DE112013007607B3 - Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung - Google Patents

Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE112013007607B3
DE112013007607B3 DE112013007607.1T DE112013007607T DE112013007607B3 DE 112013007607 B3 DE112013007607 B3 DE 112013007607B3 DE 112013007607 T DE112013007607 T DE 112013007607T DE 112013007607 B3 DE112013007607 B3 DE 112013007607B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
organic compound
abbreviation
emitting
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE112013007607.1T
Other languages
English (en)
Inventor
c/o Semiconductor Energy Laborat Seo Hiromi
c/o Semiconductor Energy Laborat Shitagaki Satoko
c/o Semiconductor Energy Labora Seo Satoshi
Takahiro Ushikubo
c/o Semiconductor Energy Labora Sasaki Toshiki
c/o Semiconductor Energy Laborato Uesaka Shogo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE112013007607B3 publication Critical patent/DE112013007607B3/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H10K50/121—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants for assisting energy transfer, e.g. sensitization
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H10K2101/25—Delayed fluorescence emission using exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: eine erste Licht emittierende Schicht über einer Anode, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste phosphoreszierende Verbindung, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung umfasst; eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite phosphoreszierende Verbindung, die erste organische Verbindung und die zweite organische Verbindung umfasst; und eine Kathode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei ein Emissionsspektrum eines Exciplex aus der ersten organischen Verbindung und der zweiten organischen Verbindung mit einer Absorption, die einem direkten Übergang von einem Singulett-Grundzustand in einen Triplett-Anregungszustand entspricht, in einem Absorptionsspektrum sowohl der ersten phosphoreszierenden Verbindung als auch der zweiten phosphoreszierenden Verbindung überlappt, und wobei die erste Licht emittierende Schicht einen höheren Anteil der zweiten organischen Verbindung umfasst als die zweite Licht emittierende Schicht.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine Licht emittierende Vorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung, die jeweils ein Licht emittierendes Element, in dem eine organische Verbindung, die durch Anlegen eines elektrischen Feldes Licht emittieren kann, zwischen einem Paar von Elektroden angeordnet ist, beinhalten.
  • Stand der Technik
  • Man erwartet, dass Licht emittierende Elemente, die eine organische Verbindung als Leuchtkörper enthalten und Merkmale wie z. B. Dünnheit, Leichtigkeit, kurze Ansprechzeit und Gleichstrombetrieb bei niedriger Spannung aufweisen, auf Flachbildschirmanzeigen der nächsten Generation angewendet werden. Man geht davon aus, dass im Besonderen Anzeigevorrichtungen, in denen Licht emittierende Elemente in einer Matrix angeordnet sind, Vorteile gegenüber herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen aufweisen, wie z. B. einen großen Betrachtungswinkel und hohe Sichtbarkeit.
  • Es wird gesagt, dass ein Licht emittierendes Element den folgenden Lichtemissionsmechanismus aufweist: wenn eine Spannung zwischen einem Paar von Elektroden angelegt wird, wobei eine einen Leuchtkörper enthaltende EL-Schicht dazwischen liegt, werden Elektronen, die aus der Kathode injiziert werden, und Löcher, die aus der Anode injiziert werden, in dem Lichtemissionszentrum der EL-Schicht rekombiniert, um molekulare Exzitonen zu bilden, und Energie wird abgegeben und Licht wird emittiert, wenn die molekularen Exzitonen in den Grundzustand zurückfallen. Ein Singulett-Anregungszustand und ein Triplett-Anregungszustand sind als Anregungszustände bekannt, und es wird gedacht, dass Lichtemission durch jeden der Anregungszustände erhalten werden kann.
  • Um Elementeigenschaften solcher Licht emittierenden Elemente zu verbessern, werden Verbesserung einer Elementstruktur, Entwicklung eines Materials und dergleichen aktiv durchgeführt (siehe beispielsweise Patentdokument 1). Patentdokumente 2 und 3 offenbaren weitere Beispiele Licht emittierender Elemente.
  • [Referenz]
    • [Patentdokument 1] JP 2010-182699 A
    • [Patentdokument 2] US 2006/0134464 A1
    • [Patentdokument 3] US 2005/0064237 A1
  • Offenbarung der Erfindung
  • Jedoch wird es gesagt, dass die Lichtextraktionseffizienz eines Licht emittierenden Elements zurzeit zirka 20% bis 30% ist. Wenn auch Lichtabsorption von einer reflektierenden Elektrode und einer durchsichtigen Elektrode berücksichtigt wird, hat die externe Quantenausbeute eines Licht emittierenden Elements, das eine phosphoreszierende Verbindung enthält, einen Grenzwert von höchstens zirka 25%.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Licht emittierendes Element mit hoher externer Quantenausbeute bereitgestellt. Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Licht emittierendes Element mit einer langen Lebensdauer bereitgestellt.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: eine erste Licht emittierende Schicht über einer Anode, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste phosphoreszierende Verbindung, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung umfasst; eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite phosphoreszierende Verbindung, die erste organische Verbindung und die zweite organische Verbindung umfasst; und eine Kathode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei ein Emissionsspektrum eines Exciplex aus der ersten organischen Verbindung und der zweiten organischen Verbindung mit einer Absorption, die einem direkten Übergang von einem Singulett-Grundzustand in einen Triplett-Anregungszustand entspricht, in einem Absorptionsspektrum sowohl der ersten phosphoreszierenden Verbindung als auch der zweiten phosphoreszierenden Verbindung überlappt, und wobei die erste Licht emittierende Schicht einen höheren Anteil der zweiten organischen Verbindung umfasst als die zweite Licht emittierende Schicht.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: eine erste Licht emittierende Schicht über einer Anode, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste phosphoreszierende Verbindung, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung umfasst; eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite phosphoreszierende Verbindung, die erste organische Verbindung und die zweite organische Verbindung umfasst; eine Elektronentransportschicht, umfassend die zweite organische Verbindung, über der zweiten Licht emittierenden Schicht; und eine Kathode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei ein Emissionsspektrum eines Exciplex aus der ersten organischen Verbindung und der zweiten organischen Verbindung mit einer Absorption, die einem direkten Übergang von einem Singulett-Grundzustand in einen Triplett-Anregungszustand entspricht, in einem Absorptionsspektrum sowohl der ersten phosphoreszierenden Verbindung als auch der zweiten phosphoreszierenden Verbindung überlappt.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: ein Paar von Elektroden; und eine Licht emittierende Schicht zwischen dem Paar von Elektroden, wobei die Licht emittierende Schicht eine erste Licht emittierende Schicht und eine zweite Licht emittierende Schicht umfasst, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste phosphoreszierende Verbindung, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung umfasst, wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite phosphoreszierende Verbindung, die erste organische Verbindung und die zweite organische Verbindung umfasst, wobei ein Emissionsspektrum eines Exciplex aus der ersten organischen Verbindung und der zweiten organischen Verbindung mit einer Absorption, die einem direkten Übergang von einem Singulett-Grundzustand in einen Triplett-Anregungszustand entspricht, in einem Absorptionsspektrum der ersten phosphoreszierenden Verbindung überlappt, und wobei die erste Licht emittierende Schicht einen höheren Anteil der zweiten organischen Verbindung umfasst als die zweite Licht emittierende Schicht.
  • Es sei angemerkt, dass bei jeder der obigen Ausführungsformen die Emissionswellenlänge des Exciplex, der von der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) und der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) gebildet wird, an der längeren Wellenlängenseite liegt als die Emissionswellenlänge (Fluoreszenzwellenlänge) jeder der ersten und zweiten organischen Verbindungen (Wirts- und Hilfsmaterialien). Deshalb können durch das Bilden des Exciplex das Fluoreszenzspektrum der ersten organischen Verbindung (des Wirtsmaterials) und das Fluoreszenzspektrum der zweiten organischen Verbindung (des Hilfsmaterials) in ein Emissionsspektrum umgewandelt werden, das an der längeren Wellenlängenseite liegt.
  • Folglich kann die Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dank des Bildens des Exciplex in der Licht emittierenden Schicht Energie übertragen, indem es eine Überlappung zwischen dem Emissionsspektrum des Exciplex an der längeren Wellenlängenseite als die Emissionswellenlänge (Fluoreszenzwellenlänge) jeder der ersten und zweiten organischen Verbindungen und dem Absorptionsspektrum der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) ausnutzt; somit kann die Licht emittierende Vorrichtung hohe Energieübertragungseffizienz und hohe externe Quantenausbeute erzielen.
  • Es sei angemerkt, dass bei den vorstehenden Ausführungsformen die erste Licht emittierende Schicht und die zweite Licht emittierende Schicht in der Licht emittierenden Schicht die gleiche phosphoreszierende Verbindung oder unterschiedliche phosphoreszierende Verbindungen enthalten können. Es sei angemerkt, dass dann, wenn unterschiedliche phosphoreszierende Verbindungen enthalten sind, Licht, das von der ersten Licht emittierenden Schicht emittiert wird, eine kürzere Wellenlänge aufweist als Licht, das von der zweiten Licht emittierenden Schicht emittiert wird.
  • Es sei angemerkt, dass bei den vorstehenden Ausführungsformen der Exciplex aus einem Anion der ersten organischen Verbindung und einem Kation der zweiten organischen Verbindung gebildet werden kann.
  • Bei den vorstehenden Ausführungsformen kann die phosphoreszierende Verbindung ein metallorganischer Komplex sein, die erste organische Verbindung kann hauptsächlich ein Elektronentransportmaterial mit einer Elektronenbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr, insbesondere eine π-elektronenarme heteroaromatische Verbindung sein, und die zweite organische Verbindung kann hauptsächlich ein Lochtransportmaterial mit einer Löcherbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr, insbesondere eine π-elektronenreiche heteroaromatische Verbindung oder aromatische Aminverbindung sein.
  • Zudem umfasst die vorliegende Erfindung in ihrem Schutzbereich elektronische Geräte und Beleuchtungsvorrichtungen, die die vorstehend genannten Licht emittierenden Vorrichtungen beinhalten. Die Licht emittierende Vorrichtung in dieser Beschreibung bezeichnet eine Bildanzeigevorrichtung und eine Lichtquelle (z. B. eine Beleuchtungsvorrichtung). Zusätzlich umfasst die Licht emittierende Vorrichtung alle der folgenden Module: ein Modul, bei dem ein Verbinder, wie z. B. eine flexible gedruckte Schaltung (flexible printed circuit: FPC) oder ein Tape Carrier Package (TCP) an einer Licht emittierenden Vorrichtung angebracht ist; ein Modul, bei dem eine gedruckte Leiterplatte am Ende eines TCP bereitgestellt ist; und ein Modul, bei dem eine integrierte Schaltung (integrated circuit: IC) durch ein Chip-on-Glass-(COG-)Verfahren direkt an einem Licht emittierenden Element montiert ist.
  • Es sei angemerkt, dass die Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dank des Bildens des Exciplex in der Licht emittierenden Schicht Energie übertragen kann, indem es eine Überlappung zwischen dem Emissionsspektrum des Exciplex an der längeren Wellenlängenseite als die Emissionswellenlänge (Fluoreszenzwellenlänge) jeder der ersten und zweiten organischen Verbindungen und dem Absorptionsspektrum der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) ausnutzt; somit kann das Licht emittierende Element hohe Energieübertragungseffizienz und hohe externe Quantenausbeute erzielen.
  • Darüber hinaus hat die Licht emittierende Schicht bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine gestapelte Struktur aus der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht. Die erste Licht emittierende Schicht und die zweite Licht emittierende Schicht enthalten jeweils die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) mit einer Elektronentransporteigenschaft und die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) mit einer Lochtransporteigenschaft, und die erste Licht emittierende Schicht enthält einen höheren Anteil der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) als die zweite Licht emittierende Schicht. Folglich können Ladungsträger (Löcher und Elektronen) in der Licht emittierende Schicht gut ausgeglichen werden, und Exzitonen, die in der Licht emittierende Schicht gebildet werden, können an der Grenzfläche zwischen der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht verteilt werden. Infolgedessen kann es verhindert werden, dass die Licht emittierende Schicht infolge einer lokalen Erhöhung der Exzitonendichte verschlechtert wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1A und 1B zeigen ein Konzept einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 zeigt Berechnungsergebnisse nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3A1, 3A2, 3B1, 3B2, 3C1 und 3C2 zeigen Berechnungsergebnisse nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt Energieniveaus eines Exciplex, der auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet wird.
  • 5 zeigt eine Struktur eines Licht emittierenden Elements.
  • 6A und 6B zeigen jeweils eine Struktur eines Licht emittierenden Elements.
  • 7 zeigt eine Licht emittierende Vorrichtung.
  • 8A und 8B zeigen eine Licht emittierende Vorrichtung.
  • 9A bis 9D zeigen elektronische Geräte.
  • 10A bis 10C zeigen ein elektronisches Gerät.
  • 11 zeigt Beleuchtungsvorrichtungen.
  • 12 zeigt eine Struktur eines Licht emittierenden Elements 1.
  • 13 zeigt Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1.
  • 14 zeigt Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1.
  • 15 zeigt Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1.
  • 16 zeigt Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1.
  • 17 zeigt ein Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 1.
  • 18 zeigt Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements 1.
  • 19 zeigt Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften eines Licht emittierenden Elements 2.
  • 20 zeigt Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 2.
  • 21 zeigt Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 2.
  • 22 zeigt Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 2.
  • 23 zeigt ein Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 2.
  • 24 zeigt eine Struktur eines Licht emittierenden Elements 3.
  • 25 zeigt Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3.
  • 26 zeigt Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3.
  • 27 zeigt Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3.
  • 28 zeigt Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3.
  • 29 zeigt ein Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 3.
  • 30 zeigt Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften eines Licht emittierenden Elements 4.
  • 31 zeigt Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4.
  • 32 zeigt Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4.
  • 33 zeigt Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4.
  • 34 zeigt ein Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 4.
  • 35 zeigt Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements 4.
  • 36 zeigt Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften eines Licht emittierenden Elements 5.
  • 37 zeigt Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 5.
  • 38 zeigt Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 5.
  • 39 zeigt Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 5.
  • 40 zeigt ein Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 5.
  • 41 zeigt Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements 5.
  • 42 zeigt Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften eines Licht emittierenden Elements 6.
  • 43 zeigt Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 6.
  • 44 zeigt Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 6.
  • 45 zeigt Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 6.
  • 46 zeigt ein Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 6.
  • 47 zeigt Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements 6.
  • Beste Art zum Ausführen der Erfindung
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die folgende Beschreibung beschränkt ist und dass verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne vom Erfindungsgedanken und vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Daher sollte die vorliegende Erfindung nicht so ausgelegt werden, dass sie auf die Beschreibung bei den folgenden Ausführungsformen beschränkt ist.
  • (Grundlegender Prozess von Lichtemission bei einem Licht emittierenden Element)
  • Zuerst werden allgemeine grundlegende Prozesse von Lichtemission bei einem Licht emittierenden Element beschrieben, das eine phosphoreszierende Substanz als Gastmaterial verwendet. Es sei angemerkt, dass ein Molekül, das Anregungsenergie abgibt, als Wirtsmolekül bezeichnet wird, während ein Molekül, das die Anregungsenergie empfängt, als Gastmolekül bezeichnet wird.
    • (1) Der Fall, in dem sich ein Elektron und ein Loch in einem Gastmolekül rekombinieren und in dem das Gastmolekül angeregt wird (direkter Rekombinationsprozess).
    • (1-1) Wenn der Anregungszustand des Gastmoleküls ein Triplett-Anregungszustand ist, emittiert das Gastmolekül Phosphoreszenz.
    • (1-2) Wenn der Anregungszustand des Gastmoleküls ein Singulett-Anregungszustand ist, erfährt das Gastmolekül in dem Singulett-Anregungszustand ein Intersystem-Crossing in einen Triplett-Anregungszustand und emittiert Phosphoreszenz.
  • Mit anderen Worten kann bei dem direkten Rekombinations-Prozess in (1), solange die Effizienz des Intersystem-Crossing und die Phosphoreszenz-Quantenausbeute des Gastmoleküls hoch sind, hohe Emissionseffizienz erzielt werden. Es sei angemerkt, dass das T1-Niveau des Wirtsmoleküls vorzugsweise höher ist als das T1-Niveau des Gastmoleküls.
    • (2) Der Fall, in dem sich ein Elektron und ein Loch in einem Wirtsmolekül rekombinieren und in dem das Wirtsmolekül in einen Anregungszustand versetzt wird (Energieübertragungsprozess).
    • (2-1) Wenn der Anregungszustand des Wirtsmoleküls ein Triplett-Anregungszustand ist und das T1-Niveau des Wirtsmoleküls höher ist als das T1-Niveau des Gastmoleküls, wird die Anregungsenergie von dem Wirtsmolekül auf das Gastmolekül übertragen und daher wird das Gastmolekül in einen Triplett-Anregungszustand überführt. Das Gastmolekül in dem Triplett-Anregungszustand emittiert Phosphoreszenz. Es sei angemerkt, dass Energieübertragung von dem T1-Niveau des Wirtsmoleküls auf ein Singulett-Anregungsenergie-Niveau (S1-Niveau) des Gastmoleküls verboten ist, außer wenn das Wirtsmolekül Phosphoreszenz emittiert, und dass es unwahrscheinlich ist, dass sie ein hauptsächlicher Energieübertragungsprozess ist. Deshalb wird hier eine Beschreibung davon weggelassen. Mit anderen Worten: Energieübertragung von dem Wirtsmolekül in dem Triplett-Anregungszustand (3H*) auf das Gastmolekül in dem Triplett-Anregungszustand (3G*) ist wichtig, wie durch eine nachstehende Formel (2-1) dargestellt ist (wobei 1G den Singulett-Grundzustand des Gastmoleküls darstellt, und 1H den Singulett-Grundzustand des Wirtsmoleküls darstellt). 3H* + 1G → 1H + 3G* (2-1)
    • (2-2) Wenn der Anregungszustand des Wirtsmoleküls ein Singulett-Anregungszustand ist und das S1-Niveau des Wirtsmoleküls höher ist als das S1-Niveau und das T1-Niveau des Gastmoleküls, wird die Anregungsenergie von dem Wirtsmolekül auf das Gastmolekül übertragen und daher wird das Gastmolekül in einen Singulett-Anregungszustand oder einen Triplett-Anregungszustand überführt. Das Gastmolekül in dem Triplett-Anregungszustand emittiert Phosphoreszenz. Zusätzlich erfährt das Gastmolekül in dem Singulett-Anregungszustand ein Intersystem-Crossing in einen Triplett-Anregungszustand und emittiert Phosphoreszenz.
  • Mit anderen Worten kann es einen Prozess geben, in dem Energie von dem Wirtsmolekül in dem Singulett-Anregungszustand (1H*) auf das Gastmolekül in dem Singulett-Anregungszustand (1G*) übertragen wird und dann das Gastmolekül in den Triplett-Anregungszustand (3G*) durch Intersystem-Crossing versetzt wird, wie durch eine nachstehende Formel (2-2A) dargestellt wird, und einen Prozess geben, in dem Energie von dem Wirtsmolekül in dem Singulett-Anregungszustand (1H*) auf das Gastmolekül in dem Triplett-Anregungszustand (3G*) direkt übertragen wird, wie durch eine nachstehende Formel (2-2B) dargestellt wird. 1H* + 1G → 1H + 1G* → (Intersystem-Crossing) → 1H + 3G* (2-2A) 1H* + 1G → 1H + 3G* (2-2B)
  • Wenn alle der oben beschriebenen Energieübertragungsprozesse in (2) effizient stattfinden, werden sowohl die Triplett-Anregungsenergie als auch die Singulett-Anregungsenergie des Wirtsmoleküls effizient in den Triplett-Anregungszustand (3G*) des Gastmoleküls umgewandelt. Daher ist eine hocheffiziente Lichtemission möglich. Im Gegensatz dazu nimmt die Emissionseffizienz ab, wenn durch Emission der Anregungsenergie als Licht oder Wärme das Wirtsmolekül selbst deaktiviert wird, bevor die Anregungsenergie des Wirtsmoleküls auf das Gastmolekül übertragen wird.
  • Als Nächstes werden Faktoren beschrieben, welche die oben beschriebenen Prozesse von intermolekularer Energieübertragung zwischen dem Wirtsmolekül und dem Gastmolekül steuern. Als Mechanismen der intermolekularen Energieübertragung werden die folgenden zwei Mechanismen angegeben.
  • Ein Mechanismus ist der Förster-Mechanismus (Dipol-Dipol-Wechselwirkung), in dem Energieübertragung direkten Kontakt zwischen Molekülen nicht erfordert und Energie durch ein Resonanzphänomen von Dipolschwingung zwischen einem Wirtsmolekül und einem Gastmolekül übertragen wird. Durch das Resonanzphänomen der Dipolschwingung stellt das Wirtsmolekül dem Gastmolekül Energie zur Verfügung und daher wird das Wirtsmolekül in einen Grundzustand versetzt und das Gastmolekül wird in einen Anregungszustand versetzt. Es sei angemerkt, dass die Ratenkonstante kh*→g des Förster-Mechanismus durch eine Formel (1) dargestellt wird. [Formel 1]
    Figure DE112013007607B3_0002
  • In der Formel (1) bezeichnet v eine Frequenz, f'h(v) bezeichnet ein normalisiertes Emissionsspektrum eines Wirtsmoleküls (ein Fluoreszenzspektrum bei der Energieübertragung von einem Singulett-Anregungszustand und ein Phosphoreszenzspektrum bei der Energieübertragung von einem Triplett-Anregungszustand), εg(v) bezeichnet einen molaren Absorptionskoeffizienten eines Gastmoleküls, N bezeichnet die Avogadro'sche Zahl, n bezeichnet einen Brechungsindex eines Mediums, R bezeichnet einen intermolekularen Abstand zwischen dem Wirtsmolekül und dem Gastmolekül, τ bezeichnet eine gemessene Lebensdauer eines Anregungszustandes (Fluoreszenzlebensdauer oder Phosphoreszenzlebensdauer), c bezeichnet die Lichtgeschwindigkeit, ϕ bezeichnet eine Lumineszenzquantenausbeute (eine Fluoreszenzquantenausbeute bei der Energieübertragung von einem Singulett-Anregungszustand und eine Phosphoreszenzquantenausbeute bei der Energieübertragung von einem Triplett-Anregungszustand) und K2 bezeichnet einen Koeffizienten (0 bis 4) der Orientierung eines Übergangsdipolmoments zwischen dem Wirtsmolekül und dem Gastmolekül. Es sei angemerkt, dass im Fall von zufälliger Orientierung K2 = 2/3 erfüllt ist.
  • Der andere ist der Dexter-Mechanismus (Austauschwechselwirkung der Elektronen), in dem ein Wirtsmolekül und ein Gastmolekül nahe einem Kontakt-bewirkenden Bereich stehen, wo ihre Orbitale einander überlappen, und das Wirtsmolekül in einem Anregungszustand und das Gastmolekül in einem Grundzustand ihre Elektronen austauschen, was zur Energieübertragung führt. Es sei angemerkt, dass die Ratenkonstante kh*→g des Dexter-Mechanismus durch eine Formel (2) dargestellt wird. [Formel 2]
    Figure DE112013007607B3_0003
  • In der Formel (2), bezeichnet h eine Planck'sche Konstante, K' bezeichnet eine Konstante mit einer Energiedimension, v bezeichnet eine Frequenz, f'h(v) bezeichnet ein normalisiertes Emissionsspektrum eines Wirtsmoleküls (ein Fluoreszenzspektrum bei der Energieübertragung von einem Singulett-Anregungszustand und ein Phosphoreszenzspektrum bei der Energieübertragung von einem Triplett-Anregungszustand), ε'g(v) bezeichnet ein normalisiertes Absorptionsspektrum eines Gastmoleküls, L bezeichnet einen wirksamen Molekularradius, und R bezeichnet einen intermolekularen Abstand zwischen dem Wirtsmolekül und dem Gastmolekül.
  • Hierbei soll die Effizienz der Energieübertragung von dem Wirtsmolekül auf das Gastmolekül (Energieübertragungseffizienz ΦET) durch eine Formel (3) ausgedrückt werden. In der Formel bezeichnet kr eine Ratenkonstante eines Lichtemissionsprozesses (Fluoreszenz bei der Energieübertragung von einem Singulett-Anregungszustand und Phosphoreszenz bei der Energieübertragung von einem Triplett-Anregungszustand) eines Wirtsmoleküls, kn bezeichnet eine Ratenkonstante eines Nicht-Lichtemissionsprozesses (thermische Deaktivierung oder Intersystem-Crossing) eines Wirtsmoleküls, und τ bezeichnet eine gemessene Lebensdauer eines Anregungszustandes eines Wirtsmoleküls. [Formel 3]
    Figure DE112013007607B3_0004
  • Laut der Formel (3) findet man, dass die Energieübertragungseffizienz ΦET durch eine Erhöhung der Ratenkonstante kh*→g für Energieübertragung erhöht werden kann, so dass eine andere konkurrierende Ratenkonstante kr + kn (= 1/τ) relativ klein wird.
  • (Energieübertragungseffizienz in (2-1))
  • Hierbei wird zuerst der Energieübertragungsprozess in (2-1) betrachtet. Da der Förster-Mechanismus (Formel (1)) in diesem Fall verboten ist, soll nur der Dexter-Mechanismus (Formel (2)) betrachtet werden. Um die Ratenkonstante kh*→g zu erhöhen, ist es laut der Formel (2) bevorzugt, dass ein Emissionsspektrum eines Wirtsmoleküls (ein Phosphoreszenzspektrum hier, weil es sich um Energieübertragung von einem Triplett-Anregungszustand handelt) zum großen Teil ein Absorptionsspektrum eines Gastmoleküls (Absorption, die direktem Übergang von einem Singulett-Grundzustand zu einem Triplett-Anregungszustand entspricht) überlappt.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine phosphoreszierende Verbindung als Gastmaterial verwendet. In einem Absorptionsspektrum der phosphoreszierenden Verbindung wird in einigen Fällen Absorption, die direktem Übergang von einem Singulett-Grundzustand zu einem Triplett-Anregungszustand entspricht, beobachtet, welche ein Absorptionsband an der längsten Wellenlängenseite ist. Im Besonderen haben Licht emittierende Iridiumkomplexe ein breites Absorptionsband bei ungefähr 500 nm bis 600 nm als Absorptionsband an der längsten Wellenlängenseite (in der Tat kann das breite Absorptionsband an einer kürzeren oder längeren Wellenlängenseite in Abhängigkeit von Emissionswellenlängen liegen). Dieses Absorptionsband basiert hauptsächlich auf einem Triplett-MLCT-(Metall-Ligand-Charge-Transfer-)Übergang. Es sei angemerkt, dass man annimmt, dass das Absorptionsband auch Absorptionen basierend auf einem Triplett π-π*-Übergang und einem Singulett MLCT-Übergang umfasst und dass diese Absorptionen einander überlappen, um ein breites Absorptionsband auf der längsten Wellenlängeseite in dem Absorptionsspektrum zu bilden. Mit anderen Worten: der Unterschied zwischen dem niedrigsten Singulett-Anregungszustand und dem niedrigsten Triplett-Anregungszustand ist klein und Absorptionen basierend auf diesen Zuständen überlappen einander, um ein breites Absorptionsband auf der längsten Wellenlängeseite in dem Absorptionsspektrum zu bilden. Wenn ein metallorganischer Komplex (besonders Iridiumkomplex) als Gastmaterial verwendet wird, überlappt deswegen das breite Absorptionsband an der längsten Wellenlängenseite zum großen Teil das Phosphoreszenzspektrum des Wirtsmaterials wie oben beschrieben. Dadurch kann die Ratenkonstante kh*→g erhöht werden, und die Energieübertragungseffizienz kann erhöht werden.
  • Außerdem wird im Allgemeinen eine fluoreszierende Verbindung als Wirtsmaterial verwendet. Daher ist eine Phosphoreszenzlebensdauer (τ) eine Millisekunde oder länger, welche äußerst lang ist (d. h. kr + kn ist niedrig). Das liegt daran, dass der Übergang von dem Triplett-Anregungszustand zu dem Grundzustand (Singulett) ein verbotener Übergang ist. Die Formel (3) zeigt, dass dies für die Energieübertragungseffizienz ΦET vorteilhaft ist.
  • Die vorstehende Beschreibung deutet auch darauf hin, dass Energieübertragung von dem Wirtsmaterial in dem Triplett-Anregungszustand auf das Gastmaterial in dem Triplett-Anregungszustand, d. h. der Prozess in einer Formel (2-1), allgemein zu entstehen verspricht, solange das Phosphoreszenzspektrum des Wirtsmaterials das Absorptionsspektrum überlappt, das dem direkten Übergang des Gastmaterials von dem Singulett-Grundzustand zu dem Triplett-Anregungszustand entspricht.
  • (Energieübertragungseffizienz in (2-2))
  • Als Nächstes wird der Energieübertragungsprozess in (2-2) betrachtet. Der Prozess in der Formel (2-2A) wird von der Effizienz von Intersystem-Crossing des Gastmaterials beeinflusst. Um die Emissionseffizienz zu maximieren, wird deshalb der Prozess in der Formel (2-2B) als wichtig angesehen. Da der Dexter-Mechanismus (Formel (2)) in diesem Fall verboten ist, soll nur der Förster-Mechanismus (Formel (1)) betrachtet werden.
  • Wenn τ aus der Formel (1) und der Formel (3) eliminiert wird, kann man sagen, dass die Energieübertragungseffizienz ΦET höher ist, wenn die Quantenausbeute ϕ (eine Fluoreszenzquantenausbeute hier, weil es sich um Energieübertragung von einem Singulett-Anregungszustand handelt) höher ist. In Wirklichkeit ist jedoch ein wichtigerer Faktor wie folgt: das Emissionsspektrum des Wirtsmoleküls (ein Fluoreszenzspektrum hier, weil es sich um Energieübertragung von einem Singulett-Anregungszustand handelt) überlappt zum großen Teil das Absorptionsspektrum des Gastmoleküls (Absorption, die dem direkten Übergang von dem Singulett-Grundzustand zu dem Triplett-Anregungszustand entspricht) (es sei angemerkt, dass auch der molare Absorptionskoeffizient des Gastmoleküls vorzugsweise hoch ist). Dies bedeutet, dass das Fluoreszenzspektrum des Wirtsmaterials das an der längsten Wellenlängenseite liegende Absorptionsband der phosphoreszierenden Verbindung überlappt, die als Gastmaterial verwendet wird.
  • Jedoch ist dies üblicherweise sehr schwer zu erzielen. Der Grund dafür ist wie folgt: um beide der oben beschriebenen Prozesse (2-1) und (2-2) effizient zu ermöglichen, ist es klar nach der vorstehenden Diskussion, dass das Wirtsmaterial derart konstruiert werden muss, dass nicht nur sein Phosphoreszenzspektrum, sondern auch sein Fluoreszenzspektrum das an der längsten Wellenlängenseite liegende Absorptionsband des Gastmaterials überlappt. Mit anderen Worten: das Wirtsmaterial muss derart konstruiert werden, dass sein Fluoreszenzspektrum in einer Position liegt, die der des Phosphoreszenzspektrums nahe ist.
  • Das S1-Niveau unterscheidet sich jedoch im Allgemeinen deutlich von dem T1-Niveau (S1-Niveau > T1-Niveau); daher unterscheidet sich auch die Fluoreszenzemissionswellenlänge deutlich von der Phosphoreszenzemissionswellenlänge (Fluoreszenzemissionswellenlänge < Phosphoreszenzemissionswellenlänge). Zum Beispiel weist 4,4'-Di(N-carbazolyl)biphenyl (Abkürzung: CBP), welches herkömmlich als Wirtsmaterial in einem Licht emittierenden Element, das eine phosphoreszierende Verbindung enthält, verwendet wird, ein Phosphoreszenzspektrum bei zirka 500 nm auf und ein Fluoreszenzspektrum bei zirka 400 nm auf, welche sich um ungefähr 100 nm deutlich voneinander unterscheiden. Dieses Beispiel zeigt auch, dass es extrem schwierig ist, ein Wirtsmaterial auszubilden, dessen Fluoreszenzspektrum sich in einer ähnlichen Position wie das Phosphoreszenzspektrum befindet. Deswegen ist es sehr wichtig, die Effizienz bei Energieübertragung von dem Wirtsmaterial im Singulett-Anregungszustand auf das Gastmaterial zu verbessern.
  • Folglich bietet eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine nützliche Technik an, die ein solches Problem der Effizienz der Energieübertragung von dem Wirtsmaterial in dem Singulett-Anregungszustand auf das Gastmaterial überwinden kann. Konkrete Ausführungsformen davon werden nachstehend beschrieben.
  • (Ausführungsform 1)
  • Bei dieser Ausführungsform werden ein Strukturkonzept eines Licht emittierenden Elements, welches in einer Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, und eine konkrete Struktur des Licht emittierenden Elements beschrieben. Es sei angemerkt, dass das Licht emittierende Element bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung derart ausgebildet wird, dass eine EL-Schicht, die eine Licht emittierende Schicht beinhaltet, zwischen einem Paar von Elektroden bereitgestellt ist und die Licht emittierende Schicht ein Gastmaterial, das eine phosphoreszierende Verbindung ist, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung enthält.
  • Zuerst wird eine Elementstruktur eines Licht emittierenden Elements, das ein Beispiel für die vorliegende Erfindung ist, anhand von 1A beschrieben.
  • Bei der Elementstruktur, die in 1A gezeigt ist, ist eine EL-Schicht 103, die eine Licht emittierende Schicht 106 beinhaltet, zwischen einem Paar von Elektroden (einer Anode 101 und einer Kathode 102) bereitgestellt, und die EL-Schicht 103 hat eine Struktur, bei der eine Lochinjektionsschicht 104, eine Lochtransportschicht 105, die Licht emittierende Schicht 106 (106a und 106b), eine Elektronentransportschicht 107, eine Elektroneninjektionsschicht 108 und dergleichen über der Anode 101 sequentiell gestapelt sind.
  • Die Licht emittierende Schicht 106 bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält eine phosphoreszierende Verbindung 109 als Gastmaterial, eine erste organische Verbindung 110 und eine zweite organische Verbindung 111, wie in 1A gezeigt. Ein Elektronentransportmaterial mit einer Elektronenbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr wird hauptsächlich als die erste organische Verbindung 110 verwendet, und ein Lochtransportmaterial mit einer Löcherbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr wird hauptsächlich als die zweite organische Verbindung 111 verwendet. In dieser Beschreibung wird die erste organische Verbindung 110 als Wirtsmaterial bezeichnet, und die zweite organische Verbindung 111 wird als Hilfsmaterial bezeichnet.
  • Es sei angemerkt, dass bei der obigen Struktur bevorzugt ist, dass das Niveau einer Triplett-Anregungsenergie (T1-Niveau) jeder der ersten und zweiten organischen Verbindungen (Wirts- und Hilfsmaterialien) 110 und 111 höher ist als das T1-Niveau der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) 109. Das liegt daran, dass dann, wenn das T1-Niveau der ersten organischen Verbindung 110 (oder der zweiten organischen Verbindung 111) niedriger ist als das T1-Niveau der phosphoreszierenden Verbindung 109, die Triplett-Anregungsenergie der phosphoreszierenden Verbindung 109, welche zur Lichtemission beiträgt, durch die erste organische Verbindung 110 (oder die zweite organische Verbindung 111) gelöscht wird, was zur Verringerung der Emissionseffizienz führt.
  • Ein Merkmal der Licht emittierende Schicht 106 bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, dass Licht emittierende Schichten, die die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) 111 mit unterschiedlichen Anteilen enthalten, in der Licht emittierenden Schicht 106 gestapelt sind. Insbesondere hat, wie in 1A gezeigt, die Licht emittierende Schicht 106 eine gestapelte Struktur aus einer ersten Licht emittierenden Schicht 106a und einer zweiten Licht emittierenden Schicht 106b, und der Anteil der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111 in der ersten Licht emittierenden Schicht 106a ist höher als der Anteil der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111 in der zweiten Licht emittierenden Schicht 106b.
  • Außerdem kann in jeder der ersten Licht emittierenden Schicht 106a und der zweiten Licht emittierenden Schicht 106b in der Licht emittierenden Schicht 106 entweder die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) 110 oder die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) 111 mit einem höheren Anteil enthalten sein. Die vorliegende Erfindung umfasst beide Fälle in ihrem Schutzbereich.
  • Es sei angemerkt, dass dann, wenn bei der vorstehenden Struktur der Anteil der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111, die ein Lochtransportmaterial ist, in der ersten Licht emittierenden Schicht 106a niedrig ist, ein Licht emittierender Bereich lokal an der Anodenseite (an der Seite der Lochtransportschicht 105) in der ersten Licht emittierenden Schicht 106a ausgebildet wird. Im Gegensatz dazu neigen Ladungsträger (sowohl Löcher als auch Elektronen) dazu, die Licht emittierende Schicht 106 zu passieren, wenn der Anteil der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111 in jeder der ersten Licht emittierenden Schicht 106a und der zweiten Licht emittierenden Schicht 106b zu hoch ist, was zur Verringerung der Rekombinationseffizienz führt. Jedoch wird dann, wenn die anhand von 1A beschriebene Struktur bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, die Lochtransporteigenschaft der ersten Licht emittierenden Schicht 106a in Bezug auf die Lochtransporteigenschaft der zweiten Licht emittierenden Schicht 106 relativ erhöht, und die Elektronentransporteigenschaft wird dagegen verringert. Infolgedessen können Exzitonen ohne lokale Ausbildung hauptsächlich an oder in der Nähe der Grenzfläche zwischen der ersten Licht emittierenden Schicht 106a und der zweiten Licht emittierenden Schicht 106b innerhalb der Licht emittierenden Schicht 106 verteilt werden. Folglich kann es verhindert werden, dass Exzitonen lokal innerhalb der Licht emittierenden Schicht 106 gebildet werden und dass die Licht emittierenden Schicht 106 infolge einer Erhöhung der Exzitonendichte verschlechtert wird. Zudem kann hohe Emissionseffizienz beibehalten werden, da es verhindert werden kann, dass Ladungsträger die Licht emittierende Schicht 106 passieren.
  • Hierbei ist ein Merkmal wie folgt: eine Kombination aus der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) 110 und der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111 in jeder der ersten und zweiten Licht emittierenden Schichten 106a und 106b bildet einen Exciplex (auch als angeregter Komplex bezeichnet). Des Weiteren liegt die Emissionswellenlänge des Exciplex an der längeren Wellenlängenseite als die Emissionswellenlänge (Fluoreszenzwellenlänge) jeder der ersten und zweiten organischen Verbindungen (Wirts- und Hilfsmaterialien) 110 und 111. Deshalb können das Fluoreszenzspektrum der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) 110 und das Fluoreszenzspektrum der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111 in ein Emissionsspektrum umgewandelt werden, das an der längeren Wellenlängenseite liegt.
  • Dies bedeutet, dass, wie in 1B gezeigt, auch wenn das Fluoreszenzspektrum der ersten organischen Verbindung 110 (oder der zweiten organischen Verbindung 111) auf der kürzeren Wellenlängenseite liegt als das Absorptionsband der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) 109, das an der längsten Wellenlängenseite liegt, und keine Überlappung mit dem Absorptionsband der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) 109 aufweist, das an der längsten Wellenlängenseite liegt, das Emissionsspektrum des Exciplex und das Absorptionsband eine große Überlappung aufweisen können. Folglich kann die Energieübertragungseffizienz in der vorstehenden Formel (2-2B) erhöht werden.
  • Außerdem wird in Betracht gezogen, dass der Exciplex einen sehr kleinen Unterschied zwischen Singulett-Anregungsenergie und Triplett-Anregungsenergie aufweist. Mit anderen Worten liegen das Emissionsspektrum des Exciplex von dem Singulett-Zustand und dessen Emissionsspektrum von dem Triplett-Zustand sehr nahe beieinander. Demzufolge überlappt in dem Fall, in dem ein Design eingesetzt wird, bei welchem wie oben beschrieben das Emissionsspektrum des Exciplex (im Allgemeinen das Emissionsspektrum des Exciplex von dem Singulett-Zustand) das Absorptionsband der phosphoreszierenden Verbindung an der längsten Wellenlängenseite überlappt, das Emissionsspektrum des Exciplex von dem Triplett-Zustand (welches bei Raumtemperatur nicht beobachtet wird und in vielen Fällen auch bei niedriger Temperatur nicht beobachtet wird) auch das Absorptionsband der phosphoreszierenden Verbindung, welches an der längsten Wellenlängenseite liegt. Mit anderen Worten: nicht nur die Effizienz der Energieübertragung von dem Singulett-Anregungszustand ((2-2)), sondern auch die Effizienz der Energieübertragung von dem Triplett-Anregungszustand ((2-1)) kann erhöht werden, und als Ergebnis kann Energie von sowohl den Singulett- als auch den Triplett-Anregungszuständen effizient in Lichtemission umgewandelt werden.
  • Daher wurden Molekülorbitalberechnungen wie folgt durchgeführt, um festzustellen, ob ein Exciplex tatsächlich solche Eigenschaften aufweist oder nicht. Im Allgemeinen bildet eine Kombination aus einer heteroaromatischen Verbindung und einem aromatischen Amin oft einen Exciplex unter dem Einfluss des tiefsten unbesetzten Molekülorbital-(LUMO-)Niveaus der heteroaromatischen Verbindung, welches tiefer ist als das LUMO-Niveau des aromatischen Amins (die Eigenschaft, leicht Elektronen aufzunehmen), und des höchsten besetzten Molekülorbital-(HOMO-)Niveaus des aromatischen Amins, welches weniger tief ist als das HOMO-Niveau der heteroaromatischen Verbindung (die Eigenschaft, leicht Löcher aufzunehmen). Deshalb wurden Berechnungen durchgeführt unter Verwendung einer Kombination aus Dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: DBq), welches ein typisches Gerüst ist, welches das LUMO-Niveau einer heteroaromatischen Verbindung bildet und ein Modell der ersten organischen Verbindung 110 bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, und Triphenylamin (Abkürzung: TPA), das ein typisches Gerüst ist, welches das HOMO-Niveau eines aromatischen Amins bildet und ein Modell der zweiten organischen Verbindung 111 bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.
  • Zuerst wurden die optimalen Molekülstrukturen und die Anregungsenergien eines Moleküls von DBq (Abkürzung) und eines Moleküls von TPA (Abkürzung) in dem niedrigsten Singulett-Anregungszustand (S1) und dem niedrigsten Triplett-Anregungszustand (T1) unter Verwendung der zeitabhängigen Dichtefunktionaltheorie (time-dependent density functional theory; TD-DFT) berechnet. Ferner wurde auch die Anregungsenergie eines Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) berechnet.
  • In der DFT (Dichtefunktionaltheorie) wird die Gesamtenergie als die Summe von potentieller Energie, elektrostatischer Energie zwischen Elektronen, elektronischer kinetischer Energie und Austausch-Korrelationsenergie (exchange-correlation energy) einschließlich aller komplizierten Wechselwirkungen zwischen Elektronen dargestellt. Des Weiteren wird bei der DFT, eine Austauschkorrelationswechselwirkung durch ein Funktional (eine Funktion einer anderen Funktion) eines Elektronenpotentials angenähert, das in Bezug auf die Elektronendichte dargestellt wird, um Hochgeschwindigkeits-, Hochgenaue-Berechnungen zu ermöglichen. Hier wurde B3LYP, welches ein Hybridfunktional ist, verwendet, um die Wichtigkeit jedes Parameters in Bezug auf eine Austauschkorrelationsenergie zu spezifizieren.
  • Zusätzlich wurde als Grundfunktion 6-311 (eine Grundfunktion eines Triple-Split Valence Basis Set unter Verwendung von drei Kontraktionsfunktionen für jedes Valenzorbital) auf alle Atome angewendet.
  • Durch die obige Grundfunktion werden zum Beispiel 1s bis 3s Orbitale im Fall von Wasserstoffatomen betrachtet, während 1s bis 4s und 2p bis 4p Orbitale im Fall von Kohlenstoffatomen betrachtet werden. Um die Genauigkeit der Berechnung noch zu verbessern, wurden ferner die p Funktion und die d Funktion als Polarisationsbasissätze zu den Wasserstoffatomen bzw. den anderen Atomen als Wasserstoffatomen hinzugefügt.
  • Es sei angemerkt, dass Gaussian 09 als Quantenchemisches Computerprogramm verwendet wurde. Ein Hochleistungscomputer (Altix 4700, hergestellt von SGI Japan, Ltd.) wurde für die Berechnungen verwendet.
  • Zuerst wurden die HOMO-Niveaus und die LUMO-Niveaus eines Moleküls von DBq (Abkürzung), eines Moleküls von TPA (Abkürzung) und eines Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) berechnet. 2 zeigt die HOMO-Niveaus und die LUMO-Niveaus, und 3A1, 3A2, 3B1, 3B2, 3C1 und 3C2 zeigen HOMO- und LUMO-Verteilungen.
  • 3A1 zeigt die LUMO-Verteilung eines Moleküls von DBq (Abkürzung); 3A2, die HOMO-Verteilung eines Moleküls von DBq (Abkürzung); 3B1, die LUMO-Verteilung eines Moleküls von TPA (Abkürzung); 3B2, die HOMO-Verteilung eines Moleküls von TPA (Abkürzung); 3C1, die LUMO-Verteilung des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung); und 3C2, die HOMO-Verteilung des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung).
  • Wie in 2 gezeigt, wird es nahegelegt, dass das Dimer von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) einen Exciplex von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) bildet unter Einfluss des LUMO-Niveaus (–1,99 eV) von DBq (Abkürzung), das tiefer (niedriger) ist als das LUMO-Niveau von TPA (Abkürzung), und des HOMO-Niveaus (–5,21 eV) von TPA (Abkürzung), das weniger tief (höher) ist als das HOMO-Niveau von DBq (Abkürzung). Es ist tatsächlich aus 3C1 und 3C2 klar, dass das LUMO des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) an der DBq(Abkürzung)-Seite verteilt ist, und sein HOMO-Niveau an der TPA-(Abkürzung)Seite verteilt ist.
  • Als Nächstes werden Anregungsenergien gezeigt, die aus den optimalen Molekülstrukturen eines Moleküls von DBq (Abkürzung) auf S1- und T1-Niveaus erhalten werden. Hierbei entsprechen die Anregungsenergien auf den S1- und T1-Niveaus Fluoreszenz- bzw. Phosphoreszenzwellenlängen, die aus einem Molekül von DBq (Abkürzung) erhalten werden. Die Anregungsenergie auf dem S1-Niveau eines Moleküls von DBq (Abkürzung) ist 3,294 eV, und die Fluoreszenzwellenlänge ist 376,4 nm. Die Anregungsenergie auf dem T1-Niveau eines Moleküls von DBq (Abkürzung) ist 2,460 eV, und die Phosphoreszenzwellenlänge ist 504,1 nm.
  • Zusätzlich werden Anregungsenergien gezeigt, die aus den optimalen Molekülstrukturen eines Moleküls von TPA (Abkürzung) auf S1- und T1-Niveaus erhalten werden. Hierbei entsprechen die Anregungsenergien auf den S1- und T1-Niveaus Fluoreszenz- bzw. Phosphoreszenzwellenlängen, die aus einem Molekül von TPA (Abkürzung) erhalten werden. Die Anregungsenergie auf dem S1-Niveau eines Moleküls von TPA (Abkürzung) ist 3,508 eV, und die Fluoreszenzwellenlänge ist 353,4 nm. Die Anregungsenergie auf dem T1-Niveau eines Moleküls von TPA (Abkürzung) ist 2,610 eV, und die Phosphoreszenzwellenlänge ist 474,7 nm.
  • Zudem werden Anregungsenergien gezeigt, die aus den optimalen Molekülstrukturen des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) auf S1- und T1-Niveaus erhalten werden. Die Anregungsenergien auf den S1- und T1-Niveaus entsprechen Fluoreszenz- bzw. Phosphoreszenzwellenlängen, die aus dem Dimer von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) erhalten werden. Die Anregungsenergie auf dem S1-Niveau des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) ist 2,036 eV, und die Fluoreszenzwellenlänge ist 609,1 nm. Die Anregungsenergie auf dem T1-Niveau des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) ist 2,030 eV, und die Phosphoreszenzwellenlänge ist 610,0 nm.
  • Aus der obigen Beschreibung findet man, dass sich jede der Phosphoreszenzwellenlängen eines Moleküls von DBq (Abkürzung) und eines Moleküls von TPA (Abkürzung) zur längeren Wellenlängenseite um zirka 100 nm verschiebt. Dieses Ergebnis zeigt eine Tendenz, die der von oben beschriebenem CBP (Abkürzung) (gemessene Werten) ähnlich ist, und bekräftigt die Gültigkeit der Berechnungen.
  • Andererseits findet man, dass die Fluoreszenzwellenlänge des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) an der längeren Wellenlängenseite liegt als die Fluoreszenzwellenlängen eines Moleküls von DBq (Abkürzung) und eines Moleküls von TPA (Abkürzung). Man findet auch, dass der Unterschied zwischen der Fluoreszenzwellenlänge und der Phosphoreszenzwellenlänge des Dimers von DBq (Abkürzung) und TPA (Abkürzung) nur 0,9 nm ist, und dass diese Wellenlängen im Wesentlichen gleich sind.
  • Diese Resultate zeigen, dass der Exciplex die Singulett-Anregungsenergie und die Triplett-Anregungsenergie zu im Wesentlichen der gleichen Energie zusammenfassen kann. Daher wird wie oben gezeigt darauf hingedeutet, dass der Exciplex effizient Energie auf die phosphoreszierende Verbindung sowohl vom Singulett-Zustand als auch vom Triplett-Zustand übertragen kann.
  • Auf die obige Weise überträgt das Licht emittierende Element bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Energie durch Nutzung einer Überlappung zwischen dem Emissionsspektrum des Exciplex, der in der Licht emittierenden Schicht gebildet wird, und dem Absorptionsspektrum der phosphoreszierenden Substanz (Gastmaterial), und weist deshalb hohe Energieübertragungseffizienz auf. Folglich kann das Licht emittierende Element hohe externe Quantenausbeute erzielen.
  • Außerdem existiert der Exciplex nur in einem Anregungszustand und besitzt daher keinen Grundzustand, der Energie absorbieren kann. Deswegen wird davon ausgegangen, dass ein Phänomen prinzipiell nicht auftritt, bei dem die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) 109 durch Energieübertragung von der phosphoreszierenden Substanz (Gastmaterial) in dem Singulett-Anregungszustand und in dem Triplett-Anregungszustand auf den Exciplex vor Lichtemission deaktiviert wird (d. h. die Emissionseffizienz abnimmt). Dies trägt auch zur Verbesserung der externen Quantenausbeute bei.
  • Es sei angemerkt, dass der oben beschriebene Exciplex durch eine Wechselwirkung zwischen ungleichen Molekülen in Anregungszuständen gebildet wird. Es ist allgemein bekannt, dass der Exciplex zwischen einem Material mit einem relativ tiefen LUMO-Niveau und einem Material mit einem relativ wenig tiefen HOMO-Niveau leicht gebildet wird.
  • Eine Emissionswellenlänge des Exciplex hängt von einem Unterschied in Energie zwischen dem HOMO-Niveau und dem LUMO-Niveau ab. Eine generelle Tendenz ist, dass die Emissionswellenlänge kurz ist, wenn der Energieunterschied groß ist, und dass die Emissionswellenlänge lang ist, wenn der Energieunterschied klein ist.
  • Deshalb unterscheiden sich die HOMO-Niveaus und LUMO-Niveaus der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) 110 und der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111 bei dieser Ausführungsform voneinander. Insbesondere variieren die Energieniveaus in der nachstehenden Reihenfolge: das HOMO-Niveau der ersten organischen Verbindung 110 < das HOMO-Niveau der zweiten organischen Verbindung 111 < das LUMO-Niveau der ersten organischen Verbindung 110 < das LUMO-Niveau der zweiten organischen Verbindung 111 (siehe 4).
  • Wenn der Exciplex von diesen zwei organischen Verbindungen gebildet wird, stammen das LUMO-Niveau und das HOMO-Niveau des Exciplex von der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) 110 bzw. der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111 (siehe 4). Daher ist der Energieunterschied des Exciplex geringer als der Energieunterschied der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) 110 und der Energieunterschied der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111. Mit anderen Worten ist die Emissionswellenlänge des Exciplex länger als die Emissionswellenlängen der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) 110 und der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 111.
  • Es sei angemerkt, dass der Prozess der Bildung eines Exciplex bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung jeder der folgenden zwei Prozesse sein kann.
  • Ein Bildungsprozess ist wie folgt: ein Exciplex wird von der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) und der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) mit Ladungsträgern (Kation oder Anion) gebildet.
  • Im Allgemeinen wird dann, wenn ein Elektron und ein Loch in einem Wirtsmaterial rekombinieren, Anregungsenergie von dem Wirtsmaterial in einem Anregungszustand auf ein Gastmaterial übertragen, wodurch das Gastmaterial in einen Anregungszustand versetzt wird, um Licht zu emittieren. Bevor die Anregungsenergie von dem Wirtsmaterial auf das Gastmaterial übertragen wird, emittiert das Wirtsmaterial selbst Licht, oder die Anregungsenergie wandelt sich in Wärmeenergie, was zur Deaktivierung eines Teils der Anregungsenergie führt. Wenn sich das Wirtsmaterial in einem Singulett-Anregungszustand befindet, entsteht insbesondere Energieübertragung nicht leicht, wie in (2-2) beschrieben wird. Solche Deaktivierung von Anregungsenergie ist eine der Ursachen einer Abnahme der Lebensdauer eines Licht emittierenden Elements.
  • Jedoch wird bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Exciplex von der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) und der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) mit Ladungsträgern (Kation oder Anion) gebildet. Deshalb kann die Bildung eines Singulett-Exzitons der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) unterdrückt werden. Mit anderen Worten: es kann einen Prozess geben, bei welchem ein Exciplex ohne Bildung eines Singulett-Exzitons direkt gebildet wird. Daher kann die Deaktivierung der Singulett-Anregungsenergie verhindert werden. Demzufolge kann ein Licht emittierendes Element mit einer langen Lebensdauer erhalten werden.
  • Beispielsweise wird in dem Fall, in dem die erste organische Verbindung 110 eine elektroneneinfangende Verbindung mit der Eigenschaft zum leichten Einfangen von Elektronen (Ladungsträgern) (mit einem tiefen LUMO-Niveau) unter Elektronentransportmaterialien ist und die zweite organische Verbindung 111 eine locheinfangende Verbindung mit der Eigenschaft zum leichten Einfangen von Löchern (Ladungsträgern) (mit einem wenig tiefen HOMO-Niveau) unter Lochtransportmaterialien ist, ein Exciplex direkt aus einem Anion der ersten organischen Verbindung und einem Kation der zweiten organischen Verbindung gebildet. Ein in einem solchen Prozess gebildeter Exciplex wird besonders als Elektroplex bezeichnet. Ein Licht emittierendes Element mit hoher Emissionseffizienz kann durch Unterdrücken der Erzeugung des Singulett-Anregungszustandes der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) und durch Übertragen der Energie von einem Elektroplex auf die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) auf die oben beschriebene Weise erhalten werden. Es sei angemerkt, dass in diesem Fall die Erzeugung des Triplett-Anregungszustandes der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) in einer ähnlichen Weise unterdrückt wird und ein Exciplex direkt gebildet wird. Deswegen wird davon ausgegangen, dass Energieübertragung von dem Exciplex auf die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) entsteht.
  • Der andere Bildungsprozess ist ein grundlegender Prozess, in dem eine der ersten und zweiten organischen Verbindungen (Wirts- und Hilfsmaterialien) ein Singulett-Exziton bildet und dann mit dem anderen im Grundzustand derart wechselwirkt, dass ein Exciplex gebildet wird. Anders als ein Elektroplex wird ein Singulett-Anregungszustand der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) oder der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) in diesem Fall temporär erzeugt, aber dies wird schnell in einen Exciplex umgewandelt und daher kann die Deaktivierung der Singulett-Anregungsenergie verhindert werden. Folglich ist es möglich, Deaktivierung von Anregungsenergie der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) oder der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) zu verhindern. Es sei angemerkt, dass in diesem Fall davon ausgegangen wird, dass der Triplett-Anregungszustand des Wirtsmaterials ähnlich schnell in einen Exciplex umgewandelt wird, und Energie von dem Exciplex auf die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) übertragen wird.
  • Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) eine elektroneneinfangende Verbindung ist, in dem die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) eine locheinfangende Verbindung ist, und in dem der Unterschied zwischen den HOMO-Niveaus und der Unterschied zwischen den LUMO-Niveaus dieser Verbindungen groß sind (insbesondere 0,3 eV oder mehr), Elektronen selektiv in die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) injiziert werden und Löcher selektiv in die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) injiziert werden. In diesem Fall nimmt man an, dass der Prozess, bei welchem ein Elektroplex gebildet wird, gegenüber dem Prozess Vorrang hat, bei welchem ein Exciplex durch ein Singulett-Exciton gebildet wird.
  • Damit das Emissionsspektrum des Exciplex und das Absorptionsspektrum der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) ausreichend einander überlappen, beträgt der Unterschied zwischen der Energie eines Peaks des Emissionsspektrums und der Energie eines Peaks des Absorptionsbandes auf der Seite der niedrigsten Energie in dem Absorptionsspektrum vorzugsweise 0,3 eV oder weniger. Der Unterschied beträgt noch bevorzugter 0,2 eV oder weniger, sogar noch bevorzugter 0,1 eV oder weniger.
  • In der Licht emittierenden Vorrichtung bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es auch bevorzugt, dass die Anregungsenergie des Exciplex ausreichend auf die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) übertragen wird, und dass Lichtemission von dem Exciplex im Wesentlichen nicht beobachtet wird. Daher wird die Energie vorzugsweise durch den Exciplex auf die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) übertragen, so dass die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) Phosphoreszenz emittiert. Es sei angemerkt, dass die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) vorzugsweise ein metallorganischer Komplex ist.
  • In dem Fall, in dem eine phosphoreszierende Verbindung als die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) in der Licht emittierenden Vorrichtung bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, emittiert die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) selbst leicht Licht und lässt Energie auf die phosphoreszierende Verbindung (Gastmaterial) nicht leicht übertragen. In diesem Fall wäre es bevorzugt, wenn die erste organische Verbindung effizient Licht emittieren könnte, aber es ist schwer, hohe Emissionseffizienz zu erzielen, weil das Wirtsmaterial das Problem einer Konzentrationslöschung (concentration quenching) verursacht. Daher ist der Fall effektiv, in dem die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) und/oder die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) eine fluoreszierende Verbindung (d. h. eine Verbindung, die Lichtemission oder thermischer Deaktivierung von dem Singulett-Anregungszustand leicht unterzogen wird) sind/ist. Deshalb ist es bevorzugt, dass die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) und/oder die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) eine fluoreszierende Verbindung sind/ist.
  • Aus diesem Grund ist es bevorzugt, dass die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) eine fluoreszierende Verbindung ist, und dass ein Exciplex als Medium zur Energieübertragung verwendet wird.
  • Es sei angemerkt, dass die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur angemessen mit einer der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen kombiniert werden kann.
  • (Ausführungsform 2)
  • Bei dieser Ausführungsform wird ein Beispiel für ein Licht emittierendes Element, welches in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ist, anhand von 5 beschrieben.
  • Bei dem Licht emittierenden Element, das bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, ist wie in 5 eine EL-Schicht 203, die eine Licht emittierende Schicht 206 beinhaltet, zwischen einem Paar von Elektroden (einer ersten Elektrode (Anode) 201 und einer zweiten Elektrode (Kathode) 202) bereitgestellt, und die EL-Schicht 203 beinhaltet eine Lochinjektionsschicht 204, eine Lochtransportschicht 205, eine Elektronentransportschicht 207, eine Elektroneninjektionsschicht 208 und dergleichen zusätzlich zu der Licht emittierenden Schicht 206 mit einer gestapelten Struktur, die eine erste Licht emittierende Schicht 206a und eine zweite Licht emittierende Schicht 206b beinhaltet.
  • Es sei angemerkt, dass die Licht emittierende Schicht 206 (jede der ersten und zweiten Licht emittierenden Schichten 206a und 206b), die bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, eine phosphoreszierende Verbindung 209 als Gastmaterial, eine erste organische Verbindung 210 als Wirtsmaterial und eine zweite organische Verbindung 211 als Hilfsmaterial enthält. Es sei angemerkt, dass bei dieser Ausführungsform der Anteil der ersten organischen Verbindung 210 in der Licht emittierenden Schicht 206 (jeder der ersten und zweiten Licht emittierenden Schichten 206a und 206b) höher ist als derjenige der zweiten organischen Verbindung 211.
  • Die Licht emittierende Schicht 206 bei dieser Ausführungsform hat die gestapelte Struktur aus der ersten Licht emittierenden Schicht 206a und der zweiten Licht emittierenden Schicht 206b, und der Anteil der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 211 in der ersten Licht emittierenden Schicht 206a ist höher als der Anteil der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 211 in der zweiten Licht emittierenden Schicht 206b.
  • Wenn eine Struktur verwendet wird, bei der die phosphoreszierende Verbindung 209 in der ersten organischen Verbindung (Wirtsmaterial) 210 und der zweiten organischen Verbindung (Hilfsmaterial) 211 in der Licht emittierenden Schicht 206 (der ersten Licht emittierenden Schicht 206a und der zweiten Licht emittierenden Schicht 206b) verteilt wird, kann eine Kristallisation der Licht emittierenden Schicht 206 unterdrückt werden. Ferner ist es möglich, Konzentrationslöschung (concentration quenching) infolge einer hohen Konzentration der phosphoreszierenden Verbindung 209 zu unterdrücken, und daher kann das Licht emittierende Element höhere Emissionseffizienz aufweisen.
  • Es ist bevorzugt, dass das Niveau einer Triplett-Anregungsenergie (T1-Niveau) jeder der ersten und zweiten organischen Verbindungen 210 und 211 höher ist als das T1-Niveau der phosphoreszierenden Verbindung 209. Das liegt daran, dass dann, wenn das T1-Niveau der ersten organischen Verbindung 210 (oder der zweiten organischen Verbindung 211) niedriger ist als das T1-Niveau der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) 209, die Triplett-Anregungsenergie der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) 209, welche zur Lichtemission beiträgt, durch die erste organische Verbindung 210 (oder die zweite organische Verbindung 211) gelöscht wird, was zur Verringerung der Emissionseffizienz führt.
  • In der Licht emittierenden Schicht 206 bei dieser Ausführungsform bilden die erste organische Verbindung 210 und die zweite organische Verbindung 211 einen Exciplex, zum Zeitpunkt der Rekombination von Ladungsträgern (Elektronen und Löchern), die von den entsprechenden Elektroden injiziert werden. Dementsprechend können ein Fluoreszenzspektrum der ersten organischen Verbindung 210 und dasjenige der zweiten organischen Verbindung 211 in der Licht emittierenden Schicht 206 in ein Emissionsspektrum des Exciplex, das an einer längeren Wellenlängenseite liegt, umgewandelt werden. Deshalb werden die erste organische Verbindung 210 und die zweite organische Verbindung 211 derart ausgewählt, dass das Emissionsspektrum des Exciplex zum großen Teil das Absorptionsspektrum der phosphoreszierenden Verbindung (Gastmaterial) 209 überlappt, um Energieübertragung von einem Singulett-Anregungszustand zu maximieren. Es sei angemerkt, dass hier davon ausgegangen wird, dass Energieübertragung von dem Exciplex, nicht von dem Wirtsmaterial, auch im Falle eines Triplett-Anregungszustandes erfolgt.
  • Es sei angemerkt, dass die phosphoreszierende Verbindung 209 vorzugsweise ein metallorganischer Komplex ist. Ein Elektronentransportmaterial wird vorzugsweise als die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) 210 verwendet. Ein Lochtransportmaterial wird vorzugsweise als die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) 211 verwendet.
  • Es sei angemerkt, dass Beispiele für den metallorganischen Komplex umfassen:
    Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)tetrakis(1-pyrazolyl)borat (Abkürzung: FIr6), Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)picolinat (Abkürzung: FIrpic), Bis[2-(3',5'-bistrifluormethylphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)picolinat (Abkürzung: Ir(CF3ppy)2(pic)), Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: FIracac), Tris(2-phenylpyridinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(ppy)3), Bis(2-phenylpyridinato)iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(ppy)2(acac)), Bis(benzo[h]chinolinato)iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(bzq)2(acac)), Bis(2,4-diphenyl-1,3-oxazolato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(dpo)2(acac)),
    Bis{2-[4'-(perfluorphenyl)phenyl]pyridinato-N,C2'}iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(p-PF-ph)2(acac)), Bis(2-phenylbenzothiazolato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(bt)2(acac)),
    Bis[2-(2'-benzo[4,5-α]thienyl)pyridinato-N,C3']iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(btp)2(acac)), Bis(1-phenylisochinolinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(piq)2(acac)),
    (Acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorphenyl)chinoxalinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(Fdpq)2(acac)), (Acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphyrin platin(II) (Abkürzung: PtOEP), Tris(acetylacetonato)(monophenanthrolin)terbium(III) (Abkürzung: Tb(acac)3(Phen)),
    Tris(1,3-diphenyl-1,3-propandionato)(monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(DBM)3(Phen)), Tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoracetonato](monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(TTA)3(Phen)) und dergleichen.
  • Als Elektronentransportmaterial ist eine π-elektronenarme heteroaromatische Verbindung bevorzugt, so beispielsweise eine Stickstoff enthaltende heteroaromatische Verbindung, und Beispiele dafür umfassen Chinoxalin-Derivate und Dibenzochinoxalin-Derivate wie z. B.
    2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTPDBq-II),
    2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II),
    2-[4-(3,6-Diphenyl-9H-carbazol-9-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2CzPDBq-III), 7-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 7mDBTPDBq-II) und 6-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 6mDBTPDBq-II).
  • Als Lochtransportmaterial ist eine π-elektronenreiche heteroaromatische Verbindung (z. B. ein Carbazol-Derivat oder ein Indol-Derivat) oder eine aromatische Aminverbindung bevorzugt, und Beispiele dafür umfassen 4-Phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBA1BP), 4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB), 3-[N-(1-Naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCN1), 4,4',4''-Tris[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]triphenylamin (Abkürzung: 1'-TNATA), 2,7-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-spiro-9,9'-bifluoren (Abkürzung: DPA2SF), N,N'-Bis(9-phenylcarbazol-3-yl)-N,N'-diphenylbenzol-1,3-diamin (Abkürzung: PCA2B), N-(9,9-Dimethyl-2-diphenylamino-9H-fluoren-7-yl)diphenylamin (Abkürzung: DPNF), N,N',N''-Triphenyl-N,N',N''-tris(9-phenylcarbazol-3-yl)benzol-1,3,5-triamin (Abkürzung: PCA3B), 2-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]spiro-9,9'-bifluoren (Abkürzung: PCASF), 2-[N-(4-Diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]spiro-9,9'-bifluoren (Abkürzung: DPASF), N,N'-Bis[4-(carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenyl-9,9-dimethylfluoren-2,7-diamin (Abkürzung: YGA2F), 4,4'-Bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: TPD), 4,4'-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: DPAB), N-(9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-N-{9,9-dimethyl-2-[N'-phenyl-N'-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amino]-9H-fluoren-7-yl}phenylamin (Abkürzung: DFLADFL), 3-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA1), 3-[N-(4-Diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzDPA1), 3,6-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzDPA2), 4,4'-Bis(N-{4-[N'-(3-methylphenyl)-N'-phenylamino]phenyl}-N-phenylamino)biphenyl (Abkürzung: DNTPD), 3,6-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-(1-naphthyl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzTPN2) und 3,6-Bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA2).
  • Es sei angemerkt, dass Materialien, die für die phosphoreszierende Verbindung 209, die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) 210 und die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) 211 verwendet werden können, nicht auf die vorstehenden Beispiele beschränkt sind. Die Kombination wird derart bestimmt, dass ein Exciplex gebildet werden kann, dass das Emissionsspektrum des Exciplex das Absorptionsspektrum der phosphoreszierenden Verbindung 209 überlappt, und dass der Peak des Emissionsspektrums des Exciplex eine längere Wellenlänge hat als der Peak des Absorptionsspektrums der phosphoreszierenden Verbindung 209.
  • In dem Fall, in dem ein Elektronentransportmaterial als die erste organische Verbindung 210 verwendet wird und ein Lochtransportmaterial als die zweite organische Verbindung 211 verwendet wird, kann Ladungsträgergleichgewicht durch das Mischungsverhältnis der Verbindungen gesteuert werden. Insbesondere ist das Verhältnis der ersten organischen Verbindung 210 zu der zweiten organischen Verbindung 211 vorzugsweise 1:9 bis 9:1.
  • Ein konkretes Beispiel, in dem das bei dieser Ausführungsform beschriebene Licht emittierende Element hergestellt wird, wird nachstehend beschrieben.
  • Für die erste Elektrode (Anode) 201 und die zweite Elektrode (Kathode) 202 kann ein Metall, eine Legierung, eine elektrisch leitende Verbindung, ein Gemisch davon oder dergleichen verwendet werden. Insbesondere kann Indiumoxid-Zinnoxid (Indiumzinnoxid (indium tin oxide: ITO)), Indiumoxid-Zinnoxid, das Silizium oder Siliziumoxid enthält, Indiumoxid-Zinkoxid (Indiumzinkoxid), Indiumoxid, das Wolframoxid und Zinkoxid enthält, Gold (Au), Platin (Pt), Nickel (Ni), Wolfram (W), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Kupfer (Cu), Palladium (Pd) oder Titan (Ti) verwendet werden. Weiterhin kann ein Element, das zu der Gruppe 1 oder der Gruppe 2 des Periodensystems gehört, so beispielsweise ein Alkalimetall wie z. B. Lithium (Li) oder Cäsium (Cs), ein Erdalkalimetall wie z. B. Magnesium (Mg), Calcium (Ca) oder Strontium (Sr), eine Legierung, die ein solches Element enthält (z. B. MgAg oder AlLi), ein Seltenerdmetall wie z. B. Europium (Eu) oder Ytterbium (Yb), eine Legierung, die ein solches Element enthält, Graphen oder dergleichen verwendet werden. Die erste Elektrode (Anode) 201 und die zweite Elektrode (Kathode) 202 können zum Beispiel durch ein Sputterverfahren, ein Verdampfverfahren (einschließlich eines Vakuumverdampfverfahrens) oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Beispiele für eine Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft, die für die Lochinjektionsschicht 204 und die Lochtransportschicht 205 verwendet wird, umfassen aromatische Aminverbindungen wie z. B. 4,4'-Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: NPB oder α-NPD), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamin (Abkürzung: TPD), 4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: TCTA), 4,4',4''-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamin (Abkürzung: TDATA), 4,4',4''-Tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamin (Abkürzung: MTDATA) und 4,4'-Bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: BSPB), 3-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA1), 3,6-Bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA2) und 3-[N-(1-Naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCN1). Andere Beispiele umfassen Carbazol-Derivate wie z. B. 4,4'-Di(N-carbazolyl)biphenyl (Abkürzung: CBP), 1,3,5-Tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzol (Abkürzung: TCPB) und 9-[4-(10-Phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA). Die hier genannten Substanzen sind hauptsächlich Substanzen, welche eine Löcherbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr aufweisen. Es sei angemerkt, dass neben diesen Substanzen, jede Substanz verwendet werden kann, die eine Eigenschaft aufweist, mehr Löcher als Elektronen zu transportieren.
  • Weitere Beispiele umfassen hochmolekulare Verbindungen wie z. B. Poly(N-vinylcarbazol) (Abkürzung: PVK), Poly(4-vinyltriphenylamin) (Abkürzung: PVTPA), Poly[N-(4-{N'-[4-(4-diphenylamino)phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamid] (Abkürzung: PTPDMA) und Poly[N,N-bis(4-butylphenyl)-N,N-bis(phenyl)benzidin] (Abkürzung: Poly-TPD).
  • Weiterhin umfassen Beispiele für eine Akzeptorsubstanz, die für die Lochinjektionsschicht 204 verwendet werden kann, Oxide von Übergangsmetallen, Oxide von Metallen, die zu den Gruppen 4 bis 8 des Periodensystems gehören, und dergleichen. Konkret gesprochen, wird Molybdänoxid besonders bevorzugt.
  • Die Licht emittierende Schicht 206 (206a und 206b) enthält wie oben beschrieben die phosphoreszierende Verbindung 209, die erste organische Verbindung (Wirtsmaterial) 210 und die zweite organische Verbindung (Hilfsmaterial) 211.
  • Die Elektronentransportschicht 207 ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft enthält. Für die Elektronentransportschicht 207 kann ein Metallkomplex verwendet werden, wie z. B. Alq3, Tris(4-methyl-8-chinolinolato)aluminium (Abkürzung: Almq3), Bis(10-hydroxybenzo[h]-chinolinato)beryllium (Abkürzung: BeBq2), BAlq, Zn(BOX)2 oder Bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zink (Abkürzung: Zn(BTZ)2). Alternativ kann eine heteroaromatische Verbindung verwendet werden, wie z. B. 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (Abkürzung: PBD), 1,3-Bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzol (Abkürzung: OXD-7), 3-(4-tert-Butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: TAZ), 3-(4-tert-Butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: p-EtTAZ), Bathophenanthrolin (Abkürzung: Bphen), Bathocuproin (Abkürzung: BCP) oder 4,4'-Bis(5-methylbenzoxazol-2-yl)stilben (Abkürzung: BzOs). Alternativ kann eine hochmolekulare Verbindung verwendet werden, wie z. B. Poly(2,5-pyridin-diyl) (Abkürzung: PPy), Poly[(9,9-dihexylfluoren-2,7-diyl)-co-(pyridin-3,5-diyl)] (Abkürzung: PF-Py) oder Poly[(9,9-dioctylfluoren-2,7-diyl)-co-(2,2'-bipyridin-6,6'-diyl)] (Abkürzung: PF-BPy). Die hier genannten Substanzen sind hauptsächlich Substanzen mit einer Elektronenbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr. Es sei angemerkt, dass zusätzlich zu diesen Substanzen eine Substanz, welche eine Eigenschaft aufweist, mehr Elektronen als Löcher zu transportieren, für die Elektronentransportschicht 207 verwendet werden kann.
  • Die Elektronentransportschicht 207 ist nicht auf eine einzelne Schicht beschränkt und kann ein Stapel aus zwei oder mehr Schichten sein, die jede der vorstehenden Substanzen enthalten.
  • Die Elektroneninjektionsschicht 208 ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft enthält. Beispiele für die Substanz, die für die Elektroneninjektionsschicht 208 verwendet werden kann, umfassen Alkalimetalle, Erdalkalimetalle und Verbindungen davon, wie z. B. Lithiumfluorid (LiF), Cäsiumfluorid (CsF), Calciumfluorid (CaF2) und Lithiumoxid (LiOx), und Seltenerdmetallverbindungen wie z. B. Erbiumfluorid (ErF3). Alternativ können auch die oben beschriebenen Substanzen zum Ausbilden der Elektronentransportschicht 207 verwendet werden.
  • Alternativ kann ein Verbundmaterial, in dem eine organische Verbindung und ein Elektronendonator (ein Donator) gemischt sind, für die Elektroneninjektionsschicht 208 verwendet werden. Solch ein Verbundmaterial, in dem Elektronen in der organischen Verbindung durch den Elektronendonator erzeugt werden, weist hohe Elektroneninjektions- und Elektronentransporteigenschaften auf. Die organische Verbindung ist hier bevorzugt ein Material, das die erzeugten Elektronen effizient transportiert, und insbesondere kann eine der obigen Substanzen (wie z. B. Metallkomplexe und heteroaromatische Verbindungen) für die Elektronentransportschicht 207 verwendet werden. Als Elektronendonator kann eine Substanz verwendet werden, welche eine Elektronen abgebende Eigenschaft in Bezug auf die organische Verbindung zeigt. Insbesondere sind Alkalimetalle, Erdalkalimetalle und Seltenerdmetalle bevorzugt, und Lithium, Cäsium, Magnesium, Calcium, Erbium, Ytterbium und dergleichen können angegeben werden. Jedes der Alkalimetalloxide und Erdalkalimetalloxide ist bevorzugt, und Beispiele für sie sind Lithiumoxid, Calciumoxid, Bariumoxid und dergleichen, und eine Lewis-Base wie z. B. Magnesiumoxid oder eine organische Verbindung wie z. B. Tetrathiafulvalen (Abkürzung: TTF) kann verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Lochinjektionsschicht 204, die Lochtransportschicht 205, die Licht emittierende Schicht 206 (206a und 206b), die Elektronentransportschicht 207 und die Elektroneninjektionsschicht 208, die oben beschrieben worden sind, jeweils durch ein Verfahren wie z. B. ein Verdampfverfahren (einschließlich eines Vakuumverdampfverfahrens), ein Tintenstrahlverfahren oder ein Beschichtungsverfahren ausgebildet werden können.
  • Eine Lichtemission aus der Licht emittierenden Schicht 206 des oben beschriebenen Licht emittierenden Elements wird durch die erste Elektrode 201 und/oder die zweite Elektrode 202 nach außen entnommen. Die erste Elektrode 201 und/oder die zweite Elektrode 202 bei dieser Ausführungsform sind/ist also eine Elektrode mit einer lichtdurchlässigen Eigenschaft.
  • Bei dem bei dieser Ausführungsform beschriebenen Licht emittierenden Element kann die Effizienz der Energieübertragung dank einer Energieübertragung, die eine Überlappung zwischen einem Emissionsspektrum eines Exciplex und einem Absorptionsspektrum einer phosphoreszierenden Verbindung ausnutzt, verbessert werden. Folglich kann eine hohe externe Quantenausbeute des Licht emittierenden Elements erzielt werden.
  • Es sei angemerkt, dass das beschriebene Licht emittierende Element in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ist und insbesondere durch die Struktur der Licht emittierenden Schicht gekennzeichnet ist. Deshalb können dann, wenn die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur verwendet wird, eine Licht emittierende Passiv-Matrix-Vorrichtung, eine Licht emittierende Aktiv-Matrix-Vorrichtung und dergleichen hergestellt werden. Diese Licht emittierenden Vorrichtungen sind in der vorliegenden Erfindung enthalten.
  • Es sei angemerkt, dass beim Herstellen der Licht emittierenden Aktiv-Matrix-Vorrichtung keine besondere Beschränkung bezüglich der Struktur eines TFT besteht. Es kann zum Beispiel angemessen ein staggered TFT oder ein inverted staggered TFT verwendet werden. Des Weiteren kann eine Treiberschaltung, die über einem TFT-Substrat ausgebildet wird, unter Verwendung sowohl eines n-Typ-TFT als auch eines p-Typ-TFT oder entweder eines n-Typ-TFT oder eines p-Typ-TFT ausgebildet werden. Darüber hinaus besteht ebenfalls keine besondere Beschränkung bezüglich der Kristallinität eines Halbleiterfilms, der für den TFT verwendet wird. Beispielsweise kann ein amorpher Halbleiterfilm, ein kristalliner Halbleiterfilm, ein Oxidhalbleiterfilm oder dergleichen verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur angemessen mit einer der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen kombiniert werden kann.
  • (Ausführungsform 3)
  • Bei dieser Ausführungsform wird ein Licht emittierendes Element (nachstehend als Licht emittierendes Tandem-Element bezeichnet) beschrieben, in dem eine Ladungserzeugungsschicht zwischen einer Vielzahl von EL-Schichten angeordnet ist, und gemäß der vorliegenden Erfindung in einer Vorrichtung umfasst sein kann.
  • Das Licht emittierende Element, das bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, ist ein Licht emittierendes Tandem-Element, das eine Vielzahl von EL-Schichten (eine erste EL-Schicht 302(1) und eine zweite EL-Schicht 302(2)) zwischen einem Paar von Elektroden (einer ersten Elektrode 301 und einer zweiten Elektrode 304) beinhaltet, wie in 6A gezeigt.
  • Bei dieser Ausführungsform dient die erste Elektrode 301 als Anode, und die zweite Elektrode 304 dient als Kathode. Es sei angemerkt, dass die erste Elektrode 301 und die zweite Elektrode 304 Strukturen aufweisen können, welche den bei der Ausführungsform 1 beschriebenen ähnlich sind. Des Weiteren können alle oder eine beliebige der Vielzahl von EL-Schichten (der ersten EL-Schicht 302(1) und der zweiten EL-Schicht 302(2)) Strukturen haben, die den bei der Ausführungsform 1 oder 2 beschriebenen ähnlich ist. Mit anderen Worten: die Strukturen der ersten EL-Schicht 302(1) und der zweiten EL-Schicht 302(2) können gleich oder voneinander unterschiedlich sein und können denjenigen der bei der Ausführungsform 1 oder 2 beschriebenen EL-Schichten ähnlich sein.
  • Eine Ladungserzeugungsschicht (I) 305 ist ferner zwischen der Vielzahl von EL-Schichten (der ersten EL-Schicht 302(1) und der zweiten EL-Schicht 302(2)) angeordnet. Die Ladungserzeugungsschicht (I) 305 hat eine Funktion zum Injizieren von Elektronen in eine der EL-Schichten und Injizieren von Löchern in die andere der EL-Schichten, wenn eine Spannung zwischen der ersten Elektrode 301 und der zweiten Elektrode 304 angelegt wird. Wenn bei dieser Ausführungsform eine Spannung so angelegt wird, dass das Potential der ersten Elektrode 301 höher ist als dasjenige der zweiten Elektrode 304, injiziert dann die Ladungserzeugungsschicht (I) 305 Elektronen in die erste EL-Schicht 302(1) und Löcher in die zweite EL-Schicht 302(2).
  • Es sei angemerkt, dass hinsichtlich der Lichtextraktionseffizienz die Ladungserzeugungsschicht (I) 305 vorzugsweise eine Durchlässigkeit von sichtbarem Licht aufweist (konkret gesagt: die Ladungserzeugungsschicht (I) 305 weist vorzugsweise einen Durchlässigkeitsgrad von sichtbarem Licht von 40% oder mehr auf). Ferner funktioniert die Ladungserzeugungsschicht (I) 305, auch wenn sie eine niedrigere Leitfähigkeit hat als die erste Elektrode 301 oder die zweite Elektrode 304.
  • Die Ladungserzeugungsschicht (I) 305 kann entweder eine Struktur, bei der einer organischen Verbindung mit einer hohen Lochtransporteigenschaft ein Elektronenakzeptor (Akzeptor) zugesetzt ist, oder eine Struktur haben, bei der einer organischen Verbindung mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft ein Elektronendonator (Donator) zugesetzt ist. Alternativ können beide dieser Strukturen gestapelt sein.
  • In dem Fall, in dem der Elektronenakzeptor der organischen Verbindung mit einer hohen Lochtransporteigenschaft zugesetzt ist, umfassen Beispiele für die organische Verbindung mit einer hohen Lochtransporteigenschaft aromatische Aminverbindungen wie z. B. NPB, TPD, TDATA, MTDATA und 4,4'-Bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: BSPB) und dergleichen. Die hier genannten Substanzen sind hauptsächlich Substanzen, welche eine Löcherbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr aufweisen. Es sei angemerkt, dass außer diesen Substanzen jede organische Verbindung, die eine Eigenschaft zum Transportieren von mehr Löchern als Elektronen aufweist, verwendet werden kann.
  • Beispiele für den Elektronenakzeptor umfassen 7,7,8,8-Tetracyano-2,3,5,6-tetrafluorchinodimethan (Abkürzung: F4-TCNQ), Chloranil, Oxide von Übergangsmetallen und Oxide von Metallen, die zur Gruppe 4 bis Gruppe 8 des Periodensystems gehören. Insbesondere sind Vanadiumoxid, Nioboxid, Tantaloxid, Chromoxid, Molybdänoxid, Wolframoxid, Manganoxid und Rheniumoxid bevorzugt, aufgrund ihrer hohen Elektronen aufnehmenden Eigenschaft. Unter diesen ist Molybdänoxid besonders bevorzugt, da es stabil an Luft ist, eine geringe hygroskope Eigenschaft aufweist und einfach in der Handhabung ist.
  • Andererseits sind in dem Fall, in dem der Elektronendonator der organischen Verbindung mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft zugesetzt ist, Beispiele für die verwendbare organische Verbindung mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft Metallkomplexe mit einem Chinolin-Gerüst oder einem Benzochinolin-Gerüst, wie z. B. Alq, Almq3, BeBq2 und BAlq, und dergleichen. Andere Beispiele sind Metallkomplexe mit einem Ligand auf Oxazol-Basis oder Thiazol-Basis, wie z. B. Zn(BOX)2 und Zn(BTZ)2. Abgesehen von Metallkomplexen kann PBD, OXD-7, TAZ, BPhen, BCP oder dergleichen verwendet werden. Die hier genannten Substanzen sind hauptsächlich Substanzen mit einer Elektronenbeweglichkeit von 10–6 cm2/Vs oder mehr. Es sei angemerkt, dass außer diesen Substanzen jede organische Verbindung, die eine Eigenschaft zum Transportieren von mehr Elektronen als Löchern aufweist, verwendet werden kann.
  • Beispiele für den Elektronendonator, der verwendet werden kann, sind Alkalimetalle, Erdalkalimetalle, Seltenerdmetalle, Metalle, die zu der Gruppe 13 des Periodensystems gehören, und Oxide oder Carbonate davon. Insbesondere sind Lithium (Li), Cäsium (Cs), Magnesium (Mg), Calcium (Ca), Ytterbium (Yb), Indium (In), Lithiumoxid, Cäsiumcarbonat und dergleichen bevorzugt. Eine organische Verbindung, wie z. B. Tetrathianaphthacen, kann als Elektronendonator verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass das Ausbilden der Ladungserzeugungsschicht (I) 305 unter Verwendung eines der obigen Materialien einen Anstieg der Betriebsspannung, der durch den Stapel der EL-Schichten verursacht wird, unterdrücken kann.
  • Obwohl diese Ausführungsform das Licht emittierende Element mit zwei EL-Schichten zeigt, kann die vorliegende Erfindung in ähnlicher Weise auf ein Licht emittierendes Element angewendet werden, bei dem n EL-Schichten (wobei n 3 oder mehr ist) (302(1), 302(2), ..., 302(n – 1), 302(n)) wie in 6B gestapelt sind. In dem Fall, in dem eine Vielzahl von EL-Schichten zwischen einem Paar von Elektroden wie bei dem Licht emittierenden Element nach dieser Ausführungsform enthalten ist, kann durch Bereitstellen der Ladungserzeugungsschichten (I) (305(1), 305(2), ..., 305(n – 2), 305(n – 1)) zwischen den EL-Schichten Lichtemission in einem hohen Leuchtdichtebereich erhalten werden, wobei die Stromdichte niedrig gehalten wird. Da die Stromdichte niedrig gehalten werden kann, kann das Element eine lange Lebensdauer haben. Wenn das Licht emittierende Element auf Beleuchtung angewendet wird, kann ein Spannungsabfall wegen des Widerstandes eines Elektrodenmaterials verringert werden, was eine gleichmäßige Lichtemission in einer großen Fläche ermöglicht. Außerdem kann eine Licht emittierende Vorrichtung, die bei einer niedrigen Spannung betrieben werden kann und nur wenig Leistung verbraucht, erhalten werden.
  • Indem des Weiteren die Emissionsfarben der EL-Schichten unterschiedlich gemacht werden, kann Licht mit einer gewünschten Farbe von dem Licht emittierenden Element als Gesamtes erhalten werden. Zum Beispiel sind die Emissionsfarben der ersten und zweiten EL-Schichten in einem Licht emittierenden Element mit zwei EL-Schichten komplementär, so dass das Licht emittierende Element als Gesamtes weißes Licht emittieren kann. Es sei angemerkt, dass sich der Ausdruck ”komplementär” auf die Farbbeziehung bezieht, bei welcher eine achromatische Farbe erhalten wird, wenn die Farben gemischt werden. Das heißt, dass Emission von weißem Licht erhalten werden kann, wenn Licht gemischt wird, das von Substanzen emittiert wird, deren Emissionsfarben Komplementärfarben sind.
  • Dasselbe kann des Weiteren auf ein Licht emittierendes Element mit drei EL-Schichten angewendet werden. Beispielsweise kann das Licht emittierende Element als Ganzes weißes Licht emittieren, wenn die Emissionsfarbe der ersten EL-Schicht rot ist, die Emissionsfarbe der zweiten EL-Schicht grün ist und die Emissionsfarbe der dritten EL-Schicht blau ist.
  • Es sei angemerkt, dass die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur angemessen mit einer der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen kombiniert werden kann.
  • (Ausführungsform 4)
  • Bei dieser Ausführungsform wird eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung, die bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, hat eine optische Mikroresonator-(Mikrokavität-)Struktur, bei der ein Licht-Resonanzeffekt zwischen einem Paar von Elektroden ausgenutzt wird. Die Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die jeweils zumindest eine EL-Schicht 405 zwischen einem Paar von Elektroden (einer reflektierenden Elektrode 401 und einer halbdurchsichtigen und halbreflektierenden Elektrode 402) haben, wie in 7 gezeigt. Die EL-Schicht 405 beinhaltet zudem mindestens Licht emittierende Schichten 404 (404R, 404G und 404B), die jeweils als Licht emittierender Bereich dienen, und kann weiterhin eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht, eine Elektroneninjektionsschicht, eine Ladungserzeugungsschicht (E) und dergleichen beinhalten.
  • Bei dieser Ausführungsform wird eine Licht emittierende Vorrichtung beschrieben, die Licht emittierende Elemente (ein erstes Licht emittierendes Element (R) 410R, ein zweites Licht emittierendes Element (G) 410G und ein drittes Licht emittierendes Element (B) 410B) mit unterschiedlichen Strukturen wie in 7 beinhaltet.
  • Das erste Licht emittierende Element (R) 410R hat eine Struktur, bei der eine erste durchsichtige leitende Schicht 403a; eine EL-Schicht 405, die teilweise eine erste Licht emittierende Schicht (B) 404B, eine zweite Licht emittierende Schicht (G) 404G und eine dritte Licht emittierende Schicht (R) 404R beinhaltet; und eine halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 nacheinander über einer reflektierenden Elektrode 401 gestapelt sind. Das zweite Licht emittierende Element (G) 410G hat eine Struktur, bei der eine zweite durchsichtige leitende Schicht 403b, die EL-Schicht 405 und die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 nacheinander über der reflektierenden Elektrode 401 gestapelt sind. Das dritte Licht emittierende Element (B) 410B hat eine Struktur, bei der die EL-Schicht 405 und die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 nacheinander über der reflektierenden Elektrode 401 gestapelt sind.
  • Es sei angemerkt, dass die reflektierende Elektrode 401, die EL-Schicht 405 und die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 in den Licht emittierenden Elementen (in dem ersten Licht emittierenden Element (R) 410R, dem zweiten Licht emittierenden Element (G) 410G und dem dritten Licht emittierenden Element (B) 410B) gleich sind. Die erste Licht emittierende Schicht (B) 404B emittiert Licht (λB) mit einem Peak in einem Wellenlängenbereich von 420 nm bis 480 nm. Die zweite Licht emittierende Schicht (G) 404G emittiert Licht (λG) mit einem Peak in einem Wellenlängenbereich von 500 nm bis 550 nm. Die dritte Licht emittierende Schicht (R) 404R emittiert Licht (λR) mit einem Peak in einem Wellenlängenbereich von 600 nm bis 760 nm. In jedem der Licht emittierenden Elemente (in dem ersten Licht emittierenden Element (R) 410R, dem zweiten Licht emittierenden Element (G) 410G und dem dritten Licht emittierenden Element (B) 410B) überlappen daher Licht, das aus der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B emittiert wird, Licht, das aus der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G emittiert wird, und Licht, das aus der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R emittiert wird, einander. Auf diese Weise kann Licht mit einem breiten Emissionsspektrum, das einen Bereich von sichtbarem Licht abdeckt, emittiert werden. Es sei angemerkt, dass die zuvor genannten Wellenlängen die Bedingung λB < λG < λR erfüllen.
  • Jedes der Licht emittierenden Elemente, die bei dieser Ausführungsform beschrieben werden, hat eine Struktur, bei der die EL-Schicht 405 zwischen der reflektierenden Elektrode 401 und der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 angeordnet ist. Licht, das aus den Licht emittierenden Schichten in der EL-Schicht 405 in alle Richtungen emittiert wird, wird durch die reflektierende Elektrode 401 und die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402, die als optischer Mikroresonator (Mikrokavität) dienen, in Resonanz gebracht. Es sei angemerkt, dass die reflektierende Elektrode 401 unter Verwendung eines leitenden Materials mit Reflektivität ausgebildet wird und dass ein Film, der sichtbares Licht zu 40% bis 100%, bevorzugt zu 70% bis 100% reflektiert und einen spezifischen Widerstand von 1 × 10–2 Ωcm oder niedriger hat, verwendet wird. Außerdem wird die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 unter Verwendung eines leitenden Materials mit Reflektivität und eines leitenden Materials, das lichtdurchlässig ist, ausgebildet, und ein Film, der sichtbares Licht zu 20% bis 80%, bevorzugt zu 40% bis 70% reflektiert und einen spezifischen Widerstand von 1 × 10–2 Ωcm oder niedriger hat, wird verwendet.
  • Bei dieser Ausführungsform sind die Dicken der durchsichtigen leitenden Schichten (der ersten durchsichtigen leitenden Schicht 403a und der zweiten durchsichtigen leitenden Schicht 403b), die in dem ersten Licht emittierenden Element (R) 410R bzw. dem zweiten Licht emittierenden Element (G) 410G enthalten sind, zwischen den Licht emittierenden Elementen unterschiedlich, so dass die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 zwischen den Licht emittierenden Elementen unterschiedlich ist. Mit anderen Worten: in Licht mit einem breiten Emissionsspektrum, das aus den Licht emittierenden Schichten jedes der Licht emittierenden Elemente emittiert wird, kann Licht mit einer Wellenlänge, die zwischen der reflektierenden Elektrode 401 und der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 in Resonanz gebracht wird, verstärkt werden, während Licht mit einer Wellenlänge, die nicht dazwischen in Resonanz gebracht wird, abgeschwächt werden kann. Wenn also die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 zwischen den Elementen unterschiedlich ist, kann Licht mit verschiedenen Wellenlängen entnommen werden.
  • Es sei angemerkt, dass die optische Weglänge (auch als optische Distanz bezeichnet) als Produkt einer tatsächlichen Distanz und eines Brechungsindexes dargestellt wird und bei dieser Ausführungsform ein Produkt von einer tatsächlichen Dicke und n (Brechungsindex) ist. Das heißt, dass gilt: eine optische Weglänge = tatsächliche Dicke × n.
  • Des Weiteren ist die Gesamtdicke von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der halbdurchsichtigen und halbreflektierenden Elektrode 402 auf mλR/2 (m ist eine natürliche Zahl) bei dem ersten Licht emittierenden Element (R) 410R eingestellt. Die Gesamtdicke von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der halbdurchsichtigen und halbreflektierenden Elektrode 402 ist auf mλG/2 (m ist eine natürliche Zahl) bei dem zweiten Licht emittierenden Element (G) 410G eingestellt. Die Gesamtdicke von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der halbdurchsichtigen und halbreflektierenden Elektrode 402 ist auf mλB/2 (m ist eine natürliche Zahl) bei dem dritten Licht emittierenden Element (B) 410B eingestellt.
  • Auf diese Weise wird das Licht (λR), das aus der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R in der EL-Schicht 405 emittiert wird, hauptsächlich aus dem ersten Licht emittierenden Element (R) 410R entnommen, das Licht (λG), das aus der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G in der EL-Schicht 405 emittiert wird, wird hauptsächlich aus dem zweiten Licht emittierenden Element (G) 410G entnommen, und das Licht (λB), das aus der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B in der EL-Schicht 405 emittiert wird, wird hauptsächlich aus dem dritten Licht emittierenden Element (B) 410B entnommen. Es sei angemerkt, dass das Licht, das aus jedem der Licht emittierenden Elemente entnommen wird, von der Seite der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 emittiert wird.
  • Darüber hinaus kann, genau genommen, die Gesamtdicke von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 die Gesamtdicke von einem reflektierenden Bereich in der reflektierenden Elektrode 401 bis zu einem reflektierenden Bereich in der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 sein. Jedoch ist es schwierig, die Positionen der reflektierenden Bereiche in der reflektierenden Elektrode 401 und in der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 präzise zu bestimmen. Deshalb kann man davon ausgehen, dass der zuvor beschriebene Effekt ausreichend erzielt werden kann, unabhängig davon, wo sich die reflektierenden Bereiche in der reflektierenden Elektrode 401 und der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode 402 befinden.
  • Bei dem ersten Licht emittierenden Element (R) 410R wird als Nächstes die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R auf eine gewünschte Dicke ((2m' + 1)λR/4, wobei m' eine natürliche Zahl ist) eingestellt; Licht, das aus der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R emittiert wird, kann somit verstärkt werden. Was das aus der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R emittierte Licht betrifft, interferiert Licht (erstes reflektiertes Licht), das von der reflektierenden Elektrode 401 reflektiert wird, mit Licht (erstem einfallendem Licht), das von der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R direkt in die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 einfällt. Durch Regeln der optischen Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R auf den gewünschten Wert ((2m' + 1)λR/4, wobei m' eine natürliche Zahl ist) können deshalb die Phasen des ersten reflektierten Lichts und des ersten einfallenden Lichts einander angepasst werden, und die Lichtemission aus der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R kann verstärkt werden.
  • Es sei angemerkt, dass genau genommen, die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R die optische Weglänge von einem reflektierenden Bereich in der reflektierenden Elektrode 401 bis zu einem Licht emittierenden Bereich in der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R sein kann. Jedoch ist es schwierig, die Positionen des reflektierenden Bereichs in der reflektierenden Elektrode 401 und des Licht emittierenden Bereichs in der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R präzise zu bestimmen. Deshalb kann man davon ausgehen, dass der zuvor beschriebene Effekt ausreichend erzielt werden kann, unabhängig davon, wo sich der reflektierende Bereich und der Licht emittierende Bereich in der reflektierenden Elektrode 401 bzw. der dritten Licht emittierenden Schicht (R) 404R befinden.
  • Als Nächstes ist bei dem zweiten Licht emittierenden Element (G) 410G die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G auf eine gewünschte Dicke ((2m'' + 1)λG/4, wobei m'' eine natürliche Zahl ist) eingestellt. Somit kann Licht, das von der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G emittiert wird, verstärkt werden. Was das aus der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G emittierte Licht betrifft, interferiert Licht (zweites reflektiertes Licht), das von der reflektierenden Elektrode 401 reflektiert wird, mit Licht (zweitem einfallendem Licht), das von der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G direkt in die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 einfällt. Durch Regeln der optischen Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G auf den gewünschten Wert ((2m'' + 1)λG/4, wobei m'' eine natürliche Zahl ist) können deshalb die Phasen des zweiten reflektierten Lichts und des zweiten einfallenden Lichts einander angepasst werden, und die Lichtemission aus der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G kann verstärkt werden.
  • Es sei angemerkt, dass genau genommen, die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G die optische Weglänge von einem reflektierenden Bereich in der reflektierenden Elektrode 401 bis zu einem Licht emittierenden Bereich in der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G sein kann. Jedoch ist es schwierig, die Positionen des reflektierenden Bereichs in der reflektierenden Elektrode 401 und des Licht emittierenden Bereichs in der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G präzise zu bestimmen. Deshalb kann man davon ausgehen, dass der zuvor beschriebene Effekt ausreichend erzielt werden kann, unabhängig davon, wo sich der reflektierende Bereich und der Licht emittierende Bereich in der reflektierenden Elektrode 401 bzw. der zweiten Licht emittierenden Schicht (G) 404G befinden.
  • Bei dem dritten Licht emittierenden Element (B) 410B wird als Nächstes die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B auf eine gewünschte Dicke ((2m''' + 1)λB/4, wobei m'' eine natürliche Zahl ist) eingestellt; Licht, das aus der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B emittiert wird, kann somit verstärkt werden. Was das aus der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B emittierte Licht betrifft, interferiert Licht (drittes reflektiertes Licht), das von der reflektierenden Elektrode 401 reflektiert wird, mit Licht (drittem einfallendem Licht), das von der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B direkt in die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode 402 einfällt. Durch Regeln der optischen Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B auf den gewünschten Wert ((2m''' +1)λB/4, wobei m''' eine natürliche Zahl ist) können deshalb die Phasen des dritten reflektierten Lichts und des dritten einfallenden Lichts einander angepasst werden, und die Lichtemission aus der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B kann verstärkt werden.
  • Es sei angemerkt, dass genau genommen, die optische Weglänge von der reflektierenden Elektrode 401 bis zu der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B in dem dritten Licht emittierenden Element die optische Weglänge von einem reflektierenden Bereich in der reflektierenden Elektrode 401 bis zu einem Licht emittierenden Bereich in der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B sein kann. Jedoch ist es schwierig, die Positionen des reflektierenden Bereichs in der reflektierenden Elektrode 401 und des Licht emittierenden Bereichs in der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B präzise zu bestimmen. Deshalb kann man davon ausgehen, dass der zuvor beschriebene Effekt ausreichend erzielt werden kann, unabhängig davon, wo sich der reflektierende Bereich und der Licht emittierende Bereich in der reflektierenden Elektrode 401 bzw. der ersten Licht emittierenden Schicht (B) 404B befinden.
  • Es sei angemerkt, dass zwar jedes der Licht emittierenden Elemente bei der oben erwähnten Struktur eine Vielzahl von Licht emittierenden Schichten in der EL-Schicht beinhaltet, aber die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Beispielsweise kann die Struktur des bei der Ausführungsform 3 beschriebenen Licht emittierenden Tandem-Elements kombiniert werden, in welchem Falle eine Vielzahl von EL-Schichten und eine dazwischen liegende Ladungserzeugungsschicht in einem einzelnen Licht emittierenden Element angeordnet sind und eine oder mehrere Licht emittierende Schichten in jeder der EL-Schichten ausgebildet sind.
  • Die bei dieser Ausführungsform beschriebene Licht emittierende Vorrichtung hat eine Mikrokavitätsstruktur, bei der Licht mit Wellenlängen, die sich zwischen den Licht emittierenden Elementen unterscheiden, entnommen werden kann, selbst wenn sie die gleichen EL-Schichten beinhalten, so dass es nicht erforderlich ist, Licht emittierende Elemente für die Farben R, G und B herzustellen. Die vorstehende Struktur ist deshalb für eine Vollfarbanzeige dank der Leichtigkeit zum Verwirklichen einer höheren Auflösung der Anzeige oder dergleichen vorteilhaft. Zusätzlich kann die Emissionsintensität mit einer vorher festgelegten Wellenlänge in Richtung der Vorderseite erhöht werden, wodurch der Leistungsverbrauch verringert werden kann. Die vorstehende Struktur ist insbesondere nützlich, wenn sie für eine Farbanzeige (eine Bildanzeigevorrichtung), die Pixel für drei oder mehr Farben aufweist, Anwendung findet, und sie kann auch für Beleuchtung oder dergleichen Anwendung finden.
  • (Ausführungsform 5)
  • Bei dieser Ausführungsform wird eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung kann entweder eine Licht emittierende Passiv-Matrix-Vorrichtung oder eine Licht emittierende Aktiv-Matrix-Vorrichtung sein. Es sei angemerkt, dass eines der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Licht emittierenden Elemente auf die bei dieser Ausführungsform beschriebene Licht emittierende Vorrichtung angewendet werden kann.
  • Bei dieser Ausführungsform wird eine Licht emittierende Aktiv-Matrix-Vorrichtung anhand von 8A und 8B beschrieben.
  • Es sei angemerkt, dass 8A eine Draufsicht ist, die eine Licht emittierende Vorrichtung zeigt, und 8B eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A-A' in 8A ist. Die Licht emittierende Aktiv-Matrix-Vorrichtung nach dieser Ausführungsform beinhaltet einen Pixelabschnitt 502, der über einem Elementsubstrat 501 vorgesehen ist, einen Treiberschaltungsabschnitt (eine Sourceleitungs-Treiberschaltung) 503 und Treiberschaltungsabschnitte (Gateleitungs-Treiberschaltungen) 504 (504a und 504b). Der Pixelabschnitt 502, der Treiberschaltungsabschnitt 503 und die Treiberschaltungsabschnitte 504 sind mit einem Dichtungsmittel 505 zwischen dem Elementsubstrat 501 und einem Dichtungssubstrat 506 abgedichtet.
  • Zusätzlich ist eine Anschlussleitung (lead wiring) 507 über dem Elementsubstrat 501 bereitgestellt. Die Anschlussleitung 507 ist bereitgestellt, um einen externen Eingangsanschluss zu verbinden, über den ein Signal (z. B. ein Bildsignal, ein Taktsignal, ein Startsignal oder ein Rücksetzsignal) oder ein Potential von außen dem Treiberschaltungsabschnitt 503 und den Treiberschaltungsabschnitten 504 gesendet wird. Hier ist ein Beispiel gezeigt, in dem eine flexible gedruckte Schaltung (flexible printed circuit, FPC) 508 als externer Eingangsanschluss bereitgestellt ist. Obwohl hier nur die FPC gezeigt ist, kann die FPC mit einer gedruckten Leiterplatte (printed wiring board: PWB) versehen sein. Die Licht emittierende Vorrichtung in dieser Beschreibung umfasst in ihrer Kategorie nicht nur die Licht emittierende Vorrichtung als solche, sondern auch die Licht emittierende Vorrichtung, die mit der FPC oder der PWB versehen ist.
  • Als Nächstes wird eine Querschnittsstruktur anhand von 8B beschrieben. Die Treiberschaltungsabschnitte und der Pixelabschnitt sind über dem Elementsubstrat 501 ausgebildet; hier sind der Treiberschaltungsabschnitt 503, der die Sourceleitungs-Treiberschaltung ist, und der Pixelabschnitt 502 dargestellt.
  • Der Treiberschaltungsabschnitt 503 ist ein Beispiel, in dem eine CMOS-Schaltung ausgebildet ist, die eine Kombination aus einem n-Kanal-TFT 509 und einem p-Kanal-TFT 510 ist. Es sei angemerkt, dass eine in dem Treiberschaltungsabschnitt beinhaltete Schaltung unter Verwendung einer von verschiedenen Schaltungen, wie z. B. einer CMOS-Schaltung, einer PMOS-Schaltung oder einer NMOS-Schaltung, gebildet sein kann. Bei dieser Ausführungsform wird ein Treiber-integrierter Typ beschrieben, in dem eine Treiberschaltung über dem Substrat gebildet ist; die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diesen Typ beschränkt, und die Treiberschaltung kann auch außerhalb des Substrats gebildet sein.
  • Der Pixelabschnitt 502 beinhaltet eine Vielzahl von Pixeln, die jeweils einen TFT 511 zum Schalten, einen TFT 512 zur Stromsteuerung und eine erste Elektrode (Anode) 513, die elektrisch mit einer Leitung (einer Source-Elektrode oder einer Drain-Elektrode) des TFT 512 zur Stromsteuerung verbunden ist, beinhalten. Es sei angemerkt, dass ein Isolator 514 ausgebildet ist, um Endbereiche der ersten Elektrode (Anode) 513 zu bedecken. Bei dieser Ausführungsform ist der Isolator 514 unter Verwendung eines positiven lichtempfindlichen Acrylharzes ausgebildet.
  • Der Isolator 514 hat bevorzugt eine gekrümmte Oberfläche mit einer Krümmung in seinem oberen Endbereich oder seinem unteren Endbereich, um eine gute Abdeckung durch einen Film zu erzielen, der über dem Isolator 514 gestapelt wird. Wenn beispielsweise ein positives lichtempfindliches Acrylharz als Material für den Isolator 514 verwendet wird, hat vorzugsweise der Isolator 514 eine gekrümmte Oberfläche mit einem Krümmungsradius (0,2 μm bis 3 μm) in seinem oberen Endbereich. Der Isolator 514 kann unter Verwendung eines negativen lichtempfindlichen Harzes oder eines positiven lichtempfindlichen Harzes ausgebildet sein. Es ist möglich, ohne Beschränkung auf eine organische Verbindung, entweder eine organische Verbindung oder eine anorganische Verbindung, wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid, zu verwenden.
  • Eine EL-Schicht 515 und eine zweite Elektrode (Kathode) 516 sind über der ersten Elektrode (Anode) 513 gestapelt. In der EL-Schicht 515 ist zumindest eine Licht emittierende Schicht bereitgestellt. Die Licht emittierende Schicht hat eine gestapelte Struktur wie bei der Ausführungsform 1 beschrieben. In der EL-Schicht 515 können angemessen auch eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht, eine Elektroneninjektionsschicht, eine Ladungserzeugungsschicht und dergleichen zusätzlich zu der Licht emittierenden Schicht angeordnet sein.
  • Die gestapelte Struktur, die die erste Elektrode (Anode) 513, die EL-Schicht 515 und die zweite Elektrode (Kathode) 516 beinhaltet, bildet ein Licht emittierendes Element 517. Für die erste Elektrode (Anode) 513, die EL-Schicht 515 und die zweite Elektrode (Kathode) 516 können die Materialien verwendet werden, die bei der Ausführungsform 2 beschrieben worden sind. Die zweite Elektrode (Kathode) 516 ist, obwohl nicht gezeigt, elektrisch mit der FPC 508 verbunden, die als externer Eingangsanschluss dient.
  • Die Querschnittsansicht in 8B zeigt zwar nur ein Licht emittierendes Element 517, aber in dem Pixelabschnitt 502 ist eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen in einer Matrix angeordnet. Licht emittierende Elemente, die drei Arten von Licht (R, G und B) emittieren, werden wahlweise in dem Pixelabschnitt 502 ausgebildet, wodurch eine Licht emittierende Vorrichtung, die zur Vollfarbanzeige geeignet ist, hergestellt werden kann. Alternativ kann eine Licht emittierende Vorrichtung, die zur Vollfarbanzeige geeignet ist, in Kombination mit Farbfiltern hergestellt werden.
  • Das Dichtungssubstrat 506 ist ferner durch das Dichtungsmittel 505 an dem Elementsubstrat 501 angebracht, so dass das Licht emittierende Element 517 in einem Raum 518, der von dem Elementsubstrat 501, dem Dichtungssubstrat 506 und dem Dichtungsmittel 505 eingeschlossen ist, bereitgestellt ist. Der Raum 518 kann mit einem Inertgas (wie z. B. Stickstoff oder Argon) oder mit dem Dichtungsmittel 505 gefüllt sein.
  • Ein Harz auf Epoxid-Basis oder niedrigschmelzendes Glas wird vorzugsweise für das Dichtungsmittel 505 verwendet. Es ist bevorzugt, dass ein solches Material möglichst wenig Feuchtigkeit oder möglichst wenig Sauerstoff durchlässt. Als das Dichtungssubstrat 506 kann ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat oder ein Kunststoffsubstrat, das aus glasfaserverstärkten Kunststoffen (fiberglass reinforced plastic, FRP), Polyvinylfluorid (PVF), Polyester, Acryl oder dergleichen hergestellt wird, verwendet werden.
  • Auf die zuvor beschriebene Weise kann eine Licht emittierende Aktiv-Matrix-Vorrichtung erhalten werden.
  • Es sei angemerkt, dass die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur angemessen mit einer der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen kombiniert werden kann.
  • (Ausführungsform 6)
  • Bei dieser Ausführungsform werden Beispiele für verschiedene elektronische Geräte, die unter Verwendung einer Licht emittierenden Vorrichtung fertiggestellt werden, anhand von 9A bis 9D und 10A bis 10C beschrieben. Die Licht emittierende Vorrichtung wird unter Verwendung eines Licht emittierenden Elements hergestellt.
  • Beispiele für elektronische Geräte, auf die die Licht emittierende Vorrichtung angewendet wird, sind Fernsehgeräte (auch als Fernseher oder Fernsehempfänger bezeichnet), Monitore für Computer und dergleichen, Kameras, wie z. B. Digitalkameras und Digitalvideokameras, digitale Fotorahmen, Mobiltelefone (auch als Mobiltelefonvorrichtungen bezeichnet), tragbare Spielkonsolen, tragbare Informationsendgeräte, Audiowiedergabevorrichtungen, große Spieleinrichtungen wie z. B. Flipperautomaten und dergleichen. Konkrete Beispiele für diese elektronischen Geräte sind in 9A bis 9D gezeigt.
  • 9A zeigt ein Beispiel für ein Fernsehgerät. In einem Fernsehgerät 7100 ist ein Anzeigeabschnitt 7103 in einem Gehäuse 7101 eingebaut. Der Anzeigeabschnitt 7103 ist in der Lage, Bilder anzuzeigen, und eine Licht emittierende Vorrichtung kann für den Anzeigeabschnitt 7103 verwendet werden. Zusätzlich wird das Gehäuse 7101 von einem Ständer 7105 getragen.
  • Das Fernsehgerät 7100 kann über einen Bedienungsschalter des Gehäuses 7101 oder eine separate Fernbedienung 7110 bedient werden. Über Bedientasten 7109 der Fernbedienung 7110, können die Kanäle und die Lautstärke gesteuert werden und die auf dem Anzeigeabschnitt 7103 angezeigten Bilder können gesteuert werden. Des Weiteren kann die Fernbedienung 7110 mit einem Anzeigebereich 7107 versehen sein, um die Daten, die von der Fernbedienung 7110 ausgegeben werden, anzuzeigen.
  • Es sei angemerkt, dass das Fernsehgerät 7100 mit einem Empfänger, einem Modem und dergleichen ausgestattet ist. Über den Empfänger kann ein allgemeines Fernsehprogramm empfangen werden. Wenn des Weiteren das Fernsehgerät 7100 mit einem Kommunikationsnetzwerk über eine verdrahtete oder drahtlose Verbindung über das Modem verbunden ist, kann Datenkommunikation in einer Richtung (von einem Transmitter zu einem Empfänger) oder in zwei Richtungen (zwischen einem Transmitter und einem Empfänger, zwischen Empfängern oder dergleichen) durchgeführt werden.
  • 9B zeigt einen Computer, der einen Hauptkörper 7201, ein Gehäuse 7202, einen Anzeigeabschnitt 7203, eine Tastatur 7204, einen externen Verbindungsanschluss 7205, eine Zeigevorrichtung 7206 und dergleichen beinhaltet. Es sei angemerkt, dass dieser Computer unter Verwendung einer Licht emittierenden Vorrichtung für den Anzeigeabschnitt 7203 hergestellt wird.
  • 9C zeigt eine tragbare Spielkonsole, die zwei Gehäuse, d. h. ein Gehäuse 7301 und ein Gehäuse 7302, beinhaltet, die über einen Gelenkteil 7303 miteinander verbunden sind, so dass die tragbare Spielkonsole geöffnet oder geschlossen werden kann. Ein Anzeigeabschnitt 7304 ist in das Gehäuse 7301 eingebaut, und ein Anzeigeabschnitt 7305 ist in das Gehäuse 7302 eingebaut. Außerdem beinhaltet die tragbare Spielkonsole in 9C einen Lautsprecherabschnitt 7306, einen Aufzeichnungsmedien-Einsetzabschnitt 7307, eine LED-Lampe 7308, Eingabemittel (eine Bedienungstaste 7309, einen Verbindungsanschluss 7310, einen Sensor 7311 (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, elektrischem Strom, Spannung, elektrischer Leistung, Strahlung, Durchflussmenge, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahlen) und ein Mikrofon 7312) und dergleichen. Natürlich ist die Struktur der tragbaren Spielkonsole nicht auf die obige Struktur beschränkt, solange eine Licht emittierende Vorrichtung für den Anzeigeabschnitt 7304 und/oder den Anzeigeabschnitt 7305 verwendet wird, und kann angemessen andere Zubehörteile aufweisen. Die tragbare Spielkonsole in 9C hat eine Funktion zum Lesen eines Programms oder der Daten, das/die in einem Speichermedium gespeichert ist/sind, um es/sie auf dem Anzeigeabschnitt anzuzeigen, und eine Funktion zum Teilen einer Information mit einer anderen tragbaren Spielkonsole über drahtlose Kommunikation. Es sei angemerkt, dass die tragbare Spielkonsole in 9C verschiedene Funktionen ohne Beschränkung auf die obigen Funktionen haben kann.
  • 9D zeigt ein Beispiel für ein Mobiltelefon. Ein Mobiltelefon 7400 beinhaltet einen Anzeigeabschnitt 7402, der in einem Gehäuse 7401 eingebaut ist, Bedienungsknöpfe 7403, einen externen Verbindungsanschluss 7404, einen Lautsprecher 7405, ein Mikrofon 7406 und dergleichen. Es sei angemerkt, dass das Mobiltelephon 7400 unter Verwendung einer Licht emittierenden Vorrichtung für den Anzeigeabschnitt 7402 hergestellt wird.
  • Wenn der Anzeigeabschnitt 7402 des Mobiltelefons 7400 in 9D mit einem Finger oder dergleichen berührt wird, können Daten in das Mobiltelefon 7400 eingegeben werden. Ferner können Bedienungen wie z. B. Anrufen und Schreiben einer E-Mail durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 mit einem Finger oder dergleichen durchgeführt werden.
  • Es gibt hauptsächlich drei Bildschirmmodi des Anzeigeabschnitts 7402. Der erste Modus ist ein Anzeigemodus, bei dem hauptsächlich Bilder angezeigt werden. Der zweite Modus ist ein Eingabemodus, bei dem hauptsächlich Information wie z. B. ein Text eingegeben wird. Der dritte Modus ist ein Anzeige- und Eingabemodus, bei dem zwei Modi, der Anzeigemodus und der Eingabemodus, kombiniert werden.
  • Beispielsweise wird im Fall von Anrufen oder Schreiben einer E-Mail ein Texteingabemodus, bei dem hauptsächlich ein Text eingegeben wird, für den Anzeigeabschnitt 7402 ausgewählt, so dass ein auf dem Bildschirm angezeigter Text eingegeben werden kann. In diesem Fall ist es bevorzugt, eine Tastatur oder Nummerknöpfe auf fast dem ganzen Bildschirm des Anzeigeabschnitts 7402 darzustellen.
  • Wenn eine Detektorvorrichtung mit einem Sensor zum Detektieren der Neigung, wie z. B. einem Kreiselinstrument oder einem Beschleunigungssensor, innerhalb des Mobiltelefons 7400 vorgesehen ist, kann die Anzeige auf dem Bildschirm des Anzeigeabschnitts 7402 durch Bestimmen der Richtung des Mobiltelefons 7400 (ob das Mobiltelefon horizontal oder vertikal für ein Querformat oder ein Hochformat gestellt ist) automatisch umgeschaltet werden.
  • Die Bildschirmmodi werden durch Berührung des Anzeigeabschnitts 7402 oder durch Bedienung der Bedienknöpfe 7403 des Gehäuses 7401 umgeschaltet. Alternativ können die Bildschirmmodi abhängig von der Art der auf dem Anzeigeabschnitt 7402 angezeigten Bilder umgeschaltet werden. Wenn beispielsweise ein Signal für ein Bild, das auf dem Anzeigeabschnitt angezeigt wird, Daten von bewegten Bildern ist, dann wird der Bildschirmmodus auf den Anzeigemodus umgeschaltet. Wenn das Signal Textdaten ist, dann wird der Bildschirmmodus auf den Eingabemodus umgeschaltet.
  • Wenn des Weiteren im Eingabemodus ein Signal, das von einem optischen Sensor in dem Anzeigeabschnitt 7402 detektiert wird, detektiert wird und während einer bestimmten Zeitdauer keine Berührungseingabe über den Anzeigeabschnitt 7402 erfolgt, dann kann der Bildschirmmodus so eingestellt werden, dass er vom Eingabemodus in den Anzeigemodus umgeschaltet wird.
  • Der Anzeigeabschnitt 7402 kann als Bildsensor dienen. Zum Beispiel wird ein Bild eines Handabdrucks, eines Fingerabdrucks oder dergleichen durch Berührung des Anzeigeabschnitts 7402 mit der Hand oder dem Finger genommen, so dass die persönliche Identifizierung erfolgen kann. Ferner kann dann, wenn eine Hintergrundbeleuchtung oder eine Abtast-Lichtquelle, die Nahinfrarotlicht emittiert, in dem Anzeigeabschnitt bereitgestellt ist, ein Bild einer Fingervene, einer Handflächenvene oder dergleichen auch genommen werden.
  • 10A und 10B zeigen einen klappbaren Tablet-Computer. Der Tablet-Computer ist in 10A geöffnet. Der Tablet-Computer beinhaltet ein Gehäuse 9630, einen Anzeigeabschnitt 9631a, einen Anzeigeabschnitt 9631b, einen Anzeigemodusschalter 9034, einen Leistungsschalter 9035, einen Stromsparerschalter 9036, eine Spange 9033 und einen Bedienungsschalter 9038. Der Tablet-Computer wird unter Verwendung der Licht emittierenden Vorrichtung für den Anzeigeabschnitt 9631a und/oder den Anzeigeabschnitt 9631b hergestellt.
  • Ein Teil des Anzeigeabschnitts 9631a kann ein Touchscreen-Gebiet 9632a sein, und Daten können eingegeben werden, wenn eine angezeigte Bedienungstaste 9637 berührt wird. Obwohl eine Struktur als Beispiel gezeigt ist, bei der eine Hälfte des Anzeigeabschnitts 9631a nur eine Anzeigefunktion hat und die andere Hälfte auch eine Touchscreenfunktion hat, ist der Anzeigeabschnitt 9631a nicht auf die Struktur beschränkt. Das ganze Gebiet des Anzeigeabschnitts 9631a kann eine Touchscreenfunktion haben. Beispielsweise kann der Anzeigeabschnitt 9631a Tastaturknöpfe in dem ganzen Gebiet anzeigen, das ein Touchscreen sein soll, und der Anzeigeabschnitt 9631b kann als Anzeigebildschirm verwendet werden.
  • Wie bei dem Anzeigeabschnitt 9631a kann ein Teil des Anzeigeabschnitts 9631b ein Touchscreen-Gebiet 9632b sein. Wenn ein Knopf 9639 zum Umschalten einer Tastaturanzeige, der auf dem Touchscreen angezeigt wird, mit einem Finger, einem Stift oder dergleichen berührt wird, kann eine Tastatur auf dem Anzeigeabschnitt 9631b angezeigt werden.
  • Eine Berührungseingabe kann in dem Touchscreen-Gebiet 9632a und dem Touchscreen-Gebiet 9632b zur gleichen Zeit durchgeführt werden.
  • Der Anzeigemodusschalter 9034 kann beispielsweise die Anzeige zwischen dem Hochformat, dem Querformat und dergleichen, und zwischen monochromer Anzeige und Farbanzeige umschalten. Der Stromsparerschalter 9036 kann die Anzeigeleuchtdichte entsprechend der Menge an Außenlicht beim Verwenden des Tablet-Computers, die durch einen optischen Sensor in dem Tablet-Computer detektiert wird, steuern. Zusätzlich zu dem optischen Sensor kann eine weitere Detektorvorrichtung mit einem Sensor zum Detektieren der Neigung, wie z. B. einem Kreiselinstrument oder einem Beschleunigungssensor, in dem Tablet-Computer eingebaut werden.
  • 10A zeigt ein Beispiel, in dem der Anzeigeabschnitt 9631a und der Anzeigeabschnitt 9631b die gleiche Anzeigefläche aufweisen. Jedoch kann ohne Beschränkung darauf einer der Anzeigeabschnitte hinsichtlich der Größe und Anzeigequalität anders als der andere Anzeigeabschnitt sein. Beispielsweise kann ein Anzeigefeld ein Bild mit einer höheren Auflösung als das andere Anzeigefeld anzeigen.
  • Der Tablet-Computer ist in 10B geschlossen. Der Tablet-Computer beinhaltet das Gehäuse 9630, eine Solarzelle 9633, eine Lade- und Entladesteuerschaltung 9634, eine Batterie 9635 und einen Gleichspannungswandler 9636. In 10B ist eine Struktur, die die Batterie 9635 und den Gleichspannungswandler 9636 beinhaltet, als Beispiel für die Lade- und Entladesteuerschaltung 9634 gezeigt.
  • Da der Tablet-Computer zusammenklappbar ist, kann das Gehäuse 9630 geschlossen werden, wenn der Tablet-Computer nicht verwendet wird. Folglich können der Anzeigeabschnitt 9631a und der Anzeigeabschnitt 9631b geschützt werden. Daher kann ein Tablet-Computer, der ausgezeichnete Beständigkeit und ausgezeichnete Zuverlässigkeit hinsichtlich der Langzeitverwendung aufweist, bereitgestellt werden.
  • Ferner kann der Tablet-Computer in 10A und 10B eine Funktion zum Anzeigen verschiedener Arten von Daten (z. B. einem Festbild, einem bewegten Bild und einem Textbild), eine Funktion zum Anzeigen eines Kalenders, eines Datums, der Zeit oder dergleichen auf dem Anzeigeabschnitt, eine Funktion zum Eingeben durch Berühren für eine Bedienung oder eine Bearbeitung der Daten, die auf dem Anzeigeabschnitt angezeigt werden, eine Funktion zum Steuern der Verarbeitung mittels verschiedener Arten von Software (Programmen) und dergleichen haben.
  • Die Solarzelle 9633 auf einer Oberfläche des Tablet-Computers kann dem Touchscreen, dem Anzeigeabschnitt, einem Bildsignalverarbeitungsabschnitt oder dergleichen Leistung zuführen. Es sei angemerkt, dass die Solarzelle 9633 auf einer oder beiden Oberflächen des Gehäuses 9630 bereitgestellt sein kann, so dass die Batterie 9635 effizient aufgeladen werden kann. Die Verwendung einer Lithium-Ionenbatterie als die Batterie 9635 ist vorteilhaft für Verkleinerung oder dergleichen.
  • Die Struktur und die Bedienung der Lade- und Entladesteuerschaltung 9634, die in 10B gezeigt ist, werden unter Verwendung eines Blockdiagramms in 10C beschrieben. Die Solarzelle 9633, die Batterie 9635, der Gleichspannungswandler 9636, ein Wandler 9638, Schalter SW1 bis SW3 und ein Anzeigeabschnitt 9631 sind in 10C gezeigt, und die Batterie 9635, der Gleichspannungswandler 9636, der Wandler 9638 und die Schalter SW1 bis SW3 entsprechen der Lade- und Entladesteuerschaltung 9634 in 10B.
  • Zuerst wird ein Beispiel für die Bedienung in dem Fall, in dem Leistung von der Solarbatterie 9633 unter Verwendung von Außenlicht erzeugt wird, beschrieben. Die Spannung der von der Solarzelle 9633 erzeugten Leistung wird durch den Gleichspannungswandler 9636 erhöht oder verringert, so dass die Leistung eine zum Aufladen der Batterie 9635 benötigte Spannung aufweist. Dann wird, wenn die Leistung von der Solarzelle 9633 für die Bedienung des Anzeigeabschnitts 9631 verwendet wird, der Schalter SW1 eingeschaltet, und die Spannung, die zu der Leistung gehört, wird durch den Wandler 9638 erhöht oder verringert, so dass sie einer Spannung, die für den Anzeigeabschnitt 9631 erforderlich ist, entspricht. Ferner wird dann, wenn keine Anzeige auf dem Anzeigeabschnitt 9631 erfolgt, der Schalter SW1 ausgeschaltet, und der Schalter SW2 wird eingeschaltet, so dass die Batterie 9635 aufgeladen werden kann.
  • Es sei angemerkt, dass zwar die Solarzelle 9633 als Beispiel für ein Mittel zur Leistungserzeugung beschrieben wird, die Batterie 9635 aber ohne Beschränkung darauf auch mittels eines anderen Mittels zur Leistungserzeugung, wie z. B. eines piezoelektrischen Elements oder eines thermoelektrischen Wandlerelements (Peltier-Elements), aufgeladen werden kann. Beispielsweise kann ein kontaktfreier Leistungsübertragungsmodul, der Leistung drahtlos (ohne Kontakt) überträgt und empfängt, um die Batterie 9635 aufzuladen, oder eine Kombination aus der Solarzelle 9633 und einem anderen Mittel zum Aufladen verwendet werden.
  • Natürlich ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf das elektronische Gerät, das in 10A bis 10C gezeigt ist, beschränkt, solange der bei der vorstehenden Ausführungsform beschriebene Anzeigeabschnitt darin enthalten ist.
  • Wie oben beschrieben können die elektronischen Geräte durch die Verwendung der Licht emittierenden Vorrichtung, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, erhalten werden. Die Licht emittierende Vorrichtung hat einen sehr großen Einsatzbereich und kann auf elektronische Geräte auf verschiedenen Feldern angewendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur soweit angemessen mit einer der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen kombiniert werden kann.
  • (Ausführungsform 7)
  • Bei dieser Ausführungsform werden Beispiele für Beleuchtungsvorrichtungen anhand von 11 beschrieben. Eine Licht emittierende Vorrichtung findet Anwendung für Beleuchtungsvorrichtungen.
  • 11 zeigt ein Beispiel, in dem eine Licht emittierende Vorrichtung für eine Innenbeleuchtungsvorrichtung 8001 verwendet wird. Da die Licht emittierende Vorrichtung eine größere Fläche haben kann, kann auch eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer großen Fläche ausgebildet werden. Zudem kann auch eine Beleuchtungsvorrichtung 8002, bei der ein Licht emittierender Bereich eine gekrümmte Oberfläche aufweist, unter Verwendung eines Gehäuses mit einer gekrümmten Oberfläche erhalten werden. Ein Licht emittierendes Element in der Licht emittierenden Vorrichtung, die bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, ist in Form eines dünnen Films, was ermöglicht, dass das Gehäuse freier konstruiert wird. Folglich kann die Beleuchtungsvorrichtung in verschiedenen Arten kunstvoll konstruiert werden. Darüber hinaus kann eine Wand des Zimmers mit einer großen Beleuchtungsvorrichtung 8003 versehen sein.
  • Außerdem kann dann, wenn die Licht emittierende Vorrichtung für einen Tisch verwendet wird, indem sie als Oberfläche eines Tisches verwendet wird, eine Beleuchtungsvorrichtung 8004 mit einer Funktion als Tisch erhalten werden. Wenn die Licht emittierende Vorrichtung als Teil anderer Möbel verwendet wird, kann eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer Funktion als Möbel erhalten werden.
  • Auf diese Weise können verschiedene Beleuchtungsvorrichtungen erhalten werden, auf die die Licht emittierende Vorrichtung angewendet wird. Es sei angemerkt, dass derartige Beleuchtungsvorrichtungen ebenfalls Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind.
  • Die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur kann soweit angemessen mit einer der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen kombiniert werden.
  • [Beispiel 1]
  • In diesem Beispiel wird ein Licht emittierendes Element 1 anhand von 12 beschrieben. Chemische Formeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien werden im Folgenden dargestellt.
    Figure DE112013007607B3_0005
  • <<Herstellung des Licht emittierenden Elements 1>>
  • Zunächst wurde ein Film von Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthielt (indium tin oxide containing silicon oxide, ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat 1100 ausgebildet, so dass eine erste Elektrode 1101, die als Anode diente, ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die Dicke auf 110 nm eingestellt wurde und dass die Elektrodenfläche auf 2 mm × 2 mm eingestellt wurde.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 1 über dem Substrat 1100 eine UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang durchgeführt, nachdem eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen worden war und eine Stunde lang bei 200°C gebacken worden war.
  • Anschließend wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfeinrichtung befördert, in welcher der Druck auf ungefähr 10–4 Pa reduziert wurde, und wurde einem Vakuumbacken bei 170°C für 30 Minuten in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung unterzogen und anschließend wurde das Substrat 1100 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Das Substrat 1100 wurde als Nächstes an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung derart befestigt, dass sich eine Oberfläche, auf der die erste Elektrode 1101 ausgebildet war, nach unten richtete. In diesem Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem eine Lochinjektionsschicht 1111, eine Lochtransportschicht 1112, eine Licht emittierende Schicht 1113, eine Elektronentransportschicht 1114 und eine Elektroneninjektionsschicht 1115, die in der EL-Schicht 1102 enthalten sind, nacheinander unter Verwendung eines Vakuumverdampfverfahrens ausgebildet werden.
  • Der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung wurde auf etwa 10–4 Pa verringert. Dann wurden 1,3,5-Tri(dibenzothiophen-4-yl)benzol (Abkürzung: DBT3P-II) und Molybdän(VI)oxid co-verdampft, wobei das Massenverhältnis von DBT3P-II (Abkürzung) zu Molybdänoxid 4:2 betrug. Dadurch wurde die Lochinjektionsschicht 1111 über der ersten Elektrode 1101 ausgebildet. Die Dicke der Lochinjektionsschicht 1111 betrug 40 nm. Es sei angemerkt, dass Co-Verdampfung ein Verdampfverfahren ist, bei dem einige verschiedene Substanzen gleichzeitig aus entsprechenden verschiedenen Verdampfquellen verdampft werden.
  • Als Nächstes wurde die Lochtransportschicht 1112 in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung von 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP) ausgebildet.
  • Als Nächstes wurde die Licht emittierende Schicht 1113 über der Lochtransportschicht 1112 ausgebildet. Die Licht emittierende Schicht 1113 mit einer gestapelten Struktur wurde wie folgt ausgebildet. Eine erste Licht emittierende Schicht 1113a in einer Dicke von 15 nm wurde durch Co-Verdampfung von 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II),
    4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB) und (Acetylacetonato)bis(6-tert-butyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(tBuppm)2(acac)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) zu PCBNBB (Abkürzung) und [Ir(tBuppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,7:0,3:0,05 betrug, und dann wurde eine zweite Licht emittierende Schicht 1113b in einer Dicke von 25 nm durch Co-Verdampfung von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung), PCBNBB (Abkürzung) und [Ir(tBuppm)2(acac)] (Abkürzung) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) zu PCBNBB (Abkürzung) und [Ir(tBuppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,8:0,2:0,05 betrug.
  • Als Nächstes wurde über der Licht emittierenden Schicht 1113 die Elektronentransportschicht 1114 auf eine solche Weise ausgebildet, dass durch Verdampfung ein Film von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) in einer Dicke von 10 nm ausgebildet wurde, und dann durch Verdampfung ein Film von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen) in einer Dicke von 20 nm ausgebildet wurde. Über der Elektronentransportschicht 1114 wurde weiterhin ein Film von Lithiumfluorid durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm ausgebildet, wobei die Elektroneninjektionsschicht 1115 ausgebildet wurde.
  • Zuletzt wurde ein Aluminiumfilm über der Elektroneninjektionsschicht 1115 durch Verdampfung in einer Dicke von 200 nm ausgebildet, um eine zweite Elektrode 1103 auszubilden, die als Kathode diente; auf diese Weise wurde das Licht emittierende Element 1 hergestellt. Es sei angemerkt, dass bei allen obigen Verdampfschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Tabelle 1 zeigt eine Elementstruktur des Licht emittierenden Elements 1, das wie oben beschrieben erhalten wurde. [Tabelle 1]
    Figure DE112013007607B3_0006
  • Das hergestellte Licht emittierende Element 1 wurde in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit es nicht der Luft ausgesetzt war (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel auf eine Außenkante des Elements aufgebracht, und eine Wärmebehandlung wurde 1 Stunde lang bei 80°C zum Zeitpunkt der Abdichtung durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 1>>
  • Betriebseigenschaften des hergestellten Licht emittierenden Elements 1 wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • Zuerst zeigt 13 die Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1. In 13 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Stromdichte (mA/cm2) dar. 14 zeigt die Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1. In 14 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 15 zeigt die Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1. In 15 stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 16 zeigt die Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1. In 16 stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar.
  • 14 zeigt hohe Effizienz des Licht emittierenden Elements 1 auf. Tabelle 2 zeigt Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 1 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 2]
    Figure DE112013007607B3_0007
  • Die obigen Ergebnisse zeigen, dass das in diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Element 1 hohe externe Quantenausbeute aufweist, was bedeutet, dass seine Emissionseffizienz hoch ist. Bezüglich der Farbreinheit kann weiterhin festgestellt werden, dass das Licht emittierende Element gelb-grünes Licht mit einer hohen Farbreinheit emittiert.
  • 17 zeigt ein Emissionsspektrum zum Zeitpunkt einer Zuführung eines Stroms bei einer Stromdichte von 25 mA/cm2 zu dem Licht emittierenden Element 1. 17 zeigt, dass das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 1 einen Peak bei zirka 550 nm aufweist, was andeutet, dass der Peak von Emission von dem phosphoreszierenden metallorganischen Iridiumkomplex [Ir(tBuppm)2(acac)] stammt.
  • 18 zeigt Ergebnisse eines Zuverlässigkeitstests an dem Licht emittierenden Element 1. In 18 stellt die vertikale Achse die normalisierte Leuchtdichte (%) mit einer Anfangsleuchtdichte von 100% dar und die horizontale Achse stellt die Betriebsdauer (h) des Elements dar. Zum Vergleich wurde ein Licht emittierendes Vergleichselement dadurch hergestellt, dass eine Licht emittierende Schicht in einer Dicke von 40 nm durch Co-Verdampfung ausgebildet wurde, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) zu PCBNBB (Abkürzung) und [Ir(tBuppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,8:0,2:0,05 betrug, und die anderen Bestandteile in einer ähnlichen Weise wie beim Licht emittierenden Element 1 ausgebildet wurden, und das Licht emittierende Vergleichselement wurde in einer ähnlichen Weise einem Zuverlässigkeitstest unterzogen. Es sei angemerkt, dass bei den Zuverlässigkeitstesten das Licht emittierende Element 1 und das Licht emittierende Vergleichselement unter den Bedingungen betrieben wurden, bei denen die Anfangsleuchtdichte auf 5000 cd/m2 eingestellt wurde und die Stromdichte konstant war. Als Ergebnis zeigte das Licht emittierende Element 1 nach 500 Stunden etwa 90% der Anfangsleuchtdichte, während das Licht emittierende Vergleichselement nach 500 Stunden etwa 85% der Anfangsleuchtdichte zeigte.
  • Somit deuteten die Zuverlässigkeitsteste darauf hin, dass das Licht emittierende Element 1 hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer hat.
  • Es sei angemerkt, dass ein Film von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung), ein Film von PCBNBB (Abkürzung) und ein Gemischfilm von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) und PCBNBB (Abkürzung) ausgebildet wurden, und dass Photolumineszenz (PL) jedes Films gemessen wurde. Die Ergebnisse sind wie folgt: die Photolumineszenz-(PL-)Peakwellenlänge des verdampften Films von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) war 428 nm, und die PL-Peakwellenlänge des verdampften Films von PCBNBB (Abkürzung) war 428 nm, während die PL-Peakwellenlänge des Gemischfilms, der durch Co-Verdampfung dieser Substanzen ausgebildet wurde, 501 nm war und erheblich zu der längeren Wellenlängenseite verschoben wurde. Deshalb kann man finden, dass die Kombination aus 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) und PCBNBB (Abkürzung) einen Exciplex bildet.
  • [Beispiel 2]
  • In diesem Beispiel wird ein Licht emittierendes Element 2 beschrieben. Es sei angemerkt, dass in der Beschreibung des Licht emittierenden Elements 2 in diesem Beispiel 12, welche für die Beschreibung des Licht emittierenden Elements 1 in Beispiel 1 benutzt worden ist, benutzt wird. Chemische Formeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien werden im Folgenden dargestellt.
    Figure DE112013007607B3_0008
  • <<Herstellung des Licht emittierenden Elements 2>>
  • Zunächst wurde ein Film von Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthielt (indium tin oxide containing silicon oxide, ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat 1100 ausgebildet, so dass eine erste Elektrode 1101, die als Anode diente, ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die Dicke auf 110 nm eingestellt wurde und dass die Elektrodenfläche auf 2 mm × 2 mm eingestellt wurde.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 2 über dem Substrat 1100 eine UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang durchgeführt, nachdem eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen worden war und eine Stunde lang bei 200°C gebacken worden war.
  • Anschließend wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfeinrichtung befördert, in welcher der Druck auf ungefähr 10–4 Pa reduziert wurde, und wurde einem Vakuumbacken bei 170°C für 30 Minuten in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung unterzogen und anschließend wurde das Substrat 1100 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Das Substrat 1100 wurde als Nächstes an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung derart befestigt, dass sich eine Oberfläche, auf der die erste Elektrode 1101 ausgebildet war, nach unten richtete. In diesem Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem eine Lochinjektionsschicht 1111, eine Lochtransportschicht 1112, eine Licht emittierende Schicht 1113, eine Elektronentransportschicht 1114 und eine Elektroneninjektionsschicht 1115, die in einer EL-Schicht 1102 enthalten sind, nacheinander unter Verwendung eines Vakuumverdampfverfahrens ausgebildet werden.
  • Der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung wurde auf etwa 10–4 Pa verringert. Dann wurden 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP) und Molybdän(VI)oxid co-verdampft, wobei das Massenverhältnis von BPAFLP (Abkürzung) zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug. Dadurch wurde die Lochinjektionsschicht 1111 über der ersten Elektrode 1101 ausgebildet. Die Dicke der Lochinjektionsschicht 1111 betrug 50 nm. Es sei angemerkt, dass die Co-Verdampfung ein Verdampfverfahren ist, bei dem einige verschiedene Substanzen gleichzeitig aus entsprechenden verschiedenen Verdampfquellen verdampft werden.
  • Als Nächstes wurde die Lochtransportschicht 1112 in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung von BPAFLP (Abkürzung) ausgebildet.
  • Als Nächstes wurde die Licht emittierende Schicht 1113 über der Lochtransportschicht 1112 ausgebildet. Die Licht emittierende Schicht 1113 mit einer gestapelten Struktur wurde wie folgt ausgebildet. Eine erste Licht emittierende Schicht 1113a in einer Dicke von 20 nm wurde durch Co-Verdampfung von 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTPDBq-II), 4-Phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBA1BP) und (Acetylacetonato)bis(6-methyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(mppm)2(acac)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) zu PCBA1BP (Abkürzung) und [Ir(mppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,7:0,3:0,06 betrug, und dann wurde eine zweite Licht emittierende Schicht 1113b in einer Dicke von 20 nm durch Co-Verdampfung von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung), PCBA1BP (Abkürzung) und Bis(2,3,5-triphenylpyradinato)(dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(tppr)2(dpm)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) zu PCBA1BP (Abkürzung) und [Ir(tppr)2(dpm)] (Abkürzung) 0,8:0,2:0,03 betrug.
  • Als Nächstes wurde über der Licht emittierenden Schicht 1113 die Elektronentransportschicht 1114 auf eine solche Weise ausgebildet, dass durch Verdampfung ein Film von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) in einer Dicke von 15 nm ausgebildet wurde, und dann durch Verdampfung ein Film von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen) in einer Dicke von 15 nm ausgebildet wurde. Über der Elektronentransportschicht 1114 wurde weiterhin ein Film von Lithiumfluorid durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm ausgebildet, wobei die Elektroneninjektionsschicht 1115 ausgebildet wurde.
  • Zuletzt wurde ein Aluminiumfilm über der Elektroneninjektionsschicht 1115 durch Verdampfung in einer Dicke von 200 nm ausgebildet, um eine zweite Elektrode 1103 auszubilden, die als Kathode diente; auf diese Weise wurde das Licht emittierende Element 2 hergestellt. Es sei angemerkt, dass bei allen obigen Verdampfschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Tabelle 3 zeigt eine Elementstruktur des Licht emittierenden Elements 2, das wie oben beschrieben erhalten wurde. [Tabelle 3]
    Figure DE112013007607B3_0009
  • Das hergestellte Licht emittierende Element 2 wurde in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit es nicht der Luft ausgesetzt war (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel auf eine Außenkante des Elements aufgebracht, und eine Wärmebehandlung wurde 1 Stunde lang bei 80°C zum Zeitpunkt der Abdichtung durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 2>>
  • Betriebseigenschaften des hergestellten Licht emittierenden Elements 2 wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • Zuerst zeigt 19 die Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 2. In 19 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Stromdichte (mA/cm2) dar. 20 zeigt die Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 2. In 20 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 21 zeigt die Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 2. In 21 stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 22 zeigt die Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 2. In 22 stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar.
  • 21 zeigt hohe Effizienz des Licht emittierenden Elements 2 auf. Tabelle 4 zeigt Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 2 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 4]
    Figure DE112013007607B3_0010
  • Die obigen Ergebnisse zeigen, dass das in diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Element 2 hohe externe Quantenausbeute aufweist, was bedeutet, dass seine Emissionseffizienz hoch ist.
  • 23 zeigt ein Emissionsspektrum zum Zeitpunkt einer Zuführung eines Stroms mit einer Stromdichte von 25 mA/cm2 zu dem Licht emittierenden Element 2. 23 zeigt, dass das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 2 Peaks bei zirka 550 nm und 620 nm aufweist, was andeutet, dass die Peaks von Emission von den phosphoreszierenden metallorganischen Iridiumkomplexen [Ir(mppm)2(acac)] (Abkürzung) und [Ir(tppr)2(dpm)] (Abkürzung) stammen.
  • Es sei angemerkt, dass ein Film von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung), ein Film von PCBA1BP (Abkürzung) und ein Gemischfilm von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) und PCBA1BP (Abkürzung) ausgebildet wurden, und dass Photolumineszenz (PL) jedes Films gemessen wurde. Die Ergebnisse sind wie folgt: die Photolumineszenz-(PL-)Peakwellenlänge des verdampften Films von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) war 426 nm und die PL-Peakwellenlänge des verdampften Films von PCBA1BP (Abkürzung) war 416 nm, während die PL-Peakwellenlänge des Gemischfilms, der durch Co-Verdampfung dieser Substanzen ausgebildet wurde, 519 nm war und erheblich zu der längeren Wellenlängenseite verschoben wurde. Deshalb kann man finden, dass die Kombination aus 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) und PCBA1BP (Abkürzung) einen Exciplex bildet.
  • [Beispiel 3]
  • In diesem Beispiel wurde ein Licht emittierendes Element 3, das in 24 gezeigt ist, hergestellt, und seine Betriebseigenschaften und Zuverlässigkeit wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass das in diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Element 3 ein Licht emittierendes Element (nachstehend als Licht emittierendes Tandem-Element bezeichnet) ist, in dem eine Ladungserzeugungsschicht zwischen einer Vielzahl von EL-Schichten angeordnet ist, wie bei der Ausführungsform 3 beschrieben. Chemische Formeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien werden im Folgenden dargestellt.
    Figure DE112013007607B3_0011
  • <<Herstellung des Licht emittierenden Elements 3>>
  • Zunächst wurde ein Film von Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthielt (indium tin oxide containing silicon oxide, ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat 3000 ausgebildet, so dass eine erste Elektrode 3001, die als Anode diente, ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die Dicke auf 110 nm eingestellt wurde und dass die Elektrodenfläche auf 2 mm × 2 mm eingestellt wurde.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 3 über dem Substrat 3000 eine UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang durchgeführt, nachdem eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen worden war und eine Stunde lang bei 200°C gebacken worden war.
  • Anschließend wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfeinrichtung befördert, in welcher der Druck auf ungefähr 10–4 Pa reduziert wurde, und wurde einem Vakuumbacken bei 170°C 30 Minuten lang in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung unterzogen und anschließend wurde das Substrat 3000 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Das Substrat 3000 wurde als Nächstes an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung derart befestigt, dass sich eine Oberfläche, auf der die erste Elektrode 3001 ausgebildet war, nach unten richtete. In diesem Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem durch ein Vakuum-Verdampfverfahren eine erste Lochinjektionsschicht 3011a, eine erste Lochtransportschicht 3012a, eine Licht emittierende Schicht (A) 3013a, eine erste Elektronentransportschicht 3014a und eine erste Elektroneninjektionsschicht 3015a, die in einer ersten EL-Schicht 3002a enthalten sind, nacheinander ausgebildet werden, eine Ladungserzeugungsschicht 3004 ausgebildet wird, und dann eine zweite Lochinjektionsschicht 3011b, eine zweite Lochtransportschicht 3012b, eine Licht emittierende Schicht (B) 3013b, eine zweite Elektronentransportschicht 3014b und eine zweite Elektroneninjektionsschicht 3015b, die in einer zweiten EL-Schicht 3002b enthalten sind, nacheinander ausgebildet werden.
  • Der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung wurde auf etwa 10–4 Pa verringert. Dann wurden 9-[4-(9-Phenylcarbazol-3-yl)]phenyl-10-phenylanthracen (Abkürzung: PCzPA) und Molybdän(VI)oxid co-verdampft, wobei das Massenverhältnis von PCzPA (Abkürzung) zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug. Dadurch wurde die erste Lochinjektionsschicht 3011a über der ersten Elektrode 3001 ausgebildet. Die Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 3011a wurde auf 90 nm eingestellt. Es sei angemerkt, dass die Co-Verdampfung ein Verdampfverfahren ist, bei dem einige verschiedene Substanzen gleichzeitig aus entsprechenden verschiedenen Verdampfquellen verdampft werden.
  • Als Nächstes wurde die erste Lochtransportschicht 3012a durch Verdampfung von PCzPA (Abkürzung) in einer Dicke von 30 nm ausgebildet.
  • Dann wurde die Licht emittierende Schicht (A) 3013a über der ersten Lochtransportschicht 3012a ausgebildet. Die Licht emittierende Schicht (A) 3013a wurde durch Co-Verdampfung von 9-[4-(10-Phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA) und N,N'-bis(3-Methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-pyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6mMemFLPAPrn) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von CzPA (Abkürzung) zu 1,6mMemFLPAPrn (Abkürzung) 1:0,05 betrug. Die Dicke der Licht emittierenden Schicht (A) 3013a betrug 30 nm.
  • Als Nächstes wurde über der Licht emittierenden Schicht (A) 3013a die erste Elektronentransportschicht 3014a auf eine solche Weise ausgebildet, dass durch Verdampfung ein Film von CzPA (Abkürzung) in einer Dicke von 5 nm ausgebildet wurde, und dann durch Verdampfung ein Film von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen) in einer Dicke von 15 nm ausgebildet wurde. Über der ersten Elektronentransportschicht 3014a wurde weiterhin ein Film von Lithiumoxid (Li2O) durch Verdampfung in einer Dicke von 0,1 nm ausgebildet, wodurch die erste Elektroneninjektionsschicht 3015a ausgebildet wurde.
  • Anschließend wurde Kupferphthalocyanin (Abkürzung: CuPc) in einer Dicke von 2 nm über der ersten Elektroneninjektionsschicht 3015a verdampft, wodurch die Ladungserzeugungsschicht 3004 ausgebildet wurde.
  • Anschließend wurden 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP) und Molybdän(VI)oxid co-verdampft, wobei das Massenverhältnis von BPAFLP (Abkürzung) zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug, wodurch die zweite Lochinjektionsschicht 3011b über der Ladungserzeugungsschicht 3004 ausgebildet wurde. Die Dicke der zweiten Lochinjektionsschicht 3011b betrug 60 nm.
  • Dann wurde die zweite Lochtransportschicht 3012b durch Verdampfung von BPAFLP (Abkürzung) in einer Dicke von 20 nm ausgebildet.
  • Als Nächstes wurde die Licht emittierende Schicht (B) 3013b über der zweiten Lochtransportschicht 3012b ausgebildet. Die Licht emittierende Schicht (B) 3013b mit einer gestapelten Struktur wurde wie folgt ausgebildet. Eine erste Licht emittierende Schicht 3013(b1) in einer Dicke von 10 nm wurde durch Co-Verdampfung von 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTPDBq-II), 4-Phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBA1BP) und (Acetylacetonato)bis(6-methyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(mppm)2(acac)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) zu PCBA1BP (Abkürzung) und [Ir(mppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,6:0,4:0,06 betrug, und dann wurde eine zweite Licht emittierende Schicht 3013(b2) in einer Dicke von 30 nm durch Co-Verdampfung von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung), PCBA1BP (Abkürzung) und (Acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(dppm)2(acac)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) zu PCBA1BP (Abkürzung) und [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,8:0,2:0,06 betrug.
  • Als Nächstes wurde über der Licht emittierenden Schicht (B) 3013b die zweite Elektronentransportschicht 3014b auf eine solche Weise ausgebildet, dass durch Verdampfung ein Film von 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) in einer Dicke von 15 nm ausgebildet wurde, und dann durch Verdampfung ein Film von BPhen (Abkürzung) in einer Dicke von 15 nm ausgebildet wurde. Über der zweiten Elektronentransportschicht 3014b wurde weiterhin ein Film von Lithiumfluorid durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm ausgebildet, wodurch die zweite Elektroneninjektionsschicht 3015b ausgebildet wurde.
  • Zuletzt wurde ein Aluminiumfilm über der zweiten Elektroneninjektionsschicht 3015b durch Verdampfung in einer Dicke von 200 nm als eine zweite Elektrode 3003, die als Kathode diente, ausgebildet. Dadurch wurde das Licht emittierende Element 3 hergestellt. Es sei angemerkt, dass bei allen obigen Verdampfschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Tabelle 5 zeigt eine Elementstruktur des Licht emittierenden Elements 3, das wie oben beschrieben erhalten wurde. [Tabelle 5]
    Figure DE112013007607B3_0012
  • Das hergestellte Licht emittierende Element 3 wurde in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit es nicht der Luft ausgesetzt war (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel auf eine Außenkante des Elements aufgebracht, und eine Wärmebehandlung wurde 1 Stunde lang bei 80°C zum Zeitpunkt der Abdichtung durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 3>>
  • Betriebseigenschaften des hergestellten Licht emittierenden Elements 3 wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • Zuerst zeigt 25 die Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3. In 25 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Stromdichte (mA/cm2) dar. 26 zeigt die Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3. In 26 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 27 zeigt die Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3. In 27 stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 28 zeigt die Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 3. In 28 stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar.
  • 27 zeigt hohe Effizienz des Licht emittierenden Elements 3 auf. Tabelle 6 zeigt Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 3 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 6]
    Figure DE112013007607B3_0013
  • Die obigen Ergebnisse zeigen, dass das in diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Element 3 hohe externe Quantenausbeute aufweist, was bedeutet, dass seine Emissionseffizienz hoch ist.
  • 29 zeigt ein Emissionsspektrum zum Zeitpunkt einer Zuführung eines Stroms mit einer Stromdichte von 25 mA/cm2 zu dem Licht emittierenden Element 3. 29 zeigt, dass das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 3 Peaks bei 467 nm und 587 nm aufweist, was andeutet, dass die Peaks von Emission von den phosphoreszierenden metallorganischen Iridiumkomplexen, die in den Licht emittierenden Schichten enthalten sind, stammen.
  • Es sei angemerkt, dass die Kombination aus 2mDBTPDBq-II (Abkürzung) und PCBA1BP (Abkürzung) einen Exciplex bildet, wie in dem vorstehenden Beispiel 2 beschrieben worden ist.
  • [Beispiel 4]
  • In diesem Beispiel wird ein Licht emittierendes Element 4 anhand von 12 beschrieben. Chemische Formeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien werden im Folgenden dargestellt.
    Figure DE112013007607B3_0014
  • <<Herstellung des Licht emittierenden Elements 4>>
  • Zunächst wurde ein Film von Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthielt (indium tin oxide containing silicon oxide, ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat 1100 ausgebildet, so dass eine erste Elektrode 1101, die als Anode diente, ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die Dicke auf 110 nm eingestellt wurde und dass die Elektrodenfläche auf 2 mm × 2 mm eingestellt wurde.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 4 über dem Substrat 1100 eine UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang durchgeführt, nachdem eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen worden war und eine Stunde lang bei 200°C gebacken worden war.
  • Anschließend wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfeinrichtung befördert, in welcher der Druck auf ungefähr 10–4 Pa reduziert wurde, und wurde einem Vakuumbacken 30 Minuten lang bei 170°C in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung unterzogen und dann wurde das Substrat 1100 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Das Substrat 1100 wurde als Nächstes an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung derart befestigt, dass sich eine Oberfläche, auf der die erste Elektrode 1101 ausgebildet war, nach unten richtete. In diesem Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem eine Lochinjektionsschicht 1111, eine Lochtransportschicht 1112, eine Licht emittierende Schicht 1113, eine Elektronentransportschicht 1114 und eine Elektroneninjektionsschicht 1115, die in einer EL-Schicht 1102 enthalten sind, nacheinander unter Anwendung eines Vakuumverdampfverfahrens ausgebildet werden.
  • Der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung wurde auf etwa 10–4 Pa verringert. Dann wurden 1,3,5-Tri(dibenzothiophen-4-yl)benzol (Abkürzung: DBT3P-II) und Molybdän(VI)oxid co-verdampft, wobei das Massenverhältnis von DBT3P-II (Abkürzung) zu Molybdänoxid 4:2 betrug, wodurch die Lochinjektionsschicht 1111 über der ersten Elektrode 1101 ausgebildet wurde. Die Dicke der Lochinjektionsschicht 1111 betrug 20 nm. Es sei angemerkt, dass die Co-Verdampfung ein Verdampfverfahren ist, bei dem einige verschiedene Substanzen gleichzeitig aus jeweiligen verschiedenen Verdampfquellen verdampft werden.
  • Als Nächstes wurde die Lochtransportschicht 1112 in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung von 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP) ausgebildet.
  • Als Nächstes wurde die Licht emittierende Schicht 1113 über der Lochtransportschicht 1112 ausgebildet. Die Licht emittierende Schicht 1113 mit einer gestapelten Struktur wurde wie folgt ausgebildet. Eine erste Licht emittierende Schicht 1113a wurde in einer Dicke von 20 nm durch Co-Verdampfung von 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II),
    4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB) und (Acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(dppm)2(acac)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) zu PCBNBB (Abkürzung) und [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,7:0,3:0,05 betrug, und dann wurde eine zweite Licht emittierende Schicht 1113b in einer Dicke von 20 nm durch Co-Verdampfung ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) zu PCBNBB (Abkürzung) und [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,8:0,2:0,05 betrug.
  • Dann wurde über der Licht emittierenden Schicht 1113 die Elektronentransportschicht 1114 derart ausgebildet, dass ein Film von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung ausgebildet wurde, und dann ein Film von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen) in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung ausgebildet wurde. Über der Elektronentransportschicht 1114 wurde weiterhin ein Film von Lithiumfluorid durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm ausgebildet, wodurch die Elektroneninjektionsschicht 1115 ausgebildet wurde.
  • Schließlich wurde über der Elektroneninjektionsschicht 1115 ein Aluminiumfilm in einer Dicke von 200 nm durch Verdampfung als eine zweite Elektrode 1103, die als Kathode diente, ausgebildet. Somit wurde das Licht emittierende Element 4 hergestellt. Es sei angemerkt, dass bei allen obigen Verdampfschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Tabelle 7 zeigt eine Elementstruktur des Licht emittierenden Elements 4, welches wie oben beschrieben erhalten wurde. [Tabelle 7]
    Figure DE112013007607B3_0015
  • Das hergestellte Licht emittierende Element 4 wurde in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit es nicht der Luft ausgesetzt war (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel auf eine Außenkante des Elements aufgebracht, und eine Wärmebehandlung wurde 1 Stunde lang bei 80°C zum Zeitpunkt der Abdichtung durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 4>>
  • Betriebseigenschaften des hergestellten Licht emittierenden Elements 4 wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • Zuerst zeigt 30 die Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4. In 30 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Stromdichte (mA/cm2) dar. 31 zeigt die Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4. In 31 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 32 zeigt die Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4. In 32 stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 33 zeigt die Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4. In 33 stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar.
  • 32 zeigt hohe Effizienz des Licht emittierenden Elements 4 auf. Tabelle 8 zeigt Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 4 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 8]
    Figure DE112013007607B3_0016
  • Die obigen Ergebnisse zeigen, dass das in diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Element 4 hohe externe Quantenausbeute aufweist, was bedeutet, dass seine Emissionseffizienz hoch ist. Bezüglich der Farbreinheit kann man weiterhin finden, dass das Licht emittierende Element oranges Licht mit einer hohen Farbreinheit emittiert.
  • 34 zeigt ein Emissionsspektrum zum Zeitpunkt einer Zuführung eines Stroms bei einer Stromdichte von 25 mA/cm2 zu dem Licht emittierenden Element 4. 34 zeigt, dass das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 4 einen Peak bei 586 nm hat, was darauf hindeutet, dass der Peak von einer Emission des phosphoreszierenden metallorganischen Iridiumkomplexes [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) stammt.
  • 35 zeigt Ergebnisse eines Zuverlässigkeitstests an dem Licht emittierenden Element 4. In 35 stellt die vertikale Achse die normalisierte Leuchtdichte (%) mit einer Anfangsleuchtdichte von 100% dar und die horizontale Achse stellt die Betriebsdauer (h) des Elements dar. Es sei angemerkt, dass in dem Zuverlässigkeitstest das Licht emittierende Element 4 so betrieben wurde, dass die Anfangsleuchtdichte 5000 cd/m2 betrug und die Stromdichte konstant gehalten wurde. Als Ergebnis zeigte das Licht emittierende Element 4 nach 1610 Stunden noch etwa 94% der Anfangsleuchtdichte.
  • Auf diese Weise bewies der Zuverlässigkeitstest, dass das Licht emittierende Element 4 hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer hat.
  • Es sei angemerkt, dass die Kombination aus 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) und PCBNBB (Abkürzung) einen Exciplex bildet, wie in dem vorstehenden Beispiel 1 beschrieben worden ist.
  • [Beispiel 5]
  • In diesem Beispiel wird ein Licht emittierendes Element 5 anhand von 12 beschrieben. Chemische Formeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien werden im Folgenden dargestellt.
    Figure DE112013007607B3_0017
  • <<Herstellung des Licht emittierenden Elements 5>>
  • Zunächst wurde ein Film von Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthielt (indium tin oxide containing silicon oxide, ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat 1100 ausgebildet, so dass eine erste Elektrode 1101, die als Anode diente, ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die Dicke auf 110 nm eingestellt wurde und dass die Elektrodenfläche auf 2 mm × 2 mm eingestellt wurde.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 5 über dem Substrat 1100 eine UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang durchgeführt, nachdem eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen worden war und eine Stunde lang bei 200°C gebacken worden war.
  • Anschließend wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfeinrichtung befördert, in welcher der Druck auf ungefähr 10–4 Pa reduziert wurde, und wurde einem Vakuumbacken 30 Minuten lang bei 170°C in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung unterzogen und dann wurde das Substrat 1100 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Das Substrat 1100 wurde als Nächstes an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung derart befestigt, dass sich eine Oberfläche, auf der die erste Elektrode 1101 ausgebildet war, nach unten richtete. In diesem Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem eine Lochinjektionsschicht 1111, eine Lochtransportschicht 1112, eine Licht emittierende Schicht 1113, eine Elektronentransportschicht 1114 und eine Elektroneninjektionsschicht 1115, die in einer EL-Schicht 1102 enthalten sind, nacheinander unter Anwendung eines Vakuumverdampfverfahrens ausgebildet werden.
  • Der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung wurde auf ungefähr 10–4 Pa verringert. Dann wurden 1,3,5-Tri(dibenzothiophen-4-yl)benzol (Abkürzung: DBT3P-II) und Molybdän(VI)oxid co-verdampft, wobei das Massenverhältnis von DBT3P-II (Abkürzung) zu Molybdänoxid 4:2 betrug, wodurch die Lochinjektionsschicht 1111 über der ersten Elektrode 1101 ausgebildet wurde. Die Dicke der Lochinjektionsschicht 1111 betrug 20 nm. Es sei angemerkt, dass die Co-Verdampfung ein Verdampfverfahren ist, bei dem einige verschiedene Substanzen gleichzeitig aus jeweiligen verschiedenen Verdampfquellen verdampft werden.
  • Als Nächstes wurde die Lochtransportschicht 1112 in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung von 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP) ausgebildet.
  • Als Nächstes wurde die Licht emittierende Schicht 1113 über der Lochtransportschicht 1112 ausgebildet. Die Licht emittierende Schicht 1113 mit einer gestapelten Struktur wurde wie folgt ausgebildet. Eine erste Licht emittierende Schicht 1113a in einer Dicke von 20 nm wurde durch Co-Verdampfung von 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II),
    N-(1,1'-Biphenyl-4-yl)-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amin (Abkürzung: PCBBiF) und (Acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(dppm)2(acac)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) zu PCBBiF (Abkürzung) und [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,7:0,3:0,05 betrug, und dann wurde eine zweite Licht emittierende Schicht 1113b in einer Dicke von 20 nm durch Co-Verdampfung ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) zu PCBBiF (Abkürzung) und [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,8:0,2:0,05 betrug.
  • Dann wurde über der Licht emittierenden Schicht 1113 die Elektronentransportschicht 1114 derart ausgebildet, dass ein Film von 2mDBTBPDBq-III (Abkürzung) in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung ausgebildet wurde und dann ein Film von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen) in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung ausgebildet wurde. Über der Elektronentransportschicht 1114 wurde weiterhin ein Film von Lithiumfluorid durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm ausgebildet, wodurch die Elektroneninjektionsschicht 1115 ausgebildet wurde.
  • Schließlich wurde über der Elektroneninjektionsschicht 1115 ein Aluminiumfilm in einer Dicke von 200 nm durch Verdampfung als zweite Elektrode 1103, die als Kathode diente, ausgebildet. Somit wurde das Licht emittierende Element 5 hergestellt. Es sei angemerkt, dass bei allen obigen Verdampfschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Tabelle 9 zeigt eine Elementstruktur des Licht emittierenden Elements 5, welches wie oben beschrieben erhalten wurde. [Tabelle 9]
    Figure DE112013007607B3_0018
  • Das hergestellte Licht emittierende Element 5 wurde in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit es nicht der Luft ausgesetzt war (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel auf eine Außenkante des Elements aufgebracht, und eine Wärmebehandlung wurde 1 Stunde lang bei 80°C zum Zeitpunkt der Abdichtung durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 5>>
  • Betriebseigenschaften des hergestellten Licht emittierenden Elements 5 wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • Zuerst zeigt 36 die Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 5. In 36 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Stromdichte (mA/cm2) dar. 37 zeigt die Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 5. In 37 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 38 zeigt die Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 5. In 38 stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 39 zeigt die Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 5. In 39 stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar.
  • 38 zeigt hohe Effizienz des Licht emittierenden Elements 5 auf. Tabelle 10 zeigt Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 5 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 10]
    Figure DE112013007607B3_0019
  • Die obigen Ergebnisse zeigen, dass das in diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Element 5 hohe externe Quantenausbeute aufweist, was bedeutet, dass seine Emissionseffizienz hoch ist. Bezüglich der Farbreinheit kann man weiterhin finden, dass das Licht emittierende Element oranges Licht mit einer hohen Farbreinheit emittiert.
  • 40 zeigt ein Emissionsspektrum zum Zeitpunkt einer Zuführung eines Stroms mit einer Stromdichte von 25 mA/cm2 zu dem Licht emittierenden Element 5. 40 zeigt, dass das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 5 einen Peak bei 583 nm hat, was darauf hindeutet, dass der Peak von einer Emission des phosphoreszierenden metallorganischen Iridiumkomplexes [Ir(dppm)2(acac)] stammt.
  • 41 zeigt Ergebnisse eines Zuverlässigkeitstests an dem Licht emittierenden Element 5. In 41 stellt die vertikale Achse die normalisierte Leuchtdichte (%) mit einer Anfangsleuchtdichte von 100% dar und die horizontale Achse stellt die Betriebsdauer (h) des Elements dar. Es sei angemerkt, dass in dem Zuverlässigkeitstest das Licht emittierende Element 5 so betrieben wurde, dass die Anfangsleuchtdichte 5000 cd/m2 betrug und die Stromdichte konstant war. Als Ergebnis zeigte das Licht emittierende Element 5 nach 1980 Stunden noch etwa 92% der Anfangsleuchtdichte.
  • Auf diese Weise bewies der Zuverlässigkeitstest, dass das Licht emittierende Element 5 hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer hat.
  • Es sei angemerkt, dass ein Film von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung), ein Film von PCBBiF (Abkürzung) und ein Gemischfilm von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) und PCBBiF (Abkürzung) ausgebildet wurden, und dass Photolumineszenz (PL) jedes Films gemessen wurde. Die Ergebnisse sind wie folgt: die Photolumineszenz-(PL-)Peakwellenlänge des verdampften Films von 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) war 428 nm und die PL-Peakwellenlängen des verdampften Films von PCBBiF (Abkürzung) waren 415 nm und 436 nm, während die PL-Peakwellenlänge des Gemischfilms, der durch Co-Verdampfung dieser Substanzen ausgebildet wurde, 512 nm war und erheblich zu der längeren Wellenlängenseite verschoben wurde. Deshalb kann man finden, dass die Kombination aus 2mDBTBPDBq-II (Abkürzung) und PCBBiF (Abkürzung) einen Exciplex bildet.
  • [Beispiel 6]
  • In diesem Beispiel wird ein Licht emittierendes Element 6 anhand von 12 beschrieben. Chemische Formeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien werden im Folgenden dargestellt.
    Figure DE112013007607B3_0020
  • <<Herstellung des Licht emittierenden Elements 6>>
  • Zunächst wurde ein Film von Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthielt (indium tin oxide containing silicon oxide, ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat 1100 ausgebildet, so dass eine erste Elektrode 1101, die als Anode diente, ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die Dicke auf 110 nm eingestellt wurde und dass die Elektrodenfläche auf 2 mm × 2 mm eingestellt wurde.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 6 über dem Substrat 1100 eine UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang durchgeführt, nachdem eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen worden war und eine Stunde lang bei 200°C gebacken worden war.
  • Anschließend wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfeinrichtung befördert, in welcher der Druck auf ungefähr 10–4 Pa reduziert wurde, und wurde einem Vakuumbacken 30 Minuten lang bei 170°C in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung unterzogen und dann wurde das Substrat 1100 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Das Substrat 1100 wurde als Nächstes an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung derart befestigt, dass sich eine Oberfläche, auf der die erste Elektrode 1101 ausgebildet war, nach unten richtete. In diesem Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem eine Lochinjektionsschicht 1111, eine Lochtransportschicht 1112, eine Licht emittierende Schicht 1113, eine Elektronentransportschicht 1114 und eine Elektroneninjektionsschicht 1115, die in einer EL-Schicht 1102 enthalten sind, nacheinander unter Anwendung eines Vakuumverdampfverfahrens ausgebildet werden.
  • Der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung wurde auf etwa 10–4 Pa verringert. Dann wurden 1,3,5-Tri(dibenzothiophen-4-yl)benzol (Abkürzung: DBT3P-II) und Molybdän(VI)oxid co-verdampft, wobei das Massenverhältnis von DBT3P-II (Abkürzung) zu Molybdänoxid 4:2 betrug, wodurch die Lochinjektionsschicht 1111 über der ersten Elektrode 1101 ausgebildet wurde. Die Dicke der Lochinjektionsschicht 1111 betrug 20 nm. Es sei angemerkt, dass die Co-Verdampfung ein Verdampfverfahren ist, bei dem einige verschiedene Substanzen gleichzeitig aus jeweiligen verschiedenen Verdampfquellen verdampft werden.
  • Als Nächstes wurde die Lochtransportschicht 1112 in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung von 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP) ausgebildet.
  • Als Nächstes wurde die Licht emittierende Schicht 1113 über der Lochtransportschicht 1112 ausgebildet. Die Licht emittierende Schicht 1113 mit einer gestapelten Struktur wurde wie folgt ausgebildet. Eine erste Licht emittierende Schicht 1113a in einer Dicke von 20 nm wurde durch Co-Verdampfung von 2-{3-[3-(6-Phenyldibenzothiophen-4-yl)phenyl]phenyl}dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-IV), N-(1,1'-Biphenyl-4-yl)-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amin (Abkürzung: PCBBiF) und (Acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(dppm)2(acac)]) ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-IV (Abkürzung) zu PCBBiF (Abkürzung) und [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,7:0,3:0,05 betrug, und dann wurde eine zweite Licht emittierende Schicht 1113b in einer Dicke von 20 nm durch Co-Verdampfung ausgebildet, wobei das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-IV (Abkürzung) zu PCBBiF (Abkürzung) und [Ir(dppm)2(acac)] (Abkürzung) 0,8:0,2:0,05 betrug.
  • Dann wurde über der Licht emittierenden Schicht 1113 die Elektronentransportschicht 1114 derart ausgebildet, dass ein Film von 2mDBTBPDBq-IV (Abkürzung) in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung ausgebildet wurde und dann ein Film von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen) in einer Dicke von 20 nm durch Verdampfung ausgebildet wurde. Über der Elektronentransportschicht 1114 wurde weiterhin ein Film von Lithiumfluorid durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm ausgebildet, wodurch die Elektroneninjektionsschicht 1115 ausgebildet wurde.
  • Schließlich wurde über der Elektroneninjektionsschicht 1115 ein Aluminiumfilm in einer Dicke von 200 nm durch Verdampfung als eine zweite Elektrode 1103, die als Kathode diente, ausgebildet. Somit wurde das Licht emittierende Element 6 hergestellt. Es sei angemerkt, dass bei allen obigen Verdampfschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Tabelle 11 zeigt eine Elementstruktur des Licht emittierenden Elements 6, welches wie oben beschrieben erhalten wurde. [Tabelle 11]
    Figure DE112013007607B3_0021
  • Das hergestellte Licht emittierende Element 6 wurde in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit es nicht der Luft ausgesetzt war (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel auf eine Außenkante des Elements aufgebracht, und eine Wärmebehandlung wurde 1 Stunde lang bei 80°C zum Zeitpunkt der Abdichtung durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 6>>
  • Betriebseigenschaften des hergestellten Licht emittierenden Elements 6 wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • Zuerst zeigt 42 die Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 6. In 42 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Stromdichte (mA/cm2) dar. 43 zeigt die Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elementes 6. In 43 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 44 zeigt die Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 6. In 44 stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 45 zeigt die Spannungs-Strom-Eigenschaften des Licht emittierenden Elementes 6. In 45 stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar.
  • 44 zeigt hohe Effizienz des Licht emittierenden Elements 6 auf. Tabelle 12 zeigt Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 6 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 12]
    Figure DE112013007607B3_0022
  • Die obigen Ergebnisse zeigen, dass das in diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Element 6 hohe externe Quantenausbeute aufweist, was bedeutet, dass seine Emissionseffizienz hoch ist. Bezüglich der Farbreinheit kann man finden, dass das Licht emittierende Element oranges Licht mit einer hohen Farbreinheit emittiert.
  • 46 zeigt ein Emissionsspektrum zum Zeitpunkt einer Zuführung eines Stroms mit einer Stromdichte von 25 mA/cm2 zu dem Licht emittierenden Element 6. 46 zeigt, dass das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 6 einen Peak bei zirka 587 nm hat, was darauf hindeutet, dass der Peak von einer Emission des phosphoreszierenden metallorganischen Iridiumkomplexes [Ir(dppm)2(acac)] stammt.
  • 47 zeigt Ergebnisse eines Zuverlässigkeitstests an dem Licht emittierenden Element 6. In 47 stellt die vertikale Achse die normalisierte Leuchtdichte (%) mit einer Anfangsleuchtdichte von 100% dar und die horizontale Achse stellt die Betriebsdauer (h) des Elements dar. Es sei angemerkt, dass in dem Zuverlässigkeitstest das Licht emittierende Element 6 so betrieben wurde, dass die Anfangsleuchtdichte 5000 cd/m2 betrug und die Stromdichte konstant war. Als Ergebnis zeigte das Licht emittierende Element 6 nach 833 Stunden noch etwa 91% der Anfangsleuchtdichte.
  • Auf diese Weise bewies der Zuverlässigkeitstest, dass das Licht emittierende Element 6 hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer hat.
  • Erläuterung der Bezugszeichen
    • 101: Anode, 102: Kathode, 103: EL-Schicht, 104: Lochinjektionsschicht, 105: Lochtransportschicht, 106: Licht emittierende Schicht, 106a: erste Licht emittierende Schicht, 106b: zweite Licht emittierende Schicht, 107: Elektronentransportschicht, 108: Elektroneninjektionsschicht, 109: phosphoreszierende Verbindung, 110: erste organische Verbindung, 111: zweite organische Verbindung, 201: erste Elektrode (Anode), 202: zweite Elektrode (Kathode), 203: EL-Schicht, 204: Lochinjektionsschicht, 205: Lochtransportschicht, 206: Licht emittierende Schicht, 206a: erste Licht emittierende Schicht, 206b: zweite Licht emittierende Schicht, 207: Elektronentransportschicht, 208: Elektroneninjektionsschicht, 301: erste Elektrode, 302(1): erste EL-Schicht, 302(2): zweite EL-Schicht, 304: zweite Elektrode, 305: Ladungserzeugungsschicht (I), 305(1): erste Ladungserzeugungsschicht (I), 305(2): zweite Ladungserzeugungsschicht (II), 401: reflektierende Elektrode, 402: halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode, 403a: erste durchsichtige leitende Schicht, 403b: zweite durchsichtige leitende Schicht, 404B: erste Licht emittierende Schicht (B), 404G: zweite Licht emittierende Schicht (G), 404R: dritte Licht emittierende Schicht (R), 405: EL-Schicht, 410R: erstes Licht emittierendes Element (R), 410G: zweites Licht emittierendes Element (G), 410B: drittes Licht emittierendes Element (B), 501: Elementsubstrat, 502: Pixelabschnitt, 503: Treiberschaltungsabschnitt (Sourceleitungs-Treiberschaltung), 504a, 504b: Treiberschaltungsabschnitt (Gateleitungs-Treiberschaltung), 505: Dichtungsmittel, 506: Dichtungssubstrat, 507: Anschlussleitung, 508: flexible gedruckte Schaltung (flexible printed circuit: FPC), 509: n-Kanal-TFT, 510: p-Kanal-TFT, 511: TFT zum Schalten, 512: TFT zur Stromsteuerung, 513: erste Elektrode (Anode), 514: Isolator, 515: EL-Schicht, 516: zweite Elektrode (Kathode), 517: Licht emittierendes Element, 518: Raum, 1100: Substrat, 1101: erste Elektrode, 1102: EL-Schicht, 1103: zweite Elektrode, 1111: Lochinjektionsschicht, 1112: Lochtransportschicht, 1113: Licht emittierende Schicht, 1114: Elektronentransportschicht, 1115: Elektroneninjektionsschicht, 3000: Substrat, 3001: erste Elektrode, 3002a: erste EL-Schicht, 3002b: zweite EL-Schicht, 3011a: erste Lochinjektionsschicht, 3011b: zweite Lochinjektionsschicht, 3012a: erste Lochtransportschicht, 3012b: zweite Lochtransportschicht, 3013a: Licht emittierende Schicht (A), 3013b: Licht emittierende Schicht (B), 3014a: erste Elektronentransportschicht, 3014b: zweite Elektronentransportschicht, 3015a: erste Elektroneninjektionsschicht, 3015b: zweite Elektroneninjektionsschicht, 3003: zweite Elektrode, 3004: Ladungserzeugungsschicht, 7100: Fernsehgerät, 7101: Gehäuse, 7103: Anzeigeabschnitt, 7105: Ständer, 7107: Anzeigeabschnitt, 7109: Bedientaste, 7110: Fernbedienung, 7201: Hauptkörper, 7202: Gehäuse, 7203: Anzeigeabschnitt, 7204: Tastatur, 7205: externer Verbindungsanschluss, 7206: Zeigevorrichtung, 7301: Gehäuse, 7302: Gehäuse, 7303: Gelenkteil, 7304: Anzeigeabschnitt, 7305: Anzeigeabschnitt, 7306: Lautsprecherabschnitt, 7307: Aufzeichnungsmedien-Einsetzabschnitt, 7308: LED-Lampe, 7309: Bedienungstaste, 7310: Verbindungsanschluss, 7311: Sensor, 7312: Mikrofon, 7400: Mobiltelefon, 7401: Gehäuse, 7402: Anzeigeabschnitt, 7403: Bedienknopf, 7404: externer Verbindungsanschluss, 7405: Lautsprecher, 7406: Mikrofon, 8001: Beleuchtungsvorrichtung, 8002: Beleuchtungsvorrichtung, 8003: Beleuchtungsvorrichtung, 8004: Beleuchtungsvorrichtung, 9033: Spange, 9034: Anzeigemodusschalter, 9035: Leistungsschalter, 9036: Stromsparerschalter, 9038: Bedienungsschalter, 9630: Gehäuse, 9631: Anzeigeabschnitt, 9631a: Anzeigeabschnitt, 9631b: Anzeigeabschnitt, 9632a: Touchscreen-Gebiet, 9632b: Touchscreen-Gebiet, 9633: Solarzelle, 9634: Lade- und Entladesteuerschaltung, 9635: Batterie, 9636: Gleichspannungswandler, 9637: Bedienungstaste, 9638: Wandler und 9639: Knopf.

Claims (21)

  1. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: eine erste Licht emittierende Schicht über einer Anode, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste phosphoreszierende Verbindung, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung umfasst; eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite phosphoreszierende Verbindung, die erste organische Verbindung und die zweite organische Verbindung umfasst; und eine Kathode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei ein Emissionsspektrum eines Exciplex aus der ersten organischen Verbindung und der zweiten organischen Verbindung mit einer Absorption, die einem direkten Übergang von einem Singulett-Grundzustand in einen Triplett-Anregungszustand entspricht, in einem Absorptionsspektrum sowohl der ersten phosphoreszierenden Verbindung als auch der zweiten phosphoreszierenden Verbindung überlappt, und wobei die erste Licht emittierende Schicht einen höheren Anteil der zweiten organischen Verbindung umfasst als die zweite Licht emittierende Schicht.
  2. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste organische Verbindung eine Elektronentransporteigenschaft hat, und wobei die zweite organische Verbindung eine Lochtransporteigenschaft hat.
  3. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste organische Verbindung eine π-Elektronen-arme heteroaromatische Verbindung ist, und wobei die zweite organische Verbindung eine π-Elektronen-reiche heteroaromatische Verbindung oder eine aromatische Aminverbindung ist.
  4. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Peak des Emissionsspektrums des Exciplex eine längere Wellenlänge hat als ein Peak eines Emissionsspektrums sowohl der ersten organischen Verbindung als auch der zweiten organischen Verbindung.
  5. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei zumindest eine der ersten phosphoreszierenden Verbindung und der zweiten phosphoreszierenden Verbindung ein metallorganischer Komplex ist.
  6. Elektronisches Gerät, das die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 umfasst.
  7. Beleuchtungsvorrichtung, welche die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 umfasst.
  8. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: eine erste Licht emittierende Schicht über einer Anode, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste phosphoreszierende Verbindung, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung umfasst; eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite phosphoreszierende Verbindung, die erste organische Verbindung und die zweite organische Verbindung umfasst; eine Elektronentransportschicht, umfassend die zweite organische Verbindung, über der zweiten Licht emittierenden Schicht; und eine Kathode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei ein Emissionsspektrum eines Exciplex aus der ersten organischen Verbindung und der zweiten organischen Verbindung mit einer Absorption, die einem direkten Übergang von einem Singulett-Grundzustand in einen Triplett-Anregungszustand entspricht, in einem Absorptionsspektrum sowohl der ersten phosphoreszierenden Verbindung als auch der zweiten phosphoreszierenden Verbindung überlappt.
  9. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste organische Verbindung eine Elektronentransporteigenschaft hat, und wobei die zweite organische Verbindung eine Lochtransporteigenschaft hat.
  10. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste organische Verbindung eine π-Elektronen-arme heteroaromatische Verbindung ist, und wobei die zweite organische Verbindung eine π-Elektronen-reiche heteroaromatische Verbindung oder eine aromatische Aminverbindung ist.
  11. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei ein Peak des Emissionsspektrums des Exciplex eine längere Wellenlänge hat als ein Peak eines Emissionsspektrums sowohl der ersten organischen Verbindung als auch der zweiten organischen Verbindung.
  12. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei zumindest eine der ersten phosphoreszierenden Verbindung und der zweiten phosphoreszierenden Verbindung ein metallorganischer Komplex ist.
  13. Elektronisches Gerät, das die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8 umfasst.
  14. Beleuchtungsvorrichtung, welche die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8 umfasst.
  15. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: ein Paar von Elektroden; und eine Licht emittierende Schicht zwischen dem Paar von Elektroden, wobei die Licht emittierende Schicht eine erste Licht emittierende Schicht und eine zweite Licht emittierende Schicht umfasst, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste phosphoreszierende Verbindung, eine erste organische Verbindung und eine zweite organische Verbindung umfasst, wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite phosphoreszierende Verbindung, die erste organische Verbindung und die zweite organische Verbindung umfasst, wobei ein Emissionsspektrum eines Exciplex aus der ersten organischen Verbindung und der zweiten organischen Verbindung mit einer Absorption, die einem direkten Übergang von einem Singulett-Grundzustand in einen Triplett-Anregungszustand entspricht, in einem Absorptionsspektrum der ersten phosphoreszierenden Verbindung überlappt, und wobei die erste Licht emittierende Schicht einen höheren Anteil der zweiten organischen Verbindung umfasst als die zweite Licht emittierende Schicht.
  16. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die erste organische Verbindung eine Elektronentransporteigenschaft hat, und wobei die zweite organische Verbindung eine Lochtransporteigenschaft hat.
  17. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die erste organische Verbindung eine π-Elektronen-arme heteroaromatische Verbindung ist, und wobei die zweite organische Verbindung eine π-Elektronen-reiche heteroaromatische Verbindung oder eine aromatische Aminverbindung ist.
  18. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei ein Peak des Emissionsspektrums des Exciplex eine längere Wellenlänge hat als ein Peak eines Emissionsspektrums sowohl der ersten organischen Verbindung als auch der zweiten organischen Verbindung.
  19. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei zumindest eine der ersten phosphoreszierenden Verbindung und der zweiten phosphoreszierenden Verbindung ein metallorganischer Komplex ist.
  20. Elektronisches Gerät, das die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 15 umfasst.
  21. Beleuchtungsvorrichtung, welche die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 15 umfasst.
DE112013007607.1T 2012-03-14 2013-02-28 Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung Active DE112013007607B3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-056990 2012-03-14
JP2012056990 2012-03-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112013007607B3 true DE112013007607B3 (de) 2018-02-08

Family

ID=49156821

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112013001439.4T Active DE112013001439B4 (de) 2012-03-14 2013-02-28 Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112013007607.1T Active DE112013007607B3 (de) 2012-03-14 2013-02-28 Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112013007605.5T Active DE112013007605B3 (de) 2012-03-14 2013-02-28 Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112013001439.4T Active DE112013001439B4 (de) 2012-03-14 2013-02-28 Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112013007605.5T Active DE112013007605B3 (de) 2012-03-14 2013-02-28 Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung

Country Status (7)

Country Link
US (4) US9059430B2 (de)
JP (5) JP2013219024A (de)
KR (4) KR20200049908A (de)
CN (3) CN107254306B (de)
DE (3) DE112013001439B4 (de)
TW (3) TWI586010B (de)
WO (1) WO2013137088A1 (de)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013232629A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6158542B2 (ja) 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6158543B2 (ja) * 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2013157591A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device
DE112013002094B4 (de) * 2012-04-20 2018-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
US8994013B2 (en) 2012-05-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
DE102013208844A1 (de) 2012-06-01 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
TWI651878B (zh) 2012-08-03 2019-02-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備
US9142710B2 (en) 2012-08-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
KR102233619B1 (ko) 2013-03-26 2021-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102290674B1 (ko) 2013-08-26 2021-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 조명 장치, 및 전자 기기
JP6286943B2 (ja) * 2013-08-28 2018-03-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
TWI729686B (zh) * 2013-10-16 2021-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置及照明裝置
DE112014005471B4 (de) 2013-12-02 2022-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
KR102639622B1 (ko) * 2013-12-02 2024-02-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP6488082B2 (ja) * 2013-12-02 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、および照明装置
KR102089271B1 (ko) * 2013-12-31 2020-03-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20150130224A (ko) 2014-05-13 2015-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
TWI729649B (zh) 2014-05-30 2021-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
CN104091894A (zh) * 2014-06-30 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管、阵列基板及其制备方法、显示装置
US9343691B2 (en) * 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
WO2016020801A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102245164B1 (ko) * 2014-08-22 2021-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102353647B1 (ko) 2014-08-29 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9641919B1 (en) * 2014-09-30 2017-05-02 Amazon Technologies, Inc. Audio assemblies for electronic devices
KR102409803B1 (ko) 2014-10-10 2022-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2016082239A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
CN104270847B (zh) * 2014-10-30 2016-09-28 中国科学院长春应用化学研究所 一种白色有机电致发光器件及其制备方法
KR102299838B1 (ko) * 2014-10-31 2021-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102344729B1 (ko) * 2014-12-15 2021-12-31 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US10903440B2 (en) 2015-02-24 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102543330B1 (ko) 2015-02-25 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
TWI779405B (zh) * 2015-03-09 2022-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，顯示裝置，電子裝置，與照明裝置
TW202404148A (zh) * 2015-03-09 2024-01-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備
TWI757234B (zh) 2015-05-21 2022-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
CN104900815A (zh) * 2015-05-26 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 双层掺杂磷光发光器件及其制备方法
CN110600628B (zh) * 2015-05-29 2022-06-14 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置
CN108137632A (zh) 2015-09-30 2018-06-08 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
CN111341927B (zh) * 2015-09-30 2023-06-09 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备及照明装置
CN109196679B (zh) * 2015-12-01 2021-06-08 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
JP2017182892A (ja) 2016-03-28 2017-10-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、及び電子機器
KR102479135B1 (ko) * 2016-04-18 2022-12-21 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN105895819B (zh) * 2016-04-28 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、oled显示面板
CN106449714B (zh) * 2016-11-09 2019-12-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
WO2018100476A1 (en) 2016-11-30 2018-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN106449726B (zh) * 2016-12-27 2019-04-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示装置及其制作方法
JP6151874B1 (ja) * 2017-02-10 2017-06-21 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント装置および照明装置
WO2019058200A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
TW201925147A (zh) * 2017-11-27 2019-07-01 國立交通大學 有機發光顯示裝置
CN108039416A (zh) * 2017-12-06 2018-05-15 华南理工大学 基于量子点电致发光的叠层白光发光二极管及其制备方法
US10741782B2 (en) * 2018-03-22 2020-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device with mixed nanoparticle charge transport layer
CN110600525B (zh) * 2019-09-29 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其显示方法
KR20210059153A (ko) * 2019-11-14 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함한 장치
KR20210076220A (ko) * 2019-12-12 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR20210136224A (ko) 2020-05-06 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
WO2022027630A1 (zh) * 2020-08-07 2022-02-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN112599688B (zh) * 2020-12-14 2023-10-24 昆山国显光电有限公司 发光器件及显示面板
KR20220109546A (ko) * 2021-01-28 2022-08-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
KR20220165539A (ko) * 2021-06-08 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050064237A1 (en) * 2003-05-27 2005-03-24 Tetsuya Kato Organic EL devices and production process thereof
US20060134464A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Fuji Photo Film Co. Ltd Organic electroluminescent element

Family Cites Families (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5420288A (en) 1992-04-14 1995-05-30 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent device comprising oxadiazole compounds luminescent material, oxadiazole compounds for the device, and method of producing oxadiazole compounds
JPH0785972A (ja) 1993-09-20 1995-03-31 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子
US5597890A (en) 1993-11-01 1997-01-28 Research Corporation Technologies, Inc. Conjugated polymer exciplexes and applications thereof
JP3451680B2 (ja) * 1993-11-15 2003-09-29 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
US5409783A (en) 1994-02-24 1995-04-25 Eastman Kodak Company Red-emitting organic electroluminescent device
US5709492A (en) 1994-04-27 1998-01-20 Sakura Color Products Corp. Liquid applicator
JPH103990A (ja) * 1996-06-13 1998-01-06 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ発光装置
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
EP3321954A1 (de) 1999-05-13 2018-05-16 The Trustees of Princeton University Organische lichtemittierende vorrichtungen mit hoher wirkung basierend auf der elektrophosphoreszenz
EP2566302B1 (de) * 2000-08-11 2015-12-16 The Trustees of Princeton University Organometallische Verbindungen und emissionsverlagernde organische Elektrophosphorenz
JP4092901B2 (ja) * 2000-10-30 2008-05-28 株式会社豊田中央研究所 有機電界発光素子
DE60111473T3 (de) * 2000-10-30 2012-09-06 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Organische lichtemittierende Bauelemente
SG148030A1 (en) 2000-12-28 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
ITTO20010692A1 (it) 2001-07-13 2003-01-13 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione.
US6869695B2 (en) 2001-12-28 2005-03-22 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
ITBO20020165A1 (it) 2002-03-29 2003-09-29 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico con droganti cromofori
US6951694B2 (en) 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
TWI314947B (en) 2002-04-24 2009-09-21 Eastman Kodak Compan Organic light emitting diode devices with improved operational stability
US20030205696A1 (en) * 2002-04-25 2003-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Carbazole-based materials for guest-host electroluminescent systems
KR100902988B1 (ko) 2002-08-26 2009-06-15 라이트온 테크놀러지 코포레이션 백색광 발광 다이오드의 제조 방법
TWI316827B (en) 2003-02-27 2009-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electroluminescent device
JP4531342B2 (ja) 2003-03-17 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 白色有機発光素子および発光装置
JP3970253B2 (ja) * 2003-03-27 2007-09-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7862906B2 (en) * 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
JP4905445B2 (ja) 2003-05-27 2012-03-28 株式会社デンソー ３級アミン化合物、有機ｅｌ素子用材料および有機ｅｌ素子
EP1484379B1 (de) * 2003-06-02 2016-09-21 Sony Deutschland GmbH Zusammensetzung für Aufwärtskonversion der Photonenenergie
US20080217604A1 (en) 2003-08-29 2008-09-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic Semiconductor Film, Electron Device Using the Same and Manufacturing Method Therefor
US7175922B2 (en) 2003-10-22 2007-02-13 Eastman Kodak Company Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability
WO2005073338A2 (en) 2003-12-04 2005-08-11 Massachusetts Institute Of Technology Fluorescent, semi-conductive polymers, and devices comprising them
TW200541401A (en) 2004-02-13 2005-12-16 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
JP4441863B2 (ja) * 2004-06-29 2010-03-31 日本精機株式会社 有機ｅｌ素子
DE102004038199A1 (de) 2004-08-05 2006-03-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED mit niedriger Farbtemperatur
CN101841002B (zh) * 2004-09-24 2011-11-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4312753B2 (ja) * 2004-12-03 2009-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体
US7597967B2 (en) 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
JP2006203172A (ja) * 2004-12-22 2006-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2007073620A (ja) 2005-09-05 2007-03-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US20070090756A1 (en) 2005-10-11 2007-04-26 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
KR101209040B1 (ko) * 2005-11-18 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP1956022B1 (de) 2005-12-01 2012-07-25 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Verbindung für organisches elektrolumineszentes element und organisches elektrolumineszentes element
CN101321773B (zh) 2005-12-05 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物和使用它的发光元件、发光设备和电子设备
EP2004616B1 (de) 2006-03-21 2014-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Chinoxalinderivat und lichtemittierendes element, lichtemittierendes gerät, elektronisches gerät, bei dem das chinoxalinderivat verwendet wird
TWI423981B (zh) 2006-03-21 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 有機金屬錯合物及使用該有機金屬錯合物之發光元件，發光裝置和電子裝置
KR101435503B1 (ko) * 2006-11-30 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP5238227B2 (ja) 2006-12-27 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体および有機金属錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器
US8207526B2 (en) * 2007-03-23 2012-06-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
JP5325393B2 (ja) * 2007-03-30 2013-10-23 ケミプロ化成株式会社 多環式複素環化合物、該化合物よりなるホール輸送材料、ホール発光材料、該化合物を用いた電界効果トランジスタ及び有機ｅｌ素子
JP2008288344A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ素子
WO2008143113A1 (en) 2007-05-18 2008-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, composition and light emitting element including the organometallic complex
US8034465B2 (en) 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
US8221907B2 (en) 2007-07-07 2012-07-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Chrysene derivative and organic electroluminescent device using the same
US8154195B2 (en) 2007-07-07 2012-04-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US9082995B2 (en) 2007-07-07 2015-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL element and organic EL material-containing solution
TW200909560A (en) 2007-07-07 2009-03-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence devcie
JPWO2009008346A1 (ja) 2007-07-07 2010-09-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
WO2009008356A1 (ja) 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ素子
KR20100042273A (ko) 2007-07-07 2010-04-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 나프탈렌 유도체, 유기 ｅｌ 소자용 재료 및 그것을 사용한 유기 ｅｌ 소자
US8779655B2 (en) 2007-07-07 2014-07-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US8211552B2 (en) 2007-07-07 2012-07-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US8294142B2 (en) 2007-07-07 2012-10-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
US20090045731A1 (en) 2007-07-07 2009-02-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
EP2120275A3 (de) * 2008-05-16 2012-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Lichtemittierendes Element, Beleuchtungsgerät, Licht emittierende Vorrichtung, elektronische Anwendung und Anzeige
WO2009157498A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and lighting apparatus, and electronic device using the organometallic complex
JP5432487B2 (ja) * 2008-08-20 2014-03-05 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5325707B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
KR101596226B1 (ko) 2008-09-05 2016-02-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 전자기기
JP5497284B2 (ja) 2008-12-08 2014-05-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 白色有機電界発光素子
WO2010085676A1 (en) 2009-01-22 2010-07-29 University Of Rochester Hybrid host materials for electrophosphorescent devices
JP5349105B2 (ja) * 2009-03-25 2013-11-20 株式会社東芝 有機電界発光素子
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP5486440B2 (ja) * 2009-08-27 2014-05-07 日本放送協会 有機ｅｌ素子、表示装置、照明機器
WO2011042443A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Thorn Lighting Ltd. Multilayer organic device
KR101352116B1 (ko) 2009-11-24 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
JP5124785B2 (ja) 2009-12-07 2013-01-23 新日鉄住金化学株式会社 有機発光材料及び有機発光素子
EP3115434B1 (de) 2010-01-20 2019-07-17 Hitachi, Ltd. Organische lumineszierende materialien, beschichtungslösung, die diese für eine organische emittierende schicht einsetzt, organische lichtemittierende vorrichtung, die eine beschichtungslösung einsetzt, und lichtquellenvorrichtung, die eine organische lichtemittierende vorrichtung einsetzt
JP2011153269A (ja) 2010-01-28 2011-08-11 Nara Institute Of Science & Technology 白色発光性高分子複合材料およびその製造方法
TWI415846B (zh) 2010-03-01 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab 雜環化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置
EP2366753B1 (de) 2010-03-02 2015-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element und Beleuchtungsvorrichtung
JP5572004B2 (ja) * 2010-03-29 2014-08-13 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 白色有機電界発光素子
JP5324513B2 (ja) 2010-03-31 2013-10-23 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP5602555B2 (ja) * 2010-05-17 2014-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP2011258373A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
CN103254241B (zh) 2010-10-22 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
CN107342369B (zh) 2011-02-16 2020-10-16 株式会社半导体能源研究所 发光元件
WO2012111680A1 (en) 2011-02-16 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device
KR102113251B1 (ko) 2011-02-16 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
JP2012195572A (ja) 2011-02-28 2012-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光層および発光素子
TWI680600B (zh) 2011-02-28 2019-12-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
KR101457838B1 (ko) 2011-03-23 2014-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자 기기
KR102128592B1 (ko) 2011-03-30 2020-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
KR102596809B1 (ko) 2011-04-07 2023-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
JP2012243983A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI727297B (zh) 2011-08-25 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置，照明裝置以及新穎有機化合物
KR101803537B1 (ko) * 2012-02-09 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
JP2013232629A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR101419810B1 (ko) 2012-04-10 2014-07-15 서울대학교산학협력단 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자
JP6158542B2 (ja) 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6158543B2 (ja) * 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2013157591A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device
TWI650399B (zh) * 2012-08-03 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050064237A1 (en) * 2003-05-27 2005-03-24 Tetsuya Kato Organic EL devices and production process thereof
US20060134464A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Fuji Photo Film Co. Ltd Organic electroluminescent element

Also Published As

Publication number Publication date
DE112013001439T5 (de) 2015-01-29
US9059430B2 (en) 2015-06-16
CN107230744A (zh) 2017-10-03
KR20210143336A (ko) 2021-11-26
US10062867B2 (en) 2018-08-28
JP2013219024A (ja) 2013-10-24
KR20200049908A (ko) 2020-05-08
KR102153512B1 (ko) 2020-09-08
KR20140136027A (ko) 2014-11-27
JP2021009855A (ja) 2021-01-28
TWI667327B (zh) 2019-08-01
TWI586010B (zh) 2017-06-01
JP6785811B2 (ja) 2020-11-18
CN104471733B (zh) 2017-06-09
JP6972276B2 (ja) 2021-11-24
CN107254306A (zh) 2017-10-17
KR102525931B1 (ko) 2023-04-25
DE112013007605B3 (de) 2018-01-18
TW201908462A (zh) 2019-03-01
US20160164035A1 (en) 2016-06-09
JP7254876B2 (ja) 2023-04-10
KR20230134623A (ko) 2023-09-21
US20130240851A1 (en) 2013-09-19
JP2023073378A (ja) 2023-05-25
DE112013001439B4 (de) 2022-01-20
US20170256742A1 (en) 2017-09-07
US9590208B2 (en) 2017-03-07
US9263693B2 (en) 2016-02-16
JP2022009894A (ja) 2022-01-14
KR102579886B1 (ko) 2023-09-15
US20150270504A1 (en) 2015-09-24
JP2018101636A (ja) 2018-06-28
WO2013137088A1 (en) 2013-09-19
CN107254306B (zh) 2020-08-25
TW201349614A (zh) 2013-12-01
CN107230744B (zh) 2019-03-08
TWI621689B (zh) 2018-04-21
CN104471733A (zh) 2015-03-25
KR20230061558A (ko) 2023-05-08
TW201723145A (zh) 2017-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112013007607B3 (de) Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102013205863B4 (de) Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102013214661B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE112013002094B4 (de) Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112014007321B3 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE112014007323B3 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE112013002110B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112015003690B4 (de) Licht emittierende Bottom-Emission-Vorrichtung
DE112013007587B3 (de) Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, elektronische Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102015213426B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elekronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und organische Verbindung
DE112012007343B3 (de) Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102013210179B4 (de) Metallorganischer Komplex, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112014005471B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE112013007782B3 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE102015208493B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112013001468T5 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102014215799A1 (de) Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102013208844A1 (de) Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112014003458T5 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112018005320T5 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112021004268T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112019003850T5 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112020000489T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R129 Divisional application from

Ref document number: 112013001439

Country of ref document: DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0051500000

Ipc: H10K0050000000