JP2013018924A - 硬化性エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
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- 0 CCC1(C*(C(*(CC(C)C)C(*2CC3(*)OC3)=O)=O)C2=O)OC1 Chemical compound CCC1(C*(C(*(CC(C)C)C(*2CC3(*)OC3)=O)=O)C2=O)OC1 0.000 description 2
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Abstract
Description
また、本発明の他の目的は、上記硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備え、短い時間で製造可能であり、生産性に優れる硬化物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、リフロー工程(特に、吸湿後のリフロー工程)による光度低下及び経時での光度低下が抑制された光半導体装置を短時間で製造できる、上記硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記光半導体封止用樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止することにより得られる、リフロー工程(特に、吸湿後のリフロー工程)による光度低下及び経時での光度低下が抑制され、なおかつ短時間で製造可能であり生産性に優れる光半導体装置を提供することにある。
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)と、下記式(2)
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物(A)(下記式(2)で表される脂環式エポキシ化合物を除く)と、下記式(1)
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)と、下記式(2)
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物(A)は、分子内(1分子内)に脂環(脂肪族環)構造とエポキシ基とを少なくとも有する化合物である。より具体的には、脂環式エポキシ化合物(A)には、例えば、(i)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基(「脂環エポキシ基」と称する場合がある)を有する化合物、及び(ii)脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物等が含まれる。但し、脂環式エポキシ化合物(A)には、上記式(2)で表される脂環式エポキシ化合物(C)は含まれないものとする。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成するモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)は、下記の一般式(1)で表される。
測定装置:HP6890(ヒューレットパッカード製)
カラム:HP−5、長さ60m、内径0.32mm
液相 5%−ジフェニル−95%−ジメチルポリシロキサン
キャリアガス:窒素
キャリアガス流量:2.6ml/分
検出器:FID
注入口温度:250℃
検出器温度:250℃
昇温パターン(カラム):60℃で5分保持、10℃/分で300℃まで昇温
スプリット比:100
サンプル:1μl
測定装置:HP6890(ヒューレットパッカード社製)
カラム:HP−5、長さ30m、膜厚0.25μm、内径0.32mm
液相 5%−ジフェニル−95%−ジメチルポリシロキサン
キャリアガス:窒素
キャリアガス流量:1.0ml/分
検出器:FID
注入口温度:250℃
検出器温度:300℃
昇温パターン(カラム):100℃で2分保持、5℃/分で300℃まで昇温、30 0℃で10分保持
スプリット比:100
サンプル:1μl(脂環式エポキシ化合物:アセトン=1:40)
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する硬化剤(D)は、エポキシ基を有する化合物を硬化させる働きを有する。硬化剤(D)としては、エポキシ樹脂用硬化剤として公知乃至慣用の硬化剤を使用することができる。中でも、硬化剤(D)としては、25℃で液状の酸無水物が好ましく、より具体的には、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸などが挙げられる。また、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの常温(約25℃)で固体状の酸無水物についても、常温(約25℃)で液状の酸無水物に溶解させて液状の混合物とすることで、硬化剤(D)として使用することができる。硬化剤(D)としては、硬化物の耐熱性、耐光性の観点で、特に、飽和単環炭化水素ジカルボン酸の無水物(環にアルキル基等の置換基が結合したものも含む)が好ましい。硬化剤(D)は単独で、又は2種以上を組み合わせて使用できる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上述の硬化剤(D)の代わりに、硬化触媒(E)を含んでいてもよい。硬化剤(D)を用いた場合と同様に、硬化触媒(E)を用いることにより、エポキシ基を有する化合物の硬化反応を進行させ、硬化物を形成させることができる。上記硬化触媒(E)としては、特に限定されないが、例えば、紫外線照射又は加熱処理を施すことによりカチオン種を発生して、重合を開始させることができるカチオン触媒(カチオン重合開始剤)を用いることができる。硬化触媒(E)は単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、硬化促進剤(F)を含んでいてもよい。硬化促進剤(F)は、エポキシ基を有する化合物が硬化する際に、硬化速度を促進する機能を有する化合物である。特に、硬化剤(D)と併用することが多い。硬化促進剤(F)としては、公知乃至慣用の硬化促進剤を使用することができ、特に限定されないが、例えば、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7(DBU)、及びその塩(例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、p−トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩);1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5(DBN)、及びその塩(例えば、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、4級アンモニウム塩、ヨードニウム塩);ベンジルジメチルアミン、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、N,N−ジメチルシクロヘキシルアミンなどの3級アミン;2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類;リン酸エステル、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートなどのホスホニウム化合物;オクチル酸スズ、オクチル酸亜鉛などの有機金属塩;金属キレートなどが挙げられる。上記硬化促進剤(F)は単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、ゴム粒子を含んでいてもよい。上記ゴム粒子としては、例えば、粒子状NBR(アクリロニトリル−ブタジエンゴム)、反応性末端カルボキシル基NBR(CTBN)、メタルフリーNBR、粒子状SBR(スチレン−ブタジエンゴム)等が挙げられる。また、上記ゴム粒子は、ゴム弾性を有するコア部分と、該コア部分を被覆する少なくとも1層のシェル層とから成る多層構造(コアシェル構造)を有し、表面に脂環式エポキシ樹脂と反応し得る官能基としてヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有し、平均粒子径が10nm〜500nm、最大粒子径が50nm〜1000nmであるゴム粒子であって、該ゴム粒子の屈折率と当該硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の屈折率との差が±0.02以内であるゴム粒子であってもよい。上記ゴム粒子の配合量は、必要に応じて適宜調整することができ、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量(100重量部)に対して、1〜30重量部が好ましく、より好ましくは1〜20重量部である。ゴム粒子の使用量が1重量部を下回ると、耐クラック性が低下する傾向がある。一方、ゴム粒子の使用量が30重量部を上回ると、耐熱性及び透明性が低下する傾向がある。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲内で各種添加剤を使用することができる。添加剤として、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの水酸基を有する化合物を使用すると、反応(硬化反応)を緩やかに進行させることができる。その他にも、粘度や透明性を損なわない範囲内で、シリコーン系やフッ素系消泡剤、レベリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、界面活性剤、シリカ、アルミナなどの無機充填剤、難燃剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、顔料、蛍光体、離型剤などの慣用の添加剤を使用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた硬化物を得ることができる。硬化の際の加熱温度(硬化温度)としては、特に限定されないが、45〜200℃が好ましく、より好ましくは100〜190℃、さらに好ましくは100〜180℃である。また、硬化の際に加熱する時間(硬化時間)としては、特に限定されないが、20〜600分が好ましく、より好ましくは25〜540分、さらに好ましくは30〜480分である。硬化温度が低すぎる場合、及び/又は、硬化時間が短すぎる場合は、硬化が不十分となる場合がある。一方、硬化温度が高すぎる場合、及び/又は、硬化時間が長すぎる場合は、樹脂成分の分解が起こる場合がある。硬化条件は種々の条件に依存するが、硬化温度を高くした場合は硬化時間を短く、硬化温度を低くした場合は硬化時間を長くする等により、適宜調整することができる。
本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる。本発明の光半導体封止用樹脂組成物を用いることにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた硬化物により光半導体素子が封止された、生産性の高い光半導体装置が得られる。
本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物(光半導体封止用樹脂組成物)で光半導体素子を封止することにより得られる。光半導体素子の封止は、上述の方法で調製された硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の成形型内に注入し、所定の条件で加熱硬化して行う。これにより、硬化性エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止されてなる光半導体装置が得られる。封止の際の硬化温度と硬化時間としては、例えば、上記硬化物を形成する際と同様の条件を採用することができる。本発明の光半導体装置は、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物(光半導体封止用樹脂組成物)の硬化物により光半導体素子が封止された構成を有しているため、リフロー工程(特に、吸湿後のリフロー工程)による光度低下及び経時での光度低下が生じにくく、耐久性に優れる。特に、本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物による光半導体素子の封止の際の硬化時間を短くした場合であっても、硬化物(封止材)が優れた耐クラック性を有するため、生産性にも優れる。
(硬化剤、硬化促進剤、及び添加剤の混合物(以下、「D剤」と称する)の製造)
硬化剤[新日本理化(株)製、商品名「リカシッド MH−700」]:100重量部、硬化促進剤[サンアプロ(株)製、商品名「U−CAT 18X」]:0.5重量部、及び添加剤[和光純薬工業(株)製、商品名「エチレングリコール」]:1重量部を、自公転式攪拌装置[(株)シンキー製、商品名「あわとり練太郎AR−250」]を使用して均一に混合し、脱泡してD剤を得た。
(エポキシ樹脂の製造)
モノアリルジグリシジルイソシアヌレート[商品名「MA−DGIC」、四国化成工業(株)]、脂環式エポキシ化合物[商品名「セロキサイド2021P」、商品名「セロキサイド8000」、ともにダイセル化学工業(株)製]、ビスフェノールA型エポキシ樹脂[商品名「YD−128」、新日鐵化学(株)製]を、表1に示す配合処方(配合割合)(単位:重量部)に従って混合し、80℃で1時間攪拌することでモノアリルジグリシジルイソシアヌレートを溶解させ、エポキシ樹脂(エポキシ樹脂組成物)を得た。
製造例2にて得たエポキシ樹脂と、製造例1にて得たD剤又は硬化触媒[商品名「サンエイド SI−100L」、三新化学工業(株)製]とを、表1に示す配合処方(単位:重量部)となるように、各成分を自公転式攪拌装置[(株)シンキー製、商品名「あわとり練太郎AR−250」]を使用して均一に混合し、脱泡して硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
この硬化性エポキシ樹脂組成物を、図1に示すように光半導体のリードフレーム(InGaN素子、3.5mm×2.8mm)に注型した後、表1に示す硬化条件(条件−1、条件−2、条件−3)でオーブン中で加熱することにより、硬化した樹脂(硬化物)で光半導体素子を封止した光半導体装置を得た。なお、図1において、100はリフレクター(光反射用樹脂組成物)、101は金属配線、102は光半導体素子、103はボンディングワイヤ、104は透明封止樹脂(硬化物)を示す。
以下、実施例1〜7、比較例1、2においては、表1に示す条件−1(110℃で2時間、続いて150℃で3時間)の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置A」と称し、表1に示す条件−3(110℃で0.5時間、続いて150℃で0.5時間)の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置B」と称する。同様に、実施例8においては、表1に示す条件−2(110℃で3時間、続いて140℃で4時間)の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置A」と称し、表1に示す条件−3の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置B」と称する。
実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置について、以下の方法で評価試験を行った。
実施例及び比較例で得られた光半導体装置Aの全光束を、全光束測定機を用いて測定した(「0時間の全光束」とする)。
さらに、60℃の恒温槽内で300時間、光半導体装置Aに40mAの電流を継続的に流した後の全光束を測定した(「300時間後の全光束」とする)。そして、次式より光度保持率を算出した。結果を表1の「光度保持率」の欄に示す。
{光度保持率(%)}
={300時間後の全光束(lm)}/{0時間の全光束(lm)}×100
実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の型に注型し、表1に示す硬化条件[実施例1〜7、比較例1、2においては条件−1、実施例8においては条件−2]で、オーブン中で加熱し、厚さ3mmのプレート(硬化物)を作製した。上記プレートの波長450nmの光の光線透過率を、分光光度計を用いて測定した。結果を表1の「光線透過率」の欄に示す。
実施例及び比較例で得られた光半導体装置A(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき5個用いた)及び光半導体装置B(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき5個用いた)に対し、−40℃の雰囲気下に15分曝露し、続いて、120℃の雰囲気下に15分曝露することを1サイクルとした熱衝撃を、熱衝撃試験機を用いて400サイクル分与えた。その後、光半導体装置における硬化物(封止材)に生じたクラックの長さをデジタルマイクロスコープ[商品名「VHX−900」、(株)キーエンス製]で観察し、5個の光半導体装置のうち、長さ90μm以上のクラックが生じた光半導体装置の個数(「クラック装置数」と称する場合がある)を計測した。結果を表1の「クラック装置数」の欄に示す。
実施例及び比較例で得られた光半導体装置A(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個用いた)の全光束を全光束測定機にて測定し、「全光束初期値」とした。
その後、上記光半導体装置Aを30℃、70%RHの条件下で168時間静置して吸湿させ、次いで、上記光半導体装置Aをリフロー炉に入れ、下記加熱条件にて加熱した。その後、上記光半導体装置Aを室温環境下に取り出して放冷した後、再度リフロー炉に入れて同条件で加熱した。即ち、当該はんだ耐熱性試験においては、光半導体装置Aに対して下記加熱条件による熱履歴を二度与えた。
〔加熱条件(光半導体装置Aの表面温度基準)〕
(1)予備加熱:150〜190℃で60〜120秒
(2)予備加熱後の本加熱:217℃以上で60〜150秒、最高温度260℃
ただし、予備加熱から本加熱に移行する際の昇温速度は、最大で3℃/秒に制御した。
図2には、リフロー炉で加熱した際の光半導体装置Aの表面温度プロファイル(二度の加熱の内、一方の加熱における温度プロファイル)の一例を示す。
その後、再び光半導体装置A(加熱後の光半導体装置A)の全光束を測定し、「全光束試験値」とした。そして、[(全光束試験値/全光束初期値)×100]で表される全光束の保持率が、2個の光半導体装置Aについて共に90%以上であった場合を「良」(吸湿後の耐はんだリフロー性良好)とし、2個の光半導体装置Aのいずれか一方または両方の全光束の保持率が90%未満であった場合を「不良」(吸湿後の耐はんだリフロー性不良)とした。結果を表1の「はんだ耐熱性試験」の欄に示す。
透明性試験において光線透過率が85%以上、耐熱性試験において光度保持率が90%以上、耐クラック性試験におけるクラック装置数が光半導体装置A及び光半導体装置Bのいずれについても0個であり、なおかつはんだ耐熱性試験における評価が「良」であったものを総合判定○(優れている)とした。それ以外のものを総合判定×(劣っている)とした。結果を表1の「総合判定」の欄に示す。
一方、比較例の硬化性エポキシ樹脂組成物により製造された光半導体装置は、硬化物にクラックが生じ、さらに吸湿後のリフロー工程により大きく光度が低下したり(比較例1)、経時で光度が大きく低下する(比較例2)などの不具合が生じた。
[エポキシ樹脂]
CEL2021P(セロキサイド 2021P):3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル化学工業(株)製
MA−DGIC:モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、四国化成工業(株)製
CEL8000(セロキサイド 8000):3,4,3´,4´−ジエポキシビシクロヘキシル、ダイセル化学工業(株)製
YD―128:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、新日鐵化学(株)製
[D剤]
リカシッド MH−700:4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸/ヘキサヒドロ無水フタル酸=70/30、新日本理化(株)製
U−CAT 18X:硬化促進剤、サンアプロ(株)製
エチレングリコール:和光純薬工業(株)製
[硬化触媒]
サンエイド SI−100L:アリールスルホニウム塩、三新化学工業(株)製
・樹脂硬化オーブン
エスペック(株)製、「GPHH−201」
・恒温槽
エスペック(株)製、「小型高温チャンバー ST−120B1」
・全光束測定機
米国オプトロニックラボラトリーズ製、「マルチ分光放射測定システム OL771」
・分光光度計
(株)島津製作所製、「分光光度計 UV−2450」
・熱衝撃試験機
エスペック(株)製、「小型冷熱衝撃装置 TSE−11−A」
・リフロー炉
日本アントム(株)製、「UNI−5016F」
101:金属配線
102:光半導体素子(LED素子)
103:ボンディングワイヤ
104:透明封止樹脂
Claims (8)
- 前記脂環式エポキシ化合物(A)が、シクロヘキセンオキシド基を有する脂環式エポキシ化合物である請求項1に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- さらに、硬化促進剤(F)を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物。
- 請求項7に記載の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止した光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011155267A JP5703153B2 (ja) | 2011-07-13 | 2011-07-13 | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011155267A JP5703153B2 (ja) | 2011-07-13 | 2011-07-13 | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013018924A true JP2013018924A (ja) | 2013-01-31 |
JP5703153B2 JP5703153B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=47690676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011155267A Expired - Fee Related JP5703153B2 (ja) | 2011-07-13 | 2011-07-13 | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5703153B2 (ja) |
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