JPH04252440A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH04252440A JPH04252440A JP3008383A JP838391A JPH04252440A JP H04252440 A JPH04252440 A JP H04252440A JP 3008383 A JP3008383 A JP 3008383A JP 838391 A JP838391 A JP 838391A JP H04252440 A JPH04252440 A JP H04252440A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 16
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 58
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- -1 hexafluoroantimonate ion Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SHWZFQPXYGHRKT-FDGPNNRMSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;nickel Chemical compound [Ni].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O SHWZFQPXYGHRKT-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- ORIHZIZPTZTNCU-VMPITWQZSA-N 2-[(E)-hydroxyiminomethyl]phenol Chemical compound O\N=C\C1=CC=CC=C1O ORIHZIZPTZTNCU-VMPITWQZSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UTGQNNCQYDRXCH-UHFFFAOYSA-N N,N'-diphenyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound C=1C=C(NC=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 UTGQNNCQYDRXCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical group [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001004 polyvinyl nitrate Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に係わり
、特に記録部に顕著な光学的特性の変化が得られ、かつ
耐光性ならびに耐熱性に優れた再生可能な追記型コンパ
クトディスク等の光情報記録媒体に関する。
、特に記録部に顕著な光学的特性の変化が得られ、かつ
耐光性ならびに耐熱性に優れた再生可能な追記型コンパ
クトディスク等の光情報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、高い反射率を持ち、データ(記録
情報)の再生に際してCD(コンパクトディスク)フォ
ーマットに準拠する出力信号が得られる書き込み可能な
光情報記録媒体、いわゆる追記型CDの開発が活発に行
われている。この追記型CDの構成は、例えば特開昭6
0−204394号公報に提案されているごとく、所定
形状をした透明基板の片面に、有機色素系ヒートモード
記録材料からなる記録層と、金属材料からなる反射層と
を順次積層して形成したものである。
情報)の再生に際してCD(コンパクトディスク)フォ
ーマットに準拠する出力信号が得られる書き込み可能な
光情報記録媒体、いわゆる追記型CDの開発が活発に行
われている。この追記型CDの構成は、例えば特開昭6
0−204394号公報に提案されているごとく、所定
形状をした透明基板の片面に、有機色素系ヒートモード
記録材料からなる記録層と、金属材料からなる反射層と
を順次積層して形成したものである。
【0003】この種の光情報記録媒体では、透明基板側
から、レーザ光などの記録用放射線ビームを情報信号に
応じて照射して、記録層を変形、溶融、分解、昇華ある
いは変性させることにより記録ピットを形成してデータ
記録を行うものである。そして、記録したデータを再生
する場合には、上記透明基板側から記録時よりもパワー
の弱いレーザ光を照射し、上記記録ピットとそれ以外の
部分との反射光の違いにより、記録信号を光学的に読み
取るものである。
から、レーザ光などの記録用放射線ビームを情報信号に
応じて照射して、記録層を変形、溶融、分解、昇華ある
いは変性させることにより記録ピットを形成してデータ
記録を行うものである。そして、記録したデータを再生
する場合には、上記透明基板側から記録時よりもパワー
の弱いレーザ光を照射し、上記記録ピットとそれ以外の
部分との反射光の違いにより、記録信号を光学的に読み
取るものである。
【0004】しかし、従来の追記型光情報記録媒体の記
録、再生において、レーザ光の特定の波長(700〜8
50nm)領域における光の干渉効果を利用して記録部
に高い光学的変調度を得る方式であるので、記録前と記
録後においてその特定波長における反射率の変化が大き
くないと高い再生出力信号が得られないという問題があ
った。
録、再生において、レーザ光の特定の波長(700〜8
50nm)領域における光の干渉効果を利用して記録部
に高い光学的変調度を得る方式であるので、記録前と記
録後においてその特定波長における反射率の変化が大き
くないと高い再生出力信号が得られないという問題があ
った。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、従来
の有機色素系ヒートモード記録材料よりなる記録層と、
金属材料よりなる反射層を有する追記型の光情報記録媒
体において、記録に用いるレーザ光の特定波長における
干渉効果を利用して記録部に高い光学的変調度を得る方
式であるので、用いる光の波長依存性が大きく、その特
定波長における反射率が大きくないと高い再生出力信号
が得られないという問題があった。
の有機色素系ヒートモード記録材料よりなる記録層と、
金属材料よりなる反射層を有する追記型の光情報記録媒
体において、記録に用いるレーザ光の特定波長における
干渉効果を利用して記録部に高い光学的変調度を得る方
式であるので、用いる光の波長依存性が大きく、その特
定波長における反射率が大きくないと高い再生出力信号
が得られないという問題があった。
【0006】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解消し、透明基板の片面に、少なくとも有機色素
系ヒートモード記録材料を主成分としてなる記録層と、
金属材料よりなる反射層を有する再生可能な追記型の光
情報記録媒体において、記録に用いるレーザ光の波長依
存性が少なく、記録部に顕著な光学的特性の変化が得ら
れ、かつ再生反射率が高く、耐光性ならびに耐熱性に優
れた再生可能な追記型コンパクトディスク等の光情報記
録媒体を提供することにある。
題点を解消し、透明基板の片面に、少なくとも有機色素
系ヒートモード記録材料を主成分としてなる記録層と、
金属材料よりなる反射層を有する再生可能な追記型の光
情報記録媒体において、記録に用いるレーザ光の波長依
存性が少なく、記録部に顕著な光学的特性の変化が得ら
れ、かつ再生反射率が高く、耐光性ならびに耐熱性に優
れた再生可能な追記型コンパクトディスク等の光情報記
録媒体を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、透明基板の片面に、少なくとも有機色素系
ヒートモード記録材料を含有する記録層と、この記録層
上に、光の反射と光熱変換の両特性を有する金属材料か
らなる反射層を設け、上記記録層における特定波長の記
録用レーザ光の吸収率を、上記反射層における上記レー
ザ光の吸収率よりも小さく設定した構造の光情報記録媒
体とするものである。
するために、透明基板の片面に、少なくとも有機色素系
ヒートモード記録材料を含有する記録層と、この記録層
上に、光の反射と光熱変換の両特性を有する金属材料か
らなる反射層を設け、上記記録層における特定波長の記
録用レーザ光の吸収率を、上記反射層における上記レー
ザ光の吸収率よりも小さく設定した構造の光情報記録媒
体とするものである。
【0008】また、本発明の光情報記録媒体において、
上記記録層と反射層との間に、上記透明基板よりも低い
温度で熱変形または変性する高分子材料よりなる中間層
を設けることもできる。
上記記録層と反射層との間に、上記透明基板よりも低い
温度で熱変形または変性する高分子材料よりなる中間層
を設けることもできる。
【0009】このような構造にすることにより、本発明
の光情報記録媒体におけるデータ(情報)の記録は、上
記反射層と記録層、もしくは反射層と中間層と記録層と
の間で行われ、記録用レーザ光の照射によって、光の反
射と光熱変換の両特性を持つ反射層によって主に記録用
レーザ光を吸収して熱エネルギーを発生し、この熱エネ
ルギーによって記録層を構成している色素材料または中
間層を構成している高分子材料を局部的に変形、溶融、
蒸発、分解、昇華あるいは変性することにより、顕著な
光学的特性の変化を示す整った形状の記録ピットを形成
させるものである。
の光情報記録媒体におけるデータ(情報)の記録は、上
記反射層と記録層、もしくは反射層と中間層と記録層と
の間で行われ、記録用レーザ光の照射によって、光の反
射と光熱変換の両特性を持つ反射層によって主に記録用
レーザ光を吸収して熱エネルギーを発生し、この熱エネ
ルギーによって記録層を構成している色素材料または中
間層を構成している高分子材料を局部的に変形、溶融、
蒸発、分解、昇華あるいは変性することにより、顕著な
光学的特性の変化を示す整った形状の記録ピットを形成
させるものである。
【0010】また、有機色素系ヒートモード記録材料よ
りなる記録層を、吸収波長の異なる2種類以上の色素材
料によって構成することにより、用いるレーザ光の波長
依存性は低減され、かつ光学的特性の変化が顕著な記録
ピットを形成することによって、記録前と記録後とに大
きな反射率変化が得られ、高い再生出力を得ることがで
きる。
りなる記録層を、吸収波長の異なる2種類以上の色素材
料によって構成することにより、用いるレーザ光の波長
依存性は低減され、かつ光学的特性の変化が顕著な記録
ピットを形成することによって、記録前と記録後とに大
きな反射率変化が得られ、高い再生出力を得ることがで
きる。
【0011】本発明の光情報記録媒体は、光の反射層に
光熱変換特性を与えて、記録用レーザ光の発熱を助長し
、低温で熱変形あるいは変性する記録層または中間層で
記録ピットを形成させるため、記録に要するエネルギー
が少なくて済み、また従来の耐熱性のある透明基板を高
温で熱変形または変性させてデータ記録を行う方式に比
べ、記録に要するエネルギーが極めて小さくて良く、こ
れに伴って、記録パワーの低減化をはかることができ、
さらに高密度記録化がはかり易いという優れた長所を有
するものである。
光熱変換特性を与えて、記録用レーザ光の発熱を助長し
、低温で熱変形あるいは変性する記録層または中間層で
記録ピットを形成させるため、記録に要するエネルギー
が少なくて済み、また従来の耐熱性のある透明基板を高
温で熱変形または変性させてデータ記録を行う方式に比
べ、記録に要するエネルギーが極めて小さくて良く、こ
れに伴って、記録パワーの低減化をはかることができ、
さらに高密度記録化がはかり易いという優れた長所を有
するものである。
【0012】本発明の光情報記録媒体において、光の反
射と光熱変換の両特性を有する金属材料からなる反射層
は、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウ
ム(Al)のうちより選ばれる少なくとも1種の金属を
主成分とする合金からなるものが好ましく、さらに、A
u、Ag、Cu、Alのうちから選択される少なくとも
1種の元素と、ゲルマニウム(Ge)、ケイ素(Si)
、スズ(Sn)、鉛(Pb)、ガリウム(Ga)、イン
ジウム(In)、タリウム(Tl)、アンチモン(Sb
)、ビスマス(Bi)、亜鉛(Zn)のうちから選択さ
れる少なくとも1種の元素とを主成分とする合金からな
る薄膜を好適に用いることができる。
射と光熱変換の両特性を有する金属材料からなる反射層
は、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウ
ム(Al)のうちより選ばれる少なくとも1種の金属を
主成分とする合金からなるものが好ましく、さらに、A
u、Ag、Cu、Alのうちから選択される少なくとも
1種の元素と、ゲルマニウム(Ge)、ケイ素(Si)
、スズ(Sn)、鉛(Pb)、ガリウム(Ga)、イン
ジウム(In)、タリウム(Tl)、アンチモン(Sb
)、ビスマス(Bi)、亜鉛(Zn)のうちから選択さ
れる少なくとも1種の元素とを主成分とする合金からな
る薄膜を好適に用いることができる。
【0013】そして、上記合金からなる反射層の膜厚は
10〜150nmの範囲が好ましく、10nm未満では
ピンホールなどが発生しやすく、このピンホールを通っ
て水やその他の異物が記録層や中間層に侵入してエラー
の発生の原因となり、また反射層上にオーバコート層を
設ける場合には、オーバコート材が上記ピンホールを通
って記録層や中間層に侵入し汚染するおそれがあるので
好ましくない。反射層の膜厚が150nmを超えると光
熱変換により発生した熱の伝導性が頭打ちとなり、それ
以上厚くしても効果が少なく、また反射層自身の熱容量
が大きくなり過ぎて記録層や中間層への熱の伝達が悪く
なり光学的変調性に優れた記録ピットの形成が難しくな
るので好ましくない。
10〜150nmの範囲が好ましく、10nm未満では
ピンホールなどが発生しやすく、このピンホールを通っ
て水やその他の異物が記録層や中間層に侵入してエラー
の発生の原因となり、また反射層上にオーバコート層を
設ける場合には、オーバコート材が上記ピンホールを通
って記録層や中間層に侵入し汚染するおそれがあるので
好ましくない。反射層の膜厚が150nmを超えると光
熱変換により発生した熱の伝導性が頭打ちとなり、それ
以上厚くしても効果が少なく、また反射層自身の熱容量
が大きくなり過ぎて記録層や中間層への熱の伝達が悪く
なり光学的変調性に優れた記録ピットの形成が難しくな
るので好ましくない。
【0014】本発明の光情報記録媒体において、記録層
と反射層との間に設ける中間層は、透明基板の熱変形温
度よりも低温で熱変形または変性する高分子材料である
ことが好ましく、このような特性を有するものであれば
任意の高分子材料を用いることができる。具体的には、
例えばポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、
ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、
ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピ
レングリコール、メチルセルロースまたはポリビニルナ
イトレートなどの水溶性高分子材料が特に好ましい。
と反射層との間に設ける中間層は、透明基板の熱変形温
度よりも低温で熱変形または変性する高分子材料である
ことが好ましく、このような特性を有するものであれば
任意の高分子材料を用いることができる。具体的には、
例えばポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、
ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、
ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピ
レングリコール、メチルセルロースまたはポリビニルナ
イトレートなどの水溶性高分子材料が特に好ましい。
【0015】そして、上記中間層の膜厚は、20〜15
0nmの範囲が好ましく、20nm未満ではピンホール
が発生しやすく、これが光学的エラーの発生の原因とな
り、また150nmを超えると光学的特性が変化しやす
くなるので好ましくない。
0nmの範囲が好ましく、20nm未満ではピンホール
が発生しやすく、これが光学的エラーの発生の原因とな
り、また150nmを超えると光学的特性が変化しやす
くなるので好ましくない。
【0016】本発明の光情報記録媒体の記録層を構成す
る有機色素系ヒートモード記録材料は、例えばポリメチ
ン系色素、アントラキノン系色素、シアニン系色素、フ
タロシアニン系色素、キサンテン系色素、トリフェニル
メタン系色素、ピリリウム系色素、アズレン系色素、含
金属アゾ染料などを挙げることができる。
る有機色素系ヒートモード記録材料は、例えばポリメチ
ン系色素、アントラキノン系色素、シアニン系色素、フ
タロシアニン系色素、キサンテン系色素、トリフェニル
メタン系色素、ピリリウム系色素、アズレン系色素、含
金属アゾ染料などを挙げることができる。
【0017】そして、上記色素材料のうちから所定の吸
収波長を持つ色素材料を1種類以上、または吸収波長の
異なる色素材料を2種類以上混合して用いることができ
る。
収波長を持つ色素材料を1種類以上、または吸収波長の
異なる色素材料を2種類以上混合して用いることができ
る。
【0018】本発明の有機色素系ヒートモード記録材料
よりなる記録層中に、一重項酸素クエンチャー、アミニ
ウム系色素、酸化防止剤(還元性を有する酸化防止剤も
含む)のうちから選択される少なくとも1種の色素劣化
抑制剤を、有機色素系ヒートモード記録材料100重量
部に対し、100重量部以下の範囲で添加することがで
きる。なお、上記色素劣化防止剤の添加量が100重量
部を超えると記録層の光学的特性が変化し記録特性が低
下するので好ましくない。
よりなる記録層中に、一重項酸素クエンチャー、アミニ
ウム系色素、酸化防止剤(還元性を有する酸化防止剤も
含む)のうちから選択される少なくとも1種の色素劣化
抑制剤を、有機色素系ヒートモード記録材料100重量
部に対し、100重量部以下の範囲で添加することがで
きる。なお、上記色素劣化防止剤の添加量が100重量
部を超えると記録層の光学的特性が変化し記録特性が低
下するので好ましくない。
【0019】本発明の有機色素系ヒートモード記録材料
よりなる記録層、および該記録層に、上記一重項酸素ク
エンチャー、有機アミニウム系色素、酸化防止剤などを
添加した記録層の膜厚は、30〜150nmの範囲が好
ましく、30nm未満では記録層の劣化が著しくなるの
で好ましくなく、記録層の厚さが大きい程その劣化は小
さいが、記録層を厚くしすぎると記録層の光学的特性が
変化しやすくなるので、通常の場合は150nm以下が
望ましい。
よりなる記録層、および該記録層に、上記一重項酸素ク
エンチャー、有機アミニウム系色素、酸化防止剤などを
添加した記録層の膜厚は、30〜150nmの範囲が好
ましく、30nm未満では記録層の劣化が著しくなるの
で好ましくなく、記録層の厚さが大きい程その劣化は小
さいが、記録層を厚くしすぎると記録層の光学的特性が
変化しやすくなるので、通常の場合は150nm以下が
望ましい。
【0020】本発明の有機色素系ヒートモード記録材料
に添加する一重項酸素クエンチャーとして、種々の化合
物を用いることができるが、特に記録層の安定性や耐光
性の向上効果が大きいこと、および長波長の書き込み用
レーザ光の吸収率が増大すること、さらには再生劣化が
減少すること、および色素との相溶性が良好であること
などから遷移金属キレート化合物を用いることが好まし
い。なお、遷移金属キレート化合物としては、700〜
850nmに極大吸収波長を持つものが好ましく、上記
キレート化合物の中心金属としては、Ni、Co、Cu
、Mn等を含むものが好適で、例えば、アセチルアセト
ナートキレート系、ビスジチオ−α−ジケトン系、ビス
フェニルジチオール系、サリチルアルデヒドオキシム系
、チオビスフェノレートキレート系などの化合物が用い
られる。
に添加する一重項酸素クエンチャーとして、種々の化合
物を用いることができるが、特に記録層の安定性や耐光
性の向上効果が大きいこと、および長波長の書き込み用
レーザ光の吸収率が増大すること、さらには再生劣化が
減少すること、および色素との相溶性が良好であること
などから遷移金属キレート化合物を用いることが好まし
い。なお、遷移金属キレート化合物としては、700〜
850nmに極大吸収波長を持つものが好ましく、上記
キレート化合物の中心金属としては、Ni、Co、Cu
、Mn等を含むものが好適で、例えば、アセチルアセト
ナートキレート系、ビスジチオ−α−ジケトン系、ビス
フェニルジチオール系、サリチルアルデヒドオキシム系
、チオビスフェノレートキレート系などの化合物が用い
られる。
【0021】次に、色素劣化抑制剤として用いるアミニ
ウム系色素は、下記の(化1)、(化2)の構造式で示
される化合物が好ましい。
ウム系色素は、下記の(化1)、(化2)の構造式で示
される化合物が好ましい。
【0022】
【化1】
【0023】
【化2】
【0024】(式中、Rは水素、アルキル基またはアリ
ル基を表わし、Xは過塩素酸イオン、ヘキサフルオロア
ンチモン酸イオン、ヘキサフルオロヒ酸イオン、フッ化
ホウ素酸イオンを表わす。)そして、具体的に、下記の
(化3)で示される化合物が特に好ましい。
ル基を表わし、Xは過塩素酸イオン、ヘキサフルオロア
ンチモン酸イオン、ヘキサフルオロヒ酸イオン、フッ化
ホウ素酸イオンを表わす。)そして、具体的に、下記の
(化3)で示される化合物が特に好ましい。
【0025】
【化3】
【0026】さらに、色素劣化抑制剤として用いる酸化
防止剤または還元性を有する酸化防止剤として、例えば
、インドール、共役6π電子系化合物、5員環共役ジエ
ンなどの共役ジエン、アリル型オレフィン、フェノール
誘導体、芳香族アミン誘導体などを好適に用いることが
できる。
防止剤または還元性を有する酸化防止剤として、例えば
、インドール、共役6π電子系化合物、5員環共役ジエ
ンなどの共役ジエン、アリル型オレフィン、フェノール
誘導体、芳香族アミン誘導体などを好適に用いることが
できる。
【0027】本発明の光情報記録媒体に用いられる基板
材料としては、ポリカーボネート、ポリメチンメタクリ
レート、ポリメチルペンテン、エポキシ等の透明樹脂材
料、あるいは透明ガラス材料、透明セラミック材料など
が挙げられる。
材料としては、ポリカーボネート、ポリメチンメタクリ
レート、ポリメチルペンテン、エポキシ等の透明樹脂材
料、あるいは透明ガラス材料、透明セラミック材料など
が挙げられる。
【0028】本発明の光情報記録媒体は、透明基板を熱
変形させてデータ記録を行う方法ではないので、透明基
板材料としては、任意に耐熱性に優れたものを随時適用
することができるので、記録媒体自身の耐熱性をいっそ
う向上させることが可能である。
変形させてデータ記録を行う方法ではないので、透明基
板材料としては、任意に耐熱性に優れたものを随時適用
することができるので、記録媒体自身の耐熱性をいっそ
う向上させることが可能である。
【0029】
【作用】本発明の光情報記録媒体は、反射層に光熱変換
特性を持つ特定の金属薄膜を用いているので、この反射
層において記録用レーザ光を吸収して熱エネルギーを発
生し、これが記録層にて発生する熱エネルギーと加わり
、低い温度で記録ピットが形成され易い有機色素系材料
よりなる記録層または高分子材料よりなる中間層を、局
部的に熱変形、溶融、蒸発、分解、昇華あるいは変性さ
せて、極めて効率よく光学的変調度に優れた記録ピット
を形成することができるので、従来の有機色素系材料よ
りなる記録層単独で記録用レーザ光のエネルギーを熱に
変換させ、透明基板などを熱変形または熱変性して記録
ピットを形成させる場合に比べ、記録に要するエネルギ
ーは極めて小さくて済み、これに伴って記録用パワーの
低減化と、さらには高密度記録化を達成することができ
る。
特性を持つ特定の金属薄膜を用いているので、この反射
層において記録用レーザ光を吸収して熱エネルギーを発
生し、これが記録層にて発生する熱エネルギーと加わり
、低い温度で記録ピットが形成され易い有機色素系材料
よりなる記録層または高分子材料よりなる中間層を、局
部的に熱変形、溶融、蒸発、分解、昇華あるいは変性さ
せて、極めて効率よく光学的変調度に優れた記録ピット
を形成することができるので、従来の有機色素系材料よ
りなる記録層単独で記録用レーザ光のエネルギーを熱に
変換させ、透明基板などを熱変形または熱変性して記録
ピットを形成させる場合に比べ、記録に要するエネルギ
ーは極めて小さくて済み、これに伴って記録用パワーの
低減化と、さらには高密度記録化を達成することができ
る。
【0030】また、記録層を構成する有機色素系ヒート
モード記録材料として、吸収波長の異なる2種類以上の
色素材料を混合して用いることにより、従来の特定波長
領域における干渉効果を利用して記録部に高い光学的変
調度を得る場合に比べ、用いる光の波長に依存されるこ
となく、高い再生反射率および再生出力が得られること
になる。
モード記録材料として、吸収波長の異なる2種類以上の
色素材料を混合して用いることにより、従来の特定波長
領域における干渉効果を利用して記録部に高い光学的変
調度を得る場合に比べ、用いる光の波長に依存されるこ
となく、高い再生反射率および再生出力が得られること
になる。
【0031】
【実施例】以下に本発明の一実施例を挙げ、図面を用い
てさらに詳細に説明する。
てさらに詳細に説明する。
【0032】〈実施例1〉図1は、本実施例において作
製した光ディスクの断面構成の一例を示す模式図で、以
下の手順により作製した。
製した光ディスクの断面構成の一例を示す模式図で、以
下の手順により作製した。
【0033】まず、ポリカーボネート製の円板状の透明
基板1を充填成形法により作製した。次に、透明基板1
のプリフォーマットパターン面に、シアニン系色素材料
をメタノールに溶解した溶液をスピンコートして、膜厚
が60nmの有機色素系記録層2を成膜した。ついで、
これを真空蒸着装置にセットし、有機色素系記録層2上
に、70at%Au−30at%Sn合金からなる膜厚
が50nmの反射層(合金薄膜層)3を形成した。さら
に、反射層3の上に、紫外線硬化樹脂であるアクリレー
ト樹脂溶液をスピンコートした後、紫外線を照射して硬
化させオーバコート層4を形成し光ディスクとした。な
お、オーバコート層4は、有機色素系記録層2と反射層
3の積層膜の表面部およびディスクの外周側および内周
側の端面部全面が被覆されるように形成させた。
基板1を充填成形法により作製した。次に、透明基板1
のプリフォーマットパターン面に、シアニン系色素材料
をメタノールに溶解した溶液をスピンコートして、膜厚
が60nmの有機色素系記録層2を成膜した。ついで、
これを真空蒸着装置にセットし、有機色素系記録層2上
に、70at%Au−30at%Sn合金からなる膜厚
が50nmの反射層(合金薄膜層)3を形成した。さら
に、反射層3の上に、紫外線硬化樹脂であるアクリレー
ト樹脂溶液をスピンコートした後、紫外線を照射して硬
化させオーバコート層4を形成し光ディスクとした。な
お、オーバコート層4は、有機色素系記録層2と反射層
3の積層膜の表面部およびディスクの外周側および内周
側の端面部全面が被覆されるように形成させた。
【0034】〈比較例1〉Auよりなる反射層3を形成
した他は、実施例1と同様にして光ディスクを作製した
。
した他は、実施例1と同様にして光ディスクを作製した
。
【0035】上記実施例1および比較例1において作製
した光ディスクを、ディスク駆動装置に装着し、記録、
再生特性を測定したところ、比較例1の光ディスクでは
良好な再生信号を得るのに必要な最小レーザパワー(膜
面上のパワー)が7mWであったのに対し、本発明の実
施例1の光ディスクでは5mWで良好な記録、再生特性
を得ることができた。なお、上記の記録、再生特性の測
定に際して、光ディスクとレーザビームスポットとの相
対速度を1.25m/sに調整し、案内溝上にレーザビ
ームスポットを合わせてデータ記録を行った。また、相
隣接する案内溝の間の平面部にレーザビームスポットを
合わせてデータ記録を行った場合には、上記の良好な再
生信号を得るのに必要なそれぞれの最小レーザパワー値
は増大した。
した光ディスクを、ディスク駆動装置に装着し、記録、
再生特性を測定したところ、比較例1の光ディスクでは
良好な再生信号を得るのに必要な最小レーザパワー(膜
面上のパワー)が7mWであったのに対し、本発明の実
施例1の光ディスクでは5mWで良好な記録、再生特性
を得ることができた。なお、上記の記録、再生特性の測
定に際して、光ディスクとレーザビームスポットとの相
対速度を1.25m/sに調整し、案内溝上にレーザビ
ームスポットを合わせてデータ記録を行った。また、相
隣接する案内溝の間の平面部にレーザビームスポットを
合わせてデータ記録を行った場合には、上記の良好な再
生信号を得るのに必要なそれぞれの最小レーザパワー値
は増大した。
【0036】上記実施例1の光ディスクでは、記録用レ
ーザ光が有機色素系記録層2で約10%、反射層で約3
0%吸収され、それぞれ吸収された光エネルギーが熱エ
ネルギーに変換され、主に反射層3において発生した熱
により、有機色素系記録層2の色素材料が溶融、蒸発あ
るいは分解して整った形状の穴または泡などよりなる光
学的に高い変調度を持つ記録ピットが形成された。そし
て、記録ピット列は、長さが0.9〜3.3μmで、間
隔が0.9〜3.3μmの良好な記録ピット列が得られ
た。
ーザ光が有機色素系記録層2で約10%、反射層で約3
0%吸収され、それぞれ吸収された光エネルギーが熱エ
ネルギーに変換され、主に反射層3において発生した熱
により、有機色素系記録層2の色素材料が溶融、蒸発あ
るいは分解して整った形状の穴または泡などよりなる光
学的に高い変調度を持つ記録ピットが形成された。そし
て、記録ピット列は、長さが0.9〜3.3μmで、間
隔が0.9〜3.3μmの良好な記録ピット列が得られ
た。
【0037】なお、上記記録ピット列に対応する透明基
板1または反射層3の部分には変形が認められなかった
。そして、有機色素系記録層2における記録後のピット
形状が記録特性に大きな影響を与え、特に案内溝上に記
録ピットを形成した場合と、平坦部に記録ピットを形成
した場合とでは記録特性に大きな違いが見られ、案内溝
上に記録ピットを形成した場合の方が再生信号に大きな
変調度を示した。
板1または反射層3の部分には変形が認められなかった
。そして、有機色素系記録層2における記録後のピット
形状が記録特性に大きな影響を与え、特に案内溝上に記
録ピットを形成した場合と、平坦部に記録ピットを形成
した場合とでは記録特性に大きな違いが見られ、案内溝
上に記録ピットを形成した場合の方が再生信号に大きな
変調度を示した。
【0038】さらに、反射層3にAu−Sn合金を用い
た実施例1の光ディスクにおいては、再生時の70〜9
0%の反射光に対して、記録ピット部を通過したレーザ
光の反射率は28〜36%で、60%以上の明暗を示し
、高い再生反射光の変調度と再生出力が得られた。
た実施例1の光ディスクにおいては、再生時の70〜9
0%の反射光に対して、記録ピット部を通過したレーザ
光の反射率は28〜36%で、60%以上の明暗を示し
、高い再生反射光の変調度と再生出力が得られた。
【0039】これに対し、比較例1の光ディスクでは、
記録用レーザ光を照射した透明基板の部分に記録ピット
が形成され、これに対応する反射層の部分に大きな熱変
形が見られ、記録、再生特性が著しく劣化されているこ
とを確認した。
記録用レーザ光を照射した透明基板の部分に記録ピット
が形成され、これに対応する反射層の部分に大きな熱変
形が見られ、記録、再生特性が著しく劣化されているこ
とを確認した。
【0040】また、反射層をAuのみで成膜した比較例
1の光ディスクでは、再生時の70〜90%の反射光に
対して、記録ピット部を通過したレーザ光の反射率は4
0〜60%で、30〜40%程度の明暗しか得られず、
再生反射光の変調度および再生出力は低下した。
1の光ディスクでは、再生時の70〜90%の反射光に
対して、記録ピット部を通過したレーザ光の反射率は4
0〜60%で、30〜40%程度の明暗しか得られず、
再生反射光の変調度および再生出力は低下した。
【0041】上記実施例1においては、光の反射と光熱
変換の両特性を持つ反射層としてAu−Sn合金を用い
たが、この他、Au、Ag、Cu、Alのうちから選択
される少なくとも1種の元素と、Ge、Si、Sn、P
b、Ga、In、Tl、Sb、Bi、Znのうちから選
択される少なくとも1種の元素とを主成分とする合金か
らなる薄膜を用いた場合においても、同様の効果が得ら
れた。
変換の両特性を持つ反射層としてAu−Sn合金を用い
たが、この他、Au、Ag、Cu、Alのうちから選択
される少なくとも1種の元素と、Ge、Si、Sn、P
b、Ga、In、Tl、Sb、Bi、Znのうちから選
択される少なくとも1種の元素とを主成分とする合金か
らなる薄膜を用いた場合においても、同様の効果が得ら
れた。
【0042】また、実施例1においては光ディスクを例
に挙げて説明したが、光カードなど他の形態の光情報記
録媒体に適用できることは言うまでもない。
に挙げて説明したが、光カードなど他の形態の光情報記
録媒体に適用できることは言うまでもない。
【0043】〈実施例2〉図2は、本実施例において作
製した光ディスクの断面構成の一例を示す模式図で、図
3は光ディスク全体の構成を示す模式図である。図にお
いて、有機色素系記録層2と反射層3との間に、架橋剤
を添加したポリビニルアルコールの水溶液をスピンコー
トし、その後、光照射により架橋反応を起こさせて、耐
水性ならびに適度の耐熱性を付与したポリビニルアルコ
ールよりなる膜厚が60nmの中間層5を形成した他は
、実施例1と同様にして光ディスクを作製した。
製した光ディスクの断面構成の一例を示す模式図で、図
3は光ディスク全体の構成を示す模式図である。図にお
いて、有機色素系記録層2と反射層3との間に、架橋剤
を添加したポリビニルアルコールの水溶液をスピンコー
トし、その後、光照射により架橋反応を起こさせて、耐
水性ならびに適度の耐熱性を付与したポリビニルアルコ
ールよりなる膜厚が60nmの中間層5を形成した他は
、実施例1と同様にして光ディスクを作製した。
【0044】このようにして作製した光ディスクを、実
施例1と同様の試験装置を用いて記録、再生特性を評価
したところ、良好な再生信号を得るのに必要な最小レー
ザパワーは5mW以下の低パワー化を実現することがで
き、中間層5と有機色素系記録層2に形成された記録ピ
ットの形状および配列も実施例1と同様に良好で、高い
再生反射光の変調度と再生出力信号が得られた。
施例1と同様の試験装置を用いて記録、再生特性を評価
したところ、良好な再生信号を得るのに必要な最小レー
ザパワーは5mW以下の低パワー化を実現することがで
き、中間層5と有機色素系記録層2に形成された記録ピ
ットの形状および配列も実施例1と同様に良好で、高い
再生反射光の変調度と再生出力信号が得られた。
【0045】〈実施例3〉有機色素系ヒートモード記録
材料として、680nmに極大吸収波長を持つシアニン
系色素と、685nmに極大吸収波長を持つシアニン系
色素とを等量混合した色素材料を用いて、記録層の膜厚
を、20nmから200nmの範囲で変え、10種類の
光ディスクを作製して、実施例1と同様の試験装置を用
いて記録、再生特性を評価した。その結果、記録層の膜
厚が30〜150nmの範囲で実施例1と同様の良好な
記録、再生特性が得られ、かつ低パワー化を実現するこ
とができた。特に、再生光の波長が770〜790nm
の範囲において高い再生反射光の変調度と再生出力が得
られ、著しく波長依存性を低減させることができた。 〈実施例4〉記録層を構成する有機色素系ヒートモード
記録材料100重量部に対し、100重量部、60重量
部と30重量部の下記の色素劣化抑制剤の少なくとも1
種を添加して記録層を形成した他は、実施例1と同様に
して光ディスクを作製した。
材料として、680nmに極大吸収波長を持つシアニン
系色素と、685nmに極大吸収波長を持つシアニン系
色素とを等量混合した色素材料を用いて、記録層の膜厚
を、20nmから200nmの範囲で変え、10種類の
光ディスクを作製して、実施例1と同様の試験装置を用
いて記録、再生特性を評価した。その結果、記録層の膜
厚が30〜150nmの範囲で実施例1と同様の良好な
記録、再生特性が得られ、かつ低パワー化を実現するこ
とができた。特に、再生光の波長が770〜790nm
の範囲において高い再生反射光の変調度と再生出力が得
られ、著しく波長依存性を低減させることができた。 〈実施例4〉記録層を構成する有機色素系ヒートモード
記録材料100重量部に対し、100重量部、60重量
部と30重量部の下記の色素劣化抑制剤の少なくとも1
種を添加して記録層を形成した他は、実施例1と同様に
して光ディスクを作製した。
【0046】(1)一重項酸素クエンチャーとして、ニ
ッケルアセチルアセトナートキレート化合物。
ッケルアセチルアセトナートキレート化合物。
【0047】(2)アミニウム系色素として、上記(化
3)の構造式で示される化合物。
3)の構造式で示される化合物。
【0048】(3)酸化防止剤として、芳香族アミン誘
導体であるN,N′−ジフェニル−P−フェニレンジア
ミン。
導体であるN,N′−ジフェニル−P−フェニレンジア
ミン。
【0049】上記の色素劣化抑制剤を記録層に添加して
作製した3種の光ディスクを、温度30℃、相対湿度8
0%、照度9000lx(キセノンランプ)の環境下に
置き、光ディスクの反射率の上昇率を測定した結果、そ
の上昇率が極めて小さく、記録層の光による劣化が少な
く優れた耐光性を示した。
作製した3種の光ディスクを、温度30℃、相対湿度8
0%、照度9000lx(キセノンランプ)の環境下に
置き、光ディスクの反射率の上昇率を測定した結果、そ
の上昇率が極めて小さく、記録層の光による劣化が少な
く優れた耐光性を示した。
【0050】さらに、実施例1と同様の試験装置を用い
、記録、再生特性を評価したところ、実施例1と同様の
記録、再生特性が得られ、低パワー化を実現することが
でき、再生に際しては高い反射光の変調度と再生出力が
得られた。
、記録、再生特性を評価したところ、実施例1と同様の
記録、再生特性が得られ、低パワー化を実現することが
でき、再生に際しては高い反射光の変調度と再生出力が
得られた。
【0051】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の光
情報記録媒体は、反射層に光熱変換特性を持つ特定の金
属材料からなる薄膜を用いているので、記録用レーザ光
は上記反射層と有機色素系ヒートモード記録層において
熱エネルギーに変換され、低温で熱変形、溶融、蒸発あ
るいは分解され易い記録層または高分子材料よりなる中
間層において顕著な光学的特性の変化を示す記録ピット
を形成することができるので、従来の有機色素系記録層
単独で記録用レーザ光のエネルギーを熱に変換し透明基
板などを熱変形または変性させて記録ピットを形成する
場合に比べ、記録に要するエネルギーを著しく小さくす
ることができ、これに伴って記録用パワーの低減化と、
さらには高密度記録化を達成することが可能となる。
情報記録媒体は、反射層に光熱変換特性を持つ特定の金
属材料からなる薄膜を用いているので、記録用レーザ光
は上記反射層と有機色素系ヒートモード記録層において
熱エネルギーに変換され、低温で熱変形、溶融、蒸発あ
るいは分解され易い記録層または高分子材料よりなる中
間層において顕著な光学的特性の変化を示す記録ピット
を形成することができるので、従来の有機色素系記録層
単独で記録用レーザ光のエネルギーを熱に変換し透明基
板などを熱変形または変性させて記録ピットを形成する
場合に比べ、記録に要するエネルギーを著しく小さくす
ることができ、これに伴って記録用パワーの低減化と、
さらには高密度記録化を達成することが可能となる。
【0052】また、記録層を構成する有機色素系記録材
料として、吸収波長の異なる2種類以上の色素材料を混
合して用いることにより、従来の特定波長領域における
干渉効果を利用して記録部に高い光学的変調度を得る場
合に比べ、用いる光の波長に依存される度合が少なく、
高い反射光の変調度と再生出力が得られる。
料として、吸収波長の異なる2種類以上の色素材料を混
合して用いることにより、従来の特定波長領域における
干渉効果を利用して記録部に高い光学的変調度を得る場
合に比べ、用いる光の波長に依存される度合が少なく、
高い反射光の変調度と再生出力が得られる。
【0053】また、記録層を構成する有機色素系記録層
中に、一重項酸素クエンチャー、アミニウム系色素ある
いは酸化防止剤などの色素劣化抑制剤を添加することに
より、耐光性ならびに保存性に優れた信頼性の高い光情
報記録媒体が得られる。
中に、一重項酸素クエンチャー、アミニウム系色素ある
いは酸化防止剤などの色素劣化抑制剤を添加することに
より、耐光性ならびに保存性に優れた信頼性の高い光情
報記録媒体が得られる。
【図1】本発明の実施例1において作製した光ディスク
の断面構成の一例を示す模式図。
の断面構成の一例を示す模式図。
【図2】本発明の実施例2において作製した光ディスク
の断面構成の一例を示す模式図。
の断面構成の一例を示す模式図。
【図3】図2の光ディスクの全体の構成を示す模式図。
1…透明基板 2…有
機色素系記録層3…反射層(合金薄膜層) 4…
オーバコート層5…中間層
6…プリフォーマットパターン 7…センターハブ取付け口
機色素系記録層3…反射層(合金薄膜層) 4…
オーバコート層5…中間層
6…プリフォーマットパターン 7…センターハブ取付け口
Claims (12)
- 【請求項1】所定形状をした透明基板の片面に、少なく
とも有機色素系ヒートモード記録材料を主成分とする記
録層と、該記録層上に、光の反射と光熱変換の両特性を
有する金属材料からなる反射層を設け、上記透明基板側
より特定波長のレーザ光を照射して情報の記録または再
生を行う光情報記録媒体であって、上記記録層における
レーザ光の吸収率を、上記反射層におけるレーザ光の吸
収率よりも小さく設定して、上記記録層と反射層とを積
層して設けたことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項2】所定形状をした透明基板の片面に、少なく
とも有機色素系ヒートモード記録材料を主成分とする記
録層と、該記録層上に、光の反射と光熱変換の両特性を
有する金属材料からなる反射層を設け、上記透明基板側
より特定波長のレーザ光を照射して情報の記録または再
生を行う光情報記録媒体であって、上記記録層と反射層
との間に、上記透明基板の熱変形または変性する温度よ
りも低い温度で、熱変形もしくは変性する高分子材料を
主成分としてなる中間層を設け、さらに上記記録層にお
けるレーザ光の吸収率を、上記反射層におけるレーザ光
の吸収率よりも小さく設定して、上記記録層と中間層と
反射層とを積層して設けたことを特徴とする光情報記録
媒体。 - 【請求項3】請求項1または請求項2において、光の反
射と光熱変換の両方の特性を有する金属材料からなる反
射層は、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミ
ニウム(Al)のうちから選択される少なくとも1種の
金属を主成分とする合金薄膜からなることを特徴とする
光情報記録媒体。 - 【請求項4】請求項1、請求項2または請求項3におい
て、反射層は、金(Au)、銀 (Ag)、銅(Cu
)、アルミニウム(Al)のうちから選択される少なく
とも1種の金属と、ゲルマニウム(Ge)、ケイ素(S
i)、スズ(Sn)、鉛 (Pb)、ガリウム(Ga
)、インジウム(In)、タリウム(Tl)、アンチモ
ン(Sb)、ビスマス(Bi)、亜鉛(Zn)のうちか
ら選択される少なくとも1種の元素とを主成分とする合
金からなる薄膜であることを特徴とする光情報記録媒体
。 - 【請求項5】請求項1ないし請求項4のいずれか1項に
おいて、反射層の膜厚が10〜150nmの範囲である
ことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項6】請求項2において、中間層が親水性高分子
を主成分とする材料からなることを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項7】請求項2または請求項6において、中間層
の膜厚が20〜150nmの範囲であることを特徴とす
る光情報記録媒体。 - 【請求項8】請求項1または請求項2において、記録層
を構成する有機色素系ヒートモード記録材料は、光の吸
収波長が異なる2種以上の色素材料を含有することを特
徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項9】請求項1ないし請求項8のいずれか1項に
おいて、記録層を構成する有機色素系ヒートモード記録
材料中に、色素劣化抑制剤として、一重項酸素クエンチ
ャー、アミニウム系色素、酸化防止剤または還元性を有
する酸化防止剤のうちより選択される少なくとも1種の
化合物を、上記記録材料100重量部に対し、100重
量部以下の範囲で含有することを特徴とする光情報記録
媒体。 - 【請求項10】請求項1ないし請求項9のいずれか1項
において、記録層の膜厚が30〜150nmの範囲であ
ることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項11】請求項1記載の光情報記録媒体において
、透明基板側より記録用レーザ光を照射したときに、光
の反射と光熱変換の両特性を有する金属材料からなる反
射層が、上記レーザ光を吸収して一部熱エネルギーに変
換し、該熱エネルギーによって記録層が局部的に変形、
溶融、蒸発、分解、昇華または変性して、上記レーザ光
が照射されていない部分と光学的に識別可能な記録ピッ
トを形成することにより情報の記録を行う構成としたこ
とを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項12】請求項2記載の光情報記録媒体において
、透明基板側より記録用レーザ光を照射したときに、光
の反射と光熱変換の両特性を有する金属材料からなる反
射層が、上記レーザ光を吸収して一部熱エネルギーに変
換し、該熱エネルギーによって中間層または記録層が局
部的に変形、溶融、蒸発、分解、昇華または変性して、
上記レーザ光が照射されていない部分と光学的に識別可
能な記録ピットを形成することにより情報の記録を行う
構成としたことを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3008383A JPH04252440A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3008383A JPH04252440A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04252440A true JPH04252440A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11691699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3008383A Withdrawn JPH04252440A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04252440A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004100140A1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Write-once optical record carrier for high-speed recording |
EP1746180A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-24 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
EP1746591A2 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-24 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
EP1746590A2 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-24 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical |
US7419711B2 (en) | 2002-08-08 | 2008-09-02 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
US7476431B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-01-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
US7790263B2 (en) | 2005-12-21 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Ag alloy reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium and Ag alloy sputtering target for forming Ag alloy reflective film for optical information recording medium |
US7833604B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-11-16 | Kobe Steel, Ltd. | Ag alloy reflective layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target for forming Ag alloy reflective layer for optical information recording medium |
US7843796B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Optical information recording medium and method of marking BCA (burst cutting area) into the same |
US8092889B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective film for optical information storage media, optical information storage medium, and sputtering target for the deposition of silver alloy reflective film for optical information storage media |
US8152976B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-04-10 | Kobelco Research Institute, Inc. | AG-based alloy sputtering target |
US8309195B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-11-13 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium |
US8431931B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-04-30 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective anode and wiring film for organic EL display device |
US8470426B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-06-25 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium and sputtering target for depositing reflective film for the optical information recording medium |
US8530023B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-09-10 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording medium and sputtering target for forming reflective film for optical information recording medium |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008383A patent/JPH04252440A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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