JP7058359B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 146
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 113
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 84
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 30
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 27
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000005331 diazinyl group Chemical group N1=NC(=CC=C1)* 0.000 claims description 5
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 565
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 91
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 88
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 51
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 40
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 description 37
- 230000006870 function Effects 0.000 description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 36
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 36
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 33
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 30
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 21
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(diphenylphosphino)methane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 8
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 8
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 8
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 7
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- MFWOWURWNZHYLA-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenyl]phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(C=4C=CC=C(C=4)C=4C=CC=C(C=4)C4=C5SC=6C(C5=CC=C4)=CC=CC=6)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 MFWOWURWNZHYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 4
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 7-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-7h-dibenzo[c,g]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=C(C4=CC=CC=C4C=C3)C3=C4C=CC=CC4=CC=C32)C=C1 JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 4
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 4
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQRYZOAFWABMBD-UHFFFAOYSA-N 3-(4-phenanthren-9-ylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)C=C2C2=CC=CC=C21 WQRYZOAFWABMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOMUODVGLFDTHY-UHFFFAOYSA-L [Ir+3].C1(=CC=CC=C1)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].C1(=CC=CC=C1)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-] Chemical compound [Ir+3].C1(=CC=CC=C1)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].C1(=CC=CC=C1)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-] VOMUODVGLFDTHY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N europium(3+) 1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu+3].c1cnc2c(c1)ccc1cccnc21 ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000078 poly(4-vinyltriphenylamine) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFDYBCQHRPMIGD-UHFFFAOYSA-N 1-N,6-N-bis(3-methylphenyl)-1-N,6-N-bis[3-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC(=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)=C1 XFDYBCQHRPMIGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPNLBJDLLBQZDZ-UHFFFAOYSA-N 1-N,6-N-diphenyl-1-N,6-N-bis[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC(=C4C=CC(C2=C43)=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C1(C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=C(C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=C1 IPNLBJDLLBQZDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQNVFRPAQRVHKO-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-bis(4-methylphenyl)-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 FQNVFRPAQRVHKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVYAYAWSXINSEF-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylperylene Chemical group C1=CC(C=2C(C(C)(C)C)=CC=C3C=2C2=CC=C3)=C3C2=CC=CC3=C1 IVYAYAWSXINSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical group C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=CC2=C1 OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=C21 JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYLCTWBSBBHPN-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]-6-pyridin-2-ylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C(=NC(=CC=2)C=2N=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 HQYLCTWBSBBHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carbazol-9-ylphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)O1 IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004135 2-norbornyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C2([H])C([H])([H])C1([H])C([H])([H])C2([H])* 0.000 description 1
- IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=CC=C3C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C(=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(4-phenylphenyl)anthracene Chemical compound C=12C=CC=CC2=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C2=CC(C(C)(C)C)=CC=C2C=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C=C21 WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHSOUPRKHXZPK-UHFFFAOYSA-N 3,6-bis(3,5-diphenylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C=C3C4=CC(=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GWHSOUPRKHXZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 3-[18-(2-carboxyethyl)-8,13-diethyl-3,7,12,17-tetramethylporphyrin-21,24-diid-2-yl]propanoic acid;dichlorotin(2+) Chemical compound [H+].[H+].[Cl-].[Cl-].[Sn+4].[N-]1C(C=C2C(=C(C)C(=CC=3C(=C(C)C(=C4)N=3)CC)[N-]2)CCC([O-])=O)=C(CCC([O-])=O)C(C)=C1C=C1C(C)=C(CC)C4=N1 LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- PCUTZMWETFJZDZ-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=CC=C(C=2)C=2N=C3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C3=NC=2)=CC=C1 PCUTZMWETFJZDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALEAISKRDWWJRK-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)pyrimidine Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=C(N=CN=2)C=2C=CC=C(C=2)C2=C3SC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=CC=C1 ALEAISKRDWWJRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3-phenanthren-9-ylphenyl)pyrimidine Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C=CC=C(C=3)C=3C=C(N=CN=3)C=3C=CC=C(C=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Polymers C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 1
- IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 4-n-[4-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,3-triazole Chemical group C1C=NN=N1 AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyl-6,11-bis(4-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C3=C(C=4C=CC=CC=4)C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C3C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 5-n,5-n,11-n,11-n-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C(N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVGZMDXLCKKHX-UHFFFAOYSA-N 5h-1,2-benzodiazepine Chemical compound C1C=CN=NC2=CC=CC=C12 STVGZMDXLCKKHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGOGJHHGXFCDQZ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]dibenzothiophene Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1(C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC1=2)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=2SC3=C(C=21)C=CC=C3C1=CC=CC=C1 FGOGJHHGXFCDQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 870075-87-9 Chemical compound O1C(C(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=CC=C2C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=C(C=C(C=3)C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(4-methylnaphthalen-1-yl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C)C2=CC=CC=C12 YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSBGJQBCNEPES-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-n-phenyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]fluoren-2-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 QUSBGJQBCNEPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[5-(3-carbazol-9-ylphenyl)pyridin-3-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=NC=C(C=2)C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNNMKLNCLINVKV-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[6-(3-carbazol-9-ylphenyl)pyrimidin-4-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=C(N=CN=2)C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 LNNMKLNCLINVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)-2,3,5,6-tetraphenylphenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1C1=CC=CC=C1 ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[4-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]phenyl]anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=C1 BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJQCOVBALALRCC-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 ZJQCOVBALALRCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100025982 BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSFOVUSSGSKXFI-GAQDCDSVSA-N CC1=C/2NC(\C=C3/N=C(/C=C4\N\C(=C/C5=N/C(=C\2)/C(C=C)=C5C)C(C=C)=C4C)C(C)=C3CCC(O)=O)=C1CCC(O)=O Chemical compound CC1=C/2NC(\C=C3/N=C(/C=C4\N\C(=C/C5=N/C(=C\2)/C(C=C)=C5C)C(C=C)=C4C)C(C)=C3CCC(O)=O)=C1CCC(O)=O KSFOVUSSGSKXFI-GAQDCDSVSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N Dibenzofuran Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000933342 Homo sapiens BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000715194 Homo sapiens Cell cycle and apoptosis regulator protein 2 Proteins 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-N-[4-[4-[N-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)anilino]phenyl]phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=CC=C4C3=CC=2)C=C1 VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- WDVSHHCDHLJJJR-UHFFFAOYSA-N Proflavine Chemical compound C1=CC(N)=CC2=NC3=CC(N)=CC=C3C=C21 WDVSHHCDHLJJJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYVIOMJSKUGJLV-UHFFFAOYSA-N [Ir+2] Chemical compound [Ir+2] VYVIOMJSKUGJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SICOBUBRSFNIHU-UHFFFAOYSA-K [Ir+3].C(C)(C)(C)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].C(C)(C)(C)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].C(C)(C)(C)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-] Chemical compound [Ir+3].C(C)(C)(C)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].C(C)(C)(C)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].C(C)(C)(C)C1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-] SICOBUBRSFNIHU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- UQTFIXNHFSUCBI-UHFFFAOYSA-K [Ir+3].CC1(NN(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C)C(=O)[O-].CC1(NN(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C)C(=O)[O-].CC1(NN(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C)C(=O)[O-] Chemical compound [Ir+3].CC1(NN(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C)C(=O)[O-].CC1(NN(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C)C(=O)[O-].CC1(NN(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)C)C(=O)[O-] UQTFIXNHFSUCBI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZVLPHXRYMYVVRV-UHFFFAOYSA-K [Ir+3].CC1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].CC1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].CC1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-] Chemical compound [Ir+3].CC1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].CC1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-].CC1=NC(=NC(=C1)C1=CC=CC=C1)C(=O)[O-] ZVLPHXRYMYVVRV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- UUZNAHMBDODUEY-UHFFFAOYSA-K [Ir+3].CC=1N(C(NN1)(C(=O)[O-])C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.CC=1N(C(NN1)(C(=O)[O-])C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.CC=1N(C(NN1)(C(=O)[O-])C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ir+3].CC=1N(C(NN1)(C(=O)[O-])C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.CC=1N(C(NN1)(C(=O)[O-])C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.CC=1N(C(NN1)(C(=O)[O-])C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 UUZNAHMBDODUEY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SYVIZIUKAOBZPN-UHFFFAOYSA-K [Ir+3].CN1NC(N=C1C1=CC=CC=C1)(C(=O)[O-])CCC.CN1NC(N=C1C1=CC=CC=C1)(C(=O)[O-])CCC.CN1NC(N=C1C1=CC=CC=C1)(C(=O)[O-])CCC Chemical compound [Ir+3].CN1NC(N=C1C1=CC=CC=C1)(C(=O)[O-])CCC.CN1NC(N=C1C1=CC=CC=C1)(C(=O)[O-])CCC.CN1NC(N=C1C1=CC=CC=C1)(C(=O)[O-])CCC SYVIZIUKAOBZPN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JAZCEXBNIYKZDI-UHFFFAOYSA-N [Ir+] Chemical compound [Ir+] JAZCEXBNIYKZDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAKLERWTIRKTRX-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[O-2].[In+3] Chemical compound [O-2].[In+3].[O-2].[In+3] HAKLERWTIRKTRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEEBMHFZRDUQFW-UHFFFAOYSA-L [Pt](Cl)Cl.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC Chemical compound [Pt](Cl)Cl.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC OEEBMHFZRDUQFW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Sn]=O Chemical compound [Si]=O.[Sn]=O SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYNZMQVSXQQRNQ-UHFFFAOYSA-J [Sn](F)(F)(F)F.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC Chemical compound [Sn](F)(F)(F)F.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC FYNZMQVSXQQRNQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- SUFKFXIFMLKZTD-UHFFFAOYSA-N [Tb+3].N1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12 Chemical compound [Tb+3].N1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12 SUFKFXIFMLKZTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000006268 biphenyl-3-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N ctk3i0272 Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C(=C(C=5C=CC=CC=5)C(C=5C=CC=CC=5)=C(C=5C=CC=CC=5)C=4C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- FOZRUZLNYFFDQC-UHFFFAOYSA-N fluoranthene-3,10-diamine Chemical compound C1=CC(C=2C=CC=C(C=22)N)=C3C2=CC=C(N)C3=C1 FOZRUZLNYFFDQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N n,n,9-triphenyl-10h-anthracen-9-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1(C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-n-phenyl-9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N n-Nitrosodimethylamine Chemical compound CN(C)N=O UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSCLVLGBAGCXEC-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 MSCLVLGBAGCXEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 150000005359 phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229960000286 proflavine Drugs 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229950003776 protoporphyrin Drugs 0.000 description 1
- VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N pyrazol-1-yloxyboronic acid Chemical compound OB(O)ON1C=CC=N1 VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUAWIRPPAOOHKD-UHFFFAOYSA-N pyrene-1,2-diamine Chemical class C1=CC=C2C=CC3=C(N)C(N)=CC4=CC=C1C2=C43 BUAWIRPPAOOHKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFCHNZDUMIOWFV-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=N1 ZFCHNZDUMIOWFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000002990 reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N sulfadiazine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CC=N1 SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K tris[(4-methylquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-] SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
ル、照明モジュール、表示装置、発光装置、電子機器及び照明装置に関する。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として
挙げることができる。
escence)を利用する発光素子(有機EL素子)の研究開発が盛んに行われている
。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光物質を含む有機化合物層(EL
層)を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光物質からの発光を
得ることができる。
、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好
適であると考えられている。また、このような発光素子を用いたディスプレイは、薄型軽
量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つ
である。
表される点光源、または蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等へ
の利用価値も高い。
に注入され、それらが再結合することによって発光性の有機化合物が励起状態となり、発
光を得ることができる。
、一重項励起状態(S*)からの発光が蛍光、三重項励起状態(T*)からの発光がりん
光と呼ばれている。そして、当該発光素子におけるその統計的な生成比率は、S*:T*
=1:3であるとされている。
常、りん光は観測されず、蛍光のみが観測される。したがって、蛍光発光物質を用いた発
光素子における内部量子効率(注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)の理
論的限界は、S*:T*=1:3であることを根拠に25%とされている。
常温でりん光を観測することができる。また、りん光性化合物は項間交差(一重項励起状
態から三重項励起状態へ励起エネルギーが移ること)が起こりやすいため、内部量子効率
は100%まで理論上は可能となる。つまり、りん光発光物質を用いた発光素子では、蛍
光発光物質を用いた発光素子より高い発光効率が実現可能となる。このような理由から、
高効率な発光素子を実現するために、りん光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛ん
に行われている。
ん光を発する白色発光素子が開示されている。また、特許文献2では、蛍光発光層とりん
光発光層との間に中間層(電荷発生層)を設けた素子(いわゆるタンデム素子)が開示さ
れている。
の発光を蛍光発光とする層(蛍光発光層)、長波長側の領域の発光をりん光発光とする層
(りん光発光層)とし、蛍光発光層とりん光発光層との間に中間層(電荷発生層)を設け
た素子が開発され、一部実用化もなされている。当該素子は、中間層を挟んで、発光素子
が二つ直列に接続されたような構造を有している。
することによって、全てりん光の素子よりは発光効率は落ちるものの、安定した特性の多
色発光素子を得られることが特徴である。
、一つの発光素子を得るために成膜する膜の数が多くなるという、実用化に不利な面もま
た同時に有している。
くつかあるが、その一つは、蛍光発光層によるりん光の消光防止である。
合芳香族炭化水素環)骨格を有する物質が用いられることが多い。これは、縮合芳香環骨
格を有する物質を蛍光発光層のホスト材料として用いると、安定的に特性の良好な発光素
子を得ることができるためであるが、一方で、縮合芳香環骨格を有する物質は、概して三
重項準位が低いという問題がある。このため、蛍光発光層とりん光発光層を接して設けた
場合、りん光発光層で生じた三重項励起エネルギーは、蛍光発光層のホスト材料の三重項
準位に移動してしまい、失活してしまう。三重項励起子は寿命が長いために拡散距離が長
く、蛍光発光層とりん光発光層の界面で発生した励起エネルギーのみならず、りん光発光
層内部で生成した励起エネルギーも蛍光発光層のホスト材料により失活してしまうために
、発光効率の大幅な低下が起きてしまう。
問題は解決されるが、ホスト材料の一重項励起エネルギーはホスト材料の三重項励起エネ
ルギーよりも大きいため、ホスト材料の一重項励起状態と、蛍光ドーパントの一重項励起
状態のエネルギー差が大きくなりすぎ、ホスト材料から蛍光ドーパントへのエネルギー移
動が不十分となるため蛍光発光層において十分な発光効率が得られない。さらに、その結
果として、ホスト材料の無輻射失活過程が増大し、素子の特性(特に寿命)が低下するこ
ともある。また、ホスト材料の一重項励起エネルギーが大きいということは、該ホスト材
料のHOMO-LUMOギャップも当然大きいため、駆動電圧の上昇にもつながる。
発明の一態様では、蛍光発光とりん光発光を用いた発光素子において、実用化に有利な多
色発光素子を提供することを課題とする。また、蛍光発光とりん光発光を用いた発光素子
において、成膜層数が比較的少ないことで、製造工程が少なく、実用化に有利な多色発光
素子を提供することを課題とする。
好な発光効率を有する多色発光素子を提供することを課題とする。
膜層数が比較的少なく、実用化に有利であり、且つ、良好な発光効率を有する多色発光素
子を提供することを課題とする。または、本発明の他の一態様では、新規な発光素子を提
供することを課題とする。
スプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置を
各々提供することを目的とする。
ディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装
置を各々提供することを目的とする。
類の有機化合物と三重項励起エネルギーを発光に変換できる物質とを含む第2の発光層と
の積層構造を備えた発光素子が上記課題を実現することができる。なお、第1の発光層か
らの発光は第2の発光層からの発光よりも短波長側に発光スペクトルのピークが存在する
発光素子がより有用である。
L層は少なくとも第1の発光層と、第2の発光層と、これらの間に設けられた分離層とを
有し、第1の発光層からの発光スペクトルは、第2の発光層からの発光スペクトルよりも
短波長領域に存在し、第1の発光層は少なくとも蛍光発光物質と、ホスト材料とを有し、
第2の発光層は少なくとも三重項励起エネルギーを発光に変換できる物質と、第1の有機
化合物と、第2の有機化合物とを有し、第1の有機化合物と、第2の有機化合物が励起錯
体を形成する発光素子である。
送性を有する物質と、電子輸送性を有する物質とを含む発光素子である。
る物質と、電子輸送性を有する物質とが第2の励起錯体を形成することを特徴とする発光
素子である。
nmより厚く20nm以下である発光素子である。
nm以上10nm以下である発光素子である。
る物質と電子輸送性を有する物質との組み合わせが、第1の有機化合物と第2の有機化合
物との組み合わせと同じである発光素子である。
ら三重項励起エネルギーを発光に変換できる物質へのエネルギーの授受があることを特徴
とする発光素子である。
項励起準位が蛍光発光物質の一重項励起準位よりも大きく、ホスト材料の三重項励起準位
が蛍光発光物質の三重項励起準位よりも小さいことを特徴とする発光素子である。
三重項励起準位が、正孔輸送性を有する物質および電子輸送性を有する物質の三重項励起
準位よりも小さいことを特徴とする発光素子である。
芳香環骨格を有する有機化合物である発光素子である。
トラセン骨格を有する有機化合物である発光素子である。
トラセン骨格を有する有機化合物であり、前記蛍光発光物質はピレン骨格を有する有機化
合物である発光素子である。
各々発光スペクトルの異なるn種(nは2以上の整数)の三重項励起エネルギーを発光に
変換できる物質を含み、第2の発光層がn層からなり、n層各々に異なる三重項励起エネ
ルギーを発光に変換できる物質を含むことを特徴とする発光素子である。
三重項励起エネルギーを発光に変換できる物質として、各々発光スペクトルの異なる第1
のりん光発光物質と、第2のりん光発光物質とを含むことを特徴とする発光素子である。
物質は赤色領域の発光を呈し、第2のりん光発光物質は緑色領域の発光を呈し、蛍光発光
物質は青色領域の発光を呈する発光素子である。
物質は580nm乃至680nmに発光スペクトルのピークを有し、第2のりん光発光物
質は500nm乃至560nmに発光スペクトルのピークを有し、蛍光発光物質は400
nm乃至480nmに発光スペクトルのピークを有する発光素子である。
1のりん光発光層と第2のりん光発光層とからなり、第1のりん光発光層に第1のりん光
発光物質が含まれ、第2のりん光発光層に第2のりん光発光物質が含まれることを特徴と
する発光素子である。
物質が第1のりん光発光層内においてキャリアトラップ性を呈することを特徴とする発光
素子である。
性は、電子トラップ性であることを特徴とする発光素子である。
ュールである。
ある。
段を備えた発光装置である。
を制御する手段を備えた表示装置である。
を制御する手段を備えた照明装置である。
た、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム又はTCP(Tape Carr
ier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によ
りIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さら
に、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
的少なく、実用化に有利な多色発光素子を提供することができる。
な発光効率を有する多色発光素子を提供することができる。
数が比較的少なく、実用化に有利であり、且つ、良好な発光効率を有する多色発光素子を
提供することができる。
ィスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置
を各々提供することができる。
たディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明
装置を各々提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げ
るものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要
はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明ら
かとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出す
ることが可能である。
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
も一対の電極(第1の電極101、第2の電極102)と発光層113を有するEL層1
03を有する。また、発光層113は第1の発光層113aと分離層113bと、第2の
発光層113cがこの順に接して積層された構造を有している。
12、電子輸送層114及び電子注入層115が図示されているが、この積層構造は一例
であり、本発明の一態様の発光素子におけるEL層103の構成はこれに限られない。な
お、図1(A)においては、第1の電極101が陽極として機能し、第2の電極102が
陰極として機能するものとして図示している。
13cには、第1の有機化合物と第2の有機化合物とりん光発光物質が含まれている。ま
た、当該構成を有する発光層において第1の有機化合物と第2の有機化合物は、第1の励
起錯体を形成する組み合わせであることが好ましい。
発光物質由来の発光が、第2の発光層113cからはりん光発光物質由来の発光が共に効
率よく得られる。なお、当該発光素子では第1の発光層113aと第2の発光層113c
との間に電荷発生層が設けられていなくても(タンデム素子でなくても)蛍光発光とりん
光発光が共に効率よく得ることができる。
て発光させると、大幅な発光効率の低下を引き起こす。蛍光発光層には、通常、ホスト材
料としてアントラセンなどに代表される縮合芳香環(特に縮合芳香族炭化水素環)骨格を
有する物質が用いられているため蛍光発光層のホスト材料の三重項準位が低く、りん光発
光層で生じた三重項励起エネルギーが蛍光発光層に移動し、無放射失活してしまうことが
その一因である。現状、蛍光発光層において、縮合芳香環骨格を有する物質以外の物質を
用いて所望の発光波長や良好な素子特性・信頼性を得ることは困難であるため、蛍光発光
層とりん光発光層とを同じEL層に導入した構成を用いて良好な特性を有する発光素子を
得ることが難しい。
内部で生成した励起子も、その多くが拡散により蛍光発光層に移動してしまうことが、こ
の問題をより深刻にしている。
頼性を得ることは困難であることもあり、蛍光発光層とりん光発光層とを近接して形成し
た発光素子において、良好な特性を得ることが難しかった。
機化合物と第2の有機化合物が励起錯体を形成し、この励起錯体からりん光発光物質へ三
重項励起エネルギーが移動して発光が得られる構成であることによって、上記問題を解決
することができる。
)からなる励起状態である。励起錯体は、エネルギーを放出すると、励起錯体を形成して
いた2種類の物質はまた元の別々の物質として振舞う。すなわち、励起錯体には基底状態
は存在せず、励起錯体同士のエネルギー移動や、他の物質から励起錯体へのエネルギー移
動は原理的に起こりにくい。
のうち、いずれか一方のカチオンと他方のアニオンが隣接することで、直接エキサイプレ
ックスを形成する過程(エレクトロプレックス過程)が支配的であると考えられる。また
、第1の有機化合物及び第2の有機化合物の一方が励起状態になったとしても、速やかに
他方の物質を取り込んで励起錯体を形成することから、第2の発光層113cにおける励
起子はそのほとんどが励起錯体として存在する。励起錯体は第1の有機化合物及び第2の
有機化合物のどちらよりもバンドギャップは小さくなる。また、励起錯体の三重項励起エ
ネルギーが、第1の有機化合物及び第2の有機化合物の三重項励起エネルギーの少なくと
も一方よりも小さくなるように第1の有機化合物と第2の有機化合物を選択すると良い。
さらに好ましくは、励起錯体の三重項励起エネルギーが第1の有機化合物及び第2の有機
化合物の双方の三重項励起エネルギーよりも小さくなるように第1の有機化合物と第2の
有機化合物を選択すると良く、この様に第1の有機化合物と第2の有機化合物を選択する
ことによって励起錯体から第1の有機化合物及び第2の有機化合物へのエネルギー移動は
ほとんど起こらない。また、前述のように、励起錯体同士のエネルギー移動もほとんどな
く、その結果励起錯体の励起エネルギーはりん光発光物質へ移動し、発光に変換される。
そのため、第2の発光層113c内における励起子の拡散がほとんど起こらない。結果と
して上述した問題を解決することができる。
13cとが接触していると、この界面においては、わずかではあるが、励起錯体やりん光
ドーパントから第1の発光層113aのホスト材料へのエネルギー移動(特に三重項―三
重項エネルギー移動)が起こってしまう。上述した通り、励起錯体は励起子が拡散しにく
く、かつりん光ドーパントに容易にエネルギー移動できるため、どちらかと言えば影響は
小さい。しかし、該界面において第1の発光層113aのホスト材料と接触するりん光ド
ーパントが存在している場合、デクスター機構によるエネルギー移動によりホスト材料が
そのりん光ドーパントの発光を極度に消光してしまう。そこで、第1の発光層113aと
第2の発光層113cとの間に分離層113bを形成することによって、第1の発光層1
13aと第2の発光層113cとの界面におけるエネルギー移動をも抑制することができ
、さらに良好な特性で、りん光発光と蛍光発光の両方を発光させることができる。
項消滅(T-Tアニヒレイション;TTA)によって一重項励起状態を生成することが容
易な構成とすることによって、第1の発光層113aにおいて発生した三重項励起エネル
ギーを第1の発光層113a内で蛍光発光に変換することが可能となる。これにより、さ
らに本発明の一態様である発光素子は、エネルギーのロスを低減した発光素子とすること
ができる。TTAによる一重項励起状態の生成が容易な構成とするためには、第1の発光
層113aにおいて、ホスト材料の一重項励起準位が蛍光発光物質の一重項励起準位より
も大きく、且つ、ホスト材料の三重項励起準位が蛍光発光物質の三重項励起準位よりも小
さくなるようにホスト材料と蛍光発光物質を選択すればよい。このような関係となるホス
ト材料と蛍光発光物質の選択としては、代表的にはホスト材料としてアントラセン骨格を
有する材料、蛍光発光物質としてピレン骨格を有する材料の組み合わせ等が好適である。
得にくくなる。また膜厚が薄すぎると、今度は第1の発光層113aからの発光が得にく
くなる。したがって、第1の発光層113aの膜厚は5nm以上20nm以下であること
が好ましい。
ール輸送性を有する層とすることが好ましい。この際、ホスト材料には正孔輸送性の高い
バイポーラ性を有する材料を用いることが好適である。このような物質としてはアントラ
セン骨格を有する材料が好ましい。さらに、蛍光発光物質のホールトラップ性が高い場合
(例えば後述するような縮合芳香族アミン化合物)は、その濃度を5%以下、好ましくは
1%以上4%以下、さらに好ましくは1%以上3%以下とすることが、りん光発光と蛍光
発光をバランスよくかつ高い効率で得るために好ましい構成である。なお、蛍光発光物質
のHOMOがホスト材料のHOMOよりも高い場合に、該ホールトラップ性が発生する。
物の組み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が
正孔輸送性を有する物質であり、他方が電子輸送性を有する物質であることが、より好ま
しい。この場合、ドナー-アクセプタ型の励起状態を形成しやすくなり、効率よく励起錯
体を形成することができるようになる。また、正孔輸送性を有する物質と電子輸送性を有
する物質との組み合わせによって第1の有機化合物と第2の有機化合物の組み合わせを構
成する場合、その混合比によってキャリアバランスを容易に制御することができる。具体
的には正孔輸送性を有する物質:電子輸送性を有する物質=1:9乃至9:1の範囲が好
ましい。また、当該構成を有する発光素子は、容易にキャリアバランスを制御することが
できることから、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。さらに、本発明の一態様
の発光素子は、上述のようにキャリアバランスを制御することによって発光色の調整も行
うことができるという特徴も有する。
帯と、第1の励起錯体の発光スペクトルを重ねることで、第1の励起錯体からりん光発光
物質へのエネルギー移動を最適化し、より発光効率の良好な発光素子を得ることができる
。りん光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯のピーク波長と、励起錯体の発光スペク
トルのピーク波長のエネルギー換算値の差が0.2eV以下であると重なりが大きく好ま
しい構成である。なお、りん光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯は三重項の吸収帯
であることが好ましく、りん光発光物質に替えて熱活性化遅延蛍光(Thermally
activated delayed fluorescence,TADF)材料を
用いる場合は、最も低エネルギー側の吸収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
重項励起エネルギーを発光に変換できる物質であれば好適であり、本明細書中において、
りん光発光物質として記載した部分に関しては,TADF材料と、りん光発光層と記載し
た部分に関してはTADF発光層と読み替えることができる。TADF材料とは、三重項
励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート(逆項間交
差)が可能で、一重項励起状態からの発光(蛍光)を効率よく呈する物質のことである。
また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起
準位のエネルギー差が0eV以上0.2eV以下、好ましくは0eV以上0.1eV以下
であることが挙げられる。りん光発光物質もTADF材料もどちらも三重項励起エネルギ
ーを発光に変換することが可能な物質である。
の分布を持って形成されることが好ましい。このためには、各発光層において適度なキャ
リアトラップ性があることが好ましい。第1の発光層113aが陽極側に、第2の発光層
113cが陰極側に形成される構成の場合、第1の発光層113aにおいては蛍光発光物
質が正孔トラップ性を有していること、第2の発光層113cにおいてはりん光発光物質
が電子トラップ性を有していることがそれぞれ好適である。第1の発光層113aが陰極
側に、第2の発光層113cが陽極側に形成される構成の場合はその逆である。電子トラ
ップ性が高い物質としては、ピリミジンやピラジンのようなジアジン骨格を含む配位子を
有する遷移金属錯体(イリジウム錯体や白金錯体など)が挙げられる。なお、りん光発光
物質のLUMOが、第1の有機化合物及び第2の有機化合物のいずれの化合物よりも低い
場合、該電子トラップ性が発生する。
電子輸送性を有する物質とが含まれていることが好ましい。また、これらは励起錯体を形
成する組み合わせであることがより好ましい。また、正孔輸送性を有する物質と電子輸送
性を有する物質の混合比を変化させることによって、第2の発光層113cで述べたよう
に、キャリアバランスを容易に制御でき、発光色の調整を行うことができる。
ーが、第1の発光層113aにおけるホスト材料と同じまたは高いことが好ましい。なお
、分離層113bにおいて第2の励起錯体が形成される構成である場合には、上述の通り
励起錯体へのエネルギー移動が起こりにくいため、第2の励起錯体の一重項励起エネルギ
ーおよび三重項励起エネルギーはホスト材料より低くても構わない。
ーは、第2の発光層113cにおける第1の励起錯体の一重項励起エネルギーおよび三重
項励起エネルギーに対する制限はない。すなわち、分離層113bを構成する材料の一重
項励起エネルギーおよび三重項励起エネルギーは第2の発光層113cにおける第1の励
起錯体の一重項励起エネルギーおよび三重項励起エネルギーより高くても低くても良い。
通常、分離層の励起エネルギーが第2の発光層113cの励起エネルギーよりも低いと、
第2の発光層113cの発光が著しく減少するが、本構成では第2の発光層113cの励
起子の殆どが励起錯体で存在することから、励起子の拡散が起こりにくく、エネルギーの
損失が少ないためである。
の組み合わせは、第2の発光層113cを構成する第1の有機化合物及び第2の有機化合
物の組み合わせと同じであると、駆動電圧の上昇が抑制されるため好ましい構成である。
つまり、第1の有機化合物及び第2の有機化合物の一方が分離層113b中の正孔輸送性
を有する物質と同じであり、他方が分離層113b中の電子輸送性を有する物質と同じで
あることが好ましい。すなわち、分離層113bで形成される第2の励起錯体と第2の発
光層113cで形成される第1の励起錯体が、同じ励起錯体であることが好ましい。
3cからの発光よりも短波長側に発光のピークを有する構成とすることが好ましい。短波
長の発光を呈するりん光発光物質を用いた発光素子は輝度劣化が早い傾向があるため、短
波長の発光を呈する蛍光発光物質とすることによって、輝度劣化の小さい発光素子を提供
することができる。なお、本発光素子は、タンデム型の素子と異なり蛍光発光層である第
1の発光層113aとりん光発光層である第2の発光層113cとの間に、数nmの膜厚
の分離層113bしか存在していないため、EL層を形成するための層数が少なく、層厚
も薄いため、コスト的に有利であり量産に向く構成である。また、上述のようにEL層を
形成するための層数が少ないことから、EL層の膜厚を薄くすることができ、光学的に有
利な構成(光取出し効率の高い構成)でもある。さらに、駆動電圧も小さく、5V以下の
駆動電圧で、蛍光とりん光の両方を効率よく得られる発光素子とすることができる。
錯体を用いていることから三重項励起エネルギーの失活が起こりにくく、りん光発光と蛍
光発光を両立することが容易な構成である。
cで異なる発光波長の光を得ることによって、多色発光の素子とすることができる。これ
により、複数の発光物質からの発光が合成されたさまざまな発光色の発光素子を得ること
ができる。
aと第2の発光層113cとの光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得
ることができる。また、いずれか、または両方の発光層に発光波長の異なる複数の発光物
質を用いることによって、三原色や、4種以上の発光からなる演色性の高い白色発光を得
ることもできる。この場合、各々の発光層を層状にさらに分割し、当該分割した層ごとに
異なる発光物質を含有させるようにしても良い。当該白色発光素子は、りん光発光を利用
しており、発光効率の高い発光素子でありながら、タンデム型の発光素子と比較して成膜
層数が少なく層厚も薄いため、安価に提供しやすい発光素子とすることができる。また、
層厚が薄いことから、光取り出し効率が向上する。
本実施の形態において、発光素子は、第1の電極101と、第2の電極102と、第1の
電極101と第2の電極102との間に設けられたEL層103とから構成されている。
なお、本形態では第1の電極101は陽極として機能し、第2の電極102は陰極として
機能するものとして、以下説明をする。なおこの積層順は逆であってもかまわない。すな
わち、第1の発光層113aが陰極側に形成され、第2の発光層113cが陽極側に形成
されていても良い。
V以上)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが
好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズ(ITO:Indium T
in Oxide)、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、
酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(
IWZO)等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法によ
り成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例として
は、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1乃至20wt%の酸化亜鉛を
加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化
タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)は、酸化インジウムに
対し酸化タングステンを0.5乃至5wt%、酸化亜鉛を0.1乃至1wt%含有したタ
ーゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他、金(Au)、
白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(
Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属
材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。グラフェンも用いることができる
。なお、後述する複合材料をEL層103における第1の電極101と接する層に用いる
ことで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。
限定されない。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、キ
ャリアブロック層、中間層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態で
は、EL層103は、第1の電極101の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送
層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有する構成について説
明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。
ナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いるこ
とができる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(CuPC
)等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニ
ル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’-ビス{4-[ビ
ス(3-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-N,N’-ジフェニル-(1,1’-ビ
フェニル)-4,4’-ジアミン(略称:DNTPD)等の芳香族アミン化合物、或いは
ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDO
T/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。
させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性を有する物質にアクセプター性
物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料
を選ぶことができる。つまり、第1の電極101として仕事関数の大きい材料だけでなく
、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては
、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン(略称
:F4-TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第4
族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム
、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マ
ンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは
大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
ル誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)な
ど、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物として
は、正孔輸送性を有する物質であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs
以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。以下では、複合材料における正孔
輸送性を有する物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
ェニル-p-フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’-ビス[N-(4-
ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N
,N’-ビス{4-[ビス(3-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-N,N’-ジフ
ェニル-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン(略称:DNTPD)、1,3
,5-トリス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ベンゼン
(略称:DPA3B)等を挙げることができる。
(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバ
ゾール(略称:PCzPCA1)、3,6-ビス[N-(9-フェニルカルバゾール-3
-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)
、3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)アミノ]
-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。
ジ(N-カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5-トリス[4-(N-
カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9-[4-(10-フェニル-
9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、1,4-ビス[
4-(N-カルバゾリル)フェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用
いることができる。
-ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、2-
tert-ブチル-9,10-ジ(1-ナフチル)アントラセン、9,10-ビス(3,
5-ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2-tert-ブチル-9
,10-ビス(4-フェニルフェニル)アントラセン(略称:t-BuDBA)、9,1
0-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10-ジフェニルアントラ
セン(略称:DPAnth)、2-tert-ブチルアントラセン(略称:t-BuAn
th)、9,10-ビス(4-メチル-1-ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)
、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-(1-ナフチル)フェニル]アントラセ
ン、9,10-ビス[2-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7-
テトラメチル-9,10-ジ(1-ナフチル)アントラセン、2,3,6,7-テトラメ
チル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン、9,9’-ビアントリル、10,1
0’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス(2-フェニルフェニ
ル)-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[(2,3,4,5,6-ペンタフ
ェニル)フェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、
ペリレン、2,5,8,11-テトラ(tert-ブチル)ペリレン等が挙げられる。ま
た、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6
cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14から42である芳香族炭化水素を用い
ることがより好ましい。
い。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス(2,2-
ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10-ビス[4-(2,2-
ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
ニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N-(4-{N’-[4-(4-ジフェニル
アミノ)フェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](
略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス
(フェニル)ベンジジン](略称:Poly-TPD)等の高分子化合物を用いることも
できる。
光素子を得ることが可能となる。
質としては、例えば、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビ
フェニル(略称:NPB)やN,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェ
ニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4
’’-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、
4,4’,4’’-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリフ
ェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフ
ルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4-フェ
ニル-4’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPA
FLP)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、正孔
輸送性が高く、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。また、
上述の複合材料における正孔輸送性を有する物質として挙げた有機化合物も正孔輸送層1
12に用いることができる。また、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK)や
ポリ(4-ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いる
こともできる。なお、正孔輸送性を有する物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記
物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
正孔輸送層112に用いられる物質のHOMO準位と、第1の発光層113aにおけるホ
スト材料のHOMO準位は近接(エネルギー差で0.2eV以下)していることが好まし
い。このことにより、ホールがトラップ準位にトラップされすぎることなく分離層113
bや第2の発光層113cに流れてゆくため、蛍光発光とりん光発光とをバランスよく、
良好な効率で得ること容易となる。
13a、分離層113b、第2の発光層113cが積層されて構成されている。また、第
1の発光層113aにはホスト材料と蛍光発光物質が含まれており、第2の発光層113
cには、第1の有機化合物、第2の有機化合物及び三重項励起エネルギーを発光に変換可
能な物質(りん光性化合物又はTADF材料)が含まれている。
、例えば以下のようなものが挙げられる。また、これ以外の他の様々な蛍光発光物質を用
いることができる。
ジン(略称:PAP2BPy)、5,6-ビス[4’-(10-フェニル-9-アントリ
ル)ビフェニル-4-イル]-2,2’-ビピリジン(略称:PAPP2BPy)、N,
N’-ビス[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]-N,N’
-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6FLPAPrn)、N,N’-
ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ビス[3-(9-フェニル-9H-フルオレン
-9-イル)フェニル]-ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6mMemFLPAP
rn)、N,N’-ビス[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N,N’
-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン(略称:YGA2S)、4-(9H-カル
バゾール-9-イル)-4’-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン
(略称:YGAPA)、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4’-(9,10-ジ
フェニル-2-アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、N,9-ジ
フェニル-N-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾ
ール-3-アミン(略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-ter
t-ブチルペリレン(略称:TBP)、4-(10-フェニル-9-アントリル)-4’
-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCB
APA)、N,N’’-(2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4
,1-フェニレン)ビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン
](略称:DPABPA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(9,10-ジフェニル-
2-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPPA
)、N-[4-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル]-N,N’,N’
-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)、N,N,N’
,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリ
セン-2,7,10,15-テトラアミン(略称:DBC1)、クマリン30、N-(9
,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3
-アミン(略称:2PCAPA)、N-[9,10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-
イル)-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略
称:2PCABPhA)、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,N’,
N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N-[9,
10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イル)-2-アントリル]-N,N’,N’-
トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、9,10-ビ
ス(1,1’-ビフェニル-2-イル)-N-[4-(9H-カルバゾール-9-イル)
フェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン(略称:2YGABPhA)、N,
N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン(略称:DPhAPhA)クマリン54
5T、N,N’-ジフェニルキナクリドン、(略称:DPQd)、ルブレン、5,12-
ビス(1,1’-ビフェニル-4-イル)-6,11-ジフェニルテトラセン(略称:B
PT)、2-(2-{2-[4-(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}-6-メチル
-4H-ピラン-4-イリデン)プロパンジニトリル(略称:DCM1)、2-{2-メ
チル-6-[2-(2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリ
ジン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル(略称
:DCM2)、N,N,N’,N’-テトラキス(4-メチルフェニル)テトラセン-5
,11-ジアミン(略称:p-mPhTD)、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N
’-テトラキス(4-メチルフェニル)アセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,
10-ジアミン(略称:p-mPhAFD)、2-{2-イソプロピル-6-[2-(1
,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[i
j]キノリジン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニト
リル(略称:DCJTI)、2-{2-tert-ブチル-6-[2-(1,1,7,7
-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジ
ン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル(略称:
DCJTB)、2-(2,6-ビス{2-[4-(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル
}-4H-ピラン-4-イリデン)プロパンジニトリル(略称:BisDCM)、2-{
2,6-ビス[2-(8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-
テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イル)エテニル]-4H-
ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル(略称:BisDCJTM)などが挙げられ
る。特に、1,6FLPAPrnや1,6mMemFLPAPrnのようなピレンジアミ
ン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、正孔トラップ性が高く、発光効率や
信頼性に優れているため好ましい。
例えば以下のようなものが挙げられる。
ルバゾール(略称:PCzPA)、3-[4-(1-ナフチル)-フェニル]-9-フェ
ニル-9H-カルバゾール(略称:PCPN)、9-[4-(10-フェニル-9-アン
トラセニル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、7-[4-(10-
フェニル-9-アントリル)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称
:cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル
]-ベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン(略称:2mBnfPPA)、9-フェニ
ル-10-{4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)ビフェニル-4’-イ
ル}アントラセン(略称:FLPPA)等のアントラセン化合物が挙げられる。アントラ
セン骨格を有する物質をホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層
を実現することが可能である。特に、CzPA、cgDBCzPA、2mBnfPPA、
PCzPAは非常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。
質としては、りん光発光物質とTADF材料が該当し、例えば、以下のようなものが挙げ
られる。
ジメチルフェニル)-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イル-κN2]フェニル-
κC}イリジウム(III)(略称:Ir(mpptz-dmp)3)、トリス(5-メ
チル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト)イリジウム(III)(
略称:Ir(Mptz)3)、トリス[4-(3-ビフェニル)-5-イソプロピル-3
-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:Ir(i
Prptz-3b)3)のような4H-トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯
体や、トリス[3-メチル-1-(2-メチルフェニル)-5-フェニル-1H-1,2
,4-トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:Ir(Mptz1-mp)3)、ト
リス(1-メチル-5-フェニル-3-プロピル-1H-1,2,4-トリアゾラト)イ
リジウム(III)(略称:Ir(Prptz1-Me)3)のような1H-トリアゾー
ル骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、fac-トリス[1-(2,6-ジイソプロ
ピルフェニル)-2-フェニル-1H-イミダゾール]イリジウム(III)(略称:I
r(iPrpmi)3)、トリス[3-(2,6-ジメチルフェニル)-7-メチルイミ
ダゾ[1,2-f]フェナントリジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(dmpi
mpt-Me)3)のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス
[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(II
I)テトラキス(1-ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2-(4’,6
’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート
(略称:FIrpic)、ビス{2-[3’,5’-ビス(トリフルオロメチル)フェニ
ル]ピリジナト-N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF3
ppy)2(pic))、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-
N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac)のよ
うな電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体
が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、440nmから520n
mに発光のピークを有する化合物である。
Ir(mppm)3)、トリス(4-t-ブチル-6-フェニルピリミジナト)イリジウ
ム(III)(略称:Ir(tBuppm)3)、(アセチルアセトナト)ビス(6-メ
チル-4-フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppm)2(
acac))、ビス[2-(6-tert-ブチル-4-ピリミジニル-κN3)フェニ
ル-κC](2,4-ペンタンジオナト-κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:
Ir(tBuppm)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[4-(2-ノル
ボルニル)-6-フェニルピリミジナト]イリジウム(III)(endo-,exo-
混合物)(略称:Ir(nbppm)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[
5-メチル-6-(2-メチルフェニル)-4-フェニルピリミジナト]イリジウム(I
II)(略称:Ir(mpmppm)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(
4,6-ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(dppm)2(
acac))のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、(アセチルア
セトナト)ビス(3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム(III)(
略称:Ir(mppr-Me)2(acac)、(アセチルアセトナト)ビス(5-イソ
プロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(
mppr-iPr)2(acac)のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯
体や、トリス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:I
r(ppy)3)、ビス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリジウム(III)
アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス(ベンゾ[h]キ
ノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)2(ac
ac))、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)(略称:Ir(bz
q)3)、トリス(2-フェニルキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称
:Ir(pq)3)、ビス(2-フェニルキノリナト-N,C2’)イリジウム(III
)アセチルアセトナート(略称:Ir(pq)2(acac))のようなピリジン骨格を
有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロ
リン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Phen))のような希土類
金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、500nm
乃至600nmに発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジ
ウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
ジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(5mdppm)2(dibm))、ビス[
4,6-ビス(3-メチルフェニル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウ
ム(III)(略称:Ir(5mdppm)2(dpm))、ビス[4,6-ジ(ナフタ
レン-1-イル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称
:Ir(d1npm)2(dpm))のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウ
ム錯体や、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5-トリフェニルピラジナト)イリジ
ウム(III)(略称:Ir(tppr)2(acac))、ビス(2,3,5-トリフ
ェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tp
pr)2(dpm))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3-ビス(4-フルオロフェ
ニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac)
)のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス(1-フェニルイソ
キノリナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(piq)3)、ビス(1
-フェニルイソキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(piq)
2(acac))のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、2,3,
7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金(
II)(略称:PtOEP)のような白金錯体や、トリス(1,3-ジフェニル-1,3
-プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(
DBM)3(Phen))、トリス[1-(2-テノイル)-3,3,3-トリフルオロ
アセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)
3(Phen))のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色のりん光発光を
示す化合物であり、600nmから700nmに発光のピークを有する。また、ピラジン
骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。
よい。
グネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、スズ(Sn)、白金(Pt)
、インジウム(In)、もしくはパラジウム(Pd)等を含む金属含有ポルフィリン。該
金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン-
フッ化スズ錯体(SnF2(Proto IX))、メソポルフィリン-フッ化スズ錯体
(SnF2(Meso IX))、ヘマトポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF2(H
emato IX))、コプロポルフィリンテトラメチルエステル-フッ化スズ錯体(S
nF2(Copro III-4Me))、オクタエチルポルフィリン-フッ化スズ錯体
(SnF2(OEP))、エチオポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF2(Etio
I))、オクタエチルポルフィリン-塩化白金錯体(PtCl2OEP)等も挙げられる
。
ェニルインドロ[2,3-a]カルバゾール-11-イル)-1,3,5-トリアジン(
PIC-TRZ)等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素
環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子
不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。なお、π
電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型
複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強く、S1準位
とT1準位のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。
記条件を満たすような組み合わせであれば特に限定はなく、種々のキャリア輸送材料を選
択することができる。
ナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、ビス(2-メチル-8-キノリノラト
)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8-
キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2-(2-ベンゾオキサゾリル)
フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2-(2-ベンゾチアゾリル)
フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体や、2-(4-ビフェニ
リル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(略称
:PBD)、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフ
ェニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、1,3-ビス[5-(p-te
rt-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:
OXD-7)、9-[4-(5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル)
フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CO11)、2,2’,2’’-(1,3,5
-ベンゼントリイル)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)(略称:TP
BI)、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]-1-フェニル-1H
-ベンゾイミダゾール(略称:mDBTBIm-II)などのポリアゾール骨格を有する
複素環化合物や、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f
,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(ジベンゾチオ
フェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン(略称:2
mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-カルバゾール-9-イル)ビフェニ
ル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン(略称:2mCzBPDBq)、4,6
-ビス[3-(フェナントレン-9-イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mPn
P2Pm)、4,6-ビス[3-(4-ジベンゾチエニル)フェニル]ピリミジン(略称
:4,6mDBTP2Pm-II)などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、3,5
-ビス[3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ピリジン(略称:35DCz
PPy)、1,3,5-トリ[3-(3-ピリジル)フェニル]ベンゼン(略称:TmP
yPB)などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジア
ジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好で
あり好ましい。特に、ジアジン(ピリミジンやピラジン)骨格を有する複素環化合物は、
電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、N,N’-ビス(3-メチルフェニル)
-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TP
D)、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N―フェ
ニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4-フェニル-4’-(9-フェニルフル
オレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4-フェニル-3’-
(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:mBPAFLP)、
4-フェニル-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルア
ミン(略称:PCBA1BP)、4,4’-ジフェニル-4’’-(9-フェニル-9H
-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi1BP)、4-(1
-ナフチル)-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルア
ミン(略称:PCBANB)、4、4’-ジ(1-ナフチル)-4’’-(9-フェニル
-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)、9,9
-ジメチル-N-フェニル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル
)フェニル]-フルオレン-2-アミン(略称:PCBAF)、N-フェニル-N-[4
-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]スピロ-9,9’-ビフ
ルオレン-2-アミン(略称:PCBASF)などの芳香族アミン骨格を有する化合物や
、1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン(略称:mCP)、4,4’-ジ(N-カ
ルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、3,6-ビス(3,5-ジフェニルフェニル
)-9-フェニルカルバゾール(略称:CzTP)、3,3’-ビス(9-フェニル-9
H-カルバゾール)(略称:PCCP)などのカルバゾール骨格を有する化合物や、4,
4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェン)(略称
:DBT3P-II)、2,8-ジフェニル-4-[4-(9-フェニル-9H-フルオ
レン-9-イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP-III)、4-
[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]-6-フェニルジベン
ゾチオフェン(略称:DBTFLP-IV)などのチオフェン骨格を有する化合物や、4
,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾフラン)(略称:
DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)
フェニル]フェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi-II)などのフラン
骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物や
カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆
動電圧低減にも寄与するため好ましい。
ても良い。なお、第1の有機化合物及び第2の有機化合物としては、りん光性化合物の三
重項準位(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)よりも大きい三重項準位を有す
る物質を選択することが好ましい。また、第1の有機化合物と第2の有機化合物は、りん
光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を
形成するような組み合わせを選択することが好ましい。
有する物質、他方を正孔輸送性を有する物質とすることによって、励起錯体の形成に有利
な構成とすることができる。また、これら化合物の含有量を変更することによって、発光
層の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
正孔輸送性を有する物質と電子輸送性を有する物質の含有量の比は、正孔輸送性を有する
物質:電子輸送性を有する物質=1:9乃至9:1とすればよい。
して用いることができる材料として挙げた材料を同様に用いることができる。
質が含まれていることが好ましい。特に、第2の発光層113cが第1のりん光発光層と
第2のりん光発光層の2層に分かれており、第1のりん光発光層からは赤色の発光(58
0nm乃至680nmに発光スペクトルのピークを有する発光)が、第2のりん光発光層
からは緑色の発光(500nm乃至560nmに発光スペクトルのピークを有する発光)
を得られる構成とし、第1の発光層113aからは青色の発光(400nm乃至480n
mに発光スペクトルのピークを有する発光)を得られる構成とすると、演色性の良好な白
色発光を得ることができるため、好ましい構成である。なお、この場合、各々の発光層の
積層順は、第1の発光層113a、第1のりん光発光層、第2のりん光発光層であること
が発光素子の耐久性の観点から好ましく、さらに、第1の発光層113aが陽極側に形成
されることがより良好な特性を得るために好ましい。
キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4-メチル-8-キノリノラト
)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト
)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(4-フェ
ニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノ
リン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-(2-ヒドロキ
シフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2-(2-
ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)などのオキサ
ゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金
属錯体以外にも、2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-
1,3,4-オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3-ビス[5-(p-tert
-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:OX
D-7)、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェ
ニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:B
Phen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。ここに述べ
た物質は、電子輸送性が高く、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質
である。なお、上述した電子輸送性を有する物質を電子輸送層114に用いても良い。
以上積層したものとしてもよい。
これは上述したような電子輸送性を有する物質に、電子トラップ性の高い物質を少量添加
した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節
することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより
発生する問題(例えば素子寿命の低下)の抑制に大きな効果を発揮する。
注入層115を設けてもよい。電子注入層115としては、フッ化リチウム(LiF)、
フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のようなアルカリ金属又は
アルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有す
る物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させ
たものを用いることができる。なお、電子注入層115として、電子輸送性を有する物質
からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより
、第2の電極102からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。
以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる
。このような陰極材料の具体例としては、リチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアル
カリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)
等の元素周期表の第1族または第2族に属する元素、およびこれらを含む合金(MgAg
、AlLi)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこ
れらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極102と電子輸送層との間に
、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケ
イ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2
の電極102として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やイン
クジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。
ることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用い
ても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない
。
トを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法
を用いて形成しても良い。
外部に取り出される。従って、第1の電極101または第2の電極102のいずれか一方
または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極101のみが透光性を有する電極
である場合、発光は第1の電極101を通って取り出される。また、第2の電極102の
みが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極102を通って取り出される。第
1の電極101および第2の電極102がいずれも透光性を有する電極である場合、発光
は第1の電極101および第2の電極102を通って、両方から取り出される。
のには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近
接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極101および第2の電極
102から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。
領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動
を抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含
まれる発光中心物質が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構
成することが好ましい。
基板(ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミド等)、ポリイミ
ド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂)などに作製すればよい。また、ガラス基板
、石英基板、半導体基板上に作製したのち、プラスチック基板に転置しても良い。
したものでも良い。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、素子分割され
た照明装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、
プラスチックなどからなる基板上に、例えば電界効果トランジスタ(FET)を形成し、
FETと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、FETに
よって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお
、FETの構造は、特に限定されない。また、FETに用いる半導体の結晶性についても
特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、
FET基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のFETからなるもので
もよいし、若しくはN型のFETまたはP型のFETのいずれか一方からのみなるもので
あってもよい。
の態様について、図1(B)を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の
電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。一つの発光ユニットは、図
1(A)で示したEL層103と同様な構成を有する。つまり、図1(A)で示した発光
素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユ
ニットを有する発光素子ということができる。
ニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511
と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極
501と第2の電極502はそれぞれ図1(A)における第1の電極101と第2の電極
102に相当し、図1(A)の説明で述べたものと同じものを適用することができる。ま
た、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる
構成であってもよい。
化合物と金属酸化物の複合材料は、図1(A)で示した正孔注入層111に用いることが
できる複合材料を用いることができる。なお、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層に
接している場合は、電荷発生層が発光ユニットの正孔輸送層の役割も担うことができるた
め、発光ユニットは正孔輸送層を設けなくとも良い。
より構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機化合物と
金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸
送性を有する物質とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属
酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実
施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕
切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とする。結果とし
て、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
が用いられていることによって、当該ユニットの製造工程を削減することができるため、
実用化に有利な多色発光素子を提供することができる。
とが可能である。
続いて、本発明の一態様の発光装置について説明する。
お、図2(A)は、発光装置を示す上面図、図2(B)は図2(A)をA-BおよびC-
Dで切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点
線で示された駆動回路部(ソース線駆動回路)601、画素部602、駆動回路部(ゲー
ト線駆動回路)603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり
、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。空間607には乾燥した
不活性気体や固体封止のための樹脂を満たしても良い。シール材605と固体封止のため
の樹脂は同じであっても異なっていても良い。
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプ
リントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント
配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものと
する。
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路601
と、画素部602中の一つの画素が示されている。
4とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路
、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板
上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を
基板上ではなく外部に形成することもできる。
ドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。
なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ
型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性ア
クリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm乃至3μm)を
有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、ネガ型の感光性樹脂
、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
ている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数
の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したイン
ジウム錫酸化物膜、2乃至20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜
、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミ
ニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化
チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての
抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることがで
きる。
法等の種々の方法によって形成される。EL層616は、図1(A)又は(B)で説明し
たような構成を含んでいる。また、EL層616を構成する他の材料としては、低分子化
合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)であっても良い。
料としては、仕事関数の小さい材料(Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化
合物、MgAg、MgIn、AlLi等)を用いることが好ましい。なお、EL層616
で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を
薄くした金属薄膜と、透明導電膜(ITO、2乃至20wt%の酸化亜鉛を含む酸化イン
ジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層を用い
るのが良い。
板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子61
8が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不
活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、樹脂やシール材605で充填され
る場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けると水分の影響による劣
化を抑制することができ、好ましい構成である。
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また
、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiber
Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエ
ステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
。また、安価な発光装置とすることができる。
とによってフルカラー化した発光装置の例を示す。図3(A)には基板1001、下地絶
縁膜1002、ゲート絶縁膜1003、ゲート電極1006、1007、1008、第1
の層間絶縁膜1020、第2の層間絶縁膜1021、周辺部1042、画素部1040、
駆動回路部1041、発光素子の第1の電極1024W、1024R、1024G、10
24B、隔壁1025、EL層1028、発光素子の第2の電極1029、封止基板10
31、シール材1032などが図示されている。
色の着色層1034B)は透明な基材1033に設けている。また、黒色層(ブラックマ
トリックス)1035をさらに設けても良い。着色層及び黒色層が設けられた透明な基材
1033は、位置合わせし、基板1001に固定する。なお、着色層、及び黒色層は、オ
ーバーコート層1036で覆われている。また、図3(A)においては、光が着色層を透
過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が出る発光層とがあり
、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、青、緑となることから、4色の
画素で映像を表現することができる。
層1034B)をゲート絶縁膜1003と第1の層間絶縁膜1020との間に形成する例
を示した。このように、着色層は基板1001と封止基板1031の間に設けられていて
も良い。
り出す構造(ボトムエミッション型)の発光装置としたが、封止基板1031側に発光を
取り出す構造(トップエミッション型)の発光装置としても良い。トップエミッション型
の発光装置の断面図を図4に示す。この場合、基板1001は光を通さない基板を用いる
ことができる。FETと発光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトム
エミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第3の層間絶縁膜1037を、電
極1022を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第3の層
間絶縁膜1037は第2の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成す
ることができる。
極とするが、陰極であっても構わない。また、図4のようなトップエミッション型の発光
装置である場合、第1の電極を反射電極とすることが好ましい。EL層1028の構成は
、図1のEL層103として説明したような構成とし、且つ、白色の発光が得られるよう
な素子構造とする。
着色層1034G、青色の着色層1034B)を設けた封止基板1031で封止を行うこ
とができる。封止基板1031には画素と画素との間に位置するように黒色層(ブラック
マトリックス)1035を設けても良い。着色層(赤色の着色層1034R、緑色の着色
層1034G、青色の着色層1034B)や黒色層(ブラックマトリックス)1035は
オーバーコート層によって覆われていても良い。なお封止基板1031は透光性を有する
基板を用いることとする。
れず、赤、緑、青の3色でフルカラー表示を行ってもよい。
いるため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、図1(A)ま
たは(B)に記載の発光素子は発光効率の良好な発光素子であり、消費電力の低減された
発光装置とすることができる。また、図1(A)または(B)に記載の発光素子は比較的
量産しやすい発光素子であり、安価な発光装置を提供することができる。
シブマトリクス型の発光装置について説明する。図5には本発明の一態様を適用して作製
したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図5(A)は、発光装置を示す斜視
図、図5(B)は図5(A)をX-Yで切断した断面図である。図5において、基板95
1上には、電極952と電極956との間にはEL層955が設けられている。電極95
2の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設
けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の
側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の
断面は、台形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953
と接する辺)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接
しない辺)よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した
発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても
、図1(A)又は(B)で示した発光効率の良好な発光素子を用いており、消費電力の低
減された発光装置とすることができる。また、当該発光素子は量産しやすい発光素子であ
り、安価な発光装置を提供することができる。
れ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発
光装置である。
図1(A)または図1(B)に記載の発光素子を照明装置として用いる例を図6を参照
しながら説明する。図6(B)は照明装置の上面図、図6(A)は図6(B)におけるe
-f断面図である。
の電極401が形成されている。第1の電極401は図1(A)における第1の電極10
1に相当する。第1の電極401側から発光を取り出す場合、第1の電極401は透光性
を有する材料により形成する。
おけるEL層103の構成、又は図1(B)における第1の発光ユニット511、第2の
発光ユニット512及び電荷発生層513を合わせた構成などに相当する。なお、これら
の構成については当該記載を参照されたい。
おける第2の電極102に相当する。発光を第1の電極401側から取り出す場合、第2
の電極404は反射率の高い材料によって形成される。第2の電極404はパッド412
と接続することによって、電圧が供給される。
発明の一態様である照明装置は有している。
着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材405、406はどちらか一
方でもかまわない。また、内側のシール材406(図6(B)では図示せず)には乾燥剤
を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる
。
て設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーター
などを搭載したICチップ420などを設けても良い。
の発光素子を有することから、消費電力の小さい照明装置とすることができる。また、駆
動電圧の低い照明装置とすることができる。また、安価な照明装置とすることができる。
次に、図1(A)又は(B)に記載の発光素子をその一部に含む電子機器の例について
説明する。図1(A)又は(B)に記載の発光素子は発光効率が良好であり、消費電力が
低減された発光素子である。その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が低
減された発光部を有する電子機器とすることが可能である。また、図1(A)又は(B)
に記載の発光素子は、成膜層数の少ない発光素子であるため、安価な電子機器とすること
が可能である。
レビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタル
ビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。
1に表示部7103が組み込まれている。また、ここでは、スタンド7105により筐体
7101を支持した構成を示している。表示部7103により、映像を表示することが可
能であり、表示部7103は、図1(A)又は(B)に記載の発光素子をマトリクス状に
配列して構成されている。
機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110
から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信
ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向(送信者
と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む
。なお、このコンピュータは、図1(A)又は(B)で説明したものと同様の発光素子を
マトリクス状に配列して表示部7203に用いることにより作製される。図7(B1)の
コンピュータは、図7(B2)のような形態であっても良い。図7(B2)のコンピュー
タは、キーボード7204、ポインティングデバイス7206の代わりに第2の表示部7
210が設けられている。第2の表示部7210はタッチパネル式となっており、第2の
表示部7210に表示された入力用の表示を指や専用のペンで操作することによって入力
を行うことができる。また、第2の表示部7210は入力用表示だけでなく、その他の画
像を表示することも可能である。また表示部7203もタッチパネルであっても良い。二
つの画面がヒンジで接続されていることによって、収納や運搬をする際に画面を傷つける
、破損するなどのトラブルの発生も防止することができる。なお、このコンピュータは、
図1(A)又は(B)に記載の発光素子をマトリクス状に配列して表示部7203に用い
ることにより作製される。
ており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には、図1(
A)又は(B)で説明した発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7304
が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図7(C)
に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LED
ランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ7311(力
、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、
音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい
又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を備えている。も
ちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304およ
び表示部7305の両方、または一方に図1(A)又は(B)に記載の発光素子をマトリ
クス状に配列して作製された表示部を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられ
た構成とすることができる。図7(C)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されてい
るプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線
通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図7(C)に示す携帯型遊技機が有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
れた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ74
05、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機は、図1(A)又は(B)に
記載の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7402を有している。
ることができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成
するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
出装置を設けることで、携帯電話機の向き(縦か横か)を判断して、表示部7402の画
面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
て広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。図1(A
)又は(B)に記載の発光素子を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得
ることができる。
置の一例である。図8に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライ
トユニット903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続され
ている。また、バックライトユニット903には、図1(A)又は(B)に記載の発光素
子が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。
により、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、図1(A)又は(B)に
記載の発光素子を用いることで、面発光の照明装置が作製でき、また大面積化も可能であ
る。これにより、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能
になる。さらに、図1(A)又は(B)に記載の発光素子を適用した発光装置は従来と比
較し厚みを小さくできるため、表示装置の薄型化も可能となる。
いた例である。図9に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源
2002として、図1(A)又は(B)に記載の発光素子が用いられている。
用いた例である。また、図1(A)又は(B)に記載の発光素子は大面積化が可能である
ため、大面積の照明装置として用いることができる。また、図1(A)又は(B)に記載
の発光素子は、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。
にも搭載することができる。図11に図1(A)又は(B)に記載の発光素子を自動車の
フロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表示領域5000乃至表示領域
5005は図1(A)又は(B)に記載の発光素子を用いて設けられた表示である。
)又は(B)に記載の発光素子を搭載した表示装置である。図1(A)又は(B)に記載
の発光素子は、第1の電極と第2の電極を透光性を有する電極で作製することによって、
反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シース
ルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げにな
ることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合に
は、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど
、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
搭載した表示装置である。表示領域5002には、車体に設けられた撮像手段からの映像
を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に
、ダッシュボード部分に設けられた表示領域5003は車体によって遮られた視界を、自
動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全
性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より
自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができ
る。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができ
る。なお、これら情報は表示領域5000乃至表示領域5003にも設けることができる
。また、表示領域5000乃至表示領域5005は照明装置として用いることも可能であ
る。
。また、消費電力の小さい発光素子とすることができる。このことから、表示領域500
0乃至表示領域5005に大きな画面を数多く設けても、バッテリーに負荷をかけること
が少なく、快適に使用することができることから図1(A)又は(B)に記載の発光素子
を用いた発光装置または照明装置は、車載用の発光装置又は照明装置として好適に用いる
ことができる。
2(A)は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a
、表示部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省
電力モード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有す
る。なお、当該タブレット端末は、図1(A)又は(B)に記載の発光素子を備えた発光
装置を表示部9631a、表示部9631bの一方又は両方に用いることにより作製され
る。
た操作キー9637にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部963
1aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部963
1aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部96
31aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表示
画面として用いることができる。
部をタッチパネル領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部9631bにキーボードボタンを表示することができる。
チ入力することもできる。
を切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替え
スイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外
光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セ
ンサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置
を内蔵させてもよい。
しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表
示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネ
ルとしてもよい。
体9630、太陽電池9633、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCD
Cコンバータ9636を備える例を示す。なお、図12(B)では充放電制御回路963
4の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成について
示している。
にすることができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。
、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は
、筐体9630の一面または二面に設けられていると効率的なバッテリー9635の充電
を行う構成とすることができるため好適である。
C)にブロック図を示し説明する。図12(C)には、太陽電池9633、バッテリー9
635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3
、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ963
6、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3が、図12(B)に示す充放電制御
回路9634に対応する箇所となる。
。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDC
DCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に
太陽電池9633で充電された電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コン
バータ9638で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また
、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバ
ッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。
限定されず、圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電
手段によってバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。無線(非接触)で電
力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて
行う構成としてもよく、発電手段を有さなくとも良い。
に限定されない。
である発光素子4の作製方法及び特性について示す。発光素子1乃至発光素子4で用いた
有機化合物の構造式を以下に示す。
ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法に
て成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は
2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電
極である。
℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減
圧した後、第1の電極101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式(i)で表
される4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェ
ン)(略称:DBT3P-II)、と酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで、正孔
注入層111を形成した。その膜厚は、40nmとし、DBT3P-IIと酸化モリブデ
ンの比率は、重量比で4:2(=DBT3P-II:酸化モリブデン)となるように調節
した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着
法である。
ナントリル)-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPPn)を
20nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層112を形成した。
ェニル-9-アントリル)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:
cgDBCzPA)と上記構造式(iv)で表されるN,N’-ビス(3-メチルフェニ
ル)-N,N’-ビス[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]
-ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6mMemFLPAPrn)とを、重量比1:
0.03(=cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)となるように5nm共
蒸着して蛍光発光層である第1の発光層113aを形成した。次に、上記構造式(v)で
表される2-[3’-(ジベンゾチオフェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベン
ゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq-II)と、上記構造式(vi
)で表されるN-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-N-[4-(9-フェニル-9
H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-
アミン(略称:PCBBiF)とを重量比0.6:0.4(=2mDBTBPDBq-I
I:PCBBiF)となるように共蒸着して分離層113bを形成した。分離層113b
の膜厚は2nmとした。その後、2mDBTBPDBq-IIと、PCBBiFと、上記
構造式(vii)で表されるビス{4,6-ジメチル-2-[5-(2,6-ジメチルフ
ェニル)-3-(3,5-ジメチルフェニル)-2-ピラジニル-κN]フェニル-κC
}(2,4-ペンタンジオナト-κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(
dmdppr-dmp)2(acac)])とを、重量比0.2:0.8:0.05(=
2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(dmdppr-dmp)2(ac
ac)])となるように5nm共蒸着して第1のりん光発光層113c-1を形成し、続
けて2mDBTBPDBq-IIとPCBBiFと上記構造式(viii)で表されるビ
ス[2-(6-tert-ブチル-4-ピリミジニル-κN3)フェニル-κC](2,
4-ペンタンジオナト-κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBup
pm)2(acac)])とを、重量比0.7:0.3:0.05(=2mDBTBPD
Bq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように2
0nm共蒸着し、第2のりん光発光層113c-2を形成してりん光発光層である第2の
発光層113cを形成した。以上、発光素子1では第1の発光層113aと第2の発光層
113cにより発光層113が形成されている。
とPCBBiFは励起錯体を形成している。また、その発光波長は[Ir(dmdppr
-dmp)2(acac)]及び[Ir(tBuppm)2(acac)]のもっとも長
波長側の吸収帯と重なる、エネルギー移動の効率が高い構成となっている。
一重項励起エネルギーは、蛍光発光物質である1,6mMemFLPAPrnの一重項励
起エネルギーよりも大きく、また、cgDBCzPAの三重項励起エネルギーは、1,6
mMemFLPAPrnの三重項励起エネルギーよりも小さいという関係にあり、蛍光発
光層(第1の発光層113a)は三重項-三重項アニヒレイションに伴う一重項励起子の
再生成及び発光が得られやすい構成となっている。
10nmとなるように成膜し、さらに、上記構造式(ix)で表されるバソフェナントロ
リン(略称:BPhen)を15nmとなるように成膜して、電子輸送層114を形成し
た。
るように蒸着し、電子注入層115を形成し、最後に、陰極として機能する第2の電極1
02として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の
発光素子1を作製した。
発光素子2及び発光素子3は、発光素子1における分離層113bの膜厚をそれぞれ5n
m及び10nmに替えて作製した素子である。
発光素子4は発光素子1の構成から分離層113bを除いた構成を有する発光素子である
。
気に曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、
封止時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、これら発光素子の信頼性につ
いて測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
4に、電圧-輝度特性を図15に、輝度-外部量子効率特性を図16に、発光スペクトル
を図17に示す。
0cd/m2付近で電流効率約40cd/A以上、外部量子効率約18%以上の良好な発
光効率を示すことがわかった。また、1000cd/m2付近での駆動電圧も3V台と低
く、タンデム型の発光素子と比べて非常に低いことがわかる。さらに、発光素子1乃至発
光素子3は外部量子効率が1000cd/m2付近で19%以上と非常に良好な効率を示
すことがわかる。発光素子1乃至発光素子4の1000cd/m2付近における主な特性
値をまとめた表を示す。
]由来の赤色発光と、[Ir(tBuppm)2(acac)]由来の緑色発光及び1,
6mMemFLPAPrn由来の青色発光が共に観測された。このことから、蛍光発光層
である第1の発光層113a及びりん光発光層である第2の発光層113cのどちらから
も十分に発光が得られていることがわかった。
、簡便安価に作製することができる発光素子であることがわかった。この結果は、りん光
発光層のエネルギードナーとしてエキサイプレックスを用いたことによって励起子拡散が
抑制され三重項励起エネルギーの無放射失活が低減されたことと、蛍光発光層のホスト材
料における三重項-三重項アニヒレイションにともなう遅延蛍光の発生による発光効率の
向上が寄与している。また、発光素子1乃至発光素子3は分離層113bを用いることに
より、りん光発光層(第2の発光層113c)から蛍光発光層(第1の発光層113a)
への界面におけるエネルギー移動も抑制され、さらに良好な特性を示すことが分かった。
示す。発光素子5で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法に
て成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は
2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電
極である。
℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減
圧した後、第1の電極101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式(i)で表
される4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェ
ン)(略称:DBT3P-II)、と酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで、正孔
注入層111を形成した。その膜厚は、40nmとし、DBT3P-IIと酸化モリブデ
ンの比率は、重量比で4:2(=DBT3P-II:酸化モリブデン)となるように調節
した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着
法である。
ナントリル)-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPPn)を
10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層112を形成した。
ェニル-9-アントリル)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:
cgDBCzPA)と上記構造式(iv)で表されるN,N’-ビス(3-メチルフェニ
ル)-N,N’-ビス[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]
-ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6mMemFLPAPrn)とを、重量比1:
0.04(=cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)となるように5nm共
蒸着して蛍光発光層である第1の発光層113aを形成した。次に、上記構造式(v)で
表される2-[3’-(ジベンゾチオフェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベン
ゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq-II)と、上記構造式(vi
)で表されるN-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-N-[4-(9-フェニル-9
H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-
アミン(略称:PCBBiF)とを重量比0.6:0.4(=2mDBTBPDBq-I
I:PCBBiF)となるように共蒸着して分離層113bを形成した。分離層113b
の膜厚は2nmとした。その後、2mDBTBPDBq-IIと、PCBBiFと、上記
構造式(vii)で表されるビス{4,6-ジメチル-2-[5-(2,6-ジメチルフ
ェニル)-3-(3,5-ジメチルフェニル)-2-ピラジニル-κN]フェニル-κC
}(2,4-ペンタンジオナト-κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(
dmdppr-dmp)2(acac)])とを、重量比0.5:0.5:0.05(=
2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(dmdppr-dmp)2(ac
ac)])となるように5nm共蒸着して第1のりん光発光層113c-1を形成し、続
けて2mDBTBPDBq-IIとPCBBiFと上記構造式(viii)で表されるビ
ス[2-(6-tert-ブチル-4-ピリミジニル-κN3)フェニル-κC](2,
4-ペンタンジオナト-κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBup
pm)2(acac)])とを、重量比0.7:0.3:0.05(=2mDBTBPD
Bq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように2
0nm共蒸着し、第2のりん光発光層113c-2を形成してりん光発光層である第2の
発光層113cを形成した。
とPCBBiFは励起錯体を形成している。また、その発光波長は[Ir(dmdppr
-dmp)2(acac)]及び[Ir(tBuppm)2(acac)]のもっとも長
波長側の吸収帯と重なる、エネルギー移動の効率が高い構成となっている。
一重項励起エネルギーは、蛍光発光物質である1,6mMemFLPAPrnの一重項励
起エネルギーよりも大きく、また、cgDBCzPAの三重項励起エネルギーは、1,6
mMemFLPAPrnの三重項励起エネルギーよりも小さいという関係にあり、蛍光発
光層(第1の発光層113a)は三重項-三重項アニヒレイションに伴う一重項励起子の
再生成及び発光が得られやすい構成となっている。
10nmとなるように成膜し、さらに、上記構造式(ix)で表されるバソフェナントロ
リン(略称:BPhen)を15nmとなるように成膜して、電子輸送層114を形成し
た。
るように蒸着し、電子注入層115を形成し、最後に、陰極として機能する第2の電極1
02として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の
発光素子5を作製した。
ようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV処
理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、これら発光素子の信頼性について測定を行っ
た。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
度特性を図20に、輝度-外部量子効率特性を図21に、発光スペクトルを図22に、輝
度-CIE色度特性を図23に示す。
近で電流効率約40cd/A以上、外部量子効率約18%以上の良好な発光効率を示すこ
とがわかった。また、駆動電圧も3V台と低く、タンデム型の発光素子と比べて非常に低
いことがわかる。発光素子5の1000cd/m2付近における主な特性値をまとめた表
を示す。
由来の赤色発光と、[Ir(tBuppm)2(acac)]由来の緑色発光及び1,6
mMemFLPAPrn由来の青色発光が共に観測された。このことから、蛍光発光層で
ある第1の発光層113a及びりん光発光層である第2の発光層113cのどちらからも
十分に発光が得られていることがわかった。
非常に小さい発光素子であることがわかった。なお、100cd/m2付近で見られる色
変化はりん光と蛍光の発光開始電圧の差によるものである。りん光層は蛍光層よりも発光
開始電圧が低いため、低輝度領域ではりん光のみが観測され、100cd/m2付近で蛍
光も発光し始めることで100cd/m2付近で色変化が起きている。蛍光及びりん光の
両方が安定して発光する実用輝度領域においては色変化は非常に小さい。
製することができる発光素子であることがわかった。この結果には、りん光発光層のエネ
ルギードナーとしてエキサイプレックスを用いたことによって励起子拡散が抑制され三重
項励起エネルギーの無放射失活が低減されたことと、蛍光発光層のホスト材料における三
重項-三重項アニヒレイションにともなう遅延蛍光の発生による発光効率の向上が寄与し
ている。また、発光素子5は分離層113bを用いたことにより、りん光発光層(第2の
発光層113c)から蛍光発光層(第1の発光層113a)への界面におけるエネルギー
移動も抑制され、さらに良好な特性を示した。
び特性について示す。発光素子6及び発光素子7で用いた有機化合物の構造式を以下に示
す。
ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法に
て成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は
2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電
極である。
℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減
圧した後、第1の電極101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式(i)で表
される4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェ
ン)(略称:DBT3P-II)、と酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで、正孔
注入層111を形成した。その膜厚は、30nmとし、DBT3P-IIと酸化モリブデ
ンの比率は、重量比で2:1(=DBT3P-II:酸化モリブデン)となるように調節
した
-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:PCz
PA)を20nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層112を形成した。
.05(=PCzPA:1,6mMemFLPAPrn)となるように5nm共蒸着して
、蛍光発光層である第1の発光層113aを形成した。次に、上記構造式(xi)で表さ
れる4,6-ビス[3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ピリミジン(略称
:4,6mCzP2Pm)と、上記構造式(xii)で表される4,4’-ジ(N-カル
バゾリル)ビフェニル(略称:CBP)とを重量比0.4:0.6(=4,6mCzP2
Pm:CBP)となるように共蒸着して分離層113bを形成した。分離層113bの膜
厚は2nmとした。その後、2mDBTBPDBq-IIと、PCBBiFと、上記構造
式(xiii)で表される(アセチルアセトナト)ビス(4,6-ジフェニルピリミジナ
ト)イリジウム(III)(略称:[Ir(dppm)2(acac)])とを、重量比
0.8:0.2:0.05(=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(d
ppm)2(acac)])となるように20nm共蒸着してりん光発光層である第2の
発光層113cを形成した。
とPCBBiFは励起錯体を形成している。また、その発光波長は[Ir(dppm)2
(acac)]の最も長波長側の吸収帯と重なる、エネルギー移動の効率が高い構成とな
っている。
励起エネルギーは、蛍光発光物質である1,6mMemFLPAPrnの一重項励起エネ
ルギーよりも大きく、また、PCzPAの三重項励起エネルギーは、1,6mMemFL
PAPrnの三重項励起エネルギーよりも小さいという関係にあり、蛍光発光層(第1の
発光層113a)は三重項-三重項アニヒレイションに伴う一重項励起子の再生成及び発
光が得られやすい構成となっている。
10nmとなるように成膜し、さらに、BPhenを15nmとなるように成膜して、電
子輸送層114を形成した。
るように蒸着し、電子注入層115を形成し、最後に、陰極として機能する第2の電極1
02として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の
発光素子6を作製した。
発光素子7は発光素子6における分離層113bを4,6mCzP2Pm単独で形成した
他は発光素子6と同様に形成した。
気に曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、
封止時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、これら発光素子の信頼性につ
いて測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
5に、電圧-輝度特性を図26に、輝度-外部量子効率特性を図27に、発光スペクトル
を図28に示す。
率20cd/A以上の良好な発光効率を示すことがわかった。また、駆動電圧も3V台と
、タンデム型の発光素子と比較して非常に低いことがわかる。発光素子6及び発光素子7
の1000cd/m2付近における主な特性値をまとめた表を示す。
1,6mMemFLPAPrn由来の青色発光が共に観測された。このことから、発光素
子6及び発光素子7においては、蛍光発光層である第1の発光層113a及びりん光発光
層である第2の発光層113cのどちらからも十分に発光が得られていることがわかる。
つ、簡便安価に作製することができる発光素子であることがわかる。この結果は、りん光
発光層のエネルギードナーとしてエキサイプレックスを用いたことによって励起子拡散が
抑制され三重項励起エネルギーの無放射失活が低減されたことと、蛍光発光層のホスト材
料における三重項-三重項アニヒレイションにともなう遅延蛍光の発生による発光効率の
向上が寄与している。また、分離層113bを用いることにより、りん光発光層(第2の
発光層113c)から蛍光発光層(第1の発光層113a)への界面におけるエネルギー
移動も抑制されたことも良好な特性を示す理由の一つである。また、発光素子6の方が発
光素子7よりも良好な特性を有していることから、分離層113bは正孔輸送性を有する
物質と電子輸送性を有する物質とから構成されることが好ましいことがわかる。さらに、
それらは励起錯体を形成することがより好ましい構成である。
示す。発光素子8は第1の発光層113aが陰極側に、第2の発光層113cが陽極側に
形成された発光素子である。発光素子8で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
屈折率n=1.84の高屈折率ガラス基板上に、インジウム錫酸化物(ITO)をスパッ
タリング法にて110nm成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その電極面積は
2mm×2mmとした。
ゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、190℃で60分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減
圧した後、第1の電極101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式(i)で表
される4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェ
ン)(略称:DBT3P-II)、と酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで、正孔
注入層111を形成した。その膜厚は、30nmとし、DBT3P-IIと酸化モリブデ
ンの比率は、重量比で1:0.5(=DBT3P-II:酸化モリブデン)となるように
調節した。
ェニル-4-イル)-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェ
ニル]-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)を2
0nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層112を形成した。
オフェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:
2mDBTBPDBq-II)と、上記構造式(vi)で表されるN-(1,1’-ビフ
ェニル-4-イル)-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェ
ニル]-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)、上
記構造式(vii)で表されるビス{4,6-ジメチル-2-[5-(2,6-ジメチル
フェニル)-3-(3,5-ジメチルフェニル)-2-ピラジニル-κN]フェニル-κ
C}(2,4-ペンタンジオナト-κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir
(dmdppr-dmp)2(acac)])とを、重量比0.1:0.9:0.06(
=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(dmdppr-dmp)2(a
cac)])となるように15nm共蒸着して第1のりん光発光層113c-1を形成し
、続けて2mDBTBPDBq-IIとPCBBiFと上記構造式(viii)で表され
るビス[2-(6-tert-ブチル-4-ピリミジニル-κN3)フェニル-κC](
2,4-ペンタンジオナト-κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(tB
uppm)2(acac)])とを、重量比0.5:0.5:0.06(=2mDBTB
PDBq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるよう
に5nm共蒸着し、第2のりん光発光層113c-2を形成してりん光発光層である第2
の発光層113cを形成した。さらに、2mDBTBPDBq-IIとPCBBiFとを
重量比0.5:0.5(=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF)となるように2
nm共蒸着し、分離層113bを形成した。その後、上記構造式(iii)で表される7
-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カ
ルバゾール(略称:cgDBCzPA)と、上記構造式(iv)で表されるN,N’-ビ
ス(3-メチルフェニル)-N,N’-ビス[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-
9-イル)フェニル]-ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6mMemFLPAPr
n)とを、重量比1:0.025(=cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn
)となるように20nm共蒸着して蛍光発光層である第1の発光層113aを形成し、発
光層113を形成した。
BTBPDBq-IIとPCBBiFは励起錯体を形成する。また、その発光波長は[I
r(dmdppr-dmp)2(acac)]及び[Ir(tBuppm)2(acac
)]のもっとも長波長側の吸収帯と重なる、エネルギー移動の効率が高い構成となってい
る。
一重項励起エネルギーは、蛍光発光物質である1,6mMemFLPAPrnの一重項励
起エネルギーよりも大きく、また、cgDBCzPAの三重項励起エネルギーは、1,6
mMemFLPAPrnの三重項励起エネルギーよりも小さいという関係にあり、蛍光発
光層(第1の発光層113a)は三重項-三重項アニヒレイションに伴う一重項励起子の
再生成及び発光が得られやすい構成となっている。
なるように成膜し、さらに、上記構造式(ix)で表されるバソフェナントロリン(略称
:BPhen)を15nmとなるように成膜して、電子輸送層114を形成した。
るように蒸着し、電子注入層115を形成し、最後に、陰極として機能する第2の電極1
02として、銀-マグネシウム合金(1:0.5)を1nm、銀を150nmの膜厚とな
るように蒸着することで、本実施例の発光素子8を作製した。なお、上述した蒸着過程に
おいて、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
ようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV処
理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、この発光素子の特性について測定を行った。
なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で、積分球を用いて行った。電流密度3.
75mA/cm2における特性値をまとめた表を示す。
タンデム型の発光素子と比較して非常に低い値となっている。
mdppr-dmp)2(acac)]由来の赤色発光と、[Ir(tBuppm)2(
acac)]由来の緑色発光及び1,6mMemFLPAPrn由来の青色発光がいずれ
も観測された。このことから、蛍光発光層である第1の発光層113a及びりん光発光層
である第2の発光層113cのどちらからも十分に発光が得られていることがわかる。
体放射軌跡からの偏差)も小さく照明用途に好適である。また、色温度は2840Kの電
球色と規格に合致した特性を示している。
ることができる発光素子であることがわかる。この結果は、りん光発光層のエネルギード
ナーとしてエキサイプレックスを用いたことによって励起子拡散が抑制され三重項励起エ
ネルギーの無放射失活が低減されたこと、蛍光発光層のホスト材料における三重項-三重
項アニヒレイションにともなう遅延蛍光の発生による発光効率の向上が寄与している。
示す。発光素子9で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法に
て成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は
2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能する電
極である。
℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減
圧した後、第1の電極101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式(i)で表
される4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェ
ン)(略称:DBT3P-II)と、酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することで、正
孔注入層111を形成した。その膜厚は、15nmとし、DBT3P-IIと酸化モリブ
デンの比率は、重量比で2:1(=DBT3P-II:酸化モリブデン)となるように調
節した。
ナントリル)-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPPn)を
20nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層112を形成した。
ェニル-9-アントリル)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:
cgDBCzPA)と上記構造式(iv)で表されるN,N’-ビス(3-メチルフェニ
ル)-N,N’-ビス[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]
-ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6mMemFLPAPrn)とを、重量比2:
0.1(=cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)となるように5nm共蒸
着して蛍光発光層である第1の発光層113aを形成した。次に、上記構造式(v)で表
される2-[3’-(ジベンゾチオフェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ
[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq-II)と、上記構造式(vi)
で表されるN-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-N-[4-(9-フェニル-9H
-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-ア
ミン(略称:PCBBiF)とを重量比0.4:1.6(=2mDBTBPDBq-II
:PCBBiF)となるように共蒸着して分離層113bを形成した。分離層113bの
膜厚は2nmとした。その後、2mDBTBPDBq-IIと、PCBBiFと、上記構
造式(xiv)で表される(アセチルアセトナト)ビス(4,6-ジフェニルピリミジナ
ト)イリジウム(III)(略称:[Ir(dppm)2(acac)])とを、重量比
0.8:1.2:0.12(=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(d
ppm)2(acac)])となるように5nm共蒸着して第1のりん光発光層113c
-1を形成し、続けて2mDBTBPDBq-IIとPCBBiFと上記構造式(xv)
で表されるビス{2-[6-(2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN3
]フェニル-κC}(2,4-ペンタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(
略称:[Ir(ppm-dmp)2(acac)])とを、重量比1.6:0.4:0.
12(=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(ppm-dmp)2(a
cac)])となるように15nm共蒸着し、第2のりん光発光層113c-2を形成し
てりん光発光層である第2の発光層113cを形成した。以上、発光素子9では第1の発
光層113aと第2の発光層113cにより発光層113が形成されている。
とPCBBiFは励起錯体を形成している。また、その発光波長は[Ir(dppm)2
(acac)]及び[Ir(ppm-dmp)2(acac)]のもっとも長波長側の吸
収帯と重なる、エネルギー移動の効率が高い構成となっている。
一重項励起エネルギーは、蛍光発光物質である1,6mMemFLPAPrnの一重項励
起エネルギーよりも大きく、また、cgDBCzPAの三重項励起エネルギーは、1,6
mMemFLPAPrnの三重項励起エネルギーよりも小さいという関係にあり、蛍光発
光層(第1の発光層113a)は三重項-三重項アニヒレイションに伴う一重項励起子の
再生成及び発光が得られやすい構成となっている。
10nmとなるように成膜し、さらに、上記構造式(ix)で表されるバソフェナントロ
リン(略称:BPhen)を15nmとなるように成膜して、電子輸送層114を形成し
た。
るように蒸着し、電子注入層115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極
102として、銀(Ag)とマグネシウム(Mg)とを重量比1:0.5で共蒸着して1
nmの膜厚で形成した後、銀をスパッタリング法により150nmの膜厚で成膜して形成
することで、本実施例の発光素子9を作製した。
ようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV処
理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、この発光素子の信頼性について測定を行った
。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
度特性を図32に、輝度-外部量子効率特性を図33に、発光スペクトルを図34に示す
。
近で電流効率約70cd/A付近、外部量子効率約22%以上の非常に良好な発光効率を
示すことがわかった。また、駆動電圧も2.9Vと、タンデム型の発光素子と比べて非常
に低いことがわかる。
pm-dmp)2(acac)]由来のりん光発光と、1,6mMemFLPAPrn由
来の蛍光発光が共に観測された。このことから、蛍光発光層である第1の発光層113a
及びりん光発光層である第2の発光層113cのどちらからも十分に発光が得られている
ことがわかった。
することができる発光素子であることがわかった。この結果は、りん光発光層のエネルギ
ードナーとしてエキサイプレックスを用いたことによって励起子拡散が抑制され三重項励
起エネルギーの無放射失活が低減されたことと、蛍光発光層のホスト材料における三重項
-三重項アニヒレイションにともなう遅延蛍光の発生による発光効率の向上が寄与してい
る。また、発光素子9は分離層113bを用いることにより、りん光発光層(第2の発光
層113c)から蛍光発光層(第1の発光層113a)への界面におけるエネルギー移動
も抑制され、さらに良好な特性を得られた。
を屈折率1.84のガラス基板上に、発光面積が90mm×90mmとなるように形成し
、さらに、基板の光が放出される側の面をフロスト加工した有機EL照明装置を作製した
。
uv=0.019と電球色の規格に合致しながら、輝度1500cd/m2付近において
パワー効率140lm/Wと非常に高い効率を示した。
102 第2の電極
103 EL層
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
113a 第1の発光層
113b 分離層
113c 第2の発光層
113c-1 第1のりん光発光層
113c-2 第2のりん光発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
400 基板
401 第1の電極
403 EL層
404 第2の電極
405 シール材
406 シール材
407 封止基板
412 パッド
420 ICチップ
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 駆動回路部(ソース線駆動回路)
602 画素部
603 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用FET
612 電流制御用FET
613 第1の電極
614 絶縁物
616 EL層
617 第2の電極
618 発光素子
623 nチャネル型FET
624 pチャネル型FET
901 筐体
902 液晶層
903 バックライトユニット
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
1001 基板
1002 下地絶縁膜
1003 ゲート絶縁膜
1006 ゲート電極
1007 ゲート電極
1008 ゲート電極
1020 第1の層間絶縁膜
1021 第2の層間絶縁膜
1022 電極
1024W 発光素子の第1の電極
1024R 発光素子の第1の電極
1024G 発光素子の第1の電極
1024B 発光素子の第1の電極
1025 隔壁
1028 EL層
1029 発光素子の第2の電極
1031 封止基板
1032 シール材
1033 透明な基材
1034R 赤色の着色層
1034G 緑色の着色層
1034B 青色の着色層
1035 黒色層(ブラックマトリックス)
1036 オーバーコート層
1037 第3の層間絶縁膜
1040 画素部
1041 駆動回路部
1042 周辺部
2001 筐体
2002 光源
3001 照明装置
5000 表示領域
5001 表示領域
5002 表示領域
5003 表示領域
5004 表示領域
5005 表示領域
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7210 第2の表示部
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
9033 留め具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9038 操作スイッチ
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a タッチパネル領域
9632b タッチパネル領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 操作キー
9638 コンバータ
9639 ボタン
Claims (1)
- 一対の電極間に、第1の発光層と、前記第1の発光層から離れて位置する第2の発光層と、を有し、
前記第1の発光層は、蛍光発光物質と、縮合芳香環骨格を有するホスト材料とを有し、
前記第2の発光層は、りん光発光物質と、芳香族アミン骨格及びカルバゾール骨格のいずれかを有する第1の有機化合物と、ジアジン骨格を有する複素環化合物である第2の有機化合物とを有し、
前記蛍光発光物質の発光スペクトルのピークは、前記りん光発光物質の発光スペクトルのピークよりも短波長領域に存在し、
前記第1の有機化合物と前記第2の有機化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記第1の発光層と前記第2の発光層との間に、芳香族アミン骨格及びカルバゾール骨格のいずれかを有する第3の有機化合物と、ジアジン骨格を有する複素環化合物である第4の有機化合物とが含有される(ただし、前記第1の発光層と前記第2の発光層との間に、酸化モリブデンが含有される場合を除く)発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022065178A JP2022082817A (ja) | 2013-12-02 | 2022-04-11 | 発光装置 |
JP2023173691A JP2023168595A (ja) | 2013-12-02 | 2023-10-05 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013249486 | 2013-12-02 | ||
JP2013249486 | 2013-12-02 | ||
JP2014097803 | 2014-05-09 | ||
JP2014097803 | 2014-05-09 | ||
JP2014180913 | 2014-09-05 | ||
JP2014180913 | 2014-09-05 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019131657A Division JP6887468B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-07-17 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022065178A Division JP2022082817A (ja) | 2013-12-02 | 2022-04-11 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021082613A JP2021082613A (ja) | 2021-05-27 |
JP7058359B2 true JP7058359B2 (ja) | 2022-04-21 |
Family
ID=53266054
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014238464A Active JP6559416B2 (ja) | 2013-12-02 | 2014-11-26 | 発光素子、ディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
JP2018218757A Withdrawn JP2019062211A (ja) | 2013-12-02 | 2018-11-22 | 発光装置 |
JP2019131657A Active JP6887468B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-07-17 | 発光装置 |
JP2021035585A Active JP7058359B2 (ja) | 2013-12-02 | 2021-03-05 | 発光装置 |
JP2022065178A Withdrawn JP2022082817A (ja) | 2013-12-02 | 2022-04-11 | 発光装置 |
JP2023173691A Pending JP2023168595A (ja) | 2013-12-02 | 2023-10-05 | 発光装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014238464A Active JP6559416B2 (ja) | 2013-12-02 | 2014-11-26 | 発光素子、ディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
JP2018218757A Withdrawn JP2019062211A (ja) | 2013-12-02 | 2018-11-22 | 発光装置 |
JP2019131657A Active JP6887468B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-07-17 | 発光装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022065178A Withdrawn JP2022082817A (ja) | 2013-12-02 | 2022-04-11 | 発光装置 |
JP2023173691A Pending JP2023168595A (ja) | 2013-12-02 | 2023-10-05 | 発光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US9362517B2 (ja) |
JP (6) | JP6559416B2 (ja) |
KR (5) | KR102511847B1 (ja) |
CN (3) | CN108598272B (ja) |
DE (2) | DE112014005483B4 (ja) |
TW (3) | TWI664763B (ja) |
WO (1) | WO2015083025A1 (ja) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20150130224A (ko) | 2014-05-13 | 2015-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
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TWI682563B (zh) | 2014-05-30 | 2020-01-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件,發光裝置,電子裝置以及照明裝置 |
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KR102409803B1 (ko) | 2014-10-10 | 2022-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
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-
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- 2014-11-20 CN CN201810356707.4A patent/CN108598272B/zh active Active
- 2014-11-20 DE DE112014005483.6T patent/DE112014005483B4/de active Active
- 2014-11-20 US US14/548,947 patent/US9362517B2/en active Active
- 2014-11-20 CN CN201810356708.9A patent/CN108630826B/zh active Active
- 2014-11-20 KR KR1020217037083A patent/KR102511847B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-20 DE DE112014007323.7T patent/DE112014007323B3/de active Active
- 2014-11-20 WO PCT/IB2014/066182 patent/WO2015083025A1/en active Application Filing
- 2014-11-20 KR KR1020237009011A patent/KR102639622B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-20 KR KR1020187035284A patent/KR102138453B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-20 KR KR1020167016757A patent/KR102327980B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-20 CN CN201480065816.0A patent/CN105794321B/zh active Active
- 2014-11-20 KR KR1020247005586A patent/KR20240027864A/ko active Search and Examination
- 2014-11-25 TW TW103140807A patent/TWI664763B/zh active
- 2014-11-25 TW TW110109181A patent/TWI752847B/zh active
- 2014-11-25 TW TW108113527A patent/TWI723380B/zh active
- 2014-11-26 JP JP2014238464A patent/JP6559416B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-24 US US15/162,675 patent/US10026917B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-18 US US15/983,223 patent/US10374186B2/en active Active
- 2018-11-22 JP JP2018218757A patent/JP2019062211A/ja not_active Withdrawn
-
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- 2019-06-27 US US16/454,296 patent/US10930873B2/en active Active
- 2019-07-17 JP JP2019131657A patent/JP6887468B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-18 US US17/178,417 patent/US11672136B2/en active Active
- 2021-03-05 JP JP2021035585A patent/JP7058359B2/ja active Active
-
2022
- 2022-04-11 JP JP2022065178A patent/JP2022082817A/ja not_active Withdrawn
-
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- 2023-05-31 US US18/203,699 patent/US20230371298A1/en active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210323 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7058359 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |