DE102014215799A1 - Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung - Google Patents

Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102014215799A1
DE102014215799A1 DE201410215799 DE102014215799A DE102014215799A1 DE 102014215799 A1 DE102014215799 A1 DE 102014215799A1 DE 201410215799 DE201410215799 DE 201410215799 DE 102014215799 A DE102014215799 A DE 102014215799A DE 102014215799 A1 DE102014215799 A1 DE 102014215799A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
layer
emitting element
emitting
abbreviation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE201410215799
Other languages
English (en)
Inventor
c/o Semiconductor Energy Labo Suzuki Tsunenori
c/o Semiconductor Energy Laborato Uesaka Shogo
c/o Semiconductor Energy Laborat Yamaoka Ryohei
c/o Semiconductor Energy Labora Seo Satoshi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of DE102014215799A1 publication Critical patent/DE102014215799A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Ein Licht emittierendes Tandem-Element wird bereitgestellt, in dem Erzeugung von Nebensprechen (crosstalk) unterdrückt werden kann, auch wenn das Element auf ein Display mit hoher Auflösung angewendet wird. In dem Licht emittierenden Tandem-Element enthält eine Schicht in Kontakt mit der Anodenseite einer Zwischenschicht 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: NBPhen).

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gegenstand, ein Verfahren oder ein Herstellungsverfahren. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung einen Prozess, eine Maschine, eine Fertigung oder eine Materialzusammensetzung. Im Besonderen betrifft eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine Licht emittierende Vorrichtung, ein Ansteuerverfahren dafür oder ein Herstellungsverfahren dafür. Im Besonderen betrifft eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Licht emittierendes Element, das eine Licht emittierende Schicht, die eine organische Verbindung enthält, zwischen einem Paar von Elektroden beinhaltet. Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung eine Licht emittierende Vorrichtung, die das Licht emittierende Element beinhaltet, und ein elektronisches Gerät, das die Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • In den letzten Jahren werden tragbare Vorrichtungen bemerkenswert entwickelt, und man kann leicht überall Bilder mit einer kleinen Bildwiedergabevorrichtung, einem Display eines Smartphones oder eines Tablet-Computers und dergleichen jederzeit genießen. Zudem werden Bilddaten häufiger heruntergeladen oder unter Verwendung eines kleinen Speichers übertragen; somit wird der Bedarf an den tragbaren Vorrichtungen erhöht.
  • Um Bilder mit hoher Qualität mit einem kleinen Display wie z. B. einem Display einer tragbaren Vorrichtung zu genießen, soll das Display ausreichend hohe Auflösung aufweisen.
  • Ein Licht emittierendes Element (auch als elektrolumineszierendes Element oder EL-Element bezeichnet), das eine Licht emittierende Schicht, die eine organische Verbindung enthält, zwischen einem Paar von Elektroden beinhaltet, kann schnell ansprechen, bei Gleichstrom mit niedriger Spannung betrieben werden und dünn und leicht hergestellt werden. Daher wird das Licht emittierende Element als Flachbildschirmanzeigeelement oder tragbares Anzeigeelement praktisch gebraucht.
  • Ein EL-Element beinhaltet ein Paar von Elektroden und eine EL-Schicht enthaltend eine Licht emittierende Substanz, welche zwischen den Elektroden angeordnet ist. Das EL-Element emittiert Licht, wenn die Licht emittierende Substanz in der EL-Schicht durch einen Strom angeregt wird, der durch die EL-Schicht fließt. Um hohe Emissionsintensität in einem solchen EL-Element zu erzielen, muss daher ein Strom, welcher der Intensität entspricht, durch die Licht emittierende Schicht fließen, und der Leistungsverbrauch wird folglich erhöht. Zudem wird das EL-Element verschlechtert, wenn ein hoher Strom fließt.
  • Angesichts des Obigen wird ein Licht emittierendes Element vorgeschlagen, das einen Stapel einer Vielzahl von EL-Schichten beinhaltet und daher Licht mit höherer Leuchtdichte emittieren kann als ein Licht emittierendes Element, das nur eine EL-Schicht beinhaltet, wenn ein Strom mit der gleichen Stromdichte durch jedes Licht emittierende Element fließt (z. B. siehe Patentdokument 1). In einem Licht emittierenden Element, das in Patentdokument 1 offenbart ist, ist eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten durch eine Ladungserzeugungsschicht voneinander getrennt.
  • [Referenz]
  • [Patentdokument]
    • [Patentdokument 1] Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2003-272860
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Wenn ein Display mit hoher Auflösung unter Verwendung eines Licht emittierenden Elements, das in Patentdokument 1 offenbart ist und in dem eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten durch eine Ladungserzeugungsschicht voneinander getrennt ist (nachstehend als Licht emittierendes Tandem-Element, hergestellt wird, werden Probleme, die bei Anwendung auf Beleuchtung oder einem Display mit einer großen Pixelgröße nicht entstehen, manchmal verursacht. Eines solcher Probleme ist ein Interferenzphänomen zwischen angrenzenden Pixeln, d. h., Nebensprechen (crosstalk).
  • Wenn ein Display unter Verwendung eines Licht emittierenden Tandem-Elements hergestellt wird, da weiße Lichtemission leicht erzielt werden kann, wird in vielen Fällen ein derartiges Vollfarbdisplay hergestellt, in dem die gleiche EL-Schichtstruktur für alle Pixel eingesetzt wird und eine Resonanzstruktur und/oder ein Farbfilter kombiniert wird, so dass jedes Pixel Licht seiner erwarteten Farbe emittieren kann. Das heißt, dass die EL-Schicht zwischen angrenzenden Pixeln kontinuierlich ist.
  • Darüber hinaus beinhaltet ein Licht emittierendes Element die EL-Schicht zwischen einem Paar von Elektroden. Bei einem Licht emittierenden Aktivmatrix-Element wird eine von dem Paar von Elektroden für jedes Pixel getrennt, aber die andere Elektrode ist zwischen einer Vielzahl von Pixeln kontinuierlich. Folglich wird das Pixel betrieben, indem die für jedes Pixel getrennte Elektrode gesteuert wird.
  • Wenn ein Teil der EL-Schicht, der zwischen einer Vielzahl von Licht emittierenden Elementen kontinuierlich ist, hohe Leitfähigkeit aufweist, fließt in einigen Fällen ein Strom auch zwischen einer ersten Elektrode eines zu betreibenden Elements und einer Elektrode (zweiten Elektrode), die kontinuierlich ist und in dem angrenzenden Pixel angeordnet ist, was zum Nebensprechen (crosstalk) führt. Ein Teil der EL-Schicht, der hohe Leitfähigkeit aufweist, wird wegen einer Ladungserzeugungsschicht ausgebildet, welche daher Aufmerksamkeit erregt.
  • In der Ladungserzeugungsschicht wird ein Alkalimetall wie z. B. Lithium oder Cäsium verwendet, damit eine Elektroneninjektionseigenschaft gegenüber einer Licht emittierenden Einheit auf der Anodenseite verbessert wird. Außerdem wird ein Elektronentransportmaterial wie z. B. Bathocuproin (Abkürzung: BCP) oder Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen) weithin verwendet, weil mit diesen Materialien ein Licht emittierendes Element mit niedriger Ansteuerspannung und vorteilhaften Eigenschaften hergestellt werden kann. Wenn das Alkalimetall verteilt wird, wird jedoch die Leitfähigkeit erhöht, was zum Nebensprechen (crosstalk) in einem Display mit hoher Auflösung führt. Des Weiteren wurde gefunden, dass auch dann, wenn das Alkalimetall und das Elektronentransportmaterial nicht vermischt werden und nur miteinander in Kontakt stehen, auf eine ähnliche Weise Nebensprechen (crosstalk) verursacht wird.
  • Ohne Alkalimetall wird die Elektroneninjektionseigenschaft gegenüber der Licht emittierenden Einheit verschlechtert, und die Ansteuerspannung wird erhöht. Auf diese Weise ist es sehr schwer, Nebensprechen (crosstalk) des Licht emittierenden Tandem-Elements zu unterdrücken, während ausreichende Eigenschaften für die praktische Anwendung behalten werden.
  • Weiterhin ist es bekannt, dass ein Licht emittierendes Element enthaltend das oben beschriebene Elektronentransportmaterial auf Phenanthrolin-Basis mit vorteilhaften Betriebseigenschaften, wie z. B. Bathocuproin (Abkürzung: BCP) oder Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen), niedrige Wärmebeständigkeit aufweist. Die niedrige Wärmebeständigkeit ist abhängig von der Elementstruktur ein wesentliches Problem für das Element.
  • Angesichts des Obigen ist es eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Licht emittierendes Tandem-Element bereitzustellen, in dem Erzeugung von Nebensprechen (crosstalk) unterdrückt werden kann, auch wenn das Element auf ein Display mit hoher Auflösung angewendet wird.
  • Es ist eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Licht emittierendes Tandem-Element bereitzustellen, das Bilder mit hoher Qualität anzeigen kann.
  • Es ist eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Licht emittierendes Element bereitzustellen, das Bilder mit hoher Qualität anzeigen kann und niedrige Leistung verbraucht.
  • Es ist eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Licht emittierendes Tandem-Element mit hoher Wärmebeständigkeit bereitzustellen. Es ist eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges Licht emittierendes Element bereitzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, unter Verwendung des vorstehenden Licht emittierenden Elements ein Anzeigemodul, ein Beleuchtungsmodul, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung, welche Bilder mit hoher Qualität anzeigen können, bereitzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, unter Verwendung des vorstehenden Licht emittierenden Elements ein Anzeigemodul, ein Beleuchtungsmodul, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung, welche Bilder mit hoher Qualität anzeigen können und niedrige Leistung verbrauchen, bereitzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, unter Verwendung des vorstehenden Licht emittierenden Elements ein Anzeigemodul, ein Beleuchtungsmodul, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung mit hoher Wärmebeständigkeit bereitzustellen.
  • Es ist nur notwendig, dass in der vorliegenden Erfindung mindestens eine der oben beschriebenen Aufgaben gelöst wird.
  • Die oben beschriebenen Aufgaben können mit einem Licht emittierenden Tandem-Element gelöst werden, das 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: NBPhen) in einer Schicht in Kontakt mit der Anodenseite einer Zwischenschicht enthält.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine EL-Schicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode beinhaltet. Die EL-Schicht beinhaltet mindestens eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten und eine Vielzahl von Ladungserzeugungsschichten, die jeweils zwischen den Licht emittierenden Einheiten angeordnet sind. Eine Schicht in Kontakt mit der Anodenseite der Ladungserzeugungsschicht enthält NBPhen.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine EL-Schicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode beinhaltet. Die EL-Schicht beinhaltet eine erste Licht emittierende Einheit auf der Anodenseite und eine zweite Licht emittierende Einheit auf der Kathodenseite. Eine Ladungserzeugungsschicht ist zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit und der zweiten Licht emittierenden Einheit angeordnet. Eine Schicht in Kontakt mit der Ladungserzeugungsschicht von der ersten Licht emittierenden Einheit enthält NBPhen.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der die Ladungserzeugungsschicht mindestens einen Ladungserzeugungsbereich und einen Elektroneninjektionspufferbereich beinhaltet. Der Elektroneninjektionspufferbereich ist auf der Anodenseite der Ladungserzeugungsschicht angeordnet.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der ein Elektronenweiterleitungsbereich auf der Seite des Ladungserzeugungsbereichs des Elektroneninjektionspufferbereichs angeordnet ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der der Elektroneninjektionspufferbereich ein Alkalimetall enthält.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der das Alkalimetall Lithium ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der die EL-Schicht mindestens die folgenden Schichten beinhaltet: eine Schicht, die eine kondensierte aromatische Verbindung oder eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, und eine Schicht, die in Kontakt mit der Schicht, die eine kondensierte aromatische Verbindung oder eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, steht und NBPhen enthält.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der die EL-Schicht mindestens die folgenden Schichten beinhaltet: eine Schicht, die eine kondensierte aromatische Verbindung oder eine kondensierte heteroaromatische Verbindung mit drei oder mehr kondensierten Ringen enthält, und eine Schicht, die in Kontakt mit der Schicht, die eine kondensierte aromatische Verbindung oder eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, steht und NBPhen enthält.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der die Schicht, die eine kondensierte aromatische Verbindung oder eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, eine Schicht ist, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der eine kondensierte heteroaromatische Verbindung in der Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, zwei Stickstoffatome in einem kondensierten Ring aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, welches Phosphoreszenz emittiert.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der die Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, weiterhin Iridium enthält.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Element mit der vorstehenden Struktur, bei der das Iridium in einem Teil der Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, enthalten ist und nicht in einem Bereich in Kontakt mit der Schicht, die NBPhen enthält, enthalten ist.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Anzeigemodul, das eines der vorstehenden Licht emittierenden Elemente beinhaltet.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Beleuchtungsmodul, das eines der vorstehenden Licht emittierenden Elemente beinhaltet.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die eines der vorstehenden Licht emittierenden Elemente und eine Einheit zum Steuern des Licht emittierenden Elements beinhaltet.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung, die eines der vorstehenden Licht emittierenden Elemente in einem Anzeigeabschnitt und eine Einheit zum Steuern des Licht emittierenden Elements beinhaltet.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Beleuchtungsvorrichtung, die eines der vorstehenden Licht emittierenden Elemente in einem Beleuchtungsabschnitt und eine Einheit zum Steuern des Licht emittierenden Elements beinhaltet.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein elektronisches Gerät, das eines der vorstehenden Licht emittierenden Elemente beinhaltet.
  • Es sei angemerkt, dass die Licht emittierende Vorrichtung in dieser Beschreibung eine Bildanzeigevorrichtung mit einem Licht emittierenden Element umfasst. Des Weiteren umfasst die Kategorie der Licht emittierenden Vorrichtung in dieser Beschreibung ein Modul, in dem ein Licht emittierendes Element mit einem Verbindungselement, wie z. B. einem anisotropen leitenden Film oder einem Tape Carrier Package (TCP), versehen ist; ein Modul, in dem das Ende des TCP mit einer gedruckten Leiterplatte versehen ist; und ein Modul, in dem eine IC (integrierte Schaltung) durch ein COG-(Chip-on-Glass-)Verfahren direkt auf einem Licht emittierenden Element montiert ist. Die Licht emittierende Vorrichtung umfasst auch eine Licht emittierende Vorrichtung in Beleuchtungseinrichtungen und dergleichen.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Licht emittierendes Tandem-Element bereitgestellt werden, in dem Erzeugung von Nebensprechen (crosstalk) unterdrückt werden kann, auch wenn das Element auf ein Display mit hoher Auflösung angewendet wird.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Licht emittierendes Tandem-Element bereitgestellt werden, das Bilder mit hoher Qualität anzeigen kann.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Licht emittierendes Element bereitgestellt werden, das Bilder mit hoher Qualität anzeigen kann und niedrige Leistung verbraucht.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Licht emittierendes Tandem-Element mit hoher Wärmebeständigkeit bereitgestellt werden.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können unter Verwendung des vorstehenden Licht emittierenden Elements ein Anzeigemodul, ein Beleuchtungsmodul, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung, welche jeweils Bilder mit hoher Qualität anzeigen können, bereitgestellt werden.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können unter Verwendung des vorstehenden Licht emittierenden Elements ein Anzeigemodul, ein Beleuchtungsmodul, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung, welche jeweils Bilder mit hoher Qualität anzeigen können und niedrige Leistung verbrauchen, bereitgestellt werden.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können unter Verwendung des vorstehenden Licht emittierenden Elements ein Anzeigemodul, ein Beleuchtungsmodul, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung, welche hohe Wärmebeständigkeit haben, bereitgestellt werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist ein konzeptuelles Diagramm eines Licht emittierenden Elements.
  • 2A und 2B sind konzeptuelle Diagramme einer Licht emittierenden Aktivmatrix-Vorrichtung.
  • 3A und 3B sind konzeptuelle Diagramme von Licht emittierenden Aktivmatrix-Vorrichtungen.
  • 4 ist ein konzeptuelles Diagramm einer Licht emittierenden Aktivmatrix-Vorrichtung.
  • 5A bis 5D zeigen jeweils ein elektronisches Gerät. 6 zeigt Anzeigevorrichtungen und Beleuchtungsvorrichtungen in einem Fahrzeug.
  • 7A bis 7C zeigen ein elektronisches Gerät.
  • 8 zeigt Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften eines Beispielselements 1 und eines Vergleichs-Beispielselements 1.
  • 9 zeigt Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften des Beispielselements 1 und des Vergleichs-Beispielselements 1.
  • 10 zeigt Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften des Beispielselements 1 und des Vergleichs-Beispielselements 1.
  • 11 zeigt Emissionsspektren des Beispielselements 1 und des Vergleichs-Beispielselements 1.
  • 12 zeigt vergrößerte Fotos von Anzeigevorrichtungen, in denen ein Beispielselement 2 und ein Vergleichs-Beispielselement 2 verwendet werden.
  • 13 zeigt eine Elementstruktur eines Licht emittierenden Elements.
  • 14 zeigt zeitabhängige Eigenschaften der normalisierten Leuchtdichte des Beispielselements 1.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen detailliert beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die folgende Beschreibung beschränkt, und es wird von einem Fachmann leicht verstanden werden, dass der Modus und Details auf verschiedene Weise verändert werden können, ohne vom Schutzbereich und vom Erfindungsgedanken der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Dementsprechend soll die vorliegende Erfindung nicht als auf den Inhalt der nachstehenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden.
  • (Ausführungsform 1)
  • 1 ist ein konzeptuelles Diagramm eines Licht emittierenden Elements nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Licht emittierende Element in 1 beinhaltet eine Vielzahl von (n) Licht emittierenden Einheiten zwischen einem Paar von Elektroden (einer Anode 100 und einer Kathode 101). Die Licht emittierende Einheit, die am nächsten der Anode 100 liegt, ist eine erste Licht emittierende Einheit 102k, und die Licht emittierende Einheit, die am nächsten der Kathode 101 liegt, ist eine n-te Licht emittierende Einheit 102n.
  • Das Licht emittierende Element in 1 beinhaltet die Licht emittierenden Einheiten (die erste Licht emittierende Einheit 102k... eine m-te Licht emittierende Einheit 102m... die n-te Licht emittierende Einheit 102n); Ladungserzeugungsschichten (eine erste Ladungserzeugungsschicht 103k... eine m-te Ladungserzeugungsschicht 103m... eine (n – 1)-te Ladungserzeugungsschicht 103n – 1); Ladungserzeugungsbereiche (einen ersten Ladungserzeugungsbereich 104k... einen m-ten Ladungserzeugungsbereich 104m... einen (n – 1)-ten Ladungserzeugungsbereich 104n – 1); Elektroneninjektionspufferbereiche (einen ersten Elektroneninjektionspufferbereich 105k... einen m-ten Elektroneninjektionspufferbereich 105m... einen (n – 1)-ten Elektroneninjektionspufferbereich 105n – 1); Schichten enthaltend NBPhen (eine erste Schicht 106k enthaltend NBPhen... eine m-te Schicht 106m enthaltend NBPhen...eine (n – 1)-te Schicht 106n – 1 enthaltend NBPhen... eine n-te Schicht 106n enthaltend NBPhen); und dergleichen.
  • In einigen Fällen werden eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten, eine Vielzahl von Ladungserzeugungsschichten, eine Vielzahl von Ladungserzeugungsbereichen, eine Vielzahl von Elektroneninjektionspufferbereichen und eine Vielzahl von Schichten enthaltend NBPhen allesamt als eine Licht emittierende Einheit 102, eine Ladungserzeugungsschicht 103, ein Ladungserzeugungsbereich 104, ein Elektroneninjektionspufferbereich 105 bzw. eine Schicht 106 enthaltend NBPhen bezeichnet. Zusätzlich werden die Licht emittierenden Einheiten 102 zwischen der Anode 100 und der Kathode 101 und die Ladungserzeugungsschichten 103 zwischen den Licht emittierenden Einheiten allesamt als eine EL-Schicht 110 bezeichnet.
  • Die m-te Ladungserzeugungsschicht 103m (m ist eine natürliche Zahl, 1 ≤ m ≤ n – 1) liegt zwischen und in Kontakt mit der m-ten Licht emittierenden Einheit 102m und einer (m + 1)-ten Licht emittierenden Einheit 102m + 1. Die m-te Ladungserzeugungsschicht 103m beinhaltet den m-ten Ladungserzeugungsbereich 104m in Kontakt mit der (m + 1)-ten Licht emittierenden Einheit 102m + 1 und den m-ten Elektroneninjektionspufferbereich 105m in Kontakt mit dem m-ten Ladungserzeugungsbereich 104m und der m-ten Licht emittierenden Einheit 102m. Hierbei befindet sich die Ladungserzeugungsschicht 103 in einem offenen Zustand (floating state), in dem eine Leistungsquelle oder dergleichen nicht mit der Ladungserzeugungsschicht 103 verbunden ist. Zusätzlich enthält der Ladungserzeugungsbereich 104 eine Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft und eine Akzeptor-Substanz gegenüber der Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft. Der Elektroneninjektionspufferbereich 105 ist eine Schicht, die Funktionen zum Aufnehmen von Elektronen, die in dem Ladungserzeugungsbereich 104 erzeugt werden, und zum Abgeben der Elektronen in die Schicht 106 enthaltend NBPhen der Licht emittierenden Einheit 102 hat.
  • Der Elektroneninjektionspufferbereich 105 beinhaltet mindestens eine sehr dünne Schicht aus einem Alkalimetall, insbesondere, Lithium in einer Dicke von 0,1 nm bis 5 nm an der Grenzfläche auf der Anodenseite. Da die sehr dünne Schicht bereitgestellt wird, wird eine Injektionsbarriere von Elektronen erleichtert, wodurch Elektronen, die in dem Ladungserzeugungsbereich 104 erzeugt werden, reibungslos in die Licht emittierende Einheit 102 injiziert werden können. Des Weiteren kann in dem Elektroneninjektionspufferbereich 105 ein Elektronenweiterleitungsbereich zwischen der Lithiumschicht und dem Ladungserzeugungsbereich 104 bereitgestellt werden, um die Wechselwirkung zwischen der Lithiumschicht und dem Ladungserzeugungsbereich 104 zu verhindern. Der Elektronenweiterleitungsbereich fungiert auch als Schicht zum effizienten Injizieren von Elektronen, die in dem Ladungserzeugungsbereich 104 erzeugt werden, in die Licht emittierende Einheit 102. Daher kann der Elektronenweiterleitungsbereich derart ausgebildet werden, dass das LUMO-Niveau des Elektronenweiterleitungsbereichs ein Niveau zwischen dem Akzeptor-Niveau der Akzeptor-Substanz in dem Ladungserzeugungsbereich 104 und dem LUMO-Niveau der Schicht in Kontakt mit der Anodenseite der Ladungserzeugungsschicht 103, in der der Elektronenweiterleitungsbereich enthalten ist (d. h. der Schicht 106 enthaltend NBPhen), sein kann. Insbesondere ist das LUMO-Niveau des Elektronenweiterleitungsbereichs vorzugsweise etwa höher als oder gleich –5,0 eV und niedriger als oder gleich –3,0 eV. Der Elektronenweiterleitungsbereich kann in einer Dicke von 1 nm bis 40 nm, bevorzugt 1 nm bis 10 nm ausgebildet werden.
  • Darüber hinaus beinhaltet die Licht emittierende Einheit 102 eine Vielzahl von Schichten, die jeweils eine organische Verbindung enthalten und eine besondere Funktion haben. Als die Vielzahl von Schichten beinhaltet die Licht emittierende Einheit 102 mindestens einen Licht emittierenden Bereich enthaltend eine Licht emittierende Substanz und die Schicht 106 enthaltend NBPhen, und die m-te Licht emittierende Einheit 102m beinhaltet die m-te Schicht 106m enthaltend NBPhen. Bei dieser Ausführungsform wird die Schicht 106 enthaltend NBPhen am nächsten der Kathode 101 in jeder der Licht emittierenden Einheiten 102 bereitgestellt. Die m-te Schicht 106m enthaltend NBPhen in der m-ten Licht emittierenden Einheit 102m wird in Kontakt mit dem m-ten Elektroneninjektionspufferbereich 105m in der m-ten Ladungserzeugungsschicht 103m ausgebildet.
  • Obwohl ein Beispiel, in dem viele Licht emittierende Einheiten bereitgestellt sind, in 1 gezeigt ist, ist ein Licht emittierendes Element, das weniger Licht emittierende Einheiten als das gezeigte Beispiel beinhaltet, auch natürlich eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie z. B. der Fall, in dem n = 2 oder 3. Beispielsweise n = 2, wenn zwei Licht emittierende Einheiten 102 bereitgestellt sind, und die m-te Licht emittierende Einheit 102m entspricht der ersten Licht emittierenden Einheit 102k, und die (m + 1)-te Licht emittierende Einheit 102m + 1 entspricht der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n.
  • Der Ladungserzeugungsbereich 104 enthält wie oben beschrieben die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft und die Akzeptor-Substanz. Wenn eine Spannung zwischen den Elektroden (der Anode 100 und der Kathode 101) angelegt wird, extrahiert in dem Ladungserzeugungsbereich 104 die Akzeptor-Substanz Elektronen von der Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft, so dass Elektronen und Löcher erzeugt werden. Die Löcher, die in dem m-ten Ladungserzeugungsbereich 104m erzeugt werden, werden in die (m + 1)-te Licht emittierende Einheit 102m + 1 injiziert. Die Elektronen, die gleichzeitig in dem m-ten Ladungserzeugungsbereich 104m erzeugt werden, werden in die Schicht enthaltend NBPhen (die m-te Schicht 106m enthaltend NBPhen) der m-ten Licht emittierenden Einheit 102m durch den m-ten Elektroneninjektionspufferbereich 105m injiziert. Der Ladungserzeugungsbereich 104 wird vorzugsweise in einer Dicke von größer als oder gleich 10 nm und kleiner als oder gleich 200 nm ausgebildet. Als Akzeptor-Substanz in dem Ladungserzeugungsbereich 104 können 7,7,8,8-Tetracyano-2,3,5,6-tetrafluorochinodimethan (Abkürzung: F4-TCNQ), Chloranil und dergleichen angegeben werden. Zusätzlich können Übergangsmetalloxide angegeben werden. Außerdem können Oxide der Metalle, die zu der Gruppe 4 bis der Gruppe 8 des Periodensystems gehören, angegeben werden. Insbesondere ist bevorzugt, Vanadiumoxid, Nioboxid, Tantaloxid, Chromoxid, Molybdänoxid, Wolframoxid, Manganoxid und Rheniumoxid zu verwenden, weil ihre Elektronen aufnehmenden Eigenschaften hoch sind. Insbesondere ist Molybdänoxid bevorzugt, weil es an der Luft stabil und wenig hygroskopisch ist und leicht gehandhabt werden kann.
  • Als Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft kann eine von verschiedenen organischen Verbindungen wie z. B. aromatischen Aminverbindungen, Carbazolderivaten, aromatischen Kohlenwasserstoffen und hochmolekularen Verbindungen (z. B. Oligomeren, Dendrimeren oder Polymeren) verwendet werden. Es sei angemerkt, dass eine Substanz mit einer Löcherbeweglichkeit von höher als oder gleich 10–6 cm2/Vs bevorzugt ist.
  • Als aromatische Aminverbindungen gibt es beispielsweise N,N'-Di(p-tolyl)-N,N'-diphenyl-p-phenylendiamin (Abkürzung: DTDPPA), 4,4'-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: DPAB), N,N'-Bis{4-[bis(3-methylphenyl)amino]phenyl}-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamin (Abkürzung: DNTPD), 1,3,5-Tris[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]benzol (Abkürzung: DPA3B) und dergleichen.
  • Als konkrete Beispiele für die Carbazolderivate können die Folgenden angegeben werden: 3-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA1), 3,6-Bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA2), 3-[N-(1-Naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCN1) und dergleichen. Darüber hinaus können auch 4,4'-Di(N-carbazolyl)biphenyl (Abkürzung: CBP), 1,3,5-Tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzol (Abkürzung: TCPB), 9-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA), 1,4-Bis[4-(N-carbazolyl)phenyl]-2,3,5,6-tetraphenylbenzol und dergleichen verwendet werden.
  • Beispiele für die aromatischen Kohlenwasserstoffe umfassen 2-tert-Butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracen (Abkürzung: t-BuDNA), 2-tert-Butyl-9,10-di(1-naphthyl)anthracen, 9,10-Bis(3,5-diphenylphenyl)anthracen (Abkürzung: DPPA), 2-tert-Butyl-9,10-bis(4-phenylphenyl)anthracen (Abkürzung: t-BuDBA), 9,10-Di(2-naphthyl)anthracen (Abkürzung: DNA), 9,10-Diphenylanthracen (Abkürzung: DPAnth), 2-tert-Butylanthracen (Abkürzung: t-BuAnth), 9,10-Bis(4-methyl-1-naphthyl)anthracen (Abkürzung: DMNA), 2-tert-Butyl-9,10-bis[2-(1-naphthyl)phenyl]-anthracen, 9,10-Bis[2-(1-naphthyl)phenyl]anthracen, 2,3,6,7-Tetramethyl-9,10-di(1-naphthyl)anthracen, 2,3,6,7-Tetramethyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracen, 9,9'-Bianthryl, 10,10'-Diphenyl-9,9'-bianthryl, 10,10'-Bis(2-phenylphenyl)-9,9'-bianthryl, 10,10'-Bis[(2,3,4,5,6-pentaphenyl)phenyl]-9,9'-bianthryl, Anthracen, Tetracen, Rubren, Perylen, 2,5,8,11-Tetra(tert-butyl)perylen und dergleichen. Ferner können Pentacen, Coronen und dergleichen verwendet werden. Der aromatische Kohlenwasserstoff, der eine Löcherbeweglichkeit von höher als oder gleich 1 × 10–6 cm2/Vs aufweist und 14 bis 42 Kohlenstoffatome hat, wird besonders bevorzugt.
  • Der aromatische Kohlenwasserstoff kann ein Vinyl-Gerüst aufweisen. Als aromatischer Kohlenwasserstoff mit einer Vinylgruppe werden zum Beispiel die Folgenden angegeben: 4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (Abkürzung: DPVBi), 9,10-Bis[4-(2,2-diphenylvinyl)phenyl]anthracen (Abkürzung: DPVPA) und dergleichen.
  • Weiterhin können auch hochmolekulare Verbindungen wie z. B. Poly(N-vinylcarbazol) (Abkürzung: PVK), Poly(4-vinyltriphenylamin) (Abkürzung: PVTPA), Poly[N-(4-{N'-[4-(4-diphenylamino)phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamid] (Abkürzung: PTPDMA) und Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin] (Abkürzung: Poly-TPD) verwendet werden.
  • Hier wird als Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft, die für den Ladungserzeugungsbereich 104 verwendet wird, eine Substanz, die kein Amin-Gerüst aufweist, stärker bevorzugt verwendet. In dem Fall, in dem der Ladungserzeugungsbereich 104 unter Verwendung der Akzeptor-Substanz und der Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft, die kein Amin-Gerüst aufweist, ausgebildet wird, findet Absorption, die auf Ladungsübertragungswechselwirkung basiert, kaum statt, im Vergleich zum Fall, in dem die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft ein Amin-Gerüst aufweist. Obwohl Absorption, die auf Ladungsübertragungswechselwirkung basiert, nicht stattfindet, kann der Ladungserzeugungsbereich 104 ausreichend als Ladungserzeugungsbereich fungieren. Deshalb kann der Ladungserzeugungsbereich 104, der keinen Absorptionspeak in dem Bereich sichtbaren Lichts aufweist und als Ladungserzeugungsbereich fungiert, leicht ausgebildet werden, wodurch eine Verringerung der Emissionseffizienz wegen der Absorption von Licht verhindert werden kann.
  • Es sei angemerkt, dass Beispiele für die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft, die kein Amin-Gerüst aufweist, die oben beschriebenen Carbazol-Derivate umfassen, wie z. B. CBP, TCPB, CzPA, 9-Phenyl-3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: PCzPA), und 1,4-Bis[4-(N-carbazolyl)phenyl]-2,3,5,6-tetraphenylbenzol; und aromatische Kohlenwasserstoffe wie z. B. t-BuDNA, DPPA, t-BuDBA, DNA, DPAnth, t-BuAnth, DMNA, 2-tert-Butyl-9,10-di(1-naphthyl)anthracen, 9,10-Bis[2-(1-naphthyl)phenyl]-2-tert-butylanthracen, 9,10-Bis[2-(1-naphthyl)phenyl]anthracen, 2,3,6,7-Tetramethyl-9,10-di(1-naphthyl)anthracen, 2,3,6,7-Tetramethyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracen, 9,9'-Bianthryl, 10,10'-Diphenyl-9,9'-bianthryl, 10,10'-Bis(2-phenylphenyl)-9,9'-bianthryl, 10,10'-Bis[(2,3,4,5,6-pentaphenyl)phenyl]-9,9'-bianthryl, Anthracen, DPVBi und DPVPA. Ferner kann ein Polymer eines Carbazol-Derivats, wie z. B. PVK, verwendet werden.
  • Für den Ladungserzeugungsbereich 104 wird ein Verbundmaterial vorzugsweise verwendet, in dem die Akzeptor-Substanz und die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft enthalten sind, so dass das Massenverhältnis der Akzeptor-Substanz zu der Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft größer als oder gleich 0,1:1 und kleiner als oder gleich 4,0:1 ist.
  • Der Ladungserzeugungsbereich 104 kann in einer Dicke von größer als oder gleich 10 nm und kleiner als oder gleich 200 nm ausgebildet werden. Wenn der Ladungserzeugungsbereich 104 unter Verwendung eines Verbundmaterials aus der Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft und der Akzeptor-Substanz ausgebildet wird, ist eine Veränderung der Leitfähigkeit klein, auch wenn die Dicke des Ladungserzeugungsbereichs 104 erhöht wird; somit kann eine Erhöhung der Betriebsspannung des Licht emittierenden Elements wegen einer Erhöhung der Dicke des Ladungserzeugungsbereichs 104 unterdrückt werden. Wenn der Ladungserzeugungsbereich 104 unter Verwendung eines derartigen Materials ausgebildet wird, kann durch Regulieren der Dicke des Ladungserzeugungsbereichs 104 eine optische Regulierung des Licht emittierenden Elements durchgeführt werden, ohne dass die Betriebsspannung erhöht wird.
  • Der Ladungserzeugungsbereich 104 ist nicht auf die Struktur beschränkt, bei der ein Film die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft und die Akzeptor-Substanz enthält, und kann ein Stapel einer Schicht, welche die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft enthält, und einer Schicht, welche die Akzeptor-Substanz enthält, sein. Es sei angemerkt, dass im Fall einer gestapelten Struktur in dem m-ten Ladungserzeugungsbereich 104m eine Schicht enthaltend die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft in Kontakt mit der (m + 1)-ten Licht emittierenden Einheit 102m + 1 ausgebildet wird, und dass eine Schicht enthaltend die Akzeptor-Substanz in Kontakt mit dem m-ten Elektroneninjektionspufferbereich 105m ausgebildet wird.
  • In dem Elektroneninjektionspufferbereich 105 ist mindestens eine Alkalimetallschicht in Kontakt mit der Licht emittierenden Einheit 102 ausgebildet. Als Alkalimetall sind Lithium und eine Verbindung von Lithium bevorzugt; insbesondere können Lithium, Lithiumfluorid, Lithiumoxid und dergleichen verwendet werden. Die Dicke der Alkalimetallschicht kann 1 nm bis 10 nm sein, um Nebensprechen (crosstalk) zu unterdrücken. Da zudem die Alkalimetallschicht sehr dünn ist, ist sie nicht notwendigerweise in dem Pixelabschnitt hindurch kontinuierlich und kann teilweise in eine Inselform getrennt sein.
  • In dem Elektroneninjektionspufferbereich 105 kann ein Elektronenweiterleitungsbereich ausgebildet werden, um die Wechselwirkung zwischen der Alkalimetallschicht und dem Ladungserzeugungsbereich zu verhindern. Der Elektronenweiterleitungsbereich wird zwischen der Alkalimetallschicht und dem Ladungserzeugungsbereich ausgebildet und hat Funktionen zum Empfangen von Elektronen, die in dem Ladungserzeugungsbereich 104 erzeugt werden, und zum Abgeben von den Elektronen in die Schicht 106 enthaltend NBPhen der Licht emittierenden Einheit 102. Darüber hinaus enthält der Elektronenweiterleitungsbereich mindestens eine Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft.
  • Hier wird der Elektronenweiterleitungsbereich derart ausgebildet, dass das LUMO-Niveau der Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft, die in dem Elektronenweiterleitungsbereich enthalten ist, ein Niveau zwischen dem Akzeptor-Niveau der Akzeptor-Substanz in dem Ladungserzeugungsbereich 104 und dem LUMO-Niveau der Schicht 106 enthaltend NBPhen sein kann. Als konkreter Wert des Energie-Niveaus, ist das LUMO-Niveau der Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft, die in dem Elektronenweiterleitungsbereich enthalten ist, bevorzugt höher als oder gleich –5,0 eV, stärker bevorzugt höher als oder gleich –5,0 eV und niedriger als oder gleich –3,0 eV.
  • Als Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft in dem Elektroneninjektionspufferbereich wird ein auf Phthalocyanin basierendes Material oder ein Metallkomplex, der eine Metall-Sauerstoff-Bindung und einen aromatischen Liganden aufweist, bevorzugt verwendet.
  • In dem Fall, in dem ein auf Phthalocyanin basierendes Material verwendet wird, wird insbesondere eines von Kupfer(II)phthalocyanin (Abkürzung: CuPc), Phthalocyanin (Abkürzung: H2Pc), Phthalocyaninzinn(II)komplex (Abkürzung: SnPc), Phthalocyaninzinkkomplex (Abkürzung: ZnPc), Kobalt(II)phthalocyanin, β-Form (Abkürzung: CoPc), Phthalocyanineisen (Abkürzung: FePc) und Vanadyl 2,9,16,23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanin (Abkürzung: PhO-VOPc) vorzugsweise verwendet.
  • Wenn ein Metallkomplex, der eine Metall-Sauerstoff-Bindung und einen aromatischen Liganden aufweist, verwendet wird, wird ein Metallkomplex, der eine Metall-Sauerstoff-Doppelbindung enthält, bevorzugt. Als Metallkomplex, der eine Metall-Sauerstoff-Bindung und einen aromatischen Liganden aufweist, wird zudem ein auf Phthalocyanin basierendes Material auch bevorzugt. Insbesondere ist eines von Vanadylphthalocyanin (Abkürzung: VOPc), einem Phthalocyanin-Zinn(IV)oxid-Komplex (Abkürzung: SnOPc) und einem Phthalocyanin-Titanoxid-Komplex (Abkürzung: TiOPc) zu bevorzugen, weil eine Metall-Sauerstoff-Doppelbindung wahrscheinlicher auf ein anderes Molekül hinsichtlich einer Molekülstruktur wirkt und eine Akzeptoreigenschaft hoch ist.
  • Es sei angemerkt, dass das auf Phthalocyanin basierende Material bevorzugt eine Phenoxygruppe aufweist. Insbesondere ist ein Phthalocyanin-Derivat mit einer Phenoxygruppe wie z. B. PhO-VOPc zu bevorzugen.
  • Der Elektronenweiterleitungsbereich kann ferner eine Donator-Substanz enthalten. Beispiele für die Donator-Substanz umfassen eine organische Verbindung, wie z. B. Tetrathianaphthacen (Abkürzung: TTN), Nickelocen und Decamethylnickelocen, zusätzlich zu einem Alkalimetall, einem Erdalkalimetall, einem Seltenerdmetall und einer Verbindung der obigen Metalle (z. B. einer Alkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids, wie z. B. Lithiumoxid, eines Halogenids und eines Carbonats, wie z. B. Lithiumcarbonat oder Cäsiumcarbonat), einer Erdalkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids und eines Carbonats) und einer Seltenerdmetallverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids und eines Carbonats)). Wenn eine solche Donator-Substanz in dem Elektronenweiterleitungsbereich enthalten ist, können Elektronen leicht übertragen werden, und das lichtemittierende Element kann mit einer niedrigeren Spannung betrieben werden.
  • Wenn eine Donator-Substanz in dem Elektronenweiterleitungsbereich enthalten ist, kann zusätzlich zu den oben angegebenen Materialien eine Substanz mit einem LUMO-Niveau, das höher ist als das Akzeptor-Niveau der Akzeptor-Substanz in dem Ladungserzeugungsbereich, als die Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft in dem Elektronenweiterleitungsbereich verwendet werden. Als konkretes Energie-Niveau ist das LUMO-Niveau höher als oder gleich –5,0 eV, bevorzugt höher als oder gleich –5,0 eV und niedriger als oder gleich –3,0 eV. Beispiele für eine derartige Substanz umfassen ein Perylen-Derivat und eine Stickstoff enthaltende kondensierte aromatische Verbindung. Es sei angemerkt, dass eine Stickstoff enthaltende kondensierte aromatische Verbindung wegen deren Stabilität bevorzugt für den Elektronenweiterleitungsbereich verwendet wird. Unter Stickstoff enthaltenden kondensierten aromatischen Verbindungen ist zudem eine Struktur, bei der eine Verbindung mit einer elektronenziehenden Gruppe wie z. B. einer Cyanogruppe oder einer Fluorogruppe verwendet wird, eine bevorzugte Struktur, weil Elektronen in der Elektronenweiterleitungsbereich leicht aufgenommen werden.
  • Als konkrete Beispiele für das Perylenderivat können die Folgenden angegeben werden: 3,4,9,10-Perylentetracarbonsäuredianhydrid (Abkürzung: PTCDA), 3,4,9,10-Perylentetracarbonsäurebisbenzimidazol (Abkürzung: PTCBI), N,N'-Dioctyl-3,4,9,10-perylentetracarbonsäurediimid (Abkürzung: PTCDI-C8H), N,N'-Dihexyl-3,4,9,10-perylentetracarbonsäurediimid (Abkürzung: Hex PTC) und dergleichen.
  • Als konkrete Beispiele für die Stickstoff enthaltende kondensierte aromatische Verbindung können die Folgenden angegeben werden: Pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthrolin-2,3-dicarbonitril (Abkürzung: PPDN), 2,3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylen (Abkürzung: HAT(CN)6), 2,3-Diphenylpyrido[2,3-b]pyrazin (Abkürzung: 2PYPR), 2,3-Bis(4-fluorphenyl)pyrido[2,3-b]pyrazin (Abkürzung: F2PYPR) und dergleichen.
  • Außerdem können 7,7,8,8-Tetracyanochinodimethan (Abkürzung: TCNQ), 1,4,5,8-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid (Abkürzung: NTCDA), Perfluorpentacen, Kupferhexadecafluorphthalocyanin (Abkürzung: F16CuPc), N,N'-Bis(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluoroctyl)-1,4,5,8-naphthalintetracarbonsäurediimid (Abkürzung: NTCDI-C8F), 3',4'-Dibutyl-5,5''-bis(dicyanomethylen)-5,5''-dihydro-2,2':5',2''-terthiophen (Abkürzung: DCMT), Methanofullerene (z. B. [6,6]-Phenyl C61 Buttersäuremethylester) und dergleichen verwendet werden.
  • In dem Fall, in dem eine Donator-Substanz in dem Elektronenweiterleitungsbereich enthalten ist, kann der Elektroneninjektionspufferbereich durch ein Verfahren, wie z. B. Co-Verdampfung der Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft und der Donator-Substanz ausgebildet werden. In dem Fall, in dem die Donator-Substanz enthalten ist, wird der Elektronenweiterleitungsbereich vorzugsweise in einer Dicke von 1 nm bis 10 nm ausgebildet, in welchem Falle Erzeugung von Nebensprechen (crosstalk) wegen des Elektronenweiterleitungsbereichs unterdrückt werden kann. Aus dem gleichen Grund enthält der Elektronenweiterleitungsbereich vorzugsweise die Donator-Substanz, so dass das Massenverhältnis der Donator-Substanz zu der Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft größer als oder gleich 0,001:1 und kleiner als oder gleich 0,1:1 ist.
  • Jede der Licht emittierenden Einheiten wird durch Stapeln einer Vielzahl von Schichten je mit einer anderen Funktion ausgebildet und beinhaltet mindestens eine Licht emittierende Schicht (nicht dargestellt) enthaltend eine Licht emittierende Substanz und die Schicht enthaltend NBPhen.
  • Die Schicht 106 enthaltend NBPhen fungiert als Teil einer Elektronentransportschicht und steht in Kontakt mit dem Elektroneninjektionspufferbereich 105. Mit dieser Struktur kann Interferenz in das benachbarte Pixel auch in einem Display mit hoher Auslösung effektiv verringert werden.
  • Die Elektronentransportschicht beinhaltet die Schicht enthaltend NBPhen auf der Seite der Kathode 101 und eine Schicht, die eine Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft enthält, auf der Seite der Anode 100. Die Folgenden sind Beispiele für die Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft in der Schicht auf der Anodenseite der Elektronentransportschicht: ein Metallkomplex wie z. B. Bis(10-hydroxybenzo[h]chinolinato)beryllium(II) (Abkürzung: BeBq2), Bis(2-methyl-8-chinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminium(III) (Abkürzung: BAlq), Bis(8-chinolinolato)zink(II) (Abkürzung: Znq), Bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zink(II) (Abkürzung: ZnPBO) oder Bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zink(II) (Abkürzung: ZnBTZ); eine heterocyclische Verbindung mit einem Polyazol-Gerüst, wie z. B. 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (Abkürzung: PBD), 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: TAZ), 1,3-Bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzol (Abkürzung: OXD-7), 9-[4-(5-Phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CO11); 2,2',2''-(1,3,5-Benzoltriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazol) (Abkürzung: TPBI) oder 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]-1-phenyl-1H-benzimidazol (Abkürzung: mDBTBIm-II); eine heterocyclische Verbindung mit einem Diazin-Gerüst, wie z. B. 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-carbazol-9-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mCzBPDBq), 4,6-Bis[3-(phenanthren-9-yl)phenyl]pyrimidin (Abkürzung: 4,6mPnP2Pm) oder 4,6-Bis[3-(4-dibenzothienyl)phenyl]pyrimidin (Abkürzung: 4,6mDBTP2Pm-II); eine heterocyclische Verbindung mit einem Pyridin-Gerüst, wie z. B. 3,5-Bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridin (Abkürzung: 35DCzPPy) oder 1,3,5-Tri[3-(3-pyridyl)phenyl]benzol (Abkürzung: TmPyPB); und ein Anthracen-Derivat wie z. B. CzPA, PCzPA, 3,6-Diphenyl-9-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole (Abkürzung: DPCzPA), DPPA, DNA, t-BuDNA, oder 7-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-7H-dibenzo[c,g]carbazol (Abkürzung: cgDBCzPA). Unter den vorstehenden Materialien weisen eine heterocyclische Verbindung mit einem Diazin-Gerüst und eine heterocyclische Verbindung mit einem Pyridin-Gerüst hohe Zuverlässigkeit auf und sind somit bevorzugt. Insbesondere hat eine heterocyclische Verbindung mit einem Diazin-Gerüst (Pyrimidin-Gerüst oder Pyrazin-Gerüst) eine hohe Elektronentransporteigenschaft, was zur Verringerung der Betriebsspannung beiträgt.
  • Die Schicht, die eine Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft enthält und auf der Seite der Anode 100 der Elektronentransportschicht ausgebildet wird (die Schicht in Kontakt mit der Anodenseite der Schicht enthaltend NBPhen), ist vorzugsweise eine Schicht, die eine kondensierte aromatische Verbindung oder eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, weil die Wärmebeständigkeit des Licht emittierenden Elements verbessert wird. Die kondensierte aromatische Verbindung oder die kondensierte heteroaromatische Verbindung hat vorzugsweise drei oder mehr kondensierte Ringe. Diese Struktur fungiert effektiver, wenn die Schicht in Kontakt mit der Anodenseite der Schicht enthaltend NBPhen die kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält. Das heißt: auch wenn die kondensierte heteroaromatische Verbindung, die instabiler ist als die kondensierte aromatische Verbindung, verwendet wird, kann durch Stapeln der kondensierten heteroaromatischen Verbindung und der Schicht enthaltend NBPhen die Wärmebeständigkeit wie beim Stapeln der kondensierten aromatischen Verbindung und der Schicht enthaltend NBPhen erzielt werden. Als kondensierte heteroaromatische Verbindung ist eine Verbindung, die zwei Stickstoffatome in einem kondensierten Ring aufweist, bevorzugt.
  • Ein Licht emittierender Bereich entspricht der Schicht, die eine Licht emittierende Substanz enthält, und kann in Kontakt mit der Elektronentransportschicht oder in der Elektronentransportschicht ausgebildet werden. Die Licht emittierende Substanz kann eine fluoreszierende Verbindung oder eine phosphoreszierende Verbindung sein, die nachstehend beschrieben wird.
  • Beispiele für die fluoreszierende Verbindung umfassen: 5,6-Bis[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-2,2'-bipyridin (Abkürzung: PAP2BPy), 5,6-Bis[4'-(10-phenyl-9-anthryl)biphenyl-4-yl]-2,2'-bipyridin (Abkürzung: PAPP2BPy), N,N'-Bis[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenylpyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6FLPAPrn), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]pyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6mMemFLPAPrn), N,N'-Bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenylstilben-4,4'diamin (Abkürzung: YGA2S), 4-(9H-Carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: YGAPA), 4-(9H-Carbazol-9-yl)-4'-(9,10-diphenyl-2-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: 2YGAPPA), N,9-Diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: PCAPA), Perylen, 2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylen (Abkürzung: TBP), 4-(10-Phenyl-9-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBAPA), N,N''-(2-tert-Butylanthracen-9,10-diyldi-4,1-phenylen)bis[N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin] (Abkürzung: DPABPA), N,9-Diphenyl-N-[4-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)phenyl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPAPPA), N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-Octaphenyldibenzo[g,p]chrysen-2,7,10,15-tetraamin (Abkürzung: DBC1), Coumarin 30, N-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCAPA), N-[9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCABPhA), N-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPAPA), N-[9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPABPhA), 9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-N-[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N-phenylanthracen-2-amin (Abkürzung: 2YGABPhA), N,N,9-Triphenylanthracen-9-amin (Abkürzung: DPhAPhA), Coumarin 545T, N,N'-Diphenylchinacridon (Abkürzung: DPQd), Rubren, 5,12-Bis(1,1'-biphenyl-4-yl)-6,11-diphenyltetracen (Abkürzung: BPT), 2-(2-{2-[4-(Dimethylamino)phenyl]ethenyl}-6-methyl-4H-pyran-4-yliden)propandinitril (Abkürzung: DCM1), 2-{2-Methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: DCM2), N,N,N',N'-Tetrakis(4-methylphenyl)tetracen-5,11-diamin (Abkürzung: p-mPhTD), 7,14-Diphenyl-N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl)acenaphtho[1,2-a]fluoranthen-3,10-diamin (Abkürzung: p-mPhAFD), 2-{2-Isopropyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: DCJTI), 2-{2-tert-Butyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: DCJTB), 2-(2,6-Bis{2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl}-4H-pyran-4-yliden)propandinitril (Abkürzung: BisDCM) und 2-{2,6-Bis[2-(8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: BisDCJTM). Kondensierte aromatische Diaminverbindungen, typischerweise Pyrendiaminverbindungen, wie z. B. 1,6FLPAPrn und 1,6mMemFLPAPrn, sind wegen ihrer hohen Loch einfangenden Eigenschaften, hohen Emissionseffizienz und hohen Zuverlässigkeit besonders bevorzugt.
  • Als fluoreszierende Verbindung kann auch eine Substanz, die thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz (thermally activated delayed fluorescence: TADF) emittiert, verwendet werden. Als Material, das TADF emittiert, können nachstehende Materialien verwendet werden.
  • Ein Fulleren, ein Derivat von Fulleren, ein Acridinderivat wie z. B. Proflavin und Eosin können angegeben werden. Außerdem kann ein Metall enthaltendes Porphyrin, wie z. B. Porphyrin, das Magnesium (Mg), Zink (Zn), Cadmium (Cd), Zinn (Sn), Platin (Pt), Indium (In) oder Palladium (Pd) enthält, angegeben werden. Beispiele für das Metall enthaltende Porphyrin umfassen einen Protoporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (Abkürzung: SnF2(Proto IX)), einen Mesoporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (Abkürzung: SnF2(Meso IX)), einen Hematoporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (Abkürzung: SnF2(Hemato IX)), einen Koproporphyrin-tetramethylester-Zinnfluorid-Komplex (Abkürzung: SnF2(Copro III-4Me)), einen Octaethylporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (Abkürzung: SnF2(OEP)), einen Etioporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (Abkürzung: SnF2(Etio I)) und einen Octaethylporphyrin-Platinchlorid-Komplex (Abkürzung: PtCl2(OEP)), welche durch die folgenden Strukturformeln dargestellt werden.
  • Figure DE102014215799A1_0002
  • Alternativ kann eine heterocyclische Verbindung, die einen π-elektronenreichen heteroaromatischen Ring und einen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring aufweist, verwendet werden, wie z. B. 2-(Biphenyl-4-yl)-4,6-bis(12-phenylindolo[2,3-a]carbazol-11-yl)-1,3,5-triazin (Abkürzung: PIC-TRZ), welches durch die nachstehende Strukturformel dargestellt wird. Die heterocyclische Verbindung wird bevorzugt verwendet, wegen des π-elektronenreichen heteroaromatischen Rings und des π-elektronenarmen heteroaromatischen Rings; deswegen sind die Elektronentransporteigenschaft und die Lochtransporteigenschaft hoch. Es sei angemerkt, dass eine Substanz, in welcher der π-elektronenreiche heteroaromatische Ring direkt an den π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring gebunden ist, besonders bevorzugt verwendet wird, weil die Donatoreigenschaft des π-elektronenreichen heteroaromatischen Rings und die Akzeptoreigenschft des π-elektronenarmen heteroaromatischen Rings beide erhöht werden und der Energieunterschied zwischen dem S1-Niveau und dem T1-Niveau klein wird.
    Figure DE102014215799A1_0003
  • Als Beispiele für die phosphoreszierende Substanz können die Folgenden angegeben werden: ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem 4H-Triazol-Gerüst, wie z. B. Tris{2-[5-(2-methylphenyl)-4-(2,6-dimethylphenyl)-4H-1,2,4-tiazol-3-yl-κN2]phenyl-κC}iridium(III) (Abkürzung: Ir(mpptz-dmp)3), Tris(5-methyl-3,4-diphenyl-4H-1,2,4-triazolato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(Mptz)3) oder Tris[4-(3-biphenyl)-5-isopropyl-3-phenyl-4H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(iPrptz-3b)3); ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem 1H-Triazol-Gerüst, wie z. B. Tris[3-methyl-1-(2-methylphenyl)-5-phenyl-1H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(Mptz1-mp)3) oder Tris(1-methyl-5-phenyl-3-propyl-1H-1,2,4-triazolato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(Prptz1-Me)3); ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Imidazol-Gerüst, wie z. B. fac-Tris[1-(2,6-diisopropylphenyl)-2-phenyl-1H-imidazol]iridium(III) (Abkürzung: Ir(iPrpmi)3) oder Tris[3-(2,6-dimethylphenyl)-7-methylimidazo[1,2-f]phenanthridinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(dmpimpt-Me)3); und ein metallorganischer Iridiumkomplex, in dem ein Phenylpyridinderivat mit einer elektronenziehenden Gruppe ein Ligand ist, wie z. B. Bis[2-(4',6'-difluorophenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)tetrakis(1-pyrazolyl)borat (Abkürzung: Flr6), Bis[2-(4',6'-difluorophenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)picolinat (Abkürzung: Flrpic), Bis{2-[3',5'-bis(trifluoromethyl)phenyl]pyridinato-N,C2'}iridium(III)picolinat (Abkürzung: Ir(CF3ppy)2(pic)) oder Bis[2-(4',6'-difluorophenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Flr(acac)). Diese sind Verbindungen, die blaue Phosphoreszenz emittieren und einen Emissionspeak bei 440 nm bis 520 nm aufweisen.
  • Ferner können die Folgenden verwendet werden: ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst, wie z. B. Tris(4-methyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppm)3), Tris(4-t-butyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tBuppm)3), (Acetylacetonato)bis(6-methyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppm)2(acac)), Bis[2-(6-tert-butyl-4-pyrimidinyl-κN3)phenyl-κC](2,4-pentandionato-κ2O,O')iridium(III) (Abkürzung: Ir(tBuppm)2(acac)), (Acetylacetonato)bis[4-(2-norbornyl)-6-phenylpyrimidinato]iridium(III) (endo/exo-Mischung) (Abkürzung: Ir(nbppm)2(acac)), (Acetylacetonato)bis[5-methyl-6-(2-methylphenyl)-4-phenylpyrimidinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(mpmppm)2(acac)) oder (Acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(dppm)2(acac)); ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrazin-Gerüst, wie z. B. (Acetylacetonato)bis(3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppr-Me)2(acac)) oder (Acetylacetonato)bis(5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppr-iPr)2(acac)); ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyridin-Gerüst, wie z. B. Tris(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(ppy)3), Bis(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(ppy)2(acac)), Bis(benzo[h]chinolinato)iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(bzq)2(acac)), Tris(benzo[h]chinolinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(bzq)3), Tris(2-phenylchinolinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(pq)3) oder Bis(2-phenylchinolinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(pq)2(acac)); und ein Seltenerdmetallkomplex wie z. B. Tris(acetylacetonato)(monophenanthrolin)terbium(III) (Abkürzung: Tb(acac)3(Phen)). Diese sind hauptsächlich Verbindungen, die grüne Phosphoreszenz emittieren, und haben einen Emissionspeak bei 500 nm bis 600 nm. Es sei angemerkt, dass ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst sehr hohe Zuverlässigkeit und Emissionseffizienz aufweist und somit besonders bevorzugt ist.
  • Ferner können die Folgenden verwendet werden: ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst, wie z. B. Bis[4,6-bis(3-methylphenyl)pyrimidinato] (diisobutyrylmethano)iridium(III) (Abkürzung: Ir(5mdppm)2(dibm)), Bis[4,6-bis(3-methylphenyl)pyrimidinato](dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(5mdppm)2(dpm)) oder Bis[4,6-di(naphthalen-1-yl)pyrimidinato](dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(d1npm)2(dpm)); ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrazin-Gerüst, wie z. B. (Acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)2(acac)), Bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)(dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)2(dpm)) oder (Acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorophenyl)chinoxalinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(Fdpq)2(acac)); ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyridin-Gerüst, wie z. B. Tris(1-phenylisochinolinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(piq)3) oder Bis(1-phenylisochinolinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(piq)2(acac)); ein Platinkomplex wie z. B. (2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphyrin)platin(II) (Abkürzung: PtOEP); und ein Seltenerdmetallkomplex wie z. B. Tris(1,3-diphenyl-1,3-propandionato)(monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(DBM)3(Phen)) oder Tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoroacetonato](monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(TTA)3(Phen)). Diese sind Verbindungen, die rote Phosphoreszenz emittieren, und haben einen Emissionspeak bei 600 nm bis 700 nm. Außerdem können die metallorganischen Iridiumkomplexe mit Pyrazin-Gerüsten rotes Licht mit einer günstigen Chromatizität (Farbart) emittieren.
  • Verschiedene phosphoreszierende Materialien außer den vorstehenden phosphoreszierenden Verbindungen können auch ausgewählt und verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass der Licht emittierende Bereich vorzugsweise eine Struktur hat, bei der diese Licht emittierenden Substanzen in einem Wirtsmaterial verteilt werden. Zusätzlich zu den Substanzen, die als Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft in der Elektronentransportschicht angegeben werden, kann auch eine Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft verwendet werden. Als Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft können die Substanzen, die als Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft angegeben werden und in der Ladungserzeugungsschicht verwendet werden können, verwendet werden. Die Folgenden werden vorzugsweise verwendet: eine Verbindung mit einem aromatischen Amin-Gerüst, wie z. B. 4,4'-Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: NPB), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamin (Abkürzung: TPD), 4,4'-Bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: BSPB), 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP), 4-Phenyl-3'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: mBPAFLP), 4-Phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBA1BP), 4,4'-Diphenyl-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBBi1BP), 4-(1-Naphthyl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBANB), 4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB), 9,9-Dimethyl-N-phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]fluoren-2-amin (Abkürzung: PCBAF) oder N-Phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]spiro-9,9'-bifluoren-2-amin (Abkürzung: PCBASF); eine Verbindung mit einem Carbazol-Gerüst, wie z. B. 1,3-Bis(N-carbazolyl)benzol (Abkürzung: mCP), 4,4'-Di(N-carbazolyl)biphenyl (Abkürzung: CBP), 3,6-Bis(3,5-diphenylphenyl)-9-phenylcarbazol (Abkürzung: CzTP) oder 3,3'-Bis(9-phenyl-9H-carbazol) (Abkürzung: PCCP); eine Verbindung mit einem Thiophen-Gerüst, wie z. B. 4,4',4''-(Benzol-1,3,5-triyl)tri(dibenzothiophen) (Abkürzung: DBT3P-II), 2,8-Diphenyl-4-[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]dibenzothiophen (Abkürzung: DBTFLP-III) oder 4-[4-(9-Phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-6-phenyldibenzothiophen (Abkürzung: DBTFLP-IV); und eine Verbindung mit einem Furan-Gerüst, wie z. B. 4,4',4''-(Benzol-1,3,5-triyl)tri(dibenzofuran) (Abkürzung: DBF3P-II) oder 4-{3-[3-(9-Phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]phenyl}dibenzofuran (Abkürzung: mmDBFFLBi-II). Unter den vorstehenden Materialien werden eine Verbindung mit einem aromatischen Amin-Gerüst und eine Verbindung mit einem Carbazol-Gerüst bevorzugt, da diese Verbindungen hochzuverlässig sind und hohe Lochtransporteigenschaften haben, was zur Verringerung der Betriebsspannung beiträgt.
  • Mindestens ein Licht emittierender Bereich kann in jeder der Licht emittierenden Einheiten enthalten sein. Alternativ kann in jeder der Licht emittierenden Einheiten eine Vielzahl von Licht emittierenden Schichten, die unterschiedliche Licht emittierende Substanzen und/oder Wirtsmaterialien enthalten, oder eine Vielzahl von Licht emittierenden Schichten, die die gleiche Licht emittierende Substanz und das gleiche Wirtsmaterial in unterschiedlichen Konzentrationen enthalten, enthalten sein. Natürlich können Strukturen der Licht emittierenden Schichten in den Licht emittierenden Einheiten gleich oder voneinander unterschiedlich sein.
  • Zusätzlich zu der Elektronentransportschicht und der Licht emittierenden Schicht, die in jeder der Licht emittierenden Einheiten enthalten sind, können eine Schicht, die eine Lochinjektionssubstanz enthält und eine Lochinjektionseigenschaft hat (eine Lochinjektionsschicht), eine Schicht, die eine Lochtransportsubstanz enthält und eine Lochtransporteigenschaft hat (eine Lochtransportschicht), eine Schicht, die eine bipolare Substanz enthält und eine bipolare Eigenschaft hat (mit sowohl einer Elektronentransporteigenschaft als auch einer Lochtransporteigenschaft), und dergleichen angegeben werden. Jede der Licht emittierenden Einheiten kann angemessen unter Verwendung einer Kombination aus den vorstehenden Schichten und anderen verschiedenen Funktionsschichten ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass in der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n, die in Kontakt mit der Kathode 101 steht, eine Schicht, die eine Elektroneninjektionssubstanz enthält und eine Elektroneninjektionseigenschaft hat (eine Elektroneninjektionsschicht), ferner als Schicht am nächsten der Kathode 101 angeordnet sein kann. Außerdem kann ein Ladungserzeugungsbereich zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit 102k und der Anode 100 und zwischen der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n und der Kathode 101 bereitgestellt sein.
  • Die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht und die Elektroneninjektionsschicht werden nachstehend beschrieben.
  • Die Lochinjektionsschicht ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer Lochinjektionseigenschaft enthält. Als Substanz mit einer Lochinjektionseigenschaft kann beispielsweise ein Metalloxid wie z. B. Molybdänoxid, Vanadiumoxid, Rutheniumoxid, Wolframoxid oder Manganoxid verwendet werden. Alternativ kann eine auf Phthalocyanin basierende Verbindung, wie z. B. Phthalocyanin (Abkürzung: H2Pc) oder Kupfer(II)phthalocyanin (Abkürzung: CuPc), verwendet werden. Ein Polymer wie z. B. PEDOT/PSS (Abkürzung) kann auch verwendet werden.
  • Die Lochtransportschicht ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft enthält. Als Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft in der Lochtransportschicht kann eine Substanz, die der Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft in dem vorstehenden Ladungserzeugungsbereich 104 ähnlich ist, verwendet werden. Deshalb wird hier auf die vorstehende Beschreibung Bezug genommen. Es sei angemerkt, dass die Lochtransportschicht eine gestapelte Struktur aus zwei oder mehr Schichten, die die vorstehenden Substanzen enthalten, sowie eine einschichtige Struktur aufweisen kann.
  • Die Elektroneninjektionsschicht, die in der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n angeordnet werden kann, enthält eine Substanz mit einer Elektroneninjektionseigenschaft. Als die Substanz mit einer Elektroneninjektionseigenschaft können die Folgenden angegeben werden: ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall und eine Verbindung dieser Metalle wie Z. B. Lithiumfluorid (LiF), Cäsiumfluorid (CsF) und Calciumfluorid (CaF2). Alternativ kann eine Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft, welche ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung dieser Metalle (z. B. Alq (Abkürzung), das Magnesium (Mg) enthält) enthält, als Substanz mit einer Elektroneninjektionseigenschaft verwendet werden. Eine solche Struktur ermöglicht, dass die Effizienz der Elektroneninjektion von der Kathode 101 erhöht wird.
  • Ein Ladungserzeugungsbereich kann zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit 102k und der Anode 100 oder zwischen der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n und der Kathode 101 bereitgestellt sein. In dem Fall, in dem ein Ladungserzeugungsbereich zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit 102k und der Anode 100 oder zwischen der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n und der Kathode 101 bereitgestellt ist, wird der Ladungserzeugungsbereich unter Verwendung eines Verbundmaterials, das eine Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft und eine Akzeptor-Substanz enthält, ausgebildet. Der Ladungserzeugungsbereich ist nicht darauf beschränkt, dass er die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft und die Akzeptor-Substanz in demselben Film enthält, und kann ein Stapel aus einer Schicht, welche die Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft enthält, und einer Schicht, welche die Akzeptor-Substanz enthält, sein. Es sei angemerkt, dass im Fall der gestapelten Struktur die Schicht, die eine Akzeptor-Substanz enthält, in Kontakt mit der Anode 100 oder der Kathode 101 steht.
  • Wenn ein Ladungserzeugungsbereich zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit 102k und der Anode 100 oder zwischen der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n und der Kathode 101 bereitgestellt wird, kann die Anode 100 oder die Kathode 101 ohne Berücksichtigung einer Austrittarbeit einer Substanz zum Ausbilden der Elektroden ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass eine Struktur und eine Substanz, die denjenigen des vorstehenden Ladungserzeugungsbereichs 104 ähnlich sind, für den Ladungserzeugungsbereich zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit 102k und der Anode 100 oder zwischen der n-ten Licht emittierenden Einheit 102n und der Kathode 101 verwendet werden können. Deshalb wird auf die vorstehende Beschreibung Bezug genommen.
  • Es sei angemerkt, dass jede der Licht emittierenden Einheiten durch Stapeln der vorstehenden Schichten in einer geeigneten Kombination ausgebildet werden kann. Als Verfahren zum Ausbilden jeder der Licht emittierenden Einheiten können verschiedene Verfahren (z. B. ein Trockenprozess wie z. B. ein Vakuumverdampfverfahren, ein Nassprozess wie z. B. ein Tintenstrahlverfahren oder ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder dergleichen) abhängig von einem zu verwendenden Material verwendet werden. Jede Schicht kann durch ein unterschiedliches Ausbildungsverfahren ausgebildet werden.
  • Die Anode 100 wird vorzugsweise unter Verwendung eines Metalls, einer Legierung, einer leitenden Verbindung, eines Gemisches davon oder dergleichen mit einer hohen Austrittsarbeit (insbesondere einer Austrittsarbeit von höher als oder gleich 4,0 eV) ausgebildet. Spezifische Beispiele umfassen Indiumoxid-Zinnoxid (ITO: Indiumzinnoxid), Indiumoxid-Zinnoxid, das Silizium oder Siliziumoxid enthält, Indiumoxid-Zinkoxid und Indiumoxid, das Wolframoxid und Zinkoxid enthält (IWZO). Diese leitenden Metalloxidfilme werden im Allgemeinen durch ein Sputterverfahren ausgebildet, können aber auch durch Anwendung eines Sol-Gel-Verfahrens oder dergleichen ausgebildet werden. In einem Beispiel für das Ausbildungsverfahren wird Indiumoxid-Zinkoxid durch ein Sputterverfahren abgeschieden, bei dem ein Target verwendet wird, das durch Zusatz von 1 Gew.-% bis 20 Gew.-% Zinkoxid zu Indiumoxid erhalten wird. Des Weiteren kann Indiumoxid, das Wolframoxid und Zinkoxid enthält (IWZO), durch ein Sputterverfahren abgeschieden werden, bei dem ein Target verwendet wird, in dem 0,5 Gew.-% bis 5 Gew.-% Wolframoxid und 0,1 Gew.-% bis 1 Gew.-% Zinkoxid zu Indiumoxid zugesetzt sind. Alternativ kann Gold (Au), Platin (Pt), Nickel (Ni), Wolfram (W), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Kupfer (Cu), Palladium (Pd), ein Nitrid eines Metallmaterials (z. B. Titannitrid) oder dergleichen verwendet werden. Graphen kann auch verwendet werden.
  • Die Kathode 101 kann unter Verwendung eines Metalls, einer Legierung, einer elektrisch leitenden Verbindung, eines Gemisches davon oder dergleichen, das/die eine niedrige Austrittsarbeit (insbesondere eine Austrittsarbeit von niedriger als oder gleich 3,8 eV) aufweist, ausgebildet werden. Konkrete Beispiele für ein solches Kathodenmaterial sind Elemente, die zu den Gruppen 1 und 2 des Periodensystems gehören, wie z. B. Alkalimetalle (z. B. Lithium (Li) und Cäsium (Cs)), Magnesium (Mg), Calcium (Ca) und Strontium (Sr), Legierungen davon (z. B. MgAg und AlLi), Seltenerdmetalle wie z. B. Europium (Eu) und Ytterbium (Yb), Legierungen davon und dergleichen. Wenn die Elektroneninjektionsschicht zwischen der Kathode 101 und der Elektronentransportschicht bereitgestellt wird, kann jedoch als die Kathode 101 eines von verschiedenen leitenden Materialien, wie z. B. Al, Ag, ITO, Indiumoxid-Zinnoxid, das Silizium oder Siliziumoxid enthält, und dergleichen ohne Berücksichtigung der Austrittsarbeit verwendet werden. Diese leitenden Materialien können durch ein Sputterverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder dergleichen abgeschieden werden.
  • Es sei angemerkt, dass in dem Licht emittierenden Element, das bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, mindestens eine der Anode 100 und der Kathode 101 eine Eigenschaft zum Durchlassen des sichtbaren Lichts aufweisen kann. Die Licht durchlassende Eigenschaft kann unter Verwendung einer durchsichtigen Elektrode wie z. B. ITO oder durch Verringern der Dicke einer Elektrode gesichert werden. Alternativ kann eine gestapelte Struktur aus einem dünnen Material und einer durchsichtigen Elektrode verwendet werden.
  • Außerdem kann eine leitende Schicht zum Steuern der optischen Weglänge des Licht emittierenden Elements zwischen der Anode 100 und der Licht emittierenden Einheit oder zwischen der Kathode 101 und der Licht emittierenden Einheit unter Verwendung eines lichtdurchlässigen leitenden Materials wie z. B. ITO ausgebildet werden.
  • Da das Licht emittierende Element nach dieser Ausführungsform eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten umfasst, kann Licht, das eine Kombination von Licht ist, das von jeweiligen Licht emittierenden Einheiten emittiert wird, erhalten werden. Mit anderen Worten: in dem Fall, in dem eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten, die jeweils eine Licht emittierende Schicht enthaltend die gleiche Licht emittierende Substanz aufweisen, gestapelt ist, kann höhere Leuchtdichte erzielt werden, im Vergleich zu einem Licht emittierenden Element, das unter Verwendung einer einzelnen Licht emittierenden Einheit ausgebildet wird, wenn die Stromdichte gleich ist. Außerdem kann ein Licht emittierendes Element mit einem breiten Spektrum oder ein Licht emittierendes Element, das weißes Licht emittiert, erhalten werden, wenn das Licht emittierende Element nach dieser Ausführungsform durch Stapeln der Licht emittierenden Einheiten ausgebildet wird, die Licht emittierende Substanzen enthalten, welche unterschiedliche Farben emittieren können. Ein Display, das ein weißes Licht emittierendes Element und ein Farbfilter beinhaltet, ist vorteilhaft, um höhere Auflösung zu erzielen.
  • Folglich kann auch dann, wenn das Licht emittierende Element mit der vorstehenden Struktur bei dieser Ausführungsform, in dem eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten durch eine Ladungserzeugungsschicht voneinander getrennt ist, in einem Display mit hoher Auflösung (z. B. ein Abstand zwischen Licht emittierenden Bereichen von benachbarten Licht emittierenden Elementen ist kürzer als oder gleich 40 μm) verwendet wird, ein Interferenz-Phänomen zwischen den benachbarten Licht emittierenden Elementen ohne große Erhöhung der Betriebsspannung effektiv verringert werden und das Display kann ein Bild mit hoher Qualität bereitstellen. Es sei angemerkt, dass das Licht emittierende Element, in dem eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten durch einen Ladungserzeugungsbereich voneinander getrennt ist, ein Licht emittierendes Element ist, das eine hohe Stromeffizienz, ein breites Emissionsspektrum oder weiße Lichtemission leicht erzielt.
  • (Ausführungsform 2)
  • Diese Ausführungsform zeigt eine Licht emittierende Vorrichtung, die das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element beinhaltet.
  • Bei dieser Ausführungsform wird die Licht emittierende Vorrichtung, die unter Verwendung des bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elements hergestellt wird, anhand von 2A und 2B beschrieben. 2A ist eine Draufsicht der Licht emittierenden Vorrichtung, und 2B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linien A-B und C-D der 2A. Diese Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet einen Treiberschaltungsabschnitt (Sourceleitungs-Treiberschaltung) 601, einen Pixelabschnitt 602 und einen Treiberschaltungsabschnitt (Gateleitungs-Treiberschaltung) 603, welche die Lichtemission eines Licht emittierenden Elements steuern und mit gepunkteten Linien dargestellt sind. Ein Bezugszeichen 604 bezeichnet ein Dichtungssubstrat; 605 bezeichnet ein Dichtungsmaterial; und ein Abschnitt, der durch das Dichtungsmaterial 605 umgeben ist, ist ein Raum 607.
  • Eine Anschlussleitung (lead wiring) 608 ist eine Leitung zum Übertragen von Signalen, die in die Sourceleitungs-Treiberschaltung 601 und die Gateleitungs-Treiberschaltung 603 eingegeben werden sollen, und zum Empfangen eines Videosignals, eines Taktsignals, eines Startsignals, eines Rücksetzsignals und dergleichen von einer FPC (flexible printed circuit, flexiblen gedruckten Schaltung) 609, die als externer Eingangsanschluss dient. Obwohl hier nur die FPC gezeigt ist, kann die FPC mit einer gedruckten Leiterplatte (printed wiring board: PWB) versehen sein. Die Licht emittierende Vorrichtung in dieser Beschreibung umfasst nicht nur einen Hauptkörper der Licht emittierenden Vorrichtung, sondern auch die Licht emittierende Vorrichtung, die mit einer FPC oder einer PWB versehen ist.
  • Im Folgenden wird eine Querschnittsstruktur anhand von 2B beschrieben. Der Treiberschaltungsabschnitt und der Pixelabschnitt werden über einem Elementsubstrat 610 gebildet; 2B zeigt die Sourceleitungs-Treiberschaltung 601, die ein Treiberschaltungsabschnitt ist, und eines der Pixel des Pixelabschnitts 602.
  • Als die Sourceleitungs-Treiberschaltung 601 wird eine CMOS-Schaltung, bei der ein n-Kanal-TFT 623 und ein p-Kanal-TFT 624 kombiniert werden, ausgebildet. Die Treiberschaltung kann aus verschiedenen Typen von CMOS-Schaltungen, PMOS-Schaltungen oder NMOS-Schaltungen ausgebildet werden. Obwohl ein Treiber integrierter Typ, bei dem eine Treiberschaltung über einem Substrat gebildet wird, bei dieser Ausführungsform dargestellt ist, ist er nicht notwendigerweise erfordert, und eine Treiberschaltung kann außerhalb eines Substrats, nicht über dem Substrat, gebildet werden.
  • Der Pixel-Abschnitt 602 beinhaltet eine Vielzahl von Pixeln, die jeweils einen TFT 611 zum Schalten, einen TFT 612 zur Stromsteuerung und eine erste Elektrode 613, die elektrisch mit einem Drain des TFT 612 zur Stromsteuerung verbunden ist, beinhalten. Es sei angemerkt, dass ein Isolator 614 ausgebildet ist, um ein Ende der ersten Elektrode 613 zu bedecken. Hier wird ein positiver lichtempfindlicher Acrylharzfilm verwendet, um den Isolator 614 auszubilden.
  • Der Isolator 614 wird ausgebildet, so dass er eine gekrümmte Oberfläche mit Krümmung an einem oberen Ende oder einem unteren Ende davon aufweist, um vorteilhafte Abdeckung zu erhalten. Beispielsweise wird in dem Fall, in dem positives lichtempfindliches Acryl als Material des Isolators 614 verwendet wird, vorzugsweise der Isolator 614 derart ausgebildet, dass er eine gekrümmte Oberfläche mit einem Krümmungsradius (0,2 μm bis 3 μm) nur an einem oberen Ende aufweist. Als der Isolator 614 kann entweder ein negatives lichtempfindliches Harz oder ein positives lichtempfindliches Harz verwendet werden.
  • Eine EL-Schicht 616 und eine zweite Elektrode 617 sind über der ersten Elektrode 613 ausgebildet. In diesem Fall ist es bevorzugt, dass die erste Elektrode 613, die als Anode dient, unter Verwendung eines Materials mit einer hohen Austrittarbeit ausgebildet wird. Beispielsweise kann ein einschichtiger Film von einem ITO-Film, einem Indiumzinnoxidfilm enthaltend Silizium, einem Indiumoxidfilm enthaltend 2 Gew.-% bis 20 Gew.-% Zinkoxid, einem Titannitridfilm, einem Chromfilm, einem Wolframfilm, einem Zn-Film, einem Pt-Film oder dergleichen verwendet werden. Zusätzlich zu diesen einschichtigen Filmen kann ein Stapel aus einem Titannitridfilm und einem Film, der Aluminium als seine Hauptkomponente enthält, ein Stapel aus drei Schichten, nämlich einem Titannitridfilm, einem Film, der Aluminium als seine Hauptkomponente enthält, und einem Titannitridfilm, oder dergleichen verwendet werden. Wenn die erste Elektrode 613 eine gestapelte Struktur aufweist, ist der Leitungswiderstand niedrig, ein günstiger ohmscher Kontakt wird gebildet, und ferner kann die erste Elektrode 613 als Anode dienen.
  • Zusätzlich wird die EL-Schicht 616 durch verschiedene Verfahren wie z. B. ein Verdampfverfahren unter Verwendung einer Verdampfmaske, ein Tintenstrahlverfahren oder ein Rotationsbeschichtungsverfahren ausgebildet. Die EL-Schicht 616 hat die bei der Ausführungsform 1 beschriebene Struktur. Als anderes Material in der EL-Schicht 616 kann eine niedermolekulare Verbindung oder eine hochmolekulare Verbindung (einschließlich eines Oligomers oder Dendrimers) verwendet werden.
  • Als Material für die zweite Elektrode 617, die über der EL-Schicht 616 ausgebildet ist und als Kathode dient, wird vorzugsweise ein Material mit einer niedrigen Austrittsarbeit (z. B. Al, Mg, Li, Ca oder eine Legierung oder eine Verbindung davon, wie beispielsweise MgAg, MgIn oder AlLi) verwendet. Wenn in der EL-Schicht 616 erzeugtes Licht durch die zweite Elektrode 617 geleitet wird, wird vorzugsweise die zweite Elektrode 617 aus einem Stapel aus einem dünnen Metallfilm und einem durchsichtigen leitenden Film (ITO, Indiumoxid enthaltend 2 Gew.-% bis 20 Gew.-% Zinkoxid, Indiumzinnoxid enthaltend Silizium, Zinkoxid (ZnO) oder dergleichen) ausgebildet.
  • Es sei angemerkt, dass das Licht emittierende Element mit der ersten Elektrode 613, der EL-Schicht 616 und der zweiten Elektrode 617 ausgebildet wird. Das Licht emittierende Element hat die bei der Ausführungsform 1 beschriebene Struktur. In der Licht emittierenden Vorrichtung nach dieser Ausführungsform kann der Pixelabschnitt, der eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen beinhaltet, sowohl das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element als auch ein Licht emittierendes Element mit einer anderen Struktur beinhalten.
  • Das Dichtungssubstrat 604 wird mit dem Dichtungsmaterial 605 so an dem Elementsubstrat 610 angebracht, dass ein Licht emittierendes Element 618 in dem Raum 607 bereitgestellt wird, der von dem Elementsubstrat 610, dem Dichtungssubstrat 604 und dem Dichtungsmaterial 605 umschlossen wird. Der Raum 607 ist mit einem Füllstoff gefüllt, aber es gibt auch einen Fall, in dem der Raum 607 mit einem inerten Gas (Stickstoff, Argon oder dergleichen) oder dem Dichtungsmaterial 605 gefüllt ist. Es ist bevorzugt, dass das Dichtungssubstrat mit einem ausgesparten Teil versehen ist und ein Trocknungsmittel in dem ausgesparten Teil bereitgestellt wird, in welchem Falle die Verschlechterung wegen eines Einflusses von Feuchtigkeit unterdrückt werden kann.
  • Ein Harz auf Epoxid-Basis oder eine Glasfritte wird bevorzugt für das Dichtungsmaterial 605 verwendet. Es ist bevorzugt, dass ein solches Material möglichst wenig Feuchtigkeit und möglichst wenig Sauerstoff durchlässt. Als das Dichtungssubstrat 604 kann ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat oder ein Kunststoffsubstrat, das aus einem faserverstärkten Kunststoff (fiber reinforced plastic: FRP), Poly(vinylfluorid) (PVF), Polyester, Acryl oder dergleichen ausgebildet ist, verwendet werden.
  • Auf diese Weise kann die Licht emittierende Vorrichtung erhalten werden, bei der das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element verwendet wird.
  • Da die Licht emittierende Vorrichtung bei dieser Ausführungsform unter Verwendung des bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elements hergestellt wird, kann eine Licht emittierende Vorrichtung mit vorteilhaften Eigenschaften bereitgestellt werden. Da das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element vorteilhafte Emissionseffizienz aufweist, kann insbesondere die Licht emittierende Vorrichtung verringerten Leistungsverbrauch aufweisen. Außerdem kann, da das Licht emittierende Element leicht in großen Mengen hergestellt werden kann, die Licht emittierende Vorrichtung mit geringen Kosten bereitgestellt werden.
  • 3A und 3B zeigen jeweils ein Beispiel für eine Licht emittierende Vorrichtung, in der Vollfarbanzeige durch Ausbilden eines weißes Licht emittierenden Elements und Bereitstellen der Farbschichten (Farbfilter) und dergleichen erzielt wird. In 3A sind ein Substrat 1001, ein Basis-Isolierfilm 1002, ein Gate-Isolierfilm 1003, Gate-Elektroden 1006, 1007 und 1008, ein erster Zwischenschichtisolierfilm 1020, ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm 1021, ein Peripherieabschnitt 1042, ein Pixelabschnitt 1040, ein Treiberschaltungsabschnitt 1041, erste Elektroden 1024W, 1024R, 1024G und 1024B von Licht emittierenden Elementen, eine Trennwand 1025, eine EL-Schicht 1028, eine zweite Elektrode 1029 der Licht emittierenden Elemente, ein Dichtungssubstrat 1031, ein Dichtungsmaterial 1032 und dergleichen gezeigt.
  • In 3A sind Farbschichten (eine rote Farbschicht 1034R, eine grüne Farbschicht 1034G und eine blaue Farbschicht 1034B) an einem durchsichtigen Basismaterial 1033 angebracht. Außerdem kann auch eine schwarze Schicht (eine Schwarzmatrix) 1035 bereitgestellt sein. Das durchsichtige Basismaterial 1033, das mit den Farbschichten und der schwarzen Schicht versehen ist, ist positioniert und an dem Substrat 1001 befestigt. Es sei angemerkt, dass die Farbschichten und die schwarze Schicht mit einer Bedeckungsschicht 1036 bedeckt sind. In 3A geht Licht, das von einigen der Licht emittierenden Schichten emittiert wird, nicht durch die Farbschichten durch, während Licht, das von den anderen der Licht emittierenden Schichten emittiert wird, durch die Farbschichten durchgeht. Da das nicht durch die Farbschichten durchgehende Licht weiß ist und das durch eine der Farbschichten durchgehende Licht rot, blau oder grün ist, kann ein Bild unter Verwendung von Pixeln für die vier Farben angezeigt werden.
  • 3B zeigt ein Beispiel, in dem die Farbschichten (die rote Farbschicht 1034R, die grüne Farbschicht 1034G und die blaue Farbschicht 1034B) zwischen dem Gate-Isolierfilm 1003 und dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 1020 bereitgestellt sind. Wie bei dieser Struktur können die Farbschichten zwischen dem Substrat 1001 und dem Dichtungssubstrat 1031 angeordnet werden.
  • Die oben beschriebene Licht emittierende Vorrichtung ist eine Licht emittierende Vorrichtung mit einer Struktur, bei der Licht von der Seite des Substrats 1001 entnommen wird, wo die TFTs ausgebildet sind (einer Struktur mit Emission nach unten (bottom emission structure)), aber sie kann auch eine Licht emittierende Vorrichtung mit einer Struktur sein, bei der Licht von der Seite des Dichtungssubstrats 1031 entnommen wird (einer Struktur mit Emission nach oben (top emission structure). 4 ist eine Querschnittsansicht einer Licht emittierenden Vorrichtung mit einer Struktur mit Emission nach oben. In diesem Fall kann ein Substrat, das kein Licht durchlässt, als das Substrat 1001 verwendet werden. Der Prozess bis zum Schritt zum Ausbilden einer Verbindungselektrode, die den TFT und die Anode des Licht emittierenden Elements verbindet, wird auf eine Weise durchgeführt werden, die derjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung mit einer Struktur mit Emission nach unten ähnlich ist. Dann wird ein dritter Zwischenschicht-Isolierfilm 1037 ausgebildet, um eine Elektrode 1022 zu bedecken. Dieser Isolierfilm kann eine Ebnungsfunktion haben. Der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 1037 kann unter Verwendung eines Materials, das demjenigen des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms ähnlich ist, ausgebildet werden und kann unter Verwendung eines anderen bekannten Materials ausgebildet werden.
  • Die ersten Elektroden 1024W, 1024R, 1024G und 1024B der Licht emittierenden Elemente dienen hier zwar jeweils als Anode, aber können auch als Kathode dienen. Ferner sind im Fall einer in 4 gezeigten Licht emittierenden Vorrichtung mit einer Struktur mit Emission nach oben die ersten Elektroden vorzugsweise reflektierende Elektroden. Die EL-Schicht 1028 wird ausgebildet, um eine Struktur zu haben, die der Struktur der EL-Schicht 110 ähnlich ist, welche bei der Ausführungsform 1 beschrieben worden ist und mit welcher weiße Lichtemission erhalten werden kann.
  • Im Fall einer Struktur mit Emission nach oben wie in 4 kann die Dichtung mit dem Dichtungssubstrat 1031 durchgeführt werden, an dem die Farbschichten (die rote Farbschicht 1034R, die grüne Farbschicht 1034G und die blaue Farbschicht 1034B) bereitgestellt sind. Die schwarze Schicht (Schwarzmatrix) 1035 kann auf dem Dichtungssubstrat 1031 angeordnet werden, so dass sie zwischen den Pixeln liegt. Die Farbschichten (die rote Farbschicht 1034R, die grüne Farbschicht 1034G und die blaue Farbschicht 1034B) und die schwarze Schicht (Schwarzmatrix) können mit der Bedeckungsschicht bedeckt sein. Es sei angemerkt, dass ein lichtdurchlässiges Substrat als das Dichtungssubstrat 1031 verwendet wird.
  • Ferner wird ein Beispiel, in dem Vollfarbanzeige unter Verwendung von vier Farben, nämlich Rot, Grün, Blau und Weiß durchgeführt wird, hier gezeigt; es gibt jedoch keine besondere Beschränkung, und Vollfarbanzeige kann unter Verwendung von drei Farben, nämlich Rot, Grün und Blau durchgeführt werden.
  • Da die Licht emittierende Vorrichtung bei dieser Ausführungsform unter Verwendung des bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elements hergestellt wird, kann eine Licht emittierende Vorrichtung mit vorteilhaften Eigenschaften bereitgestellt werden. Da das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element vorteilhafte Emissionseffizienz aufweist, kann die Licht emittierende Vorrichtung insbesondere verringerten Leistungsverbrauch aufweisen. Außerdem kann, da das Licht emittierende Element leicht in großen Mengen hergestellt werden kann, die Licht emittierende Vorrichtung mit geringen Kosten bereitgestellt werden.
  • Da viele mikrofeine Licht emittierende Elemente in einer Matrix in der vorstehend beschriebenen Licht emittierenden Vorrichtung jeweils gesteuert werden können, kann die Licht emittierende Vorrichtung geeignet als Anzeigevorrichtung zum Anzeigen von Bildern verwendet werden.
  • Diese Ausführungsform kann mit einer der anderen Ausführungsformen frei kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 3)
  • Bei dieser Ausführungsform werden Beispiele für ein elektronisches Gerät beschrieben, welches das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element als Teil davon beinhaltet. Das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element weist eine hohe Emissionseffizienz und niedrigen Leistungsverbrauch auf. Unter Verwendung des Licht emittierenden Elements kann ein Display hohe Anzeigequalität aufweisen. Als Ergebnis können die bei dieser Ausführungsform beschriebenen elektronischen Geräte jeweils einen Anzeigeabschnitt mit hoher Anzeigequalität und verringertem Leistungsverbrauch beinhalten.
  • Beispiele für das elektronische Gerät, auf welches das vorstehende Licht emittierende Element angewendet wird, umfassen Fernsehgeräte (auch als TV oder Fernsehempfänger bezeichnet), Monitore für Computer und dergleichen, Kameras wie z. B. Digitalkameras und Digitalvideokameras, digitale Photorahmen, Mobiltelefone (auch als Handys oder tragbare Telefongeräte bezeichnet), tragbare Spielkonsolen, tragbare Informationsendgeräte, Audiowiedergabegeräte, große Spielautomaten wie z. B. Flipperautomaten und dergleichen. Konkrete Beispiele für diese elektronischen Geräte werden nachstehend angegeben.
  • 5A zeigt ein Beispiel für ein Fernsehgerät. Bei dem Fernsehgerät ist ein Anzeigeabschnitt 7103 in einem Gehäuse 7101 eingebaut. Hier wird zudem das Gehäuse 7101 von einem Fuß 7105 getragen. Bilder können auf dem Anzeigeabschnitt 7103 angezeigt werden, und in dem Anzeigeabschnitt 7103 sind die bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elemente in einer Matrix angeordnet.
  • Das Fernsehgerät kann mittels eines Bedienungsschalters in dem Gehäuse 7101 oder einer separaten Fernbedienung 7110 betrieben werden. Durch Bedienungstasten 7109 der Fernbedienung 7110 können die Fernsehsender und die Lautstärke gesteuert werden, und Bilder, die auf dem Anzeigeabschnitt 7103 angezeigt werden, können gesteuert werden. Ferner kann die Fernbedienung 7110 mit einem Anzeigeabschnitt 7107 zum Anzeigen von Daten, die von der Fernbedienung 7110 ausgegeben werden, versehen sein.
  • Es sei angemerkt, dass das Fernsehgerät mit einem Empfänger, einem Modem und dergleichen ausgestattet ist. Mit dem Empfänger kann eine allgemeine Fernsehsendung empfangen werden. Weiterhin kann dann, wenn das Fernsehgerät drahtlos oder nicht drahtlos über das Modem mit einem Kommunikationsnetzwerk verbunden ist, eine unidirektionale (von einem Sender zu einem Empfänger) oder eine bidirektionale (zwischen einem Sender und einem Empfänger oder zwischen Empfängern) Informationskommunikation durchgeführt werden.
  • 5B1 zeigt einen Computer, der einen Hauptkörper 7201, ein Gehäuse 7202, einen Anzeigeabschnitt 7203, eine Tastatur 7204, einen externen Verbindungsanschluss 7205, eine Zeigevorrichtung 7206 und dergleichen beinhaltet. Es sei angemerkt, dass dieser Computer unter Verwendung der Licht emittierenden Elemente in einer Matrix in dem Anzeigeabschnitt 7203, welche denjenigen bei der Ausführungsform 1 gleich sind, hergestellt wird. Der Computer in 5B1 kann eine in 5B2 gezeigte Struktur haben. Der Computer in 5B2 ist mit einem zweiten Anzeigeabschnitt 7210 anstatt der Tastatur 7204 und der Zeigevorrichtung 7206 versehen. Der zweite Anzeigeabschnitt 7210 ist ein Touchscreen, und Eingabe kann durchgeführt werden, indem Anzeige für Eingabe auf dem zweiten Anzeigeabschnitt 7210 mit einem Finger oder einem zugehörigen Stift gesteuert wird. Der zweite Anzeigeabschnitt 7210 kann auch andere Bilder als die Anzeige für Eingabe anzeigen. Der Anzeigeabschnitt 7203 kann auch ein Touchscreen sein. Die zwei Bildschirme sind über ein Gelenk verbunden, was Probleme verhindern kann. Zum Beispiel kann verhindert werden, dass die Bildschirme Risse bekommen oder zerbrochen werden, während der Computer gelagert wird oder man ihn trägt.
  • 5C zeigt eine tragbare Spielkonsole, die zwei Gehäuse beinhaltet, ein Gehäuse 7301 und ein Gehäuse 7302, die über einen Gelenkteil 7303 verbunden sind, so dass die tragbare Spielkonsole geöffnet oder zugeklappt werden kann. Ein Anzeigeabschnitt 7304, der die Licht emittierenden Elemente beinhaltet, die in einer Matrix angeordnet sind und bei der Ausführungsform 1 beschrieben worden sind, wird in dem Gehäuse 7301 eingebaut, und ein Anzeigeabschnitt 7305 wird in dem Gehäuse 7302 eingebaut. Außerdem beinhaltet die tragbare Spielkonsole in 5C einen Lautsprecherabschnitt 7306, einen Aufzeichnungsmedien-Einsetzabschnitt 7307, eine LED-Lampe 7308, Eingabemittel (eine Bedienungstaste 7309, einen Verbindungsanschluss 7310, einen Sensor 7311 (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, Strom, Spannung, elektrischer Leistung, Strahlung, Durchflussmenge, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahlen) und ein Mikrofon 7312) und dergleichen. Natürlich ist die Struktur der tragbaren Spielkonsole nicht auf die obige Struktur beschränkt, sofern der Anzeigeabschnitt, der die Licht emittierenden Elemente beinhaltet, die bei der Ausführungsform 1 beschrieben worden sind und in einer Matrix angeordnet sind, als der Anzeigeabschnitt 7304 und/oder der Anzeigeabschnitt 7305 verwendet wird, und die Struktur kann soweit erforderlich andere Zubehörteile aufweisen. Die tragbare Spielkonsole in 5C hat eine Funktion zum Lesen eines Programms oder der Daten, das/die in einem Speichermedium gespeichert ist/sind, um es/sie auf dem Anzeigeabschnitt anzuzeigen, und eine Funktion zum Teilen einer Information mit einer anderen tragbaren Spielkonsole über drahtlose Kommunikation. Die tragbare Spielkonsole in 5C kann verschiedene Funktionen ohne Beschränkung auf die obigen Funktionen aufweisen.
  • 5D zeigt ein Beispiel für ein Mobiltelefon. Das Mobiltelefon beinhaltet einen Anzeigeabschnitt 7402, der in einem Gehäuse 7401 eingebaut ist, eine Bedienungstaste 7403, einen externen Verbindungsanschluss 7404, einen Lautsprecher 7405, ein Mikrofon 7406 und dergleichen. Es sei angemerkt, dass das Mobiltelefon 7400 den Anzeigeabschnitt 7402 beinhaltet, der die Licht emittierenden Elemente beinhaltet, die bei der Ausführungsform 1 beschrieben worden sind und in einer Matrix angeordnet sind.
  • Wenn der Anzeigeabschnitt 7402 des Mobiltelefons in 5D mit einem Finger oder dergleichen berührt wird, können Daten in das Mobiltelefon eingegeben werden. In diesem Fall können Bedienungen wie z. B. Anrufen und Schreiben einer E-Mail durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 mit einem Finger oder dergleichen durchgeführt werden.
  • Es gibt hauptsächlich drei Bildschirmmodi für den Anzeigeabschnitt 7402. Der erste Modus ist ein Anzeigemodus, bei dem hauptsächlich ein Bild angezeigt wird. Der zweite Modus ist ein Eingabemodus, bei dem hauptsächlich Daten, wie z. B. ein Text, eingegeben werden. Der dritte Modus ist ein Anzeige-Eingabe-Modus, bei dem zwei Modi, der Anzeigemodus und der Eingabemodus, kombiniert werden.
  • Beispielsweise wird im Fall von Anrufen oder Schreiben einer E-Mail ein Texteingabemodus, bei dem hauptsächlich ein Text eingegeben wird, für den Anzeigeabschnitt 7402 ausgewählt, so dass ein auf dem Bildschirm angezeigter Text eingegeben werden kann. In diesem Fall ist es bevorzugt, eine Tastatur oder Nummerknöpfe auf dem fast ganzen Bildschirm des Anzeigeabschnitts 7402 anzuzeigen.
  • Wenn eine Detektionsvorrichtung mit einem Sensor zur Detektion einer Neigung, wie ein Gyroskop oder ein Beschleunigungssensor, in dem Mobiltelefon bereitgestellt wird, kann die Darstellung auf dem Bildschirm des Anzeigeabschnitts 7402 automatisch geändert werden, indem die Ausrichtung des Mobiltelefons bestimmt wird (ob das Mobiltelefon horizontal oder vertikal gehalten wird, für das Querformat oder Hochformat).
  • Die Bildschirmmodi werden durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 oder Bedienen der Bedienungstaste 7403 des Gehäuses 7401 umgeschaltet. Die Bildschirmmodi können in Abhängigkeit von der Art der Bilder, die auf dem Anzeigeabschnitt 7402 angezeigt werden, umgeschaltet werden. Wenn es sich zum Beispiel bei einem Signal eines auf dem Anzeigeabschnitt angezeigten Bildes um ein Signal von Daten über ein bewegtes Bild handelt, wird der Bildschirmmodus in den Anzeigemodus geschaltet. Wenn es sich beim Signal um ein Signal von Textdaten handelt, wird der Bildschirmmodus in den Eingabemodus geschaltet.
  • Außerdem kann bei dem Eingabemodus, wenn ein Signal, das durch einen optischen Sensor in dem Anzeigeabschnitt 7402 detektiert wird, detektiert wird und eine Eingabe durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 für einen bestimmten Zeitraum nicht durchgeführt wird, der Bildschirmmodus derart gesteuert werden, dass er von dem Eingabemodus in den Anzeigemodus geändert wird.
  • Der Anzeigeabschnitt 7402 kann als Bildsensor dienen. Beispielsweise wird ein Handflächenabdruck, ein Fingerabdruck oder dergleichen fotografiert, wenn der Anzeigeabschnitt 7402 mit der Handfläche oder dem Finger berührt wird, wodurch persönliche Authentifizierung durchgeführt werden kann. Des Weiteren kann durch die Bereitstellung einer Hintergrundbeleuchtung oder einer Abtast-Lichtquelle in dem Anzeigeabschnitt, welche Licht im nahen Infrarotbereich emittiert, ein Bild einer Fingervene, einer Handflächenvene oder dergleichen aufgenommen werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Struktur dieser Ausführungsform angemessen mit einer der Strukturen der anderen Ausführungsformen kombiniert werden kann.
  • Wie oben beschrieben worden ist, ist der Anwendungsbereich der Licht emittierenden Vorrichtung mit den bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elementen so weit, dass die Licht emittierende Vorrichtung auf elektronische Geräte in verschiedenen Gebieten angewendet werden kann. Unter Verwendung der bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elemente können elektronische Geräte, die Bilder mit hoher Qualität anzeigen können und niedrige Leistung verbrauchen, erhalten werden.
  • Das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element kann auch für eine Autowindschutzscheibe oder eine Autoarmaturenbrett verwendet werden. 6 zeigt eine Ausführungsform, bei der die bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elemente für eine Autowindschutzscheibe und ein Autoarmaturenbrett verwendet werden. Anzeigebereiche 5000 bis 5005 beinhalten jeweils das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element.
  • Der Anzeigebereich 5000 und der Anzeigebereich 5001 sind Anzeigevorrichtungen, die in der Autowindschutzscheibe bereitgestellt sind und in der die bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elemente eingebaut sind. Das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element kann als so genannte durchsichtige Anzeigevorrichtung, durch die die Gegenseite gesehen werden kann, hergestellt werden, wenn eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode darin enthalten sind, die unter Verwendung von Elektroden mit Lichtdurchlässigkeiten gebildet werden. Solche durchsichtigen Anzeigevorrichtungen können in der Autowindschutzscheibe bereitgestellt sein, ohne die Sicht zu behindern. Ferner ist in dem Fall, in dem ein Transistor zum Treiben bereitgestellt wird, bevorzugt, einen Transistor mit Lichtdurchlässigkeit zu verwenden, so beispielsweise einen organischen Transistor unter Verwendung eines organischen Halbleitermaterials oder einen Transistor unter Verwendung eines Oxidhalbleiters.
  • Eine Anzeigevorrichtung, die das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element beinhaltet, ist in dem Anzeigebereich 5002 in einem Säulenbereich eingebaut. Der Anzeigebereich 5002 kann die von dem Säulenbereich behinderte Sicht durch Anzeigen eines Bildes, das von einer Abbildungseinheit in der Karosserie aufgenommen wird, ergänzen. Der Anzeigebereich 5003 in dem Armaturenbrett kann in einer ähnlichen Weise die von der Karosserie behinderte Sicht durch Anzeigen eines Bildes, das von einer Abbildungseinheit außerhalb der Karosserie aufgenommen wird, ergänzen, was zu einer Verkleinerung der toten Winkel und einer Erhöhung der Sicherheit führt. Das Anzeigen eines Bildes zur Ergänzung für den Bereich, den ein Fahrer nicht sehen kann, ermöglicht, dass der Fahrer einfach und bequem die Sicherheit feststellt.
  • Der Anzeigebereich 5004 und der Anzeigebereich 5005 können verschiedene Informationen bereitstellen, wie z. B. Navigationsdaten, einen Geschwindigkeitsmesser, einen Tachometer, einen Kilometerstand, eine Tankanzeige, eine Schaltanzeige und eine Einstellung der Klimaanlagen. Die Inhalte oder das Layout der Anzeige kann von einem Benutzer geeignet verändert werden. Es sei angemerkt, dass solche Informationen auch von den Anzeigebereichen 5000 bis 5003 angezeigt werden können. Die Anzeigebereiche 5000 bis 5005 können auch als Beleuchtungsvorrichtungen verwendet werden.
  • Das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element kann hohe Emissionseffizienz und niedrigen Leistungsverbrauch aufweisen. Deshalb ist die Belastung einer Batterie klein, auch wenn viele große Bildschirme, wie z. B. die Anzeigebereiche 5000 bis 5005, bereitgestellt sind, was zur bequemen Benutzung führt. Aus diesem Grund kann die Licht emittierende Vorrichtung oder die Beleuchtungsvorrichtung, die das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element beinhaltet, geeignet als Licht emittierende Vorrichtung in einem Fahrzeug oder Beleuchtungsvorrichtung in einem Fahrzeug verwendet werden. Da das Licht emittierende Element nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hohe Wärmebeständigkeit aufweist, ist die Licht emittierende Vorrichtung, die das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element beinhaltet, als Anzeigevorrichtung in einem Fahrzeug sehr bevorzugt, welche hohe Temperatur besonders im Sommer aushalten muss.
  • 7A und 7B zeigen ein Beispiel für einen zusammenklappbaren Tablet-Computer. In 7A ist der Tablet-Computer geöffnet. Der Tablet-Computer beinhaltet ein Gehäuse 9630, einen Anzeigeabschnitt 9631a, einen Anzeigeabschnitt 9631b, einen Schalter 9034 zum Schalten der Anzeigemodi, einen Netzschalter 9035, einen Schalter 9036 zum Schalten auf einen Stromsparermodus und eine Klammer 9033. Es sei angemerkt, dass in dem Tablet-Computer der Anzeigeabschnitt 9631a und/oder der Anzeigeabschnitt 9631b unter Verwendung der Licht emittierenden Vorrichtung ausgebildet sind/ist, die das bei der Ausführungsform 1 beschriebene Licht emittierende Element beinhaltet.
  • Ein Teil des Anzeigeabschnitts 9631a kann ein Touchscreen-Gebiet 9632a sein, und Daten können eingegeben werden, wenn eine angezeigte Bedienungstaste 9637 berührt wird. Es sei angemerkt, dass als Beispiel ein halber Bereich des Anzeigeabschnitts 9631a nur eine Anzeigefunktion hat und der andere halbe Bereich eine Touchscreenfunktion hat. Jedoch ist die Struktur des Anzeigeabschnitts 9631a nicht auf diese Struktur beschränkt, und der ganze Anzeigeabschnitt 9631a kann eine Touchscreenfunktion haben. Beispielsweise kann der ganze Anzeigeabschnitt 9631a Tastaturknöpfe anzeigen und als Touchscreen dienen, während der Anzeigeabschnitt 9631b als Anzeigebildschirm verwendet werden kann.
  • Wie bei dem Anzeigeabschnitt 9631a kann ein Teil des Anzeigeabschnitts 9631b ein Touchscreen-Gebiet 9632b sein. Wenn eine Tastaturanzeige-Schalttaste 9639, die auf dem Touchscreen angezeigt wird, mit einem Finger, einem Stift oder dergleichen berührt wird, kann eine Tastatur auf dem Anzeigeabschnitt 9631b angezeigt werden.
  • Eine Eingabeoperation durch Berühren kann in dem Touchscreen-Gebiet 9632a und dem Touchscreen-Gebiet 9632b zur gleichen Zeit durchgeführt werden.
  • Der Schalter 9034 zum Schalten der Anzeigemodi kann beispielsweise die Anzeige zwischen dem Hochformat, dem Querformat und dergleichen, und zwischen monochromer Anzeige und Farbanzeige umschalten. Der Schalter 9036 zum Schalten auf einen Stromsparermodus kann die Anzeigeleuchtdichte auf eine optimale Leuchtdichte entsprechend der Menge an Außenlicht, das durch einen optischen Sensor in dem Tablet-Computer detektiert wird, beim Verwenden des Tablet-Computers steuern. Zusätzlich zu dem optischen Sensor können weitere Detektorvorrichtungen wie z. B. Sensoren zum Detektieren der Neigung, wie z. B. ein Gyroskop oder ein Beschleunigungssensor, in dem Tablet-Computer eingebaut sein.
  • Der Anzeigeabschnitt 9631a und der Anzeigeabschnitt 9631b haben die gleiche Anzeigefläche in 7A; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Der Anzeigeabschnitt 9631a und der Anzeigeabschnitt 9631b können unterschiedliche Flächen oder unterschiedliche Anzeigequalitäten haben. Beispielsweise kann einer der Anzeigebereiche 9631a und 9631b Bilder mit höherer Auflösung anzeigen als der andere.
  • 7B zeigt den Tablet-Computer, der zugeklappt ist. Der Tablet-Computer bei dieser Ausführungsform beinhaltet das Gehäuse 9630, eine Solarzelle 9633, eine Lade- und Entladesteuerschaltung 9634, eine Batterie 9635 und einen Gleichspannungswandler 9636. Es sei angemerkt, dass 7B ein Beispiel zeigt, in dem die Lade- und Entladesteuerschaltung 9634 die Batterie 9635 und den Gleichspannungswandler 9636 beinhaltet.
  • Da der Tablet-Computer zusammenklappbar ist, kann das Gehäuse 9630 geschlossen werden, wenn der Tablet-Computer nicht verwendet wird. Folglich können der Anzeigeabschnitt 9631a und der Anzeigeabschnitt 9631b geschützt werden, wodurch ein Tablet-Computer mit hoher Beständigkeit und hoher Zuverlässigkeit hinsichtlich der Langzeitverwendung bereitgestellt werden kann.
  • Der Tablet-Computer in 7A und 7B kann andere Funktionen wie z. B. eine Funktion zum Anzeigen verschiedener Arten von Daten (z. B. eines Standbildes, eines bewegten Bildes und eines Textbildes), eine Funktion zum Anzeigen eines Kalenders, eines Datums, der Zeit oder dergleichen auf dem Anzeigeabschnitt, eine berührungsempfindliche Eingabefunktion zum Bedienen oder Bearbeiten der Daten durch Berührungseingabe, die auf dem Anzeigeabschnitt angezeigt werden, und eine Funktion zum Steuern der Verarbeitung mittels verschiedener Arten von Software (Programmen) aufweisen.
  • Die Solarzelle 9633, die auf der Oberfläche des Tablet-Computers angebaut ist, führt eine elektrische Leistung zu einem Touchscreen, einem Anzeigeabschnitt, einem Bildsignalprozessor und dergleichen zu. Es sei angemerkt, dass die Solarzelle 9633 vorzugsweise an einer oder beiden Oberflächen des Gehäuses 9630 angeordnet ist, in welchem Falle die Batterie 9635 auf effiziente Weise aufgeladen werden kann.
  • Die Struktur und die Bedienung der Lade- und Entladesteuerschaltung 9634, die in 7B gezeigt ist, werden unter Benutzung eines Blockschemas in 7C beschrieben. 7C zeigt die Solarzelle 9633, die Batterie 9635, den Gleichspannungswandler 9636, einen Wandler 9638, Schalter SW1 bis SW3 und den Anzeigeabschnitt 9631. Die Batterie 9635, der Gleichspannungswandler 9636, der Wandler 9638 und die Schalter SW1 bis SW3 entsprechen der Lade- und Entladesteuerschaltung 9634 in 7B.
  • Zuerst wird ein Beispiel für die Bedienung in dem Fall, in dem Leistung von der Solarzelle 9633 unter Verwendung von Außenlicht erzeugt wird, beschrieben. Die Spannung der von der Solarzelle erzeugten Leistung wird von dem Gleichspannungswandler 9636 erhöht oder verringert, so dass die Leistung eine Spannung zum Aufladen der Batterie 9635 aufweist. Dann wird, wenn die Leistung aus der Solarzelle 9633 für die Bedienung des Anzeigeabschnitts 9631 verwendet wird, der Schalter SW1 eingeschaltet, und die Spannung der Leistung wird von dem Wandler 9638 erhöht oder verringert, um zu einer Spannung, die für den Anzeigeabschnitt 9631 erforderlich ist, zu werden. Wenn Bilder nicht auf dem Anzeigeabschnitt 9631 angezeigt werden, wird der Schalter SW1 ausgeschaltet und der Schalter SW2 wird eingeschaltet, so dass die Batterie 9635 aufgeladen werden kann.
  • Die Solarzelle 9633 wird zwar als Beispiel für ein Energieerzeugungsmittel beschrieben, es gibt aber keine besondere Beschränkung bezüglich des Energieerzeugungsmittels, und die Batterie 9635 kann durch ein anderes Energieerzeugungsmittel wie z. B. ein piezoelektrisches Element oder ein thermoelektrisches Wandlerelement (Peltier-Element) aufgeladen werden. Die Batterie 9635 kann von einem kontaktfreien Energieübertragungsmodul aufgeladen werden, der durch drahtloses (kontaktloses) Übertragen und Empfangen von Leistung ein Aufladen durchführen kann, oder eines der anderen Mittel zum Aufladen kann in einer Kombination verwendet werden, und das Energieerzeugungsmittel wird nicht notwendigerweise bereitgestellt.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist nicht auf den Tablet-Computer mit der Form in 7A bis 7C beschränkt, sofern der Anzeigeabschnitt 9631 darin enthalten ist.
  • [Beispiel 1]
  • In diesem Beispiel werden ein Licht emittierendes Element nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung (Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B) und ein Vergleichsbeispiel (Vergleichs-Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B) beschrieben. Eine Elementstruktur ist in 13 gezeigt. In diesem Beispiel und dem Vergleichsbeispiel wurden Anzeigevorrichtungen unter Verwendung der vorstehenden Elemente hergestellt und dann ausgewertet. Um die Anzeigevorrichtungen herzustellen, wurden sowohl für das Beispielselement 1 als auch das Vergleichs-Beispielselement 1 ein Farbfilter und eine Resonanz-Struktur verwendet, und drei Arten von Pixeln, nämlich ein rotes Pixel, ein grünes Pixel und ein blaues Pixel, verwendet. Chemische Formeln der organischen Verbindungen, die in den Beispielselementen 1-R, 1-G und 1-B und den Vergleichs-Beispielselementen 1-R, 1-G und 1-B verwendet wurden, sind nachstehend dargestellt.
    Figure DE102014215799A1_0004
  • Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Elements in diesem Beispiel (die Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B) beschrieben.
  • (Verfahren zum Herstellen der Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B)
  • Über einem Substrat aus Glas wurden ein Aluminium-Nickel-Lanthan-Legierungsfilm und ein Titanfilm nacheinander durch ein Sputterverfahren ausgebildet, wodurch eine Anode 100 ausgebildet wurde. Die Dicke des Aluminium-Nickel-Lanthan-Legierungsfilms war 200 nm, und die Dicke des Titanfilms war 6 nm. Außerdem war die Elektrodenfläche 2 mm × 2 mm.
  • Anschließend wurde Indiumzinnoxid enthaltend Siliziumoxid (ITSO) über der Anode 100 durch ein Sputterverfahren abgeschieden, wodurch eine erste leitende Schicht 107 ausgebildet wurde. Um einen Mikrokavität-Effekt zu gewinnen, wurde die Dicke der ersten leitenden Schicht 107 auf 75 nm, 40 nm und 10 nm in dem Beispielselement 1-R, dem Beispielselement 1-G bzw. dem Beispielselement 1-B eingestellt.
  • Dann wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements über dem Substrat eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen, 1 Stunde lang bei 200°C gebacken und dann einer UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang unterzogen.
  • Danach wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfungsvorrichtung, in welcher der Druck auf zirka 10–4 Pa verringert worden war, überführt und 30 Minuten lang im Vakuum bei 170°C in einer Heizkammer der Vakuumverdampfungsvorrichtung gebacken, und dann wurde das Substrat etwa 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Dann wurde das Substrat, über dem die Anode 100 ausgebildet war, an einem Substrathalter in der Vakuumverdampfungsvorrichtung derart befestigt, dass die Oberfläche, über der die Anode 100 ausgebildet war, nach unten gerichtet war. Der Druck in der Vakuumverdampfungsvorrichtung wurde auf etwa 10–4 Pa verringert. Danach wurden auf der Anode 100 3-[4-(9-Phenanthryl)-phenyl]-9-phenyl-9H-carbazol (Abkürzung: PCPPn), welches durch die obige Strukturformel (i) dargestellt wird, und Molybdän(VI)-oxid durch Co-Verdampfung mittels eines Verdampfungsverfahrens, bei dem Widerstandserwärmung verwendet wurde, abgeschieden, wodurch eine erste Lochinjektionsschicht 111_1 ausgebildet wurde. Die Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 war 8,5 nm, 13,5 nm und 5 nm in dem Beispielselement 1-R, dem Beispielselement 1-G bzw. dem Beispielselement 1-B. Das Gewichtsverhältnis von PCPPn zu Molybdänoxid wurde auf 1:0,5 (= PCPPn:Molybdänoxid) eingestellt. Es sei angemerkt, dass das Co-Verdampfungsverfahren ein Verdampfungsverfahren bezeichnet, bei dem die Verdampfung von einer Vielzahl von Verdampfungsquellen gleichzeitig in einer Behandlungskammer durchgeführt wird.
  • Als Nächstes wurde auf der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 PCPPn in einer Dicke von 10 nm abgeschieden, wodurch eine erste Lochtransportschicht 112_1 ausgebildet wurde.
  • Des Weiteren wurden auf der ersten Lochtransportschicht 112_1 9-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA), welches durch die obige Strukturformel (ii) dargestellt wird, und N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-pyren-1, 6-diamin (Abkürzung: 1,6mMemFLPAPrn), welches durch die obige Strukturformel (iii) dargestellt wird, durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 25 nm abgeschieden, so dass das Gewichtsverhältnis von CzPA zu 1,6mMemFLPAPrn 1:0,05 betrug (= CzPA:1,6mMemFLPAPrn), wodurch eine erste Licht emittierende Schicht 113_1 ausgebildet wurde.
  • Danach wurde CzPA in einer Dicke von 5 nm abgeschieden, und 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: NBPhen), welches durch die obige Strukturformel (iv) dargestellt wird, in einer Dicke von 15 nm abgeschieden, wodurch eine erste Elektronentransportschicht 114_1 ausgebildet wurde. Bestandteile von der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 bis zu der ersten Elektronentransportschicht 114_1 werden insgesamt als eine erste Licht emittierende Einheit 102_1 bezeichnet.
  • Eine Ladungserzeugungsschicht 103 wurde auf der ersten Licht emittierenden Einheit 102_1 ausgebildet. Die Ladungserzeugungsschicht 103 wurde wie folgt ausgebildet. Zuerst wurde als Teil eines Elektroneninjektionspufferbereichs 105 eine Lithiumschicht unter Verwendung von Lithiumoxid ausgebildet. Die Dicke war 0,1 nm. Dann wurde als Elektronenweiterleitungsbereich Kupferphthalocyanin (Abkürzung: CuPc), welches durch die obige Strukturformel (v) dargestellt wird, in einer Dicke von 2 nm abgeschieden. Danach wurden als ein Ladungserzeugungsbereich 104 4,4',4''-(Benzol-1,3,5-triyl)tri(dibenzothiophen) (Abkürzung: DBT3P-II), welches durch die obige Strukturformel (vi) dargestellt wird, und Molybdän(VI)-oxid durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 12,5 nm abgeschieden. Es sei angemerkt, dass das Gewichtsverhältnis von DBT3P-II zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug (= DBT3P-II:Molybdänoxid).
  • Als Nächstes wurde auf der Ladungserzeugungsschicht 103 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP), welches durch die obige Strukturformel (vii) dargestellt wird, als eine zweite Lochtransportschicht 112_2 in einer Dicke von 20 nm abgeschieden.
  • Dann wurden 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II), welches durch die obige Strukturformel (viii) dargestellt wird, 4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB), welches durch die obige Strukturformel (ix) dargestellt wird, und Bis[2-(6-tert-butyl-4-pyrimidinyl-κN3)phenyl-κC](2,4-pentandionato-k2O,O')iridium(III) (Abkürzung: Ir(tBuppm)2(acac)), welches durch die obige Strukturformel (x) dargestellt wird, durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 20 nm abgeschieden, so dass das Gewichtsverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu PCBNBB und Ir(tBuppm)2(acac) 0,7:0,3:0,06 betrug (= 2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:Ir(tBuppm)2(acac)). Anschließend wurden 2mDBTBPDBq-II und Bis{4,6-dimethyl-2-[3-(3,5-dimethylphenyl)-5-phenyl-2-pyrazinyl-κN]phenyl-κC}(2,6-dimethyl-3,5-heptandionato-κ2O,O')iridium(III) (Abkürzung: Ir(dmdppr-P)2(dibm)), welches durch die obige Strukturformel (xi) dargestellt wird, durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 20 nm abgeschieden, so dass das Gewichtsverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu Ir(dmdppr-P)2(dibm) 1:0,04 betrug (= 2mDBTBPDBq-II:Ir(dmdppr-P)2(dibm)), wodurch eine zweite Licht emittierende Schicht 113_2 ausgebildet wurde.
  • Danach wurde auf der zweiten Licht emittierenden Schicht 113_2 2mDBTBPDBq-II in einer Dicke von 30 nm abgeschieden, und NBPhen wurde in einer Dicke von 15 nm abgeschieden, wodurch eine zweite Elektronentransportschicht 114_2 ausgebildet wurde.
  • Nachdem die zweite Elektronentransportschicht 114_2 ausgebildet worden war, wurde Lithiumfluorid (LiF) durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm abgeschieden, wodurch eine Elektroneninjektionsschicht 115_2 ausgebildet wurde. Zuletzt wurde als eine Kathode 101 eine Silber-Magnesium-Legierung in einer Dicke von 15 nm abgeschieden, und Indiumzinnoxid (indium tin oxid: ITO) wurde in einer Dicke von 70 nm abgeschieden. Dadurch wurde das Licht emittierende Element dieses Beispiels (die Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B) hergestellt. Bestandteile von der zweiten Lochtransportschicht 112_2 bis zu der Elektroneninjektionsschicht 115_2 entsprechen einer zweiten Licht emittierenden Einheit 102_2.
  • Es sei angemerkt, dass bei allen obigen Verdampfungsschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Vergleichselements in diesem Beispiel (der Vergleichs-Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B) beschrieben.
  • (Verfahren zum Herstellen der Vergleichs-Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B)
  • Das Vergleichs-Beispielselement 1-R wurde durch Einstellen der Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 in den Beispielselementen 1-R, 1-G und 1-B auf 13,5 nm erhalten. Das Vergleichs-Beispielselement 1-G wurde durch Einstellen der Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 in den Beispielselementen 1-R, 1-G und 1-B auf 16 nm erhalten. Das Vergleichs-Beispielselement 1-B wurde durch Einstellen der Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 in den Beispielselementen 1-R, 1-G und 1-B auf 7,5 nm erhalten. Des Weiteren wurden die erste Elektronentransportschicht 114_1 und die zweite Elektronentransportschicht 114_2 unter Verwendung von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen), welches durch die obige Strukturformel (xii) dargestellt wird, anstatt von NBPhen ausgebildet. Andere Bestandteile wurden in einer ähnlichen Weise wie bei den Beispielselementen 1-R, 1-G und 1-B ausgebildet.
  • Die Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B und die Vergleichs-Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B wurden jeweils unter Verwendung eines Glassubstrats, das mit einem Farbfilter versehen ist, in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit sie nicht der Luft ausgesetzt waren (insbesondere wurde ein Dichtungsmaterial auf eine Außenkante des Elements aufgebracht und zum Zeitpunkt der Abdichtung wurden eine UV-Behandlung und eine Wärmebehandlung bei 80°C für 1 Stunde durchgeführt). Danach wurden Eigenschaften dieser Licht emittierenden Elemente gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Messen der Eigenschaften der Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B und der Vergleichs-Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B beschrieben.
  • Die hergestellten roten Elemente (das Beispielselement 1-R und das Vergleichs-Beispielselement 1-R) waren mit einer Farbfilterschicht CF(R) versehen, die hergestellten grünen Elemente (das Beispielselement 1-G und das Vergleichs-Beispielselement 1-G) waren mit einer Farbfilterschicht CF(G) versehen, und die hergestellten blauen Elemente (das Beispielselement 1-B und das Vergleichs-Beispielselement 1-B) waren mit einer Farbfilterschicht CF(B) versehen. In diesem Zustand wurden die Elementeigenschaften gemessen.
  • Die Farbfilterschicht CF(R), die Farbfilterschicht CF(G) und die Farbfilterschicht CF(B) wurden derart ausgebildet, dass CR-7001W, CG-7001W und CB-7001W (jeweils von FUJIFILM Corporation hergestellt), die jeweils als Material verwendet wurden, auf ein Glassubstrat aufgebracht und dann bei 220°C 1 Stunde lang gebacken wurden. Die Dicke der Farbfilterschicht war 1,3 μm bis 1,4 μm. Es sei angemerkt, dass die Farbfiltermaterialien auf das Glassubstrat durch ein Rotationsbeschichtungsverfahren bei einer Rotationsgeschwindigkeit von 500 U/min für die Farbfilterschicht CF(R), bei einer Rotationsgeschwindigkeit von 1000 U/min für die Farbfilterschicht CF(G) und bei einer Rotationsgeschwindigkeit von 2000 U/min für die Farbfilterschicht CF(B) aufgebracht wurden.
  • 8 zeigt die Stromdichte-Leuchtdichte-Eigenschaften der Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B und der Vergleichs-Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B, 9 zeigt ihre Leuchtdichte-Stromeffizienz-Eigenschaften, 10 zeigt ihre Spannungs-Leuchtdichte-Eigenschaften, und 11 zeigt die Emissionsspektren.
  • Wie oben beschrieben wurde gefunden, dass es keine große Unterschiede zwischen den anfänglichen Eigenschaften der Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B und der Vergleichs-Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B gibt.
  • Dann wurde die Zuverlässigkeit der Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B untersucht. 14 ist ein Diagramm, das die Veränderung der Leuchtdichte in Bezug auf die Betriebszeit zeigt, wobei die anfängliche Leuchtdichte des Beispielselements 1-R 655 cd/m2 betrug, die anfängliche Leuchtdichte des Beispielselements 1-G 1667 cd/m2 betrug, die anfängliche Leuchtdichte des Beispielselements 1-B 249 cd/m2 betrug, und jede anfängliche Leuchtdichte auf 100% eingestellt wurde, wobei die Stromeffizienz konstant war. Die anfängliche Leuchtdichte jedes Elements war ein Wert des Leuchtdichteverhältnisses eines weißes Licht emittierenden Elements, das eine Chromatizität (Farbart) von D65 aufweist und unter Verwendung dieser Elemente hergestellt wird.
  • Aus 14 wurde gefunden, dass die Beispielselemente 1-R, 1-G und 1-B jeweils eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen.
  • Dann wird ein Verfahren zum Herstellen von Elementen (eines Beispielselements 2 und eines Vergleichs-Beispielselements 2), bei denen Nebensprechen (crosstalk) ausgewertet wurde, beschrieben.
  • (Verfahren zum Herstellen des Beispielselements 2)
  • Um Nebensprechen (crosstalk) auszuwerten, wurde ein Passiv-Matrix-Paneel, dessen Auflösung 326 ppi war, hergestellt. In diesem Paneel waren Pixel für R, G und B in Streifen angeordnet. Die Pixelgröße betrug 78 μm × 78 μm. Die Größe eines Sub-Pixels (in jedem Pixel für R, G oder B) betrug 26 μm × 78 μm. Das Öffnungsverhältnis betrug 65,7%.
  • Substanzen, die bei dem Beispielselement 2 und dem Vergleichs-Beispielselement 2 verwendet werden, werden nachstehend dargestellt. Bezüglich der Materialien, die auch bei dem Beispielselement 1 und dem Vergleichs-Beispielselement 1 verwendet werden, sollte man auf die obigen Strukturformeln Bezug nehmen.
  • Figure DE102014215799A1_0005
  • In jedem Pixel wurden als eine Anode 100 ein Aluminium-Nickel-Lanthan-Legierungsfilm und ein Titanfilm nacheinander durch ein Sputterverfahren abgeschieden. Die Dicke des Aluminium-Nickel-Lanthan-Legierungsfilms war 200 nm, und die Dicke des Titanfilms war 6 nm.
  • Anschließend wurde Indiumzinnoxid enthaltend Siliziumoxid (ITSO) über der Anode 100 durch ein Sputterverfahren abgeschieden, wodurch eine erste leitende Schicht 107 ausgebildet wurde. Um einen Mikrokavität-Effekt in dem Pixel für R, dem Pixel für G und dem Pixel für B des Beispielselements 2 zu gewinnen, wurde die Dicke der ersten leitenden Schicht 107 in dem Pixel für R auf 80 nm eingestellt, die Dicke der ersten leitenden Schicht 107 wurde in dem Pixel für G auf 40 nm eingestellt, und die erste leitende Schicht 107 wurde in dem Pixel für B nicht bereitgestellt.
  • Dann wurde als Vorbehandlung zum Herstellen des Licht emittierenden Elements über dem Substrat eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen, 1 Stunde lang bei 200°C gebacken und dann einer UV-Ozonbehandlung 370 Sekunden lang unterzogen.
  • Danach wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfungsvorrichtung, in welcher der Druck auf zirka 10–4 Pa verringert worden war, überführt und 30 Minuten lang im Vakuum bei 170°C in einer Heizkammer der Vakuumverdampfungsvorrichtung gebacken, und dann wurde das Substrat etwa 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Dann wurde das Substrat, über dem die Anode 100 ausgebildet war, an einem Substrathalter in der Vakuumverdampfungsvorrichtung derart befestigt, dass die Oberfläche, über der die Anode 101 ausgebildet war, nach unten gerichtet war. Der Druck in der Vakuumverdampfungsvorrichtung wurde auf etwa 10–4 Pa verringert. Danach wurden auf der Anode 100 9-Pheny-3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: PCzPA), welches durch die obige Strukturformel (xiii) dargestellt wird, und Molybdän(VI)-oxid durch Co-Verdampfung mittels eines Verdampfungsverfahrens, bei dem Widerstandserwärmung verwendet wurde, abgeschieden, wodurch eine erste Lochinjektionsschicht 111_1 ausgebildet wurde. Die Dicke betrug 13 nm. Das Gewichtsverhältnis von PCzPA zu Molybdänoxid wurde auf 1:0,5 (= PCzPA:Molybdänoxid) eingestellt. Es sei angemerkt, dass das Co-Verdampfungsverfahren ein Verdampfungsverfahren bezeichnet, bei dem die Verdampfung von einer Vielzahl von Verdampfungsquellen gleichzeitig in einer Behandlungskammer durchgeführt wird.
  • Als Nächstes wurde auf der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 PCzPA in einer Dicke von 20 nm abgeschieden, wodurch eine erste Lochtransportschicht 112_1 ausgebildet wurde.
  • Des Weiteren wurden auf der ersten Lochtransportschicht 112_1 9-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA), welches durch die obige Strukturformel (ii) dargestellt wird, und N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-pyren-1, 6-diamin (Abkürzung: 1,6mMemFLPAPrn), welches durch die obige Strukturformel (iii) dargestellt wird, durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 30 nm abgeschieden, so dass das Gewichtsverhältnis von CzPA zu 1,6mMemFLPAPrn 1:0,05 betrug (= CzPA:1,6mMemFLPAPrn), wodurch eine erste Licht emittierende Schicht 113_1 ausgebildet wurde.
  • Danach wurde CzPA in einer Dicke von 5 nm abgeschieden, und 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: NBPhen), welches durch die obige Strukturformel (iv) dargestellt wird, in einer Dicke von 15 nm abgeschieden, wodurch eine erste Elektronentransportschicht 114_1 ausgebildet wurde. Bestandteile von der ersten Lochinjektionsschicht 111_1 bis zu der ersten Elektronentransportschicht 114_1 werden insgesamt als eine erste Licht emittierende Einheit 102_1 bezeichnet.
  • Eine Ladungserzeugungsschicht 103 wurde auf der ersten Licht emittierenden Einheit 102_1 ausgebildet. Die Ladungserzeugungsschicht 103 wurde wie folgt ausgebildet. Zuerst wurde als Teil eines Elektroneninjektionspufferbereichs 105 eine Lithiumschicht unter Verwendung von Lithiumoxid ausgebildet. Die Dicke war 0,1 nm. Dann wurde als Elektronenweiterleitungsbereich Kupferphthalocyanin (Abkürzung: CuPc), welches durch die obige Strukturformel (v) dargestellt wird, in einer Dicke von 2 nm abgeschieden. Danach wurden als ein Ladungserzeugungsbereich 104 PCzPA und Molybdän(VI)-oxid durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 13 nm abgeschieden. Das Gewichtsverhältnis von PCzPA zu Molybdänoxid betrug 1:0,5 (= DBT3P-II:Molybdänoxid).
  • Als Nächstes wurde auf der Ladungserzeugungsschicht 103 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP), welches durch die obige Strukturformel (vii) dargestellt wird, als eine zweite Lochtransportschicht 112_2 in einer Dicke von 20 nm abgeschieden.
  • Dann wurden 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II), welches durch die obige Strukturformel (viii) dargestellt wird, 4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB), welches durch die obige Strukturformel (ix) dargestellt wird, und Bis[2-(6-tert-butyl-4-pyrimidinyl-κN3)phenyl-κC](2,4-pentandionato-k2O,O')iridium(III) (Abkürzung: Ir(tBuppm)2(acac)), welches durch die obige Strukturformel (x) dargestellt wird, durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 20 nm abgeschieden, so dass das Gewichtsverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu PCBNBB und Ir(tBuppm)2(acac) 0,7:0,3:0,06 betrug (= 2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:Ir(tBuppm)2(acac)). Anschließend wurden 2mDBTBPDBq-II und Bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)(dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)2(dpm)), welches durch die obige Strukturformel (xiv) dargestellt wird, durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 20 nm abgeschieden, so dass das Gewichtsverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu Ir(tppr)2(dpm) 1:0,06 betrug (= 2mDBTBPDBq-II:Ir(tppr)2(dpm)), wodurch eine zweite Licht emittierende Schicht 113_2 ausgebildet wurde.
  • Danach wurde auf der zweiten Licht emittierenden Schicht 113_2 2mDBTBPDBq-II in einer Dicke von 15 nm abgeschieden, und Bathophenanthroline (Abkürzung: BPhen), welches durch die Strukturformel (xii) dargestellt wird, wurde in einer Dicke von 15 nm abgeschieden, wodurch eine zweite Elektronentransportschicht 114_2 ausgebildet wurde.
  • Nachdem die zweite Elektronentransportschicht 114_2 ausgebildet worden war, wurde Lithiumfluorid (LiF) durch Verdampfung in einer Dicke von 1 nm abgeschieden, wodurch eine Elektroneninjektionsschicht 115_2 ausgebildet wurde. Zuletzt wurde Silber in einer Dicke von 15 nm abgeschieden, und dann wurde PCzPA in einer Dicke von 70 nm abgeschieden, um die Kathode 101 auszubilden. Folglich wurde das Beispielselement 2 hergestellt. Bestandteile von der zweiten Lochtransportschicht 112_2 bis zu der Elektroneninjektionsschicht 115_2 entsprechen einer zweiten Licht emittierenden Einheit 102_2.
  • Es sei angemerkt, dass bei den obigen Verdampfungsschritten die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt wurde.
  • Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Vergleichselements (das Vergleichs-Beispielselement 2) beschrieben.
  • (Verfahren zum Herstellen des Vergleichs-Beispielselements 2)
  • Das Vergleichs-Beispielselement 2 wurde unter Verwendung von Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen), welches durch die obige Strukturformel (xii) dargestellt wird, für die erste Elektronentransportschicht 114_1 anstatt von NBPhen, welches bei dem Beispielselement 2 verwendet wurde, ausgebildet. Andere Bestandteile wurden in einer ähnlichen Weise wie bei dem Beispielselement 2 ausgebildet.
  • Das Beispielselement 2 und das Vergleichs-Beispielselement 2 wurden jeweils unter Verwendung eines Glassubstrats, das mit einem Farbfilter versehen ist, in einem Handschuhkasten, der eine Stickstoffatmosphäre enthielt, abgedichtet, damit sie nicht der Luft ausgesetzt waren (insbesondere wurde ein Dichtungsmaterial auf eine Außenkante des Elements aufgebracht und zum Zeitpunkt der Abdichtung wurden eine UV-Behandlung und eine Wärmebehandlung bei 80°C für 1 Stunde durchgeführt). Danach wurden Eigenschaften dieser Licht emittierenden Elemente gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • 12 zeigt die Ergebnisse der Prüfung von Nebensprechen (crosstalk). In 12 sind vergrößerte Fotos von Anzeigevorrichtungen gezeigt, die unter Verwendung des Beispielselements 2 und des Vergleichs-Beispielselements 2 ausgebildet werden. Ein Foto, in dem nur rote Pixel Licht emittieren, ein Foto, in dem nur grüne Pixel Licht emittieren, und ein Foto, in dem nur blaue Pixel Licht emittieren, sind von oben nach unten gezeigt.
  • Es wurde gefunden, dass in der Anzeigevorrichtung, die unter Verwendung des Vergleichs-Beispielselements 2 hergestellt wurde, Pixel, die den Licht emittierenden Pixeln benachbart sind, auch einigermaßen Licht emittieren. Im Gegensatz dazu ist in der Anzeigevorrichtung, die unter Verwendung des Beispielselements 2 hergestellt wurde, Lichtemission der Pixel, die den Licht emittierenden Pixeln benachbart sind, schwach. Außerdem gibt es in der Anzeigevorrichtung, die unter Verwendung des Beispielselements 2 hergestellt wurde, wenige Linien von Pixeln, die an der linken Seite der linkesten Licht emittierenden Pixel erkannt werden können.
  • Wie oben beschrieben kann in dem Licht emittierenden Element nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Nebensprechen (crosstalk) zwischen Pixeln effektiv unterdrückt werden. Im Besonderen ist das Licht emittierende Element nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung effektiv, um Nebensprechen (crosstalk) zwischen Pixeln zu unterdrücken, in einer Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung, in welcher der Abstand zwischen Pixeln kleiner als oder gleich 80 μm ist und der Abstand zwischen Sub-Pixeln kleiner als oder gleich 30 μm ist.
  • Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2013-166867 , eingereicht beim japanischen Patentamt am 9. August 2013, deren gesamter Inhalt hiermit zum Gegenstand der vorliegenden Offenlegung gemacht ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2003-272860 [0007]
    • JP 2013-166867 [0236]

Claims (27)

  1. Licht emittierendes Element, das umfasst: eine erste Elektrode; eine EL-Schicht über der ersten Elektrode; und eine zweite Elektrode über der EL-Schicht, wobei die EL-Schicht eine erste Licht emittierende Einheit, eine erste Schicht, eine erste Ladungserzeugungsschicht, eine zweite Licht emittierende Einheit, eine zweite Schicht und eine zweite Ladungserzeugungsschicht umfasst, wobei die erste Schicht zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit und der ersten Ladungserzeugungsschicht vorgesehen ist, wobei die zweite Schicht zwischen der zweiten Licht emittierenden Einheit und der zweiten Ladungserzeugungsschicht vorgesehen ist, und wobei die erste Schicht und die zweite Schicht 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin umfassen.
  2. Licht emittierendes Element nach Anspruch 1, wobei die erste Ladungserzeugungsschicht mindestens einen Ladungserzeugungsbereich und einen Elektroneninjektionspufferbereich umfasst.
  3. Licht emittierendes Element nach Anspruch 2, wobei ein Elektronenweiterleitungsbereich zwischen dem Ladungserzeugungsbereich und dem Elektroneninjektionspufferbereich vorgesehen ist.
  4. Licht emittierendes Element nach Anspruch 2, wobei der Elektroneninjektionspufferbereich ein Alkalimetall umfasst.
  5. Licht emittierendes Element nach Anspruch 1, wobei die EL-Schicht eine Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, umfasst, wobei die Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, Iridium und eine Verbindung umfasst, die zwei Stickstoffatome in einem kondensierten Ring umfasst, und wobei die Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, in Kontakt mit der ersten Schicht steht.
  6. Licht emittierendes Element nach Anspruch 5, wobei das Iridium in einem Teil der Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, enthalten ist und nicht in einem Bereich in Kontakt mit der ersten Schicht enthalten ist.
  7. Licht emittierende Vorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 1 und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  8. Anzeigevorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 1 in einem Anzeigeabschnitt und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  9. Beleuchtungsvorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 1 in einem Beleuchtungsabschnitt und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  10. Licht emittierendes Element, das umfasst: eine erste Elektrode; eine EL-Schicht über der ersten Elektrode; wobei die EL-Schicht umfasst: eine erste Licht emittierende Einheit über der ersten Elektrode; eine erste Schicht über der ersten Licht emittierenden Einheit; und eine erste Ladungserzeugungsschicht über und in Kontakt mit der ersten Schicht, und eine zweite Elektrode, wobei die erste Schicht 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin umfasst.
  11. Licht emittierendes Element nach Anspruch 10, wobei die erste Ladungserzeugungsschicht mindestens einen Ladungserzeugungsbereich und einen Elektroneninjektionspufferbereich umfasst.
  12. Licht emittierendes Element nach Anspruch 11, wobei ein Elektronenweiterleitungsbereich zwischen dem Ladungserzeugungsbereich und dem Elektroneninjektionspufferbereich vorgesehen ist.
  13. Licht emittierendes Element nach Anspruch 11, wobei der Elektroneninjektionspufferbereich ein Alkalimetall umfasst.
  14. Licht emittierendes Element nach Anspruch 10, wobei die EL-Schicht eine Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, umfasst, wobei die Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, Iridium und eine Verbindung umfasst, die zwei Stickstoffatome in einem kondensierten Ring umfasst, und wobei die Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, in Kontakt mit der ersten Schicht steht.
  15. Licht emittierendes Element nach Anspruch 14, wobei das Iridium in einem Teil der Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, enthalten ist und nicht in einem Bereich in Kontakt mit der ersten Schicht enthalten ist.
  16. Licht emittierende Vorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 10 und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  17. Anzeigevorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 10 in einem Anzeigeabschnitt und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  18. Beleuchtungsvorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 10 in einem Beleuchtungsabschnitt und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  19. Licht emittierendes Element, das umfasst: eine erste Elektrode; eine EL-Schicht über der ersten Elektrode; wobei die EL-Schicht umfasst: eine Lochinjektionsschicht über der ersten Elektrode; eine Lochtransportschicht über der Lochinjektionsschicht; eine Licht emittierende Schicht über der Lochtransportschicht; eine Elektronentransportschicht über der Licht emittierenden Schicht, wobei die Elektronentransportschicht eine erste Schicht umfasst; und eine erste Ladungserzeugungsschicht über der Elektronentransportschicht, und eine zweite Elektrode über der ersten Ladungserzeugungsschicht, wobei die erste Schicht 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin umfasst.
  20. Licht emittierendes Element nach Anspruch 19, wobei die erste Ladungserzeugungsschicht mindestens einen Ladungserzeugungsbereich und einen Elektroneninjektionspufferbereich umfasst.
  21. Licht emittierendes Element nach Anspruch 20, wobei ein Elektronenweiterleitungsbereich zwischen dem Ladungserzeugungsbereich und dem Elektroneninjektionspufferbereich vorgesehen ist.
  22. Licht emittierendes Element nach Anspruch 20, wobei der Elektroneninjektionspufferbereich ein Alkalimetall umfasst.
  23. Licht emittierendes Element nach Anspruch 19, wobei die EL-Schicht eine Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, umfasst, wobei die Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, Iridium und eine Verbindung umfasst, die zwei Stickstoffatome in einem kondensierten Ring umfasst, und wobei die Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, in Kontakt mit der ersten Schicht steht.
  24. Licht emittierendes Element nach Anspruch 23, wobei das Iridium in einem Teil der Schicht, die eine kondensierte heteroaromatische Verbindung enthält, enthalten ist und nicht in einem Bereich in Kontakt mit der ersten Schicht enthalten ist.
  25. Licht emittierende Vorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 19 und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  26. Anzeigevorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 19 in einem Anzeigeabschnitt und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
  27. Beleuchtungsvorrichtung, die das Licht emittierende Element nach Anspruch 19 in einem Beleuchtungsabschnitt und eine Einheit, die konfiguriert ist, um das Licht emittierende Element zu steuern, umfasst.
DE201410215799 2013-08-09 2014-08-08 Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung Pending DE102014215799A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013166867 2013-08-09
JP2013-166867 2013-08-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014215799A1 true DE102014215799A1 (de) 2015-02-12

Family

ID=52389067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201410215799 Pending DE102014215799A1 (de) 2013-08-09 2014-08-08 Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (3) US9515278B2 (de)
JP (5) JP6486624B2 (de)
KR (3) KR102176523B1 (de)
DE (1) DE102014215799A1 (de)
TW (4) TW202339325A (de)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102244374B1 (ko) 2013-08-09 2021-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 디스플레이 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
TW202339325A (zh) * 2013-08-09 2023-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
CN106575713B (zh) 2014-08-08 2019-01-25 株式会社半导体能源研究所 发光装置、电子设备以及照明装置
JP2016082239A (ja) 2014-10-16 2016-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
TWI651588B (zh) * 2015-02-10 2019-02-21 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩之製造方法及蒸鍍遮罩
WO2016132250A1 (en) 2015-02-18 2016-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
KR102399574B1 (ko) 2015-04-03 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102623039B1 (ko) * 2015-05-15 2024-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
CN104966789A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种电荷连接层及其制造方法、叠层oled器件
CN105161633B (zh) * 2015-08-12 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件
US20170062749A1 (en) * 2015-09-01 2017-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
KR102420453B1 (ko) 2015-09-09 2022-07-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 적용한 차량용 조명장치
KR101703174B1 (ko) * 2015-11-30 2017-02-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
KR102642369B1 (ko) 2016-03-25 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9911937B2 (en) 2016-05-12 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
WO2017199142A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
KR102586780B1 (ko) * 2016-06-30 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 콘텐츠 표시 시스템 및 방법
JP6151847B1 (ja) * 2016-12-27 2017-06-21 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置
US10748497B2 (en) * 2016-12-27 2020-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20180076857A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR102577891B1 (ko) * 2017-04-07 2023-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
WO2018218608A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel having the same, and method of fabricating array substrate
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102136806B1 (ko) * 2018-03-28 2020-07-23 엘지디스플레이 주식회사 신규한 유기화합물 및 상기 유기화합물을 포함하는 유기전계 발광소자
KR20210018105A (ko) 2019-08-09 2021-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
TWI744678B (zh) * 2019-08-21 2021-11-01 友達光電股份有限公司 電子裝置及其製作方法
WO2021045020A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 日本放送協会 電荷発生層及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、並びに有機薄膜太陽電池
US20220285629A1 (en) * 2021-02-26 2022-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed material
US12063856B2 (en) 2021-03-31 2024-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed material for light-emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272860A (ja) 2002-03-26 2003-09-26 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2013166867A (ja) 2012-02-16 2013-08-29 Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd 水性顔料分散液及びそれを用いたインクジェット用水性顔料インク

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393614A (en) 1992-04-03 1995-02-28 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescence device
JPH0782551A (ja) 1993-09-09 1995-03-28 Nisshinbo Ind Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2824411B2 (ja) 1995-08-25 1998-11-11 株式会社豊田中央研究所 有機薄膜発光素子
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3848430B2 (ja) 1997-04-08 2006-11-22 新日本製鐵株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH11307264A (ja) 1998-04-17 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP3370011B2 (ja) 1998-05-19 2003-01-27 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3924648B2 (ja) 1999-11-02 2007-06-06 ソニー株式会社 有機電界発光素子
JP2001131174A (ja) 1999-11-02 2001-05-15 Sony Corp バソフェナントロリン化合物及びその製造方法
JP4876311B2 (ja) 2000-01-14 2012-02-15 東レ株式会社 発光素子
US6645645B1 (en) 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
JP2002289360A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Univ Toyama 有機電界発光素子
EP1285957A3 (de) 2001-08-20 2005-12-21 TDK Corporation Organische elektrolumineszente Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
US7045955B2 (en) 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
JP4287198B2 (ja) 2002-11-18 2009-07-01 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4327443B2 (ja) 2002-11-25 2009-09-09 ケミプロ化成株式会社 フェナントロリン誘導体およびその用途
JP2004303489A (ja) 2003-03-28 2004-10-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
TWI407830B (zh) 2003-09-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件和其製法
JP4361342B2 (ja) 2003-09-30 2009-11-11 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子用化合物および有機ｅｌ素子
US7211948B2 (en) 2004-01-13 2007-05-01 Eastman Kodak Company Using a crystallization-inhibitor in organic electroluminescent devices
KR100573137B1 (ko) 2004-04-02 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
CA2588113C (en) 2004-11-24 2014-11-18 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device having a phenanthroline exciton blocking layer
US7714501B2 (en) 2004-12-01 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device and electronic equipment
JP4653469B2 (ja) 2004-12-01 2011-03-16 出光興産株式会社 有機電界発光素子
JP4842587B2 (ja) 2005-08-11 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 フェナントロリン誘導体化合物、並びにそれを利用する電子輸送性材料、発光素子、発光装置及び電子機器
JP4804196B2 (ja) 2006-03-31 2011-11-02 キヤノン株式会社 有機電界発光素子及び発光装置
US8115382B2 (en) 2007-09-20 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device, comprising controlled carrier transport
WO2009107187A1 (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 パイオニア株式会社 有機電界発光素子
WO2010040777A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mit kondensierten ringsystemen substituierte silole und deren verwendung in der organischen elektronik
US8222740B2 (en) 2008-10-28 2012-07-17 Jagdish Narayan Zinc oxide based composites and methods for their fabrication
DE102008054219A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements
JP5759669B2 (ja) 2008-12-01 2015-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
EP2356372B1 (de) 2008-12-11 2016-08-10 OSRAM OLED GmbH Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel
US9458182B2 (en) 2009-01-07 2016-10-04 Basf Se Silyl- and heteroatom-substituted compounds selected from carbazoles, dibenzofurans, dibenzothiophenes and dibenzophospholes, and use thereof in organic electronics
EP2401254B1 (de) * 2009-02-26 2013-06-19 Novaled AG Chinonverbindungen als dotierstoff in der organischen elektronik
EP2436233B1 (de) * 2009-05-29 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Lichtemittierendes element, lichtemittierende vorrichtung, elektronische vorrichtung und beleuchtungsvorrichtung
US8389979B2 (en) * 2009-05-29 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN102473843A (zh) 2009-08-04 2012-05-23 三菱化学株式会社 光电转换元件及使用该元件的太阳能电池
US8796699B2 (en) * 2009-11-24 2014-08-05 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for sensing infrared radiation
EP2355199B1 (de) 2010-01-29 2017-07-05 Novaled GmbH Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung
EP2333859B1 (de) 2009-12-03 2017-09-13 Novaled GmbH Verfahren zum Bilden einer organischen lichtemittierenden Diode
TWI591065B (zh) 2010-03-01 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 雜環化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置
EP2366753B1 (de) * 2010-03-02 2015-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element und Beleuchtungsvorrichtung
JP5801579B2 (ja) * 2010-03-31 2015-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
KR101806586B1 (ko) * 2010-06-18 2017-12-07 유디씨 아일랜드 리미티드 하나 이상의 금속 유기 화합물 및 하나 이상의 금속 산화물을 함유하는 층을 포함하는 유기 전자 소자
WO2011162105A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
KR102070539B1 (ko) * 2010-07-08 2020-01-28 유디씨 아일랜드 리미티드 질소 결합된 5원 복소환 고리로 치환된 디벤조푸란 및 디벤조티오펜의 유기 전자 소자에서의 용도
US9067919B2 (en) 2010-07-08 2015-06-30 Basf Se Use of dibenzofurans and dibenzothiophenes substituted by nitrogen-bonded five-membered heterocyclic rings in organic electronics
JP2012199231A (ja) * 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
CN103052624B (zh) 2011-07-22 2016-08-31 株式会社半导体能源研究所 二苯并[c,g]咔唑化合物、发光元件、发光装置、显示装置、照明装置以及电子设备
WO2013031509A1 (en) * 2011-08-26 2013-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device
TWI502765B (zh) * 2012-02-24 2015-10-01 Phostek Inc 發光二極體裝置
CN103367650A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 索尼公司 发光元件及显示装置
US8835948B2 (en) * 2012-04-19 2014-09-16 Phostek, Inc. Stacked LED device with diagonal bonding pads
JP5456120B2 (ja) * 2012-09-12 2014-03-26 パイオニア株式会社 有機電界発光素子
US10439156B2 (en) 2013-05-17 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, lighting device, and electronic device
TW202339325A (zh) * 2013-08-09 2023-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
KR102244374B1 (ko) 2013-08-09 2021-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 디스플레이 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272860A (ja) 2002-03-26 2003-09-26 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2013166867A (ja) 2012-02-16 2013-08-29 Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd 水性顔料分散液及びそれを用いたインクジェット用水性顔料インク

Also Published As

Publication number Publication date
TWI790559B (zh) 2023-01-21
TW201941470A (zh) 2019-10-16
JP2021068714A (ja) 2021-04-30
JP7043643B2 (ja) 2022-03-29
JP2021100000A (ja) 2021-07-01
KR102319366B1 (ko) 2021-10-29
KR102381111B1 (ko) 2022-03-30
JP2015057770A (ja) 2015-03-26
US9515278B2 (en) 2016-12-06
TW202339325A (zh) 2023-10-01
TW201508970A (zh) 2015-03-01
JP2021073734A (ja) 2021-05-13
US9966574B2 (en) 2018-05-08
US20150041792A1 (en) 2015-02-12
TWI686971B (zh) 2020-03-01
KR20150018408A (ko) 2015-02-23
US9780338B2 (en) 2017-10-03
JP6486624B2 (ja) 2019-03-20
KR20200127952A (ko) 2020-11-11
JP2019075592A (ja) 2019-05-16
TW202125871A (zh) 2021-07-01
KR20210035142A (ko) 2021-03-31
US20180019445A1 (en) 2018-01-18
US20170084876A1 (en) 2017-03-23
TWI727366B (zh) 2021-05-11
KR102176523B1 (ko) 2020-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102319366B1 (ko) 발광 소자, 디스플레이 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
DE112014005483B4 (de) Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112014007321B3 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE112017008343B3 (de) Licht emittierendes Element und Licht emittierende Vorrichtung
DE102016218696B4 (de) Licht emittierendes Element, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112014005471B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE112013001468B4 (de) Licht emittierendes Element
DE112016005489B4 (de) Licht emittierendes Element
DE102015208493B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112016003313T5 (de) Licht emittierendes Element, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102013208844A1 (de) Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112018005069B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102016225271A1 (de) Metallorganischer Komplex, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112019006355T5 (de) Licht emittierendes Gerät, Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierendes Modul, Beleuchtungsvorrichtung, Anzeigevorrichtung, Anzeigemodul und elektronisches Gerät
DE102017223742A1 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronische Vorrichtung, Anzeigevorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE112019006430T5 (de) Licht emittierende Einrichtung, Beleuchtungsvorrichtung, Anzeigevorrichtung, Modul und elektronisches Gerät
DE112021004268T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102021133839A1 (de) Organische Halbleitervorrichtung, organische EL-Vorrichtung, Photodiodensensor, Anzeigevorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102014213038A1 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung und elektronisches Gerät
DE102021101501A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112020000489T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112019003850T5 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112021003575T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112021003574T5 (de) Organische Verbindung, Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102022130651A1 (de) Organisches Halbleiterelement, organisches EL-Element und Photodiode

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R130 Divisional application to

Ref document number: 102014020061

Country of ref document: DE

R016 Response to examination communication
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027320000

Ipc: H10K0059000000