以下的合格。测量结果显示在表1和表2中。
【表1】
Figure BDA0001977565820000071
【表2】
Figure BDA0001977565820000081
由表1可知，构成反射电极的反射膜的Al合金中的Zn量、稀土元素量和Ni、Cu量满足本发明的要件的实施例1～7，即使在热处理后，仍显示出良好的反射率、电阻率和驱动电压。
另一方面，由表2可知，由纯Al构成反射膜而成的比较例1和比较例4中，因为反射膜，即反射电极不含Zn元素，所以元件的驱动电压显示出高于14V或达10.2V这样的高值。
另外，不含稀土元素的比较例2、3、5、6和7，因为反射膜的表面平滑性不充分，所以反射率低。
此外，不含Zn，而大量含有Ni的比较例8中，反射膜，即反射电极的反射率变低。Zn量超出本发明的范围的比较例9中，也是反射膜，即反射电极的反射率低，此外驱动电压高。
以上，基于上述具体例详细地说明了本发明，但本发明不受上述具体例限定，只要不脱离本发明的范畴，可以进行一切变形和变更。本申请基于2016年8月26日申请的日本专利申请(特愿2016－166148)，其内容作为参照而编入。

Claims (3)

1.一种反射电极，其特征在于，是由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜形成的反射电极，
所述反射膜的主面与所述透明导电膜的主面接触，
并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.3原子％的稀土元素，
所述稀土元素是从Nd、La、Ce和Y所构成的群中选择的至少一种，反射率为85％以上。
2.根据权利要求1所述的反射电极，其特征在于，所述Al合金中，含有合计0.05～5.0原子％的Ni和Cu中的至少一种。
3.一种Al合金溅射靶，其特征在于，形成权利要求1或2所述的反射电极中的所述反射膜。
CN201780052201.8A 2016-08-26 2017-08-22 反射电极和Al合金溅射靶 Active CN109644536B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016166148A JP2018032601A (ja) 2016-08-26 2016-08-26 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
JP2016-166148 2016-08-26
PCT/JP2017/029839 WO2018038067A1 (ja) 2016-08-26 2017-08-22 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109644536A CN109644536A (zh) 2019-04-16
CN109644536B true CN109644536B (zh) 2021-03-19

Family

ID=61244858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780052201.8A Active CN109644536B (zh) 2016-08-26 2017-08-22 反射电极和Al合金溅射靶

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2018032601A (zh)
KR (1) KR102150380B1 (zh)
CN (1) CN109644536B (zh)
TW (1) TWI650230B (zh)
WO (1) WO2018038067A1 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1508615A (zh) * 2002-12-19 2004-06-30 株式会社神户制钢所 电子器件及其制造方法、溅射靶
CN1825622A (zh) * 2005-02-25 2006-08-30 三菱电机株式会社 有机电致发光型显示装置
CN101281913A (zh) * 2005-02-17 2008-10-08 株式会社神户制钢所 显示器和用于制备该显示器的溅射靶
CN102165847A (zh) * 2008-11-10 2011-08-24 株式会社神户制钢所 用于有机el显示器的反射阳极电极及其制造方法
TW201420794A (zh) * 2012-09-13 2014-06-01 Kobe Steel Ltd 有機電激發元件之陽極電極用Ａｌ合金膜，有機電激發元件及Ａｌ合金濺鍍靶材

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3634208B2 (ja) * 1999-09-21 2005-03-30 真空冶金株式会社 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット
KR100546662B1 (ko) * 2003-08-05 2006-01-26 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
JP4117001B2 (ja) * 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
EP2197059A4 (en) * 2007-10-02 2012-08-08 Ulvac Inc ORGANIC EL ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC EL ELEMENT
JP5007246B2 (ja) * 2008-01-31 2012-08-22 三菱電機株式会社 有機電界発光型表示装置及びその製造方法
JP2010225572A (ja) * 2008-11-10 2010-10-07 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜
JP2010192413A (ja) * 2009-01-22 2010-09-02 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
JP5235011B2 (ja) * 2009-11-16 2013-07-10 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極
JP2012110904A (ja) 2010-11-19 2012-06-14 Neturen Co Ltd 金属パイプ成形体、金属パイプ構造体及びそれらの製造方法
JP2012211378A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Kobe Steel Ltd Ｃｕ合金膜、及びそれを備えた表示装置または電子装置
CN103548420B (zh) * 2011-05-24 2016-08-17 株式会社神户制钢所 含有有机el显示器用的反射阳极电极的配线结构
JP5141794B2 (ja) * 2011-06-10 2013-02-13 三菱マテリアル株式会社 有機ｅｌ用透明導電膜およびこの透明導電膜を用いた有機ｅｌ素子
WO2014080933A1 (ja) * 2012-11-21 2014-05-30 株式会社コベルコ科研 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット
KR20160067958A (ko) * 2013-11-12 2016-06-14 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 전극 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1508615A (zh) * 2002-12-19 2004-06-30 株式会社神户制钢所 电子器件及其制造方法、溅射靶
CN101281913A (zh) * 2005-02-17 2008-10-08 株式会社神户制钢所 显示器和用于制备该显示器的溅射靶
CN1825622A (zh) * 2005-02-25 2006-08-30 三菱电机株式会社 有机电致发光型显示装置
CN102165847A (zh) * 2008-11-10 2011-08-24 株式会社神户制钢所 用于有机el显示器的反射阳极电极及其制造方法
TW201420794A (zh) * 2012-09-13 2014-06-01 Kobe Steel Ltd 有機電激發元件之陽極電極用Ａｌ合金膜，有機電激發元件及Ａｌ合金濺鍍靶材

Also Published As

Publication number Publication date
CN109644536A (zh) 2019-04-16
JP2018032601A (ja) 2018-03-01
TWI650230B (zh) 2019-02-11
KR20190034255A (ko) 2019-04-01
WO2018038067A1 (ja) 2018-03-01
KR102150380B1 (ko) 2020-09-01
TW201815567A (zh) 2018-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6764200B2 (ja) 金属酸化物の薄膜、該薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池、および薄膜の製造方法
JP4888119B2 (ja) 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス
WO2010021106A1 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、トランジスタ基板、発光装置、および、表示装置
TWI513834B (zh) 透明導電膜
TW201345015A (zh) 用於ｏｌｅｄ之透明陽極
TWI689121B (zh) 有機el顯示器用的反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機電致發光顯示器及濺鍍靶
JP3918721B2 (ja) 透明導電性薄膜、その製造方法と製造用焼結体ターゲット、及び有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
CN112018260B (zh) 反射阳极电极、薄膜晶体管、有机el显示器及溅镀靶材
JP6440169B2 (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
CN114122272A (zh) 复合材料及电致发光器件
CN109644536B (zh) 反射电极和Al合金溅射靶
KR20160090348A (ko) 광 추출 전극을 가진 유기 발광 다이오드
CN112714965B (zh) 发光装置、发光装置的制造方法
US20150207105A1 (en) Scattering conductive support for oled device, and oled device incorporating it
JP2012059470A (ja) 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極
WO2015037582A1 (ja) 有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット
WO2021025040A1 (ja) 積層膜
TW202347771A (zh) 半導體膜及半導體膜之製造方法
TW202109934A (zh) 層合膜
WO2014038560A1 (ja) 有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の反射電極の製造方法、および有機ＥＬ素子の反射電極形成用Ａｌ合金スパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant