JP4804196B2 - 有機電界発光素子及び発光装置 - Google Patents
有機電界発光素子及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4804196B2 JP4804196B2 JP2006097177A JP2006097177A JP4804196B2 JP 4804196 B2 JP4804196 B2 JP 4804196B2 JP 2006097177 A JP2006097177 A JP 2006097177A JP 2006097177 A JP2006097177 A JP 2006097177A JP 4804196 B2 JP4804196 B2 JP 4804196B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic electroluminescent
- layer
- cesium
- light emitting
- peak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 46
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- -1 cesium compound Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001275 scanning Auger electron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical class O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Chemical class 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Chemical class 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は有機電界発光素子及びそれを利用した発光装置に関するものである。
有機電界発光素子は液晶ディスプレイと比較して（１）消費電力が小さい、（２）視野角が良い、（３）更に薄くできる、（４）フレキシブル基板が利用できる等の特長を有することから次世代の表示素子として実用化が期待されている。
しかしながら、発光特性の低さ、短寿命、数十ナノレベルの薄膜プロセスの困難さ等、実用化するための改善すべき課題がまだ多く残されている。特に発光特性の低さ、短寿命を解決する為には電極から有機化合物層への電荷注入の改善が必須とされている。
それを解決する為に有機化合物層にアルカリ金属あるいはその酸化物、過酸化物、塩等をドーピングすることが知られている（特許文献１乃至３）。また、セシウムサブオキサイドに関しては種々の化合物が知られている（非特許文献１）。
しかしながら、電荷の注入性の改善により発光特性の低さは幾分解決してきているが、寿命に関しての課題は未だ不十分である。
本発明は発光特性が優れ、長時間駆動した後も発光特性が大きく損なわれない有機電界発光素子及びそれを利用した発光装置を提供することを目的とする。
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に備えられている一層または複数層の有機化合物層とから少なくとも構成されている発光素子であって、Ｘ線光電子分光法により測定されるＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．０ｅＶ±０．５ｅＶのピークＡとＯ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．０ｅＶ±０．５ｅＶのピークＢの面積比から算出される元素比率Ａ／Ｂが３．１乃至７．３の範囲内にあるセシウムサブオキサイドを含むことを特徴とする。
本発明によれば、発光特性及び寿命に優れ、生産性の高い有機電界発光素子を提供することができる。また、その素子を利用することでディスプレイの情報表示部に好適に用い得る発光装置を提供することができる。
以下、本発明の詳細を説明する。
図１（ａ）は金基板上に０．３Ｌ（１Ｌ＝１０-6ｔｏｒｒ・ｓ）の酸素導入下、金属セシウムディスペンサー（ＳＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ社製）を抵抗加熱により真空蒸着した膜のＸ線光電子分光法による結合エネルギーチャートの代表的な一例である。また、図１（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、図１（ａ）中のＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギーのピークを含む部分とＯ１ｓ軌道に相応する結合エネルギーのピークを含む部分を拡大した図である。
図１（ｂ）ではピークＡが１種類、図１（ｃ）ではピークＢ、Ｃの２種類のピークが確認される。即ち、蒸着膜中には結合状態の異なるセシウム原子が少なくとも１種類以上、また酸素原子が少なくとも２種類以上存在することを意味している。本発明はこれらのうち、ピークＡ及びＢに着目し鋭意検討したところ、ピークＡ及びピークＢの面積比から算出される元素比率Ａ／Ｂが発光特性及び寿命の改善に大きく影響することを見出したものである。
図１は金の基板上に成膜したセシウムサブオキサイドの測定例であるが、蒸着物の成分は不活性な基板上では変化しない。従って、本発明の素子中に存在するセシウムサブオキサイドも有機化合物との相互作用を除けば、それに順ずるものであると推測される。元素比率Ａ／Ｂが３．１より小さいと発光効率が低下し、７．３より大きくなると寿命が悪くなる。また、本発明の効果をより顕著化する為には前記元素比率Ａ／Ｂが３．１乃至４．２であるものが好ましい。セシウムサブオキサイドの構造は明確には同定できていないが、Ｃｓ11Ｏ3、（Ｃｓ11Ｏ3）Ｃｓ、（Ｃｓ11Ｏ3）Ｃｓ10等が推測される。
本発明の有機電界発光素子は発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション型（ＢＥ型）、あるいは基板と反対側から光を取り出すトップエミッション型（ＴＥ型）のどちらの構造においても有効である。図２及び図３を用いて本発明を更に詳細に説明する。
図２，３は本発明の有機電界発光素子を示した断面模式図の一例である。図２では、基板１上に陽極２が配置され、その上にホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７、セシウムサブオキサイド層８、陰極９が順に配置されている。本発明の有機電界発光素子は、図３に示すように、基板１上に陰極９が配置され、その上にセシウムサブオキサイド層８、電子注入層７、電子輸送層６、発光層５、ホール輸送層４、ホール注入層３、陽極２が順に配置されていても良い。
また、図中、セシウムサブオキサイド層８は陰極９と電子注入層７の間に位置しているが、発光素子中のどこに位置していても良い。また、セシウムサブオキサイドは単独で、例えば電子注入層、電子輸送層を形成していても良いが、例えば電子注入層、電子輸送層等の有機化合物層の少なくとも一層以上に混合層として含まれていることが本発明の効果をより顕著化する為にも好ましい。本発明の必須な構成要素はセシウムサブオキサイドを含んでいること、及び陽極２、陰極９、発光層５であり、ホール注入層３及びホール輸送層４、電子輸送層６、電子注入層７の少なくとも１層はプロセスを簡略化する為に除くことが可能である。
また、電極から有機化合物層への電荷注入を改善する為に、セシウムサブオキサイドを含む層、即ちセシウムサブオキサイドのみからなる層あるいはセシウムサブオキサイドを含む有機化合物層は、陰極９と電気的に実質接しているものが好ましい。電気的に実質接しているとは陰極９とセシウムサブオキサイドを含む層の間に、有機化合物層、あるいは無機化合物層あるいは有機・無機の混合層といった別な層が設けられていたとしても電子注入性が改善される場合を言う。
セシウムサブオキサイドは、酸素導入下で金属セシウムを蒸着することにより、有機電界発光素子に含有させることが可能である。この場合、酸素導入量は本発明のセシウムサブオキサイドが得られる範囲であれば特に限定はされないが、０．１Ｌ乃至０．５Ｌが有効である。金属セシウムは反応性が非常に高く、取扱が困難である為に金属セシウムの変わりに金属セシウムのみを発生させるとされるＳＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ社製の金属セシウムディスペンサーを用いることは有効である。また、酸化セシウム、炭酸セシウム等のセシウム化合物の分解物により製造することも可能である。また、成膜速度はセシウムサブオキサイドが安定に蒸着される範囲であれば特に限定はされない。例えば水晶振動子で測定した場合０．００１ｎｍ／ｓｅｃ乃至１ｎｍ／ｓｅｃの範囲である。該有機化合物とセシウムサブオキサイドの成膜速度比に関しても特に限定されないが、例えば（有機化合物との成膜速度）／（セシウムサブオキサイドの成膜速度）は１００乃至０．１の範囲である。
以下、本発明で用いる有機化合物層について説明する。
ホール輸送層は、トリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等の低分子化合物、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリピリジン誘導体等の共役高分子化合物が挙げられるがこれらに限定されるものではない。蒸着プロセスが利用できる観点から低分子化合物が好ましい。本発明の低分子化合物とは分子量３，０００以下の化合物を示す。特に好ましい構造を以下に示す。
電子輸送層は、アルミキノリノール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等、が挙げられるがこれらに限定されるものではない。蒸着プロセスが利用できる観点から低分子化合物が好ましい。特に好ましい構造を以下に示す。
発光層は、前記したホール輸送層で用いた材料および電子輸送層で用いた材料、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン誘導体、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、これらのオリゴ体あるいは複合オリゴ体、Ａｌ錯体、Ｍｇ錯体、亜鉛錯体、Ｉｒ錯体、Ａｕ錯体、Ｒｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｏｓ錯体等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。蒸着プロセスが利用できる観点から低分子化合物が好ましい。また、これらの発光材料の一種以上をホール輸送層または電子輸送層にドーピングすることで得られる混合層を発光層として用いても良い。特に好ましい構造を以下に示す。
本発明で用いる基板としては特に限定されないが、例えばガラス、石英等の無機材料のほかアクリル系、ビニル系、エステル系、イミド系、ウレタン系、ジアゾ系、シンナモイル系等の感光性高分子化合物、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン等の有機材料、有機無機ハイブリッド材料を用いることができる。また、これらの材料を２層以上積層させて用いることもできる。また、ＴＦＴ等のアクティブ素子を備えていても良い。
本発明で用いる陽極は、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ等の金属材料およびそれらの合金材料、ポリシリコン、シリサイド、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2等の無機材料も好適であるが、ハイドープされたポリピリジン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンに代表される導電性高分子および炭素粒子、銀粒子等を分散した導電性インク等が挙げられる。図２で示される有機電界発光素子の場合、ＢＥ型では好ましくは透明性の高いＩＴＯ、ＩＴＺＯまたはＩＺＯ等の透明電極が好ましい。ＴＥ型では反射率の高いＡｇ、Ｃｒ等の金属材料が好ましい。また、Ａｌ／ＩＴＯ、Ａｇ／ＩＺＯ、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった、これらの材料を２層以上積層させて用いることもできる。
本発明で用いる陰極は、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ等の金属材料およびそれらの合金材料、ポリシリコン、シリサイド、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2等の無機材料、ハイドープされたポリピリジン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンに代表される導電性高分子および炭素粒子、銀粒子等を分散した導電性インク等が挙げられる。また、Ａｇ／Ｍｇ、Ａｌ／Ｍｇ、Ａｇ／Ｍｇ／Ａｇといった、これらの材料を２層以上積層させて用いることもできる。発光を効率よく取り出す為には好ましくは透明性の高いＩＴＯ、ＩＴＺＯまたはＩＺＯ等の透明電極が好ましい。
本発明で用いる陰極、陽極及び有機化合物層、セシウムサブオキサイドを含む層の形成方法は特に限定はされない。有機材料の場合、電解重合法、キャスティング法、スピンコート法、浸漬コート法、スクリーン印刷法、マイクロモールド法、マイクロコンタクト法、ロール塗布法、インクジェット法、ＬＢ法等で形成することができる。また、用いる材料により真空蒸着法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法等も有効な形成方法である。また、これらはフォトリソグラフおよびエッチング処理により所望の形状にパターニングすることができる。その他、ソフトリソグラフ、インクジェット法も有効なパターニング方法である。
本発明の陽極及び陰極、有機化合物層、セシウムサブオキサイドを含む層の膜厚は特に限定はされないが０．１ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲が好ましい。更に本発明の有機電界発光素子は少なくとも陰極側から光を取り出すものが好ましい。
本発明の発光装置は、上記本発明の有機電界発光素子を面内に複数有することを特徴とし、好ましくはディスプレイの情報表示部に用いられる。ディスプレイのサイズは特に制限されないが、例えば１インチから３０インチまでが好ましい。画素数は制限はなく、例えばＱＶＧＡ（３２０×２４０画素）、ＶＧＡ（６４０×４８０画素）、ＸＧＡ（１０２４×７２８画素）、ＳＸＧＡ（１２８０×１０２４画素）、ＵＸＧＡ（１６００×１２００画素）、ＱＸＧＡ（２０４８×１５３６画素）が挙げられる。また、カラー表示できることが好ましく、その場合、赤、青、緑の発光素子を独立に配列させることで表示する方法、またはカラーフィルターを用いる方法、何れにおいても有効である。また、駆動方法としては単純マトリックス方法、アクティブマトリックス方法、何れにおいても有効である。
以下、実施例により本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
図４は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
図４は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
基板１としてガラス、陽極２としてＩＴＯ，ホール輸送層４としてＨ−９、発光層５としてＥ−１、電子輸送層６としてＥ−２、電子注入層７としてセシウムサブオキサイド、陰極４７としてアルミニウムを用いる。以下に製造手順を示す。
ガラス基板１上にスパッタ法にてＩＴＯを膜厚５０ｎｍ成膜する（陽極２）。その後、アセトン、イソプロピルアルコールで洗浄し、真空乾燥した後、ＩＴＯ表面をＵＶ／オゾン処理を行う。
次に真空蒸着装置を用いて下記条件で、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６を連続蒸着し積層膜を得る。
ホール輸送層４：Ｈ−９を成膜速度０．５０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．５２ｎｍ／ｓｅｃ以下で膜厚５０ｎｍ
発光層５：Ｅ−１を成膜速度０．３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３２ｎｍ／ｓｅｃ以下で膜厚３０ｎｍ
電子輸送層６：Ｅ−２を成膜速度０．３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３２ｎｍ／ｓｅｃ以下で膜厚３０ｎｍ
発光層５：Ｅ−１を成膜速度０．３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３２ｎｍ／ｓｅｃ以下で膜厚３０ｎｍ
電子輸送層６：Ｅ−２を成膜速度０．３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３２ｎｍ／ｓｅｃ以下で膜厚３０ｎｍ
次に０．３Ｌの酸素導入下、金属セシウムディスペンサー（ＳＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ社製）を抵抗加熱により真空蒸着し、成膜速度０．０５ｎｍ／ｓｅｃ以上０．０６ｎｍ／ｓｅｃ以下にて膜厚３ｎｍで成膜する（電子注入層７）。
その後、アルミニウムを成膜速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．２ｎｍ／ｓｅｃ以下にて膜厚１５０ｎｍで成膜する（陰極９）。最後に窒素雰囲気下、水分ゲッター剤を含むガラスキャップを用いて素子を封止し有機電界発光素子を得る。
次に直流電圧を１０Ｖ印加した時の電流効率を測定し初期値とする。次に、この有機電界発光素子を室温にて２００時間連続発光させた後、同様にして電流効率を測定する。また変化率［（電流効率の初期値−２００時間連続発光後の値）×１００／電流効率の初期値（％）］を算出することで寿命を評価する。以下に結果を示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ４．９ｃｄ／Ａ
変化率 ６．８％
変化率 ６．８％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて（測定装置：ＥＳＣＡＬＡＢ ２２０ｉ−ＸＬＶＧ ／Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）測定した。その結果、Ｃｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．２ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．１ｅＶ、５３２．７ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２６．２ｅＶ）とピークＢ（５３１．１ｅＶ）の面積比から元素比率Ａ／Ｂを算出したところ４．２であった。
＜比較例１＞
電子注入層７を成膜する際に、１．０Ｌの酸素導入下で成膜する以外は実施例１と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
電子注入層７を成膜する際に、１．０Ｌの酸素導入下で成膜する以外は実施例１と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ３．３ｃｄ／Ａ
変化率 １５．０％
変化率 １５．０％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２５．５ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３０．５ｅＶ、５３２．５ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２５．５ｅＶ）とピークＢ（５３０．５ｅＶ）の面積比から元素比率Ａ／Ｂを算出したところ２．３であった。
＜比較例２＞
電子注入層７を成膜する際に、酸素を導入しないで成膜する以外は実施例１と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
電子注入層７を成膜する際に、酸素を導入しないで成膜する以外は実施例１と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ２．３ｃｄ／Ａ
変化率 ５４．０％
変化率 ５４．０％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．３ｅＶのピークは得られたが、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギーのピークは得られなかった。
＜実施例２＞
図５は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
図５は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
基板１としてガラス、陽極２としてＩＴＯ，ホール輸送層４としてＨ−２、発光層５としてＥ−１とＡ−３との混合物、電子輸送層６としてＥ−１とセシウムサブオキサイドとの混合物、陰極９としてアルミニウムを用いる。以下に製造手順を示す。
ガラス基板１上にスパッタ法にてＩＴＯを膜厚８０ｎｍ成膜する（陽極２）。その後、アセトン、イソプロピルアルコールで洗浄し、真空乾燥した後、ＩＴＯ表面をＵＶ／オゾン処理を行う。
次に真空蒸着装置を用いてＨ−２を成膜速度０．５０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．５２ｎｍ／ｓｅｃ以下で蒸着し、膜厚４０ｎｍに成膜する（ホール輸送層４）。次にＥ−１とＡ−３を共蒸着し、混合膜厚３０ｎｍに成膜する（発光層５）。このときのそれぞれの成膜速度はＥ−１が０．２０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．２３ｎｍ／ｓｅｃ以下、Ａ−３が０．０５ｎｍ／ｓｅｃ以上０．０７ｎｍ／ｓｅｃ以下である。
次に０．１Ｌの酸素導入下、金属セシウムディスペンサー（ＳＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ社製）とＥ−１を共蒸着し、混合膜厚４０ｎｍに成膜する（電子輸送層６）。このときのそれぞれの成膜速度はセシウムサブオキサイドが０．０５ｎｍ／ｓｅｃ以上０．０６ｎｍ／ｓｅｃ以下、Ｅ−１が０．２０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．２３ｎｍ／ｓｅｃ以下である。
その後、アルミニウムを成膜速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．２ｎｍ／ｓｅｃ以下で膜厚１５０ｎｍに成膜する（陰極９）。最後に窒素雰囲気下、水分ゲッター剤を含むガラスキャップを用いて素子を封止し有機電界発光素子を得る。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ９．３ｃｄ／Ａ
変化率 ９．８％
変化率 ９．８％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子輸送層６と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．１ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．２ｅＶ、５３２．８ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２６．２ｅＶ）とピークＢ（５３１．２ｅＶ）の面積比から元素比率Ａ／Ｂを算出したところ７．３であった。
＜比較例３＞
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、３．０Ｌの酸素導入下で電子輸送層６を成膜する以外は実施例２と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、３．０Ｌの酸素導入下で電子輸送層６を成膜する以外は実施例２と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ４．６ｃｄ／Ａ
変化率 １３．４％
変化率 １３．４％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子輸送層６と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２５．０ｅＶのピークが得られ、７２６．０±０．５ｅＶの範囲に入るピークは得られなかった。
＜実施例３＞
図４は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
図４は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
基板１としてガラス、陽極２としてクロム，ホール輸送層４としてＨ−２、発光層５としてＨ−１とＡ−９の混合物、電子輸送層６としてＥ−１２、電子注入層７としてＥ−１２とセシウムサブオキサイドとの混合物、陰極９としてＩＺＯを用いる。以下に製造手順を示す。
ガラス基板１上にスパッタ法にてクロムを膜厚１００ｎｍ成膜する（陽極２）。その後、アセトン、イソプロピルアルコールで洗浄し、真空乾燥した後、クロム表面をＵＶ／オゾン処理を行う。
次に真空蒸着装置を用いてＨ−２を成膜速度０．５０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．５２ｎｍ／ｓｅｃ以下で膜厚５０ｎｍに成膜する（ホール輸送層４）。次にＨ−１とＡ−９を共蒸着し、混合膜厚３０ｎｍに成膜する（発光層５）。このときのそれぞれの成膜速度はＨ−１が０．５０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．５２ｎｍ／ｓｅｃ以下、Ａ−９が０．０５ｎｍ／ｓｅｃ以上０．０７ｎｍ／ｓｅｃ以下である。更にＥ−１２を成膜速度０．３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３２ｎｍ／ｓｅｃ以下で蒸着し、膜厚１０ｎｍに成膜する（電子輸送層６）。
その上に０．５Ｌの酸素導入下、金属セシウムディスペンサー（ＳＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ社製）とＥ−１２を共蒸着し、混合膜厚５０ｎｍに成膜する（電子注入層７）。このときのそれぞれの成膜速度はセシウムサブオキサイドが０．１５ｎｍ／ｓｅｃ以上０．１８ｎｍ／ｓｅｃ以下、Ｅ−１２が０．３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３２ｎｍ／ｓｅｃ以下である。
その後、スパッタ法によりＩＺＯを膜厚１５０ｎｍ成膜する（陰極９）。最後に窒素雰囲気下、水分ゲッター剤を含むガラスキャップを用いて素子を封止し有機電界発光素子を得る。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ７．８ｃｄ／Ａ
変化率 ９．７％
変化率 ９．７％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．１ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．３ｅＶ、５３２．９ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２６．１ｅＶ）とピークＢ（５３１．１ｅＶ）の面積比から元素比率Ａ／Ｂを算出したところ３．１であった。
＜実施例４＞
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、０．３Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、０．３Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ８．０ｃｄ／Ａ
変化率 ５．３％
変化率 ５．３％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．２ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．１ｅＶ、５３２．７ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２６．２ｅＶ）とピークＢ（５３１．１ｅＶ）の元素比率Ａ／Ｂを算出したところ４．２であった。
＜実施例５＞
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、０．１Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、０．１Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ７．４ｃｄ／Ａ
変化率 ８．１％
変化率 ８．１％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．１ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．２ｅＶ、５３２．８ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２６．２ｅＶ）とピークＢ（５３１．２ｅＶ）の元素比率Ａ／Ｂを算出したところ７．３であった。
＜比較例４＞
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、０．０５Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、０．０５Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ５．３ｃｄ／Ａ
変化率 ３２．０％
変化率 ３２．０％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．２ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．５ｅＶ、５３２．７ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２６．３ｅＶ）とピークＢ（５３１．２ｅＶ）の元素比率Ａ／Ｂを算出したところ１２．５であった。
＜比較例５＞
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、１．０Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
金属セシウムディスペンサーを抵抗加熱により真空蒸着する際に、１．０Ｌの酸素導入下で電子注入層７を成膜する以外は実施例３と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。
次に実施例１と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
２００時間連続発光後の電流効率 ４．６ｃｄ／Ａ
変化率 １８．０％
変化率 １８．０％
また、別に用意したガラス基板上にクロムを膜厚５ｎｍ、次に金を膜厚５０ｎｍで成膜し、その上に電子注入層７と同じ条件で成膜した。得られた膜をＸ線光電子分光法にて測定したところＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２５．５ｅＶのピーク、Ｏ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３０．５ｅＶ、５３２．５ｅＶの２種類のピークが得られた。その中のピークＡ（７２５．５ｅＶ）とピークＢ（５３０．５ｅＶ）の元素比率Ａ／Ｂを算出したところ２．３であった。
以上の結果から実施例１と比較例１、２、実施例２と比較例３，実施例３乃至５と比較例４，５それぞれを比較することで明らかなように本発明の有機電界発光素子は発光特性および寿命が優れていることがわかる。
１ 基板
２ 陽極
３ ホール注入層
４ ホール輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 電子注入層
８ セシウムサブオキサイド層
９ 陰極
２ 陽極
３ ホール注入層
４ ホール輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 電子注入層
８ セシウムサブオキサイド層
９ 陰極
Claims (9)
- 陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に備えられている一層または複数層の有機化合物層とから少なくとも構成されている発光素子であって、Ｘ線光電子分光法により測定されるＣｓ３ｄ５軌道に相応する結合エネルギー７２６．０ｅＶ±０．５ｅＶのピークＡとＯ１ｓ軌道に相応する結合エネルギー５３１．０ｅＶ±０．５ｅＶのピークＢの面積比から算出される元素比率Ａ／Ｂが３．１乃至７．３の範囲内にあるセシウムサブオキサイドを含むことを特徴とする有機電界発光素子。
- 前記元素比率Ａ／Ｂが３．１乃至４．２の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。
- 前記セシウムサブオキサイドが前記有機化合物層の少なくとも一層以上に含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
- 前記セシウムサブオキサイドが前記陰極と電気的に実質接している層に含まれることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の有機電界発光素子。
- 前記陰極が透明電極であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の有機電界発光素子。
- 前記有機化合物層が低分子化合物であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の有機電界発光素子。
- 少なくとも前記陰極側から光を取り出すことを特徴とする請求項１乃至６記載の有機電界発光素子。
- 請求項１乃至７の何れかに記載の有機電界発光素子を面内に複数有することを特徴とする発光装置。
- ディスプレイの情報表示部であることを特徴とする請求項８記載の発光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006097177A JP4804196B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 有機電界発光素子及び発光装置 |
| PCT/JP2007/054599 WO2007113984A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-03-02 | Organic electroluminescence device and light emitting apparatus |
| US11/993,083 US7851991B2 (en) | 2006-03-31 | 2007-03-02 | Organic electroluminescence device and light emitting apparatus |
| CN200780000867A CN100580975C (zh) | 2006-03-31 | 2007-03-02 | 有机电致发光装置和发光设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006097177A JP4804196B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 有機電界発光素子及び発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007273702A JP2007273702A (ja) | 2007-10-18 |
| JP4804196B2 true JP4804196B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=38563256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006097177A Expired - Fee Related JP4804196B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 有機電界発光素子及び発光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7851991B2 (ja) |
| JP (1) | JP4804196B2 (ja) |
| CN (1) | CN100580975C (ja) |
| WO (1) | WO2007113984A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4724585B2 (ja) | 2006-03-31 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 有機電界発光素子及び発光装置 |
| US8115382B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device, comprising controlled carrier transport |
| US8384283B2 (en) | 2007-09-20 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| JP2010067718A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および電子機器 |
| TW202339325A (zh) | 2013-08-09 | 2023-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置 |
| CN113161459A (zh) * | 2021-02-25 | 2021-07-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 图形化衬底、发光二极管外延片及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3529543B2 (ja) * | 1995-04-27 | 2004-05-24 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4486713B2 (ja) | 1997-01-27 | 2010-06-23 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2000164361A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2004095491A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Sony Corp | 表示素子 |
| JP2004192842A (ja) | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2005293961A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| KR100672535B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 |
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2006097177A patent/JP4804196B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-02 US US11/993,083 patent/US7851991B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-02 WO PCT/JP2007/054599 patent/WO2007113984A1/en active Application Filing
- 2007-03-02 CN CN200780000867A patent/CN100580975C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007273702A (ja) | 2007-10-18 |
| CN101341607A (zh) | 2009-01-07 |
| WO2007113984A1 (en) | 2007-10-11 |
| US7851991B2 (en) | 2010-12-14 |
| CN100580975C (zh) | 2010-01-13 |
| US20100181898A1 (en) | 2010-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11094909B2 (en) | Thin film of metal oxide, organic electroluminescent device including the thin film, photovoltaic cell including the thin film and organic photovoltaic cell including the thin film | |
| JP4440267B2 (ja) | ナノサイズの半球状凹部が形成された基板を用いた高効率の有機発光素子及びこの作製方法 | |
| JP4182467B2 (ja) | 回路基板、電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3813990B2 (ja) | 有機発光デバイスおよびその製造方法 | |
| JP4804196B2 (ja) | 有機電界発光素子及び発光装置 | |
| JP2010509729A (ja) | キャビティエレクトロルミネセント素子およびその製造方法 | |
| KR20010102087A (ko) | 광-전기적 디바이스들 | |
| US20130011952A1 (en) | Method for producing organic electroluminescence element | |
| Lee et al. | Realization of an efficient top emission organic light-emitting device with novel electrodes | |
| JP4305425B2 (ja) | 電子デバイスおよび電子機器 | |
| CN103098551A (zh) | 电致发光元件、显示装置以及照明装置 | |
| US7161291B2 (en) | Display element and method for producing the same | |
| JP4724585B2 (ja) | 有機電界発光素子及び発光装置 | |
| JP2004127639A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 | |
| JP5471897B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| TW201031263A (en) | Organic electroluminescent device, display device, and lighting device | |
| US20070103055A1 (en) | Organic electroluminescence device, conductive laminate and display | |
| JPH11354279A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4491894B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 | |
| JP2007141917A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| WO2011105141A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| WO2011114833A1 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP2010015786A (ja) | 多色発光表示装置 | |
| JP5678455B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌパネルの製造方法 | |
| US20100167440A1 (en) | Light Emissive Device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110809 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4804196 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |