TW201801351A - 縮合反應型晶粒接合劑、led發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種在電極產生導通不良之虞較低的LED發光裝置。一種晶粒接合劑，係縮合反應型接著劑，用以將具有被金被覆的連接面之LED元件予以接著，含有：(A)在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基；(B)在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)；及(C)縮合反應觸媒。

Description

縮合反應型晶粒接合劑、LED發光裝置及其製造方法
技術領域 本發明係有關於一種縮合反應型晶粒接合劑、LED發光裝置及其製造方法。
發明背景 已知一種LED發光裝置，係使用接著劑將LED元件與安裝基板接著後，使用配線構件將LED元件的電極與安裝基板電極之間連接，而且使用密封構件將LED元件及配線構件密封。又，在LED發光裝置，已知使用矽酮樹脂組成物作為將安裝基板與LED元件接著之晶粒接合劑。
例如，專利文獻1記載之矽酮樹脂組成物，因為可藉由加成反應來形成具有優異的轉印性及作業性且具有優異的高硬度、耐熱變色性、接著性及耐龜裂性之硬化物，所以可使用作為晶粒接合劑。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2015-140372號公報
發明概要 發明欲解決之課題 使用加成反應型的晶粒接合劑，而將安裝基板與LED元件接著後，將LED元件的元件電極與安裝基板的基板電極之間進行引線接合連接時，被連接的元件電極與基板電極之間有產生通電不良之情形。
使用加成反應型的晶粒接合劑而將安裝基板與LED元件接著後，為了使晶粒接合劑硬化，通常係進行加熱處理及/或預定時間的靜置處理。在加熱處理或靜置處理期間，由於在加成反應型的晶粒接合劑所含有的矽氧烷產生氣化且將被覆元件電極的連接面之金作為觸媒，而進行加成反應且在LED元件的連接面形成絕緣層。更詳言之，由於在加成反應型晶粒接合劑所含有之具有SiH基的矽氧烷及具有乙烯基的低分子矽氧烷產生氣化且將金作為觸媒，而進行加成反應且在被金被覆的LED元件之元件電極的連接面形成絕緣層。該絕緣層係通電不良的原因之一。 用以解決課題之手段
在一態樣，其目的係提供一種在電極產生導通不良之可能性較低的縮合反應型晶粒接合劑、使用該晶粒接合劑之LED發光裝置的製造方法、以及使用該晶粒接合劑之LED發光裝置。
為了達成上述目的，實施形態之晶粒接合劑，一種晶粒接合劑，係用以接著LED元件之縮合反應型接著劑，該LED元件於表面具有元件電極，該元件電極具有被金所被覆的連接面，該晶粒接合劑含有：(A)在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基；(B)在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)；及(C)縮合反應觸媒。
又，實施形態之用以製造LED發光裝置之製造方法，包含：使用晶粒接合劑將表面具有元件電極之LED元件接著在具有基板電極之安裝基板的表面，前述元件電極具有被金所被覆的連接面；使用導電性配線構件將基板電極與元件電極的連接面之間予以連接；及使用密封構件將LED元件密封；該晶粒接合劑係縮合反應型接著劑，含有：(A)在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基；(B)在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)；及(C)縮合反應觸媒。
又，實施形態之LED發光裝置，具備：安裝基板，其具有基板電極；LED元件，其在表面具有元件電極，該元件電極具有被金被覆的連接面；接著構件，用以將安裝基板表面與LED元件背面接著；導電性配線構件，其一端連接至基板電極且另一端連接至元件電極的連接面；及密封構件，用以將LED元件的任一者密封，該接著構件係藉由下述(A)~(C)之縮合反應而製得：(A)在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基；(B)在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)；及(C)縮合反應觸媒。
在本說明書，有時將含有(A)成分、(B)成分及(C)成分之組成物且使其硬化反應之前的物質稱為「晶粒接合劑」。又，有時將使含有(A)成分、(B)成分及(C)成分之組成物硬化反應而成的物質稱為「接著構件」。上述所謂「室溫」，係意味著20±15℃，所謂「固體狀」，係意味著完全不具有流動性之通常所謂固體狀態，所謂「液狀」，係指具有流動性之狀態，例如意味著使用E型黏度計而測定的黏度為1,000,000mPa･s/25℃以下之狀態。
在一態樣，因為使用縮合反應型晶粒接合劑，其具有SiH基之矽氧烷由於無氣化之虞，所以可提供一種在電極產生導通不良之可能性較低的LED發光裝置。
用以實施發明之形態 以下，邊參照圖式邊說明縮合反應型晶粒接合劑、LED發光裝置及其製造方法。然而，需知本發明並不受限於圖式或以下記載的實施形態。
圖1A係實施形態的LED發光裝置之平面圖，圖1B係沿著圖1A的IA-IB線之剖面圖。
LED發光裝置1係具有安裝基板10、LED元件20、引線接合材30、密封構件40、及接著構件50。
作為一個例子，安裝基板10係具有長方形的形狀且在其表面中央可供安裝LED元件20之印刷基板。安裝基板10係例如由氧化鋁等的絕緣材所構成。安裝基板10係具有第1基板電極11、第2基板電極12、第1基板配線13、第2基板配線14、第1外部電極15、及第2外部電極16。第1基板電極11、第2基板電極12、第1基板配線13、第2基板配線14、第1外部電極15及第2外部電極16之各自為導電性材料，在一個例子，係由鍍銅形成。
LED元件20係在表面具有陽極之第1元件電極21、及陰極之第2元件電極22。第1元件電極21的連接面23及第2元件電極22的連接面24係被金被覆。LED元件20的背面係藉由接著構件50而接著安裝基板10的表面。
引線接合材30係包含各自為金線之第1引線接合材31及第2引線接合材32。第1引線接合材31的一端係連接第1基板電極11，第1引線接合材31的另一端係連接被金被覆之第1元件電極21的連接面23。第2引線接合材32的一端係連接第2基板電極12，第2引線接合材32的另一端係連接被金被覆之2元件電極22的連接面24。
密封構件40係以將第1基板電極11、第2基板電極12、LED元件20、引線接合材30密封之方式配置。密封構件40係環氧樹脂或矽酮樹脂等的無色且透明的樹脂。
接著構件50，係將含有如以下表示的複數種成分之縮合反應型晶粒接合劑混合，而且使其縮合反應且硬化而成之矽酮組成物。接著構件50係將安裝基板10的表面與LED元件20的背面接著。
作為用以形成接著構件50而使用的縮合反應型晶粒接合劑，只要在電極產生導通不良的可能性較低之縮合反應型晶粒接合劑，即可使用各種眾所周知者，不過接著構件以可硬化至深部為止且不產生龜裂和空隙者為佳。因此，必須減少伴隨縮合反應而產生的水、醇類等的低分子成分及有機溶劑以及其它揮發成分的量。又，接著構件的機械強度為較低且較柔軟時，在將被接著構件接著之LED元件進引線接合時，LED元件振動且在LED元件與接合材之間未充分地接合，而有產生接合不良之可能性。為了減低接合不良的產生率等，接著構件必須提高機械強度且增加硬度。考慮該等情況之結果，本實施形態之晶粒接合劑，特別是使用含有預定(A)室溫固體狀之含有矽烷醇基之聚烷基倍半矽氧烷(以下，亦稱為(A)成分)、預定(B)室溫液狀聚烷基倍半矽氧烷(以下，亦稱為(B)成分)、及(C)縮合反應觸媒(以下，亦稱為(C)成分)之無溶劑型組成物為佳。
(A)成分，係在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，其具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基。
作為R1 之中碳數1~15的烷基，例如可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、正戊基、異戊基、正己基、異己基、癸基、異癸基及環己基、及該等的混合物等。前述苯基、苄基及環己基，係各環上的至少一個氫亦可被前述碳數1~15的烷基取代。但是，R1 不包含異氰酸酯基、硫醇基、胺基、環氧基、酸酐基、及乙烯基等的反應性官能基。又，烷基的碳數不被整數限定，例如碳數亦可為1.3。
TA 可細分成為T1結構[R1 O-Si(R1 )(OR1 )-O-]、T2結構[-(R1 )Si(OR1 )(O-)-O-]及T3結構[-(R1 )Si(O-)2 -O-]。該等的比率沒有特別限定，通常以莫耳比計為T1：T2：T3=0~5：10~40：90~60左右，較佳為0：20~30：80~70左右。各結構可藉由例如測定(A)成分的29 Si-NMR光譜來特定。
在(A)成分TA所佔有的比率沒有特別限定，考慮本實施形態所期望效果的平衡、特別是本實施形態之晶粒接合劑的相溶性及硬化性等、以及接著構件的機械強度、接著性、耐龜裂性及耐空隙性等的平衡時，通常90莫耳%以上，以95莫耳%以上為佳、較佳為100莫耳%。又，係在保持(A)成分在室溫為固體狀之限度，亦可併存若干量的其它單元(MA 單元、DA 單元、QA 單元)。此種其它單元的比率沒有特別限定，通常小於10莫耳%，較佳為小於5莫耳%。
(A)成分的結構，具體而言亦可採用下述平均單元式而表現。
[化1]
Figure TW201801351AD00001
前述式中，0＜a≦3，0＜x，0≦y，且x+y=1。較佳是、x=1，y=0。
(A)成分含有源自矽烷醇基之羥基。該羥基的含量沒有特別限定，通常相對(A)成分總量為1~10wt%左右。藉由該羥基的含量為1wt%以上，接著構件的機械強度及接著性等有成為良好之傾向，又，藉由10wt%以下，伴隨著硬化反應之脱離成分量減低且接著構件的耐龜裂性和耐空隙性有變為良好之傾向。由此觀點，該羥基的含量較佳為2~5wt%左右。
(A)成分，可使用各種眾所周知的方法而製造。以下，揭示(A)成分之非限定的製造例。
(A)成分的起始原料之三烷氧基矽烷(a1)(以下，亦稱為(a1)成分)，係以通式：X1 Si(OX1 )3 (式中，X1 表示碳數1~15的烷基、苯基、苄基、羥基或鹵素原子，可相同或不同)表示。作為該鹵素原子，可舉出氟及氯等。作為該碳數1~15的烷基及該苯基，可舉出已前述者，任一者均不含反應性官能基。
作為(a1)成分的具體例，例如，可舉出甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、3-羥丙基三乙氧基矽烷、三氯甲氧基矽烷、三氯乙氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷等。尤其是使用甲基三甲氧基矽烷時，(A)成分與(B)成分的反應性變為良好且本實施形態所期待效果的平衡、特別是耐熱性、透明性及耐空隙性的平衡變為良好。
基於導入由MA 單元、DA 單元及QA 單元所構成群組中之至少一個單元之目的，可按照必要而與(a1)成分同時，併用後述的(b2)成分、(b3)成分及(b4)成分。
(A)成分，可藉由使(a1)成分水解反應及縮合反應來得到。
水解反應的條件沒有特別限定，通常25~90℃左右、及30分鐘~10小時左右。在反應系統所添加的水之使用量沒有特別限定，通常[水的莫耳數/在(a1)成分所含有的OR1 基之莫耳數]為0.3~1左右的範圍。
水解反應時，可使用各種眾所周知的觸媒。具體而言，例如可舉出甲酸、乙酸、鹽酸、硫酸、硝酸、對甲苯磺酸、磷酸及陽離子交換樹脂等的酸性觸媒、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一-7-烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬-5-烯、氫氧化四甲銨、氫氧化四甲丁銨、吡啶等的鹼性觸媒。觸媒的使用量沒有特別限定，通常相對於(a1)成分100質量份為0.001~1質量份左右。
水解反應時，亦可使用各種眾所周知的溶劑。具體而言，例如可舉出苯、甲苯、二甲苯、己烷、庚烷、甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙醚、二乙二醇二乙醚、四氫呋喃、1,4-二烷、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、丙酮、2-丁酮、甲基-異丁酮、乙腈、二甲基亞碸等。
水解物係藉由進一步使其縮合反應，而在羥基之間、或羥基與殘留-OR1 基之間產生矽氧烷鍵而提供目標(A)成分。縮合反應條件沒有特別限定，通常40~150℃左右，通常1~12小時左右。該縮合反應可在前述溶劑中實施。又，因為本實施形態之晶粒接合劑係以無溶劑型為佳，所以前述溶劑係在水解及縮合反應後，以使用各種眾所周知的手段從(A)成分除去為佳。
(A)成分的物性沒有特別限定，考慮本實施形態期待效果的平衡時，軟化點(依據JIS K5903之測定値。以下，稱為軟化點時為同樣)通常40~150℃左右，下限値較佳為50℃左右，更佳為60℃左右為佳，上限値較佳為130℃左右，更佳是120℃左右為佳。(A)成分的軟化點為此種範圍時，本實施形態之接著劑的機械物性有變為良好之傾向。其重量平均分子量亦沒有特別限定，通常2,000~10,000左右，下限値較佳為3,000左右，上限値較佳為7,000左右。藉由(A)成分的重量平均分子量為下限値以上，使本實施形態之接著劑加熱硬化時有可抑制低分子量成分揮發和滲出之傾向。又，藉由上限値以下，本實施形態之晶粒接合劑的相溶性進一步變為良好，而且抑制拉絲等作業性亦有變為良好之傾向。
(A)成分的形狀沒有特別限定，可為碎片狀、粉狀、半固體狀。作為(A)成分的市售品，例如可舉出信越化學工業(股)製的KR-220L及KR-220LP、MOMENTIVE･PERFORMANCE･MATERIALS･JAPAN製的YR3370等。
(B)成分係在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)。
構成各R2 之碳數1~15的烷基、苯基及苄基，係與構成R1 之該等同樣，任一者均不包含前述反應性官能基。
TB 係與前述TA 同樣，可細分成為T1結構[R2 O-Si(R2 )(OR2 )-O-]、T2結構[-(R2 )Si(OR2 )(O-)- O-]及T3結構[-(R2 )Si(O-)2 -O-]，該等的比率亦沒有特別限定。各結構係例如可藉由測定(B)成分的29 Si-NMR光譜來測定。
在(B)成分所佔有之TB 的比率沒有特別限定，考慮本實施形態期待效果的平衡、特別是本實施形態的晶粒接合劑之相溶性、操作性及硬化性等、以及接著構件的機械強度、接著性、耐龜裂性及耐空隙性等的平衡時，通常95~65莫耳%左右，較佳為100莫耳%。
(B)成分，係在保持(B)成分在室溫為固體狀之限度，亦可併存若干量的其它單元(MB 單元、DB 單元、QB 單元)。此種其它單元的比率沒有特別限定，通常5~35莫耳%左右，較佳為0莫耳%。
(B)成分的構造，具體而言亦可藉由下述平均單元式而表現。
[化2]
前述式中，0＜b≦3，0＜x’，0≦y’，且x’+y’=1。較佳為x’=1，y’=0。
又，在(B)成分之羥基的含量實質上為0wt%。-OR2 的含量係例如可基於1 H-NMR光譜而求取，通常為15~45wt%左右。
(B)成分可使用各種眾所周知的方法來製造。以下，揭示(B)成分之非限定的製造例。
(B)成分的起始原料之一之三烷氧基矽烷(b1)(以下亦稱為(b1)成分)，係以通式：X2 Si(OX2 )3 (式中，X2 表示碳數1~15的烷基、苯基、苄基、羥基或鹵素原子，可相同或不同)表示。作為該鹵素原子、該碳數1~15的烷基及該苯基，可舉出已前述者。作為(b1)成分，可例示作為前述(a1)成分已舉出者，尤其以甲基三甲氧基矽烷為佳。
作為(B)成分的起始原料，此外，在(B)成分在室溫保持液狀之限度，可併提供前述DB 單元之二烷氧基矽烷(以下亦稱為(b2)成分)、提供前述MB 單元之一烷氧基矽烷(以下亦稱為(b3)成分)、提供前述QB 單元之四烷氧基矽烷(以下亦稱為(b4)成分)。
(b2)成分，係以通式：(X2 )2 Si(OX2 )2 (式中，X2 係前述同樣，可相同或不同)表示。作為其具體例，例如可舉出二甲基二甲氧基矽烷、苯基甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、苯基甲基甲氧基乙氧基矽烷等。對(b1)成分之(b2)成分的使用量沒有特別限定，通常作為莫耳比，係(b1)：(b2)=65~95：5~35左右的範圍。
(b3)成分，係以通式：(X2 )3 SiOX2 (式中，X2 係前述同樣，可相同或不同)表示。作為其具體例，例如可舉出三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三乙基甲氧基矽烷、三乙基乙氧基矽烷、三(正丙基)甲氧基矽烷、三(異丙基)甲氧基矽烷、三(正丙基)乙氧基矽烷、三(正丁基)甲氧基矽烷、三(異丁基)甲氧基矽烷、三(異丁基)乙氧基矽烷、二甲基第三丁基甲氧基矽烷、二甲基異丁基甲氧基矽烷、二甲基環戊基甲氧基矽烷、二甲基環己基乙氧基矽烷等。(b3)成分對(b1)成分之使用量，沒有特別限定，通常以莫耳比計為(b1)：(b3)=65~95：5~35左右的範圍。
(b4)成分，係以通式：Si(OX2 )4 (式中，X2 係前述同樣，可相同或不同)表示。作為其具體例，例如可舉出四乙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四甲氧基矽烷、二甲氧基二乙氧基矽烷等的四烷氧基矽烷等。(b4)成分對(b1)成分之使用量沒有特別限定，通常以莫耳比計為(b1)：(b4)=65~95：5~35左右的範圍。
(B)成分，可藉由使(b1)成分以及按照必要之選自於由(b2)成分、(b3)成分及(b4)成分所構成群組中之至少一種進行水解反應及縮合反應而得到。
水解反應的條件沒有特別限定，通常25~90℃左右、及30分鐘~10小時左右。添加在反應系統之水的使用量亦沒有特別限定，[水的莫耳數/[在(b1)成分~(b4)成分所含有的-OR2 的總莫耳數]為0.1~1左右的範圍。
水解反應時、可使用前述觸媒及溶劑。
水解物，係藉由進一步使其縮合而在該分解物中的羥基與殘留-OR2 基之間產生矽氧烷鍵且提供目標(B)成分。縮合反應條件沒有特別限定，通常40~150℃左右，1~12小時左右。該縮合反應可在前述溶劑中實施。又，因為本實施形態之晶粒接合劑以無溶劑型為佳，前述溶劑係在水解及縮合反應後，以藉由各種眾所周知的手段從(B)成分除去為佳。
(B)成分的物性沒有特別限定，就使本實施形態的期待效果較佳化而言，黏度通常5~10,000mPa･s/25℃左右，上限値較佳為5,000mPa･s/25℃左右、更佳是2,000mPa･s/25℃左右為佳。又，本實施形態之晶粒接合劑係加熱硬化型，針對室溫硬化型的矽酮組成物，亦有在23℃測定黏度之情形。此時在一實施形態，以501~10,000mPa･s/23℃以上為佳。藉由(B)成分的黏度為較佳下限値以上，使用本實施形態之接著劑將LED元件接著在基材時，有不容易產生位置偏移之傾向。又，藉由上限値以下，本實施形態之接著劑的塗佈作業性有變為良好之傾向。又，(B)成分的重量平均分子量亦沒有特別限定，從同樣的觀點，通常500~9,000左右，下限値較佳為700左右，上限値較佳是8,000左右為佳。藉由(B)成分的重量平均分子量為下限値以上，使本實施形態的接著劑加熱硬化時，有可抑制低分子量成分揮發和滲出之傾向。又，藉由(B)成分的重量平均分子量為上限値以下，本實施形態之接著性的相溶性變為更良好，而且抑制拉絲等作業性亦有變為良好之傾向。
作為(B)成分的市售品，例如可舉出旭化成WACKER SILICONE股份公司製的MSE100、信越化學工業股份公司製的KC-89S及KR-500、多摩化學工業(股)製的MTMS-A等。
(A)成分與(B)成分的使用比例沒有特別限定，通常在(A)成分所含有的羥基之莫耳數(MOH)、與在(A)成分所含有的-OR1 及在(B)成分所含有的-OR2 之合計莫耳數(MOR)之比(MOR/MOH)通常為0.1~20左右，下限値較佳為0.5左右，上限値較佳為20左右，下限値更佳為0.8左右，上限値更佳為15左右的範圍。該比例為下限値以上時，使本實施形態之接著劑硬化時的脱泡性變為良好，而且在將其塗佈時，不容易產生拉絲等作業性亦有變佳之傾向。又，該比例為上限値以下時，本實施形態之晶粒接合劑的接著性變佳，而且不容易產生伴隨著硬化收縮而產生的空隙、又，深部硬化性亦有變為良好之傾向。
(A)成分與(B)成分的固體成分質量比亦沒有特別限定，通常相對於(A)成分100質量份，(B)成分為30~200質量份左右，下限値較佳為40質量份左右，上限値較佳為150質量份左右。藉由(B)成分的使用量為下限値以上，本實施形態之接著構件的機械特性有變為良好之傾向。又，藉由上限値以下，本實施形態之晶粒接合劑的相溶性及塗佈作業性有適合化之傾向。
作為(C)成分，可使用各種眾所周知的縮合反應觸媒。具體而言，例如可為鎂、鋁、錫、鋅、鐵、鈷、鎳、鋯、鈰及鈦等金屬的化合物之至少1種。作為該化合物，係以選自於由鈦化合物、錫化合物、鋅化合物及鋯化合物所構成群組中之一種為佳，以錫化合物及/或鋯化合物為特佳。又，作為(C)成分，以不含游離羧酸為佳。含有游離羧酸時，有將周邊構件的銀等腐蝕且使其變色之可能性。作為游離羧酸，可舉出2-乙基己酸、三甲基己酸、辛酸、新癸酸、月桂酸、硬脂酸、環烷酸等。
作為前述鈦化合物，例如可舉出二異丙氧基雙(乙基乙醯乙酸)鈦、四乙氧基鈦、四丙氧基鈦、四丁氧基鈦、二異丙氧基-雙(乙醯乙酸乙基)鈦、二異丙氧基-雙(乙醯乙酸甲基)鈦、二異丙氧基-雙(乙醯丙酮)鈦、二丁氧基-雙(乙醯乙酸乙基)鈦、二甲氧基-雙(乙醯乙酸乙基)鈦等。
作為前述錫化合物，例如可舉出甲氧化二丁基錫、二乙酸二丁基錫、二辛酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、二乙酸二辛基錫、順丁烯二酸二辛基錫、氧基乙酸二辛基錫、氧基辛酸二丁基錫、氧基月桂酸二丁基錫、雙甲基蘋果酸二丁基錫、氧基辛酸二丁基錫、或二丁基錫蘋果酸鹽聚合物、蘋果酸二辛基錫聚合物、參(2-乙基己酸)一丁基錫及雙(乙醯丙酮)二丁基錫等。
作為前述鋅化合物，例如可舉出乙酸鋅、乙醯乙酸鋅、2-乙基己酸鋅、辛酸鋅、新癸酸鋅、月桂酸鋅、硬脂酸鋅、環烷酸鋅、苯甲酸鋅、對第三丁基苯甲酸鋅、柳酸鋅、(甲基)丙烯酸鋅、乙醯丙酮鋅及2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸鋅等。
作為前述鋯化合物，例如可舉出鋯酸四丁酯、三烷氧基一環烷酸鋯、三烷氧基一環丙烷羧酸鋯、三烷氧基環丁烷羧酸鋯、三烷氧基一環戊烷羧酸鋯、三烷氧基一環己烷羧酸鋯、三烷氧基一金剛烷羧酸鋯及三乙醯丙酮酸鋯等。
(C)成分的使用量沒有特別限定，通常相對於(A)成分及(B)成分的合計100質量份為0.001~10質量份左右，下限値較佳為0.01質量份左右，更佳為0.02質量份左右，上限値較佳為5質量份左右，更佳為1質量份左右。藉由(C)成分的使用量為下限値以上，本實施形態之晶粒接合劑的硬化性變為良好，而且藉由上限値，該晶粒接合劑的儲存安定性和其接著構件的耐黃變性有較佳化之傾向。又，在實施形態之晶粒接合劑，(C)成分的使用量小於0.1質量份、亦即0.001~0.099質量份時，可達成期待的效果。
本實施形態的晶粒接合劑，例如為了使接著構件的耐龜裂性提升之目的，亦可含有各種眾所周知的(D)無機填料((D)成分)。具體而言，例如可舉出氧化矽(膠態氧化矽、霧狀氧化矽等)、鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈮、氧化鋁、氧化鈰及氧化釔等。尤其是以氧化矽、特別是霧狀氧化矽(fumed silica)為佳。(D)成分的平均一次粒徑沒有特別限定，通常100μm以下，下限値較佳為5nm左右，上限値較佳為100nm左右，更佳為30nm左右。藉由(D)成分的平均一次粒徑為下限値以上，本實施形態之接著劑的分散安定性、塗佈作業性有變為良好之傾向。又，藉由上限値以下，本實施形態之晶粒接合劑的觸變性(塗佈後的防下垂性)、接著構件的耐龜裂性及透明性有較佳化之傾向。
(D)成分的使用量沒有特別限定，通常相對於(A)成分及(B)成分的合計100質量份為0.1~20質量份左右，下限値較佳為0.5質量份，上限値較佳為10質量份。(D)成分的使用量為下限値以上，本實施形態之晶粒接合劑的觸變性、接著構件的耐龜裂性及透明性有較佳化之傾向。又，藉由上限値以下，本實施形態之晶粒接合劑的塗佈作業性變為良好，而且接著構件的透明性亦有較佳化之傾向。
本實施形態的晶粒接合劑，按照必要而可進一步調配可塑劑、耐候劑、抗氧化劑、熱安定劑、滑劑、抗靜電劑、増白劑、著色劑、導電性高分子、導電性填料、脫模劑、表面處理劑、黏度調節劑、矽烷偶合劑等的添加劑。又，因為本實施形態的晶粒接合劑以無溶劑型為佳，所以在一實施形態，本實施形態的晶粒接合劑不含溶劑。
本實施形態之晶粒接合劑的製造方法沒有特別限定，通常除了固體狀的前述(A)成分、及(C)成分液狀的前述(B)成分以外，亦可依照必要進一步調配前述(D)成分及添加劑後，將該等混合至均質為止。
如此進行而得到的晶粒接合劑之物性沒有特別限定，黏度係通常5~1,000,000mPa･s/25℃左右，下限値較佳為500mPa･s/25℃左右，更佳為1,000mPa･s/25℃左右，上限値較佳為500,000mPa･s/25℃左右，更佳為200,000mPa･s/25℃左右。藉由該黏度為下限値以上，使由本實施形態的接著劑所構成之接著層成為需要的厚度有變為容易之傾向，而且容易防止LED發光元件的位置偏移。藉由上限値以下，將本實施形態的接著劑進行薄膜變為容易，而且塗佈作業性亦有較佳化之傾向。
本實施形態之晶粒接合劑，通常可在25~200℃左右、及30分鐘~5小時左右的條件下使其硬化。
圖2A~2D係顯示LED發光裝置1的製造步驟之圖。圖2A係顯示第1步驟之圖，圖2B係顯示緊接著第1步驟之第2步驟之圖，圖2C係顯示緊接著第2步驟之第3步驟之圖，圖2D係顯示緊接著第3步驟之第4步驟之圖。
LED發光裝置1的製造時，首先如圖2A顯示，縮合反應型晶粒接合劑60配置在安裝基板10的表面。配置(塗佈)方法沒有特別限定，例如可使用分配器、網版印刷等。
其次，如圖2B顯示，LED元件20的背面透過晶粒接合劑60而接著在安裝基板10的表面。晶粒接合劑60藉由加熱處理等進行縮合反應，隨後硬化而成為接著構件50且將安裝基板10的表面與LED元件20的背面接著。
其次，如圖2C顯示，第1基板電極11係藉由第1引線接合材31而引線接合連接在第1元件電極21的連接面23。又，第2基板電極12藉由第2引線接合材32而引線接合連接在第2元件電極22的連接面24。
而且，如圖2D顯示，密封構件40係以將第1基板電極11、第2基板電極12、LED元件20、第1引線接合材31及第2引線接合材32密封之方式配置。
在LED發光裝置1，因為將安裝基板10與LED元件20接著之縮合反應型晶粒接合劑60，無具有SiH基之矽氧烷產生之可能性，所以不在被金被覆之LED元件20的元件電極的連接面形成絕緣層。因為在LED發光裝置1，不在LED元件20的元件電極的連接面形成絕緣層，所以在引線接合連接後，在安裝基板10的基板電極與LED元件的元件電極之間產生導通不良之可能性較低。 實施例
以下，詳細地說明可利用作為圖2A顯示的縮合反應型晶粒接合劑60之晶粒接合劑的實施例、及比較例，但是本發明的範圍不被該等限定。又，在下述的實施例及比較例，「份」只要未特別記載，就是質量基準。
製造例中，重量平均分子量係使用凝膠滲透層析法(使用裝置： TOSOH股份公司製HLC-8220、管柱：TOSOH股份公司製TSKgel α-M、展開溶劑：四氫呋喃)之聚苯乙烯標準物質的換算値。
製造例中，1 H-NMR的位移値係使用VARIAN製400-MR(400MHz,CDCl3)而得到的測定値。
實施例中，黏度係使用E型黏度計(製品名「RE-80U」、東機產業股份公司製、轉子No.1°34’×R24、轉子轉數5rpm)而得到的測定値。
＜(B)成分的製造＞ 製造例1 在具備攪拌機、冷卻管、溫度計及氮導入管之反應裝置，添加甲基三甲氧基矽烷136.2份及水10.8份，將反應系統升溫至40℃。其次，添加甲酸0.14份且開始水解反應。反應開始後，因為反應熱而使得反應系統的溫度到達62℃，不過隨後降溫至40℃，在同溫度下保持30分鐘。隨後，邊將副產的甲醇往系統外除去邊以費時3小時將反應系統升溫至120℃。其次，藉由在同溫度下進行縮合反應1小時，來得到具有CH3 SiO3/2 所示三矽氧基單元(x=1、y=0)之液狀聚倍半矽氧烷(B-1)。(B-1)成分的黏度為20mPa･s/25℃，重量平均分子量為900。又，從藉由1 H-NMR所測定的殘留甲氧基(δ3.2-3.8)的尖峰強度所算出的含量(以下，略記為殘留甲氧基的含量)為約32wt%。
製造例2 在製造例1，除了使水的添加量成為16.2份以外，係同樣地進行而得到具有CH3 SiO3/2 表示的三矽氧基單元(x=1、y=0)之液狀聚倍半矽氧烷(B-2)。(B-2)成分的黏度為350mPa･s/25℃、重量平均分子量2500、殘留甲氧基的含量為約24wt%，無法觀察到殘留羥基的尖峰。
製造例3 在製造例1，除了成為甲基三甲氧基矽烷136.2份、二甲基二甲氧基矽烷51.5份、及水27.8份以外，係同樣地進行而得到具有(CH3 )1.3 SiO1.35 作為平均矽氧基單元(x’=0.7、y’=0.3、b=2)之聚倍半矽氧烷(B-3)。(B-3)成分的黏度為1,600mPa･s/25℃、重量平均分子量7000、殘留甲氧基的含量為約19wt%，無法觀察到殘留羥基的尖峰。
＜縮合反應型晶粒接合劑的製造＞ 實施例1 將作為(A)成分之在室溫下為固體狀的聚倍半矽氧烷(商品名「KR220L」、信越化學工業(股)製、碎片狀、R1 =甲基、源自矽烷醇基之羥基含量3wt%、TA 單元100莫耳%、軟化點67℃)50份、作為(B)成分之(B-1)成分50份、作為(C)成分之鋯鉗合物(Matsumoto Fine Chemical股份公司製、ZC-700(四乙醯丙酮酸鋯20%溶液))0.3份、作為(D)成分之市售的霧狀氧化矽(商品名「AEROSIL RX200」、日本Aerosil(股)製、平均一次粒徑12nm)5.5份，在室溫充分地混合而得到均質且透明的晶粒接合劑1(6,000mPa･s/25℃)。
實施例2 在實施例1，除了使用前述(B-2)成分50份作為(B)成分以外，係同樣地進行而得到均質且透明的晶粒接合劑2(8,000mPa･s/25℃)。
實施例3 在實施例1，除了使用前述(B-3)成分50份作為(B)成分以外，係同樣地進行而得到均質且透明的晶粒接合劑3(35,000mPa･s/25℃)。
實施例4 在實施例1，除了使用二辛基錫0.1份作為(C)成分以外，係同樣地進行而得到均質且透明的晶粒接合劑4(6,000mPa･s/25℃)。
實施例5 在實施例1，除了使用鈦鉗合物(Matsumoto Fine Chemical股份公司製、TC-710鈦二異丙氧基雙(乙基乙醯乙酸酯)63%溶液)0.1份作為(C)成分以外，係同樣地進行而得到均質且透明的晶粒接合劑5(6,000mPa･s/25℃)。
實施例6 在實施例1，除了不使用(D)成分以外，係同樣地進行而得到均質且透明的晶粒接合劑6(1,000mPa･s/25℃)。
實施例7 將作為(A)成分之在室溫下為固體狀的聚倍半矽氧烷(商品名「Z-6018」、Dow Corning Corp.製、碎片狀、R1 =苯基及丙基、源自矽烷醇基之羥基含量6wt%、TA單元100莫耳%、軟化點40℃)40份、作為(B)成分之在室溫下為液體狀的聚倍半矽氧烷(商品名「MSE-100」、Wacker Chemie AG製、R1 =甲基、黏度30mPa･s/25℃、烷氧基含量32wt%)60份，在130℃下充分地混合而得到均質且無色透明的液體。其次，在此添加作為(C)成分之0.3份ZC-700且在室溫下充分地混合而得到均質且透明的晶粒接合劑7(2,300mPa･s/25℃)。
實施例8 將作為(A)成分之50份KR-220L、作為(B)成分之在室溫下為液體狀的聚倍半矽氧烷(商品名「X-40-9227」、信越化學工業(股)製、R1 =甲基及苯基、黏度20mPa･s/25℃、烷氧基含量15wt%)50份，在130℃充分地混合而得到均質且無色透明的液體。其次，在此添加作為(C)成分之0.8份ZC-700、作為(D)成分之3.0份AEROSIL RX200且在室溫充分地混合而得到均質且透明的晶粒接合劑8(8,000mPa･s/25℃)。
實施例9 將作為(A)成分之60份Z-6018、作(B)成分之40份X-40-9227，在130℃下充分地混合而得到均質且無色透明的液體。其次，在此添加作為(C)成分之3.0份ZC-700且在室溫充分地混合而得到均質且透明的晶粒接合劑9(4,100mPa･s/25℃)。
比較例1 得到含有含SiH基的矽氧烷、及含乙烯基的矽氧烷之加成反應性的晶粒接合劑(TORAY･DOW CORNING股份公司製OE-8001(批次號碼：0007308993))。
比較例2 得到含有含SiH基的矽氧烷、及含乙烯基的矽氧烷之加成反應性的晶粒接合劑B(信越化學工業股份公司製KER-3000-M2(批次號碼：210178))，其中該含SiH基的矽氧烷相較於在比較例1的晶粒接合劑A所含有之含SiH基的矽氧烷，分離量為較大。
比較例3 除了將實施例1的(C)成分變更為四乙醯丙酮酸鋯的20%3,5,5-三甲基己酸溶液0.3份以外，係同樣地進行而得到均質且透明的晶粒接合劑C(6,000mPa･s/25℃)。
表1顯示在上述的實施例及比較例之各成分的調配量。
[表1-1][表1-2]
確認有無矽氧烷污染 ＜測定條件＞ 將因使用熱裂解器(PYROLIZER)加熱實施例1的縮合反應型晶粒接合劑1、及比較例1及2的晶粒接合劑A及B而產生的氣體，藉由氣體層析法質量分析裝置進行成分分析。熱裂解器係使用Frontier Laboratories股份公司製的PY2010id，氣體層析法質量分析裝置使用股份公司島津製作所製的GC-MS QP2010。試料係在熱裂解器分別於60℃、100℃、120℃及150℃的溫度下加熱30分鐘。藉由分別在60℃、100℃、120℃及150℃溫度下加熱，可把握在各自的溫度之具有SiH基的矽氧烷之氣化狀態。在氣體層析法質量分析裝置之層析法條件，所使用管柱為UA-5，溫度程序係在50℃加熱1分鐘後，以每分鐘20℃升溫至300℃且在300℃加熱10分鐘。又，在氣體層析法質量分析裝置之質譜測定條件，係在分子量(m/z)為10~600的範圍進行掃描。
＜測定結果＞ 圖3係顯示實施例1的縮合反應型晶粒接合劑1的層析圖之圖。圖4係顯示比較例1的加成反應型晶粒接合劑A的層析圖之圖，圖5係顯示比較例2的加成反應型晶粒接合劑B的層析圖之圖。圖3~5的橫軸表示保持時間、縱軸表示溶質的濃度分布。又，在圖3~5，箭號A表示檢測含SiH基的化合物之四甲基環四矽氧烷之時間帶。箭號B表示檢測含SiH基的化合物之七甲基三矽氧烷之時間帶。箭號C表示不含SiH基的化合物之六甲基環三矽氧烷，號D表示不含SiH基的化合物之八甲基環四矽氧烷。
又，表2顯示藉由將實施例1~6及比較例1~2的晶粒接合劑各自加熱，是否產生具有SiH基之矽氧烷之判定結果。表3~5各自顯示在實施例1、比較例1及比較例2的晶粒接合劑A及B的層析圖之試料每1mg的檢測尖峰面積。表3顯示含SiH基的化合物之四甲基環四矽氧烷與七甲基三矽氧烷的檢測尖峰面積之和。表4顯示不含SiH基的化合物之六甲基環三矽氧烷的檢測尖峰面積，表5顯示不含SiH基的化合物之八甲基環四矽氧烷的檢測尖峰面積。 如表2所示，因為在實施例1~9分別不產生具有SiH基之矽氧烷，所以無在被金被覆之LED元件的元件電極的連接面形成絕緣層之可能性。另一方面，因為在比較例1及2，產生具有SiH基之矽氧烷，所以有在被金被覆之LED元件元件電極的連接面形成絕緣層且產生導通不良之可能性。
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
在實施例1、比較例1及比較例2的晶粒接合劑1、A及B各自當中，不含SiH基的化合物之六甲基環三矽氧烷及八甲基環四矽氧烷，不管溫度條件如何均可被檢測出。另一方面，含SiH基的化合物之四甲基環四矽氧烷及七甲基三矽氧烷，在比較例1及比較例2的晶粒接合劑A及B各自當中，不管溫度條件如何均可被檢測出，而在實施例1的晶粒接合劑1係完全無法檢測出。在比較例1及比較例2的晶粒接合劑A及B，即便在較低溫之60℃，含SiH基的化合物之四甲基環四矽氧烷及七甲基三矽氧烷亦氣化。在比較例1及比較例2的晶粒接合劑A及B，在120℃下，含SiH基的化合物之四甲基環四矽氧烷及七甲基三矽氧烷係最大量地氣化。在比較例1及比較例2的晶粒接合劑A及B，在150℃，可檢測出的四甲基環四矽氧烷及七甲基三矽氧烷量減少。推定這是因為對硬化有貢獻之四甲基環四矽氧烷及七甲基三矽氧烷的量増加。
將含有含SiH基的矽氧烷及含乙烯基的矽氧烷之比較例1及2的加成反應性晶粒接合劑A及B加熱後，含SiH基的化合物之四甲基環四矽氧烷及七甲基三矽氧烷氣化。另一方面，將實施例1~6的縮合反應型晶粒接合劑1~6加熱後，無含SiH基的化合物之四甲基環四矽氧烷及七甲基三矽氧烷氣化。因為實施例1~6的縮合反應型晶粒接合劑1~6係即便被加熱亦無含SiH基的化合物氣化，所以無在被被金被覆的元件電極的連接面形成絕緣層之可能性。
圖6A係顯示實施例1之被暴露在縮合反應型晶粒接合劑1被加熱而氣化的氣化物存在的環境中之金薄膜的狀態之圖。圖6B係顯示比較例1之被暴露在加成反應型晶粒接合劑1被加熱而氣化的氣化物存在的環境中之金薄膜的狀態之圖。圖6C係顯示圖6B顯示之污染物的EDS光譜之圖。圖6A及6B各自，係將1g的晶粒接合劑塗佈在玻璃器皿且將金薄膜同時在室溫的密閉空間放置24小時。隨後，將晶粒接合劑在100℃、120℃及150℃各自的溫度下依序各加熱2小時。在圖6C，箭號E表示碳的光譜，箭號F表示氧的光譜，箭號G表示矽的光譜。
實施例1的縮合反應型晶粒接合劑1，在被加熱而氣化的氣化物存在之環境中被暴露之金薄膜係完全未附著污染物。比較例1的加成反應型晶粒接合劑A，在被加熱而氣化的氣化物存在之環境中被暴露之金薄膜係附著有污染物。比較例1的加成反應型晶粒接合劑A，在被加熱而氣化後的氣化物存在之環境中被暴露之金薄膜所附著的不純物，從圖6(c)顯示之光譜，可確認含有矽氧烷。
將實施例1~6的縮合反應型晶粒接合劑1~6作為圖2A所示之晶粒接合劑60，使用圖2A~2D之方法而製造LED發光裝置1。因為在LED元件20的元件電極21的連接面未附著污染物，所以在引線接合連接不產生故障。因為實施例1~6的縮合反應型晶粒接合劑1~6，可藉由加成反應形成具有優異的轉印性及作業性且具有優異的高硬度、耐熱變色性、接著性及耐龜裂性之硬化物，所以可使用作為晶粒接合劑。
確認對銀有無變色污染 ＜測定條件＞ 本測定，其目的係為了確認實施例1~9及比較例1~3的晶粒接合劑對許多被使用在LED元件之銀構件造成污染而進行。將被覆有銀之厚度1~1.2mm、10mm四方的玻璃片放入直徑30mm、高度65mm的玻璃容器中。其次，將實施例1的晶粒接合劑2.5ml以浸泡玻璃片的方式添加，使用鋁箔及鐵絲將玻璃容器上部開放面密閉。將該試片在120℃加熱1小時，其次在150℃加熱3小時且在室溫放冷後，進行目視確認被覆有銀之玻璃片有無變色。同樣地亦進行評價實施例1~9及比較例1~3的晶粒接合劑。
＜測定條件的評價結果＞ 表6顯示在上述的測定條件之各晶粒接合劑對銀的變色污染之評價結果。
[表6]
從如表6所記載的結果，縮合反應系統的晶粒接合劑組成物，藉由不含3,5,5-三甲基己酸作為代表之游離的羧酸類作為(C)成分，對銀亦不產生變色污染而可使用在LED之光學電子零件。
1‧‧‧LED發光裝置
10‧‧‧安裝基板
11‧‧‧第1基板電極
12‧‧‧第2基板電極
13‧‧‧第1基板配線
14‧‧‧第2基板配線
15‧‧‧第1外部電極
16‧‧‧第2外部電極
20‧‧‧LED元件
21‧‧‧第1元件電極
22‧‧‧第2元件電極
23‧‧‧連接面
24‧‧‧連接面
30‧‧‧引線接合材
31‧‧‧第1引線接合材
32‧‧‧第2引線接合材
40‧‧‧密封構件
50‧‧‧接著構件
60‧‧‧晶粒接著劑
圖1A係實施形態的LED發光裝置之平面圖。 圖1B係圖1A之沿著IA-IB線之剖面圖。 圖2A係顯示圖1表示之LED發光裝置的製造步驟的第1步驟之圖。 圖2B係顯示圖1表示之LED發光裝置的製造步驟之緊接著第1步驟之第2步驟之圖。 圖2C係顯示圖1表示之LED發光裝置的製造步驟之緊接著第2步驟之第3步驟之圖。 圖2D係顯示圖1表示之LED發光裝置的製造步驟之緊接著第3步驟之第4步驟之圖。 圖3係顯示實施例1的縮合反應型晶粒接合劑的層析圖之圖。 圖4係顯示比較例1的加成反應型的晶粒接合劑的層析圖之圖。 圖5係顯示比較例2的加成反應型的晶粒接合劑的層析圖之圖。 圖6A係顯示實施例1之被暴露在縮合反應型晶粒接合劑被加熱而氣化的氣化物存在的環境中之金薄膜的狀態之圖。 圖6B係顯示比較例1之被暴露在加成反應型晶粒接合劑被加熱而氣化的氣化物存在的環境中之金薄膜的狀態之圖。 圖6C係顯示圖6B顯示之污染物的ESD光譜之圖。

Claims (10)

  1. 一種晶粒接合劑，係用以接著LED元件之縮合反應型接著劑，該LED元件於表面具有元件電極，該元件電極具有被金所被覆的連接面，該晶粒接合劑含有： (A)在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基； (B)在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)；及 (C)縮合反應觸媒。
  2. 如請求項1之縮合反應型晶粒接合劑，其中(A)成分的軟化點為40~150℃。
  3. 如請求項1或2之縮合反應型晶粒接合劑，其中(B)成分的黏度為5~10,000mPa･s/25℃。
  4. 如請求項1至3項中任一項之縮合反應型晶粒接合劑，其進一步含有(D)無機填料。
  5. 一種製造LED發光裝置之製造方法，係包含： 使用晶粒接合劑將表面具有元件電極之LED元件接著在具有基板電極之安裝基板的表面，前述元件電極具有被金所被覆的連接面； 使用導電性配線構件將前述基板電極與前述元件電極的前述連接面之間予以連接；及 使用密封構件將前述LED元件密封； 前述晶粒接合劑係縮合反應型接著劑，含有： (A)在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基； (B)在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)；及 (C)縮合反應觸媒。
  6. 如請求項5之LED發光裝置之製造方法，其中(C)縮合反應觸媒係選自於由鎂、鋁、錫、鋅、鐵、鈷、鎳、鋯、鈰及鈦等的金屬化合物所構成群組中之至少1種。
  7. 如請求項6之LED發光裝置之製造方法，其中(C)縮合反應觸媒不含游離羧酸。
  8. 一種LED發光裝置，具備： 安裝基板，其具有基板電極； LED元件，其在表面具有元件電極，該元件電極具有被金被覆的連接面； 接著構件，用以將前述安裝基板表面與前述LED元件背面接著； 導電性配線構件，其一端連接至前述基板電極且另一端連接至前述元件電極的前述連接面；及 密封構件，用以將前述LED元件的任一者密封， 前述接著構件係藉由下述(A)~(C)之縮合反應而製得： (A)在室溫下為固體狀之聚倍半矽氧烷，具有R1 SiO3/2 (式中，R1 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TA )，而且具有羥基； (B)在室溫下為液狀之聚倍半矽氧烷，具有R2 SiO3/2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)所示三矽氧基單元(TB )，而且具有-OR2 (式中，R2 表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一種)；及 (C)縮合反應觸媒。
  9. 如請求項8之LED發光裝置，其中(C)縮合反應觸媒係選自於由鎂、鋁、錫、鋅、鐵、鈷、鎳、鋯、鈰及鈦等的金屬化合物所構成群組中之至少1種。
  10. 如請求項9之LED發光裝置，其中(C)縮合反應觸媒不含游離羧酸。
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