JP4724585B2 - 有機電界発光素子及び発光装置 - Google Patents
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Description
図4は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
発光層5:H−1を成膜速度0.50nm/sec以上0.52nm/sec以下、A−9を成膜速度0.05nm/sec以上0.07nm/sec以下で膜厚30nm
電子輸送層6:E−12を成膜速度0.30nm/sec以上0.32nm/sec以下で膜厚30nm
300時間連続発光後の電流効率 8.9cd/A
変化率 7.3%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて(測定装置:ESCALAB 220i−XLVG/Scientific社製)測定した。その結果、N1s軌道に相応する結合エネルギー400.2eV、399.0eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.0eVのピークCが得られた。その中のピークB(399.0eV)とピークC(726.0eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.11であった。また、E−12に対するセシウムのモル比は1.2であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、基板温度を70℃以上100℃以下とした以外は実施例1と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 9.6cd/A
変化率 8.6%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー400.1eV、399.0eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.0eVのピークCが得られた。その中のピークB(399.0eV)とピークC(726.0eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.42であった。また、E−12に対するセシウムのモル比は1.2であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、真空度を5.0×10-3Pa以上7.0×10-3Paとした以外は実施例1と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 3.8cd/A
変化率 7.3%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー400.1eV、398.9eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.1eVのピークCが得られた。その中のピークB(398.9eV)とピークC(726.1eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.08であった。また、E−12に対するセシウムのモル比は1.2であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、基板温度を150℃以上170℃以下とした以外は実施例1と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 4.2cd/A
変化率 59.2%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー400.1eV、399.0eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.0eVのピークCが得られた。その中のピークB(399.0eV)とピークC(726.0eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.58であった。また、E−12に対するセシウムのモル比は1.2であった。
図4は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
発光層5:E−1を成膜速度0.50nm/sec以上0.52nm/sec以下で膜厚30nm
電子輸送層6:E−2を成膜速度0.30nm/sec以上0.32nm/sec以下で膜厚20nm
300時間連続発光後の電流効率 5.8cd/A
変化率 7.9%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー402.6eV、401.4eVの2種類のピークA、B、Li1s軌道に相応する結合エネルギー55.8eVのピークCが得られた。その中のピークB(401.4eV)とピークC(55.8eV)の面積から前記式(II)(n=2)に従い配位リチウム比率を算出したところ0.31であった。また、E−1に対するリチウムのモル比は1.8であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、基板温度を90℃以上120℃以下とした以外は実施例3と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 5.6cd/A
変化率 13.8%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー402.7eV、401.5eVの2種類のピークA、B、Li1s軌道に相応する結合エネルギー55.7eVのピークCが得られた。その中のピークB(401.5eV)とピークC(55.7eV)の面積から前記式(II)(n=2)に従い配位リチウム比率を算出したところ0.41であった。また、E−1に対するリチウムのモル比は1.8であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、真空度を3.0×10-3Pa以上5.0×10-3Pa以下とした以外は実施例3と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 2.3cd/A
変化率 20.7%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー402.7eV、401.5eVの2種類のピークA、B、Li1s軌道に相応する結合エネルギー55.8eVのピークCが得られた。その中のピークB(401.5eV)とピークC(55.8eV)の面積から前記式(II)(n=2)に従い配位リチウム比率を算出したところ0.08であった。また、E−1に対するリチウムのモル比は1.8であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、基板温度を150℃〜170℃とした以外は実施例3と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 2.2cd/A
変化率 65.6%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー402.7eV、401.5eVの2種類のピークA、B、Li1s軌道に相応する結合エネルギー55.7eVのピークCが得られた。その中のピークB(401.5eV)とピークC(55.7eV)の面積から前記式(II)(n=2)に従い配位リチウム比率を算出したところ0.68であった。また、E−1に対するリチウムのモル比は1.8であった。
図4は本実施例で製造した有機電界発光素子を示す断面模式図である。
発光層5:E−1を成膜速度0.50nm/sec以上0.52nm/sec以下、A−3を成膜速度0.05nm/sec以上0.07nm/sec以下で膜厚30nm
電子輸送層6:E−2を成膜速度0.30nm/sec以上0.32nm/sec以下で膜厚20nm
300時間連続発光後の電流効率 10.8cd/A
変化率 6.9%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー399.8eV、398.6eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.0eVのピークCが得られた。その中のピークB(398.6eV)とピークC(726.0eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.22であった。また、E−2に対するセシウムのモル比は2.8であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、基板温度を70℃以上100℃以下とした以外は実施例5と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 10.6cd/A
変化率 11.7%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー399.7eV、398.6eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.0eVのピークCが得られた。その中のピークB(398.6eV)とピークC(726.0eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.36であった。また、E−2に対するセシウムのモル比は2.8であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、真空度を5.0×10-3Pa以上7.0×10-3Pa以下とした以外は実施例5と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 2.7cd/A
変化率 12.9%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー399.7eV、398.5eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.1eVのピークCが得られた。その中のピークB(398.5eV)とピークC(726.1eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.07であった。また、E−2に対するセシウムのモル比は2.8であった。
金属を含有する有機化合物層8を成膜する際に、基板温度を150℃〜170℃とした以外は実施例5と同様の手法により有機電界発光素子を製造する。次に実施例1と同様の手法により素子の電流効率、寿命を評価する。その結果を以下に示す。
300時間連続発光後の電流効率 4.3cd/A
変化率 63.6%
ガラス基板上にクロムを膜厚5nm、次に金を膜厚50nmで成膜し、その上に金属を含有する有機化合物層8と同じ条件で成膜した。得られた膜をX線光電子分光法にて測定したところN1s軌道に相応する結合エネルギー399.8eV、398.6eVの2種類のピークA、B、Cs3d5軌道に相応する結合エネルギー726.1eVのピークCが得られた。その中のピークB(398.6eV)とピークC(726.1eV)の面積から前記式(I)に従い配位セシウム比率を算出したところ0.55であった。また、E−2に対するセシウムのモル比は2.8であった。
2 陽極
3 ホール注入層
4 ホール輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 金属を含有する有機化合物層
9 陰極
Claims (7)
- 陽極と、発光層と、有機化合物及び金属を含有する有機化合物層と、陰極と、をこの順で有し、前記有機化合物層において、前記金属の一部が前記有機化合物と配位結合をし、前記有機化合物層における前記金属の総数に対する前記配位結合に関与している金属の数の比率が0.11以上0.42以下であることを特徴とする有機電界発光素子。
- 前記配位結合に関与している金属の数の比率が0.22以上0.42以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記有機化合物に対する前記金属のモル比が0.5以上3.0以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属のイオン化エネルギーが7eV以下であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属のイオン化エネルギーが5eV以下であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の有機電界発光素子。
- 前記有機化合物がフェナントロリン誘導体であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の有機電界発光素子。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の有機電界発光素子を複数有することを特徴とする発光装置。
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