JP2011174023A - 光半導体封止用樹脂組成物とこれを使用した光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有し、脂環式エポキシ樹脂(A)として、下記式(I)で表される化合物、脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物、及び脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を3以上有する化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物を、エポキシ樹脂の全量に対して55〜100wt%含有し、硬化剤が酸無水物系硬化剤であり、且つ硬化促進剤として、ホスホニウムイオンと該ホスホニウムイオンとイオン対を形成しうるハロゲンアニオンとのイオン結合体を含有する光半導体封止用樹脂組成物。
【選択図】なし
Description
また、本発明の他の目的は、上記光半導体封止用樹脂組成物を硬化してなる、高い耐熱性および透明性を維持しつつ、優れた輝度安定性を付与した硬化物を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、上記光半導体封止用樹脂組成物を使用して光半導体素子を封止した光半導体装置を提供することにある。
脂環式エポキシ樹脂(A)として、(A1)下記式(I)
で表される化合物、(A2)脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物、及び(A3)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を3以上有する化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物を、該エポキシ樹脂の全量に対して55〜100wt%含有し、硬化剤(B)が酸無水物系硬化剤であり、且つ硬化促進剤(C)として、下記式(1)
前記ハロゲンアニオンは、臭素イオンもしくはヨウ素イオンであることが好ましい。
また、本発明は、上記光半導体封止用樹脂組成物を硬化してなる硬化物を提供する。
さらに、本発明は、上記光半導体封止用樹脂組成物によって光半導体素子が封止されてなる光半導体装置を提供する。
本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤(B)、及び硬化促進剤(C)を含有する光半導体封止用樹脂組成物であって、脂環式エポキシ樹脂(A)として、(A1)下記式(I)
で表される化合物、(A2)脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物、及び(A3)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を3以上有する化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物を、該エポキシ樹脂の全量に対して55〜100wt%含有し、硬化剤(B)が酸無水物系硬化剤であり、且つ硬化促進剤(C)として、下記式(1)
で表されるホスホニウムイオンと該ホスホニウムイオンとイオン対を形成しうるハロゲンアニオンとのイオン結合体を含有することを特徴とする。本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有するため、高い耐熱性および透明性を有している。
本発明の光半導体封止用樹脂組成物に含有されているエポキシ樹脂は、脂環式エポキシ樹脂(A)として、(A1)下記式(I)
本発明の光半導体封止用樹脂組成物に含有されている脂環式エポキシ樹脂(A)は、(A1)下記式(I)
本発明の光半導体封止用樹脂組成物に含有されている硬化剤(B)は酸無水物系硬化剤である。酸無水物系硬化剤としては、一般にエポキシ樹脂用硬化剤として慣用されているものの中から任意に選択して使用することができる。なかでも、常温で液状のものが好ましく、具体的には、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸などを挙げることができる。また、例えば無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの常温で固体の酸無水物は、常温で液状の酸無水物に溶解させて液状の混合物とすることで、本発明の硬化剤として使用することができる。
本発明の光半導体封止用樹脂組成物に含有されている硬化促進剤(C)は、下記式(1)
で表されるホスホニウムイオンと該ホスホニウムイオンとイオン対を形成しうるハロゲンアニオンとのイオン結合体を含有している。上記式(1)で表されるホスホニウムイオンとハロゲンアニオンとのイオン結合体(第4級有機ホスホニウム塩)は、ホスホニウムイオンとハロゲンアニオンが少なくとも1個のイオン対を形成したものである。この硬化促進剤は高温にさらされる硬化時にはこのイオン結合体がすみやかに解離し、ホスホニウムイオンが硬化を促進する作用を有する。このため、光半導体装置を製造した場合に、封止材中のハロゲンアニオンがリードフレームとの密着性を低くすることにより輝度安定性を向上する作用を有すると考えられる。
本発明の光半導体封止用樹脂組成物は溶媒を含んでいてもよい。溶媒として、例えば、グリコール(エチレングリコール;ポリアルキレングリコール;ネオペンチルアルコールなど)、エーテル(ジエチルエーテル;エチレングリコールモノ又はジアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノ又はジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノ又はジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノ又はジアリールエーテル、ジプロピレングリコールモノ又はジアルキルエーテル、トリプロピレングリコールモノ又はジアルキルエーテル、1,3−プロパンジオールモノ又はジアルキルエーテル、1,3−ブタンジオールモノ又はジアルキルエーテル、1,4−ブタンジオールモノ又はジアルキルエーテル、グリセリンモノ,ジ又はトリアルキルエーテル等のグリコールエーテル類などの鎖状エーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテルなど)、エステル(酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシブチルアセテート、C5-6シクロアルカンジオールモノ又はジアセテート、C5-6シクロアルカンジメタノールモノ又はジアセテート等のカルボン酸エステル類;エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ又はジアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ又はジアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ又はジアセテート、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノ又はジアセテート、1,3−プロパンジオールモノアルキルエーテルアセテート、1,3−プロパンジオールモノ又はジアセテート、1,3−ブタンジオールモノアルキルエーテルアセテート、1,3−ブタンジオールモノ又はジアセテート、1,4−ブタンジオールモノアルキルエーテルアセテート、1,4−ブタンジオールモノ又はジアセテート、グリセリンモノ,ジ又はトリアセテート、グリセリンモノ又はジC1-4アルキルエーテルジ又はモノアセテート、トリプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノ又はジアセテート等のグリコールアセテート類又はグリコールエーテルアセテート類など)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、3,5,5−トリメチル−2−シクロヘキセン−1−オンなど)、アミド(N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなど)、スルホキシド(ジメチルスルホキシドなど)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノール、3−メトキシ−1−ブタノール、C5-6シクロアルカンジオール、C5-6シクロアルカンジメタノールなど)、炭化水素(ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素など)、これらの混合溶媒などが挙げられる。
本発明にかかる光半導体封止用樹脂組成物は、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲内で各種添加剤を使用することができる。添加剤として、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの水酸基を有する化合物を使用すると、反応を緩やかに進行させることができる。その他にも、粘度や透明性を損なわない範囲内で、シリコーン系やフッ素系消泡剤、レベリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、界面活性剤、シリカ、アルミナなどの無機充填剤、有機系のゴム粒子、難燃剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、顔料、蛍光体、離型剤などの慣用の添加剤を使用することができる。
本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、温度45〜200℃、好ましくは、100〜190℃、さらに好ましくは、100〜180℃で、硬化時間30〜600分、好ましくは、45〜540分、さらに好ましくは、60〜480分で硬化させることができる。硬化温度と硬化時間が上記範囲下限値より低い場合は、硬化が不十分となり、逆に上記範囲上限値より高い場合、樹脂成分の分解が起きる場合があるので、何れも好ましくない。硬化条件は種々の条件に依存するが、硬化温度が高い場合は硬化時間は短く、硬化温度が低い場合は硬化時間は長く、適宜調整することができる。本発明の光半導体封止用樹脂組成物を硬化させることにより輝度安定性、耐熱性、透明性などの諸物性に優れた硬化物が得られる。
本発明の光半導体装置は、本発明の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止することにより得られる。光半導体素子の封止は、前述の方法で調製された光半導体封止用樹脂組成物を所定の成形型内に注入し、所定の条件で加熱硬化して行う。これによって、光半導体封止用樹脂組成物により、光半導体素子が封止されてなる、輝度安定性、耐熱性、透明性などの諸物性に優れた光半導体装置が得られる。硬化温度と硬化時間は、上記と同様にすることができる。
脂環式エポキシ樹脂として、ダイセル化学工業(株)製、商品名「セロキサイド2021P」50重量部、ダイセル化学工業(株)製、商品名「EHPE3150CE」50重量部を用いた。
硬化剤としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、商品名「リカシッドMH−700」)100重量部、硬化促進剤としてはテトラフェニルホスホニウムブロミド(和光純薬工業(株)製)1重量部を用いた。さらに、エチレングリコール(和光純薬工業(株)製)を1.5重量部用いた。
これらをシンキー(株)製「あわとり錬太郎」を用いて、均一に混合し(2000rpm、5分)、光半導体封止用樹脂組成物を得た。
硬化促進剤として、エチルトリフェニルホスホニウムヨージド(和光純薬工業(株)製)0.5重量部及びトリフェニルホスフィン(キシダ化学(株)製)0.5重量部を用いた以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用樹脂組成物を得た。
エポキシ樹脂として、ダイセル化学工業(株)製、商品名「EHPE3150CE」70重量部、並びに、東都化成(株)製、商品名「YD−128」30重量部を用いた以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用樹脂組成物を得た。
硬化促進剤として、テトラブチルホスホニウムジエチルホスホロジチオエート(日本化学工業(株)製、商品名「ヒシコーリンPX−4ET」)を用いた以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用樹脂組成物を得た。
エポキシ樹脂として、ダイセル化学工業(株)製、商品名「EHPE3150CE」50重量部、並びに、東都化成(株)製、商品名「YD−128」50重量部を用いた以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用樹脂組成物を得た。
エポキシ樹脂として、東都化成(株)製、商品名「YD−128」100重量部を用いた以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用樹脂組成物を得た。
光半導体素子(InGaN)付きリードフレームに、得られた光半導体封止用樹脂組成物を注型して加熱硬化させて光半導体装置を作製した。
作製した光半導体装置について、低温通電(−40℃/20mA)、及び、常温通電(23℃/60mA)を行い、各条件における通電輝度安定性を下記の測定装置を用いて測定した。
測定装置:OPTRONIC LABORATORIES社製 OL771
銀メッキ銅板の上に、得られた光半導体封止用樹脂組成物を用いて、1.25mm×1.25mm×1mmのシリコンウエハーを硬化・接着した。この硬化物をダイシェアテスターに供して、シリコンウエハーが銀メッキ銅板から剥がされる際にかかる接着強度を測定した。結果を表1に示す。
測定条件:テストスピード300μm/s、テスト高さ500μm
測定装置:Dage社製 Dage 4000
エポキシ樹脂
セロキサイド2021P:3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ダイセル化学工業(株)製
EHPE3150CE:2,2−ビス(ヒドロキシメチル)-1-ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロセキサン付加物と3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ダイセル化学工業(株)製
YD−128:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成(株)製
硬化剤(B)
リカシッドMH−700:4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸/ヘキサヒドロ無水フタル酸=70/30、新日本理化(株)製
硬化促進剤(C)
テトラフェニルホスホニウムブロミド:和光純薬工業(株)製
エチルトリフェニルホスホニウムヨージド:和光純薬工業(株)製
ヒシコーリンPX−4ET:テトラブチルホスホニウムジエチルホスホロジチオエート、日本化学工業(株)製
トリフェニルホスフィン:キシダ化学(株)製
添加剤
エチレングリコール:和光純薬工業(株)製
Claims (4)
- エポキシ樹脂、硬化剤(B)、及び硬化促進剤(C)を含有する光半導体封止用樹脂組成物であって、
脂環式エポキシ樹脂(A)として、(A1)下記式(I)
で表される化合物、(A2)脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物、及び(A3)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を3以上有する化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物を、該エポキシ樹脂の全量に対して55〜100wt%含有し、硬化剤(B)が酸無水物系硬化剤であり、且つ
硬化促進剤(C)として、下記式(1)
で表されるホスホニウムイオンと該ホスホニウムイオンとイオン対を形成しうるハロゲンアニオンとのイオン結合体を含有することを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物。 - 前記ハロゲンアニオンが臭素イオンもしくはヨウ素イオンである請求項1記載の光半導体封止用樹脂組成物。
- 請求項1又は2記載の光半導体封止用樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
- 請求項1又は2記載の光半導体封止用樹脂組成物によって光半導体素子が封止されてなる光半導体装置。
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