TW200908777A

TW200908777A - Organic el device

Info

Publication number: TW200908777A
Application number: TW097110365A
Authority: TW
Inventors: Kazuki Nishimura; Toshihiro Iwakuma; Kenichi Fukuoka; Yukitoshi Jinde; Chishio Hosokawa
Original assignee: Idemitsu Kosan Co
Priority date: 2007-03-23
Filing date: 2008-03-24
Publication date: 2009-02-16
Also published as: JPWO2008123178A1; US8207526B2; US20100044689A1; EP2133932A1; EP2133932A4; WO2008123178A1

Description

200908777 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明關於有機電致發光元件。特別地，關於具備不同發光色的複數之發光層，可得到混合色的發光之有機電致發光元件。【先前技術】以往，已知具備顯示互相不同波長的發光之複數的發光層，將此等發光層的發光混合而得到混合色的有機EL (Electro-Luminescence)元件。例如，已知具有經層合的紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層，將此等發光層的發光混合而得到白色光的有機電致發光元件。然而，於有機化合物的激發狀態中，有激發單重態狀態及激發三重態狀態。將來自激發單重態狀態的發光稱爲螢光，及將來自激發三重態狀態的發光稱爲磷光。通常，激發單重態狀態與激發三重態狀態係以1 : 3的比例生成〇於此，在以往的有機電致發光元件中，主要使用發出螢光的螢光發光材料。於使用如此螢光發光的有機電致發光元件中，發光層所生成的激發之內僅2 5 %的激發單重態係貢獻於發光’剩餘75 %的激發三重態係不發光而失去活性。因此，爲了提局有機電致發光元件的發光效率，開發出發射來自激發三重態的發光之磷光的磷光發光材料（例 -5- 200908777 如，文獻1 : US2002/1 8244 1號公報）。例如，示紅色發光的磷光發光材料、或顯示綠色發光的材料。但是關於顯示藍色發光的磷光發光材料，實用水平者。若採用如此的磷光發光材料，則於混合色的發光元件中，也可提高發光效率。例如，已知有使用顯示藍色發光的螢光發光顯示紅色〜綠色發光的磷光發光材料而得到白色機電致發光元件。藉此，紅色〜綠色發光的量子高，可提高有機電致發光元件全體的發光效率。然而，即使於如此的混合色之有機電致發光可得到來自紅色〜綠色的發光層之激發三重態的另一方面，由於能隙小，藍色發光層的激發三重獻於發光，而失去活性。因此，有提案使藍色發光層的激發三重態擴及綠色發光層，藉此得到紅及綠的磷光之有機電件（例如，文獻 2 : W02006/03 8020號公報、 W02004/060026 號公報文獻 6 : nature vol440 ] 依照如此的有機電致發光元件，可利用通常不貢而失去活性的藍色發光層之激發三重態的能量，綠的磷光，可提高有機電致發光元件全體的發光上述文獻6中記載的有機電致發光元件係依藍色螢光發光層、障壁層、紅色磷光發光層、綠光層' 障壁層、藍色螢光發光層。依照該文獻，有報告顯碟光發光尙未得到有機電致材料、與發光的有效率可變元件中，發光，但態係不貢散至紅色致發光元文獻 3 : p.908 ) =» 獻於發光得到紅及效率。順序具備色磷光發可得到來 -6- 200908777 自藍色螢光發光層的激發單重態之藍色螢光發光，而且藍色螢光發光層的激發三重態係通過障壁層而擴散至紅色及綠色的磷光發光層。於是，生成紅色及綠色的磷光發光層之激發三重態，得到紅色及綠色的磷光發光。而且，有報告將藍色螢光發光與紅色及綠色的磷光發光混色，得到全體爲白色的發光。然而，於上述文獻6記載的有機電致發光元件中，不僅對藍色螢光發光層，而且對於紅色及綠色的磷光發光層 ’亦注入電洞及電子，而生成激子。於此情況下，會發生妨礙藍色螢光發光層中的充分激子生成，降低藍色發光強度，得不到作爲有機電致發光元件全體的白色發光之問題〇因此，例如已知有藉由在顯示藍色發光的第1發光層與顯示其它色發光的第2發光層之間，設置具有比第1發光層還小親和性水平的電荷障壁層，使電子容易停留在第 1發光層中，而提高第1發光層中的激子生成機率，提高藍色發光的強度之元件構成（例如，文獻 4: W02005/099313 號公報）。然而’就如此的元件構成而言，以在發光弱的藍色之第1發光層中集中電荷，取得與紅色的發光平衡爲目的，僅規定電荷障壁層的親和性水平。因此’即使適用作爲在第2發光層中顯示磷光發光的材料，也無法適用於藉由來自第1發光層的三重態能量移動而使磷光發光的構成。 200908777 於上述文獻2、3記載的有機電致發構成螢光發光層的螢光用主體之三重態能量無法移動到綠色的磷光發光材料，無法發光。又，於文獻5(US2002/197511號公ί ，揭示使用三重態能量移動的白色發光之件。但是此處所用的α-NPD ( 4,4，-雙[Ν-基-胺基]-聯苯），由於三重態能隙比綠色 (例如Ir ( ppy ) 3 ( fac-三（2-苯基吡啶故無法得到綠色的磷光發光。如此地，僅單純地層合藍色螢光發光的磷光發光層，係得不到發光效率高的混發光元件。因此，尙未實現發光效率高的致發光元件，迫切希望其開發。本發明之主要目的爲消除上述問題，的混合色之有機電致發光元件。【發明內容】本發明的有機電致發光元件，係依順的陽極、磷光發光層、電荷障壁層、營光電子的陰極，前述磷光發光層具有磷光用發光的磷光用摻雜物，前述螢光發光層具顯示螢光發光的螢光用摻雜物，前述電荷螢光發光層中所注入的前述電子從HU述螢光元件中，由於隙小，三重態能得到綠色的磷光 ® )的第6圖中有機電致發光元 (1-萘基）-N-苯的磷光發光材料 )銥））還小，層與紅色及綠色合色之有機電致混合色之有機電提供發光效率高序具備注入電洞發光層、及注入主體及顯示磷光有螢光用主體及障壁層阻擋前述光發光層注入該 -8- 200908777 電荷障壁層側，且使前述電洞從前述磷光發光層注入前述螢光發光層，前述磷光用摻雜物的三重態能隙EgPD、前述電荷障壁層的三重態能隙EgEB及前述螢光用主體的三重態能隙EgFH係滿足下式（1 )，

EgpD< EgEB^ EgFH (1) 於如此的構成中，由陰極注入螢光發光層的電子係被電荷障壁層關閉在螢光發光層中。由陽極所注入的電洞係通過磷光發光層及電荷障壁層而注入螢光發光層。於是，在螢光發光層的螢光用主體中，電子與電洞再結合，生成激發單重態及激發三重態。螢光用主體的激發單重態能量係往螢光用摻雜物進行能量移動，此能量係當作光（螢光）而發出。再者，由於激發單重態的壽命短，故激發單重態能量越過電荷障壁層往磷光發光層移動的可能性低，螢光用主體的激發單重態能量係高效率地往螢光用摻雜物進行能量移動，被當作螢光取出。營光用主體所產生的激發三重態能量，係通過電荷障壁層往磷光發光層移動。此係因爲激發三重態的壽命長，往電荷障壁層或磷光發光層的長距離之能量移動係可能，而且磷光發光層的磷光用摻雜物的三重態能隙EgPD、電荷障壁層的三重態能隙 -9- 200908777

EgEB及螢光發光層的螢光用主體之三重態能隙EgFH係滿足上述式（1 )。即’由於EgEB < EgFH，激發三重態能量從螢光用主體往電荷障壁層的移動係可能，而且由於EgPD<EgEB，從電荷障壁層往磷光用摻雜物的激發三重態能量之移動係可能〇藉由如此的蛋光用主體之激發三重態能量的移動，可生成磷光用摻雜物的激發三重態，得到磷光發光。如此地’利用螢光發光及磷光發光，可將所生成的能量以最大限度高效率轉換成發光，謀求發光效率的顯著提高。以往亦已知使用蛋光發光與磷光發光來提高發光效率的元件構成。例如’已知有層合螢光的藍色發光層與磷光的紅色發光層’將藍色發光當作螢光發光，將紅色發光當作磷光發光的構成。然而，以往由於壽命長的理由，可標準使用的螢光發光層的主體材料係有數種類（例如蒽主體材料等） ’但是如此的材料一般係爲單重態能隙寬而三重態能隙窄之構成。因此’僅單純地採用以往所用的螢光發光層之主體於本發明’係得不到上述式（i)的關係，無法達成使螢光發光層的三重態能量進行擴散，利用磷光摻雜物的發光之本發明的作用效果。關於此點，本發明係與以往的構想不同，決定選擇三 -10- 200908777 重態能隙寬的材料當作螢光發光層的主體，使用螢光發光與磷光發光，而實現劃時代的高效率發光。此處，螢光用主體的三重態能隙較佳爲超過2.5 5eV，更佳爲2.6eV以上，特佳爲2.7eV以上。因爲若螢光用主體的三重態能隙E g F η寬，則可增加滿足上述式（1)般的電荷障壁層之材料的選擇範圍。又’例如有藉由在磷光發光層與螢光發光層之間具備用於阻擋激發單重態能量的移動之單重態阻擋層，僅使螢光發光層的激發三重態能量磷光往發光層移動，而可高效地得到混合色的發光之元件構成（例如，上述文獻2 )。然而’僅單純地設置單重態能隙寬的單重態阻擋層，係無法高效率地使激發三重態能量從螢光發光層往磷光發光層移動’結果有無法改善發光效率的問題。關於此點’在本發明中，爲了高效率地使高螢光用主體所生成的激發三重態能量往磷光發光層移動，係成爲層合具有上述式（1)的關係性之層的構成。又’於僅當作單重態阻擋層時，由於不是成爲如本發明的電:荷障壁層’故在螢光發光層中無法高效率地進行激子生成’無法謀求發光效率的提高。此處’各材料的三重態能隙Eg，可舉出以基於磷光發光光譜所規定者當作例子，例如在本發明中可舉出如以下的規定者當作例子。即’將各材料以l(^m〇l/L溶解在EPA溶劑（容積比爲二乙基醚：異戊烷：乙醇=5 : 5 ·· 2 )中，當作磷光測定 -11 - 200908777 用試料。然後，將磷光測定用試料置入石英容器內，冷卻到 77K ’照射激發光，測定所發出的磷光之波長。對所得到的磷光光譜之短波長側的上坡畫出切線，將該波長値換算成能量値，當作三重態能隙Eg。再者，測定係可使用市售的測定裝置F-45 00 (日立製 )。但是，亦可爲不依照如此的規定，在不脫離本發明的宗旨之範圍內的當作三重態能隙可定義之値。於本發明中，前述電荷障壁層具有比前述螢光用主體還小的親和性水平，前述電荷障壁層的親和性水平AfEB 與前述螢光用主體的親和性水平AfFH較佳爲滿足下式（2

AfEB<AfFH — 〇 · 1 e V (2) 於如此的構成中，依照上述式（2 )的關係，電荷障壁層的親和性水平 AfEB係比螢光用主體的親和性水平 AfFH還小。因此，電子不易從螢光用主體注入電荷障壁層，電子被關閉在螢光發光層中。結果，於螢光發光層中高效率地生成激子，提高發光效率。此處，親和性水平Af (電子親和力）係指在將一個 -12- 200908777 電子給予材料的分子時，所放出或吸收的能量，將放出時定義爲正，將吸收時定義爲負。親和性水平A f係由離子化位能I p與光學能隙E g ’ ’ 規定如下。

Af=Ip_Eg，此處，離子化位能Ip係意味爲了從各材料的化合物去掉電子而離子化所需要的能量，例如可使用由紫外線光電子分光分析裝置（AC-3,理硏（股）計器）所測定之値〇光學能隙Eg’係指傳導水平與價電子水平的差，例如可舉出將各材料的甲苯稀薄溶液之吸收光譜的長波長側切線與基線（吸收零）的交點之波長値換算成能量而求得者當作例子。但是，亦可爲不依照上述的規定，在不脫離本發明的宗旨之範圍內的當作離子化位能、光學能隙可定義之値。此處，例如已知有藉由於顯示藍色發光的第1發光層與顯示其它色的發光的第2發光層之間，設置具有比第i 發光層還小的親和性水平之電荷障壁層，使電子容易停留在第1發光層中，可提高第1發光層中的激子生成機率，提高藍色發光的強度之元件構成（例如，文獻4)。然而，以往之以將電荷集中在發光弱的藍色第1發光層中，取得與紅色的發光平衡爲目的，僅規定電荷障壁層 -13- 200908777 的親和性水平。因此，即使適用在第2發光層中作爲顯示磷光發光的材料，也無法適用於藉由來自第1發光層的三重態能量移動而使磷光發光的構成。關於此點，在本發明中，除了與親和性水平有關的上述式（2)，螢光發光層、磷光發光層、電荷障壁層的各層亦滿足上述式（1 )。結果’於集中電荷可尚效率地營光之發光層中，可生成激子，而且可使三重態能量從螢光發光層往磷光發光層移動，顯著地提高發光效率。再者，爲了確保電洞對螢光發光層的注入，電荷障壁層較佳爲電洞輸送性。作爲電荷障壁層，例如可舉出使用單胺化合物、二胺化合物、三胺化合物、四胺化合物等之電洞輸送性材料當作例子’例如可舉出下式所示的化合物。

Ar 雜芳基相同或〜Ar係取代或未取代的核原子數5〜5〇的芳基或 ’P係1〜4的整數。於時，Ar3、Ar4可各自不同。

Ar3與Ar4亦可鍵結。作爲核原子數爲5〜5〇的芳基或雜芳基，可舉出苯基 -14- 200908777 、萘基、蒽基、菲基、芘基、窟基、柯尼基、聯苯基、吡咯基、呋喃基、硫苯基、苯并硫苯基、、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯醌、螢蒽基、苊并螢蒽基、芪等當作例子。再者，層當然不限於胺化合物。於本發明中，從前述磷光發光層通過前述電注入前述螢光發光層的前述電洞，較佳爲注入前主體的Η Ο Μ 0。於如此的構成中，隣光發光層的電洞係通過層而注入螢光用主體的 HOMO ( Highest Molecular Orbital :最高被佔軌道）。於是，在螢光用主體中生成激子。例如，於不是對螢光發光層的主體而是對螢物注入電荷（電洞）的構成（例如上述文獻3 ) 螢光用摻雜物的三重態能隙一般係小，故選擇在層中可能量移動的材料係不可能。即便使用三重態能隙充分大者當作螢光用摻也由於螢光用摻雜物的濃度薄，而無法產生能得磷光發光之能量。關於此點，在本發明中激發螢光用主體，從的能量生成，以及材料選擇的觀點來看，亦可保能性。於本發明中，前述磷光用主體的電洞移 Ι.ΟχΙΟ4 〜1.0><106V/cm 的電場中，較佳爲 1·〇χ1 苯基、三鸣二唑基基、蒹基電荷障壁荷障壁層述螢光用電荷障壁 Occupied 光用摻雜中，由於磷光發光雜物時，到充分的確保充分證實現可肋度，在〇'5cm2/Vs -15- 200908777 以上。於如此的構成中，藉由具備具高電洞移動度的磷光用主體，可提高電洞的輸送能力，通過電荷障壁層而將電洞注入螢光發光層。於本發明中，在螢光發光層的主體中進行激子的生成係重要，由於在陽極與螢光發光層之間具備磷光發光層及電荷障壁層，故必須越過此等層而將電洞輸送到螢光發光層爲止。關於此點，在本發明中，即使提高磷光用主體的電洞移動度，在螢光發光層的陽極側設置電荷障壁層時，也可將電洞輸送到螢光發光層爲止。而且，由於對螢光發光層，邊以電荷障壁層來阻擋電子，邊以高的輸送能力將電洞注入螢光發光層，故可提高螢光發光層（的主體）中的激子生成機率，謀求發光效率的提高。又，以往在促進發光層中電荷的再結合方面，作爲發光層的主體，電荷移動度大者由於難以取得載子平衡，故最合適化係困難。相對於此，於本發明中，在不僅於磷光發光層中使電荷再結合，而且利用來自螢光發光層的擴散之能量而得到發光的情況中，以往不同，較佳爲提高發光層之磷光發光層的主體之電洞移動度。藉此，促進螢光發光層中電荷的再結合，謀求全體的發光效率之提高。再者，磷光用主體之電洞移動度較佳爲大者，例如較佳爲l(T4cm2/Vs以上，更佳爲10_3cm2/Vs以上。 -16- 200908777 或者，作爲磷光用主體，電洞輸送性材料可爲電涧移動度比電子移動度還大者。而且，磷光用主體當然爲比磷光用摻雜物之能隙還大者。又，爲了通過電荷障壁層而將電洞注入螢光發光層，較佳爲增大電荷障壁層的電洞移動度，爲了防止從磷光發光層注入電荷障壁層的電洞滯留在電荷障壁層中，電荷障壁層的電洞移動度μΕΒ，對於磷光用主體的電洞移動度μΡΗ 而言，較佳爲在指定比以上。作爲電荷障壁層的電洞移動度，可舉出在Ι.ΟχΙΟ4〜 1.0xl06V/cm的電場中，爲l.〇xl〇_5Cm2/Vs以上的例子，尤其HT4cm2/Vs以上的例子，特別是l(T3cm2/Vs以上的例子。又，電荷障壁層的電洞移動度μΕΒ，對於磷光用主體的電洞移動度μρΗ而言，例如可舉出μΕΒ/μρΗ$〇·1的例子，尤其μΕΒ/μρΗ 2 〇·7的例子，特別是μΕΒ/μΡΗ 2 1的例子。再者，上限値係沒有特別的限制，可舉出μΕΒ/μΡΗ < 1 〇 3左右之例子。又，於前述陽極與前述磷光發光層之間設置電洞輸送層時，該電洞輸送層的電洞移動度在 1_〇χΐ〇4〜 1.0xl06V/cm的電場中較佳爲l.〇xl(T5cm2/Vs以上。如此地藉由具備電洞移動度高的電洞輸送層，可提高電洞的輸送能力，將電洞注入螢光發光層。於本發明中，在螢光發光層的主體中進行激子的生成 -17- 200908777 係重要，由於在陽極與螢光發光層之間具備磷光發光層及電荷障壁層，故必須越過此等層而將電洞輸送到萤光發光層爲止。關於此點，藉由具有電洞移動度高的電洞輸送層，即使在螢光發光層的陽極側設置電荷障壁層時，也可將電洞輸送到螢光發光層爲止。而且，於對螢光發光層，邊以電荷障壁層來阻擋電子，邊以高的輸送能力將電洞注入螢光發光層，故可提高螢光發光層（的主體）的激子生成機率，謀求發光效率的提筒。再者，電洞輸送層的電洞移動度較佳爲大者，例如較佳爲l〇-4cm2/Vs以上，更佳爲10_3cm2/Vs以上於本發明中，較佳爲在前述陽極與前述磷光發光層之間具有電洞輸送層，前述電洞輸送層的離子化位能係比前述磷光用摻雜物的離子化位能還大。於如此的構成中，由於具備有助於在陽極與磷光發光層之間將來自陽極的電洞注入之電洞輸送層，故可減小電洞注入障壁，達成驅動電壓的減低等作用。但是，於磷光發光層中，電洞必須不注入磷光用摻雜物而注入磷光用主體時，若電洞從電洞輸送層注入磷光用摻雜物，則電荷（電洞）直接在磷光用摻雜物進行再結合而被消粍，發生不能輸送到螢光發光層爲止的不良狀況。特別地，由於爲了降低電洞注入障壁，一般係使陽極的功函數與電洞輸送層的離子化位能Ip接近，故容易成 -18- 200908777 爲具有比磷光摻雜物的Ip還小的Ip之電洞輸送層。結果，由於設置電洞輸送層，大多數的電洞係直接被磷光摻雜物所消耗，而有降低發光效率的問題。關於此點，在本發明中，電洞輸送層的Ip係比磷光用摻雜物的Ip還大，由於防止磷光用摻雜物的電荷消耗，故可提高螢光發光層的激子生成機率，謀求全體的發光效率之提高。於本發明中，前述磷光發光層的前述磷光用主體之離子化位能IPpH、前述磷光發光層的前述磷光用摻雜物之離子化位能IpPD及該電洞輸送層之離子化位能ΙρΗΤ係滿足下式（3 )， (IppH+IppD) / 2<IpHT (3) 藉由滿足如此的式（3 )，電洞注入層的離子化位能 ΙΡΗΤ係處於比磷光用摻雜物的Ip及磷光用主體的Ip之中間水平（（IpPH + IpPD ) /2 )更接近磷光用主體的Ip之水平的位置。於是，從電洞輸送層注入磷光發光層的電洞，係變容易注入磷光用主體而不易注入磷光用摻雜物。結果，防止磷光用摻雜物的電荷消耗，可提高螢光發光層的激子生成機率，謀求全體的發光效率之提高。再者，作爲電洞輸送層的Ip之上限値，可舉出磷光用主體之Ip程度的例子。 -19- 200908777 還有，爲了減少磷光發光層的直接電荷消耗，較佳爲降低磷光用摻雜物的濃度，例如較佳係低於4%。作爲磷光發光層，例如於設有2層以上時，較佳爲使位置最靠近陽極側的磷光發光層之磷光用摻雜物的濃度成爲低於4%。雖然一般以高濃度（例如8%左右）利用磷光用摻雜物，但於本發明中在磷光用摻雜物中電荷直接再結合會消耗電荷，本來的再結合區域之螢光發光層中的再結合機率也就隨著變低，而無法達成發光效率的提高。關於此點，藉由降低磷光用摻雜物的摻雜濃度，可在螢光發光層中高效率地生成激子，同時使三重態能量從螢光發光層往磷光發光層移動，而可顯著地提高發光效率。於本發明中，較佳爲前述螢光發光層係藍色發光層，前述磷光發光層具備紅色發光的紅色磷光發光層及綠色發光的綠色磷光發光層，前述紅色磷光發光層係設置在比前述綠色磷光發光層更靠近前述陽極側。藉由如此的構成，可以高發光效率得到由螢光發光層的藍色、磷光發光層的紅色及綠色發光所混合成的白色光〇即，由螢光發光層的激發單重態得到藍色的發光，螢光用主體的激發三重態能量係往綠色磷光用摻雜物移動。由此所生成的綠色磷光用摻雜物之激發三重態能量的一部分係當作綠色的磷光發出。綠色磷光用摻雜物的剩餘激發三重態能量係往紅色磷光用摻雜物移動，從由此於所生成 -20- 200908777 的紅色磷光用摻雜物之激發三重態發出紅色的磷光。此等的發光係混合而得到白色光。再者，例如此處所言的藍色發光係表示波長430〜 500nm的光，紅色發光係表示波長5 5 0〜65 0nm的光，綠色發光係表示波長 500〜5 50nm的光。顯示波長 5 5 0〜 65 0nm及500〜5 50nm的發光，即紅色和綠色的磷光材料，由於係一般已知，故不需要使用特別的材料來構成發光效率高的混合色之有機電致發光元件。本發明的另一有機電致發光元件係依順序具備注入電洞的陽極、螢光發光層、電荷障壁層、磷光發光層、及注入電子的陰極，前述磷光發光層具有磷光用主體及顯示磷光發光的磷光用摻雜物，前述螢光發光層具有螢光用主體及顯示螢光發光的螢光用摻雜物，前述電荷障壁層阻擋前述螢光發光層中所注入的前述電洞從前述螢光發光層注入該電荷障壁層側，且使前述電子從前述磷光發光層注入前述螢光發光層，前述磷光用摻雜物的三重態能隙EgPD、前述電荷障壁層的三重態能隙EgHB及前述蛋光用主體的三重態能隙EgFH係滿足下式（4 )，

EgPD< EgHB^ EgFH (4) 本發明的有機電致發光元件，從在陽極側設置螢光發光層，在陰極側設置磷光發光層，電荷障壁層阻擋電洞的移動之點來看，係與上述有機電致發光元件不同。但是， -21 - 200908777 原理係與上述發明同樣。即，於本發明的有機電致發光元件中，從陽極注入螢光發光層的電洞，係被電荷障壁層關閉在螢光發光層中。從陰極所注入的電子，係通過磷光發光層及電荷障壁層而注入螢光發光層。於是，在螢光發光層的螢光用主體中，電子與電洞再結合，生成激發單重態及激發三重態。螢光用主體的激發單重態能量係往螢光用摻雜物進行能量移動，此能量係當作光（螢光）發出。螢光用主體所產生的激發三重態能量，係通過電荷障壁層而往磷光發光層移動。此係由於磷光發光層的磷光用摻雜物之三重態能隙 EgPD、電荷障壁層的三重態能隙EgHB及螢光發光層的螢光用主體之三重態能隙EgFH滿足上述式（4)。藉由如此的螢光用主體之激發三重態能量的移動，可生成磷光用摻雜物的激發三重態，得到磷光發光。如此地，利用螢光發光及磷光發光，可以將所生成的能量以將最大限度地高效率轉換成發光，謀求發光效率的顯著提局。於本發明中，較佳爲前述電荷障壁層具有比前述螢光用主體還小的離子化位能’前述電荷障壁層的離子化位能 IpHB與前述螢光用主體的離子化位能IPFH係滿足式（5 ) -22- 200908777 IPhb> Ipfh - O.leV (5) 於本發明中，從前述磷光發光層經由前述電荷障壁層注入前述螢光發光層的前述電子，較佳係注入前述螢光用主體的 LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital:最低空軌道）。於本發明中，前述磷光用主體的電子移動度在 Ι.ΟχΙΟ4〜l_0xl06V/cm 的電場中較佳爲 l.〇xl(T5cm2/Vs 以上。於本發明中，較佳爲前述螢光發光層係藍色發光層，前述磷光發光層具備紅色發光的紅色磷光發光層、綠色發光的綠色磷光發光層，前述紅色磷光發光層係設置在比前述綠色磷光發光層更靠近前述陰極側。具備此等構成的本發明之有機電致發光元件，係可發揮與上述有機電致發光元件同樣的優異作用效果。於任一的本發明中，較佳爲前述螢光發光層係藍色發光層，前述磷光發光層具有前述磷光用主體、顯示紅色磷光發光的紅色磷光用摻雜物、及顯示綠色磷光發光的綠色磷光用摻雜物。藉由如此的構成，可由螢光發光層得到藍色的發光，從磷光發光層得到紅色及綠色的發光，得到全體爲白色的發光。但是，於單一的磷光發光層中含有紅色磷光用摻雜物及綠色磷光用摻雜物兩者時，容易發生從綠色磷光用摻雜 -23- 200908777 物往紅色磷光用摻雜物的能量移動’由於與綠色相比’紅色有變強之虞，故較佳爲將紅色磷光用摻雜物的濃度減到比綠色磷光用摻雜物還低’以抑制從綠色磷光用摻雜物往紅色磷光用摻雜物的能量移動。於本發明中，較佳爲前述磷光發光層具備紅色發光的紅色磷光發光層及綠色發光的綠色磷光發光層’前述紅色磷光發光層具有紅色磷光用主體及顯示紅色磷光發光的紅色磷光用摻雜物，前述綠色磷光發光層具有綠色磷光用主體及顯示綠色磷光發光的綠色磷光用摻雜物。藉由如此的構成，由於分開地設置紅色磷光發光層與綠色磷光發光層，故可抑制從綠色磷光用摻雜物往紅色磷光用摻雜物的能量移動，可得到良好的白色發光。於本發明中，前述紅色磷光發光層的前述紅色磷光用主體及前述綠色磷光發光層的前述綠色磷光用主體較佳係相同材料。藉由如此的構成，由於紅色磷光用主體與綠色磷光用主體係相同材料，可減少有機電致發光元件製造時所用的材料種類，可容易製造。又’當磷光發光層位於比電荷障壁層更靠近陽極側時 ’在陽極與磷光發光層之間設置電洞輸送層的情況中，電洞輸送層與紅色磷光用主體及綠色磷光用主體亦可爲相同材料。於此情況下，可更容易地製造有機電致發光元件。於本發明的有機電致發光元件中，較佳在前述紅色磷光發光層與前述綠色磷光發光層之間具有不含前述磷光發 -24- 200908777 光材料的中間層。激發三重態能量，於爲了增長擴散長度，使紅色磷光發光層與綠色磷光發光層鄰接時，容易發生從綠色磷光發光層往紅色磷光發光層的能量移動。結果，紅色的發光強度容易變大，綠色的發光強度容易變小。因此’藉由在紅色磷光發光層與綠色磷光發光層之間 ’設置不含磷光發光材料的中間層，可適當地限制從綠色磷光發光層往紅色磷光發光層的激發三重態能量之移動，容易調整發光的色度。再者，中間層的構成材料、紅色磷光用主體的構成材料、綠色磷光用主體的構成材料亦可爲相同材料，此情況由於將磷光發光層的主體材料共通化，故製程非常簡單化 0 還有，當磷光發光層位於比電荷障壁層更靠近陽極側時，在陽極與磷光發光層之間設置電洞輸送層的情況中，電洞輸送層、中間層、紅色磷光用主體及綠色磷光用主體亦可爲相同材料。於本發明中，前述螢光用主體與前述磷光用主體較佳爲相同材料。或者於本發明中，前述電荷障壁層與前述磷光用主體較佳爲相同材料。藉由如此的構成，可減少有機電致發光元件製造時所用的材料之種類，可使製造成爲容易。於本發明中，前述電荷障壁層的厚度較佳爲3〜9nm -25- 200908777 例如，說明在陰極側設置蛮光發光層的構成（第1圖 )° 於此情況下，若電荷障壁層的厚度爲3〜9nm，則由於電荷障壁層具有厚度，電子阻擋機能係充分發揮機能’ 電子停留在螢光發光層。另一方面，電洞係通過電荷障壁層而注入螢光發光層〇即，可邊阻擋電子從螢光發光層注入電荷障壁層側，邊使電洞注入螢光用主體的HOMO。於是，螢光發光層中的電荷再結合機率變高，營光發光層的發光效率亦變高，而且藉由能量移動亦得到來自磷光發光層的發光。通常’由於以回避驅動電壓的上升爲目的，層的厚度係減薄者’但於本發明中，由於提高螢光發光層中的再結合機率係重要，故增厚電荷障壁層。藉此’可提高螢光發光層中的激子生成機率，及由於能量移動所致的磷光發光之利用而顯著地提高全體的發光效率’結果若爲相同的亮度，與以往只有螢光發光的有機電致發光元件相比，亦可期待驅動電壓的降低。而且’於在電荷障壁層取得厚度時，較佳爲磷光用主體的電洞移動度大。或者，較佳爲增大電荷障壁層的電洞移動度。藉此’即使設置電荷障壁層，亦可將電洞以高效率注 -26- 200908777 入螢光發光層（的主體）。而且，對於螢光發光層，可阻擋電荷，同時進行有效率的電洞注入，謀求發光效率的顯著提高，且可降低驅動電壓。電荷障壁層，爲了阻擋電子從螢光發光層注入電荷障壁層側，較佳爲具有比蛋光用主體還小的親和性水平，由於親和性水平與離子化位能的能隙之大小係有限度，故具有小親和性水平的材料一般係離子化位能小。又，電荷障壁層及螢光用主體必須滿足上述式（1) ，由於電荷障壁層的三重態激發能隙EgEB必須爲螢光用主體的三重態激發能隙EgFH以下（EgEB SEgFH )，故增大電荷障壁層之能隙係有限制。因此，具有小親和性水平的滿足上述式（1 )之電荷障壁層，離子化位能係不得不成爲小者。而且，若以離子化位能小的材料當作電荷障壁層，則電洞容易注入螢光用摻雜物，但電洞較佳爲注入螢光用主體，對螢光用摻雜物的注入之發生係不宜。因此，限制電何障壁層的厚度，使成爲9nm以下。於是，即使在電荷障壁層使用離子化位能小的材料，於通過電荷障壁層之間，電洞的水平也不會降低，可使磷光發光層的電洞注入螢光用主體的HOMO。另一方面，爲了阻擋電子從螢光發光層注入電荷障壁層側，電荷障壁層的厚度較佳爲3 nm以上。因此，於電荷障壁層的厚度爲3〜9nm的本發明之有機電致發光元件中，可邊阻擋電子從螢光發光層注入電荷 -27- 200908777 障壁層側，邊使磷光發光層的電洞注入螢光用主體的 HOMO。再者，電荷障壁層的厚度更佳爲4〜8nm，特佳爲5〜 7nm ° 又，於陽極側設置螢光發光層的構成（第4圖）時，亦可考慮替換電子與電洞的角色。例如，若電荷障壁層的厚度爲3〜9nm，則由於電荷障壁層具有厚度，電洞阻擋機能係發揮充分機能，電洞停留在螢光發光層中。另一方面，電子係通過電荷障壁層而注入螢光發光層〇即’可邊阻擋電洞從螢光發光層注入電荷障壁層側，邊使電子注入螢光用主體的LUMO。於是螢光發光層中的電荷再結合機率變高，螢光發光層的發光效率亦變高，而且藉由能量移動亦可得到來自磷光發光層的發光。通常’由於以回避驅動電壓的上有爲目的，層的厚度係減薄者，但於本發明中，由於提高螢光發光層中的再結合機率係重要，故增厚電荷障壁層。藉此’可提高蛋光發光層中的激子生成機率，及由於能量移動所致的磷光發光之利用而顯示提高全體的發光效率’結果若爲相同的亮度，與以往只有螢光發光的有機電致發光元件相比，亦可期待驅動電壓的降低。而且’於在電荷障壁層取得厚度時，較佳爲磷光用主體的電子移動度大。或者，較佳爲增大電荷障壁層的電子移動度。 -28- 200908777 藉此，即使設置電荷障壁層，亦可將電子以高效率注入螢光發光層（的主體）。而且’對於螢光發光層’可阻擋電荷，同時進行有效率的電子注入，謀求發光效率的顯著提高，且可降低驅動電壓。電荷障壁層，爲了阻擋電洞從螢光發光層注入電荷障壁層側，較佳爲具有比螢光用主體還小的離子化位能。又，電荷障壁層及螢光用主體必須滿足上述式（4) ，電荷障壁層的三重態激發能隙EgHB必須爲螢光用主體的三重態激發能隙EgFH以下（EgHB S EgFH )，故增大電荷障壁層之能隙係有限制。於任一的本發明中，更佳爲前述螢光發光層的發光波長係短於前述螢光發光層的發光波長，前述螢光發光層顯示波長430〜500nm的發光，前述磷光發光層顯示波長 500〜650nm的發光。藉由如此的構成，可以高的發光效率得到由來自螢光發光層的短波長發光及來自磷光發光層的長波長發光所混合的混合色之光。一般地’以磷光材料顯示短波長（藍色）的發光之良好材料在實用程度上係尙未知，而且在螢光時，藍色的發光效率一般也低。因此’於層合發光層以得到混合色（例如白色）的情況中’藍色的強度亦弱，得不到色度良好的白色。關於此點’於本發明中作爲磷光所無法實現的藍色之蛮光材料’由於在螢光發光層中集中激子生成，可得到充 -29- 200908777 分強度的螢光發光之藍色強度。而且，使能量從藍色用主體往磷光發光層移動，而高效率地得到磷光發光（例如紅色）。因此，可達成能高效率地實現以往困難的良好色調之白色的劃時代效果。再者，由於顯示波長430〜500nm的發光之螢光材料及顯示波長500〜650nm的發光之磷光材料係一般已知，故可不使用特別的材料來構成發光效率高的混合色之有機電致發光元件。於本發明中，前述電荷障壁層較佳爲具有比前述螢光用摻雜物還大的三重態能隙。於本發明中，必須在螢光用主體中發生激子的生成，使此激子能量之內的激發三重態能量通過電荷障壁層而移動到磷光發光層。此處，螢光用主體的激發三重態能量若不移動到電荷障壁層側，而移動到螢光用摻雜物中失去活性係爲不良狀況，與發光效率的提高沒有關聯。特別地，由於螢光用摻雜物係摻雜於螢光用主體中，故螢光用主體的能量係容易移動到螢光用摻雜物。關於此點，在本發明中，由於電荷障壁層與螢光用主體間的三重態能隙之差異係比螢光用主體與螢光用摻雜物間的三重態能隙之差異還小，故電荷障壁層具有比螢光用摻雜物還大的三重態能隙。藉此，螢光用主體的激發三重態能量，係變成較容易 -30- 200908777 移動到電荷障壁層側而不易移動到蛋光用摻雜物的三重態能量，促進能量通過電荷障壁層往磷光發光層側移動。結果，可減少由於螢光用摻雜物所失去活性的激發三重態能量，而謀求發光效率的提高。【實施方式】發明的實施形態 [第1實施形態] 以下圖示本發明的第1實施形態，同時參照圖中各要素所附的符號來說照。 (1 )有機電致發光元件的構成作爲有機電致發光元件的代表元件構成，可舉出 (a) 陽極/發光層/陰極 (b) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (c) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (d) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 (e) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (f) 陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極 (g) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (h )陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 (i)陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (j )陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰 -31 - 200908777 極 (k )陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (1 )陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/ 絕緣層/陰極 (m)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層 /電子注入層/陰極等的構造。於此等之中，一般較宜使用（h)的構成。 (2 )透光性基板有機電致發光元件係在透光性的基板上製作。此處所言的透光性基板係支持有機電致發光元件的基板，較佳係 4〇〇〜700nm之可見範圍的光之透過率爲50%以上的平滑基板。具體地，可舉出玻璃板、聚合物板等。作爲玻璃板，尤其可舉出鈉鈣玻璃、含鋇·緦的玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等。又，作爲聚合物板，可舉出聚碳酸酯、壓克力、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚硫化物、聚楓等。 (3 )陽極有機電致發光元件的陽極係擔任將電洞注入電洞輸送 -32- 200908777 層或發光層的角色，具有4.5eV以上的功函爲陽極材料的具體例，可採用氧化銦錫合途化錫（N E S A )、氧化銦鋅氧化物（IZ ◦)、銅等。陽極係可藉由蒸鍍法或濺鍍法等方法，質來形成薄膜而製作。於如此地由陽極取出發光層的發光時，陽極的發光而言透過率成爲比10%大。陽極決於材料’但通常在l〇nm〜Ιμιη的範圍內在10〜200nm的範圍內選擇。 (4 )發光層有機電致發光元件的發光層係兼具以下有： (A )注入機能；在電場施加時，電洞注入層將電洞注入，從陰極或電子注入的機能， (B) 輸送機能；藉由電場的力量荷（電子與電洞）移動之機能， (C) 發光機能；提供電子與電洞，使其與發光聯繫的機能。但是，電洞注入的容易性與電子注入的同，而且電洞與電子的移動度所表示的輸送小，較佳爲移動至少任一方的電荷。數係有效。作；(ITO )、氧金、銀、鉬、用此等電極物較佳係使對於的膜厚雖然取選擇，較佳爲的機能，即具完成從陽極或層將電子注入使所注入的電的再結合場所容易性亦可不能力也可有大 -33- 200908777 作爲形成此發光層的方法，例如可採用蒸鍍法、旋_ 法、LB ( Langmuir Blodgett )法等眾所周知的方法。發光層特佳係分子堆積膜。此處的分子堆積膜係指由氣相狀態的材料化合物之& 積所形成的薄膜，或由溶液狀態或液相狀態的材料化合物之固體化所形成的膜，通常此分子堆積膜之由LB法所形成的薄膜（分子累積膜），係可藉由凝聚構造、高次構造的不同相違、或起因於其的機能不同來區分。又，如特開昭5 7-5 1 78 1號公報中所揭示地，於將樹脂等的黏結劑與材料化合物溶解在溶劑中而成爲溶液後，藉由旋塗法等將此薄膜化，亦可形成發光層。再者，發光層的膜厚較佳爲5〜50nm，更佳爲6〜 5 0nm。若低於5nm，則發光層的形成變困難，色度的調整有變困難之虞，而若超過50nm，則驅動電壓有上升之虞〇本發明的有機電致發光元件係依順序具備注入電洞的陽極、磷光發光層、電荷障壁層、螢光發光層、及注入電子的陰極。因此，於本實施形態的有機電致發光元件中’發光層包含磷光發光層及蛋光發光層’在磷光發光層與螢光發光層之間設置電荷障壁層。此處，磷光發光層具有磷光用主體及顯示磷光發光的磷光用摻雜物’螢光發光層具有螢光用主體及顯示螢光發光的螢光用摻雜物。 -34- 200908777 又，於如陰極側設有螢光發光層的本實施形態之構成 (第1圖）中，電荷障壁層阻擋螢光發光層的螢光用主體中所注入的電子從營光發光層注入電荷障壁層側，且使電洞從磷光發光層注入螢光發光層。磷光發光層的磷光用摻雜物的三重態能隙EgPD、電荷障壁層的三重態能隙EgEB及螢光發光層的螢光用主體的三重態能隙EgFH係滿足下式（1 )，

EgPD< EgEB^ EgFH ( 1 )。以下分別說明磷光發光層、螢光發光層及電荷障壁層 0 (4·1 )磷光發光層磷光發光層具有磷光用主體及顯示磷光發光的磷光用摻雜物。磷光發光層亦可爲在單一或複數的主體材料中使一種或二種以上的磷光用摻雜物混合在存。又，磷光發光層也可爲二層以上，在各層中使一種或二種以上的磷光用摻雜物混合存在。於磷光發光層爲數層時，磷光發光層較佳爲具備紅色發光的紅色磷光發光層及綠色發光的綠色磷光發光層。紅色磷光發光層’於如陰極側設有螢光發光層的本實施形態之構成（第1圖）中，係設置在比綠色磷光發光層更靠近陽極側，具有紅色磷光用主體及顯示紅色磷光發光 -35- 200908777 的紅色磷光用摻雜物。綠色磷光發光層係具有綠色磷光用主體及顯示綠色磷光發光的綠色磷光用摻雜物。紅色磷光發光層的紅色磷光用主體及綠色磷光發光層的綠色磷光用主體係可由不同材料或相同材料所構成。再者，於設置電洞輸送層時，電洞輸送層與紅色磷光用主體及綠色磷光用主體係可爲不同材料或相同材料。爲了使綠色磷光用摻雜物的激發三重態能量往紅色磷光用摻雜物移動，紅色磷光用摻雜物的三重態能隙係比綠色磷光用摻雜物的三重態能隙還小。作爲紅色磷光用摻雜物的具體例，例如除了 PQIr (銦 (III)雙（2 -苯基嗤啉基-N，C2 )乙醯基丙酮化物），亦可舉出下述的化合物。

作爲綠磷光用摻雜物的具體例，例如除了 Ir ( ppy ，亦可舉出下述的化合物。 -36- 200908777

又’爲了調整發光的色度，較佳爲在紅色磷光發光層與綠色磷光發光層之間，設置不含磷光發光材料的中間層〇此處’中間層與紅色磷光用主體及綠色磷光用主體可爲不同或相同材料，但特佳爲相同材料。於設置電洞輸送層時，更佳爲電洞輸送層、中間層、紅色磷光用主體及綠色磷光用主體係相同材料。藉此，可減少有機電致發光元件製造時所用的材料之種類’可使製造成爲容易。於如陰極側設有螢光發光層的本實施形態之構成（第 1圖）中，較佳爲磷光用主體之三重態能隙係比磷光摻雜物還大，且由電洞移動度大的材料所構成。磷光用主體的電洞移動度較佳爲大者，於l.oxl 04〜 l.〇xl06V/cm的電場中，較佳爲1.0x10 — 5cm2/Vs以上，更佳爲10_4cm2/Vs以上，特佳爲l(T3cm2/Vs以上。或者，磷光用主體係由所謂的電洞輸送性材料所構成，作爲此電洞輸送性材料，可以爲電洞移動度比電子移動 -37- 200908777 度還大者。作爲如此的磷光用主體，可選擇電洞移動度高的以往利用作爲電洞輸送層者。即’可選擇比磷光用摻雜物的3 重態能隙還大，電洞移動度還大者。作爲磷光用主體，例如可使用下述式（101)〜（105 )中任一式所示的化合物。

…（1 0 3)

-38- 200908777 特別合物當作上述，較佳爲使用上述式（1 〇 1 )或（1 〇 3 )所示化光用主體。 (1 〇 1 )係下述構造中任一者。

前述 (103 )係下述構造中任一者。 -39- 200908777

…（1 0 3 ’ ’） ...(1 0 3 (10 3，）於此等之中，特佳爲由前述通式（101，）或（1〇3’）所示的化合物所構成者。式（101)〜（104)中、R1〜R7各自獨立地係氫原子、鹵素原子、可有取代基的碳數1〜40 (較佳爲碳數1〜 3〇)的烷基、可有取代基的碳數3〜30 (較佳爲碳數3〜 2〇)的雜環基、可有取代基的碳數1〜4〇(較佳爲碳數1 〜3〇)的院氧基、可有取代基的碳數6〜4〇(較佳爲碳數 6〜30)的芳基、可有取代基的碳數6〜4〇(較佳爲碳數6 〜3〇 )的芳氧基 '可有取代基的碳數7〜40 (較佳爲碳數 7〜30)的方k基、可有取代基的碳數2〜4〇 (較佳爲碳數 2〜3〇)的嫌基可有取代基的碳數1〜80(較佳爲碳數1 〜6〇 )的烷胺基、可有取代基的碳數6〜80 (較佳爲碳數 6〜6 0 )的芳胺基、Βτ ττ ^有取代基的碳數7〜80 (較佳爲碳數 -40- 200908777 7〜60)的芳烷基胺基、可有取代基的碳數3〜1〇(較佳爲碳數3〜9)的烷基矽烷基、可有取代基的碳數6〜30的芳基矽烷基（較佳爲碳數8〜20)或氰基。Ri〜r7各亦可爲複數，鄰接者彼此也可形成飽和或不飽和的環狀構造。作爲R1〜R7的鹵素原子，例如可舉出氟、氯、溴、捵等。作爲R1〜R7之可有取代基的碳數1〜40的烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基，第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基、正十三基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、新戊基、卜甲基戊基' 2-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、丨_庚基辛基、3-甲基戊基、羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥基異丁基、1，2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基第三丁基、1，2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、I，2-二氯乙基、I，3·二氯異丙基、2,3-二氯第三丁基、1，2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴第三丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘第三丁基、l，2,3-三碘丙基、胺基甲基、 1-胺基乙基、2_胺基乙基、2-胺基異丁基、1,2-二胺基乙基、1，3-二胺基異丙基、2,3-二胺基第三丁基、1,2,3-三胺基两基、氧基甲基、1-氯基乙基、2 -氨基乙基、2 -氨基異 -41 - 二氰基異丙基、2,3-二氣硝甲基、1 -硝乙基、2 _ 基第三丁基、1,2,3-S石肖 3,5-四甲基環己基等。 200908777 丁基、1，2-二氰基乙基、ι，3-二丁基、丨，2,3-三氰基丙基、基、1,2-二硝乙基、2,3-二硝、環戊基、環己基、環辛基、於此等之中，較佳可舉出甲基、乙基、丙基、異、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一基、一基、正十二基 '正十四基、正十五基、正十六基、七基、正十八基、新戊基、甲基戊基、1-戊基己基丁基戊基、1-庚基辛基、環己基、環辛基、3,5 -四甲己基等。作爲R1〜R7之可有取代基的碳數3〜30的雜環例如可舉出1 -吡咯基、2 -吡咯基、3 -吡略基、吡哄基吡啶基、1 -咪唑基、2 -咪唑基、1 -吡唑基、1 -吲哚畊基吲哚哄基、3 -吲哚阱基、5 -吲哚哄基、6 -吲哚哄基、7 -畊基、8 -吲哚畊基、2 _咪唑并吡啶基、3 _咪唑并吡啶基咪唑并吡啶基、6 -咪唑并吡啶基、7 -咪唑并吡啶基、唑并吡陡基、3 -吡啶基、4 -吡啶基、1 -吲哚基、2 -吲、3 -吲哚基、4 -吲哚基、5 ·吲哚基、6 -吲哚基、7 -吲、1 -異吲哚基、2 -異吲哚基、3 -異吲哚基、4 -異吲哚 5 -異吲哚基、6 -異吲哚基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、喃基、2 -苯并呋喃基、3_苯并呋喃基、4 -苯并呋喃基苯并呋喃基、6 -苯并呋喃基、7 -苯并呋喃基、1-異苯喃基、3 -異苯并呋喃基、4_異苯并呋喃基、5 -異苯并基第硝乙芮基两基正己正十正十 ' 1 -基環基，、2-、2- 吲哚、5-8-咪哚基哚基基、 3-呋、5- 并呋呋喃 -42- 200908777 基、6 -異苯并呋喃基、7 -異苯并呋喃基、2 -喹啉基、3 -喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3 -異喹啉基、4 -異喹啉基、5 -異喹啉基、6 -異喹啉基、7 -異喹啉基、8 -異喹啉基、2 -喹Df啉基、5 -喹Df啉基、6 -喹鸣啉基、1 -咔唑基、2 -咔唑基、3 -昨唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、β -咔啉-1-基、β -咔啉-3 -基、β-昨啉-4 -基、β -咔啉-5-基、β -味啉-6-基、β -味啉-7-基、β-咔啉-6 -基、β -咔啉-9 -基、1 -啡啶基、2 -啡啶基、3 -啡啶基、4 -啡啶基、6 -啡啶基、7 -啡啶基、8 -啡啶基、9 -啡啶基、1 〇 -啡啶基、1 -吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖啶基、4 -吖啶基、9 -吖啶基、1 , 7 -菲繞啉-2 -基、1 , 7 -菲繞啉-3 -基、1，7鵬菲繞啉-4-基、1,7-菲繞啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-基、1,7-菲繞啉-8 -基、1 , 7 -菲繞啉-9 -基、1，7 -菲繞啉-1 0 -基、1，8 -菲繞啉-2-基、1,8-菲繞啉-3-基、1,8-菲繞啉-4-基、1，8-菲繞啉-5-基、1,8-菲繞琳-6-基、1,8-菲繞啉-7-基、1,8-菲繞啉-9 -基、1，8 -菲繞啉-1 0 -基、1,9 -菲繞啉-2 -基、1，9 -菲繞啉-3 -基、1 , 9 -菲繞啉-4 -基、1，9 -菲繞啉-5 -基、1,9 -菲繞啉-6-基、1,9-菲繞啉-7-基、1,9-菲繞啉-8-基、1,9-菲繞啉-10 -基、1,10-菲繞啉-2-基、1,10-菲繞啉-3-基、1,10 -菲繞啉-4 -基、1,10-菲繞啉-5-基、2,9-菲繞啉-1-基、2,9 -菲繞啉-3-基、2,9 -菲繞啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、2,9 -菲繞啉-6 -基、2,9 -菲繞啉-7 -基、2,9 -菲繞啉-8 -基、2,9 -菲繞啉-1 0 -基、2，8 -菲繞啉-1 -基、2，8 -菲繞啉-3 -基、2，8 -菲繞啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6 -基、2,8-菲繞 -43- 200908777 啉-7-基、2,8 -菲繞啉-9 -基、2,8-菲繞啉- l〇-基、2,7 -菲繞咐-1-基、2,7·菲繞啉_3_基、2,7 -菲繞啉-4 -基、2,7 -菲繞啉-5-基、2，7-菲繞啉-6-基、2，7-菲繞啉-8-基、2,7 -菲繞啉-9 -基' 2，7 -菲繞啉-1 0 -基、1 _啡阱基、2 -啡哄基、1 -啡噻哄基、2 -啡唾哄基、3 -啡噻讲基、4 -啡噻哄基、1 0 -啡唾哄基、1 -啡噚哄基、2 -啡噚哄基、3 -啡鸣哄基、4 -啡噚哄基、1 〇 _ 啡噚畊基、2 -噚唑基、4 -鸣唑基、5 -噚唑基、2 -噚二唑基、 5 -0琴二唑基、3-呋咱基、2_噻吩基、3 -噻吩基、2 -羥甲基-1-基、2 -羥甲基-3-基、2 -羥甲基·4 -基、2 -羥甲基-5-基、3-羥甲基-1-基、3 -羥甲基-2-基、3 -羥甲基-4-基、3 -羥甲基-5 -基、2 -第三丁基吡咯-4 -基、3- (2 -苯基丙基）吡咯-1-基、2 -甲基-1 -吲哚基、4 -甲基-1 -吲哚基、2 -甲基-3 -吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基-1-吲哚基' 4-第三丁基- 1·吲哚基、2 -第三丁基-3-吲哚基、4 -第三丁基-3-吲哚基等〇於此等之中，較佳可舉出2-吡啶基、1-吲哚哄基、2-吲哚哄基、3 -吲哚哄基、5 -吲哚畊基、6 -吲哚哄基、7 -吲哄哄基、8-吲哚哄基、2-咪唑并吡啶基、3-咪唑并吡啶基、5_ 咪唑并吡啶基、6-咪唑并吡啶基、7-咪唑并吡啶基、8_咪 11坐并啦D定基、3 -啦U定基、4 -卩比Β定基、1 - Π引哄基、2 -卩引噪基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7_吲哚基、：1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4_異吲哚基、 5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4 -咔唑基、9-咔唑基等。 -44- 200908777 R1〜R7之可有取代基的碳數1〜40的烷氧基係-〇Υ所表示的基，作爲γ的具體例，可舉出與前述烷基所說明的同樣者，較佳的例子亦同樣。作爲R1〜R7之可有取代基的碳數6〜40的芳基，例如可舉出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、對聯三苯基-4-基、對聯三苯基-3-基、對聯三苯基-2-基、間聯三苯基-4-基、間聯三苯基-3-基、間聯三苯基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對（2 -苯基丙基）苯基、3 -甲基-2-萘基、4 -甲基-1-萘基、4 -甲基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4 ” -第三丁基對聯三苯基-4 -基、鄰枯烯基、間枯烯基、對枯烯基、2,3 -二甲苯基、3,4 -二甲苯基、2,5 -二甲苯基、来基等。於此等之中，較佳可舉出苯基、1-萘基、2-萘基、9-菲基、2 -聯苯基、3 -聯苯基、4 -聯苯基、對甲苯基、3,4- 二甲苯基等。 R1〜R7之可有取代基的碳數6〜40的芳氧基係- 〇Ar 所表示的基，作爲Ar的具體例，可舉出與前述芳基所說明的同樣者，較佳的例子亦同樣。作爲R1〜R7之可有取代基的碳數7〜4〇的芳烷基，例如可舉出苄基、1-苯基乙基、2 -苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基第三丁基、α萘基甲基、l-α-萘 -45- 200908777 基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、l-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、l-β-萘基異丙基、2-β -萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2-(1_吡咯基 )乙基、對甲基苄基、間甲基苄基、鄰甲基苄基、對氯苄基、間氯苄基、鄰氯苄基、對溴苄基、間溴苄基、鄰溴苄基、對碘苄基、間碘苄基、鄰碘苄基、對羥基苄基、間羥基苄基、鄰羥基苄基、對胺基苄基、間胺基苄基、鄰胺基苄基、對硝苄基、間硝苄基、鄰硝苄基、對氰基苄基、間氰基苄基、鄰氰基苄基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯- 2-苯基異丙基等。於此等之中，較佳可舉出苄基、對氰基苄基、間氰基苯基、鄰氨基节基、1-苯基乙基、2 -本基乙基、本基異丙基、2-苯基異丙基等。作爲R1〜R7之可有取代基的碳數2〜40的烯基’可舉出乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、 1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、苯乙烯基、2,2-二苯基乙烯基、1,2-二苯基乙烯基、1-甲基烯丙基、1,1-二甲基烯丙基、2_甲基烯丙基、1-苯基烯丙基、2-苯基烯丙基、3-苯基烯丙基、3,3-二苯基烯丙基、1,2-二甲基烯丙基、1_ 苯基-1-丁烯基、3_苯基-1-丁烯基等，較佳爲苯乙烯基、 2,2-二苯基乙烯基、1，2-二苯基乙烯基等。 R1〜R7之可有取代基的碳數1〜8〇的院胺基、句有取代基的碳數6〜8〇的芳胺基、可有取代基的碳數7〜的芳烷基胺基係由-Ni^Q2所表示，作爲、q2的具體例’ -46- 200908777 各自獨立地可舉出與前述烷基、前述芳基、前述芳烷基所說明的同樣者，較佳的例子亦同樣。作爲R1〜R7之可有取代基的碳數3〜10的烷基矽烷基，可舉出三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基砂院基、乙嫌基•甲基砂院基、丙基—·甲基砂1兀基等。作爲R1〜R7之可有取代基的碳數6〜30的芳基砂院基，可舉出三苯基矽烷基、苯基二甲基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基等。又，作爲R1〜R7爲複數個時所形成的環狀構造’除了苯環等的不飽和6員環，亦可舉出飽和或不飽和的5員環或7員環構造等。式（101)〜（104)中，X係下述通式（111)〜（ 1 1 6 )中任一式所示的基。 -47- 200908777

...(ill)

，..（1 1 3)

R17

(112) (114) (116) 式 111 lll6)中，R8〜Ri7各自獨立地係氫原子、鹵素原子、可有 J ’取代基的碳數1〜4 0 (較佳爲碳數1 〜30)的烷基、可有而/上取代基的碳數3〜30(較佳爲碳數3 〜20)的雜環基、可右 J有取代基的碳數1〜40 (較佳爲碳數 1〜30)的烷氧基、可右取代基的碳數6〜40 (較佳爲碳數 6〜30)的芳基、可有肋& 劳取代基的碳數6〜40 (較佳爲碳數6 〜30)的方氧基、可有」’取代基的碳數7〜40(較佳爲碳數 7〜30)的芳垸基、可右％取代基的碳數2〜40(較佳爲碳數 2〜30)的烯基、可有肋 Η取代基的碳數1〜80 (較佳爲碳數1 〜6 0 )的烷胺基、可有而 @取代基的碳數6〜80(較佳爲碳數 6〜6〇)的芳胺基、可有·^ " 取代基的碳數7〜80 (較佳爲碳數 7〜60)的芳烷基胺基、抗& 可有取代基的碳數3〜1〇(較佳爲 -48- 200908777 碳數3〜9)的烷基矽烷基、可有取代基的碳數6〜30的芳基矽烷基（較佳爲碳數8〜20)或氰基。R8〜Ri7各自亦可爲複數，鄰接者彼此也可形成飽和或不飽和的環狀構造〇作爲R8〜R17所示的各基之具體例，可舉出與前述R1 〜R7所說明的同樣者，較佳的例子亦同樣。式（111)〜（114)中，γ1〜γ3各自獨立地係-Cr( R係氫原子、鍵結於前述通式（1〇1)〜（1〇4)中的X之基或前述R8、R9、r1Q、R12、R13、R14中任一者）或氮原子，於氮原子時’其數目在同一環中係至少2個。Cz係與下述同樣。通式（116)中，t係〇〜1的整數。作爲通式（1 1 1 )所示的基’較佳爲下述構造中任一者。

作爲通式（〗12)所示的基，較佳爲下述構造中任 -49- 200908777 者。

作爲通式（1 1 3 )所示的基，較佳爲下述構造中任一者。

作爲通式（η 4 )所示的基，較佳爲下述構造中任一者。 -50- 200908777

作爲通式（1 1 5 )所示的基’較佳爲下述構造中任者

R17 作爲通式（11 6 )所示的基，較佳爲下述構造中任者。

-51 - 200908777 式（105)中，W係下述通式（121)〜（125)中任式所示的基。 γ3 ... (12 1) R2〇-{- X ··· (12 2) Ύ3\

(12 3) r23 Υ1^Υ2 (12 4) 2 5) 式（121 )〜（125 )中，R18〜R25係與R8〜R17同樣的基。 Y1〜Y3係與式（111)〜（114)的Y1〜Y3同樣。作爲R1 8〜R25所示的各基之具體例，可舉出與前述 R1〜R7所說明的同樣者，較佳的例子亦同樣。式（101)〜（105)中，Cz係下述通式（131)或（ 1 3 2 )所示的基。 R?4

A R25

…（1 3 1)

…（1 3 2) -52- 200908777 式（131)及（132)中 ’ a 表示單鍵、_(cr26R27)

係1〜3的整數）、 R與R R與汉29可互相鍵結合而形成飽和或不飽和的環狀構造。R24〜R 可有取代基的碳數1 R 各自獨立地係氫原子、幽素原子、 1〜4〇的烷基、可有取代基的碳數3〜 30的雜環基、可有取代基的碳數4〇的烷氧基、可有取代基的碳數6〜40的芳基、可有取代基的碳數6〜4〇的芳氧基 '可有取代基的碳數7〜4〇的芳烷基、可有取代基的碳數2〜40的烯基、可有取代基的碳數丨〜“的烷胺基、可有取代基的碳數6〜80的芳胺基、可有取代基的碳數7 〜80的方烷基胺基、可有取代基的碳數3〜1〇的烷基矽烷基、可有取代基的碳數6〜3 0的芳基矽烷基或氰基。R24 〜R25各自亦可爲複數，鄰接者彼此也可形成飽和或不飽和的環狀構造。式（132)中’ Z表不可經取代的碳數1〜2〇的院基、可經取代的碳數ό〜1 8的芳基、或可有取代基的碳數7 〜40的芳烷基。作爲Ζ之碳數1〜20的烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基 '正辛基' 正壬基、正癸基、正十-基、正十二基、正十三基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、新戊基、丨_甲基戊基、 2_甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、丨_庚基辛基、3_ 甲基戊基等，較佳可舉出甲基、乙基、丙基、正己基、正 -53- 200908777 庚基等。作爲Z的芳基，例如可舉出苯基、萘基、甲苯基、聯苯基、聯三苯基等，較佳可舉出苯基、聯苯基、甲苯基等〇作爲Z的芳烷基，例如可舉出α-萘基甲基、Ι-a-萘基乙基、2_α-萘基乙基、l-α-萘基異丙基、2_α-萘基異丙基、β-萘基甲基、l-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、l-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基、苄基、對氰基苄基、間氰基苄基、鄰氰基苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、卜苯基異丙基、2-苯基異丙基等，較佳可舉出苄基、對氰基苄基等。作爲前述Cz，較佳爲下述構造中任一者，

更佳爲下述構造中任一者。 -54- 200908777

又，CZ特佳爲可有取代基的咔唑基或可有取代基的芳基咔唑基。作爲前述通式（101)〜（105)中所例示的各基之取代基，例如可舉出鹵素原子、羥基、胺基、硝基、氰基、烷基、烯基、環烷基、烷氧基、芳香族烴基、芳香族雜環基、芳烷基、芳氧基、烷氧羰基等。以下顯示本發明的通式（101)〜（105)中任一者所表示的化合物所成的有機電致發光元件用材料之具體例，惟不受此等例示化合物所限定。 -55- 200908777

-56- 200908777

-57- 200908777

-58- 200908777

-59- 200908777

-60- 200908777

-61 - 200908777

-62- 200908777

-63- 200908777

-64 - 200908777

藉由使用如此的上述式（1 0 1 )〜（1 〇 5 )之化合物當作磷光用主體’可得到發光效率高、無畫素缺陷、耐熱性優異、長壽命的有機電致發光元件。 (4.2 )登光發光層螢光發光層具有螢光用主體及顯示藍色螢光發光的螢光用摻雜物。作爲螢光用主體，例如可利用上述式（1 01 )〜（1 0 5 )的化合物。作爲螢光用摻雜物的具體例，可舉出下述式（201) 所示的化合物、或BCzVBi ( 4,4’-雙（9-乙基-3-咔唑伸乙烯基）-1，1 ’ -聯苯）等。

-65- 200908777 式（201)中，Ar1〜Ar7表示碳數6〜30的芳基。Ar1 〜Ar7亦可經取代，作爲取代基，較佳爲烷氧基、二烷胺基、院基、氟I院基、砂垸基。 L 1及L2表示伸烯基或2價的芳香族烴基。 m及η各爲0或1。作爲式（2 01 )所示的化合物，例如可舉出下述者。 -66- 200908777

<AH (A)-7 (A)-S (A)-9 (AV10

Q-0 O 5 (A)-19

OMe

-67- 200908777

(AH〇 (A)-41

(A)-44

(A)-45 (AH6 (-4)-47 {A)-48

觀

(A)-52 (A)-51 -68- 200908777

Q WA05

m 0 (A)-55

0 —4 *—* \sse^ (A>53 (A)-54 (X}-56 Q K-ύ r\ i) w mM λΝ /£ϊ»^0 u

(A)-58

(-4)-59

0

ύ

(A)-6I m/ (A)-60 (A)-62

-69- 200908777

(A)-7S

(A)-82

{A)-S3

(A>-81

(A)-S7

(.4)-88

(.4)-89

-70 200908777

(A)-104

Me-K M&-y(

Ms Me (A)-107

-71 - 200908777

{A)-109

(AH15

-72- 200908777

(A)-l?5 (AH36

<A)-13S

<A)-I37

(A)-141 (A)-I59

-73- 200908777

-74- 200908777 EM32

(A)-166 EM33

EM36

(A)-170 -75- 200908777 EM41

㈧-171

(A)-173 EM44

C=Cx (A)-174

EM45

C=CH

(A)-175 HC=C

rO -76- 200908777 EM46 EM47

EM48 EM49

(A)-178 (A)-179

-77- 200908777

-78- 200908777

EM59

(A)-189 EM60

EM61

(A)-191

(A)-192 -79- 200908777

EM65

(A)-195

(A)-204

(A)-205 -80- 200908777 (4 _ 3 )電荷障壁層於如陰極側設有螢光發光層的本實施形態之構成（第 1圖）中，電荷障壁層阻擋螢光發光層的螢光用主體中所注入的電子從螢光發光層注入電荷障壁層側，且使電洞從磷光發光層注入營光發光層。例如，藉由在親和性水平或電子移動度等設有差異，可阻擋電子從螢光發光層注入電荷障壁層側。特別地，電荷障壁層較佳爲具有比螢光用主體還小的親和性水平，電荷障壁層的親和性水平 AfEB與螢光用主體的親和性水平AfFH較佳爲係滿足下式（2 )，

AfEB < AfFH - 0.1 eV ( 2 ) 又，根據同樣的理由，電荷障壁層的厚度較佳爲3nm 以上。從磷光發光層通過電荷障壁層注入螢光發光層的電洞，係注入螢光用主體的HOMO。因此，電荷障壁層的厚度較佳爲9nm以下。又，電荷障壁層具有比螢光用摻雜物還大的三重態能隙。藉此，可防止激發三重態能量往螢光用摻雜物的移動〇作爲螢光用主體及電荷障壁層用的材料之具體例’例如可舉出上述式（1〇1)〜（105)的化合物或以下者。再者，亦可從此等化合物中選出磷光用主體、電洞輸送層的 -81 - 200908777 材料。磷光用主體、電洞輸送層、螢光用主體及電荷障壁層亦可皆爲相同的材料。

TCTA CBP NPD

CDBP

A-1

A-3

-82- 200908777

A-5 A-6 A-7

A-8 A-9 A-10

^Nh〇h0-| A-12

b

P -83 200908777

A-15

A-17 可考慮上述式（1)及式（2),從此等化合物中選出當作蛮光用主體及電何障壁層用的化合物。表1中顯示可使用作爲螢光用主體及電荷障壁層的化合物之組合、各化合物的三重態能隙（E g )、及親和性水平（Af)的數値。 -84- 200908777

-85- 200908777 表1中，B表示電荷障壁層的三重態能隙EgEB與登光用主體的三重態能隙 EgFH滿足上述式（1 )(即 EgEBSEgFH )的組合，C表示不滿足的組合。A表示滿足上述式（1 )且電荷障壁層的親和性水平AfEB與螢光發光層的螢光用主體的親和性水平AfFH滿足上述式（2 )(即 AfEB< AfFH-0.1eV)的組合。A及B係構成本發明的有機電致發光元件時之較佳組合，C係不好的組合。特佳爲A 的組合。例如，以A-3當作螢光用主體，以化合物A-1當作電荷障壁層時，滿足上述式（1)及式（2)兩者。因此，可構成以CDBP當作螢光用主體，以化合物A-1當作電荷障壁層的本發明之有機電致發光元件。以A-3當作螢光用主體，以化合物A-2當作電荷障壁層時，雖然不滿足上述式（2)，但由於滿足上述式（1) ，故可構成本發明的有機電致發光元件。但是，以化合物A-3當作螢光用主體，以CDBP當作電荷障壁層時，不滿足上述式（1)及式（2)兩者，無法構成本發明的有機電致發光元件。 (5)電洞注入層及電洞輸送層中至少一者（電洞輸送區域）茲說明電洞輸送層。於陽極與磷光發光層之間可設置電洞輸送層。再者’ 於電洞輸送層與陽極之間可設置電洞注入層。 -86- 200908777 電洞注入層及電洞輸送層中至少任一者係有助於電洞注入的輸送電洞之層，電洞移動度大，離子化能量通常爲小到5.5 eV以下。作爲爲如此的電洞注入層及電洞輸送層中至少任一者，較佳爲以更低的電場強度將電洞輸送到發光層的材料，再者電洞的移動度，例如在1〇4〜l〇6V/cm的電場施加時，較佳爲至少l〇_5cm2/Vs。於本發明中，在螢光發光層的主體中進行激子的生成係重要。又，於螢光發光層的陽極側，配設電荷障壁層及磷光發光層，陽極與螢光發光層之間的層合數係比一般較多。因此，作爲電洞輸送層，希望使用電洞移動度大者當作電洞輸送層，例如於1·0χ104〜l.〇xl〇6V/cm的電場中，具有1 .0xl0_5cm2/Vs以上的電洞移動度者，較佳爲1〇_ 4cm2/Vs以上者，更佳爲10_3cm2/Vs以上者。例如，若在電洞移動度大的順序中舉出電洞輸送性材料之例，於 1〇4〜l〇6V/cm的電場施加時，有 CBP ( 1 .0 X 1 0'3cm2/Vs ) 、TCTA ( 4.0 χ 1 0 _4 c m2 / V s ) 、NPD ( 6.〇xl〇-4cm2/Vs )。又，將電洞輸送到螢光發光層爲止，提高螢光發光層中的激子生成機率係重要，於將電洞從電洞輸送層注入磷光發光層時，必須將電洞注入磷光用主體而不是磷光用摻雜物。因此，電洞輸送層的離子化位能IPHT較佳係至少比磷 -87- 200908777 光發光層的磷光用摻雜物之離子化位能IpPD還大。因爲若電洞輸送層的離子化位能ΙΡΗΤ比磷光摻雜物的離子化位能IpPD還小，則來自電洞輸送層的電洞變成容易注入磷光摻雜物而成爲不良情況。再者，爲了提高電洞從電洞輸送層注入磷光用主體而非磷光用摻雜物的機率，磷光發光層的磷光用主體之離子化位能IpPH、磷光發光層的磷光用摻雜物之離子化位能 IpPD及電洞輸送層的離子化位能ΙΡΗΤ較佳係滿足下式（3 (IpPH+ IpPD) /2< ΙρΗΤ 當滿足如此的式時，電洞注入層的離子化位能ΙΡΗΤ係處於比磷光用摻雜物的IPPD及磷光用主體的ΙρΗΤ之中間水平（（IpPH + IppD) /2)更接近磷光用主體的ΙρΡΗ之水平的位置。因此，來自電洞輸送層的電洞變成容易注入磷光用主體側，可減少在磷光用摻雜物的電荷消耗。而且，電洞變成容易從磷光用主體通過電荷障壁層注入螢光發光層，提高在螢光發光層的激子生成機率，與發光效率的顯著提高有關聯。再者，於設有複數的磷光發光層時，磷光發光層的磷光用主體之離子化位能ΙρΡΗ，係表示最接近電洞輸送層的磷光發光層之磷光用主體的離子化位能。 -88- 200908777 表2中顯示從如此的離子化位能之關係來看，各化合物的離子化位能（ip )與作爲電洞輸送層的適用可否之檢討例。 [表2]

Ip(eV) 作爲電洞輸送層的適用可否 A—3 6. 1 A A—2 6. 0 A CD巳P 6. 0 A A—5 5. 9 A A-16 5. 9 A CBP 5. 9 A mCP 5. 9 A A— 1 5. 8 A A—4 5. 8 A 電 A—6 5. 8 A 洞輪 TCTA 5. 8 A T0U 送 A—7 5. 6 巳層 A—9 5. 5 B A —10 5. 5 B NPD 5. 5 B A—8 5. 4 B A-12 5_ 4 B A-13 5. 4 B A-15 5. 4 B A— 1 1 5. 3 B A—14 5. 3 B A-17 5. 3 B (磷光用摻雜物：Ir(ppy) 3，Ip=5.2eV) (磷光用主體：A-3，Ip = 6.1eV ) -89- 200908777 於以ir(ppy) 3當作_光用摻雜物’以化合物a-3當作磷光用主體時，表2之作爲電洞輸送層的適用可否係以符號A及B來表示是否可使用作爲電洞輸送層。將該化合物的Ip比磷光用摻雜物的3的1p還大而用作爲電洞輸送層時，電洞可注入磷光用主體的H〇M0者當B。將該化合物的ip比磷光用摻雜物的Ir (ppy) 3的ip更接近磷光用主體的化合物A-3之Ip’電洞可更確實地注入磷光用主體的HOMO者當作A。例如，以化合物 A-3當作電洞輸送層時，其Ip ( 6.1eV)係比磷光用摻雜物的Ir(ppy) 3的Ip(5.2eV)還大。又，磷光用主體之由與電洞輸送層相同的化合物A-3 所成的兩層之Ip係相等。因此，化合物A-3之作爲電洞輸送層的適用可否係A。另一方面，以化合物A-7當作電洞輸送層時，其ip ( 5.4eV)雖然比磷光用摻雜物的ir(ppy) 3的ip(5.2eV) 還大，但是比磷光用主體的化合物A-3的Ip ( 6. ；i eV )更接近磷光用摻雜物的Ir(ppy)3的lp(5.2eV)。因此，化合物A-7之作爲電洞輸送層的適用可否係b。如此地，螢光用主體、電荷障壁層、磷光用主體及電洞輸送層的各層材料’係以各自的三重態能隙Eg、親和性水平A f及離子化位能I p能滿足指定的關係之方式，適當地組合材料來使用。再者’作爲電洞注入層及電洞輸送層中至少一者所用的材料之具體例，可舉出以下者。 -90 - 200908777 作爲具體例，可舉出三唑衍生物（參照美國專利 3, 1 12,197號說明書等）、噚二唑衍生物（參照美國專利 3,1 8 9,447號說明書等）、咪唑衍生物（參照特公昭37-1 6096號公報等）、聚芳基烷衍生物（參照美國專利 3,6 1 5,402號說明書、同第 3,820,989號說明書、同第 3,542,544號說明書、特公昭4 5 - 5 5 5號公報、同5 1 - 1 098 3 號公報、特開昭5 1 -93 224號公報、同5 5 - 1 7 1 05號公報、同56-4148號公報、同55-108667號公報、同55-156953 號公報、同5 6 - 3 6 6 5 6號公報等）、吡唑啉衍生物及吡唑琳酮衍生物（參照美國專利第3,1 8 0,729號說明書、同第 4,27 8,746號說明書、特開昭 5 5 -8 8064號公報、同 55-88065號公報、同49-105537號公報、同55-51086號公報、同56-80051號公報、同56-88141號公報、同57-45545 號公報、同54-112637號公報、同55-74546號公報等）、伸苯二胺衍生物（參照美國專利第3,6 1 5,404號說明書、特公昭 51-10105號公報、同 46-3 7 1 2號公報、同 47-25 3 3 6號公報、特開昭54-5 3 43 5號公報、同5 4- 1 1 05 3 6號公報、同54- 1 1 992 5號公報等）、芳胺衍生物（參照美國專利第3,5 67,4 5 0號說明書、同第3,1 80,703號說明書、同第3,240,5 97號說明書、同第3,65 8,5 20號說明書、同第4,23 2,1 03號說明書、同第4,1 7 5,96 1號說明書、同第 4,0 1 2,3 76號說明書、特公昭 49-3 5 702號公報、同39-275 77號公報、特開昭5 5 - 1 4425 0號公報、同56-119132 號公報、同5 6-2243 7號公報、西德專利第1,1 10,518號說 -91 - 200908777 明書等）、胺基取代查耳酮衍生物（參照美國專利第 3，5 2 6，5 0 1號說明書等）、噚唑衍生物（美國專利第 3，25 7，203號說明書等中所揭示者）、苯乙烯基蒽衍生物 (參照特開昭56_46234號公報等）、蕗衍生物（參照特開昭54- 1 1 083 7號公報等）、腙衍生物（參照美國專利第 3,7 1 7,462號說明書、特開昭54-59 1 43號公報、同55-52063號公報、同55-52064號公報、同55_46760號公報、同55-85495號公報、同57-11350號公報、同57-1 4 8 749號公報、特開平2-31 1591號公報等）、芪衍生物 (參照特開昭61_2 1 0363號公報、同第6 1 -22845 1號公報、同6 1 - 1 4642號公報、同6 1 -7225 5號公報、同62-47646 號公報、同62-36674號公報、同62- 1 0652號公報、同 62-3 0255號公報、同60-93 45 5號公報、同60-94462號公報、同60- 1 74749號公報、同60- 1 75052號公報等）、矽氮院衍生物（美國專利第4，9 5 0,9 5 0號說明書）、聚矽烷系（特開平2 - 2 0 4 9 9 6號公報）、苯胺系共聚物（特開平 2-282263號公報）、特開平^2^399號公報中揭示的導電性高分子寡聚物（尤其噻吩寡聚物）等。作爲電洞注入層的材料，可使用上述者，較佳爲使用卟啉化合物（特開昭63-295695號公報等中所揭示者）、芳香族第三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物（美國專利第 4，127,412號說明書、特開昭53-27033號公報、同54-58445號公報、同54-149634號公報、同54_64299號公報、同55-79450號公報、同55-144250號公報、同56- -92- 200908777 119132號公報、同61_295 5 5 8號公報、同6 1 -983 5 3號公報、同63 -295 695號公報等參照），特佳爲使用芳香族第三級胺化合物。又，可舉出美國專利第5,06 1,5 69號中所記載的在分子內具有2個縮合芳香族環者，例如NPD，或特開平4-3 0868 8號公報中記載的三苯基胺單元以3個星爆型連結的 4,4’，4’’-三（N-(3-甲基苯基）-N-苯基胺基）三苯基胺（以下簡稱MTDATA)。電洞注入層及電洞輸送層係幫助電洞對發光層的注入 ’輸送到發光區域爲止的層，電洞移動度大，離子化能量通常爲小到5 · 5 eV以下。作爲如此的電洞注入層及電洞輸送層之材料，較佳爲以低電場強度將電洞輸送到發光層的材料，再者電洞移動度，例如在1 04〜1 〇6V/cm的電場施加時，較佳爲l〇_4cm2/V·秒以上。作爲電洞注入層及電洞輸送層的材料，並沒有特別的限制，可從以往在光導傳材料中作爲電洞的電荷輸送材料所慣用者、或在有機電致發光元件的電洞注入層及電洞輸送層中所使用的眾所周知者中選出任意者而使用。於電洞注入層及電洞輸送層中，例如可使用下式所示的芳香族胺衍生物。 -93- 200908777

/ Ar207、

3*^, ^|^23 X^Ljyj J

Ar211 ' \ V08/, (卜％ (A〆 'Ar20^ (式中’ Ar211〜Ar213及Ar221〜Ar 2 2 3各係取代或未取代的核碳數6〜50的伸芳基或取代或未取代的核原子數5〜 5〇的伸雜芳基，Ar2()3〜Ar2Q8各係取代或未取代的核碳數 6〜50的芳基或取代或未取代的核原子數5〜5〇的雜芳基。a〜c及p〜r各係0〜3的整數。Ar203與Ar204、Λγ2()5與

Ar2()6、Ar2Q7與Ar2()8各自可互相連結而形成飽和或不飽和的環）。作爲取代或未取代的核碳數6〜5 0的芳基之具體例，可舉出本基' 1-萘基、2-萘基、1-蒽基' 2-恵基、9-蒽基、1-菲基、2 -菲基、3 -菲基、4 -菲基、9 -菲基、1-丁省基、2-丁省基、9_丁省基、丨_芘基、2_芘基、4_芘基、2_聯苯基、3 -聯苯基、4 -聯苯基、對三苯基-4_基、對三苯基_ 3_基、對二苯基- _2-基 '間三苯基-4-基、間三苯基-3-基、間三苯基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第二丁基苯基、對（2_苯基丙基）苯基、3_甲基-2_萘基、仁甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4，-甲基聯苯基、4，，_第三丁基對三苯基4-基。作爲取代或未取代的核碳數6〜5 0的伸芳基之具體例 -94- 200908777 ，可舉出由上述芳基去除1個氫原子而得之基。作爲取代或未取代的核原子數5〜50的雜芳基之具體例，可舉出1 -吡咯基、2 -吡咯基、3 -吡略基、耻哄基、2 _ 吡啶基、3 -吡啶基、4 -吡啶基、1 -吲哚基、2 -吲哚基、3 · 吲哚基、4 -吲哚基、5 -吲哚基、6 -吲哚基、7 -吲哚基、1 -異吲哚基、2 -異吲哚基、3 -異吲哚基、4 -異吲哚基、5 -異吲哚基、6 -異吲哚基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃基、2 -苯并咲喃基、3 -苯并肤喃基、4 -苯并咲喃基、5 -本并呋喃基、6 -苯并呋喃基、7 -苯并呋喃基、1_異苯并呋喃基、3 -異苯并呋喃基、4 -異苯并呋喃基、5 -異苯并呋喃基、 6 -異苯并呋喃基、7 -異苯并呋喃基、喹啉基、3 -喹啉基、 4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8 -喹啉基、 1-異喹琳基、3-異喹啉基、4-異唾啉基、5-異唾啉基、6-異喹啉基、7 -異喹啉基、8 -異喹啉基、2 -喹噚啉基、5 -喹噚啉基、6-喹噚啉基、1-咔唑基、2 -昨唑基、3-咔唑基、4 -咔唑基、9 -咔唑基、1 -啡啶基、2 -啡啶基、3 -啡啶基、4 -啡啶基、6 -啡啶基、7 -啡啶基、8 -啡啶基、9 -啡啶基、1 0 -啡啶基、1 -吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖啶基、4 -吖啶基、9 -吖啶基、1, 7 -菲繞啉-2 -基、1，7 -菲繞啉-3 -基、1，7 -菲繞啉-4 -基、1，7_菲繞啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-基、1,7-菲繞啉-8-基、1,7-菲繞啉-9-基、1,7-菲繞啉-10-基、1，8-菲繞啉-2-基、1,8-菲繞啉-3-基、1,8-菲繞啉-4-基、1,8-菲繞啉-5-基、 1.8- 菲繞啉-6-基、1，8 -菲繞啉-7 -基、1,8-菲繞啉-9-基、 1.8- 菲繞啉-10-基、1,9-菲繞啉-2-基、1,9-菲繞啉-3-基、 -95- 200908777 1，9-菲繞啉-4-基、1，9-菲繞啉-5-基、1，9-菲繞琳-6_基、 1，9-菲繞啉-7-基、1，9-菲繞啉-8-基、1，9-菲繞啉_1〇_基、 1，10-菲繞啉-2-基、l,i〇-菲繞啉-3_基、ι，1〇_菲繞啉-4_基、1，10-菲繞啉_5_基、2,9_菲繞啉-卜基、2,9_菲繞啉_3_基、2,9-非繞啉_4-基、2,9-菲繞啉-5-基、2,9-菲繞咐_6_基、 2,9-菲繞啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、2,9-菲繞啉_10·基、 2.8- 菲繞啉-1-基、2,8-菲繞啉-3-基、2,8-菲繞啉_4_基、 2,8 -菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、2,8-菲繞啉_7_基、 2.8- 菲繞啉-9-基、2,8-菲繞啉-10-基、2,7-菲繞啉_丨_基、 2,7-非繞啉-3-基、2,7 -菲繞啉-4 -基、2,7 -菲繞啉_5_基、 2,7_非繞啉-6-基、2,7-菲繞啉-8 -基、2,7-菲繞啉-9-基、 2，7 -菲繞琳-1 〇 -基、1 _啡哄基、2 _啡哄基、1 _啡噻哄基、2 _ 啡噻哄基、3 -啡噻哄基、4 -啡噻哄基、1 〇 _啡噻哄基、丨_啡哼畊基、2-啡噚哄基、3-啡噚畊基、4-啡噚畊基、10_啡噚畊基、2岬鸣唑基、4 -噚唑基、5 -噚唑基、2 -噚二唑基、5 _噚二唑基、3 -呋咱基、2 -噻吩基、3 -噻吩基、2 -羥甲基-i_基、2-羥甲基-3-基、2-羥甲基-4-基、2-羥甲基-5-基、3-羥甲基-1-基、3-羥甲基-2-基、3-羥甲基-4-基、3-羥甲基-5-基、2 -第三丁基吡咯-4-基、3- (2 -苯基丙基）吡咯-1-基、 2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、 4 -甲基-3 -吲哚基、2 -第三丁基1 -吲哚基、4 -第三丁基1 -吲哚基、2-第三丁基-3-吲哚基、4-第三丁基3-吲哚基。作爲取代或未取代的核碳數6〜50的伸雜芳基之具體例’可舉出由上述雜芳基去除1個氫原子而得的基。 -96- 200908777 再者，電洞注入層及電洞輸送層亦可含有下式所示的化合物。

(式中，Ar231〜Ar 2 3 4各係取代或未取代的核碳數6〜50 的芳基或取代或未取代的核原子數5〜5 0的雜芳基。L係連結基、單鍵、或取代或未取代的核碳數6〜5 0的伸芳基或取代或未取代的核原子數5〜50的伸雜芳基。X係0〜5 的整數）。

Ar2 3 2與Ar233可互通連結而形成飽和或不飽和的環。作爲此處之取代或未取代的核碳數6〜5 0的芳基及伸芳基、及取代或未取代的核原子數5〜50的雜芳基及伸雜芳基之具體例，可舉出與前述同樣者。再者，作爲電洞注入層及電洞輸送層的材料之具體例，例如可舉出三唑衍生物、噚二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、伸苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺基取代查耳酮衍生物、噚唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、弗衍生物、腙衍生物、芪衍生物、矽氮烷衍生物、苯胺系共聚物、導電性高分子寡聚物（尤其噻吩寡聚物）等。作爲電洞注入層及電洞輸送層的材料，可使用上述者 -97- 200908777 ’較佳爲卟啉化合物、芳香族第三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物，特佳爲芳香族第三級胺化合物。又，較佳爲使用分子內具有2個縮合芳香族環的化合物’例如NPD或三苯基胺單元以3個星爆型連結的 4,4’，4’’-三（1^-(3-甲基苯基）->1-苯基胺基）三苯基胺（以下簡稱MTDATA)。此外，亦可使用下式所示之含氮雜環衍生物。

式中’ R2Q1〜R2Q6各表示取代或未取代的碳數1〜50 的烷基、取代或未取代的核碳數6〜50的芳基、取代或未取代的碳數7〜5 0的芳烷基、取代或未取代的核原子數5 〜50的雜環基中任一者。R201與R2〇2、r2〇3與r2Q4、 5

與R

與R 、或R2Q4與R2Q5亦可形成稠環。再者，亦可使用下式的化合物。 ηψ R21*

、硝基、颯基、〜R216係取代基，較佳各係氰基 -98- 200908777 羰基、三氟甲基、鹵素等的吸電子基。又，P型Si、p型SiC等的無機化合物亦可使用作爲電洞注入層及電洞輸送層的材料。電洞注入層及電洞輸送層係可藉由真空蒸鍍法、旋塗法、流延法、LB法等眾所周知的方法，對上述化合物進行薄膜化而形成。電洞注入層及電洞輸送層的膜厚係沒有特別的限制，通常爲5 nm〜5 μηι。電洞注入層及電洞輸送層係可由上述材料的一種或二種以上所成的一層所構成，也可由不同化合物所成的複數之電洞注入層及電洞輸送層所層合者。又’ ρ型Si、ρ型SiC等的無機化合物亦可使用作爲電洞注入層的材料。下式的化合物亦適合作爲電洞注入層。

式中’ Ri-R6表示鹵素、氰基、硝基、烷基、三氟甲基’各可爲相同或不同。再者，Ri〜r6較佳爲氰基。電洞注入層係可藉由真空蒸鍍法、旋塗法、流延法、 LB法等眾所周知的方法，對上述化合物進行薄膜化而形成。電 '洞注入層的膜厚係沒有特別的限制，通常爲5nm〜 5 μηι。 -99- 200908777 (6)電子注入層及電子輸送層中至少一者（送區域）於有機發光層與陰極之間，亦可層合電子注入子輸送層中至少一者。電子注入層及電子輸送層中者係幫助電子對發光層的注入之層，電子移動度大已知有機電致發光所發出的光，由於被電極（下爲陰極）所反射，故直接從陽極取出的發光、與極的反射而取出的發光係發生干涉。爲了有效率地干涉效果，電子輸送層係在數nm〜數μιη的膜厚內擇，特別在膜厚爲厚時，爲了避免電壓上升，在 106V/cm的電場施加時，希望電子移動度至少爲ι〇· 以上。作爲電子注入層及電子輸送層中至少一者所用 ’較佳爲8-羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物。作 8 -羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物之具體例，可有oxine( —般爲8 -唾啉酚或8 -羥基喹啉）的螯合屬螯合氧諾德（oxynoid)化合物。例如，可使用j 當作中心金屬的Alq當作電子注入層及電子輸送層一者來使用。下式所示的噚二唑衍生物亦適合作爲電子注入 )材。電子輸層及電至少一〇此情況經由電利用此適宜選 1 04〜 5 c m2 / V s 的材料爲上述舉出含物之金 (r 有 A1 中至少 (輸送 -100- 200908777

或未取 Ar8表、北基、伸聯基，可基等。下述者 (式中 Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、Αγ9 么丰一而" 谷表不取竹代的芳基’各可互相相同或不同。又，Ar4、A〆示取代或未取代的伸芳基’各可相同或不同）。此處，作爲芳基，可舉出苯基、聯苯基、葱基、芘基。又，作爲伸芳基，可舉出伸苯基、伸萘基苯基、伸蒽基、伸？Ε基、伸ΪΕ基等。或，作爲取代舉出碳數1〜10的烷基、碳數1〜10的烷氧基或氰此電子傳達化合物較佳爲薄膜形成性者。作爲上述電子傳達性化合物的具體例，可舉出

下式所示之含氯雜環衍生物亦適合作爲電子注入（輸 200908777 送）材。

(IA) (IB) (式中，A1〜A3係氮原子或碳原子，R係可有取代基的碳數6〜60的芳基、可有取代基的碳數3〜60的雜芳基、碳數1〜20的烷基、碳數1〜20的鹵烷基、碳數1〜20的烷氧基，η係0至5的整數，於n爲2以上的整數時，複數的R可互相相同或不同。又’鄰接的複數之R基可彼此互相鍵結而形成取代或未取代的碳環式脂肪族環、或取代或未取代的碳環式芳香族環。

Ar1係可有取代基的碳數6〜60的芳基、可有取代基的碳數3〜6〇的雜芳基’ Ar2係氫原子、碳數1〜20的烷基、碳數1〜20的鹵烷基、碳數丨〜2()的烷氧基、可有取代基的碳數6〜60的芳基、可有取代基的碳數3〜6〇的雜方基（但是，Ar1、Ar2中任—者係可有取代基的碳數1〇〜6〇的稠環基、可有取代基的碳數3〜6〇的雜稠環基。 L 、L各係單鍵、可有取代基的碳數6〜6〇的稠環、可有取代基的碳數3〜60的雜稠環或可有取代基的伸莽基 -102- 200908777 HAr— L1— Ar1— Ar2 (式中’ HAr係可有取代基的碳數3〜40的含氮雜環，Ll 係單鍵、可有取代基的碳數6〜60的伸芳基、可有取代基的碳數3〜60的伸雜芳基或可有取代基的伸葬基，Ari係可有取代基的碳數6〜60的2價芳香族烴基，Ar2係可有取代基的碳數ό〜60的芳基或可有取代基的碳數3〜60的雑方基）。又’以下的矽環戊二烯衍生物亦適合於電子注入（輸送）材。

Ri (式中’ X及Y各自獨立地係碳數1至6的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環，或X與γ鍵結而形成飽和1或不飽和環的構造，Rl〜r4各自獨立地係氫、鹵素、取代或未取代的碳數1至6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟院基、全氟烷氧基、胺基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧羰基方氧羯基、偶氮基、院基擬氧基、芳基羯氧基、院氧艘氧基 '芳氧羰氧基、亞磺醯基、磺醯基、磺胺基、矽烷基、胺甲醯基、芳基、雜環基、烯基、炔基、硝基、甲醯基、亞硝基、甲醯氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基 •103- 200908777 、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰基，或鄰接時稠合有·$ 代或未取代的環之構造）。下式所示的矽環戊二烯衍生物亦適合於電子注人送）材。 R3 R2

X Y (式中，X及Y各自獨立地係碳數1至6的飽和或不飽和的烴基、院氧基、燒氧基、炔氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環，或X與γ鍵結而形成飽和或不飽和環的構造，各自獨立地係氫、鹵素、取代或未取代的碳數1至6的院基、院氧基、芳氧基、全氟院基、全氟烷氧基、胺基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧羰氧基、芳氧羰氧基、亞磺醯基、磺醯基、磺胺基、矽烷基、胺甲醯基、芳基、雜環基、烯基、炔基、硝基、甲醯基、亞硝基、甲醯氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰基，或鄰接時稠合有取代或未取代的環之構造。

但是，於R!〜R4爲苯基時，X及Υ不是烷基及苯基，於Ri及R4爲噻吩基時，不同時滿足X及Y爲一價烴基，R2及R3爲烷基、芳基、烯基’或R2與R3鍵結形成環的脂肪族基之構造；於及R4爲矽烷基時’ R2、R3、X -104- 200908777 及γ各自獨立地不是碳數1至6的〜價烴基或氫原子；於以1及R2稠合苯環的構造時’ X及γ不是烷基及苯基。下式所示的硼烷衍生物亦適合於電子注入（輸送）材

(式中’ 及Ζ2各自獨立地表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環基、取代胺基、取代硼基、烷氧基或芳氧基’ X、Υ及Ζ!各自獨立地表示飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環基、取代胺基、烷氧基或芳氧基，21與Ζ2的取代基可互相鍵結合而形成稠環，η表示1 〜3的整數’於η爲2以上時’ Ζ!彼此及ζ 2彼此可爲不同。但是，不包括η爲1，X、Y及R2爲甲基，r8爲氫原子或取代硼基的情況，以及η爲3且Z,爲甲基的情況）又’下式所示的鎵錯合物亦適合於電子注入（輸送）材。

A

Ga——L Q2 -105- 200908777 L二奉：A Q、各自獨立地表示下式所示的配位子，係歯素原子、取代或未取代的院基、取院基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環：、-〇R…“系氨原子、取代或未取代的院 =環院基、取代或未取代的芳基、取代或未取代=

或表示-0-Ga-Q3(〇4) rn3nA (Q及卩表示與Q1及Q2同樣的意義）所示的配位子。式中’Q1〜Q4係下式所示的殘基’冑8_羥基喹啉、 2-甲基I經基嗤咐等的嗤咐殘基，但不受此等所限定。

環A1及A2係互相鍵結的取代或未取代的芳基環或雜環構造。上述金屬錯合物作爲η型半導體的性質強，電子注入此力大。再者，由於錯合物形成時的生成能量亦低，故所形成的金屬錯合物之金屬與配位子的結合性亦變強固，作爲發光材料的螢光量子效率亦變大。此處’若舉出作爲形成上式的配位子之環A1及A2的取代基之具體例，則有氯、溴、碘、氟的鹵素原子、甲基、乙基、丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基 '己基、庚基、辛基、硬脂基 '三氯甲基等的取代或未取代的烷 -106- 200908777 基、本基、萘基、3 -甲基苯基、3 -甲氧基苯基' 氣苯基、3 -二氯甲基苯基、3 -三氟甲基苯基、3 -硝基苯基等的取代或未取代的芳基、甲氧基、正丁氧基、第三丁氧基、= 氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2,3，夂四氣丙氧基、1，1 ,1,3,3,3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基）己氧基等的取代或未取代的烷氧基、苯氧基、對硝基苯氧基、對第二丁基苯氧基、3 -氟苯氧基、五氣苯基、3 -三氟甲基苯& 基等的取代或未取代的芳氧基、甲硫基、乙硫基、第=丁基硫基、己硫基、辛硫基、二氟甲基硫基等的取代或未瓦代的烷硫基、苯硫基、對硝基苯硫基、對第三丁基苯硫基、3 -氟苯硫基、五氟苯硫基、3 -三氟甲基苯硫基等的取代或未取代的芳硫基、氰基、硝基、胺基、甲胺基、二乙基 '乙胺基、二甲胺基、二丙胺基、二丁胺基、二苯胺基等的單或二取代胺基、雙（乙醯氧基甲基）胺基、雙（乙Μ 氧基乙基）胺基、雙乙醯氧基丙基）胺基、雙（乙醯氧基丁基）胺基等的醯基胺基、羥基、矽氧基、醯基、甲基胺甲醯基、二甲基胺甲醯基、乙基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、丙基胺甲醯基、丁基胺甲醯基、苯基胺甲醯基等的胺甲醯基、羧酸基、磺酸基、亞胺基、環戊基、環己基等的環烷基、苯基 '萘基、聯苯基、蒽基、菲基、莽基、芘基等的芳基、吡啶基、吡哄基、嘧啶基、嗒畊基、三哄基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯啶基、二噚烷基、哌啶基、嗎啉基、哌哄基、咔唑基、呋喃基、硫苯基、噚唑基、噚二唑基、苯并噚唑基、唾唑基、噻二唑基、苯并噻唑基 -107- 200908777 、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基等的雜環基等。又的取代基亦可彼此鍵結而再形成6員芳基環或雜環於有機電致發光元件的較佳形態中，有在輸送區域或陰極與有機層的界面區域含有還原性摻雜物。此處，還原性摻雜物係定義爲可將電子輸送性化原的物質。因此，可使用具有一定還原性的各式各例如可合適地使用從鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類鹼金屬的氧化物、驗金屬的鹵化物、驗土類金屬的、鹼土類金屬的鹵化物、稀土類金屬的氧化物或稀屬的鹵化物、鹼金屬的有機錯合物、鹼土類金屬的合物、稀土類金屬的有機錯合物所組成族群所選出一種物質。又，更具體地，作爲較佳的還原性摻雜物，可 Li(功函數：2.9eV) 、Na(功函數：2.36eV) 、K 數：2.28eV ) 、Rb (功函數：2· 1 6eV )及 Cs (功 1.9 5 e V )所組成族群所選出的至少1種驗金屬，由函數：2.9eV) 、Sr(功函數：2.0 〜2.5eV)及 Ba 數：2.52eV )所組成族群所選出的至少一種鹼土類特佳係功函數爲2 · 9eV以下者。於此等之中，更佳性摻雜物爲由K、Rb及C s所組成族群所選出的至鹼金屬，尤佳爲Rb或Cs，最佳爲Cs。此等鹼金屬還原能力高，藉由對電子注入區域的比較少量之添謀求有機電致發光元件的發光亮度之提高或長壽命 ’作爲功函數爲2 · 9 e V以下的還原性摻雜物’較佳，以上〇電子的的元件合物還樣者，金屬、氧化物土類金有機錯的至少舉出由 (功函函數： Ca (功 (功函金屬，的還原少一種，尤其加，可化。又爲此寺 -108- 200908777 2種以上的鹼金屬之組合，特佳爲含C s的組合’ 與Na、Cs與K、Cs與Rb或Cs與Na和K的組組合含有Cs，可有效率地發擇還原能力’藉由入區域的添加，可謀求有機電致發光元件的發光高或長壽命化。於陰極與有機層之間亦可更設有由絕緣體或構成的電子注入層。此時，可有效地防止電流的高電子注入性。作爲如此的絕緣體，較佳爲使用硫屬化物、鹼土類金屬硫屬化物、鹼金屬的鹵化類金屬的鹵化物所組成族群所選出的至少1種金。電子注入層若由此等鹼金屬硫屬化物等所構成提高電子注入性之點來看係較宜。具體地，作爲金屬硫屬化物，例如可舉出Li20、K20、Na2S、 Na2〇;作爲較佳的鹼土類金屬硫屬化物，例如可、BaO、SrO、BeO、BaS 及 CaSe。又，作爲較佳的鹵化物，例如可舉出 LiF、NaF、KF、LiCl NaCl等。又，作爲較佳之鹼土類金屬的鹵化物舉出 CaF2、BaF2、SrF2、MgF2 及 BeF2 等的氟化化物以外的鹵化物。又，作爲構成電子輸送層的半導體，可舉、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In ' Li、Na、Cd、Mg 、S b及Zn中至少1種元素的氧化物、氮化物或物等的單獨1種或2種以上的組合。又，構成電的無機化合物，較佳係微結晶或非晶質的絕緣性例如C s 合。藉由對電子注亮度之提半導體所洩漏，提從鹼金屬物及鹼土屬化合物，則從更較佳的驗 Na2Se 及舉出CaO 之鹼金屬 ' KC1 及，例如可物，或氟，含有Ba 、Si、T a 氧化氮化子輸送層薄膜。電 -109- 200908777 子輸送層若由此等絕緣性薄膜所構成’則由於形成均質的薄膜，故可減少黑點等的畫素缺陷。再者’作爲如此的無機化合物，可舉出上述的鹼金屬硫屬化物、鹼土類金屬硫屬化物、鹼金屬的鹵化物及鹼土類金屬的鹵化物等。 (7 )陰極作爲陰極，爲了將電子注入電子注入層及電子輸送層中至少任一者或發光層，可使用功函數小（4eV以下）的金屬、合金、電氣傳導性化合物及此等的混合物當作電極物質者。作爲如此的電極物質之具體例，可舉出鈉、鈉. 鉀合金、鎂、鋰、鎂·銀合金、銘/氧化銘、飽.鋰合金、銦、稀土類金屬等。此陰極係可藉由蒸鍍或濺鍍此等電極物質等的方法，形成薄膜而製作。此處，於從陰極取出發光層的發光時，對於陰極的發光而言，透過率較佳爲大於10%。又，陰極的片電阻較佳爲數百Ω/□以下，膜厚通常爲 10nm 〜Ιμιη，較佳爲 50 〜200nm° (8 )絕緣層有機電致發光元件’由於將電場施加於超薄膜，而容易發生洩漏或短路所致的畫素缺陷。爲了防止它，較佳爲在一對電極間插入絕緣性的薄膜層。作爲絕緣層所用的材料，例如可舉出氧化鋁、贏化鋰 -110- 200908777 、氧化鋰、氟化鉋、氧化鉋、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣' 氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化矽、氧化鍺、氮化矽、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。亦可使用此等的混合物或層合物。 (9)有機電致發光元件的製造方法藉由以上例示的材料及形成方法，可形成陽極、視需的電洞輸送層、發光層、及視需要的電子注入層，再藉由形成陰極，可製作有機電致發光元件。又’從陰極到陽極，亦可以與前述相反的順序來製作有機電致發光元件。以下記載如第1圖所示地，於透光性基板2上依順序設有陽極3/電洞輸送層4/紅色磷光發光層51/綠色磷光發光層52/電荷障壁層6/螢光發光層7/電子輸送層8/陰極9 的構成之第1實施形態的有機電致發光元件1之製作例。再者，於第1圖中，紅色磷光發光層51具有紅色磷光用主體及紅色磷光用摻雜物。綠色磷光發光層52具有綠色磷光用主體及綠色磷光用摻雜物。於有機電致發光元件1的製作時，首先於適當的透光性基板2上，以使陽極材料所成的薄膜在1 μιη以下，較佳爲在10〜200 nm的範圍之膜厚的方式，藉由蒸鍍或濺鍍等的方法來形成，以製作陽極3。其次，於陽極3上設置電洞輸送層4。電洞輸送層4 的形成係可藉由真空蒸鍍法、旋塗法、流延法、LB法等的方法來進行。較佳爲在膜厚5nm〜5μιη的範圍內適宜選 -111 - 200908777 擇。接著’電洞輸送層4上所設置的紅色磷光發光層51 及綠色磷光發光層52之形成，係可藉由使用所欲的有機發光材料’以真空蒸鍍法所代表的乾製程，或旋塗法、流延法等的濕製程’將有機發光材料薄膜化而形成。然後’於綠色磷光發光層52上設置電荷障壁層6。可舉出以真空蒸鍍法來形成的例子。接著’在電荷障壁層6上設置螢光發光層7。螢光發光層7係可藉由與紅色磷光發光層51及綠色磷光發光層 52同樣的方法來形成。之後’於螢光發光層7上設置電子輸送層8。電子輸送層8的形成係可藉由真空蒸鍍法、旋塗法、流延法、LB 法等的方法來進彳了。較佳爲在膜厚5nm〜5μηι的範圍內適宜選擇。最後，可層合陰極9而獲得有機電致發光元件1。陰極9因爲由金屬所構成，故可使用蒸鍍法、濺鍍。但是，爲了保護基底的有機物層’防止在成膜時的損傷，較佳爲真空蒸鍍法。有機電致發光元件1的各層之形成方法係沒有特別的限定。可以使用習知的真空蒸鍍法、旋塗法等的形成方法，即有機薄膜層係可藉由真空蒸鑛法、分子線蒸鍍法（Μ Β Ε 法）或溶解在溶劑中的溶液之浸漬法、旋塗法、流延法、桿塗法、輥塗法、噴墨法等的塗佈法之眾所周知的方法來 -112- 200908777 形成。有機電致發光元件1的各有機層之膜厚限制’一般若膜厚太薄，則容易發生針孔等地若太厚，則必須高的施加電壓，效率變 nm至1 μη!的範圍係較佳。 (1 〇 )有機電致發光元件的動作以下，對具有第1圖所示構造的有機電之動作，使用第2圖所不的有機電致發光元來說明。第2圖中所不的六個長方形各自表示電紅色磷光發光層51、綠色磷光發光層52、1 螢光發光層7、電子輸送層8。各長方形的的親和性水平，下邊表示各層的離子化位 HOMO的能量之大小）。但是，對於紅色磷綠色磷光發光層52及螢光發光層7，不顯示，而顯示各自的主體之水平。若對有機電致發光元件1施加電壓，電注入電洞輸送層4。又，電子e_從陰極9經 8注入螢光用主體。此處，由於電荷障壁層6具有比螢光用和性水平AfEB，電荷障壁層6的親和性水2) 用主體的親和性水平AfFH滿足上述式（2 ) 用主體的電子e·係難以從螢光用主體注入電係沒有特別的的缺陷，相反差，故通常數致發光元件1 件1之帶狀圖洞輸送層4、 [荷障壁層6、上邊表示各層能（大致等於光發光層51、層全體的水平洞h +從陽極3 由電子輸送層主體還小的親 x AfEB與螢光，故注入螢光荷障壁層6側 -113- 200908777 ，而被關閉在螢光發光層7中。另一方面，注入電洞輸送層4的電洞h |，係通過紅色磷光用主體、綠色磷光用主體、電荷障壁層6而注入螢光用主體的HOMO。此時，紅色磷光發光層5 1的紅色磷光用主體之離子化位能IpPH、紅色磷光發光層51的紅色磷光用摻雜物之離子化位能IpPD及電洞輸送層4的離子化位能IpHI係滿足上述式（3 )。於是，電洞h +難以直接從陽極3注入紅色磷光發光層51的磷光用摻雜物，電洞h +係注入紅色磷光用主體。又，由於電荷障壁層6的厚度爲3〜9nm，故可邊阻擋電子e_從螢光發光層7注入電荷障壁層6側，邊使綠色磷光發光層52的電洞h1注入螢光用主體的HOMO。於是，在登光發光層7的螢光用主體中，生成激子，即單重態激子與三重態激子。螢光用主體的激發單重態能量係往螢光用摻雜物進行能量移動。此能量係當作藍色螢光發出。再者，由於激發單重態的壽命短，越過電荷障壁層6往綠色磷光發光層52 的能量移動之發生可能性低，螢光用主體的激發單重態能量係高效率地往螢光用摻雜物進行能量移動，當作藍色螢光被取出。第3圖顯示各層之主體或摻雜物的三重態能隙。如第3圖所示地，紅色磷光發光層5 1的紅色磷光用摻雜物之三重態能隙EgPD_R、綠色磷光發光層52的綠色 200908777 磷光用摻雜物之三重態能隙EgPD-G、電荷障壁層6的三重態能隙EgEB及蛋光發光層7的螢光用主體之三重態能隙 EgFH係滿足下式。

EgpD-R< EgPD-G< EgEB = EgFH 此處，由於EgEBSEgFH，故激發三重態能量係可能從螢光用主體往電荷障壁層6移動，由於EgPD-G<EgEB’故從電荷障壁層6到綠色磷光用摻雜物的激發三重態能量之移動係可能。藉由如此的螢光用主體之激發三重態能量的移動’生成綠色磷光用摻雜物的激發三重態’得到綠色的磷光發光 hv〇 ° 又，綠色磷光用摻雜物的激發三重態能量之一部分係不貢獻綠色磷光發光，而往紅色磷光用摻雜物移動。此係因爲從綠色磷光用摻雜物往紅色磷光用摻雜物的能量移動滿足EgpD_R < EgPD-G的關係。由藉此所生成的紅色磷光用摻雜物之激發三重態，得到紅色的磷光發光hvR ° 再者，如第3圖所示地’由於電荷障壁層6的三重態能隙E g E B比螢光用摻雜物的三重態能隙E g F D還大’故螢光用主體的激發三重態能量係較容易移動到電荷障壁層6 而不易到螢光用摻雜物。因此，可防止螢光用主體的激發三重態能量移動到螢光用摻雜物，不貢獻發光而損失。由螢光發光層7所得到的藍色螢光、由綠色磷光發光 -115- 200908777 層52所得到的綠色磷光、及由紅色磷光發光層5 i所得到得紅色磷光，係從透光性基板2側發出到有機電致發光元件1的外部，得到各色的發光所混合成的白色光。此時’有機電致發光元件1，由於在螢光用主體所生成的全部激發能量可與發光產生關聯，故與以往的混合色之有機電致發光元件相比，可提高發光效率。 [第2實施形態] 本實施形態的有機電致發光元件，如第4圖所示地，係具備於透光性基板2上依順序設有陽極3 /電洞輸送層4/ 螢光發光層7/電荷障壁層6/綠色磷光發光層52/紅色磷光發光層51/電子輸送層8/陰極9的構成。各層的材料、製法係可使用與上述第1實施形態同樣者，但以下各點係不同於第1實施形態。電荷障壁層6係阻擋螢光發光層7中所注的電洞從營光發光層7注入該電荷障壁層6側，使電子從磷光發光層 51、52注入螢光發光層7。

具體地，磷光用摻雜物的三重態能隙EgPD、電荷障壁層6的三重態能隙EgHB及螢光用主體的三重態能隙EgFH 係滿足下式（4 )。

EgPD < EgHB ^ EgFH ( 4 ) 藉此，使電子從磷光發光層51、52經由電荷障壁層6 -116- 200908777 注入螢光發光層7。又，電荷障壁層6具有比蛋光用主體還小的離子化位能。而且，由於電荷障壁層6的離子化位能1PHB及螢光用主體的離子化位能IPFH滿足下式（5) ’而阻擋電洞。 IPhb〉Ipfh - (5)。磷光用主體的電子移動度在υχ104〜1·0χ1〇6ν/(：ηι的電場中較佳爲l.〇xl〇-5cm2/Vs以上。由於具備具尚電子移動度的磷光用主體，可提高電子的輸送能力’使電子通過電荷障壁層6而注入螢光發光層7。紅色磷光發光層51係設置在比綠色磷光發光層52更靠近陰極9側。表3中顯示於如此的第2實施形態中，可使用作爲螢光用主體及電荷障壁層的化合物之組合、各化合物的三重態能隙（Eg )、及離子化位能（Ip )的數値。 117- 200908777 【ε«〕 15酬艇— Ip (eV) O ID to ο (Ο 00 ιή <0 li) ω ιό (0 \ό CO ID 10 ID 0) ιό 寸 ιό ΙΟ ιή ΙΛ 10 寸 ID 寸 ιό (0 10 (0 \ό σ) ιό οο ιό 寸 If) Eg (eV)： co ω OJ <Τ) CVJ 0) CM 00 cj CO CSJ 卜 cO (D cj (0 Μ ID W ιτ> <Μ ιη 0J 才 OJ 寸 OJ 寸 Cvi οο CJ (0 CVJ C0 (Μ (Ν 0J CJ oil OJ I < CD ca ω ca CQ ω ω m CQ CD < ω CD < < < < ΰ3 < I 卜 7 < CO CO ω DO ca ω ω CQ GQ CQ ω ca CG ω ω < < CD 1 ca (D I < ω ω GO < < < < < < < < < < < < < < 1 υ ϋ 才 I < CD CQ ω CQ CQ tQ CO CQ to CO CO CQ CD < ) to ο ϋ 7 < ω ao ω ca CQ CQ ω m ω ω ω QG OQ CO ΐΩ 1 < ω ϋ ϋ CO I < CO CD ω 〇a CQ CD CD m CQ CQ < ca CQ < 1 ϋ υ ο υ ϋ ID I < ω CQ ω m ω GG to CQ CQ < □D CO 1 < ϋ ϋ ϋ υ ο 0 1 < ω GO 03 CO ω (Ω CD CQ < OQ < < 1 < < ϋ ϋ ο ϋ ϋ Q 2 CQ CQ CG ω CQ [D CO ca < CO < 1 υ o u ϋ υ ϋ υ ο <x> I < ω ca □3 CD CD CG 0□ ca ca QQ I DO υ ϋ υ ϋ υ ϋ ϋ ϋ 10 1 < 03 ω ω < < < < < < 1 < < υ o υ ο ϋ ϋ υ ϋ 0> 1 < c〇 ID CQ ω ca CQ ω CD 1 ϋ ϋ υ υ υ υ ο υ ϋ ϋ ϋ 1 < 0Q ω GO < < CD < 1 < ϋ ϋ a υ o ο Ο υ ο υ ο 卜 1 < CO CO CQ ca OD CG 1 O u U ϋ υ ο o υ Ο υ ϋ υ ο 0. 8 m GG ω < < 1 υ ϋ υ ϋ υ o ο o ο ϋ υ ϋ υ υ (D 1 < (Ω CQ ca < 1 CO υ ϋ υ ϋ υ υ υ o ο a U ϋ ο ϋ 1 < CO CD ω 1 ϋ υ ο ϋ υ ϋ υ o ο o a υ U υ υ a CVJ 1 < < ω I < ϋ υ υ υ ϋ υ υ υ ο υ ϋ υ υ ϋ υ υ (0 1 < < 1 < < ϋ υ ◦ υ ο ϋ υ u υ o υ ο ο ϋ ο ο a ω 8 [ ϋ ϋ o υ υ ο υ ϋ ϋ υ υ ϋ ◦ ο ο ϋ ϋ ϋ ο / CL 〇 <0 1 < (Νί 1 < 1 < (D 1 < Cl 8 I < 寸 I < <η I < \Ω \ < <〇 I < o 2 ο 1 < 10 1 < C0 ! < 1 < 寸 1 < (D 1 < 卜 ι < CVJ ι < 118- 200908777 表3中，B表不電荷障壁層的三重態能隙EgEB與蕾光用主體的三重態能隙 EgFH滿足上述式（4 )(即 EgHB^EgFH)的組合，C表示不滿足的組合。A表示滿足上述式（4)且電荷障壁層的離子化位能IpHB與螢光發光層的螢光用主體之離子化位能IpFH滿足上述式（5 )(即 IpHB> IpFH-O.leV )的組合。A及B係構成本發明的有機電致發光元件時之較佳組合，C係不好的組合。特佳爲A 的組合。例如，以CDBP當作螢光用主體，以化合物A-3當作電荷障壁層時，滿足上述式（4)及式（5)兩者。因此，可構成以CDBP當作螢光用主體，以化合物A-3當作電荷障壁層的本發明之有機電致發光元件。以CDBP當作螢光用主體，以化合物A-1當作電荷障壁層時，雖然不滿足上述式（5)，但由於滿足上述式（4 )’故可構成本發明的有機電致發光元件。但是’相反地，以化合物A-2當作螢光用主體，以 CDBP當作電荷障壁層時，不滿足上述式（4)及式（5) 兩者’無法構成本發明的有機電致發光元件。以下’對具有第4圖所示構造的有機電致發光元件1 之動作’使用第5圖所示的有機電致發光元件1之帶狀圖來說明。第5圖中所示的六個長方形各自表示電洞輸送層4、螢光發光層7、電荷障壁層6、綠色磷光發光層52、紅色磷光發光層51、電子輸送層8。各長方形的上邊表示各層 -119- 200908777 的親和性水平，下邊表示各層的離子化位能（大致等於 L U Μ 0的能量之大小）。但是，對於紅色磷光發光層5 1、綠色磷光發光層52及螢光發光層7’不顯示層全體的水平，而顯示各自的主體之水平。若對有機電致發光元件1施加電壓’電洞h +從陽極3 經由電洞輸送層4注入螢光用主體。又’電子從陰極9 注入電子輸送層8。此處，由於電荷障壁層6具有比螢光用主體還小的離子化位能IpHB，電荷障壁層6的離子化位能IPHB與螢光用主體的離子化位能IPFH滿足上述式（5)，故注入螢光用主體的電洞h +係難以從螢光用主體注入電荷障壁層6 側，而被關閉在螢光發光層7中。另一方面，注入電子輸送層8的電子，係通過紅色磷光用主體、綠色磷光用主體、電荷障壁層6而注入螢光用主體的LUMO。又，由於電荷障壁層6的厚度爲3〜9nm，故可邊阻擋電洞h +從螢光發光層7注入電荷障壁層6側，邊使綠色磷光發光層52的電子e·注入蛋光用主體的LUMO。於是，在螢光發光層7的螢光用主體中，生成激子，即單重態激子與三重態激子。螢光用主體的激發單重態能量係往螢光用摻雜物進行能量移動。此能量係當作藍色螢光發出。再者，由於激發單重態的壽命短，越過電荷障壁層6往綠色磷光發光層52 的能量移動之發生可能性低，螢光用主體的激發單重態能 -120- 200908777 量係高效率地往螢光用摻雜物進行能量移動，當作藍色螢光被取出。第6圖顯示各層之主體或摻雜物的三重態能隙。如第6圖所示地，紅色磷光發光層5 1的紅色磷光用摻雜物之三重態能隙EgPD_R、綠色磷光發光層52的綠色磷光用摻雜物之三重態能隙EgPD.G、電荷障壁層6的三重態能隙EgHB及螢光發光層7的螢光用主體之三重態能隙 EgFH係滿足下式。

EgpD-R< EgpD-G< EgHB^EgFH 此處，由於EgHB SEgFH，故激發三重態能量係可能從螢光用主體往電荷障壁層6移動，由於EgPD-G<EgHB，故從電荷障壁層6到綠色磷光用摻雜物的激發三重態能量之移動係可能。藉由如此的螢光用主體之激發三重態能量的移動，生成綠色磷光用摻雜物的激發三重態，得到綠色的磷光發光 h v g 0 又，綠色磷光用摻雜物的激發三重態能量之一部分係貢獻綠色磷光發光，而往紅色磷光用摻雜物移動。此係因爲從綠色磷光用摻雜物往紅色磷光用摻雜物的能量移動滿足EgpD-R〈EgpD_G的關係。由藉此所生成的紅色憐光用慘雜物之激發三重態，得到紅色的磷光發光hvR。再者，如第6圖所示地，由於電荷障壁層6的三重態 200908777 能隙EgHB比螢光用摻雜物的三重態能隙EgFD還大，故螢光用主體的激發三重態能量係較容易移動到電荷障壁層6 而不易到登光用摻雜物。因此，可防止螢光用主體的激發三重態能量移動到螢光用摻雜物，不貢獻發光而損失。由螢光發光層7所得到的藍色螢光、由綠色磷光發光層52所得到的綠色磷光、及由紅色磷光發光層5 1所得到的紅色磷光，係從透光性基板2側發出到有機電致發光元件1的外部，得到各色的發光所混合成的白色光。此時，有機電致發光元件1，由於在螢光用主體所生成的全部激發能量可與發光產生關聯，故與以往的混合色之有機電致發光元件相比，可提高發光效率。接著，舉出實施例及比較例來更詳細說明本發明，惟本發明完全不受此等實施例的記載內容所限制。 [有機電致發光元件的作成] [實施例1 ] 對25mmx75mmxl.lmm之附有ITO透明電極的玻璃基板（Geomat ec公司製），在異丙醇中施予5分鐘的超音波洗淨，再施予3 0分鐘的UV (紫外線）臭氧洗淨。將經如此洗淨的附透明電極之玻璃基板，安裝在真空蒸鍍裝置的基板托架上，首先在玻璃基板之形成有透明電極線的側之面上，以覆蓋透明電極的方式，蒸鍍厚度 50nm的 TCTA(4,4’，4”-三（咔唑-9-基）三苯基胺），得到電洞輸送層。TCTA的電洞移動度在10·4〜10_6V/Cm的 -122- 200908777 電場中爲 4xl(T4cm2/Vs。於此電洞輸送層上，共蒸鍍厚度6nm的紅色磷光用主體之CBP(4,4’-雙（N-咔唑基）聯苯）與紅色磷光用摻雜物之PQIr，得到紅色磷光發光層。PQIr的濃度爲1質量％〇其次，於此紅色磷光發光層上蒸鍍厚度5nm的CBP ’ 得到中間層。於此中間層上，共蒸鍍厚度14nm的綠色磷光用主體之CBP及綠色磷光用摻雜物之Ir ( ppy ) 3，得到綠色磷光發光層。I r ( p p y ) 3的濃度爲5質量％。再者，於此綠色磷光發光層上，蒸鍍厚度6nm的化合物A-9，得到電荷障壁層。A-9的電洞移動度在1(Γ4〜 l(T6V/cm 的電場中爲 5xl(T4cm2/Vs。接著，於此電荷障壁層上，共蒸鍍厚度l〇nm的螢光用主體之CBP及螢光用摻雜物之BCzVBi，得到螢光發光層。BCzVBi的濃度爲2質量％。然後，於此螢光發光層上，依順序層合厚度40nm的 8〇？（2,9-二甲基-4,7-二苯基-1，10-菲繞啉）、厚度1!1111 的LiF、厚度150nm的金屬A1，得到陰極。再者，電子注入性電極的LiF係以1 A/min的速度來形成。 [實施例2、3] 除了電荷障壁層的厚度各自爲3nm、12nm以外，與前述實施例1同樣地製作有機電致發光元件。 -123- 200908777 [實施例4 ] 除了代替TCTA ’使用NPD以外，與前述實施例1同樣地製作有機電致發光元件。N P D的電洞移動度在；1 〇 ·4〜 l(T6V/cm 的電場中爲 6xl〇_4cm2/Vs。 [實施例5] 除了代替TCTA，使用CBP以外，與前述實施例1同樣地製作有機電致發光元件。CBP的電洞移動度在1CT4〜 10_6V/cm 的電場中爲 lxl〇_3Cm2/Vs。 [實施例6] 除了不設置中間層以外，與前述實施例1同樣地製作有機電致發光元件。 [實施例7] 除了代替作爲紅色磷光用主體、中間層、綠色磷光用主體的CBP，使用A-2以外，與前述實施例1同樣地製作有機電致發光元件。 A-2的電洞移動度在1〇4〜1〇6v/cm的電場中爲 1 X 1 (Γ 4 c m 2 / V s。 [實施例8] 除了紅色磷光用摻雜物（pQIr)的濃度爲4%以外， -124- 200908777 與前述實施例1同樣地製作元件。 [實施例9] 於實施例1中，代替P QI r，使用I r ( p i q ) 3當作紅色磷光用摻雜物’代替Ir ( ppy ) 3 ’使用Ir ( Ph-ppy ) 3當作綠色磷光用摻雜物。又’代替A·9 ’以A·7當作電荷障壁層。 [實施例10] 於實施例1中，省略中間層及綠色磷光發光層。又’ 代替CBP，以A-6當作紅色磷光用主體及螢光用主體。再者，代替A-9，以A-1 1當作電荷障壁層。 [實施例1 1 ] 於實施例9中，代替紅色磷光發光層、中間層及綠色磷光發光層，設置單層的磷光發光層（厚度20nm )。於此磷光發光層中，以A-2當作磷光發光用主體，含有5% 的11'(?1141^)3當作綠色磷光用主體，〇.1%的？(511'當作紅色磷光用主體。 [比較例1 ] 不設置電荷障壁層，代替地藉由蒸鍍設置厚度6nm的上述文獻6記載的化合物CBP。其以外係與前述實施例1 同樣地，製作有機電致發光元件。 -125- 200908777 [比較例2] 不設置電荷障壁層，代替地藉由蒸鍍厚度 6nm的 US2002/0197511號公報記載的化合物之NPD。其以外係與前述實施例1同樣地，製作有機電致發光元件。表4中顯示以上的前述實施例1〜1 1及比較例1、2 之元件構成。又，表5中顯示電洞輸送層及磷光用主體的電洞移動度、電子移動度。 [表4] 電洞輸送層紅色磷光發光層中間層綠色磷光發光層電荷障壁層螢光發光層實施例1 TCTA CBP 1 %PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 A-9 (6nm) CBP Z%BCzVB\ 實施例2 TCTA CBP 1%PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 A-9 (3nm) CBP 2%BCzVBi 實施例3 TCTA CBP 1%PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 A-9 C1 2nm) CBP 2%BCzVBi 實施例4 NPD CBP 1%PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 A-9 (6nm) CBP 2%BCzVBi 實施例5 CBP CBP 1%PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 A-9 (6nm) CBP 2%BCzVBi 實施例6 TCTA CBP 1%PQIr CBP 5%Ir(ppy)3 A-9 (6nm) CBP 2%BCzVBi 實施例7 TCTA A— 2 1 %PQIr A-2 A-2 5%Ir(ppy)3 A-9 (6nm) CBP 2%BCzVBi 實施例8 TCTA CBP 4%PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 A-9 (6nm) CBP 2% 巳 CzVBi 實施例9 TCTA CBP 1 %Ir(piq)3 CBP CBP 5%Ir(Ph — ppy)3 A-7 (6nm) CBP 2%BCzVBi 實施例10 TCTA A一6 5%PQIr A-11 (6nm) A—6 2%BCzVBi 實施例11 TCTA 單層的碟光發光層 A_2 (20nm) 5%Ir(Ph—ppy)3 0· 1%PQIr A-7 (6nm) CBP 2%BCzVBi 比較例1 TCTA CBP 1%PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 CBP (6nm) CBP 2%BCzVBi 比較例2 TCTA CBP 1%PQIr CBP CBP 5%Ir(ppy)3 NPD (6nm) CBP 2%BCzVBi -126- 200908777 [表5] CBP 電洞移動度電子移動度 1 X 1 0'3 2 X 1 0'4 TCTA 4 X 1 0_4 NPD 6χ 1 0'4 A-2 1 X 1 04 5 X 1 0'5 A-9 5 X 1 0'4 單位：cm2/Vs ( 104 〜106V/cm 施加時）再者，上述材料的載子（電洞、電子）移動度之測定係如以下地進行。對25mmx75mmxl.lmm之附有ITO透明電極的玻璃基板（Asahi Glass製），在異丙醇中進行5分鐘的超音波洗淨後，進行3 0分鐘的UV臭氧洗淨。將洗淨後的玻璃基板安裝在真空蒸鍍裝置的基板托架上，首先在ITO透明基板電極上，藉由電阻加熱蒸鍍，以將測定材料形成3〜5 μηι的膜。接著，於此膜上蒸鍍1 Onm的金屬Α1，形成半透明電極。以（股）OPTEL製的飛行時間測定裝置TOF-401來測定如此所作成的元件在1 0 4〜1 0 6 V / c m的電場強度中載子（電洞、電子）移動度。激發光係使用3 3 7 n m的氮雷射之光。以兩對數繪製光電流（I )-時間（t )曲線，以所得到的彎曲點當作tr ’移動度μ係以移動度μ = ί2/ ( trxV )來求得。此處’ L係試料膜厚，V係施加電壓。 -127- 200908777 [有機電致發光元件的評價] 以1 mA/cm2的直流電流使如以上製作的有機電致發光元件發光’測定發光色度、亮度（L )及電壓。以此爲基礎，求出電流效率（l/j)及發光效率η (lm/W)。表6中顯示其結果。 [表6] 電壓色度（QE表色系）電流效率L/J 發光效率η (V) X y (cd/A) (lm/W) 實施例1 6.22 0.385 0.409 29.59 14.95 實施例2 3.09 0.401 0.424 26.84 13.84 實施例3 6.16 0.369 0.385 24.39 12.44 實施例4 6.60 0.419 0.381 15.89 7.56 實施例5 7.20 0.450 0.353 28.02 12.22 實施例6 6.11 0.395 0.372 25.93 13.34 實施例7 6.93 0.535 0.430 30.71 13.91 實施例8 6.37 0.415 0.335 20.45 10.09 實施例9 6.58 0.403 0.395 28.33 13.52 實施例1〇 6.94 0.389 0.332 25.13 11.37 實施例11 6.94 0.375 0.405 28.18 12.75 比較例1 7.05 0.462 0.356 25.81 11.50 比較例2 6.42 0.352 0.246 12.17 5.96 如由表ό可明知，相對於比較例1、2，實施例1〜j i 的有機電致發光係顯示優異的發光效率及色純度。 -128- 200908777 另一方面，於比較例 1 中，EgFH = EgEB>EgPD.G，AfEB =AfFH，而且設於電荷障壁層之位置的CBP係雙極性。因此，在綠色磷光發光層及紅色磷光發光層中亦生成激子，綠色及紅色的發光強度增加，藍色強度降低。因此，無法得到良好的白色發光。又，於比較例 2 中，EgFH>EgpD-G>EgEB>EgPD_R。此處，由於EgEB > EgPD_R，故從電荷障壁層往紅色磷光用摻雜物的能量移動係可能，但是由於EgPD-G> EgEB，故從電荷障壁層往綠色磷光用摻雜物的能量移動係變困難。因此，於比較例2的有機電致發光元件中，得不到綠色發光，而僅得到藍色的螢光發光及紅色的磷光發光。於實施例4中，由於電洞輸送層的NPD之Ip係較接近磷光用摻雜物的Ip而不是磷光用主體的ip’故一部分的電洞注入磷光用摻雜物中而產紅色磷光，紅色的發光強度上升。因此，與實施例1〜3相比，成爲稍帶紅的白色發光。又，由於電洞注入磷光用摻雜物的部分愈多’螢光發光愈減少，故實施例4的有機電致發光元件之發光效率係比實施例1〜3低。於實施例5中，由於作爲電洞輸送層所用的CBP之 Ip與陽極的IT◦之Ip的差異大，故與實施例1〜3相比’ 需要較高的驅動電壓。於實施例6中，由於沒有設置中間層，故容易發生從綠色磷光發光層往紅色磷光發光層的能量移動。因此’實施例6的有機電致發光元件之紅色的發光強度大’與實施 -129- 200908777 例1〜3比較下，係成爲紅色稍強的白色發光。相對於此，實施例1〜3的有機電致發光元件之發光效率高，顯示極良好的白色發光。若對照實施例1至3中的發光效率，則實施例1的電荷障壁層6nm時之發光效率最高，顯示電子阻擋與對螢光發光層的電洞注入係最適宜地並存。相對地，於電荷障壁層薄的實施例2中，由於電子阻擋性不佳，在磷光發光層中亦注入電子，發光效率、色度皆不佳。於電荷障壁層厚的實施例3中，由於電洞注入性的問題，發光效率變成比實施例1還低。但是，實施例3從色度的觀點來看係良好，可知增厚電荷障壁層以調整磷光發光層的發光強度，可調整色度。於對照實施例1與實施例7時，實施例1係使用電洞移動度高的磷光用主體（CBP )。而且，實施例1的發光效率高，且色度亦接近白色。相對地，於以電洞移動度爲 10“(^2/¥3(104〜106¥/^11施加時）的八-2當作磷光用主體的實施例7中，發光色的紅色調變強。因此，顯示爲了通過磷光發光層及電荷障壁層，將電洞注入螢光發光層的主體，得到高發光效率及取得平衡的色，磷光發光層的主體之電洞移動度宜爲大者。於比較實施例8與實施例1時，紅色磷光發光層的磷光摻雜物濃度係不同，相對於實施例1的摻雜物濃度爲 1 %，實施例8的摻雜物濃度爲4%。結果，實施例8係不是白色而成爲略帶紅色調的發光色，發光效率亦降低。 -130- 200908777 茲認爲此係因爲實施例8中的紅色磷光摻雜物之濃度高，故電荷被磷光摻雜物所直接消耗，本來的再結合區域之螢光發光層中的再結合機率降低。因此，位於陽極側的磷光發光層（實施例8中的紅色磷光發光層）之摻雜物濃度係愈薄愈佳，例如較佳爲4% 或低於4%。 [實施例12] 對25mmx75mmxl.lmm之附有ITO透明電極的玻璃基板（Geomatec公司製），在異丙醇中施予5分鐘的超音波洗淨，再施予3 0分鐘的UV (紫外線）臭氧洗淨。將經如此洗淨的附透明電極之玻璃基板，安裝在真空蒸鍍裝置的基板托架上，首先在玻璃基板之形成有透明電極線的側之面上，以覆蓋透明電極的方式，蒸鍍厚度 50nm的A-9，得到電洞輸送層。A-9的電洞移動度在1(Γ4 〜l(T6V/cm 的電場中爲 5xlO'4cm2/Vs。於此電洞輸送層上，共蒸鍍厚度1 Onm的螢光用主體之CBP及螢光用摻雜物之BCzVBi，得到螢光發光層。 BCzVBi的濃度爲2質量％ ° 其次，於此螢光發光層上蒸鍍厚度6nm的CBP，得到電荷障壁層。CBP的電子移動度在1(Γ4〜l(T6V/cm的電場中爲 2 X 1 0_4cm2/Vs。於此電荷障壁層上，共蒸鍍厚度14 nm的綠色磷光用主體之A-6及綠色磷光用摻雜物之Ir( Ph-ppy ) 3，得到 200908777 綠色磷光發光層。Ir( Ph-ppy ) 3的濃度爲5質量°/〇。接著，共蒸鍍厚度6nm的紅色磷光用主體之A-6及紅色磷光用摻雜物之PQIr’得到紅色磷光發光層。pQIr的濃度爲1質量％。然後，依順序層合厚度40nm的BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲繞啉）、厚度lnm的LiF、厚度150nm 的金屬A1，得到陰極。再者，電子注入性電極的L i F係以 lA/min的速度來形成。 [實施例13] 除了於綠色磷光發光層與紅色磷光發光層之間，蒸鍍厚度5nm的A-6當作中間層，代替PQIr，以Ir(piq) 3 當作紅色磷光用摻雜物以外，與前述實施例1 2同樣地製作有機電致發光元件。 [實施例14] 除了代替A-6，以A-2當作螢光用主體，代替CBP，以A-3當作電荷障壁層，代替a-6，以A-3當作綠色磷光用主體及紅色磷光用主體以外，與前述實施例12同樣地製作有機電致發光元件。 [比較例3 ] 除了代替A-6，以CBP當作螢光用主體、綠色磷光用主體及紅色磷光用主體以外，與前述實施例1 2同樣地製 -132- 200908777 作有機電致發光元件。表7中顯示以上的前述實施例1 2〜1 4及比較例3之元件構成。 [表7] 電洞输送層螢光發光層電荷障壁層綠色磷光發光層中間層紅色磷光發光層實施例12 A-9 A-6 2%BCzV 巳 i CBP A—6 5%Ir(Ph —ppy)3 A-6 1%PQIr 實施例13 A-9 A—6 2% 巳 CzVBi CBP A-6 5%Ir(Ph-ppy)3 A-6 (6nm) A —6 1 %Ir(piq)3 實施例14 A-9 A-2 2%BCzV 巳 i A-3 A-3 5%Ir(Ph —ppy)3 A-3 1 %PQIr 比較例3 A-9 CBP 21½ 巳 CzVBi CBP CBP 5%Ir(Ph —ppy)3 CBP 1%PQIr [有機電致發光元件的評價] 以1 mA/cm2的直流電流使實施例1 2〜1 4及比較例3 的有機電致發光元件發光，測定發光色度、亮度（L)及電壓。以此爲基礎，求出電流效率（L/J )及發光效率η ( lm/W )。表8中顯示其結果。 [表8] 電壓色度（CIE表色系）電流效率L/J 發光效率η (V) X y (cd/A ) (lm/W) 實施例12 7.33 0.445 0.423 29.12 12.47 實施例13 7.48 0.382 0.391 28.54 11.98 實施例14 7.55 0.420 0.439 32.67 13.59 比較例3 7.35 0.448 0.472 26.28 11.23 如由表8可明知，相對於比較例3，實施例1 2〜14的 -133- 200908777 有機電致發光係顯示優異的發光效率及色純度。另一方面，於比較例 3中，EgFH = EgHB > IpHB = IpFH，而且設於電荷障壁層之位置的CBP 。因此，在綠色磷光發光層及紅色磷光發光層中子，綠色及紅色的發光強度增加，藍色強度降低無法得到良好的白色發光。【圖式簡單說明】第1圖係顯示本發明的第1實施形態之有機元件的構成之圖。第2圖係顯示本發明的第1實施形態之有機元件的帶狀圖。第3圖係顯示本發明的第1實施形態之有機元件的各層之三重態能隙的圖。第4圖係顯示本發明的第2實施形態之有機元件的構成之圖。第5圖係顯示本發明的第2實施形態之有機元件的帶狀圖。第6圖係顯示本發明的第2實施形態之有機元件的各層之三重態能隙的圖。【主要元件符號說明】 1 :有機電致發光元件 2 :透光性基板 E g p D - G，係雙極性亦生成激。因此，電致發光電致發光電致發光電致發光電致發光電致發光 -134- 200908777 3 :陽極 4 :電洞輸送層 5 1 :紅色磷光發光層 52:綠色磷光發光層 6 :電荷障壁層 7 :螢光發光層 8 :電子輸送層 9 :陰極

Claims

200908777 十、申請專利範圍 1 . 一種有機電致發光元件，係依順序具備注入電洞的陽極、磷光發光層、電荷障壁層、螢光發光層、及注入電子的陰極，該磷光發光層具有磷光用主體及顯示磷光發光的磷光用摻雜物，該螢光發光層具有螢光用主體及顯示螢光發光的螢光用摻雜物，該電荷障壁層阻擋該螢光發光層中所注入的該電子從該螢光發光層注入該電荷障壁層側，且使該電洞從該磷光發光層注入該螢光發光層，該磷光用摻雜物的三重態能隙EgPD、該電荷障壁層的三重態能隙EgEB及該螢光用主體的三重態能隙EgFH係滿足下式（1 )， EgPD< EgEB^ EgFH ( 1 ) 2 .如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件’其中該電荷障壁層具有比該螢光用主體還小的親和性水平該電荷障壁層的親和性水平AfEB與該螢光用主體的親和性水平AfFH係滿足下式（2 )， -136- 200908777 3 .如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中 :從該磷光發光層經由該電荷障壁層注入該螢光發光層的該電洞，係注入該螢光用主體的HOMO。 4.如申請專利範圍第3項之有機電致發光元件，其中 :該磷光用主體的電洞移動度在Ι.ΟχΙΟ4〜1.0xl06V/cm的電場中爲l.〇xl(T5cm2/Vs以上。 5 ·如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中於該陽極與該磷光發光層之間具有電洞輸送層，該電洞輸送層的離子化位能係大於該磷光用摻雜物的離子化位能。 6 ·如申請專利範圍第5項之有機電致發光元件，其中 :該磷光發光層的該磷光用主體之離子化位能IpPH、該磷光發光層的該磷光用摻雜物之離子化位能IpPD及該電洞輸送層之離子化位能IPht係滿足下式（3 )， (IpPH+ IppD) /2< ΙρΗΤ 7.如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中 -137- 200908777 該螢光發光層係藍色發光層，該磷光發光層具備紅色發光的紅色磷光發光層及綠色發光的綠色磷光發光層，該紅色磷光發光層係設置在比該綠色磷光發光層更靠近該陽極側。 8. —種有機電致發光元件，係依順序具備注入電洞的陽極、螢光發光層、電荷障壁層、磷光發光層、及注入電子的陰極，該磷光發光層具有磷光用主體及顯示磷光發光的磷光用摻雜物，該螢光發光層具有螢光用主體及顯示螢光發光的螢光用摻雜物，該電荷障壁層阻擋該螢光發光層中所注入的該電洞從該螢光發光層注入該電荷障壁層側，且使該電子從該磷光發光層注入該螢光發光層，該磷光用摻雜物的三重態能隙EgPD、該電荷障壁層的三重態能隙EgHB及該螢光用主體的三重態能隙EgFH係滿足下式（4 )， EgpD< EgHB^ EgFH (4) 9 .如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中 -138- 200908777 該電荷障壁層具有比該螢光用主體還小的離子化位能該電荷障壁層的離子化位能IpHB與該營光用主體的離子化位能I p F Η係滿足下式（5 )， IPhb> IpFH-〇.leV ( 5 ) 1 0 .如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中：從該磷光發光層經由該電荷障壁層注入該螢光發光層的該電子，係注入該螢光用主體的LUMO。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之有機電致發光元件，其中：該磷光用主體的電子移動度在ι.Οχίο4〜i.〇xi〇6v/cm 的電場中爲l.〇xl〇-5cm2/Vs以上。 1 2 .如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中：該螢光發光層係藍色發光層，該磷光發光層具備紅色發光的紅色磷光發光層及綠色發光的綠色磷光發光層，該紅色磷光發光層係設置在比該綠色磷光發光層更靠近該陰極側。 1 3 .如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件’其中： -139- 200908777 該螢光發光層係藍色發光層’ 該磷光發光層具有該磷光用主體、顯示紅色磷光發光的紅色磷光用摻雜物'及1顯示綠色磷光發光的綠色磷光用摻雜物。 • 1 4.如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其 ^ 中：該螢光發光層係藍色發光層，該磷光發光層具有該磷光用主體 '顯示紅色磷光發光的紅色磷光用摻雜物 '及顯示綠色磷光發光的綠色磷光用摻雜物。 1 5 .如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中：該磷光發光層具備紅色發光的紅色磷光發光層及綠色發光的綠色磷光發光層，該紅色磷光發光層具有紅色磷光用主體及顯示紅色磷光發光的紅色磷光用摻雜物，該綠色磷光發光層具有綠色磷光用主體及顯示綠色磷光發光的綠色磷光用摻雜物。 1 6.如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中：該磷光發光層具備紅色發光的紅色磷光發光層及綠色發光的綠色磷光發光層，該紅色磷光發光層具有紅色磷光用主體及顯示紅色磷光發光的紅色磷光用摻雜物， -140- 200908777 該綠色磷光發光層具有綠色磷光用主體及顯示綠色磷光發光的綠色磷光用摻雜物。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之有機電致發光元件，其中：該紅色磷光發光層的該紅色磷光用主體與該綠色磷光發光層的該綠色磷光用主體係相同材料。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之有機電致發光元件，其中：該紅色磷光發光層的該紅色磷光用主體與該綠色磷光發光層的該綠色磷光用主體係相同材料。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之有機電致發光元件，其中：在該紅色磷光發光層與該綠色磷光發光層之間具有不含該磷光發光材料的中間層。 2 0.如申請專利範圍第16項之有機電致發光元件，其中：在該紅色磷光發光層與該綠色磷光發光層之間具有不含該磷光發光材料的中間層。 2 1 .如申請專利範圍第1 7項之有機電致發光元件，其中：在該紅色磷光發光層與該綠色磷光發光層之間具有不含該磷光發光材料的中間層。 22 .如申請專利範圍第1 8項之有機電致發光元件，其中：在該紅色磷光發光層與該綠色磷光發光層之間具有不含該磷光發光材料的中間層。 23 · —種有機電致發光元件，係爲申請專利範圍第1 至22項中任一項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層的厚度爲3〜9nm。 24. —種有機電致發光元件，係爲申請專利範圍第1 -141 - 200908777 至 22項中任一項& 層的發光波長係短方光層顯示波長430〜長5 00〜650nm的發 :有機電致發光元件，其中該螢光發光 ^該磷光發光層的發光波長，該螢光發 500nm的發光，該磷光發光層顯示波光。 -142-