JP2021100000A

JP2021100000A - 発光素子

Info

Publication number: JP2021100000A
Application number: JP2021037955A
Authority: JP
Inventors: 恒徳鈴木; Tsunenori Suzuki; 正吾上坂; Shogo Uesaka; 諒平山岡; Ryohei Yamaoka; 瀬尾　哲史; Tetsushi Seo; 哲史瀬尾
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2013-08-09
Filing date: 2021-03-10
Publication date: 2021-07-01
Also published as: KR102176523B1; US9515278B2; TWI686971B; TW202125871A; JP2015057770A; KR20200127952A; JP7043643B2; KR20210035142A; US20180019445A1; KR20150018408A; TWI727366B; US20170084876A1; US20150041792A1; JP2021073734A; JP2019075592A; TW201941470A; KR102319366B1; JP2021068714A; TW202339325A; US9966574B2

Abstract

【課題】タンデム型の発光素子において、高精細なディスプレイに用いたとしてもクロストークの発生を抑制することが可能な発光素子を提供する。【解決手段】タンデム素子における中間層の陽極側に接する層に２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）が含まれる発光素子を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシ
ン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特
に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、それらの駆動方法、または、
それらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む
発光層を有する発光素子に関する。また、当該発光素子を用いた発光装置、並びに当該発
光装置を用いた電子機器に関する。

近年モバイル機器の発展は目覚しく、小型の映像再生機や、スマートフォン、タブレッ
トに付属のディスプレイなどにより、いつでもどこでも手軽に映像作品を楽しめるように
なっている。また、ダウンロードや小型のメモリが映像の媒介手段として確立され、その
需要はますます大きくなっている。

モバイル機器に付属の小型のディスプレイで、高品質な映像を楽しむためには、当該デ
ィスプレイが十分に高精細化されたディスプレイであることが要求される。

ところで、一対の電極間に有機化合物を含む発光層を有する発光素子（エレクトロルミ
ネッセンス素子：ＥＬ素子ともいう）は、高速応答が可能であり、直流低電圧駆動、また
、薄型、軽量に作製できることから、フラットパネルディスプレイ素子やモバイルディス
プレイ用素子として実用化も進められている。

ＥＬ素子は一対の電極と、当該電極間に設けられた発光物質を含むＥＬ層とを有してな
り、ＥＬ層に電流を流すことによって含まれる発光物質が励起され、発光する。そのため
、このようなＥＬ素子において大きな発光強度を得るためには、相当する大きさの電流を
当該発光層に流すこととなり、消費電力もそれに伴って大きくなる。また、流す電流が大
きくなるほどＥＬ素子の劣化は促進される。

そこで、複数のＥＬ層を積層して、同じ電流密度の電流を流した際に、ＥＬ層が単層で
ある発光素子より高輝度の発光を得ることが可能な発光素子が提案されている（例えば特
許文献１参照）。特許文献１で開示されている発光素子は、複数の発光ユニットが、電荷
発生層により仕切られた構造を有している。

特開２００３−２７２８６０号公報

特許文献１のように、複数の発光ユニットが電荷発生層により仕切られた構造を有する
発光素子（以下タンデム素子と称する）で高精細なディスプレイを作製する場合、照明用
途や画素サイズの大きいディスプレイでは起きない問題が発生する場合がある。そのよう
な問題の一つとして、近接する画素間での干渉現象、いわゆるクロストークがある。

タンデム素子を用いてディスプレイを作製する場合、白色発光を得ることが容易である
ことから、すべての画素において同一のＥＬ層構造を適用し、共振構造やカラーフィルタ
を用いて各画素で必要な発光色を得るフルカラー化方式が採用される場合が多い。すなわ
ち、隣り合う画素同士において、ＥＬ層の各層は連続している。

また、発光素子は一対の電極間に当該ＥＬ層を挟み込んだ構造を有しており、アクティ
ブマトリクス型の発光素子においては一対の電極のうち、一方は画素ごとに分割されてい
るが、一方の電極は複数の画素で連続的に形成されている。そのため、画素の駆動は画素
ごとに分割されている一方の電極を制御することによって行われる。

ここで、複数の発光素子において連続するＥＬ層の一部が大きな導電性を有していると
、駆動しようとしている素子の第１の電極と、隣り合う画素の領域に存在する共通する電
極（第２の電極）との間にも電流が流れ、結果としてクロストークを起こしてしまう場合
がある。この、ＥＬ層における導電性の大きな部分が形成される要因として注目されてい
るのが電荷発生層である。

電荷発生層では、陽極側の発光ユニットへの電子の注入性を改善するために、リチウム
やセシウムなどのアルカリ金属が用いられる。また、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）
やバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）などの電子輸送材料は、駆動電圧が低く良
好な特性を有する発光素子を構成することが可能となるため広く用いられている。しかし
、これらに上記アルカリ金属が分散されていると導電率が大きくなり、高精細なディスプ
レイではクロストークが起きてしまう。さらに、これらが混合しておらず、接しているだ
けでも同様にクロストークが発生してしまうことも確認された。

アルカリ金属などを用いないと、発光ユニットへの電子注入性が低下し、駆動電圧が上
昇してしまう。このように、タンデム素子の、実用に耐えうる特性を損なわず、クロスト
ークを抑制することは非常に困難である。

一方、上記バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）やバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈ
ｅｎ）などの駆動特性の良好なフェナントロリン系の電子輸送材料を用いた発光素子は、
耐熱性に難があることが知られており、素子構成によってはそれはさらに大きな問題とな
る。

そこで、本発明の一態様では、タンデム型の発光素子において、高精細なディスプレイ
に用いたとしてもクロストークの発生を抑制することが可能な発光素子を提供することを
課題とする。

または、本発明の一態様では、タンデム型の発光素子において、高品質な表示を提供す
ることが可能な発光素子を提供することを課題とする。

または、本発明の一態様では、高品質な表示と消費電力の低減のどちらも実現すること
が可能な発光素子を提供することを課題とする。

または、本発明の一態様では、耐熱性の良好なタンデム素子を提供することを課題とす
る。または、本発明の一態様では、新規な発光素子を提供することを課題とする。

または、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いることにより、高品質な表示を提供
することが可能なディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子
機器、及び照明装置を各々提供することを目的とする。

または、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いることにより、高品質な表示を提供
し、且つ低消費電力なディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、
電子機器、及び照明装置を各々提供することを目的とする。

また、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いることにより、耐熱性の良好なディス
プレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置を各
々提供することを目的とする。

本発明は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。

タンデム素子における中間層の陽極側に接する層に２，９−ビス（ナフタレン−２−イ
ル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）が含ま
れる発光素子が上記課題を実現することができる。

本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極と
の間に挟まれたＥＬ層とを有し、前記ＥＬ層は少なくとも複数の発光ユニットと、前記発
光ユニット間に挟まれた複数の電荷発生層を有し、前記電荷発生層の陽極側に接する層に
ＮＢｐｈｅｎが含まれることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と、前記
第２の電極との間に挟まれたＥＬ層とを有し、前記ＥＬ層は陽極側に形成された第１の発
光ユニットと、陰極側に形成された第２の発光ユニットとを有し、前記第１の発光ユニッ
トと、前記第２の発光ユニットとの間に電荷発生層を有し、前記第１の発光ユニットにお
ける前記電荷発生層と接する層にＮＢｐｈｅｎが含まれることを特徴とする発光素子であ
る。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電荷発生層には、少なくとも電
荷発生領域と、電子注入バッファ領域が形成され、前記電子注入バッファ領域は前記電荷
発生層の陽極側に位置することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子注入バッファ領域の前記電
荷発生領域側に電子リレー領域を有する発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子注入バッファ領域にはアル
カリ金属が含まれる発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記アルカリ金属がリチウムである
発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記ＥＬ層は、少なくとも縮合芳香
族化合物又は縮合複素芳香族化合物を含む層と、前記縮合芳香族化合物又は縮合複素芳香
族化合物を含む層に接するＮＢｐｈｅｎを含む層を有することを特徴とする発光素子であ
る。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記ＥＬ層は、少なくとも三環以上
の縮合環骨格を有する縮合芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合物を含む層と、前記縮合
芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合物を含む層に接するＮＢｐｈｅｎを含む層を有する
ことを特徴とする発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記縮合芳香族化合物又は縮合複素
芳香族化合物を含む層が縮合複素芳香族化合物を含む層である発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記縮合複素芳香族化合物を含む層
に含まれる縮合複素芳香族化合物は、一つの縮合環骨格内に２つの窒素原子が含まれるこ
とを特徴とする発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記発光素子がりん光発光を呈する
ことを特徴とする発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記縮合複素芳香族化合物を含む層
に、さらにイリジウムが含まれることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記イリジウムは、前記縮合複素芳
香族化合物を含む層の一部に含まれ、前記ＮＢｐｈｅｎを含む層と接する領域には含まれ
ないことを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一態様は、上記いずれかに記載の発光素子を有するディスプレイモジュ
ールである。

また、本発明の一態様は、上記いずれかに記載の発光素子を有する照明モジュールであ
る。

また、本発明の一態様は、上記いずれかに記載の発光素子と、前記発光素子を制御する
手段を備えた発光装置である。

また、本発明の一態様は、上記いずれかに記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素
子を制御する手段を備えた表示装置である。

また、本発明の一態様は、上記いずれかに記載の発光素子を照明部に有し、前記発光素
子を制御する手段を備えた照明装置である。

また、本発明の一態様は、上記いずれかに記載の発光素子を有する電子機器である。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスを含む。ま
た、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒ
ｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さら
に、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。

本発明の一態様では、タンデム型の発光素子において、高精細なディスプレイに用いた
としてもクロストークの発生を抑制することが可能な発光素子を提供することができる。

また、本発明の一態様では、タンデム型の発光素子において、高品質な表示を提供する
ことが可能な発光素子を提供することができる。

また、本発明の一態様では、高品質な表示と消費電力の低減のどちらも実現することが
可能な発光素子を提供することができる。

また、本発明の一態様では、耐熱性の良好なタンデム素子を提供することができる。

また、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いることにより、高品質な表示を提供す
ることが可能なディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機
器、及び照明装置を各々提供することができる。

また、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いることにより、高品質な表示を提供し
、且つ低消費電力なディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電
子機器、及び照明装置を各々提供することができる。

また、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いることにより、耐熱性の良好なディス
プレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置を各
々提供することができる。

発光素子の概念図。アクティブマトリクス型発光装置の概念図。アクティブマトリクス型発光装置の概念図。アクティブマトリクス型発光装置の概念図。電子機器を表す図。車載表示装置及び照明装置を表す図。電子機器を表す図。実施例素子１及び比較例素子１の電流密度−輝度特性を表す図。実施例素子１及び比較例素子１の輝度−電流効率特性を表す図。実施例素子１及び比較例素子１の電圧−輝度特性を表す図。実施例素子１及び比較例素子１の発光スペクトル。実施例素子２及び比較例素子２を用いた表示装置の拡大写真。発光素子の素子構造を説明する図。実施例素子１の規格化輝度時間変化特性を表す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
図１に本発明の一態様である発光素子の概念図を示す。図１に示す発光素子は一対の電
極（陽極１００、陰極１０１）間に複数（ｎ層）の発光ユニットを有している。最も陽極
１００側の発光ユニットを１番目の発光ユニット１０２ｋ、最も陰極１０１側の発光ユニ
ットをｎ番目の発光ユニット１０２ｎとした。

図１の発光素子には発光ユニット（１番目の発光ユニット１０２ｋ・・・ｍ番目の発光
ユニット１０２ｍ・・・ｎ番目の発光ユニット１０２ｎ）、電荷発生層（１番目の電荷発
生層１０３ｋ・・・ｍ番目の電荷発生層１０３ｍ・・・ｎ−１番目の電荷発生層１０３ｎ
−１）、電荷発生領域（１番目の電荷発生領域１０４ｋ・・・ｍ番目の電荷発生領域１０
４ｍ・・・ｎ−１番目の電荷発生領域１０４ｎ−１）、電子注入バッファ領域（１番目の
電子注入バッファ領域１０５ｋ・・・ｍ番目の電子注入バッファ領域１０５ｍ・・・ｎ−
１番目の電子注入バッファ領域１０５ｎ−１）、ＮＢｐｈｅｎを含む層（１番目のＮＢｐ
ｈｅｎを含む層１０６ｋ・・・ｍ番目のＮＢｐｈｅｎを含む層１０６ｍ・・・ｎ−１番目
のＮＢｐｈｅｎを含む層１０６ｎ−１・・・ｎ番目のＮＢｐｈｅｎを含む層１０６ｎ）な
どが含まれている。

なお、複数の発光ユニットを総称して発光ユニット１０２、複数の電荷発生層を総称し
て電荷発生層１０３、複数の電荷発生領域を総称して電荷発生領域１０４、複数の電子注
入バッファ領域を総称して電子注入バッファ領域１０５及び複数のＮＢｐｈｅｎを含む層
を総称してＮＢｐｈｅｎを含む層１０６と呼ぶ場合もある。また、陽極１００と陰極１０
１に挟まれた発光ユニット１０２と発光ユニット間に存在する各電荷発生層１０３を総称
してＥＬ層１１０とする。

ｍ番目の発光ユニット１０２ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）とｍ＋１番目の発光ユ
ニット１０２ｍ＋１との間にはｍ番目の電荷発生層１０３ｍが、ｍ番目の発光ユニット１
０２ｍ、ｍ＋１番目の発光ユニット１０２ｍ＋１の両方と接して設けられている。ｍ番目
の電荷発生層１０３ｍはｍ＋１番目の発光ユニット１０２ｍ＋１と接するｍ番目の電荷発
生領域１０４ｍと、ｍ番目の電荷発生領域１０４ｍとｍ番目の発光ユニット１０２ｍの両
方に接するｍ番目の電子注入バッファ領域１０５ｍからなっている。ここで、電荷発生層
１０３は電源等と接続されていない、フローティング状態にある。また、電荷発生領域１
０４は正孔輸送性の物質と当該物質に対するアクセプター性物質を含む。電子注入バッフ
ァ領域１０５は電荷発生領域１０４で発生した電子を受け取り、発光ユニット１０２のＮ
Ｂｐｈｅｎを含む層１０６へ電子を渡す機能を有する層である。

電子注入バッファ領域１０５は、少なくともアルカリ金属、特にリチウムの０．１ｎｍ
乃至５ｎｍの極薄い層を陽極側界面に有する。この層が存在することによって、電子の注
入障壁が緩和されるため、電荷発生領域１０４で発生した電子を発光ユニット１０２にス
ムーズに注入できるようになる。また、電子注入バッファ領域１０５は、当該リチウムの
層と電荷発生領域１０４との相互作用を防ぐために当該リチウムの層と電荷発生領域１０
４との間に電子リレー領域を形成しても良い。電子リレー領域は、また、電荷発生領域１
０４において発生した電子を効率よく発光ユニット１０２に注入する層としても機能する
。このため、電子リレー領域は、そのＬＵＭＯ準位が、電荷発生領域１０４におけるアク
セプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー領域が所属する電荷発生層１０３
の陽極側に接する層（すなわちＮＢｐｈｅｎを含む層１０６）のＬＵＭＯ準位との間の準
位となるように形成するとよい。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下
とするのが好ましい。電子リレー領域は１ｎｍ乃至４０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１０
ｎｍの膜厚で形成すればよい。

また、発光ユニット１０２は有機化合物を含み、特定の機能を担う複数の層を有してい
る。当該複数の層として、発光ユニット１０２は少なくとも発光物質を有する発光領域と
、ＮＢｐｈｅｎを含む層１０６を有しており、ｍ番目の発光ユニット１０２ｍはｍ番目の
ＮＢｐｈｅｎを含む層１０６ｍを有している。なお、本実施の形態において、ＮＢｐｈｅ
ｎを含む層１０６は、各発光ユニット１０２中最も陰極１０１側に設けられており、ｍ番
目の発光ユニット１０２ｍが有するｍ番目のＮＢｐｈｅｎを含む層１０６ｍは、ｍ番目の
電荷発生層１０３ｍのｍ番目の電子注入バッファ領域１０５ｍと接して形成されている。

なお、図１では発光ユニットが多数設けられている図を例示して説明しているが、ｎ＝
２や３であるような図示したよりも少ない数の発光ユニットを有する発光素子も、もちろ
ん本発明の一態様である。例えば、発光ユニット１０２が２層である場合は、ｎ＝２であ
り、ｍ番目の発光ユニット１０２ｍは１番目の発光ユニット１０２ｋに相当し、ｍ＋１番
目の発光ユニット１０２ｍ＋１はｎ番目の発光ユニット１０２ｎに相当する。

電荷発生領域１０４は、上述のように正孔輸送性の物質とアクセプター性物質を含んで
いる。電荷発生領域１０４は、電極（陽極１００、陰極１０１）間に電圧を印加した際、
含まれるアクセプター性物質が正孔輸送性の物質から電子を引き抜くことによって電子及
び正孔が発生する。ｍ番目の電荷発生領域１０４ｍで発生した正孔はｍ＋１番目の発光ユ
ニット１０２ｍ＋１に注入される。また、同時にｍ番目の電荷発生領域１０４ｍで発生し
た電子は、ｍ番目の電子注入バッファ領域１０５ｍを介してｍ番目の発光ユニット１０２
ｍのＮＢｐｈｅｎを含む層（ｍ番目のＮＢｐｈｅｎを含む層１０６ｍ）に注入される。電
荷発生領域１０４は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さで形成されることが好ましい。

電荷発生領域１０４に含まれるアクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラ
シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロ
ラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素
周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的に
は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タ
ングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に
、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔輸送性の物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水
素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を
用いることができる。なお、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である
ことが好ましい。

例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ
，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３
，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン
（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

上記カルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾー
ル−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣ
Ａ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチ
ル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾー
ル（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。また、他に、４，４’−ジ（Ｎ−
カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾ
リル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アン
トリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ
−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いること
ができる。

また、芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−
ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−
ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アン
トラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフ
ェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アント
ラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、
２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−
メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，
１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１
−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（
１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフ
チル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−
ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル
、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’
−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−
テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロ
ネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度
を有し、炭素数１４から４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有する芳香族炭化水素であってもよい。ビニル
基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル
ビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニル
ビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることも
できる。

ここで、電荷発生領域１０４に用いる正孔輸送性の物質としては、アミン骨格を含まな
い物質を用いることがより好ましい構成である。アミン骨格を含まない正孔輸送性の物質
とアクセプター性物質とを用いて電荷発生領域１０４を構成した場合、アミン骨格を含む
正孔輸送性の物質を用いた場合に比べ、電荷移動相互作用に基づく吸収が発生しにくくな
る。しかも、電荷移動相互作用に基づく吸収が発生しなくても、電荷発生領域として十分
に機能する。このことにより、可視光領域に吸収ピークを有さない電荷発生領域として機
能する層を形成することができるため、光の吸収による発光効率の低下を防ぐことができ
る。

なお、アミン骨格を含まない正孔輸送性物質としては、上述したＣＢＰ、ＴＣＰＢ、Ｃ
ｚＰＡ、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９
Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェ
ニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体や、ｔ−Ｂｕ
ＤＮＡ、ＤＰＰＡ、ｔ−ＢｕＤＢＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈ、ｔ−ＢｕＡｎｔｈ、ＤＭＮ
Ａ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビ
ス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−
ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−
９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０
−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニ
ル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’
−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニ
ル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、ＤＰＶＢｉ、ＤＰＶＰＡ等の芳香族炭化
水素が挙げられる。さらに、ＰＶＫのようなカルバゾール誘導体のポリマーを用いても良
い。

なお、電荷発生領域１０４においては、正孔輸送性の物質に対して質量比で０．１以上
４．０以下の比率でアクセプター性物質を含む複合材料を用いることが好ましい。

電荷発生領域１０４は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを有するように形成すること
ができる。電荷発生領域１０４を、正孔輸送性の物質とアクセプター性物質との複合材料
により形成した場合、厚さを大きくしても導電率の変化が小さいため、電荷発生領域１０
４を厚く形成したことによる発光素子の駆動電圧の上昇を抑えることができる。このよう
な材料により電荷発生領域１０４を形成することで、当該電荷発生領域１０４の膜厚を調
整することによって、駆動電圧の上昇を伴うことなく、発光素子の光学調整が可能となる
。

電荷発生領域１０４は同一膜中に正孔輸送性の物質とアクセプター性物質の両方を含有
する場合だけではなく、正孔輸送性の物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積
層された構造とすることもできる。ただし、積層構造の場合にはｍ番目の電荷発生領域１
０４ｍにおける正孔輸送性の物質を含む層がｍ＋１番目の発光ユニット１０２ｍ＋１と接
し、アクセプター性物質を含む層がｍ番目の電子注入バッファ領域１０５ｍに接するよう
に形成する。

電子注入バッファ領域１０５には、発光ユニット１０２に接して少なくともアルカリ金
属層が形成されている。当該アルカリ金属としては、リチウム及びリチウムの化合物が好
ましく、具体的な例として、リチウム、フッ化リチウム、酸化リチウムなどを挙げること
ができる。当該アルカリ金属層の膜厚は、クロストークを抑制するために、１ｎｍ乃至１
０ｎｍで形成されるとよい。また、当該アルカリ金属層は極薄い層であるため、画素部全
面に連続的に形成されていなくとも良く、一部途切れて島状に形成されていても良い。

電子注入バッファ領域１０５には、アルカリ金属層と電荷発生領域との相互作用を抑制
するために、電子リレー領域が形成されていても良い。電子リレー領域は、アルカリ金属
層と電荷発生領域の間に形成され、電荷発生領域１０４で発生した電子を受け取り、発光
ユニット１０２のＮＢｐｈｅｎを含む層１０６へ電子を渡す機能も有する。また、少なく
とも電子輸送性の物質を含む。

ここで、電子リレー領域は、当該電子リレー領域に含まれる電子輸送性の物質のＬＵＭ
Ｏ準位が、電荷発生領域１０４におけるアクセプター性物質のアクセプタ−準位と、ＮＢ
ｐｈｅｎを含む層１０６のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。具体的なエネルギ
ー準位の数値としては、電子リレー領域における電子輸送性の物質のＬＵＭＯ準位は−５
．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。

なお、電子注入バッファ領域における電子輸送性の物質としてはフタロシアニン系の材
料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

フタロシアニン系材料を使用する場合は、具体的にはＣｕＰｃ（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）
ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｈ_２Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｓｎ
Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｔｉｎ（ＩＩ）ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ（
Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｚｉｎｃｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌｔ
（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏ
ｃｙａｎｉｎｅＩｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ２，９，１６，２
３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）のい
ずれかを用いることが好ましい。

金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いる場合は、金属−酸素の二重結
合を有する金属錯体を用いることが好ましい。また、金属−酸素結合と芳香族配位子を有
する金属錯体としてもフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎ
ａｄｙｌｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎ
ｅｔｉｎ（ＩＶ）ｏｘｉｄｅｃｏｍｐｌｅｘ）及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃ
ｙａｎｉｎｅｔｉｔａｎｉｕｍｏｘｉｄｅｃｏｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構
造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いた
め好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい
。具体的には、ＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体
が好ましい。

電子リレー領域はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（
酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を
含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土類
金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略
称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることが
できる。電子リレー領域にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容
易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー領域にドナー性物質を含ませる場合、電子リレー領域に含まれる電子輸送性
の物質としては上記材料の他、電荷発生領域に含まれるアクセプター性物質のアクセプタ
ー準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準
位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲の
ＬＵＭＯ準位が好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮
合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、
電子リレー領域を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。さらに、当該含
窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を
用いる構成は、電子リレー領域において電子の受け取りが容易となるため、より好ましい
構成である。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベ
ンゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルー３，４，９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル
ー３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＨｅｘＰＴＣ）等が
挙げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０
］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，
１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略
称：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２
ＰＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略
称：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，
４，５，８，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオ
ロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ
’−ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカ
フルオロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｎ
ＴＣＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−
５，５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン（略称：ＤＣＭＴ）、
メタノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル）等を用い
ることができる。

なお、電子リレー領域にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の物質とドナー性物
質との共蒸着などの方法によって電子注入バッファ領域を形成すれば良い。なお、ドナー
性物質を含ませる場合、電子リレー領域の膜厚を１ｎｍ乃至１０ｎｍとすることは、電子
リレー領域起因のクロストークの発生を抑制することができるため好ましい構成である。
なお、同じ理由により、電子リレー領域には電子輸送性の物質に対して質量比で０．００
１以上０．１以下の比率で、上記ドナー性物質を含ませると良い。

各発光ユニットは機能分離した複数の層が積層されることで構成されており、少なくと
も発光物質を含む発光層（図示せず）とＮＢｐｈｅｎを含む層を有している。

ＮＢｐｈｅｎを含む層１０６は電子輸送層の一部として機能し、電子注入バッファ領域
１０５に接して設けられている。これにより、高精細なディスプレイであっても、隣接す
る画素への干渉を有効に低減させることができる。

電子輸送層はその陰極１０１側にＮＢｐｈｅｎを含む層を有し、陽極１００側に電子輸
送性の物質を含む層を有する層である。電子輸送層の陽極側の層に含まれる電子輸送性の
物質としては、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（
略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト
）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）
（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフ
ェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリ
アゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（
５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス
（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベン
ゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称
：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する複素環化合物や、２−［３−
（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニ
ル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）
、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ
、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレ
ン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス〔
３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル〕ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−
ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバ
ゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ
［３−（３−ピリジル）−フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨
格を有する複素環化合物、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡ、３，６−ジフェニル−９−［４−（１
０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ
）、ＤＰＰＡ、ＤＮＡ、ｔ−ＢｕＤＮＡ、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル
）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）など
のアントラセン誘導体が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素環化合
物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジ
ン（ピリミジンやピラジン）骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧
低減にも寄与する。

なお、電子輸送層における、陽極１００側に形成される電子輸送性の物質を含む層（Ｎ
Ｂｐｈｅｎを含む層の陽極側に接する層）が、縮合芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合
物を含む層であると、発光素子の耐熱性が向上するため、好ましい構成である。当該縮合
芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合物は、三環以上の縮合環骨格を有することが好まし
い。また、当該構成は、ＮＢｐｈｅｎを含む層の陽極側に接する層が、縮合複素芳香族化
合物である場合に、より有効に作用する。すなわち、縮合芳香族化合物よりも不安定な縮
合複素芳香族化合物を用いた場合にも、ＮＢｐｈｅｎを含む層と積層することによって、
縮合芳香族化合物とＮＢｐｈｅｎを含む層が積層された場合と同等の耐熱性を得ることが
できる。縮合複素芳香族化合物としては、一つの縮合環骨格内に２つの窒素原子が含まれ
る化合物を用いることが好ましい。

発光領域は、発光物質を含む層であり、電子輸送層に接して形成されていても良いし、
電子輸送層内に形成されていても良い。当該発光物質としては、以下に示す蛍光性化合物
及びりん光性化合物を適用することが可能である。

蛍光性化合物としては、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェ
ニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０
−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：
ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イ
ル）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬ
ＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フ
ェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン（略称：
１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イ
ル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ
２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アント
リル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル
）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２Ｙ
ＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フ
ェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，
８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル
−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェ
ニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン
−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１
，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−
（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミ
ン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フ
ェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰ
ＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニ
ルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）
、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１
，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カル
バゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−
アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２
ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アント
リル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡ
ＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−
カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：
２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰ
ｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ
）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェ
ニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル
］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：
ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５
Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝
プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチル
フェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−
ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソ
プロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ
−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−
イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６
−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ
−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プ
ロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルア
ミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称
：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラ
メチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−
イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤ
ＣＪＴＭ）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎや１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰ
ｒｎのようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールト
ラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているため好ましい。

蛍光性化合物としては、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質も用いることができ
る。ＴＡＤＦ材料としては以下のようなものを用いることができる。

フラーレン及びその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等。またマ
グネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）
、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリン。該
金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン−
フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＰｒｏｔｏＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体
（ＳｎＦ_２（ＭｅｓｏＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈ
ｅｍａｔｏＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（Ｓ
ｎＦ_２（ＣｏｐｒｏＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体
（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ
Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等も挙げられる
。

また、以下の構造式に示される２−（ビフェニルー４ーイル）−４，６−ビス（１２−フ
ェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（
ＰＩＣ−ＴＲＺ）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素
環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子
不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。なお、π
電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型
複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、Ｓ_１
準位とＴ_１準位のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

りん光発光物質としては、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−
ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−
κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５
−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロ
ピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属
イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−
１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−
ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−
トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のよ
うな１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ−トリス［１−
（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフ
ェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有する有
機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−
Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩ
ｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリ
ジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコ
リナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−
ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配
位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示す化合
物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍに発光のピークを有する化合物である。

また、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス
（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐ
ｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κ
Ｎ３）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）［Ｉｒ、（アセチルアセトナト
）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）
（ｅｎｄｏ−，ｅｘｏ−混合物）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（
アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピ
リミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）
、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機
金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニル
ピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］
）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジ
ナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）のよう
なピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−
Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニ
ルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ
（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）
アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ
］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フ
ェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、
ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナー
ト（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イ
リジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム
（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げ
られる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍ乃至６００ｎｍ
に発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信
頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジイソブチリルメ
タナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビ
ス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ
（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機
金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジ
ナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２
，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビ
ス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆ
ｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、
トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリ
ジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１
８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）の
ような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフ
ェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）
、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナ
ントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のよ
うな希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色のりん光発光を示す化合物であり、６
００ｎｍから７００ｎｍに発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属
イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、以上で述べたりん光性化合物の他、様々なりん光性発光材料を選択し、用いても
よい。

なお、発光領域はホスト材料にこれらの発光物質を分散させた構造とすることが好まし
い。上記電子輸送層に含まれる電子輸送性の物質として挙げた物質のほか、正孔輸送性の
物質も用いることができる。正孔輸送性の物質としては、上記電荷発生層で用いることが
可能な正孔輸送性の物質として挙げたものを用いることができる。なお、４，４’−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４
，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフル
オレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニ
ル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦ
ＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾー
ル−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−
４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾー
ル−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４、４’−ジ（１−ナフチ
ル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（
略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡ
Ｆ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェ
ニル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳
香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：
ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビ
ス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３
，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾ
ール骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）ト
リ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４
−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称
：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）
フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオ
フェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）
トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル
−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢ
ＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物がは好ましい材料である。上述した
中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性
が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため特に好ましい。

発光領域は各発光ユニット中に少なくとも１層あれば良く、異なる発光物質又は／及び
ホスト材料を有する発光層もしくは同じ発光物質及びホスト材料を有していてもその濃度
が異なる発光層が各発光ユニット中に複数層あっても良い。もちろん、各発光ユニットに
おける発光層の構成は同じであっても異なっていても良い。

各発光ユニットを構成する電子輸送層及び発光層以外の層としては、正孔注入性物質を
含み正孔注入性を有する層（正孔注入層）、正孔輸送性物質を含み正孔輸送性を有する層
（正孔輸送層）、バイポーラ性（電子輸送性及び正孔輸送性を同時に有する性質）物質を
含みバイポーラ性を有する層などが挙げられる。上記層及びその他様々な他の機能層を適
宜組み合わせて各発光ユニットを構成することができる。なお、陰極１０１に接するｎ番
目の発光ユニット１０２ｎには、陰極１０１に最も近い層として電子注入性物質を含み電
子注入性を有する層（電子注入層）がさらに設けられていても良い。また、１番目の発光
ユニット１０２ｋと陽極１００との間及びｎ番目の発光ユニット１０２ｎと陰極１０１と
の間にはそれぞれ電荷発生領域を設けることもできる。

以下に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層について述べる。

正孔注入層は正孔注入物質を含む層である。当該正孔注入物質としては、例えば、酸化
モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、酸化マンガンなどの
金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅（ＩＩ
）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができ
る。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（略称）等の高分子を用いることもできる。

正孔輸送層は、正孔輸送性物質を含む層である。正孔輸送層が有する正孔輸送性物質は
、上述の電荷発生領域１０４に含まれる正孔輸送性物質と同様の物質を適用することが可
能である。そのため、ここでは前述の説明を援用する。なお、正孔輸送層は単層で構成さ
れるものばかりではなく、上記物質からなる層が２層以上積層した構造であっても良い。

ｎ番目の発光ユニット１０２ｎに設けることができる電子注入層は、電子注入性物質を
含む層である。電子注入性物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（
ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、または
これらの化合物が挙げられる。また、電子輸送性物質中にアルカリ金属、アルカリ土類金
属、又はこれらの化合物を含有させたもの（例えば、Ａｌｑ（略称）中にマグネシウム（
Ｍｇ）を含有させたもの等）を当該電子注入性物質として適用することも可能である。こ
の様な構造とすることにより、陰極１０１からの電子注入効率をより高めることができる
。

１番目の発光ユニット１０２ｋと陽極１００との間又はｎ番目の発光ユニット１０２ｎ
と陰極１０１との間には、電荷発生領域を設けることもできる。１番目の発光ユニット１
０２ｋと陽極１００との間又はｎ番目の発光ユニット１０２ｎと陰極１０１との間に電荷
発生領域を設ける場合、電荷発生領域は、正孔輸送性物質とアクセプター性物質とを含む
複合材料により形成する。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性物質と、アクセ
プター性物質とを含有する場合だけでなく、正孔輸送性物質を含む層と、アクセプター性
物質を含む層とが積層されていても良い。ただし、積層構造の場合には、アクセプター性
物質を含む層が、陽極１００又は陰極１０１と接する構造とする。

１番目の発光ユニット１０２ｋと陽極１００との間又はｎ番目の発光ユニット１０２ｎ
と陰極１０１との間に電荷発生領域を設けることにより、電極を形成する物質の仕事関数
を考慮せずに陽極１００又は陰極１０１を形成することが可能となる。なお、１番目の発
光ユニット１０２ｋと陽極１００との間又はｎ番目の発光ユニット１０２ｎと陰極１０１
との間に設けられる電荷発生領域は、上述の電荷発生領域１０４と同様の構成及び物質を
適用することが可能である。そのため、前述の説明を援用する。

なお、これら層を適宜組み合わせて積層することにより、各発光ユニットを形成するこ
とができる。また、各発光ユニットの形成方法としては、用いる材料によって種々の方法
（例えば真空蒸着法などの乾式法、インクジェット法やスピンコート法などの湿式法等）
を適用することができる。各層で異なる作製方法を適用しても良い。

陽極１００としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導
電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、
例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ケ
イ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜
鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられ
る。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−
ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム−酸
化亜鉛は、酸化インジウムに対し１乃至２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用い
てスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜
鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを
０．５乃至５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１乃至１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッ
タリング法により形成することもできる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル
（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コ
バルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、
窒化チタン）等が挙げられる。グラフェンも用いることができる。

陰極１０１としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電
気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料
の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグ
ネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１
族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロ
ピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙
げられる。しかしながら、陰極１０１と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることに
より、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含
有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極１０１として用いることがで
きる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を
用いて成膜することが可能である。

なお、本実施の形態に示す発光素子においては、陽極１００および陰極１０１のうち、
少なくとも一方が可視光に対する透光性を有すればよい。透光性は、ＩＴＯのような透明
電極を用いるか、あるいは電極の膜厚を薄くすることにより確保できる。また、薄く形成
した材料と透明電極との積層構造を有していても良い。

また、陽極１００と発光ユニットとの間又は陰極１０１と発光ユニットとの間に、ＩＴ
Ｏなどの透光性を有する導電材料で、発光素子の光学的距離を調節するための導電層を形
成しても良い。

本実施の形態における発光素子は複数の発光ユニットを有するため、各々の発光ユニッ
トにおける発光が合成された光を得ることができる。すなわち、同じ発光物質を含む発光
層を有する発光ユニットが複数積層されている場合は、当該発光ユニットが一層で構成さ
れている発光素子と比較して同じ電流密度であっても、大きな輝度を得ることができる。
また、異なる発光色を呈する発光物質を含む発光ユニットを積層して本実施の形態におけ
る発光素子を作製した場合は、ブロードなスペクトルを有する発光素子や、白色発光を呈
する発光素子を得ることができる。白色発光を呈する発光素子とカラーフィルタを用いた
構成を有するディスプレイは高精細化にも有利である。

以上のような構成を有する本実施の形態における発光素子は、複数の発光ユニットが電
荷発生領域により仕切られた発光素子を、高精細な（例えば隣り合う発光素子における発
光領域間距離が４０μｍ以下。）ディスプレイに適用したとしても、隣接する発光素子へ
の干渉現象を駆動電圧の大きな上昇なく、有効に低減し、高品質な画像を提供することが
できるディスプレイを作製することができるようになる。なお、複数の発光ユニットが電
荷発生領域により仕切られた発光素子は高い電流効率やブロードな発光スペクトルもしく
は白色発光の実現を容易に可能とする発光素子である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光素子を用いた発光装置について説明する
。

本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光素子を用いて作製された発光装置につい
て図２を用いて説明する。なお、図２（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図２（Ｂ）は図
２（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発
光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路）６０１、画素
部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基
板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になってい
る。

なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものと
する。

次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１
と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース線駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２
４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路
、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板
上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を
基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とその
ドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。
なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ
型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性ア
クリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ乃至３μｍ）を
有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂
、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。

第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成され
ている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数
の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したイン
ジウム錫酸化物膜、２乃至２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜
、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミ
ニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化
チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての
抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることがで
きる。

また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート
法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態１で説明したような
構成を含んでいる。また、ＥＬ層６１６を構成する他の材料としては、低分子化合物、ま
たは高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。

さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材
料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化
合物（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６
１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜
厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２乃至２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化
インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を
用いるのが良い。

なお、第１の電極６１３、ＥＬ層６１６、第２の電極６１７でもって、発光素子が形成
されている。当該発光素子は実施の形態１の構成を有する発光素子である。なお、画素部
は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施
の形態１に記載の発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても
良い。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填され
る場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けると水分の影響による劣
化を抑制することができ、好ましい構成である。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。ま
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また
、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ
ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエ
ステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、実施の形態１に記載の発光素子を用いて作製された発光装置を得る
ことができる。

本実施の形態における発光装置は、実施の形態１に記載の発光素子を用いているため、
良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態１で示した発
光素子は発光効率の良好な発光素子であり、消費電力の低減された発光装置とすることが
できる。また、量産しやすい発光素子であり、安価な発光装置を提供することができる。

図３には白色発光を呈する発光素子を形成し、着色層（カラーフィルタ）等を設けるこ
とによってフルカラー化した発光装置の例を示す。図３（Ａ）には基板１００１、下地絶
縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第１
の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、
駆動回路部１０４１、発光素子の第１の電極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０
２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光素子の第２の電極１０２９、封止基板１０
３１、シール材１０３２などが図示されている。

また、図３（Ａ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青
色の着色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、黒色層（ブラックマ
トリックス）１０３５をさらに設けても良い。着色層及び黒色層が設けられた透明な基材
１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び黒色層は、オ
ーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３（Ａ）においては、光が着色層を透
過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が出る発光層とがあり
、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、青、緑となることから、４色の
画素で映像を表現することができる。

図３（Ｂ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色
層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例
を示した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていて
も良い。

また、以上に説明した発光装置では、ＴＦＴが形成されている基板１００１側に光を取
り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を
取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型
の発光装置の断面図を図４に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いる
ことができる。ＴＦＴと発光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトム
エミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電極
１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間
絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成する
ことができる。

発光素子の第１の電極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽
極とするが、陰極であっても構わない。また、図４のようなトップエミッション型の発光
装置である場合、第１の電極を反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は
、実施の形態１においてＥＬ層１１０として説明したような構成とし、且つ、白色の発光
が得られるような素子構造とする。

図４のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うこ
とができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように黒色層（ブラック
マトリックス）１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色
層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）や黒色層（ブラックマトリックス）はオーバー
コート層によって覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用
いることとする。

また、ここでは赤、緑、青、白の４色でフルカラー表示を行う例を示したが特に限定さ
れず、赤、緑、青の３色でフルカラー表示を行ってもよい。

以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光素子をそれぞ
れ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発
光装置である。

また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光素子をその一部に含む電子機器の例につ
いて説明する。実施の形態１に記載の発光素子は発光効率が良好であり、消費電力が低減
され、且つ、表示品質が良好なディスプレイを提供できる発光素子である。その結果、本
実施の形態に記載の電子機器は、表示品質が良好で消費電力が低減された表示部を有する
電子機器とすることが可能である。

上記発光素子を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテ
レビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタル
ビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話
装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型
ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。

図５（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０
１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体
７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可
能であり、表示部７１０３は、実施の形態１に記載の発光素子をマトリクス状に配列して
構成されている。

テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作
機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０
から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般
のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信
ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者
と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図５（Ｂ１）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キ
ーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む
。なお、このコンピュータは、実施の形態１で説明したものと同様の発光素子をマトリク
ス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。図５（Ｂ１）のコンピュ
ータは、図５（Ｂ２）のような形態であっても良い。図５（Ｂ２）のコンピュータは、キ
ーボード７２０４、ポインティングデバイス７２０６の代わりに第２の表示部７２１０が
設けられている。第２の表示部７２１０はタッチパネル式となっており、第２の表示部７
２１０に表示された入力用の表示を指や専用のペンで操作することによって入力を行うこ
とができる。また、第２の表示部７２１０は入力用表示だけでなく、その他の画像を表示
することも可能である。また表示部７２０３もタッチパネルであっても良い。二つの画面
がヒンジで接続されていることによって、収納や運搬をする際に画面を傷つける、破損す
るなどのトラブルの発生も防止することができる。

図５（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成され
ており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には、実施の
形態１で説明した発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部７３０４が組み込
まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図５（Ｃ）に示す携
帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７
３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、
位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時
間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外
線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、
携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部
７３０５の両方、または一方に実施の形態１に記載の発光素子をマトリクス状に配列して
作製された表示部を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすること
ができる。図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又は
データを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報
を共有する機能を有する。なお、図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限
定されず、様々な機能を有することができる。

図５（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機は、筐体７４０１に組み込ま
れた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４
０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、実施の形態１に
記載の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有している。

図５（Ｄ）に示す携帯電話機は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力す
ることができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成
するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。

また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検
出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画
面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作
ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。

以上の様に実施の形態１に記載の発光素子を備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、
この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態１に記
載の発光素子を用いることにより、高品質な表示を提供し且つ消費電力の低減された電子
機器を得ることができる。

実施の形態１に記載の発光素子は、自動車のフロントガラスやダッシュボードにも搭載
することができる。図６に実施の形態１に記載の発光素子を自動車のフロントガラスやダ
ッシュボードに用いる一態様を示す。表示領域５０００乃至表示領域５００５は実施の形
態１に記載の発光素子を用いて設けられた表示である。

表示領域５０００と表示領域５００１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形
態１に記載の発光素子を搭載した表示装置である。実施の形態１に記載の発光素子は、第
１の電極と第２の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見
える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示で
あれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置す
ることができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材
料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有する
トランジスタを用いると良い。

表示領域５００２はピラー部分に設けられた実施の形態１に記載の発光素子を搭載した
表示装置である。表示領域５００２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出
すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシ
ュボード部分に設けられた表示領域５００３は車体によって遮られた視界を、自動車の外
側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高め
ることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違
和感なく安全確認を行うことができる。

表示領域５００４や表示領域５００５はナビゲーション情報、スピードメーターやタコ
メーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供
することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更
することができる。なお、これら情報は表示領域５０００乃至表示領域５００３にも設け
ることができる。また、表示領域５０００乃至表示領域５００５は照明装置として用いる
ことも可能である。

実施の形態１に記載の発光素子は発光効率の高い発光素子とすることができる。また、
消費電力の小さい発光素子とすることができる。このことから、表示領域５０００乃至表
示領域５００５に大きな画面を数多く設けても、バッテリーに負荷をかけることが少なく
、快適に使用することができることから実施の形態１に記載の発光素子を用いた発光装置
または照明装置は、車載用の発光装置又は照明装置として好適に用いることができる。な
お、本発明の一態様の発光素子は、耐熱性が良好な発光素子であることから、夏場非常に
高温となる車載用の表示装置として、非常に好適である。

図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末の一例である。図７（Ａ
）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示
部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モ
ード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、を有する。なお、当該タブレット端末
は、実施の形態１に記載の発光素子を備えた発光装置を表示部９６３１ａ、表示部９６３
１ｂの一方又は両方に用いることにより作製される。

表示部９６３１ａは、一部をタッチパネル領域９６３２ａとすることができ、表示され
た操作キー９６３７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３
１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３
１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６
３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示
画面として用いることができる。

また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一
部をタッチパネル領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部９６３１ｂにキーボードボタンを表示することができる。

また、タッチパネル領域９６３２ａとタッチパネル領域９６３２ｂに対して同時にタッ
チ入力することもできる。

また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示または横表示などの表示の向き
を切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替え
スイッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外
光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セ
ンサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置
を内蔵させてもよい。

また、図７（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示し
ているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示
の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネル
としてもよい。

図７（Ｂ）は、閉じた状態であり、本実施の形態におけるタブレット型端末では、筐体
９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣ
コンバータ９６３６を備える例を示す。なお、図７（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の
一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示し
ている。

なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態
にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。

また、この他にも図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報
（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを
表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力
機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有すること
ができる。

タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル
、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は
、筐体９６３０の一面または二面に設けられていると効率的なバッテリー９６３５の充電
を行う構成とすることができるため好適である。

また、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図７（Ｃ）
にブロック図を示し説明する。図７（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５
、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３８、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示
部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コ
ンバータ９６３８、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路９６
３４に対応する箇所となる。

まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する
。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣ
ＤＣコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に
太陽電池９６３３で充電された電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コン
バータ９６３８で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また
、表示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバ
ッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。

なお、太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、発電手段は特に
限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電
手段によってバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。無線（非接触）で電
力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて
行う構成としてもよく、発電手段を有さなくとも良い。

また、上記表示部９６３１を具備していれば、図７に示した形状のタブレット型端末に
限定されない。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子（実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ）及び比
較例（比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ）について説明する。素子構造は図１３に示す
。本実施例及び比較例では、上記素子を用いて表示装置を作製し、評価を行った。表示装
置を作製するために、実施例素子１、比較例素子１共に、カラーフィルタと共振構造を用
いて、赤色の画素、緑色の画素、青色の画素の３色を用いた。実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ
、１−Ｂ及び比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂで用いた有機化合物の構造式を以下に示
す。

以下に、本実施例の発光素子（実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ）の作製方法を示す。

（実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂの作製方法）
ガラス基板である基板の上にアルミニウム−ニッケル−ランタン合金膜、チタン膜を順
にスパッタリング法で成膜し、陽極１００を形成した。なお、アルミニウム−ニッケル−
ランタン合金膜の膜厚は２００ｎｍとし、チタン膜の膜厚は６ｎｍとした。また、電極面
積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、陽極１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング
法にて成膜し、第１の導電層１０７を形成した。実施例素子１−Ｒ、実施例素子１−Ｇ、
及び実施例素子１−Ｂにおいてそれぞれマイクロキャビティ効果を奏するために、実施例
素子１−Ｒにおいては、第１の導電層１０７の膜厚を７５ｎｍ、実施例素子１−Ｇにおい
ては、第１の導電層１０７の膜厚を４０ｎｍ、実施例素子１−Ｂにおいては、第１の導電
層１０７の膜厚を１０ｎｍとした。

次に、基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２０
０℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸
着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程
度放冷した。

次に、陽極１００が形成された面が下方となるように、陽極１００が形成された基板を
真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、
陽極１００上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｉ）で表される３−〔４−
（９−フェナントリル）−フェニル〕−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣ
ＰＰｎ）と酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、第１の正孔注入層１１１＿１を
形成した。その膜厚は、実施例素子１−Ｒでは８．５ｎｍ、実施例素子１−Ｇでは１３．
５ｎｍ、実施例素子１−Ｂでは５ｎｍとなるようにした。ＰＣＰＰｎと酸化モリブデンの
比率は、重量比で１：０．５（＝ＰＣＰＰｎ：酸化モリブデン）となるように調節した。
なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法であ
る。

次に、第１の正孔注入層１１１＿１上に、ＰＣＰＰｎを１０ｎｍの膜厚となるように成
膜し、第１の正孔輸送層１１２＿１を形成した。

さらに、第１の正孔輸送層１１２＿１上に、上記構造式（ｉｉ）で表される９−［４−
（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ
）と、上記構造式（ｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ
’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕ピレン−１，
６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）とを、重量比１：０．０５（＝Ｃ
ｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）となるように２５ｎｍ共蒸着して第１の発光層
１１３＿１を形成した。

その後、ＣｚＰＡを５ｎｍとなるように形成し、さらに上記構造式（ｉｖ）で表される
２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロ
リン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）を１５ｎｍとなるように形成して、第１の電子輸送層１１４
＿１を形成した。以上、第１の正孔注入層１１１＿１から第１の電子輸送層１１４＿１ま
でを第１の発光ユニット１０２＿１と呼ぶ。

第１の発光ユニット１０２＿１上に、電荷発生層１０３を形成した。電荷発生層１０３
は、まず、電子注入バッファ領域１０５の一部として、リチウム層を酸化リチウムを用い
て形成した。膜厚は０．１ｎｍとなるように成膜した。続いて、電子リレー領域として上
記構造式（ｖ）で表される銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２ｎｍの膜厚となるよ
うに成膜した。この後、電荷発生領域１０４として上記構造式（ｖｉ）で表される４，４
’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：
ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデン（ＶＩ）を１２．５ｎｍの膜厚となるように共蒸着
した。ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンの比率は、重量比で１：０．５（＝ＤＢＴ３Ｐ
−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。

電荷発生層１０３上に、第２の正孔輸送層１１２＿２として、上記構造式（ｖｉｉ）で
表される４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜した。

続いて、上記構造式（ｖｉｉｉ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−
イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰ
ＤＢｑ−ＩＩ）と、上記構造式（ｉｘ）で表される４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’
’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＮＢＢ）と、上記構造式（ｘ）で表されるビス［２−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピ
リミジニル−κＮ３）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）とを、重量比０
．７：０．３：０．０６（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢ
ｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）となるように２０ｎｍ共蒸着した後、２ｍＤＢＴＢＰＤＢ
ｑ−ＩＩと上記構造式（ｘｉ）で表されるビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５
−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，
６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）_２（ｄｉｂｍ）］）とを、重量比１：０．０４（＝２ｍＤ
ＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）_２（ｄｉｂｍ）］）となるように２
０ｎｍ共蒸着して第２の発光層１１３＿２を形成した。

その後、第２の発光層１１３＿２上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを膜厚３０ｎｍとなる
ように成膜し、さらに、ＮＢｐｈｅｎを１５ｎｍとなるように成膜して、第２の電子輸送
層１１４＿２を形成した。

第２の電子輸送層１１４＿２を形成したら、その後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ
の膜厚となるように蒸着し、電子注入層１１５＿２を形成し、最後に、陰極１０１として
、銀−マグネシウム合金を１５ｎｍの膜厚となるように成膜した後、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）を７０ｎｍの膜厚となるように成膜することで、本実施例の発光素子（実施例
素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ）を作製した。なお、第２の正孔輸送層１１２＿２乃至電子
注入層１１５＿２までが第２の発光ユニット１０２＿２に相当する。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

以下に、本実施例の比較発光素子（比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ）の作製方法を示
す。

（比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂの作製方法）
比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂでは、実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂにおける
第１の正孔注入層１１１＿１の膜厚を、比較例素子１−Ｒでは１３．５ｎｍ、比較例素子
１−Ｇでは１６ｎｍ、比較例素子１−Ｂでは７．５ｎｍとなるように成膜した。また、第
１の電子輸送層１１４＿１及び第２の電子輸送層１１４＿２に用いられているＮＢｐｈｅ
ｎを上記構造式（ｘｉｉ）で表されるバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）に換え
て作製した他は実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂと同様に作製した。

実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ及び比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂを、窒素雰
囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにカラーフィルタ
が形成されたガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に
ＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光素子の特性について測定を
行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

次に、実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ及び比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂの素
子特性の測定方法について述べる。

作製した赤色素子（実施例素子１−Ｒ、比較例素子１−Ｒ）には、カラーフィルタ層Ｃ
Ｆ（Ｒ）を、作製した緑色素子（実施例素子１−Ｇ、比較例素子１−Ｇ）には、カラーフ
ィルタ層ＣＦ（Ｇ）を、作製した青色素子（実施例素子１−Ｂ、比較例素子１−Ｂ）には
、カラーフィルタ層ＣＦ（Ｂ）を、それぞれ乗せて素子特性を測定した。

カラーフィルタ層ＣＦ（Ｒ）は材料としてＣＲ−７００１Ｗ（富士フイルム株式会社製）
、カラーフィルタ層ＣＦ（Ｇ）は材料としてＣＧ−７００１Ｗ（富士フイルム株式会社製
）、カラーフィルタ層ＣＦ（Ｂ）は材料としてＣＢ−７００１Ｗ（富士フイルム株式会社
製）をそれぞれ用い、ガラス基板上に塗布した後、２２０℃で１時間焼成して形成した。
なお、膜厚は１．３乃至１．４μｍであった。なお、ガラス基板へのカラーフィルタ材料
の塗布は、スピンコート法を用いて行い、スピンコート法の回転数をカラーフィルタ層Ｃ
Ｆ（Ｒ）においては５００ｒｐｍ、カラーフィルタ層ＣＦ（Ｇ）においては１０００ｒｐ
ｍ、カラーフィルタ層ＣＦ（Ｂ）においては２０００ｒｐｍとした。

実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ及び比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂの電流密度
−輝度特性を図８に、輝度−電流効率特性を図９に、電圧−輝度特性を図１０に、発光ス
ペクトルを図１１に示す。

以上のように、実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ、比較例素子１−Ｒ、１−Ｇ、１−Ｂ
は各色ともに初期特性では大きな違いは見られなかった。

次に、実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ及び１−Ｂの信頼性について評価を行った。初期輝度を
それぞれ実施例素子１−Ｒは６５５ｃｄ／ｍ^２、１−Ｇは１６６７ｃｄ／ｍ^２、１−Ｂは
２４９ｃｄ／ｍ^２と設定し、電流密度一定の条件で各初期輝度を１００％として駆動時間
に対する輝度変化を表すグラフを図１４に示す。なお、それぞれの素子に設定した初期輝
度は、これらの素子を用いてＤ６５規格の色度を持つ白色素子を作製する場合に必要とな
る輝度比の値とした。

図１４より、実施例素子１−Ｒ、１−Ｇ及び１−Ｂはいずれも良好な信頼性を有する発光
素子であることがわかった。

続いて、クロストークの様子を評価した素子（実施例素子２及び比較例素子２）の作製
方法を示す。

（実施例素子２の作製方法）
クロストークを評価するために、解像度が３２６ｐｐｉであるパッシブパネルを作製し
た。ＲＧＢ画素をストライプ状に並べたパネルで、画素サイズは７８μｍ角とした。サブ
ピクセル（ＲＧＢ各画素）は２６×７８μｍとし、開口率は６５．７％とした。

実施例素子２及び比較例素子２で用いた物質について以下に示す。なお、実施例素子１
及び比較例素子１でも使用した材料については、上記構造式を参照されたい。

各画素においては、陽極１００として、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金膜、チ
タン膜を順にスパッタリング法で成膜した。なお、アルミニウム−ニッケル−ランタン合
金膜の膜厚は２００ｎｍとし、チタン膜の膜厚は６ｎｍとした。

次に、陽極１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング
法にて成膜し、第１の導電層１０７を形成した。実施例素子２のＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素
においてそれぞれマイクロキャビティ効果を奏するために、Ｒ画素においては、第１の導
電層１０７の膜厚を８０ｎｍ、Ｇ画素においては、第１の導電層１０７の膜厚を４０ｎｍ
、Ｂ画素においては、第１の導電層１０７を設けなかった。

次に、基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００
℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１００が形成された面が下方となるように、陽極１００が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、陽
極１００上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｘｉｉｉ）で表される９−フ
ェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾー
ル（略称：ＰＣｚＰＡ）と酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、第１の正孔注入
層１１１＿１を形成した。その膜厚は、１３ｎｍとなるようにした。ＰＣｚＰＡと酸化モ
リブデンの比率は、重量比で１：０．５（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリブデン）となるように
調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う
蒸着法である。

次に、第１の正孔注入層１１１＿１上に、ＰＣｚＰＡを２０ｎｍの膜厚となるように成膜
し、第１の正孔輸送層１１２＿１を形成した。

さらに、第１の正孔輸送層１１２＿１上に、上記構造式（ｉｉ）で表される９−［４−（
１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）
と、上記構造式（ｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’
−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕ピレン−１，６
−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）とを、重量比１：０．０５（＝Ｃｚ
ＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）となるように３０ｎｍ共蒸着して第１の発光層１
１３＿１を形成した。

第１の発光ユニット１０２＿１上に、電荷発生層１０３を形成した。電荷発生層１０３
は、まず、電子注入バッファ領域１０５の一部として、リチウム層を酸化リチウムを用い
て形成した。膜厚は０．１ｎｍとなるように成膜した。続いて、電子リレー領域として上
記構造式（ｖ）で表される銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２ｎｍの膜厚となるよ
うに成膜した。この後、電荷発生領域１０４としてＰＣｚＰＡと酸化モリブデン（ＶＩ）
を１３ｎｍの膜厚となるように共蒸着した。ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンの比率は、重量
比で１：０．５（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリブデン）となるように調節した。

続いて、上記構造式（ｖｉｉｉ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−
イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰ
ＤＢｑ−ＩＩ）と、上記構造式（ｉｘ）で表される４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’
’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＮＢＢ）と、上記構造式（ｘ）で表されるビス［２−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピ
リミジニル−κＮ３）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））とを、重量比０．
７：０．３：０．０６（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢｕ
ｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）となるように２０ｎｍ共蒸着した後、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ
−ＩＩと上記構造式（ｘｉｖ）で表されるビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）
（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ
）］）とを、重量比１：０．０６（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）
_２（ｄｐｍ）］）となるように２０ｎｍ共蒸着して第２の発光層１１３＿２を形成した。

その後、第２の発光層１１３＿２上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなる
ように成膜し、さらに、上記構造式（ｘｉｉ）で表されるバソフェナントロリン（略称：
Ｂｐｈｅｎ）を１５ｎｍとなるように成膜して、第２の電子輸送層１１４＿２を形成した
。

第２の電子輸送層１１４＿２を形成したら、その後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ
の膜厚となるように蒸着し、電子注入層１１５＿２を形成し、最後に、陰極１０１として
、銀を１５ｎｍの膜厚となるように成膜した後、ＰＣｚＰＡを７０ｎｍの膜厚となるよう
に成膜することで、実施例素子２を作製した。なお、第２の正孔輸送層１１２＿２乃至電
子注入層１１５＿２までが第２の発光ユニット１０２＿２に相当する。

以下に、比較発光素子（比較例素子２）の作製方法を示す。

（比較例素子２の作製方法）
比較例素子２では、実施例素子２における第１の電子輸送層１１４＿１に用いられてい
るＮＢｐｈｅｎを上記構造式（ｘｉｉ）で表されるバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈ
ｅｎ）に換えて作製した他は実施例素子２と同様に作製した。

実施例素子２及び比較例素子２を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素
子が大気に曝されないようにカラーフィルタが形成されたガラス基板により封止する作業
（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行っ
た後、これら発光素子の特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれ
た雰囲気）で行った。

図１２に、クロストークの様子について評価を行った結果を示す。図１２は比較例素子
２及び実施例素子２を用いて作製した表示装置の拡大写真である。上から赤の画素のみを
光らせた写真、緑の画素のみを光らせた写真、青の画素のみを光らせた写真である。

比較例素子２を用いて作製された表示装置では、発光画素の隣接画素までもが若干発光
しているのに対し、実施例素子２を用いて作製された表示装置では、隣接画素の発光は弱
いことがわかる。また、最も左側の発光列からさらに左側に認識できる画素の列の数が実
施例素子２ではすくないことがわかる。

このように、本発明の一態様を用いた発光素子は、画素間のクロストークを有効に抑制
できることがわかる。特に画素間隔が８０μｍ以下又はサブピクセルの間隔が３０μｍ以
下である高精細な表示装置において、本発明の一態様を用いた発光素子は画素間のクロス
トークを抑制するのに効果的である。

１００陽極
１０１陰極
１０２発光ユニット
１０２＿１第１の発光ユニット
１０２＿２第２の発光ユニット
１０２ｋ１番目の発光ユニット
１０２ｍｍ番目の発光ユニット
１０２ｍ＋１ｍ＋１番目の発光ユニット
１０２ｎｎ番目の発光ユニット
１０３電荷発生層
１０３ｋ１番目の電荷発生層
１０３ｍｍ番目の電荷発生層
１０３ｎ−１ｎ−１番目の電荷発生層
１０４電荷発生領域
１０４ｋ１番目の電荷発生領域
１０４ｍｍ番目の電荷発生領域
１０４ｎ−１ｎ−１番目の電荷発生領域
１０５電子注入バッファ領域
１０５ｋ１番目の電子注入バッファ領域
１０５ｍｍ番目の電子注入バッファ領域
１０５ｎ−１ｎ−１番目の電子注入バッファ領域
１０６ＮＢｐｈｅｎを含む層
１０６ｋ１番目のＮＢｐｈｅｎを含む層
１０６ｍｍ番目のＮＢｐｈｅｎを含む層
１０６ｎ−１ｎ−１番目のＮＢｐｈｅｎを含む層
１０６ｎｎ番目のＮＢｐｈｅｎを含む層
１１０ＥＬ層
１１１＿１第１の正孔注入層
１１２＿１第１の正孔輸送層
１１３＿１第１の発光層
１１４＿１第１の電子輸送層
１１２＿２第２の正孔輸送層
１１３＿２第２の発光層
１１４＿２第２の電子輸送層
１１５＿２電子注入層
６０１駆動回路部（ソース線駆動回路）
６０２画素部
６０３駆動回路部（ゲート線駆動回路）
６０４封止基板
６０５シール材
６０７空間
６０８配線
６０９ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０素子基板
６１１スイッチング用ＴＦＴ
６１２電流制御用ＴＦＴ
６１３第１の電極
６１４絶縁物
６１６ＥＬ層
６１７第２の電極
６１８発光素子
６２３ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４ｐチャネル型ＴＦＴ
６２５乾燥材
１００１基板
１００２下地絶縁膜
１００３ゲート絶縁膜
１００６ゲート電極
１００７ゲート電極
１００８ゲート電極
１０２０第１の層間絶縁膜
１０２１第２の層間絶縁膜
１０２２電極
１０２４Ｗ発光素子の第１の電極
１０２４Ｒ発光素子の第１の電極
１０２４Ｇ発光素子の第１の電極
１０２４Ｂ発光素子の第１の電極
１０２５隔壁
１０２８ＥＬ層
１０２９発光素子の第２の電極
１０３１封止基板
１０３２シール材
１０３３透明な基材
１０３４Ｒ赤色の着色層
１０３４Ｇ緑色の着色層
１０３４Ｂ青色の着色層
１０３５黒色層（ブラックマトリックス）
１０３６オーバーコート層
１０３７第３の層間絶縁膜
１０４０画素部
１０４１駆動回路部
１０４２周辺部
５０００表示領域
５００１表示領域
５００２表示領域
５００３表示領域
５００４表示領域
５００５表示領域
７１０１筐体
７１０３表示部
７１０５スタンド
７１０７表示部
７１０９操作キー
７１１０リモコン操作機
７２０１本体
７２０２筐体
７２０３表示部
７２０４キーボード
７２０５外部接続ポート
７２０６ポインティングデバイス
７２１０第２の表示部
７３０１筐体
７３０２筐体
７３０３連結部
７３０４表示部
７３０５表示部
７３０６スピーカ部
７３０７記録媒体挿入部
７３０８ＬＥＤランプ
７３０９操作キー
７３１０接続端子
７３１１センサ
７３１２マイクロフォン
７４０１筐体
７４０２表示部
７４０３操作ボタン
７４０４外部接続ポート
７４０５スピーカ
７４０６マイク
７４００携帯電話機
９０３３留め具
９０３４スイッチ
９０３５電源スイッチ
９０３６スイッチ
９６３０筐体
９６３１表示部
９６３１ａ表示部
９６３１ｂ表示部
９６３２ａタッチパネル領域
９６３２ｂタッチパネル領域
９６３３太陽電池
９６３４充放電制御回路
９６３５バッテリー
９６３６ＤＣＤＣコンバータ
９６３７操作キー
９６３８コンバータ
９６３９ボタン

Claims

陽極と陰極との間に、アクセプター性物質を含む層により仕切られた第１の発光層及び第２の発光層を有し、
前記アクセプター性物質を含む層の陽極側に酸化リチウムとＮＢｐｈｅｎとを含む層を有する、発光素子。
陽極と陰極との間に、正孔輸送性の物質及びアクセプター性物質を含む層により仕切られた第１の発光層及び第２の発光層を有し、
前記アクセプター性物質を含む層の陽極側に酸化リチウムとＮＢｐｈｅｎとを含む層を有する、発光素子。
請求項１または２において、
前記酸化リチウムは島状に形成されている、発光素子。