TW200540202A

TW200540202A - Composition for sealing optical semiconductor, optical semiconductor sealing material, amd method for producing composition for sealing optical semiconductor

Info

Publication number: TW200540202A
Application number: TW094112114A
Authority: TW
Inventors: Toshiyuki Akiike; Toru Kajita; Kinji Yamada
Original assignee: Jsr Corp
Priority date: 2004-04-16
Filing date: 2005-04-15
Publication date: 2005-12-16
Also published as: EP1736500A1; WO2005100445A1; KR20070000490A; EP1736500A4; US20070225465A1; JPWO2005100445A1

Description

200540202 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種藍色LED或白色LED之的封裝用組成物、該光半導體封裝材、使用於該成物之光半導體封裝用組成物的製造方法等。 4 【先前技術】 Φ 以往，光半導體封裝用樹脂一般係可使用以水甘油基醚爲主劑之環氧基化合物，但如此之環物因具有芳香環，在實施一使藍色或紫外光發光體的密封時，對於紫外線之耐久性（UV耐久性分。因此，爲改良光半導體封裝用樹脂之UV耐已提出一使用脂環式環氧基化合物（特開2 00 3 _ 公報），但依然UV耐久性難謂充分。 • 另外，具有矽氧烷骨架之樹脂係已知耐熱性 ,，將以聚二甲基矽氧烷作爲主骨架之樹脂用於光裝材的硏究正盛行。但此樹脂的情形，被指出有硬度不足，因具有沾黏性，易附著塵埃，或使用金屬的線路會受振動而斷裂，與基板之密著性不離等的缺點。因此，爲提高硬化物之硬度或密著性，已提氧烷系樹脂作爲硬且密著性亦高之矽氧烷系材料用一具有環氧基之倍半矽氧烷系樹脂的光半導體光半導體封裝用組雙酚A縮氧基化合之光半導 )會不充久性，雖 •82062 號優，近年半導體封硬化物之於配線之足而易剝出倍半矽，尤其使封裝材已 -5- 200540202 (2) 揭示於特開昭62- 1 0663 2號公報中。但爲使特開昭62-1 0663 2號公報之倍半矽氧烷系樹脂粘合成型，若餾去溶劑，會進行凝膠化，成型變困難，若膜厚變厚，因產生龜裂或氣泡等，實用上無法承受作爲光半導體封裝材。具有環氧基之聚有機矽氧烷的製造方法，已知有於具有Si-H鍵 β 之聚有機矽氧烷上利用鉛、铑或釕觸媒而加成具有乙烯基 4 之環氧基衍生物（參考特開平0 1 -29742 1號公報、特開平 φ 02-067290號公報、特開平04-252228號公報、特開平04-3 52793號公報、特開平0 8-04 1 1 68號公報及特開平12-1 03 8 5 9號公報）。但具有Si-H之聚有機矽氧烷係有對於水分，不安定，很難處理，原料昂貴之問題。又，觸媒殘存時，亦有成爲著色之原因。【發明內容】發明之揭示 # 本發明係鑑於上述實情，故其目的在於提供一種可粘 . 合成型，且即使膜厚很厚，於硬化物亦不會產生龜裂或氣泡，而且爲無色透明，可形成UV耐久性、耐熱性優之光半導體封裝材的光半導體封裝用組成物、該光半導體封裝用組成物之製造方法。本發明之再另一目的及優點係從以下之說明明確可知〇若依本發明，本發明之上述目的及優點係第1，藉由一種聚有機矽氧烷，其係以下述式（1 ) -6 - 200540202 (3)

)-n 1 R /IV xlsi γ1) η 3-

ii /V (其中，χ表示具有丨個以上環氧基之一價有機基、…表示氯原子、溴原子、碘原子或碳數〗〜〗〇之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷氧基’ R1表示氫原子、氟原子、碳數1〜20 之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷基、碳數1〜20之直鏈狀、分枝狀或環狀的取代烷基、碳數2〜20之直鏈狀、分枝狀或環狀的烯烴基、碳數6〜20之芳基或碳數7〜20之芳烷基，η爲0〜2的整數）所示之矽烷化合物及/或其部分縮合物、及以下述式（2 ) (R2)—Si—(Υ2), …（2) m 4一m (其中，Y2表示氯原子、溴原子、碘原子或碳數1〜2 0之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷氧基’ R2表示氫原子、氟原子、碳數1〜20之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷基、碳數1〜20 之直鏈狀、分枝狀或環狀的取代烷基、碳數2〜20之直鏈狀、分枝狀或環狀的烯烴基、碳數6〜20之芳基或碳數 7〜20之芳烷基，m爲0〜3的整數）所示之矽烷化合物及/或其部分縮合物，在有機溶劑、有機鹼及水的存在下加熱而水解/縮合所得到之聚苯乙烯換算重量平均分子量5 00〜1，〇〇〇,〇〇〇的聚有機矽氧烷來達成 200540202 (4) 若依本發明，本發明之上述目的及優點係第2，藉由上述本發明之聚有機矽氧烷的製造方法來達成，其特徵在於：以上述式（1 )所示之矽烷化合物及/或其部分縮合物、與上述式（2 )所示之矽烷化合物及/或其部分縮合物，在有機溶劑、有機鹼及水的存在下加熱而水解/ •縮合。 φ 若依本發明，本發明之上述目的及優點係第3，藉由一種光半導體封裝用組成物（以下有時亦稱爲光半導體封裝用組成物[I])來達成，其特徵在於：含有 (A )滿足下述（i )及（i i )之至少任一條件之上述聚有機矽氧烷； (i) 環氧當量爲l，600g/莫耳以下； (ii) 源自以上述式（1 )所示之矽烷化合物的重複單元之含有率爲全重複單元的至少5莫耳％ :及 # ( B 1 )羧酸酐。若依本發明，本發明之上述目的及優點係第4，藉由一種光半導體封裝用組成物[I]之調製方法來達成，其特徵在於：混合上述聚有機矽氧烷（A )及羧酸酐（ B 1 )。若依本發明，本發明之上述目的及優點係第5，藉由一種光半導體封裝用組成物（以下有時亦稱爲光半導體封裝用組成物[Π])來達成，其特徵在於：含有 (A )滿足下述（i )及（i i )之至少任一條件之上述 -8 - 200540202 (5) 聚有機矽氧烷； (i)環氧當量爲l，600g/莫耳以下； (η)源自以上述式（1 )所示之矽烷化合物的重複單兀之S有率爲全重複卓兀的至少5莫耳％; (B 1 )羧酸酐；及 ^ ( C )硬化促進劑。 •若依本發明’本發明之上述目的及優點係第6， # 藉由一種光半導體封裝用組成物[II]之調製方法來達成，其特徵在於：混合上述聚有機矽氧烷（A )、羧酸酐 (B 1 )及硬化促進劑（C )。若依本發明’本發明之上述目的及優點係第7，藉由一種光半導體封裝用組成物（以下有時亦稱爲光半導體封裝用組成物[III])來達成，其特徵在於：含有 (A )滿足下述（i )及（π )之至少任一條件之上述聚有機矽氧烷； Φ ⑴環氧當量爲1，6〇〇g/莫耳以下； (ϋ)源自以上述式（1 )所示之矽烷化合物的重複單元之含有率爲全重複單元的至少5莫耳％; (B2)熱酸產生劑。若依本發明，本發明之上述目的及優點係第8，藉由本發明之第3組成物之調製方法來達成，其特徵在於：混合聚有機矽氧烷（A )及熱酸產生劑（B 2 )。若依本發明，本發明之上述目的及優點係第9，藉由由加熱硬化本發明之上述第1、第2或第3組成 -9 - 200540202 (6) 物之硬化物所構成的光半導體封裝材來達成。最後，若依本發明，本發明之上述目的及優點係第1 〇藉由以本發明之光半導體封裝材所封裝之光半導體來達成。 _ 發明之較佳實施態樣 φ 以下，詳細說明本發明。聚有機矽氧烷（α)及其製造方法本發明之聚有機矽氧烷（α )係以前述式（1)所示之矽烷化合物（以下稱爲「矽烷化合物（1 )」）及/或其部分縮合物（以下，亦歸納砂垸化合物（1 )與其部分縮合物而稱爲「矽烷化合物（1 )等」）、與以前述式（2 ) 所示之矽烷化合物（以下稱爲「矽烷化合物（2 )」）及/ # 或其部分縮合物（以下，亦歸納矽烷化合物（2 )與其部 ( 分縮合物而稱爲「矽烷化合物（2 )等」），在有機溶劑、有機鹼及水的存在下加熱而水解/縮合所得到之聚有機矽氧烷。式（1)中，具有X之環氧基1個以上之一價有機基並無特別限定，但可舉例：r -環氧丙氧基丙基、3，4-環氧基環戊基、3，4 -環氧基環己基、（3，4 -環氧基環戊基 )甲基、（3，4 -環氧基環己基）乙基、2-(3，4 -環氧基環戊基）乙基、2-(3，4-環氧基環己基）乙基、2-(3, -10- 200540202 (7) 4-環氧基環戊基）丙基、2-(3，4-環氧基環己基）丙基、 3-(3’ 4 -環氧基環戊基）丙基、3-(3，4 -環氧基環己基 )丙基等之碳數5〜20之基。具有此等之環氧基1個以上之1價有機基中，宜含有 r-環氧丙氧基丙基、2-(3，4-環氧基環己基）乙基、環氧基環己基之上述一價有機基’尤宜爲2- (3，4 -環氧基環己基）乙基。 φ 式（1)中，Y1表不氯原子、溴原子、碘原子或碳數丨〜“ 之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷氧基。此等之基係在有機鹼及水的存在下之水解/縮合反應之過程中產生矽烷醇基，在該矽烷醇基間引起縮合反應或該矽烷醇基與具有氯原子、溴原子、碘原子乃至該烷氧基之矽原子之間引起縮合反應，以形成矽氧烷鍵之基。在式（1)中，Y1之碳數1〜2 0的直鏈狀、分枝狀或環狀之烷氧基可舉例：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧 • 基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基、環戊氧基、環己氧基等。式（1 )中之Y1宜爲氯原子、甲氧基、乙氧基等。在式（1)中，R1之碳數1〜2 0的直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基可舉例：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、環戊基、環己基等。 R1之碳數1〜2 0的直鏈狀、分枝狀或環狀之取代院基可舉例： -11 - 200540202 (8) 氟甲基、三氟甲基、2-氟乙基、（三氟甲基）甲基、五氟乙基、3-氟-正丙基、2-(三氟甲基）乙基、（五氟乙基 )甲基、七氟-正丙基、4-氟-正丁基、3-(三氟甲基）·正丙基、2-(五氟乙基）乙基、（七氟-正丙基）甲基、九氟-正丁基、五氟-正戊基、4-(三氟甲基）-正丁基、3_(五氟乙基）-正 • 丙基、2-(七氟-正丙基）乙基、（九氟-正丁基）甲基、全氟正 - 戊基、六-氟正己基、5-(三氟甲基）-正戊基、4-(五氟乙 φ 基）-正丁基、3-(七氟正丙基）-正丙基、2-(九氟-正丁基）乙基、（全氟正戊基）甲基、全氟正己基、7-(三氟甲基）-正庚基、6-(五氟乙基）-正己基、5-(七氟-正丙基）-正戊基、4-(九氟-正丁基）-正丁基、3-(全氟-正戊基）-正丙基、3-(全氟-正己基）乙基、（全氟正庚基）甲基、全氟正辛基、9-(三氟甲基）_正壬基、8-(五氟乙基）-正辛基、7_(七氟-正丙基）-正庚基、（九氟-正丁基）-正己基、5-(全氟-正戊基）-正戊基、4-(全氟-正己基）-正丁基、3-(全氟-正庚 Φ 基）-正丙基、2-(全氟-正辛基）乙基、（全氟·正壬基） β 甲基、全氟-正癸基、全氟環戊基、4-氟環己基等之氟烷基氯甲基、2-氯乙基、3-氯-正丙基、4-氯-正丁基、3- 氯環戊基、4-氯環己基、羥甲基、2-羥乙基、3-羥環戊基、4 -羥環己基；3-(甲基）丙醯氧基丙基、3 -氫硫基丙基等〇 R1之碳數2〜20的直鏈狀、分枝或環狀的烯烴基可舉例：乙烯基、卜甲基乙烯基、1 -丙烯基、烯丙基（2 -丙烯 -12- 200540202 (9) 基）、2-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-環戊烯基、3-環己烯基等。 R1之碳數6〜20的芳基可舉例如：苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、2，3-二甲苯基、2，4-二甲苯基、2 ，5-二甲苯基、2，6-二曱苯基、3，4-二甲苯基、3，5-二甲苯基、1-萘基等。 R1之碳數7〜20的芳烷基可舉例如苯甲基、苯乙基等式（1)中之R1宜爲甲基、乙基等。矽烷化合物（1 )之具體例係可分別舉出 n = 0之化合物即r -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、 r-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3，4-環氧基環己基）乙基三甲氧基矽烷、2-(3，4-環氧基環己基）乙基三甲氧基矽烷等；之化合物即（7-環氧丙氧基丙基）（甲基）二甲氧基 9 矽烷、（r-環氧丙氧基丙基）（乙基）二甲氧基矽烷、（r-環 , 氧丙氧基丙基）（甲基）二乙氧基矽烷、（7-環氧丙氧基丙基 )(乙基）二乙氧基矽烷、[2-(3，4-環氧基環己基）乙基]( 甲基）二甲氧基矽烷、[2-(3，4-環氧基環己基）乙基](乙基）二甲氧基矽烷、[2-(3，4-環氧基環己基）乙基](甲基 )二乙氧基矽烷、[2-(3，4-環氧基環己基）乙基](乙基）二乙氧基矽烷等； n = 2之化合物即-環氧丙氧基丙基）（甲氧基）二甲基矽烷、（r -環氧丙氧基丙基）（甲氧基）二乙氧基矽烷、（r - -13- 200540202 (10) 環氧丙氧基丙基）（乙氧基）二甲基砂院、（7 -環氧丙氧基丙基）（乙氧基）二乙基矽烷、[2-(3，4-環氧基環己基）乙基] (甲氧基）一甲氧基砂院、[2- (3，4 -環氧基環己基）乙基] (甲氧基）二乙氧基矽烷、[2-(3，4-環氧基環己基）乙基] (乙氧基）二甲基矽烷、[2-(3，4-環氧基環己基）乙基]( * 乙氧基）二乙氧基矽烷等。 "矽烷化合物（1 )之部分縮合物就商品名可舉例如： • ES1001N、ES1002T、ES 1 023 (以上，信越 Silicone (股 )製）；甲基矽酸鹽MSEP2 (三菱化學（股）製）等。在本發明中，矽烷化合物（1 )及其部分縮合物係可分別單獨或混合2種以上而使用。式（2)中，Y2表示氯原子、溴原子、碘原子或碳數 1〜20之直鍵狀、分枝狀或環狀的垸氧基。此等之基係在有機鹼及水的存在下之水解/縮合反應之過程中產生矽烷醇基，在該矽烷醇基間引起縮合反應或該矽烷醇基與具有氯 # 原子、溴原子、碘原子乃至該烷氧基之矽原子之間引起縮 ^ 合反應，以形成矽氧烷鍵之基。在式（2)中，Y2之碳數1〜2 0的直鏈狀、分枝狀或環狀之烷氧基可舉例如與有關在前述式（1)中之Y1的對應之基所例示者相同之基等。在式（2)中之Y2宜爲氯原子、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等。在式（2 )中，R2之碳數1〜20的直鏈狀、分枝狀或環 -14- 200540202 (11) 狀之烷基、碳數1〜2 ο的直鏈狀、分枝狀或環狀之取代烷基、碳數2〜20的直鏈狀、分枝狀或環狀之烯烴基、碳數 6〜20的芳基及碳數7〜20之芳烷基係可舉例如與有關在前述式（1 )中之R1的各別對應之基所例示者相同之基等。在式（2)中之R2宜爲氟原子、甲基、乙基、2-(三 "氟甲基）乙基、2-(全氟-正己基）乙基、2-(全氟-正辛 •基）乙基、羥乙基、2-羥乙基、3-(甲基）丙烯醯氧基丙 φ 基、3-氫硫基丙基、乙烯基、烯丙基、苯基等。矽烷化合物（2 )之具體例係可分別舉例： m = 0之化合物即四氯矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四-正丙氧基矽烷、四-異丙氧基矽烷、四-正丁氧基矽烷、四-第二丁氧基矽烷等； m= 1之化合物即三氯矽烷、三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、三-正丙氧基矽烷、三-異丙氧基矽烷、三-正丁氧基矽烷、三-第二丁氧基矽烷、 • 氟三氯矽烷、氟三甲氧基矽烷、氟三乙氧基矽烷、氟 ^ 三-正丙氧基矽烷、氟三-異丙氧基矽烷、氟三-正丁氧基矽烷、氟三-第二丁氧基矽烷、甲基三氯矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三-正丙氧基矽烷、甲基三-異丙氧基矽烷、甲基三-正丁氧基矽烷、甲基三-第二丁氧基矽烷、 2-(三氟甲基）乙基三氯矽烷、2-(三氟甲基）乙基三甲氧基矽烷、2-(三氟甲基）乙基三乙氧基矽烷、2-(三氟甲基 )乙基三-正丙氧基矽烷、2-(三氟甲基）乙基三-異丙氧基矽 -15- 200540202 (12) 烷、2-(三氟甲基）乙基三-正丁氧基矽烷、2-(三氟甲基）乙基三-第二丁氧基矽烷、2-(全氟-正己基）乙基三氯矽烷、 2-(全氟-正己基）乙基三甲氧基矽烷、2-(全氟-正己基）乙基三乙氧基矽烷、2-(全氟-正己基）乙基三-正丙氧基矽烷、 2-(全氟-正己基）乙基三-異丙氧基矽烷、2-(全氟-正己基） '乙基三-正丁氧基矽烷、2-(全氟-正己基）乙基三-第二丁氧 μ 基矽烷、 φ 2-(全氟-正辛基）乙基三氯矽烷、2-(全氟-正辛基）乙基三甲氧基矽烷、2-(全氟-正辛基）乙基三乙氧基矽烷、2-( 全氟-正辛基）乙基三-正丙氧基矽烷、2-(全氟-正辛基）乙基三-異丙氧基矽烷、2-(全氟·正辛基）乙基三-正丁氧基矽烷、2-(全氟-正辛基）乙基二-第二丁氧基砂院、烴基甲基三氯矽烷、烴基甲基三甲氧基矽烷、烴基乙基三甲氧基矽烷、烴基甲基三-正丙氧基矽烷、烴基甲基三-異丙氧基矽烷、烴基甲基三-正丁氧基矽烷、烴基甲基 • 三-第二丁氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、 , 3-(甲基）丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基）丙烯醯氧基丙基三-正丙氧基矽烷、3-(甲基）丙烯醯氧基丙基三-異丙氧基矽烷、3-(甲基）丙烯醯氧基丙基三-正丁氧基矽烷、3-(甲基）丙烯醯氧基丙基三-第二丁氧基矽烷、 3 -氫硫基丙基三氯矽烷、3 -氫硫基丙基三甲氧基矽烷、3 -氫硫基丙基三乙氧基矽烷、3_氫硫基丙基三-正丙氧基矽烷、3 -氫硫基丙基三-異丙氧基矽烷、3 _氫硫基丙基三-正丁氧基矽烷、3-氫硫基丙基三-第二丁氧基矽烷、 -16 - 200540202 (13) 乙稀基三氯砂院、乙嫌基二甲氧基砂院、乙儲基二乙氧基矽烷、乙烯基三-正丙氧基矽烷、乙烯基三-異丙氧基矽烷、乙烯基三-正丁氧基矽烷、乙烯基三-第二丁氧基矽院、烯丙基三氯矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙 # 氧基矽烷、烯丙基三-正丙氧基矽烷、烯丙基三-異丙氧基 •砂院、儲丙基三-正丁氧基砂院、丙基三-第二丁氧基砂 # 院、苯基三氯矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三-正丙氧基矽烷、苯基三-異丙氧基矽烷、苯基三-正丁氧基矽烷、苯基三-第二丁氧基矽烷等； m = 2之化合物即甲基二氯矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、甲基二-正丙氧基矽烷、甲基二-異丙氧基矽烷、甲基二-正丁氧基矽烷、甲基二-第二丁氧基矽院、 # 二甲基二氯矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙 ^ 氧基矽烷、二甲基二-正丙氧基矽烷、二甲基二-異丙氧基矽烷、二甲基二·正丁氧基矽烷、二甲基二-第二丁氧基矽烷、 (甲基）[2-(全氟-正辛基）乙基]二氯矽烷、（甲基）[2-(全氟-正辛基）乙基]二甲氧基矽烷、（甲基）[2 _(全氟-正辛基）乙基]二乙氧基矽烷、（甲基）[2-(全氟-正辛基）乙基]二-正丙氧基矽烷、（甲基）[2-(全氟-正辛基）乙基]二-異丙氧基矽烷、（甲基）[2 _(全氟-正辛基）乙基]二-正丁氧基矽烷、（甲 -17- 200540202 (14) 基）[2-(全氟-正辛基）乙基]二-第二丁氧基矽烷、 (甲基）（r-環氧丙氧基丙基）二氯矽烷、（甲基）（r-環氧丙氧基丙基）二甲氧基矽烷、（甲基）（r -環氧丙氧基丙基 )二乙氧基矽烷、（甲基）（r-環氧丙氧基丙基）二-正丙氧基矽烷、（甲基）（r -環氧丙氧基丙基）二-異丙氧基矽烷、（甲基）（r-環氧丙氧基丙基）二-正丁氧基矽烷、（甲基）（r-環氧丙氧基丙基）二-第二丁氧基矽烷、 ·(甲基）（3-氫硫基丙基）二氯矽烷、（甲基）（3_氫硫基丙基）二甲氧基矽烷、（甲基）（3-氫硫基丙基）二乙氧基矽烷、（甲基）（3-氫硫基丙基）二-正丙氧基矽烷、（甲基）（3-氫硫基丙基）二-異丙氧基矽烷、（甲基）（3-氫硫基丙基）二-正丁氧基矽烷、（甲基）（3-氫硫基丙基）二-第二丁氧基矽烷、 (甲基）（乙烯基）二氯矽烷、（甲基）（乙烯基）二甲氧基矽烷、（甲基）（乙烯基）二乙氧基矽烷、（甲基）（乙烯基）二-正丙氧基矽烷、（甲基）（乙烯基）二-異丙氧基矽烷、（甲基）（乙 Φ 烯基）二-正丁氧基矽烷、（甲基）（乙烯基）二-第二丁氧基矽 .院、二乙烯基二氯矽烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷、二乙烯基二-正丙氧基矽烷、二乙烯基二-異丙氧基矽烷、二乙烯基二-正丁氧基矽烷、二乙烯基

二苯基二氯矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二-正丙氧基矽烷、二苯基二-異丙氧基矽烷、二苯基二-正丁氧基矽烷、二苯基二-第二丁氧基矽 •18- 200540202 (15) 烷等； m = 3之化合物即氯二甲基矽烷、甲氧基氯二甲基矽烷、乙氧基氯二甲基矽烷、氯三甲基矽烷、溴三甲基矽烷、碘三甲基矽烷、甲氧基氯三甲基矽烷、乙氧基氯三甲基矽烷、正丙氧基三甲基矽烷、異丙氧基三甲基矽烷、正丁氧基三甲基矽烷、第二丁氧基三甲基矽烷、第三丁氧基三甲基矽烷、 • (氯）（乙烯基）二甲基矽烷、（甲氧基）（乙烯基）二甲基矽烷、乙氧基（乙烯基）二甲基矽烷、 (氯）（甲基）二苯基矽烷、（甲氧基）（甲基）二苯基矽烷、（乙氧基）（甲基）二苯基矽烷等。此等之矽烷化合物（2 )之中，宜爲四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、 3-(甲基）丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基）丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三 # 乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷 .、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷等。矽烷化合物（2 )之部分縮合物就商品名可舉例如= KC-89、KC-89S、 X-21-3153、 X - 2 1 - 5 8 4 1、X - 2 卜 5 8 4 2 、X-2 1 -5 843、X-2 1 -5 844、 X-2 1 -5 845 > X-2 1 -5 846 ' X- 21-5847 、 X-21-5848 、 X-22-160AS 、 X-22-170B 、X-22- 170BX、X-22- 1 70D、X-22- 1 70DX、X-22- 1 76B、X-22_ 176D、X-22- 1 76DX、X-22- 1 76F、X-40-2308、X-40-265 1 -19- 200540202 (16) 、X-40-2 65 5A、X-40-267 1、X-40-26 72、X-40-9220、X-40-9225 、 X-40-9227 、 X-40-9246 、 X-40-9247 、 X-40-9250 、X-40-9323 、 X-41-1053 、 X-41-1056 、 X-41-1805 、 X-41-1810 、 KF6001 、 KF6002 、 KF6003 、 KR-212 、 KR-213 、 KR-217、KR220L、KR242A、KR271、KR282、KR3 00、 KR311、KR401N、KR5 00、KR510、KR5206、KR5 23 0、 • KR5235、R9218、KR9706 (以上，信越 Silicone (股）製 • );玻璃樹脂（昭和電工（股）製）；SH804、SH8 05、 SH806A、SH840、SR2400、SR2402、SR2405、SR2406、 SR2410、SR2411、SR2416、SR2420 (以上，Toray/Dow Corning/Silicone (股）製）；FZ3711、FZ3722 (以上，日本 Uni car (股）製）；DM S - S 1 2、DM S - S 1 5、DMS - S 2 1、 DMS-S27、DMS-S31、DMS-S32、DMS-S33、DMS-S35、 DMS-S38、DMS-S42、DMS-S45、DMS-S51、DMS-S227、 PDS-03 3 2、PDS-1615、PDS-993 1、XMS-5 025 (以上， • Chisso (股）製）；甲基矽酸鹽MS51、甲基矽酸鹽MS56 . 、（以上、三菱化學（股）製）；乙基矽酸鹽28、乙基矽酸鹽40、乙基矽酸鹽 48 (以上、Colcote (股）製）; GR100、GR65 0、GR908、GR9 50 (以上，昭和電工（股）製）等。本發明中，矽烷化合物（2 )及其部分縮合物係可分別單獨或混合2種以上而使用。聚有機矽氧烷（〇〇係宜藉由使矽烷化合物（1 )等與矽烷化合物（2)在有機溶劑、有機鹼及水的存在下加熱而水解 -20- 200540202 (17) /縮合來製造。前述有機溶劑係可使用例如烴、酮、酯、醚、醇等。前述烴係可舉例如：甲苯、二甲苯等；前述酮可舉例如：曱乙酮、甲基異丁基酮、甲基正戊基酮、二乙基酮、環己酮等；前述酯係可舉例如··醋酸乙酯、醋酸丁酯、醋 '酸異戊酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、3 -甲氧基丁基乙酸酯 •、乳酸乙酯等；前述醚可舉例如：乙二醇二甲基醚、乙二 φ 醇二乙基醚、四氫呋喃、二噁烷等；前述醇可舉例如：1 -己醇、4 -甲基-2-戊醇等、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單正丙基醚、乙二醇單正丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單正丙基醚等。此等之中，宜爲非水溶性者。此等之有機溶劑係可單獨或混合2以上而使用。有機溶劑之使用量相對於全矽烷化合物1 00重量份’ 宜爲50〜10,000重量份，更宜爲1〇〇〜5, 〇〇〇重量份。 # 前述有機鹼係可舉例如：如乙胺、二乙胺之1〜2級有 • 機胺；如三乙胺、三正丙基胺、三正丁基胺、吡啶、4-二甲基胺基吡啶之3級有機胺；如氫氧化四甲基銨之4級有曹機胺等。此等之有機鹼中宜爲如三乙胺、三正丙基胺、三正丁基胺、吡啶、4-二甲基胺基吡啶之3級有機胺；如氫氧化四甲基銨之4級有機胺等。製造聚有機矽氧烷（α )時，藉由使用有機鹼作爲觸媒，不產生環氧基開環等的副反應，可得到以高的水解/ -21 - 200540202 (18) 縮合速度作爲目的之聚有機矽氧烷（α )，故可得到生產安定性佳，顯示良好硬化性之組成物。有機胺之使用量係依有機胺之種類、溫度等之反應條件等而異，並無特別限定，但相對於全矽烷化合物，宜爲 0·01〜3倍莫耳、更宜爲0.05〜1倍莫耳。又，使用有機胺以外之有機鹼時的使用量，就約依據有機胺之量亦很充份〇 φ 製造聚有機矽氧烷（α )時之水的使用量。相對於全矽烷化合物，宜爲0.5〜100倍莫耳、更宜爲1〜30倍莫耳〇製造聚有機矽氧烷（α )時之水解/縮合反應係可將矽烷化合物（1 )等與矽烷化合物（1 )等溶解於有機溶劑中，使此溶液與有機鹼及水混合，而藉例如油浴等進行加熱來實施。水解/縮合反應時，使加熱溫度爲130°C以下，宜爲 # 4〇〜l2〇°C，而加熱0.5〜12小時左右，宜爲1〜8小時左右 ( 。又，加熱操作中係亦可攪拌混合液，亦可放置於回流下〇反應終止後，從反應液分取有機溶劑層，一般以水洗淨。此洗淨之際，係以含少量鹽之水，例如0.2重量％左右的硝酸銨水溶液等進行洗淨，洗淨操作很容易。洗淨係進行至洗淨後之水呈中性，其後，依需要以無水硫酸鈣、分子篩等之乾燥劑乾燥有機溶劑層後，藉濃縮，可得到作爲目的之聚有機矽氧烷（α )。 -22- 200540202 (19) 如此做法所得到之聚有機矽氧烷（α )因所殘存之水解性基例如烷氧基等或矽烷醇基很少，故即使不以溶劑稀釋，在室溫下保存1個月以上，亦不會凝膠化。依所希望，反應終了後，使所殘存之矽烷醇基藉六甲基二矽氨烷、三甲基氯矽烷、原甲酸乙酯等進行三甲基甲矽烷基化’可 β 進一步減少矽烷醇基。 •在有機鹼及水的存在下之水解/縮合反應，係不引起 φ 矽烷化合物（1 )等中之環氧基的開環反應或聚合反應等之副反應，而且使用含金屬觸媒時，有聚有機矽氧烷（^ )中之鈉、鉀、鉑、釕等之金屬雜質變少之優點。聚有機矽氧烷（α )係鉑、铑、釕、鈷、鈀、鎳之含量分別爲 lOppm以下。此等之金屬超過lOppm時，有時以熱進行著色。聚有機矽氧烷（α )之苯乙烯換算重量平均分子量（以下，稱爲「Mw」）爲 5 00〜1，000,000 ，宜爲 Φ 1，000〜100,000。 I 聚有機矽氧烷（α )宜滿足有關環氧當量之下述條件及有關源自矽烷化合物（1 )之構造單元含率之下述條件的至少一者之條件。亦即，環氧當量宜爲l，600g/莫耳以下，更宜爲 160〜900g/莫耳、最宜爲180〜5 00g/草耳。環氧當量若超過 l，600g/莫耳，恐於所得到之聚有機矽氧烷產生耐熱性降低或著色等的不佳情形。聚有機矽氧院（α )係在一個較佳的態樣中，環氧當 -23- 200540202 (20) 量爲l，600g/莫耳以下，再者，使鉑、釕、鈷、鈀及鎳任一者即使最大亦只含有lOppm。源自矽烷化合物（1 )構造單元的含有率宜爲全體構造單元之較佳爲5莫耳％以上、更宜爲1〇〜90莫耳％、最宜爲20〜80莫二％。若該構造單兀之含有率爲全構造單元之5旲耳％以下’恐於所得到之聚有機砂氧院產生耐熱性降低或著色等的不佳情形。 φ 進而，聚有機矽氧烷（α )係環氧當量滿足前述條件，宜相對於結合於3個以上之氧原子的矽原子之全矽原子的比率爲10%以上，宜爲20%以上。此時，相對於結合於 3個以上之氧原子的矽原子之全矽原子的比率爲不足10% ’恐從後述之各光半導體封裝用組成物所得到之硬化物的硬度或與基板之密著性產生不佳情形。聚有機矽氧烷（α )係除了可極適宜使用來作爲後述之各光半導體封裝用組成物中之主體成分外，尙可以單獨 ® 或與一般之聚有機矽氧烷混合，而例如用來作爲成型品、 .膜、積層材、塗料等。光半導體封裝用組成物及其調製方法本發明之光半導體封裝用組成物係由如下所構成： Π]滿足（Α)環氧當量爲l，600g/莫耳以下之條件及源自以式（1 )所示之矽烷化合物的構造單元含有率爲全構造單元的5莫耳％以上之條件的至少一者之條件的聚有機矽氧烷（α )(以下，稱爲「（ A )聚有機矽氧烷」）、 -24 - 200540202 (21) 以及含有（B1 )羧酸酐之光半導體封裝用組成物Π];或 [II] 含有（A )聚有機矽氧烷、（B1 )羧酸酐系硬化劑、以及（C )硬化促進劑之光半導體封裝用組成物[Π]; 或 [III] 含有（A)聚有機矽氧烷及（B2)熱酸產生劑之光半導體封裝用組成物（III)。 ‘在光半導體封裝用組成物[I]、[Π]及[III]中，（A)聚 φ 有機矽氧烷係可以單獨或混合2種以上而使用。 -(B 1 )羧酸酐- 在光半導體封裝用組成物（I )及光半導體封裝用組成物（II)中之（B1)羧酸酐係與（A)聚有機矽氧烷產生硬化反應之成分（硬化劑）。如此之（B 1 )羧酸酐並無特別限定，但宜爲脂環式羧酸酐。 Φ 前述脂環式羧酸酐例如，以下述式（3 )〜（1 2 )所示之化合物 -25- 200540202 (22)

或4-甲基四氫酞酸酐、甲基那吉酸（Nadic acid)酐、十二碳烯琥珀酸酐之外，尙有具有α -萜品烯、別羅勒烯等之共軛雙鍵的脂環式化合物與馬來酸之Diels-Alder反 -26- 200540202 (23) 應生成物或此等之氫添加物等◦又，前述Diels_Alder反應生成物或此等之氫添加物係可使用任意之構造異性體及任意之幾何異性體。又，前述脂環式羧酸酐係只要實質上不妨礙硬化反應，亦可適當地在化學上改質而使用。此等之脂環式羧酸酐中，從組成物之流動性或透明性 ’而言，宜爲以式（3)、式（5)、式（7)、式（8)或式 φ ( 9 )所示之化合物等。尤宜以式（3 )、式（5 )、式（7 )所示之化合物等。在本發明中，脂環式羧酸酐係可以單獨或混合2種以上而使用。在光半導體封裝用組成物[I]及光半導體封裝用組成物 [II]中係亦可使用脂肪族羧酸酐或芳香族羧酸酐1種以上作爲（B 1 )羧酸酐。此等係宜與脂環式羧酸酐倂用。前述脂肪族羧酸酐及芳香族羧酸酐係只要實質上不妨 # 礙硬化反應，亦可適當地在化學上改質而使用。 _ 脂肪族羧酸酐及芳香族羧酸酐之合計使用比率係相對於與脂環式羧酸酐之合計量，宜爲5 0重量％以下，進而宜爲3 0重量％以下。在光半導體封裝用組成物[I]及光半導體封裝用組成物 [II]中，（B1 )羧酸酐之使用量就相對於（A )聚有機矽氧烷中之環氧基1莫耳的羧酸酐基之當量比宜爲0·3〜1·5 ，進而宜爲〇·5〜1.3。此時，該當量比即使不足〇·3，或超過1 · 5，亦恐會產生所得到之硬化物的玻璃轉移點（Tg ) -27- 200540202 (24) 降低或著色等之不佳情形。進一步在光半導體封裝用組成物[I]及光半導體封裝用組成物[II]中，（)羧酸酐以外，就不損及本發明之預期的效果之範圍，相對於環氧基化合物或環氧樹脂之硬化劑，亦可倂用公知的成分（以下，稱爲「其他之硬化劑」 )、例如酚類、二氰二醯胺類、或、己二酸聯氨、酞酸聯氨等之有機聯氨類等1種以上。其他硬化劑之使用比率相對於（B 1 )羧酸酐，宜爲 50重量％以下，更宜爲30重量％以下。 -(C )硬化促進劑- 光半導體封裝用組成物[II]中之（C )硬化促進劑係促進（A )聚有機矽氧烷與與（B 1 )羧酸酐之硬化反應的成分。如此之（C )硬化促進劑並無特別限定，但可舉例如如苯甲基二甲胺、2，4，6 -三（二甲基胺基甲基）酚、環己基二甲胺、三乙醇胺之3級胺；2-甲基咪唑、2-正庚基咪唑、2-正十一碳烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪Π坐、1-苯甲基-2-甲基咪D坐、1-苯甲基-2 -苯基咪口坐、1，2·二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-(2_氰基乙基）-2-甲基咪唑、1-(2-氰基乙基）-2-正十一碳烷基咪唑、1-(2-氰乙基）-2-苯基咪唑、1-(2-氰乙基）-2·乙基-4-甲基咪唑、2 -苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2 -苯基- -28- 200540202 (25) 4，5-二（羥基甲基）咪唑、1-(2-氰基乙基）-2-苯基-4 ，5-二[(2，-氰乙氧基）甲基]咪唑、卜（2-氰乙基）-2-正十一碳烷基咪唑鑰偏苯三酸酯、1- ( 2-氰乙基）-2-苯基咪哗鐵偏苯三酸酯、1 - ( 2 -氰乙基）2 -乙基-4 -甲基咪哇鑰偏苯三酸酯、2，4-二胺基-6-[2，-甲基咪唑基-(1’）]乙基-s·三連氮、2，4-二胺基-6- [2，·正--碳烷基咪唑基-( • 1，）乙基-s-三連氮、2，4-二胺基-6-[2，-乙基-4’-甲基咪哗 φ 基- (1，）乙基-s-三連氮、2-甲基咪唑之三聚異氰酸加成物、2 -苯基咪嗤之三聚異氰酸加成物、2，4-二胺基-6- [2’-甲基咪U坐基-(1，）]乙基-S -三連氮之三聚異氰酸加成物之咪唑類；如二苯基磷、三苯基磷、亞磷酸三苯基之有機磷化合物；溴化氯化苯甲基三苯基鱗、溴化四正丁基鱗、溴化甲基三苯基鍈、溴化乙基三苯基鱗、溴化正丁基三苯基鱗、 # 溴化四苯基鱗、碘化乙基三苯基鱗、乙基三苯基錢乙酸酯、四正丁基鐵〇,〇 -二乙基碟二硫酸酯、四正丁基鐵苯並三唑酸酯、四正丁基鱗四氟硼酸酯、四正丁基鱗四苯基硼酸霉酯、四苯基鳞四苯基硼酸酯之四級鱗鹽；如1，8 -二氮雙環[5·4·〇]~Ι ^碳燦-7或其有機酸鹽之二氮雙環烯；如辛酸鋅、辛酸錫、iS乙醯基丙酮[錯合物之有機金屬化合物；如溴化四乙基錢、溴化四正丁基錢之四級錢鹽； -29- 200540202 (26) 如三氟化硼、硼酸三苯基之硼化合物；氯化鋅、氯化第二錫之金屬鹵化合物、二氰二醯胺或胺與環氧材脂之加成物等的胺加成型促進劑等之高融點分散型潛在性硬化促進劑；以聚合物被覆前述咪唑類、有機磷化合物或4級鐵鹽等之硬化促進劑的 '表面之微膠囊型潛在性硬化促進劑；胺鹽型潛在性硬化促 •進劑；路易士酸鹽、布忍斯特酸鹽等之高溫解離型的熱陽 φ 離子聚合型潛在性硬化促進劑等之潛在性硬化促進劑等。此等之（C )硬化促進劑中，咪唑類、四級鱗鹽、二氮雙環烯烴、有機金屬化合物及四級銨鹽就得到無色透明且即使長時間加熱亦難變色之硬化物而言佳。前述（C )硬化促進劑係可以單獨或混合2種以上而使用。在光半導體封裝用組成物[II]中，（C)之硬化促進劑之使用量，相對於（A )聚有機矽氧烷1 〇〇重量份，宜爲 # 0.01〜6重量份，更宜爲0.1〜4重量份。此時，（C)之硬 . 化促進劑之使用量若不足〇 · 〇 1重量份，有硬化反應之促進效果降低的傾向，另外，若超過6重量份，恐於所得到之硬化物會產生著色等之不佳情形。 -(B2 )熱酸產生劑· 在光半導體封裝用組成物[HI]中之（B2 )熱酸產生劑係藉加熱產生酸，藉其以引起（A)聚有機矽氧烷之硬化反應的成分。 -30- 200540202 (27) 如此之（B2 )熱酸產生劑並無特別限定，但可舉例如以下述式（1 3 )〜（1 8 )所示之化合物（以下，分別稱爲「化合物（1 3 )」〜「化合物（1 8 )」）。

H R6 _ 9_S:㊉ SbF60 R5 r7 …（1 4) …（1 5) H3C-C-〇-{ }-S；® 3 SbF60 0 ^ ch3

0㊉-c〜KH …（1 6)

SbF6G

L/S-CH2S= SbF6® ch3 C 、ch3 …（1 7)

• · · (18) 上述式中。分別爲烷基。其中宜爲化合物（16 )及（17 )。熱酸產生劑係相對於（A )聚有機矽氧烷 100重量份，宜爲0.001〜2 0重量份，更宜爲0.01〜10重量 -31 - 200540202 (28) 份，最宜爲0.05〜5重量份。 -其他之添加劑- 本發明之光半導體封裝用組成物[I]、[II]及[ΠΙ]分別就UV耐光性之改善、粘度之調整等的目的，依需要，亦可調配無機氧化物粒子。前述無機氧化物粒子並無特別限定，但可舉例如由含 _ 有至少一種選自 Si、Al、Zr、Ti、Zn、Ge、In、Sn、Sb 及Ce之群中的元素之氧化物所構成之粒子，更具體地，可舉例：氧化矽、氧化鋁、氧化銷、氧化鈦、氧化鋅、氧化鍺、氧化銦、氧化錫、銦-錫氧化物（ITO )、氧化銻、銻-錫氧化物（ΑΤΟ)、氧化鈽等之粒子。此等之無機氧化物粒子中，宜爲氧化矽、氧化鋁、氧化銷、氧化銻等之粒子。又，前述無機氧化物粒子係進行烷基化、聚矽氧烷基 9 化、（甲基）丙烯醯氧基烷基化、環氧丙氧基烷基化、胺 k 基烷基化等之適當的表面處理而使用。前述無機氧化物粒子係可以單獨或混合2種以上而使用。進一步，依需要，可與無機氧化物粒子一起倂用例如陽離子界面活性劑、陰離子界面活性劑、非離子界面活性劑、高分子分散劑等之分散劑1種以上。無機氧化物粒子之一次平均粒徑宜爲1 〇〇 nm以下，更宜爲1〜8 Onm。此時，若無機氧化物粒子之一次平均粒徑 -32- 200540202 (29) 超過1 0 0 nm，恐所得到之硬化物的透明性會受損。若無機氧化物粒子之使用量相對於（A )聚有機矽氧烷100重量份，宜爲90重量份以下，更宜爲80重量份以下。若無機氧化物粒子之使用量超過90重量份’組成物會增粘，恐加工變困難。前述無機氧化物粒子依情況，亦可使用來作爲分散於適當溶劑之分散液。前述溶劑係對於構成本發明之光半導體封裝用組成物的各成分及硬化反應爲隋性，只要具有適當的揮發性即可，並無特別限定，例如，甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、正辛醇、乙二醇單甲基醚、二乙二醇單正丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚之醇；如丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環己酮之酮如醋酸乙酯、醋酸正丁酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲基 # 醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、r-丁內酯之酯或內酯；如苯、甲苯、二甲苯之芳香族烴；如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮之醯胺或內醯胺等。此等之溶劑可以單獨或混合2種以上而使用。無機氧化物粒子之分散液的固形分濃度宜爲1〜60重量％，更宜爲5〜50重量％。無機氧化物粒子或其分散液爲市售，亦可使用此等之 -33- 200540202 (30) 市售品。無機氧化物粒子或其分散液之市售品（商品各）係可分舉例：氧化矽粒子之分散液即甲醇氧化矽溶膠、IPA-ST 、MEK-ST、NBA-ST、XBA-ST、DMAC-ST、ST-UP、ST-OUP、ST-C、ST-N、ST-0、ST-OL、ST-20、ST-40、ST-50 (以下，日產化學工業（股）製）；有機溶膠PL-2 PGME (丙二醇單甲基醚分散液，扶桑化學工業（股）製 _ )等，氧化矽粒子即 AEROSIL 130、AEROSIL 3 00、 AEROSIL 3 80、AEROSIL TT600、AEROSIL 0X50 (以下，日本AEROSIL (股）製）；矽克斯H31、矽克斯H32、矽克斯H51、矽克斯H52、矽克斯H121、矽克斯H122 ( 以上，旭硝子（股）製）；E220A、E220 (以上，日本 Silica 工業（股製）；SYLYSIA 470 (富士 SYLYSIA (股 )製）、SG FLAKE (日本板硝子（股）製）等，氧化鋁粒子之分散液即氧化鋁溶膠_1 00、氧化鋁溶膠-200、氧化 # 鋁溶膠-520 (以上，任一者均爲分散液、日產化學工業（ t 股）製）；AS-1501 (異丙醇分散液，住友大板Cement ( 股）製）；AS-150T (甲苯分散液、住友大板Cement (股 )製）等，氧化鉻粉子之分散液即HXU-110JC (甲苯分散液、住友大板Cement (股）製）、銻酸鋅粒子之分散液即矽耐斯（水分散液，日產化學工業（股）製）等，氧化鈽粒子之分散液即尼帝魯（水分散液，多木化學工業（股 )製）等。本發明之光半導體封裝用組成物[I]、[II]、及[ΙΠ]分 -34- 200540202 (31) 別爲抑制著色，依需要，亦可調配抗氧化劑、光安定劑或紫外線吸收劑。前述抗氧化劑就商品名，可舉例如：Sumilizer* BHT、 Sumilizer GM 、 Sumilizer GS 、 Sumilizer MDP-S 、 Sumilizer BBM-S、Sumilizer WX-R、Sumilizer GA-80、 Sumilizer TPL-R 、 Sumilizer TPM 、 Sumilizer TPS 、

Sumilizer TP-D (以上，住友化學工業（股）製）； Irganox 1 076 ' Irganox 5 65、Irganox 1 520、Irganox 245、 Irganox 1010、Irganox 1 098、Irganox 1 3 3 0、Irganox 1425 、Irganox 3 114 、 Irganox M D - 1 0 2 4 、（以上，Ciba Specialty Chemicals 公司製）；Cyanoxl 790 ( cytec 公司製）；TNP (四日市合成（股）製）；Weston618(Vorg Warner 公司製）；Irgafosl68 ( Ciba Specialty Chemical 公司製）；AdekastabPEP-36、 Adekas t ab HP -1 0 (以上，旭電化工業（股）製）；或 Sandstab P-EPQ、Ultranox626 等。前述光安定劑就商品名可舉例：Vi〇S〇rb04 (共同藥品（股）製）；Tinuvin622、Tinuvin765 (以上，Ciba Specialty Chemicals 公司製）；Cyasorb UV-3 346 ( Cytec 公司製）；AdekastabLA-57(旭電化工業（股）製）、或 Chimassorb 1 1 9、Chimassorb944 等。前述紫外線吸收劑就商品名可舉例：Viosorb 80、 Viosorb 110 、 Viosorb 130 、 Viosorb 520 、 Viosorb 583 、 Viosorb 5 90 (以上，共同藥品（股）製）；Tinuvin P、 -35- 200540202 (32)

Tinuvin 213 、 Tinuvin 234 、 Tinuvin 320 、 Tinuvin 326 、 Tinuvin 328 (以上，Ciba Specialty Chemicals 公司製）， AdekastabLA-31 (旭電化工業（股）製）等。進一步，在本發明之光半導體封裝用組成物中，依需要，在無損本發明之預期效果的範圍中，除可調配脂環式

I 環氧基化合物、芳香族環氧基化合物、乙二醇或丙二醇等 '之脂肪族多元醇、脂肪族或芳香族之羧酸、酚化合物等之 # 二氧化碳產生抑制劑；多元烯烴醇類、聚二甲基矽氧烷衍生物等之可撓性賦予劑；各種之橡膠或有機聚合物粒等之耐衝擊性改良劑之外，亦可調配可塑劑、滑劑、其他之偶合劑、耐燃劑、帶電防止劑、流平劑、離子捕捉劑、滑動性改良劑、搖變性賦予劑、表面張力降低劑、消泡劑、沉澱抑制劑、抗氧化劑、離型劑、螢光劑、著色劑、導電性塡充劑等之前述以外的添加劑。脂環式環氧基化合物可舉例如： •••(19) •••(2 0) <S^0sO^O0々 •••(2 1) <2^a(CH2)6^°^5> •••(22) <τΛ> •••(2 3) - 36- ··· (24) 200540202 (33) 〇 CH3 CH3 〇 U>O^-^Si-OSi^^O^ CH3 CH3

等。（19 )係 HBE100 (新日本理化）、YX 8 000 ( Japan

Epoxy Resin) 、(20)係 YL7040、(20)係 YL6753、( 2 2)係 YED216D (以上，Japan Epoxy Resin) 、 ( 23 )係 CE202 1 ( Daicel ) 、（24)係 LS7970 (可購自信越化學（股）製）。又，亦可使用 CE2080、CE3000、 CE2000、Epolead GT3 00、Epolead GT400、EHPE3 1 50 ( 以上，Daicel 化學工業（股））、YL7170、YL8034(以上 Japan Epoxy Resin )、W· 100 (新曰本理化（股））等光半導體封裝用組成物[I]、[II]、及[ΠΙ]之各別調製方法並無特別限定，可依以往公知之方法混合各成分而調製’但光半導體封裝用組成物[I ]之較佳調製方法係可舉例 :以前述要領使砂院化合物（1 )等與砂院化合物（2 )等水解/縮合以混合所得到的（A )聚有機矽氧烷與（β 1 )羧酸酐之方法。光半導體封裝用組成物[11 ]之較佳調製方法係可舉例：以前述要領使矽烷化合物（1 )等與矽烷化合物（2 )等水解/縮合以混合所得到的（a )聚有機矽氧院 -37- 200540202 (34) 與（B 1 )羧酸酐以及（C)硬化促進劑之方法。進一步，光半導體封裝用組成物[III]之調製方法並無特別限定，可依以往公知之方法混合各成分而調製。光半導體封裝用組成物[III]之較佳調製方法係可舉例 :使矽烷化合物（1)等與矽烷化合物（2 )等在有機溶劑，有機鹼及水之存在下加熱而水解/縮合以混合所得到的 ^ ( A )聚有機矽氧烷與（B2 )熱酸產生劑之方法。 # 又，光半導體封裝用組成物[I]係分別調製以（A)成分作爲主成分之聚有機矽氧烷液與以（B1)成分作爲主成分之硬化劑液，亦可使用時混合兩者而調製；光半導體封裝用組成物[II]係分別調製以（A)成分作爲主成分之聚有機矽氧烷液與以（B1)成分及（C)成分作爲主成分之硬化劑液，亦可使用時混合兩者而調製。光半導體封裝材 ® 本發明之光半導體封裝材係由使光半導體封裝用組成 . 物m、[II]、或[III]加熱硬化之硬化物所構成。 β 形成本發明之光半導體封裝材時，係於具有光半導體層之基板的特定處，使各光半導體封裝用組成物以例如塗布、粘合、含浸等施工後，加熱而硬化。各光半導體封裝用組成物之施工方法並無特別限定，可採用例如以點膠機進行塗布或粘合、在真空下或常壓下進行之網版印刷的塗布、反應射出成型等之公知方法。又，使施工後之各光半導體封裝用組成物硬化的方法 -38- 200540202 (35) ，並無特別限定，可使用例如密閉式硬化爐、可連續硬化之通道爐等以往公知的硬化裝置。用以硬化之加熱方法並無特別限定，可採用例如熱風循環式加熱、紅外線加熱、高周波加熱等之以往公知的方法。硬化條件宜爲例如80〜25 0°C、約30秒-15小時。硬 4 化之際，以降低硬化物之內部應力作爲目的之情形，係以 φ 例如80〜120°C、0.5〜5小時左右的條件預備硬化後，宜例如以120〜180 °C、約0.1〜15小時之條件後硬化，以短時間硬化作爲目的時，宜以例如150〜250°C、30秒〜30分之條件硬化。光半導體本發明之光半導體係由以本發明之光半導體封裝材所封裝之光半導體。 # 又，得到本發明之光半導體之際，可以任意之組合倂 . 用：使用光半導體封裝用組成物[I]之光半導體封裝材、使用光半導體封裝用組成物[II]之光半導體封裝材、與使用光半導體封裝用組成物[III]之光半導體封裝材。本發明之光半導體中的光半導體封裝材之膜厚宜爲 0.05mm以上，更宜爲0.1mm以上。又，光半導體封裝材之厚度的上限値可依所封裝之光半導體的用途等而適當選定。本發明之聚有機矽氧烷（α )可極適宜使用來作爲本 -39- 200540202 (36) 發明之光半導體封裝用組成物[I]、[Π]及[III]之各別的主成分。以（A)聚有機矽氧烷作爲主成分之本發明的光半導體封裝用組成物[I]、[Π]及[III]係可各別粘合成型，且即使膜厚很厚亦不會於硬化物產生龜裂或氣泡，而且，可形成無色透明且UV耐久性優之光半導體封裝材，例如可極 β 適當地使用於在50 Onm以下區域具有發光譜峰波長之藍色 Φ LED或白色LED等的封裝。【實施方式】實施例以下顯示實施例，更具體地說明本發明之實施形成形態，但本發明不限於此等實施例。各合成例所得到之（A )聚有機矽氧烷的粘度、Mw 及環氧當量的測定方法係如下述般。，粘度之測定方法：以TV型粘度計在25 °C下測定。

Mw之測定方法：以管柱·· Tosoh (股）製TSKgel GRCXLII、溶劑：四氫呋喃、溫度：40°C及壓力：68kgf/cm2之條件測定。環氧當量之測定方法： -40 - 200540202 (37) -碘化鉀水溶液- 將低碘酸鹽含量（〇 · 〇〇 3重量％以下）之碘化鉀溶解於蒸餾水5.〇g而調製。 -環氧基之滴定法- 1 介由一安裝著回流器與滴管之2分歧管而裝著吉 _ 斗冷卻管之1 25毫升的三角燒瓶中，裝入各試料（聚 φ 矽氧烷）1.0〜i.5g，而在附加熱板之磁攪拌子上一面一面回流，在試料溶解之時點立即加入指示劑20滴化鉀水溶液。其後，再使之回流後，以1N鹽酸滴定點。此終點係加入1N鹽酸1滴時，溶液從藍色變成，其黃色持續1分以上之點。 -環氧當量的算出法- 以試料重量爲W(g)、以所滴入之1N鹽酸之量 # V(毫升）時，藉下述式，算出環氧當量。

^ 環氧當量=1 000 X W/V -殘留金屬之定量方法-試樣調整採取試樣l〇mg以上置於石英硏缽內，在電氣爐 6 0 〇 °C下灰化。然後，加入王水〇 · 3 m 1而加熱乾固。施此2次後，添加王水〇 · 1 m 1，一面以水洗一面形成之水溶液。 3.0g 姆漏有機攪拌與碘至終黃色作爲中在再實 10ml -41 - 200540202 (38)

測定以感應結合型電獎質量分析計（I c P - M S )測定上述試樣。裝置係使用 Perkin Elmer Elan DRC plus，以 1.5KW 進仃。又’銘及鎳之情形係一面以〇 · 6 m 1 / m i n流入氨氣一面測定。 β 合成例1 Φ 在具備攪拌機、溫度計、滴下漏斗、回流冷卻管之反應容器中，加入甲基三甲氧基矽烷（MTMS ) 27.24g、2-(3，4-環氧基環己基）乙基三甲氧基矽烷（ECETS ) 49.28g、二甲基二甲氧基矽烷（DMDS) 12.02g、甲基異丁基酮（MIBK) 749.2g、三乙胺12.65g，在室溫下混合。然後，從滴下漏斗花30分鐘滴下去離子水9〇g後，在回流下混合，同時並在8 0 °C下反應4小時。反應終了後，取出有機層，以〇.2重量％硝酸氨水溶液洗淨至洗淨後之水 # 呈中性後，在減壓下餾去溶劑及水，而得到粘稠透明液體 . 之（A)聚有機矽氧烷。 β 對此（A )聚有機矽氧烷進行1H-NMR分析後，如理論強度般在化學位移（δ) =3· 2ppm附近依據環氧基之譜峰，可確認出在反應中不引起環氧基之副反應。將此（A)聚有機矽氧烷之粘度、Mw及環氧當量表示於表 1。合成例2〜4 -42- 200540202 (39) 除使入原料爲如表1所示般以外，其餘

1同樣地做法，而得到粘稠透明液體之各（A 氧烷。將各（A )聚有機矽氧烷之粘度、Mw及示於表1。 r ^ 合成例5 • 在具備攪拌機、溫度計、回流冷卻管之反將合成例4之聚合物5〇〇g溶解於原甲酸乙酯 1 3 0 °C下攪拌1小時，以真空幫浦餾去揮發成明粘稠液體。粘度爲2 P a · s、M w爲1 , 3 0 0， 185。又，殘留金屬量表示於表2中。比較合成例1 在具備溫度計、攪拌用旋轉子、冷卻管之 Φ 燒瓶中鑌入攪拌二噁烷1,2 〇〇 g與三氯矽烷1 -入水18g與二螺院18g之滴下漏斗安裝於上述，保持於25〜3(TC同時並滴下。滴下後，進一 30分鐘後，安裝一已置入乙醇3莫耳之滴下漏 2 5〜30 °C同時並滴下。其後，進一步攪拌120 應液，在約60 °C以下之減壓下餾去溶劑後，得低粘度液體。重量平均分子量爲1，600。比較合成例2 係與合成例 )聚有機矽環氧當量表應容器中， 500ml ，在分而得到透環氧當量爲 2升的4 口莫耳。將置 4 口燒瓶中步持續攪拌斗，保持於分。取出反到7 5.5g之 43- 200540202 (40) 在具備溫度計、攪拌用旋轉子、冷卻管、氮氣供給用導入管之2 0 〇 m 1的4 口燒瓶中鏆入一含有8 %氯化鈾酸之異丙醇〇.32g、烯丙基縮水甘油基醚30.0g、甲苯 50.8g。於滴下漏斗置入於比較合成例1製成之液體20.0g，並安裝於上述4 口燒瓶中。一面流入氮氣一面昇溫攪拌，內溫成爲70 °C後開始比較合成例1之液體的滴下，保持於 ^ 80〜8 5 °C同時並滴下。滴下終止後，在80〜85 °C下攪拌3 # 小時。反應終止後，在5 0 °C以下之減壓下餾去溶劑後，得到有著色之液體。重量平均分子量爲2,000，環氧當量爲 220g/莫耳。可以此方法合成含有環氧基之聚矽氧烷，但有使用很難處理之三氯矽烷、或必須2階段合成等的問題。

饋入原料(g) 粘度 Mw 環氧當量 MTMS ECETS DMDS MIBK (Pa · S) (g/莫耳）合成例1 27.24 49.28 12.02 749.3 300 3,000 282 合成例2 13.63 73.91 12.02 995.6 80 2,200 224 合成例3 98.55 12.02 1，105·7 30 1,600 196 合成例4 _ 123.20 • 1,232.0 4 1，200 177 -44- 200540202 (41)

鉬(ppm) 铑(ppm) 釕(ppm) 鈷(PPm) 鈀(ppm) 鎳(PPm) 合成例1 1以下 0.1以下 2以下 1以下 1以下 4以下合成例2 1以下 0.1以下 2以下 1以下 1以下 4以下合成例3 1以下 0.1以下 2以下 1以下 1以下 4以下合成例4 1以下 0.1以下 2以下 1以下 1以下 4以下合成例5 1以下 0.1以下 2以下 1以下 1以下 4以下比較合成例2 1，100 0.1以下 2以下 1以下 1以下 4以下光半導體封裝用組成物之成型治具與硬化條件、以及硬化物之外觀、UV耐久性及硬度之評估要領如下述般。成型治具：使表面貼粘有聚對苯二甲酸乙二酯膜之玻璃板2片對 ® 向，於玻璃板之端部呈u字狀挾住直徑5 mm之矽酮橡膠 .漏斗，形成成型治具。硬化條件1 : 於前述成型治具注入光半導體封裝用組成物，在1 40 °C之烘箱中加熱2小時而硬化。硬化條件2 : 於前述成型治具注入光半導體封裝用組成物，在1 0 0 -45- 200540202 (42) 。(：之烘箱中加熱2小時後，在1 2 0 °C之烘箱中加熱2小時，在1 4 0 °C之烘箱中加熱2小時而硬化。外觀之評估要領。以目視評估硬化物之龜裂及氣泡的有無。 ^ UV耐久性之評估要領： φ 對於硬化物，使用紫外線耐光試驗機（long life fade meterKSuga試驗機（股）製），在63 °C下連續照射紫外線（UV ) 2週，而以分光光度計測定照射前後之波長 3 60nm的透過率。硬度之評估要領：以S h 〇 r e D硬度計測定。沾粘性之評估要領··以手碰觸進行評估。〇：無沾粘

，X :有沾粘。耐熱性：測定硬化物之初期及放置於1 50°C之烘箱72 小時後之470nm的穿透率。 (保持率）==(耐熱試驗後之透過率）/ (初期透過率）X 10 0(%) 〇：保持率爲80%以上、X :保持率不足80% 實施例1 -46- 200540202 (43) 加入合成例1所得到之（A )聚有機矽氧烷1 0.0 g作爲（A )成分、甲基六氫酸酐（參照前述式（3 )。商品名MH700、新日本理化（股）製）5.5g作爲（B1)成分、2-乙基-4-基咪唑（商品名2E4MZ、四國化成（股）製 )0.05 5 g作爲（C )成分，而均一混合，脫泡後，注入成型治具而硬化，俾得到無著色透明且無龜裂及氣泡的硬化物。此硬化物之評估結果表示於表4中。實施例2〜16 除使用表3所示之各成分以外，其餘與實施例1相同做法，得到硬化物。各硬化物之評估結果表示於表4中。比較例1〜3 除使用表3所示之各成分以外，其餘與實施例1相同做法，得到硬化物。各硬化物之評估結果表示於表4中。表3中之前述以外之成分的內容如下述般。 HNA-100 (商品名、新日本理化（股）製）：以前述式（5 )所示之化合物。 4XPET :四-正丁基鱗〇，〇-二乙基磷二硫酸酯（商品名賀斯克林4X-PET、日本化學工業（股）製）。HBE10〇 (商品名、新日本理化（股）製）··以下述式所示之化合物。 -47 - 200540202

•〇CH 2 •ch~ch2 o CE202 1 ：(商品名：Daicel化學工業（股）製）：以下述式所示之化合物。 0： 9 . c、crc x>° -48- 200540202 (45) 表3

(A)成分(g) (B)成分(g) (C)成分(g) 脂環式環氧基化合物(g) 實施例1 合成例1(10) ΜΗ700(5·5) 2Ε4ΜΖ (0.055) 實施例2 合成例2(10) ΜΗ700(6·7) 2Ε4ΜΖ (0.067) 實施例3 合成例3(10) ΜΗ700(7.7) 2Ε4ΜΖ (0.077) 實施例4 合成例4(10) ΜΗ700(8.5) 2Ε4ΜΖ (0.085) 實施例5 合成例1(10) ΜΗ700(5.5) 4ΧΡΕΤ (0.055) 實施例6 合成例2(10) ΜΗ700(6·7) 4ΧΡΕΤ (0.067) 實施例7 合成例3(10) ΜΗ700(7·7) 4ΧΡΕΤ (0.077) 實施例8 合成例4(10) ΜΗ700(8·5) 4ΧΡΕΤ (0.085) 實施例9 合成例1(10) ΜΗ700(5.5) 實施例10 合成例2(10) ΜΗ700(6·7) 實施例11 合成例3(10) ΜΗ700(7·7) 實施例12 合成例4(10) ΜΗ700(8·5) 實施例13 合成例1(10) ΗΝΑ-100(5.9) 4ΧΡΕΤ (0.059) 實施例14 合成例2(10) ΗΝΑ-100(7·2) 4ΧΡΕΤ (0.072) 實施例15 合成例3(10) ΗΝΑ-100(8.3) 4ΧΡΕΤ (0.083) 實施例16 合成例4(10) ΗΝΑ-100(9.2) 4ΧΡΕΤ (0.092) 比較例1 - ΜΗ700(9·0) 2Ε4ΜΖ (0.090) ΗΒΕ100(9·0) CE2021(1.0) 比較例2 - ΜΗ700(9.0) 4ΧΡΕΤ (0.090) ΗΒΕ100(9·0) CE2021(1.0) 比較例3 - ΜΗ700(9.0) - ΗΒΕ100(9·0) CE2021(1.0) -49- 200540202 (46)表4

硬化條件1 硬化條件2 外觀 UV耐久' 生(％) 硬度外觀 UV耐久性(％) 硬度龜裂氣泡照射前照射後龜裂氣泡照射前照射後實施例1 無無 82 82 87 83 82 88 實施例2 無無 80 80 90 無無 82 82 91 實施例3 無 79 79 90 無無 79 79 92 實施例4 無無 78 77 89 無 79 78 90 實施例5 無無 90 89 84 無無 91 91 86 實施例6 無無 89 89 88 90 89 89 實施例7 無 87 87 88 無無 88 87 89 實施例8 無 86 85 87 無無 86 86 89 實施例9 無無 92 92 85 Μ. 無 91 91 86 實施例〗〇 Μ 無 91 91 86 無 91 91 88 實施例11 無無 91 91 87 無 Μ 90 90 87 實施例12 無 90 90 85 無 90 90 87 實施例13 姐 j\ \\ 無 91 90 87 無無 92 91 92 實施例14 無 90 89 89 無無 91 90 91 實施例15 無無 88 87 89 無 90 90 92 實施例16 無無 86 85 88 Μ 無 88 88 91 比較例1 有有 ^1： 69 59 84 比較例2 有有無無 75 66 81 比較例3 未硬化未硬化 -50- 200540202 (47) 實施例17〜21 除使用表5所示之各成分以外’其餘與貫施例1相同做法，得到硬化物。但硬化係以硬化條件2實施。各硬化物之評估結果表示於表6中。

(A)成分（g) (B)成分（g) (C)成分（g) 實施例17 合成例1(10) DEGAN(5.6) UCAT5003(0.056) 實施例18 合成例2(10) DEGAN(6.8) UCAT5003(0.067) 實施例19 合成例3(10) DEGAN(7.8) UCAT5003(0.078) 實施例20 合成例4(10) DEGAN(8.9) UCAT5003(0.089) 實施例21 合成例5(10) DEGAN(8.9) UCAT5003(0.089) 比較例4 比較合成例2(10) MH700(6.7) UCAT5003(0.067) DEGAN :(商品名：協和發油化（股）製）：以上述式 ® (8 )所示之化合物。、 UCAT5003: San-apro 製磷系觸媒。實施例22 加入合成例4所得到之（A )聚有機矽氧烷lO.Og作爲（A )成分、甲基六氫酸酐（參照前述式（3 )。商品名MH7 00、新日本理化（股）製）8.5g作爲（B1 )成分、UCAT5003 (San-apro 製）0.08 5 g 及 RX3 00 2.0g 作爲（ C )成分’而均一混合，脫泡後，注入成型治具而硬化， -51 - 200540202 (48) 俾得到無著色透明且無龜裂及無氣泡的硬化物。此硬化物之評估結果表示於表6中。表6 龜裂氣泡沾粘性照射前照射後耐熱性硬度 _^_施例17 >frrr 無〇 91 90 〇 87 例 18 Μ j \ \\ >frrr ΊΙιι j \\\ 〇 92 91 〇 82 實施例19 無 >fnT 〇 90 90 〇 80 例 20 無 >fnr. JiLL j\\\ 〇 91 91 〇 80 值例21 > \ \\ 4rrr JUL J \ w 〇 90 90 〇 90 例 22 無 /frnr. itn j \\\ 〇 90 90 〇 92

實施例1〜1 6亦沾粘性、耐熱性均爲〇。比較例4 除使用表5所示之各成分以外，其餘與實施例1相同做法，得到硬化物。龜裂或氣泡均無，但耐熱性爲x。實施例23 加入合成例1所得到之（A )聚有機矽氧烷10.0g作爲（A)成分、化合物（17)(商品名CP77、旭電化（股）製）〇 · 1 g作爲（B )成分，而均一混合，脫泡後，注入成逛治具而硬化，俾得到無著色透明且無龜裂及無氣泡的硬 •52- 200540202 (49) 化物。此硬化物之外觀、UV耐久性之評估結果表示於表 7中。實施例24〜26及比較例5 除使用表7所示之各成分以外，其餘與實施例23相 * 同做法，得到硬化物。各硬化物之外觀、UV耐久性之評 ^ 估結果表示於表7中。 # 表7中之前述以外之成分即HBE100及CE202 1之內容係相同於表3。

⑷成分(g) (B)成分 (g) 其他成分 (g) 龜裂氣泡初期 UV照射後實施例23 合成例1(10) CP77(0.1) >fnrr TlH J V NN ^frrf- ΠΙΓΓ J \ w 透明透明實施例24 合成例2(10) CP77(0.1) ΑττΤ. Mil J i NN 4ττΤ. ntrr j \\\ 透明透明實施例25 合成例3(10) CP77(0.1) 4ytT. 1111. J \ w >fnT- iitr j\\\ 透明透明實施例26 合成例4(10) CP77(0.1) M j \ \\ dnXL ilti: j \ \\ 透明透明比較例5 _ CP77(0.1) HBE 100(9) CE2021(1) ^fnr tin j 4cai ΊΙΙΓ j\w 透明著色成黃色 -53-

Claims

200540202 (1) 十、申請專利範圍 1·一種聚有機矽氧烷，其係以下述式（1 ) X (R1)「Si—(Υ1)3ι …⑴ (其中，X表示具有1個以上環氧基之一價有機基、γΐ表示氯原子、溴原子、碘原子或碳數1〜20之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷氧基，R1表示氫原子、氟原子、碳數1〜2〇之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷基、碳數1〜20之直鏈狀、分枝狀或環狀的取代烷基、碳數2〜2 0之直鏈狀、分枝狀或環狀的烯烴基、碳數6〜20之芳基或碳數7〜20之芳烷基，η爲0〜2的整數）所示之矽烷化合物及/或其部分縮合物、及以下述式 (2 ) (R2)—Si—(Y2)4 m …⑵ (其中，Υ2表示氯原子、溴原子、碘原子或碳數1〜2〇之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷氧基，R2表示氫原子、氟原子、碳數1〜20之直鏈狀、分枝狀或環狀的烷基、碳數^20 之直鏈狀、分枝狀或環狀的取代烷基、碳數2〜20之直鏈 -54- 200540202 (2) 狀、分枝狀或環狀的烯烴基、碳數6〜20之芳基或碳數 7〜20之芳烷基’ m爲〇〜3的整數）所示之砍院化合物及/或其部分縮合物，在有機溶劑、有機鹼及水的存在下加熱而水解/縮合所得到之聚苯乙烯換算重量平均分子量500^,000,000的聚有機矽氧烷。 2 ·如申請專利範圍第1項之聚有機矽氧烷，其中環氧當量爲uoog/莫耳以下，而且所含有之鉑、釕、鈷、鈀及鎳中最大者亦只有l〇ppm。 3 ·如申請專利範圍第1項之聚有機矽氧烷，其中上述式（1)中之X爲含有環氧基環己基之一價有機基。 4 . 一種申請專利範圍第1項之聚有機矽氧烷的製造方法，其特徵爲上述式（1 )所示之砂院化合物及/或其部分縮合物、與上述式（2 )所示之矽烷化合物及/或其部分縮合物，在有機溶劑、有機鹼及水的存在下加熱而水解/縮合。 5 · —種光半導體封裝用組成物，其特徵在於：含有 (A )滿足下述（i )及（i i )之至少任一條件之申請專利範圍第1項的聚有機矽氧烷； (i) 環氧當量爲l，600g/莫耳以下； (ii) 源自以上述式（1 )所示之矽烷化合物的重複單元之含有率爲全重複單元的至少5莫耳％;及 (B 1 )羧酸酐。 6 · —種申請專利範圍第5項之光半導體封裝用組成物之調製方法，其特徵爲混合上述聚有機矽氧烷（A )及羧 -55- 200540202 (3) 酸酐（B 1 )。 7 · —種光半導體封裝用組成物，其特徵在於：含有 (A )滿足]^述（1 )及（1 i )之至少任一條件之申請專利範圍第1項的聚有機矽氧烷； (i)環氧當量爲l，6〇〇g/莫耳以下； (Π)源自以上述式（1 )所示之矽烷化合物的重複單元之含有率爲全重複單元的至少5莫耳％ ;及 (B 1 )羧酸酐；及 (C )硬化促進劑。 8 · —種申請專利範圍第7項之光半導體封裝用組成物之調製方法，其特徵爲混合上述聚有機矽氧烷（A)、羧酸酐（B 1 )及硬化促進劑（C )。 9. 一種光半導體封裝用組成物，其特徵在於：含有 (A )滿足下述（i )及（ii )之至少任一條件之申請專利範圍第1項的聚有機矽氧烷； (i) 環氧當量爲l，600g/莫耳以下； (ii) 源自以上述式（1 )所示之矽烷化合物的重複單元之含有率爲全重複單元的至少5莫耳％;及 (B2 )熱酸產生劑。 10·—種申請專利範圍第9項之光半導體封裝用組成物之調製方法，其特徵爲混合上述聚有機矽氧烷（A)及熱酸產生劑（B2)。 1 1 · 一種光半導體封裝材料，其係由加熱硬化申請專利範圍第5、7及9項中任一項之光半導體封裝用組成物 ^ 56 - 200540202 (4) 所得之硬化物所構成。 1 2 . —種光半導體，其係以申請專利範圍第1 1項之光半導體封裝材料封裝。 200540202 七、指定代表圖 (一）、本案指定代表圖為··無 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明：無

八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：無