JP2013057000A - 熱硬化性樹脂組成物、半導体デバイス用部材、及びそれを用いた半導体発光デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)平均組成式が下記一般式(1):
(R1R2SiO2/2)a(R3SiO3/2)b(SiO4/2)c(O1/2R4)d・・・(1)
で表され、エポキシ当量が250〜700g/当量であるポリシロキサン、(B)硬化剤および(C)硬化触媒を含む熱硬化性樹脂組成物であって、
該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接(Tanδ)におけるピーク温度(K)に対するピーク半値幅(K)の比が0.18以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物、該樹脂組成物を硬化させた硬化物よりなる半導体デバイス用部材、該半導体デバイス用部材を備えてなる半導体発光デバイス。
【選択図】なし
Description
〔1〕(A)平均組成式が下記一般式(1):
(R1R2SiO2/2)a(R3SiO3/2)b(SiO4/2)c(O1/2R4)d・・・(1)
〔式(1)中、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して、エポキシ基含有炭化水素基または酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜10の炭化水素基を示すが、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1つはエポキシ基含有炭化水素基であり、aは0.2〜1.0、bは0.1〜0.7、cは0〜0.2、d>0を示し、a+b+c=1である。〕
で表され、エポキシ当量が250〜700g/当量であるポリシロキサン、(B)硬化剤および(C)硬化触媒を含む熱硬化性樹脂組成物であって、
該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接(Tanδ)におけるピーク温度(K)に対するピーク半値幅(K)の比〔ピーク半値幅(K)/ピーク温度(K)〕が0.18以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
〔2〕一般式(1)における(R1R2SiO2/2)成分が、質量平均分子量(Mw)400以上のオリゴマーであることを特徴とする〔1〕に記載の熱硬化性樹脂組成物。
〔3〕(A)ポリシロキサンが、アルコキシシラン化合物を、酸性化合物の存在下で加水分解し、次いで、塩基性化合物を添加して縮合反応を行うことで製造されることを特徴とする〔1〕または〔2〕に記載の熱硬化性樹脂組成物。
〔4〕アルコキシシラン化合物が、下記一般式(2):
RERF (4−m−n)Si(ORG)n・・・(2)
〔式(2)中、REはエポキシ基含有炭化水素基を示し、RFおよびRGは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の炭化水素基を示し、mは1または2、nは2または3、(4−m−n)は0、1または2の数を示す。〕
で表されるエポキシ基含有アルコキシシラン化合物またはそのオリゴマーと、
下記一般式(3):
HO(−Si(RH)(RI)−O−)qH・・・(3)
〔式(3)中、RHおよびRIは、それぞれ独立して、炭素数1〜10の炭化水素基を示し、qは1〜500の整数を示す。〕
で表されるシラン化合物との混合物であることを特徴とする〔3〕に記載の熱硬化性樹脂組成物。
〔5〕酸性化合物に対する塩基性化合物のモル比〔塩基性化合物(モル)/酸性化合物(モル)〕が、1.05〜5.00の範囲であることを特徴とする〔3〕または〔4〕に記載の熱硬化性樹脂組成物。
〔6〕損失正接(Tanδ)におけるピーク温度が、270〜470(K)であることを特徴とする〔1〕ないし〔5〕の何れかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
〔7〕損失正接(Tanδ)におけるピーク半値幅が、50〜75(K)であることを特徴とする〔1〕ないし〔6〕の何れかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
〔8〕〔1〕ないし〔7〕の何れかに記載の樹脂組成物を硬化させた硬化物よりなることを特徴とする半導体デバイス用部材。
〔9〕〔8〕に記載の半導体デバイス用部材を備えてなることを特徴とする半導体発光デバイス。
該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接(Tanδ)におけるピーク温度(K)に対するピーク半値幅(K)の比〔ピーク半値幅(K)/ピーク温度(K)〕が0.18以下であることに特徴を有するものである。
本発明で用いる(A)ポリシロキサンは、平均組成式が、下記一般式(1):
(R1R2SiO2/2)a(R3SiO3/2)b(SiO4/2)c(O1/2R4)d・・・(1)
〔式(1)中、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して、エポキシ基含有炭化水素基または酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜10の炭化水素基を示すが、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1つはエポキシ基含有炭化水素基であり、aは0.2〜1.0、bは0.1〜0.7、cは0〜0.2、d>0の数を示し、a+b+c=1である。〕
上記のとおり、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して、エポキシ基含有炭化水素基または酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜10の炭化水素基を示す。
なお、本明細書において、質量平均分子量(Mw)はゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定により得られた値である。測定法の詳細は、実施例の項において示す。
(R1R2SiO2/2)(2官能成分)はシラン化合物よりも加水分解縮合オリゴマーであるものが好ましく、その質量平均分子量(Mw)については、本発明の半導体発光デバイス用部材を得ることができる限り任意であるが、通常500以上であることが望ましい。
RE mRF (4−m−n)Si(ORG)n・・・(2)
〔式(2)中、REはエポキシ基含有炭化水素基を示し、RFおよびRGは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の炭化水素基を示し、mは1または2、nは2または3、(4−m−n)は0、1または2の数を示す。〕
で表されるエポキシ基含有アルコキシシラン化合物またはそのオリゴマーと、
下記一般式(3):
HO(−Si(RH)(RI)−O−)qH・・・(3)
〔式(3)中、RHおよびRIは、それぞれ独立して、炭素数1〜10の炭化水素基を示し、qは1〜500の整数を示す。〕
で表されるシラン化合物との混合物が好ましい。
qは繰り返し単位「−Si(R6)(R7)−O−」の数を規定するものである。qは、質量平均分子量(Mw)の調整の観点から通常1以上、好ましくは4以上、より好ましくは5以上であり、通常500以下、好ましくは50以下、より好ましくは35以下の整数である。
このうち特に好適に用いられるものは、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである。
GE東芝シリコーン社製の末端シラノール ポリジメチルシロキサンでは、例えば、XC96−723、XF3905、YF3057、YF3800、YF3802、YF3807、YF3897などが例示される。
GE東芝シリコーン社製のヒドロキシ末端ポリジメチルジフェニルシロキサンでは、例えば、YF3804などが例示される。
Gelest社製の両末端シラノール ポリジメチルシロキサンでは、例えば、DMSS12、DMS−S14などが例示される。
Gelest社製の両末端シラノール ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサン コポリマーでは、例えば、PDS−1615が例示される。
Gelest社製の両末端シラノール ポリジフェニルシロキサンでは、例えば、PDS−9931が例示される。 これらの中で、両ヒドロキシ末端ポリジメチルシロキサンが特に好ましい。
酸性および/または塩基性化合物(触媒)による共加水分解・縮合反応において、反応温度は、常圧においては、10℃〜200℃であることが好ましく、特に30℃〜150℃であることが好ましい。反応温度が低すぎると反応が充分に進行しないことがあり、また反応温度が高すぎるとケイ素原子結合有機基が熱分解することが懸念される。また反応時間は反応温度によるが、通常、酸性化合物存在下においては1〜20時間、塩基性化合物おいては1〜20時間程度要する。また、必要に応じて有機溶剤により反応系中の固形分濃度を調節し、さらに反応させてもよい。
共加水分解・縮合反応させるために、必要に応じて水を添加してもよい。共加水分解・縮合反応を行なうために使用する水の量は、原料中のすべてのアルコキシ基が変換されるのに要する水量を100%基準とした場合、通常80質量%以上、中でも100質量%以上の範囲が好ましい。加水分解率がこの範囲より少ない場合、共加水分解・縮合反応が不十分なため、硬化時に原料が揮発したり、硬化物の強度が不十分となったりする可能性がある。
有機溶媒としては、例えば、炭素数1〜3の低級アルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、テトラヒドロフラン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエンを任意に用いることができるが、中でも強い酸性や塩基性を示さないものが共加水分解・縮合反応に悪影響を与えない理由から好ましい。
有機溶媒は1種を単独で使用しても良いが、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用することもできる。
溶媒としては、例えば、炭素数1〜3の低級アルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、テトラヒドロフラン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、水等を任意に用いることができるが、中でも強い酸性や塩基性を示さないものが共加水分解・縮合に悪影響を与えない理由から好ましい。
溶媒は1種を単独で使用しても良いが、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用することもできる。
本発明における(B)硬化剤としては、(A)ポリシロキサンと結合して後述する硬化物を形成し得るものであれば特に制限されないが、耐光性の観点からカルボン酸無水物などの酸無水物硬化剤が好ましく、酸無水物硬化剤としては、例えば脂環式カルボン酸無水物が好ましい。
本発明において、脂環式カルボン酸無水物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明における(C)硬化触媒としては、(A)ポリシロキサンと(B)硬化剤の混合物を硬化し得るものであれば特に限定されない。具体的には、例えば、3級アミン類、イミダゾール類、有機リン系化合物、4級フォスフォニウム塩類、ジアザビシクロアルケン類、有機金属化合物、4級アンモニウム塩類、ホウ素化合物、金属ハロゲン化合物等が挙げられる。
有機金属化合物としては、例えば、オクチル酸亜鉛、アクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体等が挙げられる。
ホウ素化合物としては、例えば、三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニル等が挙げられる。
金属ハロゲン化合物としては、例えば、塩化亜鉛、塩化第二錫等が挙げられる。
前記(C)硬化触媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、上記(A)ポリシロキサン、(B)硬化剤および(C)硬化触媒を含むものであって、該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接(Tanδ)におけるピーク温度(K)に対するピーク半値幅(K)の比〔ピーク半値幅(K)/ピーク温度(K)〕が0.18以下であることに特徴をもつものである。
熱処理するための加熱方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、熱風循環式加熱、赤外線加熱、高周波加熱等の従来公知の方法を採用することができる。
得られる硬化物の内部応力を低減させることを目的とする場合は、例えば80℃〜120℃で0.5時間〜3時間程度の条件で予備硬化させたのち、例えば120℃〜180℃で0.5時間〜3時間程度の条件で後硬化させることがさらに好ましい。
本発明の熱硬化性樹脂組成物の用途は特に制限されないが、硬化により硬度が高く、ガスバリア性に優れる透明なエラストマー状の物質を形成することができるので、半導体デバイス用部材として特に好適である。また、用途に応じて、その他の成分を併用することができる。例えば、封止材として用いる場合は、蛍光体、無機微粒子などを併用することが好ましく、ダイボンド剤として用いる場合は熱伝導剤、無機微粒子などを併用することが好ましく、パッケージ材として用いる場合は無機微粒子などを併用することが好ましい。
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、通常は液状であるので、それに、必要に応じて蛍光体、無機微粒子などを含有させた組成物とし、該組成物を半導体発光デバイスのパッケージのカップ内に充填後、硬化したり、適当な透明支持体上に薄層状に塗布したりすることにより、波長変換用部材として使用することができる。
下記の実験例において、ポリシロキサン(合成シリコーン樹脂)、熱硬化性樹脂組成物、硬化物の物性等の測定を次のとおり行った。
質量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより下記条件で測定し、標準ポリスチレン換算値として示した。また、ポリシロキサンの0.5質量%テトラヒドロフラン溶液を調製し、その後、0.45μmのフィルターにて濾過したものを測定試料溶液とした。
装置:ポンプユニットCCPD、RIユニットRI−8012、カラムオーブンユニットCO−8011(東ソー社製)
カラム:GF−7M HQ、GF−510 HQ(昭和電工社製)
溶離液:THF、流量1.0mL/分、サンプル濃度0.5%、注入量100μL
合成シリコーン樹脂(ポリシロキサン)約0.5gを2−プロパノール50mlに溶解した。この溶液に、塩酸/2−プロパノール混合溶液(体積比1:4)25ml、クレゾールレッドを添加した後、0.2規定水酸化ナトリウムにて滴定し、反応系内が赤色から黄色になり、紫色に変化した点を当量点とした。当量点より、合成シリコーン樹脂(ポリシロキサン)のエポキシ当量を以下の式に従って算出した。
エポキシ当量(g/当量)=(W/(Vr−V))×(1000/0.2)
W:試料の質量(g)
Vr:塩酸/2−プロピルアルコール混合溶液25mlの滴定に必要な0.2N水酸化ナトリウムの溶液量(mL)
V:滴定量(mL)
熱硬化性樹脂組成物について、内径50mmのアルミ製のカップに2.0g滴下したものについて、100℃にセットした熱風乾燥機内に0.5時間静置後、150℃に昇温後、さらに2時間静置することで、硬化物を得た。その硬化物について、幅5〜10mm×長さ15〜30mm×厚み0.5〜1mmのフィルムを試験用サンプルとして作成し、下記条件により−150℃〜260℃における動的粘弾性測定を行い、損失正接(Tanδ)におけるピーク温度(K)に対するピーク半値幅(K)の比〔ピーク半値幅(K)/ピーク温度(K)〕を求めた。測定条件は以下のとおりである。
チャック間距離:5〜20mm
昇温速度:−150℃〜260℃の温度範囲で3℃/分
測定周波数:10Hz
測定装置:EXSTAR6000 DMS6100(セイコ−インスツル株式会社製)
熱硬化性樹脂組成物を乾燥膜厚が1mmとなるようにアルミカップに仕込み、100℃1時間、150℃3時間保持して、測定用サンプルを作製した。JIS Z0208を参考に、容積20cm3の容器内に2.0gの塩化カルシウムを秤量し、半径5.5mmのサンプルを用いて容器を密閉した。この容器を温度60℃および湿度95%RHで保管し、24時間、または48時間経過後、試験サンプルを秤量し、質量増加で評価した。なお、水蒸気透過量は、比較例2の透過量が100となるように、次の算出式により定義した値である。
水蒸気透過量=100×(Ws×Ds)/(Wr×Dr)
Ws:サンプルの透湿による質量変化
Wr:比較例2の透湿による質量変化
Ds:サンプルの膜厚
Dr:比較例2の膜厚
ポリフタルアミド製カップに熱硬化性樹脂組成物を滴下後、100℃1時間、150℃3時間保持して、測定用サンプルを作製した。目視及び顕微鏡観察により、剥離、しわ、濁りの発生がないものは「○」、一部について発生しているものは「△」、全面に認められるものは「×」とした。
[合成例1]
質量平均分子量(Mw)700のヒドロキシ末端ポリジメチルシロキサン(モメンティブ社製、商品名:XC96−723)68g、エポキシ基含有アルコキシシランとして2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン96g、1モル濃度塩酸水溶液28gを混合し、イソプロピルアルコール(1)105gを加えて25℃で3時間反応させた。この反応溶液の溶液量が833mlになるようにイソプロピルアルコール(2)で希釈し、水酸化カリウム1.9gを加えた後に、加熱して4時間還流操作を行った。その後、リン酸二水素ナトリウム水溶液(10質量%)で中和してから、減圧下で揮発成分を除去し、得られたポリマーをトルエン/リン酸二水素ナトリウム水溶液(10質量%)、トルエン/水層を用いて洗浄後、減圧下で揮発成分を除去して質量平均分子量(Mw)3860のシリコーン樹脂(1)を得た。このシリコーン樹脂(1)のエポキシ当量は391であった。
合成例1において、各原料の使用量を表1に記載のとおり変更したこと以外は合成例1と同様の条件で反応させ、質量平均分子量(Mw)2600のシリコーン樹脂(2)を得た。このシリコーン樹脂(2)のエポキシ当量は569であった。
質量平均分子量(Mw)700のヒドロキシ末端ポリジメチルシロキサン(モメンティブ社製、商品名:XC96−723)100g、エポキシ基含有アルコキシシランとして2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン70g、触媒としてジアザビシクロウンデセン14gを混合し、25℃で8時間反応させた。この反応生成物にメチルイソブチルケトン420g、メタノール136g、水136gを添加し、25℃で1時間加水分解反応を行った後、6%シュウ酸水溶液157gを加えて室温で1時間中和反応を行った。その後、水層を分離し、有機相を水136gで洗浄した。この水洗操作を3回行った後、溶媒を留去して質量平均分子量(Mw)3320のシリコーン樹脂(3)を得た。このシリコーン樹脂(3)のエポキシ当量は573であった。
質量平均分子量(Mw)700のヒドロキシ末端ポリジメチルシロキサン(モメンティブ社製、商品名:XC96−723)20g、エポキシ基含有アルコキシシランとして2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン14g、触媒として15%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液0.93g、純水2.1g、イソプロピルアルコール(3)81gを加えて、25℃で3時間反応させた。その後、リン酸二水素ナトリウム水溶液(10質量%)で中和してから、減圧下で揮発成分を除去し、得られたポリマーをトルエン/リン酸二水素ナトリウム水溶液(10質量%)、トルエン/水層を用いて洗浄後、減圧下で揮発成分を除去して質量平均分子量(Mw)4150のシリコーン樹脂(4)を得た。このシリコーン樹脂(4)のエポキシ当量は495であった。
合成例4において、各原料の使用量を表1に記載のとおり変更したこと以外は合成例4と同様の条件で反応させ、質量平均分子量(Mw)4370のポリシロキサンを得た。このポリシロキサンのエポキシ当量は366であった。
[実施例1、2]
(A)ポリシロキサンとして合成例1、2で得られたシリコーン樹脂(1)、(2)、硬化剤として酸無水物〔4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸/ヘキサヒドロ無水フタル酸=7/3の混合物(新日本理化社製、MH−700)〕、硬化触媒としてメチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェート(商品名:ヒシコーリンPX−4MP、日本化学工業社製)の使用量を表2に示すとおりとして、室温、大気雰囲気下で混合し、全体が均一になるまで撹拌を行ったのちに、硬化触媒を加えてさらに撹拌をおこなって、シリコーン樹脂組成物を調製した。
比較例のポリシロキサンとして合成例3〜5で得られたシリコーン樹脂(2)〜(5)、硬化剤として酸無水物〔4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸/ヘキサヒドロ無水フタル酸=7/3の混合物(新日本理化社製 MH−700)〕、硬化触媒としてメチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェート(商品名:ヒシコーリンPX−4MP、日本化学工業社製)の使用量を表2に示すとおりとした以外は、実施例1、2と同様の条件で熱硬化性樹脂組成物を調製した。
実施例2で得られた熱硬化性樹脂組成物を用いて次のとおり半導体デバイスを作製し、その評価を行った。
半導体発光素子として、サファイア基板を用いて形成された350μm角、主発光ピーク波長450nmのInGaN系LEDチップ1個を、シリコーン樹脂ベースの透明ダイボンドペーストを用いて、3528SMD型PPA樹脂パッケージのキャビティ底面上に接着した。接着後、150℃、2時間の加熱によりダイボンドペーストを硬化させたうえで、直径25μmのAu線を用いてLEDチップ側の電極とパッケージ側の電極とを接続した。ボンディングワイヤは2本とした。
半導体デバイス用部材(封止材)として実施例2で得られた熱硬化性樹脂組成物1.7335質量部に対し、赤色蛍光体としてCaAlSi(ON)3:Eu(三菱化学社製、BR−101A)0.0275質量部と、緑色蛍光体としてβ型サイアロン0.1361質量部と、無機微粒子(チキソ剤)としてアエロジルRX−200(日本アエロジル社製)0.103質量部を添加し、全体が均一になるまで攪拌を行った。次いで、硬化触媒としてメチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェート0.002質量部をさらに加えて撹拌を行い、封止材形成液とした。
前記封止材形成液4μLを、エアーディスペンサーを用いて、前記半導体発光素子を設置した半導体発光装置に注液し、100℃で0.5時間保持、次いで150℃で2時間保持して前記封止材形成液を硬化させ、半導体発光装置(白色LED)を得た。
半導体発光装置に20mAの電流を通電したところ、白色光が得られた。さらに25℃、湿度55%RHで1450時間連続点灯を実施して、輝度低下がないことを確認した。
2 樹脂成形体
3 ボンディングワイヤ
4 蛍光体含有部(波長変換部)
5 リードフレーム
Claims (9)
- (A)平均組成式が下記一般式(1):
(R1R2SiO2/2)a(R3SiO3/2)b(SiO4/2)c(O1/2R4)d・・・(1)
〔式(1)中、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して、エポキシ基含有炭化水素基または酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜10の炭化水素基を示すが、R1、R2、R3およびR4の少なくとも1つはエポキシ基含有炭化水素基であり、aは0.2〜1.0、bは0.1〜0.7、cは0〜0.2、d>0の数を示し、a+b+c=1である。〕
で表され、エポキシ当量が250〜700g/当量であるポリシロキサン、(B)硬化剤および(C)硬化触媒を含む熱硬化性樹脂組成物であって、
該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接(Tanδ)におけるピーク温度(K)に対するピーク半値幅(K)の比〔ピーク半値幅(K)/ピーク温度(K)〕が0.18以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。 - 一般式(1)における(R1R2SiO2/2)成分が、質量平均分子量(Mw)400以上のオリゴマーであることを特徴とする請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- (A)ポリシロキサンが、アルコキシシラン化合物を、酸性化合物の存在下で加水分解し、次いで、塩基性化合物を添加して縮合反応を行うことで製造されることを特徴とする請求項1または2に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- アルコキシシラン化合物が、下記一般式(2):
RERF (4−m−n)Si(ORG)n・・・(2)
〔式(2)中、REはエポキシ基含有炭化水素基を示し、RFおよびRGは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の炭化水素基を示し、mは1または2、nは2または3、(4−m−n)は0、1または2の数を示す。〕
で表されるエポキシ基含有アルコキシシラン化合物またはそのオリゴマーと、
下記一般式(3):
HO(−Si(RH)(RI)−O−)qH・・・(3)
〔式(3)中、RHおよびRIは、それぞれ独立して、炭素数1〜10の炭化水素基を示し、qは1〜500の整数を示す。〕
で表されるシラン化合物との混合物であることを特徴とする請求項3に記載の熱硬化性樹脂組成物。 - 酸性化合物に対する塩基性化合物のモル比〔塩基性化合物(モル)/酸性化合物(モル)〕が、1.05〜5.00の範囲であることを特徴とする請求項3または4に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 損失正接(Tanδ)におけるピーク温度が、270〜470(K)であることを特徴とする請求項1ないし5の何れか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 損失正接(Tanδ)におけるピーク半値幅が、50〜75(K)であることを特徴とする請求項1ないし6の何れか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 請求項1ないし7の何れか1項に記載の樹脂組成物を硬化させた硬化物よりなることを特徴とする半導体デバイス用部材。
- 請求項8に記載の半導体デバイス用部材を備えてなることを特徴とする半導体発光デバイス。
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