JP2006225515A - 光半導体、その封止材および封止用組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】 ポッティング成型が可能であり、無色透明で耐久性に優れ、しかも、はんだリフローやヒートサイクルに対してクラックを生じにくい光半導体封止材を形成しうる光半導体用封止用組成物、その調製方法、当該光半導体封止材および当該光半導体用封止材で封止された光半導体を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ当量が８００ｇ／モル以下のポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族のエポキシ化合物を１０〜４００重量部および（Ｃ）カルボン酸無水物を含有しそして上記ポリオルガノシロキサンが酸素原子が３個結合したケイ素原子を全ケイ素原子当り４０モル％を超える割合で含有する光半導体封止用組成物。
【選択図】 なし

Description

本発明は、光半導体封止用組成物、特に青色ＬＥＤや白色ＬＥＤ等の光半導体の封止に好適な封止用組成物、その調製法、光半導体の封止材および光半導体に関する。

従来、光半導体封止用樹脂としては、ビスフェノールＡグリシジルエーテルを主剤とするエポキシ化合物が一般に用いられていたが、このようなエポキシ化合物は芳香環を有するため、青色もしくは紫外光を発光する光半導体の封止を行うには、紫外線に対する耐久性（ＵＶ耐久性）が不十分であった。
そこで、光半導体封止用樹脂のＵＶ耐久性を改良するため、脂環式エポキシ化合物を用いることが提案されているが（特許文献１参照）、依然としてＵＶ耐久性は十分なものとはいえなかった。

一方、シロキサン骨格を有する樹脂は耐候性に優れていることが知られており、近年ではポリジメチルシロキサンを主骨格とする樹脂を光半導体封止材に用いる検討がさかんに行われている。しかしこの樹脂の場合、硬化物の硬度が不十分なため、配線に使用される金のワイヤーが振動により切れたり、また基板との密着性が不足して剥がれやすいなどの欠点が指摘されている。
そこで、硬化物の硬度や密着性を上げるため、硬くて密着性も高いシロキサン系材料として、シルセスキオキサン系樹脂が提案されており、特にエポキシ基を有するシルセスキオキサン系樹脂を用いた光半導体封止材が特許文献２に開示されている。しかし、特許文献２に開示されたシルセスキオキサン系樹脂をポッティング成型するために、溶剤を留去するとゲル化して、成型が困難となったり、膜厚が厚くなるとクラックや気泡を生じるなどが起るため、光半導体封止材としての実用に耐えうるものではなかった。

また、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの製造法として特許文献３〜８のようにＳｉ−Ｈ結合を有するポリオルガノシロキサンにビニル基を有するエポキシ誘導体を白金、ロジウムあるいはルテニウム触媒を用いて付加させる方法が知られている。しかし、Ｓｉ−Ｈを有するポリオルガノシロキサンは水分に対し不安定で取扱が難しく原料が高価であるという問題がある。また、触媒が残存した場合に着色の原因になるという問題もある。

また、特許文献９にはエポキシ基を有する変性ポリシロキサンにエポキシ樹脂をブレンドしてもよいことが記載されているが酸素原子が３個結合したケイ素原子のモル分率は４０％以下であり、エポキシの配合量は変性ポリシロキサン１００重量部に対して０〜１００重量部であり、かつ、実施例にもエポキシをブレンドした記載はみられなかった。

また、光半導体封止素子ははんだリフローや−４０℃〜１００℃のヒートサイクルに耐えることが必要であるが、封止樹脂の力学特性が弱いとクラックを生じて光出力が低下するという問題がある。
特開２００３−８２０６２号公報 特開昭６２−１０６６３２号公報 特開平０１−２９７４２１号公報 特開平０２−０６７２９０号公報 特開平０４−２５２２２８号公報 特開平０４−３５２７９３号公報 特開平０８−０４１１６８号公報 特開２０００−１０３８５９号公報 特開２００４−２８９１０２号公報

本発明は上記実情に鑑みなされたもので、その課題の解決は、ポッティング成型が可能であり、無色透明で耐久性に優れ、しかも、はんだリフローやヒートサイクルに対してクラックを生じにくい光半導体封止材を形成しうる光半導体用封止用組成物、その調製方法、当該光半導体封止材および当該光半導体用封止材で封止された光半導体を提供することにある。

本発明は、第一に、
（Ａ）エポキシ当量が８００ｇ／モル以下のポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族のエポキシ化合物を１０〜４００重量部および（Ｃ）カルボン酸無水物を含有しそして上記ポリオルガノシロキサンが酸素原子が３個結合したケイ素原子を全ケイ素原子当り４０モル％を超える割合で含有することを特徴とする光半導体封止用組成物からなる。

本発明は、第二に、
（Ａ）下記式（１）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物と下記式（２）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して加水分解・縮合させることにより得られそしてポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００〜２０，０００であると共に（ｉ）エポキシ当量が８００ｇ／モル以下であることおよび（ｉｉ）式（１）で表されるシラン化合物に由来する構造単位の含有率が全構造単位の５モル％以上であることの少なくとも一方の条件を満たすポリオルガノシロキサンを、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族のエポキシ化合物および（Ｃ）カルボン酸無水物系硬化剤と混合することを特徴とする光半導体封止用組成物の調製方法からなる。

〔式（１）において、Ｘはエポキシ基を１個以上有する１価の有機基、Ｙ^１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ^１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｎは０〜２の整数である。〕

〔式（２）において、Ｙ^２は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ^２は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。〕

本発明は、第三に、
本発明の光半導体封止用組成物を加熱硬化させた硬化物からなる光半導体封止材からなる。

本発明は、第四に、
本発明の光半導体封止材により封止された光半導体からなる。

本発明で用いられるポリオルガノシロキサンは、特に、本発明の光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕の主体成分として極めて好適に使用することができる。
（Ａ）ポリオルガノシロキサンを主体成分とする本発明の光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕は、ポッティング成型が可能であり、かつ膜厚が厚くても硬化物にクラックや気泡を生じることがなく、しかも無色透明でＵＶ耐久性に優れた光半導体封止材を形成することができ、例えば５００ｎｍ以下の領域に発光ピーク波長を有する青色ＬＥＤや白色ＬＥＤ等の封止に極めて好適に使用することができる。

以下、本発明について詳細に説明する。

ポリオルガノシロキサンおよびその製造方法
本発明で用いられるポリオルガノシロキサン（以下、ポリオルガノシロキサン（α）ということがある）は、エポキシ当量が８００ｇ／モル以下であり、例えば前記式（１）で表されるシラン化合物（以下、「シラン化合物（１）」という。）および／またはその部分縮合物（以下、シラン化合物（１）とその部分縮合物をまとめて「シラン化合物（１）等」ともいう。）と前記式（２）で表されるシラン化合物（以下、「シラン化合物（２）」という。）および／またはその部分縮合物（以下、シラン化合物（２）とその部分縮合物をまとめて「シラン化合物（２）等」ともいう。）とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させて得られる。

式（１）において、Ｘのエポキシ基を１個以上有する１価の有機基としては、特に限定されるものではないが、例えば、γ−グリシドキシプロピル基、３，４−エポキシシクロペンチル基、３，４−エポキシシクロヘキシル基、（３，４−エポキシシクロペンチル）メチル基、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル基、２−（３，４−エポキシシクロペンチル）エチル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、２−（３，４−エポキシシクロペンチル）プロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基、３−（３，４−エポキシシクロペンチル）プロピル基、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等の炭素数５〜２０の基を挙げることができる。
これらのエポキシ基を１個以上有する１価の有機基のうち、γ−グリシドキシプロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基等が好ましく、特に好ましくは２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基である。

式（１）において、Ｙ^１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示す。これらの基は、有機塩基および水の存在下における加水分解・縮合反応の過程でシラノール基を生成し、該シラノール基同志で縮合反応を生起し、あるいは該シラノール基と塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子ないし該アルコキシル基を有するケイ素原子との間で縮合反応を生起することにより、シロキサン結合を形成する基である。

式（１）において、Ｙ^１の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。

式（１）におけるＹ^１としては、塩素原子、メトキシ基、エトキシ基等が好ましい。
式（１）において、Ｒ^１の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。

また、Ｒ^１の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２−フルオロエチル基、（トリフルオロメチル）メチル基、ペンタフルオロエチル基、３−フルオロ−ｎ−プロピル基、２−（トリフルオロメチル）エチル基、（ペンタフルオロエチル）メチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、４−フルオロ−ｎ−ブチル基、３−（トリフルオロメチル）−ｎ−プロピル基、２−（ペンタフルオロエチル）エチル基、（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）メチル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、５−フルオロ−ｎ−ペンチル基、４−（トリフルオロメチル）−ｎ−ブチル基、３−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−プロピル基、２−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）エチル基、（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、６−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、５−（トリフルオロメチル）−ｎ−ペンチル基、４−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−ブチル基、３−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）−ｎ−プロピル基、２−（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）エチル基、（パーフルオロ−ｎ−ペンチル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基、７−（トリフルオロメチル）−ｎ−ヘプチル基、６−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−ヘキシル基、５−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）−ｎ−ペンチル基、４−（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）−ｎ−ブチル基、３−（パーフルオロ−ｎ−ペンチル）−ｎ−プロピル基、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチル基、（パーフルオロ−ｎ−ヘプチル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−オクチル基、９−（トリフルオロメチル）−ｎ−ノニル基、８−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−オクチル基、７−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）−ｎ−ヘプチル基、６−（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）−ｎ−ヘキシル基、５−（パーフルオロ−ｎ−ペンチル）−ｎ−ペンチル基、４−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）−ｎ−ブチル基、３−（パーフルオロ−ｎ−ヘプチル）−ｎ−プロピル基、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル基、（パーフルオロ−ｎ−ノニル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−デシル基、４−フルオロシクロペンチル基、４−フルオロシクロヘキシル基等のフルオロアルキル基や、
クロロメチル基、２−クロロエチル基、３−クロロ−ｎ−プロピル基、４−クロロ−ｎ−ブチル基、３−クロロシクロペンチル基、４−クロロシクロヘキシル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシシクロペンチル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基、３−（メタ）アクリロキシプロピル基、３−メルカプトプロピル基
等を挙げることができる。

また、Ｒ^１の炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−メチルビニル基、１−プロペニル基、アリル基（２−プロペニル基）、２−メチル−２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−シクロペンテニル基、３−シクロヘキセニル基等を挙げることができる。
また、Ｒ^１の炭素数６〜２０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、１−ナフチル基等を挙げることができる。
また、Ｒ^１の炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。
式（１）におけるＲ^１としては、メチル基、エチル基等が好ましい。

シラン化合物（１）の具体例としては、
ｎ＝０の化合物として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン等；
ｎ＝１の化合物として、（γ−グリシドキシプロピル）（メチル）ジメトキシシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エチル）ジメトキシシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（メチル）ジエトキシシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エチル）ジエトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メチル）ジメトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エチル）ジメトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メチル）ジエトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エチル）ジエトキシシラン等；
ｎ＝２の化合物として、（γ−グリシドキシプロピル）（メトキシ）ジメチルシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（メトキシ）ジエチルシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エトキシ）ジメチルシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エトキシ）ジエチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メトキシ）ジメチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メトキシ）ジエチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エトキシ）ジメチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エトキシ）ジエチルシラン等
をそれぞれ挙げることができる。

また、シラン化合物（１）の部分縮合物としては、商品名で、例えば、ＥＳ１００１Ｎ、ＥＳ１００２Ｔ、ＥＳ１０２３（以上、信越シリコーン（株）製）；メチルシリケートＭＳＥＰ２（三菱化学（株）製）等を挙げることができる。
本発明において、シラン化合物（１）およびその部分縮合物は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

式（２）において、Ｙ^２は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示す。これらの基は、有機塩基および水の存在下における加水分解・縮合反応の過程でシラノール基を生成し、該シラノール基同志で縮合反応を生起し、あるいは該シラノール基と塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子ないし該アルコキシル基を有するケイ素原子との間で縮合反応を生起することにより、シロキサン結合を形成する基である。

式（２）において、Ｙ^２の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基としては、例えば、前記式（１）におけるＹ^１の対応する基について例示したものと同様の基等を挙げることができる。
式（２）におけるＹ^２としては、塩素原子、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が好ましい。

式（２）において、Ｒ^２の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基および炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えば、前記式（１）におけるＲ^１のそれぞれ対応する基について例示したものと同様の基等を挙げることができる。
式（２）におけるＲ^２としては、フッ素原子、メチル基、エチル基、２−（トリフルオロメチル）エチル基、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチル基、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−（メタ）アクリロキシプロピル基、３−メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、フェニル基等が好ましい。

シラン化合物（２）の具体例としては、
ｍ＝０の化合物として、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン等；
ｍ＝１の化合物として、トリクロロシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉ−プロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
フルオロトリクロロシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｉ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、

２−（トリフルオロメチル）エチルトリクロロシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリメトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリエトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、

２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリエトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ヒドロキシメチルトリクロロシラン、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、

３−（メタ）アクリロキシプロピルトリクロロシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
３−メルカプトプロピルトリクロロシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、

ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
アリルトリクロロシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｉ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｎ−ブトキシシラン、アリルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
等：

ｍ＝２の化合物として、メチルジクロロシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メチルジ−ｎ−ブトキシシラン、メチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジメチルジクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジクロロシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジエメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、

（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジクロロシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジメトキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジエトキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジクロロシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジメトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジエトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、

（メチル）（ビニル）ジクロロシラン、（メチル）（ビニル）ジメトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジエトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジビニルジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジビニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン等；

ｍ＝３の化合物として、クロロジメチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、
クロロトリメチルシラン、ブロモトリメチルシシラン、ヨードトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ｎ−プロポキシトリメチルシラン、ｉ−プロポキシトリメチルシラン、ｎ−ブトキシトリメチルシラン、ｓｅｃ−ブトキシトリメチルシラン、ｔ−ブトキシトリメチルシラン、
（クロロ）（ビニル）ジメチルシラン、（メトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、（エトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、
（クロロ）（メチル）ジフェニルシラン、（メトキシ）（メチル）ジフェニルシラン、（エトキシ）（メチル）ジフェニルシラン等
をそれぞれ挙げることができる。

これらのシラン化合物（２）のうち、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等が好ましい。

また、シラン化合物（２）の部分縮合物としては、商品名で、例えば、ＫＣ−８９、ＫＣ−８９Ｓ、Ｘ−２１−３１５３、Ｘ−２１−５８４１、Ｘ−２１−５８４２、Ｘ−２１−５８４３、Ｘ−２１−５８４４、Ｘ−２１−５８４５、Ｘ−２１−５８４６、Ｘ−２１−５８４７、Ｘ−２１−５８４８、Ｘ−２２−１６０ＡＳ、Ｘ−２２−１７０Ｂ、Ｘ−２２−１７０ＢＸ、Ｘ−２２−１７０Ｄ、Ｘ−２２−１７０ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｂ、Ｘ−２２−１７６Ｄ、Ｘ−２２−１７６ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｆ、Ｘ−４０−２３０８、Ｘ−４０−２６５１、Ｘ−４０−２６５５Ａ、Ｘ−４０−２６７１、Ｘ−４０−２６７２、Ｘ−４０−９２２０、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２４７、Ｘ−４０−９２５０、Ｘ−４０−９３２３、Ｘ−４１−１０５３、Ｘ−４１−１０５６、Ｘ−４１−１８０５、Ｘ−４１−１８１０、ＫＦ６００１、ＫＦ６００２、ＫＦ６００３、ＫＲ２１２、ＫＲ−２１３、ＫＲ−２１７、ＫＲ２２０Ｌ、ＫＲ２４２Ａ、ＫＲ２７１、ＫＲ２８２、ＫＲ３００、ＫＲ３１１、ＫＲ４０１Ｎ、ＫＲ５００、ＫＲ５１０、ＫＲ５２０６、ＫＲ５２３０、ＫＲ５２３５、ＫＲ９２１８、ＫＲ９７０６（以上、信越シリコーン（株）製）；グラスレジン（昭和電工（株）製）；ＳＨ８０４、ＳＨ８０５、ＳＨ８０６Ａ、ＳＨ８４０、ＳＲ２４００、ＳＲ２４０２、ＳＲ２４０５、ＳＲ２４０６、ＳＲ２４１０、ＳＲ２４１１、ＳＲ２４１６、ＳＲ２４２０（以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）；ＦＺ３７１１、ＦＺ３７２２（以上、日本ユニカー（株）製）；ＤＭＳ−Ｓ１２、ＤＭＳ−Ｓ１５、ＤＭＳ−Ｓ２１、ＤＭＳ−Ｓ２７、ＤＭＳ−Ｓ３１、ＤＭＳ−Ｓ３２、ＤＭＳ−Ｓ３３、ＤＭＳ−Ｓ３５、ＤＭＳ−Ｓ３８、ＤＭＳ−Ｓ４２、ＤＭＳ−Ｓ４５、ＤＭＳ−Ｓ５１、ＤＭＳ−２２７、ＰＳＤ−０３３２、ＰＤＳ−１６１５、ＰＤＳ−９９３１、ＸＭＳ−５０２５（以上、チッソ（株）製）；メチルシリケートＭＳ５１、メチルシリケートＭＳ５６（以上、三菱化学（株）製）；エチルシリケート２８、エチルシリケート４０、エチルシリケート４８（以上、コルコート（株）製）；ＧＲ１００、ＧＲ６５０、ＧＲ９０８、ＧＲ９５０（以上、昭和電工（株）製）等を挙げることができる。

本発明において、シラン化合物（２）およびその部分縮合物は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
ポリオルガノシロキサン（α）は、シラン化合物（１）等とシラン化合物（２）等とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させることにより製造することが好ましい。
前記有機溶媒としては、例えば、炭化水素類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アルコール類等を使用することができるが、水と均一に混ざらない溶媒が好ましい。

前記炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン等；前記ケトンとしては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−アミルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン等；前記エステルとしては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、乳酸エチル等；前記エーテルとしては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等；前記アルコールとしては、例えば、１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル等をそれぞれ挙げることができる。

これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
有機溶媒の使用量は、全シラン化合物１００重量部に対して、好ましくは１０〜１０，０００重量部、より好ましくは５０〜５，０００重量部である。
前記有機塩基としては、例えばエチルアミン、ジエチルアミン等の１〜２級有機アミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の３級の有機アミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の４級の有機アミン類等を挙げることができる。
これらの有機塩基のうち、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の３級の有機アミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の４級の有機アミン類等が好ましい。

ポリオルガノシロキサン（α）を製造する際に、有機塩基を触媒として用いることにより、エポキシ基の開環などの副反応を生じることなく、高い加水分解・縮合速度で目的とするポリオルガノシロキサン（α）を得ることができるため、生産安定性がよく、また良好な硬化性を示す組成物を得ることができる。

有機アミン類の使用量は、有機アミンの種類、温度などの反応条件等により異なり、特に限定されないが、全シラン化合物に対して、好ましくは０．０１〜３倍モル程度、より好ましくは０．０５〜１倍モル程度である。なお、有機アミン類以外の有機塩基を用いる場合の使用量も、ほぼ有機アミン類に準じる量で十分である。

ポリオルガノシロキサン（α）を製造する際の水の使用量は、全シラン化合物に対して、好ましくは０．５〜１００倍モル程度、より好ましくは１〜３０倍モル程度である。
ポリオルガノシロキサン（α）を製造する際の加水分解・縮合反応は、シラン化合物（１）等とシラン化合物（２）等とを有機溶媒に溶解し、この溶液を有機塩基および水と混合して、例えば油浴などにより加熱することにより実施することができる。
加水分解・縮合反応時には、加熱温度を、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは４０〜１２０℃として、好ましくは０．５〜１２時間程度、より好ましくは１〜８時間程度加熱するのが望ましい。なお、加熱操作中は、混合液を撹拌してもよいし、還流下に放置してもよい。

反応終了後、反応液から有機溶媒層を分取して、好ましくは水で洗浄する。この洗浄に際しては、少量の塩を含む水、例えば０．２重量％程度の硝酸アンモニウム水溶液などで洗浄することにより、洗浄操作が容易になる。洗浄は洗浄後の水が中性になるまで行い、その後有機溶媒層を、必要に応じて無水硫酸カルシウム、モレキュラーシーブス等の乾燥剤で乾燥したのち、濃縮することにより、目的とするポリオルガノシロキサン（α）を得ることができる。
このようにして得られるポリオルガノシロキサン（α）は、残存する加水分解性基（例えば、アルコキシル基等）やシラノール基が少ないため、溶剤で希釈しなくても室温で１ヶ月以上保存してもゲル化することがない。また所望により、反応終了後に、残存するシラノール基をヘキサメチルジシラザン等によりトリメチルシリル化することによって、さらにシラノール基を減らすことができる。

また、有機塩基および水の存在下における加水分解・縮合反応には、シラン化合物（１）等中のエポキシ基の開環反応や重合反応などの副反応を生起することがなく、しかも含金属触媒を用いる場合に比べて、ポリオルガノシロキサン（α）中のナトリウム、カリウム、白金、ルテニウム等の金属不純物が少なくなるという利点がある。

ポリオルガノシロキサン（α）のポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、好ましくは１，０００〜２０，０００、より好ましくは２，０００〜１０，０００である。
ポリオルガノシロキサン（α）は、エポキシ当量に関する下記条件およびシラン化合物（１）に由来する構造単位の含有率に関する下記条件の少なくとも一方の条件を満たすことが望ましい。
即ち、エポキシ当量は、好ましくは８００ｇ／モル以下、さらに好ましくは５００ｇ／モル以下である。この場合、エポキシ当量が８００ｇ／モルを超えると、得られるポリオルガノシロキサンに耐熱性の低下や着色などの不具合を生じるおそれがある。
また、シラン化合物（１）に由来する構造単位の含有率は、全構造単位の、好ましくは５〜１００モル％、より好ましくは２０〜１００モル％、さらに好ましくは４１〜１００モル％である。この場合、該構造単位の含有率が全構造単位の５モル％未満であると、得られるポリオルガノシロキサンに耐熱性の低下や着色などの不具合を生じるおそれがある。

さらに、ポリオルガノシロキサン（α）は、エポキシ当量が前記条件を満たし、かつ３個の酸素原子に結合しているケイ素原子の全ケイ素原子に対する割合が、４０モル％を超えるものである。同割合は、好ましくは５０モル％を超え、より好ましくは６０モル％を超える。この場合、３個の酸素原子に結合しているケイ素原子の全ケイ素原子に対する割合が４０モル％以下であると、十分な耐熱性を得ることができないおそれがある。

ポリオルガノシロキサン（α）は、後述する各光半導体封止用組成物における主体成分として極めて好適に使用することができるほか、単独でまたは一般のポリオルガノシロキサンと混合して、例えば、成型品、フィルム、ラミネート材、塗料等としても有用である。

光半導体封止用組成物およびその調製方法
本発明の光半導体封止用組成物は、
〔Ｉ〕（Ａ）エポキシ当量が８００ｇ／モル以下であり、好ましくはさらに式（１）で表されるシラン化合物に由来する構造単位の含有率が全構造単位の５〜１００モル％であるポリオルガノシロキサン（α）（以下、「（Ａ）ポリオルガノシロキサン」という。）、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族エポキシ化合物並びに（Ｃ）カルボン酸無水物を含有する光半導体封止用組成物（以下、「光半導体封止用組成物〔Ｉ〕」という。）；好ましくは
〔II〕（Ａ）ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族エポキシ化合物、（Ｃ）カルボン酸無水物、並びに（Ｄ）硬化促進剤を含有する光半導体封止用組成物（以下、「光半導体封止用組成物〔II〕」という。）
からなる。
光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕において、（Ａ）ポリオルガノシロキサンは、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

−（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族エポキシ化合物−
具体的には、

などを挙げることができる。上記のエポキシ化合物は縮合されていてもよい。（式Ｂ）はＨＢＥ１００（新日本理化）、ＹＸ８０００（ジャパンエポキシレジン）、（式Ｃ）はＹＬ７０４０，（式Ｄ）はＹＬ６７５３，（式Ｅ）はＹＥＤ２１６Ｄ（以上、ジャパンエポキシレジン）、（式Ｆ）はＣＥ２０２１（ダイセル化学工業）、（式Ｇ）はＬＳ７９７０（信越化学）、（式Ｈ〜Ｌ）はそれぞれＣＥ２０８０，ＣＥ３０００，エポリードＧＴ３００，エポリードＧＴ４００，ＥＨＰＥ３１５０（以上、ダイセル化学工業）として入手することができる。ＹＬ７１７０，ＹＬ８０３４（以上、ジャパンエポキシレジン）、Ｗ−１００（新日本理化）なども用いることができる。これらの他に以下の芳香族エポキシ化合物を水素化して得られる脂環族エポキシ化合物を用いてもよい。ビスフェノールＡＤ，ビスフェノールＳ，テトラメチルビスフェノールＡ，テトラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＡＤ，テトラメチルビスフェノールＳ，テトラブロモビスフェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡ，テトラフルオロビスフェノールＡなどのビスフェノール類をグリシジル化したビスフェノール型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン等の２価のフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、4,4-（１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビスフェノール等のトリスフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等のテトラキスフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、臭素化ビスフェノールＡノボラック等のノボラック類をグリシジル化したノボラック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。

上記脂肪族あるいは脂環族エポキシ化合物は（Ａ）のポリオルガノシロキサン１００重量部に対して１０〜４００重量部の割合、好ましくは１０〜１００重量部、特に好ましくは５０〜１００重量部で加えることができる。本発明の組成物では上記非芳香族エポキシ化合物を加えることで耐クラック・はくり性が改善されるが耐久性が維持されることは驚きであった。また、エポキシ化合物を添加することで光半導体封止用組成物の粘度が低下させることができポッティング成形性が向上するということやぬれ性がよくなりリードフレームとの接着性が向上する利点もある。
また、必要に応じて上記の如き芳香族エポキシ化合物を含んでいてもよい。

−（Ｃ）カルボン酸無水物−
光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕における（Ｃ）カルボン酸無水物は、（Ａ）ポリオルガノシロキサンと硬化反応を生起する硬化剤成分である。
このような（Ｃ）カルボン酸無水物としては、特に限定されるものではないが、脂環式カルボン酸無水物が好ましい。
前記脂環式カルボン酸無水物としては、例えば、下記式（３）〜（１３）で表される化合物

や、４−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルナジック酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物のほか、α−テルピネン、アロオシメン等の共役二重結合を有する脂環式化合物と無水マレイン酸とのディールス・アルダー反応生成物やこれらの水素添加物等を挙げることができる。なお、前記ディールス・アルダー反応生成物やこれらの水素添加物としては、任意の構造異性体および任意の幾何異性体を使用することができる。
また、前記脂環式カルボン酸無水物は、硬化反応を実質的に妨げない限り、適宜に化学的に変性して使用することもできる。

これらの脂環式カルボン酸無水物のうち、組成物の流動性や透明性の点から、式（３）、式（５）、式（７）または式（８）で表される化合物等が好ましく、特に好ましくは式（３）または式（５）で表される化合物である。
本発明において、脂環式カルボン酸無水物は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
また、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕においては、（Ｃ）カルボン酸無水物として、脂肪族カルボン酸無水物や芳香族カルボン酸無水物を１種以上使用することもできるが、これらは脂環式カルボン酸無水物と併用することが好ましい。

前記脂肪族カルボン酸無水物および芳香族カルボン酸無水物も、硬化反応を実質的に妨げない限り、適宜に化学的に変性して使用することができる。
脂肪族カルボン酸無水物および芳香族カルボン酸無水物の合計使用割合は、脂環式カルボン酸無水物との合計量に対して、好ましくは５０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。

光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕において、（Ｃ）カルボン酸無水物の使用量は、（Ａ）ポリオルガノシロキサン中のエポキシ基１モルに対するカルボン酸無水物基の当量比として、好ましくは０．１〜１．５、さらに好ましくは０．５〜１．３である。この場合、該当量比が０．１未満でも１．５を超えても、得られる硬化物のガラス転移点（Ｔｇ）の低下や着色等の不都合を生じるおそれがある。

さらに、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕においては、（Ｃ）カルボン酸無水物以外に、本発明の所期の効果を損なわない範囲で、エポキシ化合物やエポキシ樹脂に対する硬化剤として公知の成分（以下、「他の硬化剤」という。）、例えば、フェノール類、ジシアンジアミド類や、アジピン酸ヒドラジッド、フタル酸ヒドラジッド等の有機ヒドラジッド類等を１種以上併用することもできる。
他の硬化剤の使用割合は、（Ｃ）カルボン酸無水物に対して、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下である。

−（Ｄ）硬化促進剤−
光半導体封止用組成物〔II〕における（Ｄ）硬化促進剤は、（Ａ）ポリオルガノシロキサンと（Ｃ）カルボン酸無水物との硬化反応を促進する成分である。

このような（Ｄ）硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、
ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、シクロヘキシルジメチルアミン、トリエタノールアミン等の３級アミン類；
２−メチルイミダゾール、２−ｎ−ヘプチルイミダゾール、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジ（ヒドロキシメチル）イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−４，５−ジ〔（２’−シアノエトキシ）メチル〕イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１')〕エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ｎ−ウンデシルイミダゾリル）エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１')〕エチル−ｓ−トリアジン、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１')〕エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物等のイミダゾール類；

ジフェニルフォスフィン、トリフェニルフォスフィン、亜リン酸トリフェニル等の有機リン系化合物；
ベンジルトリフェニルフォスフォニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、ｎ−ブチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、テトラフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムヨーダイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムｏ，ｏ−ジエチルフォスフォロジチオネート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムベンゾトリアゾレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルフォスフォニウムテトラッフェニルボレート等の４級フォスフォニウム塩類；

１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７やその有機酸塩等のジアザビシクロアルケン類；
オクチル酸亜鉛、アクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体等の有機金属化合物；
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド等の４級アンモニウム塩類；
三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニル等のホウ素化合物；塩化亜鉛、塩化第二錫等の金属ハロゲン化合物のほか、
ジシアンジアミドやアミンとエポキシ樹脂との付加物等のアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性硬化促進剤；前記イミダゾール類、有機リン系化合物や４級フォスフォニウム塩類等の硬化促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性硬化促進剤；アミン塩型潜在性硬化剤促進剤；ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型潜在性硬化促進剤等の潜在性硬化促進剤
等を挙げることができる。

これらの（Ｄ）硬化促進剤のうち、イミダゾール類、４級フォスフォニウム塩類、ジアザビシクロアルケン類、有機金属化合物および４級アンモニウム塩類が、無色透明で長時間加熱しても変色し難い硬化物が得られる点で好ましい。
前記（Ｄ）硬化促進剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
光半導体封止用組成物〔II〕において、（Ｄ）硬化促進剤の使用量は、（Ａ）ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜６重量部、さらに好ましくは０．１〜４重量部である。この場合、（Ｄ）硬化促進剤の使用量が０．０１重量部未満であると、硬化反応の促進効果が低下する傾向があり、一方６重量部を超えると、得られる硬化物に着色などの不都合を生じるおそれがある。

−他の添加剤−
光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕には、ＵＶ耐久性をさらに向上させ、また粘度の調整等の目的で、必要に応じて、無機酸化物粒子を配合することもできる。
前記無機酸化物粒子としては、特に限定されるものではないが、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＳｂおよびＣｅよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する酸化物からなる粒子を挙げることができる。より具体的には、例えばシリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ゲルマニウム、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化アンチモン、アンチモン−スズ酸化物（ＡＴＯ）、酸化セリウム等の粒子を挙げることができる。
これらの無機酸化物粒子のうち、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化アンチモン等の微粒子が好ましい。

また、前記無機酸化物粒子は、アルキル化、ポリシロキシル化、（メタ）アクリロキシアルキル化、グリコキシアルキル化、アミノアルキル化等の適宜の表面処理して使用することもできる。
前記無機酸化物粒子は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
無機酸化物粒子の一次平均粒径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは１〜８０ｎｍである。この場合、無機酸化物粒子の一次平均粒径が１００ｎｍを超えると、得られる硬化物の透明性が損なわれるおそれがある。
無機酸化物粒子の使用量は、（Ａ）ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して、好ましくは９０重量部以下、さらに好ましくは８０重量部以下である。この場合、無機酸化物粒子の使用量が９０重量部を超えると、組成物が増粘して、加工が困難になるおそれがある。
前記無機酸化物粒子は、場合により、適当な溶媒に分散した分散液として使用することもできる。

前記溶媒は、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕を構成する各成分および硬化反応に対して不活性で、適度の揮発性を有する限り特に限定されるものではない。その例としては、例えば、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｎ−オクタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピルグリコールモノメチルエーテル、プロピルグリコールモノエチルエーテル等のアルコール類；
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；
酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステルまたはラクトン類；
ベンゼン、トルエン、キシレン類等の芳香族炭化水素類；
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミドまたはラクタム類
等を挙げることができる。

これらの溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
無機酸化物粒子の分散液の固形分濃度は、好ましくは１〜６０重量％、より好ましくは５〜５０重量％である。
さらに必要に応じて、無機酸化物粒子と共に、例えば、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、高分子分散剤等の分散剤を１種以上併用することができる。
無機酸化物粒子やその分散液は市販されており、これらの市販品を使用することもできる。

無機酸化物粒子やその分散液の市販品（商品名）としては、例えば、シリカ粒子の分散液として、メタノールシリカゾル、ＩＰＡ−ＳＴ、ＭＥＫ−ＳＴ、ＮＢＡ−ＳＴ、ＸＢＡ−ＳＴ、ＤＭＡＣ−ＳＴ、ＳＴ−ＵＰ、ＳＴ−ＯＵＰ、ＳＴ−Ｃ、ＳＴ−Ｎ、ＳＴ−Ｏ、ＳＴ−ＯＬ、ＳＴ−２０、ＳＴ−４０、ＳＴ−５０（以上、日産化学工業（株）製）；オルガノゾルＰＬ−２ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル分散液、扶桑化学工業（株）製）等を、シリカ粒子として、アエロジル１３０、アエロジル３００、アエロジル３８０、アエロジルＴＴ６００、アエロジルＯＸ５０（以上、日本アエロジル（株）製）；シルデックスＨ３１、シルデックスＨ３２、シルデックスＨ５１、シルデックスＨ５２、シルデックスＨ１２１、シルデックスＨ１２２（以上、旭硝子（株）製）；Ｅ２２０Ａ、Ｅ２２０（以上、日本シリカ工業（株）製）；ＳＹＬＹＳＩＡ４７０（富士シリシア（株）製）、ＳＧフレーク（日本板硝子（株）製）等を、アルミナ粒子の分散液として、アルミナゾル−１００、アルミナゾル−２００、アルミナゾル−５２０（以上、いずれも水分散液、日産化学工業（株）製）；ＡＳ−１５０１（ｉ−プロパノール分散液、住友大阪セメント（株）製）；ＡＳ−１５０Ｔ（トルエン分散液、住友大阪セメント（株）製）等を、ジルコニア粒子の分散液として、ＨＸＵ−１１０ＪＣ（トルエン分散液、住友大阪セメント（株）製）等を、アンチモン酸亜鉛粒子の分散液として、セルナックス（水分散液、日産化学工業（株）製）等を、酸化セリウム粒子の分散液として、ニードラール（水分散液、多木化学（株）製）等を、それぞれ挙げることができる。
また、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕には、硬化物の着色を抑えるために、必要に応じて、酸化防止剤、光安定剤や紫外線吸収剤を配合することもできる。

前記酸化防止剤としては、商品名で、例えば、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＢＨＴ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＭ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＳ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＭＤＰ−Ｓ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＢＢＭ−Ｓ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＷＸ−Ｒ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＡ−８０、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰＬ−Ｒ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰＭ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰＳ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰ−Ｄ（以上、住友化学工業（株）製）；Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６、Ｉｒｇａｎｏｘ５６５、Ｉｒｇａｎｏｘ１５２０、Ｉｒｇａｎｏｘ２４５、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１０９８、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、Ｉｒｇａｎｏｘ１４２５、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、ＩｒｇａｎｏｘＭＤ−１０２４（以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；Ｃｙａｎｏｘ１７９０（Ｃｙｔｅｃ社製）；ＴＮＰ（四日市合成（株）製）；Ｗｅｓｔｏｎ６１８（Ｖｏｒｇ Ｗａｒｎｅｒ社製）；Ｉｒｇａｆｏｓ１６８（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；ＡｄｅｋａｓｔａｂＰＥＰ−３６、ＡｄｅｋａｓｔａｂＨＰ−１０（以上、旭電化工業（株）製）や、ＳａｎｄｓｔａｂＰ−ＥＰＱ、Ｕｌｔｒａｎｏｘ６２６等を挙げることができる。

前記光安定剤としては、商品名で、例えば、Ｖｉｏｓｏｒｂ０４（共同薬品（株）製）；Ｔｉｎｕｖｉｎ６２２、Ｔｉｎｕｖｉｎ７６５（以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；ＣｙａｓｏｒｂＵＶ−３３４６（Ｃｙｔｅｃ社製）；ＡｄｅｋａｓｔａｂＬＡ−５７（旭電化工業（株）製）や、Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ１１９、Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ９４４等を挙げることができる。
前記紫外線吸収剤としては、商品名で、例えば、Ｖｉｏｓｏｒｂ８０、Ｖｉｏｓｏｒｂ１１０、Ｖｉｏｓｏｒｂ１３０、Ｖｉｏｓｏｒｂ５２０、Ｖｉｏｓｏｒｂ５８３、Ｖｉｏｓｏｒｂ５９０（以上、共同薬品（株）製）；ＴｉｎｕｖｉｎＰ、Ｔｉｎｕｖｉｎ２１３、Ｔｉｎｕｖｉｎ２３４、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２０、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２６、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２８（以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；ＡｄｅｋａｓｔａｂＬＡ−３１（旭電化工業（株）製）等を挙げることができる。

さらに、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕には、必要に応じて、本発明の所期の効果を損なわない範囲で、エチレングリコールやプロピレングリコール等の脂肪族ポリオール類、脂肪族または芳香族のカルボン酸類、フェノール化合物等の炭酸ガス発生防止剤；ポリアルキレングリコール類、ポリジメチルシロキサン誘導体等の可とう性付与剤；各種のゴムや有機ポリマービーズ等の耐衝撃性改良剤のほか、可塑剤、滑剤、他のシランカップリング剤、難燃剤、帯電防止剤、レベリング剤、イオントラップ剤、摺動性改良剤、遥変性付与剤、表面張力低下剤、消泡剤、沈降防止剤、抗酸化剤、離型剤、蛍光剤、着色剤、導電性充填剤等の前記以外の添加剤を配合してもよい。

光半導体封止用組成物〔Ｉ〕および光半導体封止用組成物〔II〕の調製方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により各成分を混合して調製することができるが、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕の好ましい調製方法としては、シラン化合物（１）等とシラン化合物（２）等とを、前記した要領で加水分解・縮合させることにより得られた（Ａ）ポリオルガノシロキサンを、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族のエポキシ化合物および（Ｃ）カルボン酸無水物と混合する方法を挙げることができる。また光半導体封止用組成物〔II〕の好ましい調製方法としては、シラン化合物（１）等とシラン化合物（２）等とを、前記した要領で加水分解・縮合させることにより得られた（Ａ）ポリオルガノシロキサンを、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族のエポキシ化合物、（Ｃ）カルボン酸無水物並びに（Ｄ）硬化促進剤と混合する方法を挙げることができる。

なお、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕は、（Ａ）成分を主成分とするポリオルガノシロキサン液と（Ｂ）成分および（Ｃ）成分を主成分とする硬化剤液とを別々に調製しておき、使用時にこれらを混合して調製してもよく、光半導体封止用組成物〔II〕は、（Ａ）成分を主成分とするポリオルガノシロキサン液と（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分および（Ｄ）成分を主成分とする硬化剤液とを別々に調製しておき、使用時にこれらを混合して調製してもよい。

光半導体封止材
本発明の光半導体封止材は、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕または光半導体封止用組成物〔II〕を加熱硬化させた硬化物からなる。
本発明の光半導体封止材を形成する際には、光半導体層を有する基板の所定箇所に、各光半導体封止用組成物を、例えば、塗布、ポッティング、含浸等により施工したのち、加熱して硬化させる。
各光半導体封止用組成物の施工方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ディスペンサーによる塗布またはポッティング、真空下または常圧下におけるスクリーン印刷による塗布、反応射出成型等の公知の方法を採用することができる。

また、施工後の各光半導体封止用組成物を硬化させる方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、密閉式硬化炉、連続硬化が可能なトンネル炉等の従来公知の硬化装置を用いることができる。
硬化させるための加熱方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、熱風循環式加熱、赤外線加熱、高周波加熱等の従来公知の方法を採用することができる。
硬化条件は、例えば、８０〜２５０℃で３０秒〜１５時間程度が好ましい。硬化に際して、硬化物の内部応力を低減させることを目的とする場合は、例えば８０〜１２０℃で０．５〜５時間程度の条件で予備硬化させたのち、例えば１２０〜１８０℃で０．１〜１５時間程度の条件で後硬化させることが好ましく、また短時間硬化を目的とする場合は、例えば１５０〜２５０℃で３０秒〜３０分程度の条件で硬化させることが好ましい。

光半導体
本発明の光半導体は、本発明の光半導体封止材により封止された光半導体からなる。
なお、本発明の光半導体を得る際には、光半導体封止用組成物〔Ｉ〕を用いた光半導体封止材と光半導体封止用組成物〔II〕を用いた光半導体封止材との両者を併用してもよい。
本発明の光半導体における光半導体封止材の膜厚は、好ましくは０．０５ｍｍ以上、より好ましくは０．１ｍｍ以上である。なお、光半導体封止材の厚さの上限値は、封止される光半導体の用途等に応じて適宜選定される。

以下に実施例を示して、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
各合成例で得た（Ａ）ポリオルガノシロキサンの粘度、Ｍｗおよびエポキシ当量の測定方法は、下記のとおりである。

粘度の測定方法：
ＴＶ型粘度計により、２５℃で測定した。
Ｍｗの測定方法：カラム：東ソー製ＴＳＫｇｅｌＧＲＣＸＬＨ、溶剤：テトラヒドロフラン、温度：４０℃、圧力：６８ｋｇｆ／ｃｍ^２

エポキシ当量の測定方法：
ＪＩＳ Ｃ ２１０５の塩酸−メチルエチルケトン法に準じた。

合成例１
撹拌機、温度計、滴下漏斗、還流冷却管を備えた反応容器に、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（ＥＣＥＴＳ）８０．０ｇ、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＳ）２０．０ｇ、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３００ｇ、トリエチルアミン１０．００ｇを加え、室温で混合した。次いで、脱イオン水８０ｇを滴下漏斗より３０分かけて滴下したのち、還流下で混合しつつ、８０℃で８時間反応させた。反応終了後、有機層を取り出し、０．２重量％硝酸アンモニウム水溶液で、洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、減圧下で溶媒および水を留去して、（Ａ）ポリオルガノシロキサンを粘調な透明液体として得た。

この（Ａ）ポリオルガノシロキサンについて、^１Ｈ−ＮＭＲ分析を行なったところ、化学シフト（δ）＝３．２ｐｐｍ付近にエポキシ基に基づくピークが理論強度どおりに得られ、反応中にエポキシ基の副反応が起こっていないことが確認された。
この（Ａ）ポリオルガノシロキサンの粘度は１００Ｐａ・ｓ以上で測定限界を超えていた。Ｍｗは２８００でありエポキシ当量は２２０ｇ／モルであった。

光半導体封止用組成物の成型治具と硬化条件、並びに硬化物の外観、ＵＶ耐久性および硬度の評価要領は、下記のとおりである。

硬化物作成（光線透過率測定用）：
ポリエチレンテレフタレートフィルムを表面に貼り付けたガラス板２枚を対向させ、ガラス板の端部に直径５ｍｍのシリコンゴムロッドをＵ字状にして挟み込んで、成型治具とした。この成型治具に光半導体封止用組成物を注入し、１００℃のオーブンで２時間加熱したのち、１２０℃のオーブンで２時間加熱し、さらに１４０℃のオーブンで２時間加熱して硬化させた。５ｍｍ厚の光線透過率測定用サンプルを得た。
硬化物作成（Ｔｇ、線膨張係数測定用）：
離型剤をスプレーしたステンレス板２枚を対向させ、間に型をくりぬいた１ｍｍ厚のステンレス板をはさみこんで成型冶具とした。この成型治具に光半導体封止用組成物を注入し、１００℃のオーブンで２時間加熱したのち、１２０℃のオーブンで２時間加熱し、さらに１４０℃のオーブンで２時間加熱して硬化させた。１ｍｍ厚のＴｇ測定用サンプルを得た。

耐クラック評価用サンプル作成：
直径５ｍｍ、深さ０．５ｍｍの金型に離型剤を塗布し、その上に２×２×０．２ｍｍ^３のサファイア基板を置いた。この上から本発明の樹脂組成物を流し込んで１００℃のオーブンで２時間加熱したのち、１２０℃のオーブンで２時間加熱し、さらに１４０℃のオーブンで２時間加熱して硬化させた。１つの樹脂について評価サンプルを１０個作成した。

半田リフロー条件：
耐クラック評価用サンプルを３０℃、７０％で1週間放置した後、予備過熱：１８０〜２００℃、加熱温度：１２０秒以内、半田温度：２６０℃以下、半田時間：１０秒以内、窒素リフローの条件下に３回通した後、クラックの発生を顕微鏡で観察した。１０個のサンプルのうちクラックが発生しないサンプルの数を数えた。

ヒートサイクル：
装置で−４０℃×３０分、１００℃×３０分のサイクルを１００回繰り返した後、クラックの発生を顕微鏡で観察した。１０個のサンプルのうちクラックが発生しないサンプルの数を数えた。

Ｔｇ：
ＤＭＴＡ（ＲＳＡ−II、レオメトリックスサイエンティフィック製）にて昇温速度５℃／ｍｉｎで３０〜２８０℃までをスキャンし、ｔａｎδの極大値をＴｇとした。
線膨張係数（ＣＴＥともいう）：
ＴＭＡ（ＴＭＡ−ＳＳ６１００、セイコーインストルメンツ製）にて昇温速度５℃／ｍｉｎで３０〜１５０℃までをスキャンした。

初期透過率：
硬化物の波長４７０ｎｍでの透過率を分光光度計にて測定した。

ＵＶ耐久性の評価要領：
硬化物に対して、紫外線ロングライフフェードメーター（スガ試験機（株）製）を用い、紫外線（ＵＶ）を６３℃で１０００時間連続照射して、波長４７０ｎｍでの透過率を分光光度計にて測定した。初期透過率の９０％以上が保持されていれば十分である。

耐熱性の評価要領：
硬化物を１５０℃で７２時間放置して波長４７０ｎｍでの透過率を分光光度計にて測定した。初期透過率の９０％以上が保持されていれば十分である。

実施例１
（Ａ）成分として、合成例１で得た（Ａ）ポリオルガノシロキサン８．０ｇ、（Ｂ）成分としてＹＸ８０００を２．０ｇ、（Ｃ）成分としてメチルヘキサヒドロフタル酸無水物（前記式（３）の化合物。商品名MH700 、新日本理化（株）製）６．８ｇ、（Ｄ）成分としてＵ−ＣＡＴ５００３ ０．０７０ｇ（サンアプロ製）を加えて、均一に混合し、脱泡したのち、成型冶具に注入して硬化させることにより、無着色透明で、クラックおよび気泡のない硬化物を得た。この硬化物の評価結果を表２に示す。

実施例２〜３、比較例１〜２
表１に示す各成分を用いた以外は実施例１と同様にして、硬化物を得た。各硬化物の評価結果を表２に示す。なお、（Ｄ）成分はすべてＵ−ＣＡＴ５００３を（Ｃ）成分に対して１重量％の割合で添加した。実施例１〜３ではＵＶを照射しても透過率の変化がなく、１５０℃で７２ｈｒに放置しても９０％以上の透過率を保持しており光半導体の封止材として十分実用に耐えうるものだった。また、リフリー後やヒートサイクル後のクラックも発生しなかった。

Claims (7)

1. （Ａ）エポキシ当量が８００ｇ／モル以下のポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族のエポキシ化合物を１０〜４００重量部および（Ｃ）カルボン酸無水物を含有しそして上記ポリオルガノシロキサンが酸素原子が３個結合したケイ素原子を全ケイ素原子当り４０モル％を超える割合で含有することを特徴とする光半導体封止用組成物。
2. （Ａ）成分が下記式（１）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物と下記式（２）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させて得られる、ポリスチレン換算重量平均分子量１，０００〜２０，０００のポリオルガノシロキサンである請求項１の光半導体封止用組成物。
   

   

   〔式（１）において、Ｘはエポキシ基を１個以上有する１価の有機基、Ｙ^１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ^１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｎは０〜２の整数である。〕
   

   

   〔式（２）において、Ｙ^２は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ^２は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。〕
3. （Ｄ）硬化促進剤をさらに含有する請求項１の光半導体封止用組成物。
4. （Ａ）上記式（１）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物と上記式（２）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して加水分解・縮合させることにより得られそしてポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜２０，０００であると共に、（ｉ）エポキシ当量が８００ｇ／モル以下であることおよび（ｉｉ）式（１）で表されるシラン化合物に由来する構造単位の含有率が全構造単位の５モル％以上であることの少なくとも一方の条件を満たすポリオルガノシロキサンを、（Ｂ）脂肪族あるいは脂環族のエポキシ化合物および（Ｃ）カルボン酸無水物と混合することを特徴とする光半導体封止用組成物の調製方法。
5. （Ｄ）硬化促進剤をさらに混合する請求項４に記載の調製方法。
6. 請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体封止用組成物を加熱硬化させた硬化物からなる光半導体封止材。
7. 請求項６に記載の光半導体封止材により封止された光半導体。