JP2001243657A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2001243657A JP2001243657A JP2000050752A JP2000050752A JP2001243657A JP 2001243657 A JP2001243657 A JP 2001243657A JP 2000050752 A JP2000050752 A JP 2000050752A JP 2000050752 A JP2000050752 A JP 2000050752A JP 2001243657 A JP2001243657 A JP 2001243657A
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- JP
- Japan
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- mask layer
- light
- transparent substrate
- recording medium
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 情報の高密度化記録再生が可能となるばかり
でなく、連続繰り返しスチル再生に関しても十分な安定
性を有する光記録媒体を提供する。 【解決手段】 微小ピット列又は同心円状の案内溝又は
スパイラル状の案内溝が形成された光透過性樹脂の透明
基板1上に、光の照射による温度変化により光透過率が
変化するマスク層3を有し、このマスク層の光透過率の
変化を利用してレーザ光の実効スポット径を小さくする
ようにした光記録媒体において、前記透明基板と前記マ
スク層との間に、前記マスク層の材料が、前記透明基板
に浸透することを防止する浸透防止層2を設けるように
する。これにより、情報の高密度化記録再生が可能とな
るばかりでなく、連続繰り返しスチル再生に関しても十
分な安定性を有するようにする。
でなく、連続繰り返しスチル再生に関しても十分な安定
性を有する光記録媒体を提供する。 【解決手段】 微小ピット列又は同心円状の案内溝又は
スパイラル状の案内溝が形成された光透過性樹脂の透明
基板1上に、光の照射による温度変化により光透過率が
変化するマスク層3を有し、このマスク層の光透過率の
変化を利用してレーザ光の実効スポット径を小さくする
ようにした光記録媒体において、前記透明基板と前記マ
スク層との間に、前記マスク層の材料が、前記透明基板
に浸透することを防止する浸透防止層2を設けるように
する。これにより、情報の高密度化記録再生が可能とな
るばかりでなく、連続繰り返しスチル再生に関しても十
分な安定性を有するようにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度に記録可能
な光記録媒体に係り、特に、照射光の強度によって光透
過率が変化するサーモクロミック物質からなる材料を含
むマスク層を有し、照射スポットの実効スポット径を小
さくして高密度な記録再生を行なうことができる光記録
媒体に関する。
な光記録媒体に係り、特に、照射光の強度によって光透
過率が変化するサーモクロミック物質からなる材料を含
むマスク層を有し、照射スポットの実効スポット径を小
さくして高密度な記録再生を行なうことができる光記録
媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスク等の光記録媒体の大容
量化が検討され、種々の提案がなされている。例えば大
容量化のためにトラックピッチを詰めること、記録再生
に使用するレーザ光の波長を短くすること、または対物
レンズの開口数を大きくすることなどが研究されてい
る。光ディスクに対して情報の読み書きに使用する短波
長のレーザ光としては近年、非線形光学素子を用いたS
HG(Second Harmonic Genera
tor)を用いることが検討されている。例えば800
nmのレーザ光からSHG素子を用いて第2高調波であ
る400nmの光を取り出して使用することなどが研究
されているが、変換効率、価格、安定性などの面から実
用に供することのできるレベルに至っていないのが現状
である。また、短波長化した400〜500nmの青緑
〜青紫光のレーザ光を出力する半導体レーザ素子も盛ん
に研究されているが、出力や安定性などの面から特に、
記録時に高出力を必要とする追記または書換可能な光記
録媒体の実用に供することのできるレベルに至っていな
いのが現状である。
量化が検討され、種々の提案がなされている。例えば大
容量化のためにトラックピッチを詰めること、記録再生
に使用するレーザ光の波長を短くすること、または対物
レンズの開口数を大きくすることなどが研究されてい
る。光ディスクに対して情報の読み書きに使用する短波
長のレーザ光としては近年、非線形光学素子を用いたS
HG(Second Harmonic Genera
tor)を用いることが検討されている。例えば800
nmのレーザ光からSHG素子を用いて第2高調波であ
る400nmの光を取り出して使用することなどが研究
されているが、変換効率、価格、安定性などの面から実
用に供することのできるレベルに至っていないのが現状
である。また、短波長化した400〜500nmの青緑
〜青紫光のレーザ光を出力する半導体レーザ素子も盛ん
に研究されているが、出力や安定性などの面から特に、
記録時に高出力を必要とする追記または書換可能な光記
録媒体の実用に供することのできるレベルに至っていな
いのが現状である。
【0003】更に、樹脂製の透明基板自体の持つ吸収や
複屈折率の増加のため、波長が400nmより短波長の紫
外レーザの使用は難しく、高NA化も限界に近づきつつ
ある。そこで、更なる高密度な情報の記録再生技術に関
して、光記録媒体を照射する時の実効的な照射スポット
径を小さくすることで、今までは記録再生することがで
きなかった高密度な光情報の記録再生(いわゆるディス
ク超解像)についても種々研究開発がなされている。そ
の一例として、サーモクロミック物質よりなるマスク層
を使用してディスク超解像を実現する光記録媒体が、特
開平7−182693号公報や特開平7−311978
号公報等に開示されている。この技術においては、レー
ザ光が照射されることによって、サーモクロミック物質
よりなるマスク層の照射部分の中央部分のみが温度上昇
によって部分的に光透過性になるのでこの現象を利用し
て、実効的に照射スポット径を小さくし、これにより今
までは記録再生することができなかった高密度の記録再
生を可能としている。
複屈折率の増加のため、波長が400nmより短波長の紫
外レーザの使用は難しく、高NA化も限界に近づきつつ
ある。そこで、更なる高密度な情報の記録再生技術に関
して、光記録媒体を照射する時の実効的な照射スポット
径を小さくすることで、今までは記録再生することがで
きなかった高密度な光情報の記録再生(いわゆるディス
ク超解像)についても種々研究開発がなされている。そ
の一例として、サーモクロミック物質よりなるマスク層
を使用してディスク超解像を実現する光記録媒体が、特
開平7−182693号公報や特開平7−311978
号公報等に開示されている。この技術においては、レー
ザ光が照射されることによって、サーモクロミック物質
よりなるマスク層の照射部分の中央部分のみが温度上昇
によって部分的に光透過性になるのでこの現象を利用し
て、実効的に照射スポット径を小さくし、これにより今
までは記録再生することができなかった高密度の記録再
生を可能としている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このマスク
層を用いた光記録媒体にあっては、通常の再生時には何
ら問題が生じないのであるが、しかしながら、光ディス
クを回転しながら同じ場所(同一トラック)を繰り返し
レーザ光で照射して再生する、いわゆるスチル再生を行
なうと、レーザ光照射による熱が次第に蓄積するなどし
て実効スポット径を小さくするという、いわゆるマスク
効果が減少するという問題点があった。本発明の目的
は、情報の高密度化記録再生が可能となるばかりでな
く、連続繰り返しスチル再生に関しても十分な安定性を
有する光記録媒体を提供することにある。
層を用いた光記録媒体にあっては、通常の再生時には何
ら問題が生じないのであるが、しかしながら、光ディス
クを回転しながら同じ場所(同一トラック)を繰り返し
レーザ光で照射して再生する、いわゆるスチル再生を行
なうと、レーザ光照射による熱が次第に蓄積するなどし
て実効スポット径を小さくするという、いわゆるマスク
効果が減少するという問題点があった。本発明の目的
は、情報の高密度化記録再生が可能となるばかりでな
く、連続繰り返しスチル再生に関しても十分な安定性を
有する光記録媒体を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、各種のサー
モクロミック物質よりなるマスク層を有する光ディスク
を種々作製し、同一トラックを繰り返し再生するスチル
再生特性について鋭意検討した結果、スチル再生特性の
劣化原因としては、特開平7−272321号公報など
に記載されている熱蓄積の問題、すなわち一旦加熱され
たサーモクロミック物質が十分に冷却される以前にディ
スクが一回転して元の場所に戻ってきたレーザ光が照射
されることによってサーモクロミック物質に熱が蓄積さ
れることになる結果、光透過率の高い部分の面積が広が
って実効スポット径を小さくするマスク効果が劣化して
しまう、という熱蓄積の問題だけでなく、マスク層を構
成しているサーモクロミック物質が加熱を繰り返される
ことにより、樹脂製の透明基板側に浸透して拡散するこ
とでマスク層が薄く、または無くなり、マスク効果が小
さくなってしまうことを見出した。
モクロミック物質よりなるマスク層を有する光ディスク
を種々作製し、同一トラックを繰り返し再生するスチル
再生特性について鋭意検討した結果、スチル再生特性の
劣化原因としては、特開平7−272321号公報など
に記載されている熱蓄積の問題、すなわち一旦加熱され
たサーモクロミック物質が十分に冷却される以前にディ
スクが一回転して元の場所に戻ってきたレーザ光が照射
されることによってサーモクロミック物質に熱が蓄積さ
れることになる結果、光透過率の高い部分の面積が広が
って実効スポット径を小さくするマスク効果が劣化して
しまう、という熱蓄積の問題だけでなく、マスク層を構
成しているサーモクロミック物質が加熱を繰り返される
ことにより、樹脂製の透明基板側に浸透して拡散するこ
とでマスク層が薄く、または無くなり、マスク効果が小
さくなってしまうことを見出した。
【0006】すなわち、マスク層に呈色剤として使用さ
れているロイコ色素と、顕色剤として使用されているフ
ェノール系化合物が着色するためには、お互いの分子が
非常に近傍にある必要があるが、レーザ光の照射によっ
て加熱が繰り返されることで呈色剤と顕色剤とが共に、
有機物である樹脂製の透明基板中に浸透して拡散分散
し、互いの分子が相互作用を及ぼさない程度の距離に引
き離されてしまい、この結果、温度が低くなっても着色
しなくなってしまうことがわかった。特に、樹脂製の透
明基板としてポリカーボネート樹脂を使用した場合に
は、フェノール系化合物のポリカーボネート基板への浸
透が著しいことが判った。本発明者は、以上のような点
を見い出すことにより、本発明に至ったものである。
れているロイコ色素と、顕色剤として使用されているフ
ェノール系化合物が着色するためには、お互いの分子が
非常に近傍にある必要があるが、レーザ光の照射によっ
て加熱が繰り返されることで呈色剤と顕色剤とが共に、
有機物である樹脂製の透明基板中に浸透して拡散分散
し、互いの分子が相互作用を及ぼさない程度の距離に引
き離されてしまい、この結果、温度が低くなっても着色
しなくなってしまうことがわかった。特に、樹脂製の透
明基板としてポリカーボネート樹脂を使用した場合に
は、フェノール系化合物のポリカーボネート基板への浸
透が著しいことが判った。本発明者は、以上のような点
を見い出すことにより、本発明に至ったものである。
【0007】請求項1に規定する発明は、微小ピット列
又は同心円状の案内溝又はスパイラル状の案内溝が形成
された光透過性樹脂の透明基板上に、光の照射による温
度変化により光透過率が変化するマスク層を有し、この
マスク層の光透過率の変化を利用してレーザ光の実効ス
ポット径を小さくするようにした光記録媒体において、
前記透明基板と前記マスク層との間に、前記マスク層の
材料が、前記透明基板に浸透することを防止する浸透防
止層を設けるように構成したものである。このように、
マスク層と透明基板との間に、照射されるレーザ光の波
長において透明な、または半透明な浸透防止層を介在さ
せることにより、マスク層の材料物質が透明基板中に浸
透して拡散することを阻止することが可能となる。この
結果、情報の高密度化記録再生が可能となるばかりか、
連続繰り返しスチル再生も十分に安定して行なうことが
可能となる。
又は同心円状の案内溝又はスパイラル状の案内溝が形成
された光透過性樹脂の透明基板上に、光の照射による温
度変化により光透過率が変化するマスク層を有し、この
マスク層の光透過率の変化を利用してレーザ光の実効ス
ポット径を小さくするようにした光記録媒体において、
前記透明基板と前記マスク層との間に、前記マスク層の
材料が、前記透明基板に浸透することを防止する浸透防
止層を設けるように構成したものである。このように、
マスク層と透明基板との間に、照射されるレーザ光の波
長において透明な、または半透明な浸透防止層を介在さ
せることにより、マスク層の材料物質が透明基板中に浸
透して拡散することを阻止することが可能となる。この
結果、情報の高密度化記録再生が可能となるばかりか、
連続繰り返しスチル再生も十分に安定して行なうことが
可能となる。
【0008】請求項2に規定するように、例えば前記浸
透防止層は、透明な無機物質よりなる。また、請求項3
に規定するように、例えば前記マスク層は、電子供与性
呈色化合物と電子受容性顕色剤とを含む。
透防止層は、透明な無機物質よりなる。また、請求項3
に規定するように、例えば前記マスク層は、電子供与性
呈色化合物と電子受容性顕色剤とを含む。
【0009】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る光記録媒体
の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発
明に係る光記録媒体を示す部分拡大断面図、図2は本発
明の他の実施例の光記録媒体を示す部分拡大断面図であ
る。本実施例では、本発明を光記録媒体としての光ディ
スクに適用した場合を例にとって説明する。図1におい
てこの光記録媒体としての光ディスクDは、表面にピッ
トやグルーブの形成された光透過性の樹脂よりなる透明
基板1を有し、このピットやグルーブの形成されている
面側に本発明の特徴とする浸透防止層2、さらにマスク
層3、金属膜よりなる反射層4及び紫外線硬化樹脂等の
保護層5を順次積層して構成されている。同図中、矢印
は記録再生に用いられるレーザ光Lが照射される方向を
示す。
の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発
明に係る光記録媒体を示す部分拡大断面図、図2は本発
明の他の実施例の光記録媒体を示す部分拡大断面図であ
る。本実施例では、本発明を光記録媒体としての光ディ
スクに適用した場合を例にとって説明する。図1におい
てこの光記録媒体としての光ディスクDは、表面にピッ
トやグルーブの形成された光透過性の樹脂よりなる透明
基板1を有し、このピットやグルーブの形成されている
面側に本発明の特徴とする浸透防止層2、さらにマスク
層3、金属膜よりなる反射層4及び紫外線硬化樹脂等の
保護層5を順次積層して構成されている。同図中、矢印
は記録再生に用いられるレーザ光Lが照射される方向を
示す。
【0010】本発明による光ディスクDは、再生専用型
及び記録再生型のいずれにおいても適用可能である。記
録再生型の光ディスクの場合は、図2に示したようにマ
スク層3と反射層4との間に記録層6が追加されるだけ
である。上記光透過性の樹脂よりなる透明基板1は、ポ
リカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、
エポキシ樹脂など通常に光ディスクの基板として用いら
れるものが使用可能である。この透明基板1上には、再
生専用型の光ディスクの場合はピットが形成されてお
り、これに対して、記録再生が可能な記録再生型の光デ
ィスクの場合はグルーブが形成されて記録面を形成して
いる。これらのピットやグルーブの形成方法に関して
は、特に制限はなく、通常の方法で形成される。
及び記録再生型のいずれにおいても適用可能である。記
録再生型の光ディスクの場合は、図2に示したようにマ
スク層3と反射層4との間に記録層6が追加されるだけ
である。上記光透過性の樹脂よりなる透明基板1は、ポ
リカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、
エポキシ樹脂など通常に光ディスクの基板として用いら
れるものが使用可能である。この透明基板1上には、再
生専用型の光ディスクの場合はピットが形成されてお
り、これに対して、記録再生が可能な記録再生型の光デ
ィスクの場合はグルーブが形成されて記録面を形成して
いる。これらのピットやグルーブの形成方法に関して
は、特に制限はなく、通常の方法で形成される。
【0011】図面中において、上記光透過性の樹脂より
なる透明基板1の上には、上述のように照射されるレー
ザ光Lに対して透明または半透明な浸透防止層2を設け
る。この浸透防止層2は、この上層であるマスク層3の
サーモクロミック物質が透明基板1に浸透して拡散する
のを防止するものである。本発明で使用される透明基板
1の材質及びマスク層3の材料であるサーモクロミック
物質ともに有機化合物であって概してなじみが良いた
め、温度が高い状態、特に樹脂のガラス転移点(Tg)
以上において透明基板1とマスク層3とが接触している
と、サーモクロミック物質の透明基板1への浸透拡散が
起こり易くなる。従って、このような浸透防止層2の材
質としてはサーモクロミック物質と親和性のない物質が
好ましく、例えばZnS、SiO2 、Al2 O3 などの
無機物質からなる層が好ましい。また、他に透過率を調
整した金属層、例えばAu、Al、Ni、Cuなどの金
属およびその合金を浸透防止層2として用いてもかまわ
ない。
なる透明基板1の上には、上述のように照射されるレー
ザ光Lに対して透明または半透明な浸透防止層2を設け
る。この浸透防止層2は、この上層であるマスク層3の
サーモクロミック物質が透明基板1に浸透して拡散する
のを防止するものである。本発明で使用される透明基板
1の材質及びマスク層3の材料であるサーモクロミック
物質ともに有機化合物であって概してなじみが良いた
め、温度が高い状態、特に樹脂のガラス転移点(Tg)
以上において透明基板1とマスク層3とが接触している
と、サーモクロミック物質の透明基板1への浸透拡散が
起こり易くなる。従って、このような浸透防止層2の材
質としてはサーモクロミック物質と親和性のない物質が
好ましく、例えばZnS、SiO2 、Al2 O3 などの
無機物質からなる層が好ましい。また、他に透過率を調
整した金属層、例えばAu、Al、Ni、Cuなどの金
属およびその合金を浸透防止層2として用いてもかまわ
ない。
【0012】次に、マスク層3は、サーモクロミック物
質よりなり、光記録再生に用いられるレーザ光の波長に
対して、閾値より低い温度では吸収度が大であるから透
過率は低く、閾値以上の温度で吸光度が減少して透過率
が増加し、更に閾値より低い温度に冷却されると再び吸
光度が増加して透過率は低くなって元の状態に戻るとい
う、可逆的な性質を有する。一方、マスク層3に使用レ
ーザの波長に対して吸収があると、光照射によってマス
ク層3の温度が上昇することになる。すなわち、マスク
層3を構成するサーモクロミック物質の温度に対する光
透過率の変化は図3に示すような特性を持っているの
で、透過率変化点P1以上の温度に加熱された部分のみ
が光透過率が高くなり、それ以外の部分は吸光度が保持
されて光透過率は低いままである。ここで、温度は、光
強度に略比例するものであり、図3においては横軸を光
強度として表している。また、透過率変化点P1におけ
る光強度をIsとしている。このことによって、照射さ
れる光スポット径を実質的に縮小する効果、すなわちマ
スク効果を発揮することができる。
質よりなり、光記録再生に用いられるレーザ光の波長に
対して、閾値より低い温度では吸収度が大であるから透
過率は低く、閾値以上の温度で吸光度が減少して透過率
が増加し、更に閾値より低い温度に冷却されると再び吸
光度が増加して透過率は低くなって元の状態に戻るとい
う、可逆的な性質を有する。一方、マスク層3に使用レ
ーザの波長に対して吸収があると、光照射によってマス
ク層3の温度が上昇することになる。すなわち、マスク
層3を構成するサーモクロミック物質の温度に対する光
透過率の変化は図3に示すような特性を持っているの
で、透過率変化点P1以上の温度に加熱された部分のみ
が光透過率が高くなり、それ以外の部分は吸光度が保持
されて光透過率は低いままである。ここで、温度は、光
強度に略比例するものであり、図3においては横軸を光
強度として表している。また、透過率変化点P1におけ
る光強度をIsとしている。このことによって、照射さ
れる光スポット径を実質的に縮小する効果、すなわちマ
スク効果を発揮することができる。
【0013】このようなマスク層3を設けることによ
り、図4のように正規分布状の強度分布をもつレーザ光
の光スポットを光ディスクに照射したとき、このマスク
層3を透過した光は図4中の強度分布曲線に対応させて
記載した光スポットのように照射スポット径L1よりも
小さな実効スポット径L2となり、実質的に縮小された
光スポットとなる。従って、このマスク効果を用いるこ
とによって高密度情報の記録や再生を可能にすることが
できる。尚、この時の実効スポット径L2は、透過率変
化点P1の光強度Isに依存する。マスク層3のサーモ
クロミック物質としては、上記の性質を有したものを種
々用いることができるが、例えば電子供与性呈色化合物
と電子受容性顕色材、有極性化合物の混合系または電子
供与性呈色化合物とフェノール系顕色材の混合物などが
あげられる。電子供与性呈色化合物としては、フルオラ
ン系化合物、スピロピラン系化合物、フタリド系化合
物、ラクタム系化合物などをあげることができる。特に
下記の化1で表わされるフタリド化合物の少なくとも1
種以上を含有することが好適である。
り、図4のように正規分布状の強度分布をもつレーザ光
の光スポットを光ディスクに照射したとき、このマスク
層3を透過した光は図4中の強度分布曲線に対応させて
記載した光スポットのように照射スポット径L1よりも
小さな実効スポット径L2となり、実質的に縮小された
光スポットとなる。従って、このマスク効果を用いるこ
とによって高密度情報の記録や再生を可能にすることが
できる。尚、この時の実効スポット径L2は、透過率変
化点P1の光強度Isに依存する。マスク層3のサーモ
クロミック物質としては、上記の性質を有したものを種
々用いることができるが、例えば電子供与性呈色化合物
と電子受容性顕色材、有極性化合物の混合系または電子
供与性呈色化合物とフェノール系顕色材の混合物などが
あげられる。電子供与性呈色化合物としては、フルオラ
ン系化合物、スピロピラン系化合物、フタリド系化合
物、ラクタム系化合物などをあげることができる。特に
下記の化1で表わされるフタリド化合物の少なくとも1
種以上を含有することが好適である。
【0014】
【化1】
【0015】尚、上記化1中において、Aは下記構造式
の化2〜化4で表わされる置換基を示し、R5 、R6 は
各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
テトラヒドロフルフリル基又は置換基を有してもよいフ
ェニル基を示し、またR5 とR6 は連結して、結合する
窒素原子とともに複素環を形成してもよい。R7 は水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルメルカプト
基を示し、X、YはCH或いはNを示す。但し、X、Y
が同時にCHであることはない。
の化2〜化4で表わされる置換基を示し、R5 、R6 は
各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
テトラヒドロフルフリル基又は置換基を有してもよいフ
ェニル基を示し、またR5 とR6 は連結して、結合する
窒素原子とともに複素環を形成してもよい。R7 は水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルメルカプト
基を示し、X、YはCH或いはNを示す。但し、X、Y
が同時にCHであることはない。
【0016】
【化2】
【0017】
【化3】
【0018】
【化4】
【0019】尚、上記化2〜化4中において、R8 、R
9 、R11、R13、R15は各々独立に水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、テトラヒドロフルフリル基又は
置換基を有してもよいフェニル基を示し、またR8 とR
9 は連結して、結合する窒素原子とともに複素環を形成
してもよい。R10、R12、R14、R16は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルメルカプト基又は置換
基を有してもよいフェニル基を示す。また、電子受容性
顕色剤として下記の化5〜化8で表わされる化合物の少
なくとも1種を含有するフェノール系顕色剤が好まし
い。
9 、R11、R13、R15は各々独立に水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、テトラヒドロフルフリル基又は
置換基を有してもよいフェニル基を示し、またR8 とR
9 は連結して、結合する窒素原子とともに複素環を形成
してもよい。R10、R12、R14、R16は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルメルカプト基又は置換
基を有してもよいフェニル基を示す。また、電子受容性
顕色剤として下記の化5〜化8で表わされる化合物の少
なくとも1種を含有するフェノール系顕色剤が好まし
い。
【0020】
【化5】
【0021】
【化6】
【0022】
【化7】
【0023】
【化8】
【0024】上記化5〜化8中において、R5 〜R14は
水素原子、水酸基、アルキル基、アルケニル基又はアル
コキシ基を示す。但し、R5 〜R14の少なくとも1つは
水酸基である。R15、R16は水素原子、アルキル基、ト
リフルオロメチル基を示す。また、反射層4は、一般に
光ディスクで用いられる金属製の反射層と同様のもので
あり、金、アルミニウムなどの金属や合金の薄膜で形成
される。この反射層4上には媒体の保護の目的で必要に
応じて保護層5を設けるようにしてもよい。この保護層
5は、紫外線硬化樹脂をスピンコート法によって設ける
ことで簡単に形成することができる。以上のように、透
明基板1とマスク層3との間に浸透防止層2を設けたの
で、情報の高密度化記録再生が可能となるばかりでな
く、スチル再生時のように熱が蓄積されるような場合で
も、マスク層3の材料であるサーモクロミック物質が透
明基板1側へ浸透拡散することを防止でき、従って、マ
スク効果が減少することはないので、連続繰り返しスチ
ル再生を安定的に行なうことができる。
水素原子、水酸基、アルキル基、アルケニル基又はアル
コキシ基を示す。但し、R5 〜R14の少なくとも1つは
水酸基である。R15、R16は水素原子、アルキル基、ト
リフルオロメチル基を示す。また、反射層4は、一般に
光ディスクで用いられる金属製の反射層と同様のもので
あり、金、アルミニウムなどの金属や合金の薄膜で形成
される。この反射層4上には媒体の保護の目的で必要に
応じて保護層5を設けるようにしてもよい。この保護層
5は、紫外線硬化樹脂をスピンコート法によって設ける
ことで簡単に形成することができる。以上のように、透
明基板1とマスク層3との間に浸透防止層2を設けたの
で、情報の高密度化記録再生が可能となるばかりでな
く、スチル再生時のように熱が蓄積されるような場合で
も、マスク層3の材料であるサーモクロミック物質が透
明基板1側へ浸透拡散することを防止でき、従って、マ
スク効果が減少することはないので、連続繰り返しスチ
ル再生を安定的に行なうことができる。
【0025】次に、実際に光ディスクを作製してその評
価を行なったので、その評価結果を説明する。 <実施例>ポリカーボネート樹脂製の透明基板1上に、
マグネトロンスパッタで各々、SiO2 を成膜したもの
と、Auを成膜したものを作って、それぞれを浸透防止
層2とした。更に、各浸透防止層2上にそれぞれマスク
層として、ロイコ色素GN2(山本化成(株)製)およ
びビスフェノール系化合物BHPE(1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)エタンを真空加熱蒸着法で直接
形成した。次に、反射層4としてアルミニウム(Al)
膜を成膜し、保護層5として紫外線硬化樹脂膜を形成し
て本発明のサンプルとなる光ディスクを作製した。
価を行なったので、その評価結果を説明する。 <実施例>ポリカーボネート樹脂製の透明基板1上に、
マグネトロンスパッタで各々、SiO2 を成膜したもの
と、Auを成膜したものを作って、それぞれを浸透防止
層2とした。更に、各浸透防止層2上にそれぞれマスク
層として、ロイコ色素GN2(山本化成(株)製)およ
びビスフェノール系化合物BHPE(1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)エタンを真空加熱蒸着法で直接
形成した。次に、反射層4としてアルミニウム(Al)
膜を成膜し、保護層5として紫外線硬化樹脂膜を形成し
て本発明のサンプルとなる光ディスクを作製した。
【0026】一方、比較例として、ポリカーボネート樹
脂製の透明基板1上に、マスク層3としてロイコ色素G
N2(山本化成(株)製)およびビスフェノール系化合
物BHPE(1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
エタン)を真空加熱蒸着法で直接形成した。これによ
り、浸透防止層2を有さないサンプルを作製した。上述
のように作製した両サンプルの635nmにおける光透過
率を測定した。次に、各サンプルを100℃のオーブン
中に一時間放置し、その後、同様に光透過率を測定し
た。このサンプルを100℃のオーブン中に一時間放置
することは、スチル連続再生を行なう時と同様な熱蓄積
状態を再現するためものである。その時の結果を表1に
示す。
脂製の透明基板1上に、マスク層3としてロイコ色素G
N2(山本化成(株)製)およびビスフェノール系化合
物BHPE(1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
エタン)を真空加熱蒸着法で直接形成した。これによ
り、浸透防止層2を有さないサンプルを作製した。上述
のように作製した両サンプルの635nmにおける光透過
率を測定した。次に、各サンプルを100℃のオーブン
中に一時間放置し、その後、同様に光透過率を測定し
た。このサンプルを100℃のオーブン中に一時間放置
することは、スチル連続再生を行なう時と同様な熱蓄積
状態を再現するためものである。その時の結果を表1に
示す。
【0027】
【表1】
【0028】表1から明らかなように、浸透防止層2を
有する本発明1、2の場合は、加熱後も光透過率の変化
はわずかであるのに対し、浸透防止層2がない比較例の
場合は、ポリカーボネート樹脂基板への呈色剤および顕
色剤の浸透拡散が起こり、光透過率が大きく上昇してい
ることが判明した。次に、上記実施例の再生専用の光デ
ィスクを作製して実験を行ない、スチル再生特性の評価
を行なった。実施例として作製した光ディスクは、透明
基板1としてポリカーボネート樹脂を射出成形してDV
Dの信号ピット(12cmの円盤で4.7GB相当の記
憶容量)を形成したものを用いた。この透明基板1上に
本発明1に記した構成と同様に浸透防止層2であるSi
O2 を成膜し、更にこの浸透防止層2上にマスク層3及
び反射層4を設け、更に保護層5として紫外線硬化樹脂
XR98(住友化学製)を約7μmの厚さで形成した。
そして、比較例の光ディスクも先述した比較例と同様に
作製した。このように作製した各光ディスクを、波長6
35nmの半導体レーザを搭載したプレーヤ(再生条件
は線速度CLV3.5m/s、回転数1200rpm、
再生パワー約1.7mW)に装着し、連続送り再生時及
び同一トラックのスチル再生(6000回)時の最短ピ
ットの再生振幅と最長ピットの再生振幅との比率を測定
した。その結果を表2に示す。
有する本発明1、2の場合は、加熱後も光透過率の変化
はわずかであるのに対し、浸透防止層2がない比較例の
場合は、ポリカーボネート樹脂基板への呈色剤および顕
色剤の浸透拡散が起こり、光透過率が大きく上昇してい
ることが判明した。次に、上記実施例の再生専用の光デ
ィスクを作製して実験を行ない、スチル再生特性の評価
を行なった。実施例として作製した光ディスクは、透明
基板1としてポリカーボネート樹脂を射出成形してDV
Dの信号ピット(12cmの円盤で4.7GB相当の記
憶容量)を形成したものを用いた。この透明基板1上に
本発明1に記した構成と同様に浸透防止層2であるSi
O2 を成膜し、更にこの浸透防止層2上にマスク層3及
び反射層4を設け、更に保護層5として紫外線硬化樹脂
XR98(住友化学製)を約7μmの厚さで形成した。
そして、比較例の光ディスクも先述した比較例と同様に
作製した。このように作製した各光ディスクを、波長6
35nmの半導体レーザを搭載したプレーヤ(再生条件
は線速度CLV3.5m/s、回転数1200rpm、
再生パワー約1.7mW)に装着し、連続送り再生時及
び同一トラックのスチル再生(6000回)時の最短ピ
ットの再生振幅と最長ピットの再生振幅との比率を測定
した。その結果を表2に示す。
【0029】
【表2】
【0030】表2に示す実験結果によれば、本発明1の
光ディスクは、1回目再生時の振幅比が80%であった
ものが、6000回のスチル再生後にも75%程度の再
生振幅比を保っており、良好な結果が得られている。し
かしながら、比較例の光ディスクは、1回目の再生時の
振幅比が80%であるのに対して、6000回のスチル
再生後に再生振幅比が35%程度にまで減少してしま
い、マスク層3を用いてスポットサイズを小さくするこ
とができなかった。
光ディスクは、1回目再生時の振幅比が80%であった
ものが、6000回のスチル再生後にも75%程度の再
生振幅比を保っており、良好な結果が得られている。し
かしながら、比較例の光ディスクは、1回目の再生時の
振幅比が80%であるのに対して、6000回のスチル
再生後に再生振幅比が35%程度にまで減少してしま
い、マスク層3を用いてスポットサイズを小さくするこ
とができなかった。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体によれば、次のように優れた作用効果を発揮すること
ができる。透明基板とマスク層との間に浸透防止層を設
けたので、情報の高密度化記録再生が可能となるばかり
でなく、スチル再生時のように熱が蓄積されるような場
合でも、マスク層の材料であるサーモクロミック物質が
透明基板側へ浸透拡散することを防止でき、従って、マ
スク効果が減少することはないので、連続繰り返しスチ
ル再生を安定的に行なうことができる。
体によれば、次のように優れた作用効果を発揮すること
ができる。透明基板とマスク層との間に浸透防止層を設
けたので、情報の高密度化記録再生が可能となるばかり
でなく、スチル再生時のように熱が蓄積されるような場
合でも、マスク層の材料であるサーモクロミック物質が
透明基板側へ浸透拡散することを防止でき、従って、マ
スク効果が減少することはないので、連続繰り返しスチ
ル再生を安定的に行なうことができる。
【図1】本発明に係る光記録媒体を示す部分拡大断面図
である。
である。
【図2】本発明の他の実施例の光記録媒体を示す部分拡
大断面図である。
大断面図である。
【図3】マスク層の光強度と光透過率との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図4】光強度の分布とマスク効果との関係を示すグラ
フである。
フである。
1…透明基板、2…浸透防止層、3…マスク層、4…反
射層、5…保護層、6…記録層、D…光ディスク(光記
録媒体)。
射層、5…保護層、6…記録層、D…光ディスク(光記
録媒体)。
Claims (3)
- 【請求項1】 微小ピット列又は同心円状の案内溝又は
スパイラル状の案内溝が形成された光透過性樹脂の透明
基板上に、光の照射による温度変化により光透過率が変
化するマスク層を有し、このマスク層の光透過率の変化
を利用してレーザ光の実効スポット径を小さくするよう
にした光記録媒体において、前記透明基板と前記マスク
層との間に、前記マスク層の材料が、前記透明基板に浸
透することを防止する浸透防止層を設けるように構成し
たことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項2】 前記浸透防止層は、透明な無機物質より
なることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。 - 【請求項3】 前記マスク層は、電子供与性呈色化合物
と電子受容性顕色剤とを含むことを特徴とする請求項1
または2記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000050752A JP2001243657A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000050752A JP2001243657A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001243657A true JP2001243657A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18572504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000050752A Pending JP2001243657A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001243657A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003075268A1 (fr) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Support d'enregistrement d'informations optiques |
US7436755B2 (en) | 2002-11-18 | 2008-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and reproduction methods using the same, optical information recording device, and optical information reproduction device |
US7556912B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducting method using the same, and optical information processing device |
US7682678B2 (en) | 2003-06-06 | 2010-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and readout methods using the same, optical information recording device, and optical information readout device |
US8097323B2 (en) | 2006-09-22 | 2012-01-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Optical recording medium |
-
2000
- 2000-02-28 JP JP2000050752A patent/JP2001243657A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003075268A1 (fr) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Support d'enregistrement d'informations optiques |
US7397755B2 (en) | 2002-03-05 | 2008-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
US7436755B2 (en) | 2002-11-18 | 2008-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and reproduction methods using the same, optical information recording device, and optical information reproduction device |
US7556912B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducting method using the same, and optical information processing device |
US7682678B2 (en) | 2003-06-06 | 2010-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and readout methods using the same, optical information recording device, and optical information readout device |
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