JP2002056573A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 次世代の青紫色半導体レーザや青色レーザに
対応すべく、４００ｎｍ台に吸収を有し、照射した光の
波長における光透過率が温度によって可逆的に変化する
電子供与性呈色化合物と電子受容性顕色剤の２成分で構
成されるサーモクロミック材料を用いたマスク層を有す
る光記録媒体を提供する。 【解決手段】 マスク層４に青紫色半導体レーザの波長
領域に吸収を持つ電子供与性呈色化合物を用いたこと
で、青紫色半導体レーザを用いた次世代光ディスクの更
なる高密度化を可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度記録及び／
又は再生する光記録媒体に関し、特に、温度変化などに
よって光透過率が変化する光透過率可変媒体を用いて照
射レーザ光の実効スポット系を小さくして情報を高密度
記録及び／又は再生する光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体としては、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、ＤＶＤなどが実用化されているが、記録密度をさら
に高くして、１枚のディスクに大容量のデータを記録す
ることが望まれている。かかる要望に応じて高密度に情
報を光学的に記録再生する方法として、以下のような５
つの方法〜が提案されている。レーザ波長を短く
する。 光ディスクに集光する対物レンズのＮＡ（開
口数）を大きくする。情報を記録する層を多層にす
る。 波長を変えて多重に記録する。 マスク層を
形成し、実質的に光スポット径を小さくする。なお、本
願でいう「記録再生」とは、記録すること、再生するこ
と、記録しながら再生することのそれぞれを意味するも
のとする。

【０００３】光ディスクは記録時のレーザ光パワーを制
御することによって、光スポット径よりも小さな記録マ
ークを形成することが可能であるため記録時の密度向上
には原理上限界はない。しかし、レーザ光を対物レンズ
で絞った時の光スポット径は、ある一定値以下には絞れ
ないという限界値があり、光ディスクの高密度化はいか
に再生レーザスポットを小さくするかに依存する。再生
限界の記録マークの繰り返し波長（記録波長）はλ／２
ＮＡで与えられる。ここで、λは光の波長、ＮＡは対物
レンズの開口数である。より短い記録波長の記録マーク
を識別して再生するためには、波長λの短い光で再生す
るか、または、開口数ＮＡが大きな対物レンズを用いれ
ばよいことがわかる。

【０００４】しかしながら、再生に用いる半導体レーザ
の短波長化は技術的に困難が多く、また、開口数ＮＡの
大きな対物レンズを光ディスク装置に組み込むことも容
易ではない。そこで、光の照射による温度上昇により、
温度が高くなると吸光度が減少して光透過率が高くな
り、また、レーザ光が通過して冷却されることで再び吸
光度が増加して光透過率が低くなる物質（以下、光透過
率可変媒体という）を光ディスク内に層状に設けること
で、光ディスクに高密度に情報を記録または高密度に記
録された情報を再生するディスク超解像と言われる方法
が従来より知られている。情報記録再生に使用されるレ
ーザ光の光強度分布は、図４に示すように通常ガウス分
布を示し、温度分布もほぼこれに近い分布となる。

【０００５】このようなレーザ光を対物レンズを介して
光透過率可変媒体上に照射すると、図５に示すように照
射スポット１０内の温度が上昇した部分Ｃのみが光透過
性となり、光スポット内の他の部分Ｄはマスクする、い
わゆるディスク超解像効果が起こる。このとき、上記部
分Ｃを透過するレーザ光の実効スポットの径は、照射レ
ーザ光の照射スポット１０の径に比べて小さくなる。こ
のようにディスク超解像効果を起こす光透過率可変媒体
を光ディスク上に層状に設ける（以下、この光透過率可
変媒体層をマスク層という）ことで、照射するレーザ光
のスポット内の光透過率の高い部分のみの光を通過さ
せ、照射スポット内の光透過率の低い部分の光をマスク
することになるので、隣接トラック間のクロストーク及
び隣接ピット間の符号間干渉を防止することができる。

【０００６】上記〜は、それぞれ高密度化を目指し
て研究開発されている。本発明は、のマスク層を形成
し実質的に光スポット径を小さくする光ディスクとして
の光記録媒体に関係する。このようなマスク層を形成し
実質的にスポット径を小さくする光ディスクに関する従
来の技術としては、以下のような文献がある。

【０００７】特開平５−１２６７３号公報 特開平５−１２７１５号公報 特開平５−２８４９８号公報 特開平５−２８５３５号公報 特開平５−７３９６１号公報 特開平８−３１５４１９号公報

【０００８】マスク層を積層した光ディスクとしては、
例えば図１のようになっている。図１はマスク層付き再
生専用型光ディスクの例であり、図２は記録が可能な光
ディスクの例である。なお、図１，図２に示した光ディ
スクについては後述するので、ここでの説明は省略す
る。マスク層は、光が照射しないときあるいは弱いとき
は、透過率が小さい。光強度が強くなるとマスク層は、
光学的あるいは光を吸収して温度が上がることにより熱
的に変化して、図３に示すように光の透過率が上がり、
図５に示すようにマスク層を透過したスポット径が実質
的に小さくなる。図５において、Ｃはマスク層を透過す
る部分である。これにより、小さなピットを記録再生す
ることが可能となる。

【０００９】上記のマスク層としては、光記録再生のレ
ーザ光の照射に対して、光透過率の変化・復元が迅速で
あることが要求される。すなわち、回転する光ディスク
に対して照射レーザ光の通過中に光透過率が高くなり、
照射レーザ光が再度通過する前に光透過率が復元するこ
とが必要である。このような条件を満足する光透過率可
変媒体として、例えば、特開平７−１８２６９３号公
報、特開平８−３０６０７４号公報、特開平１１−１８
００４３号公報、特開平１１−１８５２９６号公報、特
開平１１−１８５２９７号公報や特開平１１−１８５２
９８号公報に提案されるように、電子供与性呈色化合物
と電子受容性顕色剤の２成分で構成されるサーモクロミ
ック材料がある。

【００１０】上記の２成分系サーモクロミック材料は、
電子供与性呈色化合物と電子受容性顕色剤との間の電子
のやり取りで、発色・消色・変色する性質を有する。な
かでも、電子供与性呈色化合物としてフルオラン系化合
物又はフタリド系化合物、及び、電子受容性顕色剤とし
てビスフェノール系顕色剤を組み合わせたマスク層を有
する光記録媒体は、良好なディスク超解像を示すことが
確認されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】光記録の高密度化技術
の中でも半導体レーザ（ＬＤ）の進歩は著しく、ＣＤに
使用されている発光波長が７８０〜８３０ｎｍのＬＤか
ら、ＤＶＤに使用されている発光波長が６３５〜６５０
ｎｍのＬＤに主役が移りつつある。さらに最近発光波長
が４００ｎｍ近辺にあるＩｎＧａＮ系青紫色半導体レー
ザや、４３０ｎｍ近辺のＳＨＧレーザが開発、実用化さ
れ始め、レーザの短波長化による高密度光記録はいっそ
う進歩しつつある。

【００１２】こうした背景の中、上記電子供与性呈色化
合物と電子受容性顕色剤の２成分で構成されるサーモク
ロミック材料を用いたマスク層を有する光記録媒体の先
行特許の中で開示されている実施例では、波長が６３０
〜６９０ｎｍの赤色レーザに対応した材料であった。

【００１３】しかしながらＤＶＤの次の世代の高密度光
記録媒体に採用されるであろう発光波長４００ｎｍ台の
青紫色半導体レーザや青色レーザに対しては未対応であ
った。本発明は、上記課題に着目してなされたものであ
り、来るべく次世代の青紫色半導体レーザや青色レーザ
に対応すべく、４００ｎｍ台に吸収を有し、照射した光
の波長における光透過率が温度によって可逆的に変化す
る電子供与性呈色化合物と電子受容性顕色剤の２成分で
構成されるサーモクロミック材料を用いたマスク層を有
する光記録媒体を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、本発明は、光読み出し可能な微小ピット
列、あるいは凹状のグルーブと凸状のランドが交互に形
成された光透過性基板上に、光の照射による温度変化に
より光透過率が変化するマスク層を有し、マスク層を通
して情報を記録再生し、このマスク層の光透過率変化を
利用してマスク層を透過する光スポット径がマスク層に
入射する光スポット径よりも実質的に縮小する様にした
光記録媒体において、前記マスク層は、少なくとも電子
供与性呈色化合物及び電子受容性顕色剤の２成分で光透
過率が可逆的に変化するサ−モクロミック材料を主成分
とし、前記電子供与性呈色化合物として、下記一般式
（１）で表されるフルオラン化合物のうち、少なくとも
１種を含有することを特徴とする光記録媒体を提供しよ
うとするものである。

【００１５】

【化６】

【００１６】（式中、Ｒ₁はアルキル基、シクロヘキシ
ル基、テトラヒドロフルフリル基を示し、Ｒ₂は水素原
子又はメチル基を示し、Ｘは水素原子又はハロゲン原子
を示す。）

【００１７】Ｒ₁がアルキル基である場合は炭素数１〜
８のものが好ましい。例としてメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペン
チル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシ
ル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、ｎ−
ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ
−オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ
る。

【００１８】Ｘがハロゲン原子である場合は塩素、臭
素、フッ素などが挙げられる。ここで一般式（１）で表
される電子供与性化合物の具体例としては、下記化合物
が挙げられる。

【００１９】２−アニリノ−６−エチルアミノフルオラ
ン ２−アニリノ−６−イソプロピルアミノフルオラン ２−アニリノ−６−ｎ−ブチルアミノフルオラン ２−アニリノ−６−イソアミルアミノフルオラン ２−アニリノ−６−シクロヘキシルアミノフルオラン ２−アニリノ−６−ｎ−オクチルアミノフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−メチルアミノフルオ
ラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−エチルアミノフルオ
ラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−ｎ−プロピルアミノ
フルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−sec−ブチルアミノ
フルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−イソへプチルアミノ
フルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−エチルアミノ−７−
メチルフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−テトラヒドロフルフ
リルアミノフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−シクロヘキシルアミ
ノフルオラン ２−（２−フロロアニリノ）−６−エチルアミノフルオ
ラン ２−（２−フロロアニリノ）−６−ｎ−ブチルアミノフ
ルオラン ２−（２−フロロアニリノ）−６−ｎ−オクチルアミノ
フルオラン ２−（２−フロロアニリノ）−６−テトラヒドロフルフ
リルアミノフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−エチルアミノ−７−
メチルフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−ｎ−プロピルアミノ
−７−メチルフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−ｎ−ペンチルアミノ
−７−メチルフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−シクロヘキシルアミ
ノ−７−メチルフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−テトラヒドロフルフ
リルアミノ−７−メチルフルオラン ２−（２−クロロアニリノ）−６−ｎ−オクチルアミノ
−７−メチルフルオラン ２−（２−フロロアニリノ）−６−エチルアミノ−７−
メチルフルオラン ２−（２−フロロアニリノ）−６−ｎ−ブチルアミノ−
７−メチルフルオラン

【００２０】また上記目的を達成するための手段とし
て、本発明は、下記一般式（２）で表されるフルオラン
化合物のうち、少なくとも１種を含有することを特徴と
する光記録媒体を提供しようとするものである。

【００２１】

【化７】

【００２２】（式中、Ｒ₃、Ｒ₄は各々独立にアルキル基
又はシクロアルキル基を示す。） Ｒ₃、Ｒ₄がアルキル基である場合は、それぞれ炭素数１
〜８のものが好ましい。例としてメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペ
ンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキ
シル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、ｎ
−ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、
ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ
る。

【００２３】Ｒ₃、Ｒ₄がシクロアルキル基である場合は
炭素数５〜６のものが好ましい。例としてシクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

【００２４】ここで一般式（２）で表される電子供与性
呈色化合物の具体例としては、下記の化合物が挙げられ
る。

【００２５】一般式（２）の具体例 3,6−ジメトキシフルオラン 3,6−ジエトキシフルオラン 3,6−ジ−ｎ−プロポキシフルオラン 3,6−ジイソプロポキシフルオラン 3,6−ジ−ｎ−ブトキシフルオラン 3,6−ジイソブトキシフルオラン 3,6−ジ−sec−ブトキシフルオラン 3,6−ジ−ｎ−ペンチルフルオラン 3,6−ジイソペンチルオキシフルオラン 3,6−ジ−ｎ−ヘキシルフルオラン 3,6−ジシクロヘキシルオキシフルオラン 3,6−ジ−ｎ−へプチルオキシフルオラン 3,6−ジイソへプチルオキシフルオラン 3,6−ジ−ｎ−オクチルオキシフルオラン 3,6−ジ−（２−エチルヘキシルオキシ）フルオラン

【００２６】また上記目的を達成するための手段とし
て、本発明は、下記一般式（３）で表されるクロメノピ
ラゾール化合物のうち、少なくとも１種を含有すること
を特徴とする光記録媒体を提供しようとするものであ
る。

【００２７】

【化８】

【００２８】（式中、Ｒ₅、Ｒ₆は各々独立に水素原子、
アルキル基、シクロアルキル基、テトラヒドロフルフリ
ル基、アルコキシアルキル基、置換もしくは非置換のベ
ンジル基又は置換もしくは非置換のフェニル基を示し、
又、Ｒ₅とＲ₆は、連結して結合する窒素原子と共に複素
環を形成してもよい。Ｒ₇は水素原子又はアルキル基を
示し、Ｒ₈は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子を示
し、Ｒ₉は水素原子、アルキル基、置換もしくは非置換
のベンジル基、置換もしくは非置換のフェニル基又はハ
ロゲン原子を示す。）

【００２９】Ｒ₅、Ｒ₆がアルキル基である場合は、それ
ぞれ炭素数１〜８のものが好ましい。例としてメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、２−エチ
ルブチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ
−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基
などが挙げられる。

【００３０】Ｒ₅、Ｒ₆がシクロアルキル基である場合
は、それぞれ炭素数５〜６のものが好ましい。例として
シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ
る。

【００３１】Ｒ₇がアルキル基である場合は炭素数１〜
４のものが好ましい。例としてメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基が挙げられる。

【００３２】Ｒ₈がアルキル基である場合は炭素数１〜
４のものが好ましい。例としてメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基が挙げられる。

【００３３】Ｒ₈がハロゲン原子である場合は塩素、臭
素、フッ素などが挙げられる。

【００３４】Ｒ₉がアルキル基である場合は炭素数１〜
８のものが好ましい。例としてメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペン
チル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシ
ル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、ｎ−
ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ
−オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ
る。

【００３５】Ｒ₉がハロゲン原子である場合は塩素、臭
素、フッ素などが挙げられる。

【００３６】ここで一般式（３）で表される電子供与性
呈色化合物の具体例としては、下記の化合物が挙げられ
る。

【００３７】一般式（３）の具体例 スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−エチルアミノ−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−エチルアミノ−３−メチル−
３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−エチルアミノ−３−クロロ−
３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−フェニル−７−エチルアミノ−
３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−エチルアミノ−１−フェニル−
3,6−ジメチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−（４−メチルフェニル）−７−
エチルアミノ−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−（４−クロロフェニル）−７−
エチルアミノ−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−（４−メトキシフェニル）−７
−エチルアミノ−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−ベンジル−７−エチルアミノ−
３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−ｎ−プロポキシアミノ−３’−
オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−ｎ−ブチルアミノ−３−メチル
−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−イソペンチルアミノ−３−クロ
ロ−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−フェニル−７−シクロヘキシル
アミノ−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−（４−メチルフェニル）−７−
シクロヘキシルアミノ−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−（４−クロロフェニル）−７−
ｎ−オクチルアミノ−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−（４−メトキシフェニル）−７
−テトラヒドロフルフリルアミノ−３−メチル−３’−
オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−ベンジル−７−[2−メトキシエ
チルアミノ]−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−フェニル−７−アニリノ−３−
メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−フェニル−７−ジエチルアミノ
−３−メチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−７−ジ−ｎ−ブチルアミノ−１−フ
ェニル−3,6−ジメチル−３’−オン スピロ｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−
１’−フタラン｝−１−フェニル−７−ピロリジノ−3,
6−ジメチル−３’−オン

【００３８】また上記目的を達成するための手段とし
て、本発明は、下記一般式（４）で表されるフルオラン
化合物のうち、少なくとも１種を含有することを特徴と
する光記録媒体を提供しようとするものである。

【００３９】

【化９】

【００４０】（式中、Ｒ₁₀はアルキル基、シクロアルキ
ル基、テトラヒドロフルフリル基、アルコキシアルキル
基、又は置換もしくは非置換のフェニル基を示し、Ｒ₁₁
は水素原子又はアルキル基を示し、Ｒ₁₂は水素原子、ア
ルキル基又はアシル基を示す。）

【００４１】Ｒ₁₀がアルキル基である場合は炭素数１〜
８のものが好ましい。例としてメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペン
チル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシ
ル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、ｎ−
ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ
−オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ
る。

【００４２】Ｒ₁₀がアルコキシアルキル基である場合は
総炭素数２〜６のものが好ましい。例としてメトキシエ
チル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、エト
キシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル
基、ｎ−プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル
基、ｎ−プロポキシプロピル基などが挙げられる。

【００４３】Ｒ₁₁がアルキル基である場合は炭素数１〜
４のものが好ましい。例としてメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基が挙げられる。

【００４４】Ｒ₁₁がアシル基である場合はアセチル基、
プロピオニル基、ブチリル基、イソブチル基、バレロイ
ル基、イソバレロイル基、カプロイル基、エナンチル
基、ベンゾイル基などが挙げられる。

【００４５】ここで一般式（４）で表される電子供与性
呈色化合物の具体例としては、下記の化合物が挙げられ
る。

【００４６】一般式（４）の具体例 １０−エチルアミノ−２−メチルベンゾ[1,4]チアジノ
[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−２−エチルベンゾ[1,4]チアジノ
[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−２−ｎ−ブチルベンゾ[1,4]チア
ジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−２−イソペンチルベンゾ[1,4]チ
アジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−２−アセチルベンゾ[1,4]チアジ
ノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−ｎ−ブチルアミノ−２−エチルベンゾ[1,4]チア
ジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−ｎ−ブチルアミノ−２−ｎ−オクチルベンゾ[1,
4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−ｎ−ブチルアミノ−２−アセチルベンゾ[1,4]チ
アジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−ｎ−ブチルアミノ−２−ベンゾイルベンゾ[1,4]
チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−ｎ−ブチルアミノ−２−プロピオニルベンゾ[1,
4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−イソペンチルアミノ−２−メチルベンゾ[1,4]チ
アジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−イソペンチルアミノ−２−エチルベンゾ[1,4]チ
アジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−シクロヘキシルアミノ−２−エチルベンゾ[1,4]
チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−シクロヘキシルアミノ−２−アセチルベンゾ[1,
4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−テトラヒドロフルフリルアミノ−２−エチルベン
ゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−テトラヒドロフルフリルアミノ−２−ｎ‐ブチル
ベンゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−テトラヒドロフルフリルアミノ−２−イソペンチ
ルベンゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−テトラヒドロフルフリルアミノ−２−アセチルベ
ンゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−テトラヒドロフルフリルアミノ−２−ベンゾイル
ベンゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−１１−メチル−２−メチルベンゾ
[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−１１−メチル−２−エチルベンゾ
[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−１１−メチル−２−ｎ−ブチルベ
ンゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−１１−メチル−２−アセチルベン
ゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−エチルアミノ−１１−メチル−２−プロピオニル
ベンゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−[２−メトキシエチルアミノ]−２−エチルベンゾ
[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン １０−[２−エトキシエチルアミノ]−１１−メチル−２
−エチルベンゾ[1,4]チアジノ[3,2−ｂ]フルオラン

【００４７】また上記目的を達成するための手段とし
て、本発明は、下記一般式（５）で表されるフタリド化
合物のうち、少なくとも１種を含有することを特徴とす
る光記録媒体を提供しようとするものである。

【００４８】

【化１０】

【００４９】ここで一般式（５）で表される電子供与性
呈色化合物の具体例としては、下記の化合物が挙げられ
る。

【００５０】（Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は各々独立に水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルメルカプト基、置換も
しくは非置換のフェニル基又はハロゲン原子を示し、Ｒ
₁₅、Ｒ ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は各々独立にアルキル基又は置換
もしくは非置換のフェニル基を示す。）

【００５１】Ｒ₁₃、Ｒ₁₄がアルキル基である場合は、そ
れぞれ炭素数１〜４のものが好ましい。例としてメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基が挙げられ
る。

【００５２】Ｒ₁₃、Ｒ₁₄がアルコキシ基である場合は、
それぞれ炭素数１〜４のものが好ましい。例としてメト
キシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブト
キシ基が挙げられる。

【００５３】Ｒ₁₃、Ｒ₁₄がアルキルメルカプト基である
場合は、それぞれ炭素数１〜４のものが好ましい。例と
してメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロルチオ基、
イソプロルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ
基、ｓｅｃ−ブチルチオ基が挙げられる。

【００５４】Ｒ₁₃、Ｒ₁₄がハロゲン原子である場合は、
それぞれ塩素、臭素、フッ素などが挙げられる。

【００５５】Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈がアルキル基であ
る場合は、それぞれ炭素数１〜8のものが好ましい。例
としてメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシ
ル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプ
チル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エ
チルヘキシル基などが挙げられる。

【００５６】一般式（５）の具体例 ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（４−メチルフェニル）エチレン−2−イル]
−３−（１−エチル−２−メチルインドール−３−イ
ル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−フェニルエチレン−2−イル]−３−（１−エ
チル−２−メチルインドール−３−イル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（４−クロロフェニル）エチレン−2−イル]
−３−（１−エチル−２−メチルインドール−３−イ
ル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（2,４−ジメチルフェニル）エチレン−2−
イル]−３−（１−エチル−２−メチルインドール−３
−イル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（2,４−ジクロロフェニル）エチレン−2−
イル]−３−（１−エチル−２−メチルインドール−３
−イル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（４−メチルチオフェニル）エチレン−2−
イル]−３−（１−エチル−２−メチルインドール−３
−イル）フタリド ３−[１−（１−ｎ−オクチル−２−メチルインドール
−3−イル）−１−（４−メチルフェニル）エチレン−2
−イル]−３−（１−エチル−２−メチルインドール−
３−イル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−フェニルインドール−3−
イル）−１−フェニルエチレン−2−イル]−３−（１−
エチル−２−メチルインドール−３−イル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（４−クロロフェニル）エチレン−2−イル]
−３−（１,２−ジメチルインドール−３−イル）フタ
リド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（2,４−ジメチルフェニル）エチレン−2−
イル]−３−（１−エチル−２−ｎ−ペンチルインドー
ル−３−イル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（2,４−ジクロロフェニル）エチレン−2−
イル]−３−（１−エチル−２−フェノールインドール
−３−イル）フタリド ３−[１−（１−エチル−２−メチルインドール−3−イ
ル）−１−（４−メチルチオフェニル）エチレン−2−
イル]−３−（２−メチルインドール−３−イル）フタ
リド ３−[１−（１−ｎ−ブチル−２−メチルインドール−3
−イル）−１−（４−メチルフェニル）エチレン−2−
イル]−３−（１−エチル−２−メチルインドール−３
−イル）フタリド ３−[１−（１−ｎ−ブチル−２−メチルインドール−3
−イル）−１−（４−メトキシフェニル）エチレン−2
−イル]−３−（１−ｎ−ブチル−２−メチルインドー
ル−３−イル）フタリド

【００５７】さらに、上記の電子供与性呈色化合物と組
み合わせてマスク層を形成する電子受容性顕色剤として
は、特に制限はないが下記一般式（６）で表されるビス
フェノール系化合物のうち、少なくとも１種を含有する
ことが好適である。

【００５８】

【化１１】

【００５９】（式中、Ｒ₁₉はエーテル結合を１〜５個含
有するアルキレン基を示し、Ｒ₂₀、Ｒ ₂₁は各々独立に水
素原子、水酸基、アルキル基又はハロゲン原子を示
す。）

【００６０】Ｒ₁₉は炭素数１〜４のアルキレン基が好ま
しい。Ｒ₂₀、Ｒ₂₁がアルキル基である場合は、それぞれ
炭素数１〜４が好ましい。Ｒ₂₀、Ｒ₂₁がハロゲン原子で
ある場合は、それぞれ塩素、臭素、フッ素などが挙げら
れる。

【００６１】さらに、上記の電子供与性呈色化合物と組
み合わせてマスク層を形成する電子受容性顕色剤として
は、下記一般式（７）〜（１０）で表される化合物が好
適である。

【００６２】

【化１２】

【００６３】

【化１３】

【００６４】

【化１４】

【００６５】

【化１５】

【００６６】（各式中、Ｒ₂₂〜Ｒ₃₁は水素原子、水酸
基、アルキル基、アルケニル基又はアルコキシ基を示
す。ただし、Ｒ₂₂〜Ｒ₃₁の少なくとも１つは水酸基であ
る。Ｒ₃₂、Ｒ₃₃は水素原子、アルキル基又はトリフルオ
ロメチル基を示す。）

【００６７】ここで、一般式（７）〜（１０）で表され
る電子受容性顕色剤の具体例としては、下記の化合物が
あげられる。

【００６８】＜一般式（７）の具体例＞ ４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル ４−ヒドロキシジフェニルエーテル ２，４，３’−トリヒドロキシ−６−メチルジフェニル
エーテル ３，４−ジヒドロキシ−５−メチルジフェニルエーテル ２，４−ジヒドロキシ−２’，６−ジメチルジフェニル
エーテル ２，４−ジヒドロキシ−３’，６−ジメチルジフェニル
エーテル ２，４−ジヒドロキシ−４’，６−ジメチルジフェニル
エーテル

【００６９】＜一般式（８）の具体例＞ ビス（４−ヒドロキシフェニル）サルファイド ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）サルファ
イド ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）サ
ルファイド ２，３’，４，４’−テトラヒドロキシジフェニルサル
ファイド ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メ
チルフェニル）サルファイド

【００７０】＜一般式（９）の具体例＞ ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン ビス（４−ジヒドロキシフェニル）メタン ２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）
プロパン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン ２−（２−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル
ペンタン

【００７１】＜一般式（１０）の具体例＞ ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）スルホン ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン ３，４’，５−トリヒドロキシジフェニルスルホン ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン ２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン ３，４−ジヒドロキシ−４’−メチルジフェニルスルホ
ン ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ス
ルホン ２，５−ジヒドロキシ−４’−メチルジフェニルスルホ
ン ２，４−ジヒドロキシ−２’，４’−ジメチルジフェニ
ルスルホン

【００７２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して電子受容性
顕色剤と電子供与性呈色化合物とを主成分として構成さ
れたサーモクロミック材料よりなるマスク層を有する本
発明の光記録媒体の好ましい実施の形態について説明す
る。すなわち、本発明の光記録媒体の形状としては、特
に限定されるものではなく、例えば、ディスク、カー
ド、テープなど様々な形態のものが使用され、また、そ
の機能も、再生専用型、追記型、あるいは、書き換え型
などどのようなものであってもよい。

【００７３】一例として、光記録媒体として広く普及し
ている光ディスクの構造を図１及び図２に示した。図１
は再生専用型光ディスク（ＲＯＭディスク）１を示し、
図２は記録可能型光ディスク（ＲＡＭディスク）１１を
示すものである。図１において、再生専用型光ディスク
１は、光読み出し可能なピット（図示省略）が形成され
た光透過性基板２と、前述したマスク効果によりこの基
板２の下方から照射されるレーザ光の実効スポット径を
小さくする、マスク層４と、例えばアルミニウムなどか
らなる反射膜６と、ＵＶ硬化樹脂などからなる保護膜層
８とがこの順に積層された層構成となっている。

【００７４】一方、図２において、記録可能型光ディス
ク１１は、図示省略の凹状のグルーブと凸状のランドが
交互に同心円状もしくはスパイラル状に形成された光透
過性基板１２と、上記と同様のマスク層４と、光記録再
生可能な物質よりなり、誘電体膜６Ａ、相変化材料膜６
Ｂ、誘電体膜６Ｃ、Ａｌ反射膜６Ｄを積層した記録層６
Ｅと、上記と同様の保護膜層８とがこの順に積層されて
構成されているとともに、この構成で保護膜層側を上下
で接着剤により貼りあわせた両面型となっている。勿
論、片面側だけの構成であってもよい。なお、図１，図
２に示した光ディスク１、１１は、いずれも反射型の光
ディスクの半径方向の部分断面図である。また、反射膜
６、６Ｄを備えていない光透過型であってもよく、さら
に、断熱層やエンハンス層、あるいは、誘電体層が設け
られていてもよい。

【００７５】光透過性基板２、１２としては、ガラス、
ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンやポリ
メチルメタクリレートなどの熱可塑性樹脂、又はエポキ
シ樹脂などの熱硬化性樹脂、又は、光硬化性樹脂などの
光透過性高分子材料などを使用することができる。

【００７６】マスク層４は前述した、電子供与性呈色化
合物と電子受容性顕色剤とを構成成分とするサーモクロ
ミック材料よりなる。このサーモクロミック材料の混合
比率（重量比率）は、例えば、電子供与性呈色化合物：
電子受容性顕色剤＝１：０．５〜１：５０の範囲とする
ことが好ましく、さらに好ましくは、１：１〜１：５で
ある。また、マスク層４の膜厚は、５０〜５０００ｎｍ
の範囲とすることが好ましく、さらに好ましくは、２０
０〜２０００ｎｍである。

【００７７】上記マスク層４は、基板上に、スピンコー
ト法、ディッピング法、噴霧法、真空蒸着法などを用い
て形成することができる。なかでも、凹凸のある光ディ
スク基板上に均一な膜厚のマスク層４を形成することを
勘案すると、形成方法としては、特に、膜厚制御性に優
れた真空蒸着法が好適である。

【００７８】反射膜６、６Ｄは、アルミニウム、銀、
金、クロム、ニッケルなどの金属及び合金を、真空蒸着
法、スパッタリング法などにより成膜することにより形
成することができる。

【００７９】また一方、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクに代表されるような、薄板
基板２枚（ＤＶＤの場合は板厚０．６ｍｍ）を貼り合わ
せてディスクを作製するような構造のディスクの場合
や、最近提案されている記録容量を高めるために、高Ｎ
Ａの対物レンズを用い、かつ透過する基板の厚さによる
収差を抑えるため基板の光ビーム入射側の板厚を薄くし
たシステムに使われるディスクにおいては、従来のディ
スクの作製方法とは逆の順番に反射膜や記録層を成膜す
ることが可能である。

【００８０】このようなディスクに本発明のマスク層を
形成させる場合、凹凸のある光ディスク基板上に反射膜
や記録層を成膜した後、マスク層をスピンコート法で形
成させることが可能である。このような場合は、反射膜
や記録層においてディスクの凹凸は維持されるため、マ
スク層をスピンコート法で塗布しても光学的に読み出す
ための凹凸が埋もれてしまうことはない。

【００８１】したがって、このようなディスク作製法の
場合は、マスク層の形成方法としてスピンコート法も好
適になる。この場合、マスク層には電子供与性呈色化合
物と電子受容性顕色剤のみを溶剤に溶かして成膜しても
よいし、各種添加剤を添加してもよいし、貼り合わせの
ための接着剤（例えば紫外線硬化樹脂）を添加してもよ
い。

【００８２】＜実施例＞以下に示す実施例により、本発
明を具体的に説明する。

【００８３】＜実施例１＞まず透明ガラス基板に、電子
供与性呈色化合物として２−（２−クロロアニリノ）−
６−エチルアミノ−７−メチルフルオランと、電子受容
性顕色剤として４，４’ −ビスヒドロキシフェニルエ
タン（ＢＨＰＥ）を使用し、これらを真空槽中で共蒸着
（１０^-5mｂａｒ、抵抗加熱）させてマスク層を８００
ｎｍの膜厚で形成した。

【００８４】マスク層の透過スペクトルを測定すると、
図７に示すように極大吸収波長λmax＝４３０ｎｍと５
５４ｎｍであり、青色レーザの波長領域に十分な吸収が
あった。これに４０５ｎｍの半導体レーザを使用した、
図６に示したような光学装置を用いてレーザ光を集光照
射して、非線形光透過変化と可逆的変化を測定した。こ
の光学装置を用いて非線形光透過変化を起こすマスク層
は、実際に光ディスクのマスク層として使用した場合に
も超解像効果があることは、確認されている。図８に示
したように非線形光透過変化と可逆的変化を確認した。

【００８５】＜実施例２＞同様に電子供与性呈色化合物
として3,6−ジメトキシフルオランにＹ−338をスピロ
｛クロメノ[2,3−Ｃ]ピラゾール−４（Ｈ）−１’−フ
タラン｝−７−エチルアミノ−１−フェニル−3,6−ジ
メチル−３’−オンについても非線形光透過変化と可逆
的変化を確認した。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、来
るべく次世代の青紫色半導体レーザや青色レーザに対応
すべく、４００ｎｍ台に吸収を有し、照射した光の波長
における光透過率が温度によって可逆的に変化する電子
供与性呈色化合物と電子受容性顕色剤の２成分で構成さ
れるサーモクロミック材料を用いたマスク層を有する光
記録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光ディスクにレーザ光が入射し、ディスクから
反射する光を検出する場合のマスク層付き再生専用型光
ディスクの一例の断面図である。

【図２】光ディスクにレーザ光が入射し、ディスクから
反射する光を検出する場合のマスク層付き記録再生可能
な光ディスクの一例の断面図である。

【図３】マスク層としてサーモクロミック材料を用い、
マスク層の温度と光の透過率との関係の一例を示したグ
ラフである。

【図４】マスク層に入射した光の光強度分布と、マスク
層を透過する光の光強度分布の例を模式的に示した図で
ある。

【図５】光ディスク上の光スポットのうち、マスク層を
透過する光と透過しない光の範囲を示す図である。

【図６】本発明の効果を調べるために用いた光応答測定
光学装置の模式的概略図である。

【図７】本発明の光記録媒体のマスク層の分光特性を示
すグラフである。

【図８】本発明の光記録媒体のマスク層への入力光と、
その透過光とを測定した結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 光記録媒体（再生専用型光ディスク） ２、１２ 透明基板（光透過性基板） ４ マスク層 ６ 反射膜 ６Ａ、６Ｃ 誘電体膜 ６Ｂ 相変化材料膜 ６Ｄ 反射膜（Ａｌ反射膜） ６Ｅ 記録層 ８ 保護膜層 １１ 光記録媒体（記録可能型光ディスク） Ｌ レーザ光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｂ 11/28 Ｃ０９Ｂ 11/28 Ｋ 67/20 Ｆ 67/20 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 上野 一郎 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 畠山 大 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 澤野 文二 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 熊谷 洋二郎 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA23 FA02 FB42 FB58 4H056 BA01 BA02 BB05 BB14 BC01 BC03 BC05 BD06 BF02E BF26F BF28E 5D029 HA07 MA02 MA04 MA39

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光読み出し可能な微小ピット列、あるい
   は凹状のグルーブと凸状のランドとが交互に形成された
   光透過性基板上に、光の照射による温度変化により光透
   過率が変化するマスク層を有し、前記マスク層を通して
   情報を記録再生し、前記マスク層の光透過率変化を利用
   して前記マスク層を透過する光ビームのスポット径が前
   記マスク層に入射する前記光ビームのスポット径よりも
   実質的に縮小されるようにした光記録媒体であって、前
   記マスク層は、少なくとも電子供与性呈色化合物及び電
   子受容性顕色剤の２成分で光透過率が可逆的に変化する
   サ−モクロミック材料を主成分としたものにおいて、前
   記電子供与性呈色化合物として、下記一般式（１）で表
   されるフルオラン化合物のうち、少なくとも１種を含有
   することを特徴とする光記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ₁はアルキル基、シクロヘキシル基、テトラ
   ヒドロフルフリル基を示し、Ｒ₂は水素原子又はメチル
   基を示し、Ｘは水素原子又はハロゲン原子を示す。）
2. 【請求項２】 光読み出し可能な微小ピット列、あるい
   は凹状のグルーブと凸状のランドとが交互に形成された
   光透過性基板上に、光の照射による温度変化により光透
   過率が変化するマスク層を有し、前記マスク層を通して
   情報を記録再生し、前記マスク層の光透過率変化を利用
   して前記マスク層を透過する光ビームのスポット径が前
   記マスク層に入射する前記光ビームのスポット径よりも
   実質的に縮小されるようにした光記録媒体であって、前
   記マスク層は、少なくとも電子供与性呈色化合物及び電
   子受容性顕色剤の２成分で光透過率が可逆的に変化する
   サ−モクロミック材料を主成分としたものにおいて、前
   記電子供与性呈色化合物として、下記一般式（２）で表
   されるフルオラン化合物のうち、少なくとも１種を含有
   することを特徴とする光記録媒体。 【化２】 （式中、Ｒ₃、Ｒ₄は各々独立にアルキル基、又はシクロ
   アルキル基を示す。）
3. 【請求項３】 光読み出し可能な微小ピット列、あるい
   は凹状のグルーブと凸状のランドとが交互に形成された
   光透過性基板上に、光の照射による温度変化により光透
   過率が変化するマスク層を有し、前記マスク層を通して
   情報を記録再生し、前記マスク層の光透過率変化を利用
   して前記マスク層を透過する光ビームのスポット径が前
   記マスク層に入射する前記光ビームのスポット径よりも
   実質的に縮小されるようにした光記録媒体であって、前
   記マスク層は、少なくとも電子供与性呈色化合物及び電
   子受容性顕色剤の２成分で光透過率が可逆的に変化する
   サ−モクロミック材料を主成分としたものにおいて、前
   記電子供与性呈色化合物として、下記一般式（３）で表
   されるクロメノピラゾール化合物のうち、少なくとも１
   種を含有することを特徴とする光記録媒体。 【化３】 （式中、Ｒ₅、Ｒ₆は各々独立に水素原子、アルキル基、
   又はシクロアルキル基、テトラヒドロフルフリル基、ア
   ルコキシアルキル基、置換もしくは非置換のベンジル基
   又は置換もしくは非置換のフェニル基を示し、又、Ｒ₅
   とＲ₆は、連結して結合する窒素原子と共に複素環を形
   成してもよい。Ｒ₇は水素原子又はアルキル基を示し、
   Ｒ₈は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子を示し、Ｒ₉
   は水素原子、アルキル基、置換もしくは非置換のベンジ
   ル基、置換もしくは非置換のフェニル基又はハロゲン原
   子を示す。）
4. 【請求項４】 光読み出し可能な微小ピット列、あるい
   は凹状のグルーブと凸状のランドとが交互に形成された
   光透過性基板上に、光の照射による温度変化により光透
   過率が変化するマスク層を有し、前記マスク層を通して
   情報を記録再生し、前記マスク層の光透過率変化を利用
   して前記マスク層を透過する光ビームのスポット径が前
   記マスク層に入射する前記光ビームのスポット径よりも
   実質的に縮小されるようにした光記録媒体であって、前
   記マスク層は、少なくとも電子供与性呈色化合物及び電
   子受容性顕色剤の２成分で光透過率が可逆的に変化する
   サ−モクロミック材料を主成分としたものにおいて、前
   記電子供与性呈色化合物として、下記一般式（４）で表
   されるフルオラン化合物のうち、少なくとも１種を含有
   することを特徴とする光記録媒体。 【化４】 （式中、Ｒ₁₀はアルキル基、シクロアルキル基、テトラ
   ヒドロフルフリル基、アルコキシアルキル基、又は置換
   もしくは非置換のフェニル基を示し、Ｒ₁₁は水素原子又
   はアルキル基を示し、Ｒ₁₂は水素原子、アルキル基、又
   はアシル基を示す。）
5. 【請求項５】 光読み出し可能な微小ピット列、あるい
   は凹状のグルーブと凸状のランドとが交互に形成された
   光透過性基板上に、光の照射による温度変化により光透
   過率が変化するマスク層を有し、前記マスク層を通して
   情報を記録再生し、前記マスク層の光透過率変化を利用
   して前記マスク層を透過する光ビームのスポット径が前
   記マスク層に入射する前記光ビームのスポット径よりも
   実質的に縮小されるようにした光記録媒体であって、前
   記マスク層は、少なくとも電子供与性呈色化合物及び電
   子受容性顕色剤の２成分で光透過率が可逆的に変化する
   サ−モクロミック材料を主成分としたものにおいて、前
   記電子供与性呈色化合物として、下記一般式（５）で表
   されるフタリド化合物のうち、少なくとも１種を含有す
   ることを特徴とする光記録媒体。 【化５】 （Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は各々独立に水素原子、アルキル基、アル
   コキシ基、アルキルメルカプト基、置換もしくは非置換
   のフェニル基又はハロゲン原子を示し、Ｒ₁₅、Ｒ ₁₆、Ｒ
   ₁₇、Ｒ₁₈は各々独立にアルキル基、又は置換もしくは非
   置換のフェニル基を示す。）