JP4829486B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、有機電界発光素子に関し、より詳しくは燐光を利用した高輝度で長寿命の有機電界発光素子（以下、燐光発光素子と略記する）に関する。
多層積層構造からなる燐光発光素子は既に知られている（特許文献１参照）。蛍光のみを利用して発光させる場合、励起一重項状態を利用するため、内部量子効率の理論上の限界値は２５％であるが、燐光発光素子は三重項状態の励起エネルギーが発光に寄与するため、内部量子効率の理論的限界値は１００％と考えられている。従って、燐光発光素子は発光効率、即ち、駆動電流密度に対する発光輝度の比率を向上させることができるため、蛍光発光素子に比べて優れている。
また、有機電界発光素子の発光効率の向上と駆動安定性の向上を両立させるために、発光層と陰極の間に、発光層からの正孔の移動を制限する正孔阻止層を設けることが提案されている。この正孔阻止層によって正孔を発光層中に蓄積させ、電子との再結合確率を向上させ、発光の高効率化を達成することができる。正孔阻止材料としてフェナントロリン誘導体（特許文献２参照）、トリアゾール誘導体（特許文献３参照）が有効であると報告されている。また、燐光発光素子においてもフェナントロリン誘導体（非特許文献１参照）やＢＡｌｑ等のアルミキレート（非特許文献２参照）が正孔阻止層として用いられている。
米国特許第６０９７１４７号明細書 特開平１０−７９２９７号公報 特開平１０−２３３２８４号公報 Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５，４（１９９９） Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．４１０５，Ｐ１７５−１８２（２０００）
しかしながら、これらの正孔阻止材料を燐光発光素子に用いても、必ずしも十分な発光効率と長寿命を有する燐光発光素子は得られていない。フェナントロリン誘導体を用いた場合、燐光発光素子の効率は高まるが、駆動安定性は低いとされている。一方、ＢＡｌｑを用いると、駆動安定性は高まるが、効率は低下する傾向にあり、駆動安定性と効率の向上の両立が望まれている。本発明は、正孔阻止層に特定の化合物を用いることにより、上述した課題を解決し、発光効率が大きく、長寿命の燐光発光素子を与えることを目的とする。
本発明者等は鋭意検討を続けた結果、正孔阻止材料として蛍光青色発光材料として用いることができる化合物、特に特定のアントラセン誘導体を用いることにより、上述した課題を解決することが可能であることをみいだし本発明に到達した。即ち、本発明は下記の構成よりなる。
１．少なくとも一対の電極間に配置された発光層と、該発光層と直接に接する少なくとも一つの正孔阻止層を有する燐光発光素子であって、該正孔阻止層として蛍光の青色発光ホスト材料として用いることができる化合物を用いることを特徴とする燐光発光素子。
２．少なくとも一対の電極間に配置された電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層を有する項１に記載の燐光発光素子。
３．青色発光ホスト材料として用いることができる化合物が少なくとも１種の式（Ｆ１１）で表され、且つ分子量が３４０以上である化合物である項１または２に記載の燐光発光素子。
Figure 0004829486
ここで、Ａｎｔはｔ価のアントラセン環であり、ｔは１〜１０の整数であり、各Ａは独立に、下記（ａ１）〜（ａ６）の何れかである。ただし、（ａ６）は（ａ１）〜（ａ５）のうちの少なくとも１つの基と共存するものとする。
（ａ１）炭素数６〜１３０の置換若しくは非置換の非縮合環式炭化水素基であって、置換基が複素環式基を含まない１価の基
（ａ２）炭素数６〜１３０の置換非縮合環式炭化水素基であって、置換基が複素環式基を含む１価の基
（ａ３）炭素数１０〜１３０の置換若しくは非置換の縮合環式炭化水素基であって、置換基が複素環式基を含まない１価の基
（ａ４）炭素数１０〜１３０の置換縮合環式炭化水素基であって、置換基が複素環式基を含む１価の基
（ａ５）１価の炭素数１〜１３０の置換若しくは非置換の複素環式基であって、アントラセン環に直結する原子が窒素原子以外の原子である複素環式基
（ａ６）１価の炭素数１〜５０の非環式炭化水素基
４．式（Ｆ１１）において、少なくとも１つのＡが、（ａ１）で示される基である、項３に記載の燐光発光素子。
５．式（Ｆ１１）において、少なくとも１つのＡが、（ａ２）で示される基である、項３に記載の燐光発光素子。
６．式（Ｆ１１）において、少なくとも１つのＡが、（ａ３）で示される基である、項３に記載の燐光発光素子。
７．式（Ｆ１１）において、少なくとも１つのＡが、（ａ４）で示される基である、項３に記載の燐光発光素子。
８．式（Ｆ１１）において、少なくとも１つのＡが、（ａ５）で示される基である、項３に記載の燐光発光素子。
９．式（Ｆ１１）において、少なくとも１つのＡが、（ａ６）で示される基であり、少なくとも１つのＡが（ａ１）〜（ａ５）で示される基の何れかである項３に記載の燐光発光素子。
１０．（ａ１）が１〜１０個の置換若しくは非置換のベンゼン環を含む基である項４に記載の燐光発光素子。
１１．（ａ３）が置換若しくは非置換のナフタレン環、アントラセン環、フェナントロレン環、ピレン環、およびフルオレン環から選択される１〜１０個の環を含む基である項６に記載の燐光発光素子。
１２．（ａ５）が置換若しくは非置換の下記複素環から選択される１〜１０個の環を含む基である項８に記載の燐光発光素子。
Figure 0004829486
 ここで、Ｒは水素、炭素数１〜６のアルキル、炭素数６〜１８のアリールである。
１３．Ａの置換基が置換若しくは非置換のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントロレン環、ピレン環、、フルオレン環、及び置換若しくは非置換の下記環
Figure 0004829486
 ここで、Ｒは水素、炭素数１〜６のアルキル、炭素数６〜１８のアリールである。
並びにフェニルエテニル及びジフェニルエテニルから選択される１〜１０個の環または基を含む基である項１０〜１２の何れか１項に記載の燐光発光素子。
１４．Ａの置換基の置換基が、炭素数１〜１２のアルキルであって、このアルキルにおける任意のメチレンが−Ｏ−で置き換えられてもよく、１位のメチレン以外の任意のメチレンは炭素数６〜１２のアリーレンまたは炭素数３〜１２のシクロアルキレンで置き換えられてもよい基である項１０〜１２の何れか１項に記載の燐光発光素子。
１５．Ａの置換基の置換基が、炭素数１〜１２のアルキル、フェニルエテニルまたはジフェニルエテニルであって、このアルキルにおける任意のメチレンが−Ｏ−で置き換えられてもよく、１位のメチレン以外の任意のメチレンは炭素数６〜１２のアリーレンまたは炭素数３〜１２のシクロアルキレンで置き換えられてもよい基である項１３に記載の燐光発光素子。
１６．Ａが（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）、（ａ４）、（ａ５）及び（ａ６）から選択される少なくとも２種の基からなる項３〜１５の何れか１項に記載の燐光発光素子。
１７．Ａが（ａ１）のみからなる項４または１０に記載の燐光発光素子。
１８．Ａが（ａ３）のみからなる項６または１１に記載の燐光発光素子。
１９．Ａが（ａ１）と（ａ３）のみからなる項４、６、１０、１１または１６に記載の燐光発光素子。
２０．２個のＡがＡｎｔの９及び１０位に結合している項３〜１９の何れか１項に記載の燐光発光素子。
２１．ｔ＝２である項３〜２０の何れか１項に記載の燐光発光素子。
２２．ｔ＝３である項３〜２０の何れか１項に記載の燐光発光素子。
２３．ｔ＝４〜１０である項３〜２０の何れか１項に記載の燐光発光素子。
２４．式（Ｆ１１）において、ｔ＝１であり、Ａが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
２５．式（Ｆ１１）において、ｔ＝１であり、Ａがナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
２６．置換基の数が１〜３個である項２４または２５に記載の燐光発光素子。
２７．式（Ｆ１１）において、ｔ＝１であり、Ａが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された４個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
２８．式（Ｆ１１）において、ｔ＝１であり、Ａがナフチル、アントリルまたはフェナントリルから選択された１つの基の水素の任意に選択された４個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
２９．アントラセン環の置換基の位置が９位または１０位である項２４〜２８の何れか１項に記載の燐光発光素子。
３０．式（Ｆ１１）において、ｔ＝２であり、一方のＡが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されて得られる基であり、他方のＡがフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
３１．式（Ｆ１１）において、ｔ＝２であり、一方のＡがナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他方のＡがフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
３２．置換基の数が１〜３個である項３０または３１に記載の燐光発光素子。
３３．式（Ｆ１１）において、ｔ＝２であり、一方のＡが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された４個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他方のＡがフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された１〜４個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
３４．式（Ｆ１１）において、ｔ＝２であり、一方のＡがナフチル、アントリルまたはフェナントリルから選択された１つの基の水素の任意に選択された４個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他方のＡがフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル若しくはピリジルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された１〜４個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
３５．アントラセン環の置換基の位置が９位及び１０位である項３０〜３４の何れか１項に記載の燐光発光素子。
３６．式（Ｆ１１）において、ｔ＝３であり、一つのＡが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されて得られる基であり、他の二つのＡが独立にフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
３７．式（Ｆ１１）において、ｔ＝３であり、一つのＡがナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他の二つのＡが独立にフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
３８．置換基の数が１〜３個である項３６または３７に記載の燐光発光素子。
３９．式（Ｆ１１）において、ｔ＝３であり、一つのＡが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された４個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他の二つのＡが独立にフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された１〜４個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
４０．式（Ｆ１１）において、ｔ＝３であり、一つのＡがナフチル、アントリルまたはフェナントリルから選択された１つの基の水素の任意に選択された４個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他の二つのＡが独立にフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された１〜４個がメチル、エチル、ｔ−ブチル、メトキシ、エトキシ、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル、ピレニル、ベンジル、ピリジル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾール、キノリル及びキノキサリニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である項３に記載の燐光発光素子。
４１．アントラセン環の置換基の位置が９位及び１０位である項３６〜４０の何れか１項に記載の燐光発光素子。
４２．２個のＡの各々が１または２個の置換基を有し、その置換基が独立にビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニルまたはピレニルである項３０〜３５の何れか１項に記載の燐光発光素子。
４３．３個のＡの各々が１または２個の置換基を有し、その置換基が独立にビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニルまたはピレニルである項３６〜４１の何れか１項に記載の燐光発光素子。
４４．式（Ｆ１１）において、ｔ＝２であり、２個のＡの各々が１または２個の置換基を有し、Ａが独立にフェニル、ナフチル、アンスリル、フェナンスリル、フルオレニルまたはピレニルであり、置換基が独立にビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニルまたはピレニルである項３に記載の燐光発光素子。
４５．式（Ｆ１１）において、ｔ＝３であり、３個のＡの各々が１または２個の置換基を有し、Ａが独立にフェニル、ナフチル、アンスリル、フェナンスリル、フルオレニルまたはピレニルであり、置換基が独立にビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、フルオレニルまたはピレニルである項３に記載の燐光発光素子。
本発明は正孔阻止層に青色発光材料、特に特定の構造を有するアントラセン誘導体を用いることにより発光効率が大きく、長寿命の燐光発光素子を与えることを可能にした。
本発明の燐光発光素子は、少なくとも一対の電極間に配置された発光層と、これと直接に接する少なくとも一つの正孔阻止層を有する燐光発光素子であって、好ましくは陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層及び陽極の順に積層された燐光発光素子である。
本発明は、上述した正孔阻止層に蛍光の青色発光ホスト材料として用いることができる化合物、特に、前記式（Ｆ１１）で表されるアントラセン誘導体を含有させることを特徴とする。
式（Ｆ１１）で表されるアントラセン誘導体は置換基Ａによって１〜１０個の置換基を有することができる。Ａは（ａ１）〜（ａ６）の６種類の基に大別される。これらのうち（ａ１）〜（ａ５）は環式基であり、（ａ６）のみは非環式炭化水素基である。しかし、（ａ６）は必ず（ａ１）〜（ａ５）のうちの少なくとも１つの基とともに存在するためにアントラセン環の置換基の少なくとも１つは環式炭化水素基である。
（ａ１）は炭素数６〜１３０の置換若しくは非置換の非縮合環式炭化水素基である。非縮合環式炭化水素基としては置換若しくは非置換のベンゼン環、シクロアルカン環、架橋環式炭化水素等がある。これらの内でベンゼン環が好ましい。アントラセン環に直結する基は更に置換基を持つことができる。それらの置換基としては複素環式基以外には制約はない。（ａ１）としての炭素数が６〜１３０の範囲に入りさえすればよい。従って、上述した非縮合環式炭化水素基、後述する縮合環式炭化水素基または後述する非環式炭化水素基（複素環式基を含む場合を除く）でもよい。その置換基が更に置換基を持ってもよい。また、複数の置換基を持ってもよい。この様な思想は特に断らなくても（ａ１）〜（ａ６）に共通するものである。
さらに炭素数６〜１３０の置換若しくは非置換の非縮合環式炭化水素基の好ましい具体例としてはフェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２−ビフェニルイル、３−ビフェニルイル、４−ビフェニルイル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、４−ｔ−ブチルフェニル、２，４−ジｔ−ブチルフェニル、２，４，６−トリｔ−ブチルフェニル、4−シクロヘキシルフェニル、３−（２−フェニルエテニル）フェニル、４−（２―フェニルエテニル）フェニル、３−（２，２-ジフェニルエテニル）フェニル、４−（２，２-ジフェニルエテニル）フェニル、ｍ−ターフェニル−２’−イル、ｍ−ターフェニル−４’−イル、ｍ−ターフェニル−５’−イル、ｏ−ターフェニル−３’−イル、ｏ−ターフェニル−４’−イル、ｐ−ターフェニル−２’−イル、ｍ−タ−フェニル−２−イル、ｍ−ターフェニル−３−イル、ｍ−ターフェニル−４−イル、ｏ−ターフェニル−２−イル、ｏ−ターフェニル−３−イル、ｏ−ターフェニル−４−イル、ｐ−ターフェニル−２−イル、ｐ−ターフェニル−３−イル、ｐ−ターフェニル−４−イル、５’−フェニル−ｍ−ターフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−ターフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−ターフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニル、３，５−ジ（１−ナフチル）−フェニル、３，５−ジ（２−ナフチル）−フェニル等である。
（ａ２）は（ａ１）が置換基として後述する複素環式基を有する場合である。置換基としての複素環式基が必須であって、置換基として複素環式基以外に非縮合環式炭化水素基、縮合環式炭化水素基及び非環式炭化水素基の何れを有してもよい。ただアントラセン環に直結する基は（ａ１）の場合と同様に非縮合環式炭化水素基が必須である。複素環式基としては任意の複素環式基を用いることができるが、好ましくは式ＨＴ−１〜ＨＴ−８で表される８つの環を挙げることができる。
さらに複素環式基における好ましい具体例としては４−メチル―１，２，４−トリアゾール−３−イル、４−フェニル―１，２，４−トリアゾール−３−イル、５−フェニル-１，２，４−オキサジアゾール−２−イル、５−（４−ビフェニル）-１，２，４−オキサジアゾール−２−イル、３−メチル−ベンゾイミダゾール−２−イル、３−フェニル−ベンゾイミダゾール−２−イル、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル、２−キノリル、３−キノリル、４−キノリル、５−キノリル、６−キノリル、７−キノリル、８−キノリル、２−キノキサリニル、５−キノキサリニル、６−キノキサリニル、１−カルバゾリル、２−カルバゾリル、３−カルバゾリル、４−カルバゾリル、９−カルバゾリル、１−ジベンゾチエニル、２−ジベンゾチエニル、３−ジベンゾチエニル、４−ベンゾチエニル等が挙げられる。
（ａ３）は炭素数１０〜１３０の置換若しくは非置換の縮合環式炭化水素基である。縮合環式炭化水素基としては任意の縮合環式炭化水素環を用いることができるが、好ましくは置換若しくは非置換のナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、フルオレン環等を挙げることができる。これらの基はアントラセン環に直結する基の置換基としても用いることができる。それ以外の置換基として非縮合環式炭化水素基（ただし、複素環式基を含む場合を除く）を挙げることができる。
さらに炭素数１０〜１３０の置換若しくは非置換の縮合環式炭化水素基の好ましい具体例は、１−ナフチル、２−ナフチル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリル、１−フェナントリル、２−フェナントリル、３−フェナントリル、４−フェナントリル、９−フェナントリル、１−ピレニル、２−ピレニル、４−ピレニル、２−フルオレニル、４−メチル−１−ナフチル、４−ｔ−ブチル−１−ナフチル、６−メチル−２−ナフチル、６−ｔ−ブチル−２−ナフチル、４−メチル−１−アントリル、４−ｔ−ブチル−１−アントリル、１０−メチル−９−アントリル、１０−ｔ−ブチル−９−アントリル、９，９−ジメチル−２−フルオレニル、４−フェニル−１−ナフチル、６−フェニル−２−ナフチル、６−（２−ナフチル）−２−ナフチル、６−（１−ナフチル）−２−ナフチル、４−（２−ナフチル）−１−ナフチル、４−（１−ナフチル）−１−ナフチル、９，９−ジフェニル−２−フルオレニル等である。
また置換基として用いられる非縮合環式炭化水素基は（ａ１）で述べた基が好ましく用いられる。
（ａ４）はアントラセン環に直結する基は（ａ３）の場合と同様であるが、その置換基として複素環式基、非縮合環式炭化水素基、縮合環式炭化水素基及び非環式炭化水素基の何れを有してもよい。複素環式基、非縮合環式炭化水素基及び縮合環式炭化水素基の好適な具体例は（ａ１）〜（ａ３）で挙げられたとおりであり、非環式炭化水素基の好適な具体例は後述する。
（ａ５）は炭素数１〜１３０の置換若しくは非置換の複素環式基であって、アントラセン環に直結する原子が窒素原子以外の原子である複素環式基である。アントラセン直結基としては以上の制約以外に複素環としての制約は特にないが、好ましくは（ａ２）で挙げられた環である。更に、これらの基の置換基としては非縮合環式炭化水素基、複素環式基及び非環式炭化水素基から選択される。これらの基の好適な具体例としては（ａ１）から（ａ３）で挙げられた基を例示することができる。
（ａ６）は炭素数が１〜５０の非環式炭化水素基である。非環式とはアントラセン環に直結する原子が環式基を構成する原子ではないということであり、その連鎖の途中に環式基があってもよい。従って、アルキル、アルキレンのみならず、アラルキルでもよいし、シクロアルキル環を含んでいてもよい。更に任意のメチレンは−Ｏ−で置き換えてもよい。１位のメチレン以外の任意のメチレンはフェニレンまたはシクロアルキレンで置き換えられてもよい。また、フェニルエテニルまたはジフェニルエテニル等の二重結合含有基であってもよい。非環式炭化水素基として、好ましくは炭素数１〜１２のアルキルであり、このアルキルにおける任意のメチレンが−Ｏ−で置き換えられてもよく、１位のメチレン以外の任意のメチレンは炭素数６〜１２のアリーレンまたは炭素数３〜１２のシクロアルキレンで置き換えられてもよく、並びにフェニルエテニル及びジフェニルエテニルである。
またこれらの基の置換基としては非縮合環式炭化水素基、複素環式基及び非環式炭化水素基から選択される。これらの基の好適な具体例として、（ａ１）〜（ａ３）で挙げられた基を例示することができる。
さらに好ましい炭素数が１〜５０の非環式炭化水素基の具体例は、メチル、エチル、ノルマルプロピル、イソプロピル、ノルマルブチル、ｔ−ブチル、２―フェニルエテニル、２，２―フェニルエテニル、ベンジル、ジフェニルメチル、ジメチルベンジル、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、ｏ−トリルオキシ、ｍ−トリルオキシ、ｐ−トリルオキシ、１−ナフトキシ、２−ナフトキシ、２，４−ジメチルフェノキシ、２，６−ジメチルフェノキシ、２，４，６−トリメチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、２，４−ジｔ−ブチルフェノキシ、２，４，６−トリｔ−ブチルフェノキシ、２−フェニルエトキシ、２−（４−メチルフェニル）エトキシ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロぺンチル、シクロヘキシル等である。
アントラセン環直結基と前述したその置換基は単結合によって連結される。また、置換基とその置換基も単結合によって連結される。非縮合環式炭化水素基、非環式炭化水素基及び複素環式基が上述した一定の制約のもと縦横に単結合を介して連結することによって式（Ｆ１１）のＡが形成される。Ａは１〜１０個である。複数のＡが存在する場合には互いに同一でも、異なってもよい。アントラセン環には置換可能な位置は１〜１０位まであるが、置換基の位置は特に限定されない。
本発明で用いられるアントラセン誘導体の具体例を以下に例示する。
Figure 0004829486
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 上記の具体例の中でも化合物（3）、（6）、（8）、（10）、（12）、（16）、（20）、（23）、（32）、（36）、（42）、（43）、（52）、（53）、（62）、（64）および（71）が好ましい。
本発明で用いられるアントラセン誘導体は、鈴木カップリング反応のような既知の合成法を利用して合成することができる。鈴木カップリング反応は、塩基の存在下パラジウム触媒を用いて、芳香族ハライドと芳香族ボロン酸とをカップリングする方法である。その１例として式（8）で表される化合物の反応例を以下に示す。
Figure 0004829486
この反応で用いられるパラジウム触媒の具体例は、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4、ＰｄＣｌ2（ＰＰｈ3）2、Ｐｄ（ＯＡｃ）2等である。この反応で用いられる塩基の具体例は、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、酢酸ナトリウム、リン酸三カリウム、フッ化カリウム等である。さらに、この反応で用いられる溶媒の具体例は、ベンゼン、トルエン、キシレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエ−テル、１，４−ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である。これらの溶媒は、反応させる芳香族ハライドおよび芳香族ボロン酸の構造に応じて適宜選択できる。溶媒は単独で用いてもよく、混合溶媒として用いてもよい。
本発明の燐光発光素子に使用される発光層はホスト材料と燐光を放射するドーパントとからなる。ホスト材料およびドーパントとしては、化学工業２００４年６月号１３ページおよび、それにあげられた参考文献などに記載された化合物などが挙げられる。
本発明の燐光発光素子に使用される正孔注入材料および正孔輸送材料については、光導電材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、ｐ型半導体、有機電界発光素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。それらの具体例は、カルバゾール誘導体（Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等）、トリアリールアミン誘導体（芳香族第３級アミンを主鎖あるいは側鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル（以下、ＮＰＤと略記する。）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ｝トリフェニルアミン、スターバーストアミン誘導体等）、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシアニン等）、ポリシラン等である。
本発明の燐光発光素子に使用される電子輸送材料および電子注入材料は、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機電界発光素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。
このような電子伝達化合物の具体例として、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チオフェン誘導体、トリアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、オキシン誘導体の金属錯体、キノリノール系金属錯体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ガリウム錯体、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体、ボラン誘導体等である。
中でもピリジン誘導体（例えば、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（以下、ＰｙＰｙＳＰｙＰｙと略記する）、９，１０−ジ（２’，２”−ビピリジル）アントラセン、２，５−ジ（２’，２”−ビピリジル）チオフェン、２，５−ジ（３’，２”−ビピリジル）チオフェン、６’６”−ジ（２−ピリジル）２，２’：４’，３”：２”，２”−クアテルピリジン等）、フェナントロリン誘導体（例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチルー４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、９，１０−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）アントラセン、２，６−ジ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ピリジン、１，３，５−トリ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ベンゼン、９，９’−ジフルオル−ビス（１，１０−フェナントロリン−５−イル）等）、キノリノール系金属錯体（例えば、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と略記する。）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン）ベリリウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）−（４−フェニルフェノール）アルミニウム等）が好適である。
特にピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体を電子輸送層または電子注入層に用いると、低電圧、高効率を実現できる。
本発明の燐光発光素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法等の方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲である。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、材料の種類、膜の目的とする結晶構造および会合構造等により異なる。蒸着条件は一般的に、ボート加熱温度５０〜４００℃、真空度１０-6〜１０-3Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚２ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定することが好ましい。
次に、本発明の正孔阻止材料を用いて燐光発光素子を作成する方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光ホスト材料とドーパントからなる発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる燐光発光素子の作成法について説明する。適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法等により形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上に発光ホスト材料とドーパントを共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に正孔阻止層、電子輸送層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法等により形成させて陰極とすることにより、目的の燐光発光素子が得られる。なお、上述の燐光発光素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた燐光発光素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として印加すればよく、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、透明又は半透明の電極側（陽極又は陰極、および両方）より発光が観測できる。また、この燐光発光素子は、交流電圧を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
ガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さに蒸着したものを透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置の基板ホルダーに固定し、銅フタロシアニン（以下記号ＣｕＰｃで表記する）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＮＰＤを入れたモリブデン製蒸着用ボート、トリス［２−（２−ピリジニル）フェニル−Ｃ，Ｎ］−イリジウム（以下記号Ｉｒ（ｐｐｙ）３で表記する）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−ビフェニルを入れたモリブデン製蒸着用ボート（以下記号ＣＢＰで表記する）、化合物(８)を入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ａｌｑ３を入れたモリブデン製蒸着用ボート、弗化リチウムを入れたモリブデン製蒸着用ボート、およびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
真空槽を１×１０-3Ｐａまで減圧し、ＣｕＰｃが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚２０ｎｍになるように蒸着して正孔注入層を形成し、ついで、ＮＰＤが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が入ったボートとＣＢＰの入ったボートを同時に加熱して膜厚２０ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。次に、化合物（８）の入ったボートを加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して正孔阻止層を得た。Ｉｒ（ｐｐｙ）３とＣＢＰの重量比がおよそ８対９２になるように蒸着速度を調節した。その後、Ａｌｑ３を入れた蒸着用ボートを加熱して膜厚３５ｎｍになるように加熱して電子輸送層を形成した。
各層の蒸着速度は０．００１〜３．０ｎｍ／秒であった。その後、弗化リチウム入りの蒸着用ボートを加熱して膜厚０．５ｎｍになるように０．００３〜０．０１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して膜厚１００ｎｍになるように０．１〜１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着することにより、燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約８．３Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１４．０Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３７００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３００時間であった。
［比較例１］
実施例１の正孔阻止層において化合物（８）の代わりにビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラート）−アルミニウムを用いた以外は、実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約８．７Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約２９００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１０．５Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約２９００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３００時間であった。
［比較例２］
実施例１の正孔阻止層において化合物（８）の代わりに２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンを用いた以外は、実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約８．３Ｖの直流電圧を印加すると、約９．８ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１４．３Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また９．８ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３７００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約５０時間であった。
実施例１の電子輸送層においてＡｌｑ３の代わりに、２，５−ビス（６’−（２’、２’−ビピリジル））−１，１−ジメチルー３，４−ジフェニルシロールを用いたことと、正孔阻止層として、実施例１の化合物（８）の代わりに化合物化合物（３）を用いた以外は、実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約７．３Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１５．９Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３７００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約２９０時間であった。
実施例１の正孔阻止層として実施例１の化合物（８）の代わりに化合物（２４）を用いた以外は、実施例１と同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約７．８Ｖの直流電圧を印加すると、約１１．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１３．５Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１１ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３７００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３５０時間であった。
実施例１の正孔阻止層において化合物（８）の代わりに、化合物（６）を用いた以外は実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約８．０Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．５ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１３．８Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３６００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３１０時間であった。
実施例１の正孔阻止層において化合物（８）の代わりに、化合物（２３）を用いた以外は実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約８．６Ｖの直流電圧を印加すると、約９．５ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１４．２Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３８００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３１０時間であった。
実施例１の正孔阻止層において化合物（８）の代わりに、化合物（１６）を用いた以外は実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約８．３Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１４．０Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３７００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３１０時間であった。
実施例１の正孔阻止層において化合物（８）の代わりに、化合物（４２）を用いた以外は実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約７．８Ｖの直流電圧を印加すると、約１１．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１３．５Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３６００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３４０時間であった。
実施例１の正孔阻止層において化合物（８）の代わりに、化合物（５２）を用いた以外は実施例１と全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約８．０Ｖの直流
電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約３７００ｃｄ／ｍ2、発光効率は約１４．５Ｌｍ／Ｗで、波長５１０ｎｍをピークとするスペクトルを有する緑色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約３７００ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３２０時間であった。
ガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さに蒸着したものを透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置の基板ホルダーに固定し、ＣｕＰｃを入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＮＰＤを入れたモリブデン製蒸着用ボート、ビス［（４,６―ジフルオロフェニル）―ピリジネート-Ｎ，Ｃ2’］ピナコレートイリジウム（以下記号ＦＩｒｐｉｃで表す）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＣＢＰを入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（６２）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ａｌｑ３を入れたモリブデン製蒸着用ボート、弗化リチウムを入れたモリブデン製蒸着用ボート、およびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
真空槽を１×１０-3Ｐａまで減圧し、ＣｕＰｃが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚２０ｎｍになるように蒸着して正孔注入層を形成し、ついで、ＮＰＤが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、ＦＩｒｐｉｃが入ったボートとＣＢＰの入ったボートを同時に加熱して膜厚２０ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。その次に、化合物（６２）の入ったボートを加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して正孔阻止層を得た。ＦＩｒｐｉｃとＣＢＰの重量比がおおよそ８対９２になるように蒸着速度を調節した。次に、その後、Ａｌｑ３を入れた蒸着用ボートを加熱して膜厚３５ｎｍになるように加熱して電子輸送層を形成した。
各層の蒸着速度は０．０１〜３．０ｎｍ／秒であった。その後、弗化リチウム入りの蒸着用ボートを加熱して膜厚０．５ｎｍになるように０．００３〜０．０１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して膜厚１００ｎｍになるように０．１〜１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着することにより、燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約７．４９Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約８１６ｃｄ／ｍ2、発光効率は約３．４２Ｌｍ／Ｗで、青色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約８１６ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３００時間であった。
［比較例３］
実施例９において、正孔阻止層のおいて化合物(62)の代わりに、下記構造を有するトリアゾール誘導体を用いた以外は、全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約７．７３Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約７５８ｃｄ／ｍ2、発光効率は約３．０８Ｌｍ／Ｗで、青色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約７５８ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約１００時間であった。
Figure 0004829486
実施例９において、正孔阻止層において化合物（６２）の代わりに、化合物（７１）を用いた以外は、全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約７．５５Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約８３０ｃｄ／ｍ2、発光効率は約３．４５Ｌｍ／Ｗで、青色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約８３０ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約３２０時間であった。
実施例９において、正孔阻止層において化合物（６２）の代わりに、化合物（１２）を用いた以外は、全く同様にして燐光発光素子を得た。
ＩＴＯ電極を陽極、弗化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、約７．６０Ｖの直流電圧を印加すると、約１０．０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、輝度は約８２０ｃｄ／ｍ2、発光効率は約３．３９Ｌｍ／Ｗで、る青色発光を得た。また１０ｍＡ／ｃｍ2直流で印加し、連続駆動すると、初期輝度約８２０ｃｄ／ｍ2で、輝度半減時間は、約２９５時間であった。

Claims (13)

  1. 少なくとも一対の電極間に配置された発光層と、該発光層と直接に接する少なくとも一つの正孔阻止層を有する有機電界燐光発光素子であって、該正孔阻止層として少なくとも１種の式（Ｆ１１）で表され、且つ分子量が３４０以上である化合物を用いる有機電界燐光発光素子。
    Figure 0004829486
     ［式中、Ａｎｔはｔ価のアントラセン環であり、ｔは２〜４の整数であり、各Ａは独立に、下記（ａ１）〜（ａ４）の何れかである：
    （ａ１）置換若しくは非置換のフェニルであって、置換基がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、またはフルオレニルであり；
    （ａ２）置換フェニルであって、置換基がピリジルであり；
    （ａ３）置換若しくは非置換のナフチル、置換若しくは非置換のアントリルまたは置換若しくは非置換のフェナントリルであって、置換基がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、またはフルオレニルであり；
    （ａ４）置換ナフチル、置換アントリルまたは置換フェナントリルであって、置換基がピリジルである］
  2. ２個のＡがＡｎｔの９及び１０位に結合している請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
  3. ｔ＝３である請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
  4. ｔ＝４である請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
  5. 式（Ｆ１１）において、ｔ＝２であり、一方のＡが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他方のＡがフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
  6. 式（Ｆ１１）において、ｔ＝２であり、一方のＡがナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他方のＡがフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
  7. 置換基の数が１〜３個である請求項５または６に記載の有機電界燐光発光素子。
  8. アントラセン環の置換基の位置が９位及び１０位である請求項５〜７の何れか１項に記載の有機電界燐光発光素子。
  9. 式（Ｆ１１）において、ｔ＝３であり、一つのＡが置換フェニルであり、その置換フェニルはフェニルの水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されて得られる基であり、他の二つのＡが独立にフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
  10. 式（Ｆ１１）において、ｔ＝３であり、一つのＡがナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基であり、他の二つのＡが独立にフェニル、ナフチル、アントリル若しくはフェナントリルであるか、またはこれらの基から選択された１つの基の水素の任意に選択された少なくとも１個がフェニル、ビフェニル、ターフェニル、フェニルエテニル、ジフェニルエテニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びフルオレニルから選択される少なくとも１種の基で置換されている基である請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
  11. 置換基の数が１〜３個である請求項９または１０に記載の有機電界燐光発光素子。
  12. アントラセン環の置換基の位置が９位及び１０位である請求項９〜１１の何れか１項に記載の有機電界燐光発光素子。
  13. 少なくとも一対の電極間に配置された電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層を有する請求項１に記載の有機電界燐光発光素子。
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007026587A1 (en) * 2005-08-29 2007-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative and hole transporting material, light emitting element, and electronic appliance using the same
KR100828173B1 (ko) * 2005-11-22 2008-05-08 (주)그라쎌 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고 있는 표시소자
JP5168787B2 (ja) * 2006-01-20 2013-03-27 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
JP4979247B2 (ja) * 2006-03-08 2012-07-18 三井化学株式会社 アントラセン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
JP5055818B2 (ja) * 2006-04-19 2012-10-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JPWO2008015949A1 (ja) * 2006-08-04 2009-12-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2133932A4 (en) 2007-03-23 2011-06-22 Idemitsu Kosan Co ORGANIC EL-INSTALLATION
KR100935356B1 (ko) * 2007-11-19 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 녹색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기 전기 발광 소자
KR100940938B1 (ko) * 2007-12-04 2010-02-08 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
JP4662384B2 (ja) * 2007-12-25 2011-03-30 財団法人山形県産業技術振興機構 有機エレクトロルミネッセンス材料およびそれを用いた素子
CN101918370B (zh) * 2007-12-27 2013-06-12 新日铁化学株式会社 有机场致发光元件用化合物及使用其的有机场致发光元件
KR100991416B1 (ko) * 2007-12-31 2010-11-03 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR100974562B1 (ko) * 2007-12-31 2010-08-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR101001384B1 (ko) * 2008-02-29 2010-12-14 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
JP2009246354A (ja) * 2008-03-10 2009-10-22 Toray Ind Inc 発光素子
KR100901887B1 (ko) * 2008-03-14 2009-06-09 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 발광소자
KR100989815B1 (ko) * 2008-03-20 2010-10-29 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR100946411B1 (ko) * 2008-03-28 2010-03-09 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR100910150B1 (ko) * 2008-04-02 2009-08-03 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR20090105495A (ko) * 2008-04-02 2009-10-07 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
KR101495547B1 (ko) * 2008-04-17 2015-02-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 전자 재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자소자
KR20090111915A (ko) * 2008-04-23 2009-10-28 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR20100000772A (ko) * 2008-06-25 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
JP5532705B2 (ja) * 2008-07-01 2014-06-25 東レ株式会社 発光素子
EP2145936A3 (en) * 2008-07-14 2010-03-17 Gracel Display Inc. Fluorene and pyrene derivatives and organic electroluminescent device using the same
KR20100041043A (ko) * 2008-10-13 2010-04-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자
JP5685832B2 (ja) * 2009-05-29 2015-03-18 Jnc株式会社 ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン化合物、該化合物を含有する発光層用材料、およびこれを用いた有機電界発光素子
WO2011055608A1 (ja) * 2009-11-06 2011-05-12 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
CN102260257B (zh) * 2010-07-08 2013-05-01 中国科学院理化技术研究所 吡唑并[3，4-b]吡啶衍生物及其在白光有机电致发光器件中的应用
JP6221560B2 (ja) * 2012-09-27 2017-11-01 Jnc株式会社 有機電界発光素子
CN105143186A (zh) 2013-02-22 2015-12-09 出光兴产株式会社 蒽衍生物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
US10439156B2 (en) 2013-05-17 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, lighting device, and electronic device
CN104513206B (zh) * 2013-09-30 2019-07-19 北京鼎材科技有限公司 一种联蒽基衍生物及其应用
CN103772303B (zh) * 2014-01-14 2015-06-24 天津师范大学 蒽环三氮唑化合物及其制备方法与应用
KR102549533B1 (ko) * 2016-02-25 2023-06-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102230988B1 (ko) 2018-03-14 2021-03-23 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102794156B1 (ko) 2019-01-09 2025-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102412787B1 (ko) 2019-07-17 2022-06-23 주식회사 엘지화학 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102462753B1 (ko) 2019-09-11 2022-11-03 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102708228B1 (ko) 2019-09-25 2024-09-20 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102436480B1 (ko) 2019-09-25 2022-08-25 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102430998B1 (ko) 2019-10-11 2022-08-11 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102500431B1 (ko) 2019-11-18 2023-02-16 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102778556B1 (ko) 2019-11-22 2025-03-07 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102817436B1 (ko) 2020-02-07 2025-06-05 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102929274B1 (ko) 2020-02-07 2026-02-23 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20210152729A (ko) 2020-06-09 2021-12-16 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102648148B1 (ko) 2020-06-26 2024-03-15 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102455718B1 (ko) 2020-07-10 2022-10-17 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102681349B1 (ko) 2020-07-17 2024-07-03 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102929280B1 (ko) 2020-10-16 2026-02-20 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102929259B1 (ko) 2020-10-20 2026-02-20 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20240030028A (ko) 2022-08-29 2024-03-07 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0390551B1 (en) * 1989-03-31 1996-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
JPH11242996A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
US5935721A (en) * 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3870102B2 (ja) * 2001-02-22 2007-01-17 キヤノン株式会社 有機発光素子
US6565996B2 (en) * 2001-06-06 2003-05-20 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer
JP2003031374A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Sony Corp 有機電界発光素子
US6727644B2 (en) * 2001-08-06 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer
KR100691543B1 (ko) * 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP2004047329A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
KR20040017065A (ko) * 2002-08-20 2004-02-26 학교법인 인하학원 청색 유기 전계 발광 소자용 알루미늄 착 화합물, 그제조방법 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자
JP4336483B2 (ja) * 2002-09-04 2009-09-30 キヤノン株式会社 ジアザフルオレン化合物及びそれを用いた有機発光素子
TWI276369B (en) * 2002-09-20 2007-03-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
CN1703937B (zh) * 2002-10-09 2010-11-24 出光兴产株式会社 有机电致发光的器件
US7651787B2 (en) * 2003-02-19 2010-01-26 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7541097B2 (en) * 2003-02-19 2009-06-02 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US6881502B2 (en) * 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
TWI428053B (zh) * 2004-02-09 2014-02-21 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element
JP4947909B2 (ja) * 2004-03-25 2012-06-06 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7195829B2 (en) * 2004-03-30 2007-03-27 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
TW200613515A (en) * 2004-06-26 2006-05-01 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices

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